DE102022209006A1 - Dreistufiges Leistungshalbleitermodul, Leistungselektronikvorrichtung, elektrischer Achsantrieb sowie Kraftfahrzeug - Google Patents

Dreistufiges Leistungshalbleitermodul, Leistungselektronikvorrichtung, elektrischer Achsantrieb sowie Kraftfahrzeug Download PDF

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein dreistufiges Leistungshalbleitermodul (2) dadurch auszeichnet, dass die erste Leiterplatte (5a) und die zweite Leiterplatte (5b) so angeordnet sind, dass sie sich zumindest teilweise mit ihren flächigen Seiten gegenüberstehen und das Leistungshalbleiterelement (6a) zwischen der ersten Leiterplatte (5a) und der zweiten Leiterplatte (5b) angeordnet ist und das Leistungshalbleiterelement (6a) über elektrisch- und/oder wärmeleitende Verbindungselemente (10) mit der zweiten Leiterplatte (5b) kontaktiert ist. Ferner betrifft die Erfindung eine Leistungselektronikvorrichtung (3), einen elektrischen Achsantrieb (4) und ein Kraftfahrzeug (1).

Description

  • Die Erfindung betrifft ein dreistufiges Leistungshalbleitermodul, umfassend mindestens eine erste Leiterplatte und eine zweite Leiterplatte und mindestens ein auf der ersten Leiterplatte aufgebrachtes Leistungshalbleiterelement, wobei das Leistungshalbleiterelement mit einer Schicht der ersten Leiterplatte verbunden ist, um dieses über diese Schicht elektrisch zu kontaktieren und zu entwärmen. Daneben betrifft die Erfindung eine Leistungselektronikvorrichtung, einen elektrischen Achsantrieb und ein Kraftfahrzeug.
  • Leistungshalbleitermodule werden insbesondere in Invertern dazu eingesetzt, Gleichstrom (DC) in Wechselstrom (AC) umzuwandeln. Den einfachsten Typ von Invertern stellen hierbei zweistufige Inverter dar, wobei mittels des Leistungshalbleitermoduls der AC-Ausgangspegel zwischen zwei diskreten Spannungspegeln DC+ und DC- geschaltet wird. Eine Weiterentwicklung stellen dreistufige Inverter dar, welche mit drei Spannungspegeln arbeiten. Durch den dritten Spannungspegel ist es beispielsweise möglich eine höhere Ausgangsspannung als die Nennspannung der eingesetzten Leistungsschalter zu erzeugen. Prinzipbedingt weist ein dreistufiges Leistungshalbleitermodul mehr Bauelemente auf als ein zweistufiges Leistungshalbleitermodul und erfordert somit einen größeren Bauraum als dieses. Insbesondere in Industrieanwendungen sind dreistufige Inverter bekannt, da in diesem Anwendungsfall der benötigte Bauraum eine untergeordnete Rolle spielt. Eine weitere Anforderung an ein Leistungshalbleitermodul ist die Möglichkeit einer effizienten Entwärmung zur thermischen Abführung der elektrischen Verlustleistung. Eine Verkleinerung des Bauraums erhöht in der Regel die Anforderungen an die Entwärmung, da die Verlustleistung räumlich konzentriert wird. Vor allem im Automobilsektor ist der Bauraum allerdings begrenzt, was eine besonders effiziente Möglichkeit zur Entwärmung erfordert.
  • Ausgehend hiervon ist es die Aufgabe der Erfindung, ein dreistufiges Leistungshalbleitermodul, eine Leistungselektronikvorrichtung, einen elektrischen Achsantrieb und ein Kraftfahrzeug anzugeben, welche dieses Problem lösen.
  • Zur Lösung dieses Problems wird ein Leistungshalbleitermodul der eingangs genannten Art vorgeschlagen, das sich dadurch auszeichnet, dass die erste Leiterplatte und die zweite Leiterplatte so angeordnet sind, dass sie sich zumindest teilweise mit ihren flächigen Seiten gegenüberstehen und das Leistungshalbleiterelement zwischen der ersten Leiterplatte und der zweiten Leiterplatte angeordnet ist und das Leistungshalbleiterelement über elektrisch leitende und/oder wärmeleitende Verbindungselemente mit der zweiten Leiterplatte kontaktiert ist.
  • Ein Leistungshalbleitermodul ist ein elektrisches Bauteil, welches ausgebildet ist, elektrischen Strom bzw. Spannung zu schalten. Grundelement des Leistungshalbleitermoduls sind zwei Leiterplatten. Eine Leiterplatte besteht insbesondere aus mehreren Schichten, wobei sich elektrisch leitende und nicht-leitende Schichten abwechseln. Die elektrisch leitenden Schichten, beispielsweise aus Kupfer, können zumindest teilweise in lateraler Richtung, d.h. in der Schichtebene, nicht-leitende Unterbrechungen aufweisen, wodurch die leitende Schicht in mehrere Segmente unterteilt ist. Durch das Verbinden dieser Segmente, insbesondere mit Leistungshalbleiterelementen, können elektronische Schaltungen realisiert werden. Die Leistungshalbleiterelemente werden hierzu direkt auf die Leiterplatte, insbesondere auf die leitende Schicht aufgebracht. Die Leistungshalbleiterelemente werden beispielsweise mittels Löten oder Sintern aufgebracht, wodurch eine stoffschlüssige, elektrisch leitende Verbindung entsteht. Zum Schalten bzw. Lenken des elektrischen Stroms sind Leistungshalbleiterelemente vorgesehen, welche beispielsweise als Transistoren und/oder Dioden ausgebildet sind. Beim erfindungsgemäßen dreistufigen Leistungshalbleitermodul, werden zwei dieser Leiterplatten so zueinander orientiert, dass die größten Flächen der Leiterplatten planparallel gegenüberstehen. Hierdurch entsteht zwischen den beiden Leiterplatten ein Zwischenraum, in welchem sich das Leistungshalbleiterelement befindet. Zum Zweck einer elektrischen und thermischen Verbindung sind Verbindungselemente ausgebildet, welche sich über den Zwischenraum erstrecken. Die Verbindungselemente sind beispielsweise durch Löten oder Sintern mit dem Leistungshalbleiterelement, welches direkt auf der ersten Leiterplatte aufgebracht ist, und der leitenden Schicht der zweiten Leiterplatte verbunden. Die Verbindungselemente sind beispielsweise als Kupferzylinder ausgebildet. Hierdurch ist ein Strom- und/oder Wärmefluss zwischen den beiden Leiterplatten möglich. Durch den gestapelten Aufbau mittels zwei Leiterplatten, kann die benötigte Grundfläche des Leistungshalbleitermoduls verringert werden. Der Hauptvorteil liegt aber darin begründet, dass, durch den genannten Aufbau, das Leistungshalbleitermodul über die beiden nach außen gerichteten Flächen der Leiterplatten mittels Kühlelementen entwärmt werden kann. Eine Kontaktierung mittels Kühlelementen ist besonders einfach und effektiv, da auf den nach außen gerichteten Flächen der Leiterplatten kein Leistungshalbleiterelement aufgebracht ist.
  • Bevorzugt sind wenigstens vier Leistungshalbleiterelemente auf der ersten Leiterplatte und/oder der zweiten Leiterplatte aufgebracht, wobei die Leistungshalbleiterelemente, welche direkt auf der ersten Leiterplatte aufgebracht sind, über Verbindungselemente mit der zweiten Leiterplatte kontaktiert sind oder die Leistungshalbleiterelemente direkt auf der zweiten Leiterplatte aufgebracht sind und über Verbindungselemente mit der ersten Leiterplatte kontaktiert sind. Sind mehrere Leistungshalbleiterelemente ausgebildet können diese auf beide Leiterplatten verteilt sein. Hierbei sind die einzelnen Leistungshalbleiterelemente insbesondere direkt auf einer der beiden Leiterplatten aufgebracht und über ein Verbindungselement mit der jeweils anderen Leiterplatte verbunden.
  • Vorzugsweise ist ein Stromanschluss ausgebildet, um die erste Leiterplatte oder die zweite Leiterplatte mit einem DC+ - Potential, einem DC- - Potential, einem AC - Potential oder einem Neutral - Potential zu verbinden. Ein Stromanschluss ist elektrisch mit der leitenden Schicht der Leiterplatte verbunden und ermöglicht eine elektrische Kontaktierung des Leistungshalbleitermoduls von außen, um einen elektrischen Strom zu- bzw. abzuführen. Das dreistufige Leistungshalbleitermodul arbeitet im Allgemeinen mit vier elektrischen Potentialen, wobei das DC+ -, DC- - und das Neutral-Potential als eingangsseitig betrachtet werden und beispielsweise von einem externen Batteriesystem bereitgestellt werden. Das AC-Potential wird dagegen im Betrieb ausgangsseitig vom Leistungshalbleitermodul bereitgestellt und beispielsweise an eine elektrische Maschine gekoppelt. Die elektrische Kontaktierung kann beispielsweise durch Verschrauben oder Verschweißen einer Busbar mit dem Stromanschluss hergestellt werden.
  • Bevorzugt kann das dreistufige Leistungshalbleitermodul eine NPC-, ANPC-, Flying-Capacitor- oder T-Typ-Topologie aufweisen. Jede dieser Topologien weist vorteilhafterweise mindestens vier topologische Schalter auf, welche durch Leistungshalbleiterelemente, beispielsweise Transistoren und Dioden, ausgebildet sind. Die NPC-(engl. neutral-point-clamped) und ANPC- (engl. active-neutral-point-clamped) Topologie weisen eine Klemmschaltung zum Neutral - Potential auf, welche im Fall von NPC über passive Dioden und im Fall von ANPC über aktive Transistoren realisiert ist. Im Fall der Flying-Capacitor-Topologie wird das Neutral-Potential mit Hilfe eines fliegenden Kondensators (engl. „flying capacitor) im Betrieb bereitgestellt. In der T-Typ-Topologie wird das Neutral-Potential über zwei entgegengesetzt in Reihe geschaltete Transistoren mit Freilaufdiode direkt mit dem AC-Potential verbunden.
  • Vorzugsweise sind die Leistungshalbleiterelemente als MOSFETs, IGBTs und/oder Dioden ausgebildet. Die MOSFETs sind insbesondere auf Siliziumkarbidbasis ausgebildet. Die IGBTs sind beispielsweise auf Siliziumbasis ausgebildet. Die Dioden basieren beispielsweise auf Silizium oder Siliziumkarbid. Vorzugsweise ist jedem Transistor eine Freilaufdiode zugeordnet. Durch Parallelschaltung mehrerer Leistungshalbleiterelemente, welche zusammen einen topologischen Schalter bilden, kann der Strom des Leistungshalbleitermoduls skaliert werden.
  • In einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Leistungshalbleiterelemente zumindest teilweise als Flip-Chips ausgebildet sind. Ein Flip-Chip erlaubt eine um 180 Grad zur Leiterplattenebene gedrehte Montage der Leistungshalbleiterelemente. Hierdurch ist es möglich, alle Leistungshalbleiterelemente auf einer der beiden Leiterplatten mit einem einzigen Bestückungsmuster aufzubringen.
  • Bevorzugt sind Signalkontakte als Lötpin- oder Press-Fit-Kontakte ausgebildet. Die aktiven Leistungshalbleiterelemente, beispielsweise IGBTs und MOSFETs, werden über ein elektrisches Signal vom sperrenden in einen leitenden Schaltzustand geschaltet und umgekehrt. Hierzu weist das Leistungshalbleitermodul Signalkontakte auf, wobei jedem topologische Schalter des Leistungshalbleitermoduls mindestens ein Signalkontakt zugeordnet ist. Dieser Signalkontakt ist innerhalb des Leistungshalbleitermoduls elektrisch mit den Gate-Kontakten der zugehörigen Transistoren verbunden. Vorteilhafterweise weisen die Transistoren zusätzlich einen sog. Kelvin-Source-Kontakt zur Ansteuerung auf, wodurch jedem topologischen Schalter ein zweiter Signalkontakt zugeordnet ist. Der dedizierte Kelvin-Source-Kontakt verringert die Streuinduktivität des Signalkreises. Weiterhin sind die Signalkontakte dazu ausgebildet, das Leistungshalbleitermodul mit einem Treiberboard, welches bevorzugt nicht dem Leistungshalbleitermodul zugeordnet ist, zu verbinden. Das Treiberboard stellt über die Signalkontakte ein elektrisches Steuersignal für die Transistoren bereit.
  • Bevorzugt sind die Leiterplatten als DBC-Substrat ausgebildet, welches eine erste Schicht aus Kupfer, auf welcher die Leistungshalbleiter aufgebracht sind, und eine zweite Schicht aus Kupfer aufweist, welche elektrisch isoliert aber wärmeleitend miteinander verbunden sind und die zweite Schicht aus Kupfer mit einem Kühlkörper thermisch kontaktiert ist. Die erste Schicht aus Kupfer dient primär als elektrischer Leiter zur elektrischen Kontaktierung der aufgebrachten Leistungshalbleiterelemente. Daneben besitzt Kupfer einen guten Wärmeleitungskoeffizienten zur effektiven Entwärmung der Leistungshalbleiterelemente. Die zweite Schicht aus Kupfer stellt zu diesem Zweck ein Wärmereservoir zur Verfügung, welches die thermische Verlustleistung der Leistungshalbleiterelemente aufnimmt. Die erste und die zweite Schicht sind, beispielsweise durch eine Keramikschicht, elektrisch zueinander isoliert, damit die erste Kupferschicht nicht durch die zweite Kupferschicht kurzgeschlossen ist. Um die zweite Kupferschicht weiter zu entwärmen ist diese durch einen Kühlkörper thermisch kontaktiert. Der Kühlkörper ist beispielsweise Bestandteil einer Wasserkühlung, wobei die Wärme über ein Fluid, welches den Kühlkörper durchströmt, aufgenommen und abgeführt wird. Zur Steigerung der Wärmeleitung befindet sich zwischen Kühlkörper und zweiter Kupferschicht zum Beispiel eine Schicht aus Sintermaterial, Lot oder Wärmleitpaste.
  • Daneben betrifft die Erfindung eine Leistungselektronikvorrichtung, insbesondere ein Wechselrichter, aufweisend ein Leistungshalbleitermodul, das wie beschrieben ausgebildet ist.
  • Daneben betrifft die Erfindung einen elektrischen Achsantrieb für ein Kraftfahrzeug mit wenigstens einer elektrischen Maschine, einer Getriebeeinrichtung und einer Leistungselektronikvorrichtung, wobei die Leistungselektronikvorrichtung wie beschrieben ausgebildet ist.
  • Daneben betrifft die Erfindung ein Kraftfahrzeug, aufweisend einen elektrischen Achsantrieb und/oder eine Leistungselektronikvorrichtung. Dieses zeichnet sich dadurch aus, dass die Leistungselektronikvorrichtung und/oder der elektrische Achsantrieb wie beschrieben ausgebildet sind.
  • Vorteilhafte Ausgestaltungen und weitere Merkmale der Erfindung werden in Form von Ausführungsbeispielen und anhand der folgenden Figuren näher erläutert.
  • Dabei zeigt:
    • 1 ein Kraftfahrzeug,
    • 2 eine schematische Darstellung eines Leistungshalbleitermoduls,
    • 3 eine erste Leiterplatte eines Leistungshalbleitermoduls,
    • 4 eine zweite Leiterplatte eines Leistungshalbleitermoduls,
    • 5 ein Leistungshalbleitermodul in perspektivischer Darstellung,
    • 6 eine Signalkontaktierung in einer Ausgestaltung,
    • 7a und 7b eine Ausgestaltung des Leistungshalbleitermoduls mit NPC-Topologie,
    • 8a und 8b eine Ausgestaltung des Leistungshalbleitermoduls mit ANPC-Topologie,
    • 9a und 9b eine Ausgestaltung des Leistungshalbleitermoduls mit Flying-Capacitor-Topologie,
    • 10a und 10b eine Ausgestaltung des Leistungshalbleitermoduls mit T-Typ-Topologie und
    • 11 ein Kühlkonzept zur zweiseitigen Kühlung des Leistungshalbleitermoduls.
  • 1 zeigt ein Kraftfahrzeug 1 mit einem Leistungshalbleitermodul 2, als Teil einer Leistungselektronikvorrichtung 3, welche wiederum Bestandteil eines elektrischen Achsantriebs 4 ist.
  • 2 zeigt eine schematische Darstellung eines Leistungshalbleitermoduls 2. Das Leistungshalbleitermodul 2 umfasst eine erste Leiterplatten 5a und eine zweite Leiterplatte 5b, auf welchen Leistungshableiterelemente 6a und 6b aufgebracht sind. Die Leiterplatten 5a und 5b umfassen je eine erste elektrisch leitende Schicht 7a und 7b, eine elektrisch nicht-leitende Schicht 8a und 8b und eine zweite elektrisch leitende Schicht 9a und 9b. Hierbei sind die Leistungshalbleiterelemente 6a direkt auf der ersten Leiterplatte 5a aufgebracht, d.h. auf deren ersten elektrisch leitenden Schicht 7a. Analog sind die Leistungshalbleiterelemente 6b direkt auf der zweiten Leiterplatte 5b aufgebracht, d.h. auf der ersten elektrisch leitenden Schicht 7b der Leiterplatte 5b. Die ersten elektrisch leitenden Schichten 7a und 7b sind beispielsweise als Kupferschichten ausgebildet. Die ersten elektrisch leitenden Schichten 7a und 7b weisen nicht-leitende Unterbrechungen in lateraler Richtung auf, welche in dieser schematischen Schnittdarstellung nicht dargestellt sind. Die elektrisch nicht-leitenden Schichten 8a und 8b sind beispielsweise als Keramikschichten ausgebildet. Die zweiten elektrisch leitenden Schichten 9a und 9b sind beispielsweise wiederum als Kupferschicht ausgebildet. Hierbei isolieren die nicht-leitenden Schichten 8a und 8b jeweils die ersten elektrisch leitenden Schichten 7a und 7b von den zweiten elektrisch leitenden Schichten 9a und 9b. Im Leistungshalbleitermodul 2 sind die Leiterplatten 5a und 5b deckungsgleich übereinander angeordnet. Die beiden Leiterplatten 5a und 5b sind so zueinander angeordnet, dass sich die ersten elektrisch leitenden Schichten 7a und 7b, auf welchen die Leistungshalbleiterelemente 6a und 6b aufgebracht sind, gegenüberstehen. Durch den sich hierbei ergebenden Zwischenraum zwischen den Leiterplatten 5a und 5b, erstrecken sich Verbindungselemente 10. Die Verbindungselemente 10 sind so angeordnet, dass sie jeweils die Leistungshalbleiterelemente 6a der ersten Leiterplatte 5a mit der ersten leitenden Schicht 7b der zweiten Leiterplatte 5b elektrisch und thermisch verbinden. Umgekehrt verbinden die Verbindungselemente 10 analog die Leistungshalbleiterelemente 6b der zweiten Leiterplatte 5b mit der ersten leitenden Schicht 7a der ersten Leiterplatte 5a. Weiter ist ein Stromanschluss 11 ausgebildet, welcher elektrisch mit der leitenden Schicht 7a verbunden ist. Mit Hilfe des Stromanschluss 9 ist das Leistungshalbleitermodul 2 eingangsseitig mit einem DC+ - Potential, welches beispielsweise von einem Batteriesystem bereitgestellt wird, elektrisch verbindbar. Der Stromanschluss 12 ist ebenso mit der leitenden Schicht 7a verbunden und ausgebildet, ausgangsseitig das AC - Potential des Leistungshableitermoduls 2 bereitzustellen.
  • 3 zeigt einen schematischen Aufbau der Leiterplatte 5a. Die erste elektrisch leitende Schicht 7a ist durch Unterbrechungen in vier Sektoren unterteilt. Durch die Unterbrechungen in der leitenden Schicht 7a ist die isolierende Schicht 8a erkennbar. Daneben sind die Stromanschlüsse 11, 12, 13 und 14 gezeigt, welche je mit einem der Sektoren der leitenden Schicht 6a verbunden sind. Weiterhin sind die Leistungshalbleiterelemente 6a und 6b gezeigt. Die Leistungshalbleiterelemente 6a sind direkt auf der Leitenden Schicht 7a aufgebracht. Auf der Oberseite der Leistungshalbleiterelemente 6a sind die Verbindungselemente 10 angebracht. Die Leistungshalbleiterelemente 6b sind über Verbindungselemente 10 mit der leitenden Schicht 7a verbunden. Die Verbindungselemente 10 befinden sich in diesem Fall zwischen den Leistungshalbleiterelementen 6b und der leitenden Schicht 7a und deshalb durch die Leistungshalbleiterelemente 6b verdeckt.
  • 4 zeigt einen schematischen Aufbau der Leiterplatte 5b. Die erste elektrisch leitende Schicht 7b ist durch Unterbrechungen in zwei Sektoren unterteilt. Durch die Unterbrechungen in der leitenden Schicht 7b ist die isolierende Schicht 8b erkennbar. Die dargestellten Leistungshalbleiterelemente 6a und 6b entsprechen denen in 3 dargestellten. Die Leistungshalbleiterelemente 6b sind direkt auf der Leitenden Schicht 7b aufgebracht. Auf der Oberseite der Leistungshalbleiterelemente 6b sind die Verbindungselemente 10 angebracht. Die Leistungshalbleiterelemente 6a sind über Verbindungselemente 10 mit der leitenden Schicht 7b verbunden. Die Verbindungselemente 10 befinden sich in diesem Fall zwischen den Leistungshalbleiterelementen 6a und der leitenden Schicht 7b und deshalb durch die Leistungshalbleiterelemente 6a verdeckt.
  • 5 zeigt das Leistungshalbleitermodul 2, welches aus der Leiterplatte 5a aus 3 und der Leiterplatte 5b aus 4 zusammengesetzt ist. In dieser Darstellung sind die einzelnen Schichten 7a/b, 8a/b, 9a/b der Leiterplatten 5a und 5b zu erkennen. Weiterhin sind die eingangsseitigen Stromanschlüsse 11, 13 und 14 dargestellt, welche lateral über die Leiterplatten 5a und 5b aus dem durch diese gebildeten Zwischenraum hinausragen. Hierdurch erlauben die Stromanschlüsse eine einfache elektrische Kontaktierung des Leistungshalbleitermoduls 2. Der Abstand der Leiterplatten 5a und 5b wird hauptsächlich durch die Länge der Verbindungselemente 10 definiert, welche sich durch den Zwischenraum zwischen den Leiterplatten 5a und 5b erstrecken. Die Verbindungselemente 10 stellen neben einer thermischen und elektrischen auch eine mechanische Verbindung zwischen den beiden Leiterplatten 5a und 5b bereit.
  • 6 zeigt die Leiterplatte 5a aus 3 die um eine Signalkontaktierung erweitert ist. Sind die Leistungshalbleiterelemente 6a als aktive Bauelemente in Form von Transistoren ausgebildet, weist das Leistungshalbleitermodul Signalkontakte 15 auf, welche am Rand der Leiterplatte 5a angeordnet sind und elektrisch mit den Gate- und Kelvin-Source-Kontakten der Leistungshalbleiterelemente 6a verbunden sind. Die Gate- und Kelvin-Source-Kontakte sind in der Regel auf der Oberseite der Leistungshalbleiterelemente 6a ausgebildet. In 6 sind die Signalkontakte 15 als Pressfit-Kontakte ausgebildet. Die Signalkontakte 15, sind auf der leitenden Schicht 7a der Leiterplatte 5a befestigt und elektrisch mit dieser kontaktiert, Zum Zweck der Signalleitung ist die erste elektrisch leitende Schicht 7a als Leiterbahn ausgebildet, welche ein elektrisches Signal von den Signalkontakten 15 in die Nähe der zu steuernden Leistungshalbleiterelemente 6a führt. Die elektrische Verbindung zwischen den Leiterbahnen und den Gate- und Kelvin-Source-Kontakten ist in Form von Bonddrähten 16 ausgebildet. Hierbei sind pro topologischem Schalter des Leistungshalbleitermoduls 2 zwei Signalkontakte 15, je ein Gate- und ein Kelvin-Source-Kontakt, ausgebildet. Ein Signalkontakt 15 ist dabei mit drei Leistungshalbleiterelemente 6a kontaktiert, welche zusammen einen topologischen Schalter bilden. Die Signalkontakte für die Leistungshalbleiterelemente 6b sind analog auf der Leiterplatte 5b ausgebildet.
  • 7a und 7b zeigen eine schematische Ausführungsform des Leistungshalbleitermoduls 2 mit einer NPC-Topologie. Der Fokus der Darstellung liegt auf einer möglichen Segmentierung der leitenden Schichten 7a und 7b, sowie der Anordnung der Leistungshalbleiterelemente. 7a zeigt hierbei die zugehörige Leiterplatte 5a und 7b die zugehörige Leiterplatte 5b, wobei die Perspektive so gewählt ist, dass jeweils die erste elektrisch leitende Schicht 7a bzw. 7b oben liegt. Das Leistungshalbleitermodul 2 entsteht gedanklich, indem die Leiterplatte 5b um 180 Grad rotiert über der Leiterplatte 5a positioniert wird. Auf der ersten Leiterplatte 5a sind die Leistungshalbleiterelemente als Transistoren 17 und Dioden 18 ausgebildet. Hierbei bilden je drei Transistoren 17 einen topologischen Schalter Q1 bzw. Q3. Die Transistoren 17 sind beispielsweise als MOSFET oder IGBT inklusive Freilaufdiode ausgebildet. Die Freilaufdioden sind nicht dargestellt. Analog bilden drei Dioden 18 eine topologische Diode D6. Auf der Leiterplatte 5b in 7b sind die topologischen Schalter Q2 und Q4 sowie die topologische Diode D5 in analoger Weise ausgebildet. Zusätzlich sind die Leiterplatten 5a und 5b je von einem Rahmen 19 eingefasst. Gleichzeitig füllt der Rahmen 19 die Unterbrechungen zwischen den Segmenten der leitenden Schichten 7a und 7b zumindest teilweise aus. Der Rahmen 19 ist beispielsweise als Kunststoff-Umspritzung ausgebildet, wobei in lateral Richtung die Stromanschlüsse 11 - 14 und die Signalkontakte 15 über diesen hinausragen. Die Signalkontaktierung zwischen Signalkontakten 15 und Transistoren 17 ist vereinfacht als Signalleitung 20 dargestellt, welche z.B. als Leiterbahn und/oder Bond-Draht ausgebildet ist. Aus dem gleichen Grund sind eine Kelvin-Source-Kontaktierung, sowie die Verbindungselemente nicht explizit dargestellt.
  • 8a und 8b zeigen analog zu 7a und 7b eine schematische Ausführungsform eines Leistungshalbleitermoduls 2 mit einer ANPC-Topologie. Hierbei wurden die topologischen Dioden D5 und D6 jeweils durch die aktiven topologische Schalter Q5 und Q6 mit zugehöriger Signalkontaktierung ersetzt.
  • 9a und 9b zeigen analog zu 7a und 7b eine schematische Ausführungsform eines Leistungshalbleitermoduls 2 mit einer Flying-Capacitor-Topologie. Im Gegensatz zur NPC- und ANPC-Topologie, weist die Leiterplatte 5a für Flying-Capacitor-Topologie eingangsseitig keinen Stromanschluss 14 für das Neutral - Potential auf, sondern lediglich die Stromanschlüsse für das DC+ - Potential 11 und das DC- - Potential 13. Hierdurch entfallen ebenfalls die topologischen Schalter Q5 und Q6 bzw. die topologischen Dioden D5 und D6. Dagegen sind auf der Leiterplatte 5b zwei Stromanschlüsse 21 ausgebildet, welche je mit einem der Segmente der leitenden Schicht 7b elektrisch verbunden sind. Die Stromanschlüsse 21 sind dazu ausgebildet, mit der sog. fliegenden Kapazität verbunden zu werden. Die fliegende Kapazität, beispielsweise ein Kondensator, ist hierbei zwischen die beiden Stromanschlüsse 21 geschaltet. Die fliegende Kapazität stellt im Betrieb ein „künstliches“ Neutral - Potential zur Verfügung.
  • Die 10a und 10b zeigen analog zu 7a und 7b eine schematische Ausführungsform eines Leistungshalbleitermoduls 2 mit einer T-Typ-Topologie. Hierbei ist der Stromanschluss 11 für das DC+ - Potential über den topologischen Schalter Q1 mit dem Stromanschluss 12 für das AC - Potential verbunden. Der Stromanschluss 13 für das DC- - Potential ist über den topologischen Schalter Q4 mit dem Stromanschluss 12 für das AC - Potential verbunden. Außerdem ist der Stromanschluss 14 für das Neutral - Potential über die beiden topologischen Schalter Q2 und Q3 mit dem Stromanschluss 12 für das AC - Potential verbunden, wobei die topologischen Schalter Q2 und Q3 in Reihe geschaltet sind. Die Stromanschlüsse 11 und 13 zur Verbindung mit dem DC+ und DC- - Potential sind auf der Leiterplatte 5a ausgebildet. Die Stromanschlüsse 12 und 14 zur Verbindung mit dem AC und dem Neutral - Potential sind auf der Leiterplatte 5b ausgebildet.
  • 11 zeigt schematisch ein Kühlkonzept für das Leistungshalbleitermodul 2 in einer Schnittdarstellung. Das Kühlkonzept zeigt das Leistungshalbleitermodul 2, welches zwischen zwei Kühlkörpern 22, welche beispielsweise Bestandteil einer Wasserkühlung sind, angeordnet ist. Die Kühlkörper 22 sind planparallel zu den außen liegenden, leitenden Schichten 9a und 9b angeordnet und sind thermisch an diese gekoppelt. Um die thermische Kopplung zu verbessern, befindet sich zwischen den Kühlkörpern und den leitenden Schichten 9a bzw. 9b eine Wärmeleitschicht 23, welche beispielsweise ein Sintermaterial, Lotmaterial, Wärmeleitpaste oder Nanodrähte aufweist. Zur elektrischen Kontaktierung werden die Stromanschlüsse 11 - 14 sowie die Signalkontakte 15 im Zwischenraum zwischen den Kühlkörpern 22 nach außen geführt. Durch die Kühlung von beiden Seiten wird eine höhere Kühlleistung erreicht als bei einer vergleichbaren Kühlung von nur einer Seite. Außerdem erlaubt das Kühlkonzept einen gestapelten Aufbau mehrerer Leistungshalbleitermodule 2, wobei sich Leistungshalbleitermodule 2 und Kühlkörper 22 abwechseln. Hierdurch können mehrere Leistungshalbleitermodule 2, z.B. zur Stromskalierung oder zum Aufbau einer Leistungselektronikvorrichtung 3, bauraumsparend zusammengefasst und effizient gekühlt werden.
  • Bezugszeichen
    • 1
    Kraftfahrzeug
    2
    Leistungshalbleitermodul
    3
    Leistungselektronikvorrichtung
    4
    Elektrischer Achsantrieb
    5a
    Erste Leiterplatte
    5b
    Zweite Leiterplatte
    6a/b
    Leistungshalbleiterelement
    7a/b
    Erste elektrisch leitende Schicht der Leiterplatte
    8a/b
    Elektrisch nicht-leitende Schicht der Leiterplatte
    9a/b
    Zweite elektrisch leitende Schicht der Leiterplatte
    10
    Verbindungselement
    11
    Stromanschluss zur Verbindung mit DC+ - Potential
    12
    Stromanschluss zur Verbindung mit AC - Potential
    13
    Stromanschluss zur Verbindung mit DC- - Potential
    14
    Stromanschluss zur Verbindung mit Neutral - Potential
    15
    Signalkontakt
    16
    Bond-Draht
    17
    Transistor inkl. Freilaufdiode
    18
    Diode
    19
    Rahmen
    20
    Signalleitung
    21
    Stromanschluss zur Verbindung mit fliegender Kapazität
    22
    Kühlkörper
    23
    Wärmeleitschicht
    Q1
    Topologischer Schalter
    Q2
    Topologischer Schalter
    Q3
    Topologischer Schalter
    Q4
    Topologischer Schalter
    Q5
    Topologischer Schalter
    Q6
    Topologischer Schalter
    D5
    Topologische Diode
    D6
    Topologische Diode

Claims (11)

  1. Dreistufiges Leistungshalbleitermodul (2), umfassend mindestens eine erste Leiterplatte (5a) und eine zweite Leiterplatte (5b) und mindestens ein auf der ersten Leiterplatte (5a) aufgebrachtes Leistungshalbleiterelement (6a), wobei das Leistungshalbleiterelement (6a) mit einer Schicht (7a) der ersten Leiterplatte (5a) verbunden ist, um dieses über diese Schicht (7a) elektrisch zu kontaktieren und zu entwärmen, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Leiterplatte (5a) und die zweite Leiterplatte (5b) so angeordnet sind, dass sie sich zumindest teilweise mit ihren flächigen Seiten gegenüberstehen und das Leistungshalbleiterelement (6a) zwischen der ersten Leiterplatte (5a) und der zweiten Leiterplatte (5b) angeordnet ist und das Leistungshalbleiterelement (6a) über elektrisch leitende und/oder wärmeleitende Verbindungselemente (10) mit der zweiten Leiterplatte (5b) kontaktiert ist.
  2. Dreistufiges Leistungshalbleitermodul (2) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens vier Leistungshalbleiterelemente (6a/b) auf der ersten Leiterplatte (5a) und/oder der zweiten Leiterplatte (5b) aufgebracht sind, wobei die Leistungshalbleiterelemente (6a), welche direkt auf der ersten Leiterplatte (5a) aufgebracht sind, über Verbindungselemente (10) mit der zweiten Leiterplatte (5b) kontaktiert sind oder die Leistungshalbleiterelemente (6b) direkt auf der zweiten Leiterplatte (5b) aufgebracht sind und über Verbindungselemente (10) mit der ersten Leiterplatte (5a) kontaktiert sind.
  3. Dreistufiges Leistungshalbleitermodul (2) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein Stromanschluss (11) ausgebildet ist, um die erste Leiterplatte (5a) oder die zweite Leiterplatte (5b) mit einem DC+ -, einem DC- -, einem AC - oder einem Neutral - Potential zu verbinden.
  4. Dreistufiges Leistungshalbleitermodul (2) nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das dreistufige Leistungshalbleitermodul (2) eine NPC, ANPC, Flying-Capacitor oder T-Typ-Topologie aufweist.
  5. Dreistufiges Leistungshalbleitermodul (2) nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Leistungshalbleiterelement (6) als MOSFET, IGBT oder Diode ausgebildet ist.
  6. Dreistufiges Leistungshalbleitermodul (2) nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das dreistufige Leistungshalbleitermodul wenigstens zwei Leistungshalbleiterelemente (6) aufweist und die Leistungshalbleiterelemente (6) zumindest teilweise als Flip-Chips ausgebildet sind.
  7. Dreistufiges Leistungshalbleitermodul (2) nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens ein Signalkontakt (15) des dreistufigen Leistungshalbleitermoduls (2) als Lötpin- oder Press-Fit-Kontakt ausgebildet ist.
  8. Dreistufiges Leistungshalbleitermodul (2) nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Leiterplatten (5a) und/oder zweite Leiterplatte (5b) als DBC-Substrat ausgebildet sind, welches eine erste Schicht (7a/b) aus Kupfer, auf welcher der Leistungshalbleiter (6a/b) aufgebracht ist, und eine zweite Schicht (9a/b) aus Kupfer aufweist, welche elektrisch isoliert aber wärmeleitend miteinander verbunden sind und die zweite Schicht (9a/b) aus Kupfer mit einem Kühlkörper (22) thermisch kontaktiert ist.
  9. Leistungselektronikvorrichtung (3), insbesondere Wechselrichter, aufweisend ein Leistungshalbleitermodul (2), das nach einem der vorhergehenden Ansprüche ausgebildet ist.
  10. Elektrischer Achsantrieb (4) für ein Kraftfahrzeug (1), mit wenigstens einer elektrischen Maschine, einer Getriebeeinrichtung und einer Leistungselektronikvorrichtung, wobei die Leistungselektronikvorrichtung nach Anspruch 8 ausgebildet ist.
  11. Kraftfahrzeug (1), aufweisend einen elektrischen Achsantrieb nach Anspruch 9 und/oder eine Leistungselektronikvorrichtung nach Anspruch 8.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6323717B1 (en) 1998-05-18 2001-11-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device, drive method, and drive apparatus

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