DE10347430A1 - Ofen zur Züchtung von Einkristallen aus geschmolzener Kristallrohmasse - Google Patents
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Abstract
Ein Ofen zur Züchtung von Einkristallen aus geschmolzener Kristallrohmasse umfasst eine in einem Ofenkessel (10a) untergebrachte Tiegelbaugruppe (18a) mit einem auf einer Tiegeltragplatte (20a) angeordneten Schmelztiegel zur Aufnahme der Kristallrohmasse. Am Boden des Schmelztiegels ist eine Keimtasche für eine Keimkristall gebildet. Eine Heizanordnung zum Erhitzen des Tiegels umfasst ein unterhalb der Tiegeltragplatte (20a) angeordnetes, sich horizontal erstreckendes und dabei radial über den Schmelzraum hinausreichendes Bodenheizelement (46a). Ferner ist eine Keimtemperiereinheit vorgesehen, die sich von unterhalb des Schmelztiegels her mittig durch das Bodenheizelement (46a) hindurch bis in den Nahbereich der Keimtasche erstreckt. Trotz des beengten Platzes im Kessel (10a) infolge des Bodenheizelements (46a) und der Keimtemperiereinheit kann eine drehbare Lagerung der Tiegelbaugruppe um eine vertikale Tiegelachse (36a) dadurch erreicht werden, dass sich die Tiegeltragplatte (20) radial über das Bodenheizelement (46a) hinaus erstreckt und die Tiegelbaugruppe (18a) ferner eine im radialen Außenbereich der Tiegeltragplatte (20a) an diese anschließende, drehfest mit dieser gekoppelte Stützkonstruktion (82a) umfasst, welche radial außerhalb des Bodenheizelements (46a) axial an diesem vorbei nach unten reicht. An der Stützkonstruktion (82a) greifen Drehlagermittel (92a, 94a, 98a, 100a) an, über welche die Tiegelbaugruppe (18a) relativ zum Ofenkessel (10a) um die ...
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3718260A1 (de) * | 1987-05-30 | 1988-12-08 | Kernforschungsanlage Juelich | Verfahren und vorrichtung zur ermittlung einer bestimmungsgroesse fuer den uebergangsbereich zwischen schmelze und kristall |
WO2001064975A2 (de) * | 2000-03-03 | 2001-09-07 | Schott Glas | Verfahren und vorrichtung zur züchtung von grossvolumigen orientierten einkristallen |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7344595B2 (en) | 2004-01-26 | 2008-03-18 | Schott Ag | Method and apparatus for purification of crystal material and for making crystals therefrom and use of crystals obtained thereby |
CN115896475A (zh) * | 2022-11-07 | 2023-04-04 | 宁波锦越新材料有限公司 | 一种超高纯铝细晶制备设备 |
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