DE1091657B - Semiconductor arrangement made from organic semiconducting compounds - Google Patents

Semiconductor arrangement made from organic semiconducting compounds

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DE1091657B
DE1091657B DEF24056A DEF0024056A DE1091657B DE 1091657 B DE1091657 B DE 1091657B DE F24056 A DEF24056 A DE F24056A DE F0024056 A DEF0024056 A DE F0024056A DE 1091657 B DE1091657 B DE 1091657B
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DE
Germany
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semiconductor
polyynes
organic semiconducting
semiconducting compounds
semiconductor arrangement
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Pending
Application number
DEF24056A
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German (de)
Inventor
Dr Ferdinand Bohlmann
Dr Hans Dexheimer
Dr Otto Fuchs
Dr Hans Kraemer
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Hoechst AG
Original Assignee
Hoechst AG
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Publication date
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Publication of DE1091657B publication Critical patent/DE1091657B/en
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10Organic polymers or oligomers
    • H10K85/141Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Description

Halbleiteranordnung aus organischen halbleitenden Verbindungen In der Technik finden Halbleiter ein stets wachsendes Interesse, so z. B. zur Herstellung von Transistoren, Halbleiterfotowiderständen, Halbleiterfotoelementen, Halbleiterwiderständen, Halbleitergleichrichtern u. dgl. Bis jetzt wurden für dieses Gebiet der Elektrotechnik in erster Linie Halbleiter auf anorganischer Basis eingesetzt. Für die Ausdehnung der Anwendungsmöglichkeiten von Halbleitern, zur Vereinfachung ihrer Herstellung, und um sie in ihren Eigenschaften den jeweiligen Anforderungen besser anpassen zu können, ist es für die Praxis von großem Nutzen, synthetische, auf organischer Basis aufgebaute Halbleiter zu verwenden. Die auf organischer Basis aufgebauten Halbleiter haben auch noch den Vorteil, als antistatische Mittel in breitem Umfang eingesetzt werden zu können. Die bisher verwendeten organischen Stoffe als Halbleiter, wie Anthracen, Naphthalin, Pyren, Thiophen, Chinolin u. a., haben den für eine technische Anwendung entscheidenden Nachteil, bei höherer Temperatur zu schmelzen und relativ leicht flüchtig zu sein. Darüber hinaus besitzen sie bei höheren Temperaturen den weiteren Nachteil, mehr oder weniger stark in flüssigen Medien löslich zu sein, was sich insbesondere für die Verwendung als Halbleiter bei Hochfrequenz- oder Hochspannungsgleichrichtern als schädlich erweist.Semiconductor arrangement of organic semiconducting compounds In in technology, semiconductors are of growing interest. B. for production of transistors, semiconductor photo resistors, semiconductor photo elements, semiconductor resistors, Semiconductor rectifiers and the like have hitherto been used in this field of electrical engineering primarily semiconductors on an inorganic basis are used. For the stretch the possible uses of semiconductors to simplify their manufacture, and to better adapt their properties to the respective requirements it is of great use in practice, synthetic, organic to use built semiconductors. The organic-based semiconductors Also still have the advantage of being widely used as antistatic agents to be able to. The organic substances previously used as semiconductors, such as Anthracene, naphthalene, pyrene, thiophene, quinoline and others, have the for a technical Application decisive disadvantage to melt at higher temperature and relative to be volatile. In addition, they have the at higher temperatures Another disadvantage of being more or less soluble in liquid media, which is particularly suitable for use as a semiconductor in high-frequency or high-voltage rectifiers proves harmful.

Es wurde bereits vorgeschlagen, hochmolekulare Verbindungen, die durch die Umsetzung von aromatischen polyfunktionellen Isocyanaten mit Wasserstoffsuperoxyd erhalten werden, als elektrische Halbleiter zu verwenden.It has already been suggested that high molecular weight compounds are produced by the reaction of aromatic polyfunctional isocyanates with hydrogen peroxide can be obtained to use as electrical semiconductors.

Die Erfindung betrifft ebenfalls eine Halbleiteranordnung, z. B. einen Halbleiterwiderstand, Gleichrichter, Fotoelement oder Transistor, mit einem Halbleiterkörper aus organischen halbleitenden Verbindungen. Erfindungsgemäß sind als organische halbleitende Verbindungen an sich bekannte Umsetzungsprodukte von Polyinen, die man durch Erhitzen und/oder Belichten von Polyinen der allgemeinen Formel Ri-(C-C)n-R2, (wobei n = 2 oder größer als 2, R1 und R2 gleiche oder verschiedene organische Reste bedeuten) unterhalb des Schmelzpunktes erhält, verwendet. Über Struktur und Reaktionsfähigkeit von Polyinen der obengenannten allgemeinen Formel, siehe z. B. F. Bohlmann, »Angewandte Chemie«, 69, S. $2 (1957).The invention also relates to a semiconductor device, e.g. B. a Semiconductor resistor, rectifier, photo element or transistor, with a semiconductor body made of organic semiconducting compounds. According to the invention are as organic semiconducting compounds known reaction products of polyynes, the by heating and / or exposing polyynes of the general formula Ri- (C-C) n-R2, (where n = 2 or greater than 2, R1 and R2 are identical or different organic radicals mean) below the melting point is used. About structure and responsiveness of polyynes of the above general formula, see e.g. B. F. Bohlmann, »Applied Chemistry ”, 69, p. 2 (1957).

Die durch Erhitzen und/oder Belichten von Polyinen der oben angegebenen allgemeinen Struktur erhaltenen Umwandlungsprodukte sind im allgemeinen tief gefärbt, schwer- oder unlöslich.Those obtained by heating and / or exposure to polyynes of the above Conversion products obtained in general structure are generally deeply colored, difficult or insoluble.

Für gewisse Anwendungszwecke kann die Schwer- oder gar Unlöslichkeit der Umwandlungsprodukte von Polyinen störend sein, weil die Produkte für diese speziellen Verwendungszwecke nicht in einfacher Form auf eine feste Unterlage, z. B. auf ein Metall oder auf einem anorganischen oder organischen Nichtleiter, wie Quarz oder einem Kunststoff u. dgl., aufgebracht werden können. Diese Verarbeitungsschwierigkeiten können dadurch leicht vermieden werden, daß von dem Ausgangspolyin zuerst eine möglichst konzentrierte Lösung unter Verwendung eines leicht verdunstbaren Lösungsmittels, z. B. Aceton, hergestellt wird, diese Lösung dann auf eine feste Unterlage aufgebracht und anschließend das Lösungsmittel verdunstet wird. Erst nachdem eine Polyinschicht so auf die Unterlage aufgebracht wurde, wird durch Erhitzen und/oder Belichten die Polyinschicht in das Umwandlungsprodukt mit Halbleitercharakter übergeführt.Difficulty or even insolubility can be used for certain purposes of the conversion products of polyynes can be disruptive because the products are special for this Purposes not in simple form on a solid base, e.g. B. on a Metal or on an inorganic or organic dielectric, such as quartz or a plastic and the like. These processing difficulties can thereby easily be avoided that one of the starting polyynes first as possible concentrated solution using an easily evaporable solvent, z. B. acetone, is produced, this solution is then applied to a solid surface and then the solvent is evaporated. Only after a layer of polyine so was applied to the base, is heated and / or exposed to the Polyine layer converted into the conversion product with semiconductor character.

Beispiel 4,63 g eines Maßvioletten Polyins der eingangs genannten Struktur, wobei n = 2 und R1 = R2 = ist (Schmelzpunkt 166 bis 167°C), werden 24 Stunden unter Stickstoff auf 140 bis 150°C erhitzt. Anschließend wird das entstandene Produkt mit Aceton unter Rühren 1 Stunde ausgekocht und die heiße Mischung filtriert. Der Rückstand wird mit heißem Aceton nachgewaschen und getrocknet. Es werden so 1,87 g unlösliches, tiefdunkelviolettgefärbtes Umsetzungsprodukt, das auch bei 250°C noch nicht geschmolzen ist, erhalten. Die Temperaturabhängigkeit des spezifischen Widerstandes des Umsetzungsproduktes ist aus der folgenden Tabelle ersichtlich. 50°C I 100°C ( 150 1 C 200°C S2 - cm ......... I 1010 I 2-101 I 6-106 I 105 Das nicht umgesetzte Ausgangspolyin geht bei der Extraktion in Lösung und kann durch Abdampfen des Acetons wiedergewonnen werden.Example 4.63 g of a volumetric violet polyine of the structure mentioned at the beginning, where n = 2 and R1 = R2 = (melting point 166 to 167 ° C) are heated to 140 to 150 ° C under nitrogen for 24 hours. The resulting product is then boiled with acetone for 1 hour while stirring and the hot mixture is filtered. The residue is washed with hot acetone and dried. 1.87 g of insoluble, deep dark purple colored reaction product which has not yet melted even at 250 ° C. are obtained. The temperature dependence of the specific resistance of the reaction product can be seen from the following table. 50 ° CI 100 ° C (150 1 C 200 ° C S2 - cm ......... I 10 1 0 I 2-101 I 6-106 I 105 The unreacted starting polyin goes into solution during the extraction and can be recovered by evaporating off the acetone.

Claims (2)

PATENT ANSPROCIIIi: 1. Halbleiteranordnung, z. B. Halbleiterwiderstand, Gleichrichter, Fotoelement oder Transistor, mit Halbleiterkörper aus organischen halbleitenden Verbindungen, dadurch gekennzeichnet, daB als organische halbleitende Verbindungen an sich bekannte Umsetzungsprodukte von Polyinen, die durch Erhitzen und/oder Belichten von Polyinen der allgemeinen Formel R, - (C - C)- - R21 wobei n _> 2, R1 und R2 gleiche oder verschiedene organische Reste bedeuten, unterhalb des Schmelzpunktes entstehen, verwendet sind. PATENT ANSPROCIIIi: 1. Semiconductor device, e.g. B. semiconductor resistor, rectifier, photo element or transistor, with semiconductor body made of organic semiconducting compounds, characterized in that as organic semiconducting compounds per se known reaction products of polyynes, which by heating and / or exposure of polyynes of the general formula R, - (C - C) - - R21 where n_> 2, R1 and R2 are the same or different organic radicals, formed below the melting point, are used. 2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daB die verwendeten Polyine in Lösung auf ein Substrat gebracht werden und nach Verdunsten des Lösungsmittels erhitzt und/oder belichtet werden. In Betracht gezogene Druckschriften: Französische Patentschrift Nr. 1 115 828; »Die Naturwissenschaften«, Bd.41 (1954), S.346 bis 354, insbesondere S. 352; Zeitschrift für Physik, Bd. 134 (1953), S. 566 bis 575.2. Semiconductor arrangement according to claim 1, characterized in that the polyynes used are applied in solution to a substrate are brought and heated after evaporation of the solvent and / or exposed will. Documents considered: French Patent No. 1,115 828; "Die Naturwissenschaften", Vol. 41 (1954), pp. 346 to 354, especially p. 352; Zeitschrift für Physik, Vol. 134 (1953), pp. 566 to 575.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2058353A1 (en) * 1969-08-18 1971-05-28 Eastman Kodak Co

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1115828A (en) * 1953-12-23 1956-04-30 Siemens Ag Electrical semiconductors and devices obtained

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