DE1041164B - Process for the production of electrically asymmetrically conductive systems with a semiconductor crystal - Google Patents

Process for the production of electrically asymmetrically conductive systems with a semiconductor crystal

Info

Publication number
DE1041164B
DE1041164B DEL22420A DEL0022420A DE1041164B DE 1041164 B DE1041164 B DE 1041164B DE L22420 A DEL22420 A DE L22420A DE L0022420 A DEL0022420 A DE L0022420A DE 1041164 B DE1041164 B DE 1041164B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
following
etchant
substance
semiconductor crystal
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEL22420A
Other languages
German (de)
Inventor
Dipl-Phys Karl-Heinz Ginsbach
Dr Rer Nat Guenter Koehl
Winfried Moench
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Original Assignee
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Licentia Patent Verwaltungs GmbH filed Critical Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority to DEL22420A priority Critical patent/DE1041164B/en
Publication of DE1041164B publication Critical patent/DE1041164B/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H01L21/30612—Etching of AIIIBV compounds
    • H01L21/30621—Vapour phase etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching

Description

Verfahren zur Herstellung von elektrisch unsymmetrisch leitenden Systemen mit einem Halbleiterkristall Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von elektrisch unsymmetrisch leitenden Systemen mit einem Halbleiterkristall. Solche Systeme sind beispielsweise Trockengleichrichter wie Spitzen- oder Flächendioden, aber auch gesteuerte Trockengleichrichter, insbesondere mittels einer oder mehreren weiteren Elektroden gesteuerte Trockengleichrichter, z. B. Transistoren.Process for the production of electrically asymmetrically conductive systems with a semiconductor crystal The invention relates to a method for production of electrically asymmetrically conductive systems with a semiconductor crystal. Such Systems are, for example, dry rectifiers such as tip or flat diodes, but also controlled dry rectifiers, in particular by means of one or more further electrodes controlled dry rectifiers, e.g. B. Transistors.

Es ist bekannt, zur Verwendung in Spitzendioden oder -transistoren bestimmte Halbleiterkristalle aus Germanium vor dem Aufsetzen der Spitzenelektroden mit einem flüssigen Ätzmittel zu behandeln. Nach der Ätzung wird die behandelte Halbleiteroberfläche gewaschen und getrocknet, um danach mit den Spitzenelektroden in Kontakt gebracht zu werden.It is known for use in tip diodes or transistors certain semiconductor crystals made of germanium before the tip electrodes are attached to be treated with a liquid etchant. After the etching, the treated Semiconductor surface washed and dried, afterwards with the tip electrodes to be brought into contact.

Ein anderes bekanntes Verfahren zur Herstellung eines Kristallgleichrichters mit Silizium als Halbleiterkörper sieht vor, die durch Abkühlung der Schmelze erhaltenen Kristallstücke auf einem Teil ihrer Oberfläche zu polieren, darauf die ganze Oberfläche mit Fluorwasserstoff zu behandeln und anschließend einer Oxydation zu unterziehen. Die ganze Oberfläche wird wiederum mit Fluorwasserstoff behandelt. Dann wird der unpolierte Teil der Oberfläche mit einem Metallüberzug versehen.Another known method of manufacturing a crystal rectifier with silicon as the semiconductor body provides that obtained by cooling the melt To polish pieces of crystal on part of their surface, then the whole surface treated with hydrogen fluoride and then subjected to oxidation. The entire surface is again treated with hydrogen fluoride. Then the unpolished part of the surface is provided with a metal coating.

Des weiteren ist zur Herstellung von Selentrockengleichrichtern bekannt, die Selenoberfläche vor dem Aufbringen der Gegenelektrode mit gasförmigen oder flüssigen Alkali- oder Erdalkalihalogeniden oder Ammoniumhalogeniden zu behandeln, um hierdurch den Sperrwiderstand zu erhöhen und die Zeit für die elektrische Formierung zu verringern.It is also known for the production of selenium dry rectifiers the selenium surface before applying the counter electrode with gaseous or liquid To treat alkali or alkaline earth halides or ammonium halides in order to thereby increase the blocking resistance and decrease the electrical formation time.

Ein älterer Vorschlag betrifft die Reinigung von Halbleitermaterialien, wie z. B. Germanium oder Silizium, durch Ätzen der Halbleiteroberfläche mit Gasen, welche mit dem Halbleitermaterial flüchtige, leicht zersetzbare oder lösbare Reaktionsprodukte bilden. Als hierfür geeignete Gase werden Chlor und Halogenwasserstoffe angeführt.An older proposal concerns the cleaning of semiconductor materials, such as B. germanium or silicon, by etching the semiconductor surface with gases, which are volatile, easily decomposable or soluble reaction products with the semiconductor material form. Suitable gases for this purpose are chlorine and hydrogen halides.

Bei all diesen Verfahren erfolgt die Ätzung der Halbleiteroberfläche vor der Anbringung von Kontakten auf den so gereinigten Oberflächenteilen. Für besonders reaktionsfreudige Halbleiterstoffe, z. B. Silizium, ist daher die zwischen dem Ätzen der Halbleiteroberfläche und dem Anbringen des Kontaktes liegende Zeitspanne immer noch so groß, daß sich erneut störende Oxydschichten an der Halbleiteroberfläche bilden können, daß Verunreinigungen der Halbleiteroberfläche durch die kontaktierende Substanz selbst oder insbesondere durch deren Oberflächenschichten auftreten können oder daß sich zwischen der Halbleiteroberfläche und der zu kontaktierenden Substanz Oxydschichten bilden können.In all of these processes, the semiconductor surface is etched before attaching contacts to the surface parts cleaned in this way. For special reactive semiconductor materials, e.g. B. silicon, is therefore the one between etching the time span lying between the semiconductor surface and the application of the contact still so large that there are again disruptive oxide layers on the semiconductor surface can form that contamination of the semiconductor surface by the contacting Substance itself or in particular through its surface layers can occur or that between the semiconductor surface and the substance to be contacted Can form oxide layers.

Daher gelingt nach diesen Verfahren die Herstellung von Kontakten und Halbleiterkristallen nicht mit der erforderlichen Sicherheit. Die mechanischen oder/und elektrischen Eigenschaften der in bekannter Weise hergestellten Kontakte sind oft unbefriedigend, insbesondere hinsichtlich der für die Anwendungen erwünschten Konstanz der elektrischen Eigenschaften.This is why contacts can be made using this method and semiconductor crystals not with the required security. The mechanical and / or electrical properties of the contacts produced in a known manner are often unsatisfactory, especially with regard to those desired for the applications Constancy of electrical properties.

In noch höherem Ausmaß bestehen diese Schwierigkeiten bei der Herstellung von Flächenkontakten mit Halbleiterkristallen. Besonders erschwert ist das Anbringen von Kontakten durch Anschmelzen oder/und Anlegieren einer Substanz. Die hierzu erforderliche Temperaturerhöhung von Halbleiterkristall und zu kontaktierender Substanz löst - oft auch bei nicht besonders reaktionsfreudigen Halbleitern - chemische Reaktionen oder/und Verunreinigungen aus, welche die Güte des Kontaktes beträchtlich herabzusetzen oder die Kontaktierung ganz unmöglich zu machen vermögen.To an even greater extent these difficulties exist in manufacture of surface contacts with semiconductor crystals. Attaching is particularly difficult of contacts by melting and / or alloying a substance. The required for this Temperature increase of semiconductor crystal and substance to be contacted dissolves - often also with semiconductors that are not particularly reactive - chemical reactions and / or impurities that reduce the quality of the contact considerably or be able to make contact quite impossible.

Ziel der Erfindung ist, diese Schwierigkeiten bei der Herstellung von Kontakten mit dem Halbleiterkristall zu vermeiden. Insbesondere ist nach dem Verfahren gemäß der Erfindung möglich, die Benetzungsfähigkeit der Halbleiteroberfläche zu erhöhen und die Gleichmäßigkeit der Benetzung der Oberfläche der Halbleiterkristalle zu verbessern, indem jede Möglichkeit der Benutzung der geätzten Halbleiteroberfläche mit der freien Atmosphäre zwischen dem Ätzen und der Kontaktierung ausgeschlossen wird.The aim of the invention is to overcome these manufacturing difficulties to avoid contact with the semiconductor crystal. In particular, after the Method according to the invention possible the wettability of the semiconductor surface to increase and the uniformity of the wetting of the surface of the semiconductor crystals improve by every possibility of using the etched semiconductor surface excluded with the free atmosphere between the etching and the contact will.

Gemäß der Erfindung wird so verfahren, daß während oder vor und während des Anbringens einer mit dem Halbleiterkristall zu kontaktierenden Substanz die Halbleiteroberfläche und die zu kontaktierende Substanz der Einwirkung eines gasförmigen Ätzmittels ausgesetzt wird. Vorzugsweise wird diese Behandlung angewandt, wenn das Anbringen einer mit dem Halbleiterkristall zu kontaktierenden Substanz durch Anschmelzen oder/und Anlegieren vorgenommen wird, und insbesondere dann, wenn ein Metall oder eine Legierung mit dem Halbleiterkristall in Kontakt gebracht wird, wie es z. B. zum Anbringen von Flächenelektroden vorgesehen werden kann.According to the invention, the procedure is that during or before and during attaching a substance to be contacted with the semiconductor crystal Semiconductor surface and the substance to be contacted under the action of a gaseous Is exposed to etchant. This treatment is preferably used when attaching a substance to be contacted with the semiconductor crystal is carried out by melting and / or alloying, and in particular when a metal or an alloy is brought into contact with the semiconductor crystal, how it z. B. can be provided for attaching surface electrodes.

Eine günstige Ausführung des Verfahrens gemäß der Erfindung wird erhalten, indem das zur Einwirkung vorgesehene gasförmige Ätzmittel einem mit dem Halbleiterkristall und mit der anzubringenden Substanz nicht reagierenden Gas beigemischt wird. Das Anbringen der mit dem Halbleiterkristall zu kontaktierenden Substanz kann zweckmäßig in einer Gasatmosphäre von erniedrigtem Druck, also einem unter Atmosphärendruck liegenden Druck, vorgenommen werden. Vorteilhaft erweist sich, das gasförmige Ätzmittel als Gasstrom oder als Beimischung eines Gasstromes an die Halbleiteroberfläche oder an die Halbleiteroberfläche und die anzubringende Substanz zur Einwirkung heranzuführen.A favorable embodiment of the method according to the invention is obtained, by the gaseous etchant intended for action one with the semiconductor crystal and non-reactive gas is mixed with the substance to be attached. That Attaching the substance to be contacted with the semiconductor crystal can be expedient in a gas atmosphere of reduced pressure, i.e. one under atmospheric pressure lying pressure. The gaseous etchant proves to be advantageous as a gas stream or as an admixture of a gas stream to the semiconductor surface or to the semiconductor surface and the substance to be applied for action.

Bevorzugt ist eine Durchführungsweise des Verfahrens gemäß der Erfindung, nach welcher das gasförmige Ätzmittel im Zustand des Entstehens zur Einwirkung gebracht wird. Insbesondere kann das zur Einwirkung vorgesehene gasförmige Ätzmittel durch Verdampfen einer flüssigen Lösung eines Ätzmittels erzeugt werden; das Verdampfen kann vorzugsweise durch Erhitzen der flüssigen Lösung des Ätzmittels bewirkt werden. Zweckmäßig wird eine flüssige Lösung eines Ätzmittels verwendet, die leicht verdampfbar ist. Zum Anschmelzen oder/und Anlegieren einer zu kontaktierenden Substanz eignet sich eine solche flüssige Lösung eines Ätzmittels, die bei oder unter der Temperatur des Anschmelzens oder/und Anlegierens leicht verdampfbar ist. Zur Erzeugung des gasförmigen Ätzmittels ist besonders günstig. eine flüssige Lösung eines Ätzmittels auf einen porösen festen Körper zu bringen und aus den Poren dieses festen Körpers zu verdampfen.Preferred is a way of carrying out the method according to the invention, after which the gaseous etchant is brought into action in the state of origin will. In particular, the gaseous etchant provided for action can through Evaporation of a liquid solution of an etchant are generated; the evaporation can preferably be effected by heating the liquid solution of the etchant. A liquid solution of an etchant is expediently used which is easily evaporable is. Suitable for melting and / or alloying a substance to be contacted such a liquid solution of an etchant that is at or below the temperature the melting and / or alloying is easily evaporated. To generate the gaseous etchant is particularly beneficial. a liquid solution of an etchant on a porous solid body and out of the pores of this solid body to evaporate.

Die Auswahl eines gasförmigen Ätzmittels wird zweckmäßig derart getroffen. daß ein gasförmiges Ätzmittel zur Verwendung gelangt, das zumindest mit dem Halbleiter leicht flüchtige Verbindungen bildet.The selection of a gaseous etchant is expediently made in this way. that a gaseous etchant is used, at least with the semiconductor forms volatile compounds.

Zum Anschmelzen oder/und Anlegieren einer zu kontaktierenden Substanz einet sich ein solches gasförmiges Ätzmittel. das bei oder unter der Temperatur des Anschmelzens oder/und Anlegierens leicht flüchtige Verbindungen bildet.For melting and / or alloying a substance to be contacted Such a gaseous etchant is united. that at or below the temperature the melting and / or alloying forms volatile compounds.

Das Anbringen der zur Kontaktierung vorgesehenen Substanz kann in günstiger Weise mittels einer Form vorgenommen werden, welche so ausgebildet ist. daß Halbleiterkristall und anzubringende Substanz aufgenommen werden. Als zweckmäßig erweist sich, eine Form von quader- oder tafelförmiger Gestalt zu verwenden, wobei eine Seitenfläche eine Vertiefung. insbesondere eine kugelkalottenförmige Vertiefung. besitzt. Mit Vorteil kann eine Form verwendet werden, welche aus porösem Material besteht.The application of the substance intended for contacting can be carried out in are advantageously made by means of a mold which is designed in this way. that semiconductor crystal and substance to be attached are included. As functional proves to use a shape of cuboid or tabular shape, with one side surface a recess. in particular a spherical cap-shaped depression. owns. A mold made of porous material can advantageously be used consists.

Zum Anbringen der mit dem Halbleiterkristall zu kontaktierenden Substanz wird zweckmäßig die flüssige Lösung eines Ätzmittels und die anzubringende Substanz in die Vertiefung der Form gebracht und auf die diese Vertiefung aufweisende Seitenfläche des Halbleiterkristalls so aufgelegt, daß die Vertiefung von dem Halbleiterkristall bedeckt wird. Durch gemeinsames und gleichzeitiges Erhitzen von Halbleiterkristall, anzubringender Substanz und flüssiger Lösung eines Ätzmittels kann die Anbringung der zur Kontaktierung vorgesehenen Substanz und gleichzeitig die Erzeugung des gasförmigen Ätzmittels bewirkt und dadurch die Einwirkung des gasförmigen Ätzmittels auf die Halbleiteroberfläche oder auf die Halbleiteroberfläche und auf die anzubringende Substanz im Zustand des Entstehens des gasförmigen Ätzmittels vorgenommen werden. Vorteilhaft erfolgt hierbei das Verdampfen der flüssigen Lösung des Ätzmittels besonders aus den Poren der Vertiefung einer Form aus porösem Material.For attaching the substance to be contacted with the semiconductor crystal expediently the liquid solution of an etchant and the substance to be applied brought into the recess of the mold and on the side surface having this recess of the semiconductor crystal placed so that the recess of the semiconductor crystal is covered. By joint and simultaneous heating of semiconductor crystal, The substance to be applied and the liquid solution of an etchant can be applied the substance intended for contacting and, at the same time, the generation of the gaseous one Causes etchant and thereby the effect of the gaseous etchant on the Semiconductor surface or on the semiconductor surface and on the to be attached Substance can be made in the state of the formation of the gaseous etchant. The evaporation of the liquid solution of the etchant particularly advantageously takes place here from the pores of the recess of a mold made of porous material.

Zur weiteren Durchführung des Verfahrens erweisen sich Halbleiterkristalle oder -einkristalle aus Germanium, Silizium, Germanium-Silizium-Verbindungen, intermetallischen Verbindungen oder Verbindungen aus Elementen der III. und V. Gruppe des Periodischen Systems der Elemente besonders geeignet. Vorteilhaft ist die Verwendung einer Form aus Graphit. Bevorzugte gasförmige Ätzmittel sind Fluor, Chlor, Brom oder eine Wasserstoffverbindung eines dieser Elemente, insbesondere zum Anbringen einer Substanz an einen Halbleiterkristall oder -einkristall aus Germanium, Silizium, einer Silizium-Germanium-Verbindung, einer intermetallischen Verbindung oder einer Verbindung aus Elementen der 11 1. und V. Gruppe des Periodischen Systems der Elemente. Zur Erzeugung eines gasförmigen Ätzmittels durch Verdampfen einer flüssigen Lösung eines Ätzmittels eignet sich eine wäßrige Lösung von Salpetersäure und Flußsäure vorzüglich.Semiconductor crystals or monocrystals made of germanium, silicon, germanium-silicon compounds, intermetallic compounds or compounds made of elements of III have proven to be useful for carrying out the process further. and V. Group of the Periodic Table of the Elements are particularly suitable. It is advantageous to use a mold made of graphite. Preferred gaseous etchants are fluorine, chlorine, bromine or a hydrogen compound of one of these elements, in particular for attaching a substance to a semiconductor crystal or single crystal made of germanium, silicon, a silicon-germanium compound, an intermetallic compound or a compound made up of elements from 11 1 . and V. Group of the Periodic Table of the Elements. An aqueous solution of nitric acid and hydrofluoric acid is particularly suitable for producing a gaseous etchant by evaporating a liquid solution of an etchant.

Nach einem vorteilhaften Beispiel zur Ausführung des Verfahrens gemäß der Erfindung wird zur Herstellung eines elektrisch unsymmetrisch leitenden Systems mit einem Siliziumkristall, z. B. eines Siliziumflächengleichrichters der Siliziumkristall mit einem gasförmigen Ätzmittel behandelt. Eine Figur zeigt in zum Teil schematischer Darstellung im Schnitt ein Beispiel einer Anordnung zur Durchführung des Verfahrens gemäß der Erfindung und dient gleichzeitig der Erläuterung einer Einrichtung zur Ausführung des Verfahrens gemäß der Erfindung.According to an advantageous example for carrying out the method according to the invention is used to produce an electrically asymmetrically conductive system with a silicon crystal, e.g. B. a silicon rectifier the silicon crystal treated with a gaseous etchant. A figure shows in partially schematic Illustration in section of an example of an arrangement for carrying out the method according to the invention and at the same time serves to explain a device for Carrying out the method according to the invention.

Der Siliziumkristall 1, der zunächst in eine zur Verwendung vorgesehene Gestalt gebracht worden ist, wird besonders während des Anbringens einer Zinn-Antimon-Legierung 2, welche als Elektrode den Siliziumkristall 1 kontaktieren soll, der Einwirkung von gasförmigem Fluorwasserstoff ausgesetzt. Zu diesem Zweck wird eine Form 3 aus Graphit und von der Gestalt eines quaderförmigen Blockes verwendet. welche auf einer Seitenfläche 4 mit einer insbesondere kugelkalottenförmigen Vertiefung 5 versehen worden ist.The silicon crystal 1, which is initially in a intended for use Shaped is particularly important during the application of a tin-antimony alloy 2, which is intended to contact the silicon crystal 1 as an electrode, of the action exposed to gaseous hydrogen fluoride. For this purpose a form 3 is made Graphite and used in the shape of a cuboid block. which on one Side face 4 is provided with a recess 5, in particular in the shape of a spherical cap has been.

Die Seitenfläche 4 mit der Vertiefung 5 und besonders die Vertiefung 5 wird mit einer wäßrigen Lösung von Fluorwasserstoff befeuchtet. Diese Lösung wird von der porösen Graphitform 3 etwa in dem Bereich 6 aufgenommen. In die Vertiefung 5 wird Zinn-Antimon-Legierung gebracht, z. B. ein kugelförmiges Stück 2 dieser Legierung, von einem Durchmesser, der einen Bruchteil, z. B. zwischen 9/10 und @/10, etwa 7/10, des Durchmessers der kugelkalottenförmigen Vertiefung 5 betragen soll. Auf die Seitenfläche 4 der Form 3 wird nunmehr der Siliziumkristall 1 so aufgelegt, daß er Vertiefung 5 und den mit dem flüssigen Ätzmittel befeuchteten Teil 6 der Seitenfläche 4 der Form 3 überdeckt.The side surface 4 with the recess 5 and especially the recess 5 is moistened with an aqueous solution of hydrogen fluoride. This solution will taken up by the porous graphite mold 3 approximately in the area 6. Into the recess 5 tin-antimony alloy is brought, e.g. B. a spherical piece 2 of this alloy, of a diameter that is a fraction, e.g. B. between 9/10 and @ / 10, about 7/10, of the diameter of the spherical cap-shaped recess 5 should be. On the side 4 of the form 3, the silicon crystal 1 is now placed in such a way that it has a recess 5 and the moistened with the liquid etchant part 6 of the side surface 4 of Form 3 covered.

Durch gemeinsames und gleichzeitiges Erhitzen der aus Siliziumkristall 1, Zinn-Antimon-Legierung 2 und mit wäßriger Fluorwasserstofflösung befeuchteten Graphitform 3 bestehenden Anordnung verdampft die flüssige Lösung des Fluorwasserstoffs aus den Poren des Bereiches 6 der Graphitform 3, insbesondere aus den in die Vertiefung 5 einmündenden Poren. Durch dieses Erhitzen wird gasförmiger Fluorwasserstoff erzeugt, der, teilweise an der Zinn-Antimon-Legierung 2 vorbeiströmend, einen die Siliziumoberfläche 7 fortgesetzt bespülenden Gasstrom bildet und der zwischen Siliziumkristall 1 und diesem zugekehrter Seitenfläche 4 der Graphitform 3 hindurch sich ausbreitet und abströmt.By joint and simultaneous heating of the silicon crystal 1, tin-antimony alloy 2 and moistened with an aqueous hydrogen fluoride solution Graphite mold 3 existing arrangement evaporates the liquid solution of the hydrogen fluoride from the pores of the area 6 of the graphite mold 3, in particular from the pores opening into the recess 5. This heating becomes more gaseous Generates hydrogen fluoride which, partially flowing past the tin-antimony alloy 2, forms a gas flow continuously flushing the silicon surface 7 and that between Silicon crystal 1 and this facing side face 4 of the graphite mold 3 through spreads and flows away.

Ein und dasselbe Erhitzen bewirkt das Einlegieren der Zinn-Antimon-Legierung 2 in dem von dem gasförmigen Ätzmittel benetzten Bereich des Siliziumkristalls 1, der mit der in der Vertiefung 5 sich befindenden Zinn-Antimon-Legierung 2 in Berührung kommt.One and the same heating causes the alloying of the tin-antimony alloy 2 in the area of the silicon crystal 1 wetted by the gaseous etchant, with the tin-antimony alloy 2 located in the recess 5 in contact comes.

Ein solcher Kontakt ergibt bei einem elektronenleitenden Siliziumkristall einen eine Sperrschichtbildung verhindernden Kontakt mit befriedigenden elektrischen und mechanischen Eigenschaften. In einer der Herstellung dieses Kontaktes entsprechenden Weise kann beispielsweise auf die gegenüberliegende Oberfläche des Siliziumkristalls ein zweiter eine Sperrschicht bildender Kontakt angebracht werden. Es ist möglich, beide Seiten des Siliziumkristalls gleichzeitig zu kontaktieren. Diese nach der Erfindung hergestellten Kontakte bilden einlegierte Metallkontakte, welche über die Kontaktfläche hinweg gleichmäßig tief einlegiert sind. Damit wird nun aber auch die Durchschlagsspannung der erfindungsgemäß hergestellten Siliziumgleichrichter gegenüber bekannten Ausführungen erhöht werden können.Such a contact results in an electron-conducting silicon crystal a barrier formation preventing contact with satisfactory electrical and mechanical properties. In one corresponding to the establishment of this contact Way can for example on the opposite surface of the silicon crystal a second contact forming a barrier layer can be applied. It is possible, to contact both sides of the silicon crystal at the same time. This after the Invention produced contacts form alloyed metal contacts, which over the contact surface are alloyed evenly deep. But with that, too the breakdown voltage of the silicon rectifier manufactured according to the invention can be increased compared to known designs.

Mit guter Wirkung kann in dem Beispiel zur Herstellung eines Zinn-Antimon-Kontaktes auf einem Siliziumkristall zum Benetzen der Graphitform anstatt einer wäßrigen Fluorwasserstofflösung auch eine leicht verdampfbare Bromlösung oder eine Mischung aus Salpeter- und Flußsäure verwendet werden.In the example, a tin-antimony contact can be made with good effect on a silicon crystal to wet the graphite mold instead of an aqueous hydrogen fluoride solution also an easily evaporable bromine solution or a mixture of nitric and hydrofluoric acid be used.

Ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung besteht darin, daß bei der Herstellung eines Zinn-Antimon-Kontaktes an einem Siliziumkristall vor und während des Anbringens einer Zinn-Antimon-Legierung die zu kontaktierende Oberfläche des Siliziumkristalls mit einem Schutzgasstrom, z. B. einem aus Stickstoff oder Stickstoff und Argon oder einem anderen Edelgas bestehenden Gasstrom, angestrahlt sind und diesem Gasstrom ein gasförmiges Ätzmittel, z. B. Fluorwasserstoff oder Brom, zugesetzt wird. Die Zinn-Antimon-Legierung wird auf die Fläche des Siliziumkristalls aufgebracht, die dem Strom des gasförmigen Ätzmittels ausgesetzt wird. Durch Erhitzen von Siliziumkristall und Zinn-Antimon-Legierung erhält man nun einen einwandfreien einlegierten Zinn-Antimon-Kontakt an einem Siliziumkristall.Another embodiment of the invention is that in the production of a tin-antimony contact on a silicon crystal before and the surface to be contacted during the application of a tin-antimony alloy of the silicon crystal with a protective gas stream, e.g. B. one made of nitrogen or Nitrogen and argon or another noble gas existing gas stream, irradiated are and this gas stream a gaseous etchant, z. B. hydrogen fluoride or Bromine, is added. The tin-antimony alloy is applied to the face of the silicon crystal applied, which is exposed to the flow of the gaseous etchant. By heating from silicon crystal and tin-antimony alloy you get a perfect one alloyed tin-antimony contact on a silicon crystal.

Anstatt eines strömenden Schutzgases kann auch ein ruhendes Schutzgas verwendet werden, dem ein gasförmiges Ätzmittel beigemischt wird und das unter erniedrigtem Druck gehalten wird. Beispielsweise kann das gasförmige Ätzmittel aus einer flüssigen Lösung eines Ätzmittels mittels Druckerniedrigung erzeugt werden.Instead of a flowing protective gas, a stationary protective gas can also be used be used, to which a gaseous etchant is mixed and that under reduced Pressure is held. For example, the gaseous etchant from a liquid Solution of an etchant can be generated by lowering the pressure.

Weiterhin können Ausführungsbeispiele der Erfindung erhalten werden, wenn anstatt eines Siliziumkristalls Halbleiterkristalle aus Germanium oder wenn anstatt einer Kontaktsubstanz aus einer Zinn-Antimon-Legierung Substanzen wie Aluminium oder Aluminiumlegierung oder Indium bzw. Indiumlegierungen verwendet werden und zur Herstellung eines elektrisch unsymmetrisch leitenden Systems mit einem Halbleiterkristall der Halbleiterkristall mit einem gasförmigen Ätzmittel behandelt wird.Furthermore, embodiments of the invention can be obtained, if instead of a silicon crystal semiconductor crystals made of germanium or if instead of a contact substance made of a tin-antimony alloy, substances such as aluminum or aluminum alloy or indium or indium alloys are used and for the production of an electrically asymmetrically conductive system with a semiconductor crystal the semiconductor crystal is treated with a gaseous etchant.

Günstig kann von der Erfindung ferner Gebrauch gemacht werden, indem die Oberflächenbereiche eines Halbleiterkristalls mit einem gasförmigen Ätzmittel behandelt werden, in denen sogenannte pn-Übergänge oder Sperrschichten, welche in dem Halbleiterkristall erzeugt worden sind, an die Kristalloberfläche treten. Diese Oberflächenbereiche sind, beispielsweise bei Germaniumgleichrichtern, insbesondere bei Germaniumglcichrichtern mit einlegierten Elektroden, z. B. mit einer sperrschichtbildenden Indiumelektrode, durch die atmosphärischen Einflüsse sehr gefährdet.Advantageously, use can also be made of the invention by the surface areas of a semiconductor crystal with a gaseous etchant are treated, in which so-called pn junctions or barrier layers, which in the semiconductor crystal have been generated, come to the crystal surface. These Surface areas are, for example in the case of germanium rectifiers, in particular in germanium rectifiers with alloyed electrodes, e.g. B. with a barrier layer forming Indium electrode, very endangered by atmospheric influences.

Ein schützender Überzug, z. B. aus einem feuchtigkeitsabweisenden Isolierstoff, kann zur Abdeckung der gefährdeten Bereiche vorteilhaft auf den Halbleiterkristall aufgebracht werden, indem erfindungsgemäß vor oder/und während des Anbringens der als Überzu:g vorgesehenen Substanz die Halbleiteroberfläche oder die Halbleiteroberfläche und die anzubringende Substanz der Einwirkung eines gasförmigen Ätzmittels ausgesetzt wird.A protective coating, e.g. B. from a moisture-repellent Insulating material can advantageously be applied to the semiconductor crystal to cover the endangered areas are applied by the invention before and / or during the application of the the substance intended to be coated over: the semiconductor surface or the semiconductor surface and the substance to be applied is exposed to the action of a gaseous etchant will.

Handelt es sich um einen Überzug für Photozellen, bei welchen die an die Oberfläche des Halbleiterkristalls tretende Sperrschicht belichtet werden soll, so wird für den Überzug Material verwendet, welches isolierende Eigenschaften und Durchsichtigkeit aufweist.Is it a coating for photocells in which the the barrier layer stepping on the surface of the semiconductor crystal are exposed material is used for the coating, which has insulating properties and has transparency.

Claims (5)

PATENTANSPRÜCHE: 1. Verfahren zur Herstellung von elektrisch unsymmetrisch leitenden Systemen mit einem Halbleiterkristall, dadurch gekennzeichnet, daß während oder vor und während des Anbringens einer mit dem Halbleiterkristall zu kontaktierenden Substanz die Halbleiteroberfläche und die zu kontaktierende Substanz der Einwirkung eines gasförmigen Ätzmittels ausgesetzt wird. PATENT CLAIMS: 1. A method for producing electrically asymmetrically conductive systems with a semiconductor crystal, characterized in that the semiconductor surface and the substance to be contacted are exposed to the action of a gaseous etchant during or before and during the application of a substance to be contacted with the semiconductor crystal. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Anbringen der zu kontaktierenden Substanz an dem Halbleiterkristall durch Anschtnelzen oder/und Anlegieren vorgenommen wird. 2. The method according to claim 1, characterized in that the attachment of the substance to be contacted the semiconductor crystal is made by smelting and / or alloying. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als kontaktierende Substanz ein Metall oder eine Legierung verwendet wird. 3. The method according to claim 1 or 2, characterized in that as contacting Substance a metal or an alloy is used. 4. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß dem gasförmigen Ätzmittel ein mit dein Halbleiterkristall und mit der zu kontaktierenden Substanz nicht reagierendes Gas beigemischt wird. 5. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder einem folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß das Anbringen einer mit dem Halbleiterkristall zu kontaktierenden Substanz in einer Gasatmosphäre von einem Druck unter einer Atmosphäre vorgenommen wird. 6. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder einem folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß das gasförmige Ätzmittel als Gasstrom oder als Beimischung eines Gasstromes an die Halbleiteroberfläche und an die zu kontaktierende Substanz zur Einwirkung herangeführt wird. 7. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder einem folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß das zur Einwirkung vorgesehene gasförmige Ätzmittel durch Verdampfen einer flüssigen Lösung eines Ätzmittels erzeugt wird. B. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder einem folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erzeugung des gasförmigen Ätzmittels eine flüssige Lösung eines Ätzmittels durch Erhitzen verdampft wird. 9. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder einem folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erzeugung des gasförmigen Ätzmittels eine flüssige Lösung eines Ätzmittels auf einen porösen festen Körper gebracht und aus den Poren dieses festen Körpers verdampft wird. 10. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder einem folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß das gasförmige Ätzmittel im Zustand des Entstehens zur Einwirkung gebracht wird. 11. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder einem folgenden. dadurch gekennzeichnet, daß eine flüssige Lösung eines Ätzmittels verwendet wird, die leicht verdampfbar ist, insbesondere bei oder unter der Temperatur des Anschmelzens oder/und Anlegierens. 12. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder einem folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß ein gasförmiges Ätzmittel verwendet wird, das zumindest mit dem Halbleiter leicht flüchtige Verbindungen bildet. 13. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder einem folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß das Anbringen der kontaktierenden Substanz mittels einer Halbleiterkristall und Substanz aufnehmenden Form vorgenommen wird. 14. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder einem folgenden, gekennzeichnet durch Verwendung einer Form von quader- oder tafelförmiger Gestalt, die auf einer Seitenfläche eine Vertiefung aufweist. 15. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder einem folgenden, gekennzeichnet durch Verwendung einer Form mit einer kugelkalottenförmigen Vertiefung. 16. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder einem folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß eine Form aus porösem Material verwendet wird. 17. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder einem folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß zum Anbringen einer kontaktierenden Substanz flüssige Lösung eines Ätzmittels und zu kontaktierende Substanz in die Vertiefung der Form gebracht werden und daß auf die diese Vertiefung aufweisende Seitenfläche der Form der Halbleiterkristall so aufgelegt wird, daß die Vertiefung von dem Halbleiterkristall bedeckt wird. 18. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder einem folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erzeugung des gasförmigen Ätzmittels eine flüssige Lösung eines Ätzmittels aus den Poren der porösen Form, insbesondere aus den Poren der Vertiefung der porösen Form, verdampft wird. 19. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder einem folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß durch gemeinsames und gleichzeitiges Erhitzen von Halbleiterkristall, zu kontaktierender Substanz und flüssiger Lösung eines Ätzmittels die Anbringung der kontaktierenden Substanz und gleichzeitig die Erzeugung des gasförmigen Ätzmittels bewirkt wird. 20. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder einem folgenden, gekennzeichnet durch Verwendung eines Halbleiterkristalls oder -einkristalls aus Germanium. 21. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder einem folgenden, gekennzeichnet durch Verwendung eines Halbleiterkristalls oder -einkristalls aus Silizium. 22. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder einem folgenden, gekennzeichnet durch Verwendung eines Halbleiterkristalls oder -einkristalls aus einer Silizum-Germanium-Verbindung. 23. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder einem folgenden, gekennzeichnet durch Verwendung eines Halbleiterkristalls oder -einkristalls aus einer intermetallischen Verbindung. 24. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder einem folgenden, gekennzeichnet durch Verwendung eines Halbleiterkristalls oder -einkristalls aus einer halbleitenden Verbindung der Elemente der III. und V. Gruppe des Periodischen Systems der Elemente. 25. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder einem folgenden, gekennzeichnet durch Verwendung von Fluor, Chlor, Brom oder einer Wasserstoffverbindung eines dieser Elemente als gasförmiges Ätzmittel. 26. Verfahren nach Anspruch 7 oder einem folgenden, gekennzeichnet durch Verwendung einer flüssigen Lösung eines Ätzmittels, welche aus einer wäßrigen Lösung von Salpetersäure und Flußsäure besteht. 27. Verfahren nach Anspruch 13 oder einem folgenden, gekennzeichnet durch Verwendung einer Form aus Graphit. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschrift Nr. 823 470; USA.-Patentschrift INTr. 2 362 545; Zeitschrift für Elektrochemie, Bd. 58, 1954, Nr. 4. The method according to claim 1 to 3, characterized in that the gaseous etchant is one with your semiconductor crystal and non-reactive gas is admixed with the substance to be contacted. 5. The method according to claim 1, 2 or one of the following, characterized in that attaching a substance to be contacted with the semiconductor crystal in a Gas atmosphere is made from a pressure below one atmosphere. 6. Procedure according to claim 1, 2 or one of the following, characterized in that the gaseous Etchant as a gas stream or as an admixture of a gas stream on the semiconductor surface and the substance to be contacted is brought to act. 7. Procedure according to claim 1, 2 or one of the following, characterized in that the action provided gaseous etchant by evaporating a liquid solution of an etchant is produced. B. The method according to claim 1, 2 or one of the following, characterized in that that for generation of the gaseous etchant is a liquid solution an etchant is evaporated by heating. 9. The method according to claim 1, 2 or one of the following, characterized in that for generating the gaseous Etchant a liquid solution of an etchant on a porous solid body is brought and evaporated from the pores of this solid body. 10. Procedure according to Claim 1, 2 or a subsequent one, characterized in that the gaseous etchant is brought into effect in the state of origin. 11. The method according to claim 1, 2 or one of the following. characterized in that a liquid solution is one Etchant is used, which is easily evaporable, especially at or below the temperature of the melting and / or alloying. 12. The method according to claim 1, 2 or one of the following, characterized in that a gaseous etchant is used, which forms volatile compounds at least with the semiconductor. 13. The method according to claim 1, 2 or one of the following, characterized in that attaching the contacting substance by means of a semiconductor crystal and Substance-absorbing form is made. 14. The method of claim 1, 2 or a following, characterized by the use of a shape of cuboid or tabular Shape that has a recess on one side surface. 15. Procedure according to Claim 1, 2 or one of the following, characterized by using a shape with a spherical cup-shaped depression. 16. The method according to claim 1, 2 or one following, characterized in that a mold made of porous material is used will. 17. The method according to claim 1, 2 or one of the following, characterized in that that for applying a contacting substance liquid solution of an etchant and substance to be contacted are brought into the cavity of the mold and that on the side face of the shape of the semiconductor crystal having this recess is placed so that the recess is covered by the semiconductor crystal. 18th Method according to claim 1, 2 or one of the following, characterized in that for Generation of the gaseous etchant is a liquid solution of an etchant from the Pores of the porous form, in particular from the pores of the recess of the porous form, is evaporated. 19. The method according to claim 1, 2 or one of the following, characterized in that that by joint and simultaneous heating of semiconductor crystal to be contacted Substance and liquid solution of an etchant to attach the contacting Substance and at the same time the generation of the gaseous etchant is effected. 20. The method according to claim 1, 2 or one of the following, characterized by use a semiconductor crystal or single crystal made of germanium. 21. The method according to claim 1, 2 or one of the following, characterized by the use of a semiconductor crystal or single crystal made of silicon. 22. The method according to claim 1, 2 or one of the following, characterized by using a semiconductor crystal or single crystal a silicon-germanium compound. 23. The method according to claim 1, 2 or one the following, characterized by the use of a semiconductor crystal or single crystal from an intermetallic compound. 24. The method according to claim 1, 2 or one the following, characterized by the use of a semiconductor crystal or single crystal from a semiconducting compound of the elements of III. and V. Group of the Periodic System of elements. 25. The method according to claim 1, 2 or one of the following, characterized by using fluorine, chlorine, bromine or a hydrogen compound of any of these Elements as a gaseous etchant. 26. The method according to claim 7 or one of the following, characterized by using a liquid solution of an etchant which consists of an aqueous solution of nitric acid and hydrofluoric acid. 27. Procedure according to claim 13 or one of the following, characterized by the use of a mold made of graphite. Publications considered: German Patent No. 823 470; USA patent INTr. 2,362,545; Journal of Electrochemistry, Vol. 58, 1954, no. 5. S. 283 bis 321; schweizerische Patentschrift Nr. 265 647.5. pp. 283 to 321; Swiss patent specification No. 265 647.
DEL22420A 1955-07-11 1955-07-11 Process for the production of electrically asymmetrically conductive systems with a semiconductor crystal Pending DE1041164B (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEL22420A DE1041164B (en) 1955-07-11 1955-07-11 Process for the production of electrically asymmetrically conductive systems with a semiconductor crystal

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEL22420A DE1041164B (en) 1955-07-11 1955-07-11 Process for the production of electrically asymmetrically conductive systems with a semiconductor crystal

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1041164B true DE1041164B (en) 1958-10-16

Family

ID=7262383

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEL22420A Pending DE1041164B (en) 1955-07-11 1955-07-11 Process for the production of electrically asymmetrically conductive systems with a semiconductor crystal

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1041164B (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1237690B (en) * 1961-02-16 1967-03-30 Gen Motors Corp Method for manufacturing a semiconductor component
WO1986006546A1 (en) * 1985-04-26 1986-11-06 American Telephone & Telegraph Company Process for making semiconductor devices which involve gaseous etching
WO1987001508A1 (en) * 1985-08-28 1987-03-12 Fsi Corporation Gaseous process and apparatus for removing films from substrates
US4749440A (en) * 1985-08-28 1988-06-07 Fsi Corporation Gaseous process and apparatus for removing films from substrates

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2362545A (en) * 1942-01-29 1944-11-14 Bell Telephone Labor Inc Selenium rectifier and method of making it
CH265647A (en) * 1943-03-22 1949-12-15 Gen Electric Co Ltd Process for the production of the semiconducting, predominantly silicon-based crystal of a crystal rectifier.
DE823470C (en) * 1950-09-12 1951-12-03 Siemens Ag Method for etching a semiconductor

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2362545A (en) * 1942-01-29 1944-11-14 Bell Telephone Labor Inc Selenium rectifier and method of making it
CH265647A (en) * 1943-03-22 1949-12-15 Gen Electric Co Ltd Process for the production of the semiconducting, predominantly silicon-based crystal of a crystal rectifier.
DE823470C (en) * 1950-09-12 1951-12-03 Siemens Ag Method for etching a semiconductor

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1237690B (en) * 1961-02-16 1967-03-30 Gen Motors Corp Method for manufacturing a semiconductor component
WO1986006546A1 (en) * 1985-04-26 1986-11-06 American Telephone & Telegraph Company Process for making semiconductor devices which involve gaseous etching
WO1987001508A1 (en) * 1985-08-28 1987-03-12 Fsi Corporation Gaseous process and apparatus for removing films from substrates
US4749440A (en) * 1985-08-28 1988-06-07 Fsi Corporation Gaseous process and apparatus for removing films from substrates

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE976318C (en) Process for the production of a semiconductor body from germanium
DE2142146A1 (en) Semiconductor arrangement and method for producing such an arrangement
DE2019655C2 (en) Method for diffusing an activator which changes the conductivity type into a surface region of a semiconductor body
CH359211A (en) Silicon semiconductor device
DE1085613B (en) Process for the large-area contacting of a monocrystalline silicon body
DE1489240B1 (en) Method for manufacturing semiconductor components
DE1032405B (en) Surface semiconductor with good heat dissipation
DE2523055A1 (en) MINORITY CARRIER SEPARATING ZONES FOR SEMI-CONDUCTOR DEVICES AND PROCESSES FOR THEIR PRODUCTION
DE1041164B (en) Process for the production of electrically asymmetrically conductive systems with a semiconductor crystal
DE2162445B2 (en) Method for manufacturing a semiconductor device
DE2602705A1 (en) ELECTRON TUBE WITH A PHOTOCATHOD, PHOTOCATHOD FOR SUCH A TUBE AND A METHOD FOR MANUFACTURING SUCH A TUBE
DE1126513B (en) Process for processing semiconductor arrangements
DE1170082B (en) Method for manufacturing semiconductor components
DE2327878C3 (en) Process for etching semiconductor wafers provided with electrodes for semiconductor components
DE1564373C3 (en) Alloy diffusion process for the manufacture of a silicon diode
DE1064153B (en) Process for the production of a one-sided highly doped pn junction for emitter zones by alloying aluminum and another wetting metal in a germanium single crystal
DE1093911B (en) Method for attaching a metallic contact electrode to the body made of semiconducting material of a semiconductor device
DE1591280C3 (en) Solid-state microwave oscillator element
DE1106879B (en) Process for reducing recombination on the surfaces of p-zones of semiconductor devices
DE1143374B (en) Process for removing the surface of a semiconductor crystal and subsequent contacting
DE1122635B (en) Process for the galvanoplastic production of contacts on semiconductor bodies
DE1107830B (en) Process for the production of electrically asymmetrically conductive systems
DE2430560C3 (en) Process for the production of semiconductor components by shaping treatment with an etching solution
AT232548B (en) Method for manufacturing a semiconductor device
DE4406769A1 (en) Process for contacting silicon carbide