DE102020207099A1

DE102020207099A1 - Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines optischen Elementes

Info

Publication number: DE102020207099A1
Application number: DE102020207099.7A
Authority: DE
Inventors: Hans-Michael Stiepan
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2020-06-05
Filing date: 2020-06-05
Publication date: 2021-03-18

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahrung zur Herstellung eines optischen Elementes (30) für eine Projektionsbelichtungsanlage (1), welches ein Substrat (31) mit einer Substratoberfläche (32) umfasst, wobei am Substrat (31) mindestens ein temperatursensitives Anbauteil (40,41) angeordnet ist, welches folgende Verfahrensschritten umfasst:
- Vermessung der Substratoberfläche (32).
- Lokale Kompaktierung des Substrates (31) zur Korrektur von Fehlern auf der Substratoberfläche (32).
- Tempern der Substratoberfläche (32) des optischen Elementes (30).
- Kühlung von Bereichen des Substrates (31), an welchen die temperatur-sensitiven Anbauteile (40,41) angeordnet sind.
Weiterhin betrifft die Erfindung eine Vorrichtung (45) zur Herstellung eines optischen Elementes (30) für eine Projektionsbelichtungsanlage (1), welches ein Substrat (31) mit einer Substratoberfläche (32) umfasst, wobei am Substrat (31) temperatursensitive Anbauteil (40,41) angeordnet sind, wobei die Vorrichtung (45) erfindungsgemäß Mittel (36,37) zur Anbindung einer im optischen Element (30) ausgebildeten Kühlvorrichtung (34) umfasst.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Herstellung eines optischen Elementes, insbesondere für eine Projektionsbelichtungsanlage.
Projektionsbelichtungsanlagen für die Mikrolithographie für den EUV-Wellenlängenbereich von 1-120 nm sind darauf angewiesen, dass die zur Abbildung einer Maske in eine Bildebene genutzten reflektiven optischen Elemente eine hohe Genauigkeit ihrer Oberflächenform aufweisen. Ebenso sollten Masken als reflektive optische Elemente für den EUV-Wellenlängenbereich eine hohe Genauigkeit ihrer Oberflächenform aufweisen, da ihr Ersatz sich in nicht unerheblicher Weise in den Betriebskosten einer Projektionsbelichtungsanlage niederschlägt.
Methoden zur Korrektur der Oberflächenform von optischen Elementen sind insbesondere aus US 6 844 272 B2 , US 6 849 859 B2 , DE 102 39 859 A1 , US 6 821 682 B1 , US 2004 0061868 A1 , US 2003 0006214 A1 , US 2003 00081722 A1 , US 6 898 011B2 , US 7 083 290 B2 , US 7 189 655 B2 , US 2003 0058986 A1 , DE 10 2007 051 291 A1 , EP 1 521 155 A2 und US 4 298 247 bekannt.
Einige der in den genannten Schriften aufgeführten Korrekturmethoden basieren darauf, das Substratmaterial von optischen Elementen durch Bestrahlung lokal zu verdichten. Hierdurch wird eine Veränderung der Oberflächenform des optischen Elements in der Nähe der bestrahlten Bereiche erzielt. Andere Methoden basieren auf einem direkten Oberflächenabtrag des optischen Elements. Wiederum andere der genannten Methoden nutzen die thermische oder elektrische Verformbarkeit von Materialien, um den optischen Elementen räumlich ausgedehnte Oberflächenformänderungen aufzuprägen.
Die DE 10 2011084117 A1 und die WO 2011/020655 A1 offenbaren Methoden, um das reflektierende optische Element zusätzlich zur Korrektur der Oberflächenform vor einer langfristigen Verdichtung (nachfolgend als „Kompaktierung“ bezeichnet) in der Größenordnung von einigen Vol.-% bzw. Alterung des Substratmaterials auf-grund von EUV-Strahlung zu schützen. Dazu wird die Oberfläche des reflektieren-den optischen Elementes homogen mit Strahlung beaufschlagt und damit verdichtet und/oder mit einer Schutzschicht beschichtet. Beide Verfahren verhindern das Eindringen der EUV-Strahlung in das Substratmaterial. Dadurch können langfristig unzulässige Oberflächenverformungen durch Kompaktierung des Materials durch die EUV-Strahlung verhindert werden.
Als Ursache der Kompaktierung bzw. Alterung von Substratmaterialien, wie zum Beispiel Zerodur® von der Schott AG oder ULE® von Corning Inc. mit einem Anteil von mehr als 40 Vol.-% SiO2, wird angenommen, dass bei den hohen Herstelltemperaturen des Substratmaterials ein thermodynamischer Ungleichgewichtszustand eingefroren wird, welcher bei EUV Bestrahlung in einen thermodynamischen Grundzustand übergeht. Passend zu dieser Hypothese lassen sich Beschichtungen aus SiO₂ herstellen, die keine solche Kompaktierung zeigen, da bei entsprechend gewählter Beschichtungsmethode diese Schichten bei wesentlich niedrigeren Temperaturen als das Substratmaterial hergestellt werden.
Die Kompaktierung geht über die Zeit zurück, wodurch sich die Oberflächenform wiederum verändert. Dieser Rückgang der Kompaktierung, der im Folgenden auch als Dekompaktierung bezeichnet wird, beruht vermutlich auf einer Relaxation der durch die Bestrahlung im Material erzeugten Defektzustände. Die über die Zeit durch die Dekompaktierung verursachten Veränderungen der Oberflächenform können durch Tempern des optischen Elementes auf ein Minimum reduziert werden. Dazu wird das optische Element homogen oder lokal über einen längeren Zeitraum auf Temperaturen über der normalen Betriebstemperatur erwärmt, was einer Beschleunigung der über die Zeit stattfindenden Dekompaktierung gleich kommt. Nachteilig an den bekannten Tempermethoden ist es, dass die Temperatur der Oberfläche durch die maximale Temperatur der temperatursensitiven Elementen wie beispielsweise Anbindungen und/oder Sensoren auf Temperaturen von 40° Celsius bis 60° Celsius beschränkt sind. Dies führt zu einer langen Durchlaufzeit in der Fertigung des optischen Elementes, die sich negativ auf die Produktionskosten auswirkt.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein verbessertes Verfahren bereitzustellen, welches die oben beschriebenen Nachteile des Standes der Technik beseitigt. Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, eine verbesserte Anlage zur Herstellung eines optischen Elementes anzugeben.
Diese Aufgaben werden gelöst durch eine Vorrichtung und ein Verfahren mit den Merkmalen der unabhängigen Ansprüche. Die Unteransprüche betreffen vorteilhafte Weiterbildungen und Varianten der Erfindung.
Ein erfindungsgemäßes Verfahren zur Herstellung eines optischen Elementes für eine Projektionsbelichtungsanlage, welches ein Substrat mit einer Substratoberfläche umfasst und wobei am Substrat mindestens ein temperatursensitives Anbauteil angeordnet ist, umfasst folgende Verfahrensschritte:

- Vermessung der Substratoberfläche.
- Lokale Kompaktierung des Substrates zur Korrektur von Fehlern auf der Substratoberfläche.
- Tempern der Substratoberfläche des optischen Elementes.
- Kühlung von Bereichen des Substrates, an welchen die temperatursensitiven Anbauteile angeordnet sind.

Die Vermessung der Substratoberfläche kann mit einem interferometrischen Messmittel durchgeführt werden. Die lokale Kompaktierung zur Korrektur von Fehlern auf der Substratoberfläche kann beispielsweise durch Elektronenstrahlung bewirkt werden.
Insbesondere können die temperatursensitiven Anbauteile auf eine Temperatur unter 60° Celsius, bevorzugt unter eine Temperatur von unter 40° Celsius, besonders bevorzugt auf eine Temperatur von unter 25° Celsius gekühlt werden. Die Kühlung der Anbauteile kann beispielsweise durch das Anbringen einer zusätzlichen Kühlvorrichtung erreicht werden.
Weiterhin kann die Substratoberfläche beim Tempern auf eine Temperatur über 100° Celsius, bevorzugt auf eine Temperatur über 200° Celsius, besonders bevorzugt über eine Temperatur von über 400° Celsius erwärmt werden. Je nach den im Betrieb zu erwartenden Temperaturen des Spiegels und der Haltezeit beim Tempern des Substrates können die Temperaturen beim Tempern voneinander abweichen. Je höher die Temperatur, desto geringer wird die Haltezeit beim Tempern, wodurch eine vorteilhafte Verkürzung der Durchlaufzeiten der Spiegel bei der Herstellung und eine damit verbunden Kostenreduzierung erreicht werden kann.
In einer Ausführungsform der Erfindung kann das Tempern durch Erwärmen der Substratoberfläche mit einer Infrarotheizung bewirkt werden. Dies hat den Vorteil, dass im Gegensatz zu einer Erwärmung im Ofen nur die Substratoberfläche, auf welcher die optisch aktive Fläche ausgebildet ist, mit Wärmeenergie beaufschlagt wird. Über den sich ausbildenden Temperaturgradienten im Substrat sinkt die Temperatur in Richtung der temperatursensitiven Anbauteile bereits durch eine Abgabe der Wärmeenergie an die Umgebung.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung kann das Tempern durch Erwärmen des optischen Elementes in einem Ofen bewirkt werden. Dies hat den Vorteil, dass das Substrat gleichmäßig erwärmt werden kann und dadurch Spannungen und Deformationen durch Temperaturgradienten im Substrat weitestgehend vermieden werden können.
Insbesondere kann die Kühlung durch eine im optischen Element angeordnete Kühlvorrichtung bewirkt werden. Aufgrund der Erhöhung der Intensität der zur Abbildung der Strukturen genutzten Strahlung und der Reduzierung der Toleranzen bezüglich der Deformation der optisch aktiven Fläche auf Grund von Temperaturgradienten können Spiegel einer neuen Generation von Projektionsoptiken eine Kühlvorrichtung umfassen. Diese umfasst Kühlkanäle, die durch ein Kühlfluid durchströmt werden können. Dieses kann die Wärmeenergie, die durch die Infrarotlampe in die Substratoberfläche eingebracht wird abführen. Die Kompaktierung des Spiegels befindet sich nur im Bereich der Substratoberfläche, so dass auch die zur Temperierung der Spiegeloberfläche benötigte Temperatur nur in diesem Bereich notwendig ist. Die Kühlkanäle sind zwischen den kompaktierten Bereichen der Substratoberfläche und den temperatursensitiven Bauteilen angeordnet, so dass die Wärmeenergie der Temperierung durch die Kühlvorrichtung abgeführt werden kann, bevor die temperatursensitiven Bauteile erwärmt werden.
Dabei kann das zur Kühlung verwendete Kühlfluid dem im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage verwendeten Kühlfluid entsprechen. Das Kühlfluid umfasst beispielsweise Wasser.
Alternativ kann das Kühlfluid von einem im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage verwendeten Kühlfluid verschieden sein, also beispielsweise Helium umfassen.
Abhängig von der für die Temperierung der Substratoberfläche benötigten Kühlleistungen können die verwendeten Werte für die Temperatur und/oder die Strömungsgeschwindigkeit des Kühlfluids den im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage eingestellten Werten entsprechen. Dies hat den Vorteil, dass die gleiche Kühlvorrichtung und die gleiche Ansteuerung für die Kühlung der Spiegel beim Tempern verwendet werden können.
Alternativ können sich die verwendeten Werte für die Temperatur und/oder die Strömungsgeschwindigkeit des Kühlfluids von den im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage eingestellten Werten unterscheiden. Dies hat den Vorteil, dass die Temperatur und die Strömungsgeschwindigkeiten des Kühlfluids derart eingestellt werden können, dass die durch die Temperierung eingebrachte Wärmeenergie vollständig aufgenommen werden kann. Die temperatursensitiven Anbauteile werden dadurch beim Tempern nicht erwärmt.
Eine erfindungsmäßige Vorrichtung zur Herstellung eines optischen Elementes für eine Projektionsbelichtungsanlage, welche ein Substrat mit einer Substratoberfläche umfasst, wobei am Substrat temperatursensitive Anbauteil angeordnet sind, umfasst erfindungsgemäß Mittel zur Anbindung einer im optischen Element ausgebildeten Kühlvorrichtung. Die Mittel zur Anbindung sind beispielsweise als ein Zufluss und ein Abfluss ausgebildet.
Daneben kann die Vorrichtung eine Vorrichtung zur Konditionierung eines Kühlfluids umfassen, wobei der Zufluss und der Abfluss mit der Vorrichtung zur Konditionierung des Kühlfluids verbunden sein können.
Weiterhin kann die Vorrichtung einen Ofen und/oder eine Infrarotlampe zur Erwärmung der Substratoberfläche umfassen.
Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele und Varianten der Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen

1 den prinzipiellen Aufbau einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage, in welcher die Erfindung verwirklicht sein kann,
2 einen prinzipiellen Aufbau einer erfindungsgemäßen Vorrichtung, und
3 ein Flussdiagramm zu einem erfindungsgemäßen Herstellungsverfahren.

1 zeigt exemplarisch den prinzipiellen Aufbau einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithographie, in welcher die Erfindung Anwendung finden kann. Ein Beleuchtungssystem der Projektionsbelichtungsanlage 1 weist neben einer Lichtquelle 3 eine Beleuchtungsoptik 4 zur Beleuchtung eines Objektfeldes 5 in einer Objektebene 6 auf. Eine durch die Lichtquelle 3 erzeugte EUV-Strahlung 14 als optische Nutzstrahlung wird mittels eines in der Lichtquelle 3 integrierten Kollektors derart ausgerichtet, dass sie im Bereich einer Zwischenfokusebene 15 einen Zwischenfokus durchläuft, bevor sie auf einen Feldfacettenspiegel 2 trifft. Nach dem Feldfacettenspiegel 2 wird die EUV-Strahlung 14 von einem Pupillenfacettenspiegel 16 reflektiert. Unter Zuhilfenahme des Pupillenfacettenspiegels 16 und einer optischen Baugruppe 17 mit Spiegeln 18, 19 und 20 werden Feldfacetten des Feldfacettenspiegels 2 in das Objektfeld 5 abgebildet.
Beleuchtet wird ein im Objektfeld 5 angeordnetes Retikel 7, das von einem schematisch dargestellten Retikelhalter 8 gehalten wird. Eine lediglich schematisch dargestellte Projektionsoptik 9 dient zur Abbildung des Objektfeldes 5 in ein Bildfeld 10 in eine Bildebene 11. Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel 7 auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 10 in der Bildebene 11 angeordneten Wafers 12, der von einem ebenfalls ausschnittsweise dargestellten Waferhalter 13 gehalten wird. Die Lichtquelle 3 kann Nutzstrahlung insbesondere in einem Wellenlängenbereich zwischen 1 nm und 120 nm emittieren.
Die Erfindung kann ebenso in einer DUV-Anlage verwendet werden, die nicht dargestellt ist. Eine DUV-Anlage ist prinzipiell wie die oben beschriebene EUV-Anlage 1 aufgebaut, wobei in einer DUV-Anlage Spiegel und Linsen als optische Elemente verwendet werden können und die Lichtquelle einer DUV-Anlage eine Nutzstrahlung in einem Wellenlängenbereich von 100 nm bis 300 nm emittiert.
2 zeigt eine schematische Darstellung einer erfindungsgemäßen Vorrichtung 45 zur Herstellung eines optischen Elementes. Das als Spiegel 30 ausgebildete optische Element umfasst ein Substrat 31 mit einer Substratoberfläche 32. Das Substrat 31 umfasst seinerseits eine Kühlvorrichtung 34 zur Abführung von Wärmeenergie, die im Betrieb durch eine teilweise Absorption der Nutzstrahlung an der Substratoberfläche 32 im Substrat entsteht. Die Kühlvorrichtung 34 umfasst mäanderförmige Kühlkanäle 35, die im Substrat 31 ausgebildet sind. Alternativ zu der hier dargestellten mäanderförmigen Ausbildung der Kühlkanäle 35 können diese auch als durchgehende Bohrungen von einer Seite des Substrats 31 zur anderen Seite verlaufen, so dass jeder einzelne Kühlkanal 35 mit einer individuellen Temperatur angesteuert werden kann. Darüber hinaus können auch Kühlkanäle 35 in zwei oder mehr Ebenen mit unterschiedlichem Abstand zur Substratoberfläche 32 ausgebildet sein. Die Vorrichtung 45 umfasst weiterhin einen Zufluss 36 und einen Abfluss 37, die mit einer Vorrichtung 38 zur Konditionierung des Kühlfluids 39, wie beispielsweise Wasser, und den Kühlkanälen 35 im Substrat 31 verbunden sind. Die Substratoberfläche 32 wird in der in 2 dargestellten Ausführungsform durch eine als Infrarotlampe 42 ausgebildete Heizvorrichtung bestrahlt, wodurch sich die Substratoberfläche 32 erwärmt. Alternativ kann das Substrat 31 auch in einem Ofen erwärmt werden. Die Substratoberfläche 32 wird dabei auf Temperaturen von mindestens 60° Celsius und bis zu 400° Celsius erwärmt. Die im Substrat 31 integrierte Kühlvorrichtung 34 wird über den Zufluss 36 und den Abfluss 37 mit der Vorrichtung 38 zur Konditionierung des Kühlfluids 39 verbunden, wodurch die in die Substratoberfläche 32 eingebrachte Wärmeenergie durch das Kühlfluid 39 wieder abgeführt wird. Dadurch werden die im unteren Bereich des Substrats 31 angeordneten temperatursensiblen Anbauteile, wie beispielsweise Sensoren 40 oder Anbindungspunkte 41 für Aktuatoren (nicht dargestellt), mit einer geringeren Temperatur als die Substratoberfläche 32 belastet. Die temperatursensiblen Bauteile 40, 41 dürfen nur einer maximalen Temperatur zwischen 40° bis 60° Celsius ausgesetzt sein, ohne ihre Funktion zu verlieren. Durch die Verwendung der Kühlvorrichtung 34 bei der Dekompaktierung können die für die Dekompaktierung notwendigen Temperaturen an der Substratoberfläche 32 eingestellt werden, ohne dabei die maximalen Temperaturen der temperatursensiblen Bauteile 40, 41 zu überschreiten. Die Verwendung der Kühlvorrichtung 34 ist auch bei der Erwärmung des Substrates 31 in einem Ofen möglich, wobei dabei noch eine zusätzliche Kühlvorrichtung auf der Unterseite oder der Seite des Substrates 31 zur besseren Kühlung der temperatursensitiven Bauteile notwendig werden kann. Zur Überwachung der Temperatur auf der Substratoberfläche 32 ist oberhalb dieser eine Infrarotkamera 43 und eine Blende 44 angeordnet, die die Temperatur der Substratoberfläche 32 erfasst. Die Blende 44 stellt sicher, dass keine die Temperaturerfassung verfälschende Wärmestrahlung von umgebenden Bauteilen, sondern nur die Wärmestrahlung der Strukturoberfläche 32 von der Infrarotkamera 43 erfasst wird.
3 beschreibt ein mögliches Verfahrung zur Herstellung eines optischen Elementes 30 für eine Projektionsbelichtungsanlage 1, welches ein Substrat 31 mit einer Substratoberfläche 32 umfasst, wobei an dem Substrat 31 mindestens ein temperatursensitives Anbauteil 36, 37 angeordnet ist.
In einem ersten Verfahrensschritt 51 wird die Substratoberfläche 32 vermessen.
In einem zweiten Verfahrensschritt 52 wird das Substrat 31 zur Korrektur von Fehlern auf der Substratoberfläche 32 lokal kompaktiert.
In einem dritten Verfahrensschritt 53 wird die Substratoberfläche 32 des optischen Elementes 30 getempert.
In einem vierten Verfahrensschritt 54 werden Bereiche des Substrates, an welchen die temperatursensitiven Anbauteile 36, 37 angeordnet sind, gekühlt.
Bezugszeichenliste

1: Projektionsbelichtungsanlage
2: Feldfacettenspiegel
3: Lichtquelle
4: Beleuchtungsoptik
5: Objektfeld
6: Objektebene
7: Retikel
8: Retikelhalter
9: Projektionsoptik
10: Bildfeld
11: Bildebene
12: Wafer
13: Waferhalter
14: EUV-Strahlung
15: Zwischenfeldfokusebene
16: Pupillenfacettenspiegel
17: Baugruppe
18: Spiegel
19: Spiegel
20: Spiegel
30: Spiegel
31: Substrat
32: Substratoberfläche
33: Anbauteil
34: Kühlvorrichtung
35: Kühlkanal
36: Zufluss
37: Abfluss
38: Vorrichtung zur Konditionierung des Kühlfluids
39: Kühlfluid
40: Sensor
41: Anbindungspunkte Aktuatoren
42: Infrarotlampe
43: Infrarotkamera
44: Blende
45: Vorrichtung zur Herstellung eines optischen Elementes
51: Verfahrensschritt 1
52: Verfahrensschritt 2
53: Verfahrensschritt 3
54: Verfahrensschritt 4

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

US 6844272 B2 [0003]
US 6849859 B2 [0003]
DE 10239859 A1 [0003]
US 6821682 B1 [0003]
US 20040061868 A1 [0003]
US 20030006214 A1 [0003]
US 200300081722 A1 [0003]
US 6898011 B2 [0003]
US 7083290 B2 [0003]
US 7189655 B2 [0003]
US 20030058986 A1 [0003]
DE 102007051291 A1 [0003]
EP 1521155 A2 [0003]
US 4298247 [0003]
DE 102011084117 A1 [0005]
WO 2011/020655 A1 [0005]

Claims

Verfahren zur Herstellung eines optischen Elementes (30) für eine Projektionsbelichtungsanlage (1), welches ein Substrat (31) mit einer Substratoberfläche (32) umfasst, wobei am Substrat (31) mindestens ein temperatursensitives Anbauteil (40,41) angeordnet ist, mit den folgenden Verfahrensschritten: - Vermessung der Substratoberfläche (32), - Lokale Kompaktierung des Substrates (31) zur Korrektur von Fehlern auf der Substratoberfläche (32), - Tempern der Substratoberfläche (32) des optischen Elementes (30), - Kühlung von Bereichen des Substrates (31), an welchen die temperatursensitiven Anbauteile (40,41) angeordnet sind.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die temperatursensitiven Anbauteile (40,41) auf eine Temperatur unter 60° Celsius, bevorzugt unter eine Temperatur von unter 40° Celsius, besonders bevorzugt auf eine Temperatur von unter 25° Celsius gekühlt werden.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Substratoberfläche (32) beim Tempern auf eine Temperatur über 100° Celsius, bevorzugt auf eine Temperatur über 200° Celsius besonders bevorzugt über eine Temperatur von über 400° Celsius erwärmt wird.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Tempern durch Erwärmen der Substratoberfläche (32) mit einer Infrarotheizung (42) bewirkt wird.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Tempern durch Erwärmen des optischen Elementes (30) in einem Ofen bewirkt wird.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Kühlung durch eine im optischen Element (30) angeordnete Kühlvorrichtung (34) bewirkt wird.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein zur Kühlung verwendetes Kühlfluid (39) dem im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage (1) verwendeten Kühlfluid (39) entspricht.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche 1-6, dadurch gekennzeichnet, dass das Kühlfluid (39) von einem im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage (1) verwendeten Kühlfluid (39) verschieden ist.
Verfahren nach einem der Ansprüche 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass die verwendeten Werte für die Temperatur und/oder die Strömungsgeschwindigkeit des Kühlfluids (39) den im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage (1) eingestellten Werten entsprechen.
Verfahren nach einem der Ansprüche 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass sich die verwendeten Werte für die Temperatur und/oder der Strömungsgeschwindigkeit des Kühlfluids (39) von den im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage (1) eingestellten Werten unterscheiden.
Vorrichtung (45) zur Herstellung eines optischen Elementes (30) für eine Projektionsbelichtungsanlage (1), welches ein Substrat (31) mit einer Substratoberfläche (32) umfasst, wobei am Substrat (31) temperatursensitive Anbauteil (40,41) angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung (45) Mittel (36,37) zur Anbindung einer im optischen Element (30) ausgebildeten Kühlvorrichtung (34) umfasst.
Vorrichtung (45) nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Kühlvorrichtung (34) eine Vorrichtung (38) zur Konditionierung eines Kühlfluids (39) umfasst.
Vorrichtung (45) nach einem der Ansprüche 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung (45) einen Ofen und/oder eine Infrarotlampe (42) zur Erwärmung der Substratoberfläche (32) umfasst.