DE1029937B - Process for the production of tip diodes of the smallest dimensions - Google Patents

Process for the production of tip diodes of the smallest dimensions

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DE1029937B
DE1029937B DEI7646A DEI0007646A DE1029937B DE 1029937 B DE1029937 B DE 1029937B DE I7646 A DEI7646 A DE I7646A DE I0007646 A DEI0007646 A DE I0007646A DE 1029937 B DE1029937 B DE 1029937B
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DE
Germany
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tip
embedding
crystal
resin
diode
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DEI7646A
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Inventor
Werner Hoelzemann
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Kieler Howaldtswerke AG
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Kieler Howaldtswerke AG
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    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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Description

Verfahren zur Herstellung von Spitzendioden kleinster Abmessungen Bei den bekannten Spitzendioden ist in einer isolierenden Halterung einerseits der Kristall und andererseits der federnde Kontaktdraht untergebracht. Eine solche Spitzendiode besteht aus einem kugelförmigen Kunstharzkörper kleinster Abmessung, der Kristall und Spitze enthält. Die Lage der Spitze auf dem Halbleiterkristall wurde durch Kunstharz fixiert. Die ganze Spitzendiode wurde dann in ein thermoplastisches Material eingebettet.Process for the production of tip diodes of the smallest dimensions In the case of the known tip diodes, the one hand is in an insulating holder Crystal and on the other hand the resilient contact wire housed. Such a top diode consists of a spherical synthetic resin body of the smallest dimensions, the crystal and lace includes. The location of the tip on the semiconductor crystal was made by synthetic resin fixed. The entire tip diode was then embedded in a thermoplastic material.

Die bekannte Umhüllung des Kristalls und der Spitze erfolgt durch Eintauchen in ein Polymerisationsprodukt, durch Ausfüllen einer Form mit einer plastischen Masse oder durch eine Kunstharzschale, die einen Vakuumraum umgibt, in dem sich Kristall und Nadel befinden.The well-known coating of the crystal and the tip is carried out by Immersion in a polymerisation product by filling a mold with a plastic one Ground or by a synthetic resin shell that surrounds a vacuum space in which Crystal and needle are located.

Die bekannten Spitzendioden sind nicht in großem Ausmaß unempfindlich, und ihre Kennlinie bleibt sowohl nach großer Beschleunigung als auch nach großen Temperaturschwankungen nicht bestehen., da die Einbettungsmasse Lageveränderungen der Spitze zum Kristall zuläßt.The known tip diodes are not insensitive to a large extent, and its characteristic remains both after great acceleration and after great acceleration Temperature fluctuations do not exist, because the embedding material changes in position the tip to the crystal admits.

Durch das erfindungsgemäße Verfahren wird eine stabile Diode geschaffen, die beschleunigungsfest und im großen Ausmaß temperaturunabhängig ist. Sie besitzt außerdem kleinste Abmessungen. Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß die Justierung von Kristall und Spitze in einer Vorrichtung vorgenommen wird, in der sowohl die Lage des Kristalls als auch der Spitzenelektrode für sich unter gleichzeitiger Bestimmung der Gleichrichtercharakteristik eingestellt wird und dann die Fixierung des Kristall- und Nadelsystems durch vollständige Umhüllung mit Gießharz erfolgt, Die so fixierte und mit Gießharz vollständig umhüllte Diode wird zusammen mit der Justiervorrichtung zum Aushärten des Gießharzes in einen Wärmeofen gebracht, wonach der Rohling aus der Justiervorrichtung herausgenommen und in eine mehrteilige Form zusammen mit Einbettungsmasse eingebracht wird. Diese Masse besteht aus Kunstharz, und die Einbettung erfolgt in der geschlossenen Form unter Druck. Die geschlossene Form wird erneut in einen Wärmeofen einsgebracht, bis das Einbettungsgießharz sich verfestigt hat.The method according to the invention creates a stable diode, which is resistant to acceleration and to a large extent independent of temperature. she owns also the smallest dimensions. This object is achieved in that the adjustment of crystal and tip is made in a device in which both the Position of the crystal as well as the tip electrode separately with simultaneous determination the rectifier characteristic is set and then the fixation of the crystal and needle system is carried out by completely encasing it with casting resin, which is thus fixed and the diode completely encased in casting resin is used together with the adjustment device Brought to harden the casting resin in a heating furnace, after which the blank from the adjusting device and taken out in a multi-part form together with Embedding compound is introduced. This mass consists of synthetic resin, and the embedding takes place in the closed form under pressure. The closed shape becomes again placed in a heating furnace until the encapsulant has solidified.

Die vollständige Einbettung der fixierten und in der ersten Schicht ausgehärteten Diode in eine mehrteilige Form, in der unter Druck die Einbettung ausgehärtet wird, ermöglicht die Erzeugung einer stabilen und beschleunigungsfesten Diode. Durch die Einbettung der mit der ersten Schicht versehenen Diode und die Erwärmung der Einbettungsmasse wird die Fixierungsmasse wieder weich, aber durch die vorhandenen Druckverhältnisse bleibt die Fixierung in der ursprünglichen Form bestehen, und die Einbettungsmasse verbindet sich mit der Fixierungsmasse, so daß die fertiggestellte Diode trotz der Aufbringung und Aushärtung von mehreren Schichten eine homogene Masse darstellt.The complete embedding of the fixed and in the first layer cured diode in a multi-part form in which, under pressure, embedding is hardened, enables the production of a stable and acceleration-resistant Diode. By embedding the diode provided with the first layer and the When the embedding compound is heated, the fixing compound becomes soft again, but through the existing pressure conditions, the fixation remains in its original form exist, and the embedding compound combines with the fixing compound, so that the finished diode despite the application and curing of several layers represents a homogeneous mass.

Die mehrteilige, vorzugsweise zweiteilige Form zur Einbettung des Rohlings in gepreßtes Gießharz ist mit einem dünnen Steigkanal vom die Diode umschließenden Rauin nach außen versehen.The multi-part, preferably two-part form for embedding the Blank in molded resin is with a thin riser channel surrounding the diode Rough to the outside.

Die Hauptmasse des Harzes im Innern der Form benötigt zur Aushärtung längere Zeit und befindet sich also, nachdem der Steigkanal geschlossen ist, unter Druck, wodurch verhindert wird, daß sich die Spitze vom Kristall trennt. Es wird dann his auf ?00° C erhitzt und der Ofen abgeschaltet. Nach dem Abschalten des Ofens verbleibt die Gießform mit der Diode bis zur völligen oder nahezu völligen Abkühlung ini Ofen. Würde die Form sofort aus dem heißen Ofen entnommen und damit abgeschreckt werden, so könnte der gute Kontakt zwischen den beiden, Elektroden. der Diode eine Störung erfahren. Deswegen ist es zweckmäßig, bei manchen Gießharzen sogar notwendig, daß die Abkühlung langsam erfolgt.The bulk of the resin inside the mold needs to be hardened for a long time and is therefore below after the riser channel is closed Pressure, which prevents the tip from separating from the crystal. It will then heated to? 00 ° C and the oven switched off. After switching off the oven the mold remains with the diode until it has completely or almost completely cooled down ini oven. The mold would be immediately removed from the hot oven and quenched with it so could the good contact between the two, electrodes. the diode one Experience disruption. Therefore it is useful, with some casting resins even necessary, that the cooling takes place slowly.

Als Gießharze werden zweckmäßig flüssige Harze auf der Basis ungesättigter Polyester verwendet, und zwar vorzugsweise mit einem Zusatz von etwa 50 % Ouarzmehl. Grundsätzlich lassen sich auch andere Gießharze verwenden, und es gehört zu den Aufgaben des Fachmannes, jeweils das geeignete Gießharz zu erproben in Abhängigkeit von dein verwendeten Kristall und der verwendeten Gegenelektrode. Für Spitzendioden aus Germanium mit Stahlspitze haben sich Gießharze auf der Basis ungesättigter Polyester mit einem 50%igen Zusatz von Quarzmehl bisher am geeignetsten erwiesen.Liquid resins based on unsaturated compounds are expediently used as casting resins Polyester is used, preferably with an addition of about 50% ouarz flour. In principle, other casting resins can also be used, and it is one of the Tasks for the person skilled in the art to test the suitable casting resin depending on the situation of your crystal and the counter electrode used. For tip diodes Casting resins based on unsaturated polyester are made from germanium with a steel tip with a 50% addition of quartz powder has so far proven to be the most suitable.

Claims (3)

PATENTANSPRÜCHE: 1. Verfahren zur Herstellung von. Spitzendioden kleinster Abmessungen, bei dem ein mit einer Ableitung versehener Halbleiterkristall und eine ebenfalls mit einer Ableitung versehene Spitze nach der Fixierung in Kunstharz eingebettet werden, dadurch gekennzeichnet, daß die Justierung von Kristall und Spitze in einer Vorrichtung vorgenommen. wird, in der sowohl die Lage des Kristalls als auch die der Spitzenelektrode für sich unter gleichzeitiger Bestimmung der Gleichrichtercharakteristik eingestellt wird und dann die Fixierung des Kristall- und Nadelsystems durch vollständige Umhüllung mit Gießharz erfolgt, und daß die so fixierte und mit Gießharz vollständig umhüllte Diode mit der justiervorrichtung zum Aushärten des Gießharzes in einen Wärmeofen gebracht wird, wonach der Rohling aus der Justiervorrichtung herausgenommen und in eine mehrteilige, vorzugsweise zweiteilige Form, zusammen mit Einbettungsmasse eingebracht wird und die Einbettung in die Kunstharzmasse in der geschlossenen Form unter Druck erfolgt, und dann die geschlossene Form erneut in einen Wärmeofen eingesetzt wird. bis das Einbettungsgießharz sich verfestigt hat. PATENT CLAIMS: 1. Process for the production of. Smallest tip diodes Dimensions in which a semiconductor crystal provided with a derivative and a Also with a lead-off tip embedded in synthetic resin after fixation are, characterized in that the adjustment of crystal and tip in one Device made. in which both the location of the crystal and the the tip electrode for itself with simultaneous determination of the rectifier characteristics is set and then the fixation of the crystal and needle system by complete Encasing with casting resin takes place, and that the so fixed and completely with casting resin encased diode with the adjusting device for curing the casting resin in one Heating furnace is brought, after which the blank is removed from the adjusting device and in a multi-part, preferably two-part form, together with embedding compound is introduced and the embedding in the synthetic resin compound in the closed form takes place under pressure, and then the closed form is again placed in a heating furnace will. until the embedding resin has solidified. 2. Vorrichtung zur Ausübung des Verfahrens nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die mehrteilige, vorzugsweise zweiteilige Form zur Einbettung des Rohlings in gepreßtes Gießharz mit einem dünnen Steigkanal vom die Diode umschließenden Raum nach außen versehen ist. 2. Apparatus for exercising of the method according to claim 1, characterized in that the multi-part, preferably two-part mold for embedding the blank in molded resin with a thin Riser channel is provided from the space surrounding the diode to the outside. 3. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch die Verwendung eines Gießharzes, das auf ungesättigter Polyesterbasis mit einem Zusatz von Quarzmehl, vornehmlich 500/o, hergestellt ist. In Betracht gezogene Druckschriften: USA.-Patentschriften Nr. 2475940, 2586609; französische Patentschrift Nr. 971597; Zeitschrift »Funkschau«, 1953, Heft 10, S. 174; Zeitschrift »Electronics«, August 1952, S.25; Zeitschrift »The Bell System Technical Journal; 1952, Bd. 31, Heft 3, S.415; »Neue Züricher Zeitung«, Fernausgabe vom 9. 7. 1953, Nr. 186, Blatt B.3. Procedure according to claim 1, characterized by the use of a casting resin based on unsaturated Polyester base with an addition of quartz powder, mainly 500 / o, is made. References considered: U.S. Patent Nos. 2475940, 2586609; French Patent No. 971597; "Funkschau" magazine, 1953, issue 10, p. 174; Electronics magazine, August 1952, p.25; The Bell System magazine Technical journal; 1952, Vol. 31, Issue 3, p.415; "Neue Züricher Zeitung", remote edition dated July 9, 1953, No. 186, sheet B.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1195411B (en) * 1960-05-10 1965-06-24 Intermetall Semiconductor component with firmly adhering surface protective layer on the semiconductor body

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US2475940A (en) * 1945-04-28 1949-07-12 Gen Electric Co Ltd Crystal contact
FR971597A (en) * 1947-09-17 1951-01-18 Gen Electric Co Ltd Crystal contact device
US2586609A (en) * 1950-05-27 1952-02-19 Sylvania Electric Prod Point-contact electrical device

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