DE10392487T5 - An automatic valve control system for a plasma chemical vapor deposition system and chemical vapor deposition system for depositing a nano-scale multilayer film - Google Patents

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Abstract

Automatisches Ventilsteuersystem in einem plasmagestützten chemischen Gasphasenabscheidungssystem oder in einem chemischen Gasphasenabscheidungssystem zur Abscheidung eines Mehrschichtfilms mit Nanomaßstab, wobei das automatische Ventilsteuersystem
– eine Kammer, in der ein Mehrschichtdünnfilm aus wenigstens zwei Komponenten unter Verwendung eines plasmagestützten chemischen Gasphasenabscheidungsverfahrens oder eines chemischen Gasphasenabscheidungsverfahren gebildet werden kann,
– wenigstens zwei Versorgungsquellen, die ein Reaktionsmaterial einschließlich einer Komponente zuführen, die irgendeine Schicht des Mehrschichtdünnfilms bildet,
– wenigstens zwei Wege, von denen jeder einen Mittelabschnitt, der jeweils mit einer Versorgungsquelle verbunden ist, ein Ende, das mit der Kammer verbunden ist, und ein anderes Ende hat, das mit einem Umgehungsrohr zur Durchsatzsteuerung versehen ist,
– eine mit dem Umgehungsrohr verbundene Vakuumpumpe, und
– wenigstens vier Ventile aufweist, die auf jeder Seite eines jeden Wegs um jeden Verbindungsabschnitt für jede Versorgungsquelle angeordnet sind, die geöffnet oder geschlossen ist.An automatic valve control system in a plasma enhanced chemical vapor deposition system or in a chemical vapor deposition system for depositing a nano-scale multilayer film, the automatic valve control system
A chamber in which a multi-layer thin film of at least two components can be formed by using a plasma enhanced chemical vapor deposition method or a chemical vapor deposition method,
At least two supply sources supplying a reaction material including a component forming any layer of the multilayer thin film,
At least two paths, each having a central portion, each connected to a supply source, an end connected to the chamber and another end provided with a bypass tube for flow control,
A vacuum pump connected to the bypass tube, and
- Having at least four valves which are arranged on each side of each path around each connection portion for each supply source, which is open or closed.

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Figure 00000001

Description

Technischer Bereichtechnical Area

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein automatisches Ventilsteuersystem in einem mit Plasma arbeitenden chemischen Gasphasenabscheidungssystem oder auf ein chemisches Gasphasenabscheidungssystem zur Abscheidung eines Mehrschichtfilms im Nanomaßstab, und insbesondere auf ein automatisches Ventilsteuersystem in einem mit Plasma arbeitenden chemischen Gasphasenabscheidungssystem oder ein chemisches Gasphasenabscheidungssystem für die Abscheidung eines Mehrschichtfilms im Nanomaßstab, der im Nanomaßstab eine ultrahohe Härte und Vielfachfunktion aufweist, durch Verwendung eines plasmagestützten chemischen Gasphasenabscheidungsverfahrens oder eines chemischen Gasphasenabscheidungsverfahrens.The The present invention relates to an automatic valve control system in a plasma chemical vapor deposition system or to a chemical vapor deposition system for deposition a nano-scale multilayer film, and more particularly an automatic valve control system in a plasma operating system chemical vapor deposition system or a chemical vapor deposition system for the Deposition of a nano-scale multilayer film, the nanoscale a ultra-high hardness and multiple function, by using a plasma-enhanced chemical A vapor deposition method or a chemical vapor deposition method.

Stand der TechnikState of technology

Die Herstellung und Vermarktung verschiedener Vakuumfilme werden fortschreitend mit Hilfe einer Vakuumtechnologie untersucht, wozu ein Dünnfilm mit Ultragitter oder künstlichem Gitter gehört, der in der vorliegenden Erfindung behandelt wird.The Production and marketing of various vacuum films are progressing investigated using a vacuum technology, including a thin film with Ultragitter or artificial Heard grid, which is treated in the present invention.

Ein Dünnfilm mit einem Ultrakristallgitter ist ein Basisforschungsmodell zur Untersuchung einer Grenzflächeneigenschaft zwischen heterogenen Materialien, wobei die Terminologie sich auf einen Mehrschichtfilm bezieht, bei dem die Dicke jeder Schicht bis zu einem Nanomaßstabsgrad dünn ist.One thin film with an ultra-crystal lattice is a basic research model for Investigation of an interface property between heterogeneous materials, the terminology is based on refers to a multilayer film in which the thickness of each layer is up to to a nanoscale degree is thin.

Wenn heterogene Materialien in Filmdickenrichtung mit einem Maßstab angeordnet werden, der ziemlich nahe an einem Intervall zwischen den Gittern in einem in der Natur existieren den Kristall ist, bedeutet dies, dass sie als künstliches eindimensionales Gitter dargestellt werden.If arranged heterogeneous materials in the film thickness direction with a scale be pretty close to an interval between the bars in a crystal that exists in nature, it means that they as artificial one-dimensional grid are displayed.

Ein Modell eines idealen Ultragitters ist in 1 gezeigt. In einem Mehrschichtdünnfilm, bei welchem, wie in 1 gezeigt ist, Schichten jeweils mit einem Mikronniveau abgeschieden werden, haben Materialien A und B jeweils eine wesentliche Eigenschaft, während man von dem gesamten Mehrschichtfilm eine Funktion eines Verbundmaterials erwartet, das man erhält, indem man einen Mittelwert oder jeden herausragenden Punkt der Materialien A und B nimmt.A model of an ideal Ultragitter is in 1 shown. In a multilayer thin film, in which, as in 1 For example, as shown in FIG. 1, layers each being deposited at a micron level, materials A and B each have an essential property, whereas the entire multilayer film is expected to perform a function of a composite obtained by taking a mean or any protruding point of materials A and B. takes.

Im Gegensatz dazu zeigt ein Dünnfilm mit Ultragitter, bei dem die Materialien A und B abgeschieden sind, die inhärenten Eigenschaften der Materialien A und B nicht, sondern insgesamt eine neue Eigenschaft. D.h., dass der Dünnfilm mit Ultragitter eine neue Eigenschaft aufzeigt, die völlig verschieden von denen der Materialien A und B ist.in the Contrary to this shows a thin film with an ultra-grating in which the materials A and B are deposited, the inherent ones Properties of materials A and B not, but a total of one new property. That is, the thin film with ultra-grating a reveals new property that completely different from those of materials A and B.

Die Ursache dafür, dass ein Dünnfilm mit Ultragitter eine neue Eigenschaft aufzeigt, wurde im Ergebnis noch nicht vollständig untersucht, es wurde jedoch angegeben, dass sie auf einem Gitterverformungseffekt, einem Trennflächeneffekt, einem Schichtaufbaueffekt, einem künstlichen periodischen Effekt usw. zwischen heterogenen Materialien beruht.The Cause for that a thin film with Ultragitter a new property shows, was in the result still not completely examined, but it was stated that they are on a lattice deformation effect, a Interface effect, a layering effect, an artificial periodic effect etc. is based on heterogeneous materials.

Wenn für eine harte Beschichtung ein Ultrakristallgitter verwendet wird, werden jeweils zwei verschiedene Metall- oder Keramik-(Carbid- oder Nitrid-)Schichten abwechselnd abgeschieden. Als Folge wird eine Bewegung des Potenzials in jeder Schicht und eine Bewegung des Potenzials quer über eine Zwischenschicht-Trennfläche unterdrückt, um so eine Härte von 50 GPa oder mehr zu erhalten.If for one hard coating an ultra-crystal lattice is used two different metal or ceramic (carbide or nitride) layers alternately deposited. As a result, there is a movement of potential in every shift and a movement of potential across one Intermediate layer separating surface suppressed such a hardness to get from 50 GPa or more.

Um eine Bewegung des Potenzials wirksam zu unterdrücken, muss die Dicke jeder Schicht auf bis zu mehrere Nanometern eingestellt werden.Around To effectively suppress a movement of potential, the thickness must be every Layer can be set up to several nanometers.

Um die Eigenschaft des Dünnfilms mit Ultragitter, wie oben beschrieben, zu erhalten, muss die Dicke jeder Schicht nicht nur eingestellt werden, sondern es darf auch kein Konzentrationsgradient aufgrund einer Diffusion der heterogenen Materialien in einer Trennfläche auftreten. Aufgrund dieser Begrenzungen hat man bisher Dünnfilme mit Ultragitter hauptsächlich dadurch hergestellt, dass eine Zerstäubungsvorrichtung mit einem drehbar vorgesehenen Substrat oder ein Verdampfungsverfahren mit zwei unabhängigen Verdampfungsquellen verwendet wurde.Around the property of the thin film To get with Ultragitter, as described above, the thickness of each Layer not only be adjusted, but it may not be Concentration gradient due to a diffusion of heterogeneous Materials in a separation area occur. Because of these limitations you have so far thin films with ultrastronters mainly produced by a sputtering device with a rotatably provided substrate or an evaporation method with two independent Evaporative sources was used.

Bei dem Zerstäubungsverfahren, bei welchem zwei unterschiedliche Targets einander zugewandt angeordnet sind und ein Substrat mit konstanter Drehzahl während des Zerstäubens gedreht wird, kann bekanntlich die Dicke ihrer Schicht dadurch gesteuert werden, dass die Drehzahl des Substrats und die Stärke einer an die Targets angelegten Vorspannung unter Verwendung einer Eigenschaft reguliert werden, nämlich dass ein entsprechendes Material hauptsächlich abgeschieden wird, wenn das Substrat die Front eines jeden Targets erreicht.In the sputtering method in which two different targets face each other and a substrate is rotated at a constant speed during sputtering, it is known That is, the thickness of its layer may be controlled by regulating the rotational speed of the substrate and the amount of bias applied to the targets using a property that a corresponding material is mainly deposited when the substrate reaches the front of each target.

Bei dem Verdampfungsverfahren wird die Verdampfung der heterogenen Materialien periodisch durch Öffnen und Schließen eines Verschlusses gesteuert, der vor den beiden Verdampfungsquellen angeordnet ist.at the evaporation process is the evaporation of the heterogeneous materials periodically by opening and closing a shutter controlled in front of the two evaporation sources is arranged.

Die Verwendung des Zerstäubungs- und Verdampfungsverfahrens ermöglicht die Herstellung eines Films mit Ultragitter durch ein vergleichsweise einfaches Verfahren und erlaubt eine leichte Einstellung der Dicke jeder Schicht, kann jedoch eine Abscheidung eines Dünnfilms bezüglich eines Substrats mit einer komplizierten Form aufgrund der Begrenzung durch die physikalische Gasphasenabscheidung nicht ausführen.The Using the atomization and evaporation process allows the production of a film with Ultragitter by a comparatively simple procedure and allows easy adjustment of the thickness each layer, however, can be a deposition of a thin film in terms of a substrate with a complicated shape due to the limitation do not perform by the physical vapor deposition.

Bei der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) und bei der plasmagestützten chemischen Gasphasenabscheidung (PECVD) wird ein gasförmiges Reaktionsmaterial zur Ausführung des Abscheidungsprozesses zugeführt. Diesbezüglich versuchte man die Herstellung eines Mehrschichtdünnfilms mit Hilfe einer Steuerung eines Gas-Massenstrommessgeräts (MFC).at Chemical vapor deposition (CVD) and plasma-assisted chemical Vapor deposition (PECVD) is a gaseous reaction material for execution supplied to the deposition process. In this regard, Attempts were made to produce a multilayer thin film by means of a controller a gas mass flow meter (MFC).

Um einen Mehrschichtdünnfilm aus TiN und TiCN zu erhalten, wird die Zuführung von gasförmigem CH4 durch eine Ein/Aus-Zeitsteuerung eines Massenstrommessgeräts (MFC) gesteuert. Da es etwa eine Minute dauert, um eine Gasmenge durch das Massenstrommessgerät (MFC) zu stabilisieren, ist es jedoch in diesem Fall nicht möglich, die Dicke jeder Schicht auf mehrere Zehntel Nanometer oder weniger einzustellen. Wenn ein Blasenerzeuger oder Verdampfer zur Zuführung eines flüssigen oder festen Reaktionsmaterials in Gasform verwendet wird, braucht man für die Stabilisierung der Durchsatzmenge mehr Zeit. Deshalb wird es immer schwieriger, die Dicke jeder Schicht durch das Massenstrommessgerät zu steuern.In order to obtain a multilayer thin film of TiN and TiCN, the supply of gaseous CH 4 is controlled by on / off timing of a mass flow meter (MFC). However, in this case, since it takes about one minute to stabilize an amount of gas by the mass flow meter (MFC), it is not possible to set the thickness of each layer to several tens of nanometers or less. When a bubble generator or evaporator is used to supply a liquid or solid reaction material in gaseous form, more time is needed to stabilize the flow rate. Therefore, it becomes more and more difficult to control the thickness of each layer by the mass flow meter.

Offenbarung der Erfindungepiphany the invention

Um die obigen Probleme zu lösen, ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein automatisches Ventilsteuersystem in einem plasmagestützten chemischen Gasphasenabscheidungs system oder in einem chemischen Gasphasenabscheidungssystem zum Abscheiden eines Mehrschichtfilms mit Nanomaßstab bereitzustellen, bei dem eine Versorgung aus einer Quelle schnell und genau gesteuert werden kann, um ein Ultragitter erfolgreich durch Verwendung eines plasmagestützten chemischen Gasphasenabscheidungsverfahrens oder eines chemischen Gasphasenabscheidungsverfahrens herzustellen, wobei die Begrenzung einer Substratform basierend auf einer physikalischen Gasphasenabscheidung, wie ein Zerstäubungs- oder Verdampfungsverfahren, für den Fall gelöst werden kann, dass ein Dünnfilm mit Ultragitter hergestellt wird, indem ein plasmagestütztes Gasphasenabscheidungsverfahren oder ein chemisches Gasphasenabscheidungsverfahren verwendet wird.Around to solve the above problems It is an object of the present invention to provide an automatic valve control system in a plasma-based chemical vapor deposition system or in a chemical A vapor deposition system for depositing a multilayer film with nanoscale to provide a supply from a source quickly and can be controlled precisely to make an Ultragitter successful by using a plasma enhanced chemical vapor deposition method or to produce a chemical vapor deposition method, wherein the limitation of a substrate shape based on a physical Vapor deposition, such as a sputtering or evaporation process, for the Case solved that can be a thin film is made with ultra-grating by a plasma-assisted vapor deposition process or a chemical vapor deposition method is used.

Um das obige Ziel der vorliegenden Erfindung zu erreichen, wird ein automatisches Ventilsteuersystem in einem plasmagestützten chemischen Gasphasenabscheidungssystem oder in einem chemischen Gasphasenabscheidungssystem zur Abscheidung eines Mehrschichtfilms im Nanomaßstab bereitgestellt, wobei das automatische Ventilsteuersystem eine Kammer, in der ein Mehrschichtdünnfilm aus wenigstens zwei Komponenten durch Verwendung eines plasmagestützten chemischen Gasphasenabscheidungsverfahrens oder eines chemischen Gasphasenabscheidungsverfahrens gebildet werden kann, wenigstens zwei Quelleneinspeisungen, die ein Reaktionsmaterial zuführen, das eine Komponente aufweist, die irgendeine Schicht des Mehrschichtdünnfilms bildet, wenigstens zwei Wege, von denen jeder einen Mittelabschnitt, der mit jeder Versorgungsquelle verbunden ist, ein Ende, das mit der Kammer verbunden ist, und ein anderes Ende hat, das mit einem Umgehungsrohr zur Steuerung eines Mengenstroms verbunden ist, eine Vakuumpumpe, die mit dem Umgehungsrohr verbunden ist, und wenigstens vier Ventile aufweist, die auf jeder Seite eines jeden Wegs um jeden Verbindungsabschnitt jeder Versorgungsquelle herum, die geöffnet oder geschlossen ist, angeordnet sind.Around to achieve the above object of the present invention will be automatic valve control system in a plasma-based chemical Gas phase deposition system or in a chemical vapor deposition system for depositing a nano-scale multilayer film, wherein the automatic valve control system a chamber in which a multilayer thin film out at least two components by using a plasma-enhanced chemical A vapor deposition method or a chemical vapor deposition method can be formed, at least two source feeds, the feed a reaction material, having a component comprising any layer of the multilayer thin film forms at least two paths, each of which has a central section, which is connected to each supply source, an end that with connected to the chamber, and has another end that with one Bypass pipe is connected to control a flow rate, a Vacuum pump, which is connected to the bypass tube, and at least has four valves on each side of each path around each Connection section of each supply source around, open or is closed, are arranged.

Die Ventile weisen jeweils ein Solenoidventil auf, das jeweils automatisch geöffnet oder geschlossen werden kann. Die vorliegende Erfindung hat ferner eine Steuerung, die das Öffnen und Schließen der Ventile mit einem vorgegebenen Zeitintervall steuert. Die Steuerung steuert somit die Ventile und versorgt die Kammer mit zur Bildung eines Dünnfilms erforderlichen Materialien über die wenigstens zwei Wege und Versorgungsquellen in einer vorgegebenen Folge, um einen Mehrschichtdünnfilm zu bilden.The Valves each have a solenoid valve, each automatically open or can be closed. The present invention further has a control that opens and closing the valves with a predetermined time interval controls. The control thus controls the valves and supplies the chamber with education a thin film required materials about the at least two paths and supply sources in a given Follow to a multi-layer thin film to build.

Die vorliegende Erfindung weist ferner auch eine dritte Versorgungsquelle auf, um einen Fertigungsprozess reibungslos auszuführen, bei welchem ein Quellenmaterial der Kammer direkt von der dritten Versorgungsquelle zugeführt werden kann, wenn das Quellenmaterial verwendet wird, das eine Komponente hat, die mit einer anderen reagiert und gehärtet wird, während das Quellenmaterial in die Kammer neben den von wenigstens zwei Versorgungsquellen zugeführten Quellenmaterialen eingeführt wird, und bei welchem neben den Prozessen ein Quellenmaterial, das kontinuierlich und stabil ein Plasma bildet, durch die dritte Versorgungsquelle im Falle eines plasmagestützten chemischen Gasphasenabscheidungsverfahrens zugeführt wird. Die dritte Versorgungsquelle hat weiterhin ein Solenoidventil, durch dessen Öffnen und Schließen die Versorgungsquelle gesteuert werden kann.The present invention also includes a third supply source for manufacturing process in which one source material can be supplied directly to the chamber from the third supply source when using the source material having one component which reacts with another and is hardened while the source material enters the chamber adjacent to at least two In addition to the processes, a source material which continuously and stably forms a plasma is supplied through the third supply source in the case of a plasma enhanced chemical vapor deposition method. The third supply source further has a solenoid valve, by opening and closing of which the supply source can be controlled.

Wie oben beschrieben, kann die vorliegende Erfindung eine Quellenversorgung glatt und schnell steuern, so dass ein Mehrschichtdünnfilm im Nanomaßstab schnell und genau hergestellt werden kann, indem ein plasmagestütztes chemisches Gasphasenabscheidungsverfahren oder ein chemisches Gasphasenabscheidungsverfahren verwendet wird.As As described above, the present invention can provide a source supply smooth and fast control, so that a multi-layer thin film in the nanoscale can be made quickly and accurately by using a plasma-based chemical Vapor deposition method or a chemical vapor deposition method is used.

Kurzbeschreibung der ZeichnungenSummary the drawings

Die obigen und andere Ziele und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden durch detailliertes Beschreiben von bevorzugten Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen offensichtlich, in denenThe Above and other objects and advantages of the present invention will be described in detail by preferred embodiments with reference to the accompanying drawings, in which

1 einen Dünnfilmaufbau mit Ultragitter als Erklärungsbeispiel, 1 a thin-film structure with an ultra-high lattice as an explanatory example,

2 eine Ansicht eines automatischen Ventilsteuersystems in einem plasmagestützten chemischen Gasphasenabscheidungssystem zur Abscheidung eines Mehrschichtfilms im Nanomaßstab nach der vorliegenden Erfindung, und 2 a view of an automatic valve control system in a plasma-enhanced chemical vapor deposition system for depositing a nano-scale multilayer film according to the present invention, and

3 ein Diagramm ist, das die Härte eines TiN/AlN-Dünnfilms mit Ultragitter nach der vorliegenden Erfindung zeigt. 3 Fig. 12 is a graph showing the hardness of a TiN / AlN ultra-grating type thin film according to the present invention.

Beste Art zur Ausführung der ErfindungBest kind for execution the invention

Nachstehend wird ein automatisches Ventilsteuersystem in einem plasmagestützten chemischen Gasphasenabscheidungssystem oder in einem chemischen Gasphasenabscheidungssystem zur Abscheidung eines Mehrschichtfilms im Nanomaßstab nach der vorliegenden Erfindung unter Bezug auf die beiliegenden Zeichnungen beschrieben.below becomes an automatic valve control system in a plasma enhanced chemical vapor deposition system or in a chemical vapor deposition system for deposition a nanoscale multilayer film according to the present invention Invention with reference to the accompanying drawings.

Ein bei der vorliegenden Erfindung verwendetes automatisches Ventilsteuersystem ist in 2 gezeigt. Hier wird ein Reaktor eines allgemeinen plasmagestützten chemischen Gasphasenabscheidungssystems, d.h. eine Kammer 10 verwendet. Für die Zuführung von Reak tionsgasen zu der Kammer 10 über ein Ventilsystem 20 sind eine erste Quelle 31 und eine zweite Quelle 32 vorgesehen.An automatic valve control system used in the present invention is disclosed in U.S.P. 2 shown. Here, a reactor of a general plasma-enhanced chemical vapor deposition system, ie a chamber 10 used. For the supply of reac tion gases to the chamber 10 via a valve system 20 are a first source 31 and a second source 32 intended.

In dem Ventilsystem 20 werden ein erstes bis viertes Ventil 27 bis 30 verwendet, von denen jedes ein Druckluftventil ist. Das erste bis vierte Ventil 27 bis 30 ist jeweils mit einem Solenoidventil (nicht gezeigt) verbunden, das elektrisch gesteuert werden kann, um einen Ein-und-Aus-Betrieb des ersten bis vierten Ventils automatisch zu steuern.In the valve system 20 become a first to fourth valve 27 to 30 used, each of which is a compressed air valve. The first to fourth valve 27 to 30 is respectively connected to a solenoid valve (not shown) that can be electrically controlled to automatically control on-and-off operation of the first to fourth valves.

Das Ventilsystem 20 ist mit einem ersten Anschlussrohr 21, das an die Kammer 10 angeschlossen ist, und mit einem zweiten Anschlussrohr 24 verbunden, das an eine zweite Pumpe 33 angeschlossen ist und die Rolle eines Umgehungsrohres zum Umleiten von Reaktionsgas spielt. Das Ventilsystem 20 hat einen ersten Weg 22 und einen zweiten Weg 23, die parallel zueinander sind und mit dem ersten bzw. zweiten Anschlussrohr 21 bzw. 24 verbunden sind, wobei die erste Quelle 31 und die zweite Quelle 32 mit den Mittelabschnitten des ersten und zweiten Wegs 22, 23 verbunden sind, die von der ersten und zweiten Quelle 31 bzw. 32 versorgt werden und das erhaltene Quellenmaterial überführen, während das erste bis vierte Ventil 27 bis 30 längs des ersten und zweiten Wegs 22, 23 um den ersten und zweiten Quellenanschluss 25 bzw. 26 herum angeordnet sind.The valve system 20 is with a first connection pipe 21 to the chamber 10 is connected, and with a second connecting pipe 24 connected to a second pump 33 is connected and plays the role of a bypass tube for diverting reaction gas. The valve system 20 has a first way 22 and a second way 23 , which are parallel to each other and with the first and second connection pipe 21 respectively. 24 are connected, the first source 31 and the second source 32 with the middle sections of the first and second way 22 . 23 connected by the first and second source 31 respectively. 32 be supplied and transfer the source material obtained while the first to fourth valve 27 to 30 along the first and second way 22 . 23 around the first and second source connection 25 respectively. 26 are arranged around.

Das Umgehungsrohr, d.h. das zweite Anschlussrohr 24, ist hier im Wesentlichen für eine beständige Aufrechterhaltung eines Gasmengenstroms während der Herstellung des Mehrschichtdünnfilms erforderlich. Das Ende des Anschlussrohrs 24 ist an eine zweite Pumpe 33 angeschlossen, die unabhängig von einer ersten Pumpe 12 arbeitet, die in der Kammer 10 eingesetzt wird, um einen im Eintrittsabschnitt der Pumpe zu erwartenden Gasrückstrom zu verhindern.The bypass pipe, ie the second connecting pipe 24 , here is essentially required for a stable maintenance of a gas flow during the production of the multilayer thin film. The end of the connection pipe 24 is to a second pump 33 connected independently of a first pump 12 working in the chamber 10 is used to one in the inlet section of the pump to he to prevent waiting gas backflow.

Die Kammer 10 hat eine zylindrische Form mit einem Durchmesser von 30 cm und einer Höhe von 24 cm und besteht aus rostbeständigem 304-Stahl. Im oberen Teil der Kammer 10 ist ein Plasmagenerator 17 zur Erzeugung eines Plasmas installiert. Der Plasmagenerator 17 hat eine planare Elektrode der kapazitiven Art, die Leistung aufnimmt, die über eine Anpassungseinheit 40 von einem Radiofrequenz-(RF-)Generator 45 für seinen Betrieb zugeführt wird.The chamber 10 has a cylindrical shape with a diameter of 30 cm and a height of 24 cm and is made of 304 stainless steel. In the upper part of the chamber 10 is a plasma generator 17 installed to generate a plasma. The plasma generator 17 has a planar electrode of the capacitive type that absorbs power through an adjustment unit 40 from a radio frequency (RF) generator 45 for its operation is supplied.

Auf einem Tisch 13, der in dem unteren Teil der Kammer 10 angeordnet ist, befindet sich ein zu prüfendes Probestück 16. Das Probestück 16 wird von Widerstandsdrähten gebildet und wird auf eine vorgegebene Prozesstemperatur durch eine Heizeinrichtung 14 erhitzt, die durch Einspeisung von Strom von einer Stromquelle 15 aus Wärme erzeugt.On a table 13 which is in the lower part of the chamber 10 is arranged, there is a test piece to be tested 16 , The sample 16 is formed by resistance wires and is heated to a predetermined process temperature by a heater 14 heated by feeding power from a power source 15 generated from heat.

Die Kammer 10 und der Tisch 13 sind mit Ausnahme des Plasmagenerators 17 elektrisch geerdet.The chamber 10 and the table 13 are with the exception of the plasma generator 17 electrically grounded.

Der Druck in der Kammer 10 wird durch eine Thermoelement-Messeinrichtung gemessen.The pressure in the chamber 10 is measured by a thermocouple measuring device.

Mit dem automatischen Ventilsteuersystem nach der vorliegenden wird ein Dünnfilm mit Ultragitter hergestellt, wobei TiN bzw. AlN mit einer Dicke einer Nanomaßstabseinheit wiederholt abgeschieden werden. Hier werden TiCl4, H2 oder NH3 als Reaktionsgas zur Abscheidung von TiN verwendet, während AlCl3 oder NH3 als Reaktionsgas zur Abscheidung von AlN verwendet werden.With the automatic valve control system of the present invention, a thin film of ultra-grating is prepared by repeatedly depositing TiN and AlN, respectively, to a thickness of a nanoscale unit. Here, TiCl 4 , H 2 or NH 3 are used as the reaction gas for the deposition of TiN, while AlCl 3 or NH 3 is used as the reaction gas for the deposition of AlN.

Die thermodynamischen Reaktionsgleichungen werden durch die nachstehenden Beziehungen 1 und 2 ausgedrückt.The thermodynamic reaction equations are given by the following Relationships 1 and 2 expressed.

<Reaktionsgleichung 1><Reaction equation 1>

  • 2TiCl4(g) + 2NH3(g) + H2(g) = 2TiN(S) + 8HCl(g)2TiCl 4 (g) + 2NH 3 (g) + H 2 (g) = 2TiN (S) + 8HCl (g)

<Reaktionsgleichung 2><Reaction equation 2>

  • AlCl3(g) + NH3(g) = AlN(s) + 2HCl(g)AlCl 3 (g) + NH 3 (g) = AlN (s) + 2HCl (g)

Da TiCl4 und AlCl3 im flüssigen bzw. festen Zustand vorkommen, werden sie in die Kammer 10 durch eine Blasenbildungsreaktion mit einem Trägergas in einem Verdampfer eingeführt. Als Trägergas werden Ar bzw. H2 verwendet. Wenn AlN abgeschieden wird, wird zusätzlich Ar zugeführt, um die Plasmaaktivierung zu unterstützen.Since TiCl 4 and AlCl 3 occur in the liquid or solid state, they are in the chamber 10 introduced by bubbling reaction with a carrier gas in an evaporator. The carrier gas used is Ar or H 2 . When AlN is deposited, additional Ar is added to assist in plasma activation.

Die Menge eines jeden Gases wird beständig dadurch aufrechterhalten, dass ein Massenstrommessgerät (MFC) verwendet wird. Die durch die Blasenbildungsreaktion eingeführte Reaktionsgasmenge wird gemäß dem nachfolgenden Prinzip eingestellt.The Amount of each gas is constantly maintained by that a mass flow meter (MFC) is used. The amount of reaction gas introduced by the bubbling reaction becomes according to the following Principle set.

Die folgenden Gleichungen 1 und 2 sind allgemein aufgestellt unter Verwendung einer Trägergasmenge Qcar, einer Reaktionsgasmenge Qrxn, die in die Reaktionskammer durch eine Blasenbildungsreaktion eingeführt wird, einem Trägergasdruck Pcar und einem Druck Prxn des verdampften Reaktionsgases.The following equations 1 and 2 are generally set up using a carrier gas amount Q car , a reaction gas amount Q rxn introduced into the reaction chamber by a bubbling reaction, a carrier gas pressure P car and a pressure P rxn of the vaporized reaction gas.

<Gleichung 1 >

Figure 00080001
<Equation 1>
Figure 00080001

<Gleichung 2><Equation 2>

  • PT = Pcar + Prxn P T  = P car  + P rxn

PT kann durch Verwendung eines an einem Verdampfer angebrachten Druckmessgeräts bestimmt werden. Wenn der Druck des Verdampfers beständig gehalten wird, ist die in die Reaktionskammer eingeführte Reaktionsgasmenge eine Funktion einer in den Verdampfer eingeführten Trägergasmenge und des Verdampfungsdrucks des Reaktionsgases. Wenn der Druck und die Temperatur von TiCl4 und AlCl3 in mmHg und °K gemessen werden, lässt sich jeder Verdampfungsdruck P nach den folgenden Gleichungen 3 und 4 ausdrücken.PT can be determined by using a pressure gauge attached to an evaporator. When the pressure of the evaporator is kept constant, the amount of reaction gas introduced into the reaction chamber is a function of a carrier gas amount introduced into the evaporator and the evaporation pressure of the reaction gas. When the pressure and temperature of TiCl 4 and AlCl 3 are measured in mmHg and ° K, each evaporation pressure P can be expressed by the following Equations 3 and 4 CKEN.

<Gleichung 3>

Figure 00080002
<Equation 3>
Figure 00080002

<Gleichung 4>

Figure 00080003
<Equation 4>
Figure 00080003

Der Verdampfungsdruck von TiCl4 und AlCl3 ist somit eine Funktion von lediglich der Temperatur. Dementsprechend kann die Reaktionsgasmenge dadurch eingestellt werden, dass die Temperatur des Verdampfers bzw. die Trägergasmenge gesteuert wird.The evaporation pressure of TiCl 4 and AlCl 3 is thus a function of only the temperature. Accordingly, the reaction gas amount can be adjusted by controlling the temperature of the evaporator or the carrier gas amount.

NH3 reagiert mit gasförmigem TiCl4 oder AlCl3 bei einer niedrigen Temperatur und bildet eine Feststoffverbindung, beispielsweise TiCl4·nNH3, AlCl3·nNH3 oder NH4Cl, wodurch ein Gaszuführungsrohr verstopft. Um dies zu verhindern, wird die Feststoffverbindung gleichförmig verteilt und über eine Anzahl von kleinen Löchern 18 eingeführt, die an einer Elektrodenplatte ausgebildet sind, die sich in dem in der Kammer 10 installierten Plasmagenerator 17 befindet. Zwischen einer dritten Quelle 34, wie NH3, und der Kammer 10 ist ein drittes Versor gungsquellenrohr 35 angeschlossen, das von einem fünften Ventil 36, das von einem Solenoidventil gebildet wird, geöffnet und geschlossen wird.NH 3 reacts with gaseous TiCl 4 or AlCl 3 at a low temperature to form a solid compound, for example, TiCl 4 · nNH 3 , AlCl 3 · nNH 3 or NH 4 Cl, thereby clogging a gas supply pipe. To prevent this, the solid compound is uniformly distributed and over a number of small holes 18 introduced, which are formed on an electrode plate, which is in the in the chamber 10 installed plasma generator 17 located. Between a third source 34 , like NH 3 , and the chamber 10 is a third supply source tube 35 connected by a fifth valve 36 , which is made of a solenoid valve, is opened and closed.

Der Plasmagenerator 17 besteht aus einer kreisförmigen Platte. Die von der ersten und zweiten Quelle 31, 32 in die Kammer 10 eingeführten Reaktionsgase, d.h. TiCl4- und AlCl3-Gas, werden gleichförmig eingeführt, wozu ein Gasverteiler 19 in Ringbauweise verwendet wird, der zwischen dem Plasmagenerator 17 und dem Probenstück 16 angeordnet ist.The plasma generator 17 consists of a circular plate. The first and second source 31 . 32 in the chamber 10 introduced reaction gases, ie TiCl 4 - and AlCl 3 gas are introduced uniformly, including a gas distributor 19 is used in ring construction, between the plasma generator 17 and the specimen 16 is arranged.

Basierend auf der vorstehenden Beschreibung werden die bei der vorliegenden Erfindung eingesetzten Quellen 1 und 2 unter Bezug auf 2 wie folgt zusammengefasst:
Quelle 1: TiCl4, Ar, H2
Quelle 2: AlCl3, Ar, H2 Based on the above description, the sources 1 and 2 used in the present invention will be described with reference to FIG 2 summarized as follows:
Source 1: TiCl 4 , Ar, H 2
Source 2: AlCl 3 , Ar, H 2

Die Prozessbedingungen für den TiN/AlN-Dünnfilm mit Ultragitter sind in der folgenden Tabelle 1 gezeigt.The Process conditions for the TiN / AlN thin film with ionic lattice are shown in the following Table 1.

[Tabelle 1] Prozessbedingungen des TiN/AlN-Dünnfilms mit Ultragitter

Figure 00090001
[Table 1] Process conditions of TiN / AlN thin film with ultra-grating
Figure 00090001

Die erste Pumpe 12 und die zweite Pumpe 33 sind jeweils eine mechanische Kreiselpumpe. Der RF-Generator 45 ist ein Hochfrequenzgenerator mit 13,56 MHz. Die Anpasseinheit 40 ist ein Impedanzanpassgehäuse in kapazitiver Bauweise.The first pump 12 and the second pump 33 are each a mechanical centrifugal pump. The RF generator 45 is a high frequency generator with 13.56 MHz. The customization unit 40 is an impedance matching housing in capacitive design.

Der TiN/AlN-Dünnfilm mit Ultragitter wird erfindungsgemäß mit dem folgenden Satz von Sequenzen hergestellt.Of the TiN / AlN thin film With Ultragitter is inventively with the following sentence of Produced sequences.

Sequenz 1.Sequence 1.

Zur Stabilisierung der Gasmenge werden über die zweite, mit dem zweiten Anschlussrohr 24 verbundene Pumpe 33 TiCl4 und AlCl3, die über den Verdampfer zugeführt werden, und die Reaktionsgase Ar und H2 gefördert.To stabilize the amount of gas are via the second, with the second connecting pipe 24 connected pump 33 TiCl 4 and AlCl 3 , which are supplied via the evaporator, and the reaction gases Ar and H 2 promoted.

Sequenz 2.Sequence 2.

Wenn die Menge aller Reaktionsgase stabilisiert ist, wird in die Kammer 10 über eine kleine Öffnung an der oberen Elektrodenplatte, bei der es sich um den Plasmagenerator 17 handelt, NH3 eingeführt, um dadurch ein Plasma zu bilden.When the amount of all reaction gases is stabilized, it enters the chamber 10 via a small opening on the top electrode plate, which is the plasma generator 17 NH 3 is introduced to thereby form a plasma.

Sequenz 3.Sequence 3.

Wenn das Plasma stabilisiert ist, werden zur Abscheidung von TiN das erste Ventil 27 geöffnet und das dritte Ventil 29 geschlossen. Dementsprechend werden Reaktionsmaterialien für die Abscheidung von TiN, d.h. TiCl4, H2 und NH3 in die Kammer 10 eingeführt. Zum Fördern des Reaktionsmaterials für die Abscheidung von AlN, d.h. AlCl3 und NH3, mittels der Pumpe 33 wird das vierte Ventil 30 geöffnet, so dass sich der Durchsatz nicht ändert.When the plasma is stabilized, the first valve to deposit TiN becomes 27 opened and the third valve 29 closed. Accordingly, reaction materials for the deposition of TiN, ie TiCl 4 , H 2 and NH 3 in the chamber 10 introduced. For conveying the reaction material for the deposition of AlN, ie AlCl 3 and NH 3 , by means of the pump 33 becomes the fourth valve 30 opened, so that the throughput does not change.

Sequenz 4.Sequence 4.

Wenn die Abscheidung von TiN abgeschlossen ist, werden das erste Ventil 27 geschlossen und das dritte Ventil 29 geöffnet, bis das Reaktionsmaterial, wie TiCl4, das in der Kammer 10 zurückbleibt, vollständig ausgetragen ist (dieser Prozess ist erforderlich, um eine saubere Trennfläche zu erhalten, um einen Ti-Konzentrationsgradienten an der Trennfläche zwischen TiN und AlN, der zu erwarten wäre, in dem Fall zu unterbinden, dass das Reaktionsgas für die Abscheidung von AlN eingeführt wird. Bei der vorliegenden Erfindung dauert dies etwa 10 Sekunden).When the deposition of TiN is complete, the first valve becomes 27 closed and the third valve 29 Open until the reaction material, such as TiCl 4 , in the chamber 10 remains completely discharged (this process is required to obtain a clean interface to prevent a Ti concentration gradient at the interface between TiN and AlN that would be expected in the case that the reaction gas for the deposition of AlN In the present invention this takes about 10 seconds).

Sequenz 5.Sequence 5.

Zur Einführung der für die Abscheidung vorgesehenen Reaktionsgase in die Kammer wird dann das zweite Ventil 28 geöffnet und das vierte Ventil 30 geschlossen. Das dritte Ventil 29 wird geöffnet, so dass die TiCl4-Menge beständig gehalten wird.The introduction of the reaction gases provided for the deposition into the chamber then becomes the second valve 28 opened and the fourth valve 30 closed. The third valve 29 is opened so that the amount of TiCl 4 is kept constant.

Sequenz 6.Sequence 6.

Durch Wiederholen der Sequenz 4 wird Restgas, wie AlCl3, das in der Kammer 10 zurückbleibt, entfernt.By repeating the sequence 4 is residual gas, such as AlCl 3 , in the chamber 10 lags behind, removes.

Der Ein/Aus-Zustand eines jeden Ventils für die oben beschriebenen Sequenzen ist in der folgenden Tabelle 2 gezeigt.Of the On / Off state of each valve for the sequences described above is shown in the following Table 2.

[Tabelle 2] Der Ein/Aus-Zustand eines jeden Ventils für die Behandlungssequenzen

Figure 00110001
[Table 2] The on / off state of each valve for the treatment sequences
Figure 00110001

Durch wiederholtes Ausführen der Sequenzen 3 bis 6 wächst ein TiN/AlN-Ultragitter in effektiver Weise. Die Dicke jeder Schicht wird hier durch Ändern einer Abscheidungszeit (Sequenz 4 und 6) von einer Wachstumsgeschwindigkeit eines Ein-Schicht-Dünnfils von TiN und AlN gesteuert, die durch einen Vorversuch erhalten wird. Um einen Dünnfilm mit Ultragitter und einer Dicke von 2~3 μm, die für die Anwendung bei einem harten Dünnfilm erforderlich ist, wachsen zu lassen, werden die Sequenzen 3 bis 6 300~500 Mal oder dergleichen wiederholt.By repeated execution the sequences 3 to 6 grows a TiN / AlN ultra-grating in an effective manner. The thickness of each layer is changed here by change a deposition time (sequence 4 and 6) of a growth rate a one-layer thin film controlled by TiN and AlN, which is obtained by a preliminary experiment. To a thin film with ultra-high lattice and a thickness of 2 ~ 3 μm, which is suitable for use in a hard thin film is required to grow, the sequences are 3 to 6 300 ~ 500 times or so repeated.

Die Steuerung zum Öffnen und Schließen eines jeden Ventils erfolgt automatisch, indem einem Solenoidventil, das mit dem ersten bis vierten Ventil 27 bis 30 verbunden ist, über ein Rechnerprogramm ein elektrisches Signal zugeführt wird.The control for opening and closing each valve is done automatically by using a solenoid valve that connects to the first to fourth valves 27 to 30 is connected, an electrical signal is supplied via a computer program.

Der mit den oben beschriebenen Maßnahmen hergestellte TiN/AlN-Dünnfilm mit Ultrakristallgitter wird in einem Durchstrahl-Elektronenmikroskopbild untersucht. Ein durch ein Elektronenmikroskop beobachtetes Probestück ist als Muster in 1 gezeigt, wobei eine Zwei-Lagen-Periode sich über etwa 5 nm erstreckt.The TiN / AlN ultra-crystal lattice thin film prepared by the above-described measures is examined in a transmission electron microscope image. A specimen observed by an electron microscope is a pattern in 1 with a two-layer period extending over about 5 nm.

D.h., ein heller Abschnitt stellt eine TiN-Schicht, ein dunkler Abschnitt eine AlN-Schicht dar. Eine Zwei-Schicht-Periode bedeutet eine Addition der Dicke einer TiN-Schicht und einer AlN-Schicht. Die Dicke des erfindungsgemäß hergestellten Dünnfilms mit Ultragitter wird innerhalb mehrerer Nanometer gesteuert.that is, a bright section represents a TiN layer, a dark section An AlN layer. A two-layer period means an addition the thickness of a TiN layer and an AlN layer. The thickness of the invention produced thin film with Ultragitter is controlled within several nanometers.

Es wird nun die Härteänderung eines erfindungsgemäß hergestellten TiN/AlN-Mehrschichtkörpers untersucht. Wenn die Wiederholungsperiode eines Mehrschichtdünnfilms, wie in 3 gezeigt, etwa 5 nm beträgt, hat der Mehrschichtdünnfilm die maximale Härte von 5000 (HK0,01) oder mehr. Zieht man in Betracht, dass die Härte von TiN- und AlN-Monoschichtdünnfilmen, die mit dem bekannten plasmagestützten chemischen Gasphasenabscheidungsverfahren hergestellt sind, 2500 (HK0,01) bzw. 1200 (HK0,01) betragen, zeigt der erfindungsgemäß hergestellte TiN/AlN-Mehrschichtdünnfilm die Eigenschaft eines Dünnfilms mit Ultragitter auf.The hardness change of a TiN / AlN multilayer body produced according to the invention will now be investigated. When the repetition period of a multilayer thin film, as in 3 is about 5 nm, the multilayer thin film has the maximum hardness of 5000 (HK 0.01) or more. Considering that the hardness of TiN and AlN monolayer thin films prepared by the known plasma enhanced chemical vapor deposition method is 2500 (HK 0.01) and 1200 (HK 0.01), respectively, the TiN / AlN film produced according to the present invention shows Multilayer thin film has the property of a thin film with ultra-grating.

Gewerbliche Anwendbarkeitcommercial applicability

Wie vorstehend beschrieben, lässt sich mit der vorliegenden Erfindung ein Mehrschichtdünnfilm mit der Eigenschaft eines Dünnfilms mit Ultragitter durch ein plasmagestütztes chemisches Gasphasenabscheidungsverfahren herstellen, ohne dass Veranlassung besteht, die Reaktionsgasmenge zu ändern. Die vorliegende Erfindung löst die Nachteile des physikalischen Gasphasenabscheidungs-(PVD-)Verfahrens, beispielsweise eines Zerstäubungsverfahrens, was eine epochemachende Erfindung ist, weil erfindungsgemäß ein neues Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilms mit Ultragitter bereitgestellt wird.As described above leaves with the present invention, a multi-layer thin film with the Property of a thin film with ultra-grating through a plasma-enhanced chemical vapor deposition process produce, without any cause, the amount of reaction gas to change. The present invention solves the disadvantages of the physical vapor deposition (PVD) process, for example, a sputtering method, what is an epoch-making invention, because according to the invention a new Process for producing a thin film provided with ultra-grating becomes.

Wie oben beschrieben, wird die vorliegende Erfindung unter Bezug auf speziell bevorzugte Ausgestaltungen erläutert. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht auf die obigen Ausgestaltungen begrenzt. Der Fachmann kann verschiedene Modifizierungen und Änderungen vornehmen, ohne den Umfang der vorliegenden Erfindung zu verlassen.As As described above, the present invention will be described with reference to specifically preferred embodiments explained. The present invention however, is not limited to the above embodiments. The expert can make various modifications and changes without the To leave the scope of the present invention.

ZusammenfassungSummary

Es wird ein automatisches Ventilsteuersystem in einem PCVD-System oder in einem CVD-System für die Abscheidung eines Mehrschichtfilms im Nanomaßstab bereitgestellt, der im Nanomaßstab eine ultrahohe Härte und eine Mehrfachfunktion hat. Das automatische Ventilsteuersystem weist eine Kammer, in der ein Mehrschichtdünnfilm aus wenigstens zwei Komponenten unter Verwendung eines PCVD-Verfahrens oder CVD-Verfahrens gebildet werden kann, wenigstens zwei Versorgungsquellen, die Reaktionsmaterial zuführen, wenigstens zwei Wege, von denen jeder einen Mittelabschnitt, der mit jeder Versorgungsquelle verbunden ist, das eine Ende, das mit der Kammer verbunden ist, und das andere Ende, das mit einem Umgehungsrohr verbunden ist, hat, eine mit dem Umgehungsrohr verbundene Vakuumpumpe und wenigstens vier Ventile auf, die auf jeder Seite eines jeden Wegs um jeden Verbindungsabschnitt in jeder Versorgungsquelle angeordnet sind, der geöffnet und geschlossen wird.
2 An automatic valve control system is provided in a PCVD system or in a CVD system for depositing a nano-scale multilayer film that has an ultra-high hardness and a multiple function at the nano-scale. The automatic valve control system comprises a chamber in which a multilayer thin film of at least two components can be formed using a PCVD or CVD process, at least two supply sources supplying reaction material, at least two paths, each having a central portion associated with each Supply source is connected, having one end, which is connected to the chamber, and the other end, which is connected to a bypass tube, a connected to the bypass tube vacuum pump and at least four valves on each side of each path around each Connecting portion are arranged in each supply source, which is opened and closed.
2

Claims (7)

Automatisches Ventilsteuersystem in einem plasmagestützten chemischen Gasphasenabscheidungssystem oder in einem chemischen Gasphasenabscheidungssystem zur Abscheidung eines Mehrschichtfilms mit Nanomaßstab, wobei das automatische Ventilsteuersystem – eine Kammer, in der ein Mehrschichtdünnfilm aus wenigstens zwei Komponenten unter Verwendung eines plasmagestützten chemischen Gasphasenabscheidungsverfahrens oder eines chemischen Gasphasenabscheidungsverfahren gebildet werden kann, – wenigstens zwei Versorgungsquellen, die ein Reaktionsmaterial einschließlich einer Komponente zuführen, die irgendeine Schicht des Mehrschichtdünnfilms bildet, – wenigstens zwei Wege, von denen jeder einen Mittelabschnitt, der jeweils mit einer Versorgungsquelle verbunden ist, ein Ende, das mit der Kammer verbunden ist, und ein anderes Ende hat, das mit einem Umgehungsrohr zur Durchsatzsteuerung versehen ist, – eine mit dem Umgehungsrohr verbundene Vakuumpumpe, und – wenigstens vier Ventile aufweist, die auf jeder Seite eines jeden Wegs um jeden Verbindungsabschnitt für jede Versorgungsquelle angeordnet sind, die geöffnet oder geschlossen ist.Automatic valve control system in a plasma-enhanced chemical Gas phase deposition system or in a chemical vapor deposition system for depositing a multi-layered nanoscale film, wherein the automatic valve control system A chamber containing a multilayer thin film at least two components using a plasma-enhanced chemical A vapor deposition method or a chemical vapor deposition method can be formed - at least two sources of supply containing a reaction material including one Feed component that forms any layer of the multilayer thin film, - at least two ways, each of which has a middle section, each with connected to a supply source, one end connected to the chamber connected, and has another end that with a bypass pipe is provided for throughput control, - one with the bypass pipe connected vacuum pump, and Having at least four valves, on each side of every path around each link for every Supply source are arranged, which is open or closed. Automatisches Ventilsteuersystem in einem plasmagestützten chemischen Gasphasenabscheidungssystem oder einem chemischen Gasphasenabscheidungssystem nach Anspruch 1, bei welchem die wenigstens vier Ventile jeweils ein Solenoidventil aufweisen, das automatisch geöffnet oder geschlossen werden kann.Automatic valve control system in a plasma-enhanced chemical Vapor deposition system or a chemical vapor deposition system according to claim 1, wherein the at least four valves each a solenoid valve that can be opened or closed automatically. Automatisches Ventilsteuersystem in einem plasmagestützten chemischen Gasphasenabscheidungssystem oder in einem chemischen Gasphasenabscheidungssystem nach Anspruch 1, welches weiterhin eine dritte Versorgungsquelle aufweist, um das Quellenmaterial, das eine Komponente hat, die mit einer anderen reagiert und gehärtet wird, direkt in die Kammer zu fördern, während das Quellenmaterial neben den über die wenigstens zwei Versorgungsquellen zugeführten Quellenmaterialien in die Kammer eingeführt wird.Automatic valve control system in a plasma-enhanced chemical Gas phase deposition system or in a chemical vapor deposition system according to claim 1, further comprising a third supply source has to be the source material that has a component with another reacts and hardens is to promote directly into the chamber, while the source material next to the over the source materials supplied to at least two supply sources in introduced the chamber becomes. Automatisches Ventilsteuersystem in einem plasmagestützten chemischen Gasphasenabscheidungssystem oder in einem chemischen Gasphasenabscheidungssystem nach Anspruch 3, bei welchem die Versorgungsquelle ebenfalls ein Solenoidventil aufweist, das automatisch geöffnet oder geschlossen werden kann.Automatic valve control system in a plasma-enhanced chemical Gas phase deposition system or in a chemical vapor deposition system according to Claim 3, wherein the supply source is also a solenoid valve that automatically opens or can be closed. Automatisches Ventilsteuersystem in einem plasmagestützten chemischen Gasphasenabscheidungssystem oder in einem chemischen Gasphasenabscheidungssystem nach einem der Ansprüche 1, 2 und 4, welches weiterhin eine Steuerung aufweist, die das Öffnen oder Schließen der Ventile mit einem vorgegebenen Zeitintervall steuert.Automatic valve control system in a plasma-enhanced chemical Gas phase deposition system or in a chemical vapor deposition system according to one of the claims 1, 2 and 4, which further comprises a control, the opening or Shut down the valves with a predetermined time interval controls. Automatisches Ventilsteuersystem in einem plasmagestützten chemischen Gasphasenabscheidungssystem oder in einem chemischen Gasphasenabscheidungssystem nach Anspruch 5, bei welchem die Steuerung die Ventile steuert und die Kammern mit Materialien versorgt, die zur Bildung eines Dünnfilms über wenigstens zwei Wege und Versorgungsquellen mit einer vorgegebenen Sequenz erforderlich sind, um einen Mehrschichtdünnfilm zu bilden.Automatic valve control system in a plasma-enhanced chemical Gas phase deposition system or in a chemical vapor deposition system according to claim 5, wherein the controller controls the valves and the chambers are supplied with materials that form a thin film over at least two paths and supply sources with a given sequence are required to form a multi-layer thin film. Automatisches Ventilsteuersystem in einem plasmagestützten chemischen Gasphasenabscheidungssystem oder in einem chemischen Gasphasenabscheidungssystem nach Anspruch 1, bei welchem die Kammer weiterhin einen Gasverteiler aufweist, der mit einem Ende des Wegs verbunden und in der Kammer installiert ist, um die Quellenmaterialien gleichförmig zu verteilen.An automatic valve control system in a plasma enhanced chemical vapor deposition system or chemical vapor deposition system according to claim 1, wherein the chamber further comprises a gas distributor connected to one end of the path and into the chamber in is installed to uniformly distribute the source materials.
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