DE102020123797A1 - Optoelektronische sensorzelle und optoelektronischer halbleitersensor - Google Patents

Optoelektronische sensorzelle und optoelektronischer halbleitersensor Download PDF

Info

Publication number
DE102020123797A1
DE102020123797A1 DE102020123797.9A DE102020123797A DE102020123797A1 DE 102020123797 A1 DE102020123797 A1 DE 102020123797A1 DE 102020123797 A DE102020123797 A DE 102020123797A DE 102020123797 A1 DE102020123797 A1 DE 102020123797A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor
layer
filter layer
optoelectronic
sensor cell
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102020123797.9A
Other languages
English (en)
Inventor
Jens Ebbecke
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to DE102020123797.9A priority Critical patent/DE102020123797A1/de
Priority to PCT/EP2021/073952 priority patent/WO2022053348A1/de
Publication of DE102020123797A1 publication Critical patent/DE102020123797A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
    • H01L31/02164—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers, cold shields for infrared detectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/0304—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
    • H01L31/03042—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds characterised by the doping material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/0304—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
    • H01L31/03046—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds including ternary or quaternary compounds, e.g. GaAlAs, InGaAs, InGaAsP
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035209—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions comprising a quantum structures
    • H01L31/035218—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions comprising a quantum structures the quantum structure being quantum dots
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035236—Superlattices; Multiple quantum well structures

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

Eine optoelektronische Sensorzelle (10) umfasst einen Halbleiterschichtstapel (111), der eine erste Halbleiterschicht (110) von einem ersten Leitfähigkeitstyp, eine aktive Zone (115) zur Erzeugung oder Absorption von Strahlung mit einer Wellenlänge kleiner als einer ersten Grenzwellenlänge, sowie eine zweite Halbleiterschicht (120) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist. Der Halbleiterschichtstapel (111) weist ferner eine Filterschicht (125) auf einer von der aktiven Zone (110) abgewandten Seite der ersten oder zweiten Halbleiterschicht (110, 120) auf. Die Filterschicht (125) weist ein Halbleitermaterial auf, welches geeignet ist, Strahlung mit einer Wellenlänge kleiner als eine zweite Grenzwellenlänge zu absorbieren, wobei die zweite Grenzwellenlänge kleiner als die erste Grenzwellenlänge ist. Ferner ist die Filterschicht (125) nicht Teil eines Stromkreises, durch den eine Spannung zwischen der ersten und der zweiten Halbleiterschicht (110, 120) anlegbar ist.

Description

  • Optoelektronische Halbleiterbauelemente können geeignet sein, sowohl elektromagnetische Strahlung zu emittieren als auch nachzuweisen. Dabei ist eine optoelektronische Sensorzelle in der Lage, Helligkeitswerte zu erfassen. Um Farbinformation zu erhalten, werden üblicherweise Farbfilter vor den Sensorzellen angebracht, und die zugehörigen Helligkeitswerte ermittelt.
  • Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine verbesserte optoelektronische Sensorzelle, einen verbesserten optoelektronischen Halbleitersensor sowie eine verbesserte Sensorvorrichtung zur Verfügung zu stellen.
  • Gemäß Ausführungsformen wird die Aufgabe durch den Gegenstand der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Die abhängigen Patentansprüche definieren vorteilhafte Weiterentwicklungen.
  • Eine optoelektronische Sensorzelle umfasst einen Halbleiterschichtstapel, der eine erste Halbleiterschicht von einem ersten Leitfähigkeitstyp, eine aktive Zone zur Erzeugung oder Absorption von Strahlung mit einer Wellenlänge kleiner als einer ersten Grenzwellenlänge, sowie eine zweite Halbleiterschicht von einem zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist. Der Halbleiterschichtstapel weist ferner eine Filterschicht auf einer von der aktiven Zone abgewandten Seite der ersten oder zweiten Halbleiterschicht auf. Die Filterschicht enthält ein Halbleitermaterial, welches geeignet ist, Strahlung mit einer Wellenlänge kleiner als eine zweite Grenzwellenlänge zu absorbieren, wobei die zweite Grenzwellenlänge kleiner als die erste Grenzwellenlänge ist. Die Filterschicht ist nicht Teil eines Stromkreises, durch den eine Spannung zwischen der ersten und der zweiten Halbleiterschicht anlegbar ist. Beispielsweise ist die Filterschicht nicht mit zwei Komponenten eines solchen Stromkreises verbunden.
  • Beispielsweise kann eine Schichtdicke der Filterschicht größer als 10 nm oder auch größer als 20 nm sein. Die Schichtdicke der Filterschicht kann kleiner als 10 µm, beispielsweise kleiner als 500 nm sein.
  • Gemäß Ausführungsformen können die erste und zweite Halbleiterschicht III/V-Halbleitermaterialien enthalten.
  • Beispielsweise enthält die aktive Zone InGaAlP und die Filterschicht AlxGa1-xAs. Beispielsweise kann x entsprechend einer von der optoelektronischen Sensorzelle nachzuweisenden Farbe ausgewählt sein.
  • Gemäß Ausführungsformen können die aktive Zone InGaN und die Filterschicht InGaN enthalten. Beispielsweise kann ein Indium-gehalt der Filterschicht geringer sein als der Indiumgehalt der aktiven Zone.
  • Generell können beispielsweise mindestens zwei Zusammensetzungselemente eines Halbleitermaterials der aktiven Zone und der Filterschicht identisch sein, beispielsweise Indium und Gallium. Das Zusammensetzungsverhältnis des Halbleitermaterials der aktiven Zone und der Filterschicht kann jeweils verändert werden, um eine geeignete Bandlücke für aktive Zone und Filterschicht einzustellen. Auf diese Weise kann der Halbleiterschichtstapel, der die Filterschicht enthält, in einfacher Weise hergestellt werden.
  • Ein optoelektronischer Halbleitersensor umfasst eine Vielzahl von optoelektronischen Sensorzellen wie vorstehend definiert. Mindestens zwei der Vielzahl von optoelektronischen Sensorzellen sind geeignet, Licht von jeweils unterschiedlichen Farben zu absorbieren.
  • Ein Nachtsichtgerät umfasst die optoelektronische Sensorzelle wie vorstehend beschrieben, wobei die optoelektronische Sensorzelle geeignet ist, Infrarotstrahlung nachzuweisen.
  • Eine künstliche Retina weist den optoelektronischen Halbleitersensor wie vorstehend beschrieben auf.
  • Die begleitenden Zeichnungen dienen dem Verständnis von Ausführungsbeispielen der Erfindung. Die Zeichnungen veranschaulichen Ausführungsbeispiele und dienen zusammen mit der Beschreibung deren Erläuterung. Weitere Ausführungsbeispiele und zahlreiche der beabsichtigten Vorteile ergeben sich unmittelbar aus der nachfolgenden Detailbeschreibung. Die in den Zeichnungen gezeigten Elemente und Strukturen sind nicht notwendigerweise maßstabsgetreu zueinander dargestellt. Gleiche Bezugszeichen verweisen auf gleiche oder einander entsprechende Elemente und Strukturen.
    • 1A zeigt ein Beispiel eines Schichtaufbaus einer optoelektronischen Sensorzelle gemäß Ausführungsformen.
    • 1B zeigt eine schematische Bandstruktur der optoelektronischen Sensorzelle gemäß Ausführungsformen.
    • 1C zeigt ein Beispiel des Absorptionsvermögens und des erzeugten photovoltaischen Stroms gemäß Ausführungsformen.
    • 2 zeigt eine schematische Draufsicht auf einen optoelektronischen Halbleitersensor gemäß Ausführungsformen.
    • 3A zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer optoelektronischen Sensorzelle gemäß Ausführungsformen.
    • 3B zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer optoelektronischen Sensorzelle gemäß weiteren Ausführungsformen.
    • 3C zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer optoelektronischen Sensorzelle gemäß weiteren Ausführungsformen.
    • 4A zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer optoelektronischen Sensorzelle gemäß Ausführungsformen.
    • 4B zeigt eine schematische Bandstruktur der in 4A gezeigten optoelektronischen Sensorzelle.
    • 5A zeigt ein Nachtsichtgerät gemäß Ausführungsformen.
    • 5B zeigt eine künstliche Retina gemäß Ausführungsformen.
  • In der folgenden Detailbeschreibung wird auf die begleitenden Zeichnungen Bezug genommen, die einen Teil der Offenbarung bilden und in denen zu Veranschaulichungszwecken spezifische Ausführungsbeispiele gezeigt sind. In diesem Zusammenhang wird eine Richtungsterminologie wie „Oberseite“, „Boden“, „Vorderseite“, „Rückseite“, „über“, „auf“, „vor“, „hinter“, „vorne“, „hinten“ usw. auf die Ausrichtung der gerade beschriebenen Figuren bezogen. Da die Komponenten der Ausführungsbeispiele in unterschiedlichen Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie nur der Erläuterung und ist in keiner Weise einschränkend.
  • Die Beschreibung der Ausführungsbeispiele ist nicht einschränkend, da auch andere Ausführungsbeispiele existieren und strukturelle oder logische Änderungen gemacht werden können, ohne dass dabei vom durch die Patentansprüche definierten Bereich abgewichen wird. Insbesondere können Elemente von im Folgenden beschriebenen Ausführungsbeispielen mit Elementen von anderen der beschriebenen Ausführungsbeispiele kombiniert werden, sofern sich aus dem Kontext nichts anderes ergibt.
  • Je nach Verwendungszweck können Halbleitermaterialien direkte oder indirekte Halbleitermaterialien enthalten. Beispiele für zur Erzeugung und zum Nachweis elektromagnetischer Strahlung besonders geeignete Halbleitermaterialien umfassen III-V-Halbleitermaterialien, insbesondere Nitrid-Halbleiterverbindungen, durch die beispielsweise ultraviolettes, blaues oder langwelligeres Licht erzeugt werden kann, wie beispielsweise GaN, InGaN, AlN, AlGaN, AlGaInN, AlGaInBN, Phosphid-Halbleiterverbindungen, durch die beispielsweise grünes oder langwelligeres Licht erzeugt werden kann, wie beispielsweise GaAsP, AlGaInP, GaP, AlGaP, sowie weitere Halbleitermaterialien wie GaAs, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, SiC, ZnSe, ZnO, Ga2O3, Diamant, hexagonales BN und Kombinationen der genannten Materialien. Das stöchiometrische Verhältnis der Verbindungshalbleitermaterialien kann variieren. Weitere Beispiele für Halbleitermaterialien können Silizium, Silizium-Germanium und Germanium umfassen. Im Kontext der vorliegenden Beschreibung schließt der Begriff „Halbleiter“ auch organische Halbleitermaterialien ein.
  • Der Begriff „Substrat“ umfasst generell isolierende, leitende oder Halbleitersubstrate.
  • Im Kontext dieser Beschreibung bedeutet der Begriff „elektrisch verbunden“ eine niederohmige elektrische Verbindung zwischen den verbundenen Elementen. Die elektrisch verbundenen Elemente müssen nicht notwendigerweise direkt miteinander verbunden sein. Weitere Elemente können zwischen elektrisch verbundenen Elementen angeordnet sein.
  • Der Begriff „elektrisch verbunden“ umfasst auch Tunnelkontakte zwischen den verbundenen Elementen.
  • Der Begriff „vertikal“, wie er in dieser Beschreibung verwendet wird, soll eine Orientierung beschreiben, die im Wesentlichen senkrecht zu der ersten Oberfläche eines Substrats oder Halbleiterkörpers verläuft. Die vertikale Richtung kann beispielsweise einer Wachstumsrichtung beim Aufwachsen von Schichten entsprechen.
  • Die Begriffe „lateral“ und „horizontal“, wie in dieser Beschreibung verwendet, sollen eine Orientierung oder Ausrichtung beschreiben, die im Wesentlichen parallel zu einer ersten Oberfläche eines Substrats oder Halbleiterkörpers verläuft. Dies kann beispielsweise die Oberfläche eines Wafers oder eines Chips (Die) sein.
  • Die horizontale Richtung kann beispielsweise in einer Ebene senkrecht zu einer Wachstumsrichtung beim Aufwachsen von Schichten liegen.
  • 1A zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer optoelektronischen Sensorzelle 10 gemäß Ausführungsformen. Die optoelektronische Sensorzelle 10 umfasst einen Halbleiterschichtstapel 111. Der Halbleiterschichtstapel 111 umfasst mehrere Schichten, die beispielsweise epitaktisch übereinander aufgewachsen sein können. Der Halbleiterschichtstapel umfasst eine erste Halbleiterschicht 110 von einem ersten Leitfähigkeitstyp, beispielsweise p-Typ, eine aktive Zone 115 zur Erzeugung oder Absorption von Strahlung mit einer Wellenlänge kleiner einer ersten Grenzwellenlänge. Der Halbleiterschichtstapel 111 weist ferner eine zweite Halbleiterschicht 120 von einem zweiten Leitfähigkeitstyp auf. Der Halbleiterschichtstapel 111 weist darüber hinaus eine Filterschicht 125 auf einer von der aktiven Zone 115 abgewandten Seite der ersten oder zweiten Halbleiterschicht 110, 120 auf. Die Filterschicht 125 weist ein Halbleitermaterial auf, welches geeignet ist, Strahlung mit einer Wellenlänge, die kleiner als eine zweite Grenzwellenlänge ist, zu absorbieren. Die zweite Grenzwellenlänge ist dabei kleiner als die erste Grenzwellenlänge. Weiterhin ist gemäß Ausführungsformen die Filterschicht 125 nicht Teil eines Stromkreises, durch den eine Spannung an die erste und die zweite Halbleiterschicht 110, 120 anlegbar ist.
  • Die aktive Zone 115 kann beispielsweise einen pn-Übergang, eine Doppelheterostruktur, eine Einfach-Quantentopf-Struktur (SQW, single quantum well) oder eine Mehrfach-Quantentopf-Struktur (MQW, multi quantum well) zur Strahlungserzeugung aufweisen. Die Bezeichnung „Quantentopf-Struktur“ entfaltet hierbei keine Bedeutung hinsichtlich der Dimensionalität der Quantisierung. Sie umfasst somit unter anderem Quantentröge, Quantendrähte und Quantenpunkte sowie jede Kombination dieser Schichten. Als Beispiel sind in 1A Barrierenschichten 113 und Quantentopfschichten 116 angegeben.
  • Generell kann durch Anlegen einer Spannung an den beispielsweise in 1A dargestellten Halbleiterschichtstapel 111 elektromagnetische Strahlung emittiert oder absorbiert werden, in Abhängigkeit von der Polarität der angelegten Spannung. Beispielsweise kann unter Verwendung einer Spannungsquelle 20 eine Spannung in Rückwärtsrichtung über ein erstes Anschlusselement 101, das beispielsweise mit der ersten Halbleiterschicht 110 verbunden und dieses direkt berührt und ein zweites Anschlusselement 102, das mit der zweiten Halbleiterschicht 120 verbunden ist und an diese direkt angrenzt, an die Halbleiterschichtenfolge angelegt werden. Eine Strommesseinrichtung 25 kann vorgesehen sein, um einen Fotostrom zu messen.
  • Wie in 1A dargestellt ist, ist die Filterschicht 125 außerhalb dieses Stromkreises angeordnet. Auf diese Weise wird verhindert, dass die von der Filterschicht 125 erzeugten Ladungsträger zum Photostrom beitragen. Beispielsweise kann die Filterschicht außerhalb, beispielsweise oberhalb oder unterhalb der stromführenden Schichten angeordnet sein. Gemäß Ausführungsformen kann die Filterschicht 125 von der ersten oder zweiten Halbleiterschicht 110, 120 elektrisch isoliert sein. Gemäß weiteren Ausführungsformen können elektrisch leitende oder Halbleiterschichten zwischen der Filterschicht 125 und der ersten Halbleiterschicht 110 angeordnet sein.
  • Beispielsweise kann eine Schichtdicke der Filterschicht 125 größer als 10 nm sein. Der Abstand der Filterschicht 125 von der aktiven Zone kann beispielsweise größer als eine Diffusionslänge von Ladungsträgern in dem entsprechenden Material sein. Typischerweise ist die Diffusionslänge größer als 10 nm, beispielsweise größer als 100 nm. Die Diffusionslänge kann kleiner als 5 µm, beispielsweise kleiner als 1 µm sein. Auf diese Weise wird weiterhin verhindert, dass die von der Filterschicht 125 erzeugten Ladungsträger zu einem Photostrom beitragen. Gemäß Ausführungsformen kann die Filterschicht 125 breitbandig elektromagnetische Strahlung absorbieren. Beispielsweise kann die Filterschicht 125 sämtliche Wellenlängen kleiner der zweiten Grenzwellenlänge absorbieren.
  • Gemäß Ausführungsformen kann die Filterschicht 125 epitaktisch über den weiteren Halbleiterschichten des Halbleiterschichtstapels 111 aufgewachsen sein. Gemäß weiteren Ausführungsformen kann die Filterschicht aber auch durch ein anderes Verfahren über den Schichten des Halbleiterschichtstapels aufgebracht werden.
  • 1B veranschaulicht schematisch ein Banddiagramm der optoelektronischen Sensorzelle von 1A. In 1B ist der Verlauf von Leitungsband (Ec) und Valenzband (Ev) sowie der Fermienergie (EF) angegeben. Hier ist angenommen, dass der erste Leitfähigkeitstyp der Schicht 110 der p-Leitfähigkeitstyp ist und der zweite Leitfähigkeitstyp der zweiten Halbleiterschicht 120 der n-Leitfähigkeitstyp ist. Die Leitfähigkeitstypen können jedoch auch umgekehrt sein. Darüber hinaus ist angenommen, dass die Filterschicht 125 intrinsische Leitfähigkeit hat. Gemäß weiteren Ausführungsformen kann die Filterschicht 125 jedoch auch vom ersten oder zweiten Leitfähigkeitstyp sein. Wie in 1B dargestellt ist, ist die Filterschicht 125 mit Abstand d von der ersten Halbleiterschicht 110 beabstandet. Die aktive Zone 115 umfasst eine Vielzahl von Barrierenschichten 113 und Quantentopfschichten 116. Eine Quantentopfschicht ist immer zwischen zwei Barrierenschichten angeordnet.
  • Beispielsweise kann das Material der ersten und zweiten Halbleiterschicht 110, 120 AlGaAs sein, und das Material der Quantentöpfe 116 kann GaAs sein. Ein Material der Barrierenschichten 113 kann auch AlGaAs sein. Beispielsweise kann das stöchiometrische Verhältnis der Barrierenschichten 113 anders als bei der ersten oder zweiten Halbleiterschicht 110, 120 sein, um die Bandlücke auf einen bestimmten Wert einzustellen.
  • Die Bandlücke der Filterschicht 125 ist größer als die Bandlücke innerhalb der aktiven Zone. Gemäß Ausführungsformen kann die Bandlücke jeweils so bemessen sein, dass der Abstand der der Bandlücke entsprechenden Wellenlängen größer als eine Halbwertsbreite der entsprechenden Absorptionsspektren ist. Weiterhin kann sie größer als die der ersten und zweiten Halbleiterschicht 110, 120 sein. Aufgrund der in 1B dargestellten Bandstruktur wird einfallende Strahlung mit einer Wellenlänge, die einer Energie entspricht, die größer als die Bandlücke der Filterschicht 125 ist, durch die Filterschicht absorbiert. Als Ergebnis werden lediglich Photonen mit einer Energie, die kleiner als die Bandlückenenergie der Filterschicht 125 ist, durch die Filterschicht durchgelassen und schließlich durch die aktive Zone 115 absorbiert und tragen somit zu einem Fotostrom bei.
  • Dies ist schematisch in 1C veranschaulicht. Der linksseitige Teil der 1C zeigt das Absorptionsvermögen in Abhängigkeit von der Wellenlänge. Die durchgezogene Kurve zeigt das Absorptionsvermögen der aktiven Zone 115, und die gestrichelte Linie zeigt das Absorptionsvermögen der Filterschicht 125. Wie zu sehen ist, ist die aktive Zone 115 in der Lage, Licht mit einer Wellenlänge, die kleiner als die erste Grenzwellenlänge λ1 ist, zu absorbieren. Weiterhin ist die Filterschicht 125 in der Lage, Strahlung mit einer Wellenlänge kleiner als die zweite Grenzwellenlänge λ2 zu absorbieren. Wird die Filterschicht vor der aktiven Zone angeordnet, so wird nur Licht mit einer Wellenlänge in dem Wellenlängenbereich zwischen der ersten und der zweiten Grenzwellenlänge von der aktiven Zone 115 absorbiert. Dies ist im rechtsseitigen Teil der 1C dargestellt. Der rechtsseitige Teil der 1C zeigt den erzeugten Fotostrom in Abhängigkeit von der eingestrahlten Wellenlänge. Wie zu sehen ist, nimmt der erzeugte Fotostrom im Bereich zwischen λ2 und λ1 ein Maximum an.
  • Wie unter Bezugnahme auf die 1A und 1C beschrieben worden ist, lässt sich durch Kombination eines Materialsystems für die aktive Zone, durch welche elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge kleiner als einer ersten Grenzwellenlänge absorbiert oder erzeugt werden kann, sowie einer Filterschicht 125 aus einem geeigneten Material, das geeignet ist, Strahlung mit einer Wellenlänge kleiner als eine zweite Grenzwellenlänge zu absorbieren, wobei die zweite Grenzwellenlänge kleiner als die erste Grenzwellenlänge ist, eine optoelektronische Sensorzelle bereitstellen, die Licht in einem eingeschränkten Spektralbereich nachweisen kann. Auf diese Weise kann aus eintreffender elektromagnetischer Strahlung ein farbspezifisches Nachweissignal erhalten werden. Entsprechend ist es möglich, Farbinformation des eingestrahlten Lichts zu erhalten. Entsprechend lassen sich bei Verwendung unterschiedlicher Halbleitermaterialsysteme für die aktive Zone sowie entsprechend ausgewählter Halbleitermaterialien für die zugehörige Filterschicht 125 optoelektronische Sensorzellen für die drei Primärfarben Rot, Grün und Blau bereitstellen. Durch Kombination optoelektronischer Sensorzellen für die drei Grundfarben Rot, Grün und Blau lässt sich somit ein optoelektronischer Halbleitersensor für die Verarbeitung farbiger Bilder bereitstellen.
  • 2 zeigt eine schematische Ansicht eines optoelektronischen Halbleitersensors 15. Der optoelektronische Halbleitersensor 15 umfasst eine Vielzahl von optoelektronischen Sensorzellen 130, 131, 132. Dabei sind mindestens zwei der optoelektronischen Sensorzellen 130, 131, 132 geeignet, Licht von unterschiedlichen Farben zu absorbieren. Genauer gesagt, kann der optoelektronische Halbleitersensor 15 beispielsweise erste Sensorzellen 130, zweite Sensorzellen 131 und dritte Sensorzellen 132 umfassen. Die ersten Sensorzellen 130 können geeignet sein, rotes Licht zu absorbieren. Die zweiten Sensorzellen 131 können geeignet sein, grünes Licht zu absorbieren, und die dritten Sensorzellen 132 können eine dritte Grundfarbe, beispielsweise Blau oder Gelb absorbieren. Die entsprechenden Sensorzellen können entsprechend einem vorgegebenen Muster, beispielsweise dem Bayer-Muster angeordnet sein. Selbstverständlich können auch noch optoelektronische Sensorzellen weiterer Farben vorhanden sein. Selbstverständlich können die unterschiedlichen optoelektronischen Sensorzellen auch in einem anderen Muster angeordnet sein.
  • Die Filterschichten 126 der optoelektronischen Sensorzellen können je nach der nachzuweisenden Farbe ausgewählt sein. Weiterhin können die Halbleitermaterialien der unterschiedlichen optoelektronischen Sensorzellen identisch sein oder aber je nach nachzuweisender Farbe voneinander verschieden sein.
  • 3A zeigt einen schematischen Schichtaufbau einer optoelektronischen Sensorzelle, die beispielsweise geeignet sein kann, rotes Licht oder IR-Strahlung zu absorbieren.
  • Die Materialien der ersten, zweiten Halbleiterschicht, der Quantentopfschichten und der Barrierenschichten ist so wie unter Bezugnahme auf 1A beschrieben. Zusätzlich zu den in 1A dargestellten Schichten kann die Schichtstruktur in 3A zusätzlich eine erste Kontaktschicht 105 aufweisen. Das erste Anschlusselement 101 kann elektrisch mit der ersten Kontaktschicht 105 verbunden sein. Weiterhin kann der Halbleiterschichtstapel über einem geeigneten Substrat, beispielsweise einem GaAs-Substrat 100 angeordnet sein. Beispielsweise kann das GaAs-Substrat 100 n-dotiert sein. Ein zweites Anschlusselement 102 kann mit dem Substrat 100 verbunden sein. Das Material der Filterschicht ist geeignet, Licht mit einer Wellenlänge kleiner als eine zweite Grenzwellenlänge zu absorbieren. Beispielsweise kann das Material der Filterschicht 125 AlGaAs enthalten.
  • 3B zeigt den Schichtaufbau einer optoelektronischen Sensorzelle, die beispielsweise geeignet sein kann, Licht im Nahinfrarotbereich (NIR) nachzuweisen. Beispielsweise können die erste Halbleiterschicht 110 und die zweite Halbleiterschicht 120 jeweils eine GaAs-Schicht sein. Weiterhin können die Barrierenschichten GaAs-Schichten sein. Die Quantentopfschichten können jeweils InGaAs-Schichten sein. Eine von der aktiven Zone absorbierte Wellenlänge hängt von dem Indium-Gehalt der InGaAs-Schicht ab. Beispielsweise kann die absorbierte Wellenlänge in einem Bereich von etwa 800 nm bis 1300 nm liegen. Dabei bezieht sich die Wellenlänge von etwa 800 nm auf den Fall von reinem GaAs oder GaAs mit einem geringfügigen In-Anteil, und die Wellenlänge von etwa 1300 nm bezieht sich auf den Fall von InGaAs mit einem sehr hohen In-Anteil. Der Aufbau der Filterschicht wird beispielsweise in Abhängigkeit von der Zusammensetzung der Quantentopfschichten ausgewählt. Beispielsweise wird bei Verwendung von GaAs-Quantentopfschichten AlGaAs als Material für die Filterschicht verwendet. Bei Verwendung von InGaAs-Quantentopfschichten wird als Filterschicht eine InGaAs-Schicht mit einem geringeren Indiumgehalt als dem der Quantentopfschichten verwendet.
  • 3C zeigt einen Schichtaufbau für eine optoelektronische Sensorzelle, die beispielsweise geeignet sein kann, rotes oder grünes Licht nachzuweisen. Beispielsweise kann der Halbleiterschichtstapel 111 eine erste Kontaktschicht 105, beispielsweise eine p-dotierte GaAs-Schicht aufweisen. Eine erste Stromaufweitungsschicht 108, beispielsweise eine p-dotierte AlGaAs-Schicht kann geeignet sein, den über ein erstes Kontaktelement 101 eingeprägten Strom großflächig in die Struktur einzuprägen. Eine erste Mantelschicht 103 kann angrenzend an die Stromaufweitungsschicht 108 angeordnet sein. Beispielsweise kann die erste Mantelschicht 103 p-dotiertes InAlP enthalten. Sodann folgt eine Abfolge aus Barrierenschichten 113 und Quantentopfschichten 116. Beispielsweise können die Barrierenschichten 113 In0,5Al0,25Ga0,25P enthalten. Die Quantentopfschichten können In0,5Al0,1Ga0,4P enthalten. Angrenzend an die letzte Barrierenschicht 113 kann eine zweite Mantelschicht 104, die beispielsweise n-dotiertes InAlP enthält, angeordnet sein, gefolgt von einer zweiten Stromaufweitungsschicht 109, die beispielsweise n-dotiertes AlGaAs enthalten kann.
  • Der Halbleiterschichtstapel 111 kann auf einem geeigneten Substrat 100, beispielsweise einem n-dotierten GaAs-Substrat angeordnet sein. Die Filterschicht 125 kann beispielsweise ein Material enthalten, welches Licht mit einer Wellenlänge kleiner als 600 nm absorbiert. Auf diese Weise kann eine rote Sensorzelle verwirklicht werden. Beispielsweise kann als Material für die Filterschicht 125 eine Al0,5Ga0,5As-Schicht verwendet werden. Durch Variation des stöchiometrischen Verhältnisses der AlGaAs-Schicht kann die zweite Grenzwellenlänge und damit die Farbe, in der elektromagnetische Strahlung nachgewiesen wird, verändert werden.
  • Beispielsweise kann bei Verwendung einer Al0,9Ga0,1As-Schicht Licht mit einer Wellenlänge, die energiereicher als grünes Licht ist, absorbiert werden. Auf diese Weise kann eine grüne Sensorzelle verwirklicht werden.
  • Gemäß weiteren Ausführungsformen kann eine grüne Sensorzelle auch verwirklicht werden, indem ein Halbleiterschichtstapel, der eine aktive Zone, welche unpolares InGaN enthält und grünes Licht absorbiert, in Kombination mit einer Filterschicht, die blaues Licht absorbiert, beispielsweise eine blaues Licht absorbierende InGaN-Schicht, aufweist.
  • 4A zeigt weiterhin den schematischen Schichtaufbau einer optoelektronischen Sensorzelle, die blaues Licht nachweisen kann. Beispielsweise kann die erste Kontaktschicht 105 GaN vom ersten Leitfähigkeitstyp enthalten. Die zweite Kontaktschicht 106 kann GaN vom zweiten Leitfähigkeitstyp enthalten. Dazwischen sind Barrieren- und Pufferschichten angeordnet. Beispielsweise können die Barrierenschichten 113 jeweils GaN enthalten. Die Quantentopfschichten 116 können jeweils unpolares InGaN enthalten, welches blaues Licht absorbiert. Auf diese Weise kann durch die Schichtstruktur blaues Licht absorbiert werden. Weiterhin kann eine Filterschicht 125 über dem Halbleiterschichtstapel angeordnet sein. Die Filterschicht 125 kann ein Halbleitermaterial enthalten, welches eine kleinere Wellenlänge als die Wellenlänge von blauem Licht absorbiert. Beispielsweise kann die Filterschicht UV-Strahlung absorbieren. Beispielsweise kann die Filterschicht 125 UV-Licht abssorbierendes InGaN enthalten. Beispielsweise kann der Indium-gehalt der Filterschicht 125 geringer sein als der Indiumgehalt der Quantentopfschichten. Als Folge kann die Bandlücke der Filterschicht etwas größer sein.
  • 4B veranschaulicht ein Beispiel einer Bandstruktur der in 4A dargestellten optoelektronischen Sensorzelle. Auch hier ist wieder vorgesehen, dass das Material der Filterschicht 125 undotiert ist. Gemäß weiteren Ausführungsformen kann es jedoch auch p- oder n-dotiert sein. Die Bandlücke der Filterschicht 125 ist größer als die Bandlücke der aktiven Zone 115. Auf diese Weise kann der höherenergetische Anteil der einfallenden elektromagnetischen Strahlung herausgefiltert werden.
  • Wie beschrieben worden ist, wird eine farbsensitive optoelektronische Sensorzelle mit einem einfachen und kompakten Aufbau bereitgestellt.
  • Gemäß weiteren Ausführungsformen können die einzelnen Materialien beliebig verändert werden. Beispielsweise kann die optoelektronische Sensorzelle auch geeignet sein, IR- oder UV-Strahlung nachzuweisen.
  • Als Ergebnis kann ein beliebiger optoelektronischer Halbleitersensor mit einer Vielzahl von optoelektronischen Sensorzellen für verschiedene Farben bereitgestellt werden. Gemäß weiteren Ausführungsformen kann auch ein Sichtgerät mit einer optoelektronischen Sensorzelle bereitgestellt werden, beispielsweise ein Nachtsichtgerät, das beispielsweise geeignet ist, IR-Strahlung nachzuweisen.
  • 5A zeigt ein Nachtsichtgerät 30 gemäß Ausführungsformen. Das Nachtsichtgerät 30 weist die hier beschriebene optoelektronischen Sensorzelle 10 auf. Beispielsweise ist die optoelektronische Sensorzelle 10 geeignet, Infrarotstrahlung nachzuweisen.
  • Gemäß weiteren Ausführungsformen kann auch eine künstliche Retina unter Verwendung des beschriebenen optoelektronischen Halbleitersensors bereitgestellt werden. 5B zeigt eine künstliche Retina gemäß Ausführungsformen. Die künstliche Retina 35 weist den hier beschriebenen optoelektronischen Halbleitersensor 15 auf.
  • Obwohl hierin spezifische Ausführungsformen veranschaulicht und beschrieben worden sind, werden Fachleute erkennen, dass die gezeigten und beschriebenen spezifischen Ausführungsformen durch eine Vielzahl von alternativen und/oder äquivalenten Ausgestaltungen ersetzt werden können, ohne vom Schutzbereich der Erfindung abzuweichen. Die Anmeldung soll jegliche Anpassungen oder Variationen der hierin diskutierten spezifischen Ausführungsformen abdecken. Daher wird die Erfindung nur durch die Ansprüche und deren Äquivalente beschränkt.
  • Bezugszeichenliste
    • 10
    Optoelektronische Sensorzelle
    15
    Optoelektronischer Halbleitersensor
    20
    Spannungsquelle
    25
    Strommesseinrichtung
    30
    Nachtsichtgerät
    35
    Künstliche Retina
    100
    Substrat
    101
    erstes Anschlusselement
    102
    zweites Anschlusselement
    103
    erste Mantelschicht
    104
    zweite Mantelschicht
    105
    erste Kontaktschicht
    106
    zweite Kontaktschicht
    107
    Pufferschicht
    108
    erste Stromaufweitungsschicht
    109
    zweite Stromaufweitungsschicht
    110
    erste Halbleiterschicht
    111
    Halbleiterschichtstapel
    113
    Barrierenschicht
    115
    aktive Zone
    116
    Quantentopfschicht
    120
    zweite Halbleiterschicht
    125
    Filterschicht
    130
    erste Sensorzelle
    131
    zweite Sensorzelle
    132
    dritte Sensorzelle

Claims (10)

  1. Optoelektronische Sensorzelle (10), umfassend: einen Halbleiterschichtstapel (111), der eine erste Halbleiterschicht (110) von einem ersten Leitfähigkeitstyp, eine aktive Zone (115) zur Erzeugung oder Absorption von Strahlung mit einer Wellenlänge kleiner als einer ersten Grenzwellenlänge, sowie eine zweite Halbleiterschicht (120) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist, wobei der Halbleiterschichtstapel (111) ferner eine Filterschicht (125) auf einer von der aktiven Zone (110) abgewandten Seite der ersten oder zweiten Halbleiterschicht (110, 120) aufweist, wobei die Filterschicht (125) ein Halbleitermaterial aufweist, welches geeignet ist, Strahlung mit einer Wellenlänge kleiner als eine zweite Grenzwellenlänge zu absorbieren, wobei die zweite Grenzwellenlänge kleiner als die erste Grenzwellenlänge ist und wobei die Filterschicht (125) nicht Teil eines Stromkreises ist, durch den eine Spannung zwischen der ersten und der zweiten Halbleiterschicht (110, 120) anlegbar ist.
  2. Optoelektronische Sensorzelle (10) nach Anspruch 1, bei der eine Schichtdicke der Filterschicht (125) größer als 10 nm ist.
  3. Optoelektronische Sensorzelle (10) nach Anspruch 1 oder 2, bei der die erste und zweite Halbleiterschicht (110, 120) III/V-Halbleitermaterialien enthalten.
  4. Optoelektronische Sensorzelle (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die aktive Zone (115) InGaAlP enthält und die Filterschicht (125) AlxGa1-xAs enthält.
  5. Optoelektronische Sensorzelle (10) nach Anspruch 4, wobei x entsprechend einer von der optoelektronischen Sensorzelle (10) nachzuweisenden Farbe ausgewählt ist.
  6. Optoelektronische Sensorzelle (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei der die aktive Zone (115) InGaN und die Filterschicht (125) InGaN enthält.
  7. Optoelektronische Sensorzelle (10) nach Anspruch 6, bei der ein Indiumgehalt der Filterschicht (125) geringer als der Indiumgehalt der aktiven Zone (115) ist.
  8. Optoelektronischer Halbleitersensor (15), umfassend eine Vielzahl von optoelektronischen Sensorzellen (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei mindestens zwei der Vielzahl von optoelektronischen Sensorzellen (10) geeignet sind, Licht von jeweils unterschiedlichen Farben zu absorbieren.
  9. Nachtsichtgerät (30) mit der optoelektronischen Sensorzelle (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die optoelektronische Sensorzelle (10) geeignet ist, Infrarotstrahlung nachzuweisen.
  10. Künstliche Retina (35) mit dem optoelektronischen Halbleitersensor (15) nach Anspruch 8.
DE102020123797.9A 2020-09-11 2020-09-11 Optoelektronische sensorzelle und optoelektronischer halbleitersensor Withdrawn DE102020123797A1 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102020123797.9A DE102020123797A1 (de) 2020-09-11 2020-09-11 Optoelektronische sensorzelle und optoelektronischer halbleitersensor
PCT/EP2021/073952 WO2022053348A1 (de) 2020-09-11 2021-08-31 Optoelektronische sensorzelle und optoelektronischer halbleitersensor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102020123797.9A DE102020123797A1 (de) 2020-09-11 2020-09-11 Optoelektronische sensorzelle und optoelektronischer halbleitersensor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102020123797A1 true DE102020123797A1 (de) 2022-03-17

Family

ID=77739078

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102020123797.9A Withdrawn DE102020123797A1 (de) 2020-09-11 2020-09-11 Optoelektronische sensorzelle und optoelektronischer halbleitersensor

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE102020123797A1 (de)
WO (1) WO2022053348A1 (de)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120231572A1 (en) 2010-10-13 2012-09-13 Zvi Or-Bach Method for fabricating novel semiconductor and optoelectronic devices
DE102016109616A1 (de) 2015-05-27 2016-12-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Licht emittierende Halbleitervorrichtung
US20170054055A1 (en) 2015-08-18 2017-02-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor ultraviolet light emitting device
US20200185283A1 (en) 2016-12-16 2020-06-11 Tesoro Scientific, Inc. Light emitting diode (led) test apparatus and method of manufacture

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5182670A (en) * 1991-08-30 1993-01-26 Apa Optics, Inc. Narrow band algan filter
JP2833438B2 (ja) * 1993-09-17 1998-12-09 日立電線株式会社 単一波長受光素子
US20040200975A1 (en) * 2003-04-14 2004-10-14 Brown Dale Marius Ultraviolet sensors for monitoring energy in the germicidal wavelengths
WO2006042095A1 (en) * 2004-10-05 2006-04-20 Apa Entreprises, Inc. Method and apparatus for a photodetector responsive over a selectable wavelength range
DE102009025266B4 (de) * 2009-06-17 2015-08-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120231572A1 (en) 2010-10-13 2012-09-13 Zvi Or-Bach Method for fabricating novel semiconductor and optoelectronic devices
DE102016109616A1 (de) 2015-05-27 2016-12-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Licht emittierende Halbleitervorrichtung
US20170054055A1 (en) 2015-08-18 2017-02-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor ultraviolet light emitting device
US20200185283A1 (en) 2016-12-16 2020-06-11 Tesoro Scientific, Inc. Light emitting diode (led) test apparatus and method of manufacture

Also Published As

Publication number Publication date
WO2022053348A1 (de) 2022-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1709693B1 (de) Lichtemittierende Zonen aufweisende Halbleiterstruktur mit Absorptionsschicht
DE19756856B4 (de) Halbleiterlichtemissionsvorrichtung mit hoher Lichtemissionswirksamkeit
DE112017003307T5 (de) Verfahren zur Herstellung einer optischen Halbleitervorrichtung und optische Halbleitervorrichtung
EP1643565A2 (de) Strahlungsdetektor
DE112010002092T5 (de) Fotodetektoren
DE102008006987A1 (de) Strahlungsempfänger und Verfahren zur Herstellung eines Strahlungsempfängers
DE19509358A1 (de) Photovoltaischer Halbleiter-Infrarotdetektor
WO2015074950A1 (de) Lichtemittierendes halbleiterbauelement mit absorptionsschicht
DE102020123797A1 (de) Optoelektronische sensorzelle und optoelektronischer halbleitersensor
DE4137693C2 (de) Verbund-Halbleitervorrichtung
DE102005001280B4 (de) Strahlungsdetektor
DE102016110041A1 (de) Bauelement zum Detektieren von UV-Strahlung und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements
DE102012107795B4 (de) Optoelektronischer Halbleiterkörper und optoelektronischer Halbleiterchip
WO2020239749A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement mit verbindungsbereichen und verfahren zur herstellung des optoelektronischen halbleiterbauelements
WO2020127435A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement und dessen herstellungsverfahren
DE102019103638A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement mit abschnitten einer leitfähigen schicht und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements
EP0856201A2 (de) Halbleiterheterostruktur-strahlungsdetektor, mit zwei spektralen empfindlichkeitsbereichen
WO2019048370A1 (de) Licht emittierendes halbleiterbauelement
DE10024924A1 (de) Licht emittierendes Halbleiterbauelement
DE102019100799A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement mit einem schichtstapel mit anisotroper leitfähigkeit und verfahren zur herstellung des optoelektronischen halbleiterbauelements
DE102018111168A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement mit einer ersten und einer zweiten stromverteilungsstruktur
DE102020112414A1 (de) Strahlung emittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Strahlung emittierenden Halbleiterbauelements
WO2021110585A1 (de) Strahlungsemittierender halbleiterchip
DE112022003396T5 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement, anordnung von optoelektronischen halbleiterbauelementen und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements
DE102019100625A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement mit mehrfach-quantentopfstruktur und optoelektronische halbleitervorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
R163 Identified publications notified
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee