DE102022210838A1 - Method for producing a vertical field effect transistor structure and corresponding vertical field effect transistor structure - Google Patents

Method for producing a vertical field effect transistor structure and corresponding vertical field effect transistor structure Download PDF

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Abstract

Die Erfindung betrifft eine vertikale Feldeffekttransistorstruktur mit einem Halbleiterkörper (100) mit einer ersten Anschlusszone (12, 14) und einer zweiten Anschlusszone (30) eines ersten Leitungstyps (n), wobei die erste Anschlusszone (12, 14) ein niedriger dotiertes Driftgebiet (12) und ein höher dotiertes Draingebiet (14) aufweist; einer zwischen der ersten und zweiten Anschlusszone (12, 14; 30) angeordnete Kanalzone (20) eines zu dem ersten Leitungstyp komplementären zweiten Leitungstyps (p); zumindest einen sich in den Halbleiterkörper (100) hinein erstreckenden Graben (G1), welcher von der zweiten Anschlusszone (30) durch die Kanalzone (20), bis in die Driftzone (14) reicht; wobei in dem Graben (G1) angeordnete erste Steuerelektroden (40), die benachbart zu der jeweils benachbarten Kanalzone (20) und isoliert gegenüber dem Halbleiterkörper (100) angeordnet sind; wobei im Graben (G1) eine Elektrode (80) angeordnet ist, die mit der zweiten Anschlusszone (30) elektrisch leitend verbunden ist und die gegenüber der ersten Steuerelektrode (40) elektrisch isoliert ist und die am Boden des Grabens den Halbleiterkörper (100) kontaktiert; wobei der Halbleiterkörper (100) eine dotierte Zone (90) des zweiten Leitungstyps (p) in dem Driftgebiet (14) unterhalt des Grabens (G1) aufweist, welche die Elektrode (80) kontaktieren; und wobei die Elektrode (80) ein Halbleitermaterial umfasst.The invention relates to a vertical field effect transistor structure with a semiconductor body (100) with a first connection zone (12, 14) and a second connection zone (30) of a first conductivity type (n), wherein the first connection zone (12, 14) has a less doped drift region (12) and a more highly doped drain region (14); a channel zone (20) of a second conductivity type (p) complementary to the first conductivity type, arranged between the first and second connection zones (12, 14; 30); at least one trench (G1) extending into the semiconductor body (100), which reaches from the second connection zone (30) through the channel zone (20) into the drift zone (14); wherein first control electrodes (40) arranged in the trench (G1) are arranged adjacent to the respectively adjacent channel zone (20) and insulated from the semiconductor body (100); wherein an electrode (80) is arranged in the trench (G1), which is electrically conductively connected to the second connection zone (30) and which is electrically insulated from the first control electrode (40) and which contacts the semiconductor body (100) at the bottom of the trench; wherein the semiconductor body (100) has a doped zone (90) of the second conductivity type (p) in the drift region (14) below the trench (G1), which contact the electrode (80); and wherein the electrode (80) comprises a semiconductor material.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer vertikalen Feldeffekttransistorstruktur und eine entsprechende vertikale Feldeffekttransistorstruktur.The invention relates to a method for producing a vertical field effect transistor structure and a corresponding vertical field effect transistor structure.

Stand der TechnikState of the art

Für die Anwendung von Halbleitern mit breitem Bandabstand (z.B. Siliziumcarbid (SiC) oder Galliumnitrid (GaN)) in der Leistungselektronik kommen typischerweise Leistungs-MOSFETs mit vertikalem Kanalgebiet (TMOSFETs) zum Einsatz.For the application of semiconductors with a wide band gap (e.g. silicon carbide (SiC) or gallium nitride (GaN)) in power electronics, power MOSFETs with a vertical channel region (TMOSFETs) are typically used.

Im Konzept des TMOSFET werden das in einem Halbleitermaterial befindliche n+ Sourcegebiet und das p Kanalgebiet durch Gräben (auch Trenches genannt) unterbrochen, die sich bis zum n- Driftgebiet erstrecken. Innerhalb der Trenches befindet sich eine Gate-Elektrode, welche durch ein Gateoxid vom Halbleitermaterial getrennt ist und zur Steuerung des Kanalgebietes dient.In the TMOSFET concept, the n+ source region and the p channel region located in a semiconductor material are interrupted by trenches that extend to the n- drift region. Inside the trenches there is a gate electrode, which is separated from the semiconductor material by a gate oxide and serves to control the channel region.

Durch eine geeignete Wahl von Geometrie, Epitaxie-, Kanal- und Screening-Dotierung können Einschaltwiderstand, Schwellspannung, Kurzschlusswiderstand, Oxidbelastung und Durchbruchspannung derartiger TMOSFETs optimiert werden.By a suitable choice of geometry, epitaxial, channel and screening doping, the on-resistance, threshold voltage, short-circuit resistance, oxide stress and breakdown voltage of such TMOSFETs can be optimized.

2 zeigt eine auschnittsweise perspektivische Darstellung einer vertikalen Feldeffekttransistorstruktur gemäß dem Stand der Technik der DE 102 24 201 B4 . 2 shows a partial perspective view of a vertical field effect transistor structure according to the prior art of DE 102 24 201 B4 .

Das in 2 dargestellte Halbleiterbauelement realisiert einen n-leitenden vertikalen Graben-MOSFET mit einer an den Gräben angeordneten Durchbruchstruktur. Die bekannte Struktur ist selbstverständlich auch auf p-leitende MOSFET anwendbar, wobei die im folgenden erläuterten Dotierungen dann zu vertauschen wären.This in 2 The semiconductor component shown realizes an n-conducting vertical trench MOSFET with a breakdown structure arranged on the trenches. The known structure can of course also be used for p-conducting MOSFETs, in which case the doping explained below would have to be swapped.

Das Halbleiterbauelement umfasst einen Halbleiterkörper 100 mit einer n-dotierten ersten Anschlusszone 12, 14. Diese erste Anschlusszone 12, 14 ist im Bereich der Rückseite des Halbleiterkörpers 100 stärker n-dotiert und bildet dort die n+ Drain-Zone 14 des MOSFET, während sich an die n+ Drain-Zone 14 eine schwächer n-dotierte n- Driftzone 12 anschließt. Der Halbleiterkörper 100 umfasst weiterhin eine p Kanalzone oder Body-Zone 20, die sich an die n- Driftzone 12 anschließt und die zwischen der n- Driftzone 12 und einer im Bereich der Vorderseite ausgebildeten stark n-dotierten zweiten n+ Anschlusszone 30 ausgebildet ist. Die zweite n+ Anschlusszone 30 bildet die Source-Zone des MOSFET.The semiconductor component comprises a semiconductor body 100 with an n-doped first connection zone 12, 14. This first connection zone 12, 14 is more heavily n-doped in the region of the rear side of the semiconductor body 100 and forms the n+ drain zone 14 of the MOSFET there, while a less heavily n-doped n- drift zone 12 adjoins the n+ drain zone 14. The semiconductor body 100 further comprises a p channel zone or body zone 20, which adjoins the n- drift zone 12 and which is formed between the n- drift zone 12 and a heavily n-doped second n+ connection zone 30 formed in the region of the front side. The second n+ connection zone 30 forms the source zone of the MOSFET.

Ausgehend von der Vorderseite 101 des Halbleiterkörpers 100 erstrecken sich mehrere Gräben 60, von denen in 4 zwei dargestellt sind, durch die n+ Source-Zone 30, die p Body-Zone 20 bis in die n- Driftzone 12 des Halbleiterkörpers 100.Starting from the front side 101 of the semiconductor body 100, several trenches 60 extend, of which 4 two are shown, through the n+ source zone 30, the p body zone 20 up to the n- drift zone 12 of the semiconductor body 100.

Im Bereich der Seitenwände der Gräben 60 sind jeweils Steuerelektroden 40, die zusammengeschaltet die Gate-Elektrode des MOSFET bilden, angeordnet. Diese Gate-Elektroden 40 sind durch eine Gate-Isolationsschicht 50 gegenüber dem Halbleiterkörper 100 isoliert und verlaufen in vertikaler Richtung des Halbleiterkörpers von der n+ Source-Zone 30 entlang der p Body-Zone 20 bis zu der n- Driftzone 12, um bei Anlegen eines geeigneten Ansteuerpotentials einen elektrisch leitenden Kanal in der Body-Zone 20 entlang der Seitenwand des Grabens zwischen der n+ Source-Zone 30 und der n- Driftzone 12 zu bilden.Control electrodes 40, which when connected together form the gate electrode of the MOSFET, are arranged in the region of the side walls of the trenches 60. These gate electrodes 40 are insulated from the semiconductor body 100 by a gate insulation layer 50 and run in the vertical direction of the semiconductor body from the n+ source zone 30 along the p body zone 20 to the n- drift zone 12 in order to form an electrically conductive channel in the body zone 20 along the side wall of the trench between the n+ source zone 30 and the n- drift zone 12 when a suitable control potential is applied.

Das Halbleiterbauelement umfasst eine Vielzahl gleichartiger Transistorstrukturen, sogenannter Zellen mit jeweiligen n+ Source-Zonen 30, p Body-Zonen 20 und Gate-Elektroden 40, wobei allen Zellen in dem Beispiel eine n- Driftzone 12 und eine n+ Drain-Zone 14 gemeinsam ist. Die n+ Source-Zonen 30 aller Zellen sind dabei elektrisch leitend miteinander verbunden, um eine gemeinsame Source-Zone zu bilden, und die Gate-Elektroden 40 aller Zellen sind elektrisch leitend miteinander verbunden, um eine gemeinsame Gate-Elektrode zu bilden.The semiconductor component comprises a plurality of similar transistor structures, so-called cells with respective n+ source zones 30, p body zones 20 and gate electrodes 40, wherein all cells in the example have in common an n- drift zone 12 and an n+ drain zone 14. The n+ source zones 30 of all cells are electrically connected to one another to form a common source zone, and the gate electrodes 40 of all cells are electrically connected to one another to form a common gate electrode.

Das in 2 dargestellte Halbleiterbauelement umfasst eine Durchbruchstruktur mit einer Elektrode 80, die in dem jeweiligen Graben 60 ausgebildet ist und die mittels einer weiteren Isolationsschicht 70 gegenüber der jeweiligen Gate-Elektrode 40 isoliert ist. Diese Elektrode 80 erstreckt sich in vertikaler Richtung über die gesamte Länge des Grabens und berührt am Boden des Grabens 60 den Halbleiterkörper 100 im Bereich der Driftzone 12. In diesem Kontaktbereich zwischen der Elektrode 80 und der Driftzone 12 ist eine p-dotierte Zone 90 vorgesehen, die durch die Elektrode 80 kontaktiert ist und die die Elektrode in diesem Bereich vollständig überdeckt. Die p-dotierte Zone 90 und die Driftzone 12 bzw. die Drain-Zone 14 bilden eine Diode, deren Schaltsymbol in 2 eingezeichnet ist, und die bei dem dargestellten n-leitenden MOSFET in Source-Drain-Richtung in Durchlassrichtung bzw. in Drain-Source-Richtung in Sperrrichtung gepolt ist. Die Durchbruchspannung dieser Diode in Drain-Source-Richtung kann über die Dotierung der p-dotierten Zone 90 eingestellt werden. An den p- dotierten Zonen bildet sich so ein JFET aus, der dazu dient, den Strom durch das Kanalgebiet im Kurzschlussfall zu limitieren.This in 2 The semiconductor component shown comprises a breakdown structure with an electrode 80, which is formed in the respective trench 60 and which is insulated from the respective gate electrode 40 by means of a further insulation layer 70. This electrode 80 extends in the vertical direction over the entire length of the trench and touches the semiconductor body 100 at the bottom of the trench 60 in the region of the drift zone 12. In this contact region between the electrode 80 and the drift zone 12, a p-doped zone 90 is provided, which is contacted by the electrode 80 and which completely covers the electrode in this region. The p-doped zone 90 and the drift zone 12 or the drain zone 14 form a diode, the circuit symbol of which in 2 is shown, and which in the illustrated n-conducting MOSFET is forward-biased in the source-drain direction and reverse-biased in the drain-source direction. The breakdown voltage of this diode in the drain-source direction can be adjusted by doping the p-doped zone 90. A JFET is thus formed at the p-doped zones, which serves to limit the current through the channel region in the event of a short circuit.

Die in dem Graben 60 angeordnete Elektrode 80 ist mit der n+ Source-Zone 30 kurzgeschlossen. Dazu schließt sich die Elektrode 80 im oberen Bereich des Grabens unmittelbar an den Seitenwänden des Grabens 60 an die n+ Source-Zone 30 an. Die Elektrode 80, die vorzugsweise aus einem Metall oder Polysilizium, insbesondere n-dotiertem oder p-dotiertem Polysilizium besteht, dient damit gleichzeitig als Anschlusskontakt für die n+ Source-Zone 30, so dass zur Kontaktierung der n+ Source-Zonen 30 unmittelbar diese Elektrode 80 oberhalb des Grabens 60 kontaktiert werden kann, wodurch auf Kontaktanschlüsse oberhalb der zwischen den Gräben angeordneten Halbleiterbereichen, den sogenannten Mesa-Bereichen, verzichtet werden kann.The electrode 80 arranged in the trench 60 is short-circuited with the n+ source zone 30. For this purpose, the electrode 80 in the upper region of the trench is directly connected to the n+ source zone 30 on the side walls of the trench 60. The electrode 80, which preferably consists of a metal or polysilicon, in particular n-doped or p-doped polysilicon, thus simultaneously serves as a connection contact for the n+ source zone 30, so that this electrode 80 above the trench 60 can be contacted directly to contact the n+ source zones 30, whereby contact connections above the semiconductor regions arranged between the trenches, the so-called mesa regions, can be dispensed with.

Das Halbleiterbauelement umfasst weiterhin stark p-dotierte p+ Body-Anschlussbereiche 22, die sich, wie dies aus der perspektivischen Darstellung in 4 deutlich wird, ausgehend von der p Body-Zone 20 zwischen Abschnitten der n+ Source-Zone 30 bis an die Vorderseite des Halbleiterkörpers 100 erstrecken und im oberen Bereich des Grabens 60 die Elektrode 80 kontaktieren, so dass die Elektrode 80 über die p+ Body-Anschlussbereiche 22 die p Body-Zone 20 und die n+ Source-Zone 30 kurzschließt, um in bekannter Weise parasitäre Bipolareffekte zu vermeiden. Auf separate Kontakte in dem zwischen den Gräben ausgebildeten Halbleiterbereich, dem sogenannten Mesa-Bereich, zum Kurzschließen der n+ Source-Zone 30 und der p Body-Zone 20 kann bei dem Halbleiterbauelement verzichtet werden.The semiconductor device further comprises heavily p-doped p+ body connection regions 22 which, as can be seen from the perspective illustration in 4 As is clear, starting from the p body zone 20 between sections of the n+ source zone 30 to the front of the semiconductor body 100 and contact the electrode 80 in the upper region of the trench 60, so that the electrode 80 short-circuits the p body zone 20 and the n+ source zone 30 via the p+ body connection regions 22 in order to avoid parasitic bipolar effects in a known manner. Separate contacts in the semiconductor region formed between the trenches, the so-called mesa region, for short-circuiting the n+ source zone 30 and the p body zone 20 can be dispensed with in the semiconductor component.

Zum Anschließen der p Body-Zone 20 an die Elektrode 80 zur Erzielung des Kurzschlusses genügen die schmalen p+ Body-Anschlussbereiche 22, so dass der hierfür erforderliche Platzbedarf im Mesa-Gebiet gering ist. Die durch Kurzschließen der n+ Source-Zone 30 und der p Body-Zone 20 entstehende Body-Diode zwischen Source 30 und Drain 14 ist entsprechend der Diode der Durchbruchstruktur gepolt.The narrow p+ body connection areas 22 are sufficient to connect the p body zone 20 to the electrode 80 to achieve the short circuit, so that the space required for this in the mesa region is small. The body diode between source 30 and drain 14, which is created by short-circuiting the n+ source zone 30 and the p body zone 20, is polarized in the same way as the diode of the breakdown structure.

Die Durchbruchspannung der Durchbruchstruktur ist so eingestellt, dass sie kleiner als die der Body-Diode ist. Bei Anlegen einer positiven Spannung in Source-Drain-Richtung fließt der Großteil des Stromes dann über die in Durchlassrichtung gepolte Diode der Durchbruchstruktur, so dass der Querschnitt der p+ Body-Anschlussbereiche 22, über welche die p Body-Zone 20 und die n+ Source-Zone 30 kurzgeschlossen sind, gering und deshalb platzsparend realisierbar sein kann. Die Abmessungen dieses Siliziumbereiches zwischen den Gräben 60 können gegenüber herkömmlichen Halbleiterbauelementen dadurch verringert werden, was zur Verringerung des spezifischen Einschaltwiderstandes des Halbleiterbauelements beiträgt.The breakdown voltage of the breakdown structure is set so that it is smaller than that of the body diode. When a positive voltage is applied in the source-drain direction, the majority of the current then flows through the forward-biased diode of the breakdown structure, so that the cross section of the p+ body connection regions 22, via which the p body zone 20 and the n+ source zone 30 are short-circuited, can be small and therefore can be implemented in a space-saving manner. The dimensions of this silicon region between the trenches 60 can therefore be reduced compared to conventional semiconductor components, which contributes to reducing the specific on-resistance of the semiconductor component.

Das bekannte Halbleiterbauelement funktioniert bei Anliegen einer positiven Drain-Source-Spannung und bei Anliegen eines gegenüber Source-Potential positiven Gate-Potentials wie ein herkömmlicher MOSFET, dessen Schaltsymbol in 1 eingezeichnet ist. Überschreitet die Drain-Source-Spannung bei sperrendem MOSFET die Durchbruchspannung der durch die p-dotierte Zone 90 und Driftzone 12 gebildeten Diode, so fließt ein Durchbruchstrom von einem an die Drain-Zone 14 angeschlossenen Drain-Anschluss über die Driftzone 12, die p-dotierte Zone 90 und die Elektrode 80 zu einem an die Elektrode 80 angeschlossenen Source-Anschluss. Diese Durchbruchstruktur funktioniert bei Anlegen einer Spannung in Rückwärtsrichtung, d. h. einer in Source-Drain-Richtung positiven Spannung, wie die Body-Diode und übernimmt den Großteil des dann fließenden Stromes, sodass der Anschlusskontakt für die p Body-Zone 20 klein und platzsparend ausgebildet sein kann.The well-known semiconductor device functions when a positive drain-source voltage is applied and when a gate potential that is positive compared to the source potential is applied, like a conventional MOSFET, whose circuit symbol is 1 is shown. If the drain-source voltage exceeds the breakdown voltage of the diode formed by the p-doped zone 90 and the drift zone 12 when the MOSFET is in the blocking state, a breakdown current flows from a drain connection connected to the drain zone 14 via the drift zone 12, the p-doped zone 90 and the electrode 80 to a source connection connected to the electrode 80. When a voltage is applied in the reverse direction, ie a positive voltage in the source-drain direction, this breakdown structure functions like the body diode and takes over the majority of the current then flowing, so that the connection contact for the p body zone 20 can be small and space-saving.

Ein Kurzschluss kann bei dem TMOSFET nach 2 z.B. beim Einschalten ohne anliegende Gatespannung auftreten. In diesem Fall liegt an dem Halbleiterbauelement eine hohe Drainspannung an, und ohne geeignete Gegenmaßnahme kann ein sehr hoher Kurzschlussstrom fließen, welcher zur Zerstörung des Bauelements führen kann.A short circuit can occur in the TMOSFET after 2 eg when switching on without gate voltage applied. In this case, a high drain voltage is applied to the semiconductor component and, without suitable countermeasures, a very high short-circuit current can flow, which can lead to the destruction of the component.

Eine Limitierung des Kurzschlussstroms kann mittels des durch die p-dotierte Zonen 90 geformten JFETs erreicht werden, wobei die von den p-dotierten Zone 90 ausgehenden Raumladungszonen sich derart annähern, dass es zu einem Pinch-off des Kurzschlussstroms kommt. Somit fungieren die p-dotierte Zonen 90 im Kurzschlussfall als p-Abschirmzonen.A limitation of the short-circuit current can be achieved by means of the JFETs formed by the p-doped zones 90, whereby the space charge zones emanating from the p-doped zones 90 approach each other in such a way that a pinch-off of the short-circuit current occurs. The p-doped zones 90 thus function as p-shielding zones in the event of a short circuit.

Eine Besonderheit der oben beschriebenen Umsetzung des TMOSFET ist, dass lateral viel Platz im Trench benötigt wird, um die zweigeteilte Gate-Elektrode und den Anschluss des p Abschirm-Gebiets darin unterzubringen. Dadurch muss der Trench sehr breit angelegt werden. Dies hat den Nachteil zur Folge, dass sich das Pitch-Maß und damit der Einschaltwiderstand vergrößert.A special feature of the TMOSFET implementation described above is that a lot of space is required laterally in the trench to accommodate the split gate electrode and the connection of the p-type shielding region. This means that the trench has to be very wide. This has the disadvantage that the pitch dimension and thus the on-resistance increases.

Offenbarung der ErfindungDisclosure of the invention

Die Erfindung schafft eine vertikale Feldeffekttransistorstruktur nach Anspruch 1 und ein Verfahren zum Herstellen einer vertikalen Feldeffekttransistorstruktur nach Anspruch 6.The invention provides a vertical field effect transistor structure according to claim 1 and a method for producing a vertical field effect transistor structure according to claim 6.

Bevorzugte Weiterbildungen sind Gegenstand der jeweiligen Unteransprüche.Preferred further training courses are the subject of the respective subclaims.

Vorteile der ErfindungAdvantages of the invention

Die der vorliegenden Erfindung zugrunde liegende Idee besteht darin, einen oder mehrere Gräben in einem Halbleitermaterial auszuformen und in diese hinein einen p-Dotierstoff zu implantieren, um eine dotierte Zone, etwa ein p-Abschirmgebiet, unterhalb dieser Gräben zu realisieren. Des Weiteren kann durch die Anwendung eines Halbleitermaterials als Elektrodenmaterial diese Zone kontaktiert werden und das Ausformen des Kontaktes durch den Graben verbessert werden. Es kann ein elektrischer Anschluss des tiefen (p-)Kontakts mit einer konformen Abscheidung eines Halbleiters mit passenden Eigenschaften erzielt werden, beispielsweise um das Auftreten von Hohlräumen oder ein unerwünschtes Zuwachsen der Öffnung des Grabens durch andere metallische Kontakte, welche anstatt des Halbleiters angewandt werden könnten, zu vermeiden oder zumindest um die Wahrscheinlichkeit dazu zu verringern.The idea underlying the present invention is to form one or more trenches in a semiconductor material and to to implant a p-dopant into them in order to create a doped zone, such as a p-shielding region, beneath these trenches. Furthermore, by using a semiconductor material as electrode material, this zone can be contacted and the formation of the contact through the trench can be improved. An electrical connection of the deep (p-) contact can be achieved with a conformal deposition of a semiconductor with suitable properties, for example to avoid the occurrence of voids or an undesirable clogging of the opening of the trench by other metallic contacts that could be used instead of the semiconductor, or at least to reduce the likelihood of this.

Erfindungsgemäß umfasst eine vertikale Feldeffekttransistorstruktur einen Halbleiterkörper mit einer ersten Anschlusszone und einer zweiten Anschlusszone eines ersten Leitungstyps, wobei die erste Anschlusszone ein niedriger dotiertes Driftgebiet und ein höher dotiertes Draingebiet aufweist; eine zwischen der ersten und zweiten Anschlusszone angeordnete Kanalzone eines zu dem ersten Leitungstyp komplementären zweiten Leitungstyps; zumindest einen sich in den Halbleiterkörper hinein erstreckenden Graben, welcher von der zweiten Anschlusszone durch die Kanalzone, bis in die Driftzone reicht; wobei in dem Graben angeordnete erste Steuerelektroden, die benachbart zu der jeweils benachbarten Kanalzone und isoliert gegenüber dem Halbleiterkörper angeordnet sind; wobei im Graben eine Elektrode angeordnet ist, die mit der zweiten Anschlusszone elektrisch leitend verbunden ist und die gegenüber der ersten Steuerelektrode elektrisch isoliert ist und die am Boden des Grabens den Halbleiterkörper kontaktiert; wobei der Halbleiterkörper eine dotierte Zone des zweiten Leitungstyps in dem Driftgebiet unterhalt des Grabens aufweist, welche die Elektrode kontaktiert; und wobei die Elektrode ein Halbleitermaterial umfasst.According to the invention, a vertical field effect transistor structure comprises a semiconductor body with a first connection zone and a second connection zone of a first conductivity type, the first connection zone having a lower doped drift region and a higher doped drain region; a channel zone of a second conductivity type complementary to the first conductivity type arranged between the first and second connection zones; at least one trench extending into the semiconductor body, which extends from the second connection zone through the channel zone into the drift zone; first control electrodes arranged in the trench, which are arranged adjacent to the respectively adjacent channel zone and insulated from the semiconductor body; an electrode is arranged in the trench, which is electrically conductively connected to the second connection zone and which is electrically insulated from the first control electrode and which contacts the semiconductor body at the bottom of the trench; the semiconductor body having a doped zone of the second conductivity type in the drift region below the trench, which contacts the electrode; and the electrode comprises a semiconductor material.

Ein TMOSFET kann nach üblicher Herstellung lateral viel Platz im Graben benötigen, um die zweigeteilte Gate-Elektrode und den Anschluss des p Abschirm-Gebiets darin unterzubringen.A TMOSFET may require a lot of lateral space in the trench after typical manufacturing to accommodate the split gate electrode and the connection of the p-shield region.

Vorteilhaft sollte bei möglichst geringem Pitchmaß der tiefe p-Anschluss einen möglichst schmalen Zugang haben.It is advantageous if the deep p-connector has as narrow an access as possible while keeping the pitch as small as possible.

Durch das erfindungsgemäße Verfahren kann vorteilhaft eine Wahrscheinlichkeit der Entstehung von Hohlräumen im Graben beim Ausformen der Elektrode verringert oder vermieden werden.By means of the method according to the invention, the probability of the formation of cavities in the trench during the formation of the electrode can advantageously be reduced or avoided.

Eine erzielbare Möglichkeit ist die Erzeugung eines niederohmigen Kontaktes zwischen Metall der Source Elektrode und dem p-dotiertem Gebiet im Graben.One possible possibility is to create a low-resistance contact between the metal of the source electrode and the p-doped region in the trench.

Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung der Feldeffekttransistorstruktur ist das Halbleitermaterial der Elektrode poly-kristallin oder amorph.According to a preferred development of the field effect transistor structure, the semiconductor material of the electrode is polycrystalline or amorphous.

Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung der Feldeffekttransistorstruktur bildet das Halbleitermaterial der Elektrode mit der dotierten Zone einen niederohmigen Hetero-Übergang.According to a preferred development of the field effect transistor structure, the semiconductor material of the electrode forms a low-resistance heterojunction with the doped zone.

Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung der Feldeffekttransistorstruktur ist das Halbleitermaterial der Elektrode mit einem Silizid abgedeckt und es befindet sich eine Silizidschicht zwischen dem Halbleitermaterial der Elektrode und einem Source-Metall, wobei das Source-Metall den Graben auffüllt und die Source-Elektrode bildet.According to a preferred development of the field effect transistor structure, the semiconductor material of the electrode is covered with a silicide and there is a silicide layer between the semiconductor material of the electrode and a source metal, wherein the source metal fills the trench and forms the source electrode.

Die Abscheiderate des Metalls kann an der Oberfläche größer sein als an der Seitenwand und es kann bei üblichen Verfahren zur Herstellung eines Metallkontakts die Öffnung des Grabens zuwachsen und es können Hohlräume im Graben entstehen. Dabei könnte nach herkömmlichen Verfahren die Öffnung auch zuwachsen bevor die Seitenwand ausreichend Schichtdicke für eine niederohmige Verbindung Boden zu Oberkante hat.The deposition rate of the metal can be higher on the surface than on the side wall and, with conventional methods for producing a metal contact, the opening of the trench can close up and voids can form in the trench. With conventional methods, the opening could also close up before the side wall has a sufficient layer thickness for a low-resistance connection between the bottom and the top edge.

Für die Feldeffekttransistorstruktur kann vorteilhaft ein niederohmiger Kontakt zwischen Metall und p-dotiertem Gebiet im Graben erzeugt werden. Typischerweise wird ein solcher Kontakt durch einen Annealing-Schritt nach der Kontakt Metall-Abscheidung hergestellt, wobei jedoch während des Annealing-Vorgangs das Metall für den Kontakt und Silizium legieren können und es entsteht dabei ein Silizid im Bereich der ursprünglichen Metall-SiC Grenzfläche.For the field effect transistor structure, a low-resistance contact between metal and p-doped region in the trench can advantageously be created. Typically, such a contact is created by an annealing step after the contact metal deposition, but during the annealing process the metal for the contact and silicon can alloy and a silicide is formed in the area of the original metal-SiC interface.

Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung der Feldeffekttransistorstruktur besteht der Halbleiterkörper aus Siliziumcarbid oder Galliumnitrid.According to a preferred development of the field effect transistor structure, the semiconductor body consists of silicon carbide or gallium nitride.

Erfindungsgemäß erfolgt bei einem Verfahren zum Herstellen einer vertikalen Feldeffekttransistorstruktur ein Bereitstellen von einem Halbleiterkörper mit einer ersten Anschlusszone und einer zweiten Anschlusszone eines ersten Leitungstyps, wobei die erste Anschlusszone ein niedriger dotiertes Driftgebiet und ein höher dotiertes Draingebiet aufweist;, und mit einer zwischen der ersten und zweiten Anschlusszone angeordnete Kanalzone eines zu dem ersten Leitungstyp komplementären zweiten Leitungstyps; ein Bilden zumindest einen sich in den Halbleiterkörper hinein erstreckenden Graben, welcher von der zweiten Anschlusszone durch die Kanalzone, bis in die Driftzone reicht; ein Bilden von in dem Graben angeordneten ersten Steuerelektroden, die benachbart zu der jeweils benachbarten Kanalzone und isoliert gegenüber dem Halbleiterkörper angeordnet ist; wobei im Graben eine Elektrode angeordnet wird, die mit der zweiten Anschlusszone elektrisch leitend verbunden wird und die gegenüber der ersten Steuerelektrode elektrisch isoliert wird und die am Boden des Grabens den Halbleiterkörper kontaktiert; wobei der Halbleiterkörper eine dotierte Zone des zweiten Leitungstyps in dem Driftgebiet unterhalt des Grabens aufweist und diese mit der Elektrode kontaktiert wird; und wobei die Elektrode mit einem Halbleitermaterial erzeugt wird.According to the invention, in a method for producing a vertical field effect transistor structure, a semiconductor body is provided with a first connection zone and a second connection zone of a first conductivity type, the first connection zone having a lower doped drift region and a higher doped drain region; and with a channel zone of a second conductivity type complementary to the first conductivity type arranged between the first and second connection zones; forming at least one trench extending into the semiconductor body, which reaches from the second connection zone through the channel zone into the drift zone; forming first Control electrodes which are arranged adjacent to the respective adjacent channel zone and insulated from the semiconductor body; wherein an electrode is arranged in the trench, which is electrically conductively connected to the second connection zone and which is electrically insulated from the first control electrode and which contacts the semiconductor body at the bottom of the trench; wherein the semiconductor body has a doped zone of the second conductivity type in the drift region below the trench and this is contacted with the electrode; and wherein the electrode is produced with a semiconductor material.

Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung des Verfahrens erfolgt das Bilden der dotierten Zone des zweiten Leitungstyps in einem ersten Implantationsschritt.According to a preferred development of the method, the doped zone of the second conduction type is formed in a first implantation step.

Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung des Verfahrens wird die Elektrode durch ein Abscheiden eines Halbleitermaterials aus einer Gasphase im Graben erzeugt.According to a preferred development of the method, the electrode is produced by depositing a semiconductor material from a gas phase in the trench.

Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung des Verfahrens wird der Graben bis zu einer vorgegebenen Höhe mit dem Halbleitermaterial der Elektrode aufgefüllt und danach eine Silizidschicht auf den Halbleiter erzeugt wird und danach ein Source-Metall auf die Silizidschicht und in den Graben eingebracht.According to a preferred development of the method, the trench is filled up to a predetermined height with the semiconductor material of the electrode and then a silicide layer is produced on the semiconductor and then a source metal is introduced onto the silicide layer and into the trench.

Das Verfahren kann sich auch durch die in Verbindung mit der Feldeffekttransistorstruktur genannten Vorteile und Merkmale auszeichnen und umgekehrt.The process can also be characterized by the advantages and features mentioned in connection with the field effect transistor structure and vice versa.

Kurze Beschreibung der ZeichnungenShort description of the drawings

Weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend anhand von Ausführungsformen mit Bezug auf die Figuren erläutert.Further features and advantages of the present invention are explained below using embodiments with reference to the figures.

Es zeigen:

  • 1 eine schematische Querschnittsdarstellung zum Erläutern eines Verfahrens zum Herstellen einer vertikalen Feldeffekttransistorstruktur und einer entsprechenden vertikalen Feldeffekttransistorstruktur gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; und
  • 2 eine auschnittsweise perspektivische Darstellung einer vertikalen Feldeffekttransistorstruktur gemäß dem Stand der Technik der DE 102 24 201 B4 .
Show it:
  • 1 a schematic cross-sectional illustration for explaining a method for producing a vertical field effect transistor structure and a corresponding vertical field effect transistor structure according to an embodiment of the present invention; and
  • 2 a partial perspective view of a vertical field effect transistor structure according to the prior art of DE 102 24 201 B4 .

Ausführungsformen der ErfindungEmbodiments of the invention

In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche bzw. funktionsgleiche Elemente.In the figures, identical reference symbols designate identical or functionally identical elements.

In der 1 ist eine vertikale Feldeffekttransistorstruktur dargestellt, insbesondere mit einem Halbleiterkörper 100 mit einer ersten Anschlusszone 12 und einer zweiten Anschlusszone 30 eines ersten Leitungstyps n, wobei die erste Anschlusszone 12, 14 ein niedriger dotiertes Driftgebiet 12 und ein höher dotiertes Draingebiet 14 aufweist. Des Weiteren umfasst die Feldeffekttransistorstruktur eine zwischen der ersten und zweiten Anschlusszone angeordnete Kanalzone 20 eines zu dem ersten Leitungstyp komplementären zweiten Leitungstyps p; zumindest einen sich in den Halbleiterkörper 100 hinein erstreckenden Graben G1, welcher von der zweiten Anschlusszone 30 durch die Kanalzone 20, bis in die Driftzone 14 reicht; wobei in dem Graben G1 angeordnete erste Steuerelektroden 40, die benachbart zu der jeweils benachbarten Kanalzone 20 und isoliert gegenüber dem Halbleiterkörper 100 angeordnet sind; wobei im Graben G1 eine Elektrode 80 angeordnet ist, die mit der zweiten Anschlusszone 30 elektrisch leitend verbunden ist und die gegenüber der ersten Steuerelektrode 40 elektrisch isoliert ist und die am Boden des Grabens den Halbleiterkörper 100 kontaktiert; wobei der Halbleiterkörper 100 eine dotierte Zone 90 des zweiten Leitungstyps p in dem Driftgebiet 12 unterhalt des Grabens G1 aufweist, welche die Elektrode 80 kontaktiert; und wobei die Elektrode 80 ein Halbleitermaterial umfasst.In the 1 a vertical field effect transistor structure is shown, in particular with a semiconductor body 100 with a first connection zone 12 and a second connection zone 30 of a first conductivity type n, wherein the first connection zone 12, 14 has a less doped drift region 12 and a more highly doped drain region 14. Furthermore, the field effect transistor structure comprises a channel zone 20 of a second conductivity type p complementary to the first conductivity type, arranged between the first and second connection zones; at least one trench G1 extending into the semiconductor body 100, which reaches from the second connection zone 30 through the channel zone 20 into the drift zone 14; wherein first control electrodes 40 arranged in the trench G1, which are arranged adjacent to the respectively adjacent channel zone 20 and insulated from the semiconductor body 100; wherein an electrode 80 is arranged in the trench G1, which is electrically conductively connected to the second connection zone 30 and which is electrically insulated from the first control electrode 40 and which contacts the semiconductor body 100 at the bottom of the trench; wherein the semiconductor body 100 has a doped zone 90 of the second conductivity type p in the drift region 12 below the trench G1, which contacts the electrode 80; and wherein the electrode 80 comprises a semiconductor material.

Das Halbleitermaterial der Elektrode 80 kann poly-kristallin oder amorph sein und mit der dotierten Zone 90 einen niederohmigen Hetero-Übergang bilden. Das Halbleitermaterial der Elektrode 80 kann mit einem Silizid SZ abgedeckt sein und sich als eine Silizidschicht zwischen dem Halbleitermaterial der Elektrode 80 und einem Source-Metall SM befinden, wobei das Source-Metall SM in dem Graben G1 abgeschieden werden kann und den Graben auffüllen kann und die Source-Elektrode zu bilden. Die Steuerelektroden 40, welche um den Halbleiter der Elektrode 80 lateral herum angeordnet sein können, kann mit einer Isolierung 40a vollständig umgeben sein, welche durch einen Abscheideprozess erzeugt werden kann und vorteilhaft eine uniforme Dicke um die jeweilige Steuerelektrode 40 herum aufweisen kann.The semiconductor material of the electrode 80 can be polycrystalline or amorphous and form a low-resistance heterojunction with the doped zone 90. The semiconductor material of the electrode 80 can be covered with a silicide SZ and can be located as a silicide layer between the semiconductor material of the electrode 80 and a source metal SM, wherein the source metal SM can be deposited in the trench G1 and can fill the trench and form the source electrode. The control electrodes 40, which can be arranged laterally around the semiconductor of the electrode 80, can be completely surrounded by an insulation 40a, which can be produced by a deposition process and can advantageously have a uniform thickness around the respective control electrode 40.

Es kann anstatt eines Metalls für die Elektrode 80 ein niederohmiger elektrischer Anschluss zu einem Halbleiter der Zone 90 auch mit einem anderen Halbleiter erfolgen. Betreffend diese Anwendung kann ein Vorteil der Abscheidung von einem Halbleiter genutzt werden, wobei die Verfügbarkeit von Prozessen um die Möglichkeit konform aus der Gasphase abzuscheiden zu nennen sind. Ein hochdotierter Halbleiter kann eine geringere Leitfähigkeit als Metalle aufweisen, wodurch die Länge des Halbleiter-Anschlusses möglichst kurz sein sollte.Instead of using a metal for the electrode 80, a low-resistance electrical connection to a semiconductor in zone 90 can also be made using another semiconductor. With regard to this application, one advantage of deposition from a semiconductor can be used, with the availability of processes to enable conformal deposition from the gas phase being mentioned. A highly doped semiconductor can have a lower conductivity than metals, which means that the length of the semiconductor connection should be as short as possible.

Der Halbleiter-Anschluss der Elektrode 80 kann die Tiefe des Grabens G1 zwischen den Gate-Elektroden verringern und erlaubt eine Metallabscheidung auf den Halbleiter, bei welcher eine Wahrscheinlichkeit des Auftretens von Hohlräumen signifikant verringert oder sogar ausgeschlossen werden kann. Auch ist der Silidizierungsprozess auf die dann erzeugte Elektrode 80 als deutlich robuster zu erkennen, da das Silizid SZ nicht in der Nähe des empfindlichen Gate Oxids erzeugt wird. Das Silizid SZ stellt vorteilhaft einen silizidierter Kontakt zum Power-Metall SM dar.The semiconductor connection of the electrode 80 can reduce the depth of the trench G1 between the gate electrodes and allows a metal deposition on the semiconductor, in which the probability of the occurrence of voids can be significantly reduced or even eliminated. The silicidation process on the electrode 80 thus produced can also be seen as significantly more robust, since the silicide SZ is not produced near the sensitive gate oxide. The silicide SZ advantageously represents a silicided contact to the power metal SM.

Für den Halbleiter der Elektrode 80 sind prinzipiell viele Halbleitermaterialien geeignet, dazu gehören zum Beispiel Siliziumcarbid, Silizium, Galliumnitrid oder Boroncarbid.In principle, many semiconductor materials are suitable for the semiconductor of electrode 80, including, for example, silicon carbide, silicon, gallium nitride or boron carbide.

Des Weiteren können nicht nur lineare Gräben verwendet werden, sondern auch andere Geometrien, wie beispielsweise hexagonale Grabenverläufe.Furthermore, not only linear trenches can be used, but also other geometries, such as hexagonal trench patterns.

Obwohl die vorliegende Erfindung anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele beschrieben wurde, ist sie darauf nicht beschränkt. Insbesondere sind die genannten Materialien und Topologien nur beispielhaft und nicht auf die erläuterten Beispiele beschränkt. Auch sind die dargestellten Geometrien nur beispielhaft und können bedarfsweise beliebig variiert werden.Although the present invention has been described using preferred embodiments, it is not limited thereto. In particular, the materials and topologies mentioned are only examples and are not limited to the examples explained. The geometries shown are also only examples and can be varied as required.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDED IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • DE 10224201 B4 [0005, 0040]DE 10224201 B4 [0005, 0040]

Claims (9)

Vertikale Feldeffekttransistorstruktur mit: einem Halbleiterkörper (100) mit einer ersten Anschlusszone (12, 14) und einer zweiten Anschlusszone (30) eines ersten Leitungstyps (n), wobei die erste Anschlusszone (12, 14) ein niedriger dotiertes Driftgebiet (12) und ein höher dotiertes Draingebiet (14) aufweist; einer zwischen der ersten und zweiten Anschlusszone (12, 14; 30) angeordnete Kanalzone (20) eines zu dem ersten Leitungstyp komplementären zweiten Leitungstyps (p); zumindest einen sich in den Halbleiterkörper (100) hinein erstreckenden Graben (G1), welcher von der zweiten Anschlusszone (30) durch die Kanalzone (20), bis in die Driftzone (12) reicht; wobei in dem Graben (G1) angeordnete erste Steuerelektroden (40), die benachbart zu der jeweils benachbarten Kanalzone (20) und isoliert gegenüber dem Halbleiterkörper (100) angeordnet sind; wobei im Graben (G1) eine Elektrode (80) angeordnet ist, die mit der zweiten Anschlusszone (30) elektrisch leitend verbunden ist und die gegenüber der ersten Steuerelektrode (40) elektrisch isoliert ist und die am Boden des Grabens den Halbleiterkörper (100) kontaktiert; wobei der Halbleiterkörper (100) eine dotierte Zone (90) des zweiten Leitungstyps (p) in dem Driftgebiet (12) unterhalt des Grabens (G1) aufweist, welche die Elektrode (80) kontaktiert; und wobei die Elektrode (80) ein Halbleitermaterial umfasst.Vertical field effect transistor structure with: a semiconductor body (100) with a first connection zone (12, 14) and a second connection zone (30) of a first conductivity type (n), the first connection zone (12, 14) having a lower doped drift region (12) and a higher doped drain region (14); a channel zone (20) of a second conductivity type (p) complementary to the first conductivity type, arranged between the first and second connection zones (12, 14; 30); at least one trench (G1) extending into the semiconductor body (100) and extending from the second connection zone (30) through the channel zone (20) into the drift zone (12); wherein first control electrodes (40) arranged in the trench (G1) are arranged adjacent to the respective adjacent channel zone (20) and insulated from the semiconductor body (100); wherein an electrode (80) is arranged in the trench (G1), which is electrically conductively connected to the second connection zone (30) and which is electrically insulated from the first control electrode (40) and which contacts the semiconductor body (100) at the bottom of the trench; wherein the semiconductor body (100) has a doped zone (90) of the second conductivity type (p) in the drift region (12) below the trench (G1), which contacts the electrode (80); and wherein the electrode (80) comprises a semiconductor material. Vertikale Feldeffekttransistorstruktur nach Anspruch 1, wobei das Halbleitermaterial der Elektrode (80) poly-kristallin oder amorph ist.Vertical field effect transistor structure according to Claim 1 , wherein the semiconductor material of the electrode (80) is polycrystalline or amorphous. Vertikale Feldeffekttransistorstruktur nach Anspruch 1 oder 2, wobei das Halbleitermaterial der Elektrode (80) mit der dotierten Zone (90) einen niederohmigen Hetero-Übergang bildet.Vertical field effect transistor structure according to Claim 1 or 2 , wherein the semiconductor material of the electrode (80) forms a low-resistance heterojunction with the doped zone (90). Vertikale Feldeffekttransistorstruktur nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei das Halbleitermaterial der Elektrode (80) mit einem Silizid abgedeckt ist und sich eine Silizidschicht zwischen dem Halbleitermaterial der Elektrode (80) und einem Source-Metall (SM) befindet, wobei das Source-Metall (SM) den Graben auffüllt und die Source-Elektrode bildet.Vertical field effect transistor structure according to one of the Claims 1 until 3 , wherein the semiconductor material of the electrode (80) is covered with a silicide and a silicide layer is located between the semiconductor material of the electrode (80) and a source metal (SM), wherein the source metal (SM) fills the trench and forms the source electrode. Vertikale Feldeffekttransistorstruktur nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Halbleiterkörper (100) aus Siliziumcarbid (SiC) oder Galliumnitrid (GaN) besteht.Vertical field effect transistor structure according to one of the preceding claims, wherein the semiconductor body (100) consists of silicon carbide (SiC) or gallium nitride (GaN). Verfahren zum Herstellen einer vertikalen Feldeffekttransistorstruktur mit den Schritten: Bereitstellen von einem Halbleiterkörper (100) mit einer ersten Anschlusszone (12, 14) und einer zweiten Anschlusszone (30) eines ersten Leitungstyps (n), wobei die erste Anschlusszone ein niedriger dotiertes Driftgebiet (12) und ein höher dotiertes Draingebiet (14) aufweist, und mit einer zwischen der ersten und zweiten Anschlusszone (12, 14; 30) angeordnete Kanalzone (20) eines zu dem ersten Leitungstyp komplementären zweiten Leitungstyps (p); Bilden zumindest einen sich in den Halbleiterkörper (100) hinein erstreckenden Graben (G1), welcher von der zweiten Anschlusszone (30) durch die Kanalzone (20), bis in die Driftzone (12) reicht; Bilden von in dem Graben (G1) angeordneten ersten Steuerelektroden (40), die benachbart zu der jeweils benachbarten Kanalzone (20) und isoliert gegenüber dem Halbleiterkörper (100) angeordnet ist; wobei im Graben (G1) eine Elektrode (80) angeordnet wird, die mit der zweiten Anschlusszone (30) elektrisch leitend verbunden wird und die gegenüber der ersten Steuerelektrode (40) elektrisch isoliert wird und die am Boden des Grabens den Halbleiterkörper (100) kontaktiert; wobei der Halbleiterkörper (100) eine dotierte Zone (90) des zweiten Leitungstyps (p) in dem Driftgebiet (12) unterhalt des Grabens (G1) aufweist und diese mit der Elektrode (80) kontaktiert wird; und wobei die Elektrode (80) mit einem Halbleitermaterial erzeugt wird.Method for producing a vertical field effect transistor structure with the steps: Providing a semiconductor body (100) with a first connection zone (12, 14) and a second connection zone (30) of a first conductivity type (n), the first connection zone having a lower doped drift region (12) and a higher doped drain region (14), and with a channel zone (20) of a second conductivity type (p) complementary to the first conductivity type arranged between the first and second connection zones (12, 14; 30); Forming at least one trench (G1) extending into the semiconductor body (100), which extends from the second connection zone (30) through the channel zone (20) into the drift zone (12); Forming first control electrodes (40) arranged in the trench (G1), which are arranged adjacent to the respective adjacent channel zone (20) and insulated from the semiconductor body (100); wherein an electrode (80) is arranged in the trench (G1), which is electrically conductively connected to the second connection zone (30) and which is electrically insulated from the first control electrode (40) and which contacts the semiconductor body (100) at the bottom of the trench; wherein the semiconductor body (100) has a doped zone (90) of the second conductivity type (p) in the drift region (12) below the trench (G1) and this is contacted with the electrode (80); and wherein the electrode (80) is produced with a semiconductor material. Verfahren nach Anspruch 6, wobei das Bilden der dotierten Zone (90) des zweiten Leitungstyps (p) in einem ersten Implantationsschritt (I1) erfolgt.Procedure according to Claim 6 , wherein the formation of the doped zone (90) of the second conduction type (p) takes place in a first implantation step (I1). Verfahren nach Anspruch 7, bei welchem die Elektrode (80) durch ein Abscheiden eines Halbleitermaterials aus einer Gasphase im Graben erzeugt wird.Procedure according to Claim 7 , in which the electrode (80) is produced by depositing a semiconductor material from a gas phase in the trench. Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, bei welchem der Graben bis zu einer vorgegebenen Höhe mit dem Halbleitermaterial der Elektrode (80) aufgefüllt wird und danach eine Silizidschicht auf den Halbleiter erzeugt wird und danach ein Source-Metall (SM) auf die Silizidschicht und in den Graben (G1) eingebracht wird.Procedure according to Claim 7 or 8th , in which the trench is filled up to a predetermined height with the semiconductor material of the electrode (80) and then a silicide layer is produced on the semiconductor and then a source metal (SM) is introduced onto the silicide layer and into the trench (G1).
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