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Die
Erfindung betrifft eine Lithographiemaske nach dem Oberbegriff des
Anspruchs 1, eine Verwendung der Lithographiemaske gemäß Anspruch
16, einen Maskenblank und ein Verfahren zur Herstellung der Lithographiemaske
nach Anspruch 18 bzw. 20.
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Bei
der lithographischen Herstellung von Halbleiterbauelementen, wie
z.B. DRAM-Speicherchips, werden Masken eingesetzt, deren Struktur über einen
lichtempfindlichen Lack (Resist) auf ein Substrat, z.B. einen Wafer übertragen
wird.
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Bei
der Erzeugung kleiner steg- oder inselartiger Lackstrukturen mit
Positivresist unter Nutzung von Masken mit hohem Hellanteil kann
auf Grund der Streuung des Lichtes an den Grenzflächen der
Einzellinsen, durch multiple Reflexion an den Linsengrenzflächen, der
Maske und dem Wafer der Bildkontrast erheblich beeinträchtigt werden.
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In
der Umgebung größerer Hellgebiete
können
lokal sehr große
Linienbreitenschwankungen auftreten, die zu einem sehr kleinen oder
sogar verschwindenden Prozessfenster für das gesamte Bildfeld führen können, so
dass die Gutausbeute von integrierten Bauelementen beeinträchtigt wird.
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Es
ist bekannt, dass durch ein Biasing der von Streulicht betroffenen
Strukturen (d.h. einer Vorverzerrung der Struktur auf der Maske,
um maßhaltige
Strukturen zu printen), insbesondere in der Umgebung von Arrays,
die Linienbreitenschwankung reduziert werden kann. Da jedoch das
Streulicht typischerweise über
das Bildfeld hinweg variiert und die Korrektur Chip- sowie Belichtungstool
bezogen durchgeführt
werden muss, erzielt man lediglich eine geringe Verbesserung der
CD-Kontrolle bei gleichzeitig erheblich eingeschränkter Flexibilität bei der
produktiven Toolauswahl. Darüber
hinaus wurde festgestellt, dass sich der Streulichtanteil mit zunehmender
produktiver Nutzung der Belichtungsanlagen vergrößert und die CD-Kontrolle verschlechtert,
so dass diese Art der Korrektur nur für einen beschränkten Zeitraum
eine gewisse positive Wirkung hat. Nach Überschreiten eines kritischen
Zeitraumes ist eine neue Korrektur, d.h. eine neue Maske erforderlich,
wodurch sich der Lithografieprozess wesentlich verteuert. Das gilt
auch dann, wenn durch spezielle Linsen-Reinigungsprozesse das Streulicht
wieder reduziert werden kann, weil das Ausgangsniveau nicht wieder
erreicht wird.
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Alternativ
wurde vorgeschlagen, den Hellbereich allein durch Einbringen von
Gruppen sogenannter Sub-Resolution-Assist-Strukturen (SRAF) abzudunkeln. Diese
reduzieren die Strahlungsmenge, die die Hellgebiete zwischen benachbarten
Maskenstrukturen bzw. -gruppen durchdringt. Damit reduziert sich
die durch das Objektiv hindurch tretende Gesamtstrahlungsmenge,
wodurch sich der Level der Streustrahlung insgesamt verringert.
Hieraus resultiert eine Verbesserung der Linienbreitenstabilität, insbesondere
der am Rand der Strukturgruppe befindlichen Strukturen. Mit diesem
Verfahren sind aber eine Reihe von Nachteilen verbunden. Zum einen
kann die mittlere Intensität
nur begrenzt herabgesetzt werden. Wählt man die Strukturdichte oder
die Strukturen zu groß,
so printen die Sub-Resolution-Assist-Strukturen im Resist, was zum
Ausfall des Bauelementes führt.
Wird die Strukturdichte zu gering oder die Linien zu schmal gewählt, reduziert
sich die Lichtdämpfung.
Im günstigen
Fall wird eine Reduzierung der mittleren Transparenz der Hellgebiete
um etwa 35% der einfallenden Strahlung erreicht, was für stark
von Streulicht gefährdete
Strukturen bzw. Strukturdesigns unzureichend ist. Darüber hinaus
werden die Kosten der Maske wegen der zu erzeugenden Sub-Resolution-Assist-Strukturen
vergrößert, wodurch
sich die Bauelementfertigungskosten vergrößern. Ein weiteres Problem
resultiert aus der unsicheren Defektinspektion der SRAF-Strukturen.
Diese können
mit herkömmlichen
Mitteln der Maskendefektinspektion nicht in der erforderlichen Empfindlichkeit
inspiziert und somit auftretende Defekte deshalb nicht sofort erkannt
und repariert werden. Eine Defektanalyse ist lediglich über den
Umweg eines Waferprintversuchs unter Nutzung von Wafer-Defektinspektions-Anlagen
möglich
und daher sehr umständlich,
zeitaufwändig
und kostentreibend.
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Der
vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Lithographiemaske
und eine Verwendung der Lithographiemaske zu schaffen, mit der über längere Zeit
Streulicht beim Lithographieprozess wirtschaftlich vermieden oder
verringert werden kann. Auch soll ein Verfahren für eine solche
Lithographiemaske geschaffen werden.
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Diese
Aufgabe wird erfindungsgemäß durch
eine Lithographiemaske mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst.
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Die
erfindungsgemäße Lithographiemaske
weist neben den üblichen
aktiven Strukturen zur Übertragung
eines Layoutes vom Projektionssystem mindestens eine teilweise transparente,
im wesentlichen flächenhafte
Blindmakrostruktur auf, die in mindestens einem Hellbereich des
Layoutes angeordnet ist.
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Unter "blind" wird hier verstanden,
dass die Struktur bei der Lithographie nicht, oder nicht dauerhaft auf
dem Substrat geprintet wird oder keine Resiststruktur ausbildet,
wohl aber eine lichtabsorbierende Wirkung hat. Unter nicht dauerhaft
printtend wird hier verstanden, dass bei eine Struktur bei einer
Zweitbelichtung in einem zweiten Lithographieschrtt entfernt wird.
In Abgrenzung zu den linienhaften Sub-Resolution-Assist-Strukturen, die man
als Blindmikrostrukturen bezeichnen könnte, werden die Mittel zur mindestens
teilweisen Absorption gemäß der Erfindung
als Blindmakrostrukturen verwendet.
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Durch
die stärkere
Reduzierung des Streulichtes in der Lithographiemaske verbessert
sich die Gleichmäßigkeit
der Linienbreite auf dem Substrat, insbesondere an den Randgebieten
von Gruppen dichter Strukturen sowie über das Bildfeld hinweg. Dadurch
wird eine Verbesserung der Gutausbeute der elektronischen Bauelemente
und mithin eine Reduzierung der Bauelementkosten erzielt.
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Dabei
ist es vorteilhaft, wenn die teilweise Transparenz der Blindmakrostruktur
so ausgebildet ist, dass bei der Nominalbelichtung zum Erzielen
einer Zielstrukturbreite mindestens einer aktiven Struktur eine
Lackschicht im Bereich der Blindmakrostruktur gerade entfernbar
ist. Dies schließt
eine Berücksichtigung
der technologischen Schwankungen bei der Belichtungsdosis ein.
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Insbesondere
ist es vorteilhaft, wenn die Transparenz mindestens einer Blindmakrostruktur
für aktivisches
Licht mehr als 50 Prozent beträgt.
Dies ist abhängig
von der Belichtungsquelle für
den jeweiligen Lithographieschritt.
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Dabei
ist es ferner vorteilhaft, wenn mindestens eine Blindmakrostruktur
als hochtransmissives Halbtonmaterial ausgebildet ist.
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Als
Absorbermaterial für
mindestens eine Blindmakrostruktur wird vorteilhafterweise ein optisch
homogenes, strukturierungsfähiges
Material, insbesondere MoSi oder ZnSixO
verwendet. Auch ist es vorteilhaft, wenn mindestens eine Blindmakrostruktur
eine Mehrfachschicht aufweist, insbesondere mit einer Schicht aus Silizium,
Germanium, Chrom, Tellur, Lithiumfluorid, Siliziumdioxid, Aluminiumoxid
und/oder deren Verbindungen.
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Eine
vorteilhafte Ausgestaltung einer erfindungsgemäßen Lithographiemaske weist
mindestens eine Blindmakrostruktur mit einer lateralen Ausdehnung
von mindestens λ/NA
auf. Unter einer lateralen Ausdehnung wird hier z.B. die Breite
der Fläche
verstanden.
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Zur
effizienten Unterdrückung
des Streulichtes weist mindestens eine Blindmakrostruktur einen
Abstand von mindestens λ/NA
zu einer aktiven Struktur auf.
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Bei
einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Lithographiemaske
ist die Transparenz mindestens einer Blindmakrostruktur für die Wellenlänge von
Defektinspektionslicht so ausgebildet, dass dunkle Defekte mit lateralen
Ausdehnungen auf der Lithographiemaske größer als (0,25/Abbildungsmaßstab)·(λaktinisch/NA)
nachweisbar sind.
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Mit
Vorteil weist mindestens eine Blindmakrostruktur mindestens eine
absorbierende Schicht auf, so dass aktinisches Licht bei der Durchstrahlung
der absorbierenden Schicht einen Phasenhub von 0°, 360° oder eines ganzzahligen Vielfachen
von 360° erfährt, wobei
die Abweichung des Phasenhubs maximal +/– 30° beträgt.
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Auch
ist es vorteilhaft, wenn mindestens eine Blindmakrostruktur mindestens
eine absorbierende Schicht aufweist, so dass Inspektionslicht bei
der Durchstrahlung der absorbierenden Schicht einen Phasenhub von
0°, 180° oder eines
ganzzahligen Vielfachen von 180° erfährt, wobei
die Abweichung des Phasenhubs maximal +/– 20° beträgt.
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Zur
verbesserten Unterdrückung
des Streulichtes ist es vorteilhaft, wenn in mindestens einem Hellbereich
mindestens eine Sub-Resolution-Assist-Struktur angeordnet ist.
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Es
ist vorteilhaft wenn die Lithographiemaske mindestens eine Ätzstoppschicht
und/oder mindestens eine ARC-Schicht zur Reflexionsminderung (und
damit zur Reduktion von Streulicht) aufweist.
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Mit
Vorteil ist die erfindungsgemäße Lithographiemaske
als Chrome-on-glass, als Halbtonphasenmaske, alternierende oder
chromlose Phasenmaske oder als Hybridmaske dieser Maskentypen ausgebildet.
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Auch
ist es vorteilhaft, wenn die erfindungsgemäßen Maske für aktinische Wellenlängen zwischen
365 nm und 150 nm ausgebildet ist.
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Die
Aufgabe wird auch durch die Verwendung einer Lithographiemaske nach
mindestens einem der Ansprüche
1 bis 15 in der Herstellung von Halbleiterbauelementen, insbesondere
der DRAM-Herstellung, gelöst.
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Dabei
ist es vorteilhaft, wenn die Transparenz mindestens einer Blindmakrostruktur
für aktinisches Licht
so eingestellt ist, dass bei Belichtung der aktinischen Strukturen
und Entwicklung des Fotolackes, die mit der Blindmakrostruktur gleichzeitig
belichtete Lackschicht entfernt wird.
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Die
Aufgabe wird auch durch einen Maskenblank mit den Merkmalen des
Anspruchs 18 und ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 20
gelöst.
Dabei wird auf einem Substrat, insbesondere einem Quarzsubstrat,
mindestens eine teilweise transparente, im Wesentlichen flächenhafte
Blindmakrostruktur zur Unterdrückung
von Streulicht in mindestens einem Hellbereich verwendet bzw. aufgebracht.
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Die
Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Figuren der
Zeichnungen an mehreren Ausführungsbeispielen
näher erläutert. Es
zeigen:
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1 eine
schematische Draufsicht einer Lithographiemaske für ein Halbleiterbauelement
mit Strukturelementen (Stand der Technik);
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2A eine
schematische Draufsicht eines Ausschnittes einer Lithographiemaske
eines Arrays gemäß dem Stand
der Technik;
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2B eine
schematische Darstellung eines Ausschnittes gemäß 2A einer
erfindungsgemäßen Lithographiemaske;
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2C eine
schematische Darstellung eines vergrößerten Ausschnittes gemäß 2B einer
erfindungsgemäßen Lithographiemaske;
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3A eine
schematische und ausschnitthafte Draufsicht auf eine Lithographiemaske
gemäß dem Stand
der Technik;
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3B eine
schematische Schnittansicht auf die Lithographiemaske gemäß 3A;
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4A eine
schematische und ausschnitthafte Draufsicht auf eine Lithographiemaske
mit Sub-Resolution-Assist-Strukturen
gemäß dem Stand
der Technik;
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4B eine
schematische Schnittansicht auf die Lithographiemaske gemäß 4A;
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5A eine
schematische und ausschnitthafte Draufsicht auf eine erfindungsgemäße Lithographiemaske;
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5B eine
schematische Schnittansicht auf die Lithographiemaske gemäß 5A;
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6 eine
Draufsicht auf einen Ausschnitt einer Lithographiemaske mit aktiven
Strukturen und Blindmakrostrukturen;
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7 eine
schematische Schnittansicht durch eine erfindungsgemäße Lithographiemaske
mit einer Blindmakrostruktur;
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8 eine
schematische Schnittansicht einer Lithographiemaske gemäß des Standes
der Technik;
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9 eine
schematische Schnittansicht einer Ausführungsform der erfindungsgemäßen Lithographiemaske
mit ARC-Schichten und einer Blindmakrostruktur;
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10 eine
schematische Schnittansicht einer Ausführungsform gemäß 9 mit
einer zusätzlichen Ätzstoppschicht;
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11A bis 11G schematische
Schnittansichten einzelner Verfahrensschritte zur Herstellung einer
Lithographiemaske gemäß der Ausführungsform
der 9;
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12A bis 12G schematische
Schnittansichten einzelner Verfahrensschritte zur Herstellung einer
Lithographiemaske gemäß der Ausführungsform
der 10;
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1 zeigt
schematisch das Layout einer Lithographiemaske für die Herstellung eines Halbleiterbauelementes,
hier beispielhaft eines DRAM-Speicherchips 10, mit vier
Arrays 11, 12, 13, 14 mit aktiven
Bauelementstrukturen S. In der rechten Seite der 1 sind
Teile von zwei Arrays 13, 14 vergrößert dargestellt.
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Die
Arrays 11, 12, 13, 14 sind durch
breite Hellgebiete 20 voneinander getrennt.
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Infolge
der Streuung des Lichtes an den Grenzflächen der Linsen des hier nicht
dargestellten Objektives, durch multiple Reflexionen des Lichts
zwischen den Linsengrenzflächen,
den Maskengrenzflächen
und -strukturen sowie dem Wafer, überlagert durch optische Proximityeffekte
sowie lokale Entwicklerverarmungsunterschiede während des Entwicklungsprozesses
der Resistschicht, weisen die Strukturen S am Rand der Arrays 11, 12, 13, 14 typischerweise
eine gegenüber
dem Arrayzentrum deutlich veränderte
Linienbreite auf, die in Richtung Arraymitte einen Sättigungswert
erreicht.
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Streulichteffekte
verursachen (bei Verwendung von Positivlack und Hellfeldmasken)
eine Reduzierung der Linienbreite für dunkle Strukturen am Rand
eines Arrays 11, 12, 13, 14,
die in Richtung Arraymitte abnimmt.
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Lichtstrahlen
erfahren durch die Lichtstreuung eine über den Ausbreitungswinkel
sich ändernde
Intensitätsverwaschung,
so dass Strahlen, die den Hellbereich 20 in der unmittelbaren
Umgebung zum Beispiel einer arrayartigen Strukturgruppe übertragen,
einen Teil ihrer Strahlungsenergie in den Arraybereich einstrahlen. Die
Strukturen des Arrays 11, 12, 13, 14 erfahren
somit eine zusätzliche
homogene Hintergrundbeleuchtung. Daraus resultieren sich mit abnehmenden
Abstand zum Arrayrand reduzierende Linienbreiten (Positivlack). Mithin
wird auch das lithografische Prozessfenster erheblich beeinträchtigt.
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Verfahren,
die alle dem Optical Proximity Correction (OPC) Verfahren entlehnte
Korrekturmethoden ("Blindmikrostrukturen") aufweisen, führen zu
wenig befriedigenden Resultaten, da zum einen die Lichtstreuung über das
Bildfeld hinweg variiert, als auch mit der Nutzungsdauer des Projektionssystems
zunimmt. Ferner treten zwischen den Anlagen teilweise erhebliche
Variationen des Streulichtes auf. Ziel der erfindungsgemäßen Lithographiemaske
ist es daher, das Streulicht so stark wie möglich zu dämpfen.
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2A zeigt
einen Ausschnitt aus dem Layout der Lithographiemaske gemäß 1.
In der 2B ist der gleiche Ausschnitt
bei einer erfindungsgemäßen Lithographiemaske
dargestellt.
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Der
Hellbereich 20 ist durch eine großflächige Blindmakrostruktur 1 abgedunkelt.
Die Absorption (oder teilweise Transparenz) der Blindmakrostruktur 1 ist
so gewählt,
dass bei der Nominalbelichtung zum Erzielen der Zielstrukturbreite
der aktiven Strukturen S die Lackschicht in dem Gebiet des hier
nicht dargestellten Substrates, das mit dem der Blindmakrostruktur 1 korrespondiert,
gerade noch entfernt wird, auch dann, wenn technologietypische Schwankungen
der effektiven, in den Resist eingekoppelten, Dosis auftreten.
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Ausreichende
Sicherheit zum Vermeiden von Resistresten besteht dann, wenn die
Transparenz der Blindmakrostrukturen 1 z.B. 50 Prozent
beträgt.
Der Mindestabstand d der Blindmakrostruktur 1 von den aktiven
Strukturen S beträgt λ/NA.
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In
Zusammenhang mit 7 wird der Aufbau der Blindsmakrostruktur 1 und
deren Funktion noch näher
erläutert.
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Blindmakrostrukturen 1 werden
in alle Hellgebiete eines Layouts eingebracht, für die die laterale Ausdehnung
beider ebener Koordinaten größer als λ/NA ist.
Der Abstand zu den benachbarten aktiven Strukturen S beträgt dabei
z.B.: mindestens 3·λ/NA. Damit
ist gewährleistet,
dass die Blindmakrostruktur 1 mit hohem Kontrast abgebildet
wird.
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Es
liegt auch im Rahmen der erfindungsgemäßen Lösung, in den Spalt zwischen
den aktiven Strukturen S und die Blindmakrostrukturen 1,
wie in 2C dargestellt, Sub-Resolution-Assist-Strukturen 2 einzubringen,
die eine weitere Unterdrückung
des Streulichtes bewirken können.
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3A zeigt
im Ausschnitt eine Draufsicht, 3B eine
Schnittansicht einer Lithographiemaske 30 gemäß des Standes
der Technik. 3A und 3B zeigen
zwei Gitter als aktive Strukturen S auf einem Glassubstrat 31,
wobei die aktiven Strukturen S durch ein Hellgebiet 20 voneinander
getrennt sind.
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Die 4A und 4B zeigen
analog zu 3A und 3B eine
an sich bekannte Lithographiemaske 30, wobei zwischen den
aktiven Strukturen S Sub-Resolution-Assist-Strukturen 2 angeordnet
sind.
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Die 5A und 5B zeigen
analog zu den 3A, 3B, 4A, 4B eine
Ausführungsform
der erfindungsgemäßen Lithographiemaske 30 mit
teilweise transparenten, absorbierenden Blindmakrostrukturen 1.
Aus Gründen
der Übersichtlichkeit
sind die alternativ möglichen
Sub-Resolution-Assist-Strukturen 2 (siehe 2C, 4A, 4B)
nicht dargestellt.
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6 zeigt
eine erfindungsgemäße Ausführung von
Blindmakrostrukturen 1 unterschiedlicher Geometrie. Die
Blindmakrostrukturen 1 füllen die Bereiche zwischen
den aktiven Strukturen S aus, die sonst Hellbereich gewesen wären. Zusätzlich sind
hier noch Sub-Resolution-Assist-Strukturen 2 angeordnet,
die parallel zu den linienförmigen
Strukturen S angeordnet sind.
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Grundsätzlich können die
Blindmakrostrukturen 1 jede Geometrie aufweisen, um Hellbereiche
auszufüllen.
Am einfachsten sind jedoch polygonale Blindmakrostrukturen 1 verwendbar.
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7 zeigt
schematisch eine Schnittansicht durch eine erfindungsgemäße Lithographiemaske
mit einer Blindmakrostruktur 1 auf einem Glassubstrat 31.
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Die
Blindmakrostruktur 1 weist hier zwei Schichten 1', 1'' auf. Die teiltransparente erste
Schicht 1' kontrolliert
die Absorption der Wellenlänge
des aktinischen Lichts und des Inspektionslichts.
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Die
zweite Schicht 1'' kontrolliert
unter Berücksichtigung
des durch die erste Schicht 1' verursachten Phasenhubes den Phasenhub
der Doppelschicht 1', 1'' für die Wellenlängen.
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Es
ist dargestellt, dass die Doppelschicht 1', 1'' für die aktinische
Wellenlänge
einen Phasenhub von 360° und
für die
Wellenlänge
des Inspektionslichtes einen Phasenhub von 540° erzeugt.
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Typischerweise
werden folgende Zuordnungen der Wellenlängen verwendet:
Aktinisches
Licht | Inspektionslicht |
157
nm | 193
nm, 257 nm |
193
nm | 257
nm, 365 nm |
365
nm | 470
nm |
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Im
Folgenden wird der Aufbau der Blindmakrostrukturen 1 näher dargestellt.
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Durch
die Absorption des Lichtes in den Blindmakrostrukturen 1 wird
die Strahlungsmenge, die das Objektiv bei der Übertragung des Maskeninhaltes
durchläuft,
insbesondere bei ursprünglich
sehr hellen Masken deutlich reduziert, woraus eine Reduzierung der
Linienbreitenvariation im Randgebiet der aktiven Strukturen S resultiert.
Dadurch wird insgesamt eine deutliche Homogenisierung der Linienbreiten über das
Bildfeld, sowie eine Verringerung der Variation der Linienbreiten
in Abhängigkeit
von der Benutzungsdauer der Belichtungsanlage erzielt. Auch die
Unterschiede der Abbildungsperformance zwischen verschiedenen Belichtungsanlagen
verringern sich. Da die Strahlungsbelastung der Linsen ebenfalls
verringert wird, erhöht
sich deren Lebensdauer, auch im Hinblick auf notwendig werdende
Reinigungszyklen des Projektionssystems.
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Die
Transparenz (d.h. die Absorption) der Blindmakrostrukturen 1 ist
dabei so eingestellt, dass bei der Belichtung der Resistschicht
mit der Nominaldosis für
die zu übertragenden
aktiven Strukturen des Layouts die Blindmakrostrukturen genau so
stark belichtet werden, dass sie im nachfolgenden Resistentwicklungsprozess sicher
entfernt werden, wobei die technologischen Schwankungen der Dosis
berücksichtigt
werden.
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Bei
der Festlegung der Transparenz werden die technologischen Gegebenheiten,
wie Strukturbias, Typ der Maske (Chrom, Halbtonphasemaske, alternierende
Phasenmaske etc.) oder Resistprozeß berücksichtigt. Der typische Transparenzbereich
liegt bei mehr als 50 %.
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Als
Absorbermaterial für
die Blindmakrostrukturen 1 werden optisch homogene, strukturierungsfähige Materialien
verwendet. Dabei können
sowohl Einfachschichten mit geeigneter Absorption und geeignetem Phasenhub,
wie z.B. MoSi-Schichten oder Schichten aus ZnSixO
mit angepasster Absorption und Phase, verwendet werden.
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Auch
können
Schichtkombinationen, bestehend aus mindestens zwei Materialien,
z.B. Silizium, Germanium, Chrom, Tellur, Lithiumfluorid, Siliziumdioxid,
Aluminiumoxid u.ä.
verwendet werden.
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Eine
vorteilhafte Schichtkombination besteht dabei aus einem absorbierenden
Material und einem hochtransparenten Material, mit dem die Einstellung
des gewünschten
Phasenhubes erfolgt. Dabei wird sowohl das aktinische Licht als
auch das zur Defektinspektion verwendete Licht berücksichtigt.
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Der
Phasenhub beim Lichtdurchgang sollte für das aktinische Licht bei
Gewährleistung
der erforderlichen Transparenz 0° oder
ein ganzzahliges Vielfaches von 360° betragen, bei maximalen Abweichungen
von +/–30°.
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Die
Transparenz für
die Wellenlänge
des zur Defektinspektion benutzten Lichtes ist größer als
50 Prozent (je nach verwendetem Absorbermaterial), wodurch eine
hohe Empfindlichkeit für
den Nachweis von dunklen Defekten (unerwünschte Reste des hochabsorbierenden
Materials) erzielt werden kann. Diese Defekte würden nicht beseitigte, nicht
erwünschte,
da funktionsstörende
Resiststrukturen auf dem Wafer erzeugen.
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Wird
für eine
Blindmakrostruktur 1 Halbtonmaterial verwendet, so weist
dieses z.B. eine hohe Transparenz auf, die knapp oberhalb der Belichtungsschwelle
im Lithographieschritt liegt. Damit wird der lokale Kontrast zwischen
den zu belichtenden und nicht zu belichtenden Bereichen auf dem
Substrat verbessert. Mit Halbtonmaterial kann ggf. das unerwünschte Abbilden
von Materialkanten, z.B. durch Sub-Resolution-Assist-Strukturen 2,
unterbunden werden, wenn der Phasenhub beim Durchstrahlen des Materials
relativ zur Umgebung 360° oder
ein Vielfaches davon ist.
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Gegenüber der
alleinigen Verwendung von Sub-Resolution-Assist-Strukturen 2 zur Streulichtunterdrückung gibt
es Vorteile. Einerseits vergrößert sich
die absorbierte Strahlungsmenge erheblich und entsprechend die Effizienz
der Streulichtunterdrückung.
Ferner generiert die Blindmakrostruktur 1 im Unterschied
zu den Sub-Resolution-Assist-Strukturen 2 selbst
kein Streulicht. Ein weiterer Vorteil resultiert aus den geringen
Anforderungen an die Strukturierungsperformance, die bei Anwendung
von Sub-Resolution-Assist-Strukturen sehr
hoch und dadurch kostentreibend sind. Da mit der erfindungsgemäßen absorbierenden
Blindmakrostruktur die Transparenz auch für die Wellenlänge des
Maskeninspektionsgerätes
eingestellt wird, sind insbesondere die kritischen dunklen Defekte
im Absorber mit hoher Sicherheit nachweisbar und nachfolgend reparierbar.
Defekte an Sub-Resolution-Assist-Strukturen sind dagegen nur mit
geringer Empfindlichkeit nachweisbar, wodurch dieser Prozess für eine großflächige Bedeckung
von Hellgebieten nicht geeignet ist.
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Mit
der erfindungsgemäßen Lösung wird
eine gegenüber
dem Stand der Technik deutliche Verbesserung der Strukturgleichmäßigkeit
erzielt.
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Die
Blindmakrostrukturen 1 werden nach Fertigstellung der aktiven
Strukturen S hergestellt, indem zunächst eine geeignete Absorberschicht
bzw. -schichtkombination aufgebracht und diese anschließend mittels eines
fotolithografischen Prozesses strukturiert wird. Nach der sich anschließenden Lackentfernung
und Reinigung der Maske erfolgt die Defektinspektion und -reparatur.
Da nur Hellgebiete mit lateralen Dimensionen größer 3·λ/NA mit einer absorbierenden
Schicht bedeckt werden, sind die Anforderungen an die Auflösungsperformance
des zur Erzeugung des Strukturmusters benutzten Bildgenerators gering,
wodurch kostengünstige
Anlagen, z.B. optische Bildgeneratoren, für die Strukturerzeugung verwendet
werden können.
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In
einer alternativen Ausführungsform
der erfindungsgemäßen Lösung ist
vorgesehen, die Absorberschicht für die Blindmakrostruktur 1 so
auszuführen,
dass die Rückreflexion
in das Glassubstrat 31 deutlich reduziert ist. Damit wird
verhindert, dass von der Grenzschicht Absorber-Glassubstrat reflektiertes
Licht in den Strahlengang des Beleuchtungssystems zurück reflektiert
und von dort infolge Reflexion als nicht gewünschtes Streulicht wiederum
auf die Maske fällt
und zur Vergrößerung der
Streulichtlevels beiträgt.
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Zusätzlich zu
den Blindmakrostrukturen 1 kann eine Ausführungsform
der erfindungsgemäßen Lithographiemaske 30 mindestens
eine ARC-Schicht 41, 42 für die Wellenlänge des
aktinischen Lichtes aufweisen, insbesondere auf beiden Seiten des
Maskenblanks. Dies wird in Zusammenhang mit den 8 bis 12 näher erläutert.
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Die
ARC-Schichten 41, 42 dienen der Verringerung der
Reflexion an der Grenzschicht Luft-Glassubstrat, so dass die Rückreflexion
der einfallenden Strahlung in Richtung der Lichtquelle und damit
das Streulichtniveau, das durch multiple Reflexion des Lichtes an
den Grenzflächen
des Luft-Glassubstrats
und der Linsen des Beleuchtungssystems entsteht, reduziert wird.
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Durch
die geringeren Reflexionsverluste wird ferner die Belichtungszeit
verringert und der Waferdurchsatz der Belichtungsanlage vergrößert.
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In 8 wird
schematisch eine Schnittansicht einer Lithographiemaske 30 dargestellt,
die aus dem Stand der Technik bekannt ist. Diese Lithographiemaske 30 weist
ein Glassubstrat 31 und zwei Gruppen von gitterartigen
Strukturen S auf, ausgebildet als semitransparente, phasenschiebende
Absorber. Die aktiven Strukturen S sind durch breite Hellgebiete 20 getrennt.
Ferner weist die Lithographiemaske 30 einen breiten, unstrukturierten
semitransparenten, phasenschiebenden Absorber 42 auf, der
von einer opaken Schicht 43, zum Beispiel aus Chrom, bedeckt
ist.
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In 9 wird
eine Ausführungsform
der erfindungsgemäßen Lithographiemaske 30 dargestellt,
deren Bauform auf der in 8 dargestellten Lithographiemaske 30 aufbaut.
Die Herstellung einer solchen Ausführungsform wird in 11A bis 11G beschrieben.
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Die
Ausführungsform
gemäß 9 weist
gitterartige, aktive Strukturen S auf, die als strukturierte Doppelschicht
mit einer ersten Absorberschicht 51 und einer zweiten Absorberschicht 52 aufgebaut
sind. Ferner weist diese Ausführungsform
zwei Blindmakrostrukturen 1 auf, die in der ersten Absorberschicht 51 angeordnet
sind. Die Funktion der Blindmakrostrukturen 1 zur Reduktion
des Streulichtes war oben bereits erläutert worden.
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Das
Glassubstrat 31 ist beidseitig mit ARC-Schichten 41, 42 beschichtet.
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Die
erste Absorberschicht 51 dient der Ausbildung der Blindmakrostrukturen 1,
die das nicht für
die Strukturabbildung benötigte
Licht absorbieren, wodurch die Gesamtstrahlung, die bei der Strukturabbildung
in das Objektiv eingekoppelt wird, verringert und somit das Streulichtniveau
annähernd
proportional abgesenkt wird.
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Diese
erste Absorberschicht 51 ist so ausgebildet, dass das aktinische
Licht beim Lichtdurchgang einen Phasenhub von 360° oder ein
ganzzahliges Vielfaches dieses Wertes erfährt. Die Transparenz des aktinischen
Lichts ist so eingestellt, dass bei Belichtung mit der Nominaldosis
die korrespondierende Lackschicht beim Entwicklungsprozess gerade
sicher entfernt wird. Das ist z.B. bei Transparenzwerten von mehr
als 50 Prozent der Fall.
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Die
zweite Absorberschicht 52 dient der Ausbildung der aktiven
Strukturen S. Brechzahl, Absorption und Schichtdicke der zweiten
Absorberschicht 52 werden so gewählt, dass die Transparenz des
Schichtenstacks, bestehend aus der ersten Absorberschicht 51,
(ggf. einer Ätzstopschicht 53,
siehe 10) und zweiten Absorberschicht 52 für das aktinische
Licht den gewünschten
Zielwert erreicht (zum Beispiel eine Transparenz von 6 Prozent)
und der durch die zweite Absorberschicht 52 (und ggf. eine Ätzstoppschicht 53,
siehe 10) verursachte Phasenunterschied
180° oder
ein ungradzahliges Vielfaches davon beträgt.
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Als
Absorberschichten 51, 52 können z.B. übliche MoxSiy-Schichten
verwendet werden, die durch eine angepasste stöchiometrische Verteilung der
Elemente bzw. durch Einbringen weiterer Elemente, z.B. Stickstoff,
in den optischen Eigenschaften den gewünschten Werten gepasst werden
können.
Alternativ sind ebenso Schichten aus ZnSixO
oder ähnliche
Materialien möglich.
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10 zeigt
eine Lithographiemaske 30 gemäß 9, wobei
zusätzlich
zwischen den Absorberschichten 51, 52 eine Ätzstopschicht 53 eingebracht
ist. Die Herstellung einer solchen Ausführungsform ist in 12A bis 12G dargestellt.
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Die Ätzstoppschicht 53 verhindert
das Anätzen
der ersten Absorberschicht 51. Die Ätzstoppschicht 53 weist
eine hohe Ätzselektivität gegenüber der
zweiten Absorberschicht 52 auf und kann z.B. als SiO2-Schicht ausgebildet sein.
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11A bis 11G zeigen
eine Ausführungsform
eines Verfahrens zur Herstellung der Lithographiemaske 30 gemäß der Ausführungsform
der 9, d.h., ohne Ätzstoppschicht 53.
Dazu wird eine Ausführungsform
eines erfindungsgemäßen Maskenblanks
verwendet.
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11A zeigt als Ausgangspunkt eine Ausführungsform
eines erfindungsgemäßen Maskenblanks ohne Ätzstoppschicht 53,
wobei Absorberschichten 51, 52 verwendet werden,
die gegeneinander mit hoher Selektivität geätzt werden können. Das
Glassubstrat 31 ist beidseitig mit ARC-Schichten 41, 42 beschichtet. Auf
der zweiten ARC-Schicht 42 ist die erste Absorberschicht 51 aufgebracht
(in 11A ist diese Schicht unterhalb
der zweiten ARC-Schicht 42 darstellt; die Beschreibung
des Verfahrens erfolgt aus der Sicht des Herstellungsprozesses),
die später
zur Ausbildung der Blindmakrostrukturen 1 vorgesehen ist.
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Diese
erste Absorberschicht 51 wird so ausgebildet, dass das
aktinische Licht beim Lichtdurchgang einen Phasenhub 360° oder einem
ganzzahliges Vielfachen von 360° bei
Abweichungen bis maximal +/– 2° erfährt. Die
Transparenz für
das aktinische Licht ist so eingestellt, dass bei Belichtung mit
der Nominaldosis die korrespondierende Lackschicht beim Entwicklungsprozess
gerade sicher entfernt wird. Das ist z.B. bei Transparenzwerten
von mehr als 50 Prozent der Fall.
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Über der
ersten Absorberschicht 51 ist die zweite Absorberschicht 52 aufgebracht.
Auf der zweiten Absorberschicht 52 ist eine Chromschicht 44 aufgebracht,
die zum Abdecken derjenigen Maskengebiete dient, die bei der Abbildung
vollständig
opak sein sollen.
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Brechzahl,
Absorption und Schichtdicke der zweiten Absorberschicht 52 werden
so gewählt,
dass die Transparenz des Schichtenstacks, bestehend aus der ersten
Absorberschicht 51 und der zweiten Absorberschicht 52 für das aktinische
Licht den gewünschten
Zielwert erreicht (z.B. eine Transparenz von 6 Prozent) und durch
die zweite Absorberschicht 22 verursachte Phasenunterschied
180° oder
ein ungrades Vielfaches von 180° beträgt.
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11B zeigt den beschichteten Maskenblank gemäß 11A nach einem ersten Verfahrensschritt, nämlich nach
dem Aufbringen einer ersten Fotolackschicht 61, einem strukturiertem
Belichten mit nachfolgendender Entfernung der belichteten Bereiche
(oder unbelichteten Bereiche, je nach Lacktyp).
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Anschließend wird
der gesamte Schichtenstack an den Stellen bis auf die zweite ARC-Schicht 42 geätzt, an
denen die erste Fotolackschicht 61 entfernt wurde (11C).
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Anschließend wird
eine zweite Fotolackschicht 62 aufgetragen und strukturiert
(11D).
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Im
nächsten
Verfahrensschritt wird die opake Chromschicht 44 geätzt und
die zweite Fotolackschicht 62 entfernt (11E). Nunmehr liegen die aktiven Strukturen S
bereits vor.
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Im
nächsten
Verfahrensschritt (11F) werden die aktiven Strukturen
S mit einer dritten Lackschicht 63 abgedeckt.
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Anschließend wird
die zweite Absorberschicht 52 geätzt. Somit bleiben in den Hellfeldern
die Blindmakrostrukturen 1 übrig, die in der Schicht der
ersten Absorberschicht 51 angeordnet sind.
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In 12A bis 12G wird
eine Ausführungsform
eines Verfahrens zur Herstellung der Lithographiemaske 30 gemäß der Ausführungsform
der 10, d.h. mit einer Ätzstoppschicht 53 dargestellt.
Auch hierbei wird von einer Ausführungsform
eines erfindungsgemäßen Maskenblanks
ausgegangen.
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Die Ätzstoppschicht 53 verhindert
infolge ihrer hohen Ätzselektivität gegenüber dem
für die Ätzung der zweiten
Absorberschicht 52 verwendeten Ätzprozess ein unbeabsichtigtes
Anätzen
der ersten Absorberschicht 51.
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Die
Verfahrensschritte dieser Ausführungsform
entsprechen denen im Wesentlichen denen der 11A bis 11G, so dass auf die obige Beschreibung verwiesen
wird.
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Die
Erfindung beschränkt
sich in ihrer Ausführung
nicht auf die vorstehend angegebenen bevorzugten Ausführungsbeispiele.
Vielmehr ist eine Anzahl von Varianten denkbar, die von der erfindungsgemäßen Lithographiemaske
und dem erfindungsgemäßen Verfahren
auch bei grundsätzlich
anders gearteten Ausführungen Gebrauch
machen.
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- 1
- Blindmakrostruktur
- 2
- Sub-Resolution-Assist-Struktur
- 10
- Struktur
eines Halbleiterbauelements (DRAM-Speicherchip)
-
- auf
einer Lithographiemaske
- 11,
12, 13, 14
- Array
von Strukturelementen auf einer
-
- Lithographiemaske
- 20
- Hellgebiete
der Lithographiemaske
- 30
- Lithographiemaske
- 31
- Glassubstrat
der Lithographiemaske
- 41
- erste
ARC-Schicht
- 42
- zweite
ARC-Schicht
- 43
- unstrukturierte
Absorberschicht
- 44
- opake
Absorberschicht
- 51
- erste
Absorberschicht
- 52
- zweite
Absorberschicht
- 53
- Ätzstoppschicht
- 61
- erste
Fotolackschicht
- 62
- zweite
Fotolackschicht
- S
- aktives
Strukturelement eines Arrays
- d
- Abstand
Blindmakrostruktur von aktiver Struktur