DE102020207752A1 - Heating arrangement and method for heating an optical element - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung betrifft eine Heizanordnung und ein Verfahren zum Heizen eines optischen Elements, insbesondere in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage. Eine erfindungsgemäße Heizanordnung weist wenigstens eine Strahlungsquelle zur Beaufschlagung eines optischen Elements mit IR-Strahlung, wenigstens eine Strahlformungseinheit zur Strahlformung der von der Strahlungsquelle auf das optische Element gelenkten IR-Strahlung, eine optische Komponente (110, 210, 310, 410, 510, 610), welche wenigstens einen Strahlteiler (112, 212, 312, 412, 512, 612) aufweist, und eine Sensoranordnung auf, welche wenigstens einen Intensitätssensor (115, 215, 315, 415, 515, 615) zur Erfassung der Intensität eines von diesem Strahlteiler (112, 212, 312, 412, 512, 612) ausgekoppelten Teilstrahls (205, 305, 405, 505, 605) aufweist. The invention relates to a heating arrangement and a method for heating an optical element, in particular in a microlithographic projection exposure system. A heating arrangement according to the invention has at least one radiation source for applying IR radiation to an optical element, at least one beam shaping unit for beam shaping the IR radiation directed by the radiation source onto the optical element, an optical component (110, 210, 310, 410, 510, 610 ), which has at least one beam splitter (112, 212, 312, 412, 512, 612), and a sensor arrangement which has at least one intensity sensor (115, 215, 315, 415, 515, 615) for detecting the intensity of one of these Beam splitter (112, 212, 312, 412, 512, 612) of the coupled-out partial beam (205, 305, 405, 505, 605).
Description
HINTERGRUND DER ERFINDUNGBACKGROUND OF THE INVENTION
Gebiet der ErfindungField of invention
Die Erfindung betrifft eine Heizanordnung und ein Verfahren zum Heizen eines optischen Elements, insbesondere in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage.The invention relates to a heating arrangement and a method for heating an optical element, in particular in a microlithographic projection exposure system.
Stand der TechnikState of the art
Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise oder LCD's, angewendet. Der Mikrolithographieprozess wird in einer sogenannten Projektionsbelichtungsanlage durchgeführt, welche eine Beleuchtungseinrichtung und ein Projektionsobjektiv aufweist. Das Bild einer mittels der Beleuchtungseinrichtung beleuchteten Maske (= Retikel) wird hierbei mittels des Projektionsobjektivs auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionsobjektivs angeordnetes Substrat (z.B. ein Siliziumwafer) projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen.Microlithography is used to manufacture microstructured components such as integrated circuits or LCDs. The microlithography process is carried out in what is known as a projection exposure system, which has an illumination device and a projection objective. The image of a mask (= reticle) illuminated by means of the lighting device is projected by means of the projection lens onto a substrate (e.g. a silicon wafer) coated with a light-sensitive layer (photoresist) and arranged in the image plane of the projection lens, in order to create the mask structure on the light-sensitive coating of the To transfer substrate.
In für den EUV-Bereich ausgelegten Projektionsobjektiven, d.h. bei Wellenlängen von z.B. etwa 13 nm oder etwa 7 nm, werden mangels Verfügbarkeit geeigneter lichtdurchlässiger refraktiver Materialien Spiegel als optische Komponenten für den Abbildungsprozess verwendet.In projection objectives designed for the EUV range, i.e. at wavelengths of e.g. about 13 nm or about 7 nm, mirrors are used as optical components for the imaging process due to the lack of availability of suitable light-permeable refractive materials.
Ein in der Praxis auftretendes Problem ist, dass die EUV-Spiegel u.a. infolge Absorption der von der EUV-Lichtquelle emittierten Strahlung eine Erwärmung und eine damit einhergehende thermische Ausdehnung bzw. Deformation erfahren, welche wiederum eine Beeinträchtigung der Abbildungseigenschaften des optischen Systems zur Folge haben kann.A problem that arises in practice is that the EUV mirrors are heated up, inter alia, as a result of absorption of the radiation emitted by the EUV light source and experience thermal expansion or deformation, which in turn can impair the imaging properties of the optical system .
Zur Vermeidung von durch Wärmeeinträge in einen EUV-Spiegel verursachten Oberflächendeformationen und damit einhergehenden optischen Aberrationen sind diverse Ansätze bekannt. Unter anderem ist es bekannt, als Spiegelsubstratmaterial ein Material mit ultraniedriger thermischer Expansion („Ultra-Low-Expansion-Material“), z.B. mit Titandioxid (TiO2) dotiertes Quarzglas, zu verwenden und in einem der optischen Wirkfläche nahen Bereich die sogenannte Nulldurchgangstemperatur (= „Zero-Crossing-Temperatur“) einzustellen. Bei dieser Zero-Crossing-Temperatur, welche z.B. bei etwa ϑ= 30°C liegen kann, weist der thermische Ausdehnungskoeffizient in seiner Temperaturabhängigkeit einen Nulldurchgang auf, in dessen Umgebung keine oder nur eine vernachlässigbare thermische Ausdehnung des Spiegelsubstratmaterials erfolgt.Various approaches are known for avoiding surface deformations caused by the introduction of heat into an EUV mirror and the associated optical aberrations. Among other things, it is known to use a material with ultra-low thermal expansion ("Ultra-Low-Expansion-Material") as the mirror substrate material, e.g. quartz glass doped with titanium dioxide (TiO 2 ), and to use the so-called zero crossing temperature ( = "Zero crossing temperature"). At this zero crossing temperature, which can be around ϑ = 30 ° C, for example, the temperature-dependent coefficient of thermal expansion has a zero crossing, in the vicinity of which there is no or only negligible thermal expansion of the mirror substrate material.
Mögliche weitere Ansätze zur Vermeidung von durch Wärmeeinträge in einen EUV-Spiegel verursachten Oberflächendeformationen beinhalten den Einsatz einer Heizanordnung auf Basis von Infrarotstrahlung. Mit einer solchen Heizanordnung kann in Phasen vergleichsweise geringer Absorption von EUV-Nutzstrahlung eine aktive Spiegelerwärmung erfolgen, wobei diese aktive Spiegelerwärmung mit steigender Absorption der EUV-Nutzstrahlung entsprechend zurückgefahren wird. Des Weiteren kann auch ein Vorwärmen der EUV-Spiegel vor dem eigentlichen Betrieb bzw. vor der Beaufschlagung mit EUV-Strahlung auf die o.g. Nulldurchgangstemperatur (= „Zero-Crossing-Temperatur“) erfolgen.Possible further approaches to avoiding surface deformations caused by the introduction of heat into an EUV mirror include the use of a heating arrangement based on infrared radiation. With such a heating arrangement, active mirror heating can take place in phases of comparatively low absorption of EUV useful radiation, this active mirror heating being reduced accordingly with increasing absorption of the EUV useful radiation. Furthermore, the EUV mirror can also be preheated to the above-mentioned zero crossing temperature (= "zero crossing temperature") before actual operation or before exposure to EUV radiation.
Hierbei stellt die Erzeugung der erforderlichen Heizprofile (die auch in örtlicher Hinsicht wechselnden Strahlungsintensitäten z.B. aufgrund der Verwendung von Beleuchtungssettings mit über die optische Wirkfläche der EUV-Spiegel variierender Intensität Rechnung tragen sollten) einschließlich der Bereitstellung der erforderlichen Infrarotstrahlung eine anspruchsvolle Herausforderung dar. Hierbei in der Praxis auftretende Probleme umfassen neben zu beachtenden Bauraumbeschränkungen auch die Fehleranfälligkeit der Heizanordnung z.B. infolge von Faserbrüchen, wenn etwa die IR-Strahlung über optische Glasfasern von der jeweiligen Laserquelle zu optischen Komponenten der Heizanordnung geführt wird.The generation of the required heating profiles (which should also take into account locally changing radiation intensities, e.g. due to the use of lighting settings with an intensity that varies over the optical effective surface of the EUV mirror), including the provision of the required infrared radiation, is a demanding challenge Problems occurring in practice include not only installation space restrictions that must be observed, but also the susceptibility of the heating arrangement to faults, for example as a result of fiber breaks, for example when the IR radiation is guided via optical glass fibers from the respective laser source to optical components of the heating arrangement.
Zum Stand der Technik wird lediglich beispielhaft auf
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNGSUMMARY OF THE INVENTION
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Heizanordnung und ein Verfahren zum Heizen eines optischen Elements in einem optischen System, insbesondere in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, bereitzustellen, welche eine wirksame Vermeidung von durch Wärmeeinträge in dem optischen Element verursachten Oberflächendeformationen und damit einhergehenden optischen Aberrationen ermöglichen.It is an object of the present invention to provide a heating arrangement and a method for heating an optical element in an optical system, in particular in a microlithographic projection exposure system, which enable an effective avoidance of surface deformations and associated optical aberrations caused by heat input in the optical element .
Diese Aufgabe wird durch die Heizanordnung sowie das Verfahren gemäß den Merkmalen der nebengeordneten Patentansprüche gelöst.This object is achieved by the heating arrangement and the method according to the features of the independent claims.
Eine Heizanordnung zum Heizen eines optischen Elements, insbesondere in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, weist auf:
- - wenigstens eine Strahlungsquelle zur Beaufschlagung des optischen Elements mit IR-Strahlung;
- - wenigstens eine Strahlformungseinheit zur Strahlformung der von der Strahlungsquelle auf das optische Element gelenkten IR-Strahlung;
- - eine optische Komponente, welche wenigstens einen Strahlteiler aufweist; und
- - eine Sensoranordnung, welche wenigstens einen Intensitätssensor zur Erfassung der Intensität eines von diesem Strahlteiler ausgekoppelten Teilstrahls aufweist.
- - at least one radiation source for applying IR radiation to the optical element;
- - At least one beam-shaping unit for beam-shaping the IR radiation directed by the radiation source onto the optical element;
- - An optical component which has at least one beam splitter; and
- a sensor arrangement which has at least one intensity sensor for detecting the intensity of a partial beam coupled out by this beam splitter.
Bei der Strahlungsquelle kann es sich insbesondere um eine Laserquelle, in weiteren Ausführungsformen aber auch um eine andere strahlungsemittierende Quelle bzw. ein strahlungsemittierendes Objekt handeln. Die von der Strahlungsquelle auf das optische Element gelenkte IR-Strahlung kann auf die optische Wirkfläche, in weiteren Ausführungsformen aber auch auf die Rückseite des optischen Elements treffen.The radiation source can in particular be a laser source, but in further embodiments it can also be another radiation-emitting source or a radiation-emitting object. The IR radiation directed by the radiation source onto the optical element can strike the optical active surface, but in further embodiments also the rear side of the optical element.
Der Erfindung liegt insbesondere das Konzept zugrunde, in einer Heizanordnung zum Heizen eines optischen Elements wie z.B. eines EUV-Spiegels durch Einsatz einer wenigstens einen Intensitätssensor aufweisenden Sensoranordnung in Kombination mit einem zur Auskopplung eines Teilstrahls zu der Sensoranordnung hin dienenden Strahlteiler jederzeit die Feststellung zu ermöglichen, ob aktuell Heizstrahlung durch die betreffende Heizanordnung bereitgestellt wird oder ob dies - z.B. aufgrund eines Faserbruchs oder eines anderen Defekts - trotz eingeschalteter (IR-)Laserquelle nicht der Fall ist.The invention is based in particular on the concept of enabling the determination at any time in a heating arrangement for heating an optical element such as an EUV mirror by using a sensor arrangement having at least one intensity sensor in combination with a beam splitter serving to couple a partial beam to the sensor arrangement, whether heating radiation is currently being provided by the relevant heating arrangement or whether this is not the case - for example due to a fiber break or some other defect - despite the (IR) laser source being switched on.
Die Anbindung der Sensoranordnung über den erfindungsgemäß zur Strahlauskopplung eingesetzten Strahlteiler hat dabei den Vorteil, dass kein Eingriff in eine von der Strahlungsquelle bzw. Laserquelle zu optischen Komponenten der Heizanordnung führende optische (Faser-) Zuleitung (etwa durch „Spleißen“) erforderlich wird, wodurch potentielle Fehlerquellen etwa infolge absorptionsbedingter Überhitzung vermieden werden und ein Ausfallrisiko reduziert wird. Zudem kann erforderlichenfalls ein Austausch des Intensitätssensors in einfacher Weise durchgeführt werden.The connection of the sensor arrangement via the beam splitter used according to the invention for beam decoupling has the advantage that there is no need to intervene in an optical (fiber) feed line leading from the radiation source or laser source to optical components of the heating arrangement (e.g. by "splicing"), which means Potential sources of error, for example as a result of overheating caused by absorption, are avoided and the risk of failure is reduced. In addition, if necessary, the intensity sensor can be exchanged in a simple manner.
Dabei werden im Folgenden u.a. auch Ausführungsformen beschrieben, bei welchen typischerweise bestehenden Bauraumbeschränkungen Rechnung getragen wird, indem nämlich ein ansonsten ungenutzt bleibender Bauraum für die besagte Funktionalität (d.h. die Feststellung, dass bzw. ob Heizstrahlung durch die Heizanordnung bereitgestellt wird) genutzt wird.In the following, among other things, embodiments are also described in which typically existing installation space restrictions are taken into account, namely by using an otherwise unused installation space for the said functionality (i.e. the determination that or whether heating radiation is provided by the heating arrangement).
Des Weiteren beinhaltet die vorliegende Erfindung das Konzept, die vorstehend beschriebene Funktionalität in einer Heizanordnung zu realisieren, welche durch Einsatz eines „Doppelheizkopfes“ die Strahlungseinkopplung in das zu heizende optische Element bzw. den EUV-Spiegel über zwei polarisierte Teilstrahlen (mit zueinander identischem Polarisationszustand) vornimmt, womit auch eine unter Bauraumaspekten gegebenenfalls gebotene Strahlungseinkopplung unter streifendem Einfall mit möglichst geringem Intensitätsverlust erzielt werden kann.Furthermore, the present invention includes the concept of realizing the functionality described above in a heating arrangement, which by using a "double heating head" coupling the radiation into the optical element to be heated or the EUV mirror via two polarized partial beams (with mutually identical polarization states) undertakes, with which a radiation coupling, which may be required from the point of view of installation space, can be achieved with grazing incidence with the lowest possible loss of intensity.
Dabei macht sich die Erfindung u.a. auch den Umstand zunutze, dass zur Erzielung der vorstehend beschriebenen Funktionalität bereits die Auskopplung eines vergleichsweise geringen Intensitätsanteils über den jeweiligen, dem Intensitätssensor zugeordneten Strahlteiler ausreicht, so dass nur eine letztlich vernachlässigbare Verringerung der zur Verfügung stehenden Heizleistung eintritt.The invention also makes use of the fact that, to achieve the functionality described above, it is already sufficient to couple out a comparatively low intensity component via the respective beam splitter assigned to the intensity sensor, so that ultimately only a negligible reduction in the available heating power occurs.
Gemäß einer Ausführungsform erzeugt die optische Komponente aus einem von der Strahlungsquelle in die optische Komponente eintretenden Laserstrahl einen ersten aus der optischen Komponente austretenden Teilstrahl und einen zweiten aus der optischen Komponente austretenden Teilstrahl.According to one embodiment, the optical component generates a first partial beam emerging from the optical component and a second partial beam emerging from the optical component from a laser beam entering the optical component from the radiation source.
Gemäß einer Ausführungsform sind der erste Teilstrahl und der zweite Teilstrahl jeweils linear polarisiert.According to one embodiment, the first partial beam and the second partial beam are each linearly polarized.
Dabei können die aus der optischen Komponente austretenden Teilstrahlen in Ausführungsformen der Erfindung insbesondere zueinander senkrecht polarisiert sein und dann, wie noch näher erläutert, im weiteren Strahlengang über optische Retarder z.B. in Form von Lambda/2-Platten im Polarisationszustand so manipuliert werden, dass sie bei Austritt aus der Heizanordnung identische Polarisation besitzen. In anderen Ausführungsformen können solche Retarder bzw. Lambda/2-Platten auch bereits in die optische Komponente derart integriert sein, dass bereits bei Austritt aus der optischen Komponente identische Polarisation der beiden Teilstrahlen gegeben ist.In embodiments of the invention, the partial beams emerging from the optical component can in particular be polarized perpendicular to one another and then, as will be explained in more detail, in the further beam path via optical retarders, for example in the form of lambda / 2 plates, can be manipulated in the polarization state so that they are at Have identical polarization when exiting the heating arrangement. In other embodiments, such retarders or lambda / 2 plates can also already be integrated into the optical component in such a way that identical polarization of the two partial beams is already given when they exit the optical component.
Gemäß einer Ausführungsform weist die optische Komponente einen ersten Strahlteiler zur Bereitstellung des ersten Teilstrahls und wenigstens einen zweiten Strahlteiler zur Bereitstellung des zweiten Teilstrahls auf.According to one embodiment, the optical component has a first beam splitter for providing the first partial beam and at least one second beam splitter for providing the second partial beam.
Gemäß einer Ausführungsform ist der Intensitätssensor zur Erfassung der Intensität eines von dem zweiten Strahlteiler ausgekoppelten dritten Teilstrahls ausgelegt.According to one embodiment, the intensity sensor is designed to detect the intensity of a third partial beam coupled out by the second beam splitter.
Gemäß einer Ausführungsform bewirkt der zweite Strahlteiler eine Strahlteilung in den zweiten Teilstrahl und den dritten Teilstrahl in einem Intensitätsverhältnis von maximal 9:1.According to one embodiment, the second beam splitter effects a beam splitting into the second Partial beam and the third partial beam in an intensity ratio of a maximum of 9: 1.
Gemäß einer Ausführungsform weist die Sensoranordnung zusätzlich zu dem Intensitätssensor wenigstens einen weiteren Intensitätssensor zur Erfassung der Intensität eines in der optischen Komponente ausgekoppelten weiteren Teilstrahls auf.According to one embodiment, the sensor arrangement has, in addition to the intensity sensor, at least one further intensity sensor for detecting the intensity of a further partial beam coupled out in the optical component.
Gemäß einer Ausführungsform ist die optische Komponente monolithisch ausgestaltet, wodurch unerwünschte Strahlversätze vermieden werden können.According to one embodiment, the optical component has a monolithic design, as a result of which undesired beam offsets can be avoided.
Gemäß einer Ausführungsform weist die Strahlformungseinheit wenigstens ein diffraktives optisches Element oder wenigstens ein refraktives optisches Element auf.According to one embodiment, the beam shaping unit has at least one diffractive optical element or at least one refractive optical element.
Gemäß einer Ausführungsform weist die Heizanordnung wenigstens ein optisches Teleskop auf.According to one embodiment, the heating arrangement has at least one optical telescope.
Gemäß einer Ausführungsform ist das optische Element ein Spiegel.According to one embodiment, the optical element is a mirror.
Gemäß einer Ausführungsform ist das optische Element für eine Arbeitswellenlänge von weniger als 30nm, insbesondere weniger als 15nm, ausgelegt.According to one embodiment, the optical element is designed for an operating wavelength of less than 30 nm, in particular less than 15 nm.
Die Erfindung betrifft weiter auch ein Verfahren zum Heizen eines optischen Elements in einem optischen System, insbesondere unter Verwendung einer Heizanordnung mit den vorstehend beschriebenen Merkmalen, wobei ein optisches Element mit IR-Strahlung einer Strahlungsquelle über wenigstens eine Strahlformungseinheit beaufschlagt wird, und wobei die Intensität eines von einem Strahlteiler ausgekoppelten Teilstrahls mit einer Sensoranordnung, welche wenigstens einen Intensitätssensor aufweist, erfasst wird.The invention also relates to a method for heating an optical element in an optical system, in particular using a heating arrangement with the features described above, wherein an optical element is exposed to IR radiation from a radiation source via at least one beam shaping unit, and the intensity of a is detected by a beam splitter coupled out partial beam with a sensor arrangement which has at least one intensity sensor.
Gemäß einer Ausführungsform erfolgt das Heizen des optischen Elements derart, dass eine örtliche und/oder zeitliche Variation einer Temperaturverteilung in dem optischen Element reduziert wird.According to one embodiment, the heating of the optical element takes place in such a way that a local and / or temporal variation of a temperature distribution in the optical element is reduced.
Die Erfindung betrifft weiter auch ein optisches System, insbesondere in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, mit wenigstens einem optischen Element und einer Heizanordnung zum Heizen dieses optischen Elements, wobei die Heizanordnung mit den vorstehend beschriebenen Merkmalen ausgestaltet ist.The invention also relates to an optical system, in particular in a microlithographic projection exposure system, with at least one optical element and a heating arrangement for heating this optical element, the heating arrangement being designed with the features described above.
Zu Vorteilen und weiteren bevorzugten Ausgestaltungen des Verfahrens wird auf die o.g. Ausführungen im Zusammenhang mit der erfindungsgemäßen Heizanordnung Bezug genommen. For advantages and further preferred refinements of the method, reference is made to the above statements in connection with the heating arrangement according to the invention.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind der Beschreibung sowie den Unteransprüchen zu entnehmen.Further refinements of the invention can be found in the description and in the subclaims.
Die Erfindung wird nachstehend anhand von in den beigefügten Abbildungen dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert.The invention is explained in more detail below with reference to the exemplary embodiments shown in the accompanying figures.
FigurenlisteFigure list
Es zeigen:
-
1 eine schematische Darstellung des möglichen Aufbaus einer erfindungsgemäßen Heizanordnung zum Heizen eines optischen Elements in einem optischen System; -
2-6 schematische Darstellungen zur Erläuterung möglicher Ausführungsbeispiele einer in einer erfindungsgemäßen Heizanordnung vorhandenen optischen Komponente; und -
7 eine schematische Darstellung des möglichen Aufbaus einer für den Betrieb im EUV ausgelegten mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage.
-
1 a schematic representation of the possible structure of a heating arrangement according to the invention for heating an optical element in an optical system; -
2-6 schematic representations to explain possible exemplary embodiments of an optical component present in a heating arrangement according to the invention; and -
7th a schematic representation of the possible structure of a microlithographic projection exposure system designed for operation in the EUV.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG BEVORZUGTER AUSFÜHRUNGSFORMENDETAILED DESCRIPTION OF PREFERRED EMBODIMENTS
Gemäß
Im Betrieb des optischen Systems bzw. der mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage wird die auf die optische Wirkfläche der Spiegel auftreffende elektromagnetische Strahlung zum Teil absorbiert und führt wie eingangs erläutert zu einer Erwärmung und einer damit einhergehenden thermischen Ausdehnung bzw. Deformation, welche wiederum eine Beeinträchtigung der Abbildungseigenschaften des optischen Systems zur Folge haben kann. Die erfindungsgemäße Heizanordnung bzw. das Verfahren zum Heizen eines optischen Elements kann z.B. auf einen beliebigen Spiegel der mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage von
Gemäß
Eine Funktion der optischen Komponente
Was zunächst die zuerst genannte Bereitstellung zweier Teilstrahlen von jeweils linearer Polarisation betrifft, so treten diese gemäß
Über die optischen Retarder
Die optischen Teleskope
Die vorstehend erwähnte, im Weiteren unter Bezugnahme auf
Jede der im optischen System (wie z.B. der Projektionsbelichtungsanlage von
Im Weiteren werden nun Aufbau und Funktionsweise unterschiedliche Ausführungsformen der optischen Komponente
Die Komponente
Gemäß
Von diesen Teilstrahlen
Der Strahlteiler
Anhand der von dem Intensitätssensor
Die durch den Aufbau von
Wie schematisch in
Ein solcher, zusätzliche Redundanz bereitstellender weiterer Intensitätssensor kann auch, wie in
Wenn die Erfindung auch anhand spezieller Ausführungsformen beschrieben wurde, erschließen sich für den Fachmann zahlreiche Variationen und alternative Ausführungsformen, z.B. durch Kombination und/oder Austausch von Merkmalen einzelner Ausführungsformen. Dementsprechend versteht es sich für den Fachmann, dass derartige Variationen und alternative Ausführungsformen von der vorliegenden Erfindung mit umfasst sind, und die Reichweite der Erfindung nur im Sinne der beigefügten Patentansprüche und deren Äquivalente beschränkt ist.Even if the invention has been described on the basis of specific embodiments, numerous variations and alternative embodiments will become apparent to the person skilled in the art, for example by combining and / or exchanging features of individual embodiments. Accordingly, it is understood by a person skilled in the art that such variations and alternative embodiments are also encompassed by the present invention, and the scope of the invention is limited only within the meaning of the attached patent claims and their equivalents.
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