DE112013003772B4 - Reflektierendes Kontaktschichtsystem für ein optoelektronisches Bauelement, Verfahren zu dessen Herstellung und ein solches optoelektronisches Bauelement - Google Patents
Reflektierendes Kontaktschichtsystem für ein optoelektronisches Bauelement, Verfahren zu dessen Herstellung und ein solches optoelektronisches Bauelement Download PDFInfo
- Publication number
- DE112013003772B4 DE112013003772B4 DE112013003772.6T DE112013003772T DE112013003772B4 DE 112013003772 B4 DE112013003772 B4 DE 112013003772B4 DE 112013003772 T DE112013003772 T DE 112013003772T DE 112013003772 B4 DE112013003772 B4 DE 112013003772B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- nitride compound
- compound semiconductor
- doped nitride
- semiconductor layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 127
- -1 nitride compound Chemical class 0.000 claims abstract description 94
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 14
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 11
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 6
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 5
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 200
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 150000002927 oxygen compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013139 quantization Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 229910004607 CdSnO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017911 MgIn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007717 ZnSnO Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 1
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2] CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
- H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
- H01L31/022475—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers composed of indium tin oxide [ITO]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/0304—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
- H01L31/056—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means the light-reflecting means being of the back surface reflector [BSR] type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/184—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/0004—Devices characterised by their operation
- H01L33/0008—Devices characterised by their operation having p-n or hi-lo junctions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
- H01L33/325—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen characterised by the doping materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/405—Reflective materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/42—Transparent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0025—Processes relating to coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
Reflektierendes Kontaktschichtsystem für ein optoelektronisches Bauelement (100), umfassend:- eine erste p-dotierte Nitridverbindungshalbleiterschicht (1),- eine transparente leitfähige Oxidschicht (3),- eine Spiegelschicht (4), und- eine zwischen der ersten p-dotierten Nitridverbindungshalbleiterschicht (1) und der transparenten leitfähigen Oxidschicht (3) angeordnete zweite p-dotierte Nitridverbindungshalbleiterschicht (2),wobei die Spiegelschicht (4) an die von der zweiten p-dotierten Nitridverbindungshalbleiterschicht (2) abgewandte Grenzfläche der transparenten leitfähigen Oxidschicht (3) angrenzt,die zweite p-dotierte Nitridverbindungshalbleiterschicht (2) an einer der transparenten leitfähigen Oxidschicht (3) zugewandten Grenzfläche (23) N-Face-Domänen (22) aufweist, und wobei die N-Face-Domänen (22) an der Grenzfläche (23) einen Flächenanteil von mindestens 95 % aufweisen.
Description
- Die Erfindung betrifft ein reflektierendes Kontaktschichtsystem für ein optoelektronisches Bauelement, das insbesondere zur Herstellung eines p-Kontakts einer Nitrid-Verbindungshalbleiter-LED geeignet ist, sowie ein Verfahren zur Herstellung des Kontaktschichtsystems. Außerdem betrifft die Erfindung ein optoelektronisches Bauelement mit einem solchen reflektierenden Kontaktschichtsystem.
- Es sind so genannte Dünnfilm-Leuchtdiodenchips bekannt, bei denen das ursprüngliche Aufwachssubstrat der Halbleiterschichtenfolge abgelöst und stattdessen die Halbleiterschichtenfolge an einer dem ursprünglichen Aufwachssubstrat gegenüberliegenden Seite mit einem Träger verbunden ist. Die Strahlungsaustrittsfläche des Leuchtdiodenchips ist in diesem Fall an einer dem Träger gegenüberliegenden Oberfläche der Halbleiterschichtenfolge angeordnet, also an der Seite des ursprünglichen Aufwachssubstrats. Bei einem derartigen Dünnfilm-Leuchtdiodenchip ist es vorteilhaft, wenn die dem Träger zugewandte Seite der Halbleiterschichtenfolge mit einer Spiegelschicht versehen ist, um in die Richtung des Trägers emittierte Strahlung in die Richtung der Strahlungsaustrittsfläche umzulenken und dadurch die Strahlungsausbeute zu erhöhen.
- Die Spiegelschicht grenzt bei einem Dünnfilm-Leuchtdiodenchip in der Regel an einen p-Typ-Halbleiterbereich des Leuchtdiodenchips an, wobei die Spiegelschicht auch zur elektrischen Kontaktierung des p-Typ-Halbleiterbereichs dient. Für den sichtbaren Spektralbereich wird typischerweise Silber als Material für die Spiegelschicht gewählt, da sich Silber durch eine hohe Reflexion im sichtbaren Spektralbereich auszeichnet.
- Es hat sich herausgestellt, dass an dem p-Kontakt zur Silberschicht beim Betrieb des Leuchtdiodenchips ein Spannungsabfall von beispielsweise etwa 170 mV - 250 mV auftritt, wobei der Kontaktwiderstand etwa 5 * 10-3 Qcm2 bis etwa 7 * 10-3 Qcm2 beträgt.
- Nitridverbindungshalbleiter bilden beim epitaktischen Wachsen in der Regel eine Wurtzit-Kristallstruktur aus, deren kristallographische c-Achse parallel zur Wachstumsrichtung verläuft. In Abhängigkeit von den Wachstumsparametern können dabei Domänen in der so genannten Ga-Face-Ausrichtung, die der kristallografischen [0001]-Richtung entspricht, oder Domänen mit der so genannten N-Face-Ausrichtung, die der kristallografischen [000-1]-Richtung entspricht, entstehen. Derartige Domänen können sich in polaren, aber auch in semipolaren oder nicht-polaren Nitridverbindungshalbleitern ausbilden.
- Nitridverbindungshalbleiter weisen in der Regel piezoelektrische Eigenschaften auf, d. h. sie weisen auch ohne äußeres elektrisches Feld eine elektrische Polarisation auf. Die Orientierung dieses elektrischen Feldes ist für die Ga-Face-Ausrichtung und die N-Face-Ausrichtung entgegengesetzt. Aus diesem Grund weisen Domänen mit Ga-Face-Ausrichtung und N-Face-Ausrichtung verschiedene elektrische Eigenschaften auf.
- In der Druckschrift WO 2010/ 045 907 A1 wird ein Kontaktschichtsystem für ein optoelektronisches Bauelement beschrieben, bei dem eine p-Kontaktschicht aus einem Nitrid-Verbindungshalbleiter an eine Anschlussschicht angrenzt, wobei die p-Kontaktschicht an einer Grenzfläche zur Anschlussschicht erste Domänen mit einer Ga-Face-Ausrichtung und zweite Domänen mit einer N-Face-Ausrichtung aufweist. Es wird angegeben, dass der Flächenanteil der N-Face-Domänen vorzugsweise zwischen 30 Prozent und 60 Prozent betragen sollte, um einen möglichst geringen Kontaktwiderstand zu erzielen.
- Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein verbessertes Kontaktschichtsystem zur Ausbildung des p-Kontakts eines optoelektronischen Nitrid-Verbindungshalbleiter-Bauelements anzugeben, das sich sowohl durch einen geringen Kontaktwiderstand als auch durch eine hohe Reflexion für die von dem optoelektronischen Bauelement emittierte Strahlung auszeichnet. Weiterhin soll ein vorteilhaftes Verfahren zur Herstellung des Kontaktschichtsystems angegeben werden.
- Diese Aufgaben werden durch ein reflektierendes Kontaktschichtsystem für ein optoelektronisches Bauelement, durch ein Verfahren zu dessen Herstellung sowie durch ein optoelektronisches Bauelement mit einem solchen reflektierenden Kontaktschichtsystem gemäß den unabhängigen Patentansprüchen gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
- Das reflektierende Kontaktschichtsystem für ein optoelektronisches Bauelement umfasst gemäß mindestens einer Ausführungsform eine erste p-dotierte Nitridverbindungshalbleiterschicht, eine transparente leitfähige Oxidschicht und eine Spiegelschicht. Zwischen der ersten p-dotierten Nitridverbindungshalbleiterschicht und der transparenten leitfähigen Oxidschicht ist vorteilhaft eine zweite p-dotierte Nitridverbindungshalbleiterschicht angeordnet, die an einer der transparenten leitfähigen Oxidschicht zugewandten Grenzfläche N-Face-Domänen aufweist, wobei die N-Face-Domänen an der Grenzfläche einen Flächenanteil von mindestens 95 % aufweisen.
- Das hier beschriebene reflektierende Kontaktschichtsystem macht sich die Erkenntnis zu Nutze, das mittels der zwischen der ersten p-dotierten Nitridverbindungshalbleiterschicht und der transparenten leitfähigen Oxidschicht angeordneten zweiten p-dotierten Nitridverbindungshalbleiterschicht mit einem sehr hohen Flächenanteil von N-Face-Domänen ein elektrischer Kontakt realisiert werden kann, der sich sowohl durch eine hohe Reflektivität als auch einen geringen Kontaktwiderstand auszeichnet.
- Der geringe Kontaktwiderstand beruht insbesondere darauf, dass die N-Face-Domänen die Eigenschaften eines n-Typ-Halbleitermaterials aufweisen. Dieser Effekt beruht vermutlich darauf, dass in den N-Face-Domänen Kristalldefekte auftreten, welche die Akzeptoren des nominell p-dotierten Halbleitermaterials überkompensieren. Dadurch, dass die N-Face-Domänen n-Typ-Eigenschaften aufweisen, bildet sich an der Grenzfläche zwischen der zweiten p-dotierten Nitridverbindungshalbleiterschicht und der angrenzenden Schicht aus dem transparenten leitfähigen Oxid ein lokaler Tunnelübergang aus. Dieser Effekt bewirkt den elektrischen Anschluss der transparenten leitfähigen Oxidschicht nahezu ohne Spannungsabfall.
- Die Spiegelschicht grenzt vorteilhaft an die von der zweiten p-dotierten Nitridverbindungshalbleiterschicht abgewandte Grenzfläche der transparenten leitfähigen Oxidschicht an und bewirkt eine hohe Reflektivität für aus dem Halbleitermaterial auf das Kontaktschichtsystem auftreffende Strahlung. Der Kontaktwiderstand und die Verlustspannung sind bei dem Kontaktschichtsystem vorteilhaft geringer als bei einem direkten Aufbringen der Spiegelschicht auf das p-dotierte Nitridverbindungshalbleitermaterial. Der Kontaktwiderstand kann insbesondere nur 5 * 10-5 Qcm2 oder weniger betragen.
- Weiterhin wird mit dem derart aufgebauten Kontaktschichtsystem eine hohe Reflektivität erzielt. Die hohe Reflektivität beruht insbesondere auf dem hohen Flächenanteil der vergleichsweise glatten N-Face-Domänen an der Grenzfläche. Dadurch werden insbesondere Verluste durch Lichtstreuung an der Grenzfläche zwischen der zweiten p-dotierten Nitridverbindungshalbleiterschicht und der transparenten leitfähigen Oxidschicht vermindert. Licht aus dem Halbleitermaterial kann daher ohne signifikante Streuverluste in die transparente leitfähige Oxidschicht eindringen und wird an der gegenüberliegenden Grenzfläche der Spiegelschicht in Richtung der Halbleiterschichten zurückreflektiert.
- Die transparente leitfähige Oxidschicht weist vorteilhaft einen geringeren Brechungsindex als die zweite p-dotierte Nitridverbindungshalbleiterschicht auf. Somit tritt an der Grenzfläche zwischen der zweiten p-dotierten Nitridverbindungshalbleiterschicht und der transparenten leitfähige Oxidschicht zumindest für den Anteil des aus Halbleitematerial kommenden Lichts, das mit einem Einfallswinkel größer als dem Totalreflexionswinkel auf die Grenzfläche auftrifft, Totalreflexion auf. Die Totalreflexion wird durch eine besonders glatte Grenzfläche aufgrund der Vermeidung von Streuverlusten begünstigt. Somit trägt auch die Grenzfläche zwischen der zweiten p-dotierten Nitridverbindungshalbleiterschicht und der transparenten leitfähige Oxidschicht zur Reflektivität des Kontaktschichtsystems bei. Auf diese Weise wird vorteilhaft die gesamte Reflektivität des Kontaktschichtsystems erhöht.
- Es hat sich herausgestellt, dass die zweite Nitridverbindungshalbleiterschicht bei einem sehr hohen Flächenanteil von N-Face-Domänen von mindestens 95 % eine glattere Grenzfläche ausbildet als bei einem geringeren Flächenanteil von N-Face-Domänen.
- Bei einer bevorzugten Ausgestaltung weisen die N-Face-Domänen der zweiten p-dotierten Nitridverbindungshalbleiterschicht an der Grenzfläche zur transparenten leitfähigen Oxidschicht einen Flächenanteil von mindestens 98 % auf.
- Bei einer besonders bevorzugten Ausgestaltung weist die zweite p-dotierte Nitridverbindungshalbleiterschicht an der gesamten Grenzfläche zur transparenten leitfähigen Oxidschicht N-Face-Domänen auf. In diesem Fall wird eine besonders glatte Grenzfläche erzielt und somit eine hohe Reflexion erzielt.
- Die rms (root mean square)-Rauheit der Grenzfläche zwischen der zweiten p-dotierten Nitridverbindungshalbleiterschicht und der transparenten leitfähigen Oxidschicht beträgt vorteilhaft weniger als 7 nm. Bevorzugt beträgt die rms-Rauheit weniger als 5 nm und besonders bevorzugt weniger als 3 nm.
- Der Flächenanteil der N-Face-Domänen an der Grenzfläche zwischen der zweiten p-dotierten Nitridverbindungshalbleiterschicht und der transparenten leitfähigen Oxidschicht kann insbesondere durch die Höhe der Dotierstoffkonzentration und die Wachstumsbedingungen der zweiten p-dotierten Nitridverbindungshalbleiterschicht eingestellt werden. Die Ausbildung von N-Face-Domänen wird durch eine hohe Dotierstoffkonzentration begünstigt. Die Dotierstoffkonzentration in der zweiten p-dotierten Nitridverbindungshalbleiterschicht beträgt vorteilhaft mehr als 2 * 1020 cm-3, bevorzugt mehr als 3 * 1020 cm-3 und besonders bevorzugt mehr als 5 * 1020 cm-3.
- Weiterhin hat die Schichtdicke der zweiten p-dotierten Nitridverbindungshalbleiterschicht einen Einfluss auf die Domänenstruktur an der Grenzfläche. Um einen hohen Flächenanteil an N-Face-Domänen zu erzielen, weist die zweite p-dotierte Nitridverbindungshalbleiterschicht vorteilhaft eine Dicke von mindestens 10 nm, bevorzugt von mindestens 20 nm und besonders bevorzugt von mindestens 40 nm auf. Beispielsweise kann die zweite p-dotierte Nitridverbindungshalbleiterschicht zwischen einschließlich 10 nm und einschließlich 50 nm dick sein.
- Es hat sich herausgestellt, dass die zweite p-dotierte Nitridverbindungshalbleiterschicht mit einem hohen Anteil sehr glatter N-Face-Domänen insbesondere durch epitaktisches Aufwachsen auf die erste p-dotierte Nitridverbindungshalbleiterschicht mittels Molekularstrahlepitaxie herstellbar ist. Insbesondere wurde festgestellt, dass sich durch das Aufwachsen der zweiten p-dotierten Nitridverbindungshalbleiterschicht ein noch geringerer Kontaktwiderstand erzielen lässt als beim Aufwachsen der zweiten p-dotierten Nitridverbindungshalbleiterschicht mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE).
- Die zweite p-dotierte Nitridverbindungshalbleiterschicht weist vorzugsweise GaN auf. Vorteilhaft weist auch die erste p-dotierte Nitridverbindungshalbleiterschicht GaN auf. Insbesondere können sowohl die erste als auch die zweite p-dotierte Nitridverbindungshalbleiterschicht GaN-Schichten sein. Als p-Dotierstoff für die erste und/oder die zweite Nitridverbindungshalbleiterschicht wird vorzugsweise Magnesium eingesetzt.
- Die zweite p-dotierte Nitridverbindungshalbleiterschicht grenzt vorteilhaft an die transparente leitfähige Oxidschicht an. Transparente leitfähige Oxide (transparent conductive oxides, kurz „TCO“) sind transparente, leitende Materialien, in der Regel Metalloxide, wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid oder Indiumzinnoxid (ITO). Neben binären Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise ZnO, SnO2 oder In2O3 gehören auch ternäre Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise Zn2SnO4, CdSnO3, ZnSnO3, MgIn2O4, GaInO3, Zn2In2O5 oder In4Sn3O12 oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitender Oxide zu der Gruppe der TCOs.
- Die transparente leitfähige Oxidschicht weist gemäß einer vorteilhaften Ausgestaltung Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder ZinkOxid (ZnO) auf. Diese transparenten leitfähigen Oxide zeichnen sich durch eine hohe Transparenz und eine hohe elektrische Leitfähigkeit aus. Die transparente leitfähige Oxidschicht kann einen Dotierstoff enthalten, beispielsweise kann sie eine mit Aluminium dotierte Zinkoxidschicht sein.
- Die Spiegelschicht grenzt vorteilhaft an einer der zweiten p-dotierten Nitridverbindungshalbleiterschicht gegenüberliegenden Grenzfläche an die transparente leitfähige Oxidschicht an. Die Spiegelschicht enthält vorzugsweise ein Metall oder eine Metalllegierung. Zur Erzielung einer hohen Reflexion im sichtbaren Spektralbereich enthält die Spiegelschicht vorzugsweise Silber oder besteht daraus.
- Bei dem Verfahren zur Herstellung eines reflektierenden Kontaktschichtsystems wird zumindest die zweite p-dotierte Nitridverbindungshalbleiterschicht mittels Molekularstrahlepitaxie hergestellt. Es hat sich herausgestellt, dass insbesondere die Herstellung mittels Molekularstrahlepitaxie die Ausbildung von N-Face-Domänen mit sehr glatten Grenzflächen ermöglicht. Insbesondere wurde festgestellt, dass sich mit einer durch Molekularstrahlepitaxie hergestellten zweiten p-dotierten Nitridverbindungshalbleiterschicht ein besonders geringer Kontaktwiderstand erzielen lässt.
- Es wird weiterhin ein optoelektronisches Bauelement mit dem reflektierenden Kontaktschichtsystem angegeben, wobei das optoelektronische Bauelement eine Epitaxieschichtenfolge aufweist, die einen n-Typ-Halbleiterbereich, eine aktive Schicht und einen p-Typ-Halbleiterbereich enthält. Der p-Typ-Halbleiterbereich des optoelektronischen Bauelementes enthält die erste p-dotierte Nitridverbindungshalbleiterschicht und die zweite p-dotierte Nitridverbindungshalbleiterschicht. Bei dem optoelektronischen Bauelement sind der N-Typ-Halbleiterbereich einer Strahlungsaustrittsfläche und der P-Typ-Halbleiterbereich einem Träger zugewandt.
- Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen des Verfahrens und des optoelektronischen Bauelementes ergeben sich aus der Beschreibung des reflektierenden Kontaktschichtsystems und umgekehrt.
- Die Erfindung wird im Folgenden anhand von Ausführungsbeispielen im Zusammenhang mit den
1 und2 näher erläutert. - Es zeigen:
-
1 eine schematische Darstellung eines Querschnitts durch ein reflektierendes Kontaktschichtsystem gemäß einem Ausführungsbeispiel, und -
2 ein optoelektronisches Bauelement mit einem reflektierenden Kontaktschichtsystem gemäß einem Ausführungsbeispiel. - Gleiche oder gleich wirkende Bestandteile sind in den Figuren jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die dargestellten Bestandteile sowie die Größenverhältnisse der Bestandteile untereinander sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen.
- Das in
1 dargestellte Ausführungsbeispiel eines reflektierenden Kontaktschichtsystems für ein optoelektronisches Bauelement umfasst eine erste p-dotierte Nitridverbindungshalbleiterschicht1 und eine zweite p-dotierte Nitridverbindungshalbleiterschicht2 , welche an die erste p-dotierte Nitridverbindungshalbleiterschicht1 angrenzt. Die p-dotierten Nitridverbindungshalbleiterschichten1 ,2 umfassen beispielsweise jeweils ein Nitridverbindungshalbleitermaterial mit der Zusammensetzung InxAlyGa1-x-yN, wobei 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1 gilt. Die erste p-dotierte Nitridverbindungshalbleiterschicht1 und die zweite p-dotierte Nitridverbindungshalbleiterschicht2 sind vorzugsweise jeweils GaN-Schichten. Die p-dotierten Nitridverbindungshalbleiterschichten1 ,2 können insbesondere Magnesium als p-Dotierstoff aufweisen. - Weiterhin enthält das reflektierende Kontaktschichtsystem eine an die zweite p-dotierte Nitridverbindungshalbleiterschicht
2 angrenzende transparente leitfähige Oxidschicht3 . Die transparente leitfähige Oxidschicht3 enthält vorzugsweise Indiumzinnoxid oder Zinkoxid. Alternativ sind aber auch andere transparente leitfähige Oxide geeignet. - An einer von den p-dotierten NitridVerbindungshalbleiterschichten
1 ,2 abgewandten Seite der transparenten leitfähigen Oxidschicht3 ist eine Spiegelschicht4 angeordnet. Bei der Spiegelschicht4 handelt es sich vorzugsweise um eine Schicht aus einem Metall oder einer Metalllegierung. Die Spiegelschicht4 enthält vorzugsweise Silber oder besteht daraus. - Die zweite p-dotierte Nitridverbindungshalbleiterschicht
2 enthält vorteilhaft N-Face-Domänen22 . Neben den N-Face-Domänen22 kann die zweite p-dotierte Nitridverbindungshalbleiterschicht2 zumindest zu einem geringen Anteil auch Ga-Face-Domänen21 aufweisen. - An der Grenzfläche
23 zur transparenten leitfähigen Oxidschicht3 beträgt der Flächenanteil der N-Face-Domänen22 in der zweiten p-dotierten Nitridverbindungshalbleiterschicht2 vorteilhaft mindestens 95 %, bevorzugt mindestens 98 % und besonders bevorzugt mindestens 99 %. Insbesondere kann die zweite p-dotierte Nitridverbindungshalbleiterschicht2 an der gesamten Grenzfläche23 zur transparenten leitfähigen Oxidschicht 3 N-Face-Domänen22 aufweisen. - Der hohe Flächenanteil der N-Face-Domänen
22 an der Grenzfläche23 der zweiten p-dotierten Nitridverbindungshalbleiterschicht2 hat den Vorteil, dass ein elektrischer Kontakt zu der transparenten leitfähigen Oxidschicht3 mit geringem Kontaktwiderstand ausgebildet wird, ohne dass die Reflektivität der Kontaktschichtenfolge beeinträchtigt wird. Eine Verminderung der Reflektivität könnte insbesondere bei einem geringeren Flächenanteil der N-Face-Domänen22 auftreten, da bei einem größeren Flächenanteil von Ga-Face-Domänen21 , beispielsweise bei etwa gleich großen Flächenanteilen von Ga-Face-Domänen21 und N-Face-Domänen22 , eine erhöhte Rauheit der Grenzfläche23 auftreten kann. Zwar ist aus der in der Einleitung zitierten Druckschrift WO 2010/ 045 907A1 bekannt, dass sich ein besonders geringer Kontaktwiderstand insbesondere auch mit etwa gleich großen Anteilen von N-Face-Domänen und Ga-Face-Domänen erzielen lässt. Dies kann aber aufgrund einer erhöhten Grenzflächenrauheit bei einem reflektierenden Kontaktschichtsystem zu einer verminderten Reflektivität führen. Es hat sich vorteilhaft herausgestellt, dass mit einem hohem Flächenanteil der N-Face-Domänen22 von mindestens 95 % ein Kontaktschichtsystem realisiert werden kann, dass sich sowohl durch einen geringen Kontaktwiderstand als auch eine hohe Reflektivität auszeichnet. - Die zweite p-dotierte Nitridverbindungshalbleiterschicht
2 weist aufgrund des hohen Flächenanteils der N-Face-Domänen22 eine sehr glatte Grenzfläche23 zur nachfolgenden transparenten leitfähigen Oxidschicht3 auf. Vorteilhaft beträgt die rms-Rauheit der Grenzfläche23 zwischen der zweiten p-dotierten Nitridverbindungshalbleiterschicht2 und der transparenten leitfähigen Oxidschicht3 weniger als 7 nm, bevorzugt weniger als 5 nm und besonders bevorzugt weniger als 3 nm. - Die bevorzugte Ausbildung von N-Face-Domänen
22 in der zweiten p-dotierten Nitridverbindungshalbleiterschicht2 wird durch eine hohe Dotierstoffkonzentration begünstigt. Vorteilhaft beträgt die Dotierstoffkonzentration in der zweiten p-dotierten Nitridverbindungshalbleiterschicht2 mindestens 2 * 1020 cm-3, bevorzugt mindestens 3 * 1020 cm-3 und besonders bevorzugt mindestens 5 * 1020 cm-3. - Der Flächenanteil der N-Face-Domänen
22 an der Grenzfläche23 wird auch durch die Schichtdicke der zweiten p-dotierten Nitridverbindungshalbleiterschicht2 beeinflusst. Vorteilhaft beträgt die Schichtdicke der zweiten p-dotierten Nitridverbindungshalbleiterschicht2 mindestens 10 nm, bevorzugt mindestens 20 nm und besonders bevorzugt mindestens 40 nm. Die Schichtdicke der zweiten p-dotierten Nitridverbindungshalbleiterschicht2 beträgt beispielsweise zwischen 10 nm und 50 nm. - Weiterhin beeinflussen die Prozessbedingungen, insbesondere das verwendete Beschichtungsverfahren zum Aufwachsen der zweiten p-dotierten Nitridverbindungshalbleiterschicht
2 , den Anteil der N-Face-Domänen22 in der zweiten p-dotierten Nitridverbindungshalbleiterschicht2 . Bei einem vorteilhaften Verfahren zur Herstellung des reflektierenden Kontaktschichtsystems wird zumindest die zweite p-dotierte Nitridverbindungshalbleiterschicht2 mittels Molekularstrahlepitaxie hergestellt. - In
2 ist beispielhaft ein optoelektronisches Bauelement100 schematisch im Querschnitt dargestellt, das eine reflektierende Kontaktschichtenfolge gemäß einem Ausführungsbeispiel enthält. - Das optoelektronische Bauelement
100 enthält eine auf einem Nitridverbindungshalbleiter basierende Epitaxieschichtenfolge8 . „Auf einem Nitridverbindungshalbleiter basierend“ bedeutet im vorliegenden Zusammenhang, dass die Epitaxieschichtenfolge8 oder zumindest eine Schicht davon ein III-NitridVerbindungshalbleitermaterial, vorzugsweise InxAlyGa1-x-yN umfasst, wobei 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1. Dabei muss dieses Material nicht zwingend eine mathematisch exakte Zusammensetzung nach obiger Formel aufweisen. Vielmehr kann es einen oder mehrere Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen, die die charakteristischen physikalischen Eigenschaften des InxAlyGa1-x-yN-Materials im Wesentlichen nicht ändern. Der Einfachheit halber beinhaltet obige Formel jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters (In, Al, Ga, N), auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt sein können. - Die Epitaxieschichtenfolge
8 enthält einen n-Typ-Halbleiterbereich 5, eine aktive Schicht6 und einen p-Typ-Halbleiterbereich 7. Der n-Typ-Halbleiterbereich 5, die aktive Schicht6 und der p-Typ-Halbleiterbereich 7 können jeweils mehrere Schichten aufweisen, die zur Vereinfachung nicht im Einzelnen dargestellt sind. Es ist auch möglich, dass n-Typ-Halbleitebereich 5, die aktive Schicht6 oder der p-Typ-Halbleiterbereich 7 eine oder mehrere undotierte Schichten enthalten. Der p-Typ-Halbleiterbereich 7 enthält insbesondere die erste p-dotierte Halbleiterschicht1 und die zweite p-dotierte Halbleiterschicht2 des Kontaktschichtsystems. - Die aktive Schicht
6 kann insbesondere eine strahlungsemittierende oder eine strahlungsempfangende aktive Schicht sein. Die aktive Schicht6 kann zum Beispiel als pn-Übergang, als Doppelheterostruktur, als Einfach-Quantentopfstruktur oder Mehrfach-Quantentopfstruktur ausgebildet sein. Die Bezeichnung Quantentopfstruktur umfasst dabei jegliche Struktur, bei der Ladungsträger durch Einschluss (Confinement) eine Quantisierung ihrer Energiezustände erfahren. Insbesondere beinhaltet die Bezeichnung Quantentopfstruktur keine Angabe über die Dimensionalität der Quantisierung. Sie umfasst somit unter anderem Quantentröge, Quantendrähte und Quantenpunkte und jede Kombination dieser Strukturen. - Die aktive Schicht
6 kann insbesondere eine oder mehrere Schichten aus InGaN enthalten. - Bei dem optoelektronischen Bauelement
100 handelt es sich um einen so genannten Dünnfilm-Leuchtdiodenchip, bei dem ein zum Aufwachsen der Epitaxieschichtenfolge8 verwendetes Aufwachssubstrat von der Epitaxieschichtenfolge8 abgelöst wurde. Die Epitaxieschichtenfolge8 ist an einer dem ursprünglichen Aufwachssubstrat gegenüber liegenden Seite mit einem Träger11 verbunden worden. Das optoelektronische Bauelement100 enthält also kein Aufwachssubstrat der Epitaxieschichtenfolge8 wie beispielsweise ein Saphirsubstrat. Die Epitaxieschichtenfolge8 ist an der Rückseite des optoelektronischen Bauelements100 mittels einer Verbindungsschicht10 , beispielsweise einer Lotschicht, mit dem Träger11 verbunden. Der Träger11 kann beispielsweise Silizium, Germanium, eine Keramik, ein Metall oder eine Metalllegierung aufweisen. - Bei dem optoelektronischen Bauelement
100 ist der n-Typ-Halbleiterbereich 5 der Strahlungsaustrittsfläche14 und der p-Typ-Halbleiterbereich 7 dem Träger11 zugewandt. - Die elektrische Kontaktierung des p-Typ-Halbleiterbereichs 7 erfolgt von der dem Träger
11 zugewandten Rückseite des optoelektronischen Bauelements100 her mit dem reflektierenden Kontaktschichtsystem. Das reflektierende Kontaktschichtsystem enthält eine erste p-dotierte Nitridverbindungshalbleiterschicht1 , eine zweite p-dotierte Nitridverbindungshalbleiterschicht2 , eine transparente leitfähige Oxidschicht3 und eine Spiegelschicht4 . Die vorteilhaften Ausgestaltungen des reflektierenden Kontaktschichtsystems1 ,2 ,3 ,4 und die daraus resultierenden Vorteile entsprechen dem im Zusammenhang mit der1 beschriebenen Ausführungsbeispiel und werden daher nicht nochmals erläutert. - Durch die in dem reflektierenden Kontaktschichtsystem vorgesehene Spiegelschicht
4 wird vorteilhaft Strahlung15 , welche von der aktiven Schicht6 in Richtung des Trägers11 abgestrahlt wird, in Richtung der Strahlungsaustrittsfläche14 reflektiert. Auf diese Weise wird eine Absorption der zur Rückseite des optoelektronischen Bauelements100 emittierten Strahlung im Träger11 verhindert und auf diese Weise die Effizienz des optoelektronischen Bauelements100 erhöht. - Zwischen der Spiegelschicht
4 und der Lotschicht10 sind vorzugsweise eine oder mehrere funktionelle Schichten9 angeordnet, beispielsweise eine Schichtenfolge9 , die ausgehend von der Spiegelschicht4 Teilschichten aus Titan, Platin und Gold aufweist. In diesem Fall fungiert die Teilschicht aus Platin vorteilhaft als Diffusionsbarriere, welche die Diffusion von Bestandteilen nachfolgender Schichten in die Spiegelschicht4 und umgekehrt verhindert. Die Teilschicht aus Gold fungiert aufgrund der hohen elektrischen Leitfähigkeit als Stromaufweitungsschicht und die nachfolgende Titanschicht als Haftvermittlerschicht für weitere nachfolgende Schichten. - Zur Herstellung der externen elektrischen Anschlüsse sind beispielsweise eine erste Kontaktmetallisierung
12 an der Rückseite des Trägers11 und eine zweite Kontaktmetallisierung13 auf einem Teilbereich der Strahlungsaustrittsfläche14 vorgesehen. - Das reflektierende Kontaktschichtsystem, welches durch die erste p-dotierte Nitridverbindungshalbleiterschicht
1 , die zweite p-dotierte Nitridverbindungshalbleiterschicht2 , die transparente leitfähige Oxidschicht3 und die Spiegelschicht4 gebildet wird, zeichnet sich durch eine hohe Reflektivität für die von der aktiven Zone6 emittierte Strahlung15 sowie durch einen sehr geringen Kontaktwiderstand aus. Der Kontaktwiderstand kann insbesondere 5 * 10-5 Qcm2 oder weniger betragen.
Claims (14)
- Reflektierendes Kontaktschichtsystem für ein optoelektronisches Bauelement (100), umfassend: - eine erste p-dotierte Nitridverbindungshalbleiterschicht (1), - eine transparente leitfähige Oxidschicht (3), - eine Spiegelschicht (4), und - eine zwischen der ersten p-dotierten Nitridverbindungshalbleiterschicht (1) und der transparenten leitfähigen Oxidschicht (3) angeordnete zweite p-dotierte Nitridverbindungshalbleiterschicht (2), wobei die Spiegelschicht (4) an die von der zweiten p-dotierten Nitridverbindungshalbleiterschicht (2) abgewandte Grenzfläche der transparenten leitfähigen Oxidschicht (3) angrenzt, die zweite p-dotierte Nitridverbindungshalbleiterschicht (2) an einer der transparenten leitfähigen Oxidschicht (3) zugewandten Grenzfläche (23) N-Face-Domänen (22) aufweist, und wobei die N-Face-Domänen (22) an der Grenzfläche (23) einen Flächenanteil von mindestens 95 % aufweisen.
- Reflektierendes Kontaktschichtsystem nach
Anspruch 1 , wobei die N-Face-Domänen (22) an der Grenzfläche (23) einen Flächenanteil von mindestens 98 % aufweisen. - Reflektierendes Kontaktschichtsystem nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die zweite p-dotierte Nitridverbindungshalbleiterschicht (2) an der gesamten Grenzfläche (23) N-Face-Domänen (22) aufweist.
- Reflektierendes Kontaktschichtsystem nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Grenzfläche (23) eine rms-Rauheit von weniger als 7 nm aufweist.
- Reflektierendes Kontaktschichtsystem nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Grenzfläche (23) eine rms-Rauheit von weniger als 3 nm aufweist.
- Reflektierendes Kontaktschichtsystem nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die zweite p-dotierte NitridverbindungshalbleiterSchicht (2) eine Dotierstoffkonzentration von mehr als 2 * 1020 cm-3 aufweist.
- Reflektierendes Kontaktschichtsystem nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die zweite p-dotierte NitridverbindungshalbleiterSchicht (2) eine Dotierstoffkonzentration von mehr als 5 * 1020 cm-3 aufweist.
- Reflektierendes Kontaktschichtsystem nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die zweite p-dotierte NitridverbindungshalbleiterSchicht (2) eine Dicke von mindestens 10 nm aufweist.
- Reflektierendes Kontaktschichtsystem nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste p-dotierte NitridverbindungshalbleiterSchicht (1) GaN aufweist.
- Reflektierendes Kontaktschichtsystem nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die zweite p-dotierte NitridverbindungshalbleiterSchicht (2) GaN aufweist.
- Reflektierendes Kontaktschichtsystem nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die transparente leitfähige Oxidschicht (3) Indiumzinnoxid oder Zinkoxid aufweist.
- Reflektierendes Kontaktschichtsystem nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Spiegelschicht (4) Silber enthält.
- Verfahren zur Herstellung eines reflektierenden Kontaktschichtsystems nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei zumindest die zweite p-dotierte Nitridverbindungshalbleiterschicht (2) mittels Molekularstrahlepitaxie hergestellt wird.
- Optoelektronisches Bauelement (100) mit einem reflektierenden Kontaktschichtsystem nach einem der
Ansprüche 1 bis12 , wobei - das optoelektronische Bauelement (100) eine Epitaxieschichtenfolge (8) aufweist, die einen n-Typ-Halbleiterbereich (5), eine aktive Schicht (6) und einen p-Typ-Halbleiterbereich (7) enthält, - der p-Typ-Halbleiterbereich (7) die erste p-dotierte Nitridverbindungshalbleiterschicht (1) und die zweite p-dotierte Nitridverbindungshalbleiterschicht (2) enthält, - der n-Typ-Halbleiterbereich (5) einer Strahlungsaustrittsfläche (14) zugewandt ist, und - der p-Typ-Halbleiterbereich einem Träger (11) zugewandt ist.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102012106998.0A DE102012106998A1 (de) | 2012-07-31 | 2012-07-31 | Reflektierendes Kontaktschichtsystem für ein optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
DE102012106998.0 | 2012-07-31 | ||
PCT/EP2013/065638 WO2014019917A1 (de) | 2012-07-31 | 2013-07-24 | Reflektierendes kontaktschichtsystem für ein optoelektronisches bauelement und verfahren zu dessen herstellung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE112013003772A5 DE112013003772A5 (de) | 2015-07-09 |
DE112013003772B4 true DE112013003772B4 (de) | 2021-07-01 |
Family
ID=48874301
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102012106998.0A Withdrawn DE102012106998A1 (de) | 2012-07-31 | 2012-07-31 | Reflektierendes Kontaktschichtsystem für ein optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
DE112013003772.6T Active DE112013003772B4 (de) | 2012-07-31 | 2013-07-24 | Reflektierendes Kontaktschichtsystem für ein optoelektronisches Bauelement, Verfahren zu dessen Herstellung und ein solches optoelektronisches Bauelement |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102012106998.0A Withdrawn DE102012106998A1 (de) | 2012-07-31 | 2012-07-31 | Reflektierendes Kontaktschichtsystem für ein optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9196789B2 (de) |
JP (1) | JP6109311B2 (de) |
KR (1) | KR102038730B1 (de) |
CN (1) | CN105051916B (de) |
DE (2) | DE102012106998A1 (de) |
WO (1) | WO2014019917A1 (de) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112614921A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-04-06 | 深圳第三代半导体研究院 | 一种发光二极管及其制造方法 |
US11682752B2 (en) * | 2021-03-31 | 2023-06-20 | Lumileds Llc | Light-emitting device with nano-structured light extraction layer |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050163179A1 (en) * | 2003-10-28 | 2005-07-28 | Stewart Hooper | MBE growth of a semiconductor laser diode |
DE102008052405A1 (de) * | 2008-10-21 | 2010-04-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN2760762Y (zh) * | 2004-04-08 | 2006-02-22 | 炬鑫科技股份有限公司 | 氮化镓系发光二极管结构 |
WO2006013698A1 (ja) * | 2004-08-02 | 2006-02-09 | Nec Corporation | 窒化物半導体素子、及びその製造方法 |
US7804100B2 (en) * | 2005-03-14 | 2010-09-28 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Polarization-reversed III-nitride light emitting device |
KR100691277B1 (ko) * | 2005-08-26 | 2007-03-12 | 삼성전기주식회사 | 질화갈륨계 발광소자 및 제조방법 |
JP5604102B2 (ja) * | 2006-06-21 | 2014-10-08 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 安熱法による成長で作製された、窒素面またはM面GaN基板を用いた光電子デバイスと電子デバイス |
US20080111144A1 (en) * | 2006-11-15 | 2008-05-15 | The Regents Of The University Of California | LIGHT EMITTING DIODE AND LASER DIODE USING N-FACE GaN, InN, AND AlN AND THEIR ALLOYS |
US8021904B2 (en) * | 2007-02-01 | 2011-09-20 | Cree, Inc. | Ohmic contacts to nitrogen polarity GaN |
US20090039373A1 (en) * | 2007-07-24 | 2009-02-12 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Group III nitride-based compound semiconductor light emitting device |
DE102008027045A1 (de) * | 2008-02-29 | 2009-09-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterleuchtdiode und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterleuchtdiode |
JP2010205988A (ja) * | 2009-03-04 | 2010-09-16 | Panasonic Corp | 窒化物半導体素子及びその製造方法 |
US8080466B2 (en) * | 2009-08-10 | 2011-12-20 | Applied Materials, Inc. | Method for growth of nitrogen face (N-face) polarity compound nitride semiconductor device with integrated processing system |
KR20110081650A (ko) * | 2010-01-08 | 2011-07-14 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 및 그 제조 방법 |
-
2012
- 2012-07-31 DE DE102012106998.0A patent/DE102012106998A1/de not_active Withdrawn
-
2013
- 2013-07-24 KR KR1020157004567A patent/KR102038730B1/ko active IP Right Grant
- 2013-07-24 US US14/418,913 patent/US9196789B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-07-24 CN CN201380040707.9A patent/CN105051916B/zh active Active
- 2013-07-24 JP JP2015524727A patent/JP6109311B2/ja active Active
- 2013-07-24 DE DE112013003772.6T patent/DE112013003772B4/de active Active
- 2013-07-24 WO PCT/EP2013/065638 patent/WO2014019917A1/de active Application Filing
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050163179A1 (en) * | 2003-10-28 | 2005-07-28 | Stewart Hooper | MBE growth of a semiconductor laser diode |
DE102008052405A1 (de) * | 2008-10-21 | 2010-04-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
FICHTENBAUM, N. A. [et al.]: Electrical characterization of p-type N-polar and Ga-polar GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition. In: Applied Physics Letters, Vol. 91, 2007, 172105. DOI: 10.1063/1.2800304 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20150088991A (ko) | 2015-08-04 |
JP2015529018A (ja) | 2015-10-01 |
DE102012106998A1 (de) | 2014-02-06 |
DE112013003772A5 (de) | 2015-07-09 |
US20150270437A1 (en) | 2015-09-24 |
US9196789B2 (en) | 2015-11-24 |
CN105051916A (zh) | 2015-11-11 |
KR102038730B1 (ko) | 2019-10-30 |
CN105051916B (zh) | 2017-07-25 |
JP6109311B2 (ja) | 2017-04-05 |
WO2014019917A1 (de) | 2014-02-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102011112000B4 (de) | Leuchtdiodenchip | |
EP2543083B1 (de) | Leuchtdiodenchip | |
DE112018000553B4 (de) | Optoelektronischer Halbleiterchip | |
EP3131127B1 (de) | Leuchtdiodenchip mit stromaufweitungsschicht | |
DE102006015788A1 (de) | Optoelektronischer Halbleiterchip | |
EP2193555A1 (de) | Optoelektronischer halbleiterkörper | |
WO2012110364A1 (de) | Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterchips | |
EP2122697A1 (de) | Strahlung emittierender halbleiterkörper mit einer für die emittierte strahlung durchlässigen, elektrisch leitenden kontaktschicht | |
WO2017089198A1 (de) | Leuchtdiodenchip mit einer reflektierenden schichtenfolge | |
EP2338182B1 (de) | Optoelektronisches halbleiterbauelement | |
DE102011010503A1 (de) | Optoelektronischer Halbleiterchip | |
DE102010035966A1 (de) | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips | |
DE112013003772B4 (de) | Reflektierendes Kontaktschichtsystem für ein optoelektronisches Bauelement, Verfahren zu dessen Herstellung und ein solches optoelektronisches Bauelement | |
WO2009149687A1 (de) | Halbleiterkörper und verfahren zur herstellung eines halbleiterkörpers | |
DE102014115740A1 (de) | Optoelektronischer Halbleiterchip | |
DE10261676A1 (de) | Leuchtdioden-Chip mit strahlungsdurchlässiger elektrischer Stromaufweitungsschicht | |
DE102015114478A1 (de) | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung | |
WO2021032397A1 (de) | Optoelektronischer halbleiterchip | |
DE102017112099A1 (de) | Optoelektronischer Halbleiterchip | |
DE102015111301B4 (de) | Optoelektronischer Halbleiterchip | |
DE102011102376A1 (de) | Optoelektronischer Halbleiterchip | |
WO2018206443A1 (de) | Halbleiterlaser | |
DE102012111573A1 (de) | Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauelements | |
DE102017107918A1 (de) | Halbleiterchip | |
DE102015112879A1 (de) | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R079 | Amendment of ipc main class |
Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0033000000 Ipc: H01L0033100000 |
|
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GESELLSCHAFT MIT BES, DE Free format text: FORMER OWNERS: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GESELLSCHAFT MIT BESCHRAENKTER HAFTUNG, 93055 REGENSBURG, DE; FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FOERDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V., 80686 MUENCHEN, DE |
|
R020 | Patent grant now final |