DE102020213837A1 - Facet mirror device - Google Patents

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Michael Carl
Toralf Gruner
Alexander Wolf
Markus Schwab
Joachim Hartjes
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Carl Zeiss SMT GmbH
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Abstract

Eine Facettenspiegel-Vorrichtung (20, 22) dient zur Reflexion von zu unterdrückendem Licht (26) einer Unterdrückungs-Wellenlänge. Eine Vielzahl von Einzelspiegeln (25) sind in oder benachbart zu einer Anordnungs-Hauptebene (27) angeordnet. Eine Anordnung der Einzelspiegel (25) hat einen Spiegel-Versatz (Δz) der Einzelspiegel (25) zur Anordnungs-Hauptebene (27), der periodisch längs einer Periodenrichtung (y) ist. Eine Nutzlicht-Einfallsebene (yz) der Facettenspiegel-Vorrichtung (20, 22) ist von der Periodenrichtung (y) und einer Normalen (z) auf die Anordnungs-Hauptebene (27) aufgespannt. Der Spiegel-Versatz (Δz) der Einzelspiegel (25) zur Anordnungs-Hauptebene (27) ist derart, dass das zu unterdrückende Licht (26), das von der Anordnung der Einzelspiegel (25) reflektiert wird, in einer nullten Beugungsordnung unterdrückt wird. Es resultiert eine effektive Unterdrückung des zu unterdrückenden Lichts durch die Facettenspiegel-Vorrichtung.A facet mirror device (20, 22) is used to reflect light (26) of a suppression wavelength to be suppressed. A multiplicity of individual mirrors (25) are arranged in or adjacent to a main arrangement plane (27). An arrangement of the individual mirrors (25) has a mirror offset (Δz) of the individual mirrors (25) to the arrangement main plane (27), which is periodic along a period direction (y). A useful light incidence plane (yz) of the facet mirror device (20, 22) is spanned by the period direction (y) and a normal (z) on the main arrangement plane (27). The mirror offset (Δz) of the individual mirrors (25) to the main plane of the arrangement (27) is such that the light (26) to be suppressed, which is reflected by the arrangement of the individual mirrors (25), is suppressed in a zero diffraction order. The result is an effective suppression of the light to be suppressed by the facet mirror device.

Description

Die Erfindung betrifft eine Facettenspiegel-Vorrichtung. Eine derartige Facettenspiegel-Vorrichtung kann in einer Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithographie zum Einsatz kommen.The invention relates to a facet mirror device. Such a facet mirror device can be used in a projection exposure system for projection lithography.

Aus der WO 2009/100 856 A1 ist eine Facettenspiegel-Vorrichtung zum Einsatz in einer Projektionsbelichtungsanlage bekannt. Die WO 2013/174 644 A1 und die DE 10 2017 217 867 A1 offenbaren jeweils einen Facettenspiegel für eine Projektionsbelichtungsanlage.From the WO 2009/100 856 A1 a facet mirror device for use in a projection exposure system is known. the WO 2013/174 644 A1 and the DE 10 2017 217 867 A1 each disclose a facet mirror for a projection exposure system.

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Facettenspiegel-Vorrichtung so zu gestalten, dass hierüber eine effektive Unterdrückung von zu unterdrückendem Licht einer Unterdrückungs-Wellenlänge gewährleistet ist.It is an object of the present invention to design a facet mirror device in such a way that effective suppression of light of a suppression wavelength to be suppressed is ensured.

Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch eine Facettenspiegel-Vorrichtung mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen.This object is achieved according to the invention by a facet mirror device with the features specified in claim 1.

Erfindungsgemäß wurde erkannt, dass über einen Versatz von Einzelspiegeln der Facettenspiegel-Vorrichtung senkrecht zu einer Anordnungs-Hauptebene der Einzelspiegel ein Gitter erzeugt werden kann, welches eine destruktive Interferenz für das reflektierte zu unterdrückende Licht der Unterdrückungs-Wellenlänge herbeiführt. Überraschenderweise ergibt sich dieser Gittereffekt auch noch dann, wenn die Einzelspiegel um Achsen, die parallel zur Anordnungs-Hauptebene liegen, verkippt sind, um eine entsprechende Führung von Subbündeln eines Gesamtbündels von Nutz-Beleuchtungslicht zu gewährleisten. Die so erreichte Unterdrückung des zu unterdrückenden Lichts kann im Vergleich zur Reflexion an einer Facettenspiegel-Vorrichtung ohne gezielt gegeneinander senkrecht zur Anordnungs-Hauptebene versetzte Einzelspiegel um mehr als eine Größenordnung und sogar um zwei Größenordnungen verbessert sein. Bei dem zu unterdrückendem Licht kann es sich um Licht einer IR-Wellenlänge handeln. Die Unterdrückungs-Wellenlänge, auf die der Versatz der benachbarten Spiegelreihen abgestimmt ist, kann ein Wellenlängen-Schwerpunkt einer zu unterdrückenden Wellenlängen-Bandbreite sein.According to the invention, it was recognized that a grating can be generated by offsetting individual mirrors of the facet mirror device perpendicular to a main plane of arrangement of the individual mirrors, which causes destructive interference for the reflected light of the suppression wavelength to be suppressed. Surprisingly, this grating effect also results when the individual mirrors are tilted about axes that are parallel to the main plane of the arrangement in order to ensure appropriate guidance of sub-bundles of an overall bundle of useful illuminating light. The suppression of the light to be suppressed achieved in this way can be improved by more than one order of magnitude and even by two orders of magnitude compared to the reflection on a facet mirror device without individual mirrors deliberately offset from one another perpendicular to the main plane of the arrangement. The light to be suppressed can be light of an IR wavelength. The suppression wavelength, to which the offset of the adjacent rows of mirrors is matched, can be a wavelength focal point of a wavelength bandwidth to be suppressed.

Die Facettenspiegel-Vorrichtung ist zur Reflexion von Nutzlicht ausgelegt. Bei dem Nutzlicht kann es sich um EUV-Licht in einem Wellenlängenbereich zwischen 5 nm und 30 nm handeln.The facet mirror device is designed to reflect useful light. The useful light can be EUV light in a wavelength range between 5 nm and 30 nm.

Ein Spiegel-Versatz kann so sein, dass das zu unterdrückende Licht, welches an benachbarten Einzelspiegeln, die gegeneinander versetzt sind, reflektiert wird, eine optische Weglängendifferenz von einer halben Unterdrückungs-Wellenlänge erfährt.A mirror offset can be such that the light to be suppressed, which is reflected at adjacent individual mirrors that are offset from one another, experiences an optical path length difference of half a suppression wavelength.

Die Einzelspiegel-Anordnung kann von einer Periodizität des Spiegel-Versatzes unabhängig sein. Die Einzelspiegel-Anordnung kann nach Art eines Zeilen-/Spalten-Arrays, kann aber auch beispielsweise mit anderer Symmetrie, beispielsweise als hexagonale Anordnung, oder auch ohne Symmetrie gestaltet sei.The individual mirror arrangement can be independent of a periodicity of the mirror offset. The individual mirror arrangement can be designed in the manner of a row / column array, but can also be designed, for example, with a different symmetry, for example as a hexagonal arrangement, or also without symmetry.

Eine Unterdrückung des zu untersuchenden Lichts kann jedenfalls zum Teil dadurch erfolgen, dass das zu unterdrückende Licht aus einer Zielrichtung für das zu reflektierende Nutzlicht herausgebeugt wird. Eine Periodenlänge des Spiegel-Versatzes der Einzelspiegel-Anordnung kann so gewählt sein, dass gemäß der Gittergleichung gebeugte Strahlen des zu unterdrückenden Lichts der Unterdrückungs-Wellenlänge beispielsweise außerhalb eines Nutz-Strahlengangs herausgebeugt werden, so dass diese herausgebeugten Strahlen dann insbesondere einem Beam Dump zugeführt werden können oder in anderer Weise, beispielsweise über Blenden, vom Nutz-Strahlengang separiert werden können. Diese Periode des Spiegel-Versatzes kann dementsprechend unterhalb eines Grenzwertes einer Periodenlänge ausgewählt werden.The light to be examined can in any case be partially suppressed in that the light to be suppressed is diffracted out of a target direction for the useful light to be reflected. A period length of the mirror offset of the individual mirror arrangement can be selected so that, according to the grating equation, diffracted rays of the light of the suppression wavelength to be suppressed are diffracted outside a useful beam path, for example, so that these diffracted rays are then fed to a beam dump in particular can or can be separated from the useful beam path in some other way, for example by means of diaphragms. This period of the mirror offset can accordingly be selected below a limit value of a period length.

Das zu unterdrückende Licht kann genau eine Unterdrückungs-Wellenlänge aufweisen, kann eine Bandbreite an zu unterdrückenden Unterdrückungs-Wellenlängen aufweisen oder kann auch eine Mehrzahl spezifischer Unterdrückungs-Wellenlängen aufweisen.The light to be suppressed can have precisely one suppression wavelength, can have a bandwidth of suppression wavelengths to be suppressed or can also have a plurality of specific suppression wavelengths.

Ein Spiegel-Versatz der Einzelspiegel zur Anordnungs-Hauptebene nach Anspruch 2 ist als Versatz zumindest einiger Einzelspiegel benachbarter Spiegelreihen zueinander gestaltet.A mirror offset of the individual mirrors to the main plane of the arrangement according to claim 2 is designed as an offset of at least some individual mirrors of adjacent rows of mirrors to one another.

Aufgrund des Versatzes benachbarter Spiegelreihen zueinander kann die Facettenspiegel-Vorrichtung als Liniengitter ausgeführt sein, wobei jede Linie durch eine Spiegelreihe gebildet wird. Alternativ zu einem Versatz von Einzelspiegel benachbarter Spiegelreihen zueinander ist es möglich, den Spiegel-Versatz periodisch längs der Periodenrichtung so auszuführen, dass die Periodenrichtung nicht parallel oder senkrecht zu einer Spaltenbeziehungsweise Reihenrichtung einer Anordnung der Einzelspiegel verläuft. Der längs der Periodenrichtung periodische Spiegel-Versatz wird dabei so ausgeführt, dass sich die erwünschte Beugungs-Unterdrückungswirkung aufgrund des periodischen Spiegel-Versatzes ergibt.Due to the offset of adjacent rows of mirrors with respect to one another, the facet mirror device can be designed as a line grating, each line being formed by a row of mirrors. As an alternative to an offset of individual mirrors of adjacent mirror rows to one another, it is possible to carry out the mirror offset periodically along the period direction so that the period direction does not run parallel or perpendicular to a column or row direction of an arrangement of the individual mirrors. The mirror offset, which is periodic along the period direction, is carried out in such a way that the desired diffraction suppression effect is obtained due to the periodic mirror offset.

Der Spiegel-Versatz der Einzelspiegel zueinander kann so gestaltet sein, dass sich eine Anordnung der Einzelspiegel mit jeweils gleichem Versatz beispielsweise nach Art eines Schachbretts ergibt.The mirror offset of the individual mirrors with respect to one another can be designed in such a way that the individual mirrors are arranged with the same offset in each case, for example in the manner of a chessboard.

Eine Periodizität des Spiegel-Versatzes in Form eines mehrstufigen Gitters ist ebenfalls eine mögliche Gestaltung.A periodicity of the mirror offset in the form of a multi-level grating is also a possible design.

Eine Anordnung der Facettenspiegel-Vorrichtung nach Anspruch 3 kann nach Art eines Schachbretts sein, wobei weiße Felder Einzelspiegeln mit einer ersten Höhe senkrecht zur Anordnungs-Hauptebene und schwarze Felder Einzelspiegeln mit einer zweiten, hierzu versetzten Höhe senkrecht zur Anordnungs-Hauptebene entsprechen. Es ergibt sich dann eine Unterdrückung von zu unterdrückendem Licht durch destruktive Interferenz, welches unter einer Einfallsebene einfällt, die Beiträge sowohl längs der Reihenrichtung als auch längs der Reihen-Anordnungsrichtung aufweist.An arrangement of the facet mirror device according to claim 3 can be like a chessboard, with white fields corresponding to individual mirrors with a first height perpendicular to the main arrangement plane and black fields corresponding to individual mirrors with a second offset height perpendicular to the main arrangement plane. This then results in a suppression of light to be suppressed by destructive interference which is incident under a plane of incidence which has contributions both along the row direction and along the row arrangement direction.

Eine Facetten-Anordnung nach Anspruch 4 weist, was den Versatz der Einzelspiegel senkrecht zur Anordnungs-Hauptebene angeht, eine Abfolge längs der Reihen-Anordnungsrichtung und/oder längs der Reihenrichtung „hoch/tief/hoch/tief‟ auf. Ein solches Gitter kann herstellungstechnische Vorteile bieten. Die Gitterperiode eines solchen Gitters kann um einen Faktor im Intervall [ ,   2 ]

Figure DE102020213837A1_0001
gegenüber einer Schachbrett-Anordnung erhöht sein. Ablenkungs- beziehungsweise Beugungswinkel sind dann gemäß der Gittergleichung um den gleichen Faktor erniedrigt.With regard to the offset of the individual mirrors perpendicular to the main plane of the arrangement, a facet arrangement according to claim 4 has a sequence along the row arrangement direction and / or along the row direction “high / low / high / low”. Such a grid can offer manufacturing advantages. The grating period of such a grating can be by a factor in the interval [ 1 , 2 ]
Figure DE102020213837A1_0001
be increased compared to a checkerboard arrangement. The deflection or diffraction angles are then reduced by the same factor according to the grating equation.

Bei einer Einzelspiegel-Anordnung nach Anspruch 5 kann ein Unterdrückungsgitter mit einer mehrstufigen Anordnung, insbesondere nach Art eines Treppengitters, gebildet werden.In the case of an individual mirror arrangement according to claim 5, a suppression grille with a multi-level arrangement, in particular in the manner of a stair gate, can be formed.

Bei einer Einzelspiegel-Anordnung nach Anspruch 6 liegen jeweils genau drei aufeinanderfolgende Treppenstufen vor. Ein solches Gitter kann herstellungstechnische Vorteile bieten.In the case of an individual mirror arrangement according to claim 6, there are exactly three successive steps. Such a grid can offer manufacturing advantages.

Die Vorteile der Facettenspiegel-Vorrichtung kommen beim Einsatz als Feldfacettenspiegel und/oder als Pupillenfacettenspiegel und/oder als spekularer Reflektor besonders gut zum Tragen.The advantages of the facet mirror device are particularly effective when used as a field facet mirror and / or as a pupil facet mirror and / or as a specular reflector.

Gestaltungen nach Anspruch 8 oder 9 haben sich für eine Massenherstellung der Facettenspiegel-Vorrichtung bewährt. Zudem ergibt sich aufgrund der Mikrospiegel-Dimensionierung eine gute Unterdrückungsleistung bei der destruktiven Interferenz, da gemäß der Gittergleichung Beugungs- beziehungsweise Ablenkwinkel für das zu unterdrückende Licht proportional zu einer inversen Spiegelgröße sind.Designs according to claim 8 or 9 have proven themselves for mass production of the facet mirror device. In addition, the micromirror dimensioning results in good suppression performance in the case of destructive interference, since, according to the grating equation, the diffraction or deflection angles for the light to be suppressed are proportional to an inverse mirror size.

Die Vorteile einer Beleuchtungsoptik nach Anspruch 10, eines optischen Systems nach Anspruch 11, eines optischen Systems mit einer EUV-Lichtquelle nach Anspruch 12, einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 13, eines Herstellungsverfahrens nach Anspruch 14 sowie eines mikro- beziehungsweise nanostrukturierten Bauelements nach Anspruch 15 entsprechen denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die Facettenspiegel-Vorrichtung bereits erläutert wurden.The advantages of an illumination optics according to claim 10, an optical system according to claim 11, an optical system with an EUV light source according to claim 12, a projection exposure system according to claim 13, a manufacturing method according to claim 14 and a micro- or nanostructured component according to claim 15 correspond to those which have already been explained above with reference to the facet mirror device.

Bei dem Bauteil beziehungsweise Bauelement kann es sich um einen Halbleiterchip, insbesondere um einen Speicherchip, handeln.The component or component can be a semiconductor chip, in particular a memory chip.

Nachfolgend wird anhand der Zeichnung mindestens ein Ausführungsbeispiel der Erfindung beschrieben. In der Zeichnung zeigen:

  • 1 schematisch im Meridionalschnitt eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektionslithografie;
  • 2 einen Abschnitt einer Ausführung eines Feldfacettenspiegels einer Beleuchtungsoptik der Projektionsbelichtungsanlage, aufgebaut aus einer Vielzahl von in einem Raster angeordneten und in Module unterteilten MEMS-Einzelspiegeln, wobei Randkonturen dreier Feldfacetten zusätzlich dargestellt sind, die durch entsprechende Gruppierung der MEMS-Einzelspiegel bei dieser Ausführung des Feldfacettenspiegels gebildet werden können und in ihrer Funktion monolithischen Feldfacettenspiegeln entsprechen;
  • 3 in einer zu 2 ähnlichen Darstellung einen Abschnitt einer Ausführung eines Pupillenfacettenspiegels, dessen Pupillenfacetten wiederum aus MEMS-Einzelspiegeln mit entsprechender Gruppierung gebildet sind, wobei Randkonturen von mehreren dieser durch Gruppierung entstehenden Pupillenfacetten beispielhaft dargestellt sind;
  • 4 eine Seitenansicht auf mehrere Spiegelreihen der MEMS-Einzelspiegel gemäß Blickrichtung IV in 2, wobei zusätzlich beispielhafte Einzelstrahlen von einfallendem zu unterdrückendem Licht einer Unterdrückungs-Wellenlänge, die jeweils auf einen der Einzelspiegel der jeweiligen Spiegelreihe treffen, dargestellt sind;
  • 5 eine Veranschaulichung einer destruktiven InterferenzWirkung für das zu unterdrückende Licht, welches auf zwei in einer Reihen-Anordnungsrichtung zueinander benachbarte Spiegelreihen trifft;
  • 6 in einer zu 4 ähnlichen Seitenansicht einen Profilquerschnitt einer Anordnungs-Einheitszelle einer weiteren Ausführung einer Anordnung von MEMS-Einzelspiegel-Reihen, wobei bei drei aufeinanderfolgenden Spiegelreihen in der Reihen-Anordnungsrichtung ein Vorzeichen eines Versatzes der benachbarten Spiegelreihen senkrecht zu einer Anordnungs-Hauptebene gleich bleibt;
  • 7 in einer zu den 2 und 3 ähnlichen Aufsicht eines der MEMS-Spiegelmodule, wobei Spiegelreihen, die gegeneinander senkrecht zur Anordnungs-Hauptebene versetzt angeordnet sind, hervorgehoben dargestellt sind;
  • 8 eine Aufsicht auf eine weitere Ausführung einer Anordnung von Einzelspiegeln eines Facettenspiegels, wobei jeweils ein Absolutwert eines Spiegel-Versatzes senkrecht zur Anordnungs-Hauptebene durch eine Schraffurgestaltung veranschaulicht ist, wobei gleichen Spiegel-Versatz aufweisende Einzelspiegel nach Art der weißen und schwarzen Felder eines Schachbretts verteilt angeordnet sind; und
  • 9 in einem Meridionalschnitt schematisch eine Beugungswirkung einer der Facettenspiegel-Ausführungen am Ort eines Feldfacettenspiegels einer Ausführung der Beleuchtungsoptik der Projektionsbelichtungsanlage, wobei die Beugungswirkung zur Unterdrückung des zu unterdrückenden Lichts genutzt wird.
At least one embodiment of the invention is described below with reference to the drawing. In the drawing show:
  • 1 schematically in meridional section a projection exposure system for EUV projection lithography;
  • 2 a section of an embodiment of a field facet mirror of an illumination optics of the projection exposure system, built up from a plurality of MEMS individual mirrors arranged in a grid and subdivided into modules, with edge contours of three field facets additionally shown, which are formed by corresponding grouping of the MEMS individual mirrors in this embodiment of the field facet mirror and correspond in their function to monolithic field facet mirrors;
  • 3 in one too 2 In a similar illustration, a section of an embodiment of a pupil facet mirror, the pupil facets of which are in turn formed from MEMS individual mirrors with a corresponding grouping, with edge contours of several of these pupil facets resulting from grouping being shown by way of example;
  • 4th a side view of several rows of mirrors of the MEMS individual mirrors according to viewing direction IV in FIG 2 , wherein additional exemplary individual beams of incident light to be suppressed of a suppression wavelength, which impinge on one of the individual mirrors of the respective mirror row, are shown;
  • 5 an illustration of a destructive interference effect for the light to be suppressed which strikes two mirror rows which are adjacent to one another in a row arrangement direction;
  • 6th in one too 4th Similar side view shows a profile cross section of an arrangement unit cell of a further embodiment of an arrangement of MEMS individual mirror rows, with three successive mirror rows in the row arrangement direction having a sign of an offset of the neighboring ones Rows of mirrors perpendicular to a main plane of the arrangement remain the same;
  • 7th in one to the 2 and 3 similar top view of one of the MEMS mirror modules, rows of mirrors which are offset from one another perpendicular to the main plane of the arrangement are shown highlighted;
  • 8th a plan view of a further embodiment of an arrangement of individual mirrors of a facet mirror, with an absolute value of a mirror offset perpendicular to the main plane of the arrangement being illustrated by hatching, with individual mirrors having the same mirror offset arranged in a distributed manner in the manner of the white and black fields of a chessboard are; and
  • 9 in a meridional section schematically a diffraction effect of one of the facet mirror designs at the location of a field facet mirror of an embodiment of the illumination optics of the projection exposure system, the diffraction effect being used to suppress the light to be suppressed.

Im Folgenden werden zunächst unter Bezugnahme auf die 1 exemplarisch die wesentlichen Bestandteile einer Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithographie beschrieben. Die Beschreibung des grundsätzlichen Aufbaus der Projektionsbelichtungsanlage 1 sowie deren Bestandteile sei hierbei nicht einschränkend verstanden.In the following, first with reference to the 1 exemplarily the essential components of a projection exposure system 1 for microlithography. The description of the basic structure of the projection exposure system 1 as well as their constituent parts are not to be understood as restrictive here.

Ein Beleuchtungssystem 2 der Projektionsbelichtungsanlage 1 hat neben einer Licht- bzw. Strahlungsquelle 3 eine Beleuchtungsoptik 4 zur Beleuchtung eines Objektfeldes 5 in einer Objektebene 6. Belichtet wird hierbei ein im Objektfeld 5 angeordnetes Retikel 7. Das Retikel 7 ist von einem Retikelhalter 8 gehalten. Der Retikelhalter 8 ist über einen Retikelverlagerungsantrieb 9 insbesondere in einer Scanrichtung verlagerbar.A lighting system 2 the projection exposure system 1 has next to a light or radiation source 3 an illumination optics 4th for illuminating an object field 5 in one object level 6th . In this case, a is exposed in the object field 5 arranged reticle 7th . The reticle 7th is from a reticle holder 8th held. The reticle holder 8th is via a reticle displacement drive 9 especially displaceable in a scanning direction.

In der 1 ist zur Erläuterung ein kartesisches xyz-Koordinatensystem eingezeichnet. Die x-Richtung verläuft senkrecht zur Zeichenebene hinein. Die y-Richtung verläuft horizontal und die z-Richtung verläuft vertikal. Die Scanrichtung verläuft in der 1 längs der y-Richtung. Die z-Richtung verläuft senkrecht zur Objektebene 6.In the 1 a Cartesian xyz coordinate system is drawn in for explanation. The x-direction runs perpendicular to the plane of the drawing. The y-direction is horizontal and the z-direction is vertical. The scanning direction is in the 1 along the y-direction. The z-direction runs perpendicular to the object plane 6th .

Die Projektionsbelichtungsanlage 1 umfasst eine Projektionsoptik 10. Die Projektionsoptik 10 dient zur Abbildung des Objektfeldes 5 in ein Bildfeld 11 in einer Bildebene 12. Die Bildebene 12 verläuft parallel zur Objektebene 6. Alternativ ist auch ein von 0° verschiedener Winkel zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12 möglich.The projection exposure system 1 includes projection optics 10 . The projection optics 10 serves to map the object field 5 in an image field 11 in one image plane 12th . The image plane 12th runs parallel to the object plane 6th . Alternatively, there is also an angle between the object plane other than 0 ° 6th and the image plane 12th possible.

Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel 7 auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 11 in der Bildebene 12 angeordneten Wafers 13. Der Wafer 13 wird von einem Waferhalter 14 gehalten. Der Waferhalter 14 ist über einen Waferverlagerungsantrieb 15 insbesondere längs der y-Richtung verlagerbar. Die Verlagerung einerseits des Retikels 7 über den Retikelverlagerungsantrieb 9 und andererseits des Wafers 13 über den Waferverlagerungsantrieb 15 kann synchronisiert zueinander erfolgen.A structure is imaged on the reticle 7th onto a light-sensitive layer in the area of the image field 11 in the image plane 12th arranged wafers 13th . The wafer 13th is held by a wafer holder 14th held. The wafer holder 14th is via a wafer displacement drive 15th in particular displaceable along the y-direction. The displacement of the reticle on the one hand 7th via the reticle displacement drive 9 and on the other hand the wafer 13th via the wafer displacement drive 15th can be synchronized with each other.

Bei der Strahlungsquelle 3 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle. Die Strahlungsquelle 3 emittiert insbesondere EUV-Strahlung 16, welche im Folgenden auch als Nutzstrahlung, Nutzlicht, Beleuchtungsstrahlung oder Beleuchtungslicht oder Beleuchtungsstrahlung bezeichnet wird. Die Nutzstrahlung hat insbesondere eine Wellenlänge im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Bei der Strahlungsquelle 3 kann es sich um eine Plasmaquelle handeln, zum Beispiel um eine LPP (Laser Produced Plasma, mithilfe eines Lasers erzeugtes Plasma)-Quelle oder um eine DPP (Gas Discharged Produced Plasma, mittels Gasentladung erzeugtes Plasma)-Quelle. Es kann sich auch um eine synchrotronbasierte Strahlungsquelle handeln. Bei der Strahlungsquelle 3 kann es sich um einen Freie-Elektronen-Laser (Free-Electron-Laser, FEL) handeln.At the radiation source 3 it is an EUV radiation source. The radiation source 3 emits EUV radiation in particular 16 , which is also referred to below as useful radiation, useful light, illuminating radiation or illuminating light or illuminating radiation. The useful radiation has, in particular, a wavelength in the range between 5 nm and 30 nm. In the case of the radiation source 3 it can be a plasma source, for example an LPP (Laser Produced Plasma) source or a DPP (Gas Discharged Produced Plasma) source. It can also be a synchrotron-based radiation source. At the radiation source 3 it can be a free electron laser (FEL).

Die Beleuchtungsstrahlung 16, die von der Strahlungsquelle 3 ausgeht, wird von einem Kollektor 17 gebündelt. Bei dem Kollektor 17 kann es sich um einen Kollektor mit einer oder mit mehreren ellipsoidalen und/oder hyperboloiden Reflexionsflächen handeln. Die mindestens eine Reflexionsfläche des Kollektors 17 kann im streifenden Einfall (Grazing Incidence, GI), also mit Einfallswinkeln größer als 45°, oder im normalen Einfall (Normal Incidence, NI), also mit Einfallwinkeln kleiner als 45°, mit der Beleuchtungsstrahlung 16 beaufschlagt werden. Der Kollektor 17 kann einerseits zur Optimierung seiner Reflektivität für die Nutzstrahlung und andererseits zur Unterdrückung von Falschlicht strukturiert und/oder beschichtet sein.The illuminating radiation 16 by the radiation source 3 emanates from a collector 17th bundled. At the collector 17th it can be a collector with one or more ellipsoidal and / or hyperboloid reflection surfaces. The at least one reflective surface of the collector 17th can in grazing incidence (GI), i.e. with angles of incidence greater than 45 °, or in normal incidence (normal incidence, NI), i.e. with angles of incidence less than 45 °, with the illuminating radiation 16 be applied. The collector 17th can be structured and / or coated on the one hand to optimize its reflectivity for the useful radiation and on the other hand to suppress false light.

Nach dem Kollektor 17 propagiert die Beleuchtungsstrahlung 16 durch einen Zwischenfokus in einer Zwischenfokusebene 18. Die Zwischenfokusebene 18 kann eine Trennung zwischen einem Strahlungsquellenmodul, aufweisend die Strahlungsquelle 3 und den Kollektor 17, und der Beleuchtungsoptik 4 darstellen.After the collector 17th propagates the illumination radiation 16 by an intermediate focus in an intermediate focus plane 18th . The intermediate focus plane 18th can be a separation between a radiation source module comprising the radiation source 3 and the collector 17th , and the lighting optics 4th represent.

Die Beleuchtungsoptik 4 umfasst einen Umlenkspiegel 19 und diesem im Strahlengang nachgeordnet einen ersten Facettenspiegel 20. Bei dem Umlenkspiegel 19 kann es sich um einen planen Umlenkspiegel oder alternativ um einen Spiegel mit einer über die reine Umlenkungswirkung hinaus bündelbeeinflussenden Wirkung handeln. Alternativ oder zusätzlich kann der Spiegel 19 als Spektralfilter ausgeführt sein, der eine Nutzlichtwellenlänge der Beleuchtungsstrahlung 16 von Falschlicht einer hiervon abweichenden Wellenlänge trennt. Sofern der erste Facettenspiegel 20 in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet ist, die zur Objektebene 6 als Feldebene optisch konjugiert ist, wird dieser auch als Feldfacettenspiegel bezeichnet. Der erste Facettenspiegel 20 umfasst eine Vielzahl von einzelnen ersten Facetten 21, welche im Folgenden auch als Feldfacetten bezeichnet werden. Von diesen Facetten 21 sind in der 1 nur beispielhaft einige dargestellt. Diese Facetten 21 sind als Gruppen von MEMS-Einzelspiegeln gestaltet, wie nachfolgend noch beschrieben wird.The lighting optics 4th includes a deflection mirror 19th and a first facet mirror arranged downstream of this in the beam path 20th . With the deflection mirror 19th it can be a planar deflecting mirror or, alternatively, a mirror with an effect that goes beyond the pure deflection effect act bundle influencing effect. Alternatively or in addition, the mirror can 19th be designed as a spectral filter, which is a useful light wavelength of the illuminating radiation 16 from stray light of a different wavelength. Unless the first facet mirror 20th in one plane of the lighting optics 4th is arranged to the object plane 6th is optically conjugated as a field plane, this is also referred to as a field facet mirror. The first facet mirror 20th comprises a multitude of individual first facets 21 , which are also referred to as field facets in the following. From these facets 21 are in the 1 only a few are shown as examples. These facets 21 are designed as groups of individual MEMS mirrors, as will be described below.

Die ersten Facetten 21, also die Gruppen der MEMS-Einzelspiegel, können als rechteckige Facetten oder als Facetten mit bogenförmiger oder teilkreisförmiger Randkontur ausgeführt sein. Die ersten Facetten 21 können als plane Facetten oder alternativ als konvex oder konkav gekrümmte Facetten ausgeführt sein.The first facets 21 , that is to say the groups of the MEMS individual mirrors, can be designed as rectangular facets or as facets with an arcuate or part-circular edge contour. The first facets 21 can be designed as plane facets or alternatively as convex or concave curved facets.

Wie beispielsweise aus der DE 10 2008 009 600 A1 bekannt ist, sind die ersten Facetten 21 jeweils aus einer Vielzahl von Einzelspiegeln, insbesondere einer Vielzahl von Mikrospiegeln, zusammengesetzt. Der erste Facettenspiegel 20 ist als mikroelektromechanisches System (MEMS-System) ausgebildet. Für Details wird auf die DE 10 2008 009 600 A1 verwiesen.For example, from the DE 10 2008 009 600 A1 known are the first facets 21 each composed of a large number of individual mirrors, in particular a large number of micromirrors. The first facet mirror 20th is designed as a microelectromechanical system (MEMS system). For details, refer to the DE 10 2008 009 600 A1 referenced.

Zwischen dem Kollektor 17 und dem Umlenkspiegel 19 verläuft die Beleuchtungsstrahlung 16 horizontal, also längs der y-Richtung.Between the collector 17th and the deflection mirror 19th the illumination radiation runs 16 horizontally, i.e. along the y-direction.

Im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 4 ist dem ersten Facettenspiegel 20 nachgeordnet ein zweiter Facettenspiegel 22. Sofern der zweite Facettenspiegel 22 in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet ist, wird dieser auch als Pupillenfacettenspiegel bezeichnet. Der zweite Facettenspiegel 22 kann auch beabstandet zu einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet sein. In diesem Fall kann die Kombination aus dem ersten Facettenspiegel 20 und dem zweiten Facettenspiegel 22 auch als spekularer Reflektor gestaltet sein. Spekulare Reflektoren sind bekannt aus der US 2006/0132747 A1 , der EP 1 614 008 B1 und der US 6,573,978 .In the beam path of the lighting optics 4th is the first facet mirror 20th downstream a second facet mirror 22nd . Unless the second facet mirror 22nd in a pupil plane of the illumination optics 4th is arranged, this is also referred to as a pupil facet mirror. The second facet mirror 22nd can also be spaced apart from a pupil plane of the illumination optics 4th be arranged. In this case, the combination of the first facet mirror can be used 20th and the second facet mirror 22nd also be designed as a specular reflector. Specular reflectors are known from US 2006/0132747 A1 , the EP 1 614 008 B1 and the U.S. 6,573,978 .

Der zweite Facettenspiegel 22 umfasst eine Mehrzahl von zweiten Facetten 23. Die zweiten Facetten 23 werden im Falle eines Pupillenfacettenspiegels auch als Pupillenfacetten bezeichnet.The second facet mirror 22nd comprises a plurality of second facets 23 . The second facets 23 are also referred to as pupil facets in the case of a pupil facet mirror.

Bei den zweiten Facetten 23 handelt es sich um Facetten, die beispielsweise rund, rechteckig oder auch hexagonal berandet sein können, und wiederum als Gruppen von MEMS-Einzelspiegeln gestaltet sind. Diesbezüglich wird ebenfalls auf die DE 10 2008 009 600 A1 verwiesen.With the second facets 23 it is facets that can be rounded, rectangular or hexagonal, for example, and are in turn designed as groups of individual MEMS mirrors. In this regard, reference is also made to the DE 10 2008 009 600 A1 referenced.

Die zweiten Facetten 23 können plane oder alternativ konvex oder konkav gekrümmte Reflexionsflächen aufweisen.The second facets 23 can have planar or alternatively convex or concavely curved reflection surfaces.

Die Beleuchtungsoptik 4 bildet somit ein doppelt facettiertes System. Dieses grundlegende Prinzip wird auch als Fliegenaugenintegrator (Fly's Eye Integrator) bzw. Wabenkondensor bezeichnet.The lighting optics 4th thus forms a double faceted system. This basic principle is also referred to as a fly's eye integrator or a honeycomb condenser.

Es kann vorteilhaft sein, den zweiten Facettenspiegel 22 nicht exakt in einer Ebene, welche zu einer Pupillenebene der Projektionsoptik 10 optisch konjugiert ist, anzuordnen. Insbesondere kann der Pupillenfacettenspiegel 22 gegenüber einer Pupillenebene der Projektionsoptik 7 verdreht angeordnet sein, wie es zum Beispiel in der DE 10 2017 220 586 A1 beschrieben ist.It can be advantageous to use the second facet mirror 22nd not exactly in a plane which corresponds to a pupil plane of the projection optics 10 is optically conjugated to be arranged. In particular, the pupil facet mirror 22nd with respect to a pupil plane of the projection optics 7th be arranged in a twisted manner, for example in the DE 10 2017 220 586 A1 is described.

Mit Hilfe des zweiten Facettenspiegels 22 werden die einzelnen ersten Facetten 21 in das Objektfeld 5 abgebildet. Der zweite Facettenspiegel 22 ist der letzte bündelformende oder auch tatsächlich der letzte Spiegel für die Beleuchtungsstrahlung 16 im Strahlengang vor dem Objektfeld 5.With the help of the second facet mirror 22nd become the individual first facets 21 in the object field 5 pictured. The second facet mirror 22nd is the last mirror that forms the beam or actually the last mirror for the illuminating radiation 16 in the beam path in front of the object field 5 .

Bei einer weiteren, nicht dargestellten Ausführung der Beleuchtungsoptik 4 kann im Strahlengang zwischen dem zweiten Facettenspiegel 22 und dem Objektfeld 5 eine Übertragungsoptik angeordnet sein, die insbesondere zur Abbildung der ersten Facetten 21 in das Objektfeld 5 beiträgt. Die Übertragungsoptik kann genau einen Spiegel, alternativ aber auch zwei oder mehr Spiegel aufweisen, welche hintereinander im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet sind. Die Übertragungsoptik kann insbesondere einen oder zwei Spiegel für senkrechten Einfall (NI-Spiegel, Normal Incidence Spiegel) und/oder einen oder zwei Spiegel für streifenden Einfall (GI-Spiegel, Gracing Incidence Spiegel) umfassen.In a further, not shown embodiment of the lighting optics 4th can in the beam path between the second facet mirror 22nd and the object field 5 a transmission optics can be arranged, in particular for imaging the first facets 21 in the object field 5 contributes. The transmission optics can have exactly one mirror, but alternatively also two or more mirrors, which are positioned one behind the other in the beam path of the illumination optics 4th are arranged. The transmission optics can in particular comprise one or two mirrors for perpendicular incidence (NI mirrors, normal incidence mirrors) and / or one or two mirrors for grazing incidence (GI mirrors, gracing incidence mirrors).

Die Beleuchtungsoptik 4 hat bei der Ausführung, die in der 1 gezeigt ist, nach dem Kollektor 17 genau drei Spiegel, nämlich den Umlenkspiegel 19, den Feldfacettenspiegel 20 und den Pupillenfacettenspiegel 22.The lighting optics 4th has when executing that in the 1 is shown after the collector 17th exactly three mirrors, namely the deflecting mirror 19th , the field facet mirror 20th and the pupil facet mirror 22nd .

Bei einer weiteren Ausführung der Beleuchtungsoptik 4 kann der Umlenkspiegel 19 auch entfallen, so dass die Beleuchtungsoptik 4 nach dem Kollektor 17 dann genau zwei Spiegel aufweisen kann, nämlich den ersten Facettenspiegel 20 und den zweiten Facettenspiegel 22.In another version of the lighting optics 4th can the deflection mirror 19th also omitted, so that the lighting optics 4th after the collector 17th can then have exactly two mirrors, namely the first facet mirror 20th and the second facet mirror 22nd .

Die Abbildung der ersten Facetten 21 mittels der zweiten Facetten 23 beziehungsweise mit den zweiten Facetten 23 und einer Übertragungsoptik in die Objektebene 6 ist regelmäßig nur eine näherungsweise Abbildung. The illustration of the first facets 21 by means of the second facet 23 or with the second facet 23 and transmission optics in the object plane 6th is regularly only an approximate figure.

Die Projektionsoptik 10 umfasst eine Mehrzahl von Spiegeln Mi, welche gemäß ihrer Anordnung im Strahlengang der Projektionsbelichtungsanlage 1 durchnummeriert sind.The projection optics 10 comprises a plurality of mirrors Mi, which according to their arrangement in the beam path of the projection exposure system 1 are numbered.

Bei dem in der 1 dargestellten Beispiel umfasst die Projektionsoptik 10 sechs Spiegel M1 bis M6. Alternativen mit vier, acht, zehn, zwölf oder einer anderen Anzahl an Spiegeln Mi sind ebenso möglich. Der vorletzte Spiegel M5 und der letzte Spiegel M6 haben jeweils eine Durchtrittsöffnung für die Beleuchtungsstrahlung 16. Bei der Projektionsoptik 10 handelt es sich um eine doppelt obskurierte Optik. Die Projektionsoptik 10 hat eine bildseitige numerische Apertur, die größer ist als 0,5 und die auch größer sein kann als 0,6 und die beispielsweise 0,7 oder 0,75 betragen kann.The one in the 1 The example shown includes the projection optics 10 six mirrors M1 until M6 . Alternatives with four, eight, ten, twelve or a different number of mirrors Mi are also possible. The penultimate mirror M5 and the last mirror M6 each have a passage opening for the illuminating radiation 16 . With the projection optics 10 it is a doubly obscure look. The projection optics 10 has an image-side numerical aperture which is greater than 0.5 and which can also be greater than 0.6 and which can be 0.7 or 0.75, for example.

Reflexionsflächen der Spiegel Mi können als Freiformflächen ohne Rotationssymmetrieachse ausgeführt sein. Alternativ können die Reflexionsflächen der Spiegel Mi als asphärische Flächen mit genau einer Rotationssymmetrieachse der Reflexionsflächenform gestaltet sein. Die Spiegel Mi können, genauso wie die Spiegel der Beleuchtungsoptik 4, hoch reflektierende Beschichtungen für die Beleuchtungsstrahlung 16 aufweisen. Diese Beschichtungen können als Multilayer-Beschichtungen, insbesondere mit alternierenden Lagen aus Molybdän und Silizium, gestaltet sein.Reflection surfaces of the mirrors Mi can be designed as freeform surfaces without an axis of rotational symmetry. Alternatively, the reflective surfaces of the mirrors Mi can be designed as aspherical surfaces with exactly one rotational symmetry axis of the reflective surface shape. The mirrors Mi can, just like the mirrors of the lighting optics 4th , highly reflective coatings for illuminating radiation 16 exhibit. These coatings can be designed as multilayer coatings, in particular with alternating layers of molybdenum and silicon.

Die Projektionsoptik 10 hat einen großen Objekt-Bildversatz in der y-Richtung zwischen einer y-Koordinate eines Zentrums des Objektfeldes 5 und einer y-Koordinate des Zentrums des Bildfeldes 11. Dieser Objekt-Bild-Versatz in der y-Richtung kann in etwa so groß sein wie ein z-Abstand zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12.The projection optics 10 has a large object image offset in the y direction between a y coordinate of a center of the object field 5 and a y-coordinate of the center of the image field 11 . This object-image offset in the y-direction can be approximately as large as a z-distance between the object plane 6th and the image plane 12th .

Die Projektionsoptik 10 kann insbesondere anamorphotisch ausgebildet sein. Sie weist insbesondere unterschiedliche Abbildungsmaßstäbe βx, βy in x- und y-Richtung auf. Die beiden Abbildungsmaßstäbe βx, βy der Projektionsoptik 10 liegen bevorzugt bei (βx, βy) = (+/- 0,25, /+- 0,125). Ein positiver Abbildungsmaßstab β bedeutet eine Abbildung ohne Bildumkehr. Ein negatives Vorzeichen für den Abbildungsmaßstab β bedeutet eine Abbildung mit Bildumkehr.The projection optics 10 can in particular be anamorphic. In particular, it has different imaging scales β x , β y in the x and y directions. The two imaging scales β x , β y of the projection optics 10 are preferably at (β x , β y ) = (+/- 0.25, / + - 0.125). A positive image scale β means an image without image reversal. A negative sign for the image scale β means an image with image reversal.

Die Projektionsoptik 10 führt somit in x-Richtung, das heißt in Richtung senkrecht zur Scanrichtung, zu einer Verkleinerung im Verhältnis 4:1.The projection optics 10 thus leads to a reduction in the ratio of 4: 1 in the x direction, that is to say in the direction perpendicular to the scanning direction.

Die Projektionsoptik 10 führt in y-Richtung, das heißt in Scanrichtung, zu einer Verkleinerung von 8:1.The projection optics 10 leads to a reduction of 8: 1 in the y-direction, i.e. in the scan direction.

Andere Abbildungsmaßstäbe sind ebenso möglich. Auch vorzeichengleiche und absolut gleiche Abbildungsmaßstäbe in x- und y-Richtung, zum Beispiel mit Absolutwerten von 0,125 oder von 0,25, sind möglich.Other image scales are also possible. Mapping scales with the same sign and absolutely the same in the x and y directions, for example with absolute values of 0.125 or 0.25, are also possible.

Die Anzahl von Zwischenbildebenen in der x- und in der y-Richtung im Strahlengang zwischen dem Objektfeld 5 und dem Bildfeld 11 kann gleich sein oder kann, je nach Ausführung der Projektionsoptik 10, unterschiedlich sein. Beispiele für Projektionsoptiken mit unterschiedlichen Anzahlen derartiger Zwischenbilder in x- und y-Richtung sind bekannt aus der US 2018/0074303 A1 .The number of intermediate image planes in the x and y directions in the beam path between the object field 5 and the field of view 11 can be the same or can, depending on the design of the projection optics 10 , be different. Examples of projection optics with different numbers of such intermediate images in the x and y directions are known from US 2018/0074303 A1 .

Jeweils eine der Pupillenfacetten 23 ist genau einer der Feldfacetten 21 zur Ausbildung jeweils eines Beleuchtungskanals zur Ausleuchtung des Objektfeldes 5 zugeordnet. Es kann sich hierdurch insbesondere eine Beleuchtung nach dem Köhlerschen Prinzip ergeben. Das Fernfeld wird mit Hilfe der Feldfacetten 21 in eine Vielzahl an Objektfeldern 5 zerlegt. Die Feldfacetten 21 erzeugen eine Mehrzahl von Bildern des Zwischenfokus auf den diesen jeweils zugeordneten Pupillenfacetten 23.One of the pupil facets each 23 is exactly one of the field facets 21 for the formation of an illumination channel for illuminating the object field 5 assigned. In particular, this can result in lighting according to the Koehler principle. The far field is created with the help of the field facets 21 in a variety of object fields 5 disassembled. The field facets 21 generate a plurality of images of the intermediate focus on the respective associated pupil facets 23 .

Die Feldfacetten 21 werden jeweils von einer zugeordneten Pupillenfacette 23 einander überlagernd zur Ausleuchtung des Objektfeldes 5 auf das Retikel 7 abgebildet. Die Ausleuchtung des Objektfeldes 5 ist insbesondere möglichst homogen. Sie weist vorzugsweise einen Uniformitätsfehler von weniger als 2 % auf. Die Felduniformität kann über die Überlagerung unterschiedlicher Beleuchtungskanäle erreicht werden.The field facets 21 are each of an assigned pupil facet 23 superimposed to illuminate the object field 5 on the reticle 7th pictured. The illumination of the object field 5 is in particular as homogeneous as possible. It preferably has a uniformity error of less than 2%. The field uniformity can be achieved by superimposing different lighting channels.

Durch eine Anordnung der Pupillenfacetten kann geometrisch die Ausleuchtung der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 definiert werden. Durch Auswahl der Beleuchtungskanäle, insbesondere der Teilmenge der Pupillenfacetten, die Licht führen, kann die Intensitätsverteilung in der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 eingestellt werden. Diese Intensitätsverteilung wird auch als Beleuchtungssetting oder Beleuchtungspupillenfüllung bezeichnet.An arrangement of the pupil facets can geometrically illuminate the entrance pupil of the projection optics 10 To be defined. By selecting the illumination channels, in particular the subset of the pupil facets that guide light, the intensity distribution in the entrance pupil of the projection optics can be achieved 10 can be set. This intensity distribution is also referred to as an illumination setting or illumination pupil filling.

Eine ebenfalls bevorzugte Pupillenuniformität im Bereich definiert ausgeleuchteter Abschnitte einer Beleuchtungspupille der Beleuchtungsoptik 4 kann durch eine Umverteilung der Beleuchtungskanäle erreicht werden.Another preferred pupil uniformity in the area of defined illuminated sections of an illumination pupil of the illumination optics 4th can be achieved by redistributing the lighting channels.

Im Folgenden werden weitere Aspekte und Details der Ausleuchtung des Objektfeldes 5 sowie insbesondere der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 beschrieben.Further aspects and details of the illumination of the object field are described below 5 and in particular the entrance pupil of the projection optics 10 described.

Die Projektionsoptik 10 kann insbesondere eine homozentrische Eintrittspupille aufweisen. Diese kann zugänglich sein. Sie kann auch unzugänglich sein.The projection optics 10 can in particular have a homocentric entrance pupil. This can be accessible. It can also be inaccessible.

Die Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 lässt sich regelmäßig mit dem Pupillenfacettenspiegel 22 nicht exakt ausleuchten. Bei einer Abbildung der Projektionsoptik 10, welche das Zentrum des Pupillenfacettenspiegels 22 telezentrisch auf den Wafer 13 abbildet, schneiden sich die Aperturstrahlen oftmals nicht in einem einzigen Punkt. Es lässt sich jedoch eine Fläche finden, in welcher der paarweise bestimmte Abstand der Aperturstrahlen minimal wird. Diese Fläche stellt die Eintrittspupille oder eine zu ihr konjugierte Fläche im Ortsraum dar. Insbesondere zeigt diese Fläche eine endliche Krümmung.The entrance pupil of the projection optics 10 can be checked regularly with the pupil facet mirror 22nd not illuminate exactly. In an illustration of the projection optics 10 which is the center of the pupil facet mirror 22nd telecentrically onto the wafer 13th images, the aperture rays often do not intersect in a single point. However, an area can be found in which the distance between the aperture rays, which is determined in pairs, is minimal. This surface represents the entrance pupil or a surface conjugate to it in spatial space. In particular, this surface shows a finite curvature.

Es kann sein, dass die Projektionsoptik 10 unterschiedliche Lagen der Eintrittspupille für den tangentialen und für den sagittalen Strahlengang aufweist. In diesem Fall sollte ein abbildendes Element, insbesondere ein optisches Bauelement der Übertragungsoptik, zwischen dem zweiten Facettenspiegel 22 und dem Retikel 7 bereitgestellt werden. Mit Hilfe dieses optischen Elements kann die unterschiedliche Lage der tangentialen Eintrittspupille und der sagittalen Eintrittspupille berücksichtigt werden.It may be that the projection optics 10 has different positions of the entrance pupil for the tangential and for the sagittal beam path. In this case, an imaging element, in particular an optical component of the transmission optics, should be between the second facet mirror 22nd and the reticle 7th to be provided. With the aid of this optical element, the different positions of the tangential entrance pupil and the sagittal entrance pupil can be taken into account.

Bei der in der 1 dargestellten Anordnung der Komponenten der Beleuchtungsoptik 4 ist der Pupillenfacettenspiegel 22 in einer zur Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 konjugierten Fläche angeordnet. Der Feldfacettenspiegel 20 ist verkippt zur Objektebene 6 angeordnet. Der erste Facettenspiegel 20 ist verkippt zu einer Anordnungsebene angeordnet, die vom Umlenkspiegel 19 definiert ist.In the case of the 1 illustrated arrangement of the components of the lighting optics 4th is the pupil facet mirror 22nd in one to the entrance pupil of the projection optics 10 conjugate surface arranged. The field facet mirror 20th is tilted to the object plane 6th arranged. The first facet mirror 20th is tilted to an arrangement plane arranged by the deflection mirror 19th is defined.

Der erste Facettenspiegel 20 ist verkippt zu einer Anordnungsebene angeordnet, die vom zweiten Facettenspiegel 22 definiert ist.The first facet mirror 20th is arranged tilted to an arrangement plane that of the second facet mirror 22nd is defined.

2 zeigt einen Abschnitt des Feldfacettenspiegels 20. Dieser dargestellte Abschnitt einer Facettenanordnung des Feldfacettenspiegels 20 ist unterteilt in insgesamt sechs gestrichelt dargestellte Einzelspiegel-Module 24. Jedes dieser Einzelspiegel-Module 24 umfasst ein 10x10-Raster aus Einzelspiegeln 25, die als MEMS-Einzelspiegel ausgeführt sind. Die Anzahl der Einzelspiegel 25 jedes Einzelspiegel-Moduls 24 kann auch größer sein. Die Einzelspiegel 25 können zum Beispiel auch in einem 25x25-Raster angeordnet sein. 2 shows a portion of the field facet mirror 20th . This illustrated section of a facet arrangement of the field facet mirror 20th is divided into a total of six individual mirror modules shown in dashed lines 24 . Each of these individual mirror modules 24 comprises a 10x10 grid of individual mirrors 25th , which are designed as MEMS single mirrors. The number of individual mirrors 25th each individual mirror module 24 can also be bigger. The single mirrors 25th can also be arranged in a 25x25 grid, for example.

Über den dargestellten Abschnitt des Feldfacettenspiegels 20 lassen sich, jedenfalls zum größten Teil, durch entsprechende Gruppierung und Zusammenschaltung der Einzelspiegel 25 der verschiedenen Einzelspiegel-Module 24 beispielsweise drei in der 2 durchgezogen dargestellte Feldfacetten 211 , 212 , 213 generieren, die auch als virtuelle Feldfacetten bezeichnet werden.Over the illustrated section of the field facet mirror 20th can be, at least for the most part, through appropriate grouping and interconnection of the individual mirrors 25th of the various individual mirror modules 24 for example three in the 2 Field facets shown in solid lines 21 1 , 21 2 , 21 3 generate, also known as virtual field facets.

3 zeigt in einer zu 2 ähnlichen Darstellung wiederum sechs Einzelspiegel-Module 24 des Pupillenfacettenspiegels 22. Wiederum werden durch Zuordnung und Zusammenschaltung gruppierter Einzelspiegel 25 der Einzelspiegel-Module 24 die Pupillenfacetten 23 generiert, die in der 3 durch eine hexagonale Belegung angeordnet sind. 3 shows in one too 2 In a similar illustration, there are six individual mirror modules 24 of the pupil facet mirror 22nd . In turn, individual mirrors are grouped by assignment and interconnection 25th the single mirror modules 24 the pupil facets 23 generated in the 3 are arranged by a hexagonal assignment.

Der Feldfacettenspiegel 20, unterteilt in die Einzelspiegel-Module 24, sowie der Pupillenfacettenspiegel 22, wiederum unterteilt in die Einzelspiegel-Module 24, ist jeweils ein Beispiel für eine Facettenspiegel-Vorrichtung. Diese Facettenspiegel-Vorrichtung 20, 22 reflektiert im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage 1 regelmäßig nicht nur das Nutzlicht 16, sondern auch zu unterdrückendes Licht 26 einer Unterdrückungs-Wellenlänge. In der 2 ist ein einfallender Strahl des zu unterdrückenden Lichts 26, welcher in einer y-z-Ebene einfällt, beispielhaft dargestellt. Bei dem zu unterdrückenden Licht 26 kann es sich beispielsweise um infrarotes Licht handeln, welches bei der Nutzlichterzeugung durch die Lichtquelle 3 zum Einsatz kommt. Die Unterdrückungs-Wellenlänge kann beispielsweise bei 10,6 µm oder bei 1,064 µm liegen. Auch andere Unterdrückungs-Wellenlängen im Bereich zwischen 193 nm und 10,6 µm und grundsätzlich auch noch größere Unterdrückungs-Wellenlängen sind möglich. Bei der Unterdrückungs-Wellenlänge kann es sich um den Wellenlängen-Schwerpunkt einer zu unterdrückenden Wellenlängen-Bandbreite des zu unterdrückenden Lichts handeln.The field facet mirror 20th , divided into the individual mirror modules 24 , as well as the pupil facet mirror 22nd , again subdivided into the individual mirror modules 24 , is an example of a facet mirror device. This facet mirror device 20th , 22nd reflected during operation of the projection exposure system 1 regularly not only the useful light 16 but also light to be suppressed 26th a suppression wavelength. In the 2 is an incident ray of the light to be suppressed 26th , which is incident in a yz plane, shown as an example. By the light to be suppressed 26th it can be, for example, infrared light, which is generated by the light source when useful light is generated 3 is used. The suppression wavelength can be, for example, 10.6 µm or 1.064 µm. Other suppression wavelengths in the range between 193 nm and 10.6 µm and, in principle, even larger suppression wavelengths are also possible. The suppression wavelength can be the wavelength center of gravity of a wavelength bandwidth to be suppressed of the light to be suppressed.

Die Einzelspiegel 25 sind in oder benachbart zu einer Anordnungs-Hauptebene 27 angeordnet. Diese Anordnungs-Hauptebene 27 fällt mit der Zeichenebene der 2 und 3 zusammen und verläuft parallel zur x-y-Ebene. Reflexionsflächen der Einzelspiegel 25 sind zur Führung von Subbündeln eines Gesamtbündels des Nutzlichts 16 in der Regel um zu der xy-Ebene parallele Kippachsen verkippt. Diese Verkippung der Reflexionsflächen der Einzelspiegel 25 spielt bei der nachfolgenden Erläuterung einer Beugungsunterdrückung des zu unterdrückenden Lichts 26 keine beziehungsweise lediglich eine untergeordnete Rolle.The single mirrors 25th are in or adjacent to a main level of arrangement 27 arranged. This main arrangement level 27 coincides with the plane of the drawing 2 and 3 together and runs parallel to the xy plane. Reflection surfaces of the individual mirrors 25th are for guiding sub-bundles of a total bundle of useful light 16 usually tilted about tilt axes parallel to the xy plane. This tilting of the reflection surfaces of the individual mirrors 25th plays in the following explanation of a diffraction suppression of the light to be suppressed 26th no or only a subordinate role.

Die Anordnung der Einzelspiegel 25 weist mehrere Spiegelreihen 28i auf. Aufgrund der 10x10-Anordnung hat jedes der Einzelspiegel-Module 24 zehn Spiegelreihen 28i. Die Spiegelreihen 28i verlaufen in einer parallel zur x-Richtung verlaufenden Reihenrichtung. Jede der Spiegelreihen 28i hat also mehrere nebeneinander in der Reihenrichtung x angeordnete Einzelspiegel 25. Innerhalb jedes Einzelspiegel-Moduls 24 sind in der jeweiligen Spiegelreihe 28i zehn Einzelspiegel 25 nebeneinander in der Reihenrichtung x angeordnet. Pro virtueller Feldfacette 21 liegen in der jeweiligen Spiegelreihe 28i z.B. dreißig in der Reihenrichtung x nebeneinander angeordnete Einzelspiegel 25 vor.The arrangement of the individual mirrors 25th has several rows of mirrors 28i on. Due to the 10x10 arrangement, each of the individual mirror modules has 24 ten rows of mirrors 28i . The rows of mirrors 28i run in a row direction running parallel to the x-direction. Each of the rows of mirrors 28i thus has several individual mirrors arranged next to one another in the row direction x 25th . Within each individual mirror module 24 are in the respective row of mirrors 28i ten individual mirrors 25th side by side in the Row direction x arranged. Per virtual field facet 21 lie in the respective row of mirrors 28i For example, thirty individual mirrors arranged next to one another in the row direction x 25th before.

Die Spiegelreihen 28i sind in einer Reihen-Anordnungsrichtung, die parallel zur y-Achse verläuft, also in der Anordnungs-Hauptebene 27 liegt und senkrecht auf der Reihen-Anordnungsrichtung x steht, reihenweise angeordnet. Einander längs der Reihen-Anordnungsrichtung y benachbarte Einzelspiegel 25 gehören also zu benachbarten Spiegelreihen 28i , 28i+i oder 28i , 28i-1 .The rows of mirrors 28i are in a row arrangement direction which runs parallel to the y-axis, i.e. in the main arrangement plane 27 and is perpendicular to the row arrangement direction x, arranged in rows. Individual mirrors adjacent to one another along the row arrangement direction y 25th therefore belong to adjacent rows of mirrors 28 i , 28 i + i or 28 i , 28 i-1 .

Die Facettenspiegel-Vorrichtung 20, 22 ist so angeordnet, dass die Nutzlicht-Einfallsebene y,z aufgespannt ist einerseits von der Reihen-Anordnungsrichtung y und andererseits von der Normalen z auf die Anordnungs-Hauptebene 27 (xy-Ebene).The facet mirror device 20th , 22nd is arranged in such a way that the plane of incidence of useful light y, z is spanned on the one hand by the row arrangement direction y and on the other hand by the normal z to the main plane of arrangement 27 (xy plane).

Die Einzelspiegel 25 benachbarter Spiegelreihen 28i , 28i+1 und insbesondere deren Reflexionsflächen sind, wie beispielsweise in der 4 veranschaulicht, senkrecht zur Anordnungs-Hauptebene 27 gegeneinander versetzt angeordnet. Dieser z-Versatz ist in der 4 mit Δz bezeichnet.The single mirrors 25th adjacent rows of mirrors 28 i , 28 i + 1 and in particular their reflective surfaces are, as for example in the 4th illustrated, perpendicular to the main plane of the arrangement 27 arranged offset from one another. This z-offset is in the 4th denoted by Δz.

4 zeigt zudem jeweils beispielhaft einen Strahl des zu unterdrückenden Lichts 26, der auf einen Einzelspiegel 25 jeweils einer der Spiegelreihen 28i , 28i+1 , 28i+2 , 28i+3 fällt. Ein Einfallswinkel sowie ein Ausfallswinkel des zu unterdrückenden Lichts 26 auf der Anordnung der Einzelspiegel 25 der Facettenspiegel-Vorrichtung 20, 22 ist in der 4 mit α bezeichnet. 4th also shows an example of a ray of the light to be suppressed 26th standing on a single mirror 25th one of the rows of mirrors 28 i , 28 i + 1 , 28 i + 2 , 28 i + 3 falls. An angle of incidence and an angle of emergence of the light to be suppressed 26th on the arrangement of the individual mirrors 25th the facet mirror device 20th , 22nd is in the 4th denoted by α.

Der z-Versatz der Einzelspiegel 25 benachbarter Spiegelreihen 28i , 28i+1 ist so groß, dass das zu unterdrückende Licht 26, das von den benachbarten Spiegelreihen 28i , 28i+1 reflektiert wird, eine optische Weglängendifferenz y von einer halben Unterdrückungs-Wellenlänge erfährt.The z-offset of the individual mirrors 25th adjacent rows of mirrors 28 i , 28 i + 1 is so great that the light to be suppressed 26th that of the neighboring rows of mirrors 28 i , 28 i + 1 is reflected, experiences an optical path length difference y of half a suppression wavelength.

5 verdeutlicht eine destruktive Interferenzwirkung für das einfallende zu unterdrückende Licht 26. In der 5 ist auch der Wellencharakter des zu unterdrückenden Lichts 26 veranschaulicht. Dargestellt ist schematisch eine Reflexion eines einfallenden Strahls des zu unterdrückenden Lichts, reflektiert an einer der Einzelspiegel 25, die in der 5 nach oben längs der z-Richtung versetzt ist (reflektierter Strahl 261 ) sowie ein reflektierter Strahl, der an einem Einzelspiegel 25 reflektiert ist, der in der 5 längs der z-Richtung nach unten versetzt ist (reflektierter Strahl 262 ). Eine optische Weglängendifferenz zwischen diesen beiden reflektierten Strahlen 261 , 262 beim späteren Auftreffen auf einer zu den Spiegeln 25 parallelen Ebene ist in der 5 mit Y bezeichnet. Der z-Versatz Δz kann so groß gewählt sein, dass gilt: Y = 2 Δ z/cos α = λ / 2

Figure DE102020213837A1_0002
wobei Δz den relativen z-Versatz der Reflexionsebenen und α den Einfallswinkel der Strahlen bezeichnet 5 illustrates a destructive interference effect for the incident light to be suppressed 26th . In the 5 is also the wave character of the light to be suppressed 26th illustrated. A reflection of an incident beam of the light to be suppressed, reflected on one of the individual mirrors, is shown schematically 25th that are in the 5 is offset upwards along the z-direction (reflected ray 26 1 ) as well as a reflected beam, which at a single mirror 25th is reflected in the 5 is offset downwards along the z-direction (reflected ray 26 2 ). An optical path length difference between these two reflected rays 26 1 , 26 2 when you later hit one of the mirrors 25th parallel plane is in the 5 denoted by Y. The z-offset Δz can be chosen so that the following applies: Y = 2 Δ z / cos α = λ / 2
Figure DE102020213837A1_0002
where Δz denotes the relative z-offset of the reflection planes and α denotes the angle of incidence of the rays

In diesem Fall ist λ die Unterdrückungs-Wellenlänge, bei der die zu den Strahlen gehörigen ebenen Wellen destruktiv interferieren. Diese Wellen sind in 5 symbolisch in p-Polarisation dargestellt. Bei der Reflexion tritt dabei jeweils ein Phasensprung von π auf, so dass sich die Tangentialkomponenten von ein- und ausgehendem Feld aufheben.In this case, λ is the suppression wavelength at which the plane waves belonging to the rays destructively interfere. These waves are in 5 shown symbolically in p-polarization. During the reflection, a phase jump of π occurs in each case, so that the tangential components of the incoming and outgoing field cancel each other out.

Je nach den Anforderungen an die Führung des Beleuchtungslichts 6 sind die Einzelspiegel 25 um Achsen, die parallel zur Anordnungs-Hauptebene 27 liegen, verkippt. Hierbei ändert sich nichts am mittleren Versatz Δz.Depending on the requirements for guiding the illuminating light 6th are the single mirrors 25th about axes that are parallel to the main plane of the arrangement 27 lying, tilted. Nothing changes in the mean offset Δz here.

Bei der Versatz-Gestaltung aufeinanderfolgender Spiegelreihen 28i nach 4 sind die Spiegelreihen 28i so alternierend senkrecht zur Anordnungs-Hauptebene 27 gegeneinander versetzt angeordnet, dass in der Reihen-Anordnungsrichtung y ein Vorzeichen des Versatzes Δz der benachbarten Spiegelreihen 28i , 28i+1 senkrecht zur Anordnungs-Hauptebene 27 jeweils abwechselt. Wie in der 4 dargestellt, alternieren die Spiegelreihen also hoch/tief/hoch/tief.In the offset design of successive rows of mirrors 28 i after 4th are the rows of mirrors 28i so alternately perpendicular to the main plane of the arrangement 27 arranged offset from one another, that in the row arrangement direction y there is a sign of the offset Δz of the adjacent mirror rows 28 i , 28 i + 1 perpendicular to the main plane of the arrangement 27 alternates each time. Like in the 4th shown, the rows of mirrors alternate high / low / high / low.

6 zeigt eine Variante einer Versatz-Abfolge benachbarter Spiegelreihen 281 bis 284 in einer grundsätzlich zur 4 ähnlichen Darstellung. Durch gestrichelte Linien begrenzt ist ein y-Ausschnitt einer Variante der Facettenspiegel-Vorrichtung 20, 22, der sich als in y-Richtung ständig fortsetzende Gitter-Einheitszelle verstanden werden kann. Dargestellt sind die vier Spiegelreihen 281 bis 284 innerhalb einer Gitter-Einheitszelle 29. Zur Veranschaulichung sind auch noch zwei Spiegelreihen 280 und 285 benachbarter Gitter-Einheitszellen 29 dargestellt. Die Spiegelreihen 281 bis 284 sind bei der Anordnung nach 6 so gegeneinander längs der z-Richtung versetzt angeordnet, dass bei einer Spiegelreihen-Gruppe 30 von jeweils drei aufeinanderfolgenden Spiegelreihen 282 , 283 , 284 in der Reihen-Anordnungsrichtung y das Vorzeichen des Versatzes Δz der benachbarten Spiegelreihen 282 , 283 , 284 senkrecht zur Anordnungs-Hauptebene 27 jeweils gleich ist. Zwischen den Spiegelreihen 282 und 283 einerseits und den Spiegelreihen 283 und 284 andererseits liegt also jeweils das gleiche Vorzeichen des Versatzes Δz vor. Es ergibt sich ein Treppengitter mit jeweils drei aufeinanderfolgenden Treppenstufen. 6th shows a variant of an offset sequence of adjacent rows of mirrors 28 1 until 28 4 in a fundamentally to 4th similar representation. A y section of a variant of the facet mirror device is delimited by dashed lines 20th , 22nd , which can be understood as a grid unit cell continuously continuing in the y-direction. The four rows of mirrors are shown 28 1 until 28 4 within a grid unit cell 29 . To illustrate this, there are also two rows of mirrors 28 0 and 28 5 adjacent grid unit cells 29 shown. The rows of mirrors 28 1 until 28 4 are in the arrangement according to 6th so offset from one another along the z-direction that in a mirror row group 30th of three consecutive rows of mirrors 28 2 , 28 3 , 28 4 in the row arrangement direction y, the sign of the offset Δz of the adjacent mirror rows 28 2 , 28 3 , 28 4 perpendicular to the main plane of the arrangement 27 is the same in each case. Between the rows of mirrors 28 2 and 28 3 on the one hand and the rows of mirrors 28 3 and 28 4 on the other hand, the same sign of the offset Δz is present in each case. The result is a stair gate with three consecutive steps.

Die Anzahl aufeinanderfolgender Spiegelreihen, für die das Versatz-Vorzeichen gleich bleibt, kann auch größer sein als drei und kann beispielsweise vier oder fünf betragen.The number of successive rows of mirrors for which the offset sign remains the same can also be greater than three and can be, for example, four or five.

7 zeigt eine Aufsicht auf eine weitere Ausführung eines der Einzelspiegel-Module 24, ausgeführt als 30x30-Raster von Einzelspiegeln 25. Hervorgehoben sind jeweils die längs der x-Richtung verlaufenden Spiegelreihen 28i. 7th shows a plan view of a further embodiment of one of the individual mirror modules 24 , designed as a 30x30 grid of individual mirrors 25th . The rows of mirrors running along the x-direction are highlighted in each case 28i .

Beispielhaft ist für eine der Spiegelreihen auch eine Unterteilung in die Einzelspiegel 25 innerhalb der Spiegelreihe angedeutet. Auch derart innerhalb einer der Spiegelreihen 28i benachbarte Einzelspiegel 25 können in der Reihenrichtung x so senkrecht zur Anordnungs-Hauptebene 27 gegeneinander versetzt angeordnet sein, dass wiederum das zu unterdrückende Licht 26, das von diesen benachbarten Einzelspiegeln 25i , 25i+1 in der jeweiligen Spiegelreihe 28i reflektiert wird, eine optische Weglängendifferenz von der halben Unterdrückungs-Wellenlänge λ erfährt. In diesem Fall ist eine Einfallsrichtung des zu unterdrückenden Lichts 26 so, dass eine Einfallsebene auch einen xy-Anteil aufweist.A subdivision into the individual mirrors is also exemplary for one of the rows of mirrors 25th indicated within the mirror row. This is also the case within one of the rows of mirrors 28i Adjacent individual mirrors 25th can in the row direction x so perpendicular to the main plane of the arrangement 27 be arranged offset from one another, that in turn the light to be suppressed 26th that of these neighboring individual mirrors 25 i , 25 i + 1 in the respective row of mirrors 28i is reflected, experiences an optical path length difference of half the suppression wavelength λ. In this case, is a direction of incidence of the light to be suppressed 26th so that a plane of incidence also has an xy component.

In die obige Formel, die die Abhängigkeit zwischen dem Versatz Δz und der optischen Weglängendifferenz bezeichnet, ist dann für die jeweilige Einfallswinkelbedingung in der Einfallsebene xz eine Weglängendifferenz Y in dieser Einfallsebene xz zu setzen und es ergibt sich ein entsprechender Versatz Δz für die nebeneinander in der Reihenrichtung x angeordneten Einzelspiegel 25i , 25i+1 zur Erzeugung der destruktiven Interferenz für derartige xz-Einfallsbeiträge.In the above formula, which denotes the relationship between the offset Δz and the optical path length difference, a path length difference Y in this incidence plane xz must then be set for the respective angle of incidence condition in the incidence plane xz and a corresponding offset Δz results for the side by side in the Row direction x arranged individual mirrors 25 i , 25 i + 1 to generate the destructive interference for such xz incidence contributions.

Was den Versatz-Verlauf längs der Reihenrichtung x, also innerhalb ein und derselben Spiegelreihe 28i, angeht, gilt, was vorstehend für den Versatz-Verlauf zwischen benachbarten Spiegelreihen 28i , 28i+1 beschrieben wurde. Auch der Versatz-Verlauf innerhalb ein und derselben Spiegelreihe kann also alternierend oder so sein, dass das Vorzeichen des Versatzes für mehrere benachbarte Einzelspiegel 25 innerhalb ein und derselben Spiegelreihe 28i jeweils gleich bleibt.As for the course of the offset along the row direction x, i.e. within one and the same mirror row 28i As far as concerns, what applies above for the offset course between adjacent rows of mirrors 28 i , 28 i + 1 has been described. The course of the offset within one and the same row of mirrors can also be alternating or such that the sign of the offset for several adjacent individual mirrors 25th within one and the same row of mirrors 28i remains the same in each case.

Eine weitere Ausführung einer Facettenspiegel-Vorrichtung, die für den Feldfacettenspiegel 20 beziehungsweise den Pupillenfacettenspiegel 22 zum Einsatz kommen kann, wird nachfolgend anhand der 8 erläutert. Komponenten und Funktionen, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die 1 bis 7 bereits beschrieben wurden, tragen die gleichen Bezeichnungen und Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.Another embodiment of a facet mirror device that is used for the field facet mirror 20th or the pupil facet mirror 22nd can be used, is explained below based on the 8th explained. Components and functions corresponding to those described above with reference to the 1 until 7th have already been described have the same designations and reference numbers and will not be discussed again in detail.

Bei der Spiegel-Versatz-Anordnung der Einzelspiegel 25 nach 8 sind diese schachbrettartig gegeneinander senkrecht zur in der Zwischenebene liegenden Anordnungs-Hauptebene 27 versetzt. Diejenigen Einzelspiegel 251, die den schwarzen Feldern dieser schachbrettartigen Versatz-Anordnung entsprechen, sind beispielsweise in positiver z-Richtung auf den Betrachter zu im Vergleich zur Zeichenebene versetzt angeordnet und die den weißen Feldern entsprechenden Einzelspiegel 252 sind vom Betrachter weg in negativer z-Richtung im Vergleich zur Zeichenebene versetzt angeordnet. Diese Versatz-Anordnung ist in zwei Dimensionen, die die Anordnungs-Hauptebene 27 aufspannen, periodisch. Diese Perioden können längs der Diagonalen der Einzelspiegel 251 , 252 verlaufen, wie in der 8 durch Begrenzungslinien einer Einheitszelle 32 dieser zweidimensional periodischen Struktur angedeutet ist.With the mirror offset arrangement of the individual mirrors 25th after 8th these are checkerboard-like against each other perpendicular to the main arrangement plane lying in the intermediate plane 27 offset. Those individual mirrors 25 1 which correspond to the black fields of this checkerboard-like offset arrangement are, for example, arranged offset in the positive z-direction towards the viewer compared to the plane of the drawing, and the individual mirrors 25 2 corresponding to the white fields are in negative z-direction away from the viewer. Direction offset compared to the plane of the drawing. This offset arrangement is in two dimensions that form the main plane of the arrangement 27 stretch, periodically. These periods can be along the diagonals of the individual mirrors 25 1 , 25 2 run, as in the 8th by boundary lines of a unit cell 32 this two-dimensional periodic structure is indicated.

Anhand der 9 wird nachfolgend die das zu unterdrückende Licht 26 unterdrückende Beugungswirkung der vorstehend beschriebenen Einzelspiegel-Anordnungen mit dem Spiegel-Versatz Δz am Beispiel der Nutzung einer solchen, durch Beugung unterdrückenden Einzelspiegel-Anordnung am Ort des Feldfacettenspiegels 20 beschrieben. Das Nutzlicht 16 wird von der Anordnung der Einzelspiegel 25 des Feldfacettenspiegels 20 nicht gebeugt, sondern ausschließlich reflektiert, so dass das Nutzlicht 16 längs eines vorgegebenen Nutz-Strahlengangs vom Feldfacettenspiegel 20 hin zu einer ausgewählten Pupillenfacette 23 geführt wird und anschließend nachfolgenden optischen Komponenten der Projektionsbelichtungsanlage 1 zugeführt. Das zu unterdrückende Licht 26 wird durch die Einzelspiegel-Anordnung des Feldfacettenspiegels 20 mit dem Spiegel-Versatz einer der vorstehend beschrieben Ausführungen gebeugt. Das in 0.ter Ordnung unterdrückte Licht wird so in höhere Beugungsordnungen m zu Beugungswinkeln αm abgelenkt gemäß der Gittergleichung g * sin  α m  /  λ = m ,m ganzzahlig ,

Figure DE102020213837A1_0003
wobei g die Gitterperiode bezeichnet. Bevorzugt ist dabei die Gitterperiode g so klein gewählt, dass die in 1. Ordnung gebeugten Strahlen (Beugungswinkel α1) außerhalb der Pupillenfacette liegen, die in 0.ter Ordnung getroffen wird (Reflexionswinkel α0). Der Strahl 1. Ordnung des zu unterdrückenden Lichts 26 verlässt dadurch den Nutz-Strahlengang der Projektionsbelichtungsanlage 1 und kann beispielsweise durch Blenden 33 abgefangen werden.Based on 9 is subsequently the light to be suppressed 26th suppressing diffraction effect of the above-described individual mirror arrangements with the mirror offset Δz using the example of the use of such a diffraction-suppressing individual mirror arrangement at the location of the field facet mirror 20th described. The useful light 16 depends on the arrangement of the individual mirrors 25th of the field facet mirror 20th not bent, but exclusively reflected, so that the useful light 16 along a predetermined useful beam path from the field facet mirror 20th towards a selected pupillary facet 23 is performed and then subsequent optical components of the projection exposure system 1 fed. The light to be suppressed 26th is due to the individual mirror arrangement of the field facet mirror 20th flexed with the mirror offset of one of the embodiments described above. The light suppressed in the 0th order is thus deflected into higher diffraction orders m at diffraction angles α m according to the grating equation G * sin α m / λ = m , m integer ,
Figure DE102020213837A1_0003
where g denotes the grating period. The grating period g is preferably selected to be so small that the rays diffracted in the 1st order (diffraction angle α 1 ) lie outside the pupil facet that is struck in the 0th order (reflection angle α 0 ). The beam 1 . Order of the light to be suppressed 26th thereby leaves the useful beam path of the projection exposure system 1 and can for example by blending 33 be intercepted.

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Zitierte PatentliteraturPatent literature cited

  • WO 2009/100856 A1 [0002]WO 2009/100856 A1 [0002]
  • WO 2013/174644 A1 [0002]WO 2013/174644 A1 [0002]
  • DE 102017217867 A1 [0002]DE 102017217867 A1 [0002]
  • DE 102008009600 A1 [0034, 0038]DE 102008009600 A1 [0034, 0038]
  • US 2006/0132747 A1 [0036]US 2006/0132747 A1 [0036]
  • EP 1614008 B1 [0036]EP 1614008 B1 [0036]
  • US 6573978 [0036]US 6573978 [0036]
  • DE 102017220586 A1 [0041]DE 102017220586 A1 [0041]
  • US 2018/0074303 A1 [0055]US 2018/0074303 A1 [0055]

Claims (15)

Facettenspiegel-Vorrichtung (20, 22) zur Reflexion von zu unterdrückendem Licht (26) mindestens einer Unterdrückungs-Wellenlänge (λ), - mit einer Vielzahl von Einzelspiegeln (25), die in oder benachbart zu einer Anordnungs-Hauptebene (27) angeordnet sind, - wobei eine Anordnung der Einzelspiegel (25) einen Spiegel-Versatz (Δz) der Einzelspiegel (25) zur Anordnungs-Hauptebene (27) aufweist, der periodisch längs einer Periodenrichtung (y) ist, - wobei die Facettenspiegel-Vorrichtung (20, 22) so angeordnet ist, dass eine Nutzlicht-Einfallsebene (yz) aufgespannt ist von der Periodenrichtung (y) und einer Normalen (z) auf die Anordnungs-Hauptebene (27), - wobei der Spiegel-Versatz (Δz) der Einzelspiegel (25) zur Anordnungs-Hauptebene (27) derart ist, dass das zu unterdrückende Licht (26), das von der Anordnung der Einzelspiegel (25) reflektiert wird, in einer nullten Beugungsordnung unterdrückt wird.Facet mirror device (20, 22) for reflecting light (26) to be suppressed at least one suppression wavelength (λ), - With a multiplicity of individual mirrors (25) which are arranged in or adjacent to a main arrangement plane (27), - wherein an arrangement of the individual mirrors (25) has a mirror offset (Δz) of the individual mirrors (25) to the arrangement main plane (27) which is periodic along a period direction (y), - wherein the facet mirror device (20, 22) is arranged such that a useful light incidence plane (yz) is spanned from the period direction (y) and a normal (z) to the main plane of arrangement (27), - The mirror offset (Δz) of the individual mirrors (25) to the main plane of the arrangement (27) is such that the light (26) to be suppressed, which is reflected by the arrangement of the individual mirrors (25), is suppressed in a zero diffraction order will. Facettenspiegel-Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass - die Anordnung der Einzelspiegel (25) mehrere Spiegelreihen (28i) mit jeweils mehreren nebeneinander in einer Reihenrichtung (x) angeordneten Einzelspiegeln (25) aufweist, - wobei die Spiegelreihen (28i) in einer zur Periodenrichtung parallelen Reihen-Anordnungsrichtung (y), die in der Anordnungs-Hauptebene (27, xy) liegt und senkrecht auf der Reihenrichtung (x) steht, reihenweise angeordnet sind, - wobei die Facettenspiegel-Vorrichtung (20, 22) so angeordnet ist, dass die Nutzlicht-Einfallsebene (yz) aufgespannt ist von der Reihen-Anordnungsrichtung (y) und der Normalen (z) auf die Anordnungs-Hauptebene (27), - wobei zumindest einige der Einzelspiegel (25) benachbarter Spiegelreihen (28i, 28i+1) so senkrecht zur Anordnungs-Hauptebene (27) gegeneinander versetzt (Δz) angeordnet sind, dass das zu unterdrückende Licht (26), das von den benachbarten Spiegelreihen (28i, 28i+i) reflektiert wird, in einer nullten Beugungsordnung unterdrückt wird.Facet mirror device according to Claim 1 , characterized in that - the arrangement of the individual mirrors (25) has several rows of mirrors (28i) each with several individual mirrors (25) arranged next to one another in a row direction (x), - the rows of mirrors (28i) in a row arrangement direction parallel to the period direction (y), which lies in the main arrangement plane (27, xy) and is perpendicular to the row direction (x), are arranged in rows, - the facet mirror device (20, 22) being arranged in such a way that the plane of incidence of useful light (yz) is spanned by the row arrangement direction (y) and the normal (z) on the arrangement main plane (27), - with at least some of the individual mirrors (25) of adjacent mirror rows (28 i , 28 i + 1 ) so perpendicular to the main plane of the arrangement (27) offset from one another (Δz) are arranged so that the light (26) to be suppressed, which is reflected by the adjacent rows of mirrors (28i, 28i + i), is suppressed in a zeroth diffraction order. Facettenspiegel-Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass benachbarte der Einzelspiegel (25) zudem in der Reihenrichtung (x) so senkrecht zur Anordnungs-Hauptebene (27) gegeneinander versetzt (Δz) angeordnet sind, dass das zu unterdrückende Licht (26), das von diesen benachbarten Einzelspiegeln (25i, 25i+1) in der jeweiligen Spiegelreihe (28i) reflektiert wird, eine optische Weglängendifferenz (Y) von der halben Unterdrückungs-Wellenlänge (λ/2) erfährt.Facet mirror device according to Claim 2 , characterized in that adjacent one of the individual mirrors (25) are also so offset (Δz) in the row direction (x) perpendicular to the main plane (27) of the arrangement that the light (26) to be suppressed emitted by these adjacent individual mirrors ( 25 i , 25 i + 1 ) is reflected in the respective row of mirrors (28i), experiences an optical path length difference (Y) of half the suppression wavelength (λ / 2). Facettenspiegel-Vorrichtung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Spiegelreihen (28i) und/oder die Einzelspiegel (25i, 25i+1) innerhalb einer Spiegelreihe (28i) so alternierend senkrecht zur Anordnungs-Hauptebene (27) gegeneinander versetzt angeordnet sind, dass in der Reihen-Anordnungsrichtung (y) das Vorzeichen eines Versatzes (Δz) der benachbarten Spiegelreihen (28i, 28i+1) und/oder der Einzelspiegel (25i, 25i+1) innerhalb einer Spiegelreihe (28i) senkrecht zur Anordnungs-Hauptebene (27) jeweils abwechselt.Facet mirror device according to Claim 2 or 3 , characterized in that the rows of mirrors (28i) and / or the individual mirrors (25 i , 25 i + 1 ) within a row of mirrors (28i) are arranged alternately offset from one another perpendicular to the main plane (27) of the arrangement that in the row Arrangement direction (y) the sign of an offset (Δz) of the adjacent mirror rows (28 i , 28 i + 1 ) and / or the individual mirrors (25 i , 25 i + 1 ) within a mirror row (28i) perpendicular to the main arrangement plane (27 ) alternates each time. Facettenspiegel-Vorrichtung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Spiegelreihen (28i) und/oder die Einzelspiegel (25i) innerhalb einer Spiegelreihe (28i) so gegeneinander versetzt angeordnet sind, dass bei mindestens drei aufeinanderfolgenden Spiegelreihen (28i, 28i+1, 28i+2) in der Reihen-Anordnungsrichtung (y) und/oder bei mindestens drei aufeinanderfolgenden Einzelspiegeln (25i, 25i+1, 25i+2) in der Reihenrichtung (x) das Vorzeichen eines Versatzes (Δz) der benachbarten Spiegelreihen (28i, 28i+1) und/oder der benachbarten Einzelspiegel (25i, 25i+1) senkrecht zur Anordnungs-Hauptebene (27) jeweils gleich ist.Facet mirror device according to Claim 2 or 3 , characterized in that the rows of mirrors (28 i ) and / or the individual mirrors (25 i ) are offset from one another within a row of mirrors (28 i ) so that with at least three consecutive rows of mirrors (28 i , 28 i + 1 , 28 i +2 ) in the row arrangement direction (y) and / or with at least three consecutive individual mirrors (25 i , 25 i + 1 , 25 i + 2 ) in the row direction (x) the sign of an offset (Δz) of the adjacent mirror rows ( 28 i , 28 i + 1 ) and / or the adjacent individual mirrors (25 i , 25 i + 1 ) perpendicular to the main plane of the arrangement (27) is the same in each case. Facettenspiegel-Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Spiegelreihen (28i) und/oder die Einzelspiegel (25i) innerhalb einer Spiegelreihe (28i) so gegeneinander versetzt angeordnet sind, dass bei Spiegelreihen-Gruppen (30) von jeweils genau drei aufeinanderfolgenden Spiegelreihen in der Reihen-Anordnungsrichtung (y) und/oder bei Einzelspiegel-Gruppen von jeweils genau drei in der Reihenrichtung (x) aufeinanderfolgenden Einzelspiegeln (25i, 25i+1, 25i+1) das Vorzeichen eines Versatzes (Δz) der benachbarten Spiegelreihen (28i) und/oder der benachbarten Einzelspiegel (25i) senkrecht zur Anordnungs-Hauptebene (27) jeweils gleich ist.Facet mirror device according to Claim 5 , characterized in that the rows of mirrors (28 i ) and / or the individual mirrors (25 i ) within a row of mirrors (28 i ) are offset from one another in such a way that in the case of groups of mirrors (30) of exactly three consecutive rows of mirrors in the row -Arrangement direction (y) and / or in the case of individual mirror groups of exactly three individual mirrors (25 i , 25 i + 1 , 25 i + 1 ) consecutive in the row direction (x), the sign of an offset (Δz) of the adjacent mirror rows (28 i ) and / or the adjacent individual mirror (25 i ) perpendicular to the main plane of the arrangement (27) is the same in each case. Facettenspiegel-Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass eine Anordnung der Einzelspiegel (25) als Facettenspiegel eines Feldfacettenspiegels (20) und/oder eines Pupillenfacettenspiegels und/oder eines spekularen Reflektors einer Beleuchtungsoptik (4) für die Projektionslithographie ausgeführt ist.Facet mirror device according to one of the Claims 1 until 6th , characterized in that an arrangement of the individual mirrors (25) is designed as a facet mirror of a field facet mirror (20) and / or a pupil facet mirror and / or a specular reflector of an illumination optics (4) for projection lithography. Facettenspiegel-Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Einzelspiegel (25) als Mikrospiegel ausgeführt sind.Facet mirror device according to one of the Claims 1 until 7th , characterized in that the individual mirrors (25) are designed as micromirrors. Facettenspiegel-Vorrichtung nach Anspruch 8, gekennzeichnet durch eine Ausführung als MEMS-Spiegelarray.Facet mirror device according to Claim 8 , characterized by a design as a MEMS mirror array. Beleuchtungsoptik (4) zur Führung von Beleuchtungslicht (16) hin zu einem Objektfeld (5) einer Projektionsbelichtungsanlage (1) für die Projektionslithographie, in dem ein abzubildendes Objekt (7) anordenbar ist, mit einer Facettenspiegel-Vorrichtung (20, 22) nach einem der Ansprüche 1 bis 9.Illumination optics (4) for guiding illumination light (16) to an object field (5) of a projection exposure system (1) for projection lithography, in which an object (7) to be imaged can be arranged, with a facet mirror device (20, 22) according to one of the Claims 1 until 9 . Optisches System mit einer Beleuchtungsoptik nach Anspruch 10 und mit einer Projektionsoptik (10) zur Abbildung des Objektfeldes (5) in ein Bildfeld (11), in dem ein Substrat (13) anordenbar ist.Optical system with lighting optics according to Claim 10 and with projection optics (10) for imaging the object field (5) in an image field (11) in which a substrate (13) can be arranged. Optisches System nach Anspruch 11 mit einer EUV-Lichtquelle (3).Optical system according to Claim 11 with an EUV light source (3). Projektionsbelichtungsanlage (1) mit einem optischen System nach Anspruch 12.Projection exposure system (1) with an optical system Claim 12 . Verfahren zur Herstellung strukturierter Bauelemente mit folgenden Schritten: - Bereitstellen eines Wafers (13) als Substrat, auf dem zumindest teilweise eine Schicht aus einem lichtempfindlichen Material aufgebracht ist, - Bereitstellen eines Retikels als Objekt (7), das abzubildende Strukturen aufweist, - Bereitstellen einer Projektionsbelichtungsanlage (1) nach Anspruch 13, - Projizieren wenigstens eines Teils des Retikels (7) auf einen Bereich der Schicht des Wafers (13) mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage (1).A method for producing structured components with the following steps: - providing a wafer (13) as a substrate, on which a layer of a light-sensitive material is at least partially applied, - providing a reticle as an object (7) which has structures to be imaged, - providing a Projection exposure system (1) according to Claim 13 - Projecting at least a part of the reticle (7) onto an area of the layer of the wafer (13) with the aid of the projection exposure system (1). Strukturiertes Bauelement, hergestellt nach einem Verfahren nach Anspruch 14.Structured component, produced by a method according to Claim 14 .
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024121018A1 (en) * 2022-12-06 2024-06-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Mirror arrangement for absorbing radiation, and lithography system

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6573978B1 (en) 1999-01-26 2003-06-03 Mcguire, Jr. James P. EUV condenser with non-imaging optics
US20060132747A1 (en) 2003-04-17 2006-06-22 Carl Zeiss Smt Ag Optical element for an illumination system
DE102008009600A1 (en) 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Facet mirror e.g. field facet mirror, for use as bundle-guiding optical component in illumination optics of projection exposure apparatus, has single mirror tiltable by actuators, where object field sections are smaller than object field
WO2009100856A1 (en) 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Facet mirror for use in a projection exposure apparatus for microlithography
WO2013174644A1 (en) 2012-05-23 2013-11-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Facet mirror
US20180074303A1 (en) 2015-04-14 2018-03-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Imaging optical unit and projection exposure unit including same
DE102017217867A1 (en) 2017-10-09 2018-07-26 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV facet mirror for an EUV projection exposure system
DE102017220586A1 (en) 2017-11-17 2019-05-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Pupil facet mirror, illumination optics and optical system for a projection exposure apparatus

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6573978B1 (en) 1999-01-26 2003-06-03 Mcguire, Jr. James P. EUV condenser with non-imaging optics
US20060132747A1 (en) 2003-04-17 2006-06-22 Carl Zeiss Smt Ag Optical element for an illumination system
EP1614008B1 (en) 2003-04-17 2009-12-02 Carl Zeiss SMT AG Optical element for a lighting system
DE102008009600A1 (en) 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Facet mirror e.g. field facet mirror, for use as bundle-guiding optical component in illumination optics of projection exposure apparatus, has single mirror tiltable by actuators, where object field sections are smaller than object field
WO2009100856A1 (en) 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Facet mirror for use in a projection exposure apparatus for microlithography
WO2013174644A1 (en) 2012-05-23 2013-11-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Facet mirror
US20180074303A1 (en) 2015-04-14 2018-03-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Imaging optical unit and projection exposure unit including same
DE102017217867A1 (en) 2017-10-09 2018-07-26 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV facet mirror for an EUV projection exposure system
DE102017220586A1 (en) 2017-11-17 2019-05-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Pupil facet mirror, illumination optics and optical system for a projection exposure apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024121018A1 (en) * 2022-12-06 2024-06-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Mirror arrangement for absorbing radiation, and lithography system

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