DE10359320A1

DE10359320A1 - Dryer of substrates, e.g. semiconductor wafers, after treatment in appropriate liquid, with substrates lifted from treatment liquid and fluid reducing surface tension of treatment liquid

Info

Publication number: DE10359320A1
Application number: DE2003159320
Authority: DE
Inventors: Christoph Eichler; Matthias Dr. Putzschke; Veit Küster
Original assignee: SCP Germany GmbH
Current assignee: SCP Germany GmbH
Priority date: 2003-12-17
Filing date: 2003-12-17
Publication date: 2005-07-21

Abstract

Substrate dryer after wet treatment has equipment for lifting substrate, e.g. semiconductor wafer, from treatment liquid. It contains two opposite, mutually facing feeders for fluid, reducing surface tension of treatment liquid, directed against liquid. Feeders are so spaced apart that wafers can be moved between them. Feed control unit of fluid control alternative supply of fluid to opposite feeders. Preferably each feeder is fitted with supply line coupled to common fluid source. Independent claims are included for drying method of substrates after wet treatment.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Trocknen von Substraten nach einer Nassbehandlung in einer Behandlungsflüssigkeit.The The present invention relates to a device and a Process for drying substrates after wet treatment in a treatment liquid.

Es ist beispielsweise in der Halbleitertechnologie bekannt, dass die Halbleiterwafer während ihrer Herstellung mehreren Behandlungsschritten einschließlich Nassbehandlungen ausgesetzt werden. Bei der Nassbehandlung kann es sich um einen reinen Reinigungsschritt handeln, bei dem die Substrate in Wasser, in der Regel DI-Wasser gespült werden. Bei anderen Nassbehandlungen werden die Wafer beispielsweise in einer verdünnten Flusssäure zunächst geätzt und anschließend mit Wasser gespült. Am Ende jeder Nassbehandlung ist es notwendig, die Wafer vollständig zu trocknen, um Rückstände auf den Wafern, die zu sogenannten Watermarks führen können, und die Funktionsfähigkeit des Wafers beeinträchtigen können, zu vermeiden. Ein bekanntes Verfahren und eine Vorrichtung zum Trocknen von Substraten ist beispielsweise aus der auf die Anmelderin zurückgehenden DE 199 24 302 bekannt. Bei dem dort beschriebenen Verfahren werden die Substrate beim Verlassen einer Behandlungsflüssigkeit mit einem, die Oberflächenspannung der Behandlungsflüssigkeit verringernden Fluids in Kontakt gebracht. Dabei wird das Fluid über Auslassdüsen auf die Behandlungsflüssigkeit geleitet, die seitlich bezüglich der Wafer, d.h. derart angeordnet sind, dass sie sich außerhalb des Bewegungspfades der Substrate befinden. Die Düsen sind derart mit den Substraten ausgerichtet, dass sie speziell auf zwischen den Substraten gebildete Zwischenräume gerichtet sind.For example, in semiconductor technology, it is known that the semiconductor wafers are exposed to multiple processing steps, including wet treatments, during their manufacture. The wet treatment can be a pure cleaning step in which the substrates are rinsed in water, usually DI water. In other wet treatments, the wafers are first etched in a dilute hydrofluoric acid, for example, and then rinsed with water. At the end of each wet treatment, it is necessary to completely dry the wafers to avoid residues on the wafers, which may lead to so-called watermarks, and may affect the wafer's operability. A known method and apparatus for drying substrates is known, for example, from the Applicant DE 199 24 302 known. In the process described there, the substrates are brought into contact with a fluid which reduces the surface tension of the treatment liquid when leaving a treatment liquid. In this case, the fluid is conducted via outlet nozzles onto the treatment liquid, which are arranged laterally with respect to the wafers, ie, such that they are located outside the path of movement of the substrates. The nozzles are aligned with the substrates such that they are specifically directed to spaces formed between the substrates.

Bei einem bekannten Verfahren ist einerseits die Möglichkeit angesprochen, dass die Oberflächenspannung verringernde Fluid nur von einer Seite der Wafer her auf die Behandlungsflüssigkeit aufgebracht wird. Dabei ergibt sich jedoch das Problem, dass insbesondere bei Wafern mit großen Durchmessern und geringen Abständen zwischen den Wafern nicht sichergestellt werden kann, dass das Fluid über die gesamte Breite des Wafers auf die Behandlungsflüssigkeit aufgebracht wird. Dies ist jedoch notwendig, um über die gesamte Breite des Wafers hinweg ein ordnungsgemäßes Ablaufen der Behandlungsflüssigkeit gemäß dem "Marangoni-Effekt" sicherzustellen. Wenn überhaupt, kann dies nur mit hinreichend hoher Strömungsgeschwindigkeit des die Oberflächenspannung der Behandlungsflüssigkeit verringernden Fluids erreicht werden.at On the one hand, a known method addresses the possibility that the surface tension reducing fluid only from one side of the wafer forth on the treatment liquid is applied. However, there is the problem that, in particular at wafers with big ones Diameters and short distances between the wafers can not be ensured that the fluid over the Whole width of the wafer is applied to the treatment liquid. However, this is necessary to over the entire width of the wafer is a proper drain the treatment liquid according to the "Marangoni effect". If any, This can only be done with a sufficiently high flow rate of the surface tension the treatment liquid reducing fluid can be achieved.

Bei einer alternativen Ausführungsform gemäß dem oben genannten Patent sind zueinander gerichtete Zuführeinrichtungen auf beiden Seiten der Wafer vorgesehen, die von beiden Seiten das die Oberflächenspannung reduzierende Fluid auf die Behandlungsflüssigkeit leiten. Hierdurch kann mit geringeren Strömungen gearbeitet werden, es ergibt sich jedoch das Problem, dass es in dem Bereich in dem die gegenläufigen Strömungen aufeinander treffen, Verwirbelungen entstehen, die eine gleichmäßige Schicht des die Oberflächenspannung reduzierenden Fluids auf der Behandlungsflüssigkeit und somit die Trocknung gemäß dem Marangoni-Effekt beeinträchtigt.at an alternative embodiment according to the above mentioned patent are directed feeders on both Sides of the wafers provided from both sides that the surface tension direct reducing fluid to the treatment liquid. hereby can with lower currents However, there is the problem that it is in the area in which the opposite currents meet each other, turbulences arise, forming a uniform layer of the surface tension reducing fluid on the treatment liquid and thus the drying according to the Marangoni effect impaired.

Ausgehend von diesem bekannten Stand der Technik liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Trocknen von Substraten anzugeben, das auf einfache und kostengünstige Weise die zuvor genannten Probleme des Standes der Technik überwindet und insbesondere eine gute Trocknung von Substraten über deren gesamte Breite ermöglicht.outgoing from this known prior art is the present invention The object of the invention is an apparatus and a method for drying indicate substrates in a simple and cost-effective manner overcomes the aforementioned problems of the prior art and in particular a good drying of substrates over their entire width allows.

Diese Aufgabe wird durch eine Vorrichtung zum Trocknen von Substraten nach einer Behandlung in einer Behandlungsflüssigkeit gelöst, die eine Vorrichtung zum Ausbringen der Substrate aus der Behandlungsflüssigkeit, wenigstens zwei einander gegenüberliegende und zueinander gerichtete Zuführeinrichtungen zum Zuführen eines die Oberflächenspannung der Behandlungsflüssigkeit verringernden Fluids auf die Behandlungsflüssigkeit, wobei die Zuführeinrichtungen derart beabstandet sind, dass die Substrate zwischen ihnen hindurch bewegbar sind, und eine Steuereinheit zum Steuern der Zu fuhr des die Oberflächenspannung der Behandlungsflüssigkeit verringernden Fluids derart, dass die gegenüberliegenden Zuführeinrichtung abwechselnd mit Behandlungsfluid beaufschlagt werden, aufweist. Durch die gegenüberliegenden Zuführeinrichtungen lässt sich in bekannter Weise ein, die Oberflächenspannung der Behandlungsflüssigkeit verringerndes Fluid, auf die Behandlungsflüssigkeit aufbringen. Dadurch, dass von beiden Seiten der Substrate her das Fluid auf die Behandlungsflüssigkeit aufgebracht wird, wird gewährleistet, dass sich das Fluid im Wesentlichen über die gesamte Breite des Substrats hinweg auf die Behandlungsflüssigkeit aufbringen lässt. Durch Vorsehen der Steuereinheit, die sicherstellt, dass die gegenüberliegenden Zuführeinrichtungen abwechselnd mit Behandlungsfluid beaufschlagt werden, wird wiederum verhindert, dass nicht gleichzeitig aufeinanderzulaufende Fluidströmungen auf die Behandlungsflüssigkeit aufgebracht werden, die beim Aufeinandertreffen Verwirbelungen erzeugen. Durch die abwechselnde Beaufschlagung der Zuführeinrichtungen wird jeweils Fluid nur von einer Seite zugeführt und Verwirbelungen werden durch aufeinanderzulaufende Strömungen verhindert oder zumindest wesentlich reduziert. Somit wird eine sich im Wesentlichen ständig erneuernde gleichmäßige Schicht des die Oberflächenspannung der Behandlungsflüssigkeit verringernden Fluids auf der Behandlungsflüssigkeit über die gesamte Breite der Substrate hinweg ausgebildet, was für deren gleichmäßige Trocknung von Bedeutung ist.This object is achieved by a device for drying substrates after a treatment in a treatment liquid, comprising a device for discharging the substrates from the treatment liquid, at least two opposing and facing each other feeding means for supplying a surface tension of the treatment liquid reducing fluid to the treatment liquid, wherein the feeders are spaced such that the substrates are movable therethrough, and a control unit for controlling the fluid to be reduced in surface tension of the treatment liquid such that the opposite supply means are alternately supplied with treatment fluid. By the opposite feed means can be applied in a known manner, the surface tension of the treatment liquid reducing fluid, on the treatment liquid. The fact that the fluid is applied to the treatment liquid from both sides of the substrates ensures that the fluid can be applied to the treatment liquid essentially over the entire width of the substrate. By providing the control unit, which ensures that the opposing feeders are alternately supplied with treatment fluid, in turn is prevented from being applied to the treatment liquid not concurrently aufgestaufende fluid flows, which generate turbulence in the meeting. Due to the alternating admission of the feed devices each fluid is supplied only from one side and turbulences are prevented by flowing towards each other flows or at least substantially reduced. Thus, in the Substantially constantly renewing uniform layer of the surface tension of the treatment liquid reducing fluid formed on the treatment liquid across the entire width of the substrates, which is important for their uniform drying.

Für einen einfachen Aufbau der Vorrichtung weisen die Zuführeinrichtungen vorzugsweise jeweils eine Zuleitung auf, die mit einer gemeinsamen Fluidquelle verbunden sind. Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung sind die Zuleitungen mit einer Gemeinschaftsleitung verbunden, die zur Fluidquelle führt und an der Schnittstelle zwischen den Zuleitungen und der Gemeinschaftsleitung ist ein Ventil vorgesehen, das die Gemeinschaftsleitung mit der einen Zuleitung oder der anderen Zuleitung verbindet. Hierdurch kann auf besondere einfache und kostengünstige Weise sichergestellt werden, dass die Zuleitungen zu den Zuführeinrichtungen jeweils abwechselnd und nicht gleichzeitig mit Fluid beaufschlagt werden.For one simple construction of the device, the feeders preferably in each case a supply line, which with a common fluid source are connected. In a preferred embodiment of the invention the supply lines are connected to a common line leading to the Fluid source leads and at the interface between the supply lines and the common line a valve is provided which connects the common line with the connects a supply line or the other supply line. hereby can be ensured in a simple and inexpensive way be that the leads to the feeders alternately and not be acted upon simultaneously with fluid.

Um eine im Wesentlichen gleichmäßige Schicht des die Oberflächenspannung der Behandlungsflüssigkeit verringernden Fluids über die Breite der Substrate hinweg vorzusehen, stellt die Steuereinheit eine Strömung des Fluids von jeder der Zuführeinheiten so ein, dass sich die Strömung über wenigstens 50 % des Abstandes zwischen den Zuführeinheiten erstreckt. Dabei ist die Strömung des Fluids von jeder der Zuführeinheiten vorzugsweise so eingestellt, dass sich die Strömung über 50 bis 60 %, vorzugsweise über 55 % des Abstandes zwischen den Zuführeinheiten erstreckt. Hierdurch ergibt sich eine leichte Überlappung der gegenläufigen Strömungen, welche jedoch aufgrund der alternativen Beaufschlagung der Zuführeinheiten keine wesentlichen Verwirbelungen erzeugen. Die geringe Überlappung stellt jedoch sicher, dass das Fluid über die gesamte Breite der Substrate in ausreichender Menge vorgesehen ist.Around a substantially uniform layer of the surface tension the treatment liquid reducing fluid over to provide the width of the substrates, provides the control unit a flow the fluid from each of the delivery units so that the flow over at least 50% of the distance between the feed units extends. there is the flow the fluid from each of the delivery units preferably adjusted so that the flow is over 50 to 60%, preferably over 55% the distance between the feeding units extends. This results in a slight overlap of the opposing flows, which, however, due to the alternative loading of the feed units do not create any significant turbulence. The low overlap However, make sure that the fluid over the entire width of the Substrates is provided in sufficient quantity.

Um Verwirbelungen der Fluidströmung an den Stirnflächen der Substrate zu vermeiden, weist die Zuführeinheit vorzugsweise jeweils eine Vielzahl von Düsen auf, die mit Führungseinrichtungen für die Substrate derart ausgerichtet sind, dass die Düsen zwischen in den Führungseinrichtungen aufgenommene Substrate gerichtet sind.Around Turbulence of the fluid flow on the front surfaces To avoid the substrates, preferably has the feed unit respectively a variety of nozzles on that with leadership facilities for the substrates are aligned such that the nozzles between in the guide means recorded substrates are directed.

Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe wird auch bei einem Verfahren zum Trocknen von Substraten nach einer Behandlung in einer Behandlungsflüssigkeit mit den folgenden Schritten gelöst: Ausbringen der Substrate aus der Behandlungsflüssigkeit; Aufbringen eines die Oberflächenspannung der Behandlungsflüssigkeit verringernden Fluids auf die Behandlungsflüssigkeit durch wenigstens zwei einander gegenüberliegende und zueinander gerichtete Zuführeinrichtungen und Steuern der Zufuhr des die Oberflächenspannung der Behandlungsflüssigkeit verringernden Fluids derart, dass die gegenüberliegenden Zuführeinrichtungen abwechselnd mit dem Fluid beaufschlagt werden. Durch das erfindungsgemäße Verfahren lassen sich die schon oben genannten Vorteile, nämlich die Aufbringung des die Oberflächenspannung der Behandlungsflüssigkeit verringernden Fluids über die gesamte Breite der Substrate ohne Erzeugung von Verwirbelungen erreichen.The The problem underlying the invention is also in a method for drying substrates after treatment in a treatment liquid solved with the following steps: application the substrates from the treatment liquid; Applying a the surface tension of the treatment liquid reducing fluid to the treatment fluid through at least two of each other opposing and facing feeders and controlling the supply of the surface tension of the treatment liquid decreasing fluid such that the opposite feeders be applied alternately with the fluid. By the method according to the invention can be the advantages already mentioned above, namely the application of the surface tension the treatment liquid reducing fluid over the entire width of the substrates without generating turbulence to reach.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weisen die Zuführeinrichtungen jeweils eine Zuleitung auf, die abwechselnd mit einer gemeinsamen Fluidquelle verbunden werden. Dabei sind die Zuleitungen vorzugsweise mit einer Gemeinschaftsleitung verbunden, die zur gemeinsamen Fluidquelle führt und ein an einer Schnittstelle zwischen den Zuleitungen und der Gemeinschaftsleitung vorgesehenes Ventil wird derart betätigt, dass es die Gemeinschaftsleitung mit der einen oder anderen Zuleitung verbindet.at a preferred embodiment of the invention have the feeders in each case a supply line, which alternately with a common Fluid source can be connected. The supply lines are preferably connected to a common line leading to the common fluid source leads and on at an interface between the supply lines and the common line provided valve is operated so that it is the common line connects with one or the other supply line.

Vorzugsweise wird die Strömung des Fluids von jeder der Zuführeinheiten so eingestellt, dass sich die Strömung über wenigstens 50 % des Abstandes zwischen den Zuführeinheiten erstreckt. Vorzugsweise erstreckt sich die Strömung über 50 bis 60 %, vorzugsweise über 55 % des Abstandes zwischen den Zuführeinheiten.Preferably becomes the flow the fluid from each of the delivery units adjusted so that the flow over at least 50% of the distance between the feeding units extends. Preferably, the flow extends over 50 to 60%, preferably over 55% the distance between the feeding units.

Die zuvor beschriebene Vorrichtung und das zuvor beschriebene Verfahren sind besonders für die Trocknung von Halbleiterwafern geeignet, wobei jedoch auch die Trocknung anderer, insbesondere scheibenförmiger Gegenstände, in Betracht gezogen wird. Bei der Trocknung scheibenförmiger Gegenstände wird das, die Oberflächenspannung der Behandlungsflüssigkeit verringerte Fluid vorzugsweise jeweils parallel zu den Hauptseiten der scheibenförmigen Substrate aufgebracht.The previously described apparatus and method described above are especially for the drying of semiconductor wafers suitable, but also the Drying of other, especially disc-shaped objects, in Consideration is taken. When drying disc-shaped objects that, the surface tension the treatment liquid preferably reduced fluid in each case parallel to the main sides the disc-shaped Substrates applied.

Weitere Merkmale, Vorteile und Einzelheiten der Erfindung werden nachfolgend anhand eines bevorzugten Ausführungsbeispiels unter Bezugnahme auf die Zeichnungen erläutert; in den Zeichnungen zeigt:Further Features, advantages and details of the invention will become apparent below based on a preferred embodiment explained with reference to the drawings; in the drawings shows:

1 eine schematische Schnittdarstellung durch eine Nassbehandlungsvorrichtung für Substrate mit einer Trocknungsvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung; 1 a schematic sectional view through a wet treatment device for substrates with a drying device according to the present invention;

2 eine Draufsicht auf die Vorrichtung gemäß 1. 2 a plan view of the device according to 1 ,

1 zeigt eine schematische Schnittansicht durch eine Nassbehandlungsvorrichtung 1 für eine Charge aus Halbleiterwafern 2, welche in der Ansicht gemäß 1 parallel zu der Zeichnungsebene hintereinander liegen. 1 shows a schematic sectional view through a wet treatment device 1 For a batch of semiconductor wafers 2 , which in the view according to 1 lie one behind the other parallel to the plane of the drawing.

Die Behandlungsvorrichtung 1 weist eine Behandlungsflüssigkeit 4 enthaltendes Prozessbecken 5 auf, das einen Überlauf 7 aufweist. Zum Ein- und Ausbringen der Substrate weist die Behandlungsvorrichtung 1 eine Hubvorrichtung 9 in dem Prozessbecken 5 auf, das als Messer bezeichnet wird. Einzelheiten des Hubmechanismus und des Messers 9 sind beispielsweise in der EP-A-0385536 beschrieben, die insofern zum Gegenstand der vorliegenden Erfindung gemacht wird, um Wiederholungen zu vermeiden.The treatment device 1 has a treatment liquid 4 containing process basin 5 on, that's an overflow 7 having. For introducing and removing the substrates, the treatment device 1 a lifting device 9 in the process tank 5 on, which is called a knife. Details of the lifting mechanism and the knife 9 are described, for example, in EP-A-0385536, which is thus the subject of the present invention in order to avoid repetition.

In dem Prozessbecken 5 sind ferner eine Vielzahl von Führungsvorsprüngen 10 vorgesehen, die in der Ansicht gemäß 1 an den gegenüberliegenden Seitenwänden des Prozessbeckens 5 vorgesehen sind, und parallel zu der Zeichnungsebene hintereinander liegen.In the process tank 5 are also a plurality of guide projections 10 provided in accordance with the view 1 on the opposite side walls of the process tank 5 are provided, and lie parallel to the plane of the drawing one behind the other.

Die Anordnung der Führungselemente 10 sowie die dazwischen aufgenommenen Halbleiterwafer 2 sind auch schematisch in der Draufsicht gemäß 2 zu erkennen, wobei zur Vereinfachung der Darstellung in 2 nur einige der Führungsvorsprünge 10 und der Substrate 2 in dem Prozessbecken 5 dargestellt sind.The arrangement of the guide elements 10 and the semiconductor wafers interposed therebetween 2 are also schematically in the plan view according to 2 to recognize, with the simplification of the representation in 2 just a few of the guide tabs 10 and the substrates 2 in the process tank 5 are shown.

In einem unteren Bereich des Prozessbeckens 5 ist ferner eine Diffusoreinheit 12 angedeutet, über die Behandlungsflüssigkeit in das Prozessbecken 5 eingeleitet werden kann.In a lower part of the process tank 5 is also a diffuser unit 12 indicated via the treatment liquid in the process tank 5 can be initiated.

Oberhalb des Prozessbeckens 5 ist eine Haube 14 zur Aufnahme der Charge aus Halbleiterwafern 2 vorgesehen. Die Haube 14 weist Führungsvorsprünge 15 auf, zwischen denen die Halbleiterwafer 2 aufgenommen werden können, und zwar in gleicher Weise wie die Wafer 2 zwischen den Führungsvorsprüngen 10 in dem Prozessbecken 5 aufgenommen sind.Above the process tank 5 is a hood 14 for holding the batch of semiconductor wafers 2 intended. The hood 14 has guide projections 15 on, between which the semiconductor wafers 2 can be recorded, in the same way as the wafers 2 between the guide projections 10 in the process tank 5 are included.

Oberhalb des Prozessbeckens 5 sind zwei sich parallel zu den die Führungsvorsprünge 10 tragenden Seitenwänden des Prozessbeckens erstreckende Fluid-Zuführeinheiten 17, 18 vorgesehen. Die Fluid-Zuführeinheiten 17, 18 besitzen im Wesentlichen denselben Aufbau und weisen jeweils eine Vielzahl von Düsen auf, die zu der anderen Fluid-Zuführeinheit 17, 18 gerichtet sind, so dass bei gleichzeitiger Beaufschlagung der Fluid-Zuführeinheiten 17, 18 aufeinander zulaufende Fluidströmungen erzeugt würden, wie durch die Pfeile 19, 20 angezeigt ist. Dabei sind die Düsen der Fluid-Zuführeinheiten 17, 18 derart ausgerichtet, dass sie eine parallel zu den Seitenflächen der Halbleiterwafer 2 gerichtete Fluidströmung erzeugen, die darüber hinaus in die zwischen den Halbleiterwafern 2 gebildeten Zwischenräume eingeführt wird, wie durch die Pfeile 22 in der Draufsicht gemäß 2 zu erkennen ist.Above the process tank 5 are two parallel to the guide projections 10 carrying side walls of the process tank extending fluid supply units 17 . 18 intended. The fluid delivery units 17 . 18 have substantially the same structure and each have a plurality of nozzles that are to the other fluid supply unit 17 . 18 are directed, so that while simultaneously loading the fluid feed units 17 . 18 converging fluid flows would be generated, as indicated by the arrows 19 . 20 is displayed. The nozzles of the fluid supply units 17 . 18 aligned such that they are parallel to the side surfaces of the semiconductor wafer 2 directed to create fluid flow, in addition, in between the semiconductor wafers 2 formed interstices, as indicated by the arrows 22 in the plan view according to 2 can be seen.

Die Fluid-Zuführeinheiten 17, 18 weisen jeweils eine Fluid-Zuleitung 24, 25 auf. Die Zuleitungen 24, 25 sind über ein Dreiwegeventil mit einer Gemeinschaftszuleitung 26, die mit einer Fluidversorgung 27 in Verbindung steht, verbindbar. Dabei ist das Dreiwegeventil so schaltbar, dass es abwechselnd die Zuleitung 24 und die Zuleitung 25 mit der Gemeinschaftszuleitung 26 verbinden kann.The fluid delivery units 17 . 18 each have a fluid supply line 24 . 25 on. The supply lines 24 . 25 are via a three-way valve with a communal supply line 26 that with a fluid supply 27 communicable, connectable. The three-way valve is switchable so that it alternately the supply line 24 and the supply line 25 with the community lead 26 can connect.

Nachfolgend wird der Betrieb der Vorrichtung 1 anhand 1 und 2 näher erläutert. Zunächst wird eine Charge aus Wafern 2 in bekannter Art und Weise in ein mit Behandlungsflüssigkeit 4 gefülltes Prozessbecken 5 eingebracht. In dem Prozessbecken 5 wird es in bekannter Art und Weise mit dem Behandlungsflüssigkeit 4 behandelt. Dabei kann die Behandlung beispielsweise eine chemische Behandlung und eine Spülbehandlung in demselben Becken umfassen. Nach der Behandlung wird die Haube 10 in die in 1 gezeigte Position gebracht, und über die Fluid-Zuführeinrichtungen 17, 18 wird ein die Oberflächenspannung der Behandlungsflüssigkeit 4 verringerndes Fluid, wie beispielsweise IPA auf die Oberfläche der Behandlungsflüssigkeit 4 geleitet. Dabei werden die Fluid-Zuführeinheiten jeweils abwechselnd mit dem Fluid beaufschlagt. Ferner wird die aus den Fluid-Zuführeinheiten austretende Fluidströmung durch eine nicht näher dargestellte Steuereinrichtung derart ge steuert, dass sich die Strömung über wenigstens 50 % des Abstands zwischen den Fluid-Zuführeinheiten erstreckt. Bei der derzeit bevorzugten Ausführungsform der Erfindung erstreckt sich die aus den jeweiligen Fluid-Zuführeinheiten austretende Fluidströmung jeweils über 50 bis 60 %, insbesondere über 55 % des Abstands zwischen den Fluid-Zuführeinheiten.The operation of the device will be described below 1 based 1 and 2 explained in more detail. First, a batch of wafers 2 in a known manner in a with treatment liquid 4 filled process tank 5 brought in. In the process tank 5 It is in a known manner with the treatment liquid 4 treated. The treatment may include, for example, a chemical treatment and a rinsing treatment in the same basin. After the treatment will be the hood 10 in the in 1 shown position, and on the fluid feeders 17 . 18 becomes a the surface tension of the treatment liquid 4 reducing fluid, such as IPA, to the surface of the treatment fluid 4 directed. In this case, the fluid supply units are alternately charged with the fluid in each case. Further, the fluid flow exiting from the fluid supply units is controlled by a control device, not shown, such that the flow extends over at least 50% of the distance between the fluid supply units. In the presently preferred embodiment of the invention, the fluid flow exiting the respective fluid delivery units each extends over 50 to 60%, in particular over 55%, of the distance between the fluid delivery units.

Die abwechselnde Ansteuerung der Fluid-Zuführeinheiten erfolgt beispielsweise im Sekundentakt, wodurch sich auf dem Behandlungsfluid eine sich ständig erneuernde Atmosphäre des die Oberflächenspannung der Behandlungsflüssigkeit 4 verringernden Fluids aufbaut. Nach einer gewissen Vorlaufzeit werden nunmehr die Wafer 2 über das Messer 9 in dem Prozessbecken 5 angehoben und aus der Behandlungsflüssigkeit 4 herausgehoben. Durch die die Oberflächenspannung der Behandlungsflüssigkeit 4 verringernde Fluidschicht erfolgt beim Herausheben der Wafer 2 aus der Behandlungsflüssigkeit nun eine Trocknung gemäß dem Marangoni-Effekt.The alternating control of the fluid supply units takes place, for example, every second, resulting in a constantly renewing atmosphere of the surface tension of the treatment liquid on the treatment fluid 4 reducing fluid. After a certain lead time now the wafers 2 over the knife 9 in the process tank 5 lifted and out of the treatment liquid 4 lifted. By the surface tension of the treatment liquid 4 reducing fluid layer occurs when lifting the wafer 2 from the treatment liquid now a drying according to the Marangoni effect.

Während des gesamten Heraushebvorgangs wird das die Oberflächenspannung reduzierende Fluid abwechselnd durch die Fluid-Zuführeinheiten 17, 18 aufgebracht.Throughout the lift-out operation, the surface tension reducing fluid alternately passes through the fluid supply units 17 . 18 applied.

Wenn die Wafer 2 vollständig aus der Behandlungsflüssigkeit 4 herausgehoben sind, kann die Zufuhr des die Oberflächenspannung der Behandlungsflüssigkeit 4 reduzierenden Fluids beendet werden. Statt eines Aushebens der Substrate aus dem Behandlungsfluid ist es natürlich auch möglich, die Behandlungsflüssigkeit 4 aus dem Prozessbecken 5 abzulassen, um die Substrate aus der Flüssigkeit heraus zu bringen, wie es beispielsweise aus der auf die selbe Anmelderin zurückgehenden DE-A-195 17 573 bekannt ist, die insofern zum Gegenstand der vorliegenden Erfindung gemacht wird. Dabei können die Fluid-Zuführeinheiten 17, 18 entsprechend dem absinkenden Flüssigkeitspegel bewegt werden.When the wafers 2 completely from the treatment liquid 4 can be lifted out, the supply of the surface tension of the treatment liquid 4 terminating reducing fluid. Of course, instead of digging the substrates out of the treatment fluid, it is also possible to use the treatment fluid 4 from the process tank 5 let down to bring the substrates out of the liquid, as it is known, for example, from the going back to the same applicant DE-A-195 17 573, which is insofar made the subject of the present invention. In this case, the fluid supply units 17 . 18 be moved in accordance with the decreasing liquid level.

Obwohl die Erfindung anhand eines bevorzugten Ausführungsbeispiels der Erfindung beschrieben wurde, ist sie nicht auf das konkret dargestellte Aus führungsbeispiel begrenzt. So wurde beispielsweise das Prozessbecken als ein Becken mit internen Führungen beschrieben. Die Wafer 2 könnten jedoch auch mit einem entsprechenden Träger in das Prozessbecken 5 eingesetzt und aus diesem entnommen werden. Darüber hinaus wurde als das die Oberflächenspannung der Behandlungsflüssigkeit reduzierende Fluid speziell IPA genannt. Natürlich könnten auch andere, die Oberflächenspannung der Behandlungsflüssigkeit 4 reduzierende Fluide, wie beispielsweise heißer Dampf, eingesetzt werden. Statt der Haube 14 kann auch eine andere Aufnahmevorrichtung für die Wafer 2 vorgesehen sein. Ferner ist es auch nicht notwendig, dass die jeweiligen Zuleitungen 24, 25 der Fluid-Zuführeinheiten 17, 18 mit einer gemeinsamen Fluidversorgung 27 in Verbindung stehen. Vielmehr könnte für jede Fluid-Zuführeinheit 17, 18 eine eigene Fluidversorgung vorgesehen sein, die jeweils über eine entsprechende Steuereinheit derart angesteuert wird, dass die Fluid-Zuführeinheiten 17, 18 jeweils wechselseitig, d.h. alternierend mit Fluid beaufschlagt werden.Although the invention has been described with reference to a preferred embodiment of the invention, it is not limited to the specifically illustrated imple mentation example. For example, the process basin was described as a pool with internal guides. The wafers 2 however, could also be with a corresponding carrier in the process tank 5 used and removed from this. Moreover, as the fluid reducing the surface tension of the treatment liquid, it has been specifically called IPA. Of course, others could, the surface tension of the treatment liquid 4 reducing fluids, such as hot steam, are used. Instead of the hood 14 may also be another picking device for the wafers 2 be provided. Furthermore, it is also not necessary that the respective supply lines 24 . 25 the fluid delivery units 17 . 18 with a common fluid supply 27 keep in touch. Rather, it could be for any fluid delivery unit 17 . 18 a separate fluid supply be provided which is controlled in each case via a corresponding control unit such that the fluid supply units 17 . 18 each mutually, ie be applied alternately with fluid.

Claims

Apparatus for drying substrates, after a treatment in a treatment liquid with a device for dispensing the substrates from the treatment liquid at least two opposite ones and facing feeders for feeding one the surface tension reducing the treatment fluid Fluids on the treatment liquid, wherein the feeders are spaced such that the substrates pass between them are movable, and a control unit for controlling the supply of the the surface tension the treatment liquid decreasing fluid such that the opposite feeders be applied alternately with treatment fluid.

Device according to claim 1, characterized in that that the feeders each having a supply line with a common fluid source are connected.

Device according to claim 2, characterized in that that the supply lines are connected to a common line, which leads to the fluid source, and that at an interface between the supply lines and the Community line a valve is provided that the community line with which connects a supply line or the other supply line.

Device according to one of the preceding claims, characterized characterized in that the control unit controls a flow of the fluid from each of the feeding units so adjusts that the flow over at least 50% of the distance between the feed units extends.

Device according to claim 4, characterized in that that the control unit the flow of Fluids from each of the feeder units such a pose that the flow is over 50 to 60% preferably over 55% of the distance between the feed units extends.

Device according to one of the preceding claims, characterized characterized in that the feed units each a plurality of nozzles have that with guide facilities for the Substrates are aligned such that the nozzles between in the guide means recorded substrates are directed.

Process for drying substrates, after a Treatment in a treatment liquid with the following steps: - spreading the substrates from the treatment liquid; - Apply one the surface tension the treatment liquid reducing fluid to the treatment fluid by at least two opposite each other and feeder means directed to each other; and - Taxes the supply of the surface tension of the treatment liquid decreasing fluid such that the opposite feeders be applied alternately with the fluid.

Method according to claim 7, characterized in that that the feeders each have a supply line, which alternately with a common Fluid source can be connected.

A method according to claim 8, characterized in that the supply lines are connected to a common line leading to the common fluid source, and at an interface zwi the valve provided to the supply lines and the common line is actuated in order to connect the common line to one supply line or the other supply line.

Method according to one of claims 7 to 9, characterized that a flow the fluid from each of the delivery units is adjusted so that the flow over at least 50% of the distance between the feeding units extends.

Method according to claim 10, characterized in that that the control unit the flow of Fluids from each of the feeder units adjusted so that the flow is over 50 to 60%, preferably over 55% the distance between the feed units extends.