DE102019215778A1 - Verfahren zur Herstellung einer Schutzabdeckung von auf einem Trägersubstrat angeordneten elektronischen Bauelementen und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Schutzabdeckung von auf einem Trägersubstrat angeordneten elektronischen Bauelementen und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens Download PDF

Info

Publication number
DE102019215778A1
DE102019215778A1 DE102019215778.5A DE102019215778A DE102019215778A1 DE 102019215778 A1 DE102019215778 A1 DE 102019215778A1 DE 102019215778 A DE102019215778 A DE 102019215778A DE 102019215778 A1 DE102019215778 A1 DE 102019215778A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
dam
viscosity
metering device
carrier substrate
ultrasound
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE102019215778.5A
Other languages
English (en)
Inventor
Bernhard Leitner
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Priority to DE102019215778.5A priority Critical patent/DE102019215778A1/de
Priority to PCT/EP2020/072504 priority patent/WO2021073794A1/de
Priority to CN202080086294.8A priority patent/CN114830306A/zh
Priority to EP20757551.5A priority patent/EP4046184A1/de
Publication of DE102019215778A1 publication Critical patent/DE102019215778A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/10Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
    • B05C11/1002Means for controlling supply, i.e. flow or pressure, of liquid or other fluent material to the applying apparatus, e.g. valves
    • B05C11/1007Means for controlling supply, i.e. flow or pressure, of liquid or other fluent material to the applying apparatus, e.g. valves responsive to condition of liquid or other fluent material
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C5/00Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
    • B05C5/02Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work
    • B05C5/0208Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work for applying liquid or other fluent material to separate articles
    • B05C5/0212Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work for applying liquid or other fluent material to separate articles only at particular parts of the articles
    • B05C5/0216Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work for applying liquid or other fluent material to separate articles only at particular parts of the articles by relative movement of article and outlet according to a predetermined path
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49175Parallel arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/1517Multilayer substrate
    • H01L2924/15192Resurf arrangement of the internal vias

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Schutzabdeckung von auf einem Trägersubstrat angeordneten elektronischen Bauelementen, bei dem auf einer mit wenigstens einem elektronischen Bauelement versehen Bestückungsseite eines Trägersubstrats ein umlaufender Damm aus einem hochviskosen Dammmaterial aufgetragen wird und der von dem Damm umgebene und mit dem wenigstens einen elektronischen Bauelement versehene Bereich der Bestückungsseite mittels einer Dosiereinrichtung mit einem niederviskosen Füllmaterial soweit aufgefüllt wird, dass das wenigstens eine elektronische Bauelement auf seiner von der Bestückungsseite abgewandten Seite mit dem Füllmaterial vollständig abgedeckt ist. Erfindungsgemäß wird in der Dosiereinrichtung aus dem gleichen der Dosiereinrichtung zugeführten Werkstoff durch Energieeintrag sowohl das Dammmaterial als auch des Füllmaterial gebildet. Weiterhin bezieht sich die Erfindung auf eine Vorrichtung zur Durchführung des vorstehend genannten Verfahrens.

Description

  • Stand der Technik
  • Im Stand der Technik sind unterschiedliche Verfahren zur Herstellung einer Schutzabdeckung von auf einem Trägersubstrat angeordneten elektronischen Bauelementen bekannt. Als Trägersubstrat kann dabei beispielsweise eine mit Leiterbahnen auf einer oder mehreren Lagen versehene Leiterplatte aus FR4-Material oder beispielsweise ein mit Leiterbahnen versehenes Keramiksubstrat verwandt werden. Neben Moldverfahren bei denen das Trägersubstrat in ein Spritzgusswerkzeug eingesetzt und anschließend vollständig oder teilweise mit einer Schutzabdeckung ummoldet wird, sind weiterhin beispielsweise auch Tauchverfahren bekannt, bei denen das Trägersubstrat in eine Schutzmasse eingetaucht und anschließend daraus entfernt wird.
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein sogenanntes Dam-Fill-Verfahren, bei dem zunächst auf einer mit wenigstens einem elektronischen Bauelement versehen Bestückungsseite eines Trägersubstrats ein umlaufender Damm aus einem hochviskosen Dammmaterial aufgetragen und sodann der von dem Damm umgebene und mit dem wenigstens einen elektronischen Bauelement versehene Bereich der Bestückungsseite mittels einer Dosiereinrichtung mit einem niederviskosen Füllmaterial soweit aufgefüllt wird, dass das wenigstens eine elektronische Bauelement auf seiner von der Bestückungsseite abgewandten Seite mit dem Füllmaterial vollständig abgedeckt ist. Ein solches Verfahren ist beispielsweise aus der DE 44 08 176 A1 bekannt.
  • Bei dem aus der DE 44 08 176 A1 bekannten Verfahren wird als Ausgangsmaterial für das Dammmaterial ein Werkstoff aus einem Basismaterial eingesetzt, dem ein Thixotropierungsmittel zugesetzt wird, um einen hochviskosen Werkstoff zu erhalten. Als Ausgangsmaterial für das Füllmaterial wird ein niederviskoser Werkstoff eingefüllt, der ebenfalls ein Epoxidharz auf dem gleichen Basismaterial aufweisen kann, dessen Viskosität allerdings durch veränderte Zusätze deutlich verringert ist. Da es sich bei dem Dammmaterial und dem Füllmaterial wenigstens durch die unterschiedlichen Zugaben von Thixotropierungsmittel und gegebenenfalls auch die unterschiedliche Materialauswahl (Silikonharz oder Epoxidharz) nicht um den gleichen Werkstoff handelt, wird der Damm nicht mit der gleichen Dosiereinrichtung wie das Füllmaterial aufgebracht, da dies eine aufwändige Umrüstung und Reinigung der Dosiereinrichtung erforderlich macht. Die damit verbundene lange Standzeit ist für die Massenfertigung von elektronischen Schaltungsteilen nicht akzeptabel. In der Praxis wird daher für die Massenfertigung eine zweite Dosiereinrichtung zur Aufbringung des Füllmaterials verwandt, was aber einen relativ großen Platzbedarf erfordert.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Schutzabdeckung von auf einem Trägersubstrat angeordneten elektronischen Bauelementen, bei dem auf einer mit wenigstens einem elektronischen Bauelement versehen Bestückungsseite eines Trägersubstrats ein umlaufender Damm aus einem hochviskosen Dammmaterial aufgetragen wird und der von dem Damm umgebene und mit dem wenigstens einen elektronischen Bauelement versehene Bereich der Bestückungsseite mittels einer Dosiereinrichtung mit einem niederviskosen Füllmaterial soweit aufgefüllt wird, dass das wenigstens eine elektronische Bauelement auf seiner von der Bestückungsseite abgewandten Seite mit dem Füllmaterial vollständig abgedeckt ist. Erfindungsgemäß wird in der Dosiereinrichtung aus dem gleichen der Dosiereinrichtung zugeführten Werkstoff durch Energieeintrag sowohl das Dammmaterial als auch des Füllmaterial gebildet.
  • Weiterhin bezieht sich die Erfindung auf eine Vorrichtung zur Durchführung des vorstehend genannten Verfahrens, welche eine Dosiereinrichtung umfasst, die einen beweglichen Dispenskopf umfasst, der relativ zu der Bestückungsseite eines der Vorrichtung zugeführten Trägersubstrats beweglich ist, wobei der Dispenskopf eine Materialaufnahmekammer mit einem Materialauslass und wenigstens eine Materialzuführung für den Werkstoff aufweist und wobei die Materialaufnahmekammer mit einer Ultraschalleinrichtung zur Einkopplung von Ultraschallwellen in den in der Materialaufnahmekammer enthaltenen Werkstoff in Wirkverbindung steht.
  • Es ist allgemein bekannt, dass die Viskosität eines Werkstoffs seine Zähflüssigkeit beeinflusst. Unter einem hochviskosen Dammmaterial wird im Rahmen der vorliegenden Erfindung ein Werkstoff verstanden, dessen Viskosität derartig groß ist, dass ein aus dem Werkstoff auf eine ebene Bestückungsseite eines Trägersubstrats mittels einer Dispenskopfes aufgebrachter umlaufender Damm ohne Aushärtung in seiner Kontur und Form erhalten bleibt und der Werkstoff insbesondere nicht auf der Bestückungsseite zerfließt und verläuft. Ohne darauf beschränkt zu sein, kann der Werkstoff beispielsweise insbesondere eine Viskosität von mehr als 200 Pa s (Pascal x Sekunde) aufweisen. Unter einem niederviskosen Füllmaterial wird im Rahmen vorliegenden Erfindung ein Werkstoff verstanden, dessen Viskosität derartig gering ist, dass der Werkstoff am Auftragungsort zerfließt und in Nachbarbereiche eindringt, auf welche der Werkstoff nicht direkt aufgebracht wurde. Ohne darauf beschränkt zu sein, kann der Werkstoff beispielsweise insbesondere eine Viskosität von weniger als 100 Pa s (Pascal x Sekunde) aufweisen.
  • Unter einer Dosiereinrichtung wird eine Vorrichtung verstanden, die geeignet ausgebildet ist, um mittels eines Dispenskopfes eine vorgebbare Menge an fließfähigen Werkstoff auf einen lokal begrenzten Bereich eines Werkstückes aufzutragen.
  • Unter einer Bildung eines Dammmaterials oder eines Füllmaterial in einer Dosiereinrichtung durch Energieeintrag wird verstanden, dass ein einer Materialaufnahmekammer einer Dosiereinrichtung zugeführter Werkstoff in der Materialaufnahmekammer ohne nachträgliche Zuführung beziehungsweise Zusatz eines weiteren Materials oder Additives, insbesondere ohne nachträgliche Zuführung eines Thixotropierungsmittels in das Dammmaterial oder Füllmaterial transformiert wird. Dies schließt insbesondere nicht aus, dass der Werkstoff vor der Zuführung in die Materialaufnahmekammer aus mehreren Grundstoffen beziehungsweise Ausgangsmaterialien zusammengesetzt wurde. Bei dem der Materialaufnahmekammer zugeführten Werkstoff kann es sich insbesondere um einen thixotropen zwei-Komponenten-Epoxidharz-Klebstoff handeln, der als solcher der Materialaufnahmekammer zugeführt wird oder auch in dieser durch Mischung hergestellt wird.
  • Der Werkstoff, welcher der Dosiereinrichtung zuführt wurde, kann innerhalb der Dosiereinrichtung, insbesondere innerhalb der Materialaufnahmekammer durch Energieeintrag umgewandelt werden.
  • Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass in der Dosiereinrichtung aus dem gleichen der Dosiereinrichtung zugeführten Werkstoff durch Energieeintrag sowohl das Dammmaterial als auch des Füllmaterial gebildet werden. Dies geschieht noch in der Dosiereinrichtung, also vor der Materialausbringung und Auftragung auf das Trägersubstrat.
  • Dabei besteht die Möglichkeit, dass der zugeführte Werkstoff in einem ersten Teilverfahren durch einen ersten Energieeintrag, der auch den Wert Null aufweisen kann, in seiner Konsistenz, insbesondere seiner Viskosität, derart verändert wird, dass das Dammmaterial erhalten wird, und dass in einem zweiten Teilverfahren ein gleichartiger zugeführter Werkstoff durch einen zweiten Energieeintrag der sich in seinem Betrag von dem ersten Energieeintrag unterscheidet, in seiner Konsistenz, insbesondere seiner Viskosität in anderer Weise verändert wird, um das Füllmaterial zu erhalten. Insbesondere ist es möglich, dass der erste Energieeintrag den Wert Null aufweist, und das Dammmaterial ohne energetische Umwandlung des in der Dosiereinrichtung zugeführten Werkstoffs direkt auf das Trägersubstrat aufgetragen wird.
  • Unter Energieeintrag wird die Einbringung von Energie in den Werkstoff ohne Zugabe von Additiven und die Konsistenz der Werkstoff verändernden Substanzen verstanden. Dabei kann es sich beispielsweise um einen Energieeintrag durch einen mechanischen Impulseintrag oder eine elektromagnetische Welle handeln. Vorzugsweise erfolgt der Energieeintrag durch Einbringung von Ultraschall.
  • Vorteile der Erfindung
  • Mit dem hier vorgestellten Verfahren kann ein Werkstoff, insbesondere ein Klebstoff, mit einer Dosiereinrichtung sowohl zur Herstellung eines Dammes als auch zur Auffüllung des von dem Damm umgrenzten Innenbereich auf einem Trägersubstrat verwandt werden. Dabei kann vorteilhaft dieselbe Dosiereinrichtung mit demselben Dispenskopf eingesetzt werden, ohne dass Umrüstzeiten auftreten. Das Verfahren ist kontinuierlich und sicher in der Massenfertigung einsetzbar und ermöglichst eine große Effizienzsteigerung.
  • Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung werden durch die in den abhängigen Ansprüchen enthaltenen Merkmale ermöglicht.
  • In der Dosiereinrichtung kann durch Energieeintrag die Viskosität des zugeführten Werkstoffs vorteilhaft zumindest für ein Zeitintervall während der Materialauftragung zwischen hochviskosen und niederviskosen Fließverhalten verändert werden. Der Energieeintrag kann hierzu beispielsweise auch in einem Zeitintervall erfolgen, das kleiner ist als das für die gesamte Materialauftragung benötigte Zeitintervall. Der Energieeintrag wird vorteilhaft so gestaltet, dass in dem Werkstoff eine Änderung der Viskosität generiert wird, die wenigstens bis zur Ausbringung des Füllmaterials für die Schutzabdeckung fortwirkt. Die Viskositätsänderung kann aber auch länger andauern, endet jedoch spätestens mit der Aushärtung der Schutzabdeckung in einem Ofenprozess.
  • Besonders vorteilhaft ist es, die Viskosität des Werkstoffs durch Ultraaschallleintrag zu verändern. Die Beaufschlagung des eingebrachten Werkstoffs mit Ultraschall innerhalb der Dosiereinrichtung vor der Materialausbringung auf das Trägersubstrat ist einfach und gut beherrschbar. Die Dosiereinrichtung muss hierzu nur um ein Ultraschallsystem erweitert werden.
  • Besonders vorteilhaft ist eine Ausführungsform des Verfahrens, bei der die Viskosität des Werkstoffs ohne Ultraschalleintrag ausreichend hochviskos ist, um mittels der Dosiereinrichtung einen umlaufenden Damm aus einem nach der Auftragung auf dem Trägersubstrat nicht zerfließenden Dammmaterial auf das Trägersubstrat aufzutragen. Nach der Herstellung des Damms wird durch Ultraschalleintrag in der Dosiereinrichtung die Viskosität des Werkstoffs derart herabgesetzt, dass mit derselben Dosiereinrichtung ein durch den Ultraschalleintrag erhaltenes niederviskoses Füllmaterial auf den von dem Damm umgebenen und mit dem elektronischen Bauelement versehenen Bereich der Bestückungsseite des Trägersubstrats aufgebracht wird.
  • In der Dosiereinrichtung kann durch Energieeintrag die Viskosität des Werkstoffs für ein Zeitintervall zumindest während der Materialauftragung des Füllmaterials vorzugsweise um mehr 50% und insbesondere mehr als 70% verringert werden.
  • Als Werkstoff kann vorzugsweise ein thixotroper Klebstoff und insbesondere ein thixotroper zwei-Komponenten-Epoxidharz-Klebstoff eingesetzt werden.
  • Falls erforderlich, kann nach der Auftragung des Füllmaterials eine Aushärtung des Füllmaterials und des Dammmaterials erfolgen. Dies kann insbesondere durch Wärmezuführung in einem Ofenprozess erfolgen.
  • Figurenliste
  • Es zeigen:
    • 1a und 1 b ein Trägersubstrat während der Auftragung des Dammmaterials,
    • 1c das Trägersubstrat während der Auftragung des Füllmaterials,
    • 1d das Trägersubstrat während der Aushärtung der Schutzabdeckung in einem Ofen,
    • 2 eine Teilansicht einer Dosiereinrichtung zur Durchführung des Verfahrens,
    • 3 eine schematische Darstellung eines Ultraschallsystems mit einer Sonotrode,
    • 4 ein Rotationsrheometer mit einer Ultraschall-Sonotrode,
    • 5 ein Beispiel eines zeitlichen Verlaufs der Viskosität und der Temperatur eines Werkstoffs während einer temporären Beaufschlagung durch Ultraschall.
  • Ausführungsformen der Erfindung
  • Die 1 a bis 1d zeigen ein Trägersubstrat während der Herstellung einer Schutzabdeckung. Bei dem Trägersubstrat 1 kann es sich um eine mit Leiterbahnen versehene Leiterplatte aus FR4 oder oder ein Keramiksubstrat oder ein anderes Trägersubstrat von elektronischen Bauelementen handeln. Das Trägersubstrat 1 ist plattenförmig mit einer als Bestückungsseite 2 vorgesehenen Oberseite und einer davon abgewandten Unterseite 3 ausgebildet. Das Trägersubstrat 1 kann auf der Bestückungsseite 2 mit elektrischen Anschlussflächen und Bonddrahtverbindungen versehen sein. Auf der Bestückungsseite 2 können ein oder mehrere elektronische Bauelemente 5 angeordnet sein. Dabei kann es sich vorzugsweise um ungehäuste elektronische Bauelemente, beispielsweise einen IC (integrierte elektronische Schaltung) handeln. In 1 befindet sich beispielsweise nur ein einzelnes elektronische Bauelement 5 auf dem Trägersubstrat 1. Auf der Bestückungsseite 2 können auch mehrere elektronische Bauelemente bestückt sein, die beispielsweise eine elektronische Steuerschaltung bilden. Das Trägersubstrat 1 kann mit einer elektronischen Steuerschaltung zur Ansteuerung von Kraftfahrzeugkomponenten versehen sein.
  • Beispielsweise kann es sich um ein Getriebesteuergerät handeln, das gegenüber aggressiven Substanzen, wie Getriebeöl geschützt werden muss.
  • Das mit dem wenigstens einen elektronischen Bauelement 5 bestückte Trägersubstrat 1 kann in einer nicht dargestellten automatischen Fertigungslinie auf einem Förderband einer Dosiereinrichtung 30 zugeführt werden. Mittels der Dosiereinrichtung 30 kann eine Schutzabdeckung 12 des wenigstens einen auf dem Trägersubstrat 1 angeordneten elektronischen Bauelements 5 oder der auf dem Trägersubstrat 1 angeordneten elektronischen Bauelemente 5 hergestellt werden. Vorzugsweise werden sämtliche elektronischen Bauelemente durch die Schutzabdeckung 12 gegenüber dem Außenraum geschützt. Es ist aber möglich, das eines oder einige der Bauelemente aus der Schutzabdeckung 12 hervorstehen, wenn dies erforderlich ist. Im hier gezeigten Ausführungsbeispiel wird das einzige elektronische Bauelement 5 vollständig mit der Schutzabdeckung abgedeckt.
  • Zu diesem Zweck wird auf die Bestückungsseite 2 des Trägersubstrats 1 ein umlaufender Damm 11 aus einem hochviskosen Dammmaterial 11a um das elektronische Bauelement 5 herum aufgetragen. Der Damm 11 kann durch einmaligen Umlauf wie in 1a gebildet werden und dann gegebenenfalls durch mehrmalige Wiederholung der Materialauftragung auf dem bereits ausgebrachten Material in die Höhe geschichtet werden, wie in 1b gezeigt ist.
  • Die dabei verwandte Dosiereinrichtung 30 ist in 2 schematisch dargestellt. Die Dosiereinrichtung 30 weist einen beweglichen Dispenskopf 31 auf, der relativ zu der Bestückungsseite 2 des der Vorrichtung zugeführten Trägersubstrats 1 beweglich ist. Der Dispenskopf kann beispielweise in zwei Dimensionen parallel zu der Bestückungsseite 2 bewegt und außerdem senkrecht dazu abgesenkt und angehoben werden. Der Dispenskopf 31 weist eine Materialaufnahmekammer 32 mit einem der Bestückungsseite 2 zugewandten Materialauslass 33 und wenigstens einer Materialzuführung 34 für einen Werkstoff 10 auf, aus dem sowohl der Damm 11 als auch die Schutzabdeckung 12 gebildet werden. Bei dem Werkstoff 10 handelt es sich beispielsweise um einen thixotropen Klebstoff und insbesondere um einen thixotropen zwei-Komponenten-Epoxidharz-Klebstoff. Die Materialaufnahmekammer 32 steht mit einer Ultraschalleinrichtung 35 zur Einkopplung von Ultraschallwellen in den in der Materialaufnahmekammer 32 enthaltenen Werkstoff 10 in Wirkverbindung.
  • Die Ultraschalleinrichtung 35 kann als Leistungsultraschallsystem, wie in 3 gezeigt, ausgebildet sein. Das Ultraschallsystem 35 weist beispielsweise einen als piezoelektrischen Wandler ausgebildeten Konverter 38, einen Booster 37 und eine Sonotrode 36 auf. Die Sonotrode 36 schwingt beispielsweise mit einer Frequenz von 35 kHz. Wie in 2 dargestellt ist, kann die Sonotrode 36 so angeordnet werden, dass die mit Ultraschallfrequenz schwingende Sonotrode 36 den Ultraschall senkrecht zu einer ausgehend von der wenigstens einen Materialzuführung 34 in Richtung des Materialauslasses 33 gerichteten Transportrichtung R des Werkstoffs 10 in den in der Materialaufnahmekammer enthaltenen Werkstoff 10 einkoppelt.
  • Durch den Ultraschall entstehen in dem fließfähigen Werkstoff 10 Schockwellen und turbulente Strömungen sowie hydrodynamische Scherungen, welche aus Mikroströmungen im Werkstoff resultieren. All dies bewirkt eine Änderung der Viskosität. Außerdem entsteht durch Kompression des Werkstoffs 10 eine erhöhte Temperatur.
  • 5 zeigt ein Diagramm für einen zeitlichen Verlauf der Viskosität und der Temperatur eines den Ausgangsstoff für das Dammmaterial und das Füllmaterial darstellenden Werkstoffs während einer temporären Beaufschlagung durch Ultraschall. Bei dem Werkstoff kann es sich beispielsweise um einen thixotropen Zweikomponenten-Epoxidharz-Kleberstoff handeln. Auf der Abszisse des Diagramms ist die Zeit in Sekunden dargestellt. Die linke Ordinate zeigt die Werte der Viskosität des Werkstoffs 10 in der bekannten physikalischen Einheit Pa s (Pascal x Sekunde). Die rechte Ordinate zeigt die Temperatur in °C. Die Kurve 101 zeigt den Verlauf der Viskosität des Werkstoffs während die Kurve 102 den Verlauf der Temperatur des Werkstoffs 10 darstellt.
  • Der in 5 gezeigte Zusammenhang zwischen der Viskosität des Werkstoffs 10 und der Ultraschallbeaufschlagung kann beispielsweise mittels des in 4 gezeigten Versuchsaufbaus bei einer Raumtemperatur von 25,1 °C ermittelt werden. Hierzu kann ein modifiziertes Rotationsrheometer mit zwei durch einen Spalt h voneinander beabstandete Platten verwandt werden. Der Plattendurchmesser kann beispielsweise 20 mm betragen. Das Spaltmaß h kann beispiesweise 1,0 mm betragen. Die untere Platte in 4 wird durch eine mit Ultraschall schwingende Sonotrode 36 gebildet. Die obere Platte in 4 wird durch eine bewegliche Platte gebildet, die durch einen Elektromotor in eine rotierende oder oszillierende Bewegung versetzt wird. Dabei können entweder Drehzahl oder Drehmoment, bzw. die entsprechenden Amplituden vorgegeben werden. Ein Drehgeber kann dabei die Winkelauslenkung erfassen. Das Drehmoment kann über den Eingangsstrom des Motors gemessen werden. Aus der Geometrie der Messanordnung und der Geschwindigkeit der bewegten Platte ergibt sich die Scherrate. Am Rotationsrheometer kann eine Scherrate γ von beispielsweise 2 s-1 eingestellt werden. Das zur Aufrechterhaltung der Bewegung notwendige Drehmoment wird gemessen, woraus sich dann die Schubspannung und damit die Viskosität ermitteln lässt.
  • Anhand des Verlaufs 101 der Viskosität in 5 lässt sich erkennen, dass der Ausgangswert der Viskosität η zum Zeitpunkt t = 50 Sekunden beispielsweise etwa 225 Pa s beträgt. Zum Zeitpunkt t = 100 s wird für etwa 0,1 Sekunden Ultraschall mit einer Amplitude von 6,0 µm eingekoppelt. Daraufhin sinkt die Viskosität in den nächsten Sekunden auf den Wert 67,9 Pa s ab und steigt dann wieder an, bis sie etwa zum Zeitpunkt t = 110 Sekunden den ursprünglichen Wert wieder erreicht. Man erkennt außerdem an dem Temperaturverlauf 102, dass die Temperatur zum Zeitpunkt t = 100 s von 27°C auf 38,4 °C ansteigt und dann wieder auf einen Wert knapp über dem ursprünglichen Wert absinkt.
  • 5 verdeutlicht, dass durch die Ultraschallbeaufschlagung die Viskosität des Werkstoffs 10 temporär für mehrere Sekunden um mehr als 50% und insbesondere mehr als 70% verringerbar ist. Das Zeitintervall, in dem die Viskosität stark verringert ist, kann dabei deutlich größer als die Zeitdauer der Ultraschalleinkopplung sein, die im vorliegenden Beispiels nur etwa 0,1 Sekunden beträgt. Daher kann dieser Zeitraum genutzt werden, um den mit dem elektronischen Bauelement 5 versehene Bereich der Bestückungsseite 2 mittels der Dosiereinrichtung 30 mit dem niederviskosen Füllmaterial 12a aufzufüllen, da das aus dem Materialauslass 33 auf das Trägersubstrat 1 aufgebrachte Füllmaterial die niedrige Viskosität noch für einen gewissen Zeitraum beibehält.
  • Zur Herstellung der Schutzabdeckung 12 kann ein Werkstoff 10, insbesondere ein thixotroper zwei-Komponenten-Epoxidharzkleber verwandt werden, dessen Viskosität ohne Ultraschalleintrag ausreichend hochviskos ist, um mittels der Dosiereinrichtung 30 den umlaufenden Damm 11 aus einem nach der Auftragung auf dem Trägersubstrat 2 nicht zerfließenden Dammmaterial 11a auf das Trägersubstrat 5 aufzutragen, wie dies in 1a und 1b dargestellt ist. Anschließend werden weitere Mengen des gleichen Werkstoffs 10 der Materialaufnahmekammer 32 zugeführt und für kurze Zeit die Ultraschalleinrichtung 35 eingeschaltet, wodurch in der Dosiereinrichtung 30 die Viskosität des Werkstoffs 10 herabgesetzt wird. Mit derselben für die Herstellung des Damms 11 verwandten Dosiereinrichtung 30 wird dann, wie in 1c gezeigt, ein durch den Ultraschalleintrag erhaltenes niederviskoses Füllmaterial 12a auf den von dem Damm 11 umgebenen und mit dem elektronischen Bauelement 5 versehenen Bereich der Bestückungsseite 2 des Trägersubstrats 1 aufgebracht. Dies geschieht vorzugweise so, dass das wenigstens eine elektronische Bauelement 5 auf seiner von der Bestückungsseite 2 abgewandten Seite mit dem Füllmaterial 12a vollständig abgedeckt ist. Falls mehrere elektronische Bauelemente 5 auf dem Trägersubstrat 1 angeordnet sind, können diese alle mit der Schutzabdeckung 12 abgedeckt werden. Es ist aber auch möglich, dass einzelne Bauelemente, beispielsweise ein Sensorsockel oder ein Kontaktelement auf der Schutzabdeckung hervorstehen.
  • Wie weiterhin in 1d gezeigt, kann das Trägersubstrat 1 anschließend einem Ofen 40 zugeführt werden, in dem eine Aushärtung des Füllmaterials 12a und des Dammmaterials 11a durch Wärmezufuhr erfolgt.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • DE 4408176 A1 [0002, 0003]

Claims (10)

  1. Verfahren zur Herstellung einer Schutzabdeckung (12) von auf einem Trägersubstrat (1) angeordneten elektronischen Bauelementen, bei dem auf einer mit wenigstens einem elektronischen Bauelement (5) versehen Bestückungsseite (2) eines Trägersubstrats (1) ein umlaufender Damm (11) aus einem hochviskosen Dammmaterial (11a) aufgetragen wird und der von dem Damm (11) umgebene und mit dem elektronischen Bauelement (5) versehene Bereich der Bestückungsseite (2) mittels einer Dosiereinrichtung (30) mit einem niederviskosen Füllmaterial (12a) soweit aufgefüllt wird, dass das wenigstens eine elektronische Bauelement (5) auf seiner von der Bestückungsseite (2) abgewandten Seite mit dem Füllmaterial (12a) vollständig abgedeckt ist, dadurch gekennzeichnet, dass in der Dosiereinrichtung (30) aus dem gleichen der Dosiereinrichtung zugeführten Werkstoff (10) durch Energieeintrag sowohl das Dammmaterial (11a) als auch des Füllmaterial (12a) gebildet werden.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass in der Dosiereinrichtung (30) durch Energieeintrag die Viskosität des zugeführten Werkstoffs (10) zumindest für ein Zeitintervall während der Materialauftragung zwischen hochviskosen und niederviskosen Fließverhalten verändert wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Viskosität des Werkstoffs (10) durch Ultraschallleintrag verändert wird.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Viskosität des Werkstoffs (10) ohne Ultraschalleintrag ausreichend hochviskos ist, um mittels der Dosiereinrichtung (30) einen umlaufenden Damm (11) aus einem nach der Auftragung auf dem Trägersubstrat (2) nicht zerfließenden Dammmaterial (11a) auf das Trägersubstrat (5) aufzutragen, und dass nach der Herstellung des Damms (11) durch Ultraschalleintrag in der Dosiereinrichtung (30) die Viskosität des Werkstoffs (10) herabgesetzt wird und mit derselben Dosiereinrichtung (30) ein durch den Ultraschalleintrag erhaltenes niederviskoses Füllmaterial (12a) auf den von dem Damm (11) umgebenen und mit dem elektronischen Bauelement (5) versehenen Bereich der Bestückungsseite (2) des Trägersubstrats (1) aufgebracht wird.
  5. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass in der Dosiereinrichtung (30) durch Energieeintrag die Viskosität des Werkstoffs (10) zumindest für ein Zeitintervall während der Materialauftragung des Füllmaterials (12a) um mehr 50% und insbesondere mehr als 70% verringerbar ist.
  6. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass als Werkstoff (10) ein thixotroper Klebstoff und insbesondere ein thixotroper zwei-Komponenten-Epoxidharz-Klebstoff verwandt wird.
  7. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Dammmaterial (11a) und das Füllmaterial (12a) mit demselben Dispenskopf (39) der Dosiereinrichtung (30) auf das Trägersubstrat (1) aufgetragen werden.
  8. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass nach der Auftragung des Füllmaterials (12a) eine Aushärtung des Füllmaterials (12a) und des Dammmaterials (11a) erfolgt.
  9. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung eine Dosiereinrichtung (30) umfasst, die einen beweglichen Dispenskopf (31) umfasst, der relativ zu der Bestückungsseite (2) eines der Vorrichtung zugeführten Trägersubstrats (1) beweglich ist, wobei der Dispenskopf (31) eine Materialaufnahmekammer (32) mit einem Materialauslass (33) und wenigstens eine Materialzuführung (34) für den Werkstoff (10) aufweist und wobei die Materialaufnahmekammer (32) mit einer Ultraschalleinrichtung (35) zur Einkopplung von Ultraschall in den in der Materialaufnahmekammer (32) enthaltenen Werkstoff (10) in Wirkverbindung steht.
  10. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Ultraschalleinrichtung (35) eine mit einer Ultraschallfrequenz schwingende Sonotrode (36) aufweist, welche Ultraschall senkrecht zu einer ausgehend von der wenigstens einen Materialzuführung (34) in Richtung des Materialauslasses (33) gerichteten Transportrichtung (R) des Werkstoffs (10) in den in der Materialaufnahmekammer enthaltenen Werkstoff (10) einkoppelt.
DE102019215778.5A 2019-10-14 2019-10-14 Verfahren zur Herstellung einer Schutzabdeckung von auf einem Trägersubstrat angeordneten elektronischen Bauelementen und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens Pending DE102019215778A1 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102019215778.5A DE102019215778A1 (de) 2019-10-14 2019-10-14 Verfahren zur Herstellung einer Schutzabdeckung von auf einem Trägersubstrat angeordneten elektronischen Bauelementen und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
PCT/EP2020/072504 WO2021073794A1 (de) 2019-10-14 2020-08-11 Verfahren zur herstellung einer schutzabdeckung von auf einem trägersubstrat angeordneten elektronischen bauelementen und vorrichtung zur durchführung des verfahrens
CN202080086294.8A CN114830306A (zh) 2019-10-14 2020-08-11 用于制造布置在载体基板上的电子结构元件的保护盖的方法和用于实施该方法的设备
EP20757551.5A EP4046184A1 (de) 2019-10-14 2020-08-11 Verfahren zur herstellung einer schutzabdeckung von auf einem trägersubstrat angeordneten elektronischen bauelementen und vorrichtung zur durchführung des verfahrens

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102019215778.5A DE102019215778A1 (de) 2019-10-14 2019-10-14 Verfahren zur Herstellung einer Schutzabdeckung von auf einem Trägersubstrat angeordneten elektronischen Bauelementen und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102019215778A1 true DE102019215778A1 (de) 2021-04-15

Family

ID=72139578

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102019215778.5A Pending DE102019215778A1 (de) 2019-10-14 2019-10-14 Verfahren zur Herstellung einer Schutzabdeckung von auf einem Trägersubstrat angeordneten elektronischen Bauelementen und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP4046184A1 (de)
CN (1) CN114830306A (de)
DE (1) DE102019215778A1 (de)
WO (1) WO2021073794A1 (de)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4408176A1 (de) 1994-03-11 1995-09-14 Sel Alcatel Ag Verfahren zur flächen- und höhenkontrollierten Verkapselung von auf einem Substrat angeordneten Bauelementen
US6987058B2 (en) * 2003-03-18 2006-01-17 Micron Technology, Inc. Methods for underfilling and encapsulating semiconductor device assemblies with a single dielectric material
US20070289129A1 (en) * 2004-08-06 2007-12-20 Wing Kenneth E Selective Encapsulation of Electronic Components
KR101874403B1 (ko) * 2016-12-19 2018-07-05 주식회사 지엔테크 디스플레이 제조용 정량 토출장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN114830306A (zh) 2022-07-29
EP4046184A1 (de) 2022-08-24
WO2021073794A1 (de) 2021-04-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2161023A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Ultraschallschweißen von Drähten auf die Metalloberfläche eines Trägers
DE102008022946A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Aufbringen von Pulvern oder Pasten
DE3020477A1 (de) Heiss-siebdruckmaschine und verfahren zur siebherstellung
DE102006036728B4 (de) Verfahren zur elektrischen Kontaktierung mikroelektronischer Bauelemente auf einer Leiterplatte
DE2535923C3 (de) Verfahren und Form zum Einkapseln elektrischer Bauteile
DE102017129066A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Multimaterial-Bauteilverbindung und die Multimaterial-Bauteilverbindung
DE102013201926A1 (de) Verfahren zum elektrischen Kontaktieren eines Bauteils und Bauteilverbund
DE3021020C2 (de) Verfahren zur Herstellung von mit Kühlkanälen versehenen Turbinenschaufeln und zur Wanddickenmessung bei der Herstellung
DE102019215778A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Schutzabdeckung von auf einem Trägersubstrat angeordneten elektronischen Bauelementen und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
WO2020156880A1 (de) UMGIEß-VERFAHREN UND UMGIEß-VORRICHTUNG FÜR EINE UNTERWASSERANTENNE
DE102013005165A1 (de) Verfahren und Einrichtung zur Herstellung mikrostrukturierter Gitterplatten mit hohem Aspektverhältnis
EP1577020B1 (de) Verfahren zum Auftragen von Klebstoff
DE10249569B4 (de) Werkzeugkopf zum Befestigen eines elektrischen Leiters auf der Kontaktfläche eines Substrates und Verfahren zum Durchführen der Befestigung
DE19938015A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Gummi-Metall-Bauteilen
DE10238084A1 (de) Nachgiebige Befestigung mit Abstand für einen Unterdrucksenor
DE102016002172A1 (de) Verfahren zum Fügen von wenigstens zwei Bauteilen, insbesondere für einen Kraftwagen
CH629247A5 (de) Verfahren zum aufkleben von bauteilen auf eine unterlage mittels thixotropen materials.
AT520756B1 (de) Verfahren zum herstellen einer multimaterial-bauteilverbindung und die multimaterial-bauteilverbindung
DE2362324C3 (de) Verfarhen zum Verkleben zweier Elemente unter Verwendung von Kunstharzen
DE102019127191A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen von dreidimensionalen Gegenständen
DE3535696C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur partiellen Beschichtung eines Kunststoffteiles
DE3616567A1 (de) Verfahren zum herstellen dicker spritzmetallschichten
DE102020003536A1 (de) Verfahren zum Erzeugen einer 3D-Struktur
DE10103669B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines mit Kunststoff überzogenen Gußstücks
EP3372858A1 (de) Kupplungselemente mit schwingungsdämpfung