DE112006003435T5 - Light emitting diode in head radiation and side emission type - Google Patents

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Abstract

Lichtemittierende Diode, umfassend:
ein Substrat;
einen ersten und einen zweiten Anschluss, die auf dem Substrat so ausgebildet sind, dass sie voneinander mit einem vorbestimmten Zwischenraum beabstandet sind; und
einen lichtemittierenden Diodenchip, der auf irgendeinem des ersten und zweiten Anschlusses angebracht ist;
wobei der erste und zweite Anschluss so ausgebildet sind, dass sie auf derselben Seiten- und Rückfläche des Substrats verlaufen.Light emitting diode, comprising:
a substrate;
a first and a second terminal formed on the substrate so as to be spaced from each other with a predetermined gap; and
a light emitting diode chip mounted on either one of the first and second terminals;
wherein the first and second terminals are formed to extend on the same side and rear surfaces of the substrate.

Figure 00000001
Figure 00000001

Description

Technisches GebietTechnical area

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine lichtemittierende Diode, und im Spezielleren auf eine lichtemittierende Diode in kombinierter Kopf- und Seitenabstrahlungsbauart mit einer Anschlussanordnung, die nicht nur in einer Kopfabstrahlungsbauart, sondern auch in einer Seitenabstrahlungsbauart verwendbar ist.The The present invention relates to a light emitting diode, and more particularly to a light emitting diode in combination Head and side radiation type with a connection arrangement, not just in a headlamp design, but also in one Side emission type is usable.

Stand der TechnikState of the art

Eine lichtemittierende Diode ist prinzipiell eine Halbleiterdiode mit PN-Übergang. Wenn Halbleiter der P-Art und N-Art miteinander verbunden werden und eine Spannung daran angelegt wird, bewegen sich Defektelektronen bzw. Löcher des Halbleiters der P-Art in Richtung zum Halbleiter der N-Art, um sich dort in einer Mittenschicht von ihm anzusammeln, wohingegen sich Elektronen des Halbleiters der N-Art in Richtung zum Halbleiter der P-Art bewegen, um sich in einer Mittenschicht anzusammeln, bei der es sich um den niedrigsten Ort in einem Leitungsband handelt. Die Elektronen fallen in natürlicher Weise in Löcher in einem Valenzband. Dabei wird die Energie abgestrahlt, die dem Niveauunterschied – d. h. einer Energielücke – zwischen dem Leitungsband und dem Valenzband entspricht. Die Energie wird in Form von Licht abgestrahlt.A light-emitting diode is in principle a semiconductor diode with PN junction. When P-type and N-type semiconductors are connected together and a voltage is applied to it, holes move or holes of the P-type semiconductor toward N-type semiconductor to accumulate there in a middle layer of him, whereas electrons of the N-type semiconductor towards the semiconductor move the P-type to accumulate in a middle layer, in the it is the lowest location in a conduction band. The Electrons fall naturally in holes in a valence band. The energy is radiated, which is the Level difference - d. H. an energy gap - between corresponds to the conduction band and the valence band. The energy will emitted in the form of light.

Da eine solche lichtemittierende Diode Licht mit hohem Wirkungsgrad bei niedriger Spannung aussenden kann, wurde die lichtemittierende Diode für elektrische Geräte, Fernsteuerungen, elektronische Anzeigetafeln, Anzeigen und verschiedene automatische Vorrichtungen verwendet. Da insbesondere Informationstelekommunikationsgeräte klein und schmal werden, werden auch Widerstände, Kondensatoren, Rauschfilter und dergleichen, bei denen es sich um verschiedene Gerätebauteile handelt, immer kleiner. Um lichtemittierende Dioden direkt auf einer Leiterplatte oder dergleichen anzubringen, sind lichtemittierende Dioden in SMD-Bauart (SMD = Surface Mount Device = oberflächenmontierbares Bauteil) hergestellt worden. Solche lichtemittierenden Dioden in SMD-Bauart werden je nach Einsatzfall in Kopf- oder Seitenabstrahlungsbauart hergestellt.There Such a light-emitting diode light with high efficiency can emit at low voltage, the light-emitting Diode for electronical devices, Remote controls, electronic scoreboards, displays and various automatic devices used. In particular, information telecommunication equipment is small and become narrow, are also resistors, capacitors, noise filters and the like, which are various apparatus components acts, smaller and smaller. To light emitting diodes directly on a To install printed circuit board or the like, are light-emitting SMD-type diodes (SMD = surface mount device) Component). Such light emitting diodes in SMD design depending on the application in head or Seitenabstrahlungsbauart produced.

Eine gewöhnliche lichtemittierende Diode in Kopfabstrahlungsbauart wird mit Bezug auf 1 und 2 erläutert.An ordinary head emitting type light emitting diode will be described with reference to FIG 1 and 2 explained.

Die in 1 und 2 gezeigte lichtemittierende Diode in Kopfabstrahlungsbauart umfasst ein Substrat 20 mit einer darin ausgebildeten Reflexionsöffnung 25, einen in der Reflexionsöffnung 25 angebrachten lichtemittierenden Diodenchip 10, einen ersten und zweiten Anschluss 30 und 40, die auf der Oberseite des Substrats 20 ausgebildet sind, ein Formteil 50, in das der lichtemittierende Diodenchip 10 eingekapselt ist, und einen ersten und zweiten Draht 60 bzw. 70. Vorzugsweise liegen bestimmte Bereiche des ersten und zweiten Anschlusses 30 und 40 zur Außenumgebung des Formteils 50 hin frei. Das Formteil 50 kann in verschiedenen Formen gebildet werden.In the 1 and 2 A top-emitting type light emitting diode shown comprises a substrate 20 with a reflection opening formed therein 25 , one in the reflection opening 25 mounted light emitting diode chip 10 , a first and second connection 30 and 40 on the top of the substrate 20 are formed, a molding 50 into which the light emitting diode chip 10 is encapsulated, and a first and second wire 60 respectively. 70 , Preferably, certain areas of the first and second terminals are located 30 and 40 to the outside environment of the molding 50 free. The molding 50 can be formed in different shapes.

Gemäß einer lichtemittierenden Diode mit einem vorstehend beschriebenen Aufbau wird das vom lichtemittierenden Diodenchip 10 ausgesendete Licht nach oben durch die Reflexionsöffnung 25 geworfen und durch das Formteil 50 hindurch nach außen abgestrahlt.According to a light emitting diode having a structure as described above, that of the light emitting diode chip 10 emitted light up through the reflection opening 25 thrown and through the molding 50 through to the outside.

Eine gewöhnliche lichtemittierende Diode in Seitenabstrahlungsbauart wird mit Bezug auf 3 und 4 erläutert. Die in 3 und 4 gezeigte lichtemittierende Diode in Seitenabstrahlungsbauart umfasst ein Substrat 110, einen ersten und zweiten Anschluss 120 und 130, die auf dem Substrat 110 ausgebildet sind, einen lichtemittierenden Diodenchip 140, der am zweiten Anschluss angebracht ist, einen am Substrat ausgebildeten Reflektor 150, um das vom lichtemittierenden Diodenchip 140 ausgesendete Licht in eine seitliche Richtung zu reflektieren, und ein Formteil 180, in welches der lichtemittierende Diodenchip 140 eingekapselt ist.An ordinary side emitting type light emitting diode will be described with reference to FIG 3 and 4 explained. In the 3 and 4 The side emitting type light emitting diode shown comprises a substrate 110 , a first and second connection 120 and 130 that on the substrate 110 are formed, a light emitting diode chip 140 , which is attached to the second terminal, a reflector formed on the substrate 150 to that of the light emitting diode chip 140 reflected light in a lateral direction, and a molded part 180 into which the light-emitting diode chip 140 encapsulated.

Bei der in Seitenabstrahlungsbauart ausgeführten lichtemittierenden Diode mit einem vorstehend beschriebenen Aufbau sind der erste und zweite Anschluss mit einer vorbestimmten Leiterplatte so verbunden, dass das vom lichtemittierenden Diodenchip ausgesendete Licht seitlich abgestrahlt wird. Eine solche lichtemittierende Diode in Seitenabstrahlungsbauart wird hauptsächlich als Lichtquelle einer Hintergrundbeleuchtungseinheit in einer Flüssigkristallanzeige für ein mobiles Kommunikationsendgerät verwendet.at the side emitting type light emitting diode with a structure described above are the first and second Terminal connected to a predetermined circuit board so that the light emitted by the light emitting diode chip laterally is emitted. Such a light-emitting diode in Seitenabstrahlungsbauart becomes main as a light source of a backlight unit in a liquid crystal display for a used mobile communication terminal.

Wie vorstehend beschrieben ist, sollten, da die lichtemittierenden Dioden in Kopf- und Seitenabstrahlungsbauart verschiedene Konstruktionen haben, die jeweiligen lichtemittierenden Dioden entsprechend einem Einsatzfall eines anwendungsbezogenen Produkts auf unterschiedlichem Weg hergestellt werden. Wenn Produktgruppen diversifiziert werden, besteht von daher ein Problem, dass für jedes Produkt zusätzliche Produktionsmöglichkeiten erforderlich sind.As described above, since the light emitting diodes in head and side radiation design have different constructions, the respective light-emitting Diodes according to an application of an application-related Products are produced in different ways. When product groups are diversified, There is therefore a problem that for each product additional Production options required are.

Dabei gilt, dass die Helligkeit einer lichtemittierenden Diode proportional zu einem an den lichtemittierenden Diodenchip angelegten Strom ist, und der an den lichtemittierenden Diodenchip angelegte Strom ist proportional zur Wärme, die von ihm abgestrahlt wird. Demzufolge sollte an eine lichtemittierende Diode ein hoher Strom angelegt werden, um deren Helligkeit zu steigern. Da jedoch der lichtemittierende Diodenchip durch die von ihm abgestrahlte Wärme beschädigt wird, besteht insofern ein Problem, als dass ein hoher Strom nicht unbegrenzt angelegt werden kann. Bei der vorstehend erwähnten, herkömmlichen lichtemittierenden Diode wird die vom lichtemittierenden Diodenchip abgestrahlte Wärme durch einen Anschluss abgeführt. Da ein solcher Anschluss oder eine derartige Wärmeableitung in einer einzigen Richtung ausgebildet ist, besteht auch ein Problem dahin gehend, dass die Wärmeabstrahlung nicht effektiv ist.Here, the brightness of a light-emitting diode is proportional to a current applied to the light-emitting diode chip, and the current applied to the light-emitting diode chip is proportional to the heat radiated from it. Accordingly, a high current should be applied to a light emitting diode to to increase their brightness. However, since the light-emitting diode chip is damaged by the heat radiated by it, there is a problem in that a high current can not be applied indefinitely. In the above-mentioned conventional light emitting diode, the heat radiated from the light emitting diode chip is dissipated through a terminal. Since such a terminal or heat dissipation is formed in a single direction, there is also a problem that the heat radiation is not effective.

Offenbarung der ErfindungDisclosure of the invention

Technisches ProblemTechnical problem

Die vorliegende Erfindung ist so konzipiert, dass sie die vorstehend erwähnten, im Stand der Technik bestehenden Probleme löst. Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine lichtemittierende Diode zur Verfügung zu stellen, die nicht nur in Kopfabstrahlungsbauart, sondern auch in Seitenabstrahlungsbauart verwendet werden kann.The The present invention is designed to be as above mentioned, solves existing problems in the prior art. An object of the present Invention is to provide a light-emitting diode available not only in Kopfabstrahlungsbauart, but also in Seitenabstrahlungsbauart can be used.

Technische LösungTechnical solution

Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung zur Lösung der Aufgabe ist eine lichtemittierende Diode bereitgestellt, die ein Substrat umfasst; einen ersten und einen zweiten Anschluss, die auf dem Substrat so ausgebildet sind, dass sie voneinander mit einem vorbestimmten Zwischenraum beabstandet sind; und einen lichtemittierenden Diodenchip, der auf irgendeinem des ersten und zweiten Anschlusses angebracht ist, wobei der erste und zweite Anschluss so ausgebildet sind, dass sie auf derselben Seiten- und Rückfläche des Substrats verlaufen.According to one Aspect of the present invention to achieve the object is a light-emitting Providing a diode comprising a substrate; a first and a second terminal formed on the substrate so that they are spaced from each other with a predetermined gap are; and a light emitting diode chip standing on any one the first and second terminal is attached, wherein the first and second connection are formed so that they are on the same Side and back surface of the Substrate run.

Die lichtemittierende Diode kann darüber hinaus ein Formteil umfassen, in das der lichtemittierende Diodenchip eingekapselt ist.The light emitting diode can over it In addition, comprise a molded part, in which the light emitting diode chip encapsulated.

Die lichtemittierende Diode kann darüber hinaus einen Reflektor umfassen, der auf dem Substrat ausgebildet ist.The light emitting diode can over it in addition, comprise a reflector formed on the substrate is.

Der erste und zweite Anschluss können so ausgebildet sein, dass sie auf derselben anderen Seitenfläche des Substrats verlaufen.Of the first and second connection can be formed so that they are on the same other side surface of the Substrate run.

Der Anschluss, auf dem der lichtemittierende Diodenchip angebracht ist, kann so ausgebildet sein, dass er größer als der andere Anschluss ist.Of the Terminal on which the light emitting diode chip is mounted, can be designed so that it is larger than the other connection is.

Vorteilhafte WirkungenAdvantageous effects

Wie vorstehend beschrieben, sind gemäß der vorliegenden Erfindung Anschlüsse mit unterschiedlicher Polarität auf derselben Seiten- und Rückfläche eines Substrats ausgebildet, wodurch eine lichtemittierende Diode nicht nur in einer Kopf-, sondern auch in einer Seitenabstrahlungsbauart verwendet werden kann. Im Ergebnis besteht ein Vorteil dahingehend, dass es unnötig ist, lichtemittierende Dioden je nach Einsatzfall eines anwendungsbezogenen Produkts auf unterschiedlichem Weg herzustellen, so dass Produktentwicklungskosten verringert werden können und das Produktmanagement vereinfacht werden kann.As described above are according to the present Invention connections with different polarity on the same side and back surface of a Substrate formed, whereby a light-emitting diode is not only in a head, but also in a Seitenabstrahlungsbauart can be used. As a result, there is an advantage in that that it is unnecessary is light-emitting diodes depending on the application of an application-related Produce products in different ways, so that product development costs can be reduced and product management can be simplified.

Darüber hinaus besteht ein Vorteil darin, dass die Fläche eines Anschlusses erhöht ist, wodurch der Wärmeabstrahlungswirkungsgrad gesteigert werden kann.Furthermore there is an advantage in that the area of a connection is increased, whereby the heat radiation efficiency can be increased.

Kurze Beschreibung der ZeichnungenBrief description of the drawings

1 und 2 sind eine perspektivische bzw. eine Schnittansicht einer gewöhnlichen lichtemittierenden Diode in Kopfabstrahlungsbauart. 1 and 2 FIG. 15 are a perspective and a sectional view, respectively, of a conventional head emitting type light emitting diode. FIG.

3 und 4 sind eine perspektivische bzw. eine Schnittansicht einer gewöhnlichen lichtemittierenden Diode in Seitenabstrahlungsbauart. 3 and 4 FIG. 15 are a perspective and a sectional view, respectively, of a conventional side-emitting type light-emitting diode. FIG.

5 bis 8 sind eine perspektivische Ansicht, eine Draufsicht, eine Seitenansicht bzw. eine Rückansicht einer lichtemittierenden Diode in kombinierter Kopf- und Seitenabstrahlungsbauart gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 5 to 8th FIG. 16 is a perspective view, a plan view, a side view and a rear view, respectively, of a head and side emitting type light emitting diode according to a first embodiment of the present invention. FIG.

9 bis 12 sind eine perspektivische Ansicht, eine Draufsicht, eine Seitenansicht bzw. eine Rückansicht einer lichtemittierenden Diode in kombinierter Kopf- und Seitenabstrahlungsbauart gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 9 to 12 FIG. 16 is a perspective view, a plan view, a side view, and a rear view, respectively, of a combined head and side emission type light emitting diode according to a second embodiment of the present invention. FIG.

13 bis 16 sind eine perspektivische Ansicht, eine Draufsicht, eine Seitenansicht bzw. eine Rückansicht einer lichtemittierenden Diode in kombinierter Kopf- und Seitenabstrahlungsbauart gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 13 to 16 FIG. 16 is a perspective view, a plan view, a side view, and a rear view, respectively, of a combined head and side radiation type light emitting diode according to a third embodiment of the present invention. FIG.

Beste Art und Weise zur Ausführung der ErfindungBest way to execute the invention

Nachstehend werden bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung im Einzelnen mit Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben.below become preferred embodiments the present invention with reference to the accompanying Drawings described.

5 bis 8 sind eine perspektivische Ansicht, eine Draufsicht, eine Seitenansicht bzw. eine Rückansicht einer lichtemittierenden Diode in kombinierter Kopf- und Seitenabstrahlungsbauart gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 5 to 8th FIG. 16 is a perspective view, a plan view, a side view and a rear view, respectively, of a head and side emitting type light emitting diode according to a first embodiment of the present invention. FIG.

Die in 5 bis 8 gezeigte, lichtemittierende Diode 300 in kombinierter Kopf- und Seitenabstrahlungsbauart umfasst ein Substrat 310, einen ersten Anschluss 320, einen zweiten Anschluss 330, einen lichtemittierenden Diodenchip 340, einen Reflektor 350, einen ersten Draht 360, einen zweiten Draht 370 und ein Formteil 380.In the 5 to 8th shown, light emitting diode 300 in combined head and side radiation type comprises a substrate 310 , a first connection 320 , a second connection 330 , a light emitting diode chip 340 , a reflector 350 , a first wire 360 , a second wire 370 and a molding 380 ,

Der erste und zweite Anschluss 320 und 330 sind auf dem Substrat 310 so ausgebildet, dass sie voneinander mit einem vorbestimmten Zwischenraum beabstandet sind. Der erste und zweite Anschluss 320 und 330 verlaufen in derselben Richtung und sind auf derselben Seiten- und Rückfläche des Substrats 310 ausgebildet, die freiliegen soll. Somit werden der erste und zweite Anschluss 320 und 330 gleichzeitig auf der Seitenfläche des Substrats gebildet.The first and second connection 320 and 330 are on the substrate 310 formed so that they are spaced from each other with a predetermined gap. The first and second connection 320 and 330 extend in the same direction and are on the same side and back surface of the substrate 310 trained to be exposed. Thus, the first and second connection 320 and 330 simultaneously formed on the side surface of the substrate.

Obwohl der erste und zweite Anschluss bei dieser Ausführungsform nur auf der Seiten- und Rückfläche des Substrats ausgebildet sind, können der erste und zweite Anschluss auch so ausgebildet sein, dass sie sich bis zur anderen Seitenfläche des Substrats erstrecken. Dabei ist festzuhalten, dass, obwohl die lichtemittierende Diode in dieser Ausführungsform in einer rechteckigen Form dargestellt ist, die vorliegende Erfindung nicht hierauf beschränkt ist. Das heißt, dass die lichtemittierende Diode die Form eines Quadrats annehmen und in verschiedenen Formen gebildet werden kann.Even though the first and second terminals in this embodiment only on the side and back surface of the Substrate are formed, the first and second connection also be designed so that they themselves to the other side surface of the substrate. It should be noted that, although the light-emitting diode in this embodiment in a rectangular Form is shown, the present invention is not limited thereto. This means, the light-emitting diode takes the form of a square and can be formed in various forms.

Der lichtemittierende Diodenchip 340 ist auf dem Substrat 310 ausgebildet. Der erste Draht 360 stellt eine elektrische Verbindung zwischen dem lichtemittierenden Diodenchip 340 und dem ersten Anschluss 320 her, und der zweite Draht 370 stellt eine elektrische Verbindung zwischen dem lichtemittierenden Diodenchip 340 und dem zweiten Anschluss 330 her. Dabei kann zur Bildung des Substrats 310 ein Wärme leitendes Harz verwendet werden, damit die vom lichtemittierenden Diodenchip 340 abgegebene Wärme abgestrahlt werden kann. Obwohl in dieser Ausführungsform der lichtemittierende Diodenchip 340 auf dem Substrat 310 ausgebildet ist, kann der lichtemittierende Diodenchip 340 auf dem ersten oder zweiten Anschluss 320 oder 330 ausgebildet sein.The light emitting diode chip 340 is on the substrate 310 educated. The first wire 360 provides an electrical connection between the light emitting diode chip 340 and the first connection 320 ago, and the second wire 370 provides an electrical connection between the light emitting diode chip 340 and the second port 330 ago. It can be used to form the substrate 310 a heat conductive resin may be used to allow the light emitting diode chip 340 emitted heat can be emitted. Although in this embodiment, the light emitting diode chip 340 on the substrate 310 is formed, the light emitting diode chip 340 on the first or second connection 320 or 330 be educated.

Der Reflektor 350 ist so ausgebildet, dass er entlang eines Außenumfangs am Substrat 310 eine vorbestimmte Höhe hat, um dazu zu dienen, das vom lichtemittierenden Diodenchip 340 ausgesendete Licht zu sammeln.The reflector 350 is formed to be along an outer periphery of the substrate 310 has a predetermined height to serve that of the light emitting diode chip 340 to collect emitted light.

Das Formteil 380 ist im Inneren des Reflektors 350 am Substrat so ausgebildet, um den lichtemittierenden Diodenchip 340 einzukapseln. Das Formteil 380 wird hierbei gebildet, indem ein Material wie etwa ein flüssiges Epoxid- oder Silikonharz in den Reflektor 350 eingebracht und dann eine vorbestimmte Zeit lang erwärmt und vernetzt wird. Des Weiteren kann dem Formteil 380 Phosphor zugemischt werden, der das vom lichtemittierenden Diodenchip 340 ausgesendete Licht absorbiert und eine Wellenlänge des Lichts in eine vorbestimmte Wellenlänge umwandelt.The molding 380 is inside the reflector 350 on the substrate so formed to the light emitting diode chip 340 encapsulate. The molding 380 is formed here by a material such as a liquid epoxy or silicone resin in the reflector 350 is introduced and then heated and crosslinked for a predetermined time. Furthermore, the molding can 380 Phosphor be mixed, that of the light emitting diode chip 340 absorbs emitted light and converts a wavelength of the light into a predetermined wavelength.

Gemäß dem vorstehend erwähnten Aufbau ist, da der erste und zweite Anschluss 320 und 330 auf der Seiten- und Rückfläche ausgebildet sind, die Rückfläche des Substrats an einer vorbestimmten Leiterplatte angebracht, wenn die lichtemittierende Diode in Kopfabstrahlungsbauart verwendet wird, während die Seitenfläche des Substrats an einer vorbestimmten Leiterplatte angebracht wird, wenn die lichtemittierende Diode in Seitenabstrahlungsbauart verwendet wird. Wenn die vorstehend erwähnte lichtemittierende Diode 300 in kombinierter Kopf- und Seitenabstrahlungsbauart verwendet wird, ist es dementsprechend unnötig, entsprechend einem Einsatzfall eines Produkts lichtemittierende Dioden auf unterschiedlichem Wege herzustellen.According to the above-mentioned structure, since the first and second terminals 320 and 330 on the side and back surfaces, the rear surface of the substrate is mounted on a predetermined circuit board when the head emitting type light emitting diode is used, while the side surface of the substrate is mounted on a predetermined circuit board when the side emitting type light emitting diode is used. When the above-mentioned light-emitting diode 300 Accordingly, it is unnecessary to make light-emitting diodes in different ways according to a case of use of a product, in combined head and side radiation type.

9 bis 12 sind eine perspektivische Ansicht, eine Draufsicht, eine Seitenansicht bzw. eine Rückansicht einer lichtemittierenden Diode in kombinierter Kopf- und Seitenabstrahlungsbauart gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die zweite Ausführungsform unterscheidet sich von der ersten Ausführungsform darin, dass eine lichtemittierende Diode 400 in kombinierter Kopf- und Seitenabstrahlungsbauart gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung mehrere lichtemittierende Diodenchips (in dieser Ausführungsform drei lichtemittierende Diodenchips) sowie mehrere erste und zweite Anschlüsse hat; die anderen Komponenten der beiden Ausführungsformen sind annähernd dieselben. Von daher werden nachstehend nur Abschnitte beschrieben, die sich voneinander unterscheiden. 9 to 12 FIG. 16 is a perspective view, a plan view, a side view, and a rear view, respectively, of a combined head and side emission type light emitting diode according to a second embodiment of the present invention. FIG. The second embodiment differs from the first embodiment in that a light emitting diode 400 in combined head and side radiation type according to the second embodiment of the present invention, a plurality of light emitting diode chips (three light emitting diode chips in this embodiment) and a plurality of first and second terminals; the other components of the two embodiments are approximately the same. Therefore, only sections that differ from each other will be described below.

Die in 9 bis 12 gezeigte, lichtemittierende Diode 400 in kombinierter Kopf- und Seitenabstrahlungsbauart umfasst ein Substrat 410, erste Anschlüsse 420a, 420b und 420c, zweite Anschlüsse 430a, 430b und 430c, lichtemittierende Diodenchips 440a, 440b und 440c, einen Reflektor 450, Drähte 460a, 460b und 460c, und ein Formteil 480.In the 9 to 12 shown, light emitting diode 400 in combined head and side radiation type comprises a substrate 410 , first connections 420a . 420b and 420c , second connections 430a . 430b and 430c , light emitting diode chips 440a . 440b and 440c , a reflector 450 , Wires 460a . 460b and 460c , and a molding 480 ,

Die ersten und zweiten Anschlüsse sind so ausgebildet, dass sie voneinander mit einem vorbestimmten Zwischenraum beabstandet sind. In der vorliegenden Ausführungsform sind die ersten und zweiten Anschlüsse so ausgebildet, dass sie voneinander in der Reihenfolge erster Anschluss 420a, zweiter Anschluss 430a, zweiter Anschluss 430b, erster Anschluss 420b, zweiter Anschluss 430c und erster Anschluss 420c beabstandet sind. Die Anordnungsreihenfolge der ersten und zweiten Anschlüsse ist aber nicht hierauf beschränkt. Das heißt, dass die ersten und zweiten Anschlüsse auch anders angeordnet werden können. Darüber hinaus können die ersten und zweiten Anschlüsse auch in einer Sonderform von Reihenfolgen angeordnet werden.The first and second terminals are formed so as to be spaced from each other with a predetermined clearance. In the present embodiment, the first and second terminals are formed to be in the order of first connection from each other 420a , second connection 430a , second connection 430b , first connection 420b , second connection 430c and first connection 420c are spaced. The arrangement order of the first and second terminals but is not limited to this. This means that the first and second connections can also be arranged differently. In addition, the first and second ports may also be arranged in a special form of order.

Die ersten und zweiten Anschlüsse sind so ausgebildet, dass sie in derselben Richtung verlaufen, und derart, dass sie auf derselben Seiten- und Rückfläche des Substrats freiliegen. Das heißt, die ersten und zweiten Anschlüsse 420a, 420b, 420c, 430a, 430b und 430c werden gleichzeitig auf der Seitenfläche des Substrats gebildet. Obwohl die ersten und zweiten Anschlüsse bei dieser Ausführungsform nur auf der Seiten- und Rückfläche des Substrats gebildet sind, können die ersten und zweiten Anschlüsse auch so gebildet sein, dass sie sich bis zur anderen Seitenfläche des Substrats erstrecken.The first and second terminals are formed to extend in the same direction and to be exposed on the same side and back surfaces of the substrate. That is, the first and second ports 420a . 420b . 420c . 430a . 430b and 430c are simultaneously formed on the side surface of the substrate. Although the first and second terminals are formed only on the side and back surfaces of the substrate in this embodiment, the first and second terminals may be formed to extend to the other side surface of the substrate.

Die lichtemittierenden Diodenchips 440a, 440b und 440c sind an den zweiten Anschlüssen 430a, 430b bzw. 430c angebracht. Die zweiten Anschlüsse können so gebildet sein, dass sie größer als die ersten Anschlüsse sind. Alternativ können die lichtemittierenden Diodenchips an den ersten Anschlüssen angebracht werden. Dabei können die lichtemittierenden Diodenchips 440a, 440b und 440c lichtemittierende Diodenchips sein, die eine rote Wellenlänge R, grüne Wellenlänge G bzw. blaue Wellenlänge B aussenden. Außerdem können lichtemittierende Diodenchips mit verschiedenen Wellenlängen verwendet werden.The light-emitting diode chips 440a . 440b and 440c are at the second connections 430a . 430b respectively. 430c appropriate. The second terminals may be formed to be larger than the first terminals. Alternatively, the light emitting diode chips may be attached to the first terminals. In this case, the light emitting diode chips 440a . 440b and 440c be light emitting diode chips emitting a red wavelength R, green wavelength G and blue wavelength B. In addition, light emitting diode chips with different wavelengths can be used.

Die Drähte 460a, 460b und 460c stellen eine elektrische Verbindung zwischen den lichtemittierenden Diodenchips und den ersten Anschlüssen her.The wires 460a . 460b and 460c establish an electrical connection between the light emitting diode chips and the first terminals.

Das Formteil 480 ist im Inneren des Reflektors 450 am Substrat so ausgebildet, dass es die lichtemittierenden Diodenchips einkapselt. Des Weiteren kann dem Formteil 480 Phosphor zugemischt werden, der das von den lichtemittierenden Diodenchips ausgesendete Licht absorbiert und eine Wellenlänge des Lichts in eine vorbestimmte Wellenlänge umwandelt.The molding 480 is inside the reflector 450 formed on the substrate so that it encapsulates the light emitting diode chips. Furthermore, the molding can 480 Phosphorus can be mixed, which absorbs the light emitted from the light emitting diode chips emitted light and converts a wavelength of light into a predetermined wavelength.

Obwohl in dieser Ausführungsform die lichtemittierende Diode die drei lichtemittierenden Diodenchips, die drei ersten Anschlüsse und die drei zweiten Anschlüsse hat, ist dies nur eine beispielhafte Ausführungsform zur Beschreibung. Das heißt, dass die Anzahl der lichtemittierenden Diodenchips oder der ersten und zweiten Leiter nicht darauf beschränkt ist.Even though in this embodiment the light emitting diode the three light emitting diode chips, the first three connections and the three second ports This is only an exemplary embodiment for description. This means, that the number of light-emitting diode chips or the first and second conductor is not limited thereto.

13 bis 16 sind eine perspektivische Ansicht, eine Draufsicht, eine Seitenansicht bzw. eine Rückansicht einer lichtemittierenden Diode in kombinierter Kopf- und Seitenabstrahlungsbauart gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die dritte Ausführungsform unterscheidet sich von der zweiten Ausführungsform dahingehend, dass eine lichtemittierende Diode 500 in kombinierter Kopf- und Seitenabstrahlungsbauart gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung über keinen Reflektor verfügt; die anderen Komponenten beider Ausführungsformen sind nahezu dieselben. Von daher werden nachstehend nur Abschnitte beschrieben, die sich voneinander unterscheiden. 13 to 16 FIG. 16 is a perspective view, a plan view, a side view, and a rear view, respectively, of a combined head and side emitting type light emitting diode according to a third embodiment of the present invention. FIG. The third embodiment differs from the second embodiment in that a light emitting diode 500 in combined head and Seitenabstrahlungsbauart according to the third embodiment of the present invention has no reflector; the other components of both embodiments are nearly the same. Therefore, only sections that differ from each other will be described below.

Die in 13 bis 16 gezeigte, lichtemittierende Diode 500 in kombinierter Kopf- und Seitenabstrahlungsbauart umfasst ein Substrat 510, erste Anschlüsse 520a, 520b und 520c und zweite Anschlüsse 530a, 530b und 530c, die auf dem Substrat 510 so ausgebildet sind, dass sie voneinander mit einem vorbestimmten Zwischenraum beabstandet sind, lichtemittierende Diodenchips 540a, 540b und 540c, die jeweils an den zweiten Anschlüssen angebracht sind, Drähte 560a, 560b und 560c, die eine elektrische Verbindung zwischen den lichtemittierenden Diodenchips und den ersten Anschlüssen herstellen, und ein Formteil 580, in das die lichtemittierenden Diodenchips eingekapselt sind.In the 13 to 16 shown, light emitting diode 500 in combined head and side radiation type comprises a substrate 510 , first connections 520a . 520b and 520c and second connections 530a . 530b and 530c that on the substrate 510 are formed so as to be spaced from each other with a predetermined gap, light emitting diode chips 540a . 540b and 540c , which are respectively attached to the second terminals, wires 560a . 560b and 560c which make an electrical connection between the light-emitting diode chips and the first terminals, and a molded part 580 in which the light emitting diode chips are encapsulated.

Die vorstehenden Beschreibungen sind lediglich beispielhafte Ausführungsformen einer lichtemittierenden Diode gemäß der vorliegenden Erfindung, so dass die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt ist. Der wahre Umfang der vorliegenden Erfindung sollte soweit bestimmt werden, dass Fachleute auf diesem Gebiet verschiedene Modifikationen und Abänderungen hieran vornehmen können, ohne den Umfang der Erfindung zu verlassen, wie er durch die beigefügten Ansprüche definiert ist.The The above descriptions are merely exemplary embodiments a light-emitting diode according to the present invention, so that the present invention is not limited thereto. The true scope of the present invention should be determined so far be that professionals in this field various modifications and amendments can do this without departing from the scope of the invention as defined by the appended claims is.

ZusammenfassungSummary

LICHTEMITTIERENDE DIODE IN KOPFABSTRAHLUNGS- UND SEITENABSTRAHLUNGSBAUARTLIGHT-EMITTING DIODE IN HEAD RADIATION AND SIDE RADIATION TYPE

Die vorliegende Erfindung stellt eine lichtemittierende Diode zur Verfügung, die sowohl in Kopfabstrahlungsbauart als auch Seitenabstrahlungsbauart verwendet werden kann. Es ist eine lichtemittierende Diode bereitgestellt, die ein Substrat umfasst; einen ersten und einen zweiten Anschluss, die auf dem Substrat so ausgebildet sind, dass sie voneinander mit einem vorbestimmten Zwischenraum beabstandet sind; und einen lichtemittierenden Diodenchip, der auf irgendeinem Anschluss des ersten und zweiten Anschlusses angebracht ist, wobei der erste und zweite Anschluss so ausgebildet sind, dass sie auf derselben Seiten- und Rückfläche des Substrats verlaufen.The The present invention provides a light-emitting diode which both in head radiation type and side emission type can be used. There is provided a light emitting diode, which comprises a substrate; a first and a second connection, which are formed on the substrate so as to communicate with each other spaced from a predetermined gap; and a light-emitting Diode chip on any terminal of the first and second Connection is attached, with the first and second connection are formed so that they on the same side and rear surface of the Substrate run.

Claims (10)

Lichtemittierende Diode, umfassend: ein Substrat; einen ersten und einen zweiten Anschluss, die auf dem Substrat so ausgebildet sind, dass sie voneinander mit einem vorbestimmten Zwischenraum beabstandet sind; und einen lichtemittierenden Diodenchip, der auf irgendeinem des ersten und zweiten Anschlusses angebracht ist; wobei der erste und zweite Anschluss so ausgebildet sind, dass sie auf derselben Seiten- und Rückfläche des Substrats verlaufen.A light-emitting diode comprising: a substrate; a first and a second terminal formed on the substrate so as to be spaced from each other with a predetermined gap; and a light emitting diode chip mounted on any one of the first and second terminals; wherein the first and second terminals are formed to extend on the same side and rear surfaces of the substrate. Lichtemittierende Diode nach Anspruch 1, darüber hinaus ein Formteil umfassend, in das der lichtemittierende Diodenchip eingekapselt ist.A light-emitting diode according to claim 1, further a molding in which the light emitting diode chip encapsulated. Lichtemittierende Diode nach Anspruch 1 oder 2, darüber hinaus einen Reflektor umfassend, der auf dem Substrat ausgebildet ist.A light-emitting diode according to claim 1 or 2, further comprising a reflector formed on the substrate. Lichtemittierende Diode nach Anspruch 1 oder 2, wobei der erste und zweite Anschluss so ausgebildet sind, dass sie auf derselben anderen Seitenfläche des Substrats verlaufen.A light-emitting diode according to claim 1 or 2, wherein the first and second terminals are formed so that they open the same other side surface of the substrate. Lichtemittierende Diode nach Anspruch 1 oder 2, wobei der Anschluss, auf dem der lichtemittierende Diodenchip angebracht ist, so ausgebildet ist, dass er größer als der andere Anschluss ist.A light-emitting diode according to claim 1 or 2, wherein the terminal on which the light emitting diode chip is mounted is, is designed so that it is larger than the other connection is. Lichtemittierende Diode, umfassend: ein Substrat; einen ersten und einen zweiten Anschluss, die auf dem Substrat so ausgebildet sind, dass sie voneinander mit einem vorbestimmten Zwischenraum beabstandet sind; und einen lichtemittierenden Diodenchip, der auf dem Substrat angebracht ist, wobei der erste und zweite Anschluss so ausgebildet sind, dass sie auf derselben Seiten- und Rückfläche des Substrats verlaufen.Light emitting diode, comprising: a substrate; one first and a second terminal formed on the substrate so are that they are separated from each other with a predetermined gap are spaced apart; and a light emitting diode chip, which is mounted on the substrate, the first and second Connection are designed so that they are on the same side and Rear surface of the Substrate run. Lichtemittierende Diode, umfassend: ein Substrat; mehrere erste Anschlüsse und mehrere zweite Anschlüsse, die auf dem Substrat so ausgebildet sind, dass sie voneinander mit einem vorbestimmten Zwischenraum beabstandet sind; und mehrere lichtemittierende Diodenchips, wobei die mehreren ersten und zweiten Anschlüsse so ausgebildet sind, dass sie auf derselben Seiten- und Rückfläche des Substrats verlaufen.Light emitting diode, comprising: a substrate; several first connections and several second ports, which are formed on the substrate so as to communicate with each other spaced from a predetermined gap; and several light emitting diode chips, the first and the first second connections so are formed so that they on the same side and rear surface of the Substrate run. Lichtemittierende Diode nach Anspruch 7, wobei die mehreren ersten und zweiten Anschlüsse so ausgebildet sind, dass sie auf derselben anderen Seitenfläche des Substrats verlaufen.A light-emitting diode according to claim 7, wherein said a plurality of first and second terminals are formed so that they run on the same other side surface of the substrate. Lichtemittierende Diode nach Anspruch 7, wobei die mehreren lichtemittierenden Diodenchips an Anschlüssen der mehreren ersten Anschlüsse bzw. der mehreren zweiten Anschlüsse angebracht sind.A light-emitting diode according to claim 7, wherein said a plurality of light emitting diode chips at terminals of several first connections or the plurality of second ports are attached. Lichtemittierende Diode nach Anspruch 7, wobei die mehreren lichtemittierenden Diodenchips auf dem Substrat angebracht sind.A light-emitting diode according to claim 7, wherein said a plurality of light-emitting diode chips mounted on the substrate are.
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