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Die Erfindung betrifft ein Verfahren
zur Herstellung einer Wellenleiterstruktur in einem oberflächenemittierenden
Halbleiterlaser sowie einen solchen Halbleiterlaser.
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Oberflächenemittierende Laserdioden
(engl.: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser: VCSEL) stellen Halbleiterlaser
dar, bei denen die Lichtemission senkrecht zur Oberfläche des
Halbleiterchips stattfindet. Verglichen mit konventionellen kantenemittierenden
Laserdioden weisen die oberflächenemittierenden
Laserdioden mehrere Vorteile auf, wie einen geringen elektrischen
Leistungsverbrauch, die Möglichkeit
der unmittelbaren Überprüfung der
Laserdiode auf dem Wafer, einfache Ankoppelungsmöglichkeiten an eine Glasfaser,
longitudinale Einmodenspektren und die Möglichkeit der Zusammenschaltung
der oberflächenemittierenden
Laserdioden zu einer zweidimensionalen Matrix.
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Auf dem Gebiet der Kommunikationstechnik mittels
Glasfasern besteht aufgrund der wellenlängenabhängigen Dispersion bzw. Absorption
das Bedürfnis
nach VCSELs in einem Wellenlängenbereich von
ca. 1,3 bis 2 μm,
insbesondere um die Wellenlängen
von 1,31 μm
oder 1,55 μm.
Langwellige Laserdioden mit anwendungstauglichen Eigenschaften,
speziell für
den Wellenlängenbereich
oberhalb 1,3 μm, werden
bislang aus InP-basierten Verbindungshalbleitern hergestellt. GaAs-basierte VCSELs sind
für den
kurzwelligeren Bereich < 1,3 μm geeignet.
Die folgenden Lösungsansätze wurden
bisher verfolgt:
Ein Continuous-Wave VCSEL, der mit einer Leistung von
1 mW bei 1,55 μm
emittiert, ist beispielsweise aus einem InP-Substrat mit metamorphen Schichten bzw.
Spiegeln aufgebaut (IEEE Photonics Technology Letters, Volume 11,
Number 6, June 1999, Seiten 629 bis 631). Laterale Wellenführung wird
hier durch Protonenimplantation erzielt.
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Ein in einem einzigen epitaktischen
Wachstumsprozess erzeugter VCSEL mit einer Leistung von 0,45 mW
bei einer Wellenlänge
von 1,5 bis 1,6 μm
mit einem metamorphen Spiegel auf der lichtemittierenden Seite ist
aus "High Performance
1.6 μm Single-Epitaxy
Top-Emitting VCSEL",
(Conference on Lasers & Electro-Optics
(CLEO) 2000, San Francisco, USA, Post-Deadline Paper CPD 12, pp.
23–24) bekannt.
Strom- und Wellenführung
wurden hier mittels selektiver Oxidation erzielt.
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Ein VCSEL mit Luft-Halbleiterspiegel (InP-Luftspalt-DBRs,
für Distributed
Bragg Reflectors) ist in IEEE ISLC 2002, Seiten 145 bis 146 vorgeschlagen.
Hier ist zwischen der aktiven Zone und dem oberen DBR-Spiegel ein
Tunnelkontakt angebracht, wobei durch Unterätzen der Tunnelkontaktschicht
eine Strombegrenzung erreicht wird. Der den verbleibenden Tunnelkontaktbereich
umgebende Luftspalt dient zur Wellenführung des optischen Feldes.
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Weiterhin ist aus der Veröffentlichung
zur 26. European Conference on Optical Communication, ECOC 2000, „88°C, Con tinous-Wave
Operation of 1,55 μm
Vertical-Cavity Surface-Emitting
Lasers", ein VCSEL
mit Antimonid-basierten Spiegeln bekannt, bei dem eine unterätzte InGaAs-aktive
Zone von zwei n-dotierten InP-Schichten eingeschlossen ist, an die sich
AlGaAsSb-DBR-Spiegel anschließen.
Die selektive Unterätzung
bewirkt hier eine laterale Wellenführung.
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Die besten Eigenschaften hinsichtlich
Leistung, Betriebstemperaturbereich, Einmodenleistung und Modulationsbandbreite
weisen jedoch VCSELs mit vergrabenen Tunnelkontakten (engl.: Buried
Tunnel Junction, BTJ) auf. Herstellung und Struktur des vergrabenen
Tunnelkontakts sollen im Folgenden anhand 1 dargelegt werden. Mittels Molekularstrahlepitaxie
(engl.: Molecular Beam Epitaxy, MBE) wird ein hochdotiertes p+/n+-Schichtenpaar 101, 102 mit
geringem Bandabstand hergestellt. Zwischen diesen Schichten bildet
sich der eigentliche Tunnelkontakt 103 aus. Durch reaktives
Ionenätzen
(engl.: Reactive Ion Etching, RIE) wird ein kreisförmiger oder elliptischer
Bereich geformt, der im wesentlichen durch die n+-dotierte
Schicht 102, den Tunnelkontakt 103 sowie eines
Teils oder der gesamten p+-dotierten Schicht 101 gebildet
wird. Dieser Bereich wird in einem zweiten Epitaxiedurchlauf mit
n-dotiertem InP (Schicht 104) überwachsen, sodass der Tunnelkontakt 103 „vergraben" ist. Der Kontaktbereich
zwischen der überwachsenen
Schicht 104 und der p+-dotierten
Schicht 101 wirkt beim Anlegen einer Spannung als Sperrschicht.
Der Strom fließt
durch den Tunnelkontakt mit Widerständen von typisch 3 × 10–6 Ω cm2. Hierdurch kann der Stromfluss auf den
eigentlichen Bereich der aktiven Zone 108 beschränkt werden.
Weiterhin ist die Wärmeerzeugung
gering, da der Strom von einer hochohmigen p-dotierten zu einer
niederohmigen n-dotierten Schicht fließt.
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Die Überwachsung des Tunnelkontakts
führt zu
leichten Dikkenvariationen, die sich ungünstig auf die laterale Wellenführung auswirken,
sodass das Entstehen höherer
lateraler Moden insbesondere bei größeren Aperturen erleichtert
ist. Für
den – insbesondere
bei der glasfaseroptischen Kommunikationstechnik geforderten – Einmodenbetrieb
können daher
nur kleine Aperturen mit entsprechend geringer Laserleistung verwendet
werden.
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Beispiele und Anwendungen von VCSELs mit
vergrabenen Tunnelkontakten finden sich beispielsweise in „Low-threshold
index-guided 1,5 μm long
wavelength vertical-cavity surface-emitting laser with high efficiency", Rpplied Physics
Letter, Volume 76, Number 16, Seiten 2179 bis 2181 vom 17. April 2000,
in „Long
Wavelength Buried-Tunnel-Junction Vertical-Cavity Surface-Emitting
Lasers", Adv. in
Solid State Phys. 41, 75 bis 85, 2001, in "Vertical-cavity surfaceemitting laser
diodes at 1,55 μm
with large output power and high operation temperature", Electronics Letters,
Volume 37, Number 21, Seiten 1295 bis 1296 vom 11. Oktober 2001,
in „90°C Continuous-Wave
Ooperation of 1,83 μm
Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers", IEEE Photonics Technology Letters,
Volume 12, Number 11, Seiten 1435 bis 1437, November 2000, sowie
in "High-Speed modulation
up to 10 Gbit/s with 1,55 μm
wavelength InGaAlAs VCSELs",
Electronics Letters, Volume 38, Number 20, 26. September 2002. Zur
lateralen Wellenführung
dient hier eine laterale Variation der Resonatorlänge.
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Im Folgenden soll ausgehend von dem
beschriebenen Aufbau des vergrabenen Tunnelkontakts in 1 kurz die Struktur des
in der oben genannten Literatur behandelten InP-basierten VCSEL anhand 2 erläutert
werden.
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Der vergrabene Tunnelkontakt (BTJ)
ist in dieser Struktur umgekehrt angeordnet, sodass die aktive Zone
106 oberhalb
des Tunnelkontakts mit dem Durchmesser D
BTJ zwischen
der p
+-dotierten Schicht
101 und
der n
+-dotierten Schicht
102 gelegen ist.
Die Laserstrahlung tritt in der mit dem Pfeil
116 dargestellten
Richtung aus. Die aktive Zone
106 ist von einer p-dotierten
Schicht
105 (InAlAs) und von einer n-dotierten Schicht
108 (InAlAs)
umgeben. Der vorderseitige Spiegel
109 oberhalb der aktiven
Zone
106 besteht aus einem epitaxialen DBR mit etwa 35 Schichtpaaren
InGaAlAs/InAlAs, wodurch sich eine Reflektivität von etwa 99,4 ergibt. Der
hinterseitige Spiegel
112 besteht aus einem Stapel dielektrischer Schichten
als DBR und wird von einer Goldschicht abgeschlossen, wodurch sich
eine Reflektivität
von nahezu 99,75 ergibt. Eine Isolierschicht
113 vermeidet
den direkten Kontakt der n-InP-Schicht
104 mit der meist
aus Gold oder Silber bestehenden p-seitigen Kontaktschicht
114 (siehe
hierzu
DE 101 07 349 A1 ).
111 bezeichnet
die ringförmig
strukturierte p-seitige Kontaktschicht.
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Die Kombination aus dielektrischem
Spiegel 112 und der integrierten Kontaktschicht 114 und
Wärmesenke 115 resultiert
in einer stark erhöhten
Wärmeleitfähigkeit
verglichen mit epitaxialen Vielschichtstrukturen. Strom wird über die
Kontaktschicht 114 bzw. über die integrierte Wärmesenke 115 und den
n-seitigen Kontaktstellen 110 injiziert. Zu weiteren Einzelheiten
bezüglich
der Herstellung und den Eigenschaften der in 2 dargestellten VCSEL-Typen sei ausdrücklich nochmals
auf die oben zitierten Literaturstellen hingewiesen.
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Es besteht bei den vorgeschlagenen
VCSEL-Dioden, speziell für
den Wellenlängenbereich zwischen
etwa 1,3 bis 2 μm,
ein Bedürfnis,
deren laterales Strahlungsprofil durch eine laterale Wellenführung in
weiten Bereichen einstellen zu können. Die
Herstellung soll auch hier mit der üblichen epitaktischen Überwachsung
erfolgen, weshalb sich insbesondere Al-freie InP-basierte VCSELs
für Wellenlängen oberhalb
1 μm eignen.
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In GaAs-basierten VCSELs, die jedoch
nur im Wellenlängenbereich
unterhalb etwa 1,3 μm
eingesetzt werden können,
wird die laterale Wellenführung
durch selektiv oxidierte AlAs-Schichten
erzeugt (vergl. "Advances
in Selective Wet Oxidation of AlGaAs Alloys", in IEEE Journal of Selected Topics
in Quantum Electronics, Vol. 3, No. 3, June 1997, pages 916 – 926).
Der dort behandelte VCSEL besteht aus GaAs-AlGaAs-Vielschichten, die
epitaktisch mittels metallorganischer Dampfphasenepitaxie (MOVPE
= Metal Organic Vapor Phase Epitaxy) hergestellt werden. Durch Nassoxidation
der AlGaAs-Schichten werden
vergrabene Oxidschichten gebildet, die eine unoxidierte Apertur
im Zentrum des VCSEL freilassen. Diese Methode konnte bisher noch
nicht mit Erfolg auf die InP-basierten VCSELs übertragen werden, da hier AlAs
aufgrund der Gitterkonstanten-Fehlanpassung nicht bzw. nur in zu
dünnen Schichten
aufgebracht werden kann und andere oxidierbare Materialien, wie
z. B. AlGaSb, bislang noch keine ausreichende Qualität der Oxidschicht
ergaben. Daher wurden bei den langwelligen VCSELs andere Methoden
zur lateralen Wellenführung
eingesetzt, wie z. B. laterale Variation der Resonatorlänge, selektiv
abgeätzte
Schichten, Protonenimplantation oder metamorphe AlAs-Schichten,
wie oben im Zusammenhang mit den Literaturstellen bereits dargelegt.
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Ziel der Erfindung ist es nunmehr,
eine insbesondere InP-basierte
oberflächenemittierende
Laserdiode anzugeben, die sich preiswert und mit hoher Ausbeute
fertigen lässt,
und deren laterales Strahlungsprofil durch eine laterale Wellenführung in
weiten Bereichen eingestellt werden kann. Außerdem soll der laterale Einmodenbetrieb
auch bei größeren Aperturen
stabil und mit höherer
Leistung möglich sein.
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Dieses Ziel wird erreicht durch das
beanspruchte erfindungsgemäße Verfahren
zur Herstellung einer Wellenleiterstruktur in einem oberflächenemittierenden
Halbleiterlaser sowie durch den beanspruchten oberflächenemittierenden
Halbleiterlaser gemäß Erfindung.
Weitere Ausgestaltungen ergeben sich aus den jeweiligen Unteransprüchen und der
nachfolgenden Beschreibung.
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Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung
einer Wellenleiterstruktur in einem oberflächenemittierenden Halbleiterlaser
mit einer einen pn-Übergang
aufweisenden aktiven Zone, umgeben von einer ersten n-dotierten
Halbleiterschicht und mindestens einer p-dotierten Halbleiterschicht,
und mit einem Tunnelkontakt auf der p-Seite der aktiven Zone, der
an eine zweite n-dotierte Halbleiterschicht grenzt, schlägt vor,
zunächst
in einem ersten epitaktischen Wachstumsprozess auf die mindestens
eine p-dotierte Halbleiterschicht eine n-dotierte Sperrschicht aufzubringen,
die anschließend
zum Teil zur Ausbildung einer Apertur abgetragen wird, um dann in
einem zweiten epitaktischen Wachstumsprozess die für den Tunnelkontakt
vorgesehene Schicht auf die Sperrschicht sowie die Apertur aufzubringen.
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Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren
ergibt sich demnach folgende epitaktische Struktur außerhalb
des Bereichs der Apertur (von unten nach oben): die an die aktive
Zone grenzende p-dotierte Halbleiterschicht, die n-dotierte Sperrschicht,
der aus einer hoch p- und n-dotierten Halbleiterschicht bestehende
Tunnelkontakt sowie die zweite n-dotierte Halbleiterschicht.
In dieser überwachsenen
Struktur kann der elektrische Strom (Polung oben +, unten –) nur noch
im Bereich der Apertur (ohne Sperrschicht) fließen, da außerhalb eine sperrende p-n-p-n-Struktur
entstanden ist. Insbesondere ist die Grenzfläche zwischen Sperrschicht und
der n-dotierten Halbleiterschicht zwischen Sperrschicht und aktiver
Zone gut sperrend. Dadurch wird der laseraktive Bereich innerhalb
der aktiven Zone oder laseraktiven Schicht lateral weitgehend durch
Form und Größe der Apertur
bestimmt. Gleichzeitig kann eine ebenfalls durch die Apertur bestimmte
laterale Wellenführung
durch entsprechende Wahl der Schichtdicke der Sperrschicht erzeugt
werden, die daher lateral exakt auf den laseraktiven Bereich justiert
ist (automatische Selbstjustage).
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Die erfindungsgemäße Sperrschicht besteht aus
einem n-dotierten
Material, das vorzugsweise selektiv gegen das Material der angrenzenden
p-dotierten Halbleiterschicht ätzbar
ist. Beispielsweise besteht diese p-dotierte Halbleiterschicht aus
InP und die Sperrschicht aus InGaAsP. In einem Lithographie- und Ätzprozess
wird eine runde, elliptische, quadratische, rechteckige oder anderweitig
dimensionierte Apertur in der Sperrschicht, durchgehend bis auf
die angrenzende p-dotierte Halbleiterschicht erzeugt.
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Es ist zu beachten, dass die Tunnelkontaktschicht
aufgrund der für
den Tunneleffekt erforderlichen hohen Dotierungen und/oder niedrigen Bandabständen im
allgemeinen für
die Laserstrahlung stark absorbierend wirkt. Deshalb ist es zweckmäßig, innerhalb
der Apertur, also im laseraktiven Bereich, die aktive Zone in ein
Maximum der vertikalen Intensitätsverteilung
der elektrischen Feldstärke zwecks
Verstärkungsmaximierung
zu legen, während
der Tunnelkontakt innerhalb der Apertur in ein Minimum der vertikalen
Intensitätsverteilung
der elektrischen Feldstärke
zwecks Verlustminimierung zu legen ist. Die vertikale Position der
Tunnelkontaktschicht außerhalb
der Apertur hängt
hingegen von der Dicke der Sperrschicht ab und kann z. B. in einem Maximum
des Feldes oder in einem Minimum des Feldes liegen. Entsprechend
kann die Schichtdicke der Sperrschicht in einem Bereich von nahezu
0 bis zum Abstand eines Minimums bis zum nächsten Maximum des Feldes (=
halber Abstand aufeinanderfolgender Maxima oder Minima) gewählt werden.
Es kann zweckmäßig sein,
die Sperrschicht aus mehreren Einzelschichten zusammenzusetzen.
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Wie weiter unten im Zusammenhang
mit den Ausführungsbeispielen
näher erläutert wird,
wird in dem Fall, dass die vertikale Position des Tunnelkontakts
außerhalb
der Apertur in einem Maximum des Feldes liegt, der Grundmode auf
die Apertur eingeengt und höhere
Moden werden wegen Ihrer stärkeren
Feldausläufer
im Außenbereich
stark gedämpft und
können
daher nicht anschwingen. Wird die Dicke der Sperrschicht hingegen
sehr klein gewählt,
so dass die vertikale Position des Tunnelkontakts außerhalb
der Apertur in einem Minimum des Feldes liegt, entsteht keine oder
nur eine geringe Wellenführung.
Durch Wahl der Schichtdicke der Sperrschicht, insbesondere in dem
genannten Bereich, lässt
sich somit die laterale Wellenführung
und Modenselektion in weiten Bereichen stetig einstellen.
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Weitere, insbesondere aus den Unteransprüchen sich
ergebende Ausgestaltungen der Erfindung sollen zweckmäßigerweise
im folgenden im Zusammenhang mit den nachfolgenden Ausführungsbeispielen
erläutert
werden. Die Ausgestaltungen der Erfindung sind jedoch keinesfalls
auf die behandelten konkreten Ausführungsformen beschränkt.
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1 zeigt
schematisch die Struktur eines vergrabenen Tunnelkontakts für einen
oberflächenemittierenden
Halbleiterlaser gemäß Stand
der Technik,
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2 zeigt
schematisch die Struktur eines bekannten oberflächenemittierenden Halbleiterlasers
mit vergrabenem Tunnelkontakt,
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3 zeigt
eine typische epitaktische Ausgangsstruktur für den erfindungsgemäßen oberflächenemittierenden
Halbleiterlaser,
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4 zeigt
die Ausgangsstruktur von 3 mit
in die oberste Schicht eingebrachter Apertur,
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5 zeigt
die Struktur aus 4 nach Überwachsen
mit weiteren Schichten,
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6 zeigt
eine Alternative zur Struktur gemäß 5
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7 zeigt
schematisch den fertiggestellten erfindungsgemäßen Halbleiterlaser,
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8 zeigt
eine mögliche
Schichtanordnung mit Bezug auf den Feldverlauf und
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9 zeigt
eine alternative Schichtenpositionierung bezogen auf den Feldverlauf.
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Herstellung und Struktur eines bekannten BTJ-VCSEL
wurden bereits im Zusammenhang mit den 1 und 2 in
der Beschreibungseinleitung näher
erläutert.
Im folgenden sollen daher insbesondere die Unterschiede der Herstellung
sowie der Struktur des erfindungsgemäßen Halbleiterlasers hervorgehoben
werden.
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3 zeigt
eine typische epitaktische Ausgangsstruktur für den erfindungsgemäßen WG-VCSEL
(WG = Waveguide). Dargestellt ist das Substrat 1, auf das
in einem ersten epitaktischen Wachstumsprozess nacheinander als
n-dotierte Halbleiterschicht ein epitaktischer Bragg-Spiegel 2,
eine aktive Zone 3 und eine p-dotierte Halbleiterschicht 4 aufgebracht wird.
Das Substrat besteht in diesem Beispiel aus n-dotiertem InP. Die
p-dotierte Halbleiterschicht ist hier eine InP oder InAlAs-Schicht.
Optional kann für den
Fall, dass die Schicht 4 aus InAlAs besteht, eine weitere
p-dotierte InP oder InGaAs-Schicht 5 vorgesehen sein. Auf
die p-dotierte Halbleiterschicht wird nunmehr erfindungsgemäß eine n-dotierte
Sperrschicht 6 aufgebracht. Die Sperrschicht 6 besteht vorzugsweise
aus einem Material, welches sich selektiv gegen das Material der
p-dotierten Schicht 5 oder der Schicht 4, falls
Schicht 5 fehlt, ätzen
lässt. Beispielsweise
besteht die angrenzende Schicht 4 bzw. 5 aus InP
und die Sperrschicht 6 aus InGaAsP.
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4 zeigt
das Ergebnis des nachfolgenden Lithografie- und Ätzprozesses, währenddessen
eine runde, elliptische, quadratische, rechteckige oder anderweitig
dimensionierte Apertur 10, die Sperrschicht 6 durchgehend
bis auf die angrenzende p-dotierte Halbleiterschicht 5,
erzeugt wird. In 4 handelt
es sich beispielsweise um eine runde Apertur 10 mit dem
Kreisdurchmesser w, wobei der verbleibende kreisringförmige Bereich
der Schicht 6 im folgenden mit 6a bezeichnet ist.
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Ähnlich
wie bei den bekannten, oben erläuterten
BTJ-VCSELs werden in einem zweiten Epitaxieschritt zunächst die
für den
Tunnelkontakt 7 vorgesehene Schicht, bestehend beispielsweise
aus jeweils einer hoch p- und n-dotierten InGaAs-Schicht, eine obere
n-dotierte Confinement-Schicht 8, die vorzugsweise aus
InP besteht, und eine optionale n-Kontaktschicht 9, bestehend
vorzugsweise aus hoch n-dotiertem InGaAs, aufgebracht. Die 5 und 6 zeigen zwei alternative Ergebnisse,
wobei je nach Prozessparametern oder je nach Epitaxieverfahren die
laterale Strukturierung der Apertur 10 eingeebnet (5) oder weitgehend beibehalten (6) werden kann. Epitaxieverfahren
sind beispielsweise MBE (Molecular Beam Epitaxy), CBE (Chemical
Beam Epitaxy), MOVPE (Metal Organic Vapour Phase Epitaxy).
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Wie bereits erläutert, kann in der überwachsenen
Struktur der elektrische Strom (Polung: oben +, unten –) nunmehr
nur noch im Bereich der Apertur 10 fließen, da außerhalb dieser Apertur 10 eine
sperrende p-n-p-n-Struktur der Halbleiterschichten 5, 6, 7 und 8 entstanden
ist. Insbesondere ist die Grenzfläche 10a zwischen der
p-dotierten Halbleiterschicht und der Sperrschicht 6 gut
sperrend. Dadurch wird der laseraktive Bereich innerhalb der laseraktiven Schicht 3 lateral
weitgehend durch Form und Größe der Apertur 10 bestimmt.
Gleichzeitig kann eine ebenfalls durch die Apertur 10 bestimmte
laterale Wellenführung
durch entsprechende Wahl der Schichtdicke der Sperrschicht 6 erzeugt
werden, die daher lateral exakt auf den laseraktiven Bereich justiert
ist. Dies sei anhand der 8 und 9 erläutert: In 8 beträgt die Schichtdicke d der Sperrschicht 6a etwa
gleich dem halben Abstand zweier Minima in der vertikalen Intensitätsverteilung
der elektrischen Feldstärke,
wie sie am rechten Rand der vergrößert dargestellten Schichtstruktur
aufgetragen ist. Die in 8 dargestellte
Struktur ermöglicht
eine starke Wellenführung.
Schwache Wellenführung
erhält
man mit einer Struktur gemäß 9 bei sehr geringer Schichtdicke
d der ringförmigen
Sperrschicht 6a.
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Es ist zu beachten, dass die Tunnelkontaktschicht 7 aufgrund
der für
den Tunneleffekt erforderlichen hohen Dotierungen und/oder niedrigen Bandabständen im
allgemeinen für
die Laserstrahlung stark absorbierend wirkt. In allen Fällen werden innerhalb
der Apertur 10, d. h. im laseraktiven Bereich, die aktive
Schicht 3 (Schnitt A in 8 und 9) und der Tunnelkontakt 7 im
Bereich der Apertur 10 (Schnitt B in Bildern 8 und 9)
in ein Maximum bzw. in ein Minimum gelegt. Die im Maximum liegende
aktive Zone erfährt
somit eine Verstärkungsmaximierung, während der
im Minimum liegende Tunnelkontakt zur Verlustminimierung führt.
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Die vertikale Position des Tunnelkontakts 7 außerhalb
der Apertur 10 (Schnitt C) hängt hingegen von der Dicke
d der Sperrschicht 6a ab und kann zum Beispiel in einem
Maximum des Feldes (Bild 8) oder in einem Minimum des Feldes (Bild
9) liegen. Im ersten Fall erfährt
der Teil des Laserfeldes, der sich im Außenbereich (außerhalb
Apertur 10) befindet, eine starke Dämpfung und/oder eine Variation
der effektiven Brechzahl, sofern die Brechzahl der Tunnelkontaktschicht 7 sich
von der der Mantelschicht/Confinement-Schicht 8 unterscheidet.
Durch den radialen Gradienten der optischen Verstärkung bzw.
die Verluste am Rande der Apertur 10 wird der Grundmodus auf
die Apertur 10 eingeengt und höhere Moden werden wegen ihrer
stärkeren
Feldausläufer
im Außenbereich
stark gedämpft
und können
daher nicht anschwingen. Die Struktur gemäß 8 erlaubt daher einen Einmoden-Betrieb
mit hoher Laserleistung.
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Der andere Extremfall der schwachen
Wellenführung
ist in 9 dargestellt.
Wird die Dicke d der Sperrschicht 6a sehr klein gewählt, entsteht
keine bzw. nur eine geringe Wellenführung. Die Dämpfung außerhalb
der Apertur 10 ist gering und höhere Moden werden weniger stark
gedämpft
und können
anschwingen.
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Die 8 und 9 zeigen, dass durch Wahl
der Schichtdicke d der erfindungsgemäßen Sperrschicht 6a sich
die laterale Wellenführung
und Modensektion im erfindungsgemäßen WG-VCSEL in weiten Bereichen
stetig einstellen lassen.
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7 zeigt
schließlich
die Struktur des fertigen erfindungsgemäßen Halbleiterlasers mit Wellenführung (WG-VCSEL),
wobei die Prozessierung dieser Struktur ausgehend von derjenigen
in der 5 und 6 der von den BTJ-VCSELs
her bekannten Technik, die in der Beschreibungseinleitung ausführlich behandelt
wurde, entspricht. Auf eine detaillierte Beschreibung soll deshalb
hier verzichtet werden. Beim fertigen WG-VCSEL wurde das ursprüngliche n-InP-Substrat 1 vollständig entfernt
und ein n-seitiger Kontakt 15 aufgebracht. Auf der n-dotierten
Confinement-Schicht 8 befindet sich eine ringförmige p-seitige
Kontaktschicht 9a, die ei nen dielektrischen Spiegel 12 einschließt. Der
p-seitige Kontakt 11 (z.B. Au/Ti/Pt/Au) ist über eine
Isolations- und Passivierungsschicht 14 (z.B. aus Si3N4 oder Al2O3) von der n-dotierten
Confinement-Schicht 8 getrennt. Auf dieser Struktur befindet
sich die umgebende integrierte Gold-Wärmesenke 13.
Der n-seitige Kontakt 15 besteht beispielsweise aus Ti/Pt.
Auf dessen Seite tritt das Laserlicht aus dem Halbleiterlaser aus.
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Abschließend sei darauf hingewiesen,
dass die aktive Zone 3, die hier als homogene Schicht dargestellt
ist, meistens aus einer Schichtenstruktur von beispielsweise 11 dünnen Schichten
(5 Quantenfilm und 6 Barrierenschichten) besteht.
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Die Erfindung erlaubt die Herstellung
eines VCSEL mit Wellenleiterstruktur mit einem stetig einstellbaren
Bereich der lateralen Wellenführung
und der Modenselektion. Die Einmoden-Leistung ist im Vergleich zu
bisherigen Laserdioden erhöht.