DE10253162A1 - Verfahren zum Spülen einer optischen Linse - Google Patents
Verfahren zum Spülen einer optischen Linse Download PDFInfo
- Publication number
- DE10253162A1 DE10253162A1 DE10253162A DE10253162A DE10253162A1 DE 10253162 A1 DE10253162 A1 DE 10253162A1 DE 10253162 A DE10253162 A DE 10253162A DE 10253162 A DE10253162 A DE 10253162A DE 10253162 A1 DE10253162 A1 DE 10253162A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- gas
- lens
- gas mixture
- line
- measurement
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70925—Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70933—Purge, e.g. exchanging fluid or gas to remove pollutants
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
Mittels eines Gerätes (60) zur Bestimmung von Anteilen einer Substanz in einem Gas oder Gasgemisch werden Messungen an dem Gas oder Gasgemisch zum Spülen einer Linse (10) in einem Projektionsapparat (41) für die Projektion von Strukturen auf ein Substrat (100) durchgeführt. Dabei werden die Resultate einer ersten Messung an dem der Linse (10) zugeführten Gas mit den Resultaten einer Messung des von der Linse (10) abgeführten Gases miteinander verglichen. Handelt es sich insbesondere um eine kontaminierende Substanz, die zu einer Abscheidung auf der Linse (10) unter dem Einfluß hochenergetischer Strahlung durch eine Beleuchtungsquelle (14) führt, so kann aus der Differenz auf nachteilhaft zu der Abscheidung führende photochemische Reaktionen an der Oberfläche der Linse (10) geschlossen werden. Ein Signal wird infolge des Vergleiches generiert, mit dem vorbeugende Maßnahmen gegen eine Degradation der Linse (10) getroffen werden können. Als Meßgeräte (60) können Massenspektrometer, elektrische oder optische Sensoren sowie weitere bekannte Verfahren zur Substanzanalyse eingesetzt werden.
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Spülen einer optischen Linse in einem Projektionsapparat zur Belichtung eines mit einem photoempfindlichen Lack beschichten Substrates mittels eines Gases oder Gasgemisches zur Vermeidung von Ablagerungen auf der Linse.
- Zur Projektion von Strukturen auf ein mit einem photoempfindlichen Lack beschichtetes Substrat bei der Halbleiterherstellung werden üblicherweise Linsensysteme verwendet, die aus einer Vielzahl von Einzellinsen zusammengesetzt sind. Diese dienen dazu, die mit Licht durchstrahlten Strukturen einer Maske mit hohem Kontrast in den photoempfindlichen Lack abzubilden. Zur Vermeidung von Kontaminationen sind diese Linsensysteme in eigens dafür eingerichteten Gehäusen luftdicht abgeschlossen und werden beispielsweise mit hochreiner, getrockneter Luft oder mit Stickstoff umspült. Diese Gase oder Gasgemische weisen eine besonders geringe Wechselwirkung mit dem Linsenmaterial auf, so daß ungewünschte Abscheidungen auf der Linsenoberfläche vermieden werden können.
- Nach einem längeren Gebrauch der Linsen etwa in Form von Belichtungen von Halbleiterwafern mittels Projektion von Strukturen bei Wellenlängen von z.B. 365 nm und weniger treten jedoch immer häufiger Linsendegradationen auf. Ursachen hierfür können in internen oder externen Quellen der Kontamination liegen. Interne Quellen von kontaminierenden Gas oder Gasgemischen sind beispielsweise Öle oder Dichtungsringe, die beim Zusammenbau der Linsensysteme in den Gehäusen verwendet werden und allmählich ausgasen.
- Externe Quellen werden beispielsweise durch die nicht immer ganz kontaminationsfreie Reinraumluft in der Umgebung der Projektionsapparate, beispielsweise Waferstepper oder Scan ner, verursacht. Einerseits kann die Dichtigkeit der Linsengehäuse sowie der Zuleitungen mit der Zeit nachlassen, andererseits können die Substanzen aus der Umgebung auch in die für die Spülung vorgesehen Gas- oder Gasgemischquellen gelangen.
- Durch den Übergang der für die Belichtung eingesetzten Wellenlängen von 365 nm (i-line) in der Vergangenheit auf 248 nm (KrF), 193 nm (ArF), 157 nm (F2) und weiter zu noch kleineren Wellenlängen hin steigt auch der Energiedurchsatz durch die Linsen. Insbesondere die durch Energie induzierten Wechselwirkungen der Linsenoberfläche mit den umgebenden Gasen nimmt in weiterer Zukunft deutlich zu mit der Folge, daß verstärkt mit Abscheidungen und daher mit Trübungs- und Degradationseffekten der Linse zu rechnen ist. Die Wirkung von degradierten Linsen kann in dem Verschwinden oder dem Umfallen von Bahnen in den Lackschichten oder in den Rückständen von Lackresten bestehen. Die sich in Linsenaberrationen niederschlagenden Effekte sind schwer zu qualifizieren und führen damit bis zur Erkennung der Probleme zu einem hohen Grad an Produktausfällen (Ausbeute- oder Yield-verlust).
- Die Öle werden beispielsweise durch hochenergetische Strahlung als ausgedehnte Flecke auf den Linsenoberflächen eingebrannt. Bei CaF-Linsen für die Verwendung von Wellenlängen bei 193 nm sind Trübungseffekte bekannt, die durch photochemische Reaktionen des Gasgemisches zur Bildung schwefel- oder phosphorhaltiger Salze auf der Linsenoberfläche führen.
- Zur frühzeitigen Erkennung dieser Probleme wurden bisher sogenannte Inline-Tests durchgeführt, bei denen Probebelichtungen von mit einem photoempfindlichen Lack beschichteten Halbleiterwafer mit Hilfe eines oder mehrerer Testretikel bzw. -masken durchgeführt wurden. Das Feststellen einer Fokusdrift möglicherweise in Abhängigkeit von den Strukturgrößen galt hierbei als Hinweis für eine zunehmende Degradation der Linse aufgrund von Kontaminationen in den zugeführten Gasen oder Gasgemischen für die Spülung der Linsen. Wie eingangs beschrieben wurde, benötigen diese Tests jedoch wertvolle Gerätezeit und ermöglichen zudem nur eine Erkennung der Fehler im Nachhinein.
- Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ein Mittel bereitzustellen, mit dem Linsendegradationen frühzeitig erkannt sowie vorgebeugt werden können. Es ist desweiteren eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung die Ausbeute bei der Halbleiterherstellung zu erhöhen und die Produktivität eines Projektionsapparates zur Belichtung von Substraten zu verbessern.
- Die Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren zum Spülen einer optischen Linse in einem Projektionsapparat zur Belichtung eines mit einem photoempfindlichen Lack beschichteten Substrates mittels eines Gases oder Gasgemisches zur Vermeidung von Ablagerungen auf der Linse, umfassend die Schritte: Bereitstellen einer Quelle für das Gas oder Gasgemisch, Befördern des Gases oder Gasgemisches zu der Linse in dem Projektionsapparat, erstes Messen wenigstens eines ersten Anteiles einer Substanz an dem Gas oder Gasgemisch, Spülen der Linse, Entfernen des Gases oder Gasgemisches von der Linse, zweites Messen wenigstens eines zweiten Anteiles einer Substanz an dem Gas oder Gasgemisch, Vergleich des ersten Anteiles mit dem zweiten Anteil, Erzeugen eine Signals in Abhängigkeit von dem Vergleichsergebnis.
- Die Aufgabe wird außerdem gelöst durch eine Anordnung zur Projektion einer Struktur auf ein mit einem photoempfindlichen Lack beschichtetes Substrat, umfassend wenigstens eine Linse, welche innerhalb im wesentlichen luftdicht abgeschlossenen Gehäuses angeordnet ist, eine Beleuchtungsquelle, eine Quelle für ein Gas oder Gasgemisch zum Spülen der Linse, eine erste Leitung zum Zuführen des Gases oder Gasgemisches zu der Linse, durch welche die Quelle und das Innere des Gehäuses verbunden sind, eine zweite Leitung zum Abführen des Gases oder Gasgemisches von der Linse, durch welche das Innere des Gehäuses und einer Umgebung der Anordnung miteinander verbunden sind, eine Kontrolleinheit zum Regeln des Flusses des Gases oder Gasgemisches in das Innere des Gehäuses, ein Gerät zur Messung des Anteiles einer Substanz an dem Gas oder Gasgemisch, welches mit der zweiten Leitung verbunden ist.
- Gemäß der vorliegenden Erfindung wird das beim Spülvorgang aus dem Gehäuse umfassend des Linsensystems mit einer Vielzahl von Einzellinsen abfließende Gas oder Gasgemisch auf Anteile von Substanzen hin untersucht, so daß Rückschlüsse auf die im Innern des Gehäuses, d.h. an der Linsenoberfläche, vorgehenden Gasreaktionen bzw. photochemischen Umwandlungsreaktionen gezogen werden können. Bei dieser Untersuchung können bestimmte Substanzen in dem Gas oder Gasgemisch auf ihren Mengen- oder Volumen- oder Molanteil hin untersucht werden, es ist aber auch möglich eine komplette Aufschlüsselung, d.h. Messung, aller Substanzen in dem Gas oder Gasgemisch vorzunehmen. Anstelle eines genauen Anteilswertes kann die Messung auch in einer Kontrolle bestehen, ob ein bestimmter Schwellwert für den Anteil überschritten wurde oder nicht.
- Bei den Substanzen handelt es sich um unter dem Verdacht der Kontamination stehendes Material wie beispielsweise Öle, Wasser, Ausgasungen von Kunststoffen oder üblicherweise in Reinräumen verwendete Materialien zur Durchführung chemischer Prozesse. Sie können als Gase, Gasgemische, Aerosole, Dampf, Schwebeteilchen etc. in dem spülenden Gas oder Gasgemisch etc. vorliegen.
- Als Bezugs- oder Referenzwert für eine Messung wird ebenfalls der Anteil der Substanz bzw. der Substanzen in dem zufließenden Gas oder Gasgemisch gemessen. Dieser Referenzwert wird mit dem gemessenen Wert in dem abfließenden Gas verglichen. Ergibt sich in dem Vergleich ein Unterschied, so wird klar, daß in dem Gehäuse umfassend die Linsen chemische, insbesondere photochemische Reaktionen stattgefunden haben müssen.
- Die erste Messung des Anteiles in dem zufließenden Gas kann erfindungsgemäß auch in größeren Abständen oder auch nur einmalig für ein System-Setup durchgeführt werden. Dies ist insbesondere dann vorteilhaft, wenn nur ein Meßgerät für die Messung des Anteiles der Substanz an dem Gas oder Gasgemisch zur Verfügung steht, so daß nicht für jeden Durchlauf des erfindungsgemäßen Verfahrens ständig die Verbindung der Zu- bzw. Ableitungen umgeschaltet werden müssen.
- Zudem ist anzunehmen, daß, wenn eine konkreter Gas- oder Gasgemischbehälter als Quelle für das zufließende Gas zum Spülen der Linsen bereitgestellt ist, sich die Zusammensetzung in dem Behälter nicht ändert, so daß die erste Messung nur einmalig durchgeführt zu werden braucht.
- Übertrifft die Differenz des Substanzanteiles in dem zu- beziehungsweise abfließenden Gas einen bestimmten Schwellwert, welcher aus der Erfahrung gewonnen werden kann, so wird ein Signal generiert, das gemäß weiteren Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung dazu genutzt wird Aktionen einzuleiten, mit dem die Degradation der Linse vermieden werden kann. Dazu gehören beispielsweise die Unterbrechung der aktuellen Produktion im Projektionsapparat zur Untersuchung der Ursache, mit welcher die kontaminierende Substanz in das Innere des Spülsystems gelangen konnte. Das Signal kann auch dazu verwendet werden, den Austausch der Linse bzw. des gesamten Gehäuses einzuleiten. Dies trifft insbesondere dann zu, wenn feststeht, daß interne Quellen wie ausgasende Dichtungsringe oder Öle die Ursache der Kontamination sind.
- Das erfindungsgemäßen Verfahren kann insbesondere auch dann vorteilhaft verwendet werden, wenn das Gehäuse mit dem Linsensystem gerade geöffnet wurde, um Systemarbeiten wie etwa den Austausch einer Linse vorzunehmen, so daß kurz nach diesem Vorgang noch externe Gase oder Gasgemische innerhalb des Gehäuses vorhanden sind. Um festzustellen, wie lange gespült werden muß bis diese Reste aus dem Gehäuse entfernt sind, ist es vorteilhaft, das abfließende Gas mit dem zufließenden Gas vergleichen zu können. Im Falle von hochreiner, getrockneter Luft als Spülgasgemisch besteht nämlich die Gefahr, daß kurz nach der Öffnung noch vorhandenes Luftgemisch aus der Reinraumumgebung mit hohem Wasseranteil in dem Linsensystem verbleibt. Spuren von Feuchtigkeit in dem Luftgemisch gelten jedoch als ursächlich für die Bildung der Salze auf den Linsenoberflächen. Erfindungsgemäß kann somit eine Messung der Substanzanteile von Sauerstoff und Wasser (H2O) in dem zu- bzw. abfließenden Gas oder Gasgemisch verglichen werden. Gemäß dem Stand der Technik bestand hier nur die Möglichkeit aufgrund von Erfahrungswerten den Zeitpunkt der Wiederaufnahme der Produktion, d.h. der Belichtung von Wafern, zu bestimmen.
- Die Erfindung soll nun anhand eines Ausführungsbeispiels mit Hilfe einer Zeichnung näher erläutert werden. Darin zeigt
-
1 eine schematische Darstellung einer Anordnung zum Spülen einer Linse eines Projektionsapparates gemäß eines Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung. - In der in
1 gezeigten schematischen Darstellung einer Anordnung zum Spülen einer Linse in einem Linsensystem eines Projektionsapparates41 zur Belichtung von Halbleiterwafern100 ist ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung skizziert. Die elementaren Bestandteile des Projektionsapparates41 sind auf der rechten Seite der1 zu sehen. Eine Beleuchtungsquelle14 emittiert Licht der Wellenlänge 193 nm (ArF-Laser), welches durch ein System von Linsen10 in einem photoempfindlichen Lack, welcher auf dem Halbleitersubstrat100 aufgebracht ist, fokussiert wird. Nicht dargestellt ist eine Maske mit Strukturen sowie weitere Linsen, welche zwischen der Beleuchtungsquelle14 und den Linsen10 angeordnet sind, wobei die transparent ausgebildeten Strukturen auf der Maske von einem mit Hilfe der weiteren Linse generierten parallelen Lichtbündels durchstrahlt werden. - Die vorliegende Erfindung umfaßt auch Belichtungs- bzw. Projektionsanordnungen, bei denen scharf gebündelte Laserstrahlen ohne Durchleuchtung einer Maske über das Linsensystem umfassen die Einzellinsen unmittelbar auf das Substrat projiziert werden. Die ist beispielsweise bei der Belichtung von photoempfindlichen Lacken auf Masken oder Retikeln der Fall. Auch bei dieser Anordnung kann die erfindungsgemäße Kontrolle eines Spülvorganges vorteilhaft angewendet werden.
- Die das Linsensystem zusammensetzenden Einzellinsen
10 sind in einem im wesentlichen luftdichten Gehäuse12 angeordnet. Ein mit Stickstoff gefüllter Gasbehälter20 wird als Quelle für das Spülgas verwendet. Das Stickstoffgas bzw. – gasgemisch, soweit weitere Gaszusätze verwendet werden, wird über Zuleitungen30 in das Gehäuse12 mit den Linsen10 geleitete. Dieser Vorgang wird mittels einer Steuereinheit50 für den Gasdurchfluß kontrolliert. Die Steuereinheit50 ist mit einem Manometer52 und einem Barometer54 verbunden, mit welchem u.a. der Gasdruck, die Temperatur etc. innerhalb des Gehäuses12 gemessen werden können. Durch diese Anordnung wird ein Regekreislauf definiert, wodurch im wesentlichen konstante physikalische Bedingungen innerhalb des Gehäuses12 gewährleistet werden. Das Stickstoffgas umspült die Linsen10 und verläßt das Gehäuse12 über eine zweite Leitung (Ableitung)40 . Dabei wird es durch ein Karbon-Filter45 gereinigt. Der Abfluß des Gases oder Gasgemisches wird ebenfalls durch die Steuereinheit50 kontrolliert. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel wird das Gas oder Gasgemisch über die zweite Leitung40 aus dem Projektionsapparat41 in den umgebenden Reinraum42 des Projektionsapparates41 herausgeführt. - Die im folgenden zu beschreibenden Konstruktionsmerkmale bzw. Bestandteile der Anordnung können als integraler Bestandteil des Projektionsapparates oder auch als ankoppelbares Zusatzmodul realisiert werden. Besonders im zweiten Fall besteht der Vorteil einen mobilen Einsatz in einer eine Vielzahl von Projektionsapparaten umfassenden Halbleiterfertigung zu ermöglichen. Hierzu wird erfindungsgemäß eine standardisierte Schnittstelle für jeden Projektionsapparat zur Verfügung gestellt, an welcher das Zusatzmodul angekoppelt werden kann.
- Die das Gas abführende zweite Leitung
40 ist über eine Leitung66 mit einer Detektionskammer68 verbunden. Der Zustrom von abzuführendem Gas aus der zweiten Leitung40 in die Detektionskammer68 wird mit Hilfe eines ersten Ventils67 gesteuert. Die Detektionskammer68 umfaßt mehrere Probenkammern, in welcher jeweils nacheinander zeitlich gesteuert Gasprobeentnahmen aus der zweiten Leitung40 eingebracht werden. Die Entnahme der Gasproben wird durch eine mit der Detektionskammer68 verbundene Vakuumpumpe64 ermöglicht. Über ein zweites Ventil62 werden die einzelnen, zwischengespeicherten Gasproben einem Massenspektrometer60 zur Messung der Massenanteil einzelner Substanzen wie hier etwa der Wasseranteil zugeführt. Die Steuerung der Ventile67 ,62 sowie der Vakuumpumpe64 , der einzelnen Probenkammern in der Detektionskammer68 sowie der Messung in dem Massenspektrometer60 werden mit Hilfe einer in1 nicht gezeigten weiteren Steuereinheit koordiniert. Diese weitere Steuereinheit ist vorzugsweise mit einer Datenbank gekoppelt, in welcher die gemessenen Substanzanteile gespeichert und den Entnahmezeiten aus der zweiten Leitung40 zugeordnet werden. - Auf die derart bestimmten Zeitreihen können Analysen angewendet werden, mit denen einerseits zeitlich lokalisierte Ereignisse bestimmt, andererseits aber auch Trends und damit zukünftige Schwellwertüberschreitungen vorhergesagt werden können.
- Über eine weitere Leitung
69 ist die Detektionskammer68 auch mit der ersten Leitung30 für die Zuführung von Stickstoff aus dem Gasbehälter20 in das Gehäuse12 mit den Linsen10 verbunden. Für die Durchführung der ersten Referenzmessung des anzunehmender Weise noch nicht kontaminierten Gases wird dieses in größeren Abständen gleichfalls in einen der Probenkammern angebracht und sofort oder später über das Ventil62 dem Massenspektrometer60 zur Bestimmung der Anteile der gleichen Substanzen, hier dem Wasseranteil, zugeführt. - Es können parallel zu dem Massenspektrometer
60 mit dem Ventil62 weitere elektrische oder optische Sensoren zur Bestimmung der Substanzanteile mit weiteren Ventilen an Detektionskammer68 angeschlossen werden, wobei auch weitere bekannte Verfahren zur Substanzanalyse von der Erfindung eingeschlossen sind. Es ist desweiteren auch möglich, das den genannten Sensoren zugeführte Gas anschließend wieder in die ersten Leitungen30 bzw. zweiten Leitungen40 zur weiteren Verwendung während der Spülung zurückzuführen. - Die in
1 dargestellten strickpunktierten Linien trennen die Module Projektionsapparat41 , das Zusatzmodul43 zur Durchführung der Vergleichsmessung, welches an den Projektionsapparat41 angekoppelt werden kann, sowie den umgebenden Reinraum42 voneinander. -
- 10
- Linse
- 12
- Gehäuse für Linsensystem
- 14
- Beleuchtungsquelle, Laser
- 20
- Gasbehälter für Spülgas
- 30
- erste Leitung, Zuleitung für Spülgas zur Linse
- 40
- zweite Leitung, Ableitung von Spülgas von Linse
- 41
- Projektionsapparat
- 42
- Reinraumumgebung des Projektionsapparatese
- 43
- Zusatzmodul zur Messung von Substanzanteilen im Spülgas
- oder Gasgemische
- 45
- Karbonfilter
- 50
- Steuereinheit für Gasdurchfluß
- 52
- Nanometer
- 54
- Varometer
- 60
- Massensprektrometer, elektrische oder optische Sensoren
- 62
- zweites Ventil
- 64
- Vakuumpumpe
- 66
- Verbindungsleitung für Gasentnahme
- 67
- erstes Ventil
- 68
- Detektionskammer
- 69
- Verbindungsleitung für Gasentnahme
- 100
- mit photoempfindlichem Lack beschichtetes Substrat, Wa
- fer, Flat-Panel, Maske
Claims (16)
- Verfahren zum Spülen einer optischen Linse (
10 ) in einem Projektionsapparat (41 ) zur Belichtung eines mit einem photoempfindlichen Lack beschichteten Substrates (100 ) mittels eines Gases oder Gasgemisches zur Vermeidung von Ablagerungen auf der Linse (10 ), umfassend die Schritte: – Bereitstellen einer Quelle (20 ) für das Gas oder Gasgemisch, – Befördern des Gases oder Gasgemischs zu der Linse (10 ) in dem Projektionsapparat (41 ), – erstes Messen wenigstens eines ersten Anteiles einer Substanz an dem Gas oder Gasgemisch, – Spülen der Linse (10 ), – Entfernen des Gases oder Gasgemisches von der Linse (10 ), – zweites Messen wenigstens eines zweiten Anteiles einer Substanz an dem Gas oder Gasgemisch, – Vergleich des ersten Anteiles mit dem zweiten Anteil, – Erzeugen eines Signals in Abhängigkeit von dem Vergleichsergebnis. - Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Projektionsapparat (
41 ) eine Beleuchtungsquelle (14 ) umfaßt, aus welcher Licht mit einer Wellenlänge von 193 Nanometer oder weniger durch die Linse (10 ) auf das Substrat (100 ) gestrahlt wird. - Verfahren nach den Ansprüchen 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß infolge des erzeugten Signals die Linse (
10 ) gegen eine weitere Linse ausgetauscht wird. - Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das erste und/oder zweite Messen mit einem oder mehreren optischen Detektoren durchgeführt wird.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das erste und/oder zweite Messen mit einem oder mehreren elektrischen Sensoren durchgeführt wird.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das erste und/oder zweite Messen mit einem Massenspektrometer (
60 ) durchgeführt wird. - Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß – in regelmäßigen Zeitabständen Proben aus dem von der Linse (
10 ) entfernten Gas oder Gasgemisch entnommen werden, – die Proben in separaten Kammern zwischengespeichert werden, – die Proben zur Durchführung der zweiten Messung nacheinander dem Massenspektrometer (60 ) zugeführt werden. - Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Schritte unmittelbar nach einem Austausch oder einem Reinigungsvorgang der Linse (
10 ) ausgeführt werden. - Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß eine Belichtung eines Substrates (
100 ) in Abhängigkeit von der Erzeugung des Signals durchgeführt wird. - Anordnung zur Projektion einer Struktur auf ein mit einem photoempfindlichen Lack beschichtetes Substrat (
100 ), umfassend: – wenigstens eine Linse (10 ), welche innerhalb eines im wesentlichen luftdicht abgeschlossenen Gehäuses (12 ) angeordnet ist, – eine Beleuchtungsquelle (14 ), – eine Quelle (20 ) für ein Gas oder Gasgemisch zum Spülen der Linse (10 ), – eine erste Leitung (30 ) zum Zuführen des Gases oder Gasgemischs zu der Linse (10 ), durch welche die Quelle (20 ) und das Innere des Gehäuses (12 ) verbunden sind, – eine zweite Leitung (40 ) zum Abführen des Gases oder Gasgemischs von der Linse (10 ), durch welche das Innere des Gehäuses (12 ) und eine Umgebung (42 ) der Anordnung miteinander verbunden sind, – eine Kontrolleinheit (50 ) zum Regeln des Flusses des Gases oder Gasgemischs in das Innere des Gehäuses (12 ), – ein Gerät (60 ) zur Messung des Anteiles einer Substanz an dem Gas oder Gasgemisch, welches mit der zweiten Leitung (40 ) verbunden ist. - Anordnung nach Anspruch 10, gekennzeichnet durch eine Detektionskammer (
68 ) zur Aufnahme des Gases oder Gasgemischs für eine Messung, welche zwischen dem Meßgerät (60 ) und der zweiten Leitung (40 ) angeordnet ist. - Anordnung nach einem der Ansprüche 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, daß das Gerät (
60 ) zur Messung des Anteiles ein Massenspektrometer ist. - Anordnung nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß das Meßgerät (
60 ) mit der ersten Leitung (30 ) verbunden ist. - Anordnung nach einem der Ansprüche 10 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Detektionskammer (
68 ) zwischen dem Meßgerät (60 ) und der ersten Leitung (30 ) angeordnet ist. - Anordnung nach einem der Ansprüche 10 bis 14, gekennzeichnet durch – ein in wenigstens einer der ersten (30) oder zweiten Leitung (
40 ) angeordnetes Ventil (67 ), durch welches die Detektionskammer (68 ) entweder mit der Linse (10 ) zuzuführendem oder von der Linse (10 ) abzuführendem Gas oder Gasgemisch versorgt werden kann, – ein Pumpensystem (64 ) zur Zuführung von Gas oder Gasgemisch in die Detektionskammer (68 ). - Anordnung nach einem der Ansprüche 10 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Detektionskammer (
68 ) eine Anzahl von Probenkammern aufweist, in denen jeweils unterschiedliche Gas- oder Gasgemischproben zur Durchführung einer Messung in dem Gerät (60 ) zur Messung des Anteiles zwischengespeichert werden können.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10253162A DE10253162B4 (de) | 2002-11-14 | 2002-11-14 | Verfahren zum Spülen einer optischen Linse |
TW092130597A TWI274964B (en) | 2002-11-14 | 2003-10-31 | Arrangement for projecting pattern onto substrate coated with photosensitive resist and method for purging optical lens arranged therein |
PCT/DE2003/003720 WO2004044656A2 (de) | 2002-11-14 | 2003-11-10 | Verfahren zum spülen einer optischen linse |
JP2004550643A JP2006506804A (ja) | 2002-11-14 | 2003-11-10 | 光学レンズをパージする方法 |
US11/127,304 US7304716B2 (en) | 2002-11-14 | 2005-05-12 | Method for purging an optical lens |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10253162A DE10253162B4 (de) | 2002-11-14 | 2002-11-14 | Verfahren zum Spülen einer optischen Linse |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10253162A1 true DE10253162A1 (de) | 2004-05-27 |
DE10253162B4 DE10253162B4 (de) | 2005-11-03 |
Family
ID=32185680
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10253162A Expired - Fee Related DE10253162B4 (de) | 2002-11-14 | 2002-11-14 | Verfahren zum Spülen einer optischen Linse |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7304716B2 (de) |
JP (1) | JP2006506804A (de) |
DE (1) | DE10253162B4 (de) |
TW (1) | TWI274964B (de) |
WO (1) | WO2004044656A2 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102005033408A1 (de) * | 2005-07-18 | 2006-08-31 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Spülen eines Innenraumes einer optischen Einheit |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006049758A (ja) * | 2004-08-09 | 2006-02-16 | Nikon Corp | 露光装置の制御方法、並びに、これを用いた露光方法及び装置 |
US20070030466A1 (en) * | 2004-08-09 | 2007-02-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus control method, exposure method and apparatus using the control method, and device manufacturing method |
WO2006029824A2 (en) * | 2004-09-16 | 2006-03-23 | Carl Zeiss Smt Ag | Monitoring element for lithographic projection systems |
WO2006069755A2 (de) * | 2004-12-23 | 2006-07-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Objektivmodul mit wenigstens einem austauschbaren optischen element |
DE102007057252A1 (de) * | 2007-03-07 | 2008-09-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Messung der Ausgasung in EUV-Lithographievorrichtungen sowie EUV-Lithographievorrichtung |
WO2012132147A1 (ja) | 2011-03-28 | 2012-10-04 | 株式会社村田製作所 | 電子部品及びその製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1026549A2 (de) * | 1994-04-08 | 2000-08-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Verarbeitungssystem |
EP1143491A1 (de) * | 1998-11-19 | 2001-10-10 | Nikon Corporation | Optisches bauelement, belichtungssystem, laserstrahlquelle, gaszuführungsverfahren, belichtungsverfahren und bauelementherstellungsverfahren |
DE10061248A1 (de) * | 2000-12-09 | 2002-06-27 | Zeiss Carl | Verfahren und Vorrichtung zur In-situ-Dekontamination eines EUV-Lithographiegerätes |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3696230A (en) * | 1970-01-19 | 1972-10-03 | Hughes Aircraft Co | Laser lens cooling and cleaning system |
DE2131507C3 (de) * | 1971-06-25 | 1980-01-10 | Kernforschungsanlage Juelich Gmbh, 5170 Juelich | Verfahren und Vorrichtung zur Absicherung von Edelgasspuren, insbesondere Krypton, aus einer Kohlendioxid als Bestandteil enthaltenden Gasmischung |
US6545746B1 (en) * | 1996-03-04 | 2003-04-08 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
WO1998048451A1 (fr) * | 1997-04-18 | 1998-10-29 | Nikon Corporation | Aligneur, procede d'exposition mettant en oeuvre ledit aligneur et procede de fabrication d'un dispositif de circuit |
KR100636451B1 (ko) * | 1997-06-10 | 2006-10-18 | 가부시키가이샤 니콘 | 광학 장치 및 그 세정 방법과 투영 노광 장치 및 그 제조방법 |
AU1051899A (en) * | 1997-11-12 | 1999-05-31 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, apparatus for manufacturing devices, and method of manufacturing exposure apparatuses |
WO1999027568A1 (fr) * | 1997-11-21 | 1999-06-03 | Nikon Corporation | Graveur de motifs a projection et procede de sensibilisation a projection |
US6571057B2 (en) * | 2000-03-27 | 2003-05-27 | Nikon Corporation | Optical instrument, gas replacement method and cleaning method of optical instrument, exposure apparatus, exposure method and manufacturing method for devices |
FR2809816B1 (fr) * | 2000-05-30 | 2003-04-18 | Gaz De France | Procede et dispositif de detection de fuites de gaz |
EP1308713A1 (de) * | 2001-11-02 | 2003-05-07 | Qmet ApS | Verfahren zur Bestimmung des SO2-Gehaltes in einem Getränkprodukt |
DE10200349A1 (de) | 2002-01-08 | 2003-07-17 | Gerhart Schroff | Verfahren und Anordnung zur Fremdgaserkennung im Strahlengang optischer Abbildungs- und/oder Strahlführungssysteme |
US20060044562A1 (en) * | 2004-08-25 | 2006-03-02 | Norsk Elektro Optikk As | Gas monitor |
-
2002
- 2002-11-14 DE DE10253162A patent/DE10253162B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-10-31 TW TW092130597A patent/TWI274964B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-11-10 JP JP2004550643A patent/JP2006506804A/ja active Pending
- 2003-11-10 WO PCT/DE2003/003720 patent/WO2004044656A2/de active Application Filing
-
2005
- 2005-05-12 US US11/127,304 patent/US7304716B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1026549A2 (de) * | 1994-04-08 | 2000-08-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Verarbeitungssystem |
EP1143491A1 (de) * | 1998-11-19 | 2001-10-10 | Nikon Corporation | Optisches bauelement, belichtungssystem, laserstrahlquelle, gaszuführungsverfahren, belichtungsverfahren und bauelementherstellungsverfahren |
DE10061248A1 (de) * | 2000-12-09 | 2002-06-27 | Zeiss Carl | Verfahren und Vorrichtung zur In-situ-Dekontamination eines EUV-Lithographiegerätes |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102005033408A1 (de) * | 2005-07-18 | 2006-08-31 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Spülen eines Innenraumes einer optischen Einheit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200424788A (en) | 2004-11-16 |
US7304716B2 (en) | 2007-12-04 |
TWI274964B (en) | 2007-03-01 |
US20050269748A1 (en) | 2005-12-08 |
WO2004044656A3 (de) | 2004-09-23 |
JP2006506804A (ja) | 2006-02-23 |
WO2004044656A2 (de) | 2004-05-27 |
DE10253162B4 (de) | 2005-11-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE10061248B4 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur In-situ-Dekontamination eines EUV-Lithographiegerätes | |
DE112006001768B4 (de) | Verwendung eines superkritischen Fluids zum Trocknen der Schreiben und zum Reinigen der Linsen in einer Immersionslithographie | |
WO2008107136A1 (de) | Verfahren zur messung der ausgasung sowie euv-lithographievorrichtung und messaufbau | |
WO2010043398A1 (de) | Euv- lithographievorrichtung und verfahren zum bearbeiten eines optischen elements | |
DE102004047677A1 (de) | Verfahren und System für die Kontaminationserkennung und Überwachung in einer Lithographiebelichtungsanlage und Verfahren zum Betreiben der gleichen unter gesteuerten atomsphärischen Bedingungen | |
DE102009015717A1 (de) | Verfahren und System zum Erkennen einer Teilchenkontamination in einer Immersionslithographieanlage | |
DE102005032320B4 (de) | Anordnung mit optischem Element und Reinigungsvorrichtung, Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie, Reinigungsvorrichtung und Reinigungsverfahren | |
DE102008001800A1 (de) | Projektionsobjektiv für die Mikrolithographie, Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Projektionsobjektiv, mikrolithographisches Herstellungsverfahren für Bauelemente sowie mit diesem Verfahren hergestelltes Bauelement | |
DE102006015714B4 (de) | Lichtunterstütztes Testen eines optoelektronischen Moduls | |
DE10253162B4 (de) | Verfahren zum Spülen einer optischen Linse | |
DE102017102998A1 (de) | Anordnung und Verfahren zur Charakterisierung eines transparenten Substrats | |
DE102015221773A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Charakterisierung eines durch wenigstens einen Lithographieschritt strukturierten Wafers | |
DE102020200233A1 (de) | Verfahren zur suche eines lecks | |
DE602005001547T2 (de) | System und Verfahren zur Fehlermarkierung auf einem Substrat bei maskenlosen Anwendungen | |
DE102012107105A1 (de) | Reinigungsverfahren für projektionsbelichtungsanlagen und entsprechend ausgebildete projektionsbelichtungsanlagen | |
DE102017214215A1 (de) | Verfahren zum betreiben einer optischen anlage und optische anlage | |
DE10219805A1 (de) | Verfahren zur Stabilisierung der Strahlungsleistung einer gepulst betriebenen, gasentladungsgekoppelten Strahlungsquelle | |
DE102022204996A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung eines Restgases mittels eines Restgasanalyseverfahrens in einem Vakuum einer Vakuumkammer | |
DE10350688B3 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum Nachweis von Ausgasprodukten | |
DE102019117484B4 (de) | Verfahren und Anordnung zum Laden einer Komponente in eine Ladeposition in einem optischen System für die Mikrolithographie | |
DE102021201001A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines optischen Elements, Vorrichtung zur Herstellung eines optischen Elements, optisches Element und Lithografiesystem | |
DE102022207689A1 (de) | Verfahren, Vorrichtung und Computerprogrammprodukt zur Identifikation von Kontaminationen bei Komponenten einer EUV-Lithografie-Anlage | |
DE102016216266A1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Reinigung eines Objekts | |
DE102017223445A1 (de) | Verfahren und Lithographieanlage | |
DE102017201374A1 (de) | Detektoranordnung und Verfahren zur Bestimmung der Intensität elektromagnetischer Strahlung in einem optischen System |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |