DE102021119596A1 - Strahlungsemittierender halbleiterkörper, laserdiode und lichtemittierende diode - Google Patents

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Abstract

Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterkörper (1) angegeben, mit- einem ersten Halbleiterbereich (2) eines ersten Dotiertyps, der eine erste Materialzusammensetzung aufweist,- einem zweiten Halbleiterbereich (3) eines zweiten Dotiertyps, der eine zweite Materialzusammensetzung aufweist,- einem aktiven Bereich (4), der zwischen dem ersten Halbleiterbereich (2) und dem zweiten Halbleiterbereich (3) angeordnet ist, und- einem ersten Zwischenbereich (7), der zwischen dem ersten Halbleiterbereich (2) und dem aktiven Bereich (4) angeordnet ist, wobei- der aktive Bereich (4) mehrere Quantentopfschichten (5) und mehrere Barriereschichten (6) aufweist, die alternierend übereinander angeordnet sind,- die Barriereschichten (6) eine dritte Materialzusammensetzung aufweisen,- der erste Zwischenbereich (7) mindestens eine erste Blockierschicht (8) und mindestens eine erste Zwischenschicht (9) umfasst, und- die erste Blockierschicht (8) eine vierte Materialzusammensetzung umfasst und die erste Zwischenschicht (9) eine fünfte Materialzusammensetzung umfasst.Des Weiteren werden eine Laserdiode und eine lichtemittierende Diode angegeben.

Description

  • Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterkörper angegeben. Darüber hinaus werden eine Laserdiode und eine lichtemittierende Diode angegeben.
  • Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, einen strahlungsemittierenden Halbleiterkörper anzugeben, der besonders effizient betrieben werden kann. Außerdem soll eine Laserdiode und eine lichtemittierende Diode mit einem derartigen strahlungsemittierenden Halbleiterkörper angegeben werden.
  • Der strahlungsemittierende Halbleiterkörper basiert beispielsweise auf einem III-V-Verbindungshalbleitermaterial. Bei dem Verbindungshalbleitermaterial handelt es sich beispielsweise um ein Phosphidverbindungshalbleitermaterial.
  • Der strahlungsemittierende Halbleiterkörper ist dazu ausgebildet, elektromagnetische Strahlung zu emittieren. Die vom strahlungsemittierenden Halbleiterkörper emittierte elektromagnetische Strahlung ist beispielsweise ultraviolette Strahlung, nahultraviolette Strahlung, sichtbares Licht, nahinfrarote Strahlung oder infrarote Strahlung.
  • Der strahlungsemittierende Halbleiterkörper weist beispielsweise eine Haupterstreckungsebene auf. Eine vertikale Richtung erstreckt sich senkrecht zur Haupterstreckungsebene und laterale Richtungen erstrecken sich parallel zur Haupterstreckungsebene.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der strahlungsemittierende Halbleiterkörper einen ersten Halbleiterbereich eines ersten Dotiertyps, der eine erste Materialzusammensetzung aufweist. Der erste Halbleiterbereich umfasst beispielsweise eine erste Halbleiterschicht einer ersten Halbleiterschichtenfolge.
  • Der erste Halbleiterbereich, insbesondere die erste Halbleiterschichtenfolge, umfasst zum Beispiel einen ersten Dotierstoff. Mittels des ersten Dotierstoffes ist der erste Halbleiterbereich beispielsweise p-dotiert und damit p-leitend ausgebildet. Der erste Dotiertyp ist in diesem Fall ein p-Typ.
  • Alternativ ist der erste Halbleiterbereich mittels des ersten Dotierstoffes beispielsweise n-dotiert und damit n-leitend ausgebildet. Der erste Dotiertyp ist in diesem Fall ein n-Typ.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der strahlungsemittierende Halbleiterkörper einen zweiten Halbleiterbereich eines zweiten Dotiertyps, der eine zweite Materialzusammensetzung aufweist. Der zweite Halbleiterbereich umfasst beispielsweise eine zweite Halbleiterschicht einer zweiten Halbleiterschichtenfolge.
  • Der zweite Halbleiterbereich, insbesondere die zweite Halbleiterschichtenfolge, umfasst zum Beispiel einen zweiten Dotierstoff. Ist der erste Halbleiterbereich mittels des ersten Dotierstoffs p-dotiert, ist der zweite Halbleiterbereich mittels des zweiten Dotierstoffs n-dotiert.
  • In diesem Fall handelt es sich bei dem zweiten Dotiertyp um einen n-Typ.
  • Ist der erste Halbleiterbereich mittels des ersten Dotierstoffs n-dotiert, ist der zweite Halbleiterbereich mittels des zweiten Dotierstoffs p-dotiert. In diesem Fall handelt es sich bei dem zweiten Dotiertyp um einen p-Typ.
  • Die erste Materialzusammensetzung und die zweite Materialzusammensetzung basieren beispielsweise auf AlxGa1-xP, wobei 0 ≤ x ≤ 1. Insbesondere basieren die erste Materialzusammensetzung und die zweite Materialzusammensetzung auf InxGayAl1-xP, wobei 0 ≤ x ≤ 1 und 0 ≤ y ≤ 1 ist. Beispielsweise ist die erste Materialzusammensetzung mit dem ersten Dotierstoff versehen. Weiterhin kann die zweite Materialzusammensetzung mit dem zweiten Dotierstoff versehen sein.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der strahlungsemittierende Halbleiterkörper einen aktiven Bereich, der zwischen dem ersten Halbleiterbereich und dem zweiten Halbleiterbereich angeordnet ist. Der aktive Bereich ist beispielsweise dazu ausgebildet, die elektromagnetische Strahlung zu erzeugen.
  • Der aktive Bereich steht zum Beispiel mit dem zweiten Halbleiterbereich, insbesondere der zweiten Halbleiterschicht, in direktem Kontakt. Der aktive Bereich umfasst beispielsweise eine Mehrfachquantentopfstruktur.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der strahlungsemittierende Halbleiterkörper einen ersten Zwischenbereich, der zwischen dem ersten Halbleiterbereich und dem aktiven Bereich angeordnet ist. Der erste Zwischenbereich steht zum Beispiel mit dem aktiven Bereich und dem ersten Halbleiterbereich, insbesondere der ersten Halbleiterschicht, in direktem Kontakt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers weist der aktive Bereich mehrere Quantentopfschichten und mehrere Barriereschichten auf, die alternierend übereinander angeordnet sind. Die Quantentopfschichten und die Barriereschichten sind beispielsweise in vertikaler Richtung übereinander gestapelt. Direkt benachbarte Quantentopfschichten und Barriereschichten stehen zum Beispiel in direktem Kontakt miteinander.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers weisen die Barriereschichten eine dritte Materialzusammensetzung auf. Beispielsweise basiert die dritte Materialzusammensetzung auf InxGayAl1-xP, wobei 0 ≤ x ≤ 1 und 0 ≤ y ≤ 1 ist.
  • Beispielsweise ist eine Bandlücke der Quantentopfschichten und der Barriereschichten in Abhängigkeit von einer Aluminiumkonzentration in den Quantentopfschichten und in den Barriereschichten vorgebbar.
  • Beispielsweise weisen die Barriereschichten eine größere Aluminiumkonzentration auf als eine Aluminiumkonzentration in den Quantentopfschichten. Damit weisen die Quantentopfschichten beispielsweise jeweils eine kleinere Bandlücke auf als die Barriereschichten.
  • Die Quantentopfschichten und/oder die Barriereschichten weisen beispielsweise eine Dicke in vertikaler Richtung von mindestens 2 nm und höchstens 10 nm auf. Beispielsweise weisen die Quantentopfschichten und die Barriereschichten dieselbe Dicke auf.
  • Alternativ sind die Dicken der Quantentopfschichten und der Barriereschichten unterschiedlich.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers umfasst der erste Zwischenbereich mindestens eine erste Blockierschicht und mindestens eine erste Zwischenschicht. Die erste Blockierschicht und die erste Zwischenschicht sind beispielsweise in vertikaler Richtung übereinander gestapelt und stehen in direktem Kontakt miteinander. Die erste Blockierschicht steht in direktem Kontakt mit dem aktiven Bereich. Weiterhin steht die erste Zwischenschicht in direktem Kontakt zu dem ersten Halbleiterbereich, insbesondere der ersten Halbleiterschicht.
  • Beispielsweise umfasst der erste Zwischenbereich mehrere erste Blockierschichten und mehrere erste Zwischenschichten, die alternierend übereinander angeordnet sind. Die ersten Blockierschichten und die ersten Zwischenschichten sind beispielsweise in vertikaler Richtung übereinander gestapelt. Direkt benachbarte erste Blockierschichten und erste Zwischenschichten stehen zum Beispiel in direktem Kontakt miteinander.
  • Eine Anzahl der ersten Blockierschichten und der ersten Zwischenschichten ist beispielsweise gleich. Eine äußere erste Blockierschicht steht in direktem Kontakt mit dem aktiven Bereich und eine äußere erste Zwischenschicht steht in direktem Kontakt zu dem ersten Halbleiterbereich, insbesondere der ersten Halbleiterschicht.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers umfasst die erste Blockierschicht eine vierte Materialzusammensetzung und die erste Zwischenschicht eine fünfte Materialzusammensetzung.
  • Die vierte Materialzusammensetzung und die fünfte Materialzusammensetzung basieren beispielsweise auf AlxGa1-xP, wobei 0 ≤ x ≤ 1. Insbesondere basieren die vierte Materialzusammensetzung und die fünfte Materialzusammensetzung auf InxGayAl1-xP, wobei 0 ≤ x ≤ 1 und 0 ≤ y ≤ 1 ist.
  • Die erste Zwischenschicht weist beispielsweise eine Aluminiumkonzentration auf, die größer oder kleiner als eine Aluminiumkonzentration der Barriereschichten ist. Die erste Blockierschicht weist beispielsweise eine Aluminiumkonzentration auf, die größer oder kleiner als eine Aluminiumkonzentration des ersten Halbleiterbereichs, insbesondere der ersten Halbleiterschicht, ist.
  • Eine Bandlücke ist in Abhängigkeit von einer Aluminiumkonzentration vorgebbar. Beispielsweise ist eine Bandlücke der ersten Blockierschicht um höchstens 5 %, insbesondere um höchstens 10 % oder 30 %, kleiner oder größer als eine Bandlücke des ersten Halbleiterbereichs, insbesondere der ersten Halbleiterschicht. Beispielsweise ist eine Bandlücke der ersten Zwischenschicht um höchstens 5 %, insbesondere um höchstens 10 % oder 30 %, kleiner oder größer als eine Bandlücke der Barriereschichten.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers ist die vierte Materialzusammensetzung dieselbe wie die erste Materialzusammensetzung.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers ist die fünfte Materialzusammensetzung dieselbe wie die dritte Materialzusammensetzung.
  • Die erste Zwischenschicht weist beispielsweise eine Aluminiumkonzentration auf, die gleich einer Aluminiumkonzentration der Barriereschichten ist. Die erste Blockierschicht weist beispielsweise eine Aluminiumkonzentration auf, die gleich einer Aluminiumkonzentration des ersten Halbleiterbereichs, insbesondere der ersten Halbleiterschicht, ist.
  • Die erste Zwischenschicht weist beispielsweise eine Bandlücke auf, die gleich einer Bandlücke der Barriereschichten ist. Weiterhin weist die erste Blockierschicht eine Bandlücke auf, die beispielsweise gleich einer Bandlücke des ersten Halbleiterbereichs, insbesondere der ersten Halbleiterschicht, ist.
  • Beispielsweise weisen die Quantentopfschichten eine kleinere Aluminiumkonzentration auf als die Barriereschichten. Weiterhin weist die erste Blockierschicht beispielsweise eine größere Aluminiumkonzentration auf als eine Aluminiumkonzentration der Barriereschichten. Damit weist die erste Blockierschicht zum Beispiel eine höhere Aluminiumkonzentration auf als die erste Zwischenschicht.
  • Zwischen der ersten Blockierschicht, die im Vergleich zur ersten Zwischenschicht eine hohe Aluminiumkonzentration aufweist, und der ersten Zwischenschicht, die im Vergleich zur ersten Blockierschicht eine niedrige Aluminiumkonzentration aufweist, kann eine Defektdichte besonders groß ausgebildet sein. Insbesondere können zwischen der ersten Blockierschicht und der ersten Zwischenschicht besonders viele Gallium-Leerstellen angeordnet sein.
  • In mindestens einer Ausführungsform umfasst der strahlungsemittierende Halbleiterkörper einen Halbleiterbereich eines ersten Dotiertyps, der eine erste Materialzusammensetzung aufweist, einen zweiten Halbleiterbereich eines zweiten Dotiertyps, der eine zweite Materialzusammensetzung aufweist, einen aktiven Bereich, der zwischen dem ersten Halbleiterbereich und dem zweiten Halbleiterbereich angeordnet ist und einen ersten Zwischenbereich, der zwischen dem ersten Halbleiterbereich und dem aktiven Bereich angeordnet ist. Der aktive Bereich weist mehrere Quantentopfschichten und mehrere Barriereschichten auf, die alternierend übereinander angeordnet sind. Die Barriereschichten weisen eine dritte Materialzusammensetzung auf. Der erste Zwischenbereich umfasst mindestens eine erste Blockierschicht und mindestens eine erste Zwischenschicht. Die erste Blockierschicht umfasst eine vierte Materialzusammensetzung und die erste Zwischenschicht eine fünfte Materialzusammensetzung.
  • Eine Idee des hier beschriebenen strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers ist es unter anderem, den ersten Zwischenbereich auf dem aktiven Bereich anzuordnen. Der erste Zwischenbereich umfasst eine Schichtenfolge, die vorteilhafterweise dazu ausgebildet ist, eine Diffusion von Dotierstoffen in Richtung des aktiven Bereichs zu unterdrücken.
  • Zwischen der ersten Blockierschicht des Zwischenbereichs, die im Vergleich zu der ersten Zwischenschicht eine hohe Aluminiumkonzentration aufweist, und der ersten Zwischenschicht, die im Vergleich zu der ersten Blockierschicht eine niedrige Aluminiumkonzentration aufweist, kann eine Defektdichte größer als in dem ersten Halbleiterbereich und/oder in den Schichten des ersten Zwischenbereichs und dem aktiven Bereich sein. Insbesondere können zwischen der ersten Blockierschicht und der ersten Zwischenschicht mehr Gallium-Leerstellen angeordnet sein als in dem ersten Halbleiterbereich und/oder in den Schichten des ersten Zwischenbereichs und dem aktiven Bereich.
  • Der erste Halbleiterbereich umfasst beispielsweise den ersten Dotierstoff. Ohne den ersten Zwischenbereich könnte der erste Dotierstoff von dem ersten Halbleiterbereich bis zum aktiven Bereich diffundieren und so die Effizienz einer Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung im aktiven Bereich reduzieren. Im ersten Zwischenbereich, wo die erste Blockierschicht und die erste Zwischenschicht aneinander angrenzen, kann die Diffusion des ersten Dotierstoffes zum aktiven Bereich signifikant reduziert werden. Damit ist der aktive Bereich mit Vorteil frei von dem ersten Dotierstoff und die Erzeugung elektromagnetischer Strahlung im aktiven Bereich ist besonders effizient.
  • Im Unterschied zu einem Halbleiterkörper, bei dem lediglich eine undotierte Schicht zwischen einem ersten Halbleiterbereich und einem aktiven Bereich angeordnet ist, ist ein hier beschriebener erster Zwischenbereich, der eine Schichtenfolge umfasst, mit Vorteil besonders dünn ausgebildet. Beispielsweise ist ein derartiger erster Zwischenbereich um mindestens eine Größenordnung dünner als die undotierte Schicht. Damit ist der erste Halbleiterbereich weiterhin vorteilhafterweise besonders nahe an dem aktiven Bereich angeordnet. Mit Vorteil führt dies zu verbesserter Ladungsträgerinjektion in den aktiven Bereich und zu reduzierten Ladungsträgerverlusten.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers basieren alle Materialzusammensetzungen auf AlGaInP.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers ist ein zweiter Zwischenbereich zwischen dem zweiten Halbleiterbereich und dem aktiven Bereich angeordnet. Der zweite Zwischenbereich steht zum Beispiel mit dem aktiven Bereich und dem zweiten Halbleiterbereich, insbesondere der zweiten Halbleiterschicht, in direktem Kontakt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers umfasst der zweite Zwischenbereich mindestens eine zweite Blockierschicht und mindestens eine zweite Zwischenschicht. Die zweite Blockierschicht und die zweite Zwischenschicht sind beispielsweise in vertikaler Richtung übereinander gestapelt und stehen in direktem Kontakt miteinander. Die zweite Blockierschicht steht in direktem Kontakt mit dem aktiven Bereich. Weiterhin steht die zweite Zwischenschicht in direktem Kontakt zu dem zweiten Halbleiterbereich, insbesondere der zweiten Halbleiterschicht.
  • Beispielsweise umfasst der zweite Zwischenbereich mehrere zweite Blockierschichten und mehrere zweite Zwischenschichten, die alternierend übereinander angeordnet sind. Die zweiten Blockierschichten und die zweiten Zwischenschichten sind beispielsweise in vertikaler Richtung übereinander gestapelt. Direkt benachbarte zweite Blockierschichten und zweite Zwischenschichten stehen zum Beispiel in direktem Kontakt miteinander.
  • Eine Anzahl der zweiten Blockierschichten und der zweiten Zwischenschichten ist beispielsweise gleich. Eine äußere zweite Blockierschicht steht in direktem Kontakt mit dem aktiven Bereich und eine äußere zweite Zwischenschicht steht in direktem Kontakt zu dem zweiten Halbleiterbereich, insbesondere der zweiten Halbleiterschicht.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers umfasst die zweite Blockierschicht eine sechste Materialzusammensetzung und die zweite Zwischenschicht eine siebte Materialzusammensetzung.
  • Die sechste Materialzusammensetzung und die siebte Materialzusammensetzung basieren beispielsweise auf AlxGa1- xP, wobei 0 ≤ x ≤ 1. Insbesondere basieren die vierte Materialzusammensetzung und die siebte Materialzusammensetzung auf InxGayAl1-xP, wobei 0 ≤ x ≤ 1 und 0 ≤ y ≤ 1 ist.
  • Die zweite Zwischenschicht weist beispielsweise eine Aluminiumkonzentration auf, die größer oder kleiner als eine Aluminiumkonzentration der Barriereschichten ist. Die zweite Blockierschicht weist beispielsweise eine Aluminiumkonzentration auf, die größer oder kleiner als eine Aluminiumkonzentration des zweiten Halbleiterbereichs, insbesondere der zweiten Halbleiterschicht, ist.
  • Beispielsweise ist eine Bandlücke der zweiten Blockierschicht um höchstens 5 %, insbesondere um höchstens 10 % oder 30 %, kleiner oder größer als eine Bandlücke des zweiten Halbleiterbereichs, insbesondere der zweiten Halbleiterschicht. Beispielsweise ist eine Bandlücke der zweiten Zwischenschicht um höchstens 5 %, insbesondere um höchstens 10 % oder 30 %, kleiner oder größer als eine Bandlücke der Barriereschichten.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers ist die sechste Materialzusammensetzung dieselbe wie die zweite Materialzusammensetzung, und/oder die siebte Materialzusammensetzung dieselbe wie die dritte Materialzusammensetzung.
  • Die zweite Zwischenschicht weist beispielsweise eine Aluminiumkonzentration auf, die gleich einer Aluminiumkonzentration der Barriereschichten ist. Die zweite Blockierschicht weist beispielsweise eine Aluminiumkonzentration auf, die gleich einer Aluminiumkonzentration des zweiten Halbleiterbereichs, insbesondere der zweiten Halbleiterschicht, ist.
  • Die zweite Zwischenschicht weist beispielsweise eine Bandlücke auf, die gleich einer Bandlücke der Barriereschichten ist. Weiterhin weist die zweite Blockierschicht eine Bandlücke auf, die beispielsweise gleich einer Bandlücke des zweiten Halbleiterbereichs, insbesondere der zweiten Halbleiterschicht, ist.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers umfasst der erste Halbleiterbereich einen ersten Dotierstoff.
  • Beispielsweise diffundiert der erste Dotierstoff aus dem ersten Halbleiterbereich in Richtung des aktiven Bereichs. Durch den hier angegebenen ersten Zwischenbereich wird eine Diffusion des ersten Dotierstoffs vorteilhafterweise gehemmt.
  • Zum Beispiel weist der erste Zwischenbereich den ersten Dotierstoff auf. Eine Konzentration des ersten Dotierstoffs nimmt beispielsweise in Richtung des aktiven Bereichs in vertikaler Richtung ab. Die Konzentration des ersten Dotierstoffs im ersten Zwischenbereich nimmt beispielsweise überproportional stark in dem Bereich ab, wo die erste Zwischenschicht nachfolgend auf die erste Blockierschicht aufgebracht ist.
  • Der erste Zwischenbereich ist beispielsweise zumindest teilweise frei von dem ersten Dotierstoff. Mit Vorteil weist ein Bereich des ersten Zwischenbereichs, der direkt benachbart zum aktiven Bereich angeordnet ist, keinen ersten Dotierstoff auf. Das heißt, die Diffusion des ersten Dotierstoffs zum aktiven Bereich ist mit Vorteil unterbunden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers umfasst der zweite Halbleiterbereich einen zweiten Dotierstoff.
  • Beispielsweise diffundiert der zweite Dotierstoff aus dem zweiten Halbleiterbereich in Richtung des aktiven Bereichs. Durch den hier angegebenen zweiten Zwischenbereich wird eine Diffusion des zweiten Dotierstoffs vorteilhafterweise gehemmt.
  • Der zweite Zwischenbereich ist beispielsweise zumindest teilweise frei von dem zweiten Dotierstoff. Mit Vorteil weist ein Bereich des zweiten Zwischenbereichs, der direkt benachbart zum aktiven Bereich angeordnet ist, keinen zweiten Dotierstoff auf. Das heißt, die Diffusion des zweiten Dotierstoffs zum aktiven Bereich ist mit Vorteil unterbunden.
  • Insbesondere ist der aktive Bereich frei vom ersten Dotierstoff und/oder vom zweiten Dotierstoff.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers ist der erste Dotierstoff Mg und/oder Zn und der zweite Dotierstoff Te und/oder Si.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers ist der erste Dotierstoff Te und/oder Si und der zweite Dotierstoff Mg und/oder Zn.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers ist eine Dicke des ersten Zwischenbereichs höchstens 30 nm. Die Dicke erstreckt sich beispielsweise in vertikaler Richtung. Insbesondere ist die Dicke des ersten Zwischenbereichs höchstens 20 nm oder 10 nm.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers ist eine Dicke des zweiten Zwischenbereichs höchstens 30 nm. Die Dicke erstreckt sich beispielsweise in vertikaler Richtung. Insbesondere ist die Dicke des zweiten Zwischenbereichs höchstens 20 nm oder 10 nm.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers ist eine Dicke des ersten Zwischenbereichs höchstens 10 nm.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers ist eine Dicke des zweiten Zwischenbereichs höchstens 10 nm.
  • Durch eine derartige Dicke ist der erste Halbleiterbereich und/oder der zweite Halbleiterbereich besonders nahe an dem aktiven Bereich positioniert. Damit weist ein derartiger strahlungsemittierender Halbleiterkörper mit Vorteil besonders wenige Ladungsträgerverluste und eine effiziente Ladungsträgerinjektion in den aktiven Bereich auf.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers ist jeweils eine Dicke der Barriereschichten gleich einer Dicke der ersten Zwischenschicht.
  • Beispielsweise weisen die ersten Zwischenschicht und die erste Blockierschicht die gleiche Dicke auf.
  • Sind die erste Zwischenschicht und jede der Barriereschichten gleich dick, ist der erste Zwischenbereich mit Vorteil besonders einfach herstellbar, da der Zwischenbereich gleich wie die Barriereschichten hergestellt werden können.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers ist jeweils eine Dicke der Barriereschichten größer als eine Dicke der ersten Zwischenschicht.
  • Sind die Barriereschichten jeweils dicker ausgebildet als die erste Zwischenschicht, ist der erste Zwischenbereich besonders dünn ausgebildet, was vorteilhafterweise zu besonders guter Ladungsträgerinjektion und zu geringen Ladungsträgerverlusten führt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers ist jeweils eine Dicke der Barriereschichten gleich einer Dicke der zweiten Zwischenschicht.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers ist jeweils eine Dicke der Barriereschichten größer als eine Dicke der zweiten Zwischenschicht.
  • Alternativ ist jeweils eine Dicke der Barriereschichten kleiner als eine Dicke der ersten Zwischenschicht und/oder der zweiten Zwischenschicht. Damit ist eine Diffusion des ersten Dotierstoffs und/oder des zweiten Dotierstoffs mit Vorteil besonders gut gehemmt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers umfasst der erste Zwischenbereich mindestens zwei erste Blockierschichten und mindestens zwei erste Zwischenschichten, die alternierend übereinander angeordnet sind.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers umfasst der zweite Zwischenbereich mindestens zwei zweite Blockierschichten und mindestens zwei zweite Zwischenschichten, die alternierend übereinander angeordnet sind.
  • Es wird darüber hinaus eine Laserdiode angegeben, die einen hier beschriebenen strahlungsemittierenden Halbleiterkörper umfasst. Sämtliche in Verbindung mit dem strahlungsemittierenden Halbleiterkörper offenbarten Merkmale sind daher auch in Verbindung mit der Laserdiode offenbart und umgekehrt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die Laserdiode einen Resonator, der einen ersten Endbereich und einen zweiten Endbereich umfasst.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der aktive Bereich zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung ausgebildet. Beispielsweise erstreckt sich der strahlungsemittierende Halbleiterkörper in lateralen Richtungen zwischen einer ersten Stirnfläche des Halbleiterkörpers, die im ersten Endbereich angeordnet ist, und einer zweiten Stirnfläche des Halbleiterkörpers, die im zweiten Endbereich angeordnet ist.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterchips ist der aktive Bereich in dem Resonator angeordnet.
  • Beispielsweise ist die kantenemittierende Laserdiode dazu ausgebildet, elektromagnetische Laserstrahlung von einer Facette auszusenden, die im ersten Endbereich angeordnet ist oder im zweiten Endbereich angeordnet ist.
  • Beispielsweise ist die Facette in einer Ebene angeordnet, die sich im Wesentlichen in vertikaler Richtung erstreckt. Im Wesentlichen in vertikaler Richtung erstreckend bedeutet, dass die Ebene sich höchstens um 5°, insbesondere um höchstens 1°, zu der vertikalen Richtung geneigt ist.
  • Bei der elektromagnetischen Laserstrahlung handelt es sich insbesondere um monochromatisches und kohärentes Laserlicht. Die elektromagnetische Laserstrahlung ist zum Beispiel infrarote, IR, Strahlung, sichtbare Strahlung oder ultraviolette, UV, Strahlung.
  • Weiterhin wird eine lichtemittierende Diode angegeben, die einen hier beschriebenen strahlungsemittierenden Halbleiterkörper umfasst. Sämtliche in Verbindung mit dem strahlungsemittierenden Halbleiterkörper offenbarten Merkmale sind daher auch in Verbindung mit der lichtemittierenden Diode offenbart und umgekehrt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die lichtemittierende Diode eine erste Kontaktschicht und eine zweite Kontaktschicht. Die erste Kontaktschicht und die zweite Kontaktschicht sind dazu ausgebildet, den strahlungsemittierenden Halbleiterkörper zu bestromen.
  • Die erste Kontaktschicht und/oder die zweite Kontaktschicht umfasst ein elektrisch leitendes Material. Die erste Kontaktschicht und/oder die zweite Kontaktschicht umfasst beispielsweise ein Metall. Alternativ umfasst die erste Kontaktschicht und/oder die zweite Kontaktschicht ein transparentes leitendes Oxid (englisch: transparent conductive oxide, kurz TCO).
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der lichtemittierenden Diode ist die erste Kontaktschicht mit dem ersten Halbleiterbereich elektrisch leitend verbunden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform der lichtemittierenden Diode ist die zweite Kontaktschicht mit dem zweiten Halbleiterbereich elektrisch leitend verbunden.
  • Nachfolgend wird der strahlungsemittierende Halbleiterkörper unter Bezugnahme auf die Figuren anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert.
  • Es zeigen:
    • 1 eine schematische Schnittdarstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers gemäß einem Ausführungsbeispiel, und
    • 2, 3, 4, 5, 6 und 7 schematische Bandlücken-Diagramme eines strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers gemäß jeweils einem Ausführungsbeispiel.
  • Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder für eine bessere Verständlichkeit übertrieben groß dargestellt sein.
  • Der strahlungsemittierende Halbleiterkörper 1 gemäß dem Ausführungsbeispiel der 1 umfasst einen ersten Halbleiterbereich 2 und einen zweiten Halbleiterbereich 3. Zwischen dem ersten Halbleiterbereich 2 und dem zweiten Halbleiterbereich 3 sind ein aktiver Bereich 4 und ein erster Zwischenbereich 7 angeordnet.
  • Der aktive Bereich 4 ist auf dem zweiten Halbleiterbereich 3 angeordnet und der erste Zwischenbereich 7 ist auf dem aktiven Bereich 4 angeordnet.
  • Der zweite Halbleiterbereich 3, der aktive Bereich 4, der erste Zwischenbereich 7 und der erste Halbleiterbereich 2 sind in vertikaler Richtung übereinander gestapelt, insbesondere in der angegebenen Reihenfolge.
  • Beispielsweise sind der zweite Halbleiterbereich 3, der aktive Bereich 4, der erste Zwischenbereich 7 und der erste Halbleiterbereich 2 epitaktisch übereinander gewachsen. Die vertikale Richtung erstreckt sich parallel zu einer Wachstumsrichtung x des strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers 1.
  • Der aktive Bereich 4 umfasst zwei Quantentopfschichten 5 und drei Barriereschichten 6, die alternierend übereinander in vertikaler Richtung angeordnet sind. Weiterhin umfasst der erste Zwischenbereich 7 eine erste Blockierschicht 8 und eine erste Zwischenschicht 9, die ebenfalls übereinander in vertikaler Richtung angeordnet sind.
  • Die erste Blockierschicht 8 und der erste Halbleiterbereich 2 umfassen die erste Materialzusammensetzung. Die erste Zwischenschicht 9 und die Barriereschichten 6 umfassen die dritte Materialzusammensetzung.
  • Der erste Halbleiterbereich 2 umfasst zusätzlich einen ersten Dotierstoff. Das heißt, die erste Materialzusammensetzung ist mit dem ersten Dotierstoff versetzt. Beispielsweise ist der erste Dotierstoff Mg. Damit ist ein erster Dotiertyp des ersten Halbleiterbereichs 2 ein p-Typ. Weiterhin ist ein zweiter Dotiertyp des zweiten Halbleiterbereichs 3 ein n-Typ.
  • Weiterhin umfasst der erste Halbleiterbereich 2 eine erste Halbleiterschicht 13 des ersten Dotiertyps, die direkt an die erste Zwischenschicht 9 des ersten Zwischenbereichs 7 angrenzt. Der zweite Halbleiterbereich 3 umfasst eine zweite Halbleiterschicht 14 des zweiten Dotiertyps, die direkt an den aktiven Bereich 4 angrenzt.
  • In den Diagrammen gemäß den 2, 3 und 4 sind jeweils Energien von Bandlücken von Schichten des hier beschriebenen strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers 1 schematisch gezeigt. Die Energie der Bandlücke ist in willkürlichen Einheiten auf der y-Achse aufgetragen. Die x-Achse repräsentiert eine Dicke der Schichten in Wachstumsrichtung x, ebenfalls in willkürlichen Einheiten aufgetragen.
  • Der hier beschriebene strahlungsemittierende Halbleiterkörper 1 umfasst InxGayAl1-xP, wobei 0 ≤ x ≤ 1 und 0 ≤ y ≤ 1. Die Bandlücke des ersten Halbleiterbereichs 2, des zweiten Halbleiterbereichs 3, des aktiven Bereichs 4 und des ersten Zwischenbereichs 7 ist mittels einer Aluminiumkonzentration vorgebbar.
  • Das Diagramm gemäß der 2 ist repräsentativ für einen strahlungsemittierenden Halbleiterkörper 1, der einen ersten Zwischenbereich 7 umfasst, wobei der erste Zwischenbereich 7 zwei erste Blockierschichten 8 und zwei erste Zwischenschichten 9 umfasst. Weiterhin umfasst ein aktiver Bereich 4 des strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers 1 drei Quantentopfschichten und vier Barriereschichten 6. Wie in 1 ist der erste Zwischenbereich 7 zwischen dem ersten Halbleiterbereich 2 und dem aktiven Bereich 4 angeordnet. Der erste Halbleiterbereich 2 umfasst erste Dotierstoffe, wie beispielsweise Mg.
  • Die ersten Blockierschichten 8 weisen eine Aluminiumkonzentration auf, die gleich einer Aluminiumkonzentration des ersten Halbleiterbereichs 2 ist. Die ersten Zwischenschichten 9 weisen eine Aluminiumkonzentration auf, die gleich einer Aluminiumkonzentration der Barriereschichten 6 ist. Damit ist eine Bandlücke der ersten Blockierschichten 8 gleich einer Bandlücke des ersten Halbleiterbereichs 2. Weiterhin ist eine Bandlücke der ersten Zwischenschichten 9 gleich einer Bandlücke der Barriereschichten 6.
  • Beispielsweise wird beim epitaktischen Wachstum des ersten Zwischenbereichs 7 zunächst die erste der ersten Blockierschichten 8 gewachsen und nachfolgend die erste der ersten Zwischenschichten 9. Bei einem derartigen Wachstum weist ein Bereich zwischen den ersten Blockierschichten 8 und der ersten Zwischenschicht 9, der in den 2 und 3 mit gestrichelten Linien gekennzeichnet ist, die Eigenschaft auf, dass durch den ersten Zwischenbereich 7 diffundierende Atome des ersten Dotierstoffs, die sich vom ersten Halbleiterbereich 2 in Richtung aktiven Bereich 4 bewegen, in ihrer Weiterdiffusion behindert werden. Durch einen derartigen ersten Zwischenbereich 7 ist der aktive Bereich 4 mit Vorteil frei von ersten Dotierstoffen.
  • Das Diagramm gemäß der 3 ist repräsentativ für einen strahlungsemittierenden Halbleiterkörper 1, der einen ersten Zwischenbereich 7 umfasst, wobei der erste Zwischenbereich 7 drei erste Blockierschichten 8 und drei erste Zwischenschichten 9 umfasst. Damit können im Unterschied zu dem strahlungsemittierenden Halbleiterkörper 1 gemäß der 2 noch mehr diffundierende Atome des ersten Dotierstoffs durch die ausgebildeten Grenzflächen an einer Diffusion gehindert werden.
  • Das Diagramm gemäß der 4 ist repräsentativ für einen strahlungsemittierenden Halbleiterkörper 1, der zusätzlich zu dem ersten Zwischenbereich 7 einen zweiten Zwischenbereich 10 umfasst. Der zweite Zwischenbereich 10 ist zwischen einem zweiten Halbleiterbereich 3 und dem aktiven Bereich 4 angeordnet. Der zweite Zwischenbereich 10 umfasst zwei zweite Blockierschichten 11 und zwei zweite Zwischenschichten 12.
  • Der zweite Halbleiterbereich 3 umfasst zweite Dotierstoffe, wie beispielsweise Te. Zwischen direkt benachbarten zweiten Blockierschichten 11 und zweiten Zwischenschichten 12 sind beim epitaktischen Wachstum ebenfalls Grenzflächen gebildet.
  • Die durch den zweiten Zwischenbereich 10 diffundierenden Atome des zweiten Dotierstoffs, die vom zweiten Halbleiterbereich 3 zu dem aktiven Bereich 4 diffundieren, werden durch die Grenzfläche ebenfalls an einer Weiterdiffusion in Richtung des aktiven Bereichs 4 gehindert.
  • Durch einen derartigen ersten Zwischenbereich 7 ist der aktive Bereich 4 mit Vorteil frei von zweiten Dotierstoffen.
  • Im Unterschied zur 2 umfassen die ersten Blockierschichten 8 eine vierte Materialzusammensetzung und die ersten Zwischenschichten 9 eine fünfte Materialzusammensetzung.
  • Die vierte Materialzusammensetzung weist eine Aluminiumkonzentration auf, die kleiner ist als eine Aluminiumkonzentration der ersten Materialzusammensetzung. Das heißt, eine Bandlücke der ersten Blockierschichten 8 ist jeweils kleiner als eine Bandlücke des ersten Halbleiterbereichs. Beispielsweise ist die Bandlücke der ersten Blockierschichten 8 jeweils um höchstens 5 %, insbesondere um höchstens 10 % oder 30 %, kleiner als die Bandlücke des ersten Halbleiterbereichs, insbesondere der ersten Halbleiterschicht.
  • Die fünfte Materialzusammensetzung weist eine Aluminiumkonzentration auf, die größer ist als eine Aluminiumkonzentration der dritten Materialzusammensetzung. Das heißt, eine Bandlücke der ersten Zwischenschichten 9 ist jeweils größer als eine Bandlücke der Barriereschichten 6. Beispielsweise ist die Bandlücke der ersten Zwischenschichten 9 jeweils um höchstens 5 %, insbesondere um höchstens 10 % oder 30 %, größer als die Bandlücke der Barriereschichten 6.
  • Im Unterschied zur 5 weist die vierte Materialzusammensetzung gemäß der 6 eine Aluminiumkonzentration auf, die größer ist als eine Aluminiumkonzentration der ersten Materialzusammensetzung. Das heißt, eine Bandlücke der ersten Blockierschichten 8 ist jeweils größer als eine Bandlücke des ersten Halbleiterbereichs. Beispielsweise ist die Bandlücke der ersten Blockierschichten 8 jeweils um höchstens 5 %, insbesondere um höchstens 10 % oder 30 %, größer als die Bandlücke des ersten Halbleiterbereichs, insbesondere der ersten Halbleiterschicht.
  • Weiterhin weist die fünfte Materialzusammensetzung gemäß der 6 eine Aluminiumkonzentration auf, die kleiner ist als eine Aluminiumkonzentration der dritten Materialzusammensetzung. Das heißt, eine Bandlücke der ersten Zwischenschichten 9 ist jeweils kleiner als eine Bandlücke der Barriereschichten 6. Beispielsweise ist die Bandlücke der ersten Zwischenschichten 9 jeweils um höchstens 5 %, insbesondere um höchstens 10 % oder 30 %, kleiner als die Bandlücke der Barriereschichten 6.
  • Im Unterschied zur 4 umfassen die zweiten Blockierschichten 11 gemäß der 7 eine sechste Materialzusammensetzung und die zweiten Zwischenschichten 12 eine siebte Materialzusammensetzung.
  • Die sechste Materialzusammensetzung weist eine Aluminiumkonzentration auf, die wie in 4 gleich der zweiten Materialzusammensetzung ist.
  • Die siebte Materialzusammensetzung weist eine Aluminiumkonzentration auf, die kleiner ist als eine Aluminiumkonzentration der dritten Materialzusammensetzung. Das heißt, eine Bandlücke der zweiten Zwischenschichten 12 ist jeweils größer als eine Bandlücke der Barriereschichten 6. Beispielsweise ist die Bandlücke der zweiten Zwischenschichten 12 jeweils um höchstens 5 %, insbesondere um höchstens 10 % oder 30 %, größer als die Bandlücke der Barriereschichten 6.
  • Die in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Merkmale und Ausführungsbeispiele können gemäß weiteren Ausführungsbeispielen miteinander kombiniert werden, auch wenn nicht alle Kombinationen explizit beschrieben sind. Weiterhin können die in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsbeispiele alternativ oder zusätzlich weitere Merkmale gemäß der Beschreibung im allgemeinen Teil aufweisen.
  • Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    strahlungsemittierender Halbleiterkörper
    2
    erster Halbleiterbereich
    3
    zweiter Halbleiterbereich
    4
    aktiver Bereich
    5
    Quantentopfschicht
    6
    Barriereschicht
    7
    erster Zwischenbereich
    8
    erste Blockierschicht
    9
    erste Zwischenschicht
    10
    zweiter Zwischenbereich
    11
    zweite Blockierschicht
    12
    zweite Zwischenschicht
    13
    erste Halbleiterschicht
    14
    zweite Halbleiterschicht

Claims (17)

  1. Strahlungsemittierender Halbleiterkörper (1) mit - einem ersten Halbleiterbereich (2) eines ersten Dotiertyps, der eine erste Materialzusammensetzung aufweist, - einem zweiten Halbleiterbereich (3) eines zweiten Dotiertyps, der eine zweite Materialzusammensetzung aufweist, - einem aktiven Bereich (4), der zwischen dem ersten Halbleiterbereich (2) und dem zweiten Halbleiterbereich (3) angeordnet ist, und - einem ersten Zwischenbereich (7), der zwischen dem ersten Halbleiterbereich (2) und dem aktiven Bereich (4) angeordnet ist, wobei - der aktive Bereich (4) mehrere Quantentopfschichten (5) und mehrere Barriereschichten (6) aufweist, die alternierend übereinander angeordnet sind, - die Barriereschichten (6) eine dritte Materialzusammensetzung aufweisen, - der erste Zwischenbereich (7) mindestens eine erste Blockierschicht (8) und mindestens eine erste Zwischenschicht (9) umfasst, und - die erste Blockierschicht (8) eine vierte Materialzusammensetzung umfasst und die erste Zwischenschicht (9) eine fünfte Materialzusammensetzung umfasst.
  2. Strahlungsemittierender Halbleiterkörper (1) gemäß Anspruch 1, bei dem die vierte Materialzusammensetzung dieselbe ist wie die erste Materialzusammensetzung.
  3. Strahlungsemittierender Halbleiterkörper (1) gemäß einem der Ansprüche 1 oder 2, bei dem die fünfte Materialzusammensetzung dieselbe ist wie die dritte Materialzusammensetzung.
  4. Strahlungsemittierender Halbleiterkörper (1) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem alle Materialzusammensetzungen auf AlGaInP basieren.
  5. Strahlungsemittierender Halbleiterkörper (1) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, mit - einem zweiten Zwischenbereich (10), der zwischen dem zweiten Halbleiterbereich (3) und dem aktiven Bereich (4) angeordnet ist, wobei - der zweite Zwischenbereich (10) mindestens eine zweite Blockierschicht (11) und mindestens eine zweite Zwischenschicht (12) umfasst, und - die zweite Blockierschicht (11) eine sechste Materialzusammensetzung umfasst und die zweite Zwischenschicht (12) eine siebte Materialzusammensetzung umfasst.
  6. Strahlungsemittierender Halbleiterkörper (1) gemäß Anspruch 5, bei dem - die sechste Materialzusammensetzung dieselbe ist wie die zweite Materialzusammensetzung, und/oder - die siebte Materialzusammensetzung dieselbe ist wie die dritte Materialzusammensetzung.
  7. Strahlungsemittierender Halbleiterkörper (1) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem - der erste Halbleiterbereich (2) einen ersten Dotierstoff umfasst, und - der zweite Halbleiterbereich (3) einen zweiten Dotierstoff umfasst.
  8. Strahlungsemittierender Halbleiterkörper (1) gemäß Anspruch 7, bei dem - der erste Dotierstoff Mg und/oder Zn und der zweite Dotierstoff Te und/oder Si ist, oder - der erste Dotierstoff Te und/oder Si und der zweite Dotierstoff Mg und/oder Zn ist.
  9. Strahlungsemittierender Halbleiterkörper (1) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, bei dem eine Dicke des ersten Zwischenbereichs (7) höchstens 30 nm ist.
  10. Strahlungsemittierender Halbleiterkörper (1) gemäß einem der Ansprüche 5 bis 9, bei dem eine Dicke des zweiten Zwischenbereichs (10) höchstens 30 nm ist.
  11. Strahlungsemittierender Halbleiterkörper (1) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10, bei dem eine Dicke des ersten Zwischenbereichs (7) höchstens 10 nm ist.
  12. Strahlungsemittierender Halbleiterkörper (1) gemäß einem der Ansprüche 5 bis 11, bei dem eine Dicke des zweiten Zwischenbereichs (10) höchstens 10 nm ist.
  13. Strahlungsemittierender Halbleiterkörper (1) gemäß einem der Ansprüche 5 bis 12, bei dem jeweils eine Dicke der Barriereschichten (6) größer als eine Dicke der zweiten Zwischenschicht (12) ist.
  14. Strahlungsemittierender Halbleiterkörper (1) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 13, bei dem der erste Zwischenbereich (7) mindestens zwei erste Blockierschichten (8) und mindestens zwei erste Zwischenschichten (9) umfasst, die alternierend übereinander angeordnet sind.
  15. Strahlungsemittierender Halbleiterkörper (1) gemäß einem der Ansprüche 5 bis 14, bei dem der zweite Zwischenbereich (10) mindestens zwei zweite Blockierschichten (11) und mindestens zwei zweite Zwischenschichten (12) umfasst, die alternierend übereinander angeordnet sind.
  16. Laserdiode, mit, - einem strahlungsemittierenden Halbleiterkörper (1) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 15, und - einem Resonator, der einen ersten Endbereich und einen zweiten Endbereich umfasst, wobei - der aktive Bereich (4) zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung ausgebildet ist, und - der aktive Bereich (4) in dem Resonator ausgebildet ist.
  17. Lichtemittierende Diode, mit - einem strahlungsemittierenden Halbleiterkörper (1) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 15, - einer ersten Kontaktschicht, und - einer zweiten Kontaktschicht, wobei - die erste Kontaktschicht mit dem ersten Halbleiterbereich (2) elektrisch leitend verbunden ist, und - die zweite Kontaktschicht mit dem zweiten Halbleiterbereich (3) elektrisch leitend verbunden ist.
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