DE102019207263A1 - Electronic device - Google Patents

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Abstract

Eine elektronische Vorrichtung beinhaltet einen Wärmeübertragungsabschnitt (60) und einen Belastungsentspannungsabschnitt (70, 80). Der Wärmeübertragungsabschnitt ist zwischen einer elektronischen Komponente (20) und einem Dichtharzkörper (50) in einem Zustand angeordnet, in dem er in Kontakt mit sowohl der elektronischen Komponente als auch dem Dichtharzköper ist, und hat eine höhere thermische Leitfähigkeit als der Dichtharzkörper. Der Belastungsentspannungsabschnitt ist zwischen dem Wärmeübertragungsabschnitt und der elektronischen Komponente und/oder dem Dichtharzkörper in einem Zustand vorgesehen, in dem er in Kontakt mit dem Wärmeübertragungsabschnitt ist. Der Belastungsentspannungsabschnitt wird durch eine Belastung komprimiert, die von dem Dichtharzkörper auf den Belastungsentspannungsabschnitt durch den Wärmeübertragungsabschnitt ausgeübt wird, um eine Belastung zu reduzieren, die auf die elektronische Komponente von dem Wärmeübertragungsabschnitt ausgeübt wird.An electronic device includes a heat transfer section (60) and a stress relief section (70, 80). The heat transfer section is disposed between an electronic component (20) and a sealing resin body (50) in a state of being in contact with both the electronic component and the sealing resin body, and has higher thermal conductivity than the sealing resin body. The stress relief portion is provided between the heat transfer portion and the electronic component and / or the sealing resin body in a state of being in contact with the heat transfer portion. The stress relief portion is compressed by a stress exerted by the sealing resin body on the strain relief portion through the heat transmitting portion to reduce a stress exerted on the electronic component by the heat transmitting portion.

Description

Die vorliegende Offenbarung betrifft eine elektronische Vorrichtung.The present disclosure relates to an electronic device.

Als eine elektronische Vorrichtung, in der eine elektronische Komponente, die auf einem Substrat montiert ist, mit einem Dichtharz abgedichtet ist, offenbart beispielsweise die JP H10-294404 A (Patentdokument 1) eine elektronische Vorrichtung, die einen Verpackungskörper bzw. Package-Körper beinhaltet, in dem eine elektronische Komponente, die auf einem Leiterrahmen montiert ist, mit einem primären Dichtharz abgedichtet ist, und ein sekundäres Dichtharz, mit dem der Verpackungskörper abgedichtet ist. In der vorstehenden elektronischen Vorrichtung ist ein Beschichtungsfilm zwischen dem primären Dichtharz und dem sekundären Dichtharz vorgesehen. Der Beschichtungsfilm ist durch Abscheiden von Luftblasen in Gummi, der ein Basismaterial darstellt, ausgebildet und deckt das gesamte primäre Dichtharz ab. In Patentdokument 1, wenn eine thermische Belastung aufgrund einer Fehlanpassung eines thermischen Expansionskoeffizienten zwischen dem primären Dichtharz und dem sekundären Dichtharz erzeugt wird, wird die thermische Belastung durch den Beschichtungsfilm absorbiert, wodurch die thermische Belastung, die auf die elektronische Komponente ausgeübt wird, entspannt wird.As an electronic device in which an electronic component mounted on a substrate is sealed with a sealing resin, for example, U.S. Patent No. 5,348,688 discloses JP H10-294404 A (Patent Document 1) An electronic device including a package body in which an electronic component mounted on a lead frame is sealed with a primary sealing resin and a secondary sealing resin with which the packaging body is sealed. In the above electronic device, a coating film is provided between the primary sealing resin and the secondary sealing resin. The coating film is formed by depositing air bubbles in rubber, which is a base material, and covers the entire primary sealing resin. In Patent Document 1, when a thermal stress is generated due to mismatch of a thermal expansion coefficient between the primary sealing resin and the secondary sealing resin, the thermal stress is absorbed by the coating film, thereby relaxing the thermal stress exerted on the electronic component.

Jedoch ist in Patentdokument 1 der Verpackungskörper mit dem aus Gummi gefertigten Beschichtungsfilm, in dem die Luftblasen abgeschieden sind, bedeckt. Somit, wenn Wärme von der elektronischen Komponente beim Antreiben der elektronischen Komponente erzeugt wird, wird angenommen, dass der Beschichtungsfilm verhindert, dass die Wärme zur Außenseite abgeleitet wird. In diesem Fall besteht ein Bedenken, dass die Wärme, die von der elektronischen Komponente erzeugt wird, auf ein Inneres der elektronischen Komponente übertragen wird und eine Temperatur der elektronischen Komponente zu hoch wird.However, in Patent Document 1, the packaging body is covered with the rubber-made coating film in which the air bubbles are deposited. Thus, when heat is generated from the electronic component in driving the electronic component, it is considered that the coating film prevents the heat from being dissipated to the outside. In this case, there is a concern that the heat generated by the electronic component is transmitted to an interior of the electronic component and a temperature of the electronic component becomes too high.

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Offenbarung, eine elektronische Vorrichtung bereitzustellen, die eine Belastung, die auf eine elektronische Komponente aufgrund einer Deformation eines Dichtharzkörpers wirkt, reduzieren kann, während eine übermäßige Temperaturzunahme der elektronischen Komponente reduziert wird.It is an object of the present disclosure to provide an electronic device that can reduce a stress acting on an electronic component due to a deformation of a sealing resin body while reducing an excessive temperature increase of the electronic component.

Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung beinhaltet eine elektronische Vorrichtung, in der eine elektronische Komponente, die an einem Substrat montiert ist, mit einem Dichtharzkörper abgedichtet ist, einen Wärmeübertragungsabschnitt und einen Belastungsentspannungsabschnitt. Der Wärmeübertragungsabschnitt ist mit dem Dichtharzkörper abgedichtet, ist zwischen der elektronischen Komponente und dem Dichtharzkörper in einem Zustand angeordnet, in dem er in Kontakt mit sowohl der elektronischen Komponente als auch dem Dichtharzkörper ist, ist deformierbar gemäß der Deformation des Dichtharzkörpers und hat eine höhere thermische Leitfähigkeit als der Dichtharzkörper. Der Belastungsentspannungsabschnitt ist mit dem Dichtharzkörper abgedichtet, ist zwischen dem Wärmeübertragungsabschnitt und der elektronischen Komponente und/oder dem Dichtharzkörper in einem Zustand angeordnet, in dem er in Kontakt mit dem Wärmeübertragungsabschnitt ist, und entspannt eine Belastung, die auf die elektronische Komponente von dem Dichtharzkörper durch den Wärmeübertragungsabschnitt mit der Deformation des Dichtharzkörpers ausgeübt wird. Der Belastungsentspannungsabschnitt wird durch eine Belastung komprimiert wird, die von dem Dichtharzkörper auf den Belastungsentspannungsabschnitt durch den Wärmeübertragungsabschnitt ausgeübt wird, um eine Belastung zu reduzieren, die auf die elektronische Komponente von dem Wärmeübertragungsabschnitt ausgeübt wird.According to one aspect of the present disclosure, an electronic device in which an electronic component mounted on a substrate is sealed with a sealing resin body includes a heat transfer portion and a stress release portion. The heat transfer portion is sealed with the sealing resin body, is disposed between the electronic component and the sealing resin body in a state of being in contact with both the electronic component and the sealing resin body, is deformable according to the deformation of the sealing resin body, and has higher thermal conductivity as the sealing resin body. The stress relief portion is sealed with the sealing resin body, is disposed between the heat transfer portion and the electronic component and / or the sealing resin body in a state in which it is in contact with the heat transfer portion, and relieves a stress on the electronic component from the sealing resin body the heat transfer section is applied with the deformation of the sealing resin body. The stress relief portion is compressed by a stress exerted by the sealing resin body on the strain relief portion through the heat transmitting portion to reduce a stress exerted on the electronic component by the heat transmitting portion.

Gemäß dem vorstehenden Aspekt ist der Wärmeübertragungsabschnitt, der eine höhere thermische Leitfähigkeit als der Dichtharzkörper aufweist, in Kontakt mit der elektronischen Komponente. In der vorstehenden Konfiguration ist es, sogar wenn Wärme von der elektronischen Komponente erzeugt wird, da die Wärme einfach an den Wärmeübertragungsabschnitt übertragen wird, weniger wahrscheinlich, dass die Wärme in der elektronischen Komponente bleibt. Somit kann die elektronische Vorrichtung beschränken, dass die Temperatur der elektronischen Komponente zu hoch wird.According to the above aspect, the heat transfer portion having a higher thermal conductivity than the sealing resin body is in contact with the electronic component. In the above configuration, even if heat is generated from the electronic component, since the heat is easily transmitted to the heat transfer portion, it is less likely that the heat will remain in the electronic component. Thus, the electronic device can restrict that the temperature of the electronic component becomes too high.

Zusätzlich, wenn der Dichtharzkörper beispielsweise aufgrund einer Temperaturänderung deformiert wird, wird der Wärmeübertragungsabschnitt ebenso gemäß der Deformation des Dichtharzkörpers deformiert. In diesem Fall wird der Belastungsentspannungsabschnitt gemäß der Deformation des Wärmeübertragungsabschnitts komprimiert, sodass die elektronische Komponente weniger wahrscheinlich gemäß der Deformation des Wärmeübertragungsabschnitts deformiert wird. In anderen Worten wird die Deformation des Wärmeübertragungsabschnitts nicht auf die elektronische Komponente und den Belastungsentspannungsabschnitt im gleichen Maß übertragen und wird weniger wahrscheinlich auf die elektronische Komponente übertragen. Somit wird eine Belastung der elektronischen Komponente reduziert.In addition, when the sealing resin body is deformed due to, for example, a temperature change, the heat transfer portion is also deformed in accordance with the deformation of the sealing resin body. In this case, the stress relief portion is compressed in accordance with the deformation of the heat transfer portion, so that the electronic component is less likely to be deformed in accordance with the deformation of the heat transfer portion. In other words, the deformation of the heat transfer section is not transmitted to the electronic component and the load relaxation section to the same extent and is less likely to be transmitted to the electronic component. Thus, a burden on the electronic component is reduced.

Wie vorstehend beschrieben ist, kann verhindert werden, dass die Temperatur der elektronischen Komponente übermäßig hoch wird, und die Belastung, die auf die elektronische Komponente aufgrund der Deformation des Dichtharzkörpers wirkt, kann reduziert werden.As described above, the temperature of the electronic component can be prevented from becoming excessively high, and the stress on the electronic component due the deformation of the sealing resin body acts, can be reduced.

Zusätzliche Aufgaben und Vorteile der vorliegenden Offenbarung werden aus der nachfolgenden detaillierten Beschreibung in Zusammenschau mit den Zeichnungen ersichtlicher.Additional objects and advantages of the present disclosure will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the drawings.

Es zeigen:

  • 1 eine Draufsicht einer elektronischen Vorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform;
  • 2 eine vertikale Querschnittsansicht der elektronischen Vorrichtung entlang einer Linie II-II von 1;
  • 3 eine vergrößerte Ansicht um einen Belastungsentspannungsabschnitt von 2;
  • 4 eine vertikale Querschnittsansicht einer Peripherie eines Belastungsentspannungsabschnitts gemäß einer zweiten Ausführungsform;
  • 5 eine vertikale Querschnittsansicht einer Peripherie eines Belastungsentspannungsabschnitts gemäß einer dritten Ausführungsform;
  • 6 eine vertikale Querschnittsansicht einer elektronischen Vorrichtung gemäß einer vierten Ausführungsform;
  • 7 eine vertikale Querschnittsansicht einer elektronischen Vorrichtung gemäß einer fünften Ausführungsform;
  • 8 eine vertikale Querschnittsansicht einer Peripherie eines Belastungsentspannungsabschnitts gemäß einer sechsten Ausführungsform;
  • 9 eine vertikale Querschnittsansicht einer elektronischen Vorrichtung gemäß einer siebten Ausführungsform;
  • 10 eine vertikale Querschnittsansicht einer Peripherie eines Belastungsentspannungsabschnitts gemäß einer achten Ausführungsform; und
  • 11 eine vertikale Querschnittsansicht einer elektronischen Vorrichtung gemäß einer neunten Ausführungsform
Show it:
  • 1 a plan view of an electronic device according to a first embodiment;
  • 2 a vertical cross-sectional view of the electronic device along a line II-II from 1 ;
  • 3 an enlarged view of a load release section of 2 ;
  • 4 a vertical cross-sectional view of a periphery of a stress relief portion according to a second embodiment;
  • 5 a vertical cross-sectional view of a periphery of a stress relief portion according to a third embodiment;
  • 6 a vertical cross-sectional view of an electronic device according to a fourth embodiment;
  • 7 a vertical cross-sectional view of an electronic device according to a fifth embodiment;
  • 8th a vertical cross-sectional view of a periphery of a stress relief portion according to a sixth embodiment;
  • 9 a vertical cross-sectional view of an electronic device according to a seventh embodiment;
  • 10 a vertical cross-sectional view of a periphery of a stress relief portion according to an eighth embodiment; and
  • 11 a vertical cross-sectional view of an electronic device according to a ninth embodiment

Mehrere Ausführungsformen werden gemäß den Zeichnungen beschrieben. In den mehreren Ausführungsformen sind funktional und/oder strukturell entsprechende Teile mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Nachfolgend wird eine Plattendickenrichtung einer Leiterplatte als eine Z-Richtung bezeichnet und eine Richtung orthogonal zur Z-Richtung wird als eine X-Richtung bezeichnet. Eine Richtung orthogonal zu sowohl der Z-Richtung als auch der X-Richtung wird als Y-Richtung bezeichnet. Wenn es nicht anderweitig angegeben ist, ist eine Form entlang einer XY-Ebene, die durch die X-Richtung und die Y-Richtung definiert ist, eine planare Form.Several embodiments will be described in accordance with the drawings. In the several embodiments, functionally and / or structurally corresponding parts are provided with the same reference numerals. Hereinafter, a plate thickness direction of a circuit board as a Z Direction and a direction orthogonal to Z Direction is called a X Direction. A direction orthogonal to both the Z Direction as well as the X Direction is called Y Direction. Unless otherwise indicated, a shape along an XY plane passing through the X Direction and the Y Direction is defined, a planar shape.

(Erste Ausführungsform)First Embodiment

Eine elektronische Vorrichtung 10, die in 1 und 2 dargestellt ist, beinhaltet eine elektronische Komponente 20, eine Leiterplatte 30, einen Gehäusekörper 40 und einen Dichtharzkörper 50. Die elektronische Vorrichtung 10 ist an einem Fahrzeug montiert und wird beispielsweise als eine fahrzeuginterne elektronische Steuervorrichtung verwendet.An electronic device 10 , in the 1 and 2 is shown, includes an electronic component 20 , a circuit board 30 , a housing body 40 and a sealing resin body 50 , The electronic device 10 is mounted on a vehicle and is used, for example, as an in-vehicle electronic control device.

Die elektronische Komponente 20 ist aus Halbleiterkomponenten wie einem IC-Chip ausgebildet und an der Leiterplatte 30 montiert. Die elektronische Komponente 20 beinhaltet einen Komponentenhauptkörper 22 einschließlich einer Halbleitervorrichtung 21 als ein Schaltungselement und Leiterrahmen 23, die von dem Komponentenhauptkörper 22 hervorstehen. Der Komponentenhauptkörper 22 ist in seiner Gesamtheit in einer rechtwinkligen Plattenform ausgebildet. Der Komponentenhauptkörper 22 beinhaltet die Halbleitervorrichtung 21 als das Schaltungselement und eine Gussverpackung (engl.: mold package), die die Halbleitervorrichtung 21 abdeckt. Eine Außenoberfläche des Komponentenhauptkörpers 22 beinhaltet eine erste Plattenoberfläche 22a, die eine eines Paars von Plattenoberflächen ist, eine zweite Plattenoberfläche 22b, die die andere Plattenoberfläche ist, und eine Hauptkörperseitenoberfläche 22c, die sich zwischen den Plattenoberflächen 22a und 22b erstreckt. Die Leiterrahmen 23 sind elektrisch mit der Halbleitervorrichtung 21 beispielsweise durch Bondingdrähte innerhalb des Komponentenhauptkörpers 22 verbunden. Die Leiterrahmen 23 stehen von der Hauptkörperseitenoberfläche 22c des Komponentenhauptkörpers 22 hervor und hervorstehende Abschnitte der Leiterrahmen 23 sind an der Leiterplatte 30 beispielsweise durch Lot fixiert. Die elektronische Komponente 20 kann ebenso als ein Montageelement bezeichnet werden.The electronic component 20 is formed of semiconductor components such as an IC chip and on the circuit board 30 assembled. The electronic component 20 includes a component main body 22 including a semiconductor device 21 as a circuit element and lead frame 23 derived from the component main body 22 protrude. The component main body 22 is formed in its entirety in a rectangular plate shape. The component main body 22 includes the semiconductor device 21 as the circuit element and a mold package containing the semiconductor device 21 covers. An outer surface of the component main body 22 includes a first plate surface 22a which is one of a pair of plate surfaces, a second plate surface 22b which is the other disk surface, and a main body side surface 22c extending between the plate surfaces 22a and 22b extends. The ladder frames 23 are electrically connected to the semiconductor device 21 for example, by bonding wires within the component main body 22 connected. The ladder frames 23 stand from the main body side surface 22c of the component main body 22 protruding and protruding sections of the ladder frames 23 are on the circuit board 30 for example, fixed by solder. The electronic component 20 may also be referred to as a mounting element.

Die Leiterplatte 30 ist eine Platte, die aus Metallmaterial gefertigt und in einer rechtwinkligen Plattenform ausgebildet ist. In der Leiterplatte 30 ist eine des Paars aus Plattenoberflächen eine Montageoberfläche 31 und die elektronische Komponente 20 ist an der Montageoberfläche 31 derart montiert, dass die zweite Plattenoberfläche 22b der Montageoberfläche 31 zugewandt ist.The circuit board 30 is a plate made of metal material and formed in a rectangular plate shape. In the circuit board 30 For example, one of the pair of plate surfaces is a mounting surface 31 and the electronic component 20 is on the mounting surface 31 mounted so that the second plate surface 22b the mounting surface 31 is facing.

Der Gehäusekörper 40 ist eine flache rechtwinklige Box, die aus Metallmaterial gefertigt ist, und ist ein Aufnahmekörper, der die elektronische Komponente 20 und die Leiterplatte 30 aufnimmt. Der Gehäusekörper 40 beinhaltet einen Gehäusebodenabschnitt 41, einen Gehäusewandabschnitt 42, der sich entlang eines peripheren Abschnitts des Gehäusebodenabschnitts 41 erstreckt, und einen rechtwinkligen Gehäuseöffnungsabschnitt 43, der an einer Position vorgesehen ist, die dem Gehäusebodenabschnitt 41 zugewandt ist. Der Gehäuseöffnungsabschnitt 43 ist durch den Gehäusewandabschnitt 42 umgeben. Die Leiterplatte 30 ist innerhalb des Gehäusekörpers 40 in einem Zustand installiert, in dem die Montageoberfläche 31 dem Gehäuseöffnungsabschnitt 43 zugewandt ist. Der Gehäusekörper 40 beinhaltet einen Gehäusetragabschnitt 44, der die Leiterplatte 30 trägt. Der Gehäusetragabschnitt 44 steht von dem Gehäusebodenabschnitt 41 hin zum Gehäuseöffnungsabschnitt 43 hervor und hält die Leiterplatte 30 an einer Position, die von dem Gehäusebodenabschnitt 41 separiert ist.The housing body 40 is a flat rectangular box made of metal material, and is a receiving body, which is the electronic component 20 and the circuit board 30 receives. The housing body 40 includes a housing bottom section 41 a housing wall section 42 , of the along a peripheral portion of the housing bottom portion 41 extends, and a rectangular housing opening portion 43 provided at a position corresponding to the housing bottom portion 41 is facing. The housing opening section 43 is through the housing wall section 42 surround. The circuit board 30 is inside the housing body 40 installed in a state where the mounting surface 31 the housing opening portion 43 is facing. The housing body 40 includes a housing support portion 44 that the circuit board 30 wearing. The housing support section 44 stands from the caseback section 41 towards the housing opening section 43 and holds the circuit board 30 at a position away from the housing bottom portion 41 is separated.

In der elektronischen Komponente 20, der Leiterplatte 30 und dem Gehäusekörper 40 ist die Dickenrichtung jeweils die Z-Richtung und eine eines Paars aus Seiten, die zueinander in einer Draufsicht benachbart sind, erstreckt sich in der X-Richtung und die andere erstreckt sich in der Y-Richtung.In the electronic component 20 , the circuit board 30 and the housing body 40 That is, the thickness direction is the Z direction and one of a pair of sides adjacent to each other in a plan view extends in FIG X Direction and the other extends in the Y -Direction.

Der Dichtharzkörper 50 ist aus einem Harzmaterial wie beispielsweise Epoxidharz, das Isoliereigenschaften aufweist, gefertigt. Der Dichtharzkörper 50 dichtet die elektronische Komponente 20 und die Leiterplatte 30 in dem Gehäusekörper 40 durch Verfestigen eines flüssigen, geschmolzenen Harzes, das in den Gehäusekörper 40 gefüllt wird, ab. Der Dichtharzkörper 50 ist ein Gießharzkörper, der durch Injizieren eines Gießharzes als ein geschmolzenes Harz von dem Gehäuseöffnungsabschnitt 43 des Gehäusekörpers 40 durch Gießen und dann Verhärten des Gießharzes ausgebildet wird.The sealing resin body 50 is made of a resin material such as epoxy resin having insulating properties. The sealing resin body 50 seals the electronic component 20 and the circuit board 30 in the housing body 40 by solidifying a liquid, molten resin into the housing body 40 is filled, from. The sealing resin body 50 is a cast resin body obtained by injecting a molding resin as a molten resin from the housing opening portion 43 of the housing body 40 is formed by casting and then hardening of the casting resin.

Der Dichtharzkörper 50 dringt ebenso in einen Raumabschnitt zwischen dem Komponentenhauptkörper 22 der elektronischen Komponente 20 und der Leiterplatte 30 ein und deckt den gesamten Komponentenhauptkörper 22 ab. Der Dichtharzkörper 50 hat eine Dichtoberfläche 51, die nach außen hin von dem Gehäuseöffnungsabschnitt 43 des Gehäusekörpers 40 freigelegt ist. Die Dichtoberfläche 51 ist der ersten Plattenoberfläche 22a der elektronischen Komponente 20 zugewandt und ist an einer Position weg von der elektronischen Komponente 20 hin zu einer Seite, die der Leiterplatte 30 gegenüberliegt, vorgesehen. Die Dichtoberfläche 51 ist in einer Außenoberfläche des Dichtharzkörpers 50 beinhaltet und der verbleibende Abschnitt der Außenoberfläche ist in dem Gehäusekörper 40 aufgenommen.The sealing resin body 50 also penetrates into a space portion between the component main body 22 the electronic component 20 and the circuit board 30 and covers the entire component main body 22 from. The sealing resin body 50 has a sealing surface 51 extending outwardly from the housing opening section 43 of the housing body 40 is exposed. The sealing surface 51 is the first plate surface 22a the electronic component 20 facing and is at a position away from the electronic component 20 towards a side, the circuit board 30 opposite. The sealing surface 51 is in an outer surface of the sealing resin body 50 includes and the remaining portion of the outer surface is in the housing body 40 added.

In der elektronischen Vorrichtung 10, wenn der Dichtharzkörper 50 deformiert wird, wird eine Belastung, die durch die Deformation des Dichtharzkörpers 50 verursacht wird, auf die elektronischen Komponente 20 ausgeübt und es kann beispielsweise die Halbleitervorrichtung 21 der elektronischen Komponente 20 beschädigt werden. In der elektronischen Vorrichtung 10 haben der Dichtharzkörper 50 und die elektronische Komponente 20 unterschiedliche lineare Ausdehnungskoeffizienten. Somit, wenn der Dichtharzkörper 50 durch Ändern einer Temperatur des Dichtharzkörpers 50 aufgrund einer Änderung der Umgebungstemperatur deformiert wird, wird eine thermische Belastung auf die elektronischen Komponente 20 aufgrund einer Differenz des linearen Ausdehnungskoeffizienten zwischen dem Harzkörper 50 und der elektronischen Komponente 20 ausgeübt. Die Deformation des Dichtharzkörpers 50, die durch die Temperaturänderung verursacht wird, beinhaltet eine Deformation, wenn sich das geschmolzene Harz, das den Dichtharzkörper 50 ausbildet, zur Zeit der Herstellung der elektronischen Vorrichtung 10 abkühlt und verfestigt.In the electronic device 10 when the sealing resin body 50 is deformed, a load caused by the deformation of the sealing resin body 50 is caused on the electronic component 20 exerted and it may, for example, the semiconductor device 21 the electronic component 20 to be damaged. In the electronic device 10 have the sealing resin body 50 and the electronic component 20 different linear expansion coefficients. Thus, when the sealing resin body 50 by changing a temperature of the sealing resin body 50 due to a change in ambient temperature is deformed, a thermal load on the electronic component 20 due to a difference in the linear expansion coefficient between the resin body 50 and the electronic component 20 exercised. The deformation of the sealing resin body 50 caused by the temperature change involves deformation when the molten resin forming the sealing resin body 50 forms at the time of manufacture of the electronic device 10 cools and solidifies.

Die elektronische Vorrichtung 10 beinhaltet einen Wärmeübertragungsabschnitt 60, an den Wärme, die von der elektronischen Komponente 20 erzeugt wird, wahrscheinlich übertragen wird, und einen Belastungsentspannungsabschnitt 70 zum Entspannen einer Belastung, die von dem Wärmeübertragungsabschnitt 60 auf die elektronische Komponente 20 ausgeübt wird.The electronic device 10 includes a heat transfer section 60 , to the heat coming from the electronic component 20 is generated, is likely to be transmitted, and a load relaxation section 70 for releasing a load from the heat transfer section 60 on the electronic component 20 is exercised.

Der Wärmeübertragungsabschnitt 60 ist aus wärmeleitendem Material wie einem Harzmaterial mit Wärmeleitfähigkeit gefertigt und der Wärmeübertragungsabschnitt 60 hat eine höhere Wärmeleitfähigkeit als der Dichtharzkörper 50. Der Wärmeübertragungsabschnitt 60 ist aus einem flexiblen Element mit einer Flexibilität in Form eines Gels, eines Liquids oder einer Creme ausgebildet und die Flexibilität des Wärmeübertragungsabschnitts 60 ist höher als eine Flexibilität des Dichtharzkörpers 50. Der Wärmeübertragungsabschnitt 60 ist ein Element mit einer niedrigen Komprimierbarkeit. Somit, wenn eine externe Kraft auf den Wärmeübertragungsabschnitt 60 ausgeübt wird, ist es wahrscheinlich, dass der Wärmeübertragungsabschnitt 60 deformiert wird, während ein Volumen des Wärmeübertragungsabschnitts 60 weniger wahrscheinlich reduziert wird. Ferner ist der Wärmeübertragungsabschnitt 60 ein Element mit Haftfähigkeit und Klebkraft.The heat transfer section 60 is made of thermally conductive material such as a resin material with thermal conductivity and the heat transfer section 60 has a higher thermal conductivity than the sealing resin body 50 , The heat transfer section 60 is formed of a flexible member having a flexibility in the form of a gel, a liquid or a cream, and the flexibility of the heat transfer portion 60 is higher than a flexibility of the sealing resin body 50 , The heat transfer section 60 is an element with a low compressibility. Thus, when an external force on the heat transfer section 60 is exercised, it is likely that the heat transfer section 60 is deformed while a volume of the heat transfer section 60 less likely to be reduced. Further, the heat transfer section 60 an element with adhesiveness and adhesion.

Der Belastungsentspannungsabschnitt 70 ist ein Element mit Komprimierbarkeit und Flexibilität. Der Belastungsentspannungsabschnitt 70 hat eine höhere Komprimierbarkeit als der Wärmeübertragungsabschnitt 60 und wird wahrscheinlicher als der Wärmeübertragungsabschnitt 60 komprimiert. Der Belastungsentspannungsabschnitt 70 beinhaltet einen Container 71, der durch Anwenden einer externen Kraft deformierbar ist, und einen Gaskörper 65, der in dem Container abgedichtet ist. Der Container 71 ist aus einem flexiblen Element mit Flexibilität ausgebildet und aus einem synthetischen Harzmaterial oder einem Gummimaterial gefertigt. Der Gaskörper 75 ist beispielsweise Luft oder Gas. In dem Belastungsentspannungsabschnitt 70 stellt der Container 71 Flexibilität sicher und der Gaskörper 75 stellt Komprimierbarkeit und Flexibilität sicher.The stress release section 70 is an element with compressibility and flexibility. The stress release section 70 has a higher compressibility than the heat transfer section 60 and becomes more likely than the heat transfer section 60 compressed. The stress release section 70 includes a container 71 which is deformable by applying an external force, and a gas body 65 which is sealed in the container. The container 71 is formed of a flexible member with flexibility and made of a synthetic resin material or a rubber material. The gas body 75 is for example air or gas. In the load release section 70 represents the container 71 Flexibility safe and the gas body 75 Ensures compressibility and flexibility.

Der Container 71 ist aus einem ringförmigen Element, das sich in einer Ringform erstreckt, wie beispielsweise ein kreisförmiger Ring, ausgebildet und hat eine Form, in der beide Enden eines Rohrelements, wie beispielsweise ein Rohr, miteinander verbunden sind, um eine Ringform auszubilden. Der Container 71 hat einen ringförmigen hohlen Abschnitt 72 und der Gaskörper 75 ist in dem hohlen Abschnitt 72 abgedichtet. Vertikale Querschnitte des Containers 71 und des hohlen Abschnitts 72 in einer Richtung, die sich durch die Mittellinie CL erstreckt, sind rechtwinklig wie beispielsweise ein Quadrat. Die Mittellinie CL passiert die Mitten der elektronischen Komponente 20, der Halbleitervorrichtung 21, des Komponentenhauptkörpers 22 und des Wärmeübertragungsabschnitts 60.The container 71 is formed of an annular member that extends in a ring shape, such as a circular ring, and has a shape in which both ends of a pipe member, such as a pipe, are connected to each other to form a ring shape. The container 71 has an annular hollow section 72 and the gas body 75 is in the hollow section 72 sealed. Vertical cross sections of the container 71 and the hollow section 72 in a direction extending through the midline CL extends are rectangular, such as a square. The midline CL happens the centers of the electronic component 20 , the semiconductor device 21 , the component main body 22 and the heat transfer section 60 ,

Wie in 2 und 3 dargestellt ist, beinhaltet der Container 71 einen inneren peripheren Abschnitt 71a, der eine innere periphere Endoberfläche des Containers 71 ausbildet, einen äußeren peripheren Abschnitt 71b, der eine äußere periphere Endoberfläche ausbildet, und ein Paar von Verbindungsabschnitten 71c und 7d, die den inneren peripheren Abschnitt 71a und den äußeren peripheren Abschnitt 71b verbinden. Da der innere periphere Abschnitt 71a und der äußere periphere Abschnitt 71b sich parallel zur Mittellinie CL erstrecken und sich die Verbindungsabschnitte 71c und 71d in einer Richtung orthogonal zur Mittellinie CL erstrecken, ist ein Querschnitt des Containers 71 rechtwinklig.As in 2 and 3 is shown, the container includes 71 an inner peripheral portion 71a , which has an inner peripheral end surface of the container 71 forms, an outer peripheral portion 71b which forms an outer peripheral end surface, and a pair of connecting portions 71c and 7d covering the inner peripheral section 71a and the outer peripheral portion 71b connect. Because the inner peripheral section 71a and the outer peripheral portion 71b parallel to the midline CL extend and the connecting sections 71c and 71d in a direction orthogonal to the midline CL extend is a cross-section of the container 71 at right angles.

Der Wärmeübertragungsabschnitt 60 und der Belastungsentspannungsabschnitt 70 sind zusammen mit der elektronischen Komponente 20 mit dem Dichtharzkörper 50 in einem Zustand abgedichtet, in dem sie auf der ersten Plattenoberfläche 22a der elektronischen Komponente 20 in der elektronischen Vorrichtung 10 vorgesehen sind. In diesem Fall ist der Wärmeübertragungsabschnitt 60 jeweils in Kontakt mit der elektronischen Komponente 20, dem Dichtharzkörper 50 und dem Belastungsentspannungsabschnitt 70 und der Belastungsentspannungsabschnitt 70 ist jeweils in Kontakt mit der elektronischen Komponente 20, dem Dichtharzkörper 50 und dem Wärmeübertragungsabschnitt 60.The heat transfer section 60 and the stress release section 70 are together with the electronic component 20 with the sealing resin body 50 sealed in a state in which they are on the first plate surface 22a the electronic component 20 in the electronic device 10 are provided. In this case, the heat transfer section 60 each in contact with the electronic component 20 , the sealing resin body 50 and the stress release portion 70 and the stress release section 70 is in each case in contact with the electronic component 20 , the sealing resin body 50 and the heat transfer section 60 ,

Der Belastungsentspannungsabschnitt 70 ist an der ersten Plattenoberfläche 22a der elektronischen Komponente 20 beispielsweise durch einen Klebstoff in einem Zustand fixiert, in dem sich die Mittellinie CL in der Z-Richtung erstreckt, und erstreckt sich entlang des peripheren Abschnitts der ersten Plattenoberfläche 22a. In dem Belastungsentspannungsabschnitt 70 ist der erste Verbindungsabschnitt 71c des Paars von Verbindungsabschnitten 71c und 71d der Dichtoberfläche 51 zugewandt, und der zweite Verbindungsabschnitt 71d ist an der ersten Plattenoberfläche 22a beispielsweise durch einen Klebstoff fixiert. Der innere periphere Abschnitt 21a des Containers 71 befindet sich außerhalb der Halbleitervorrichtung 21 in einer Richtung orthogonal zur Mittellinie CL.The stress release section 70 is at the first disk surface 22a the electronic component 20 fixed for example by an adhesive in a state in which the center line CL in the Z Direction extends, and extends along the peripheral portion of the first plate surface 22a , In the load release section 70 is the first connection section 71c the pair of connection sections 71c and 71d the sealing surface 51 facing, and the second connecting portion 71d is at the first disk surface 22a for example, fixed by an adhesive. The inner peripheral section 21a of the container 71 is outside the semiconductor device 21 in a direction orthogonal to the midline CL ,

Der Wärmeübertragungsabschnitt 60 ist auf der in der Z-Richtung gegenüberliegenden Seite der Leiterplatte 30 über die bzw. entlang der elektronischen Komponente 20 vorgesehen. Insbesondere ist der Wärmeübertragungsabschnitt 60 in einer Region, die durch den inneren peripheren Abschnitt 71a des Belastungsentspannungsabschnitts70 umgeben ist, und in der Z-Richtung zwischen der elektronischen Komponente 20 und dem Dichtharzkörper 50 vorgesehen. In dieser Region ist der Wärmeübertragungsabschnitt 60 in nahem Kontakt mit sowohl der ersten Plattenoberfläche 22a der elektronischen Komponente 20 als auch dem inneren peripheren Abschnitt 71a des Belastungsentspannungsabschnitts 70. Der Belastungsentspannungsabschnitt 70 umgibt eine Peripherie des Wärmeübertragungsabschnitts 60 und ist auf der ersten Plattenoberfläche 22a Seite an Seite mit dem Wärmeübertragungsabschnitt 60 in der Richtung orthogonal zur Z-Richtung vorgesehen. Die erste Plattenoberfläche 22a ist die äußerste Oberfläche der Außenoberfläche der elektronischen Komponente 20, die eine Oberfläche am nächsten zur Außenoberfläche des Dichtharzkörpers 50 ist. Eine Separationsdistanz zwischen der ersten Plattenoberfläche 22a und der Dichtoberfläche 51 in der Z-Richtung ist kleiner als sowohl eine Separationsdistanz zwischen der zweiten Plattenoberfläche 22b und dem Gehäusebodenabschnitt 41 des Gehäusekörpers 40 in der Z-Richtung als auch eine Separationsdistanz zwischen der Hauptkörperseitenoberfläche 22c und dem Gehäusewandabschnitt 42 des Gehäusekörpers 40 in der Richtung orthogonal zur Z-Richtung.The heat transfer section 60 is on the in the Z Direction opposite side of the circuit board 30 over or along the electronic component 20 intended. In particular, the heat transfer section 60 in a region passing through the inner peripheral section 71a the load release section 70 is surrounded, and in the Z Direction between the electronic component 20 and the sealing resin body 50 intended. In this region is the heat transfer section 60 in close contact with both the first disk surface 22a the electronic component 20 as well as the inner peripheral portion 71a the load release section 70 , The stress release section 70 surrounds a periphery of the heat transfer section 60 and is on the first disk surface 22a Side by side with the heat transfer section 60 provided in the direction orthogonal to the Z direction. The first plate surface 22a is the outermost surface of the outer surface of the electronic component 20 having a surface closest to the outer surface of the sealing resin body 50 is. A separation distance between the first plate surface 22a and the sealing surface 51 in the Z Direction is less than both a separation distance between the second plate surface 22b and the housing bottom portion 41 of the housing body 40 in the Z direction as well as a separation distance between the main body side surface 22c and the housing wall portion 42 of the housing body 40 in the direction orthogonal to Z -Direction.

Die Ableitung von Wärme in der elektronischen Vorrichtung 10 wird beschrieben. Wenn Wärme H, die in 2 dargestellt ist, von der elektronischen Komponente 20 erzeugt wird, wird die Wärme H wahrscheinlicher an den Wärmeübertragungsabschnitt 60 als an den Dichtharzkörper 50 übertragen. Die Wärme H, die zum Wärmeübertragungsabschnitt 60 übertragen wird, passiert einen Abschnitt zwischen dem Wärmeübertragungsabschnitt 60 und der Dichtoberfläche 51 in dem Dichtharzkörper 50 und wird nach außen von der Dichtoberfläche 51 entlassen. In diesem Fall, da eine Dicke eines Abschnitts des Dichtharzkörpers 50 zwischen der elektronischen Komponente 20 und der Dichtoberfläche 51 durch eine Dicke des Wärmeübertragungsabschnitts 60 reduziert ist, wird die Wärme H wahrscheinlich von der Dichtoberfläche 51 des Dichtharzkörpers 50 abgeleitet.The dissipation of heat in the electronic device 10 is described. When heat H , in the 2 is shown by the electronic component 20 is generated, the heat H more likely to the heat transfer section 60 as to the sealing resin body 50 transfer. The heat H leading to the heat transfer section 60 is transmitted passes a portion between the heat transfer section 60 and the sealing surface 51 in the sealing resin body 50 and gets outward from the sealing surface 51 dismiss. In this case, as a thickness of a portion of the sealing resin body 50 between the electronic component 20 and the sealing surface 51 by a thickness of the heat transfer section 60 is reduced, the heat is H probably from the sealing surface 51 of the sealing resin body 50 derived.

Als Nächstes wird die Belastungsentspannung in der elektronischen Vorrichtung 10 beschrieben. Wird der Dichtharzkörper 50 deformiert, wird der Wärmeübertragungsabschnitt 60 ebenso gemäß einem Deformationsmodus des Dichtharzkörpers 50 deformiert. Insbesondere, wie durch eine zweipunktierte Kettenlinie in 3 angegeben ist, wenn der Dichtharzkörper 50 in eine Form deformiert wird, die den Wärmeübertragungsabschnitt 60 quetscht, wird die Deformation von dem Dichtharzkörper 50 zu dem Wärmeübertragungsabschnitt 60 übertragen. Obwohl die Deformation auf die elektronischen Komponente 20 und den Belastungsentspannungsabschnitt 70 verteilt wird, da die Festigkeit des Belastungsentspannungsabschnitts 70 bemerkenswert niedriger als die Festigkeit der elektronischen Komponente 20 ist, wird die meiste Deformation auf den Belastungsentspannungsabschnitt 70 übertragen und wird nicht auf die elektronische Komponente 20 übertragen. Somit wird die Belastung auf die elektronische Komponente 20 reduziert.Next, the stress relaxation in the electronic device 10 described. Will the sealing resin body 50 deformed, the heat transfer section 60 also according to a deformation mode of the sealing resin body 50 deformed. In particular, as indicated by a two-dot chain line in 3 is specified when the sealing resin body 50 is deformed into a shape that the heat transfer section 60 squeezes, the deformation of the sealing resin body 50 to the heat transfer section 60 transfer. Although the deformation on the electronic component 20 and the stress release section 70 is distributed because the strength of the stress relief section 70 remarkably lower than the strength of the electronic component 20 The most deformation will be on the stress relaxation section 70 transferred and will not affect the electronic component 20 transfer. Thus, the burden on the electronic component 20 reduced.

Wird der Dichtharzkörper 50 in so eine Form deformiert, dass er den Wärmeübertragungsabschnitt 60 quetscht, wird eine thermische Belastung auf den Belastungsentspannungsabschnitt 70 gemäß der Deformation des Wärmeübertragungsabschnitts 60 ausgeübt und der Gaskörper 75 des Belastungsentspannungsabschnitts 70 wird durch die thermische Belastung komprimiert. In diesem Fall, da die thermische Belastung, die von dem Dichtharzkörper 50 auf den Wärmeübertragungsabschnitt 60 ausgeübt wird, verwendet wird, um den Gaskörper 75 des Belastungsentspannungsabschnitts 70 zu komprimieren, wird die thermische Belastung, die dem Wärmeübertragungsabschnitt 60 auf die elektronische Komponente 20 auszuüben ist, reduziert. In dem Belastungsentspannungsabschnitt 70, da ein Volumen des Gaskörpers 75 durch Komprimieren des Gaskörpers 75 reduziert wird, wird ein Volumen des Belastungsentspannungsabschnitts 70 reduziert.Will the sealing resin body 50 deformed into such a shape that it is the heat transfer section 60 squeezes, a thermal load on the load relaxation section 70 according to the deformation of the heat transfer section 60 exercised and the gas body 75 the load release section 70 is compressed by the thermal load. In this case, because the thermal load coming from the sealing resin body 50 on the heat transfer section 60 is exercised, used to the gas body 75 the load release section 70 To compress, the thermal load, which is the heat transfer section 60 on the electronic component 20 exercise is reduced. In the load release section 70 because a volume of the gas body 75 by compressing the gas body 75 is reduced becomes a volume of the load relaxation section 70 reduced.

Ein Verfahren zum Herstellen der elektronischen Vorrichtung 10 wird beschrieben. Eine Verarbeitung zum Herstellen der elektronischen Vorrichtung 10 beinhaltet eine erste Verarbeitung zum Installieren der Leiterplatte 30 auf dem Gehäusekörper 40, eine zweite Verarbeitung zum Montieren der elektronischen Komponente 20 auf der Leiterplatte 30 und eine dritte Verarbeitung zum Installieren des Wärmeübertragungsabschnitts 60 und des Belastungsentspannungsabschnitts 70 auf der elektronischen Komponente. Die erste bis dritte Verarbeitung können in beliebiger Reihenfolge ausgeführt werden.A method of manufacturing the electronic device 10 is described. A processing for manufacturing the electronic device 10 includes a first processing for installing the circuit board 30 on the housing body 40 , a second processing for mounting the electronic component 20 on the circuit board 30 and a third processing for installing the heat transfer section 60 and the stress relief portion 70 on the electronic component. The first to third processing can be performed in any order.

In der dritten Verarbeitung wird eine Verarbeitung zum Anbringen des Belastungsentspannungsabschnitts 70 an der ersten Plattenoberfläche 22a der elektronischen Komponente 20 ausgeführt und dann wird eine Verarbeitung zum Installieren des Wärmeübertragungsabschnitts 60 innerhalb des Belastungsentspannungsabschnitts 70 ausgeführt. In diesem Fall kann die Form des Wärmeübertragungsabschnitts 60 durch den Belastungsentspannungsabschnitt 70 und die elektronische Komponente 20 aufrechterhalten werden, sogar wenn der Wärmeübertragungsabschnitt 60 flexibel genug ist, um nicht seine eigene Form zu behalten.In the third processing, processing for attaching the stress relief portion becomes 70 at the first plate surface 22a the electronic component 20 and then processing for installing the heat transfer section 60 within the stress relief section 70 executed. In this case, the shape of the heat transfer section 60 through the stress relief section 70 and the electronic component 20 be maintained even if the heat transfer section 60 flexible enough not to keep its own shape.

Nach Vervollständigen der ersten bis dritten Verarbeitung wird eine vierte Verarbeitung zum Bereitstellen des Dichtharzkörpers 50 innerhalb des Gehäusekörpers 40 ausgeführt. In der vierten Verarbeitung wird das geschmolzene Harz in den Gehäusekörper 40 durch den Gehäuseöffnungsabschnitt 43 durch Gießen injiziert und das geschmolzene Harz wird gehärtet, um den Dichtharzkörper 50 auszubilden, wodurch die elektronische Komponente 20 und dergleichen abgedichtet werden.After completing the first to third processing, a fourth processing for providing the sealing resin body 50 inside the case body 40 executed. In the fourth processing, the molten resin becomes the case body 40 through the housing opening portion 43 injected by casting and the molten resin is cured to the sealing resin body 50 form, reducing the electronic component 20 and the like are sealed.

Gemäß der vorstehend beschriebenen Ausführungsform ist der Wärmeübertragungsabschnitt 60 in Kontakt mit der elektronischen Komponente 20 in der elektronischen Vorrichtung 10. In der vorstehenden Konfiguration, da die Wärme, die von der elektronischen Komponente 20 erzeugt wird, zum Wärmeübertragungsabschnitt 60 übertragen wird, ist es weniger wahrscheinlich, dass die Wärme in der elektronischen Komponente 20 bleibt. Demzufolge kann der Wärmeübertragungsabschnitt 60 verhindern bzw. beschränken, dass die Temperatur der elektronischen Komponente 20 zu hoch wird.According to the embodiment described above, the heat transfer section 60 in contact with the electronic component 20 in the electronic device 10 , In the above configuration, because the heat coming from the electronic component 20 is generated to the heat transfer section 60 is transmitted, it is less likely that the heat in the electronic component 20 remains. As a result, the heat transfer section 60 prevent or limit the temperature of the electronic component 20 gets too high.

Ferner ist der Belastungsentspannungsabschnitt 70 in Kontakt mit dem Wärmeübertragungsabschnitt 60. In dieser Konfiguration, falls das Volumen des Wärmeübertragungsabschnitts 60 nicht reduziert ist, sondern nur das Volumen des Belastungsentspannungsabschnitts 70 reduziert ist, wird die thermische Belastung, die von dem Wärmeübertragungsabschnitt 60 auf die elektronische Komponente 20 ausgeübt wird, reduziert. Somit besteht kein Bedarf, den Wärmeübertragungsabschnitt 60 mit einer Funktion einfacher Komprimierbarkeit zu versehen. Wie vorstehend beschrieben ist, da der Freiheitsgrad beim Auswählen eines Materials, das zum Herstellen des Wärmeübertragungsabschnitts 60 verwendet wird, erhöht werden kann, kann die thermische Leitfähigkeit des Wärmeübertragungsabschnitts 60 erhöht werden. Demzufolge kann der Wärmeübertragungsabschnitt 60 ferner verlässlich beschränken, dass die Temperatur der elektronischen Komponente 20 zu hoch wird.Further, the stress release portion 70 in contact with the heat transfer section 60 , In this configuration, if the volume of the heat transfer section 60 is not reduced, but only the volume of the stress relief section 70 is reduced, the thermal load from the heat transfer section 60 on the electronic component 20 exercised, reduced. Thus, there is no need for the heat transfer section 60 with a function of easy compressibility. As described above, since the degree of freedom in selecting a material for producing the heat transfer portion 60 can be increased, the thermal conductivity of the heat transfer section 60 increase. As a result, the heat transfer section 60 Furthermore, reliably limit the temperature of the electronic component 20 gets too high.

Wie vorstehend beschrieben ist, kann in der elektronischen Vorrichtung 10, während beschränkt wird, dass die Temperatur der elektronischen Komponente 20 übermäßig hoch wird, die Belastung, die auf die elektronische Komponente 20 aufgrund der Deformation des Dichtharzkörpers 50 wirkt, reduziert werden.As described above, in the electronic device 10 while limiting the temperature of the electronic component 20 becomes excessively high, the burden on the electronic component 20 due to the deformation of the sealing resin body 50 works, can be reduced.

Gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist der Belastungsentspannungsabschnitt 70 in Kontakt mit der elektronischen Komponente 20 zusätzlich zum Wärmeübertragungsabschnitt 60. In der vorstehenden Konfiguration kann eine positionelle Abweichung des Wärmeübertragungsabschnitts 60 von der elektronischen Komponente 20 durch den Belastungsentspannungsabschnitt 70 reguliert werden. In diesem Fall, da die Separation des Wärmeübertragungsabschnitts 60 von der elektronischen Komponente 20 reguliert wird, kann die Konfiguration, in der der übermäßige Temperaturanstieg der elektronischen Komponente 20 durch den Wärmeübertragungsabschnitt 60 reduziert wird, verlässlicher beibehalten werden.According to the present embodiment, the stress release portion is 70 in contact with the electronic component 20 in addition to the heat transfer section 60 , In the above configuration, a positional deviation of the heat transfer section 60 from the electronic component 20 through the stress relief section 70 be regulated. In this case, because the separation of the heat transfer section 60 from the electronic component 20 can be regulated, the configuration in which the excessive temperature rise of the electronic component 20 through the heat transfer section 60 is reduced, can be maintained more reliably.

Gemäß der vorliegenden Ausführungsform umgibt der Belastungsentspannungsabschnitt 70 die Peripherie des Wärmeübertragungsabschnitts 60 auf der ersten Plattenoberfläche 22a der elektronischen Komponente. In der vorstehenden Konfiguration, da die Position und Form des Belastungsentspannungsabschnitts 70 durch den Wärmeübertragungsabschnitt 60 gehalten werden können, sogar wenn der Wärmeübertragungsabschnitt 60 aus einem Element mit hoher Flexibilität in einem Ausmaß ausgebildet, das es unmöglich macht, seine eigene Form aufgrund seines Eigengewichts zu halten, kann der Wärmeübertragungsabschnitt 60 auf eine Position und Form mit der höchsten Wärmeableitungseffizienz von der elektronischen Komponente 20 festgelegt werden. Demzufolge kann die Wärmeabstrahlleistung durch die Wärmeübertragungsabschnitt 60 verbessert werden.According to the present embodiment, the stress relief portion surrounds 70 the periphery of the heat transfer section 60 on the first plate surface 22a the electronic component. In the above configuration, because the position and shape of the stress relief portion 70 through the heat transfer section 60 can be held, even if the heat transfer section 60 formed of an element with high flexibility to an extent that makes it impossible to keep its own shape due to its own weight, the heat transfer section 60 to a position and shape with the highest heat dissipation efficiency of the electronic component 20 be determined. As a result, the heat radiation performance by the heat transfer section 60 be improved.

Gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist der Wärmeübertragungsabschnitt 60 in Kontakt mit der ersten Plattenoberfläche 22a der Außenoberfläche der elektronischen Komponente 20, die am nächsten zur Außenoberfläche des Dichtharzkörpers 50 ist. In der vorstehenden Konfiguration, wenn die Wärme, die von der elektronischen Komponente 20 zum Wärmeübertragungsabschnitt 60 übertragen wird, nach außen abgeleitet wird, ist es für die Wärme des Wärmeübertragungsabschnitts 60 wahrscheinlich, dass sie nach außen abgeleitet wird, sogar wenn der Wärmeübertragungsabschnitt 60 durch den Dichtharzkörper 50 abgedichtet ist, da die Wärme den dünnsten Abschnitt des Dichtharzkörpers 50 passiert. Somit kann beschränkt werden, dass die Wärme in dem Wärmeübertragungsabschnitt 60 bleibt.According to the present embodiment, the heat transfer section 60 in contact with the first disk surface 22a the outer surface of the electronic component 20 closest to the outer surface of the sealing resin body 50 is. In the above configuration, when the heat coming from the electronic component 20 to the heat transfer section 60 is transferred to the outside, it is for the heat of the heat transfer section 60 likely that it will be discharged to the outside, even if the heat transfer section 60 through the sealing resin body 50 is sealed, since the heat is the thinnest portion of the sealing resin body 50 happens. Thus, it can be restricted that the heat in the heat transfer section 60 remains.

Zusätzlich, da der Abschnitt der Außenoberfläche des Dichtharzkörpers 50, die am nächsten zur elektronischen Komponente 20 ist, die Dichtoberfläche 51 ist, wird die Wärme, die vom Wärmeübertragungsabschnitt 60 an die Dichtoberfläche 51 übertragen wird, direkt nach außen abgeleitet, ohne den Gehäusekörper 40 zu passieren. Demzufolge kann beschränkt werden, dass der Gehäusekörper 40 die Ableitung der Wärme von dem Wärmeübertragungsabschnitt 60 und dem Dichtharzkörper 50 behindert.In addition, since the portion of the outer surface of the sealing resin body 50 closest to the electronic component 20 is, the sealing surface 51 is, the heat is transferred from the heat transfer section 60 to the sealing surface 51 is transmitted directly to the outside, without the housing body 40 to happen. As a result, it can be restricted that the case body 40 the dissipation of heat from the heat transfer section 60 and the sealing resin body 50 with special needs.

Gemäß der vorliegenden Ausführungsform sind der Wärmeübertragungsabschnitt 60 und der Belastungsentspannungsabschnitt 70 Seite an Seite auf der ersten Plattenoberfläche 22a vorgesehen. In der vorstehenden Konfiguration muss die Wärme, die von dem Wärmeübertragungsabschnitt 60 nach außen abgeleitet wird, nicht den Belastungsentspannungsabschnitt 70 in dem Dichtharzkörper 50 passieren. Somit kann verhindert werden, dass der Belastungsentspannungsabschnitt 70 die Ableitung der Wärme von dem Wärmeübertragungsabschnitt 60 zur Außenseite behindert.According to the present embodiment, the heat transfer section 60 and the stress release section 70 Side by side on the first plate surface 22a intended. In the above configuration, the heat required by the heat transfer section 60 is discharged to the outside, not the load release section 70 in the sealing resin body 50 happen. Thus, it can be prevented that the load release section 70 the dissipation of heat from the heat transfer section 60 obstructed to the outside.

Gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist der Belastungsentspannungsabschnitt 70 in Kontakt mit der elektronischen Komponente 20 zusätzlich zum Wärmeübertragungsabschnitt 60. In der vorstehenden Konfiguration, da der Belastungsentspannungsabschnitt 70 direkt gemäß der Deformation des Dichtharzkörpers 50 deformiert wird, kann die thermische Belastung, die von dem Belastungsentspannungsabschnitt 70 auf die elektronische Komponente 20 ausgeübt wird, reduziert werden.According to the present embodiment, the stress release portion is 70 in contact with the electronic component 20 in addition to the heat transfer section 60 , In the above configuration, since the stress release portion 70 directly according to the deformation of the sealing resin body 50 is deformed, the thermal stress, the load from the stress relief section 70 on the electronic component 20 is exercised.

In diesem Fall, da die thermische Belastung, die durch die Deformation des Dichtharzkörpers 50 erzeugt wird, in dem Wärmeübertragungsabschnitt 60 und dem Belastungsentspannungsabschnitt 70 verteilt wird, kann die thermische Belastung, die von dem Dichtharzkörper 50 auf den Wärmeübertragungsabschnitt 60 ausgeübt wird, reduziert werden. Hierbei wird, sogar in der Konfiguration, in der die thermische Belastung, die von dem Wärmeübertragungsabschnitt 60 auf die elektronische Komponente 20 ausgeübt wird, reduziert werden kann, indem das Volumen des Belastungsentspannungsabschnitt 70 reduziert wird, angenommen, dass ein bestimmter Grad von thermischer Belastung von dem Wärmeübertragungsabschnitt 60 auf die elektronische Komponente 20 ausgeübt wird. Somit ist eine Reduzierung der thermischen Belastung, die von dem Dichtharzkörper 50 auf den Wärmeübertragungsabschnitt 60 ausgeübt wird, in der vorstehend beschriebenen Konfiguration, in der die thermische Belastung, die von dem Wärmeübertragungsabschnitt 60 auf die elektronische Komponente 20 ausgeübt wird, durch Reduzieren des Volumens des Belastungsentspannungsabschnitt 70 reduziert werden kann, wirksam.In this case, because the thermal load caused by the deformation of the sealing resin body 50 is generated in the heat transfer section 60 and the stress release portion 70 is distributed, the thermal stress, by the sealing resin body 50 on the heat transfer section 60 is exercised. Here, even in the configuration where the thermal load is that of the heat transfer section 60 on the electronic component 20 is exercised, can be reduced by the volume of the stress relaxation section 70 is reduced, assuming that a certain degree of thermal stress from the heat transfer section 60 on the electronic component 20 is exercised. Thus, a reduction in the thermal load of the sealing resin body 50 on the heat transfer section 60 is applied, in the above-described configuration, in which the thermal stress exerted by the heat transfer section 60 on the electronic component 20 is exercised by reducing the volume of the stress relief section 70 can be reduced, effective.

Gemäß der vorliegenden Ausführungsform, da der Belastungsentspannungsabschnitt 70 den Gaskörper 75 hat, kann eine Konfiguration, in der der Belastungsentspannungsabschnitt 70 durch die thermische Belastung von dem Wärmeübertragungsabschnitt 60 komprimiert wird, durch die Kompression des Gaskörpers 75 verwirklicht werden. Ferner, da der Gaskörper 75 in dem Container 71 in dem Belastungsentspannungsabschnitt abgedichtet ist, kann der Container 71 eine Funktion zum Verhindern ausführen, dass der Gaskörper 75 vom Dichtharzkörper 50 leckt, wenn die elektronische Vorrichtung 10 hergestellt wird. In diesem Fall, da die Positionsbeziehung und die Form der elektronischen Komponente 20 und des Wärmeübertragungsabschnitts 60 weniger wahrscheinlich beschränkt sind, kann der Freiheitsgrad beim Entwerfen bezüglich der elektronischen Komponente 20 und des Wärmeübertragungsabschnitts 60 verbessert werden.According to the present embodiment, since the stress release portion 70 the gas body 75 has a configuration in which the stress relief section 70 by the thermal load from the heat transfer section 60 is compressed by the compression of the gas body 75 be realized. Further, since the gas body 75 in the container 71 is sealed in the load release section, the container 71 perform a function to prevent the gas body 75 from the sealing resin body 50 licks when the electronic device 10 will be produced. In this case, because the positional relationship and the shape of the electronic component 20 and the heat transfer section 60 are less likely to be limited, the degree of freedom in designing with respect to the electronic component 20 and the heat transfer section 60 be improved.

Gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist der Dichtharzkörper 50 ein Gießharzkörper, in dem die elektronische Komponente 20 in einem gefüllten Zustand in dem Gehäusekörper 40 abgedichtet ist. In der vorstehenden Konfiguration gibt es keinen Bedarf, das geschmolzene Harz, das den Dichtharzkörper 50 ausbildet, in den Gehäusekörper 40 mit einem hohen Druck zuzuführen. In diesem Fall werden die Form und Position des Wärmeübertragungsabschnitts 60 weniger wahrscheinlich abhängig von einem Druck von dem geschmolzenen Harz geändert. Somit, da die Form und Position des Wärmeübertragungsabschnitts 60 weniger wahrscheinlich geändert werden, kann eine Konfiguration, in der die Wärme wahrscheinlich von der elektronischen Komponente 20 zum Wärmeübertragungsabschnitt 60 übertragen wird, beibehalten werden. In diesem Fall ist es für den Belastungsentspannungsabschnitt 70 weniger wahrscheinlich, dass er durch den Druck von dem geschmolzenen Harz komprimiert wird. Somit kann ein Fall beschränkt werden, in dem der Gaskörper 75 des Belastungsentspannungsabschnitts 70 komprimiert wurde und die Belastungsentspannungsfunktion des Belastungsentspannungsabschnitts 70 bereits zur Zeit des Befüllens des Gehäusekörpers 40 mit dem geschmolzenen Harz während der Herstellung der elektronischen Vorrichtung 10 verringert wurde.According to the present embodiment, the sealing resin body 50 a cast resin body in which the electronic component 20 in a filled state in the housing body 40 is sealed. In the above configuration, there is no need for the molten resin containing the sealing resin body 50 forms, in the housing body 40 to supply with a high pressure. In this case, the shape and position of the heat transfer section become 60 Changed less likely depending on a pressure from the molten resin. Thus, because the shape and position of the heat transfer section 60 Less likely to be changed may be a configuration in which the heat is likely from the electronic component 20 to the heat transfer section 60 will be retained. In this case, it is for the load release section 70 less likely that it will be compressed by the pressure of the molten resin. Thus, a case may be limited in which the gas body 75 the load release section 70 was compressed and the stress relief function of the stress relief section 70 already at the time of filling the housing body 40 with the molten resin during the manufacture of the electronic device 10 was reduced.

(Zweite Ausführungsform)Second Embodiment

In der ersten Ausführungsform erstreckt sich der innere periphere Abschnitt 71a des Belastungsentspannungsabschnitts 70 parallel zur Mittellinie CL, aber in der zweiten Ausführungsform ist der innere periphere Abschnitt 71a bezüglich der Mittellinie CL geneigt. In der vorliegenden Ausführungsform werden hauptsächlich Unterschiede zur ersten Ausführungsform beschrieben.In the first embodiment, the inner peripheral portion extends 71a the load release section 70 parallel to the midline CL but in the second embodiment, the inner peripheral portion 71a as to the center line CL inclined. In the present embodiment, differences to the first embodiment will be mainly described.

Wie in 4 dargestellt ist, ist ein innerer peripherer Abschnitt 71a eines Belastungsentspannungsabschnitts 70 bezüglich eines äußeren peripheren Abschnitts 71b geneigt, indem er bezüglich der Mittellinie CL geneigt ist, und ist ferner bezüglich Verbindungsabschnitten 71c und 71d geneigt. Ein Neigungswinkel θ des inneren peripheren Abschnitts 71a bezüglich des zweiten Verbindungsabschnitts 71b ist ein spitzer Winkel, der größer als 0 Grad und kleiner als 90 Grad ist. In der vorliegenden Ausführungsform ist der Neigungswinkel θ insbesondere auf einen Winkel festgelegt, der in einem Bereich von 45 Grad oder mehr und 90 Grad oder weniger beinhaltet ist. Beispielsweise ist der Neigungswinkel θ auf 45 Grad festgelegt. In der vorliegenden Ausführungsform ist ein Bereich des Neigungswinkels θ größer als 0 Grad und kleiner als 90 Grad als 0 bis 90 Grad dargestellt und ein Bereich von 45 Grad oder mehr und kleiner als 90 Grad ist als 45 bis 90 Grad dargestellt.As in 4 is an inner peripheral portion 71a a load release section 70 with respect to an outer peripheral portion 71b inclined by looking at the midline CL is inclined, and is further with respect to connecting portions 71c and 71d inclined. An inclination angle θ of the inner peripheral portion 71a with respect to the second connection portion 71b is an acute angle greater than 0 degrees and less than 90 degrees. In the present embodiment, the inclination angle is θ Specifically, set at an angle included in a range of 45 degrees or more and 90 degrees or less. For example, the angle of inclination θ set to 45 degrees. In the present embodiment, a range of the inclination angle θ greater than 0 degrees and less than 90 degrees are shown as 0 to 90 degrees, and a range of 45 degrees or more and less than 90 degrees is shown as 45 to 90 degrees.

Wenn die Wärme, die in der elektronischen Komponente 20 erzeugt wird, von der ersten Plattenoberfläche 22a der elektronischen Komponente 20 hin zur Dichtoberfläche 51 übertragen wird, breitet sich die Wärme einfacher in einer Richtung orthogonal zur Mittellinie CL hin zu einer Position weiter weg von der elektronischen Komponente 20 aus. In diesem Fall wird in dem Bereich von 0 bis 90 Grad, da der Neigungswinkel θ größer ist, die Übertragung der Wärme von der ersten Plattenoberfläche 22a hin zu der Dichtoberfläche 51 durch den Wärmeübertragungsabschnitt 60 wahrscheinlich durch den inneren peripheren Abschnitt 71 des Belastungsentspannungsabschnitts 70 geblockt und das Volumen des Wärmeübertragungsabschnitts 60 wird mehr reduziert. In anderen Worten, wenn der Neigungswinkel θ kleiner ist, wird die Übertragung der Wärme von der ersten Plattenoberfläche 22a hin zur Dichtoberfläche 51 weniger wahrscheinlich durch den inneren peripheren Abschnitt 71a des Belastungsentspannungsabschnitts 70 geblockt und das Volumen des Wärmeübertragungsabschnitts 60 wird mehr erhöht. In anderen Worten, wenn der Neigungswinkel θ kleiner ist, kann die Wärmeableitungseffizienz von der ersten Plattenoberfläche 22a zur Dichtoberfläche 51 verbessert werden, und wenn der Neigungswinkel θ größer ist, kann der Materialaufwand für den Wärmeübertragungsabschnitt 60 mehr reduziert werden. Demnach kann in der Konfiguration, in der der Neigungswinkel θ auf ungefähr 45 Grad festgelegt ist, die Verbesserung der Wärmeableitungseffizienz von der ersten Plattenoberfläche 22a zur Dichtoberfläche 51 und die Reduzierung des Materialaufwands des Wärmeübertragungsabschnitts 60 gleichzeitig erreicht werden.If the heat in the electronic component 20 is generated from the first disk surface 22a the electronic component 20 towards the sealing surface 51 The heat spreads more easily in a direction orthogonal to the center line CL towards a position farther away from the electronic component 20 out. In this case, in the range of 0 to 90 degrees, since the inclination angle θ larger, the transfer of heat from the first disk surface 22a towards the sealing surface 51 through the heat transfer section 60 probably through the inner peripheral section 71 the load release section 70 blocked and the volume of the heat transfer section 60 will be reduced more. In other words, if the angle of inclination θ is smaller, the transfer of heat from the first disk surface 22a towards the sealing surface 51 less likely by the inner peripheral section 71a the load release section 70 blocked and the volume of the heat transfer section 60 is increased more. In other words, if the angle of inclination θ smaller, the heat dissipation efficiency can be from the first disk surface 22a to the sealing surface 51 be improved, and if the angle of inclination θ is larger, the cost of materials for the heat transfer section 60 be reduced more. Accordingly, in the configuration in which the angle of inclination θ is set at about 45 degrees, the improvement of the heat dissipation efficiency from the first disk surface 22a to the sealing surface 51 and reducing the material cost of the heat transfer section 60 be achieved at the same time.

(Dritte Ausführungsform)Third Embodiment

In einer dritten Ausführungsform passiert eine virtuelle Verlängerungslinie L1, die durch Verlängern der inneren peripheren Endoberfläche des Belastungsentspannungsabschnitts 70 in der zweiten Ausführungsform in einer radialen Richtung des inneren peripheren Abschnitts 71a erlangt wird, die Halbleitervorrichtung 21 einer elektronischen Komponente 20. In der vorliegenden Ausführungsform werden hauptsächlich Unterschiede zur zweiten Ausführungsform beschrieben.In a third embodiment, a virtual extension line happens L1 by extending the inner peripheral end surface of the strain relief portion 70 in the second Embodiment in a radial direction of the inner peripheral portion 71a is obtained, the semiconductor device 21 an electronic component 20 , In the present embodiment, differences to the second embodiment are mainly described.

Wie in 5 dargestellt ist, beinhaltet die Halbleitervorrichtung 21 eine erste Elementoberfläche 21a, die einer ersten Plattenoberfläche 22a der elektronischen Komponente 20 zugewandt ist, eine zweite Elementoberfläche 21b, die einer zweiten Plattenoberfläche 22b der elektronischen Komponente 20 zugewandt ist, und eine Elementseitenoberfläche 21c, die sich zwischen den Elementoberflächen 21a und 21b erstreckt. Wenn die elektronische Komponente 20 operiert, wird wahrscheinlich Wärme insbesondere von der Halbleitervorrichtung 21 erzeugt.As in 5 is shown, includes the semiconductor device 21 a first element surface 21a that is a first plate surface 22a the electronic component 20 facing, a second element surface 21b forming a second plate surface 22b the electronic component 20 facing, and an element side surface 21c extending between the element surfaces 21a and 21b extends. If the electronic component 20 is likely to heat in particular from the semiconductor device 21 generated.

Die Verlängerungslinie L1 der inneren peripheren Endoberfläche des Belastungsentspannungsabschnitts 70 schneidet einen peripheren Abschnitt der ersten Elementoberfläche 21a einer Außenoberfläche der Halbleitervorrichtung 21. Der periphere Abschnitt der ersten Elementoberfläche 21a ist in einem Eckabschnitt beinhaltet, der ein Schnittabschnitt der ersten Elementoberfläche 21a und der Elementseitenoberfläche 21c ist. Ähnlich zur Wärme, die von der ersten Plattenoberfläche 22a der elektronischen Komponente 20 abgeleitet wird, ist es für die Wärme, die von der ersten Elementoberfläche 21a der Halbleitervorrichtung 21 abgeleitet wird, wahrscheinlich, dass sie sich in einer Richtung orthogonal zur Mittellinie CL hin zu einer Position ausbreitet, die weiter weg von der Halbleitervorrichtung 21 ist.The extension line L1 the inner peripheral end surface of the load release portion 70 intersects a peripheral portion of the first element surface 21a an outer surface of the semiconductor device 21 , The peripheral portion of the first element surface 21a is included in a corner portion which is a sectional portion of the first element surface 21a and the element side surface 21c is. Similar to the heat coming from the first plate surface 22a the electronic component 20 It is for the heat that comes from the first element surface 21a the semiconductor device 21 is likely to propagate in a direction orthogonal to the center line CL toward a position farther away from the semiconductor device 21 is.

Ungleich zur vorliegenden Ausführungsform wird eine Konfiguration, in der ein innerer Durchmesser des inneren peripheren Abschnitts 71a des Wärmeübertragungsabschnitts 60 klein ist und die Verlängerungslinie L1 einen Abschnitt der Außenoberfläche der Halbleitervorrichtung 21 kreuzt, der innerhalb des peripheren Abschnitts der ersten Elementoberfläche 21a ist, angenommen. In der vorstehenden Konfiguration ist es für Wärme, die von dem Abschnitt der ersten Elementoberfläche 21a außerhalb der Verlängerungslinie L1 abgeleitet wird, wahrscheinlich, dass beschränkt wird, dass sie die Dichtoberfläche 51 durch den zweiten Verbindungsabschnitt 71d des Wärmeübertragungsabschnitts 70 erreicht, und ein Volumen des Wärmeübertragungsabschnitts 60 wird relativ klein.Unlike the present embodiment, a configuration in which an inner diameter of the inner peripheral portion becomes 71a the heat transfer section 60 is small and the extension line L1 a portion of the outer surface of the semiconductor device 21 which is within the peripheral portion of the first element surface 21a is, accepted. In the above configuration, it is for heat from the portion of the first element surface 21a outside the extension line L1 is derived, probably, that is limited to the sealing surface 51 through the second connection section 71d the heat transfer section 70 reached, and a volume of the heat transfer section 60 becomes relatively small.

Andererseits wird ungleich der vorliegenden Ausführungsform eine Konfiguration angenommen, in der die Verlängerungslinie L1 die Elementseitenoberfläche 21c der Außenoberfläche der Halbleitervorrichtung 21 schneidet, oder eine Konfiguration, in der die Verlängerungslinie L1 außerhalb der Halbleitervorrichtung 21 in dem Ausmaß passiert, dass die Verlängerungslinie L1 nicht die Halbleitervorrichtung 21 schneidet, da der innere Durchmesser des inneren peripheren Abschnitts 71a in dem Wärmeübertragungsabschnitt 60 groß ist. In diesen Konfigurationen ist es weniger wahrscheinlich, dass die Wärme, die von der ersten Elementoberfläche 21a abgeleitet wird, die Dichtoberfläche 51 durch den zweiten Verbindungsabschnitt 71d des Wärmeübertragungsabschnitts 60 erreicht, und das Volumen des Wärmeübertragungsabschnitts 60 wird relativ groß.On the other hand, unlike the present embodiment, a configuration is adopted in which the extension line L1 the element side surface 21c the outer surface of the semiconductor device 21 cuts, or a configuration in which the extension line L1 outside the semiconductor device 21 to the extent that happens the extension line L1 not the semiconductor device 21 cuts, as the inner diameter of the inner peripheral portion 71a in the heat transfer section 60 is great. In these configurations, it is less likely that the heat from the first element surface 21a is derived, the sealing surface 51 through the second connection section 71d the heat transfer section 60 reached, and the volume of the heat transfer section 60 becomes relatively big.

Demnach kann in der Konfiguration, in der die Verlängerungslinie L1 den peripheren Abschnitt der ersten Elementoberfläche 21a der äußeren Oberfläche der Halbleitervorrichtung 21 kreuzt, die Verbesserung der Wärmeableitungseffizienz von der ersten Elementoberfläche 21a zur Dichtoberfläche 51 und die Reduzierung des Materialaufwands für den Wärmeübertragungsabschnitt 60 gleichzeitig erreicht werden.Thus, in the configuration where the extension line L1 the peripheral portion of the first element surface 21a the outer surface of the semiconductor device 21 crosses, improving the heat dissipation efficiency of the first element surface 21a to the sealing surface 51 and reducing the material cost for the heat transfer section 60 be achieved at the same time.

(Vierte Ausführungsform)Fourth Embodiment

In der ersten Ausführungsform ist der Belastungsentspannungsabschnitt 70 in Kontakt mit sowohl der elektronischen Komponente 20 als auch dem Wärmeübertragungsabschnitt 60, aber in einer vierten Ausführungsform ist ein Belastungsentspannungsabschnitt 70 an einer Position separiert von einer elektronischen Komponente 20 vorgesehen. In der vorliegenden Ausführungsform werden hauptsächlich Unterschiede zur ersten Ausführungsform beschrieben.In the first embodiment, the stress release portion is 70 in contact with both the electronic component 20 as well as the heat transfer section 60 but in a fourth embodiment is a load release section 70 at a position separated from an electronic component 20 intended. In the present embodiment, differences to the first embodiment will be mainly described.

Wie in 6 dargestellt ist, ist der Belastungsentspannungsabschnitt 70 in einer Z-Richtung auf einer Seite gegenüberliegend zur elektronischen Komponente 20 über bzw. entlang eines Wärmeübertragungsabschnitts 60 vorgesehen. Der Belastungsentspannungsabschnitt 70 ist in Kontakt mit einer Oberfläche des Wärmeübertragungsabschnitts 60 nahe einer Dichtoberfläche 51 und erstreckt sich entlang der Oberfläche des Wärmeübertragungsabschnitts 60. Eine Dicke eines Abschnitts des Dichtharzkörpers 50, der den Belastungsentspannungsabschnitt 70 abdeckt, ist ausreichend groß, um den Belastungsentspannungsabschnitt 70 zu schützen. In dem Belastungsentspannungsabschnitt 70 sind vertikale Querschnitte eines Containers 71 und eines hohlen Abschnitts 72 kreisförmig.As in 6 is the load release section 70 in a Z-direction on a side opposite to the electronic component 20 over or along a heat transfer section 60 intended. The stress release section 70 is in contact with a surface of the heat transfer section 60 near a sealing surface 51 and extends along the surface of the heat transfer section 60 , A thickness of a portion of the sealing resin body 50 , which is the stress relaxation section 70 is sufficiently large to the load relaxation section 70 to protect. In the load release section 70 are vertical cross-sections of a container 71 and a hollow section 72 circular.

Ein Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Vorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird kurz beschrieben. In einer dritten Verarbeitung zum Herstellen der elektronischen Vorrichtung 10 wird der Wärmeübertragungsabschnitt 60 auf einer ersten Plattenoberfläche 22a der elektronischen Komponente 20 bereitgestellt und dann wird der Belastungsentspannungsabschnitt 70 auf dem Wärmeübertragungsabschnitt 60 angeordnet. Der Wärmeübertragungsabschnitt 60 kann seine eigene Form gegenüber seinem eigenen Gewicht halten und kann seine eigene Form sogar halten, wenn der Belastungsentspannungsabschnitt 70 auf dem Wärmeübertragungsabschnitt 60 angeordnet wird, während der Wärmeübertragungsabschnitt 60 eine Flexibilität in dem Ausmaß hat, dass Deformation gemäß einer thermischen Belastung von dem Dichtharzkörper 50 ausgeführt werden kann.A method of manufacturing an electronic device 10 according to the present embodiment will be briefly described. In a third processing for manufacturing the electronic device 10 becomes the heat transfer section 60 on a first plate surface 22a the electronic component 20 is provided and then the load release section 70 on the heat transfer section 60 arranged. The heat transfer section 60 can hold its own shape against its own weight and can even hold its own shape when the stress relaxation section 70 on the heat transfer section 60 is disposed while the heat transfer section 60 has a flexibility to the extent that deformation according to a thermal load of the sealing resin body 50 can be executed.

Gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist der Belastungsentspannungsabschnitt 70 in Kontakt mit dem Wärmeübertragungsabschnitt 60, obwohl der Belastungsentspannungsabschnitt 70 nicht in Kontakt mit der elektronischen Komponente 20 ist. Somit, wenn der Wärmeübertragungsabschnitt 60 gemäß der Deformation des Dichtharzkörpers 50 deformiert wird, wird der Belastungsentspannungsabschnitt 70 gemäß der Deformation des Wärmeübertragungsabschnitts 60 wie in der ersten Ausführungsform komprimiert, sodass die thermische Belastung, die von dem Wärmeübertragungsabschnitt 60 auf die elektronischen Komponente 20 ausgeübt wird, reduziert werden kann.According to the present embodiment, the stress release portion is 70 in contact with the heat transfer section 60 although the stress relief section 70 not in contact with the electronic component 20 is. Thus, when the heat transfer section 60 according to the deformation of the sealing resin body 50 is deformed, the load release section 70 according to the deformation of the heat transfer section 60 as in the first embodiment, so that the thermal stress exerted by the heat transfer section 60 on the electronic component 20 exercised, can be reduced.

(Fünfte Ausführungsform)Fifth Embodiment

In der ersten Ausführungsform ist der Gaskörper 75, der in dem Belastungsentspannungsabschnitt 70 beinhaltet ist, in dem Container 71 abgedichtet, aber in einer fünften Ausführungsform funktioniert ein Gaskörper, der zwischen einer elektronischen Komponente 20 und einem Wärmeübertragungsabschnitt 60 abgedichtet ist, als ein Belastungsentspannungsabschnitt. In der vorliegenden Ausführungsform werden hauptsächlich Unterschiede zur ersten Ausführungsform beschrieben.In the first embodiment, the gas body 75 which is in the load release section 70 is included in the container 71 sealed, but in a fifth embodiment, a gas body functioning between an electronic component 20 and a heat transfer section 60 is sealed as a stress relief section. In the present embodiment, differences to the first embodiment will be mainly described.

Wie in 7 dargestellt ist, hat die elektronischen Komponente 20 einen Vertiefungsabschnitt 25, der durch konkav machen einer ersten Plattenoberfläche 22a definiert ist, die als eine Außenoberfläche eines Komponentenhauptkörpers 22 dient. Der Vertiefungsabschnitt 25 erstreckt sich entlang eines peripheren Abschnitts der ersten Plattenoberfläche 22a in einer Kerbenform bzw. einer Grabenform. Eine Innenoberfläche des Vertiefungsabschnitts 25 beinhaltet eine Bodenoberfläche 25a, die einer Öffnung des Vertiefungsabschnitts 25 zugewandt ist, und ein Paar Wandflächen 25b, die von der Bodenoberfläche 25a hervorstehen. Die Bodenoberfläche 25a ist an einer Position vorgesehen, die von der ersten Plattenoberfläche 22a hin zur zweiten Plattenoberfläche 22b separiert ist und orthogonal zu einer Mittellinie CL ist. Die Wandoberflächen 25b erstrecken sich zwischen der ersten Plattenoberfläche 22a und der Bodenoberfläche 15a parallel zur Mittellinie CL. Eine Breitendimension des grabenförmigen Vertiefungsabschnitts 25 ist in der Z-Richtung einheitlich. In dem Komponentenhauptkörper 22 bilden Schnittabschnitte zwischen der ersten Plattenoberfläche 22a und den Wandoberflächen 25b externe Eckabschnitte und Schnittabschnitte zwischen den Wandoberflächen 25b und der Bodenoberfläche 25a bilden interne Eckabschnitte.As in 7 is shown has the electronic component 20 a recessed section 25 which make concave by a first plate surface 22a is defined as an outer surface of a component main body 22 serves. The recess section 25 extends along a peripheral portion of the first disk surface 22a in a notch shape or a trench shape. An inner surface of the recess portion 25 includes a soil surface 25a that is an opening of the recess portion 25 facing, and a pair of wall surfaces 25b coming from the soil surface 25a protrude. The soil surface 25a is provided at a position from the first disk surface 22a towards the second plate surface 22b is separated and orthogonal to a midline CL is. The wall surfaces 25b extend between the first plate surface 22a and the soil surface 15a parallel to the midline CL , A width dimension of the trench-shaped depression portion 25 is in the Z Direction uniform. In the component main body 22 form cut sections between the first plate surface 22a and the wall surfaces 25b external corner sections and section sections between the wall surfaces 25b and the soil surface 25a form internal corner sections.

Der Vertiefungsabschnitt 25 ist in einem Abschnitt der ersten Plattenoberfläche 22a beinhaltet, der dem Wärmeübertragungsabschnitt 60 zugewandt ist, und eine Öffnung, die der Dichtoberfläche 51 in dem Vertiefungsabschnitt 25 zugewandt ist, ist durch den Wärmeübertragungsabschnitt 60 geschlossen. Der Wärmeübertragungsabschnitt 60 kann seine Form halten, um nicht in den Vertiefungsabschnitt 25 durch sein eigenes Gewicht einzutreten, und hat eine Flexibilität, mit der er gemäß thermischer Belastung von dem Dichtharzkörper 50 deformiert werden kann. Ein Gaskörper 80 ähnlich zu dem Gaskörper 75 der ersten Ausführungsform wie Luft oder Gas mit einer Komprimierbarkeit, ist in dem Vertiefungsabschnitt 25 abgedichtet und der Gaskörper 80 entspricht einem Belastungsentspannungsabschnitt. In einem Zustand, in dem der Wärmeübertragungsabschnitt 60 den Vertiefungsabschnitt 25 schließt, ist ein Innenraum des Vertiefungsabschnitts 25 ein hermetisch abgedichteter Raum und der Gaskörper 80 wird nicht nach außen hin von dem internen Raum des Vertiefungsabschnitts 25 entladen.The recess section 25 is in a section of the first disk surface 22a includes, the heat transfer section 60 facing, and an opening that the sealing surface 51 in the recessed section 25 is facing through the heat transfer section 60 closed. The heat transfer section 60 can keep its shape so as not to be in the recess section 25 by its own weight, and has a flexibility with which it is subjected to thermal stress from the sealing resin body 50 can be deformed. A gas body 80 similar to the gas body 75 The first embodiment, such as air or gas having a compressibility, is in the recessed portion 25 sealed and the gas body 80 corresponds to a load release section. In a state where the heat transfer section 60 the recess section 25 closes, is an interior of the recessed section 25 a hermetically sealed room and the gas body 80 does not become outwardly from the internal space of the recessed portion 25 discharged.

In der vorliegenden Ausführungsform, wenn der Wärmeübertragungsabschnitt 60 deformiert wird, um in den Vertiefungsabschnitt 25 gemäß der Deformation des Dichtharzkörper 50 einzutreten, wird der Gaskörper 80 in dem Vertiefungsabschnitt 25 komprimiert. In diesem Fall wird wie in dem Fall des Gaskörpers 75 der ersten Ausführungsform das Volumen des Gaskörpers 80 reduziert, wodurch die thermische Belastung, die von dem Wärmeübertragungsabschnitt 60 auf die elektronischen Komponente 20 ausgeübt wird, reduziert werden kann.In the present embodiment, when the heat transfer section 60 is deformed to enter the recessed section 25 according to the deformation of the sealing resin body 50 enter, becomes the gas body 80 in the recessed section 25 compressed. In this case, as in the case of the gas body 75 the first embodiment, the volume of the gas body 80 reduced, causing the thermal stress coming from the heat transfer section 60 on the electronic component 20 exercised, can be reduced.

Gemäß der vorliegenden Ausführungsform, da der Gaskörper 80 zwischen der elektronischen Komponente 20 und dem Wärmeübertragungsabschnitt 60 abgedichtet ist, besteht kein Bedarf, ein dediziertes Element wie den Container 71 zum Abdichten des Gaskörpers 80 zu verwenden. Somit kann die Anzahl von Komponenten, die die elektronische Vorrichtung 10 konfigurieren, reduziert werden. Ferner, da der Vertiefungsabschnitt 25 zum Abdichten des Gaskörpers 80 in dem Komponentenhauptkörper 22 der elektronischen Komponente 20 vorgesehen ist, kann beschränkt werden, dass der Gaskörper 80 positionell bezüglich des Wärmeübertragungsabschnitts 60 und der elektronischen Komponente 20 aufgrund beispielsweise von Injektion von geschmolzenem Harz in den Gehäusekörper 40 zur Zeit der Herstellung der elektronischen Vorrichtung 10 abweicht. Demnach kann eine Konfiguration, in der die thermische Belastung, die von dem Wärmeübertragungsabschnitt 60 auf die elektronischen Komponente 20 ausgeübt wird, durch die Komprimierung des Gaskörpers 80 verlässlich in der elektronischen Vorrichtung 10 verwirklicht werden.According to the present embodiment, since the gas body 80 between the electronic component 20 and the heat transfer section 60 is sealed, there is no need, a dedicated element such as the container 71 for sealing the gas body 80 to use. Thus, the number of components that the electronic device 10 configure, be reduced. Further, since the recess portion 25 for sealing the gas body 80 in the component main body 22 the electronic component 20 is provided, it can be limited that the gas body 80 positionally with respect to the heat transfer section 60 and the electronic component 20 due to, for example, injection of molten resin into the housing body 40 at the time of manufacturing the electronic device 10 differs. Thus, a configuration in which the thermal load generated by the heat transfer section 60 on the electronic component 20 is exercised by the compression of the gas body 80 reliable in the electronic device 10 be realized.

(Sechste Ausführungsform)Sixth Embodiment

In der fünften Ausführungsform ist eine Breitendimension des grabenförmigen Vertiefungsabschnitts 25 in der Z-Richtung einheitlich, aber in einer sechsten Ausführungsform nimmt eine Breitendimension eines grabenförmigen Vertiefungsabschnitts 25 hin zu einer ersten Plattenoberfläche 22a in einer Z-Richtung fortlaufend zu. In der vorliegenden Ausführungsform werden hauptsächlich Unterschiede zur fünften Ausführungsform beschrieben.In the fifth embodiment, a width dimension of the trench-shaped recess portion is 25 in the Z- Direction uniform, but in a sixth embodiment takes a width dimension of a trench-shaped recess portion 25 towards a first plate surface 22a in a Z Direction continuously. In the present embodiment, differences to the fifth embodiment will mainly be described.

Wie in 8 dargestellt ist, da eine Bodenoberfläche und Wandoberflächen einer Innenoberfläche des Vertiefungsabschnitts 25 gekrümmt sind, nimmt die Breitendimension des Vertiefungsabschnitts 25 hin zur ersten Plattenoberfläche 22a fortlaufend zu. Gemäß 7 der fünften Ausführungsform sind in einem Komponentenhauptkörper 22 externe Eckabschnitte der ersten Plattenoberfläche 22a und der Wandoberflächen 25b nicht vorgesehen und interne Eckabschnitte der Wandoberflächen 25b und der Bodenoberfläche 25 sind nicht vorgesehen. Mit anderen Worten sind die externen Eckabschnitte und die internen Eckabschnitte abgeschrägt.As in 8th as a bottom surface and wall surfaces of an inner surface of the recessed portion 25 are curved, the width dimension of the recessed portion decreases 25 towards the first plate surface 22a continuously to. According to 7 of the fifth embodiment are in a component main body 22 external corner sections of the first plate surface 22a and the wall surfaces 25b not provided and internal corner sections of the wall surfaces 25b and the soil surface 25 are not provided. In other words, the external corner portions and the internal corner portions are chamfered.

Eine Gussverpackung des Komponentenhauptkörpers 22 ist ein geformter bzw. gegossener Körper bzw. ein Spritzgusskörper, der durch Injizieren von geschmolzenem Harz beispielsweise von einer Spritzgussmaschine in eine Formvorrichtung wie eine Form ausgebildet wird. Ein Vorsprungabschnitt zum Gießen des Vertiefungsabschnitts 25 ist auf einer Innenoberfläche der Formvorrichtung vorgesehen und der Vorsprungabschnitt wird hin zu einer Spitze der Formvorrichtung schmäler. Die sich verjüngende Form des Vorsprungabschnitts erleichtert Entfernen der Formvorrichtung von dem ausgehärteten geschmolzenen Harz. Insbesondere wird die äußere Oberfläche des Vorsprungabschnitts der Formvorrichtung einfach von der Innenoberfläche des Vertiefungsabschnitts 25 des Komponentenhauptkörpers 22 gelöst. Demzufolge kann Brechen oder Deformieren des Vertiefungsabschnitts 25, wenn die Formvorrichtung von dem Komponentenhauptkörper 22 entfernt wird, verhindert werden.A cast package of the component main body 22 is a molded body or injection molded body formed by injecting molten resin from, for example, an injection molding machine into a molding apparatus such as a mold. A protruding portion for molding the recessed portion 25 is provided on an inner surface of the molding apparatus, and the protruding portion becomes narrower toward a tip of the molding apparatus. The tapered shape of the protrusion portion facilitates removal of the molding apparatus from the cured molten resin. In particular, the outer surface of the protrusion portion of the molding apparatus becomes simple from the inner surface of the recessed portion 25 of the component main body 22 solved. As a result, breakage or deformation of the recessed portion may occur 25 when the molding apparatus of the component main body 22 is removed, be prevented.

(Siebte Ausführungsform)Seventh Embodiment

In einer siebten Ausführungsform beinhaltet eine elektronische Vorrichtung 10 eine Wärmeableitungsabschnitt 90 wie eine Wärmesenke, die Wärme eines Wärmeübertragungsabschnitts 60 nach außen ableitet. In der vorliegenden Ausführungsform werden hauptsächlich Unterschiede zur ersten Ausführungsform beschrieben.In a seventh embodiment, an electronic device includes 10 a heat dissipation section 90 like a heat sink, the heat of a heat transfer section 60 derived to the outside. In the present embodiment, differences to the first embodiment will be mainly described.

Wie in 9 dargestellt ist, ist ein Teil des Wärmeableitungsabschnitts 90 hin zur Außenseite der elektronischen Vorrichtung 10 freigelegt und ist in Kontakt mit dem Wärmeübertragungsabschnitt 60. Der Wärmeableitungsabschnitt 90 ist aus einem Metallmaterial mit einer thermischen Leitfähigkeit wie Kupfer oder Aluminium gefertigt und die thermische Leitfähigkeit des Wärmeableitungsabschnitts 90 ist höher als die thermische Leitfähigkeit des Dichtharzkörpers 50. Ähnlich zum Dichtharzkörper 50 hat der Wärmeableitungsabschnitt 90 eine ausreichende Stärke, um den Wärmeübertragungsabschnitt 60 und den Belastungsentspannungsabschnitt 70 zu schützen.As in 9 is a part of the heat dissipation section 90 towards the outside of the electronic device 10 exposed and is in contact with the heat transfer section 60 , The heat dissipation section 90 is made of a metal material having a thermal conductivity such as copper or aluminum, and the thermal conductivity of the heat dissipation section 90 is higher than the thermal conductivity of the sealing resin body 50 , Similar to the sealing resin body 50 has the heat dissipation section 90 sufficient strength to the heat transfer section 60 and the stress release section 70 to protect.

Der Wärmeableitungsabschnitt 90 beinhaltet einen Basisabschnitt 91, der an dem Wärmeübertragungsabschnitt 60 angebracht ist, und Vorsprungabschnitte 92, die sich von dem Basisabschnitt 61 erstrecken und von dem Dichtharzkörper 50 hervorstehen. Der Basisabschnitt 91 ist ein plattenförmiger Abschnitt, der sich in einer Richtung senkrecht zu einer Mittellinie CL erstreckt und mit dem Wärmeübertragungsabschnitt 60 und dem Belastungsentspannungsabschnitt 70 ausgehend von einem Gehäuseöffnungsabschnitt 43 überlappt, sodass der Wärmeübertragungsabschnitt 60 und der Belastungsentspannungsabschnitt 70 zwischen dem Basisabschnitt 91 und der elektronische Komponente 20 sandwichartig angeordnet sind. Die Vorsprungabschnitte 92 sind finnenförmige Abschnitte, die sich von dem Basisabschnitt 91 hin zum Gehäuseöffnungsabschnitt 43 erstrecken und mindestens Spitzenabschnitte der Vorsprungabschnitte 92 sind zur Außenseite freigelegt.The heat dissipation section 90 includes a base section 91 at the heat transfer section 60 is attached, and projection sections 92 extending from the base section 61 extend and from the sealing resin body 50 protrude. The base section 91 is a plate-shaped portion extending in a direction perpendicular to a center line CL extends and with the heat transfer section 60 and the stress release portion 70 starting from a housing opening section 43 overlaps, so the heat transfer section 60 and the stress release section 70 between the base section 91 and the electronic component 20 are sandwiched. The projection sections 92 are fin-shaped sections extending from the base section 91 towards the housing opening section 43 extend and at least tip portions of the protrusion portions 92 are exposed to the outside.

Der Wärmeableitungsabschnitt 90 ist angeordnet, um sich über gegenüberliegende Abschnitte, die einander in dem Belastungsentspannungsabschnitt 70 zugewandt sind, durch die Mittellinie CL zu erstrecken. In dem Container 71 des Belastungsentspannungsabschnitts 70 ist der Wärmeableitungsabschnitt 90 auf dem ersten Verbindungsabschnitt 71c montiert und mindestens der innere periphere Abschnitt 71a des inneren peripheren Abschnitts 71a und des äußeren peripheren Abschnitts 71b ist zwischen dem Wärmeableitungsabschnitt 90 und dem Komponentenhauptkörper 22 angeordnet. In dem Belastungsentspannungsabschnitt 70 ist mindestens ein Teil des Gaskörpers 75 ebenso zwischen dem Wärmeableitungsabschnitt 90 und dem Komponentenhauptkörper 22 angeordnet.The heat dissipation section 90 is arranged to extend over opposite portions which are in the load release section 70 facing, through the center line CL to extend. In the container 71 the load release section 70 is the heat dissipation section 90 on the first connecting section 71c mounted and at least the inner peripheral section 71a of the inner peripheral portion 71a and the outer peripheral portion 71b is between the heat dissipation section 90 and the component main body 22 arranged. In the load release section 70 is at least a part of the gas body 75 also between the heat dissipation section 90 and the component main body 22 arranged.

Ebenso ist in der vorliegenden Ausführungsform der Wärmeübertragungsabschnitt 60 in Kontakt mit dem Dichtharzkörper 50. Beispielsweise deckt der Wärmeableitungsabschnitt 90 nicht den gesamten Wärmeübertragungsabschnitt 60 ausgehend von dem Gehäuseöffnungsabschnitt 43 ab und ein Abschnitt des Wärmeübertragungsabschnitts 60, der nicht mit dem Wärmeableitungsabschnitt 90 abgedeckt ist, ist in Kontakt mit dem Dichtharzkörper 50. Somit verformt sich ähnlich zur ersten Ausführungsform der Wärmeübertragungsabschnitt 60 mit der Deformation des Dichtharzkörpers 50 und der Belastungsentspannungsabschnitt 70 wird komprimiert, sodass die thermische Belastung, die von dem Wärmeübertragungsabschnitt 60 auf die elektronische Komponente 20 ausgeübt wird, mit der Abnahme des Volumens des Belastungsentspannungsabschnitts 70 reduziert wird. Ist der Wärmeableitungsabschnitt 90 in Kontakt mit sowohl dem Wärmeübertragungsabschnitt 60 als auch dem Dichtharzkörper 50, müssen der Wärmeübertragungsabschnitt 60 und der Dichtharzkörper 50 nicht zwingenderweise in Kontakt zueinander sein. Ebenso kann in der vorstehenden Konfiguration, wenn der Wärmeübertragungsabschnitt 60 beispielsweise aufgrund des Versatzes des Wärmeableitungsabschnitts 90, wenn der Dichtharzkörper 50 deformiert wird, deformiert wird, der Wärmeübertragungsabschnitt 60 den Belastungsentspannungsabschnitt 70 komprimieren.Also, in the present embodiment, the heat transfer section 60 in contact with the sealing resin body 50 , For example, the heat dissipation section covers 90 Not the entire heat transfer section 60 starting from the housing opening section 43 from and a portion of the heat transfer section 60 not with the heat dissipation section 90 is covered, is in contact with the sealing resin body 50 , Thus, similarly to the first embodiment, the heat transfer section deforms 60 with the deformation of the sealing resin body 50 and the stress release section 70 is compressed, so that the thermal load from the heat transfer section 60 on the electronic component 20 is exercised with the decrease of the volume of the stress relief section 70 is reduced. Is the heat dissipation section 90 in contact with both the heat transfer section 60 as well as the sealing resin body 50 , need the heat transfer section 60 and the sealing resin body 50 not necessarily be in contact with each other. Also, in the above configuration, when the heat transfer section 60 For example, due to the offset of the heat dissipation section 90 when the sealing resin body 50 is deformed, is deformed, the heat transfer section 60 the load release section 70 compress.

Ein Verfahren zum Herstellen der elektronischen Vorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird kurz beschrieben. Beim Herstellen der elektronischen Vorrichtung 10 wird in der dritten Verarbeitung, nachdem der Wärmeübertragungsabschnitt 60 und der Belastungsentspannungsabschnitt 70 installiert wurden, der Wärmeableitungsabschnitt 90 auf dem Wärmeübertragungsabschnitt 60 und den Belastungsentspannungsabschnitt 70 angeordnet. In diesem Fall erstrecken sich in dem Belastungsentspannungsabschnitt 70 der innere periphere Abschnitt 71a und der äußere periphere Abschnitt 71b parallel zur Mittellinie CL, so dass der Belastungsentspannungsabschnitt 70 weniger wahrscheinlich in der Z-Richtung durch eine Last von dem Wärmeableitungsabschnitt 90 kollabiert und der Gaskörper 75 weniger wahrscheinlich komprimiert wird. Somit kann ein Zustand, in dem der Gaskörper 75 des Belastungsentspannungsabschnitts 70 komprimiert wurde und die Belastungsentspannungsfunktion des Belastungsentspannungsabschnitts 70 bereits zur Zeit des Montierens des Wärmeableitungsabschnitts 90 auf dem Belastungsentspannungsabschnitt 70 verringert wurde, beschränkt werden.A method of manufacturing the electronic device 10 according to the present embodiment will be briefly described. When manufacturing the electronic device 10 is in the third processing after the heat transfer section 60 and the stress release section 70 were installed, the heat dissipation section 90 on the heat transfer section 60 and the stress release section 70 arranged. In this case, extending in the load relaxation section 70 the inner peripheral section 71a and the outer peripheral portion 71b parallel to the midline CL such that the stress relief section 70 less likely in the Z Direction by a load from the heat dissipation section 90 collapses and the gas body 75 less likely to be compressed. Thus, a condition in which the gas body 75 the load release section 70 was compressed and the stress relief function of the stress relief section 70 already at the time of mounting the heat dissipation section 90 on the stress relief section 70 was reduced.

Ferner kann in diesem Fall, da der Belastungsentspannungsabschnitt 70 wahrscheinlich nicht in der Z-Richtung kollabiert und der Wärmeableitungsabschnitt 90 sich weniger wahrscheinlich in einer Richtung nahe zur elektronischen Komponente 20 verschiebt, ein Zustand beschränkt bzw. verhindert werden, in dem der gesamte Wärmeableitungsabschnitt 90 in dem Dichtharzkörper 50 begraben ist.Further, in this case, since the stress release portion 70 probably not in the Z Direction collapses and the heat dissipation section 90 less likely to be in one direction near the electronic component 20 shifts, a state be restricted or prevented, in which the entire heat dissipation section 90 in the sealing resin body 50 is buried.

Gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird, da der Wärmeableitungsabschnitt 90, der von dem Dichtharzkörper 50 freigelegt ist, eine höhere thermische Leitfähigkeit als der Dichtharzkörper 50 aufweist, die Wärme, die von der elektronischen Komponente 20 an dem Wärmeübertragungsabschnitt 60 übertragen wird, wahrscheinlich zur Außenseite durch den Wärmeableitungsabschnitt 90 abgeleitet. Demnach kann der Wärmeableitungsabschnitt 90 ferner verlässlich beschränken, dass die Temperatur der elektronischen Komponente 20 übermäßig hoch wird.According to the present embodiment, since the heat dissipation section 90 that of the sealing resin body 50 is exposed, a higher thermal conductivity than the sealing resin body 50 has, the heat coming from the electronic component 20 at the heat transfer section 60 is transferred, probably to the outside through the heat dissipation section 90 derived. Accordingly, the heat dissipation section 90 Furthermore, reliably limit the temperature of the electronic component 20 becomes excessively high.

(Achte Ausführungsform)(Eighth Embodiment)

In einer achten Ausführungsform hat der Container 71 des Belastungsentspannungsabschnitts 70 der siebten Ausführungsform einen Eintrittsabschnitt 77, der zwischen den Wärmeableitungsabschnitt 90 und dem Komponentenhauptkörper 22 eingetreten ist. In der vorliegenden Ausführungsform werden hauptsächlich Unterschiede zur siebten Ausführungsform beschrieben.In an eighth embodiment, the container has 71 the load release section 70 of the seventh embodiment, an entrance portion 77 between the heat dissipation section 90 and the component main body 22 occurred. In the present embodiment, differences to the seventh embodiment will be mainly described.

Wie in 10 dargestellt ist, erstreckt sich der Eintrittsabschnitt 77 von einem inneren peripheren Abschnitt 71a hin zu einer Mittellinie CL. Wie der innere periphere Abschnitt 71a und ein äußerer peripherer Abschnitt 71b ist der Eintrittsabschnitt ringförmig durch Bilden eines Kreises um die Mittellinie CL ausgebildet. In einer Z-Richtung ist eine Dickendimension des Eintrittsabschnitts 77 die gleiche wie eine Dickendimension des Wärmeübertragungsabschnitts 60 und ein Basisabschnitt 91 des Wärmeableitungsabschnitts 90 ist in Kontakt mit sowohl dem Eintrittsabschnitt 77 als auch den Wärmeübertragungsabschnitt 60. Ein hohler Abschnitt 72 ist nicht innerhalb des Eintrittsabschnitts 77 vorgesehen. Somit ist der Gaskörper 75 nicht im Inneren des Eintrittsabschnitts 77 eingeschlossen.As in 10 is shown, the inlet portion extends 77 from an inner peripheral portion 71a towards a midline CL , Like the inner peripheral section 71a and an outer peripheral portion 71b the entrance section is annular by forming a circle around the center line CL educated. In a Z Direction is a thickness dimension of the entry section 77 the same as a thickness dimension of the heat transfer section 60 and a base section 91 the heat dissipation section 90 is in contact with both the entry section 77 as well as the heat transfer section 60 , A hollow section 72 is not within the entry section 77 intended. Thus, the gas body 75 not inside the entry section 77 locked in.

Der Wärmeableitungsabschnitt 90 tritt in eine innere Region ein, die durch den inneren peripheren Abschnitt 71a des Belastungsentspannungsabschnitts 70 umgeben ist. In diesem Fall beschränkt der innere periphere Abschnitt 71a, dass der Wärmeableitungsabschnitt 90 in einer Richtung orthogonal zur Mittellinie CL versetzt wird.The heat dissipation section 90 enters an inner region through the inner peripheral section 71a the load release section 70 is surrounded. In this case, the inner peripheral section is limited 71a in that the heat dissipation section 90 in a direction orthogonal to the midline CL is offset.

Gemäß der vorliegenden Ausführungsform, wenn der Wärmeübertragungsabschnitt 60 gemäß der Deformation des Dichtharzkörpers 50 deformiert wird, schiebt der Wärmeübertragungsabschnitt 60 den Eintrittsabschnitt 77 hin zur gegenüberliegenden Seite bezüglich der Mittellinie CL, so dass der Eintrittsabschnitt 77 in das Innere des hohlen Abschnitts 72 eintritt und der Gaskörper 75 komprimiert wird. Wie vorstehend beschrieben ist, kann ebenso in der vorliegenden Ausführungsform, da der Gaskörper 75 durch die Deformation des Wärmeübertragungsabschnitts 60, die durch die Deformation des Dichtharzkörpers 50 verursacht wird, komprimiert wird, die thermische Belastung, die von dem Wärmeübertragungsabschnitt 60 auf die elektronische Komponente 20 ausgeübt wird, durch den Belastungsentspannungsabschnitt 70 reduziert werden.According to the present embodiment, when the heat transfer section 60 according to the deformation of the sealing resin body 50 is deformed, pushes the heat transfer section 60 the entry section 77 towards the opposite side with respect to the center line CL so that the entry section 77 into the interior of the hollow section 72 enters and the gas body 75 is compressed. As described above, also in the present embodiment, since the gas body 75 by the deformation of the Heat transfer section 60 caused by the deformation of the sealing resin body 50 is caused to be compressed, the thermal load from the heat transfer section 60 on the electronic component 20 is exerted by the stress relief section 70 be reduced.

(Neunte Ausführungsform)Ninth Embodiment

In der ersten Ausführungsform ist die Montageoberfläche 31 der Leiterplatte 30 dem Gehäuseöffnungsabschnitt 43 in dem Gehäusekörper 40 zugewandt, aber in einer neunten Ausführungsform ist eine Montageoberfläche 31 einer Leiterplatte 30 einem Gehäusebodenabschnitt 41 zugewandt. In der vorliegenden Ausführungsform werden hauptsächlich Unterschiede zur ersten Ausführungsform beschrieben.In the first embodiment, the mounting surface is 31 the circuit board 30 the housing opening portion 43 in the housing body 40 facing, but in a ninth embodiment is a mounting surface 31 a circuit board 30 a housing bottom portion 41 facing. In the present embodiment, differences to the first embodiment will be mainly described.

Wie in 11 dargestellt ist, ist eine elektronische Komponente 20 zwischen der Leiterplatte 30 und dem Gehäusebodenabschnitt 41 vorgesehen. Der Wärmeübertragungsabschnitt 60 und der Belastungsentspannungsabschnitt 70 sind zwischen der elektronischen Komponente 20 und dem Gehäusebodenabschnitt 41 vorgesehen und an Positionen angeordnet, die von dem Gehäusebodenabschnitt 41 hin zum Gehäuseöffnungsabschnitt 43 separiert sind. Ein Dichtharzkörper 50 befindet sich zwischen dem Wärmeübertragungsabschnitt 60, dem Belastungsentspannungsabschnitt 70 und dem Gehäusebodenabschnitt 41.As in 11 is an electronic component 20 between the circuit board 30 and the housing bottom portion 41 intended. The heat transfer section 60 and the stress release section 70 are between the electronic component 20 and the housing bottom portion 41 provided and disposed at positions that extend from the housing bottom portion 41 towards the housing opening section 43 are separated. A sealing resin body 50 is located between the heat transfer section 60 , the load release section 70 and the housing bottom portion 41 ,

Ebenso ist in der vorliegenden Ausführungsform eine erste Plattenoberfläche 22a des Komponentenhauptkörpers 22 die äußerste Oberfläche. In diesem Fall ist in der Z-Richtung eine Separationsdistanz zwischen der ersten Plattenoberfläche 22a und dem Gehäusebodenabschnitt 41 festgelegt, um kleiner als eine Separationsdistanz zwischen der zweiten Plattenoberfläche 22b und der Dichtoberfläche 51 zu sein. Der Gehäusekörper 40 ist aus einem Metallmaterial mit thermischer Leitfähigkeit gefertigt und die thermische Leitfähigkeit des Gehäusekörpers 40 ist festgelegt, um höher als die thermische Leitfähigkeit des Dichtharzkörpers 50 zu sein. Wärme H, die in der elektronischen Komponente 20 erzeugt und zum Wärmeübertragungsabschnitt 60 übertragen wird, erreicht den Gehäusebodenabschnitt 41 durch einen Abschnitt zwischen dem Wärmeübertragungsabschnitt 60 und dem Gehäusebodenabschnitt 41 in dem Dichtharzkörper 50 und wird nach außen von dem Gehäusebodenabschnitt 41 abgeleitet.Also, in the present embodiment, a first plate surface 22a of the component main body 22 the outermost surface. In this case is in the Z Direction a separation distance between the first plate surface 22a and the housing bottom portion 41 set to less than a separation distance between the second disk surface 22b and the sealing surface 51 to be. The housing body 40 is made of a metal material with thermal conductivity and the thermal conductivity of the housing body 40 is set to be higher than the thermal conductivity of the sealing resin body 50 to be. warmth H that are in the electronic component 20 generated and the heat transfer section 60 is transferred, reaches the housing bottom portion 41 through a portion between the heat transfer section 60 and the housing bottom portion 41 in the sealing resin body 50 and becomes outward from the housing bottom portion 41 derived.

In der vorliegenden Ausführungsform kann der Wärmeübertragungsabschnitt 60 und/oder der Belastungsentspannungsabschnitts 70 in Kontakt mit dem Gehäusebodenabschnitt 41 sein, solange der Wärmeübertragungsabschnitt 60 und der Dichtharzkörper 50 in Kontakt miteinander sind. Insbesondere kann in der Konfiguration, in der der Wärmeübertragungsabschnitt 60 in Kontakt mit dem Gehäusebodenabschnitt 41 ist, da die Wärme des Wärmeübertragungsabschnitts 60 direkt zum Gehäusebodenabschnitt 41 übertragen wird, die Wärmeableitungseffizienz von dem Wärmeübertragungsabschnitt 60 verbessert werden.In the present embodiment, the heat transfer section 60 and / or the strain relief section 70 in contact with the housing bottom section 41 be as long as the heat transfer section 60 and the sealing resin body 50 are in contact with each other. In particular, in the configuration in which the heat transfer section 60 in contact with the housing bottom section 41 is because the heat of the heat transfer section 60 directly to the housing bottom section 41 is transmitted, the heat dissipation efficiency of the heat transfer section 60 be improved.

(Weitere Ausführungsformen)(Further embodiments)

Obwohl mehrere Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Offenbarung vorstehend beschrieben wurden, soll die vorliegende Offenbarung nicht auf die vorstehend beschriebenen Ausführungsformen beschränkt werden und kann auf unterschiedliche Ausführungsformen und Kombinationen innerhalb eines Umfangs angewandt werden, der den Geist der vorliegenden Offenbarung nicht verlässt.Although several embodiments according to the present disclosure have been described above, the present disclosure should not be limited to the above-described embodiments, and may be applied to various embodiments and combinations within a scope that does not depart from the spirit of the present disclosure.

Als Modifikation 1 hat ein Abschnitt der Außenoberfläche der elektronischen Komponente 20, die in Kontakt mit dem Wärmeübertragungsabschnitt 60 ist, nicht die erste Plattenoberfläche 22a zu sein. Beispielsweise ist der Wärmeübertragungsabschnitt 60 in Kontakt mit der zweiten Plattenoberfläche 22b und der Hauptkörperseitenoberfläche 22c der elektronischen Komponente 20. Kurzum, falls der Wärmeübertragungsabschnitt 60 in Kontakt mit sowohl der elektronischen Komponente 20 als auch dem Dichtharzkörper 50 innerhalb des Dichtharzkörpers 50 ist, kann die Wärme der elektronischen Komponente 20 zum Wärmeübertragungsabschnitt 60 abgeleitet werden.As modification 1, a portion of the outer surface of the electronic component 20 in contact with the heat transfer section 60 is not the first disk surface 22a to be. For example, the heat transfer section 60 in contact with the second plate surface 22b and the main body side surface 22c the electronic component 20 , In short, if the heat transfer section 60 in contact with both the electronic component 20 as well as the sealing resin body 50 within the sealing resin body 50 is, the heat can be the electronic component 20 to the heat transfer section 60 be derived.

Als Modifikation 2 können der Wärmeübertragungsabschnitt 60 und der Belastungsentspannungsabschnitt 70 in Kontakt mit unterschiedlichen Oberflächen der Außenoberfläche der elektronischen Komponente 20 sein. Beispielsweise ist in der elektronischen Komponente 20 die Wärmeübertragungsabschnitt 60 in Kontakt mit der ersten Plattenoberfläche 22a und der Belastungsentspannungsabschnitt 70 ist in Kontakt mit der Hauptkörperseitenoberfläche 22c. In der vorstehenden Konfiguration ist der Wärmeübertragungsabschnitt 60 mit der gesamten ersten Plattenoberfläche 22a überlappt und der Belastungsentspannungsabschnitt 70 ist an der Hauptkörperseitenoberfläche 22c in einem Zustand angebracht, in dem er sich entlang der jeweiligen peripheren Abschnitte des Wärmeübertragungsabschnitts 60 und der ersten Plattenoberfläche 22a erstreckt. Somit kann in der dritten Verarbeitung zum Herstellen der elektronischen Vorrichtung 10 die Form des Wärmeübertragungsabschnitts 60, der auf der ersten Plattenoberfläche 22a angeordnet ist, durch den Belastungsentspannungsabschnitt 70 gehalten werden.As the modification 2, the heat transfer section 60 and the stress release section 70 in contact with different surfaces of the outer surface of the electronic component 20 his. For example, in the electronic component 20 the heat transfer section 60 in contact with the first disk surface 22a and the stress release section 70 is in contact with the main body side surface 22c , In the above configuration, the heat transfer section 60 with the entire first disk surface 22a overlaps and the stress relief section 70 is at the main body side surface 22c in a state in which it extends along the respective peripheral portions of the heat transfer section 60 and the first disk surface 22a extends. Thus, in the third processing for manufacturing the electronic device 10 the shape of the heat transfer section 60 that on the first disk surface 22a is arranged through the load release section 70 being held.

Als Modifikation 3, falls der Wärmeübertragungsabschnitt 60 und der Belastungsentspannungsabschnitt 70 in Kontakt miteinander sind, muss der Wärmeübertragungsabschnitt 60 nicht auf der inneren peripheren Seite des ringförmigen Belastungsentspannungsabschnitts 70 vorgesehen sein. Beispielsweise sind in einer Draufsicht der Wärmeübertragungsabschnitt 60 und der Belastungsentspannungsabschnitt 70 beide in einer rechtwinkligen Form ausgebildet und der Wärmeübertragungsabschnitt 60 und der Belastungsentspannungsabschnitt 70 sind Seite an Seite auf der ersten Plattenoberfläche 22a vorgesehen. Zusätzlich ist der Wärmeübertragungsabschnitt 60 in einer ringförmigen Form ausgebildet und der Belastungsentspannungsabschnitt 70 ist auf der inneren peripheren Seite des Wärmeübertragungsabschnitts 60 vorgesehen.As modification 3, if the heat transfer section 60 and the stress release section 70 in contact with each other, the heat transfer section must 60 not on the inner peripheral side of the annular stress relief portion 70 be provided. For example, in a plan view, the heat transfer section 60 and the stress release section 70 both formed in a rectangular shape and the heat transfer section 60 and the stress release section 70 are side by side on the first disk surface 22a intended. In addition, the heat transfer section 60 formed in an annular shape and the load release section 70 is on the inner peripheral side of the heat transfer section 60 intended.

Als Modifikation 4 kann der Container 71 des Belastungsentspannungsabschnitts 70 aus einem durchlässigen Körper wie einem Schwamm ausgebildet sein, anstelle aus einem Rohrelement ausgebildet zu sein. Mit dieser Konfiguration ist der Gaskörper 75 innerhalb des durchlässigen Körpers enthalten. In der fünften und sechsten Ausführungsform kann der Vertiefungsabschnitt 75 der elektronischen Komponente 20 mit einem Abdeckelement wie einem expandierbaren Folienelement abgedeckt sein. in der vorstehenden Konfiguration ist der Wärmeübertragungsabschnitt 60 durch das Abdeckelement in dem Vertiefungsabschnitt 25in Kontakt mit dem Gaskörper 80 und der Wärmeübertragungsabschnitt 60, auf den die thermische Belastung von dem Dichtharzkörper 50 ausgeübt wird, kann den Gaskörper 80 zusammen mit dem Abdeckelement komprimieren.As modification 4, the container 71 the load release section 70 be formed of a permeable body such as a sponge, instead of being formed of a tubular element. With this configuration is the gas body 75 contained within the permeable body. In the fifth and sixth embodiments, the recess portion 75 the electronic component 20 be covered with a cover element such as an expandable film element. in the above configuration, the heat transfer section 60 by the cover member in the recess portion 25 in contact with the gas body 80 and the heat transfer section 60 on which the thermal load of the sealing resin body 50 is exercised, can the gas body 80 compress together with the cover.

Als Modifikation 5 muss der Belastungsentspannungsabschnitt 70 nicht ringförmig sein. beispielsweise kann in der ersten Ausführungsform der Container 71 eine flache Form aufweisen, die sich entlang der ersten Plattenoberfläche 22a erstreckt. In der fünften und sechsten Ausführungsform kann der Vertiefungsabschnitt 25, der auf der ersten Plattenoberfläche 22a vorgesehen ist, eine rechtwinklige Form in einer Draufsicht aufweisen.As modification 5, the stress relief section must 70 not be annular. For example, in the first embodiment, the container 71 have a flat shape extending along the first plate surface 22a extends. In the fifth and sixth embodiments, the recess portion 25 that on the first disk surface 22a is intended to have a rectangular shape in a plan view.

Als Modifikation 6 können mehrere Belastungsentspannungsabschnitte 70 vorgesehen sein. Beispielsweise ist in der ersten Ausführungsform jeder von mehreren Containern 71 in Kontakt mit dem Wärmeübertragungsabschnitt 60 vorgesehen. In der fünften und sechsten Ausführungsform sind die Vertiefungsabschnitte 25 an Positionen beabstandet voneinander in der ersten Plattenoberfläche 22a vorgesehen. In der vorstehenden Konfiguration kann ebenso der Gaskörper 80, der in jedem der Vertiefungsabschnitte 25 vorgesehen ist, durch den Wärmeübertragungsabschnitt 60 in einem komprimierbaren Zustand sein. Ferner sind in der siebten und achten Ausführungsform die mehreren Container 71 in einem zueinander separierten Zustand vorgesehen und der Wärmeübertragungsabschnitt 60 und der Dichtharzkörper 50, die zwischen dem Wärmeableitungsabschnitt 90 und den Komponenten Hauptkörper 22 vorgesehen sind, sind in Kontakt miteinander durch die Separationsabschnitt zwischen den Containern 71.As the modification 6, a plurality of stress relief portions 70 be provided. For example, in the first embodiment, each of a plurality of containers 71 in contact with the heat transfer section 60 intended. In the fifth and sixth embodiments, the recess portions are 25 spaced apart at positions in the first disk surface 22a intended. In the above configuration, the gas body may also be 80 in each of the recessed sections 25 is provided through the heat transfer section 60 be in a compressible state. Further, in the seventh and eighth embodiments, the plurality of containers 71 provided in a mutually separated state and the heat transfer section 60 and the sealing resin body 50 between the heat dissipation section 90 and the components main body 22 are provided are in contact with each other through the separation section between the containers 71 ,

Als Modifikation 7 muss der Dichtharzkörper 50 kein Gießharzkörper sein, der durch Gießen geformt ist, sondern kann ein Formharzkörper sein, der Verwendung einer Formvorrichtung wie einer Form geformt wird.As modification 7, the sealing resin body 50 may not be cast resin body molded by casting, but may be a molded resin body molded using a molding apparatus such as a mold.

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • JP H10294404 A [0002]JP H10294404A [0002]

Claims (10)

Elektronische Vorrichtung, in der eine elektronische Komponente (20), die an einem Substrat (30) montiert ist, mit einem Dichtharzkörper (50) abgedichtet ist, wobei die elektronische Vorrichtung aufweist: einen Wärmeübertragungsabschnitt (60), der mit dem Dichtharzkörper abgedichtet ist, zwischen der elektronischen Komponente und dem Dichtharzkörper in einem Zustand angeordnet ist, in dem er in Kontakt mit sowohl der elektronischen Komponente als auch dem Dichtharzkörper ist, gemäß der Deformation des Dichtharzkörpers deformierbar ist und eine höhere thermische Leitfähigkeit als der Dichtharzkörper hat; und einen Belastungsentspannungsabschnitt (70, 80), der mit dem Dichtharzkörper abgedichtet ist, zwischen dem Wärmeübertragungsabschnitt und der elektronischen Komponente und/oder dem Dichtharzkörper in einem Zustand angeordnet ist, in dem er in Kontakt mit dem Wärmeübertragungsabschnitt ist, und eine Belastung entspannt, die auf die elektronische Komponente von dem Dichtharzkörper durch den Wärmeübertragungsabschnitt mit der Deformation des Dichtharzkörpers ausgeübt wird, wobei der Belastungsentspannungsabschnitt durch eine Belastung komprimiert wird, die von dem Dichtharzkörper auf den Belastungsentspannungsabschnitt durch den Wärmeübertragungsabschnitt ausgeübt wird, um eine Belastung zu reduzieren, die auf die elektronische Komponente von dem Wärmeübertragungsabschnitt ausgeübt wird.An electronic device in which an electronic component (20) mounted on a substrate (30) is sealed with a sealing resin body (50), the electronic device comprising: a heat transferring portion (60) sealed with the sealing resin body is disposed between the electronic component and the sealing resin body in a state of being in contact with both the electronic component and the sealing resin body, deformable according to the deformation of the sealing resin body, and has a higher thermal conductivity than the sealing resin body; and a load release portion (70, 80) sealed with the sealing resin body is disposed between the heat transfer portion and the electronic component and / or the sealing resin body in a state of being in contact with the heat transfer portion, and relieves a load on the electronic component is exerted by the sealing resin body through the heat transfer portion with the deformation of the sealing resin body, wherein the load release portion is compressed by a load exerted by the seal resin body on the load release portion through the heat transfer portion to reduce a load applied to the electronic component from the heat transfer portion. Elektronische Vorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei der Belastungsentspannungsabschnitt in Kontakt mit der elektronischen Komponente zusätzlich zum Wärmeübertragungsabschnitt ist.Electronic device according to Claim 1 wherein the stress release portion is in contact with the electronic component in addition to the heat transfer portion. Elektronische Vorrichtung gemäß Anspruch 2, wobei der Belastungsentspannungsabschnitt in Kontakt mit einer Außenoberfläche (22a) der elektronischen Komponente ist und sich entlang der Außenoberfläche erstreckt, um den Wärmeübertragungsabschnitt zu umgeben.Electronic device according to Claim 2 wherein the stress relief portion is in contact with an outer surface (22a) of the electronic component and extends along the outer surface to surround the heat transfer portion. Elektronische Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei der Wärmeübertragungsabschnitt in Kontakt mit einer nächstgelegenen Oberfläche (22a) ist, die am nächsten zu einer Außenoberfläche (51) des Dichtharzkörpers von Außenoberflächen (22a, 22b, 22c) der elektronischen Komponente ist.Electronic device according to one of Claims 1 to 3 wherein the heat transfer section is in contact with a proximal surface (22a) closest to an outer surface (51) of the sealing resin body from outer surfaces (22a, 22b, 22c) of the electronic component. Elektronische Vorrichtung gemäß Anspruch 4, wobei der Belastungsentspannungsabschnitt und der Wärmeübertragungsabschnitt Seite an Seite auf der nächsten Oberfläche vorgesehen sind.Electronic device according to Claim 4 wherein the stress relief portion and the heat transfer portion are provided side by side on the next surface. Elektronische Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, ferner aufweisend einen Wärmeableitungsabschnitt (90), der eine höhere thermische Leitfähigkeit als der Dichtharzkörper hat, in Kontakt mit dem Wärmeübertragungsabschnitt innerhalb des Dichtharzkörpers ist, und mindestens teilweise zu einer Außenseite von dem Dichtharzkörper zum Ableiten von Wärme des Wärmeübertragungsabschnitts hervorsteht.Electronic device according to one of Claims 1 to 5 further comprising a heat dissipation portion (90) having a higher thermal conductivity than the sealing resin body, in contact with the heat transfer portion within the sealing resin body, and at least partially protruding to an outside of the sealing resin body for dissipating heat of the heat transfer portion. Elektronische Vorrichtung gemäß Anspruch 6, wobei mindestens ein Teil des Belastungsentspannungsabschnitts zwischen der elektronischen Komponente und dem Wärmeableitungsabschnitt vorgesehen ist.Electronic device according to Claim 6 wherein at least a part of the stress relief portion is provided between the electronic component and the heat dissipation portion. Elektronische Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei der Belastungsentspannungsabschnitt in Kontakt mit dem Dichtharzkörper zusätzlich zum Wärmeübertragungsabschnitt ist.Electronic device according to one of Claims 1 to 7 wherein the stress release portion is in contact with the sealing resin body in addition to the heat transfer portion. Elektronische Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei der Belastungsentspannungsabschnitt einen Container (71), der vorgesehen ist, um durch Ausüben einer externen Kraft deformierbar zu sein, und einen Gaskörper (75) beinhaltet, der innerhalb des Containers abgedichtet ist.Electronic device according to one of Claims 1 to 8th wherein the stress relief portion includes a container (71) provided to be deformable by exerting an external force and a gas body (75) sealed within the container. Elektronische Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die elektronischen Komponente einen Vertiefungsabschnitt (25) aufweist, der von einer Außenoberfläche (22a) der elektronischen Komponente vertieft ist, und der Belastungsentspannungsabschnitt ein Gaskörper (80) ist, der innerhalb des Vertiefungsabschnitts abgedichtet ist.Electronic device according to one of Claims 1 to 7 wherein the electronic component has a recessed portion (25) recessed from an outer surface (22a) of the electronic component, and the stress relief portion is a gas body (80) sealed within the recessed portion.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62196352U (en) * 1986-06-02 1987-12-14
JPH0223640A (en) * 1988-07-13 1990-01-25 Hitachi Ltd Resin sealed type semiconductor device
JPH02129950A (en) * 1988-11-09 1990-05-18 Mitsubishi Electric Corp Resin-sealed semiconductor device
JPH04307760A (en) * 1991-04-04 1992-10-29 Mitsubishi Electric Corp Resin-sealed semiconductor device
US6333551B1 (en) * 2000-09-07 2001-12-25 International Business Machines Corporation Surface profiling in electronic packages for reducing thermally induced interfacial stresses
JP4086822B2 (en) * 2004-08-19 2008-05-14 富士通株式会社 HEAT CONDUCTIVE STRUCTURE AND METHOD FOR PRODUCING HEAT CONDUCTIVE STRUCTURE
JP2009149736A (en) * 2007-12-19 2009-07-09 Momentive Performance Materials Inc Heat-conductive silicone gel composition
JP6492935B2 (en) * 2015-04-27 2019-04-03 株式会社デンソー Controller-integrated rotating electrical machine
JP2017183677A (en) * 2016-03-31 2017-10-05 株式会社村田製作所 Circuit module and its manufacturing method

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