DE102022107664A1 - MULTICHIP MODULE AND ELECTRONIC CONTROL DEVICE WITH MULTICHIP MODULE - Google Patents

MULTICHIP MODULE AND ELECTRONIC CONTROL DEVICE WITH MULTICHIP MODULE Download PDF

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Abstract

Ein Multichip-Modul 100 enthält eine Modulplatine 1 mit mehreren Platinenelektroden und mehreren Verdrahtungen, ein Halbleiterelement 2, das auf der Modulplatine montiert ist, und eine Energieversorgungsschaltung 3. Als Elementanschlüsse weist das Halbleiterelement mehrere Kommunikationsanschlüsse 211, einen Elementenergieanschluss 212 und einen Elementmasseanschluss 213 auf. Die Kommunikationsanschlüsse 211 verfügen über Kommunikationsschnittstellenfunktionen. Der Elementenergieanschluss 212 ist mit einem Energieversorgungspfad verbunden, der einen Teil der Verdrahtungen und einen Teil der Platinenelektroden aufweist, die einen Pfad zur Energieversorgungsschaltung bilden. Der Energieversorgungsschaltung weist Schaltungsanschlüsse auf, die mit dem Energieversorgungspfad verbunden sind. Die Modulplatine verfügt über einen Kommunikationspfad, der mit den Kommunikationsanschlüssen verbunden ist und einen Teil der Verdrahtungen und einen Teil der Platinenelektroden aufweist, die sich vom Energieversorgungspfad unterscheiden. Der Kommunikationspfad befindet sich außerhalb des gegenüberliegenden Bereichs des Energieversorgungspfads in Bezug auf eine Befestigungsrichtung des Halbleiterelements auf der Modulplatine.A multichip module 100 includes a module board 1 having a plurality of board electrodes and a plurality of wirings, a semiconductor element 2 mounted on the module board, and a power supply circuit 3. As element terminals, the semiconductor element has a plurality of communication terminals 211, an element power terminal 212, and an element ground terminal 213. The communication ports 211 have communication interface functions. The element power terminal 212 is connected to a power supply path including part of the wirings and part of the board electrodes forming a path to the power supply circuit. The power supply circuit has circuit terminals that are connected to the power supply path. The module board has a communication path connected to the communication terminals and has part of the wirings and part of the board electrodes different from the power supply path. The communication path is located outside the opposite area of the power supply path with respect to a mounting direction of the semiconductor element on the module board.

Description

TECHNISCHES GEBIETTECHNICAL AREA

Diese Offenbarung bezieht sich auf ein Multichip-Modul und eine elektronische Steuervorrichtung mit einem Multichip-Modul.This disclosure relates to a multichip module and an electronic control device with a multichip module.

HINTERGRUNDBACKGROUND

Die JP 6 468 360 B offenbart ein Beispiel für ein Multichip-Modul. Das Multichip-Modul weist eine Modulplatine und ein auf der Modulplatine montiertes Halbleiterelement auf und ist auf der Hauptplatine montiert. Das Halbleiterelement wird über die auf der Oberflächenschicht des Hauptsubstrats befindliche Oberflächenenergieversorgungsverdrahtung mit Energie versorgt.the JP 6 468 360 B discloses an example of a multichip module. The multichip module has a module board and a semiconductor element mounted on the module board, and is mounted on the main board. The semiconductor element is energized through the surface power supply wiring provided on the surface layer of the main substrate.

KURZDARSTELLUNGEXECUTIVE SUMMARY

In anderer Hinsicht, obwohl es sich nicht um eine konventionelle Technik handelt, kann ein Multichip-Modul eine Konfiguration aufweisen, bei der ein Halbleiterelement mit einer Kommunikationsfunktion und eine Energieversorgungsschaltung zum Versorgen des Halbleiterelements mit elektrischer Energie auf einer Befestigungsoberfläche eines Modulsubstrats montiert sind. Ferner kann das Modulsubstrat so konfiguriert sein, dass es ein über einen Isolator laminiertes Leitermuster und einen Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt zum Verbinden von Leitermustern verschiedener Schichten als Verdrahtung aufweist. Dieses Multichip-Modul enthält einen Energieversorgungspfad, der eine Verdrahtung ist, die ein Halbleiterelement und eine Energieversorgungsschaltung verbindet, und einen Kommunikationspfad, der eine Verdrahtung ist, die für die Kommunikation des Halbleiterelements verwendet wird.In other respects, although not a conventional technique, a multichip module may have a configuration in which a semiconductor element having a communication function and a power supply circuit for supplying electric power to the semiconductor element are mounted on a mounting surface of a module substrate. Further, the module substrate may be configured to have a conductor pattern laminated via an insulator and an interlayer connection portion for connecting conductor patterns of different layers as wiring. This multichip module includes a power supply path, which is wiring connecting a semiconductor element and a power supply circuit, and a communication path, which is wiring used for communication of the semiconductor element.

In dem Multichip-Modul können jedoch Verdrahtungen in benachbarten Schichten und benachbarte Durchkontaktierungen im Energieversorgungspfad und im Kommunikationspfad nebeneinander verlaufen. Bei einem Multichip-Modul mit einem solchen parallelen Pfad kann der Kommunikationspfad von Rauschen überlagert sein.However, in the multichip module, wirings in adjacent layers and adjacent vias in the power supply path and the communication path may run side by side. In a multichip module with such a parallel path, noise may be superimposed on the communication path.

Es ist Aufgabe der vorliegenden Offenbarung, ein Multichip-Modul mit reduziertem Rauschen auf dem Kommunikationspfad bereitzustellen. Es ist ferner Aufgabe der vorliegenden Offenbarung, eine elektronische Steuervorrichtung bereitzustellen, die in der Lage ist, eine Rauschausbreitung von einem Multichip-Modul zu unterdrücken.It is an object of the present disclosure to provide a multichip module with reduced noise on the communication path. It is a further object of the present disclosure to provide an electronic control device capable of suppressing noise propagation from a multichip module.

Gemäß der im Folgenden beschriebenen Erfindung ist ein Kommunikationspfad im Multichip-Modul außerhalb eines gegenüberliegenden Bereichs des Energieversorgungspfads im Multichip-Modul angeordnet. Daher ist es möglich, den Bereich, in dem der Kommunikationspfad und der Energieversorgungspfad im Multichip-Modul 100 parallel verlaufen, im Vergleich zu der Konfiguration, in der der Kommunikationspfad in dem gegenüberliegenden Bereich des Energieversorgungspfads angeordnet ist, zu reduzieren. Folglich ist es möglich, Rauschen vom Energieversorgungspfad zum Kommunikationspfad im Multichip-Modul zu reduzieren.According to the invention described below, a communication path in the multichip module is arranged outside an opposite area of the power supply path in the multichip module. Therefore, it is possible to reduce the area where the communication path and the power supply path are parallel in the multichip module 100 compared to the configuration where the communication path is arranged in the opposite area of the power supply path. Consequently, it is possible to reduce noise from the power supply path to the communication path in the multichip module.

Das Multichip-Modul kann eine Komponente in einer elektronischen Steuervorrichtung sein. Daher wird Rauschen vom Energieversorgungspfad zum Kommunikationspfad im Multichip-Modul reduziert. Die elektronische Steuervorrichtung kann Rauschen unterdrücken, das sich vom Multichip-Modul über den Kommunikationspfad auf die mehrschichtige Verdrahtungsplatine ausbreitet. Außerdem verwendet die elektronische Steuervorrichtung eine Verdrahtungsplatine, die mit einer Durchkontaktierung versehen ist. Daher ist das Rauschen der elektronischen Steuereinheit wahrscheinlich schlimmer als in einer Situation, in der eine Aufbau-Platine als Hauptplatine verwendet wird.The multichip module can be a component in an electronic control device. Therefore, noise from the power supply path to the communication path is reduced in the multichip module. The electronic control device can suppress noise propagating from the multichip module to the multilayer wiring board via the communication path. In addition, the electronic control device uses a wiring board provided with a through hole. Therefore, the noise of the electronic control unit is likely to be worse than in a situation where a surface mount board is used as the main board.

Die hierin offenbarten Aspekte wenden unterschiedliche technische Lösungen an, um ihre jeweiligen Ziele zu erreichen. Bezugszeichen in Klammern in den Ansprüchen und in diesem Abschnitt zeigen beispielhaft entsprechende Beziehungen zu Teilen von Ausführungsformen, die nachstehend noch beschrieben sind, und sind nicht dazu gedacht, den technischen Umfang zu beschränken. Die hierin offenbarten Aufgaben, Eigenschaften und Vorteile sind aus der nachfolgenden detaillierten Beschreibung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen ersichtlich.The aspects disclosed herein apply different technical solutions to achieve their respective goals. Reference signs in parentheses in the claims and in this section show, by way of example, corresponding relationships with parts of embodiments to be described later, and are not intended to limit the technical scope. The objects, features and advantages disclosed herein are apparent from the following detailed description with reference to the accompanying drawings.

Figurenlistecharacter list

  • 1 zeigt eine Draufsicht zur Veranschaulichung einer schematischen Konfiguration einer elektronischen Steuervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform. 1 12 is a plan view showing a schematic configuration of an electronic control device according to a first embodiment.
  • 2 zeigt eine Querschnittsansicht entlang der Linie II-II in 1. 2 shows a cross-sectional view along the line II-II in FIG 1 .
  • 3 zeigt eine Draufsicht zur Veranschaulichung einer schematischen Konfiguration einer elektronischen Steuervorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform. 3 12 is a plan view showing a schematic configuration of an electronic control device according to a second embodiment.
  • 4 zeigt eine Querschnittsansicht entlang der Linie IV-IV in 3. 4 shows a cross-sectional view along line IV-IV in FIG 3 .
  • 5 zeigt eine Draufsicht zur Veranschaulichung einer schematischen Konfiguration einer elektronischen Steuervorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform. 5 12 is a plan view showing a schematic configuration of an electronic control device according to a third embodiment.
  • 6 zeigt eine Querschnittsansicht entlang der Linie VI-VI in 5. 6 shows a cross-sectional view along the line VI-VI in 5 .
  • 7 zeigt eine Querschnittsansicht zur Veranschaulichung einer schematischen Konfiguration einer elektronischen Steuervorrichtung gemäß einer vierten Ausführungsform. 7 12 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of an electronic control device according to a fourth embodiment.

BESCHREIBUNG VON AUSFÜHRUNGSFORMDESCRIPTION OF EMBODIMENT

Nachstehend sind mehrere Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben. In jeder Ausführungsform sind Abschnitte, die den in der vorstehenden Ausführungsform beschriebenen entsprechen, mit den gleichen Bezugszeichen versehen, und in einigen Fällen entfallen redundante Beschreibungen. In jeder Ausführungsform kann in einem Fall, in dem nur ein Teil der Konfiguration beschrieben ist, auf eine andere vorhergehende Ausführungsform verwiesen und diese auf die anderen Teile der Konfiguration angewandt werden.Hereinafter, several embodiments of the present disclosure are described with reference to the drawings. In each embodiment, portions corresponding to those described in the foregoing embodiment are given the same reference numerals, and redundant descriptions are omitted in some cases. In each embodiment, in a case where only part of the configuration is described, another previous embodiment may be referred to and applied to the other parts of the configuration.

Erste AusführungsformFirst embodiment

Nachstehend sind ein Multichip-Modul 100 und eine elektronische Steuervorrichtung 1000 unter Bezugnahme auf die 1 und 2 beschrieben. Die elektronische Steuervorrichtung 1000 ist konfiguriert, um z. B. in einem Fahrzeug installiert zu werden. D. h., die elektronische Steuervorrichtung 1000 kann z. B. in einer elektronischen In-Vehicle-Steuervorrichtung angewandt werden. Die elektronische Steuervorrichtung 1000 weist ein Multichip-Modul 100 und eine Hauptplatine (Motherboard) 200 auf. Nachstehend ist das Multichip-Modul auch als MCM bezeichnet.A multichip module 100 and an electronic control device 1000 are shown below with reference to FIG 1 and 2 described. The electronic control device 1000 is configured to e.g. B. to be installed in a vehicle. That is, the electronic control device 1000 can e.g. B. be applied in an electronic in-vehicle control device. The electronic control device 1000 includes a multichip module 100 and a main board (motherboard) 200 . Hereinafter, the multichip module is also referred to as MCM.

Multichip-Modulmultichip module

Das MCM 100 weist eine Modulplatine 1, ein Halbleiterelement 2 und eine Energieversorgungsschaltung 3 auf. Im MCM 100 sind montierte Komponenten wie das Halbleiterelement 2 und die Energieversorgungsschaltung 3 auf einer Modulplatine 1 montiert. Darüber hinaus kann das MCM 100 zusätzlich zu dem Halbleiterelement 2 und der Energieversorgungsschaltung 3 eine Speichervorrichtung oder dergleichen aufweisen.The MCM 100 has a module board 1 , a semiconductor element 2 and a power supply circuit 3 . In the MCM 100, mounted components such as the semiconductor element 2 and the power supply circuit 3 are mounted on a module board 1. As shown in FIG. Moreover, in addition to the semiconductor element 2 and the power supply circuit 3, the MCM 100 may include a memory device or the like.

Die Modulplatine 1 enthält Isolatorplatten 10, einen Schutzfilm 11, Musterverdrahtungen 12a, Zwischenschicht-Verbindungsabschnitte 12b, mehrere Kontaktstellen 13e bis 13e, 14 und einen Chip-Verbindungsanschluss 15. Die Isolatorplatte 10 ist hauptsächlich aus einem elektrisch isolierenden Element wie Harz oder Keramik aufgebaut. Die Isolatorplatte 10 entspricht einem Isolator. Die Modulplatine 1 weist eine Befestigungsoberfläche, auf der das Halbleiterelement 2 und die Energieversorgungsschaltung 3 montiert sind, und eine der Befestigungsoberfläche gegenüberliegende Oberfläche auf.The module board 1 includes insulator boards 10, a protective film 11, pattern wirings 12a, interlayer connecting portions 12b, multiple pads 13e to 13e, 14 and a chip connecting terminal 15. The insulator board 10 is mainly composed of an electrically insulating member such as resin or ceramics. The insulator plate 10 corresponds to an insulator. The module board 1 has a mounting surface on which the semiconductor element 2 and the power supply circuit 3 are mounted, and a surface opposite to the mounting surface.

Der Schutzfilm 11 ist hauptsächlich aus einem elektrisch isolierenden Element aufgebaut. Der Schutzfilm 11 bedeckt die Oberfläche der Isolatorplatte 10 und die auf der Oberfläche der Isolatorplatte 10 vorgesehene Musterverdrahtung 12a derart, dass zumindest ein Teil jeder der Kontaktstellen 13e bis 13e und 14 freiliegt. Der Schutzfilm 11 dient dazu, die elektrische Isolierung zwischen den Kontaktstellen 13e bis 13e und 14, je nach Bedarf, zu gewährleisten. Ferner ist der Schutzfilm 11 vorgesehen, um die Oberfläche der Isolatorplatte 10 und die auf der Oberfläche der Isolatorplatte 10 vorgesehene Musterverdrahtung 12a zu schützen.The protective film 11 is mainly composed of an electrically insulating member. The protective film 11 covers the surface of the insulator board 10 and the wiring pattern 12a provided on the surface of the insulator board 10 such that at least a part of each of the pads 13e to 13e and 14 is exposed. The protective film 11 serves to ensure electrical insulation between the pads 13e to 13e and 14 as needed. Further, the protective film 11 is provided to protect the surface of the insulator board 10 and the wiring pattern 12a provided on the surface of the insulator board 10 .

Die Musterverdrahtung 12a und der Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 12b bilden eine Verdrahtung. Die Musterverdrahtung 12a und der Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 12b sind hauptsächlich aus einem leitfähigen Element aufgebaut. Die Musterverdrahtungen 12a sind über die Isolatorplatten 10 laminiert. Die Musterverdrahtung 12a ist auf der inneren Schicht und der Oberflächenschicht der Isolatorplatte 10 vorgesehen. Der Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 12b verbindet die Musterverdrahtungen 12a verschiedener Schichten. Die Modulplatine 1 ist mit mehreren Musterverdrahtungen 12a und mehreren Zwischenschicht-Verbindungsabschnitten 12b versehen. Die Musterverdrahtung 12a entspricht einem Leitermuster.The pattern wiring 12a and the interlayer connection portion 12b form a wiring. The pattern wiring 12a and the interlayer connection portion 12b are mainly composed of a conductive member. The pattern wirings 12a are laminated over the insulator plates 10. As shown in FIG. The pattern wiring 12a is provided on the inner layer and the surface layer of the insulator board 10. As shown in FIG. The interlayer connection portion 12b connects the pattern wirings 12a of different layers. The module board 1 is provided with a plurality of wiring patterns 12a and a plurality of interlayer connection portions 12b. The pattern wiring 12a corresponds to a conductor pattern.

Die mehreren Kontaktstellen 13a bis 13e, 14 sind hauptsächlich aus einem leitfähigen Element aufgebaut. Jede der Kontaktstellen 13a bis 13e und 14 ist mit der Musterverdrahtung 12a bzw. dem Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 12b verbunden. Die mehreren Kontaktstellen 13a bis 13e befinden sich auf der Befestigungsoberflächenseite der Modulplatine 1. Die Rückoberflächenkontaktstelle14 ist auf der gegenüberliegenden Oberflächenseite der Modulplatine 1 vorgesehen. Jede Kontaktstelle 13a bis 14 entspricht einer Platinenelektrode.The plurality of pads 13a to 13e, 14 are mainly composed of a conductive member. Each of the pads 13a to 13e and 14 is connected to the pattern wiring 12a and the interlayer connection portion 12b, respectively. The plurality of pads 13a to 13e are located on the mounting surface side of the module board 1. The back surface pad 14 is provided on the opposite surface side of the module board 1. FIG. Each pad 13a to 14 corresponds to a board electrode.

Die Modulplatine 1 weist einen Energieversorgungspfad auf, der einen Teil der Verdrahtungen und einen Teil der Platinenelektroden aufweist. Die Modulplatine 1 enthält einen Versorgungspfad und einen Massepfad als Energieversorgungspfade. Der Versorgungspfad enthält einen Teil der Verdrahtungen, eine erste Energieversorgungskontaktstelle 13a und eine zweite Energieversorgungskontaktstelle 13b. Die erste Energieversorgungskontaktstelle 13a und die zweite Energieversorgungskontaktstelle 13b sind über einen Teil der Verdrahtungen elektrisch miteinander verbunden. Der Massepfad enthält einen Teil der Verdrahtung, der sich vom Versorgungspfad unterscheidet, eine erste Masse-Kontaktstelle 13c und eine zweite Masse-Kontaktstelle 13d. Die erste Masse-Kontaktstelle 13c und die zweite Masse-Kontaktstelle 13d sind über einen Teil der Verdrahtung verschieden vom Versorgungspfad elektrisch verbunden.The module board 1 has a power supply path including part of the wirings and part of the board electrodes. The module circuit board 1 contains a supply path and a ground path as energy supply paths. The supply path includes part of the wirings, a first power supply pad 13a and a second power supply pad 13b. The first power supply pad 13a and the second power supply pad 13b are electrically connected to each other via part of the wirings. The ground path includes a part of the wiring different from the power supply path, a first ground pad 13c and a second ground pad 13d. The first ground pad 13c and the second ground pad 13d are electrically connected through a part of wiring different from the supply path.

Darüber hinaus wird in der Modulplatine 1 ein Kommunikationspfad durch einen Teil der Verdrahtungen, der sich von der Verdrahtung für den Energieversorgungspfad unterscheidet, und einen Teil der Platinenelektroden, der sich von der Platinenelektrode für den Energieversorgungspfad unterscheidet, konfiguriert bzw. gebildet. Der Kommunikationspfad enthält einen Teil der Verdrahtungen, der sich von dem Energieversorgungspfad und der Kommunikationskontaktstelle 13e unterscheidet. Ferner enthält der Kommunikationspfad die Rückoberflächenkontaktstelle 14. Die Kommunikationskontaktstelle 13e und die Rückoberflächenkontaktstelle 14 sind elektrisch über einen Teil der Verdrahtungen verbunden, der sich vom Energieversorgungspfad unterscheidet.Furthermore, in the module board 1, a communication path is configured by a part of the wirings other than the wiring for the power supply path and a part of the board electrodes other than the board electrode for the power supply path. The communication path includes a part of the wirings different from the power supply path and the communication pad 13e. Further, the communication path includes the back surface pad 14. The communication pad 13e and the back surface pad 14 are electrically connected through a part of the wirings different from the power supply path.

Die Energieversorgungskontaktstelle 13a, die erste Masse-Kontaktstelle 13c und die Kommunikationskontaktstelle 13e sind so angeordnet, dass sie dem Halbleiterelement 2 zugewandt sind. Die erste Energieversorgungskontaktstelle 13a ist elektrisch mit dem Elementenergieversorgungsanschluss 212 verbunden. Die Modulplatine 1 ist mit der gleichen Anzahl von ersten Energieversorgungskontaktstellen 13a ausgestattet wie die Anzahl von Elementenergieversorgungsanschlüssen 212. Somit kann, wenn die mehreren Elementenergieversorgungsanschlüsse 212 vorgesehen sind, gesagt werden, dass die Modulplatine 1 mit der ersten Energieversorgungskontaktstellengruppe mit den mehreren ersten Energieversorgungskontaktstellen 13a versehen ist.The power supply pad 13a, the first ground pad 13c, and the communication pad 13e are arranged to face the semiconductor element 2. As shown in FIG. The first power supply pad 13a is electrically connected to the element power supply terminal 212 . The module board 1 is provided with the same number of first power supply pads 13a as the number of element power supply terminals 212. Thus, when the plurality of element power supply terminals 212 are provided, it can be said that the module board 1 is provided with the first power supply pad group having the plurality of first power supply pads 13a .

Die erste Masse-Kontaktstelle 13c ist elektrisch mit dem Elementmasseanschluss 213 verbunden. Die Modulplatine 1 ist mit der gleichen Anzahl von ersten Masse-Kontaktstellen 13c versehen wie die Anzahl von Elementmasseanschlüssen 213. Folglich kann, wenn mehrere Elementmasseanschlüsse 213 vorgesehen sind, gesagt werden, dass die Modulplatine 1 mit einer ersten Masse-Kontaktstellen-Gruppe mit mehreren ersten Masse-Kontaktstellen 13c versehen ist.The first ground pad 13c is electrically connected to the element ground terminal 213 . The module board 1 is provided with the same number of first ground pads 13c as the number of element ground terminals 213. Accordingly, if a plurality of element ground terminals 213 are provided, it can be said that the module board 1 is provided with a first ground pad group having a plurality of first Ground contact points 13c is provided.

Die Kommunikationskontaktstelle 13e ist elektrisch mit dem Kommunikationsanschluss 211 verbunden. Die Modulplatine 1 ist mit der gleichen Anzahl von Kommunikationskontaktstellen 13e ausgestattet wie die Anzahl von Kommunikationsanschlüssen 211. Folglich kann, wenn mehrere Kommunikationsanschlüsse 211 vorgesehen sind, gesagt werden, dass die Modulplatine 1 mit einer Kommunikationskontaktstellengruppe mit mehreren Kommunikationskontaktstellen 13e versehen ist.The communication pad 13e is electrically connected to the communication port 211 . The module board 1 is provided with the same number of communication pads 13e as the number of communication ports 211. Therefore, when a plurality of communication ports 211 are provided, it can be said that the module board 1 is provided with a communication pad group having a plurality of communication pads 13e.

Die zweite Energieversorgungskontaktstelle 13b und die zweite Masse-Kontaktstelle 13d sind so angeordnet, dass sie in der Energieversorgungsschaltung einander zugewandt sind. Die zweite Energieversorgungskontaktstelle 13b ist elektrisch mit dem Schaltungsenergieversorgungsanschluss 32a verbunden. Die Modulplatine 1 ist mit der gleichen Anzahl von zweiten Energieversorgungskontaktstellen 13b versehen wie die Anzahl von Schaltungsenergieversorgungsanschlüssen 32a. Folglich kann, wenn die mehreren Schaltungsenergieversorgungsanschlüsse 32a vorgesehen sind, gesagt werden, dass die Modulplatine 1 mit der zweiten Energieversorgungskontaktstellengruppe mit den mehreren zweiten Energieversorgungskontaktstellen 13b versehen ist.The second power supply pad 13b and the second ground pad 13d are arranged to face each other in the power supply circuit. The second power supply pad 13b is electrically connected to the circuit power supply terminal 32a. The module board 1 is provided with the same number of second power supply pads 13b as the number of circuit power supply terminals 32a. Accordingly, when the plurality of circuit power supply terminals 32a are provided, it can be said that the module board 1 is provided with the second power supply pad group having the plurality of second power supply pads 13b.

Die zweite Masse-Kontaktstelle 13d ist elektrisch mit dem Schaltungsmasseanschluss 32b verbunden. Die Modulplatine 1 ist mit der gleichen Anzahl von zweiten Masse-Kontaktstellen 13d versehen wie die Anzahl von Schaltungsmasseanschlüssen 32a. Folglich kann, wenn mehrere Schaltungsmasseanschlüsse 32a vorgesehen sind, gesagt werden, dass die Modulplatine 1 mit einer zweiten Masse-Kontaktstellen-Gruppe mit mehreren zweiten Masse-Kontaktstellen 13c versehen ist.The second ground pad 13d is electrically connected to the circuit ground terminal 32b. The module board 1 is provided with the same number of second ground pads 13d as the number of circuit ground terminals 32a. Accordingly, when a plurality of circuit ground terminals 32a are provided, it can be said that the module board 1 is provided with a second ground pad group having a plurality of second ground pads 13c.

Die Rückoberflächenkontaktstelle 14 ist elektrisch mit der Hauptplatine (Motherboard) 200 verbunden. Die Modulplatine 1 ist mit der gleichen Anzahl von Rückoberflächenkontaktstellen 14 ausgestattet wie die Anzahl von Kommunikationsanschlüssen 211. Folglich kann, wenn mehrere Kommunikationsanschlüsse 211 vorgesehen sind, gesagt werden, dass die Modulplatine 1 mit einer Kommunikationskontaktstellengruppe mit mehreren Rückoberflächenkontaktstellen 14 versehen ist.The back surface pad 14 is electrically connected to the main circuit board (motherboard) 200 . The module board 1 is provided with the same number of back surface pads 14 as the number of communication ports 211. Accordingly, when a plurality of communication ports 211 are provided, it can be said that the module board 1 is provided with a communication pad group having a plurality of back surface pads 14.

Der Chip-Verbindungsanschluss 15 ist elektrisch mit der Rückoberflächenkontaktstelle 14 verbunden. Der Chip-Verbindungsanschluss 15 ist ein Anschluss für eine Verbindung mit der Hauptplatine 200 im MCM 100. Der Chip-Verbindungsanschluss 15 entspricht einem Platinenanschluss.The chip connection terminal 15 is electrically connected to the back surface pad 14 . The chip connecting terminal 15 is a terminal for connecting to the main board 200 in the MCM 100. The chip connecting terminal 15 corresponds to a board terminal.

Das Halbleiterelement 2 weist eine Elementplatine 20 und einen Elementanschluss 21 auf. Das Halbleiterelement 2 weist eine Kommunikationsschaltung auf. Mit anderen Worten, das Halbleiterelement 2 weist eine Kommunikationsfunktion auf. Das Halbleiterelement 2 enthält einen Kommunikationsanschluss 211, einen Energieversorgungsanschluss 212 und einen Elementmasseanschluss 213 als Elementanschlüsse 21. Der Elementanschluss 21 ist hauptsächlich aus einem leitfähigen Element aufgebaut. Der Elementanschluss 21 ist an einem Abschnitt der Elementplatine 20 vorgesehen, der der Modulplatine 1 zugewandt ist (im Folgenden als ein zugewandter Abschnitt bezeichnet). Das Halbleiterelement 2 ist mit mehreren Elementanschlüssen 21 versehen. Das Halbleiterelement 2 ist auf der Modulplatine 1 montiert, wobei der Elementanschluss 21 mit der Platinen-Elektrode verbunden ist.The semiconductor element 2 has an element board 20 and an element terminal 21 . The semiconductor element 2 has a communication circuit. In other words, the semiconductor element 2 has a communication function. The semiconductor element 2 includes a communication terminal 211, a power supply terminal 212, and an element ground terminal 213 as element terminals 21. The element terminal 21 is mainly composed of a conductive member. The element terminal 21 is provided at a portion of the element board 20 that faces the module board 1 (hereinafter referred to as a facing portion). That Semiconductor element 2 is provided with a plurality of element terminals 21 . The semiconductor element 2 is mounted on the module board 1 with the element terminal 21 connected to the board electrode.

Der Kommunikationsanschluss 211 weist eine Kommunikationsschnittstellenfunktion auf. Das Halbleiterelement 2 enthält mehrere Kommunikationsanschlüsse 211. Der Kommunikationsanschluss 211 ist so angeordnet, dass er der Kommunikationskontaktstelle 13e zugewandt ist. Der Kommunikationsanschluss 211 ist über einen leitfähigen Klebstoff wie z. B. Lötmittel mit der Kommunikationskontaktstelle 13e verbunden. Im Folgenden wird das Lötmittel als ein Beispiel für einen leitfähigen Klebstoff herangezogen.The communication port 211 has a communication interface function. The semiconductor element 2 includes a plurality of communication terminals 211. The communication terminal 211 is arranged to face the communication pad 13e. The communication port 211 is connected via a conductive adhesive such as e.g. B. Solder connected to the communication pad 13e. In the following, solder is taken as an example of a conductive adhesive.

Das Halbleiterelement 2 weist mehrere Elementenergieversorgungsanschlüsse 212 und mehrere Elementmasseanschlüsse 213 auf. Die mehreren Elementenergieversorgungsanschlüsse 212 sind über Lötmittel elektrisch mit der ersten Energieversorgungskontaktstelle 13a verbunden. Die mehreren Elementmasseanschlüsse 213 sind über Lötmittel elektrisch mit dem ersten Masse-Kontaktstelle 13c verbunden. Der Elementenergieversorgungsanschluss 212 und der Elementmasseanschluss 213 entsprechen Energieversorgungsanschlüssen.The semiconductor element 2 has a plurality of element power supply terminals 212 and a plurality of element ground terminals 213 . The plurality of element power supply terminals 212 are electrically connected to the first power supply pad 13a via solder. The plurality of element ground terminals 213 are electrically connected to the first ground pad 13c via solder. The element power supply terminal 212 and the element ground terminal 213 correspond to power supply terminals.

Wie in 1 dargestellt, ist das Halbleiterelement 2 mit einer ersten Anschlussgruppe 21a, einer zweiten Anschlussgruppe 21b, einer dritten Anschlussgruppe 21c, einer vierten Anschlussgruppe 21 d und einer Energieversorgungsanschlussgruppe 21 e versehen. Die erste bis vierte Anschlussgruppe 21a bis 21d enthalten jeweils mehrere Kommunikationsanschlüsse 211. Die Energieversorgungsanschlussgruppe 21e enthält mehrere Elementenergieversorgungsanschlüsse 212 und mehrere Elementmasseanschlüsse 213.As in 1 1, the semiconductor element 2 is provided with a first terminal group 21a, a second terminal group 21b, a third terminal group 21c, a fourth terminal group 21d and a power supply terminal group 21e. The first to fourth terminal groups 21a to 21d each include a plurality of communication terminals 211. The power supply terminal group 21e contains a plurality of element power supply terminals 212 and a plurality of element ground terminals 213.

In dem Halbleiterelement 2 ist die Energieversorgungsanschlussgruppe 21e in einer Mitte des gegenüberliegenden Abschnitts angeordnet. In dem Halbleiterelement 2 sind die erste bis vierte Anschlussgruppe 21a bis 21d um die Energieversorgungsanschlussgruppe 21e in dem gegenüberliegenden Abschnitt angeordnet.In the semiconductor element 2, the power supply terminal group 21e is arranged at a center of the opposing portion. In the semiconductor element 2, the first to fourth terminal groups 21a to 21d are arranged around the power supply terminal group 21e in the opposing portion.

In dieser Ausführungsform wird, gemäß einem Beispiel, ein Beispiel angewandt, bei dem ein Halbleiterelement 2 auf der Modulplatine 1 montiert ist. In der vorliegenden Offenbarung können mehrere Halbleiterelemente 2 auf der Modulplatine 1 montiert sein.In this embodiment, as an example, an example in which a semiconductor element 2 is mounted on the module board 1 is employed. In the present disclosure, multiple semiconductor elements 2 may be mounted on the module board 1 .

Die Energieversorgungsschaltung 3 enthält eine Leiterplatte 30, einen Schaltungsenergieversorgungsanschluss 32a und einen Schaltungsmasseanschluss 32b. Die Energieversorgungsschaltung 3 ist ein Schaltungselement, das das Halbleiterelement 2 mit elektrischer Energie versorgt. D. h., die Energieversorgungsschaltung 3 versorgt das Halbleiterelement 2 über den Energieversorgungspfad mit elektrischer Energie.The power supply circuit 3 includes a circuit board 30, a circuit power supply terminal 32a, and a circuit ground terminal 32b. The power supply circuit 3 is a circuit element that supplies the semiconductor element 2 with electric power. That is, the power supply circuit 3 supplies electric power to the semiconductor element 2 through the power supply path.

Der Schaltungsenergieversorgungsanschluss 32a und der Schaltungsmasseanschluss 32b befinden sich an einem Abschnitt der Leiterplatte 30, der der Modulplatine 1 zugewandt ist. Die Energieversorgungsschaltung 3 ist mit mehreren Schaltungsenergieversorgungsanschlüssen 32a und mehreren Schaltungsmasseanschlüssen 32b versehen. Die Energieversorgungsschaltung 3 wird auf der Modulplatine 1 montiert, indem der Schaltungsenergieversorgungsanschluss 32a und der Schaltungsmasseanschluss 32b mit den Platinenelektroden verbunden werden.The circuit power supply terminal 32a and the circuit ground terminal 32b are located on a portion of the circuit board 30 facing the module board 1 . The power supply circuit 3 is provided with a plurality of circuit power supply terminals 32a and a plurality of circuit ground terminals 32b. The power supply circuit 3 is mounted on the module board 1 by connecting the circuit power supply terminal 32a and the circuit ground terminal 32b to the board electrodes.

Die mehreren Schaltungsenergieversorgungsanschlüsse 32a sind über Lötmittel elektrisch mit der zweiten Energieversorgungskontaktstelle 13b verbunden. Die mehreren Schaltungsmasseanschlüsse 32b sind über Lötmittel elektrisch mit der zweiten Masse-Kontaktstelle 13d verbunden. Der Schaltungsenergieversorgungsanschluss 32a und der Schaltungsmasseanschluss 32b entsprechen Schaltungsanschlüssen.The plurality of circuit power supply terminals 32a are electrically connected to the second power supply pad 13b via solder. The plurality of circuit ground terminals 32b are electrically connected to the second ground pad 13d via solder. The circuit power supply terminal 32a and the circuit ground terminal 32b correspond to circuit terminals.

Wie in 2 dargestellt, befindet sich bei dem so konfigurierten MCM 1 der Kommunikationspfad außerhalb eines gegenüberliegenden Bereichs des Energieversorgungspfads in Laminierrichtung. D. h., die Musterverdrahtung 12a, die Kommunikationskontaktstelle 13e und die Rückoberflächenkontaktstelle 14 sind außerhalb eines gegenüberliegenden Bereichs des Energieversorgungspfads in Laminierrichtung angeordnet. Der Kommunikationspfad ist einschließlich des gegenüberliegenden Bereichs des Energieversorgungspfads in der Richtung orthogonal zur Laminierrichtung vorgesehen.As in 2 1, in the MCM 1 thus configured, the communication path is located outside an opposite portion of the power supply path in the lamination direction. That is, the pattern wiring 12a, the communication pad 13e, and the back surface pad 14 are arranged outside an opposite portion of the power supply path in the lamination direction. The communication path including the opposing portion of the power supply path is provided in the direction orthogonal to the laminating direction.

Die Laminierrichtung ist die Richtung, in der die Musterverdrahtungen 12a laminiert sind. Ferner fällt die Laminierrichtung mit der Befestigungsrichtung des Halbleiterelements auf der Modulplatine zusammen. Außerdem fällt die Laminierrichtung mit der Dickenrichtung der Modulplatine 1 zusammen.The laminating direction is the direction in which the pattern wirings 12a are laminated. Furthermore, the laminating direction coincides with the mounting direction of the semiconductor element on the module board. In addition, the direction of lamination coincides with the direction of thickness of the module board 1 .

Hauptplatine (Motherboard)Main board (motherboard)

Die Hauptplatine 200 ist eine Verdrahtungsplatine, bei der mehrere Verdrahtungen 202, die hauptsächlich aus leitfähigen Elementen aufgebaut sind, in einer Isolatorplatte 201, wie z. B. Harz oder Keramik, vorgesehen sind. Bei der Hauptplatine 200 sind mehrere Verdrahtungen 202 innerhalb und auf der Oberfläche der Isolatorplatte 201 vorgesehen. Bei der Hauptplatine 200 sind mehrere Verdrahtungen 202 über die Isolatorplatten 201 laminiert. Die Verdrahtung 202 entspricht der Verdrahtungsschicht.The main board 200 is a wiring board in which a plurality of wirings 202 mainly composed of conductive members are mounted in an insulator board 201 such as an insulating board. B. resin or ceramics are provided. In the motherboard 200, a plurality of wirings 202 are provided inside and on the surface of the insulator board 201. FIG. The main circuit board 200 has several wirings Gen 202 laminated over the insulator plates 201. The wiring 202 corresponds to the wiring layer.

Die Hauptplatine 200 ist ein durchdringendes Substrat, auf dem eine die Isolatorplatte 201 durchdringende Durchkontaktierung 203 ausgebildet ist. Die Durchkontaktierung 203 ist elektrisch mit der Verdrahtung 202 verbunden. Die Durchkontaktierung 203 verbindet die Verdrahtungen 202 verschiedener Schichten elektrisch miteinander. Genauer gesagt ist die Hauptplatine 200 mit einem Metallfilm als die Durchkontaktierung 203 auf einer Oberfläche eines Durchgangslochs versehen, das von einer Oberfläche zur gegenüberliegenden Oberfläche der Isolatorplatte 201 durchdringt. Mit anderen Worten, die Hauptplatine 200 enthält die Durchkontaktierung 203, bei der eine Oberfläche des Durchgangslochs mit Metall beschichtet ist. Die Oberfläche des Durchgangslochs ist die Oberfläche der ringförmigen Wandoberfläche, die das Durchgangsloch in der Isolatorplatte umgibt.The motherboard 200 is a penetrating substrate on which a via hole 203 penetrating the insulator plate 201 is formed. The via 203 is electrically connected to the wiring 202 . The via 203 electrically connects the wirings 202 of different layers together. More specifically, the motherboard 200 is provided with a metal film as the via hole 203 on a surface of a through hole penetrating from one surface to the opposite surface of the insulator plate 201 . In other words, the motherboard 200 includes the via hole 203 in which a surface of the through hole is plated with metal. The surface of the through hole is the surface of the annular wall surface surrounding the through hole in the insulator plate.

Bei der Hauptplatine 200 ist ein Teil der Durchkontaktierungen 203 als eine Elektrode auf einer Oberfläche und der gegenüberliegenden Oberfläche der Isolatorplatte 201 vorgesehen. Bei der Hauptplatine 200 sind Elektroden und die Chipverbindungsanschlüsse 15 über Lötmittel verbunden. Die Hauptplatine 200 entspricht einer Verdrahtungsplatine. Die Hauptplatine 200 ist an mehreren Stellen mit den Verdrahtungen 202 und den Durchkontaktierungen 203 versehen. In 2 sind jedoch zur Vereinfachung der Zeichnungen die Verdrahtung 202 und die Durchkontaktierung 203 nur in einem Teilbereich dargestellt.In the motherboard 200, a part of the via holes 203 is provided as an electrode on one surface and the opposite surface of the insulator plate 201. FIG. In the motherboard 200, electrodes and the chip connection terminals 15 are connected via solder. The main board 200 corresponds to a wiring board. The main circuit board 200 is provided with the wirings 202 and the vias 203 in several places. In 2 however, only a portion of the wiring 202 and the via 203 is shown to simplify the drawings.

Elektronische SteuervorrichtungElectronic control device

Die elektronische Steuervorrichtung 1000 wird durch Montage des MCM 100 auf der Hauptplatine 200 konfiguriert bzw. gebildet. In dieser Ausführungsform wird, gemäß einem Beispiel, die elektronische Steuervorrichtung 1000 verwendet, bei dem ein MCM 100 auf einer Hauptplatine 200 montiert ist. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht hierauf beschränkt. Die elektronische Steuervorrichtung 1000 kann mit mehreren MCMs 100 ausgestattet sein. Darüber hinaus kann die elektronische Steuervorrichtung 1000 mit Schaltungselementen, Verbindern oder dergleichen verschieden von denjenigen des MCM 100 ausgerüstet bzw. ausgestattet sein.The electronic control device 1000 is configured by mounting the MCM 100 on the motherboard 200 . In this embodiment, the electronic control device 1000 in which an MCM 100 is mounted on a motherboard 200 is used as an example. However, the present disclosure is not limited to this. The electronic control device 1000 may be equipped with multiple MCMs 100 . Furthermore, the electronic control device 1000 may be equipped with circuit elements, connectors, or the like different from those of the MCM 100 .

Vorteileadvantages

In dem gemäß obiger Beschreibung konfigurierten MCM 100 fließt ein großer Strom im Energieversorgungspfad, wenn das Halbleiterelement 2 von der Energieversorgungsschaltung 3 mit Energie versorgt wird. Anschließend wird im MCM 100, wie durch die abwechselnd lange und kurze gestrichelte Linie in 2 gezeigt, eine Energieversorgungsschleife in einem Abschnitt gebildet, der den Energieversorgungspfad enthält. Ferner fließt im MCM 100, wie durch die abwechselnd lange und kurze gestrichelte Linie in 2 dargestellt, ein Strom im Kommunikationspfad.In the MCM 100 configured as described above, when the semiconductor element 2 is supplied with power from the power supply circuit 3, a large current flows in the power supply path. Subsequently, in the MCM 100, as indicated by the alternating long and short dashed line in 2 1, a power supply loop is formed in a portion including the power supply path. Further, in the MCM 100, as indicated by the alternate long and short dashed line in 2 shown, a current in the communication path.

Im MCM 100 ist der Kommunikationspfad daher außerhalb des gegenüberliegenden Bereichs des Energieversorgungspfads angeordnet. Daher kann das MCM 100 einen Bereich, in dem der Kommunikationspfad und der Energieversorgungspfad parallel verlaufen, im Vergleich zu einer Konfiguration, bei der der Kommunikationspfad in dem gegenüberliegenden Bereich des Energieversorgungspfads angeordnet ist, verringern. Folglich kann das MCM 100 die Überlagerung des Kommunikationspfads mit Rauschen vom Energieversorgungspfad (d. h. die Ausbreitung von Rauschen vom Energieversorgungspfad zum Kommunikationspfad) reduzieren. Einher mit diesem Vorteil kann das MCM 100 eine Einrichtungsspanne der Kommunikation durch das Halbleiterelement 2 und die Energieversorgung des Halbleiterelements 2 verbessern.In the MCM 100, therefore, the communication path is located outside the opposite area of the power supply path. Therefore, the MCM 100 can reduce an area where the communication path and the power supply path are parallel compared to a configuration where the communication path is arranged in the opposite area of the power supply path. Consequently, the MCM 100 can reduce noise from the power supply path (i.e., propagation of noise from the power supply path to the communication path) to the communication path. Along with this advantage, the MCM 100 can improve a setup margin of communication through the semiconductor element 2 and power supply of the semiconductor element 2 .

Auf diese Weise unterdrückt das MCM 100 die Ausbreitung von Rauschen, das durch den im Energieversorgungspfad fließenden Strom erzeugt wird, in Bezug auf den Kommunikationspfad. Daher wird im MCM 100 das Rauschen, das durch den im Energieversorgungspfad fließenden Strom erzeugt wird, im MCM 100 „verschlossen“. Folglich kann das MCM 100 eine Rauschdiffusion vom MCM 100 zur Hauptplatine 200 unterdrücken.In this way, the MCM 100 suppresses propagation of noise generated by the current flowing in the power supply path with respect to the communication path. Therefore, in the MCM 100, the noise generated by the current flowing in the power supply path is “closed” in the MCM 100. Consequently, the MCM 100 can suppress noise diffusion from the MCM 100 to the motherboard 200 .

Die elektronische Steuervorrichtung 1000 hat dadurch einen höheren Effekt der Verbesserung von EMV (elektromagnetischen Verträglichkeit), dass das MCM 100 auf der Hauptplatine 200 montiert ist, als wenn die Hauptplatine 200 und das MCM 100 durch ein Substrat konfiguriert sind. Darüber hinaus bietet die elektronische Steuervorrichtung 1000 Vorrichtungen um ein Halbleiterelement mit mehreren Hochgeschwindigkeitsanschlussgruppen durch das MCM 100. Daher kann die elektronische Steuervorrichtung 1000 kostengünstig sein, die Zuverlässigkeit verbessern und Rauschen unterdrücken. Ferner kann die elektronische Steuervorrichtung 1000 die Anzahl von Schichten der Hauptplatine 200 im Vergleich zu dem Fall reduzieren, in dem die Hauptplatine 200 und das MCM 100 aus einem Substrat aufgebaut sind. Somit kann die elektronische Steuervorrichtung 1000 die Kosten für die Hauptplatine 200 senken. Folglich ist es wahrscheinlicher, dass die elektronische Steuervorrichtung 1000 die oben genannte Wirkung zeigt. Eine Platine mit geringer Anzahl von Schichten ist z. B. eine Platine mit 8 Schichten oder weniger, vorzugsweise 6 Schichten oder weniger. Die Hauptplatine 200 ist jedoch nicht auf ein Substrat mit einer geringen Anzahl von Schichten beschränkt.The electronic control device 1000 has a higher effect of improving EMC (electromagnetic compatibility) by mounting the MCM 100 on the motherboard 200 than when the motherboard 200 and the MCM 100 are configured by one substrate. In addition, the electronic control device 1000 provides devices around a semiconductor element with multiple high-speed terminal groups through the MCM 100. Therefore, the electronic control device 1000 can be inexpensive, improve reliability, and suppress noise. Furthermore, the electronic control device 1000 can reduce the number of layers of the main board 200 compared to the case where the main board 200 and the MCM 100 are composed of one substrate. Thus, the electronic control device 1000 can reduce the cost of the main circuit board 200. Consequently, the electronic control device 1000 is more likely to exhibit the above effect. A circuit board with a small number of layers is e.g. B. a board with 8 layers or less, preferably 6 layers or less. However, the motherboard 200 is not limited to a substrate with a small number of layers.

Ferner enthält die elektronische Steuervorrichtung 1000 das MCM 100. Das MCM 100 kann das auf dem MCM 100 erzeugte Rauschen wie oben beschrieben reduzieren und die Ausbreitung des Rauschens auf die Hauptplatine 200 unterdrücken. Daher kann die elektronische Steuervorrichtung 1000 die Stör- bzw. Rauschfestigkeit verbessern.Further, the electronic control device 1000 includes the MCM 100. The MCM 100 can reduce the noise generated on the MCM 100 as described above and suppress the propagation of the noise to the motherboard 200. FIG. Therefore, the electronic control device 1000 can improve noise immunity.

Vorstehend ist eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung beschrieben. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch in keiner Weise auf die oben beschriebene Ausführungsform beschränkt, und es können verschiedene Modifikationen vorgenommen werden, ohne vom Geist der vorliegenden Offenbarung abzuweichen. Nachfolgend sind eine zweite bis vierte Ausführungsform als weitere Formen der vorliegenden Offenbarung beschrieben. Die oben beschriebene Ausführungsform und die zweite bis vierte Ausführungsform können, wie jeweils anwendbar, einzeln oder in Kombination realisiert werden. Die vorliegende Offenbarung ist nicht auf die in den Ausführungsformen gezeigten Kombinationen beschränkt, sondern kann anhand verschiedener Kombinationen realisiert werden.An embodiment of the present disclosure is described above. However, the present disclosure is in no way limited to the embodiment described above, and various modifications can be made without departing from the gist of the present disclosure. Second to fourth embodiments are described below as further forms of the present disclosure. The above-described embodiment and the second to fourth embodiments can be implemented individually or in combination as appropriate. The present disclosure is not limited to the combinations shown in the embodiments, but can be implemented in various combinations.

Zweite AusführungsformSecond embodiment

Nachstehend sind das MCM 100 und die elektronische Steuervorrichtung 1000 einer zweiten Ausführungsform unter Bezugnahme auf die 3 und 4 beschrieben. In der vorliegenden Ausführungsform unterscheidet sich die Konfiguration der Modulplatine 1 im Wesentlichen von derjenigen der ersten Ausführungsform. In 4 ist die Hauptplatine 200 in vereinfachter Form dargestellt. Die Hauptplatine 200 ist dieselbe wie in der obigen Ausführungsform. Selbiges gilt für die Hauptplatine 200 in den weiteren Ausführungsformen.The following are the MCM 100 and the electronic control device 1000 of a second embodiment with reference to FIG 3 and 4 described. In the present embodiment, the configuration of the module board 1 is basically different from that of the first embodiment. In 4 the motherboard 200 is shown in simplified form. The main board 200 is the same as in the above embodiment. The same applies to the main circuit board 200 in the further embodiments.

Wie in den 3 und 4 dargestellt, weist die Modulplatine 1 mehrere Chip-Anschlussgruppen 15a bis 15d auf. Jede Chip-Anschlussgruppe 15a bis 15d enthält mehrere Chip-Verbindungsanschlüsse 15. D. h., jede der Chip-Anschlussgruppen 15a bis 15d kennzeichnet eine Sammlung von mehreren Chip-Verbindungsanschlüssen 15, die in jeder der Chip-Anschlussgruppen 15a bis 15d enthalten sind. Die erste Chip-Anschlussgruppe 15a kennzeichnet bzw. beschreibt beispielsweise eine Sammlung mehrerer Chip-Verbindungsanschlüsse 15, die in der ersten Chip-Anschlussgruppe 15a enthalten sind. Die Chip-Anschlussgruppen 15a bis 15d befinden sich auf der gegenüberliegenden Oberfläche der Befestigungsoberfläche der Modulplatine 1.As in the 3 and 4 shown, the module board 1 has a plurality of chip connection groups 15a to 15d. Each chip terminal group 15a to 15d includes a plurality of chip connection terminals 15. That is, each of the chip connection groups 15a to 15d indicates a collection of a plurality of chip connection terminals 15 included in each of the chip connection groups 15a to 15d. The first chip terminal group 15a indicates, for example, a collection of a plurality of chip connection terminals 15 included in the first chip terminal group 15a. The chip terminal groups 15a to 15d are located on the opposite surface of the mounting surface of the module board 1.

Wie in 3 dargestellt, sind die Chip-Verbindungsanschlüsse 15 jeder der Chip-Anschlussgruppen 15a bis 15d über jede der Verdrahtungen 12c1 bis 12c4 elektrisch mit den Elementanschlüssen 21 verbunden. Jede Verdrahtung 12c1 bis 12c4 ist im Kommunikationspfad enthalten. Ferner kann gesagt werden, dass die Modulplatine 1 mehrere Verdrahtungen 12c1 bis 12c4 aufweist, die in verschiedenen Kommunikationspfaden enthalten sind. In 3 sind die Verdrahtungen 12c1 bis 12c4 in vereinfachter Form durch Linien dargestellt.As in 3 As shown, the chip connecting terminals 15 of each of the chip terminal groups 15a to 15d are electrically connected to the element terminals 21 via each of the wirings 12c1 to 12c4. Each wiring 12c1 to 12c4 is included in the communication path. Further, it can be said that the module board 1 has multiple wirings 12c1 to 12c4 included in different communication paths. In 3 the wirings 12c1 to 12c4 are shown in a simplified form by lines.

Genauer gesagt ist der Chip-Verbindungsanschluss 15 der ersten Chip-Anschlussgruppe 15a mit dem Elementanschluss 21 der ersten Anschlussgruppe 21a über die erste Verdrahtung 12c1 verbunden. Der Chip-Verbindungsanschluss 15 der zweiten Chip-Anschlussgruppe 15b ist über die zweite Verdrahtung 12c2 mit dem Elementanschluss 21 der zweiten Anschlussgruppe 21b verbunden. Der Chip-Verbindungsanschluss 15 der dritten Chip-Anschlussgruppe 15c ist über die dritte Verdrahtung 12c3 mit dem Elementanschluss 21 der dritten Anschlussgruppe 21c verbunden. Der Chip-Verbindungsanschluss 15 der vierten Chip-Anschlussgruppe 15d ist über die vierte Verdrahtung 12c4 mit dem Elementanschluss 21 der vierten Anschlussgruppe 21d verbunden.More specifically, the chip connection terminal 15 of the first chip terminal group 15a is connected to the element terminal 21 of the first terminal group 21a via the first wiring 12c1. The chip connecting terminal 15 of the second chip terminal group 15b is connected to the element terminal 21 of the second terminal group 21b via the second wiring 12c2. The chip connecting terminal 15 of the third chip terminal group 15c is connected to the element terminal 21 of the third terminal group 21c via the third wiring 12c3. The chip connecting terminal 15 of the fourth chip terminal group 15d is connected to the element terminal 21 of the fourth terminal group 21d via the fourth wiring 12c4.

Die Chip-Anschlussgruppen 15a bis 15d sind entlang der gegenüberliegenden Seite der Modulplatine 1 angeordnet. Bei der Modulplatine 1 sind mehrere Chip-Verbindungsanschlüsse 15 in mehreren Reihen entlang eines Seitenrandes der gegenüberliegenden Oberfläche angeordnet. Es kann gesagt werden, dass die Modulplatine 1 mehrere Chip-Verbindungsanschlüsse 15 aufweist, die in einer rechteckigen Rahmenform angeordnet sind. Jede Chip-Anschlussgruppe 15a bis 15d weist einen Teil von mehreren Chip-Verbindungsanschlüssen 15 auf, die auf diese Weise angeordnet sind. Ferner sind die Chip-Anschlussgruppen 15a bis 15d so angeordnet, dass der gegenüberliegende Bereich der Energieversorgungsanschlussgruppe 21e vermieden wird. Die elektronische Steuervorrichtung 1000 ist mit dem auf diese Weise konfigurierten MCM 100 ausgestattet.The chip terminal groups 15a to 15d are arranged along the opposite side of the module board 1. FIG. In the module board 1, multiple chip connection terminals 15 are arranged in multiple rows along a side edge of the opposite surface. It can be said that the module board 1 has a plurality of chip connection terminals 15 arranged in a rectangular frame shape. Each chip terminal group 15a to 15d has a part of a plurality of chip connection terminals 15 arranged in this way. Further, the chip terminal groups 15a to 15d are arranged so as to avoid the opposing portion of the power supply terminal group 21e. The electronic control device 1000 is equipped with the MCM 100 configured in this way.

Daher ist es bei der Modulplatine 1 einfach, die Verdrahtungen 12c1 bis 12c4 außerhalb des gegenüberliegenden Bereichs des Energieversorgungspfads in Laminierrichtung vorzusehen. D. h., die Modulplatine 1 kann die Überlappung des Energieversorgungspfads und des Kommunikationspfads einschließlich der Verdrahtungen 12c1 bis 12c4 in Laminierrichtung unterdrücken. Des Weiteren kann gesagt werden, dass die Modulplatine 1 das parallele Verlaufen des Energieversorgungspfades und jeder der Verdrahtungen 12c1 bis 12c4 (Kommunikationspfad) in der Laminierrichtung unterdrücken kann. In dieser Ausführungsform wird, gemäß einem Beispiel, die Modulplatine 1 angenommen, bei der alle der Verdrahtungen 12c1 bis 12c4 außerhalb des gegenüberliegenden Bereichs des Energieversorgungspfads in Laminierrichtung angeordnet sind.Therefore, in the module board 1, it is easy to provide the wirings 12c1 to 12c4 outside the opposite portion of the power supply path in the lamination direction. That is, the module board 1 can suppress the overlapping of the power supply path and the communication path including the wirings 12c1 to 12c4 in the laminating direction. Furthermore, it can be said that the module board 1 can suppress the parallel running of the power supply path and each of the wirings 12c1 to 12c4 (communication path) in the lamination direction. In In this embodiment, as an example, the module board 1 in which all of the wirings 12c1 to 12c4 are arranged outside the opposite portion of the power supply path in the lamination direction is assumed.

Ferner ist vorzugsweise jede der Chip-Anschlussgruppen 15a bis 15d in der Nähe jeder der zu verbindenden Verdrahtungen 12c1 bis 12c4 angeordnet. Mit anderen Worten, jede der Chip-Anschlussgruppen 15a bis 15d ist an einer Position vorgesehen, an der jede der Verdrahtungen 12c1 bis 12c4 angeordnet werden kann, ohne dass sich die Verdrahtungen 12c1 bis 12c4 gegenseitig kreuzen. Dadurch kann das MCM 100 verhindern, dass sich die Kommunikationspfade einschließlich der einzelnen Verdrahtungen 12c1 bis 12c4 kreuzen oder parallel verlaufen. Somit kann das MCM 100 Rauschen aufgrund von Übersprechen bzw. Crosstalk zwischen den einzelnen Kommunikationspfaden unterdrücken.Further preferably, each of the chip terminal groups 15a to 15d is arranged in the vicinity of each of the wirings 12c1 to 12c4 to be connected. In other words, each of the chip terminal groups 15a to 15d is provided at a position where each of the wirings 12c1 to 12c4 can be arranged without the wirings 12c1 to 12c4 crossing each other. Thereby, the MCM 100 can prevent the communication paths including the individual wirings 12c1 to 12c4 from crossing or running in parallel. Thus, the MCM 100 can suppress noise due to crosstalk between the individual communication paths.

Ferner kann das MCM 100 viele Chip-Verbindungsanschlüsse 15 auf der gegenüberliegenden Seite anordnen. Daher kann die elektronische Steuervorrichtung 1000 die Verdrahtungsdichte der Hauptplatine 200 verbessern. Selbstverständlich können die elektronische Steuervorrichtung 1000 und das MCM 100 der zweiten Ausführungsform die gleiche Wirkung wie in der ersten Ausführungsform entfalten.Further, the MCM 100 can arrange many chip connection terminals 15 on the opposite side. Therefore, the electronic control device 1000 can improve the wiring density of the main board 200 . Of course, the electronic control device 1000 and the MCM 100 of the second embodiment can exhibit the same effect as that of the first embodiment.

Dritte AusführungsformThird embodiment

Nachstehend sind das MCM 100 und die elektronische Steuervorrichtung 1000 einer dritte Ausführungsform unter Bezugnahme auf die 5 und 6 beschrieben. In der vorliegenden Ausführungsform unterscheidet sich die Konfiguration des Halbleiterelements 2 und der Modulplatine 1 im Wesentlichen von derjenigen der ersten Ausführungsform.The following are the MCM 100 and the electronic control device 1000 of a third embodiment with reference to FIG 5 and 6 described. In the present embodiment, the configuration of the semiconductor element 2 and the module board 1 is basically different from that of the first embodiment.

Das Halbleiterelement 2 enthält eine Hochgeschwindigkeitskommunikationsschaltung zum Ausführen von Hochgeschwindigkeitskommunikation und eine Niedriggeschwindigkeitskommunikationsschaltung, deren Kommunikationsgeschwindigkeit langsamer ist als die der Hochgeschwindigkeitskommunikationsschaltung. Mit anderen Worten, es kann gesagt werden, dass es eine Hochgeschwindigkeitskommunikationsfunktion und eine Niedriggeschwindigkeitskommunikationsfunktion, deren Kommunikationsgeschwindigkeit langsamer ist als die der Hochgeschwindigkeitskommunikationsfunktion, aufweist.The semiconductor element 2 includes a high-speed communication circuit for performing high-speed communication and a low-speed communication circuit whose communication speed is slower than that of the high-speed communication circuit. In other words, it can be said to have a high-speed communication function and a low-speed communication function whose communication speed is slower than that of the high-speed communication function.

Wie in den 5 und 6 dargestellt, weist das Halbleiterelement 2 mehrere Kommunikationsanschlüsse 211 zur Hochgeschwindigkeitskommunikation und mehrere Kommunikationsanschlüsse 26a zur Niedriggeschwindigkeitskommunikation auf. Jede der Anschlussgruppen 21a bis 21d kann als eine Hochgeschwindigkeitsanschlussgruppe bezeichnet werden. Der Kommunikationsanschluss 211 der vorliegenden Ausführungsform ist ein Anschluss, der für die Hochgeschwindigkeitskommunikation verwendet wird. Die Chip-Anschlussgruppen 15a bis 15d und die Verdrahtungen 12c1 bis 12c4 werden jeweils zur Hochgeschwindigkeitskommunikation verwendet. Daher kann der Kommunikationspfad, einschließlich der Verdrahtungen 12c1 bis 12c4, als Hochgeschwindigkeitskommunikationspfad bezeichnet werden.As in the 5 and 6 As shown, the semiconductor element 2 has a plurality of communication terminals 211 for high-speed communication and a plurality of communication terminals 26a for low-speed communication. Each of the port groups 21a to 21d can be referred to as a high-speed port group. The communication port 211 of the present embodiment is a port used for high-speed communication. The chip terminal groups 15a to 15d and the wirings 12c1 to 12c4 are used for high-speed communication, respectively. Therefore, the communication path including the wirings 12c1 to 12c4 can be called a high-speed communication path.

Andererseits enthält die Niedriggeschwindigkeitsanschlussgruppe 26 mehrere Niedriggeschwindigkeitskommunikationsanschlüsse 26a. Der Niedriggeschwindigkeitskommunikationsanschluss 26a ist ein Anschluss, der für die Niedriggeschwindigkeitskommunikation verwendet wird.On the other hand, the low-speed port group 26 includes a plurality of low-speed communication ports 26a. The low-speed communication port 26a is a port used for low-speed communication.

Die Modulplatine 1 ist auf der gegenüberliegenden Oberfläche der Modulplatine 1 mit mehreren Niedriggeschwindigkeits-Chipanschlüssen 16 versehen. Jeder der Niedriggeschwindigkeits-Chipanschlüsse 16 ist mit dem Niedriggeschwindigkeitskommunikationsanschluss 26a und der fünften Verdrahtung 12c5 jeweils elektrisch verbunden. Die mehreren Niedriggeschwindigkeits-Chipanschlüsse 16 sind in einer Mitte auf der gegenüberliegenden Oberfläche des Modulsubstrats 1 angeordnet. Die Niedriggeschwindigkeits-Chipanschlüsse 16 entsprechen Platinenanschlüssen. Die fünfte Verdrahtung 12c5 enthält einen Teil von Verdrahtungen und einen Teil von Substratelektroden, die sich von dem Hochgeschwindigkeitskommunikationspfad und dem Energieversorgungspfad unterscheiden. Das Halbleiterelement 2 weist einen Niedriggeschwindigkeitskommunikationspfad mit der fünften Verdrahtung 12c5 auf.The module board 1 is provided with a plurality of low-speed chip terminals 16 on the opposite surface of the module board 1 . Each of the low-speed chip terminals 16 is electrically connected to the low-speed communication terminal 26a and the fifth wiring 12c5, respectively. The multiple low-speed chip pads 16 are arranged at a center on the opposite surface of the module substrate 1 . The low-speed chip terminals 16 correspond to board terminals. The fifth wiring 12c5 includes a part of wirings and a part of substrate electrodes other than the high-speed communication path and the power supply path. The semiconductor element 2 has a low-speed communication path with the fifth wiring 12c5.

Die Musterverdrahtung 12a des Energieversorgungspfads ist um die fünfte Verdrahtung 12c5 in einer Richtung senkrecht zur Laminierrichtung angeordnet. Die Musterverdrahtung 12a des Energieversorgungspfads ist nicht mechanisch mit der fünften Verdrahtung 12c5 verbunden. Es ist zu beachten, dass 6 nur ein Teil der Musterverdrahtungen 12a des Energieversorgungspfads zeigt. Die Musterverdrahtung 12a des Energieversorgungspfads ist jedoch an einer Stelle verschieden von dem in 6 gezeigten Abschnitt vorgesehen. Die Musterverdrahtung 12a des Energieversorgungspfads ist um die fünfte Verdrahtung 12c5 in einer Richtung senkrecht zur Laminierrichtung vorgesehen. In 6 ist die fünfte Verdrahtung 12c5 in weiß dargestellt, um die Zeichnung übersichtlicher zu gestalten.The pattern wiring 12a of the power supply path is arranged around the fifth wiring 12c5 in a direction perpendicular to the laminating direction. The power supply path pattern wiring 12a is not mechanically connected to the fifth wiring 12c5. It should be noted that 6 12 shows only part of the pattern wirings 12a of the power supply path. However, the pattern wiring 12a of the power supply path is different from that in FIG 6 Section shown provided. The pattern wiring 12a of the power supply path is provided around the fifth wiring 12c5 in a direction perpendicular to the laminating direction. In 6 the fifth wiring 12c5 is shown in white to make the drawing clearer.

Wie in 6 dargestellt, ist zumindest ein Teil der Niedriggeschwindigkeitskommunikationspfade in dem gegenüberliegenden Bereich des Energieversorgungspfades in Laminierrichtung vorgesehen. D. h., der Hochgeschwindigkeitskommunikationspfad ist außerhalb des gegenüberliegenden Bereichs des Energieversorgungspfads in Laminierrichtung angeordnet. Andererseits ist der Niedriggeschwindigkeitskommunikationspfad in dem gegenüberliegenden Bereich des Energieversorgungspfads in Laminierrichtung angeordnet. Der Niedriggeschwindigkeitskommunikationspfad kann außerhalb des gegenüberliegenden Bereichs des Energieversorgungspfads in Laminierrichtung angeordnet sein. Die elektronische Steuervorrichtung 1000 ist mit dem auf diese Weise konfigurierten MCM 100 ausgestattet.As in 6 1, at least a part of the low-speed communication paths is provided in the opposite portion of the power supply path in the lamination direction. That is, the high-speed communication path is arranged outside the opposite area of the power supply path in the lamination direction. On the other hand, the low-speed communication path is arranged in the opposite portion of the power supply path in the lamination direction. The low-speed communication path may be arranged outside the opposite area of the power supply path in the lamination direction. The electronic control device 1000 is equipped with the MCM 100 configured in this way.

Selbstverständlich können die elektronische Steuervorrichtung 1000 und das MCM 100 der dritten Ausführungsform die gleiche Wirkung wie in der ersten Ausführungsform entfalten. Außerdem ist bei der MCM 100 der dritten Ausführungsform der Niedriggeschwindigkeitskommunikationspfad im gegenüberliegenden Bereich des Energieversorgungspfads angeordnet. Es ist jedoch weniger wahrscheinlich, dass der Niedriggeschwindigkeitskommunikationspfad die Kommunikation beeinträchtigt, selbst wenn sich Rauschen ausbreitet. Daher kann das MCM 100 der dritten Ausführungsform die Anzahl von Verdrahtungen erhöhen, die elektrisch mit den Platinenanschlüssen wie dem Chip-Verbindungsanschluss 15 und dem Niedriggeschwindigkeits-Chipanschluss 16 verbunden werden können. D. h., im MCM 100 der dritten Ausführungsform kann die Anzahl von Verdrahtungen, die elektrisch mit dem Platinenanschluss verbunden werden können, im Vergleich zu dem Fall erhöht werden, in dem der Chip-Verbindungsanschluss 15 nur in der Rahmenform vorgesehen ist. Mit anderen Worten, das MCM 100 der dritten Ausführungsform kann die Verdrahtungsdichte des Modulsubstrats 1 verbessern.Of course, the electronic control device 1000 and the MCM 100 of the third embodiment can exhibit the same effect as that of the first embodiment. Also, in the MCM 100 of the third embodiment, the low-speed communication path is arranged in the opposite portion of the power supply path. However, the low-speed communication path is less likely to affect communication even if noise propagates. Therefore, the MCM 100 of the third embodiment can increase the number of wirings that can be electrically connected to the board terminals such as the chip connection terminal 15 and the low-speed chip terminal 16 . That is, in the MCM 100 of the third embodiment, the number of wirings that can be electrically connected to the board terminal can be increased compared to the case where the chip connection terminal 15 is provided only in the frame shape. In other words, the MCM 100 of the third embodiment can improve the wiring density of the module substrate 1.

Darüber hinaus ist das MCM 100 der dritten Ausführungsform mit mehreren Niedriggeschwindigkeits-Chipanschlüssen 16 in der Mitte auf der gegenüberliegenden Oberfläche des Modulsubstrats 1 versehen. Daher kann die elektronische Steuervorrichtung 1000 der dritten Ausführungsform die durch die Verformung des MCM 100 oder der Hauptplatine 200 erzeugte Spannung auf jeden Platinenanschluss verteilen. D. h., die elektronische Steuervorrichtung 1000 der dritten Ausführungsform kann im Vergleich zu dem Fall, in dem der Chip-Verbindungsanschluss 15 nur in der Rahmenform vorgesehen ist, die Belastung bzw. (mechanische) Spannung auf jeden Substratanschluss verteilen. Daher kann die elektronische Steuervorrichtung 1000 der dritten Ausführungsform die Montagezuverlässigkeit des MCM 100 in Bezug auf die Hauptplatine 200 verbessern.In addition, the MCM 100 of the third embodiment is provided with a plurality of low-speed chip pads 16 at the center on the opposite surface of the module substrate 1 . Therefore, the electronic control device 1000 of the third embodiment can distribute the stress generated by the deformation of the MCM 100 or the main board 200 to each board terminal. That is, the electronic control device 1000 of the third embodiment can distribute the stress to each substrate terminal compared to the case where the chip connection terminal 15 is provided only in the frame shape. Therefore, the electronic control device 1000 of the third embodiment can improve the assembly reliability of the MCM 100 with respect to the motherboard 200 .

Vierte AusführungsformFourth embodiment

Nachstehend sind das MCM 100 und die elektronische Steuervorrichtung 1000 einer vierten Ausführungsform unter Bezugnahme auf 7 beschrieben. Die vorliegende Ausführungsform unterscheidet sich von der ersten Ausführungsform hauptsächlich dadurch, dass der Bypass-Kondensator 4 im MCM 100 vorgesehen ist.Hereinafter, the MCM 100 and the electronic control device 1000 of a fourth embodiment are referred to in FIG 7 described. The present embodiment differs from the first embodiment mainly in that the bypass capacitor 4 is provided in the MCM 100 .

In dem Halbleiterelement 2 ist die Energieversorgungsanschlussgruppe 21e in einer Mitte des gegenüberliegenden Abschnitts angeordnet. D. h., das Halbleiterelement 2 ist mit mehreren Elementenergieversorgungsanschlüssen 212 und mehreren Elementmasseanschlüssen 213 in einer Mitte des gegenüberliegenden Abschnitts versehen.In the semiconductor element 2, the power supply terminal group 21e is arranged at a center of the opposing portion. That is, the semiconductor element 2 is provided with a plurality of element power supply terminals 212 and a plurality of element ground terminals 213 at a center of the opposing portion.

Das MCM 100 verfügt über einen Bypass-Kondensator 4, der auf der gegenüberliegenden Oberfläche der Modulplatine 1 angebracht ist. Der Bypass-Kondensator 4 weist eine erste Elektrode 41 und eine zweite Elektrode 42 auf. Der Bypass-Kondensator 4 ist zwischen dem Elementenergieversorgungsanschluss 212 und dem Elementmasseanschluss 213 angeordnet. Die erste Elektrode 41 ist über die Musterverdrahtung 12a und den Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 12b oder dergleichen mit dem Elementenergieversorgungsanschluss 212 verbunden. Andererseits ist die zweite Elektrode 42 über die Musterverdrahtung 12a und den Zwischenschicht-Verbindungsabschnitt 12b oder dergleichen mit dem Elementmasseanschluss 213 verbunden.The MCM 100 has a bypass capacitor 4 mounted on the opposite surface of the module board 1. The bypass capacitor 4 has a first electrode 41 and a second electrode 42 . The bypass capacitor 4 is arranged between the element power supply terminal 212 and the element ground terminal 213 . The first electrode 41 is connected to the element power supply terminal 212 via the pattern wiring 12a and the interlayer connection portion 12b or the like. On the other hand, the second electrode 42 is connected to the element ground terminal 213 via the pattern wiring 12a and the interlayer connection portion 12b or the like.

Der Bypass-Kondensator 4 ist auf der gegenüberliegenden Oberfläche der Modulplatine 1 und in dem gegenüberliegenden Bereich des Elementenergieversorgungsanschlusses 212 und des Elementmasseanschlusses 213 in Bezug auf die Befestigungsrichtung angebracht. D. h., der Bypass-Kondensator 4 ist in dem gegenüberliegenden Bereich der Energieversorgungsanschlussgruppe 21e in Bezug auf die Befestigungsrichtung montiert.The bypass capacitor 4 is mounted on the opposite surface of the module board 1 and in the opposite area of the element power supply terminal 212 and the element ground terminal 213 with respect to the mounting direction. That is, the bypass capacitor 4 is mounted on the opposite portion of the power-supply terminal group 21e with respect to the mounting direction.

Vorzugsweise sind, in der Modulplatine 1, der Elementenergieversorgungsanschluss 212 und der Elementmasseanschluss 213, die mit der Befestigungsoberfläche verbunden sind, sowie die erste Elektrode 41 und die zweite Elektrode 42, die auf der gegenüberliegenden Oberfläche vorgesehen sind, im kürzesten Abstand in Befestigungsrichtung angeordnet. Die elektronische Steuervorrichtung 1000 ist mit dem auf diese Weise konfigurierten MCM 100 ausgestattet.Preferably, in the module board 1, the element power supply terminal 212 and the element ground terminal 213 connected to the mounting surface, and the first electrode 41 and the second electrode 42 provided on the opposite surface are arranged at the shortest pitch in the mounting direction. The electronic control device 1000 is equipped with the MCM 100 configured in this way.

Selbstverständlich können die elektronische Steuervorrichtung 1000 und das MCM 100 der vierten Ausführungsform die gleiche Wirkung wie in der ersten Ausführungsform entfalten. Das MCM 100 kann einen Pfad vom Elementenergieversorgungsanschluss 212 zum Elementmasseanschluss 213 über den Bypass-Kondensator 4 auf dem kürzesten Weg verbinden. Daher kann das MCM 100 die Impedanz minimieren und die Wirkung der Reduzierung bzw. des Abschneidens des Energieversorgungsrauschens durch den Bypass-Kondensator 4 maximieren. D. h., da das MCM 100 über einen Pfad mit niedriger Impedanz verbunden werden kann, verglichen mit dem Fall, in dem der Bypass-Kondensator 4 horizontal angeordnet ist, kann der Effekt der Reduzierung bzw. des Abschneidens des Energieversorgungsrauschens durch den Bypass-Kondensator 4 maximiert werden. Darüber hinaus ist zu erwarten, dass das MCM 100 die Kapazität und die Anzahl von Bypass-Kondensatoren 4 reduziert.Of course, the electronic control device 1000 and the MCM 100 of the fourth embodiment can exhibit the same effect as that of the first embodiment. The MCM 100 can connect a path from the element power supply terminal 212 to the element ground terminal 213 via the bypass capacitor 4 in the shortest way. Therefore, the MCM 100 can minimize the impedance and maximize the power supply noise reduction effect of the bypass capacitor 4 . That is, since the MCM 100 can be connected via a low-impedance path compared to the case where the bypass capacitor 4 is arranged horizontally, the effect of reducing or cutting off the power supply noise by the bypass Capacitor 4 are maximized. In addition, the MCM 100 can be expected to reduce the capacitance and the number of bypass capacitors 4 .

Obgleich die vorliegende Offenbarung vorstehend in Verbindung mit den Ausführungsformen beschrieben ist, sollte wahrgenommen werden, dass sie nicht auf diese Ausführungsformen oder Strukturen beschränkt ist. Die vorliegende Offenbarung umfasst verschiedene Modifikationen und Änderungen im Rahmen von Äquivalenten. Darüber hinaus sollen, während die verschiedenen Elemente in verschiedenen Kombinationen und Konfigurationen gezeigt sind, die exemplarisch sind, andere Kombinationen und Konfigurationen, einschließlich mehr, weniger oder nur eines einzigen Elements, als im Sinne und Umfang der vorliegenden Offenbarung beinhaltet verstanden werden.Although the present disclosure is described above in connection with the embodiments, it should be understood that it is not limited to these embodiments or structures. The present disclosure includes various modifications and changes within equivalents. In addition, while the various elements are shown in various combinations and configurations, which are exemplary, other combinations and configurations, including more, less or only a single element, are intended to be included within the spirit and scope of the present disclosure.

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Zitierte PatentliteraturPatent Literature Cited

  • JP 6468360 B [0002]JP6468360B [0002]

Claims (5)

Multichip-Modul, aufweisend: - eine Modulplatine (1) mit mehreren Platinenelektroden (13a-13e, 14) und mehreren mit den Platinenelektroden verbundenen Verdrahtungen, wobei die Verdrahtungen über Isolatoren laminierte Leitermuster und Zwischenschicht-Verbindungsabschnitte, die die Leitermuster verschiedener Schichten verbinden, enthalten; - ein Halbleiterelement (2) mit mehreren Elementanschlüssen (21, 211-213), das auf der Modulplatine durch Verbinden der Elementanschlüsse mit den Platinenelektroden montiert ist; und - eine Energieversorgungsschaltung (3) zum Zuführen von elektrischer Energie zu dem Halbleiterelement, die mehrere Schaltungsanschlüsse (32a, 32b) aufweist und auf der Modulplatine durch Verbinden der Schaltungsanschlüsse mit den Platinenelektroden montiert ist, wobei - die Elementanschlüsse des Halbleiterelements mehrere Kommunikationsanschlüsse (211) mit Kommunikationsschnittstellenfunktion und einen Energieversorgungsanschluss (212, 213) umfassen, der mit einem Energieversorgungspfad zur Energieversorgungsschaltung verbunden ist, der einen Teil der Verdrahtungen und einen Teil der Platinenelektroden aufweist, - die Schaltungsanschlüsse der Energieversorgungsschaltung mit dem Energieversorgungspfad verbunden sind, - die Modulplatine einen Kommunikationspfad aufweist, der einen Teil der Verdrahtungen und einen Teil der Platinenelektroden verschieden von dem Energieversorgungspfad aufweist und mit dem Kommunikationsanschluss verbunden ist, und - der Kommunikationspfad auf einer Außenseite eines gegenüberliegenden Bereichs des Energieversorgungspfads in einer Befestigungsrichtung des Halbleiterelements in Bezug auf die Modulplatine angeordnet ist.Multichip module comprising: - a module board (1) having a plurality of board electrodes (13a-13e, 14) and a plurality of wirings connected to the board electrodes, the wirings including conductor patterns laminated via insulators and interlayer connection portions connecting the conductor patterns of different layers; - a semiconductor element (2) having a plurality of element terminals (21, 211-213) mounted on the module board by connecting the element terminals to the board electrodes; and - a power supply circuit (3) for supplying electric power to the semiconductor element, which has a plurality of circuit terminals (32a, 32b) and is mounted on the module board by connecting the circuit terminals to the board electrodes, wherein - the element terminals of the semiconductor element comprise a plurality of communication terminals (211) having a communication interface function and a power supply terminal (212, 213) connected to a power supply path to the power supply circuit, which has part of the wirings and part of the board electrodes, - the circuit connections of the energy supply circuit are connected to the energy supply path, - the module board has a communication path including part of the wirings and part of the board electrodes different from the power supply path and connected to the communication port, and - the communication path is arranged on an outside of an opposite portion of the power supply path in a mounting direction of the semiconductor element with respect to the module board. Multichip-Modul nach Anspruch 1, wobei - die Modulplatine ferner mehrere Anschlussgruppen (15a-15d) einschließlich mehrerer Platinenanschlüsse (15) auf einer gegenüberliegen Oberfläche zu einer montierten Oberfläche des Halbleiterelements und der Energieversorgungsschaltung aufweist; und - die mehreren Anschlussgruppen mit dem Kommunikationspfad verbunden und entlang einer Seite der gegenüberliegenden Oberfläche angeordnet sind.multichip module claim 1 wherein - the module board further has a plurality of terminal groups (15a-15d) including a plurality of board terminals (15) on an opposite surface to a mounted surface of the semiconductor element and the power supply circuit; and - the plurality of port groups are connected to the communication path and arranged along a side of the opposite surface. Multichip-Modul nach Anspruch 1 oder 2, wobei - der Kommunikationsanschluss für eine Hochgeschwindigkeitskommunikation verwendet wird; - das Halbleiterelement, zusätzlich zu dem Kommunikationsanschluss, einen Niedriggeschwindigkeitskommunikationsanschluss (26a) aufweist, der für eine Niedriggeschwindigkeitskommunikation verwendet wird, die langsamer ist als die Hochgeschwindigkeitskommunikation; - die Modulplatine einen Niedriggeschwindigkeitskommunikationspfad aufweist, der mit dem Niedriggeschwindigkeitskommunikationsanschluss verbunden ist und einen Teil der Verdrahtungen und einen Teil der Platinenelektroden verschieden von dem Energieversorgungspfad und dem Kommunikationspfad aufweist; und - mindestens ein Teil des Niedriggeschwindigkeitskommunikationspfads in einem Bereich vorgesehen ist, der dem Energieversorgungspfad in Bezug auf die Befestigungsrichtung gegenüberliegt.multichip module claim 1 or 2 , wherein - the communication port is used for high-speed communication; - the semiconductor element has, in addition to the communication port, a low-speed communication port (26a) used for low-speed communication slower than the high-speed communication; - the module board has a low-speed communication path connected to the low-speed communication port and having part of the wirings and part of the board electrodes different from the power supply path and the communication path; and - at least a part of the low-speed communication path is provided in an area opposite to the power supply path with respect to the mounting direction. Multichip-Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 3, ferner einen Bypass-Kondensator aufweisend, der mit dem Energieversorgungspfad verbunden ist, wobei - das Halbleiterelement mit dem Energieversorgungsanschluss in einer Mitte eines Abschnitts gegenüberliegend zu der Modulplatine versehen ist, und - der Bypass-Kondensator auf einer Oberfläche montiert ist, die eine gegenüberliegende Oberfläche zu einer montierten Oberfläche des Halbleiterelements und der Energieversorgungsschaltung ist und ein gegenüberliegender Bereich des Energieversorgungsanschlusses in Bezug auf die Befestigungsrichtung ist.Multichip module according to one of Claims 1 until 3 , further comprising a bypass capacitor connected to the power supply path, wherein - the semiconductor element is provided with the power supply terminal in a center of a portion opposite to the module board, and - the bypass capacitor is mounted on a surface which is an opposite surface to a mounted surface of the semiconductor element and the power supply circuit and is an opposing portion of the power supply terminal with respect to the mounting direction. Elektronische Steuervorrichtung, aufweisend: - das Multichip-Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 4; und - eine Verdrahtungsplatine (200), auf der das Multichip-Modul montiert ist, wobei - die Verdrahtungsplatine aufweist: Isolatorplatten (201); mehrere Verdrahtungsschichten (202), die über die Isolatorplatten laminiert sind; und mehrere Durchkontaktierungen (203), die die Isolatorplatten durchdringen und jede der Verdrahtungsschichten elektrisch verbinden.Electronic control device, comprising: - the multichip module according to any one of Claims 1 until 4 ; and - a wiring board (200) on which the multichip module is mounted, wherein - the wiring board comprises: insulator plates (201); a plurality of wiring layers (202) laminated over the insulator plates; and a plurality of vias (203) penetrating the insulator plates and electrically connecting each of the wiring layers.
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