DE1094091B - Camera, especially cinema camera, with built-in photoelectric exposure meter - Google Patents

Camera, especially cinema camera, with built-in photoelectric exposure meter

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DE1094091B
DE1094091B DEA30387A DEA0030387A DE1094091B DE 1094091 B DE1094091 B DE 1094091B DE A30387 A DEA30387 A DE A30387A DE A0030387 A DEA0030387 A DE A0030387A DE 1094091 B DE1094091 B DE 1094091B
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Germany
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photoresistor
camera according
diaphragm
camera
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August Auracher
Dipl-Ing Helmut Mayr
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Agfa Gevaert NV
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03BAPPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B7/00Control of exposure by setting shutters, diaphragms or filters, separately or conjointly
    • G03B7/08Control effected solely on the basis of the response, to the intensity of the light received by the camera, of a built-in light-sensitive device
    • G03B7/099Arrangement of photoelectric elements in or on the camera
    • G03B7/0993Arrangement of photoelectric elements in or on the camera in the camera

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Control For Cameras (AREA)

Description

Die bekannten Kameras mit eingebautem fotoelektrischem Belichtungsmesser verwenden regelmäßig ein Fotoelement, das — verstärkt oder unmittelbar — den Strom für das Galvanometer liefert. Nachteilig ist dabei, daß die Charakteristik des Fotoelementes sich mit der Zeit ändert, d. h., der bei gleicher Belastung abgegebene Strom ändert sich nach einer bestimmten Betriebsdauer. Bei Belichtungsänderungen neigen diese Fotoelemente zum Überschwingen und Pendeln um den eigentlichen Meßwert. Außerdem kann der vom Fotoelement gelieferte Strom nur in einem kleinen Bereich der Stromkurve des Galvanometers angepaßt werden. Ein ähnliches Verhalten zeigen auch die bekannten Fotowiderstände.The known cameras with built-in photoelectric exposure meters regularly use one Photo element that - amplified or directly - supplies the current for the galvanometer. The disadvantage here is that the characteristics of the photo element change with time, d. that is, the one handed in with the same load Current changes after a certain period of operation. When the exposure changes, these tend to Photo elements to overshoot and oscillate around the actual measured value. In addition, the from Photo element supplied power only in a small area adapted to the current curve of the galvanometer. The known behaviors show a similar behavior Photoresistors.

Erfindungsgemäß wird eine betriebssichere Belichtungsmeßvorrichtung mit großem Meßbereich dadurch geschaffen, daß als lichtelektrischer Wandler ein niederohmig ausgebildeter Fotowiderstand vorgesehen wird, dem eine Abdeckvorrichtung unmittelbar, eine einstellbare Blende mit Abstand vorgeordnet ist.According to the invention, an operationally reliable exposure metering device is provided created with a large measuring range that as a photoelectric converter a low-resistance photoresistor is provided to which a cover device directly, an adjustable diaphragm is arranged in front of it at a distance.

Die SO1 erhaltene Meßanzeige, die vor allem auch für Regelzwecke verwendet werden kann, ist praktisch unabhängig von Belastung und Temperatur. Sie ist stabil und etwas gedämpft. Der niederohmige Fotowiderstand ist alterungsbeständig und zeigt auch bei Dauerbetrieb keine Ermüdungserscheinungen. Außerdem ist regelmäßig seine spektrale Empfindlichkeit so beschaffen, daß bei Tages- und Kunstlicht die gleiche Filmempfindlichkeitseinstellung verwendet werden kann. Durch die Abdeckvorrichtung wird die wirksame Fläche des Fotowiderstandes verändert und werden die Stromkurven des Fotowiderstandes und des Meßinstrumentes in wenigstens einem Punkt aneinander angeglichen, und der auftreffende Lichtstrom kann z. B. in Abhängigkeit eines Kameraeinstellwertes durch die Blende geregelt werden.The measurement display obtained from SO 1 , which can also be used primarily for control purposes, is practically independent of load and temperature. It is stable and a little dampened. The low-ohm photoresistor is resistant to aging and shows no signs of fatigue even with continuous operation. In addition, its spectral sensitivity is regularly such that the same film speed setting can be used in daylight and artificial light. The cover device changes the effective area of the photoresistor and the current curves of the photoresistor and the measuring instrument are matched to one another in at least one point. B. can be regulated as a function of a camera setting value by the aperture.

Besonders vorteilhaft kann es dabei sein, einen niederohmigen Fotowiderstand vorzusehen, der bei einer Leuchtdichte von lOOO apostilb ohne DIN-Fassung den Widerstandwert 0,2 bis 0,6 kOhm, mit DIN-Fassung dann ungefähr den Widerstandswert 1 bis 2 kOhm hat.It can be particularly advantageous to provide a low-ohm photoresistor, which is used in a luminance of 10000 apostilb without DIN socket the resistance value 0.2 to 0.6 kOhm, with a DIN socket then approximately the resistance value 1 to 2 kOhm.

Die über die Blendenskala bzw. über der Skala der Leuchtdichte aufgetragene Stromkurve kann durch die Abdeckvorrichtung derart verschoben werden, daß sie bei ihrer meist benutzten mittleren Blende die zugeordnete Kurve des Galvanometers schneidet. Die Kurve wird durch Abdecken im wesentlichen parallel zur Blendenachse verschoben.The current curve plotted over the diaphragm scale or over the luminance scale can be through the Covering device are shifted so that they are assigned to their mostly used middle panel Galvanometer curve intersects. The curve becomes essentially parallel by masking shifted to the aperture axis.

Vorteilhafterweise weist die Abdeckvorrichtung zwei übereinander angeordnete Schieberplättchen auf, die je mit einer wenigstens gleich der größten wirksamen Fotowiderstandsfläche ausgebildeten Aussparung versehen sind.The cover device advantageously has two slide plates arranged one above the other, each with a recess formed at least equal to the largest effective photoresist area are provided.

Kamera, insbesondere Kinokamera,Camera, especially cinema camera,

mit eingebautem foto elektrischemwith built-in photo electric

BelichtungsmesserLight meter

Anmelder:Applicant:

Agfa Aktiengesellschaft,Agfa Aktiengesellschaft,

Leverkusen-Bayerwerk,Leverkusen-Bayerwerk,

Kaiser -Wilhelm -AlleeKaiser Wilhelm Allee

Dipl.-Ing. Helmut Mayr, München,Dipl.-Ing. Helmut Mayr, Munich,

und August Auracber, Unterhaching bei München,and August Auracber, Unterhaching near Munich,

sind als Erfinder genannt wordenhave been named as inventors

Eine weitere Korrekturmöglichkeit kann erfmdungsgemäß durch einen im Stromkreis des Fotowiderstandes vorgesehenen Vorschaltwiderstand gegeben sein. Man wird die Größe des Widerstandes durch beispielsweise die kleinste noch häufig verwendete Blende bestimmen. Da der Fotowiderstand lichtintensitätsabhängig ist und für die Einstellung der kleinsten Blende seinen kleinsten Widerstandswert besitzt, wählt man zweckmäßig einen Vorschaltwiderstand, der bei großen Leuchtdichten in der Größenordnung des Widerstandswertes des Fotowiderstandes liegt.According to the invention, another possibility of correction can be used be given by a series resistor provided in the circuit of the photoresistor. The size of the resistor is determined by, for example, the smallest aperture that is still frequently used determine. Since the photo resistor is dependent on the light intensity and for setting the smallest Aperture has its smallest resistance value, it is advisable to choose a series resistor, which at high luminance levels is in the order of magnitude of the resistance value of the photoresistor.

Die dadurch hervorgerufene Krümmung der Kennlinie im Bereich hoher Leuchtdichten bzw. kleiner Blenden wird um so stärker sein, je größer dieser Vorschaltwiderstand ist. Bei den größeren Blenden bzw. den kleineren Leuchtdichten und auch bei den mittleren Blendenwerten ist die Abweichung von dem durch die Abdeckvorrichtung eingestellten Kurvenwert verhältnismäßig gering.The resulting curvature of the characteristic in the area of high luminance or small apertures will be the stronger, the larger this series resistance is. With the larger apertures or the lower luminance levels and also with the middle aperture values is the deviation from that caused by the Covering device set curve value is relatively low.

Allerdings ist oftmals zusätzlich ein Anheben der Kurve im Bereich der kleinen Leuchtdichten zur Anpassung an die Charakteristik des Galvanometers notwendig. Hierzu läßt sich vorteilhaft nach einem weiteren Erfindungsvorschlag ein dem Fotowiderstand parallel geschalteter Nebenwiderstand mit einem relativ zu diesem großen Widerstandswert, verwenden, derHowever, there is often an additional increase in the curve in the area of the low luminance levels for adaptation necessary to the characteristics of the galvanometer. This can be advantageous after a further The invention suggests a shunt resistor connected in parallel to the photoresistor with a relative to use this great resistance value, the

009 650/100009 650/100

ζ. B. zwei- bis zwanzigmal größer als der des Fotowiderstandes bei kleinen Leuchtdichten ausgebildet sein kann. Die Größe des Nebenwiderstandes bestimmt man entweder nach der größten Blende bzw. der kleinsten Leuchtdichte oder nach derjenigen größten Blende, deren Blendenfigur noch der der anderen Blendenstufe ähnlich ist.ζ. B. formed two to twenty times larger than that of the photoresistor at low luminance levels can be. The size of the shunt resistance is determined either by the largest aperture or the smallest Luminance or according to the largest aperture, whose aperture figure is still that of the others F-stop is similar.

Die belichtete Fläche eines Fotowiderstandes weist einander abwechselnde, verhältnismäßig große wirksame und unwirksame Flächenteilchen auf. Bei einer scharfen Abbildung des Objektes auf dieser Fläche des Fotowiderstandes könnten daher Abweichungen gegenüber dem eigentlichen zu messenden Wert auftreten, d. h., die Beleuchtung bildwichtiger Teile könnte an Flächenstellen abgebildet werden, die keinen Einfluß auf das Meßergebnis haben, während andere bildunwichtige Flächenteile das Meßergebnis maßgebend beeinflussen.The exposed area of a photo resistor has alternating, relatively large effective and ineffective surface particles. With a sharp image of the object on this surface the photoresistor could therefore deviate from the actual value to be measured, d. That is to say, the lighting of parts that are important to the image could be imaged in areas that do not have any Have an influence on the measurement result, while other parts of the surface that are not important to the image are decisive for the measurement result influence.

Erfindungsgemäß kann daher dem Fotowiderstand eine die einfallenden Lichtstrahlen diffus brechende Linse mit vorzugsweise einer ihm zugekehrten mattierten Fläche vorgeordnet werden. Die diffus brechende Linse verteilt das einfallende Licht nahezu gleichmäßig auf die Stirnfläche des Fotowiderstandes. Die Genauigkeit der Messung wird weiterhin dadurch gesteigert, daß zweckmäßig die Winkelcharakteristik der Linse gleich der des Aufnahmeobjektivs ausgebildet ist. Ein weiteres Mittel zur gleichmäßigen Ausleuchtung der vorerwähnten Stirnfläche besteht darin, daß man diese aus der Brennebene der Linse herausrückt. Vorteilhafterweise wird der Fotowiderstand mit einem Abstand f bis //3 von der Linse vor die Brennebene gelegt.According to the invention, a lens which diffusely refracts the incident light rays and preferably has a matt surface facing it can therefore be arranged in front of the photoresistor. The diffusely refracting lens distributes the incident light almost evenly over the face of the photo resistor. The accuracy of the measurement is further increased in that the angle characteristic of the lens is expediently designed to be the same as that of the taking lens. Another means of evenly illuminating the aforementioned end face is to move it out of the focal plane of the lens. The photoresistor is advantageously placed in front of the focal plane at a distance f to // 3 from the lens.

Die Blendenfigur der vor dem Fotowiderstand vorgesehenen Blende soll möglichst ähnlich und gleichliegend zu der der Objektivblende ausgebildet werden.The aperture figure of the aperture provided in front of the photoresistor should be as similar and identical as possible to which the lens diaphragm are formed.

Die Zeichnung gibt den Gegenstand der Erfindung beispielsweise wieder. Es zeigtThe drawing shows the subject matter of the invention, for example. It shows

Fig. 1 eine räumliche Darstellung einer erfindungsgemäß ausgebildeten Kinokamera mit fotoelektrischer Regelvorrichtung,1 shows a three-dimensional representation of a cinema camera designed according to the invention with a photoelectric Control device,

Fig. 2 einen Teil der Kamera nach Fig. 1, von der Seite her gesehen, mit einem Schnitt durch den Bereich der Fotowiderstandsanordnung,FIG. 2 shows a part of the camera according to FIG. 1, seen from the side, with a section through the area the photo resistor arrangement,

Fig. 3 die einzelnen Elemente der Fotowiderstandsanordnung in räumlicher Darstellung auseinandergezogen und dieFig. 3 the individual elements of the photoresistor arrangement exploded in a spatial representation and the

Fig. 4 bis 7 verschiedene in doppeltlogarithmischem Maßstab aufgetragene Strom-Blendenkurven mit zugehörigen Schaltbildern.4 to 7 different current diaphragm curves plotted on a logarithmic scale with associated Circuit diagrams.

In Fig. 1 ist mit 1 das Gehäuse einer Kinokamera bezeichnet, dem sich vorn eine Fronthaube 2 und oben eine Sucherhaube 54 anschließt. 3 ist ein DIN-Einstellring, der vor einem nicht dargestellten Fotowiderstand vorgesehen ist und eine Blende steuert, deren Blendenausschnitt mit 4 bezeichnet ist. 5 ist ein Entfernungseinstellring für das Objektiv und 6 ein Galvanometer einer vom Fotowiderstand gesteuerten Belichtungsregeleinrichrung. Das Galvanometer ist auf nicht dargestellte Weise mit zwei Blendenhebeln für das Kameraobjektiv gekuppelt. Es kann über einen Knopf 7 elektrisch abgeschaltet werden, wonach sich die Blendeneinstellung des Kameraobjektivs von Hand ändern läßt.In Fig. 1, 1 designates the housing of a cinema camera, which is a front hood 2 and above a finder hood 54 is connected. 3 is a DIN setting ring that is in front of a photoresistor, not shown is provided and controls a diaphragm, the aperture section is denoted by 4. 5 is a distance adjustment ring for the lens and 6 a galvanometer of an exposure control device controlled by the photoresistor. The galvanometer is coupled to two diaphragm levers for the camera lens in a manner not shown. It can be about one Button 7 can be switched off electrically, after which the aperture setting of the camera lens is manual can change.

Wie vor allem aus den Fig. 2 und 3 zu ersehen ist, weist eine Grundplatte 8, die von vorn am Gehäuse 1 befestigt ist, an ihrem unteren Ende ein Kästchen 9 auf, das aus Kunststoff besteht und an die Grundplatte 8 angeklebt oder auf eine andere Weise mit dieser verbunden sein kann. In die obere und untere Wand des Kästchens sind Schlitze 10 eingefräst, in welche Kontaktfedern 11 eingelegt sind. Die Kontaktfedern 11 sind in bekannter Weise mit einer Batterie und dem Galvanometer 6 verbunden. Vor den Federn sitzt der Fotowiderstand 12, der aus seitlichen, an den Federn anliegenden Kontaktschienen 13 mit rechenartig ineinandergreifenden Kontaktstreifen 14 l>esteht, die in eine lichtempfindliche Halbleiterschicht eingebettet sind. Der Fotowiderstand ist für etwa zehnfacheAs can be seen primarily from FIGS. 2 and 3, a base plate 8, which is attached to the housing 1 from the front is attached, at its lower end a box 9, which is made of plastic and to the base plate 8 glued or otherwise connected to this. In the upper and lower In the wall of the box slots 10 are milled into which contact springs 11 are inserted. The contact springs 11 are connected to a battery and the galvanometer 6 in a known manner. Before the feathers the photo resistor 12, which consists of lateral contact rails 13 resting against the springs, sits like a rake interlocking contact strips 14 l> which are embedded in a light-sensitive semiconductor layer are. The photo resistor is for about ten times

ίο Belastung ausgelegt, d. h., die Spannung der zugehörigen Batterie ist unter Berücksichtigung des Gesamtwiderstandes im Regelkreis so bemessen, daß der Fotowiderstand maximal nur ein Zehntel der zulässigen Leistung aufnimmt. 15 ist ein rahmenförmiges Isolierplättchen, das den Fotowiderstand in dem Kästchen 91 hält. Vor dem Isolierplättchen 15 sitzen zwei Schieberplatten 16, die jeweils eine Aussparung 17 und zwei Schlitze 18 aufweisen. Sie sind mit dem Plättchen 15 über Schrauben 19 vor dem Kästchen 9 verschiebbar gehalten, so daß die dem Licht ausgesetzte Fläche des Fotowiderstandes verändert werden kann.ίο Load designed, ie the voltage of the associated battery is dimensioned, taking into account the total resistance in the control circuit, so that the photoresistor only consumes a maximum of one tenth of the permissible power. 15 is a frame-shaped insulating plate that holds the photo resistor in the box 9 1. In front of the insulating plate 15, there are two slide plates 16, each of which has a recess 17 and two slots 18. They are held displaceably with the plate 15 by means of screws 19 in front of the box 9, so that the area of the photoresistor exposed to the light can be changed.

Mit 20 ist die vordere Wand der Fronthaube 2 bezeichnet. Diese Wand ist im Bereich der Blendenan-Ordnung für den Fotowiderstand zurückgezogen und bildet eine rechteckige Aussparung 21. In. einer weiteren, runden Vertiefung 22 mit einer Belichtungsöffnung 23 sitzen in der Wand 20 zwei Stifte 24, an welchen zwei Blendenscherblätter 25 mit rechtwinkligen Ausschnitten 26 angelenkt sind, die zusammen die Blendenöffnung 4 ergeben. Die Enden der Scherblätter liegen seitlich der Aussparungen 26 auf entgegengesetzten Seiten aneinander an. Dadurch wird ein leicht federnder Klemmschluß erzielt, ohne daß bei der Herstellung eine übersteigerte Genauigkeit notwendig ist. The front wall of the front hood 2 is designated by 20. This wall is retracted in the area of the aperture order for the photoresistor and forms a rectangular recess 21. In. Another, round recess 22 with an exposure opening 23, two pins 24 sit in the wall 20, to which two diaphragm shear blades 25 are hinged with right-angled cutouts 26, which together form the diaphragm opening 4. The ends of the shear blades rest against one another on opposite sides of the recesses 26. As a result, a slightly resilient clamping connection is achieved without excessive precision being necessary during manufacture .

Jedes Scherblatt 25 weist einen Stift 27 auf, an demEach shear blade 25 has a pin 27 on which

das eine Ende einer Feder 28 anliegt, die um den Stift 24 gelegt ist und sich am Rand der Vertiefung 22 abstützt. Dadurch werden die Stifte 27 an spiralenförmigen Steuerflächen 29 anliegend gehalten, die in einer Steuerscheibe 30 vorgesehen sind. Zwischen der Steuerscheibe 30 und einer rechteckigen Platte 31, die sich in die Aussparung 21 einpaßt, ist eine wellenförmig ausgebildete Ringfeder 32 vorgesehen. Zur Befestigung der Platte 31 dienen nicht weiter dargestellte Schrauben. :,one end of a spring 28 is applied, which is placed around the pin 24 and is supported on the edge of the recess 22. As a result, the pins 27 are held in contact with spiral-shaped control surfaces 29 which are provided in a control disk 30. Between the control disk 30 and a rectangular plate 31, which fits into the recess 21, a wave-shaped annular spring 32 is provided. Screws ( not shown) are used to fasten the plate 31. :,

Über ebenfalls nicht dargestellte Schrauben mit den Mittellinien 52 sind die Steuerscheibe 30 und der DIN-Einstellring 3 gekuppelt. Dieser Einstellring weist weiterhin eine Nase 33 auf, welche in eine der Aussparungen einer Rastverzahnung 34 im Bohrungsrand der Platte 31 eingreift, durch Herausziehen der Anordnung 3, 30 jedoch gegen die Kraft der Feder 32 gelöst werden kann, so daß sich dann über die Kurven 29 die Stellung der Blendenscherblätter 25 ändern und über die Blendenöffnung 4 der DIN-Wert einstellen läßt.The control disk 30 and the are via screws with the center lines 52, also not shown DIN setting ring 3 coupled. This adjusting ring also has a nose 33 which in one of the Recesses of a locking toothing 34 engages in the edge of the hole of the plate 31 by pulling out the Arrangement 3, 30, however, can be released against the force of the spring 32, so that then over the curves 29 change the position of the diaphragm shear blades 25 and set the DIN value via the diaphragm opening 4 leaves.

Mit dem DIN-Einstellring 3 ist eine Bikonvexlinse 35 fest verbunden. Ihre dem Fotowiderstand zugekehrte Fläche 36 ist fein mattiert ausgebildet, so daß das Licht diffus auf die Fotowiderstandsfläche auftrifft. Der Abstand zwischen der Linse und dem Fotowiderstand ist etwa gleich der halben Linsenbrennweite ausgebildet, so daß auch schon deshalb eine scharfe Abbildung nicht stattfinden kann. Wie zum Teil auch aus Fig. 1 an Hand der öffnungswinkel 37 und 37a zu erkennen ist, haben das Kinoobjektiv und die Linse 35 die gleiche Winkelcharakteristik. Weiterhin entspricht das Seitenverhältnis des Bildausschnittes dem der Fotowiderstandsfläche, und auch die Blen-A biconvex lens 35 is firmly connected to the DIN setting ring 3. Your turned towards the photo resistor Surface 36 is finely matted so that the light strikes the photoresist surface in a diffuse manner. The distance between the lens and the photo resistor is approximately equal to half the focal length of the lens formed, so that a sharp image can therefore not take place. How to Part can also be seen from Fig. 1 on the basis of the opening angles 37 and 37a, have the cinema lens and the lens 35 has the same angular characteristic. Furthermore, the aspect ratio corresponds to the image section that of the photo resistor surface, and also the aperture

denfigur der Objektivblende und der Blendensgherblätter 25 sind einander ungefähr ähnlich.the figure of the lens diaphragm and the Blendensgher blades 25 are roughly similar to each other.

In Fig. 4 ist mit I0 die über der Leuchtdichte asb bzw. der Blende k aufgetragene Stromkurve für einen nicht eingefaßten Fotowiderstand bezeichnet. I0 ist die zugehörige Kurve für einen solchen. Fotowiderstand mit DIN-Fassung, I0g die Stromkurve mit vorgeschaltetem Galvanometer gemäß Fig. 5 und Ig die Strom-Blendenkurve des Galvanometers (Galvanometerkurve). Mit 53 ist die aus zwei Zellen bestehende Batterie bezeichnet.In FIG. 4, I 0 denotes the current curve plotted against the luminance asb or the diaphragm k for an unframed photoresistor. I 0 is the corresponding curve for such a. Photoresistor with DIN socket, I 0g the current curve with the upstream galvanometer according to FIG. 5 and I g the current diaphragm curve of the galvanometer (galvanometer curve). The battery consisting of two cells is denoted by 53.

Die Kurve I0 g ist auch in Fig. 6 übernommen. Diese Kurve weicht jedoch von der durch das Galvanometer bedingten Strom-Blendenkurve Ig noch wesentlich ab. Schließt man jetzt die durch die beiden Schieberplatten 16 gebildete Abdeckvorrichtung so lange, bis bei der mittleren und meist verwendeten Blendenstufe 5,6 die Kurve I0 g die durch die Galvanometercharakteristik bedingte Kurve Ig schneidet, so ergibt sich durch eine Verschiebung der gesamten Kurve nach rechts für den Blendenwert 5,6 eine Änderung entsprechend der Pfeilstrecke 38 und damit der Schnittpunkt 39 der neuen Kurve I1 mit der Galvanometerkurve Ig. Die beiden Kurven fallen jedoch noch nicht zusammen.The curve I 0 g is also taken over in FIG. However, this curve still deviates significantly from the current diaphragm curve I g caused by the galvanometer. If one now closes the cover device formed by the two slide plates 16 until the curve I 0 g intersects the curve I g caused by the galvanometer characteristic in the middle and mostly used aperture level 5.6, the result is a shift of the entire curve on the right for the aperture value 5.6 a change corresponding to the arrow 38 and thus the intersection 39 of the new curve I 1 with the galvanometer curve I g . However, the two curves do not yet coincide.

Man schaltet daher nach Fig. 7 vor den Fotowiderstand 12 einen Vorschaltwiderstand 40, wodurch die Kurve I1 im Bereich hoher Leuchtdichten bzw. kleiner Blendenwerte gedruckt wird. Der Widerstand 40 wird dabei so weit vergrößert, bis für die größte, noch häufig verwendete Blende 16 gemäß der Pfeilstrecke 41 ein neuer Schnittpunkt 42 der neuen Kurve I2 mit der Kurve Ig erzielt wird. Am linken Kurvenende bei kleinen Leuchtdichten bzw. großen Blenden ist jedoch die vorhandene Abweichung noch nicht beseitigt, und auch im Bereich der Blende 5,6 ist durch den Vorwiderstand eine — allerdings nur geringe — Abweichung entstanden.Therefore, according to FIG. 7, a series resistor 40 is connected in front of the photoresistor 12, as a result of which the curve I 1 is printed in the region of high luminance or small aperture values. The resistor 40 is increased until a new intersection 42 of the new curve I 2 with the curve I g is achieved for the largest, still frequently used diaphragm 16 according to the arrow segment 41. At the left end of the curve with small luminance levels or large apertures, however, the existing deviation has not yet been eliminated, and in the area of aperture 5, 6 the series resistor has also produced a deviation, albeit only a small one.

Schaltet man jetzt parallel zum Fotowiderstand 12 noch einen Nebenwiderstand 43, so wird die Kurve /, bei kleinen Leuchtdichten bzw. großen Blenden angehoben. Hierbei geht man entweder von der größten möglichen Blende aus oder von derjenigen Blende, bei der die im übrigen Bereich vorhandene Blendenfigur erhalten bleibt, also noch nicht durch den festen Blendenkreis des Objektivs verändert wird. Im vorliegenden Fall ist durch Verkleinerung des Widerstandes 43 — von dem Wert 00 ausgehend — im Bereich der Blende 2,8 eine Verschiebung gemäß der Pfeilstrecke 44 zu einem Punkt 45 erzielt worden. Da am rechten Kurvenende eine Änderung praktisch nicht eingetreten ist, liegen jetzt wenigstens die Punkte 42 und 45 auf der gesuchten, für das Galvanometer charakteristischen Strom-Blendenkurve Ig. Bei der Blende 5,6 und auch bei der Blende 8 haben sich die beiden Änderungen durch die Widerstände 40 und 43 ungefähr aufgehoben, so daß ein recht guter Abgleich der Kurve IA zur Kurve Ig erzielt werden konnte. Praktisch laufen die Kurven I1, I2 und I3 im Bereich der mittleren Blenden wesentlich dichter zusammen. Sie sind lediglich zur Erläuterung auseinandergezogen dargestellt.If a shunt resistor 43 is now connected in parallel with the photoresistor 12, the curve /, is raised in the case of small luminance levels or large apertures. This is done either from the largest possible aperture or from that aperture in which the aperture figure present in the remaining area is retained, i.e. is not yet changed by the fixed aperture circle of the lens. In the present case, by reducing the resistance 43 - starting from the value 00 - a shift according to the arrow 44 to a point 45 has been achieved in the area of the diaphragm 2.8. Since there was practically no change at the right end of the curve, at least points 42 and 45 now lie on the current-diaphragm curve I g that is sought which is characteristic of the galvanometer. In the case of the diaphragm 5, 6 and also in the case of the diaphragm 8, the two changes caused by the resistors 40 and 43 have approximately canceled each other out, so that a very good comparison of the curve I A with the curve I g could be achieved. In practice, the curves I 1 , I 2 and I 3 converge much closer together in the area of the central diaphragms. They are only shown exploded for explanation.

Änderungen des Meßwertes nach einer gewissen Betriebsdauer sind möglich einmal durch Änderung der Widerstandscharakteristik und zum anderen durch Senken der Batteriespannung. Wenn der Fotowiderstand zu sehr beansprucht wird, so wirkt sich das im Schaubild nach Fig. 6 dahingehend aus, daß die Kurve/3 ähnlich der Änderung von Iog nach I1 nach rechts verschoben wird. Diese Änderung ist erfindungsgemäß durch eine reichliche Überbemessung des Fotowiderstandes vermieden. Wie aus Fig. 1 noch zu ersehen ist, sind im Suchergesichtsfeld zwei Marken und 48 vorgesehen, auf die der Galvanometerzeiger einspielen kann. Durch einen parallel zum abgeschalteten Fotowiderstand vor das Galvanometer zu schaltenden Prüfwiderstand kann jederzeit festgestellt werden, ob die Batteriespannung noch ausreicht, d. h. ob der Zeiger noch zwischen den beiden Marken und 48 steht. Bei der Ausführung nach dem gezeigten Beispiel ist die Abweichung auf V3 Lichtstufe = Vs Blendenstufe = 1° DIN begrenzt, so daß sich auch fehlerhafte Meßergebnisse durch zu geringe Batteriespannung vermeiden lassen.Changes to the measured value after a certain period of operation are possible on the one hand by changing the resistance characteristic and on the other hand by lowering the battery voltage. If the photoresistor is stressed too much, this has the effect in the diagram according to FIG. 6 that the curve / 3 is shifted to the right, similar to the change from I og to I 1. According to the invention, this change is avoided by a substantial oversizing of the photoresistor. As can also be seen from FIG. 1, two marks and 48 are provided in the viewfinder field of view, to which the galvanometer pointer can play. A test resistor to be connected in front of the galvanometer parallel to the photoresistor that is switched off can be used to determine at any time whether the battery voltage is still sufficient, ie whether the pointer is still between the two marks and 48. In the design according to the example shown, the deviation is limited to V3 light level = Vs aperture level = 1 ° DIN, so that incorrect measurement results due to insufficient battery voltage can also be avoided.

Die gezeigten Kurven gelten für volle Blendenöffnung der Blendenscherblätter 25 und für die höchste berücksichtigte Filmempfindlichkeit von. beispielsweise 27° DIN. Beim Schließen der Blendenscherblätter 25 verschiebt sich dann die Kurve J3 lichtintensitätsmäßig nach rechts, und zwar ähnlich der Verschiebung von g nach I1. Durch die Form der spiralenförmigen Steuerflächen 29 läßt sich hierbei erreichen, daß die DIN-Werte in einer linearen Skala 50 auf dem Einstellring 3 aufgetragen und an einer gehäusefesten Marke 51 abgelesen werden können.The curves shown apply to the full aperture of the diaphragm shear blades 25 and for the highest considered film speed of. for example 27 ° DIN. When the diaphragm shear blades 25 are closed, the curve J 3 then shifts to the right in terms of light intensity, similar to the shift from g to I 1 . The shape of the spiral-shaped control surfaces 29 makes it possible to achieve that the DIN values are plotted on a linear scale 50 on the setting ring 3 and can be read from a mark 51 fixed to the housing.

Claims (10)

Patentansprüche:Patent claims: 1. Kamera, insbesondere Kinokamera, mit eingebautem fotoelektrischem Belichtungsmesser, dadurch gekennzeichnet, daß als lichtelektrischer Wandler ein niederohmig ausgelegter Fotowiderstand (12) vorgesehen ist, dem eine Abdeckvorrichtung (16) unmittelbar, eine einstellbare Blende (4, 25) mit Abstand vorgeordnet ist.1. Camera, especially cinema camera, with built-in photoelectric exposure meter, thereby characterized in that the photoelectric converter is a low-resistance photo resistor (12) is provided, to which a cover device (16) directly, an adjustable diaphragm (4, 25) is upstream with a certain distance. 2. Kamera nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der niederohmig ausgebildete Fotowiderstand (12) bei einer Leuchtdichte von 1000 apostilb ohne DIN-Fassung den Widerstandswert 0,2 bis 0,6 kOhm hat.2. Camera according to claim 1, characterized in that the low-resistance photo resistor (12) the resistance value for a luminance of 1000 apostilb without DIN socket 0.2 to 0.6 kOhm. 3. Kamera nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Abdeckvorrichtung zwei übereinander angeordnete Schieberplättchen (16) aufweist, die je mit einer wenigstens gleich der größten wirksamen Fotowiderstandsfläche ausgebildeten Aussparung (17) versehen sind.3. Camera according to claim 1, characterized in that the covering device is two on top of each other arranged slide plate (16), each with one at least equal to the largest effective photoresist area formed recess (17) are provided. 4. Kamera nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch einen weiteren, im Stromkreis des Fotowiderstandes (12) vorgesehenen Vorschaltwiderstand (40) mit einem bei großen Leuchtdichten relativ zum Fotowiderstand mit vorgeschaltetem Galvanometer niedrigen Widerstandswert.4. Camera according to claim 1, characterized by a further, in the circuit of the photoresistor (12) provided series resistor (40) with one at high luminance levels relative to the photoresistor with an upstream Galvanometer low resistance value. 5. Kamera nach Anspruch 1 oder 4, gekennzeichnet durch einen dem Fotowiderstand (12) parallel geschalteten Nebenwiderstand (43) mit einem bei kleinen Leuchtdichten relativ zum Fotowiderstand großen Widerstandswert.5. Camera according to claim 1 or 4, characterized by one of the photoresistor (12) in parallel switched shunt resistor (43) with a low luminance relative to the photo resistor great resistance value. 6. Kamera nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß dem Fotowiderstand (12) eine die einfallenden Lichtstrahlen diffus brechende Linse (35) mit einer vorzugsweise ihm zugekehrten mattierten Fläche (36) vorgeordnet ist.6. Camera according to claim 1, characterized in that the photoresistor (12) has a incident light rays diffusely refracting lens (35) with a preferably matted facing it Area (36) is arranged upstream. 7. Kamera nach Anspruch 1 und 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Fotowiderstand (12) vor der Brennebene in einem Abstand / bis /73 von der Linse liegt.7. Camera according to claim 1 and 6, characterized in that the photo resistor (12) in front of the Focal plane at a distance / to / 73 from the Lens lies. 8. Kamera nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Winkelcharakteristik (38) der Linse gleich der (37) des Aufnahmeobjektivs ausgebildet ist.8. A camera according to claim 6, characterized in that the angular characteristic (38) of the Lens is designed like that (37) of the taking lens. 9. Kamera nach Anspruch 1 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Blendenfigur (4) der vor dem Fotowiderstand vorgesehenen Blende (25) ähnlich und gleichliegend zu der der Objektivblende ausgebildet ist.9. Camera according to claim 1 or 3, characterized in that the diaphragm figure (4) of the before Photoresistor provided diaphragm (25) is formed similar and identical to that of the lens diaphragm is. 10. Kamera nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch die Verwendung einer durch zwei Scherblätter (25) gebildeten Katzenaugenblende, die durch einen gemeinsamen Einstellring (3) gesteuert wird.10. A camera according to claim 3, characterized by the use of one through two shear blades (25) formed cat's eye diaphragm, which is controlled by a common adjustment ring (3) will. Hierzu 2 Blatt ZeichnungenFor this purpose 2 sheets of drawings ι 009 650/150 11.60ι 009 650/150 11.60
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