-
Die
Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichtsystems,
welches aus mehreren auf einem Substrat übereinander liegenden Einzelschichten
besteht und durch Puls-Magnetron-Sputtern hergestellt wird, sowie
auf Produkte, welche ein Substrat und ein derart hergestelltes Dünnschichtsystem
enthalten. Substrate mit Schichtsystemen der genannten Art können zur
Erzielung optischer Funktionalität,
elektrischer Wirkungen, als Hartstoffschichtsysteme auf Bauteilen
und Werkzeugen und zur Erzielung weiterer Funktionen zur Anwendung
kommen. Sie können
beispielsweise in der Aktorik und Sensorik, Lithographie, für die Herstellung
von optischen Komponenten und Bauelementen der Telekommunikation
und in anderen Branchen eingesetzt werden.
-
Durch
Magnetron-Sputtern in einem inerten oder reaktiven Arbeitsgas kann
eine sehr breite Palette von Metallen, Halbmetallen, Legierungen
oder chemischen Verbindungen in Form dünner Schichten auf einem Substrat
erzeugt werden. Durch aufeinander folgende Beschichtungen mit mehreren
Magnetron-Sputterquellen oder durch Änderung der Zusammensetzung
des Arbeitsgases werden Schichtsysteme hergestellt, die aus mehreren übereinander
liegenden Einzelschichten unterschiedlicher Zusammensetzung und/oder
unterschiedlicher Struktur bestehen. Für das reaktive Sputtern elektrisch
isolierender Schichtmaterialien mit vergleichsweise hoher Abscheiderate
wird mit Vorteil das Puls-Magnetron-Sputtern
mit pulsierender Gleichspannung oder Wechselspannung oder einer
sogenannten Pulspaket-Spannung
DE 197 02 187 A1 im Frequenzbereich von 10
bis 300 kHz, vorzugsweise mit etwa 30 bis 50 kHz eingesetzt [
DD 252 205 ;
DE 38 02 852 A1 ,
DE 37 00 633 C1 , S. Schiller,
K. Goedicke, J. Reschke, V. Kirchhoff, S. Schneider and F. Milde:
Surf. Coat Technol, G1 (1993), 331–337].
-
Neue
Untersuchungen haben eine Abhängigkeit
der Energie der kondensierenden Teilchen von den Pulsparametern,
insbesondere von der Pulsform und dem Verhältnis von Puls-Ein-Zeit und Puls-Aus-Zeit
bzw. dem sogenannten duty cycle, dem Verhältnis Puls-Ein-Zeit zur Summe
aus Puls-Aus-Zeit und Puls-Ein-Zeit, ergeben [P. Frach, K. Goedicke,
C. Gottfried, H. Bartzsch: Surf. Coat. Technol. 142–144 (2001)
628; M. Vergöhl,
N. Malkomes, T. Staedler, T. Mathée , U. Richter: Thin Solid Films
351 (1999), 42–47].
Als Konsequenz dieses Einflusses der mittleren Energie der kondensierenden
Teilchen bzw. des Bombardements der aufwachsenden Schicht durch
Spezies aus dem Plasma durch die Vorgabe von Pulsparametern beim Puls-Magnetron-Sputtern
konnten die Schichteigenschaften von Einzelschichten wie Dichte,
Gefügeeigenschaften,
Kristallisationszustand verbessert oder aber bei temperaturempfindlichen
Substraten die thermische Substratbelastung reduziert und damit eine
Schädigung
des Substrates vermieden werden (
DE 197 20 251 A1 ).
-
Bei
der Beschichtung von Substraten mit einem aus mehreren übereinander
angeordneten unterschiedlichen Schichten bestehenden Schichtsystem
ist in vielen Fällen
ein stetiger Übergang
der Schichten zulässig
oder sogar eine sogenannte Gradientenschicht, d. h. der allmähliche Übergang
der Schichtmaterialien und/oder Schichtstrukturen in Wachstumsrichtung
des Schichtsystems erwünscht. Solche
Gradientenschichten reduzieren z. B. innere Spannungen und führen zu
verbesserter Haftfestigkeit. Für
andere Funktionen eines Schichtsystems, z. B. wenn vorgegebene optische
Eigenschaften in Abhängigkeit
von der Wellenlänge
erreicht werden sollen, wie das bei Kantenfiltern, Schmalbandfiltern, DWDM,
d. h. dense wavelength division multiplexing, röntgenlithographischen Maskenblanks
der Fall ist, sind dagegen scharfe, sprunghafte Eigenschaftsänderungen
an der Grenzfläche
zwischen den Einzelschichten erforderlich. Das Gleiche gilt für Multilayer mit
sogenanntem Übergitter
zur Erzielung besonderer mechanischer Eigenschaften. Für solche
Schichtsysteme, die durch Sputtern hergestellt werden, können hohe
Qualitätsanforderungen
nach dem Stand der Verfahrenstechnik bisher nicht oder nur mit Einschränkungen
erfüllt
werden. Wählt
man die Prozessparameter Druck, Leistungsdichte, Biasspannung und
beim Puls-Magnetron-Sputtern auch die Pulsparameter derart, dass
die mittlere Energie der kondensierenden Teilchen und damit ihre
Mobilität
auf der Oberfläche
gering ist, so erreicht man zwar scharfe Schichtübergänge, aber nicht zufriedenstellende Struktur
und Dichte der einzelnen Schichten. Stellt man dagegen solche Sputterparameter
ein, dass im Mittel eine hohe Teilchenenergie bei der Kondensation
wirksam wird, so erreicht man wohl dichte Schichten, an den Grenzflächen zwischen
den Schichten bildet sich jedoch infolge energiestimulierter Interdiffusion
eine Gradientenschicht bzw. eine undefinierte Grenzschicht mit zu
großer
Rauheit aus. Schichtsysteme mit optisch wirksamen Grenzflächen zeigen
z. B. eine unakzeptabel hohe Streuung.
-
In
anderen Fällen
ist die anwendbare mittlere Teilchenenergie generell begrenzt, z.
B. weil ein temperatursensitives Substrat, etwa ein Polymersubstrat,
mit einem Schichtsystem der genannten Art beschichtet werden muss.
Mit der Begrenzung der Teilchenenergie ist die Ausbildung der Grenzflächen der Einzelschichten
mit zu großer
Rauheit verknüpft. Auch
in diesem Fall werden z. B. bei optisch wirksamen Schichtsystemen
eine zu hohe Streuung und Mängel
bei den optischen Eigenschaften des Schichtsystems beobachtet.
-
Es
ist deshalb Aufgabe der Erfindung, ein verbessertes Verfahren zur
Abscheidung eines Schichtsystems, das mindestens eine Einzelschicht aus
einem vorgegebenen Material enthält
und durch Puls-Magnetron-Sputtern auf einem Substrat abgeschieden
wird, anzugeben. Die Oberfläche
des Schichtsystems bzw. die Grenzflächen zwischen Einzelschichten
sollen eine sehr geringe Mikrorauheit aufweisen. Die Grenzflächen sollen
nicht durch Interdiffusion von Bestandteilen des Substrats bzw.
der in Wachstumsrichtung benachbarten Schicht verunreinigt sein.
An den Grenzflächen
sollen die physikalischen bzw. chemischen Eigenschaften im Nanometerbereich
sprunghaft verändert
sein.
-
Die
Aufgabe wird durch ein Verfahren gemäß Anspruch 1 gelöst. Die
Ansprüche
2 bis 4 geben vorteilhafte Ausgestaltungen des vorteilhaften Verfahrens
an. Anspruch 5 benennt ein entsprechendes Produkt.
-
Erfindungsgemäß werden
Einzelschichten, die durch Pulssputtern aufgebracht werden, in Wachstumsrichtung
in mehrere Teilbereiche unterteilt. Die Abscheidung solcher übereinander
liegender Teilbereiche erfolgt jeweils mit einem anderen Pulsmodus
und/oder sich unterscheidendem Pulsverhältnis und/oder sich unterscheidender
Anzahl von Einzelpulsen je Pulspaket und/oder unterschiedlicher
Pulsdauer erfolgt. Als unterschiedliche Pulsmodi sollen dabei zum
einen das sogenannte unipolare Puls-Sputtern, das bipolare Puls-Sputtern
sowie der in
DE 197
02 187 A1 beschriebene Pulspaket-Modus verstanden werden.
Beim unipolaren Puls-Sputtern wird jede Magnetron-Sputterquelle
als Katode mit einer gepulsten Gleichspannung mit oder ohne Reverse-Spannung
(z. B.
DE 196 23 654
A1 ) gegenüber
einer im allgemeinen außerhalb
eines Magnetfeldes angeordneten Elektrode geschaltet. Beim bipolaren
Pulssputtern sind mindestens zwei Magnetron-Sputterquellen im Takt
des Polwechsels einer mittelfrequenten Wechselspannung beliebiger Pulsform
alternierend als Katode und Anode der Gasentladung geschaltet und
die jeweilige Anode ist im Wirkungsbereich eines Magnetfeldes angeordnet. Beim
Pulspaket-Sputtern sind, wie im Bipolar-Puls-Modus, jeweils mindestens zwei Magnetron-Sputterquellen
im Wechsel als Anode und Katode wirksam, der Polwechsel erfolgt
jedoch mit einer niedrigeren Frequenz. Dadurch werden in jede Magnetronquelle
Pulspakete eingespeist, die jeweils aus einer frei wählbaren
Zahl unidirektionaler Pulse bestehen. Als Pulsverhältnis soll
das Verhältnis
von Puls-Ein-Zeit und Puls-Aus-Zeit verstanden werden. Unter Pulsdauer
wird hier die Puls-Ein-Zeit verstanden.
-
Ob
nur einer der Parameter Pulsmodus, Pulsverhältnis, Anzahl der Einzelpulse
oder Pulsdauer oder mehrere dieser Parameter sich beim Auftragen
benachbarter Teilbereiche der Einzelschichten unterscheiden, wird
der Fachmann aufgrund seiner Kenntnisse über die Parameterbereiche der
Pulsstromversorgung, die Sputteranordnung, die Lage der Elektrode
relativ zu Magnetfeldern und das spezifische Verhalten der aufzubringenden
Materialien nach Zweckmäßigkeitskriterien
entscheiden können.
-
Für Anwendungen,
bei denen die Materialien der Einzelschichten eine nennenswerte
gegenseitige Diffusionsneigung aufweisen, ist es im Sinne des erfindungsgemäßen Verfahren
besonders vorteilhaft, die Einzelschichten aus grenzflächennahen
Teilbereichen, die mit einem Pulsverhältnis größer als 1 und/oder im unipolarem
Pulsmodus abgeschieden werden, und aus grenzflächenfernen Teilbereichen, mit
einem kleineren Pulsverhältnis
und/oder die im bipolaren Pulsmodus abgeschieden werden, herzustellen.
Im Falle der Anwendung des Pulspaket-Sputterns bedeuted das die
Abscheidung von grenzflächennahen
Teilbereichen bei einer Anzahl von mindestens 6 Einzelpulsen, vorzugsweise
mindestens 20 Einzelpulsen je Pulspaket und die Abscheidung von
grenzflächenfernen
Teilbereichen bei einer Anzahl von höchstens 5, vorzugsweise 2 Einzelpulsen je
Pulspaket. Die so hergestellten Vielschichtsysteme zeichnen sich
durch eine dichte, porenfreie Struktur bei einer geringen Interdiffusion
und damit einem sehr scharfen ungestörten stofflichen Übergang
zwischen den Einzelschichten aus. Die Verfahrensweise stellt bei
optischen Vielschichtsystemen sicher, dass die Einzelschichten einen
Brechungsindex aufweisen, der im Rahmen der Messgenauigkeit mit
dem an massivem Material messbaren Brechungsindex übereinstimmt.
Solche Schichtsysteme zeichnen sich weiterhin durch hohe Klimabeständigkeit
aus und nehmen kein Wasser auf.
-
In
anderen Fällen
ist es akzeptabel oder sogar erforderlich, den grenzflächenfernen
Teilbereich, der den wesentlichen Anteil jeder Einzelschicht bildet,
im unipolaren Pulsmodus und/oder mit einem großen Pulsverhältnis abzuscheiden.
Auf diese Weise wird das Bombardement der im Sputterprozess aufwachsenden
Schicht energetisch begrenzt und damit auch der Wärmeeintrag
in das Substrat auf einen zulässigen
Wert eingestellt. Erfindungsgemäß werden
die Einzelschichten jedoch durch Teilbereiche begrenzt, bei deren
Abscheidung ein Pulsverhältnis
kleiner als 1 und/oder der bipolare Pulsmodus wirksam gemacht wird.
Bei Anwendung des Pulspaket-Modus werden zum gleichen Zweck die
grenzflächenfernen
Teilbereiche mit einer großen
Anzahl von mindestens sechs Einzelpulsen und die grenzflächennahen
Teilbereiche mit einer kleinen Anzahl von Einzelpulsen, z. B. zwei
oder einem Einzelpuls je Pulspaket, aufgestäubt. Durch diese erfindungsgemäße Vorgehensweise
werden sehr glatte Grenzflächen
mit minimaler Rauheit erreicht. Selbst Materialien, die zu Kristallwachstum
und Ausbildung von rauen Oberflächen
neigen, wenn die über
die gesamte Dicke der Einzelschicht bipolar bzw. mit kleinem Pulsverhältnis gearbeitet
wird, weisen bei Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens eine röntgenamorphe
Struktur auf, was offenbar durch die Ausbildung sehr glatter Grenzflächen begünstigt wird.
-
Es
hat sich weiterhin herausgestellt, dass durch Änderung des Partialdruckes
mindestens einer Komponente des Arbeitsgases im Sputterprozess,
z. B. des Argondruckes, die angestrebte Wirkung beim Übergang
von grenzflächennahen
zu grenzflächenfernen
Teilbereichen bzw. umgekehrt in vorteilhafter Weise verstärkt werden
kann. Offensichtlich wird bei höherem
Partialdruck ein Energieverlust, d. h. eine sogenannte Thermalisierung
schichtbildender Teichen wirksam, während sich bei niedrigerem
Partialdruck das Plasma weiter in Richtung zum Substrat ausdehnt.
-
Die
Dicke der grenzflächennahen
Teilbereiche beträgt
typischerweise einige Atomlagen, höchstens jedoch ein Zehntel
der Gesamtschichtdicke einer Einzelschicht. Der Übergang zwischen den Parametern
für die
Abscheidung der grenzflächennahen und
den Parametern für
die Abscheidung der grenzflächenfernen
Teilbereiche erfolgt vorteilhafterweise sprungartig. Es kann jedoch
erforderlich sein, den Übergang
zwischen den Parametersätzen
auch in mehreren Stufen vorzunehmen und damit grenzflächennahe übereinander
liegende Teilbereiche mit unterschiedlichen Eigenschaften für jede Einzelschicht zu
erzeugen.
-
Zur
Durchführung
des erfindungsgemäßen Verfahrens
ist die Verwendung einer Stromversorgungseinrichtung vorteilhaft,
die das Umschalten der Energieeinspeisung vom unipolaren in den
bipolaren Modus und umgekehrt sowie die Änderung der Pulsparameter ohne
Unterbrechung des Sputterprozesses ermöglicht. Es ist aber auch möglich, den
Abscheideprozess für
die Parameteränderung
zu unterbrechen, indem die Stromversorgung aus- und nach dem Umschalten
wieder eingeschaltet wird oder der Dampfstrom zeitweise auf eine
Blende gerichtet wird.
-
Die
Erfindung bezieht sich gemäß Anspruch 5
auch auf Produkte, die aus einem Grundkörper und einem Schichtsystem
bestehen, das nach einem Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis
4 hergestellt worden ist. Bespiele für solche Produkte sind optische
Laserfilter und Laserspiegel, deren Schichtsystem aus einem hochbrechenden
und einem niedrigbrechenden oxidischen Material wie SiO2 und
TiO2 besteht, oder Spiegel für Röntgen strahlung
im Wellenlängenbereich
von 5...13 nm, sog. Extrem-Ultraviolett (EUV)-Optiken, deren Schichtsystem
z. B. aus Hunderten dünner
Molybdän-
und Siliziumschichten bestehen. Der Grundkörper bildet in vielen Fällen das zu
beschichtende Substrat.
-
An
einem Ausführungsbeispiel
sollen das erfindungsgemäße Verfahren
und ein damit hergestelltes Produkt näher erläutert werden.
-
1 zeigt schematisch auszugsweise
den Aufbau des Produktes.
-
Ein
optischer Kantenfilter auf einem Glassubstrat soll im sichtbaren
Wellenlängenbereich transparent
sein und bei einer Wellenlänge
von 850 nm eine möglichst
100 %-ige Reflexion aufweisen. Der Filter wird mit Strahlung sehr
hoher Leistungsdichte beaufschlagt und harten klimatischen Belastungen,
insbesondere feuchter Wärme
ausgesetzt. Mit bekannten Rechenprogrammen wird ein Design für das zugehörige Schichtsystem
festgelegt, das wie folgt aufgebaut ist: Auf dem Glassubstrat befinden sich,
mit einer hochbrechenden Einzelschicht beginnend, im Wechsel eine
Titandioxidschicht (TiO2) der optischen
Dicke 247,5 nm und eine Siliziumdioxidschicht (SiO2)
der optischen Dicke 250 nm. Die Zahl dieser abwechselnd hoch- und
niedrigbrechenden Schichten beträgt
29. Das Schichtsystem wird gegenüber
Luft mit einer 30sten Schicht der halben optischen Dicke abgeschlossen.
-
Als
Herstellungsverfahren zur Beschichtung des Glassubstrates mit dem
oben beschriebenen Schichtsystem wird das stationäre reaktive
Puls-Magnetron-Sputtern gewählt.
Die erforderliche Vakuumbeschichtungsanlage besitzt eine Vakuumschleuse, eine
Kammer mit Transportvorrichtung für das Substrat, auch Handler-Kammer
genannt, sowie je eine Prozesskammer zur Abscheidung der hochbrechenden
(N = high) bzw. der niedrigbrechenden (L = low) Schichten. Eine
Beschichtungsanlage dieser Art wird auch Cluster-Anlage genannt. Das hochbrechende Material
TiO2 wird in einem streng kontrollierten
reaktiven Sputterprozess erzeugt, bei dem ein Titantarget in einem
Argon-Sauerstoff-Gasgemisch zerstäubt wird. Entsprechend wird
das niedrigbrechende Material SiO2 durch
Zerstäuben
eines Siliziumtargets in einer geregelten Argon-Sauerstoff-Atmosphäre abgeschieden.
Als Magnetron-Sputterquelle werden sogenannte Doppelringquellen
[vgl. N. Bartzsch, P. Frach, K. Goedicke, C. Gottfried: Surf. Coat.
Technol. 120–121
(1998), 723–727]
verwendet, die für
alle genannten Puls-Modi sowie für
Gleichstrom- oder Hochfrequenz-Sputterprozesse
geeignet sind und die gleichmäßige Beschichtung
von Substraten bis zu einem Durchmesser von 8 Zoll erlauben.
-
Wird
das benannte Schichtsystem mit einem Verfahren nach dem Stand der
Technik hergestellt, so können
zwar die optischen Dicken aller dreißig Einzelschichten exakt eingehalten
werden, aber die angestrebten Systemeigenschaften werden dennoch verfehlt.
Das unbefriedigende Ergebnis wird sowohl erreicht, wenn das Sputtern
der Schichten bei sinusförmiger,
d. h. bipolarer Energieeinspeisung erfolgt, als auch, wenn eine
andere Form der Energieeinspeisung in die Magnetronquellen, z. B.
in Form unipolarer Rechteckpulse in jedes der Targets erfolgt. Die
wesentlichen Defizite beziehen sich auf eine zu geringe Transparenz
des Filters im sichtbaren Spektralgebiet, offensichtlich verursacht
durch eine zu hohe Streuung des Lichtes an allen Grenzflächen zwischen
den H-Einzelschichten und den L-Einzelschichten, sowie in einer
zu hohen Wasseraufnahme und einer nicht ausreichenden Strahlungsfestigkeit der
Schichten. Die mit einem spektralen Interferrometer bestimmten typischen
Brechungskoeffizienten betrugen 2,46 für H und 1,46 für L.
-
Um
die erforderlichen Eigenschaften des optischen Filters entsprechend
der Spezifikation in ihrer Gesamtheit zu erfüllen, wurde deshalb das erfindungsgemäße Verfahren
wie folgt angewandt:
Das Glassubstrat 1 wurde in bekannter
Weise in die Vakuumbeschichtungsanlage eingebracht. Zur Aufbringung
der ersten hochbrechenden Schicht H 2 wurde zunächst ein
substratnaher Teilbereich 2a im unipolaren Pulsmode bei
einer Pulsfrequenz von 50 kHz und einem Pulsverhältnis (Puls-Ein-Zeit zu Puls-Aus-Zeit)
von 0,5 aufgebracht, bis die Dicke dieses Teilbereiches (10 ± 1) nm
betrug. Die elektrische Leistung betrug dabei 7 kW, das innere und
das äußere Teiltarget
der Magnetron-Sputterquelle waren elektrisch gegen eine gemeinsame
Gegenelektrode geschaltet, der Druck des Arbeitsgases wurde auf den
Wert 0,5 Pa geregelt. Anschließend
wurde der Hauptteil der H-Einzelschicht 2b im Bipolar-Modus der
Magnetron-Sputterquelle aufgebracht. Dazu waren die beiden Teiltargets
der Magnetron-Sputterquelle potentialfrei mit einer Pulsstromversorgung wechselnder
Polarität
verbunden. Die elektrischen Parameter betrugen: Leistung 7 kW, Pulsfrequenz
50 kHz, Pulsverhältnis 4.
Der Druck des Argon-Sauerstoff-Gasgemisches war auf 0,3 Pa abgesenkt.
Die Abscheiderate auf dem Substrat betrug für die TiO2-Schicht
0,15 nm/s. Das Aufbringen der ersten hochbrechenden Schicht wurde
abgeschlossen mit einem in Richtung des Schichtwachstums ebenfalls (10 ± 1) nm
dicken Teilbereich 2c, der mit den Parametern wie für den ersten,
unmittelbar auf das Substrat folgenden Teilbereich 2a hergestellt
wurde.
-
Nachdem
das Substrat mit der Transporteinrichtung (Handler) in die zweite
Prozesskammer gebracht wurde, erfolgte das Aufbringen der ersten niedrigbrechenden
Schicht 3. Die dafür
genutzte Magnetron-Quelle wurde bipolar mit einer Leistung von 6
kW bei einer Frequenz von 50 kHz und einem Pulsverhältnis von
2 bei einem Druck des reaktiven Gasgemisches von 0,2 Pa betrieben.
Für SiO2 betrug die Abscheiderate 2 nm/s. Nach einem
Rücktransport des
Substrates in die erste Prozesskammer erfolgte das Aufbringen der
zweiten H-Schicht ganz analog wie das der ersten H-Schicht, d. h.
die Schicht 2 wurde in den grenzflächennahen Teilbereichen 2a und 2c im
unipolaren Pulsmode bei einem niedrigen Pulsverhältnis und einem vergleichsweise
hohen Argon-Partialdruck und in dem grenzflächenfernen Teilbereich im Bipolar-Modus
bei einem hohen Pulsverhältnis
und vergleichsweise niedrigem Argon-Partialdruck durch reaktives
Puls-Magnetron-Sputtern abgeschieden. Die Beschichtung des Substrates
mit dem Gesamt-Schichtsystem wurde durch Wiederholung der Beschichtungsschritte
fortgesetzt, bis alle dreißig
Einzelschichten auf dem Substrat abgeschieden waren. Die Umschaltung
beim Übergang
vom grenzflächennahen
zum grenzflächenfernen
Teilbereich der H-Schichten erfolgte programmiert mit einer Prozessunterbrechung
von nur einer Millisekunde. Die Reproduzierbarkeit der Prozessparameter
war so genau, dass die Schichtdicken aller Einzelschichten und Teilbereiche
der H-Schichten durch Vorgabe der elektrischen Leistung und der
Beschichtungszeiten mit den notwendigen Toleranzgrenzen erreicht werden
konnten.
-
Durch
röntgenographische,
ellipsometrische und optische Untersuchungen an Einzelschichten und
am Gesamtschichtsystem wurde gefunden, dass die L-Schichten und
die H-Schichten
in den grenzflächenfernen
Teilbereichen feinkristallin waren, dass das TiO2 in
diesen Teilbereichen ausgeprägte
Röntgenreflexe
der Rutil-Phase und einen hohen Brechungsindex von (2,70 ± 0,05)
aufwiesen und dass in den grenzflächennahen Bereichen ein niedrigerer Brechungsindex
und eine sehr geringe Rauheit beobachtet wurden. Optisch wiesen
solche Filter im sichtbaren Bereich eine hohe Transmission und damit
eine sehr geringe Streuung auf.