DE1032409B

DE1032409B - Transistor base connection

Info

Publication number: DE1032409B
Application number: DES46014A
Authority: DE
Inventors: Maynard Harold Dawson; George Hamilton
Original assignee: Sylvania Electric Products Inc
Current assignee: GTE Sylvania Inc
Priority date: 1954-10-15
Filing date: 1955-10-15
Publication date: 1958-06-19
Also published as: FR1137646A

Description

DEUTSCHESGERMAN

Die Erfindung bezieht sich auf eine Transistoranordnung mit legierten Emitter- und Kallektorkontakten auf einander gegenüberliegenden Seiten eines Halbleiterplättchens und einem ohmschen Basiskontakt auf einer Seite des Plättchens.The invention relates to a transistor arrangement with alloyed emitter and capacitor contacts on opposite sides of a semiconductor die and an ohmic base contact on one side of the plate.

Es sind Transistoren bekannt, die eine aus einem Kristall mit geeigneten Verunreinigungen hergestelltes Germaniumplättchen verwenden, das an entgegengesetzten Stellen seiner gegenüberliegenden Flächen gleichrichtende Kontakte aufweist und außerdem einen sogenannten »ohmschen«, das heißt nicht gleichrichtenden Kontakt an einem anderen Teil des Plättchens besitzt. Bei der bisher verwendeten Ausführungsform mußte der größte Teil des Germaniumplättchens stark genug sein, um das Plättchen selbst zu tragen, so daß zur Erreichung einer geringen Dicke des Germaniums zwischen den Kontakten auf einer Seite eine Vertiefung gebohrt werden mußte. Diese Ausführungsform erwies sich jedoch als unzweckmäßig und zur Massenherstellung ungeeignet.There are known transistors which have one made of a crystal with suitable impurities Use germanium flakes that are in opposite positions of its opposite faces Has rectifying contacts and also a so-called "ohmic", that is, non-rectifying Has contact with another part of the plate. In the previously used embodiment Most of the germanium plate had to be strong enough to hold the plate itself to wear so that to achieve a small thickness of the germanium between the contacts a recess had to be drilled on one side. However, this embodiment proved to be inexpedient and unsuitable for mass production.

Ein Ziel der Erfindung ist daher ein für die Massenherstellung geeigneter Transistor, bei dem trotzdem nicht auf irgendwelche erwünschten elektrischen Eigenschaften verzichtet werden muß. Erfindungsgemäß besteht der Basiskontakt aus einer Metallplatte mit einer Bohrung und ist mit dem Halbleiterplättchen so kontaktiert, daß sich die gleichrichtende Elektrode in der Mitte der Bohrung der Basismetallplatte befindet. Dies erreicht man dadurch, daß man dem ganzen Germaniumplättchen nur eine Dicke gibt, die der gewünschten Entfernung zwischen Emitter- und Kollektorkontakten entspricht und das dünne Halbleiterplättchen einer mit einer öffnung versehenen Metallplatte befestigt, durch die sich ein gleichrichtender Kontakt zum Germanium erstrecken kann. Es wurde überraschenderweise gefunden, daß dünne Germaniumplättchen bruchfester sind als dickere, denn das Germanium wird mit abnehmender Stärke, z. B. bei einer Stärke von etwa 25 μ, biegsamer. Das Germanium läßt sich daher während der Herstellung der Vorrichtung mit überraschend wenig Bruch handhaben. Im übrigen fängt das Metallplättchen jede auf die gleichrichtende Kontaktschicht wirkende mechanische Spannung auf.An object of the invention is therefore a transistor suitable for mass production, in which nevertheless there is no need to forego any desired electrical properties. According to the invention the base contact consists of a metal plate with a hole and is connected to the semiconductor wafer so contacted that the rectifying electrode is in the center of the hole in the base metal plate is located. This is achieved by giving the whole germanium plate only a thickness that is corresponds to the desired distance between emitter and collector contacts and the thin Semiconductor wafers attached to a metal plate provided with an opening through which a rectifying contact to the germanium can extend. It has surprisingly been found that thin germanium platelets are more resistant to breakage than thicker ones, because the germanium increases with decreasing Starch, e.g. B. at a thickness of about 25 μ, more flexible. The germanium can therefore be used during the Handle manufacture of the device with surprisingly little breakage. Otherwise, the metal plate catches any mechanical stress acting on the rectifying contact layer.

\^ror der Befestigung des Germaniumkristalls an dem vei-hältnismäßig schweren Metallplättchen, das später den Halbleiterkristall in der fertigen Vorrichtung hält, lassen sich darauf leicht legierte Kontaktschichten oder andere Arten von Kontakten anbringen. Man kann die Plättchen auch allen bei der Herstellung derartiger Vorrichtungen erwünschten Oberflächenbehandlungen aussetzen, wobei die Bruchgefahr geringer ist als bei früheren Ausführungsformen. Dies ist äußerst wichtig, wenn man bedenkt, daß die Ger-\ ^R or the mounting of the germanium crystal to the vei-tively heavy metal plate, which later holds the semiconductor crystal in the finished device, it can be easily alloyed contact layers or other types of contacts attach. The platelets can also be subjected to any surface treatment desired in the manufacture of such devices, the risk of breakage being less than in previous embodiments. This is extremely important when you consider that the

Anmelder:Applicant:

Sylvania Electric Products, Inc.,
New York, N. Y. (V. St. A.)Sylvania Electric Products, Inc.,
New York, NY (V. St. A.)

Vertreter: Dr. W. Beil, Rechtsanwalt,
Frankfurt/M.'Höchst, Antoniterstr. 36Representative: Dr. W. Beil, lawyer,
Frankfurt / M.'Hoechst, Antoniterstr. 36

Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 15. Oktober 1954Claimed priority:
V. St. v. America October 15, 1954

George Hamilton, Newburyport, Mass.,George Hamilton, Newburyport, Mass.,

und Maynard Harold Dawson, Ipswich, Mass. (V. St. A.),and Maynard Harold Dawson, Ipswich, Mass. (V. St. A.),

sind als Erfinder genannt wordenhave been named as inventors

maniumplättchen gewöhnlich aus einem großen Kristall sorgfältig gereinigten Germaniums mit genau vorbestimmten Zusatzmaterialien hergestellt werden. Der Kristall wird maschinell unter einem Verlust von etwa 60% in Scheiben zerteilt; die Scheiben werden noch geschliffen und ehemisch geätet, damit sie die erwünschte Dicke von etwa ISO μ erhalten. Anschließend teilt man die Scheiben in einzelne quadratische Flächen, die in den einzelnen Vorrichtungen verwendet werden sollen. Das sorgfältig bearbeitete Germanium ist äußerst teuer, und der kleine Teil des nach der mechanischen Herstellung verbliebenen Materials besitzt einen Wert, der den des verwendeten Germaniums um ein Vielfaches übersteigt. Infolgedessen ist es von äußerster praktischer Bedeutung, daß die größte Ausbeute an quadratischen Plättchen erzielt wird und der Bruch auf ein Minimum beschränkt wird.Manium platelets usually made of a large crystal carefully purified germanium with precisely predetermined additional materials. Of the Crystal is mechanically sliced with a loss of about 60%; the discs are still honed and formerly etched to make them the desired Obtained thickness of about ISO μ. Then divide the slices into individual square ones Areas to be used in each fixture. The carefully worked germanium is extremely expensive, and the small part of the material left after mechanical manufacture has a value that exceeds that of the germanium used many times over. Consequently it is of the utmost practical importance that the greatest yield of square platelets be obtained and the breakage is kept to a minimum.

Eine der gleichrichtenden Kontaktstellen wird auf der das Metallplättchen bedeckenden Seite des Germaniums angebracht. Zu dieser gleichrichtenden Kontaktstelle stellt man eine genügend nachgiebige Verbindung her. Auf den Verbindungsdraht zwischen der Anschlußklemme und der gleichrichtenden Kontaktstelle wird notwendigerweise ein beträchtlicher Zug ausgeübt. Dieser Zug verteilt sich jedoch radial, so daß die Vorrichtung trotz der geringen Stärke des Germaniums sehr stabil ist.One of the rectifying contact points is on the side of the germanium that covers the metal plate appropriate. A sufficiently flexible connection is made to this rectifying contact point here. On the connecting wire between the terminal and the rectifying contact point a considerable pull is necessarily exerted. However, this train is distributed radially, like this that the device is very stable despite the low strength of the germanium.

Ein weiteres Merkmal der Erfindung ist die Verwendung verschiedener Materialien, die zur Her-Another feature of the invention is the use of various materials that are used to manufacture

809 557/334809 557/334

Um der vorstehenden, die geometrischen Verhältnisse berücksichtigenden Überlegung zu genügen, wurde vorgeschlagen, an diesen Germaniumplättchen chemisch oder mechanisch Vertiefungen anzubringen, 5 so daß beispielsweise eine Scheibe von etwa 150 μ Dicke eine Vertiefung erhält, die an der Stelle, an der die legierten Kontakte gebildet werden sollen, nur eine dünne Wand von etwa 25 μ Stärke zurückläßt. Es sei hierbei darauf hingewiesen, daß bei diesem Beoptimaler elektrischer Eigenschaften zu ätzen. Ein i° Schreibungsbeispiel zwar legierte Kontakte Verwenweiteres Merkmal der Erfindung ist die Schaffung dung finden und diese gleichrichtenden Kontakte ausgezeichnete Transistorenleistungen zeigen; doch richtet sich die vorliegende Erfindung nicht unbedingt auf diese durch Legieren hergestellten gleichrichtenunbe- 15 den Kontakte, sondern auch auf andere Arten von Kontaktvorrichtungen. Durch die Herstellung eines Halbleiterplättchens, das wesentlich dünner als die bisher verwendeten und zur Gewährleistung des Basisabstands des Transistors unabhängig vom tiefen Einao dringen des Legierungsmaterials in das Germanium, jedoch abhängig von der schon bei der Herstellung festgelegten Stärke des Plättchens, lassen sich zahlreiche Vorteile erzielen. Die gleichrichtenden Kontaktschichten lassen sich sauber, parallel und in geringemIn order to meet the above considerations, which take into account the geometric relationships, it was proposed to chemically or mechanically attach indentations to these germanium plates, 5 so that, for example, a disc of about 150 μ thickness receives a recess at the point which the alloyed contacts are to be formed, only leaves a thin wall of about 25 μ thickness. It should be pointed out that in this case, the electrical properties must be optimally etched. An i ° example of spelling alloyed contacts The feature of the invention is the creation and creation of these rectifying contacts excellent Show transistor performances; however, the present invention is not necessarily directed to these non-rectifying contacts produced by alloying, but also to other types of Contact devices. By making a die that is much thinner than the previously used and to ensure the base spacing of the transistor regardless of the deep Einao penetration of the alloy material into the germanium, but depending on that already during manufacture determined thickness of the platelet, numerous advantages can be achieved. The rectifying contact layers can be clean, parallel and in a small amount

In den Zeichnungen wird eine Metallplatte 10 ge- ^a5 Abstand zueinander herstellen; der Basiswiderstand zeigt, die zum großen Teil mit einem Überzug 12 be- des erhaltenen Transistors wird auf ein Minimum herdeckt ist, der sich jedoch — wie später noch erklärt abgesetzt, ohne daß Vertiefungen in das Germanium wird — nicht vollständig decken muß. Platte 10 be- gebohrt werden müssen.In the drawings, a metal plate 10 is produced ^a 5 spacing from one another; the base resistance shows which is largely covered by a coating 12 of the transistor obtained, but which - as will be explained later on, does not have to completely cover itself without indentations in the germanium. Plate 10 must be drilled.

sitzt eine Bohrung 14. Der Überzug 12 überdeckt auch Was die Maße der Vorrichtung anbetrifft, so ist essits a bore 14. The coating 12 also covers As far as the dimensions of the device are concerned, so it is

das Innere der genannten öffnung in Platte 10. Ein 3° erwünscht, den Durchmesser der Bohrung 14 so klein flaches Plättchen 16 aus Germanium wird über die wie nur möglich zu halten, wobei jedoch für den Schicht 12 derart an der Platte 10 befestigt, daß es gleichrichtenden Kontakt 18 noch genügend Platz — wie aus der Zeichnung hervorgeht—· die Bohrung vorhanden sein muß. Typische Maße eines Hoch-14 überdeckt. Auf dem Germaniumplättchen 16 wird frequenztransistors sind eine Plättchenstärke von innerhalb der Bohrung 14 eine kleine gleichrichtende 35 etwa 50 μ, ein Durchmesser des Emitterkontakts 18 Kontaktstelle 18 angebracht, an die ein Anschluß- von etwa 250 μ, ein Durchmesser des Kollektordraht 20 angeschlossen ist. Ein anderer gleichrichten- kontakts 22 von 250 μ und ein Durchmesser der der Kontakt 22 wird auf der entgegengesetzten Seite Bohrung 14 nach dem Plattieren von etwa 1,016 mm. des Plättchens 16 mit Ausrichtung auf den ersten Das Metallplättchen 10 in dem gleichen typischen Kontakt 18 angebracht. Ein Anschlußdraht 24 bildet 40 Beispiel war 0,13 mm dick, 3.2 mm breit und 6,3 mm die ohmsche Verbindung zu Kontakt 22. lang.the inside of said opening in plate 10. A 3 ° desired, the diameter of the bore 14 so small flat plate 16 made of germanium will hold about as much as possible, however for the Layer 12 attached to plate 10 in such a way that there is still enough room for rectifying contact 18 - as can be seen from the drawing - · the hole must be present. Typical dimensions of a high-14 covered. On the germanium plate 16 is frequency transistor are a plate thickness of within the bore 14 a small rectifying 35 about 50 μ, a diameter of the emitter contact 18 Contact point 18 attached to which a connection of about 250 μ, a diameter of the collector wire 20 is connected. Another rectifying contact 22 of 250 μ and a diameter of the contact 22 becomes hole 14 on the opposite side after plating about 1.016 mm. of die 16 in alignment with the first metal die 10 in the same typical Contact 18 attached. A connecting wire 24 forms 40 example was 0.13 mm thick, 3.2 mm wide and 6.3 mm the ohmic connection to contact 22. long.

Aus Fig. 2 geht hervor, daß die Drähte 20 und 24 Bei der Herstellung der Vorrichtung werden dieFrom Fig. 2 it can be seen that the wires 20 and 24 in the manufacture of the device are the

in Anschlußleitungen 26 und 28 übergehen, die durch Kontaktschichten 18 und 22 auf dem Plättchen 16 hereinen isolierenden Sockel 30 führen, der die Einheit gestellt, indem man Plättchen aus dem Legierungsverhälrmismäßig fest zusammenhalt. Eine weitere 45 metall auf die gegenüberliegenden Seiten des Germerge into connecting lines 26 and 28, which come in through contact layers 18 and 22 on the plate 16 Lead insulating base 30, which is made of the unit by removing platelets from the alloy ratio solidly cohesive. Another 45 metal on opposite sides of the ger

stellung \'on besonderen" Arten von Transistoren mit legierten Kontakten geeignet sind. Eine derartige Maßnahme ist die Verwendung eines höchst duktilen Metalls, das gleichzeitig als Befestigungsmittel und ohmsche Verbindung zwischen den Metallplättchen und dem äußerst dünnen Germaniumplättchen dient. Bei früheren Ausführungsformen war es üblich, legierte Kontakte im Ofen herzustellen und das erhaltene Kontaktmaterial anschließend zur Erzielungposition \ 'on special "types of transistors with alloyed contacts are suitable. One such measure is to use a highly ductile one Metal that acts as a fastener and at the same time Ohmic connection between the metal plate and the extremely thin germanium plate is used. In previous embodiments, it was common practice to make alloyed contacts in the furnace and keep that Contact material afterwards to achieve

einer schützenden Metalloberfläche, die sich bei dieser Behandlung, die erst erfolgt, nachdem das Germanium mit seinen gleichrichtenden Kontakten auf das Metallplättchen gebracht wurde, inert zeigt und schädigt bleibt.a protective metal surface that is used in this treatment, which only takes place after the germanium with its rectifying contacts was brought to the metal plate, shows inert and remains damaged.

Das Wesen der Erfindung läßt sich am besten an Hand der Zeichnungen erläutern. Es zeigtThe essence of the invention can best be explained with reference to the drawings. It shows

Fig. 1 einen Teil des Querschnitts durch eine solche Transistoranordnung,1 shows a part of the cross section through such a transistor arrangement,

Fig. 2 eine stark vergrößerte Ansicht eines teilweise im Schnitt gezeigten Transistors,Fig. 2 is a greatly enlarged view of a transistor shown partially in section,

Fig. 3 die Ansicht der Gegenseite des Transistors nach Fig. 2.FIG. 3 shows the view of the opposite side of the transistor according to FIG. 2.

Leitung 32 führt durch den Träger 30 und ist mit Platte 10 starr, z. B. durch Verschweißen verbunden. Line 32 leads through the carrier 30 and is rigid with plate 10, for. B. connected by welding.

Die Herstellung von Halbleitern, z. B. in Form der Plättchen 16, ist bekannt.The manufacture of semiconductors, e.g. B. in the form of the plate 16 is known.

Bisher war es üblich, als Ausgangsmaterial Germaniumplättchen in einer Stärke von etwa 150 μ oder mehr zu verwenden. Dies hat den Nachteil, daß die äußersten auf dem Plättchen angebrachten gleich-So far it was common to use germanium flakes with a thickness of about 150 μ or more to use. This has the disadvantage that the outermost equal parts attached to the plate

maniumplättchens 16 aufträgt und in trocknem, sauerstofffreiem Wasserstoff bei etwa Normaldruck in einem Ofen auf eine Legierungstemperatur von etwa 760° C erhitzt. Bestellt das Plättchen 16 aus Ger-' 50 manium mit p-Leitfähigkeit, so kann man als Legierungsmaterial für die Kontaktschichten 18 und 22 eine Bleilegierung verwenden, die 10 Gewichtsprozent Antimon enthält. Außerdem lassen sich — falls erwünscht — auch verschiedene andere geeig-Manium plate 16 applies and in a dry, oxygen-free Hydrogen at about normal pressure in a furnace to an alloy temperature of about Heated to 760 ° C. If the plate 16 is made of Ger- '50 manium with p-conductivity, then you can as Alloy material for the contact layers 18 and 22 use a lead alloy that is 10 percent by weight Contains antimony. In addition, various other suitable

richtenden Kontaktstellen in einem für wirksames 55 nete Metalle der V. Nebengruppe des Periodischen Arbeiten und Betrieb bei hohen Frequenzen zu großen Systems der Elemente zusammen mit anderen Stoffen, Abstand stehen. Um dem abzuhelfen, wurden verschiedene Versuche unternommen, insbesondere dasdirecting contact points in a for effective 55 nete metals of the V subgroup of the periodic Working and operating at high frequencies to large system of elements together with other substances, Stand distance. Various attempts have been made to remedy this, in particular this

dünne Halbleitermaterial so tief zu legieren, daßto alloy thin semiconductor material so deep that

wie z. B. Zinn oder Germanium, verwenden.such as B. tin or germanium, use.

Nach der Herstellung der legierten Kontakte 18After the alloy contacts have been made 18

und 22 wird das Ge-Plättchen 16 auf der Metallplatte sich die gleichrichtenden Kontaktstellen sehr nahe 60 10 über dem Indiumüberzug 12 aufgelegt und durch sind. Dies ist von Nachteil, da das Legierungsver- Erhitzen auf etwa 500° C in einem Ofen daran befahren äußerst schwer kontrollierbar ist, insbesondere festigt; anschließend wird die erhaltene Transistordann, wenn der Abstand zwischen den gleichrichten- anordnung, wie vorstehend beschrieben, geätzt, den Kontaktstellen (gewöhnlich Basisabstand ge- Nach dem Erhitzen ist das Indium mit dem Ger-and 22 becomes the Ge chip 16 on the metal plate the rectifying contact points are placed very close to 60 10 over the indium coating 12 and through are. This is a disadvantage, since the alloy is heated to about 500 ° C in a furnace on it is extremely difficult to control, especially strengthens; then the transistor obtained is then if the distance between the rectifier assembly is etched as described above, the contact points (usually base spacing after heating the indium with the device

nannt) nur einen geringen Bruchteil der Ursprung- 6g manium legiert und eine duktile, metallische Bindung liehen Plättchenstärke darstellt. Ferner hat es den
Nachteil, daß sich die gleichrichtenden Kontaktschichten wahrscheinlich nicht eben und parallel herstellen lassen, was ein für die Leistung und Verwendung bei Hochfrequenz wichtiger Umstand ist.called) only a small fraction of the original 6g manium alloy and a ductile, metallic bond represents lent platelet strength. It also has the
Disadvantage that the rectifying contact layers can probably not be made flat and parallel, which is an important factor for the performance and use at high frequency.

zwischen dem dünnen Germaniumplättchen 16 und der Metallplatte 10 hergestellt. Die duktile Beschaffenheit der Verbindung zwischen der Germaniumscheibe 16 und der Metallplatte 10 ermöglicht trotz der Untear-70 schiede in den Wärmeausdehnungskoeffizienten zwi-between the thin germanium plate 16 and the metal plate 10. The ductile nature the connection between the germanium disk 16 and the metal plate 10 despite the Untear-70 differ in the coefficient of thermal expansion between

sehen Germanium und den meisten üblichen Metallen, daß die Bindung zwischen Halbleiterplättchen und Metallplatte aufrechterhalten wird.see germanium and most common metals that bond between semiconductor die and Metal plate is maintained.

Das Indium wird nicht nur als Legierungskontakt zum Germanium und als duktile Verbindung zwischen diesem und der Metallplatte verwendet, sondern außerdem zum Schutz der Platte 10 gegen die Einwirkung des Ätzmittels. Obwohl die gesamte Platte mit Ausnahme der Stelle, an der die Zuleitung 32 die Platte 10 berührt, mit Indium überzogen werden kann, ist es normalerweise nicht erforderlich, den Indiumüberzug 12 stark über den Teil auszuziehen, der in das Ätzmittel eingetaucht wird.The indium is not only used as an alloy contact to the germanium and as a ductile connection between this and the metal plate used, but also to protect the plate 10 against the action of the etchant. Although the entire plate with the exception of the point at which the supply line 32 meets the plate 10 touches, can be coated with indium, it is usually not necessary to coat the indium 12 strongly drawn over the part that will be immersed in the etchant.

Das Indium kann in einem Arbeitsgang abgeschieden werden. Selbstverständlich kann man auch andere Materialien verwenden, um die Platte 10 an jenen Stellen zu bedecken, an denen der Überzug nur zum Schutz vor dem Ätzmittel benötigt wird. Falls erwünscht, kann auch Gold, Platin u. dgl. als Überzug oder an Stelle der Nickelplatte eine massive Platte aus einem derartigen Metall verwendet werden. Werden elektrische Eigenschaften gefordert, die das Ätzen überflüssig machen, so können die Oberflächen von Platte 10 mit Ausnahme der Stellen, an denen sich Metall befinden muß, das die Germaniumscheibe 16 mit der Metallplatte 10 zu verbinden vermag, aus irgendeinem Metall bestehen.The indium can be deposited in one operation. Of course you can too use other materials to cover the plate 10 in those places where the coating is only is needed to protect against the etchant. If desired, gold, platinum and the like can also be used as a coating or a solid plate made of such a metal can be used instead of the nickel plate. Will If electrical properties are required that make etching superfluous, the surfaces of Plate 10 with the exception of the places where there must be metal that the germanium disk 16 able to connect to the metal plate 10, consist of any metal.

Die Vorrichtung wird etwa 4 bis etwa 8 Sekunden lang in einem Ätzmittel geätzt, das folgende Stoffe in den angegebenen Mengen enthält: 25 ecm konzentrierte Salpetersäure, 15 ecm konzentrierte Fluorwasserstoffsäure, 15 ecm Eisessig und 0,3 ecm flüssiges Brom. Ätzzeiten von 20 Sekunden würden die vollkommene Lösung der Germaniumscheibe verursachen. Es lassen sich außerdem andere bekannte Ätzmittel für den Kristall verwenden.The device is etched in an etchant containing the following substances for about 4 to about 8 seconds the specified amounts contains: 25 ecm concentrated Nitric acid, 15 ecm concentrated hydrofluoric acid, 15 ecm glacial acetic acid and 0.3 ecm liquid Bromine. Etching times of 20 seconds would cause the germanium wafer to dissolve completely. Other known etchants for the crystal can also be used.

Die in Fig. 1 und 2 gezeigte Vorrichtung besitzt ausgezeichnete Eigenschaften, da die außerordentlich dünne Scheibe 16 zwischen den gleichrichtenden Kontaktschichten 18 und 22 radial durch die Bindung mit Platte 10 festgehalten wird; das Bindematerial ist duktil, um die Unterschiede im Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Germaniumplättchen 16 und der Metallplatte 10 auszugleichen. Der Abstand zwischen den gleichrichtenden Kontakten kann so dünn wie gewünscht gehalten werden, und die gleichrichtenden Kontaktschichten können durch die Kontrolle des Herstellungsverfahrens eben und parallel angeordnet werden. Der parallele und schmale Basisabstand zwischen den gleichrichtenden Kontakten 18 und 22 bietet eine bessere Ausnutzung des Eingangssignals und außerdem eine ausgezeichnete Hochfrequenzleistung; die enge Berührung zwischen der Verbindung von Platte 10 und dem Halbleiter setzt den Basiswiderstand des erhaltenen Transistors auf ein Minimum herab.The device shown in Figs. 1 and 2 has excellent properties because the extraordinary thin disk 16 between the rectifying contact layers 18 and 22 radially through the bond with Plate 10 is held; the binding material is ductile to compensate for the differences in the coefficient of thermal expansion balance between the germanium plate 16 and the metal plate 10. The distance between the rectifying contacts can be kept as thin as desired, and the rectifying Contact layers can be flat and parallel by controlling the manufacturing process to be ordered. The parallel and narrow base spacing between the rectifying contacts 18 and 22 offers better utilization of the input signal and also excellent high frequency performance; sets the intimate contact between the joint of plate 10 and the semiconductor reduces the base resistance of the transistor obtained to a minimum.

Die oben beschriebene Ausführungsform eines Transistors dient nur als Beispiel, denn es lassen sich auch bestimmte Vorteile wahrnehmen, ohne daß sämtliche Maßnahmen in einer einzigen Vorrichtung vereinigt werden müssen. Fällt z. B. der gleichrichtende Kontakt 22 fort, so kann man eine Photodiode mit ausgezeichneten elektrischen und physikalischen Eigenschaften herstellen. Obgleich ein n-p-n-Transistor beschrieben wurde, lassen sich verschiedene, in der vorstehenden Beschreibung enthaltene Maßnahmen mit Vorteil bei der Herstellung von p-n-p-Transistoren aus Germanium sowie aus Silizium und dergleichen anwenden.The embodiment of a transistor described above serves only as an example, because it can also perceive certain advantages without combining all measures in a single device Need to become. For example B. the rectifying contact 22 continues, you can use a photodiode produce excellent electrical and physical properties. Although an n-p-n transistor has been described, various measures contained in the above description can be implemented with advantage in the production of p-n-p transistors from germanium as well as from silicon and the like.

Claims

Patent claims:

1. Transistor arrangement with alloyed emitter and collector contacts on opposite sides Sides of a semiconductor die and an ohmic base contact on one side of the Semiconductor chip, characterized in that the base contact consists of a metal plate (10) with a bore (14) and is contacted with the semiconductor wafer (16) so that the rectifying electrode (18 or 24) is located in the center of the hole in the base metal plate (10).

2. Transistor arrangement according to claim 1, characterized in that a rigid with the Metal plate (10) connected lead (32), one connected to the other alloy contact flexible lead (20) and a flexible lead connected to one alloy contact (24) are guided through a base (30) in an insulating manner.

3. Transistor arrangement according to claim 1 or 2, characterized in that the crystal plate (16) is quite thin in relation to the thickness of the base metal plate (10).

4. Transistor arrangement according to claim 1, 2 or 3, characterized in that the surface the metal plate is relatively inactive to an etchant for the semiconductor, by coating with a layer of very soft, ductile metal, such as. B. Indium, the the crystal plate connects to the metal plate and produces an ohmic connection.

Considered publications:
Belgian patent specification No. 520 677.

1 sheet of drawings