DE10239312B4 - Method for producing a semiconductor component with a drift zone and a field stop zone and semiconductor component with a drift zone and a field stop zone - Google Patents
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Abstract
Verfahren
zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit einer Driftzone
(23) eines ersten Leitungstyps und einer stärker als die Driftzone (23)
dotierten und sich an diese anschließende Feldstoppzone (20) des ersten
Leitungstyps, das folgende Verfahrensschritte aufweist:
–Bereitstellen
eines Halbleiterkörpers
(100) mit einer Halbleiterschicht (20), die eine Grunddotierung
des ersten Leitungstyps, und eine freiliegende Vorderseite (101)
aufweist,
– Einbringen
von Dotierstoffatomen des zweiten Leitungstyps über die Vorderseite (101) in
einen Driftzonenbereich, der von der Vorderseite (101) bis in eine
vorgegebene Tiefe reicht, wobei die Dotierstoffkonzentration der
Dotierstoffatome des zweiten Leitungstyps so gewählt ist, dass in dem Driftzonenbereich
(23) eine Nettodotierung des ersten Leitungstyps verbleibt, und
wobei die vorgegebene Tiefe geringer ist als eine Dicke der Halbleiterschicht (20).Method for producing a semiconductor component having a drift zone (23) of a first conduction type and a field stop zone (20) of the first conduction type doped more strongly than the drift zone (23) and comprising the following method steps:
Providing a semiconductor body (100) with a semiconductor layer (20) having a fundamental doping of the first conductivity type, and an exposed front side (101),
- introducing dopant atoms of the second conductivity type via the front side (101) into a drift zone region which extends from the front side (101) to a predetermined depth, the dopant concentration of the dopant atoms of the second conductivity type being selected such that in the drift zone region (23) a net doping of the first conductivity type remains, and wherein the predetermined depth is less than a thickness of the semiconductor layer (20).
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit einer Driftzone und einer Feldstoppzone und ein Halbleiterbauelement mit einer Driftzone und einer Feldstoppzone.The The present invention relates to a process for producing a Semiconductor device having a drift zone and a field stop zone and a semiconductor device having a drift zone and a field stop zone.
Ein
als IGBT ausgebildetes Halbleiterbauelement mit einer Driftzone
eines ersten Leitungstyps und einer sich an die Driftzone anschließenden Feldstoppzone
des ersten Leitungstyps, die stärker
als die Driftzone dotiert ist, ist beispielsweise in der
Zur Herstellung der im Bereich der Rückseite des Halbleiterbauelements angeordneten Feldstoppzone ist es bekannt, Dotierstoffatome des ersten Leitungstyps über die Rückseite in die Driftzone zu implantieren, um in dem implantierten Bereich die stärker als die Driftzone dotierte Feldstoppzone zu erzeugen. Die Kollektorzone kann ebenfalls durch ein Implantationsverfahren erzeugt werden, wobei hier unmittelbar anschließend an die Rückseite Dotierstoffatome des zweiten Leitungstyps in den Halbleiterkörper implantiert werden.to Production of in the area of the back of the Semiconductor device arranged field stop zone it is known Dopant atoms of the first conductivity type on the back to the drift zone to to implant in the implanted area more than to generate the drift zone doped field stop zone. The collector zone can also be generated by an implantation procedure, being here immediately afterwards to the back Dopant atoms of the second conductivity type implanted in the semiconductor body become.
Zur Erzielung eines niedrigen Einschaltwiderstandes ist die Driftzone üblicherweise sehr dünn und beträgt unter Umständen weniger als 100 μm. Die Herstellung der Feldstoppzone mittels Implantation von Dotierstoffatomen über die Rückseite, setzt voraus, dass der Halbleiterkörper bzw. der Wafer, aus dem der Halbleiterkörper später ausgesägt wird, bereits annähernd bis auf die Dicke des späteren Halbleiterbauelements gedünnt ist. Das Handling derart dünner Wafer zur Rückseitenimplantation ist allerdings sehr aufwendig und teuer. Darüber hinaus muss der Wafer für diese Rückseitenimplantation nach Abschluss der Verfahrensschritte, bei welchen Bauelementstrukturen im Bereich der Vorderseite erzeugt werden „umgedreht" werden, das heißt, der zunächst an seiner Rückseite auf einem Träger befestigte Wafer muss für die Rückseitenimplantation an seiner Vorderseite an einem Träger befestigt werden, was insbesondere bei sehr dünnen Wafern schwierig und aufwendig ist.to Achieving a low on-resistance is the drift zone usually very thin and is in certain circumstances less than 100 μm. The Production of the field stop zone by implantation of dopant atoms over the Back, assumes that the semiconductor body or the wafer, from the the semiconductor body later sawn is already approaching to the thickness of the later semiconductor device thinned is. The handling is so thinner Wafer for backside implantation However, it is very complicated and expensive. In addition, the wafer must be for this Backside implantation after Completion of the method steps in which component structures generated in the area of the front will be "turned around", that is, the first on its back on a carrier attached wafers must be for the backside implantation be attached to its front on a support, which in particular at very thin Wafern is difficult and expensive.
Die
Die
Ziel der vorliegenden Erfindung ist, ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit einer Driftzone und einer Feldstoppzone zur Verfügung zu stellen, bei dem zur Erstellung der Feldstoppzone keine Rückseitenimplantation erforderlich ist.aim The present invention is a method for producing a Semiconductor device having a drift zone and a field stop zone to disposal no backside implantation to create the field stop zone is required.
Dieses Ziel wird durch ein Verfahren gemäß der Merkmale des Anspruchs 1 gelöst. Ein mittels eines solchen Verfahrens hergestelltes Halbleiterbauelement ist Gegenstand des Patentanspruchs 13. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.This The object is achieved by a method according to the features of the claim 1 solved. A manufactured by such a method semiconductor device is the subject of claim 13. Advantageous embodiments The invention are the subject of the dependent claims.
Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit einer Driftzone eines ersten Leitungstyps und einer stärker als die Driftzone dotierten und sich an diese anschließende Feldstoppzone des ersten Leitungstyps umfasst das Bereitstellen eines Halbleiterkörpers mit einer Halbleiterschicht, die eine Grunddotierung des ersten Leitungstyps und eine freiliegende Vorderseite aufweist, und das Einbringen von Dotierstoffatomen über die Vorderseite in einen Driftzonenbereich, der von der Vorderseite bis in eine vorgegebene Tiefe reicht, die geringer ist, als eine Dicke der Halbleiterschicht.The inventive method for producing a semiconductor device with a drift zone a first conductivity type and a more doped than the drift zone and to this subsequent Field stop zone of the first conductivity type comprises providing a semiconductor body with a semiconductor layer having a base doping of the first Conduction type and having an exposed front, and the Introducing dopant atoms across the front into one Drift zone range, from the front to a predetermined Depth is less than a thickness of the semiconductor layer.
Die Halbleiterschicht des ersten Leitungstyps kann bei dem erfindungsgemäßen Verfahren insbesondere eine Epitaxieschicht sein, die auf einem Halbleitersubstrat, eines zweiten, zu dem ersten Leitungstyp komplementären Leitungstyps aufgebracht ist, wobei dieses Halbleitersubstrat eine der Anschlusszonen des späteren Halbleiterbauelements, beispielweise eine Kollektorzone bei einem IGBT, bilden kann. Die Grunddotierung der Halbleiterschicht ist vorzugsweise so gewählt, dass sie der gewünschten Dotierung der Feldstoppzone entspricht, wobei die Feldstoppzone durch den Bereich der Halbleiterschicht gebildet wird, in welchen keine Dotierstoffatome des zweiten Leitungstyps implantiert werden oder in den nur vergleichsweise wenig Dotierstoffatome des zweiten Leitungstyps implantiert werden. Die im Vergleich zu der Feldstoppzone niedrigere Dotierung der Driftzone wird bei dem erfindungsgemäßen Verfahren dadurch erreicht, dass Dotierstoffatome des zweiten Leitungstyps in die Halbleiterschicht in den Bereich der späteren Driftzone eingebracht werden, wobei diese Dotierstoffatome des zweiten Leitungstyps einen Teil der Dotierstoffatome des ersten Leitungstyps in der Halbleiterschicht kompensieren. In dem Bereich, in den Dotierstoffatome des zweiten Leitungstyps eingebracht wurden, verbleibt eine Nettodotierung des ersten Leitungstyps, die geringer ist als die ursprüngliche Grunddotierung der Halbleiterschicht.The Semiconductor layer of the first conductivity type can in the inventive method in particular an epitaxial layer, which on a semiconductor substrate, a second, complementary to the first conductivity type conductivity type is applied, this semiconductor substrate one of the connection zones later Semiconductor device, for example, a collector region in an IGBT, can form. The basic doping of the semiconductor layer is preferred chosen so that you want Doping the field stop zone corresponds to the field stop zone is formed by the region of the semiconductor layer in which no dopant atoms of the second conductivity type are implanted or in the only comparatively little dopant atoms of the second Type of lead implanted. The lower compared to the field stop zone Doping of the drift zone is in the process of the invention achieved by dopant atoms of the second conductivity type introduced into the semiconductor layer in the region of the later drift zone be, these dopant atoms of the second conductivity type a Compensate for part of the dopant atoms of the first conductivity type in the semiconductor layer. In the region, in the dopant atoms of the second conductivity type have been introduced, a net doping of the first type of line remains, which is less than the original Grunddotierung the semiconductor layer.
Die Dotierstoffatome des zweiten Leitungstyps werden vorzugsweise mittels eines Implantationsverfahrens über die Vorderseite in die Halbleiterschicht implantiert, wobei unter schiedliche Implantationsenergien verwendet werden, um die Dotierstoffatome wenigstens annäherungsweise gleichmäßig in vertikaler Richtung in der Halbleiterschicht zu verteilen. Des weiteren erfolgt die Bestrahlung der Vorderseite mit Dotierstoffatomen des zweiten Leitungstyps während des Implantationsverfahrens ebenfalls wenigstens annäherungsweise gleichmäßig, um in horizontaler Richtung der Halbleiterschicht ebenfalls eine gleichmäßige Verteilung der zweiten Dotierstoffatome zu erreichen. An den Implantationsschritt schließt sich vorzugsweise ein Temperaturschritt an, um Implantationsschäden auszuheilen, die eingebrachten Dotierstoffatome zu aktivieren und durch Diffusion eine gleichmäßigere Verteilung der Dotierstoffatome des zweiten Leitungstyps zu erreichen.The Doping atoms of the second conductivity type are preferably by means of an implantation method the front implanted in the semiconductor layer, wherein under different Implantation energies used to the dopant atoms at least approximately evenly in vertical Distribute direction in the semiconductor layer. Furthermore, it takes place the irradiation of the front with dopant atoms of the second Line type during of the implantation procedure also at least approximately evenly, around in the horizontal direction of the semiconductor layer also has a uniform distribution to reach the second dopant atoms. At the implantation step includes preferably a temperature step to heal implantation damage, to activate the introduced dopant atoms and by diffusion a more even distribution reach the dopant atoms of the second conductivity type.
Für das Implantationsverfahren kann beispielsweise ein Implanter verwendet werden, bei dem die Implantationsenergien, das heißt die Energien, mit welchen die Dotierstoffatome in Richtung der Vorderseite der Halbleiterschicht bzw. des Wafers abgegeben werden, stufenweise eingestellt werden können, wobei über die Implantationsenergie die Eindringtiefe der während der einzelnen Implantationsschritte implantierten Dotierstoffatome eingestellt wird.For the implantation procedure For example, an implanter may be used where the Implantation energies, that is the energies with which the dopant atoms in the direction of the front the semiconductor layer or the wafer are discharged, gradually can be adjusted being over the implantation energy the penetration depth during the individual implantation steps implanted dopant atoms is set.
Des weiteren besteht die Möglichkeit Dotierstoffatome mit einer vorgegebenen Energie in Richtung der Vorderseite des Halbleiterkörpers abzugeben, wobei oberhalb der Vorderseite ein Energiefilter mit variabler Dämpfung angeordnet ist, welches die Dotierstoffatome je nach eingestelltem Dämpfungsgrad unterschiedlich abbremst, um so unterschiedliche Eindringtiefen der Dotierstoffatome bzw. eine gleichmäßige Verteilung der Dotierstoffatome in vertikaler Richtung der Halbleiterschicht zu erreichen.Of further there is the possibility Dopant atoms with a given energy in the direction of Front side of the semiconductor body with an energy filter above the front variable damping is arranged, which the dopant atoms depending on the set damping ratio decelerates differently, so different penetration depths the dopant atoms or a uniform distribution of the dopant atoms to reach in the vertical direction of the semiconductor layer.
Bei einer Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, die Dosis der implantierten Dotierstoffatome des zweiten Leitungstyps ab einer vorgegebenen Tiefe, ausgehend von der Vor derseite mit zunehmender Tiefe zu reduzieren, um dadurch einen stetigen Übergang von der, bezogen auf die Nettodotierung, schwächer dotierten Driftzone zu der stärker dotierten Feldstoppzone zu erreichen.at an embodiment The invention provides for the dose of the implanted dopant atoms of the second conductivity type from a predetermined depth, starting from the front to reduce with increasing depth to thereby a steady transition from, relative to the net doping, weaker doped drift zone the more heavily doped Field stop zone to reach.
Zur Einstellung des Dotierungsprofils in der Feldstoppzone wird bei einer Ausführungsform des Verfahrens auch in die Feldstoppzone – allerdings mit einer niedrigeren Dosis als in die Driftzone – implantiert.to Adjustment of the doping profile in the field stop zone is added an embodiment the procedure in the field stop zone - but with a lower Dose as implanted in the drift zone.
Bei einer Ausführungsform der Erfindung ist zur Herstellung eines abrupten Dotierungsübergangs von der schwächeren Netto dotierung des ersten Leitungstyps im Bereich der Driftzone zu einer stärkeren Dotierung des ersten Leitungstyps vorgesehen, an den Diffusionsschritt einen weiteren Implantationsschritt anzuschließen, bei dem die Implantationsenergie so eingestellt ist, dass Dotierstoffatome in den Grenzbereich zwischen der Driftzone und der Feldstoppzone implantiert werden, wobei sich an diesen Implantationsschritt kein Diffusionsschritt anschließt.at an embodiment The invention is for producing an abrupt doping transition of the weaker one Net doping of the first conductivity type in the area of the drift zone to a stronger doping of the first conductivity type, to the diffusion step a further implantation step, in which the implantation energy is set so that dopant atoms in the border region between the drift zone and the field stop zone are implanted, wherein no diffusion step follows this implantation step.
Das erfindungsgemäße, mittels des erläuterten Verfahrens hergestellte Halbleiterbauelement umfasst eine dotierte Driftzone und eine, sich an die dotierte Driftzone anschließende dotierte Feldstoppzone, wobei die Feldstoppzone Dotierstoffatome eines ersten Leitungstyps umfasst und die Driftstoffzone Dotierstoffatome des ersten Leitungstyps und Dotierstoffatome eines zweiten, zu dem ersten Leistungstyps komplementären Leitungstyps umfasst, wobei die Dotierstoffatome des zweiten Leitungstyps wenigstens annäherungsweise gleichmäßig in der Driftzone verteilt sind und die Dotierstoffkonzentration der Dotierstoffatome des ersten und des zweiten Leitungstyps in der Driftzone so gewählt sind, dass eine Nettodotierung des ersten Leitungstyps vorhanden ist.The according to the invention, by means of the explained Method produced semiconductor device comprises a doped Drift zone and one subsequent to the doped drift zone doped Field stop zone, wherein the field stop zone dopant atoms of a first Conductor type comprises and the drift region dopant atoms of the first conductivity type and dopant atoms of a second, to the first Complementing performance type Conductor type comprises, wherein the dopant atoms of the second conductivity type at least approximately even in the drift zone are distributed and the dopant concentration of the dopant atoms of the first and second conductivity types in the drift zone are selected that a net doping of the first conductivity type is present.
Bei einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements nimmt die Dotierstoffkonzentration an Dotier stoffatomen des zweiten Leitungstyps in einem Übergangsbereich von der Driftzone zu der Feldstoppzone stetig ab.In one embodiment of the semiconductor device according to the invention, the dopant concentration of dopant atoms of the second takes Conductor type in a transition region from the drift zone to the field stop zone steadily.
Bei einer anderen Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Dotierstoffkonzentration an Dotierstoffatomen des zweiten Leitungstyps in einem Übergangsbereich von der Driftzone zu der Feldstoppzone abrupt abnimmt.at another embodiment it is provided that the dopant concentration of dopant atoms of the second conductivity type in a transition region of the drift zone decreases abruptly to the field stop zone.
Das erfindungsgemäße Verfahren und das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement werden nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen in Figuren näher erläutert. In den Figuren zeigtThe inventive method and the semiconductor device according to the invention will be described below with reference to exemplary embodiments in FIGS explained in more detail. In the figures shows
In den Figuren bezeichnen, sofern nicht anders angegeben, gleiche Bezugszeichen gleiche Teile und Strukturelemente mit gleicher Bedeutung.In denote the figures, unless otherwise indicated, like reference numerals same parts and structural elements with the same meaning.
Wie
anhand von
Die
Dicke der Halbleiterschicht
Während nächster Verfahrensschritte
werden Dotierstoffatome des zweiten Leitungstyps über die
Vorderseite
Das
Implantationsverfahren umfasst beispielsweise gleichzeitig oder
zeitlich aufeinanderfolgend mehrere Implantationsschritte, bei denen
Dotierstoffatome mit unterschiedlichen Energien auf die Vorderseite
Die
maximale Implantationsenergie ist dabei so gewählt, dass die Dotierstoffatome
des zweiten Leitungstyps nur bis zu einer Tiefe vordringen, die
geringer ist, als die Dicke der Halbleiterschicht
Zum
besseren Verständnis
sind in
Die
parabelförmigen
Kurven in
Die Anzahl der einzelnen Implantationsschritte bzw. die Anzahl der verwendeten Implantationsenergien ist vorzugsweise sehr groß, um eine möglichst gleichmäßige Verteilung an Dotierstoffatomen des zweiten Leitungstyps in vertikaler Richtung des Halbleiterkörpers zu erreichen, wobei die Implantationsdosis mit zunehmender Tiefe abnehmen kann, um einen kontinuierlichen Dotierungsübergang von der Driftzone zu der Feldstoppzone zu erreichen, wie nachfolgend noch erläutert werden wird.The Number of individual implantation steps or the number of used Implantation energies is preferably very large, as possible even distribution to dopant atoms of the second conductivity type in the vertical direction of the Semiconductor body to achieve, with the implantation dose with increasing depth can decrease to a continuous doping transition from the drift zone to the field stop zone, as follows still explained will be.
An
die Implantation der Dotierstoffatome des zweiten Leitungstyps schließt sich
ein Diffusionsverfahren an, bei dem die Halbleiterschicht für eine vorgegebene
Zeitdauer auf eine vorgegebene Temperatur aufgeheizt wird, um ein
Ausheilen von Implantationsschäden
zu erreichen und die implantierten Dotierstoffatome des zweiten
Leitungstyps in vertikaler Richtung des Halbleiterkörpers möglichst
gleichmäßig zu verteilen.
Ergebnis dieses Diffusionsprozesses ist, wie dies in
In
der Feldstoppzone sind ausschließlich Dotierstoffatome des
ersten Leitungstyps mit der Konzentration der Grunddotierung der
ursprünglichen Halbleiterschicht
Die
maximale Implantationstiefe beträgt
bei dem Beispiel gemäß
Bei den zuvor erläuterten Ausführungsbeispielen wird ein stetiger Übergang von der Driftzone mit einer niedrigen Nettodotierung des ersten Leitungstyps zu der Feldstoppzone mit einer höheren Dotierung des ersten Leitungstyps dadurch erreicht, dass die Implantationsdosen mit zunehmenden Implantationstiefen in Richtung der Feldstoppzone nehmen.at the previously explained embodiments becomes a steady transition from the drift zone with a low net doping of the first Line type to the field stop zone with a higher doping of the first Conduction type achieved by the implantation doses with increasing Implantation depths in the direction of the field stop zone.
Anhand
von
Hierzu
wird ein zweistufiges Implantationsverfahren verwendet, wobei sich
an das erste Implantationsverfahren ein Diffusionsschritt und an
das zweite Implantationsverfahren kein solcher Diffusionsschritt – oder allenfalls
ein Diffusionsschritt bei dem eine vergleichsweise geringe Diffusion
der eingebrachten Dotierstoffatome erfolgt – anschließt.
An den zweiten Implantationsschritt schließt sich vorzugsweise ein Temperaturprozess zur Ausheilung von Implantationsschäden an, wobei dieser Temperaturprozess vorzugsweise so gewählt ist, dass möglichst keine bzw. eine im Vergleich zu dem Diffusionsverfahren im Anschluss an den ersten Implantationsschritt möglichst geringe Diffusion der eingebrachten Dotierstoffatome erfolgt. Geeignete Temperaturprozesse zur Ausheilung von Implantationsschäden bei einer geringen Diffusion sind RTP- oder RTA-Schritte (RTP = Rapid Thermal Processing, RTA = Rapid Thermal Annealing).At the second implantation step is preferably followed by a temperature process for the healing of implantation damage, this temperature process preferably chosen so is that possible none or one in comparison to the diffusion method following at the first implantation step the least possible diffusion of the introduced dopant atoms takes place. Suitable temperature processes for the healing of implantation damage with a small diffusion are RTP or RTA steps (RTP = Rapid Thermal Processing, RTA = Rapid Thermal Annealing).
Die
Welligkeit der Nettodotierung der Dotierstoffatome des ersten Leitungstyps
in der Driftzone, die in
Um
mit geringem Aufwand eine homogene Dotierung des Wafers bzw. der
Halbleiterschicht zu erreichen, ist bei einer Ausführungsform
der erfindungsgemäßen Verfahrens
vorgesehen, Dotierstoffatome mit der maximalen Implantationsenergie
bereit zu stellen, und einen Energiefilter
Der
Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens
besteht darin, dass die Feldstoppzone mittels Verfahrensschritten
hergestellt wird, bei denen die Vorderseite der Halbleiterschicht
frei liegen muss und somit keine Implantationsschritte über die
Rückseite erforderlich
sind. Bei der Darstellung gemäß
Selbstverständlich besteht
auch die Möglichkeit,
anstelle des in
Bei den bisher erläuterten Verfahren wurde davon ausgegangen, dass in die Feldstoppzone keine Dotierstoffatome des zweiten Leitungstyps implantiert werden, so dass die Dotierung der Feldstoppzone der Grunddotierung der Halbleiterschicht bzw. des Halbleiterkörpers vor der Implantation entspricht.at the previously explained Procedure was assumed that in the field stop zone no Dopant atoms of the second conductivity type are implanted, so that the doping of the field stop zone of the basic doping of the semiconductor layer or of the semiconductor body before implantation.
Bei einer nicht näher dargestellten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens, ist vorgesehen, auch Dotierstoffatome des zweiten Leitungstyps in dem Bereich der Halbleiterschicht zu implantieren, der der späteren Feldstoppzone entspricht, wobei die Implantationsdosis dieser Dotierstoffatome des zweiten Leitungstyps niedriger gewählt ist, als die Implantationsdosis von Dotierstoffatomen des zweiten Leitungstyps in solchen Bereichen, die die spätere Driftzone bilden. Über die Implantation von Dotierstoffatomen des zweiten Leitungstyps in dem Bereich der Feldstoppzone kann insbesondere bei fein abgestuften Implantationen mit sehr geringer Dosis und hoher Energie in Kombination mit einem oder mehreren Diffusionsschritten der Gradient des Dotierprofils in der Feldstoppschicht sehr genau justiert werden.at one not closer illustrated embodiment of the method according to the invention, is provided, also dopant atoms of the second conductivity type in to implant the region of the semiconductor layer, the later field stop zone corresponds, wherein the implantation dose of these dopant atoms of the second conductivity type is chosen lower than the implantation dose dopant atoms of the second conductivity type in such areas, the later Form drift zone. about the implantation of dopant atoms of the second conductivity type in the area of the field stop zone can be particularly finely graduated Very low dose and high energy implants in combination with one or more diffusion steps, the gradient of the doping profile be adjusted very accurately in the field stop layer.
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