DE102022118264A1 - Hochfrequenzvorrichtung mit hochfrequenzabsorbierenden Merkmalen - Google Patents

Hochfrequenzvorrichtung mit hochfrequenzabsorbierenden Merkmalen Download PDF

Info

Publication number
DE102022118264A1
DE102022118264A1 DE102022118264.9A DE102022118264A DE102022118264A1 DE 102022118264 A1 DE102022118264 A1 DE 102022118264A1 DE 102022118264 A DE102022118264 A DE 102022118264A DE 102022118264 A1 DE102022118264 A1 DE 102022118264A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
frequency
frequency chip
heat sink
chip
thermal interface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE102022118264.9A
Other languages
English (en)
Inventor
Tuncay Erdoel
Walter Hartner
Pietro Brenner
Simon Kornprobst
Martin Mayer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Priority to DE102022118264.9A priority Critical patent/DE102022118264A1/de
Priority to US18/351,284 priority patent/US20240030092A1/en
Priority to CN202310886554.5A priority patent/CN117438388A/zh
Publication of DE102022118264A1 publication Critical patent/DE102022118264A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3672—Foil-like cooling fins or heat sinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3736—Metallic materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3737—Organic materials with or without a thermoconductive filler
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Abstract

Eine Vorrichtung enthält einen Hochfrequenzchip und einen Kühlkörper, der über dem Hochfrequenzchip angeordnet ist. Die Vorrichtung enthält ferner einen Schichtstapel, der zwischen dem Hochfrequenzchip und dem Kühlkörper angeordnet ist. Der Schichtstapel enthält eine erste Schicht, die ein erstes Material umfasst, ein thermisches Schnittstellenmaterial, und eine Metallschicht, die zwischen dem ersten Material und dem thermischen Schnittstellenmaterial angeordnet ist.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf Hochfrequenzvorrichtungen mit hochfrequenzabsorbierenden Merkmalen. Darüber hinaus bezieht sich die vorliegende Offenbarung auf Verfahren zum Herstellen solcher Vorrichtungen.
  • Hintergrund
  • In Hochfrequenzanwendungen („radio frequency“), wie z.B. Radarsystemen, werden immer mehr Funktionen in Komponenten mit kleinen Gehäusen untergebracht, was zu erhöhter Verlustleistung und verstärkten Interferenzen zwischen Radarsignalkanälen führen kann. Dementsprechend kann es auf kleinen Flächen zu erhöhter Wärmeentwicklung kommen, und es können höhere Anstrengungen erforderlich sein, eine Signalisolierung zwischen den Radarsignalkanälen zu erhalten. Hersteller von Hochfrequenzvorrichtungen sind ständig bestrebt, ihre Produkte zu verbessern. Insbesondere kann es wünschenswert sein, Hochfrequenzvorrichtungen mit erhöhter Wärmeabfuhr und verbesserter Isolierung zwischen Radarsignalkanälen bereitzustellen. In diesem Zusammenhang kann es ferner wünschenswert sein, geeignete Verfahren zum Herstellen solcher Vorrichtungen bereitzustellen.
  • Kurzdarstellung
  • Ein Aspekt der vorliegenden Offenbarung bezieht sich auf eine Vorrichtung. Die Vorrichtung umfasst einen Hochfrequenzchip („radio frequency“) und einen Kühlkörper, der über dem Hochfrequenzchip angeordnet ist. Die Vorrichtung umfasst ferner einen Schichtstapel, der zwischen dem Hochfrequenzchip und dem Kühlkörper angeordnet ist. Der Schichtstapel umfasst eine erste Schicht, die ein erstes Material umfasst, ein thermisches Schnittstellenmaterial, und eine Metallschicht, die zwischen dem ersten Material und dem thermischen Schnittstellenmaterial angeordnet ist.
  • Ein Aspekt der vorliegenden Offenbarung bezieht sich auf eine Vorrichtung. Die Vorrichtung umfasst einen Hochfrequenzchip und einen Kühlkörper, der über dem Hochfrequenzchip angeordnet ist. Die Vorrichtung umfasst ferner ein Hochfrequenz-Absorbermaterial, das zwischen dem Hochfrequenzchip und dem Kühlkörper angeordnet ist. Eine relative Permittivität des Hochfrequenz-Absorbermaterials ist größer als 3, und ein Verlusttangens des Hochfrequenz-Absorbermaterials ist größer als 0,2.
  • Ein Aspekt der vorliegenden Offenbarung bezieht sich auf eine Vorrichtung. Die Vorrichtung umfasst einen Hochfrequenzchip und einen Kühlkörper, der über dem Hochfrequenzchip angeordnet ist. Die Vorrichtung umfasst ferner ein Moldverbindungsmaterial („mold compound“), das zwischen dem Hochfrequenzchip und dem Kühlkörper angeordnet ist. Eine relative Permittivität des Moldverbindungsmaterials ist größer als 2, ein Verlusttangens des Moldverbindungsmaterials ist kleiner als 0,1, und eine Dicke der Moldverbindungsmaterialschicht ist größer als 0,4 mm.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Die begleitenden Zeichnungen sind beigefügt, um ein weiteres Verständnis von Aspekten bereitzustellen und sind Teil dieser Beschreibung und in diese aufgenommen. Die Zeichnungen veranschaulichen Aspekte und dienen zusammen mit der Beschreibung dazu, Prinzipien von Aspekten zu erklären. Andere Aspekte und viele der beabsichtigten Vorteile von Aspekten werden leicht erkannt, wenn sie durch Bezugnahme auf die folgende detaillierte Beschreibung besser verstanden werden. Die Elemente der Zeichnungen sind nicht notwendigerweise maßstabsgetreu zueinander. Gleiche Bezugszeichen können entsprechende ähnliche Teile bezeichnen.
    • 1 veranschaulicht schematisch eine Querschnittsseitenansicht einer Vorrichtung 100 gemäß der Offenbarung.
    • 2 veranschaulicht schematisch eine Querschnittsseitenansicht einer Vorrichtung 200 gemäß der Offenbarung.
    • 3 veranschaulicht schematisch eine Querschnittsseitenansicht einer Vorrichtung 300 gemäß der Offenbarung.
    • 4 veranschaulicht schematisch eine Querschnittsseitenansicht einer Vorrichtung 400 gemäß der Offenbarung.
    • 5 veranschaulicht schematisch eine Querschnittsseitenansicht einer Vorrichtung 500 gemäß der Offenbarung.
    • 6 veranschaulicht schematisch eine Querschnittsseitenansicht einer Vorrichtung 600 gemäß der Offenbarung.
    • 7 veranschaulicht ein Flussdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen einer Vorrichtung gemäß der Offenbarung.
    • 8 veranschaulicht ein Flussdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen einer Vorrichtung gemäß der Offenbarung.
    • 9 veranschaulicht ein Flussdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen einer Vorrichtung gemäß der Offenbarung.
  • Detaillierte Beschreibung
  • In der folgenden detaillierten Beschreibung wird auf die begleitenden Zeichnungen Bezug genommen, in denen zur Veranschaulichung bestimmte Aspekte gezeigt sind, in denen die Offenbarung realisiert werden kann. In diesem Zusammenhang kann richtungsbezogene Terminologie wie „oben“, „unten“, „vorne“, „hinten“, usw. mit Bezug auf die Ausrichtung der beschriebenen Figuren verwendet werden. Da Komponenten der beschriebenen Vorrichtungen in einer Reihe verschiedener Ausrichtungen positioniert sein können, dient die richtungsbezogene Terminologie der Veranschaulichung und ist in keiner Weise einschränkend. Andere Aspekte können verwendet und strukturelle oder logische Änderungen können vorgenommen werden, ohne von dem Konzept der vorliegenden Offenbarung abzuweichen. Daher ist die folgende detaillierte Beschreibung nicht in einem einschränkenden Sinne zu verstehen, und das Konzept der vorliegenden Offenbarung ist durch die beigefügten Ansprüche definiert.
  • Die Vorrichtung 100 der 1 kann einen oder mehrere Halbleiterchips (oder Halbleiter-Dies) 2 enthalten. Im Beispiel der 1 kann ein Halbleiterchip 2 in Form eines Halbleitergehäuses (Halbleiterpackage) 4 bereitgestellt sein, das ein Verkapselungsmaterial 6 aufweist, in das der Halbleiterchip 2 verkapselt sein kann. Eine oder mehrere elektrische Umverteilungsschichten 8 können über den unteren Oberflächen des Halbleiterchips 2 und des Verkapselungsmaterials 6 angeordnet sein. Darüber hinaus können ein oder mehrere externe Verbindungselemente 10 eine mechanische und elektrische Verbindung zwischen dem Halbleitergehäuse 4 und einer Leiterplatte 12 bereitstellen. Die Vorrichtung 100 kann die Leiterplatte 12 enthalten oder nicht.
  • Die Vorrichtung 100 kann ferner einen Schichtstapel 14 enthalten, der über dem Halbleiterchip 2 angeordnet ist, insbesondere auf der Oberseite des Halbleitergehäuses 4. Der Schichtstapel 14 kann aufweisen eine erste Schicht mit einem ersten Material 16, ein thermisches Schnittstellenmaterial 18, und eine Metallschicht 20, die zwischen dem ersten Material 16 und dem thermischen Schnittstellenmaterial 18 angeordnet ist. Ferner kann ein Kühlkörper 22 über dem Schichtstapel 14 angeordnet sein, insbesondere auf der Oberseite des thermischen Schnittstellenmaterials 18.
  • Der Halbleiterchip 2 (oder dessen elektronische Schaltungen) kann in einem Frequenzbereich von größer als etwa 1 GHz arbeiten, in einigen Beispielen größer als etwa 10 GHz. Der Halbleiterchip 2 kann daher im Folgenden auch als Radiofrequenzchip oder Hochfrequenzchip oder Mikrowellenfrequenzchip bezeichnet werden. Insbesondere kann der Hochfrequenzchip 2 in einem Hochfrequenzbereich oder Mikrowellenfrequenzbereich arbeiten, der von etwa 1 GHz bis etwa 1 THz reichen kann, genauer von etwa 10 GHz bis etwa 300 GHz. Mikrowellenschaltungen können beispielsweise Mikrowellensender, Mikrowellenempfänger, Mikrowellensendeempfänger, Mikrowellensensoren, Mikrowellendetektoren, usw. enthalten. Vorrichtungen gemäß der Offenbarung können für Radaranwendungen verwendet werden, in denen die Frequenz der Hochfrequenzsignale moduliert sein kann. Dementsprechend kann der Hochfrequenzchip 2 insbesondere einem Radarchip entsprechen.
  • In diesem Zusammenhang ist zu beachten, dass sich die vorliegende Offenbarung auf verschiedene elektromagnetische oder dielektrische Eigenschaften beziehen kann, die frequenzabhängig sein können, wie z.B. eine relative Permittivität (oder Dielektrizitätskonstante) εr eines Materials, ein Verlusttangens (Verlustfaktor) tanδ eines Materials, usw. Hierin bereitgestellte Werte solcher elektromagnetischen Eigenschaften können sich insbesondere auf Frequenzbereiche beziehen, bei denen Vorrichtungen gemäß der Offenbarung arbeiten können. Die gegebenen Werte der elektromagnetischen Eigenschaften können daher insbesondere im Zusammenhang mit den oben angegebenen beispielhaften Betriebsfrequenzen gelesen werden.
  • Radar-Mikrowellenvorrichtungen können z.B. in Automobil-, Industrie-, Militär- und/oder Verteidigungsanwendungen für Entfernungs- und Geschwindigkeitsmesssysteme eingesetzt werden. Automobilanwendungen können beispielsweise fortschrittliche Fahrerassistenzsysteme, automatische Geschwindigkeitsregelsysteme, Antikollisionssysteme für Fahrzeuge, usw. enthalten. Solche Systeme können im Mikrowellenfrequenzbereich arbeiten, zum Beispiel in den Frequenzbändern 24 GHz, 76 GHz oder 79 GHz. In einigen Beispielen kann die Verwendung solcher Systeme eine konstante und effiziente Fahrweise von Fahrzeugen bereitstellen. Eine effiziente Fahrweise kann beispielsweise den Kraftstoffverbrauch reduzieren, so dass der CO2-Ausstoß verringert und Energieeinsparungen ermöglicht werden können. Darüber hinaus kann ein Abrieb von Fahrzeugreifen, Bremsscheiben und Bremsbelägen verringert werden, wodurch die Feinstaubbelastung verringert wird. Verbesserte Radarsysteme, wie in dieser Beschreibung beschrieben, können somit zumindest indirekt zu grünen Technologielösungen beitragen, d.h. zu klimafreundlichen Lösungen, die eine verbesserte Minderung des Energieverbrauchs bereitstellen.
  • Die hierin beschriebenen Vorrichtungen müssen nicht auf die zuvor genannten beispielhaften technischen Bereiche beschränkt sein. In weiteren Beispielen können die hierin vorgestellten Konzepte auch für die folgenden HF-Anwendungen implementiert werden (Liste nicht vollständig): Technologien bei Frequenzen jenseits von 100 GHz, z.B. THz-Technologien; 5G; 6G; Radarsignal-basierte Gesichts- und Gestenerkennungssensoren; Kommunikationssysteme mit hohem Datentransfer und drahtlose Backhaul-Systeme; Körperscansysteme für die Sicherheit; medizinische und Gesundheitsüberwachungssysteme (z.B. medizinische Sensoren und Datentransfer); GBit-Automotive-Ethernet; Hochgeschwindigkeitschips für Ethernet, Glasfaserkommunikation und Rechenzentrums-Switches.
  • Der Hochfrequenzchip 2 der 1 kann mindestens teilweise in das Verkapselungsmaterial 6 eingebettet sein. Das Verkapselungsmaterial 6 kann zum Beispiel mindestens eines der folgenden Materialien enthalten oder daraus hergestellt sein: Moldverbindung („mold compound“), Epoxid, gefülltes Epoxid, glasfasergefülltes Epoxid, Imid, Thermoplast, duroplastisches Polymer, Polymermischung, usw. Im Beispiel der 1 kann das Verkapselungsmaterial 6 beispielhaft die Oberseite und die Seitenflächen des Hochfrequenzchips 2 bedecken, während die Unterseite des Halbleiterchips 2 durch das Verkapselungsmaterial 6 unbedeckt sein kann. Die Unterseiten des Verkapselungsmaterials 6 und des Hochfrequenzchips 2 können im Wesentlichen in einer gemeinsamen Ebene angeordnet sein.
  • Das Verkapselungsmaterial 6 kann ein Gehäuse (oder Package) für den Hochfrequenzchip 2 ausbilden. Im Allgemeinen kann das Halbleitergehäuse 4 auf jeder geeigneten Gehäusetechnologie basieren, wie z.B. Flip-Chip BGAs (Ball Grid Arrays), Wirebond-BGAs, eWLB (embedded Wafer Level Ball Grid Arrays), FOWLP (Fan Out Wafer Level Packaging), usw. In dem nicht einschränkenden Beispiel der 1 kann das Halbleitergehäuse 4 einem Wafer-Level-Package entsprechen, das basierend auf einem eWLB (embedded Wafer Level Ball Grid Array)-Prozess hergestellt sein kann. Es ist jedoch zu beachten, dass das Halbleitergehäuse 4 nicht auf einen bestimmten Gehäusetyp beschränkt ist und in weiteren Beispielen abweichen kann.
  • Die elektrische Umverteilungsschicht 8 kann eine oder mehrere elektrisch leitende Strukturen 24 in Form von Metallschichten (oder Metallbahnen) enthalten, die sich im Wesentlichen parallel zu den unteren Oberflächen des Hochfrequenzchips 2 und des Verkapselungsmaterials 6 erstrecken können. Eine oder mehrere dielektrische Schichten 26 können zwischen den Metallschichten 24 angeordnet sein, um die Metallschichten 24 elektrisch voneinander zu isolieren. Auf verschiedenen vertikalen Ebenen angeordnete Metallschichten 24 können durch eine oder mehrere Via-Verbindungen (nicht dargestellt) elektrisch miteinander verbunden sein.
  • Das Halbleitergehäuse 4 kann mit Hilfe der externen Verbindungselemente 10 auf der Leiterplatte 12 befestigt sein. Elektronische Strukturen des Hochfrequenzchips 2 können über die externen Anschlusselemente 10 und die elektrische Umverteilungsschicht 8 elektrisch zugänglich sein. Die externen Anschlusselemente 10 können beispielsweise mindestens eines von einer Lotkugel oder einer Lotsäule aufweisen. In einem Beispiel kann die Leiterplatte 12 mehrere übereinander gestapelte dielektrische Schichten enthalten. Die dielektrischen Schichten können z.B. ein Hochfrequenz-Laminatmaterial, ein Prepreg-Material (vorimprägnierte Fasern), oder ein FR4-Material enthalten oder daraus hergestellt sein. Die Leiterplatte 12 kann elektrisch leitende Strukturen enthalten, die auf der Unterseite und/oder auf der Oberseite angeordnet sind, sowie elektrisch leitende Strukturen, die im Inneren der Leiterplatte 12 angeordnet sind.
  • 1 veranschaulicht beispielhaft verschiedene Signalpfade und Wärmepfade, die durch Pfeile angedeutet sind. Zwei Pfeile auf der linken Seite deuten einen beispielhaften Pfad 28 für Nicht-Hochfrequenzsignale an, die zwischen dem Hochfrequenzchip 2 und einer weiteren elektronischen Komponente 30, wie z.B. einem Halbleiterchip mit logischer Schaltung, übertragen werden können. In dem nicht einschränkenden Beispiel der 1 kann die elektronische Komponente 30 auf der Unterseite der Leiterplatte 12 angeordnet sein, so dass sich der Nicht-Hochfrequenzsignalpfad 28 von der Oberseite der Leiterplatte 12 zur Unterseite der Leiterplatte 12 erstrecken kann. Ein Pfeil in der Mitte deutet einen ersten beispielhaften Wärmepfad 32A zur Wärmeableitung in einer Richtung weg von dem Hochfrequenzchip 2 hin zur Leiterplatte 12 an. Ein Pfeil oben deutet einen zweiten beispielhaften Wärmepfad 32B für eine Wärmeableitung von dem Kühlkörper 22 weg an. Ein weiterer Pfeil auf der rechten Seite deutet einen beispielhaften Pfad 34 für Hochfrequenzsignale an, die von dem Hochfrequenzchip 2 an eine oder mehrere weitere Komponenten übertragen werden können, die der Einfachheit halber nicht dargestellt sind. Insbesondere können die Hochfrequenzsignale über geeignete Hochfrequenzstrukturen übertragen werden, die auf der Oberseite der Leiterplatte 12 angeordnet sind.
  • Im Beispiel der 1 kann das erste Material 16 des Schichtstapels 14 ein Hochfrequenz-Absorbermaterial enthalten oder aus diesem hergestellt sein. Das Hochfrequenz-Absorbermaterial kann als ein Material spezifiziert werden, das dazu ausgelegt ist, Funksignale oder Strahlung in den Betriebsfrequenzbereichen des Hochfrequenzchips 2, wie zuvor beschrieben, effektiv zu absorbieren. Dementsprechend kann das erste Material 16 dazu ausgelegt sein, ein Übersprechen zwischen mehreren Hochfrequenzkanälen des Hochfrequenzchips 2 abzuschwächen, um eine verbesserte Hochfrequenzisolierung zwischen den mehreren Hochfrequenzkanälen zu erreichen. Zusätzlich oder alternativ kann das erste Material 16 dazu ausgelegt sein, ein Übersprechen zwischen einem Hochfrequenzkanal des Hochfrequenzchips 2 und Schaltungen eines weiteren Chips oder einer weiteren elektronischen Komponente (nicht dargestellt) abzuschwächen. Um ein Übersprechen in geeigneter Weise abzuschwächen, kann das erste Material 16 insbesondere angrenzend an den Hochfrequenzchip 2 angeordnet sein. In dem nicht einschränkenden Beispiel der 1 kann die Unterseite der ersten Schicht, die das erste Material 16 enthält, in direktem Kontakt mit der Oberseite des Verkapselungsmaterials 6 sein.
  • Im Beispiel der 1 kann eine relative Permittivität (oder Dielektrizitätskonstante) εr des ersten Materials 16 größer als etwa 5 sein. In einem spezielleren, aber nicht einschränkenden Beispiel kann die relative Permittivität εr des ersten Materials 16 in einem Bereich von etwa 6 bis etwa 7 liegen. Ein Verlusttangens tanδ des ersten Materials 16 kann größer als etwa 0,1 sein. In einem spezifischeren, aber nicht einschränkenden Beispiel kann der Verlusttangens tanδ in einem Bereich von etwa 0,2 bis etwa 0,3 liegen. Im Beispiel der 1 kann die erste Schicht, die das erste Material 16 enthält, eine im Wesentlichen gleichmäßige Dicke aufweisen. In diesem Zusammenhang kann eine Dicke des ersten Materials 16 in einem Bereich von etwa 0,2 mm bis etwa 0,6 mm liegen, wenn in der z-Richtung gemessen. In einem spezifischeren, aber nicht einschränkenden Beispiel kann die Dicke des ersten Materials 16 in einem Bereich von etwa 0,2 mm bis etwa 0,4 mm liegen.
  • Das erste Material 16 kann eines oder mehrere der folgenden hochfrequenzabsorbierenden Materialien enthalten: Kohlenstoff, Gummimaterial, leitendes Polymer, chirales Material, eine Polymermatrix, die mindestens eines von leitenden Teilchen oder magnetischen Teilchen enthält.
  • Kohlenstoff kann aufgrund seiner geringen Leitfähigkeit ein hochfrequenzabsorbierendes Material sein. Insbesondere können Kohlenstoff-Nanostrukturen geeignete Eigenschaften für Radar-Absorber-Materialien (Radar Absorber Materials, RAMs) aufweisen. Zum Beispiel können Graphit, Kohlenstoff-Nanoröhren (ein- oder mehrschichtig), Fasern, und Ruß („carbon black“) als hochfrequenzabsorbierende Materialien verwendet werden.
  • Hochfrequenz-absorbierendes Gummimaterial kann gummiradar-absorbierendes Material (Rubber Radar Absorbing Material, RRAM) enthalten oder diesem entsprechen. RRAM-Komposite können aus Gummi als eine Matrix mit elektromagnetische Wellen absorbierenden Materialien hergestellt werden und können als Verstärkung dienen. Die Verstärkungen können eine elektromagnetische Leistung der Radarabsorber bereitstellen. Darüber hinaus kann die Matrix einen weichen und flexiblen Körper bereitstellen. Ein Verstärkungsmaterial des RRAM kann zum Beispiel Carbonyleisen enthalten oder diesem entsprechen. Carbonyleisen kann z.B. für mikrowellenabsorbierende Elemente als Verstärkung in einem beispielhaften Frequenzbereich von etwa 2,6 GHz bis etwa 18 GHz und sogar höher verwendet werden.
  • Hochfrequenz-absorbierende, leitfähige Polymere können auf verschiedene Weisen bereitgestellt werden. Zum Beispiel kann in einem Polymer eine Bildung von Polaronen und Bipolaronen das Polymer leitfähig machen. Lokale Oxidation des Polymers kann einen solchen Zustand hervorrufen, wobei Polypyrrol (PPy) ein nicht einschränkendes Beispiel sein kann.
  • Chirale Materialien oder (künstliche) chirale Strukturen können als Materialien spezifiziert werden, die dazu ausgelegt sind, eine Polarisationsebene zu ändern. Für elektromagnetische Wellen in chiralen Materialien kann die Orientierung des Ausbreitungsvektors in der linken Richtung sein, während in herkömmlichen Materialien der Ausbreitungsvektor nach rechts gerichtet sein kann. Dementsprechend können chirale Materialien auch als linkshändige Materialien (Left-Handed Materials, LHMs) oder Metamaterialien bezeichnet werden.
  • Ferner können radarabsorbierende Materialien durch Beladen einer isolierenden Polymermatrix mit mindestens einem von leitenden Teilchen oder magnetischen Teilchen ausgebildet werden. In einem konkreteren Beispiel kann die Polymermatrix mit leitenden Filamenten oder Röhrchen beladen sein. Hierbei kann eine Länge verwendeter Filamente weniger als das etwa 0,5-fache der Wellenlänge der zu absorbierenden Mittelfrequenz betragen.
  • Die Metallschicht 20 des Schichtstapels 14 kann auf der ersten Schicht mit dem ersten Material 16 angeordnet sein. Im Beispiel der 1 kann die untere Oberfläche der Metallschicht 20 in direktem Kontakt mit der oberen Oberfläche der ersten Schicht mit dem ersten Material 16 stehen. Zum Beispiel kann die Metallschicht 20 einer metallischen Folie entsprechen oder eine solche enthalten. Wie bereits beschrieben, kann das erste Material 16 dazu ausgelegt sein, eine elektrische Leistung durch Abschwächen eines Übersprechens zwischen mehreren Hochfrequenzkanälen des Hochfrequenzchips 2 bereitzustellen. In diesem Zusammenhang kann die Metallschicht 20 dazu ausgelegt sein, diese elektrische Leistung von jedem zusätzlichen Material, das über der Metallschicht 20 angeordnet ist, effektiv unabhängig zu machen. Dies kann dadurch erreicht werden, dass eine Dicke der Metallschicht 20 größer ist als das Zweifache (oder Dreifache) einer Eindringtiefe („skin depth“) der Metallschicht 20 bei einer Betriebsfrequenz des Hochfrequenzchips 2. In einem spezifischen Beispiel kann eine Eindringtiefe einer Aluminiumschicht etwa 300 nm sein bei einer Frequenz von etwa 77 GHz.
  • Das thermische Schnittstellenmaterial 18 des Schichtstapels 14 kann oben auf der Metallschicht 20 angeordnet sein. Im Beispiel der 1 kann die untere Oberfläche des thermischen Schnittstellenmaterials 18 in direktem Kontakt mit der oberen Oberfläche der Metallschicht 20 stehen. Das thermische Schnittstellenmaterial 18 kann dazu ausgelegt sein, von dem Hochfrequenzchip 2 erzeugte Wärme abzuleiten. Insbesondere kann Wärme über das thermische Schnittstellenmaterial 18 in einer Richtung vom Hochfrequenzchip 2 zu dem Kühlkörper 22 abgeleitet werden und kann somit eine Kühlung des Hochfrequenzchips 2 unterstützen. Um eine geeignete Wärmeableitung bereitzustellen, kann das thermische Schnittstellenmaterial 18 insbesondere angrenzend an den Kühlkörper 22 angeordnet sein.
  • Das thermische Schnittstellenmaterial 18 kann eine Silikonmatrix mit anorganischen Füllstoffen enthalten oder einer solchen entsprechen. Die anorganischen Füllstoffteilchen können mindestens eines der folgenden Materialien enthalten oder daraus hergestellt sein: Al2O3 (insbesondere kugelförmig), SiO2, BN, AlN, MgO, ZnO, Glasfasern, usw. Im Beispiel der 1 kann eine relative Permittivität (oder Dielektrizitätskonstante) εr des thermischen Schnittstellenmaterials 18 größer als etwa 5 sein. Der Verlusttangens tanδ des thermischen Schnittstellenmaterials 18 kann kleiner als etwa 0,1 sein. Im Beispiel der 1 kann das thermische Schnittstellenmaterial 18 eine im Wesentlichen gleichmäßige Dicke aufweisen. In diesem Zusammenhang kann eine Dicke des thermischen Schnittstellenmaterials 18 größer als etwa 0,5 mm sein, wenn in der z-Richtung gemessen.
  • Abmessungen und Formen der in dem Schichtstapel 14 enthaltenen Schichten können in verschiedenen Beispielen variieren. In dem nicht einschränkenden Fall der 1 können Grundflächen der ersten Schicht mit dem ersten Material 16, des thermischen Schnittstellenmaterials 18 und der Metallschicht 20 ähnlich sein, wenn in der z-Richtung betrachtet. In weiteren Beispielen können sich die Komponenten des Schichtstapels 14 hinsichtlich ihrer Abmessungen in der x-Richtung und/oder der y-Richtung unterscheiden.
  • Der Kühlkörper 22 kann in einem Beispiel ein oder mehrere Metallteile aufweisen. Wenn in der z-Richtung gemessen, kann eine Dicke des oder der Metallteile mindestens etwa 1 mm betragen. Eine Oberfläche des Kühlkörpers 22 muss nicht notwendigerweise die Leiterplatte 12 kontaktieren. Insbesondere kann keine Oberfläche des Kühlkörpers 22 die Leiterplatte 12 direkt kontaktieren. In diesem besonderen Fall kann der Kühlkörper 22 nicht an einer Verspannung des Halbleitergehäuses 4 beteiligt sein. Mit anderen Worten kann der Kühlkörper 22 mechanisch von der Leiterplatte 12 entkoppelt sein. Im Beispiel der 1 kann der Kühlkörper 22 vollständig über der Oberseite des Hochfrequenzchips 2 angeordnet sein. Das heißt, der Kühlkörper 22 kann keine Teile enthalten, die bis zur Leiterplatte 12 hinunterreichen und diese kontaktieren können.
  • Die Vorrichtung 100 der 1 kann insbesondere im Vergleich zu herkömmlichen Vorrichtungen die folgenden technischen Effekte bereitstellen. Das erste Material 16 des Schichtstapels 14 kann ein Übersprechen zwischen mehreren Hochfrequenzkanälen des Hochfrequenzchips 2 sowie ein Übersprechen zwischen einem Hochfrequenzkanal des Hochfrequenzchips 2 und anderen Schaltungen vermindern. Infolgedessen kann eine Hochfrequenzleistung der Vorrichtung 100 erhöht werden. Darüber hinaus können das thermische Schnittstellenmaterial 18 und der Kühlkörper 22 thermische Pfade für eine effiziente Ableitung der durch den Hochfrequenzchip 2 erzeugten Wärme bereitstellen. Infolgedessen kann eine Kühlleistung der Vorrichtung 100 verbessert werden. Zusammenfassend kann der Schichtstapel 14 der 1 sowohl eine effiziente thermische Leistung als auch eine elektrische Leistung zur gleichen Zeit bereitstellen.
  • In herkömmlichen Vorrichtungen kann ein Metallkühlkörper, der auf einem Halbleitergehäuse angeordnet ist, eine Signalisolierung zwischen den mehreren Hochfrequenzkanälen des Hochfrequenzchips beeinträchtigen. Im Gegensatz dazu und in Übereinstimmung mit der Offenbarung kann ein Aufbringen eines Hochfrequenz-Absorbermaterials 16 zwischen dem Halbleitergehäuse 4 und dem Kühlkörper 22 eine solche durch den Kühlkörper verursachte Verschlechterung der Signalisolierung vermeiden oder zumindest abschwächen.
  • In herkömmlichen Vorrichtungen kann ein Anordnen eines Kühlkörpers auf einem Halbleitergehäuse aufgrund mechanischer Fehlausrichtungen und Toleranzen nicht geeignet sein. Im Gegensatz dazu und in Übereinstimmung mit der Offenbarung kann das thermische Schnittstellenmaterial 18, das zwischen dem Halbleitergehäuse 4 und dem Kühlkörper 22 angeordnet ist, mechanische Flexibilität bereitstellen und die Anordnung gegenüber mechanischen Toleranzen anpassungsfähiger machen. Darüber hinaus kann das thermische Schnittstellenmaterial 18 eine Dicke des Schichtstapels 14 erhöhen, wodurch eine vereinfachte Handhabung der Anordnung bereitgestellt wird.
  • Im Folgenden sind weitere Vorrichtungen gemäß der Offenbarung beschrieben, wie sie beispielhaft in den 2 bis 6 dargestellt sind. Jede dieser Vorrichtungen kann einige oder alle Merkmale der Vorrichtung 100 der 1 aufweisen. Dementsprechend können alle im Zusammenhang mit der 1 gemachten Ausführungen auch für die Beispiele der 2 bis 6 gelten.
  • In der Vorrichtung 200 der 2 kann das erste Material 16 ein Moldverbindungsmaterial („mold compound“) enthalten oder aus einem solchen hergestellt sein. Dieses Moldverbindungsmaterial 16 kann beispielsweise eines oder mehrere der Materialien enthalten, die zuvor im Zusammenhang mit dem Verkapselungsmaterial 6 der 1 beschrieben wurden. Im Beispiel der 2 kann das Moldverbindungsmaterial 16 einem Overmold-Material entsprechen, das auf dem Verkapselungsmaterial 6 angeordnet ist. In weiteren Beispielen können das Moldverbindungsmaterial 16 und das Verkapselungsmaterial 6 ein einzelnes Stück ausbilden. In solchen Fällen kann der Hochfrequenzchip 2 in das Moldverbindungsmaterial 16 eingebettet sein.
  • Im Beispiel der 2 kann eine relative Permittivität (oder Dielektrizitätskonstante) εr des ersten Materials 16 größer als etwa 2 sein. Ein Verlusttangens tanδ des ersten Materials 16 kann kleiner als etwa 0,1 sein. Im Beispiel der 1 kann die erste Schicht, die das erste Material 16 enthält, eine im Wesentlichen gleichmäßige Dicke aufweisen. In diesem Zusammenhang kann eine Dicke des ersten Materials 16 in einem Bereich von etwa 0,4 mm bis etwa 0,8 mm liegen, wenn in der z-Richtung gemessen. In einem spezifischeren, aber nicht einschränkenden Beispiel kann die Dicke des ersten Materials 16 in einem Bereich von etwa 0,5 mm bis etwa 0,7 mm liegen.
  • Die Metallschicht 20, die zwischen dem Moldverbindungsmaterial 16 und dem thermischen Schnittstellenmaterial 18 angeordnet ist, kann dazu ausgelegt sein, zu verhindern, dass das thermische Schnittstellenmaterial 18 eine Hochfrequenzleistung der Vorrichtung 200 verringert. In dieser Hinsicht kann die Metallschicht 20 dazu ausgelegt sein, einen Reflektor für alle parasitären Hochfrequenzwellenausbreitungen in dem Moldverbindungsmaterial 16 auszubilden. In einem Beispiel kann die Metallschicht 20 Teil der thermischen Schnittstellenschicht 18 sein. In einem weiteren Beispiel kann die Metallschicht 20 auf der Oberseite des Moldverbindungsmaterials 16 abgeschieden sein, zum Beispiel basierend auf einer Sputtering-Technik. In noch einem weiteren Beispiel kann die Metallschicht 20 während eines Molding-Prozesses, wie z.B. eines Compression-Molding-Prozesses, in das Moldverbindungsmaterial 16 eingebettet werden.
  • Die Vorrichtung 300 der 3 kann der Vorrichtung 200 der 2 zumindest teilweise ähnlich sein. In ähnlicher Weise kann das erste Material 16 ein Moldverbindungsmaterial enthalten oder kann aus einem Moldverbindungsmaterial hergestellt sein. Im Vergleich zur 2 kann die erste Schicht, die das erste Material 16 enthält, eine verringerte Dicke aufweisen, wenn in der z-Richtung gemessen. Im Beispiel der 3 kann die erste Schicht mit dem ersten Material 16 eine im Wesentlichen gleichmäßige Dicke aufweisen. In diesem Zusammenhang kann eine Dicke des ersten Materials 16 in einem Bereich von etwa 0,2 mm bis etwa 0,4 mm liegen. Eine relative Permittivität (oder Dielektrizitätskonstante) εr des ersten Materials 16 kann größer als etwa 5 sein. Ein Verlusttangens tanδ des ersten Materials 16 kann größer als etwa 0,2 sein.
  • Die Vorrichtung 400 der 4 kann zumindest teilweise den zuvor beschriebenen Vorrichtungen ähnlich sein. Im Beispiel der 4 kann der Schichtstapel 14 vorheriger Beispiele durch ein Hochfrequenz-Absorbermaterial 36 ersetzt sein, das zwischen dem Hochfrequenzchip 2 und dem Kühlkörper 22 angeordnet ist. In der 4 kann das Hochfrequenz-Absorbermaterial 36 beispielhaft als eine einzelne Schicht mit einer im Wesentlichen gleichmäßigen Dicke ausgebildet sein, wenn in der z-Richtung gemessen. In diesem Zusammenhang kann eine Dicke des Hochfrequenz-Absorbermaterials 36 größer als etwa 1 mm sein. Das Hochfrequenz-Absorbermaterial 36 kann z.B. eines oder mehrere der zuvor im Zusammenhang mit der 1 beschriebenen hochfrequenzabsorbierenden Materialien enthalten. Eine relative Permittivität (oder Dielektrizitätskonstante) εr des Hochfrequenz-Absorbermaterials 36 kann größer als etwa 3 sein. Ein Verlusttangens tanδ des Hochfrequenz-Absorbermaterials 36 kann größer als etwa 0,2 sein. In einem spezifischeren, aber nicht einschränkenden Beispiel kann der Verlusttangens tanδ größer als etwa 0,3 sein.
  • Die Vorrichtung 500 der 5 kann zumindest teilweise der Vorrichtung 400 der 4 ähnlich sein. In ähnlicher Weise kann ein Hochfrequenz-Absorbermaterial 36 zwischen dem Hochfrequenzchip 2 und dem Kühlkörper 22 angeordnet sein. Die Hochfrequenz-Absorbermaterialien 36 der 4 und 5 können sich in Bezug auf die relative Permittivität εr und die Dicke unterscheiden. Im Beispiel der 5 kann eine relative Permittivität εr des Hochfrequenz-Absorbermaterials 36 größer als etwa 5 sein. In einem spezielleren, aber nicht einschränkenden Beispiel kann die relative Permittivität εr des Hochfrequenz-Absorbermaterials 36 größer als etwa 7 sein. Das Hochfrequenz-Absorbermaterial 36 der 5 kann als eine einzelne Schicht mit einer im Wesentlichen einheitlichen Dicke ausgebildet sein, wenn in der z-Richtung gemessen. In diesem Zusammenhang kann eine Dicke des Hochfrequenz-Absorbermaterials 36 größer als etwa 1 mm sein. In einem spezifischeren, aber nicht einschränkenden Beispiel kann die Dicke des Hochfrequenz-Absorbermaterials 36 in einem Bereich von etwa 0,2 mm bis etwa 0,45 mm liegen.
  • Die Vorrichtung 600 der 6 kann zumindest teilweise den Vorrichtungen 400 und 500 der 4 bzw. 5 ähnlich sein. Im Beispiel der 6 kann das Hochfrequenz-Absorbermaterial 36 der 4 und 5 durch ein Moldverbindungsmaterial 38 ersetzt sein, das zwischen dem Hochfrequenzchip 2 und dem Kühlkörper 22 angeordnet ist. Insbesondere kann der Kühlkörper 22 direkt auf dem Moldverbindungsmaterial 38 angeordnet sein. In einem Beispiel kann das Moldverbindungsmaterial 38 eines oder mehrere der zuvor im Zusammenhang mit dem Verkapselungsmaterial 6 der 1 beschriebenen Materialien enthalten. In weiteren Beispielen können Al2O3-Füllstoffe in einer Silikonmatrix verwendet werden, um hohe relative Permittivitätswerte und hohe Wärmeleitfähigkeitswerte des Moldverbindungsmaterials 38 zu erreichen. Hierbei können Wärmeleitfähigkeitswerte zwischen etwa 3 W/mK und etwa 5 W/mK möglich sein.
  • Im Beispiel der 6 kann das Moldverbindungsmaterial 38 beispielhaft einem Overmold-Material entsprechen, das auf dem Verkapselungsmaterial 6 angeordnet ist. In weiteren Beispielen können das Verkapselungsmaterial 6 und das Moldverbindungsmaterial 38 ein einzelnes Stück ausbilden. In solchen Fällen kann der Hochfrequenzchip 2 in das Moldverbindungsmaterial 38 verkapselt werden. Eine relative Permittivität (oder Dielektrizitätskonstante) εr des Moldverbindungsmaterials 38 kann größer als etwa 2 sein, und ein Verlusttangens tanδ des Moldverbindungsmaterials 38 kann kleiner als etwa 0,1 sein. Im Beispiel der 6 kann das Moldverbindungsmaterial 38 als eine einzelne Schicht mit einer im Wesentlichen gleichmäßigen Dicke ausgebildet sein, wenn in der z-Richtung gemessen. In diesem Zusammenhang kann eine Dicke des Moldverbindungsmaterials 38 größer als etwa 0,4 mm sein. In einem spezifischeren, aber nicht einschränkenden Beispiel kann eine Dicke des Moldverbindungsmaterials 38 größer als etwa 0,5 mm sein.
  • Verschiedene Verfahren können für das Herstellen von Vorrichtungen gemäß der Offenbarung verwendet werden. Die 7 bis 9 veranschaulichen Flussdiagramme von drei solchen beispielhaften Verfahren. Die Verfahren können in Verbindung mit zuvor beschriebenen Vorrichtungen gemäß der Offenbarung gelesen werden. Die Verfahren der 7 bis 9 sind in einer allgemeinen Weise beschrieben, um Aspekte der Offenbarung qualitativ zu spezifizieren. Es versteht sich, dass die Verfahren weitere Aspekte aufweisen können. Beispielsweise können die Verfahren um jeden der Aspekte erweitert werden, die im Zusammenhang mit anderen Beispielen gemäß der Offenbarung beschrieben sind.
  • Das Verfahren der 7 kann z.B. zum Herstellen der Vorrichtungen 100 bis 300 der 1 bis 3 verwendet werden, die einen zwischen dem Hochfrequenzchip 2 und dem Kühlkörper 22 angeordneten Schichtstapel 14 aufweisen. Bei 40 kann ein Hochfrequenzchip angeordnet werden. Bei 42 kann ein Kühlkörper über dem Hochfrequenzchip angeordnet werden. Bei 44 kann ein Schichtstapel zwischen dem Hochfrequenzchip und dem Kühlkörper angeordnet werden. Der Schichtstapel kann Folgendes enthalten: eine erste Schicht mit einem ersten Material, ein thermisches Schnittstellenmaterial, und eine Metallschicht, die zwischen dem ersten Material und dem thermischen Schnittstellenmaterial angeordnet ist.
  • Das Verfahren der 8 kann z.B. zum Herstellen der Vorrichtungen 400 und 500 der 4 und 5 verwendet werden, die ein Frequenz-Absorbermaterial 36 enthalten, das zwischen dem Hochfrequenzchip 2 und dem Kühlkörper 22 angeordnet ist. Bei 46 kann ein Hochfrequenzchip angeordnet werden. Bei 48 kann ein Kühlkörper über dem Hochfrequenzchip angeordnet werden. Bei 50 kann ein Hochfrequenz-Absorbermaterial zwischen dem Hochfrequenzchip und dem Kühlkörper angeordnet werden. Eine relative Permittivität des Hochfrequenz-Absorbermaterials kann größer als 3 sein, und ein Verlusttangens des Hochfrequenz-Absorbermaterials kann größer als 0,2 sein.
  • Das Verfahren der 9 kann beispielsweise zum Herstellen der Vorrichtung 600 der 6 verwendet werden, die ein Moldverbindungsmaterial 38 enthält, das zwischen dem Hochfrequenzchip 2 und dem Kühlkörper 22 angeordnet ist. Bei 52 kann ein Hochfrequenzchip angeordnet werden. Bei 54 kann ein Kühlkörper über dem Hochfrequenzchip angeordnet werden. Bei 56 kann ein Moldverbindungsmaterial zwischen dem Hochfrequenzchip und dem Kühlkörper angeordnet werden. Eine relative Permittivität des Moldverbindungsmaterials kann größer als 2 sein, ein Verlusttangens des Moldverbindungsmaterials kann kleiner als 0,1 sein, und eine Dicke des Moldverbindungsmaterials kann größer als 0,4 mm sein.
  • Beispiele
  • Im Folgenden werden Vorrichtungen gemäß der Offenbarung anhand von Beispielen erläutert.
  • Beispiel 1 ist eine Vorrichtung, umfassend: einen Hochfrequenzchip; einen Kühlkörper, der über dem Hochfrequenzchip angeordnet ist; und einen Schichtstapel, der zwischen dem Hochfrequenzchip und dem Kühlkörper angeordnet ist, wobei der Schichtstapel umfasst: eine erste Schicht, die ein erstes Material umfasst, ein thermisches Schnittstellenmaterial, und eine Metallschicht, die zwischen dem ersten Material und dem thermischen Schnittstellenmaterial angeordnet ist.
  • Beispiel 2 ist eine Vorrichtung gemäß Beispiel 1, wobei das erste Material ein Hochfrequenz-Absorbermaterial umfasst.
  • Beispiel 3 ist eine Vorrichtung gemäß Beispiel 1 oder 2, wobei das erste Material angrenzend an den Hochfrequenzchip angeordnet ist und das thermische Schnittstellenmaterial angrenzend an den Kühlkörper angeordnet ist.
  • Beispiel 4 ist eine Vorrichtung gemäß einem der vorhergehenden Beispiele, wobei: das erste Material dazu ausgelegt ist, ein Übersprechen zwischen mehreren Hochfrequenzkanälen des Hochfrequenzchips abzuschwächen, um eine verbesserte Hochfrequenzisolierung zwischen den mehreren Hochfrequenzkanälen zu erhalten, und das thermische Schnittstellenmaterial dazu ausgelegt ist, von dem Hochfrequenzchip erzeugte Wärme abzuleiten.
  • Beispiel 5 ist eine Vorrichtung gemäß einem der vorhergehenden Beispiele, wobei: das erste Material dazu ausgelegt ist, ein Übersprechen zwischen einem Hochfrequenzkanal des Hochfrequenzchips und einem Schaltkreis eines weiteren Chips abzuschwächen, und das thermische Schnittstellenmaterial dazu ausgelegt ist, von dem Hochfrequenzchip erzeugte Wärme abzuleiten.
  • Beispiel 6 ist eine Vorrichtung gemäß einem der vorhergehenden Beispiele, wobei: eine relative Permittivität des ersten Materials größer als 5 ist, und ein Verlusttangens des ersten Materials größer als 0,1 ist.
  • Beispiel 7 ist eine Vorrichtung gemäß Beispiel 6, wobei eine Dicke des ersten Materials in einem Bereich von 0,2 mm bis 0,6 mm liegt.
  • Beispiel 8 ist eine Vorrichtung gemäß Beispiel 6 oder 7, wobei das erste Material mindestens eines umfasst von Kohlenstoff, Gummimaterial, leitendes Polymer, chirales Material, oder eine Polymermatrix, die mindestens eines von leitenden Teilchen oder magnetischen Teilchen enthält.
  • Beispiel 9 ist eine Vorrichtung gemäß Beispiel 1, wobei: eine relative Permittivität des ersten Materials größer als 2 ist, ein Verlusttangens des ersten Materials kleiner als 0,1 ist, und eine Dicke des ersten Materials in einem Bereich von 0,4 mm bis 0,8 mm liegt.
  • Beispiel 10 ist eine Vorrichtung gemäß Beispiel 1, wobei: eine relative Permittivität des ersten Materials größer als 5 ist, ein Verlusttangens des ersten Materials größer als 0,2 ist, und eine Dicke des ersten Materials in einem Bereich von 0,2 mm bis 0,4 mm liegt.
  • Beispiel 11 ist eine Vorrichtung gemäß Beispiel 9 oder 10, wobei das erste Material ein Moldverbindungsmaterial umfasst.
  • Beispiel 12 ist eine Vorrichtung gemäß Beispiel 11, wobei der Hochfrequenzchip in dem Moldverbindungsmaterial verkapselt ist.
  • Beispiel 13 ist eine Vorrichtung gemäß einem der vorhergehenden Beispiele, wobei eine Dicke der Metallschicht größer ist als das Zweifache einer Eindringtiefe der Metallschicht bei einer Betriebsfrequenz des Hochfrequenzchips.
  • Beispiel 14 ist eine Vorrichtung gemäß einem der vorhergehenden Beispiele, wobei: eine relative Permittivität des thermischen Schnittstellenmaterials größer als 5 ist, ein Verlusttangens des thermischen Schnittstellenmaterials kleiner als 0,1 ist, und eine Dicke des thermischen Schnittstellenmaterials größer als 0,5 mm ist.
  • Beispiel 15 ist eine Vorrichtung gemäß einem der vorhergehenden Beispiele, wobei das thermische Schnittstellenmaterial eine Silikonmatrix mit anorganischen Füllstoffen umfasst.
  • Beispiel 16 ist eine Vorrichtung gemäß einem der vorhergehenden Beispiele, wobei eine Betriebsfrequenz des Hochfrequenzchips größer als 1 GHz ist.
  • Beispiel 17 ist eine Vorrichtung gemäß einem der vorhergehenden Beispiele, wobei der Kühlkörper ein Metallteil umfasst, wobei eine Dicke des Metallteils in einer Richtung senkrecht zu einer Hauptoberfläche des Hochfrequenzchips mindestens 1 mm beträgt.
  • Beispiel 18 ist eine Vorrichtung, umfassend: einen Hochfrequenzchip; einen Kühlkörper, der über dem Hochfrequenzchip angeordnet ist; und ein Hochfrequenz-Absorbermaterial, das zwischen dem Hochfrequenzchip und dem Kühlkörper angeordnet ist, wobei eine relative Permittivität des Hochfrequenz-Absorbermaterials größer als 3 ist, und ein Verlusttangens des Hochfrequenz-Absorbermaterials größer als 0,2 ist.
  • Beispiel 19 ist eine Vorrichtung gemäß Beispiel 18, wobei eine Dicke des Hochfrequenz-Absorbermaterials größer als 1 mm ist.
  • Beispiel 20 ist eine Vorrichtung gemäß Beispiel 18, wobei die relative Permittivität des Hochfrequenz-Absorbermaterials größer als 5 ist und eine Dicke des Hochfrequenz-Absorbermaterials größer als 0,1 mm ist.
  • Beispiel 21 ist eine Vorrichtung gemäß einem der Beispiele 18 bis 20, wobei der Hochfrequenzchip über einer Leiterplatte angeordnet ist und eine Oberfläche des Kühlkörpers die Leiterplatte nicht kontaktiert.
  • Beispiel 22 ist eine Vorrichtung gemäß Beispiel 21, wobei der Kühlkörper vollständig über einer Oberseite des Hochfrequenzchips angeordnet ist, die von der Leiterplatte abgewandt ist.
  • Beispiel 23 ist eine Vorrichtung, umfassend: einen Hochfrequenzchip; einen Kühlkörper, die über dem Hochfrequenzchip angeordnet ist; und ein Moldverbindungsmaterial, das zwischen dem Hochfrequenzchip und dem Kühlkörper angeordnet ist, wobei eine relative Permittivität des Moldverbindungsmaterials größer als 2 ist, ein Verlusttangens des Moldverbindungsmaterials kleiner als 0,1 ist, und eine Dicke des Moldverbindungsmaterials größer als 0,4 mm ist.
  • Beispiel 24 ist eine Vorrichtung gemäß Beispiel 23, wobei der Hochfrequenzchip in das Moldverbindungsmaterial verkapselt ist.
  • Wie in dieser Beschreibung verwendet, bedeuten die Begriffe „verbunden“, „gekoppelt“, „elektrisch verbunden“, und/oder „elektrisch gekoppelt“ nicht unbedingt, dass Elemente direkt miteinander verbunden oder gekoppelt sein müssen. Zwischen den „verbundenen“, „gekoppelten“, „elektrisch verbundenen“, oder „elektrisch gekoppelten“ Elementen können Zwischenelemente bereitgestellt sein.
  • Ferner kann das Wort „über“, das in Bezug auf z.B. eine Materialschicht verwendet wird, die „über“ einer Oberfläche eines Objekts ausgebildet oder angeordnet ist, hierin verwendet werden, um zu bedeuten, dass die Materialschicht „direkt auf“, z.B. in direktem Kontakt mit der implizierten Oberfläche, angeordnet sein kann (z.B. ausgebildet, abgeschieden, usw.). Das Wort „über“, das in Bezug auf z.B. eine Materialschicht verwendet wird, die ausgebildet oder „über“ einer Oberfläche angeordnet ist, kann hierin auch verwendet werden, um zu bedeuten, dass die Materialschicht „indirekt“ auf der implizierten Oberfläche angeordnet sein kann (z.B. ausgebildet, abgeschieden, usw.), wobei z.B. eine oder mehrere zusätzliche Schichten zwischen der implizierten Oberfläche und der Materialschicht angeordnet sind.
  • Soweit die Begriffe „haben“, „enthalten“, „aufweisen“, „mit“, oder Varianten davon entweder in der detaillierten Beschreibung oder in den Ansprüchen verwendet werden, sollen diese Begriffe in ähnlicher Weise wie der Begriff „umfassen“ einschließend sein. Das heißt, wie hierin verwendet, sind die Begriffe „haben“, „enthalten“, „aufweisen“, „mit“, „umfassen“ und dergleichen offene Begriffe, die das Vorhandensein angegebener Elemente oder Merkmale anzeigen, aber zusätzliche Elemente oder Merkmale nicht ausschließen. Die Artikel „ein“, „eine“ und „der/die/das“ sollen sowohl den Plural als auch den Singular beinhalten, sofern der Zusammenhang nichts anderes bestimmt.
  • Darüber hinaus wird hierin das Wort „beispielhaft“ verwendet, um als Beispiel, Instanz, oder Veranschaulichung zu dienen. Jeder Aspekt oder jedes Design, das hierin als „beispielhaft“ beschrieben wird, ist nicht unbedingt als vorteilhaft gegenüber anderen Aspekten oder Designs auszulegen. Vielmehr soll die Verwendung des Wortes beispielhaft dazu dienen, Konzepte konkret darzustellen. Wie in dieser Anmeldung verwendet, soll der Begriff „oder“ ein inklusives „oder“ und nicht ein exklusives „oder“ bedeuten. Das heißt, wenn nicht anders angegeben oder aus dem Zusammenhang klar, soll „X verwendet A oder B“ eine der natürlichen inklusiven Permutationen bedeuten. Das heißt, wenn X A verwendet; X B verwendet; oder X sowohl A als auch B verwendet, dann ist „X verwendet A oder B“ unter einem der vorgenannten Fälle erfüllt. Darüber hinaus können die Artikel „ein“ und „eine“, wie sie in dieser Anmeldung und den beigefügten Ansprüchen verwendet werden im Allgemeinen so ausgelegt werden, dass sie „einen oder mehrere“ bedeuten, sofern nicht anders angegeben oder aus dem Zusammenhang klar, um auf eine einzelne Form gerichtet zu werden. Außerdem bedeutet mindestens eines von A und B oder dergleichen im Allgemeinen A oder B oder sowohl A als auch B.
  • Vorrichtungen und Verfahren zum Herstellen von Vorrichtungen sind hierin beschrieben. Kommentare, die im Zusammenhang mit einer beschriebenen Vorrichtung gemacht werden, können auch für ein entsprechendes Verfahren gelten und umgekehrt. Wenn beispielsweise eine bestimmte Komponente einer Vorrichtung beschrieben ist, kann ein entsprechendes Verfahren zum Herstellen der Vorrichtung eine Handlung des Bereitstellens der Komponente in einer geeigneten Weise beinhalten, auch wenn diese Handlung nicht ausdrücklich beschrieben oder in den Figuren dargestellt ist.
  • Obwohl die Offenbarung in Bezug auf eine oder mehrere Implementierungen gezeigt und beschrieben wurde, werden anderen Fachleuten gleichwertige Änderungen und Modifikationen einfallen, basierend zumindest teilweise auf dem Lesen und Verstehen dieser Beschreibung und der beigefügten Zeichnungen. Die Offenbarung beinhaltet alle derartigen Änderungen und Ergänzungen und ist nur durch das Konzept der folgenden Ansprüche beschränkt. Insbesondere in Bezug auf die verschiedenen Funktionen der oben beschriebenen Komponenten (z.B. Elemente, Ressourcen, usw.) sollen die zur Beschreibung dieser Komponenten verwendeten Begriffe, sofern nicht anders angegeben, einer Komponente entsprechen, welche die spezifizierte Funktion der beschriebenen Komponente erfüllt (z.B. funktional äquivalent), auch wenn sie strukturell nicht der offenbarten Struktur entspricht, welche die Funktion in den hierin dargestellten beispielhaften Implementierungen der Offenbarung erfüllt. Darüber hinaus kann ein bestimmtes Merkmal der Offenbarung zwar nur in Bezug auf eine von mehreren Implementierungen offenbart worden sein, aber dieses Merkmal kann mit einem oder mehreren anderen Merkmalen der anderen Implementierungen kombiniert werden, wie es für eine bestimmte oder besondere Anwendung gewünscht und vorteilhaft ist.

Claims (24)

  1. Vorrichtung, umfassend: einen Hochfrequenzchip (2); einen Kühlkörper (22), der über dem Hochfrequenzchip (2) angeordnet ist; und einen Schichtstapel (14), der zwischen dem Hochfrequenzchip (2) und dem Kühlkörper (22) angeordnet ist, wobei der Schichtstapel (14) umfasst: eine erste Schicht, die ein erstes Material (16) umfasst, ein thermisches Schnittstellenmaterial (18), und eine Metallschicht (20), die zwischen dem ersten Material (16) und dem thermischen Schnittstellenmaterial (18) angeordnet ist.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei das erste Material (16) ein Hochfrequenz-Absorbermaterial umfasst.
  3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei das erste Material (16) angrenzend an den Hochfrequenzchip (2) angeordnet ist und das thermische Schnittstellenmaterial (18) angrenzend an den Kühlkörper (22) angeordnet ist.
  4. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei: das erste Material (16) dazu ausgelegt ist, ein Übersprechen zwischen mehreren Hochfrequenzkanälen des Hochfrequenzchips (2) abzuschwächen, um eine verbesserte Hochfrequenzisolierung zwischen den mehreren Hochfrequenzkanälen zu erhalten, und das thermische Schnittstellenmaterial (18) dazu ausgelegt ist, von dem Hochfrequenzchip (2) erzeugte Wärme abzuleiten.
  5. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei: das erste Material (16) dazu ausgelegt ist, ein Übersprechen zwischen einem Hochfrequenzkanal des Hochfrequenzchips (2) und einer Schaltung eines weiteren Chips abzuschwächen, und das thermische Schnittstellenmaterial (18) dazu ausgelegt ist, von dem Hochfrequenzchip (2) erzeugte Wärme abzuleiten.
  6. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei : eine relative Permittivität des ersten Materials (16) größer als 5 ist, und ein Verlusttangens des ersten Materials (16) größer als 0,1 ist.
  7. Vorrichtung nach Anspruch 6, wobei eine Dicke des ersten Materials (16) in einem Bereich von 0,2 mm bis 0,6 mm liegt.
  8. Vorrichtung nach Anspruch 6 oder 7, wobei das erste Material (16) mindestens eines umfasst von Kohlenstoff, Gummimaterial, leitendes Polymer, chirales Material, oder eine Polymermatrix, die mindestens eines von leitenden Teilchen oder magnetischen Teilchen enthält.
  9. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei: eine relative Permittivität des ersten Materials (16) größer als 2 ist, ein Verlusttangens des ersten Materials (16) kleiner als 0,1 ist, und eine Dicke des ersten Materials (16) in einem Bereich von 0,4 mm bis 0,8 mm liegt.
  10. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei: eine relative Permittivität des ersten Materials (16) größer als 5 ist, ein Verlusttangens des ersten Materials (16) größer als 0,2 ist, und eine Dicke des ersten Materials (16) in einem Bereich von 0,2 mm bis 0,4 mm liegt.
  11. Vorrichtung nach Anspruch 9 oder 10, wobei das erste Material (16) ein Moldverbindungsmaterial umfasst.
  12. Vorrichtung nach Anspruch 11, wobei der Hochfrequenzchip (2) in dem Moldverbindungsmaterial verkapselt ist.
  13. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei eine Dicke der Metallschicht (20) größer ist als das Zweifache einer Eindringtiefe der Metallschicht (20) bei einer Betriebsfrequenz des Hochfrequenzchips (2).
  14. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei : eine relative Permittivität des thermischen Schnittstellenmaterials (18) größer als 5 ist, ein Verlusttangens des thermischen Schnittstellenmaterials (18) kleiner als 0,1 ist, und eine Dicke des thermischen Schnittstellenmaterials (18) größer als 0,5 mm ist.
  15. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das thermische Schnittstellenmaterial (18) eine Silikonmatrix mit anorganischen Füllstoffen umfasst.
  16. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei eine Betriebsfrequenz des Hochfrequenzchips (2) größer als 1 GHz ist.
  17. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Kühlkörper (22) ein Metallteil umfasst, wobei eine Dicke des Metallteils in einer Richtung senkrecht zu einer Hauptoberfläche des Hochfrequenzchips (2) mindestens 1 mm beträgt.
  18. Vorrichtung, umfassend: einen Hochfrequenzchip (2); einen Kühlkörper (22), der über dem Hochfrequenzchip (2) angeordnet ist; und ein Hochfrequenz-Absorbermaterial (36), das zwischen dem Hochfrequenzchip (2) und dem Kühlkörper (22) angeordnet ist, wobei eine relative Permittivität des Hochfrequenz-Absorbermaterials (36) größer als 3 ist, und ein Verlusttangens des Hochfrequenz-Absorbermaterials (36) größer als 0,2 ist.
  19. Vorrichtung nach Anspruch 18, wobei eine Dicke des Hochfrequenz-Absorbermaterials (36) größer als 1 mm ist.
  20. Vorrichtung nach Anspruch 18, wobei die relative Permittivität des Hochfrequenz-Absorbermaterials (36) größer als 5 ist und eine Dicke des Hochfrequenz-Absorbermaterials (36) größer als 0,1 mm ist.
  21. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 18 bis 20, wobei der Hochfrequenzchip (2) über einer Leiterplatte (12) angeordnet ist und eine Oberfläche des Kühlkörpers (22) die Leiterplatte (12) nicht kontaktiert.
  22. Vorrichtung nach Anspruch 21, wobei der Kühlkörper (22) vollständig über einer Oberseite des Hochfrequenzchips (2) angeordnet ist, die von der Leiterplatte (12) abgewandt ist.
  23. Vorrichtung, umfassend: einen Hochfrequenzchip (2); einen Kühlkörper (22), der über dem Hochfrequenzchip (2) angeordnet ist; und ein Moldverbindungsmaterial (38), das zwischen dem Hochfrequenzchip (2) und dem Kühlkörper (22) angeordnet ist, wobei eine relative Permittivität des Moldverbindungsmaterials (38) größer als 2 ist, ein Verlusttangens des Moldverbindungsmaterials (38) kleiner als 0,1 ist, und eine Dicke der Moldverbindungsmaterialschicht (38) größer als 0,4 mm ist.
  24. Vorrichtung nach Anspruch 23, wobei der Hochfrequenzchip (2) in das Moldverbindungsmaterial (38) verkapselt ist.
DE102022118264.9A 2022-07-21 2022-07-21 Hochfrequenzvorrichtung mit hochfrequenzabsorbierenden Merkmalen Pending DE102022118264A1 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102022118264.9A DE102022118264A1 (de) 2022-07-21 2022-07-21 Hochfrequenzvorrichtung mit hochfrequenzabsorbierenden Merkmalen
US18/351,284 US20240030092A1 (en) 2022-07-21 2023-07-12 Radio frequency devices including radio frequency absorbent features
CN202310886554.5A CN117438388A (zh) 2022-07-21 2023-07-19 包括射频吸收性特征的射频器件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102022118264.9A DE102022118264A1 (de) 2022-07-21 2022-07-21 Hochfrequenzvorrichtung mit hochfrequenzabsorbierenden Merkmalen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102022118264A1 true DE102022118264A1 (de) 2024-02-01

Family

ID=89508643

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102022118264.9A Pending DE102022118264A1 (de) 2022-07-21 2022-07-21 Hochfrequenzvorrichtung mit hochfrequenzabsorbierenden Merkmalen

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20240030092A1 (de)
CN (1) CN117438388A (de)
DE (1) DE102022118264A1 (de)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10320186A1 (de) 2003-05-07 2004-12-02 Semikron Elektronik Gmbh Wärmeleitpaste und Verfahren zu deren Auftrag und Schutz
DE102005034011A1 (de) 2005-07-18 2007-02-01 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauteil für Hochfrequenzen über 10 GHz und Verfahren zur Herstellung desselben
DE112017006387T5 (de) 2016-12-21 2019-08-29 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitereinheit
DE102020216456A1 (de) 2020-12-22 2022-06-23 Infineon Technologies Ag Schaltungsanordnung mit thermischer Schnittstelle

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10320186A1 (de) 2003-05-07 2004-12-02 Semikron Elektronik Gmbh Wärmeleitpaste und Verfahren zu deren Auftrag und Schutz
DE102005034011A1 (de) 2005-07-18 2007-02-01 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauteil für Hochfrequenzen über 10 GHz und Verfahren zur Herstellung desselben
DE112017006387T5 (de) 2016-12-21 2019-08-29 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitereinheit
DE102020216456A1 (de) 2020-12-22 2022-06-23 Infineon Technologies Ag Schaltungsanordnung mit thermischer Schnittstelle

Also Published As

Publication number Publication date
US20240030092A1 (en) 2024-01-25
CN117438388A (zh) 2024-01-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3346548B1 (de) Modulanordnung mit eingebetteten komponenten und einer integrierten antenne, vorrichtung mit modulanordnungen und verfahren zur herstellung
DE102019200893B4 (de) Verfahren zum Erzeugen eines Hohlleiters, Schaltungsvorrichtung und Radarsystem
DE112015005575T5 (de) Mikrowellenantennenvorrichtung, einheit und herstellungsverfahren
DE60320450T2 (de) Schlitzgespeiste mikrostreifen-patch-antenne mit hohem wirkungsgrad
DE112017001771T5 (de) Halbleitergehäuse mit EMI-Abschirmschicht
DE102006001792B4 (de) Halbleitermodul mit Halbleiterchipstapel und Verfahren zur Herstellung desselben
DE102015112861A1 (de) Mikrowellen-Chipgehäusevorrichtung
DE102019102784A1 (de) Halbleitervorrichtungen mit Radar-Halbleiterchip und zugehörige Herstellungsverfahren
DE102020101293A1 (de) Hochfrequenz-vorrichtung mit halbleitervorrichtung und wellenleiter-bauteil
DE102013111581A1 (de) Halbleiterpackages mit integrierter Antenne und Verfahren zu deren Herstellung
DE102020113232A1 (de) Hochfrequenz-Vorrichtungen und zugehörige Herstellungsverfahren
DE102012203293A1 (de) Halbleitermodul mit integriertem Wellenleiter für Radarsignale
DE102016224936A1 (de) Radarmodul
DE102015207744A1 (de) Mehrschichtsubstrat und verfahren zum herstellen eines mehrschichtsubstrats
DE102013111569A1 (de) Halbleiterpackages mit integrierter Antenne und Verfahren zu deren Herstellung
DE112020001534T5 (de) Antennenvorrichtung
EP3346549A1 (de) Elektronisches modul mit integrierter antenne und verfahren zur herstellung
DE102021102228A1 (de) Hochfrequenz-Vorrichtungen und Verfahren zur Herstellung von Hochfrequenz-Vorrichtungen
DE102019128779B4 (de) Hochfrequenz-Vorrichtung mit Hochfrequenz-Signalführungselement und zugehöriges Herstellungsverfahren
DE102022118264A1 (de) Hochfrequenzvorrichtung mit hochfrequenzabsorbierenden Merkmalen
DE102020121855A1 (de) Hochfrequenz-Vorrichtungen und zugehörige Herstellungsverfahren
DE102020216456B4 (de) Schaltungsanordnung mit thermischer Schnittstelle
DE102020133756A1 (de) Hochfrequenzvorrichtungen mit dämpfenden dielektrischen Materialien
DE102017223689B4 (de) Halbleitervorrichtungen mit Hochfrequenzleitungselementen und zugehörige Herstellungsverfahren
EP3859878A1 (de) Antennenmodul

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication