DE10244748A1 - Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung desselben - Google Patents

Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung desselben

Info

Publication number
DE10244748A1
DE10244748A1 DE2002144748 DE10244748A DE10244748A1 DE 10244748 A1 DE10244748 A1 DE 10244748A1 DE 2002144748 DE2002144748 DE 2002144748 DE 10244748 A DE10244748 A DE 10244748A DE 10244748 A1 DE10244748 A1 DE 10244748A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
power semiconductor
semiconductor chips
semiconductor module
high current
module according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE2002144748
Other languages
English (en)
Inventor
Max Beuermann
Martin Ruff
Benno Weis
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE2002144748 priority Critical patent/DE10244748A1/de
Publication of DE10244748A1 publication Critical patent/DE10244748A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/492—Bases or plates or solder therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/62—Protection against overvoltage, e.g. fuses, shunts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleitermodul (10, 20, 24) mit einem oder einer Mehrzahl parallel oder in Reihe geschalteter Leistungshalbleiter-Chips (16, 26, 28) und ein Verfahren zur Herstellung desselben. Erfindungsgemäß sind die Leistungshalbleiter-Chips (16, 26, 28) mit Metallbügeln (18, 32, 34) hoher Stromtragfähigkeit kontaktiert, die im Fehlerfall das Fließen eines Kurzschlussstroms über einen ausgefallenen Leistungshalbleiter-Chip (16, 26, 28) erlauben, wobei die Kontaktierung zwischen den Metallbügeln (18, 32, 34) und den Leistungshalbleiter-Chips (16, 26, 28) so ausgeführt ist, dass auf die Leistungshalbleiter-Chips (16, 26, 28) zu keiner Zeit eine vertikale Druckbelastung wirkt. Somit bilden ausgefallene Leistungshalbleiter-Chips (16, 26, 28) eines Leistungshalbleitermoduls (10, 20, 24) im Fehlerfall einen sicheren Kurzschluss.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleitermodul mit einem oder einer Mehrzahl parallel oder in Reihe geschalteter Leistungshalbleiter-Chips sowie ein Verfahren zum Herstellen eines derartigen Leistungshalbleitermoduls.
  • Leistungshalbleiter, wie etwa MOSFET-Transistoren, IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) oder GTO (Gate-Turn-Off)- Thyristoren weisen stets eine begrenzte maximale Sperrspannung auf. Um hohe Spannungen, wie sie etwa bei der Energieübertragung erforderlich sind, beispielsweise 20 kV bis 500 kv, schalten zu können, ist es daher erforderlich, mehrere solcher Leistungshalbleiter in einem Stromrichterventil in Reihe zu schalten.
  • Damit bei einem Ausfall eines der Leistungshalbleiter in einer solchen Reihenschaltung nicht die ganze Anlage abgeschaltet werden muss, ist erforderlich, dass der ausgefallene Halbleiterschalter einen sicheren Kurzschluss bildet, so dass der Strom weiterhin über diesen Leistungshalbleiter fließen kann. Der Kurzschluss soll dabei über längere Zeit, insbesondere bis zur nächsten Wartung der Anlage, sicher bestehen. Erforderlich wäre also ein Kurzschluss, der bis zu einem Jahr sicheren Stromfluss gewährleistet.
  • Bei herkömmlich verwendeten Standard-IGBT-Modulen ist ein sicherer Kurzschluss nicht gesichert. In der Regel entsteht bei einer Strombelastung eines ausgefallenen Moduls ein Lichtbogen, der eine mechanische Zerstörung des Moduls und eine Verschmutzung der Umgebung zur Folge hat. Dies kann weitere Ausfälle nach sich ziehen und ist daher nicht tolerierbar.
  • Heute werden oft entweder so genannte PressPack-Bauelemente oder speziell entwickelte Module für hohe Reihenschaltzahl verwendet. Für viele Anwendungen stellt dabei die Verwendung von IGBTs die beste Lösung dar. Als Massenprodukt hat sich bei den IGBTs eine Modulbauform durchgesetzt, die jedoch, wie oben beschrieben, keinen sicheren Kurzschluss gewährleistet.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein gattungsgemäßes Leistungshalbleitermodul anzugeben, bei dem ausgefallene Leistungshalbleiter-Chips im Fehlerfall einen sicheren Kurzschluss bilden.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch das Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1 und das Verfahren zum Herstellen eines Leistungshalbleitermoduls nach Anspruch 10 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.
  • Erfindungsgemäß ist bei einem Leistungshalbleitermodul der eingangs genannten Art vorgesehen, dass die Leistungshalbleiter-Chips mit Metallbügeln hoher Stromtragfähigkeit kontaktiert sind, die im Fehlerfall das Fließen eines Kurzschlussstroms über einen ausgefallenen Leistungshalbleiter- Chip erlauben, wobei die Kontaktierung zwischen den Metallbügeln und den Leistungshalbleiter-Chips so ausgeführt ist, dass auf die Leistungshalbleiter-Chips zu keiner Zeit eine vertikale Druckbelastung wirkt.
  • Die Erfindung beruht dabei auf dem Gedanken, ein Leistungshalbleitermodul zu schaffen, das einerseits in wesentlichen Teilen die Merkmale herkömmlicher Massenproduktmodule aufweist und das andererseits einen sicheren Kurzschluss im Fehlerfall gewährleistet. Dadurch kann das erfindungsgemäße Modul trotz seiner neuen Vorteile bei der Kurzschlusssicherheit die Vorzüge eines Massenprodukts, wie einem günstigen Herstellungspreis, der Vielzahl von Anbietern und der Weiterentwicklung der Leistungshalbleiter, erhalten. Im Gegensatz zu den Bonddrähten herkömmlicher Standard-Module ist erfindungsgemäß sichergestellt, dass die Metallbügel aufgrund ihrer hohen Stromtragfähigkeit auch im Fehlerfall nicht wegschmelzen. Durch die Vermeidung einer vertikalen Druckbelastung bei der Kontaktierung der Halbleiterchips bleiben die charakteristischen Eigenschaften der Leistungshalbleiter- Chips unverschlechtert erhalten.
  • Innerhalb eines Leistungsmoduls liegt zumeist eine Parallelschaltung der einzelnen Leistungshalbleiter-Chips vor. Die erfindungsgemäße Lösung stellt sicher, dass ein Modul im Fehlerfall bezüglich seiner äußeren Klemmen einen Kurzschluss darstellt, so dass eine Reihenschaltung aus mehreren solcher Module weiter betrieben werden kann. Daneben erfasst die Erfindung auch Gestaltungen, bei denen intern eine Reihenschaltung der Leistungshalbleiter-Chips vorliegt oder bei denen ein Modul nur einen einzigen Leistungshalbleiter-Chip beinhaltet.
  • Die Kontaktierung zwischen den Metallbügeln und den Leistungshalbleiter-Chips ist vorteilhaft als Lötverbindung oder als Niedertemperaturverbindung (NTV) ausgeführt.
  • In einer bevorzugten Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls ist vorgesehen, dass eine Anschlusselektrode der Leistungshalbleiter-Chips jeweils mit einer Kontaktplatte versehen ist, die mit den Metallbügeln hoher Stromtragfähigkeit kontaktiert ist.
  • Die Kontaktplatte kann beispielsweise durch Löten oder durch eine Niedertemperaturverbindung aufgebracht werden. Die Kontaktfläche mit dem Leistungshalbleiter-Chip wird dadurch vergrößert und ein niederohmiger Übergang geschaffen.
  • Bei einer anderen bevorzugten Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls ist vorgesehen, dass die Anschlusselektroden von mehreren Leistungshalbleiter-Chips mit einer gemeinsamen Kontaktplatte versehen sind, wobei die Kontaktplatte mit einem oder mehreren Metallbügeln hoher Stromtragfähigkeit kontaktiert ist. Dadurch kann die hohe Stromdichte weiter reduziert werden. Auch hier kann die Kontaktplatte durch Löten oder eine Niedertemperaturverbindung (NTV) aufgebracht werden.
  • Die Kontaktplatte ist bei den genannten Gestaltungen mit Vorteil aus Molybdän gebildet.
  • In einer zweckmäßigen Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Moduls sind die Leistungshalbleiter-Chips auf einer gemeinsamen Grundplatte angeordnet.
  • Die Leistungshalbleiter sind zweckmäßig durch MOS-gesteuerte Schalter, wie MOSFETs oder IGBTs, oder durch Dioden gebildet. Insbesondere IGBTs haben sich für viele Anwendungen als beste Lösung bewährt. Auch eine Mischung von Schalterchips und Diodenchips in einem Modul liegt im Rahmen der Erfindung.
  • Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen, Merkmale und Details der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen, der Beschreibung der Ausführungsbeispiele und den Zeichnungen.
  • Die Erfindung soll nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen im Zusammenhang mit den Zeichnungen schematisch näher erläutert werden. Es sind jeweils nur die für das Verständnis der Erfindung wesentlichen Elemente dargestellt. Dabei zeigen:
  • Fig. 1 in schematischer Darstellung einen Schnitt durch ein IGBT-Modul nach einem Ausführungsbeispiel der Erfindung;
  • Fig. 2 in schematischer Darstellung einen Schnitt durch ein IGBT-Modul nach einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung und
  • Fig. 3 in schematischer Darstellung einen Schnitt durch ein IGBT-Modul nach einem weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung.
  • Gleiche Elemente sind in den Figuren mit gleichen Bezugszeichen versehen.
  • Fig. 1 zeigt einen Schnitt durch ein allgemein mit 10 bezeichnetes IGBT-Modul nach einem Ausführungsbeispiel der Erfindung. Das IGBT-Modul 10 enthält eine Grundplatte 12, auf der über Keramikplatten 14 eine Mehrzahl von IGBT-Chips 16 angebracht sind. Nach einer weiteren Ausführungsvariante kann auf die Keramikplatte 14 verzichtet werden, das heißt, die IGBT-Chips sind direkt auf der Grundplatte 12 aufgebracht.
  • Jeder der IGBT-Chips 16 ist mit einem massiven Metallbügel 18 kontaktiert. Durch ihre hohe Stromtragfähigkeit schmelzen die Metallbügel 18 auch in einem Fehlerfall nicht weg. Diese erlauben daher, dass der Strom auch nach Ausfall eines IGBT- Chips 16 über diesen Chip fließen kann. Dadurch wird ein sicherer Kurzschluss gebildet, der einen dauerhaften Betrieb der Anlage bis zur nächsten Wartung ermöglicht.
  • Bei dem in der Fig. 2 dargestellten Ausführungsbeispiel ist auf jedem IGBT-Chip 16 des IGBT-Moduls 20 eine massive Kontaktplatte 22 aus Molybdän aufgelötet. Alternativ kann die Kontaktplatte 22 auch durch eine Niedertemperaturverbindung aufgebracht werden. Die Metallbügel 18 kontaktieren in diesem Ausführungsbeispiel nicht die IGBT-Chips 16 selbst, sondern die Kontaktplatten 22.
  • Das Ausführungsbeispiel der Fig. 3 zeigt ein IGBT-Modul 24, bei dem auf mehrere IGBT-Chips 26, 28 jeweils eine gemeinsame Molybdän-Kontaktplatte 30 aufgebracht ist. Um die Stromtragfähigkeit zu erhöhen, können mehrere der massiven Metallbügel 32 und 34 diese gemeinsame Kontaktplatte 30 kontaktieren.
  • Die Kontaktplatten können auch untereinander elektrisch verbunden sein, um hohe Stromdichten weiter zu reduzieren.

Claims (12)

1. Leistungshalbleitermodul (10, 20, 24) mit einem oder einer Mehrzahl parallel oder in Reihe geschalteter Leistungshalbleiter-Chips (16, 26, 28), dadurch gekennzeichnet, dass die Leistungshalbleiter-Chips (16, 26, 28) mit Metallbügeln (18, 32, 34) hoher Stromtragfähigkeit kontaktiert sind, die im Fehlerfall das Fließen eines Kurzschlussstroms über einen ausgefallenen Leistungshalbleiter-Chip (16, 26, 28) erlauben, wobei die Kontaktierung zwischen den Metallbügeln (18, 32, 34) und den Leistungshalbleiter-Chips (16, 26, 28) so ausgeführt ist, dass auf die Leistungshalbleiter-Chips (16, 26, 28) zu keiner Zeit eine vertikale Druckbelastung wirkt.
2. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktierung zwischen den Metallbügeln (18, 32, 34) und den Leistungshalbleiter-Chips (16, 26, 28) als Lötverbindung oder als Niedertemperaturverbindung ausgeführt ist.
3. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Leistungshalbleiter-Chips (16, 26, 28) direkt auf einer Grundplatte (12) aufgebracht sind.
4. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Leistungshalbleiter-Chips (16, 26, 28) über eine zusätzliche Zwischenschicht zur elektronischen Isolierung, vorzugsweise eine Keramikplatte (14), auf die Grundplatte (12) aufgebracht sind.
5. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass eine Anschlusselektrode der Leistungshalbleiter-Chips (26) jeweils mit einer Kontaktplatte (22) versehen ist, die mit den Metallbügeln (18) hoher Stromtragfähigkeit kontaktiert ist.
6. Leistungshalbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Anschlusselektroden von mehreren Leistungshalbleiter-Chips (26, 28) mit einer gemeinsamen Kontaktplatte (30) versehen sind, wobei die Kontaktplatte (30) mit einem oder mehreren Metallbügeln (32, 34) hoher Stromtragfähigkeit kontaktiert ist.
7. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktplatte (22, 30) aus Molybdän gebildet ist.
8. Leistungshalbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Leistungshalbleiter-Chips (16, 26, 28) auf einer gemeinsamen Grundplatte (12) angeordnet sind.
9. Leistungshalbleitermodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Leistungshalbleiter (16, 26, 28) durch MOS-gesteuerte Schalter, insbesondere durch MOSFETs oder IGBTs, oder durch Dioden gebildet sind.
10. Verfahren zum Herstellen eines Leistungshalbleitermoduls mit einer Mehrzahl in Reihe geschalteter Leistungshalbleiter- Chips (16, 26, 28), bei dem
die Mehrzahl von Leistungshalbleiter-Chips (16, 26, 28), auf einer Grundplatte (12) angeordnet wird, und
die Leistungshalbleiter-Chips (16, 26, 28), mit Metallbügeln (18) hoher Stromtragfähigkeit kontaktiert werden, die im Fehlerfall das Fließen eines Kurzschlussstroms über einen ausgefallenen Leistungshalbleiter-Chip (16, 26, 28), erlauben.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass eine Kontaktplatte (22) auf eine Anschlusselektrode der Leistungshalbleiter-Chips (16, 26, 28), aufgelötet wird oder durch eine Niedertemperaturverbindung aufgebracht wird, und dass die Kontaktplatte (22) mit den Metallbügeln (18) hoher Stromtragfähigkeit kontaktiert wird.
12. Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass eine gemeinsame Kontaktplatte (30) auf die Anschlusselektroden von mehreren Leistungshalbleiter- Chips (16, 26, 28), aufgelötet wird oder durch eine Niedertemperaturverbindung angebracht wird, und dass die Kontaktplatte (30) mit einem oder mehreren Metallbügeln (32, 34) hoher Stromtragfähigkeit kontaktiert wird.
DE2002144748 2002-09-25 2002-09-25 Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung desselben Ceased DE10244748A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2002144748 DE10244748A1 (de) 2002-09-25 2002-09-25 Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung desselben

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2002144748 DE10244748A1 (de) 2002-09-25 2002-09-25 Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung desselben

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE10244748A1 true DE10244748A1 (de) 2003-09-11

Family

ID=27740766

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2002144748 Ceased DE10244748A1 (de) 2002-09-25 2002-09-25 Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung desselben

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE10244748A1 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006013177A2 (de) * 2004-07-30 2006-02-09 Siemens Aktiengesellschaft Planare verbindungstechnik für stromführung im fehlerfall
EP2560468A1 (de) 2011-08-19 2013-02-20 ABB Research Ltd. Verfahren zur gegenseitigen Verbindung von Elementen aus einer Vielzahl von Elementen

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0305993A2 (de) * 1987-08-31 1989-03-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Leistungshalbleiteranordnung mit Elektroden-Strukturen
DE68919263T2 (de) * 1988-04-05 1995-04-13 Toshiba Kawasaki Kk Halbleiteranordnung mit Zuleitungen.
DE19531496C1 (de) * 1995-08-26 1996-11-14 Semikron Elektronik Gmbh Leistungshalbleitermodul, insb. Stromumrichter mit Folienverbund als isolierendes Substrat
DE19530264A1 (de) * 1995-08-17 1997-02-20 Abb Management Ag Leistungshalbleitermodul
DE4135183C2 (de) * 1990-11-03 2002-03-14 Fuji Electric Co Ltd Anschlussleiste und deren Verwendung in einer Halbleiter-Anordnung

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0305993A2 (de) * 1987-08-31 1989-03-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Leistungshalbleiteranordnung mit Elektroden-Strukturen
DE68919263T2 (de) * 1988-04-05 1995-04-13 Toshiba Kawasaki Kk Halbleiteranordnung mit Zuleitungen.
DE4135183C2 (de) * 1990-11-03 2002-03-14 Fuji Electric Co Ltd Anschlussleiste und deren Verwendung in einer Halbleiter-Anordnung
DE19530264A1 (de) * 1995-08-17 1997-02-20 Abb Management Ag Leistungshalbleitermodul
DE19531496C1 (de) * 1995-08-26 1996-11-14 Semikron Elektronik Gmbh Leistungshalbleitermodul, insb. Stromumrichter mit Folienverbund als isolierendes Substrat

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006013177A2 (de) * 2004-07-30 2006-02-09 Siemens Aktiengesellschaft Planare verbindungstechnik für stromführung im fehlerfall
DE102004037078A1 (de) * 2004-07-30 2006-03-23 Siemens Ag Planare Verbindungstechnik für Stromführung im Fehlerfall
WO2006013177A3 (de) * 2004-07-30 2006-07-27 Siemens Ag Planare verbindungstechnik für stromführung im fehlerfall
EP2560468A1 (de) 2011-08-19 2013-02-20 ABB Research Ltd. Verfahren zur gegenseitigen Verbindung von Elementen aus einer Vielzahl von Elementen

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102007013186B4 (de) Halbleitermodul mit Halbleiterchips und Verfahren zur Herstellung desselben
DE102004018469B3 (de) Leistungshalbleiterschaltung
EP1318547B1 (de) Leistungshalbleiter-Modul
EP1062698A1 (de) Elektronisches halbleitermodul
EP3751605A1 (de) Elektronischer schaltkreis und verfahren zur herstellung eines elektronischen schaltkreises
DE112016005574B4 (de) Halbleitermodule
EP1178595B1 (de) Induktivitätsarme Schaltungsanordnung
DE102019112935B4 (de) Halbleitermodul
DE102016206233A1 (de) Leistungsmodul mit einem Ga-Halbleiterschalter sowie Verfahren zu dessen Herstellung, Wechselrichter und Fahrzeugantriebsystem
WO2009043670A2 (de) Elektronische schaltung aus teilschaltungen und verfahren zu deren herstellung
EP0738008B1 (de) Leistungshalbleitermodul
DE102014010373A1 (de) Elektronisches Modul für ein Kraftfahrzeug
DE102005061016A1 (de) Leistungshalbleitermodul, Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendung in einem Schaltnetzteil
DE102017120747A1 (de) SMD-Gehäuse mit Oberseitenkühlung
EP0381849A1 (de) Schnelle Leistungshalbleiterschaltung
DE102011080861A1 (de) Leistungselektronisches System mit einer Schalt- und einer Ansteuereinrichtung
EP0185181A1 (de) Induktionsarme Anoden-Kathodenbeschaltung eines abschaltbaren Leistungsthyristors
DE112018004816T5 (de) Leistungsmodul, verfahren zur herstellung desselben und leistungswandler
WO2009127179A1 (de) Verfahren zur herstellung und aufbau eines leistungsmoduls
DE102006002381B3 (de) Leistungshalbleiterbauteil mit Chipstapel und Verfahren zu seiner Herstellung
DE4435255A1 (de) Verfahren zur Fehlerbehebung in einer Stromrichterschaltungsanordnung
EP3949103A1 (de) Elektronische schaltungseinheit
DE10244748A1 (de) Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung desselben
DE102015115312B4 (de) Halbleitermodul und Verfahren zum Betrieb eines Halbleitermoduls
WO2002069482A1 (de) Schaltungsaufbau für eine schaltung zum schalten von strömen

Legal Events

Date Code Title Description
OAV Applicant agreed to the publication of the unexamined application as to paragraph 31 lit. 2 z1
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8131 Rejection