DE102019212895A1 - Halbleiterbaugruppe - Google Patents

Halbleiterbaugruppe Download PDF

Info

Publication number
DE102019212895A1
DE102019212895A1 DE102019212895.5A DE102019212895A DE102019212895A1 DE 102019212895 A1 DE102019212895 A1 DE 102019212895A1 DE 102019212895 A DE102019212895 A DE 102019212895A DE 102019212895 A1 DE102019212895 A1 DE 102019212895A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
heat
component
semiconductor assembly
generating component
assembly according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE102019212895.5A
Other languages
English (en)
Inventor
Daniel Feil
Ulrich Kessler
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Priority to DE102019212895.5A priority Critical patent/DE102019212895A1/de
Publication of DE102019212895A1 publication Critical patent/DE102019212895A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K13/00—Thermometers specially adapted for specific purposes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04026—Bonding areas specifically adapted for layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04034—Bonding areas specifically adapted for strap connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04042—Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/0601—Structure
    • H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/061—Disposition
    • H01L2224/0618—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
    • H01L2224/06181—On opposite sides of the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/32227—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the layer connector connecting to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
    • H01L2224/331—Disposition
    • H01L2224/3318—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
    • H01L2224/33181—On opposite sides of the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/4005—Shape
    • H01L2224/4009—Loop shape
    • H01L2224/40095—Kinked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/401—Disposition
    • H01L2224/40151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/40221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/40225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/40227—Connecting the strap to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/401—Disposition
    • H01L2224/40151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/40221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/40245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/40247—Connecting the strap to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/404—Connecting portions
    • H01L2224/40475—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas
    • H01L2224/40499—Material of the auxiliary connecting means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73221—Strap and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73263—Layer and strap connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8384—Sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/848—Bonding techniques
    • H01L2224/8484—Sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L24/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/1026—Compound semiconductors
    • H01L2924/1027—IV
    • H01L2924/10272—Silicon Carbide [SiC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Halbleiterbaugruppe (10) mit einem wärmeerzeugenden Bauelement (20), wobei das wärmeerzeugende Bauelement (20) vorzugsweise mit einem Trägerelement (12), insbesondere mittels einer elektrisch leitenden Schicht (16), elektrisch kontaktiert ist, mit einem auf der dem Trägerelement (12) abgewandten Seite des wärmeerzeugenden Bauelements (20) mit dem wärmeerzeugenden Bauelement (20) verbundenen Kontaktelement (28), und mit einem auf der dem wärmeerzeugenden Bauelement (20) abgewandten Seite des Kontaktelements (28) angeordneten zusätzlichen Bauelement (35).

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die Erfindung betrifft eine Halbleiterbaugruppe, wie sie beispielsweise als Bestandteil in Leistungsmodulen, z.B. für Kfz-Anwendungen, eingesetzt wird.
  • Stand der Technik
  • Eine Halbleiterbaugruppe mit den Merkmalen des Oberbegriffs des Anspruchs 1 ist aus der DE 10 2017 207 565 A1 der Anmelderin bekannt. Die bekannte Halbleiterbaugruppe zeichnet sich durch ein (zusätzliches) Bauelement aus, das mittelbar in wärmeleitendem Kontakt mit wärmeerzeugenden Bauelementen angeordnet ist, wobei die wärmeerzeugenden Bauelemente wiederum auf einem Trägerelement angeordnet bzw. befestigt sind. Das auf der dem Trägerelement abgewandten Seite der wärmeerzeugenden Bauteile angeordnete (zusätzliche) Bauelement dient insbesondere dazu, eine verbesserte Wärmeabfuhr von den wärmeerzeugenden Bauelementen zu ermöglichen.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Die erfindungsgemäße Halbleiterbaugruppe mit den Merkmalen des Anspruchs 1 hat den Vorteil, dass sie mit Blick auf thermomechanische Spannungen zwischen dem wärmeerzeugenden Bauteil und einem Kontaktelement, an das das wärmeerzeugende Bauelement angebunden ist, eine verbesserte Zuverlässigkeit aufweist. Mit anderen Worten gesagt bedeutet dies, dass trotz relativ hoher thermomechanischer Spannungen, hervorgerufen aufgrund unterschiedlicher Ausdehnungskoeffizienten zwischen dem Kontaktelement und dem wärmeerzeugenden Bauteil, auch über längere Zeiträume bzw. über die gesamte Lebensdauer der Halbleiterbaugruppe betrachtet eine zuverlässige Funktion ermöglicht wird.
  • Die erfindungsgemäße Halbleiterbaugruppe kann somit insbesondere für solche Anwendungen vorteilhaft eingesetzt werden, bei denen relativ hohe Bauteiltemperaturen und somit relativ hohe thermomechanische Belastungen bzw. Spannungen auftreten. Insbesondere sind auch Halbleiterbaugruppen angesprochen, die aufgrund des Trends zu immer kleineren Bauelementen verringerte Anbindungsflächen zur Wärmeabfuhr aufweisen. Auch weisen Halbleiter aus SiC einen etwa dreimal höheren E-Modul auf als solche aus Si, wobei die SiC-Halbleiter typischerweise auch dicker sind als die aus Si. Sowohl der höhere E-Modul als auch die vergrößerte Dicke erhöhen tendenziell die Problematik der thermomechanischen Spannungen beim Bauteilen aus SiC.
  • Der Erfindung liegt die Idee zugrunde, das zusätzliche Bauelement, das beim Stand der Technik (lediglich) zur verbesserten Wärmeabfuhr von dem wärmeerzeugenden Bauelement dient, dazu einzusetzen, die zwischen dem wärmeerzeugenden Bauelement und der zugewandten Seite des Kontaktelements herrschenden thermomechanischen Spannungen abzubauen bzw. in Bezug zu dem Kontaktelement zu symmetrisieren.
  • Hierzu schlägt es die Lehre des Anspruchs 1 vor, dass das zusätzliche Bauelement einen Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist, der geringer ist als der Wärmeausdehnungskoeffizient des Kontaktelements. Eine derartige Ausbildung des zusätzlichen Bauelements bewirkt, dass zwischen dem zusätzlichen Bauelement und dem Kontaktelement thermische Spannungen aufgebaut werden, die im besten Fall ähnlich hoch sind wie die thermischen Spannungen zwischen dem Kontaktelement und dem wärmeerzeugenden Bauelement. Dadurch ergeben sich an beiden Seiten des Kontaktelements zu dem jeweils zugewandten Element gleich hohe thermomechanische Spannungen, sodass die Spannungen symmetrisiert werden, was die Zuverlässigkeit der Verbindung zwischen dem Kontaktelement und dem wärmeerzeugenden Bauelement begünstigt.
  • Vorteilhafte Weiterbildungen der erfindungsgemäßen Halbleiterbaugruppe sind in den Unteransprüchen angeführt.
  • Wie bereits erläutert, ist es von besonderem Vorteil, wenn der Wärmeausdehnungskoeffizient des zusätzlichen Bauelements etwa dem Wärmeausdehnungskoeffizienten des wärmeerzeugenden Bauelements entspricht. Dadurch wird mit Blick auf die Ebene des Kontaktelements eine Symmetrisierung der thermomechanischen Spannungen an beiden Kontaktflächen des Kontaktelements zum zusätzlichen Bauteil und zum wärmeerzeugenden Bauelement ermöglicht.
  • Die Verbindung zwischen dem Kontaktelement und dem zusätzlichen Bauelement sowie zwischen dem Kontaktelement und dem wärmeerzeugenden Bauelement erfolgt jeweils mittels einer Verbindungsschicht, beispielsweise einer Lotschicht oder einer Sinterschicht. Vorzugsweise ist es vorgesehen sein, dass die beiden Verbindungsschichten hinsichtlich ihres Materials und ihrer Schichtdicke (bzw. Geometrie) gleich ausgebildet sind.
  • Hinsichtlich des zusätzlichen Bauelements bzw. zur Erzielung des gewünschten Wärmeausdehnungskoeffizienten des zusätzlichen Bauelements gibt es unterschiedliche Möglichkeiten. Bevorzugt ist es vorgesehen, dass das zusätzliche Bauelement aus Keramik, einer Metalllegierung, aus Si oder aus SiC besteht. Insbesondere kann es vorgesehen sein, dass das Material des zusätzlichen Bauteils und des wärmeerzeugenden Bauteil gleich bzw. ähnlich ist.
  • Weiterhin kann es vorgesehen sein, dem zusätzlichen Bauelement neben dem Abbau bzw. der Symmetrisierung der thermomechanischen Spannungen eine weitere Funktionalität zuzuordnen. Hierzu kann es vorgesehen sein, dass das zusätzliche Bauelement ein Sensor oder Bestandteil eines Sensors, insbesondere eines Temperatursensors, ist.
  • Alternativ oder in Weiterbildung des zuletzt gemachten Vorschlags kann es auch vorgesehen sein, dass das zusätzliche Bauelement mit einem weiteren Funktionselement verbunden ist. Unter einem weiteren Funktionselement wird beispielsweise eine Kühlstruktur, eine mechanische Verbindung o.ä. angesehen.
  • Auch kann es vorgesehen sein, dass die Halbleiterbaugruppe von einer Moldmasse umgeben ist. In diesem Fall kann das zusätzliche Element durch eine Wechselwirkung mit der Moldmasse beispielsweise zu einer Optimierung der Strömungssituation beim Ausbilden bzw. Befüllen der Halbleiterbaugruppe mit der Moldmasse oder zu einer Verbesserung der mechanischen Verbindung (Verkrallung) mit der Vergussmasse (Moldmasse) führen.
  • Die erfindungsgemäße Halbleiterbaugruppe findet insbesondere Anwendung bei wärmeerzeugenden Bauelementen, die als Leistungsbauelement, insbesondere in Form eines WBG-(wide-bandgap)Halbleiterbauelements, ausgebildet ist.
  • Weiterhin ist es insbesondere vorgesehen, dass das Kontaktelement als Verbindungselement zu dem Trägerelement ausgebildet ist. Dadurch wird eine elektrische Kontaktierung beispielsweise der Oberseite eines Chips zu einer Leiterbahn bzw. einem elektrisch leitenden Bereich am Trägerelement ermöglicht.
  • Als bevorzugte Wärmeausdehnungskoeffizienten für das zusätzliche Bauelement hat sich ein Bereich zwischen 2 ppm/K und 6 ppm/K erwiesen, da dieser dann in der Größenordnung typischer wärmeerzeugender Bauelemente liegt.
  • Weitere Vorteile, Merkmale und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele sowie anhand der Zeichnungen.
  • Figurenliste
    • Die 1 zeigt in einem vereinfachten Längsschnitt eine erfindungsgemäße Halbleiterbaugruppe.
  • Ausführungsformen der Erfindung
  • Die in der 1 dargestellte Halbleiterbaugruppe 10 findet beispielsweise Verwendung in Leistungsbaugruppen und/oder elektronischen Schaltungen bzw. Steuergeräten für Kfz-Anwendungen. Die Erfindung soll jedoch nicht auf derartige Anwendungen beschränkt sein.
  • Die Halbleiterbaugruppe 10 weist ein Trägerelement 12 in Form eines Substrats 14 auf, das beidseitig mit elektrisch leitenden Schichten bzw. Bereichen 16 versehen ist. Auf einer Oberseite des Substrats 14 ist über eine Verbindungsschicht 18, beispielsweise einer Lotschicht oder eine Sinterschicht, ein elektrisch leitender Bereich 19 eines wärmeerzeugenden Bauelements 20 angekoppelt. Bei dem wärmeerzeugenden Bauelement 20 handelt es sich insbesondere um ein Halbleiterbauelement in Form eines Leistungsbauelements, insbesondere ein WBG-Halbleiterbauelement.
  • Die der Verbindungsschicht 18 abgewandte Oberseite des wärmeerzeugenden Bauelements 20 weist beispielhaft zwei elektrisch leitende Bereiche 22, 24 auf, wobei der elektrisch leitende Bereich 24 über eine Drahtbondverbindung 25 mit einem Bereich 16 des Substrats 14 verbunden ist. Der andere elektrisch leitende Bereich 22 ist über eine weitere Verbindungsschicht 26, die hinsichtlich ihres Materials und zumindest ihrer Dicke beispielhaft der Verbindungsschicht 18 entspricht, mit einem Kontaktelement 28 in Form eines Clips 30 verbunden.
  • Das bügelförmig ausgebildete Kontaktelement 28 ist auf der dem wärmeerzeugenden Bauelement 20 abgewandten Seite über eine Verbindungsschicht 32 mit einem Bereich 16 des Substrats 14 gekoppelt. Die dem wärmeerzeugenden Bauelement 20 abgewandte Oberseite des Kontaktelements 28 ist über eine zusätzliche Verbindungsschicht 34, deren Material und Dicke vorzugsweise der der Verbindungsschicht 26 entspricht, mit einem zusätzlichen Bauelement 35 verbunden.
  • Das zusätzliche Bauelement 35, das beispielsweise aus keramischem Material, einer Metalllegierung, aus Si oder SiC besteht, weist insbesondere einen Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen 2 ppm/K und 6 ppm/K auf. Damit beträgt der Wärmeausdehnungskoeffizient des zusätzlichen Bauelements 35 zumindest näherungsweise etwa dem Wärmeausdehnungskoeffizienten des wärmeerzeugenden Bauelements 20, der typischerweise zwischen 2 ppm/K und 3 ppm/K beträgt. Demgegenüber betragen die Wärmeausdehnungskoeffizienten des Kontaktelements 28 sowie der beiden Verbindungsschichten 32 oder 26 typischerweise etwa zwischen 15 ppm/K und 25 ppm/K.
  • Dadurch, dass an dem Kontaktelement 28 an seiner dem wärmeerzeugenden Bauelement 20 zugewandten Seite und an der dem zusätzlichen Bauelement 35 zugewandten Seite ähnliche Wärmeausdehnungskoeffizienten vorhanden sind, werden die zwischen dem wärmeerzeugenden Bauelement 20 und dem Kontaktelement 28 vorhandenen thermomechanischen Spannungen aufgrund der Wärmeabgabe durch das wärmeerzeugende Bauelement 20 über das Kontaktelement 28 in Richtung des zusätzlichen Bauelements 35 symmetrisiert bzw. reduziert.
  • Ergänzend wird erwähnt, dass das zusätzliche Bauelement 35 neben seiner Funktion zur Symmetrisierung von thermomechanischen Spannungen an dem Kontaktelement 28 auch eine zusätzliche Funktionalität aufweisen kann, indem das zusätzliche Bauelement 35 beispielsweise als Bestandteil eines Sensors, insbesondere eines Temperatursensors, oder aber als Verbindung zu weiteren Baugruppen, wie beispielsweise Kühlelementen o.ä., ausgebildet ist. Weiterhin kann es vorgesehen sein, dass zumindest die Oberseite des Trägerelements 12 bzw. der Halbleiterbaugruppe 10 von einer Moldmasse 36 überdeckt ist.
  • Weiterhin wird erwähnt, dass das Trägerelement 12 nicht zwangsläufig als Substrat 14 ausgebildet sein muss, sondern zum Beispiel auch ein Stanzgitter sein kann.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • DE 102017207565 A1 [0002]

Claims (10)

  1. Halbleiterbaugruppe (10) mit einem wärmeerzeugenden Bauelement (20), wobei das wärmeerzeugende Bauelement (20) vorzugsweise mit einem Trägerelement (12), insbesondere mittels einer elektrisch leitenden Schicht (16), elektrisch kontaktiert ist, mit einem auf der dem Trägerelement (12) abgewandten Seite des wärmeerzeugenden Bauelements (20) mit dem wärmeerzeugenden Bauelement (20) verbundenen Kontaktelement (28), und mit einem auf der dem wärmeerzeugenden Bauelement (20) abgewandten Seite des Kontaktelements (28) angeordneten zusätzlichen Bauelement (35), dadurch gekennzeichnet, dass das zusätzliche Bauelement (35) einen Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist, der geringer ist als der Wärmeausdehnungskoeffizient des Kontaktelements (28).
  2. Halbleiterbaugruppe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Wärmeausdehnungskoeffizient des zusätzlichen Bauelements (35) zumindest etwa dem Wärmeausdehnungskoeffizienten des wärmeerzeugenden Bauelements (20) entspricht.
  3. Halbleiterbaugruppe nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Kontaktelement (28) mit dem zusätzlichen Bauelement (35) und mit dem wärmeerzeugenden Bauelement (20) mittels jeweils einer Verbindungsschicht (18, 26) verbunden ist.
  4. Halbleiterbaugruppe nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindungsschichten (18, 26) hinsichtlich ihres Materials und ihrer Schichtdicke gleich ausgebildet sind.
  5. Halbleiterbaugruppe nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass das zusätzliche Bauelement (35) aus Keramik, einer Metalllegierung, aus Si oder aus SiC besteht.
  6. Halbleiterbaugruppe nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass das zusätzliche Bauelement (35) ein Sensor oder Bestandteil eines Sensors, insbesondere eines Temperatursensors, ist.
  7. Halbleiterbaugruppe nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das zusätzliche Bauelement (35) mit einem weiteren Funktionselement verbunden ist.
  8. Halbleiterbaugruppe nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterbaugruppe (10) von einer Moldmasse (36) umgeben ist.
  9. Halbleiterbaugruppe nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass das wärmeerzeugende Bauelement (20) ein Leistungsbauelement, insbesondere ein WBG(wide-bandgap)-Halbleiterbauelement ist.
  10. Halbleiterbaugruppe nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass das Kontaktelement (28) als Verbindungselement zu einer elektrisch leitenden Schicht (16) des Trägerelements (12) ausgebildet ist.
DE102019212895.5A 2019-08-28 2019-08-28 Halbleiterbaugruppe Pending DE102019212895A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102019212895.5A DE102019212895A1 (de) 2019-08-28 2019-08-28 Halbleiterbaugruppe

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102019212895.5A DE102019212895A1 (de) 2019-08-28 2019-08-28 Halbleiterbaugruppe

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102019212895A1 true DE102019212895A1 (de) 2021-03-04

Family

ID=74564564

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102019212895.5A Pending DE102019212895A1 (de) 2019-08-28 2019-08-28 Halbleiterbaugruppe

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102019212895A1 (de)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1364402B1 (de) Leistungsmodul mit verbessertem transienten wärmewiderstand
DE102016206865B4 (de) Halbleitervorrichtung
DE102014202651A1 (de) Halbleitervorrichtung und Halbleitermodul
DE102014213564A1 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE102015102866A1 (de) Elektrischer Anschlusskontakt für ein keramisches Bauelement, keramisches Bauelement und Bauelementanordnung
DE102017200256A1 (de) Elektrodenanschluss, Halbleitervorrichtung und Leistungswandlungsvorrichtung
EP2392027B1 (de) Verbundbauteil
DE102010033093A1 (de) Optoelektronisches Leuchtmodul und Kfz-Schweinwerfer
DE102004057421B4 (de) Druckkontaktiertes Leistungshalbleitermodul für hohe Umgebungstemperaturen und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102017212233A1 (de) Elektrische Baugruppe und Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Baugruppe
DE4132947C2 (de) Elektronische Schaltungsanordnung
DE102005030247B4 (de) Leistungshalbleitermodul mit Verbindungselementen hoher Stromtragfähigkeit
DE112017007982T5 (de) Leistungs-Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren einer Leistungs-Halbleitervorrichtung
DE112018003419T5 (de) Halbleiterbauelement
DE10204200A1 (de) Leistungsmodul
DE102019212895A1 (de) Halbleiterbaugruppe
DE102019111963A1 (de) Halbleitermodul mit einem Halbleiter und mit einem Metallformteil, der vom Halbleiter elektrisch kontaktiert wird
WO2014206666A1 (de) Schaltungsvorrichtung und verfahren zum herstellen einer schaltungsvorrichtung zur steuerung eines getriebes eines fahrzeugs
DE102012208251A1 (de) Elektrische Kontaktierung für Halbleiter
DE10042839B4 (de) Elektronisches Bauteil mit Wärmesenke und Verfahren zu seiner Herstellung
EP3384527A1 (de) Elektronisches leistungsmodul
DE102017200504A1 (de) Elektronische Komponente und Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Komponente
DE102015218369A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Leiterrahmenmoduls und Leiterrahmenmodul
EP2327095A1 (de) Halbleiteranordnung sowie verfahren zum herstellen einer halbleiteranordnung
DE102015211843A1 (de) Elektronische Komponente und Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Komponente