DE102019201534A1

DE102019201534A1 - Method for finding a leak

Info

Publication number: DE102019201534A1
Application number: DE102019201534.4A
Authority: DE
Inventors: Dieter Bader
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2019-02-07
Filing date: 2019-02-07
Publication date: 2019-03-28
Also published as: DE102020200233A1

Abstract

Ein Verfahren zur Suche eines Lecks (210) an einer Komponente (200) einer Lithographieanlage (100A, 100B), mit den Schritten: a) Druckbeaufschlagen (S1) der Komponente (200), b) Auftragen (S2) von Isopropanol auf die Komponente (200), und c) Bestimmen (S3) einer Position des Lecks (210) anhand von sich in dem Isopropanol bildenden Bläschen (216).A method of searching for a leak (210) on a component (200) of a lithography apparatus (100A, 100B), comprising the steps of: a) pressurizing (S1) the component (200), b) applying (S2) isopropanol to the component (200), and c) determining (S3) a position of the leak (210) based on bubbles forming in the isopropanol (216).

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Suche eines Lecks an einer Komponente einer Lithographieanlage.The present invention relates to a method for finding a leak on a component of a lithography system.

Die Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise, angewendet. Der Mikrolithographieprozess wird mit einer Lithographieanlage durchgeführt, welche ein Beleuchtungssystem und ein Projektionssystem aufweist. Das Bild einer mittels des Beleuchtungssystems beleuchteten Maske (Retikel) wird hierbei mittels des Projektionssystems auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionssystems angeordnetes Substrat, beispielsweise einen Siliziumwafer, projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen.Microlithography is used to fabricate microstructured devices such as integrated circuits. The microlithography process is performed with a lithography system having an illumination system and a projection system. The image of a mask (reticle) illuminated by means of the illumination system is projected onto a photosensitive layer (photoresist) coated in the image plane of the projection system substrate, for example a silicon wafer, by the projection system to the mask structure on the photosensitive coating of the substrate transferred to.

Getrieben durch das Streben nach immer kleineren Strukturen bei der Herstellung integrierter Schaltungen werden derzeit EUV-Lithographieanlagen entwickelt, welche Licht mit einer Wellenlänge im Bereich von 0,1 nm bis 30 nm, insbesondere 13,5 nm, verwenden. Bei solchen EUV-Lithographieanlagen müssen wegen der hohen Absorption der meisten Materialien von Licht dieser Wellenlänge reflektierende Optiken, das heißt Spiegel, anstelle von - wie bisher - brechenden Optiken, das heißt, Linsen, eingesetzt werden.Driven by the quest for ever smaller structures in the manufacture of integrated circuits, EUV lithography systems are currently being developed which use light with a wavelength in the range of 0.1 nm to 30 nm, in particular 13.5 nm. In such EUV lithography equipment, because of the high absorption of most materials of light of that wavelength, reflective optics, that is, mirrors, must be substituted for refractive optics, that is, lenses, as heretofore.

Eine wie zuvor erläuterte EUV-Lithographieanlage, umfasst Komponenten, die einen Kühlkreislauf, beispielsweise zum Kühlen der jeweiligen Komponente mit Wasser, oder einen Spülkreislauf, beispielsweise zum Spülen (Engl.: purging) der jeweiligen Komponente mit einem Spülgas, insbesondere mit einem Inertgas, aufweisen. Eine derartige Komponente kann beispielsweise eine sogenannte Aktuatoren-Sensor-Einheit sein, mit deren Hilfe Facetten eines Facettenspiegels, beispielsweise eines Feldfacettenspiegels oder eines Pupillenfacettenspiegels, ausgelenkt werden können. Bei der Fertigung einer derartigen Komponente ist es erforderlich, auch kleine Lecks, insbesondere mit einer Leckrate von bis zu 1*10^-6 mbar*l/s, ortsaufgelöst zu lokalisieren. Nur so ist eine gezielte Leckbeseitigung beziehungsweise Ursachenanalyse möglich.An EUV lithography system as explained above comprises components which have a cooling circuit, for example for cooling the respective component with water, or a flushing circuit, for example for purging the respective component with a flushing gas, in particular with an inert gas , Such a component may, for example, be a so-called actuator-sensor unit with the aid of which facets of a facet mirror, for example a field facet mirror or a pupil facet mirror, can be deflected. In the manufacture of such a component, it is necessary to localize even small leaks, in particular with a leakage rate of up to 1 * 10 ^-6 mbar * l / s, spatially resolved. Only in this way is a targeted elimination of the leak or root cause analysis possible.

Vor diesem Hintergrund besteht eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, ein verbessertes Verfahren zur Suche eines Lecks an einer Komponente einer Lithographieanlage bereitzustellen.Against this background, an object of the present invention is to provide an improved method for finding a leak on a component of a lithography system.

Demgemäß wird ein Verfahren zur Suche eines Lecks an einer Komponente einer Lithographieanlage vorgeschlagen. Das Verfahren umfasst die Schritte: a) Druckbeaufschlagen der Komponente, b) Auftragen von Isopropanol auf die Komponente, und c) Bestimmen einer Position des Lecks anhand von sich in dem Isopropanol bildenden Bläschen.Accordingly, a method for the search for a leak on a component of a lithography system is proposed. The method comprises the steps of: a) pressurizing the component, b) applying isopropanol to the component, and c) determining a position of the leak from vesicles forming in the isopropanol.

Dadurch, dass Isopropanol anstatt Wasser zum Bestimmen der Position des Lecks eingesetzt wird, ist ein Einsatz des Verfahrens unter Reinraumbedingungen möglich. Da Isopropanol im Vergleich zu Wasser eine geringere Oberflächenspannung aufweist, ist auch ein sehr kleines Leck, insbesondere mit einer Leckrate von bis zu 1*10^-6 mbar*l/s, positionsgenau nachweisbar.By using isopropanol instead of water to determine the position of the leak, it is possible to use the process under clean-room conditions. Since isopropanol has a lower surface tension compared to water, even a very small leak, in particular with a leak rate of up to 1 * 10 ^-6 mbar * l / s, can be detected with exact position.

Vor dem Durchführen des Verfahrens wird bevorzugt eine Leckrate der gesamten Komponente mit Hilfe eines Vakuumkessels bestimmt. Das Bestimmen der Position des Lecks anhand der der sich in dem Isopropanol bildenden Bläschen kann als Blasentest bezeichnet werden. Isopropanol weist die Summenformel C3H8O auf. Die Schritte a) und b) können nacheinander oder gleichzeitig durchgeführt werden, wobei der Schritt a) vor dem Schritt b) oder umgekehrt durchgeführt werden kann. Bevorzugt wird das Isopropanol auf die Komponente aufgetropft, wobei mit Hilfe eines Zählens der Bläschen und eines Erfassens eines Durchmessers der Bläschen die Leckrate des Lecks bestimmt werden kann. Es kann auch eine größere Menge Isopropanol, beispielsweise ein bis zwei Milliliter, auf die Komponente aufgebracht werden. Die Menge des benötigten Isopropanols richtet sich nach der Oberfläche und der Beschaffenheit der Komponente. Eine Bestimmung einer Leckgröße des Lecks in dem Schritt c) ist im Wesentlichen qualitativ. Before carrying out the method, a leakage rate of the entire component is preferably determined by means of a vacuum boiler. Determining the position of the leak from the bubbles forming in the isopropanol may be referred to as a bubble test. Isopropanol has the empirical formula C3H8O. The steps a) and b) can be carried out successively or simultaneously, wherein the step a) can be carried out before the step b) or vice versa. Preferably, the isopropanol is dropped onto the component, whereby the leak rate of the leak can be determined by means of counting the bubbles and detecting a diameter of the bubbles. It is also possible to apply a greater amount of isopropanol, for example one to two milliliters, to the component. The amount of isopropanol required depends on the surface and the nature of the component. A determination of a leak size of the leak in the step c) is substantially qualitative.

Gemäß einer Ausführungsform wird vor dem Schritt a) ein Gasnachweisverfahren, insbesondere ein Heliumnachweisverfahren, durchgeführt, um einen Bereich, in dem das Leck angeordnet ist, zu identifizieren.According to one embodiment, a gas detection method, in particular a helium detection method, is performed before step a) in order to identify a region in which the leak is arranged.

Insbesondere wird die gesamte Komponente vor dem Gasnachweisverfahren in einem Vakuumlecktest mit einem Vakuum beaufschlagt. Anschließend wird ein Kreislauf der Komponente, beispielsweise ein Kühlkreislauf oder ein Spülkreislauf, mit Helium gespült beziehungsweise es werden mehrere Druckstöße in einem vorbestimmten zeitlichen Abstand von mehreren Sekunden und einem Überdruck auf den Kreislauf gegeben, um mögliche Lecks von einer Permeation, beispielsweise einer zu untersuchenden Dichtung, zu unterscheiden. Insbesondere wird das Gasnachweisverfahren erst nach diesem Vakuumlecktest durchgeführt. Das Gasnachweisverfahren ist insbesondere ein sogenannter „Schnüffeltest“. Bei dem Gasnachweisverfahren wird mit Hilfe einer Sensoreinrichtung das im Falle des Vorhandenseins eines Lecks aus der Komponente austretende nachzuweisende Gas, beispielsweise Helium, erfasst. Die Sensoreinrichtung kann eine Sonde zum Aufnehmen des nachzuweisenden Gases und ein Massenspektrometer zum Nachweisen des Gases umfassen. Mit Hilfe des Gasnachweisverfahrens kann der Bereich ortsaufgelöst erfasst werden. Die exakte Position des Lecks lässt sich jedoch mit Hilfe des Gasnachweisverfahrens nicht bestimmen. Die genaue Bestimmung der Position des Lecks erfolgt dann mit Hilfe des Blasentests unter Einsatz des Isopropanols.In particular, the entire component is subjected to a vacuum before the gas detection method in a vacuum leak test. Subsequently, a circuit of the component, for example a cooling circuit or a rinsing circuit, is purged with helium or several pressure surges are given at a predetermined time interval of several seconds and an overpressure on the circuit to potential leaks of permeation, such as a seal to be examined to distinguish. In particular, the gas detection method is performed only after this vacuum leak test. The gas detection method is in particular a so-called "sniffing test". In the case of the gas detection method, the gas to be detected, for example helium, which escapes from the component in the event of the presence of a leak, is detected by means of a sensor device. The sensor device may be a probe for receiving the gas to be detected and a mass spectrometer for detecting the gas. With the help of the gas detection method, the area can be recorded spatially resolved. However, the exact position of the leak can not be determined using the gas detection method. The exact determination of the position of the leak is then carried out using the bubble test using isopropanol.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird in dem Schnitt b) das Isopropanol nur auf den Bereich aufgetragen.According to another embodiment, in the section b) the isopropanol is applied only to the area.

Hierdurch kann darauf verzichtet werden, die gesamte Komponente mit Isopropanol zu benetzen. Hierdurch kann Isopropanol eingespart werden. Bevorzugt wird das Isopropanol derart auf den Bereich aufgetropft, dass es den gesamten Bereich bedeckt.This eliminates the need to wet the entire component with isopropanol. As a result, isopropanol can be saved. Preferably, the isopropanol is dropped onto the area such that it covers the entire area.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird vor dem Gasnachweisverfahren an der Komponente ein Vakuumlecktest durchgeführt, um zu bestimmen, ob die Komponente leckbehaftet oder leckfrei ist.In another embodiment, a vacuum leak test is performed on the component prior to the gas detection process to determine if the component is leaking or leaking.

Der Vakuumlecktest wird, wie zuvor erwähnt, unter Vakuum durchgeführt, wobei nacheinander mehrere Druckstöße mit Helium auf den Kreislauf der Komponente gegeben werden. Unter „leckbehaftet“ ist zu verstehen, dass die Komponente eine zulässige Leckagerate überschreitet. Dementsprechend ist unter „leckfrei“ zu verstehen, dass die Komponente die zulässige Leckagerate unterschreitet. Der Vakuumlecktest liefert nur eine Aussage, ob ein Leck vorhanden ist oder nicht. Eine Positionsbestimmung des Lecks mit Hilfe des Vakuumtestverfahrens ist nicht möglich.The vacuum leak test is, as mentioned above, carried out under vacuum, successively adding several pressure surges with helium to the circuit of the component. By "leaking" is meant that the component exceeds an allowable leakage rate. Accordingly, "leak-free" means that the component falls below the permissible leakage rate. The vacuum leak test only provides information on whether a leak is present or not. It is not possible to determine the position of the leak using the vacuum test method.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird in dem Schritt a) ein Kreislauf, insbesondere ein Kühlkreislauf oder ein Spülkreislauf, der Komponente druckbeaufschlagt.According to a further embodiment, in step a), a circuit, in particular a cooling circuit or a rinsing circuit, pressurizes the component.

Hierzu wird bevorzugt Helium eingesetzt. Helium weist im Vergleich zu anderen Gasen eine sehr geringe Teilchengröße auf, so dass es auch durch kleinste Risse und Öffnungen treten kann. Es können jedoch auch andere geeignete Gase eingesetzt werden.For this purpose, helium is preferably used. Helium has a very small particle size compared to other gases, so that it can even through the smallest cracks and openings occur. However, other suitable gases may be used.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird in dem Schritt a) die Komponente mit einem Überdruck beaufschlagt.According to a further embodiment, in the step a), the component is subjected to an overpressure.

Der Überdruck kann beispielsweise 0,5 bar bis 1 bar betragen. Insbesondere weisen die Bläschen einen Durchmesser von 20 µm bis 40 µm auf. Je nach Leckrate können die Bläschen auch größer sein. Beispielsweise können die Bläschen einen Durchmesser von 80 µm aufweisen. Diese Größenangabe ist jedoch nur eine grobe Abschätzung. Bei einem Leck in Form eines Spalts mit 200 µm Breite weisen die aufsteigenden Bläschen im kleinsten Fall einen Durchmesser von 1/5 bis 1/10 der Breite des Spalts auf. Hiermit ergibt sich ein geschätzter Durchmesser der Bläschen von 20 µm bis 40 µm.The overpressure can be, for example, 0.5 bar to 1 bar. In particular, the bubbles have a diameter of 20 microns to 40 microns. Depending on the leak rate, the bubbles may be larger. For example, the bubbles may have a diameter of 80 microns. However, this size is only a rough estimate. In the case of a gap in the form of a gap with a width of 200 μm, the ascending bubbles in the smallest case have a diameter of 1/5 to 1/10 of the width of the gap. This results in an estimated bubble diameter of 20 μm to 40 μm.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird das Verfahren in einem Reinraum durchgeführt.According to a further embodiment, the method is carried out in a clean room.

Hierdurch ist es nicht erforderlich, den Fertigungsprozess der Komponente für die Lecksuche zu unterbrechen, wie dies bei der Verwendung einer anderen Flüssigkeit als Isopropanol erforderlich wäre.This eliminates the need to interrupt the manufacturing process of the leak detection component, as would be required with the use of a liquid other than isopropanol.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die Komponente ein erstes Bauteil, ein zweites Bauteil und eine zwischen dem ersten Bauteil und dem zweiten Bauteil angeordnete Schnittstelle auf, wobei mit Hilfe des Verfahrens die Schnittstelle auf das Leck untersucht wird.According to a further embodiment, the component has a first component, a second component and an interface arranged between the first component and the second component, wherein the interface is examined for the leak with the aid of the method.

Mit Hilfe des Verfahrens können jedoch auch die Bauteile selbst, beispielsweise auf Risse, überprüft werden.With the aid of the method, however, the components themselves, for example, for cracks, can be checked.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die Schnittstelle eine das erste Bauteil und das zweite Bauteil verbindende stoffschlüssige Verbindung oder eine das erste Bauteil gegenüber dem zweiten Bauteil abdichtende Dichtung.According to a further embodiment, the interface is a cohesive connection connecting the first component and the second component or a seal sealing the first component relative to the second component.

Bei stoffschlüssigen Verbindungen werden die Verbindungspartner durch atomare oder molekulare Kräfte zusammengehalten. Stoffschlüssige Verbindungen sind nicht lösbare Verbindungen, die sich nur durch Zerstörung der Verbindungsmittel und/oder der Verbindungspartner trennen lassen. Stoffschlüssig kann beispielsweise durch Kleben, Löten, Schweißen oder Vulkanisieren verbunden werden. Bevorzugt ist die stoffschlüssige Verbindung eine Lötstelle. Für den Fall, dass die Schnittstelle eine Lötstelle ist, kann das Leck durch einen Riss in der Lötstelle verursacht werden. Für den Fall, dass die Schnittstelle eine Dichtung ist, kann das Leck beispielsweise durch an einer Dichtfläche anhaftende Partikel verursacht werden.In cohesive connections, the connection partners are held together by atomic or molecular forces. Cohesive connections are non-detachable compounds that can only be separated by destroying the connection means and / or the connection partners. Cohesive can be connected for example by gluing, soldering, welding or vulcanization. Preferably, the cohesive connection is a solder joint. In the event that the interface is a solder joint, the leak can be caused by a crack in the solder joint. In the event that the interface is a seal, the leak can be caused for example by adhering to a sealing surface particles.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird vor oder in dem Schritt b) an der Komponente ein Werkzeug angebracht, das ein Ablaufen des Isopropanols von der Komponente verhindert.According to a further embodiment, a tool is attached to the component before or in step b), which prevents the isopropanol from draining off the component.

Mit Hilfe des Werkzeugs kann das Isopropanol an oder auf der Komponente aufgestaut werden. Das Werkzeug kann ringförmig oder zylinderförmig sein. Das Werkzeug kann jedoch auch jede beliebige andere an die Komponente angepasste Geometrie aufweisen. Das Werkzeug kann auch als Tooling bezeichnet werden. Beispielsweise wird das Werkzeug auf das zweite Bauteil aufgesteckt und ist auch wieder von diesem abziehbar.With the help of the tool, the isopropanol can be dammed on or on the component. The tool may be annular or cylindrical. However, the tool may also have any other geometry adapted to the component. The tool can also be called tooling. For example, the tool becomes attached to the second component and is also removable from this again.

„Ein“ ist vorliegend nicht zwingend als beschränkend auf genau ein Element zu verstehen. Vielmehr können auch mehrere Elemente, wie beispielsweise zwei, drei oder mehr, vorgesehen sein. Auch jedes andere hier verwendete Zählwort ist nicht dahingehend zu verstehen, dass eine Beschränkung auf genau die genannte Anzahl von Elementen gegeben ist. Vielmehr sind zahlenmäßige Abweichungen nach oben und nach unten möglich, soweit nichts Gegenteiliges angegeben ist.In the present case, "a" is not necessarily to be understood as restricting to exactly one element. Rather, several elements, such as two, three or more, may be provided. Also, any other count word used herein is not to be understood as being limited to just the stated number of elements. Rather, numerical deviations up and down are possible, unless stated otherwise.

Weitere mögliche Implementierungen der Erfindung umfassen auch nicht explizit genannte Kombinationen von zuvor oder im Folgenden bezüglich der Ausführungsbeispiele beschriebenen Merkmalen oder Ausführungsformen. Dabei wird der Fachmann auch Einzelaspekte als Verbesserungen oder Ergänzungen zu der jeweiligen Grundform der Erfindung hinzufügen.Further possible implementations of the invention also include not explicitly mentioned combinations of features or embodiments described above or below with regard to the exemplary embodiments. The skilled person will also add individual aspects as improvements or additions to the respective basic form of the invention.

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen und Aspekte der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche sowie der im Folgenden beschriebenen Ausführungsbeispiele der Erfindung. Im Weiteren wird die Erfindung anhand von bevorzugten Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die beigelegten Figuren näher erläutert.

1A zeigt eine schematische Ansicht einer Ausführungsform einer EUV-Lithographieanlage;
1B zeigt eine schematische Ansicht einer Ausführungsform einer DUV-Lithographieanlage;
2 zeigt eine schematische Aufsicht einer Komponente für die Lithographieanlage gemäß 1A oder 1B;
3 zeigt die Detailansicht III gemäß 2;
4 zeigt eine schematische Seitenansicht der Komponente gemäß 2;
5 zeigt eine weitere schematische Seitenansicht der Komponente gemäß 2; und
6 zeigt ein schematisches Blockdiagramm eines Verfahrens zur Suche eines Lecks an der Komponente gemäß 2.

Further advantageous embodiments and aspects of the invention are the subject of the dependent claims and the embodiments of the invention described below. Furthermore, the invention will be explained in more detail by means of preferred embodiments with reference to the attached figures.

1A shows a schematic view of an embodiment of an EUV lithography system;
1B shows a schematic view of an embodiment of a DUV lithography system;
2 shows a schematic plan view of a component for the lithographic system according to 1A or 1B ;
3 shows the detail view III according to 2 ;
4 shows a schematic side view of the component according to 2 ;
5 shows a further schematic side view of the component according to 2 ; and
6 shows a schematic block diagram of a method for finding a leak on the component according to 2 ,

In den Figuren sind gleiche oder funktionsgleiche Elemente mit denselben Bezugszeichen versehen worden, soweit nichts Gegenteiliges angegeben ist. Ferner sollte beachtet werden, dass die Darstellungen in den Figuren nicht notwendigerweise maßstabsgerecht sind.In the figures, the same or functionally identical elements have been given the same reference numerals, unless stated otherwise. It should also be noted that the illustrations in the figures are not necessarily to scale.

1A zeigt eine schematische Ansicht einer EUV-Lithographieanlage 100A, welche ein Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und ein Projektionssystem 104 umfasst. Dabei steht EUV für „extremes Ultraviolett“ (Engl.: extreme ultraviolet, EUV) und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 0,1 nm und 30 nm. Das Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und das Projektionssystem 104 sind jeweils in einem nicht gezeigten Vakuum-Gehäuse vorgesehen, wobei jedes Vakuum-Gehäuse mit Hilfe einer nicht dargestellten Evakuierungsvorrichtung evakuiert wird. Die Vakuum-Gehäuse sind von einem nicht dargestellten Maschinenraum umgeben, in welchem Antriebsvorrichtungen zum mechanischen Verfahren beziehungsweise Einstellen von optischen Elementen vorgesehen sind. Ferner können auch elektrische Steuerungen und dergleichen in diesem Maschinenraum vorgesehen sein. 1A shows a schematic view of an EUV lithography system 100A which is a beam shaping and illumination system 102 and a projection system 104 includes. EUV stands for "extreme ultraviolet" (English: extreme ultraviolet, EUV) and refers to a wavelength of working light between 0.1 nm and 30 nm. The beam shaping and illumination system 102 and the projection system 104 are each provided in a vacuum housing, not shown, wherein each vacuum housing is evacuated by means of an evacuation device, not shown. The vacuum housings are surrounded by a machine room, not shown, in which drive devices are provided for the mechanical method or adjustment of optical elements. Furthermore, electrical controls and the like may be provided in this engine room.

Die EUV-Lithographieanlage 100A weist eine EUV-Lichtquelle 106A auf. Als EUV-Lichtquelle 106A kann beispielsweise eine Plasmaquelle (oder ein Synchrotron) vorgesehen sein, welche Strahlung 108A im EUV-Bereich (extrem ultravioletter Bereich), also beispielsweise im Wellenlängenbereich von 5 nm bis 20 nm, aussendet. Im Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 wird die EUV-Strahlung 108A gebündelt und die gewünschte Betriebswellenlänge aus der EUV-Strahlung 108A herausgefiltert. Die von der EUV-Lichtquelle 106A erzeugte EUV-Strahlung 108A weist eine relativ niedrige Transmissivität durch Luft auf, weshalb die Strahlführungsräume im Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und im Projektionssystem 104 evakuiert sind.The EUV lithography system 100A has an EUV light source 106A on. As an EUV light source 106A For example, a plasma source (or a synchrotron) can be provided, which radiation 108A in the EUV range (extreme ultraviolet range), so for example in the wavelength range of 5 nm to 20 nm emits. In the beam-forming and lighting system 102 becomes the EUV radiation 108A bundled and the desired operating wavelength from the EUV radiation 108A filtered out. The from the EUV light source 106A generated EUV radiation 108A has a relatively low transmissivity by air, which is why the beam guiding spaces in the beam-forming and lighting system 102 and in the projection system 104 are evacuated.

Das in 1A dargestellte Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 weist fünf Spiegel 110, 112, 114, 116, 118 auf. Nach dem Durchgang durch das Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 wird die EUV-Strahlung 108A auf eine Photomaske (Engl.: reticle) 120 geleitet. Die Photomaske 120 ist ebenfalls als reflektives optisches Element ausgebildet und kann außerhalb der Systeme 102, 104 angeordnet sein. Weiter kann die EUV-Strahlung 108A mittels eines Spiegels 122 auf die Photomaske 120 gelenkt werden. Die Photomaske 120 weist eine Struktur auf, welche mittels des Projektionssystems 104 verkleinert auf einen Wafer 124 oder dergleichen abgebildet wird.This in 1A illustrated beam shaping and illumination system 102 has five mirrors 110 . 112 . 114 . 116 . 118 on. After passing through the beam shaping and lighting system 102 becomes the EUV radiation 108A on a photomask (English: reticle) 120 directed. The photomask 120 is also designed as a reflective optical element and can be outside the systems 102 . 104 be arranged. Next, the EUV radiation 108A by means of a mirror 122 on the photomask 120 be steered. The photomask 120 has a structure which, by means of the projection system 104 reduced to a wafer 124 or the like is mapped.

Das Projektionssystem 104 (auch als Projektionsobjektiv bezeichnet) weist sechs Spiegel M1 bis M6 zur Abbildung der Photomaske 120 auf den Wafer 124 auf. Dabei können einzelne Spiegel M1 bis M6 des Projektionssystems 104 symmetrisch zu einer optischen Achse 126 des Projektionssystems 104 angeordnet sein. Es sollte beachtet werden, dass die Anzahl der Spiegel M1 bis M6 der EUV-Lithographieanlage 100A nicht auf die dargestellte Anzahl beschränkt ist. Es können auch mehr oder weniger Spiegel M1 bis M6 vorgesehen sein. Des Weiteren sind die Spiegel M1 bis M6 in der Regel an ihrer Vorderseite zur Strahlformung gekrümmt.The projection system 104 (also called projection lens) has six mirrors M1 to M6 for imaging the photomask 120 on the wafer 124 on. It can single mirror M1 to M6 of the projection system 104 symmetrical to an optical axis 126 of the projection system 104 be arranged. It should be noted that the number of mirrors M1 to M6 the EUV lithography system 100A is not limited to the number shown. It can also be more or less mirror M1 to M6 be provided. Furthermore, the mirrors M1 to M6 usually curved at its front for beam shaping.

1B zeigt eine schematische Ansicht einer DUV-Lithographieanlage 100B, welche ein Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und ein Projektionssystem 104 umfasst. Dabei steht DUV für „tiefes Ultraviolett“ (Engl.: deep ultraviolet, DUV) und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 30 nm und 250 nm. Das Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und das Projektionssystem 104 können - wie bereits mit Bezug zu 1A beschrieben - in einem Vakuumgehäuse angeordnet und/oder von einem Maschinenraum mit entsprechenden Antriebsvorrichtungen umgeben sein. 1B shows a schematic view of a DUV lithography system 100B which is a beam shaping and illumination system 102 and a projection system 104 includes. DUV stands for "deep ultraviolet" (English: deep ultraviolet, DUV) and refers to a wavelength of working light between 30 nm and 250 nm. The beam shaping and illumination system 102 and the projection system 104 can - as already related to 1A described - arranged in a vacuum housing and / or surrounded by a machine room with corresponding drive devices.

Die DUV-Lithographieanlage 100B weist eine DUV-Lichtquelle 106B auf. Als DUV-Lichtquelle 106B kann beispielsweise ein ArF-Excimerlaser vorgesehen sein, welcher Strahlung 108B im DUV-Bereich bei beispielsweise 193 nm emittiert.The DUV lithography system 100B has a DUV light source 106B on. As a DUV light source 106B For example, an ArF excimer laser can be provided, which radiation 108B in the DUV range at, for example, 193 nm emitted.

Das in 1B dargestellte Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 leitet die DUV-Strahlung 108B auf eine Photomaske 120. Die Photomaske 120 ist als transmissives optisches Element ausgebildet und kann außerhalb der Systeme 102, 104 angeordnet sein. Die Photomaske 120 weist eine Struktur auf, welche mittels des Projektionssystems 104 verkleinert auf einen Wafer 124 oder dergleichen abgebildet wird.This in 1B illustrated beam shaping and illumination system 102 directs the DUV radiation 108B on a photomask 120 , The photomask 120 is designed as a transmissive optical element and can be outside the systems 102 . 104 be arranged. The photomask 120 has a structure which, by means of the projection system 104 reduced to a wafer 124 or the like is mapped.

Das Projektionssystem 104 weist mehrere Linsen 128 und/oder Spiegel 130 zur Abbildung der Photomaske 120 auf den Wafer 124 auf. Dabei können einzelne Linsen 128 und/oder Spiegel 130 des Projektionssystems 104 symmetrisch zu einer optischen Achse 126 des Projektionssystems 104 angeordnet sein. Es sollte beachtet werden, dass die Anzahl der Linsen 128 und Spiegel 130 der DUV-Lithographieanlage 100B nicht auf die dargestellte Anzahl beschränkt ist. Es können auch mehr oder weniger Linsen 128 und/oder Spiegel 130 vorgesehen sein. Des Weiteren sind die Spiegel 130 in der Regel an ihrer Vorderseite zur Strahlformung gekrümmt.The projection system 104 has several lenses 128 and / or mirrors 130 for imaging the photomask 120 on the wafer 124 on. This can be individual lenses 128 and / or mirrors 130 of the projection system 104 symmetrical to an optical axis 126 of the projection system 104 be arranged. It should be noted that the number of lenses 128 and mirrors 130 the DUV lithography system 100B is not limited to the number shown. There may also be more or fewer lenses 128 and / or mirrors 130 be provided. Furthermore, the mirrors 130 usually curved at its front for beam shaping.

Ein Luftspalt zwischen der letzten Linse 128 und dem Wafer 124 kann durch ein flüssiges Medium 132 ersetzt sein, welches einen Brechungsindex > 1 aufweist. An air gap between the last lens 128 and the wafer 124 can be through a liquid medium 132 be replaced, which has a refractive index> 1.

Das flüssige Medium 132 kann beispielsweise hochreines Wasser sein. Ein solcher Aufbau wird auch als Immersionslithographie bezeichnet und weist eine erhöhte photolithographische Auflösung auf. Das Medium 132 kann auch als Immersionsflüssigkeit bezeichnet werden.The liquid medium 132 can be, for example, high purity water. Such a structure is also referred to as immersion lithography and has an increased photolithographic resolution. The medium 132 can also be referred to as immersion liquid.

Eine wie zuvor erläuterte Lithographieanlage 100A, 100B, insbesondere eine EUV-Lithographieanlage 100A, umfasst Komponenten, die einen Kühlkreislauf, beispielsweise zum Kühlen der jeweiligen Komponente mit Wasser, oder einen Spülkreislauf, beispielsweise zum Spülen (Engl.: purging) der jeweiligen Komponente mit einem Spülgas, insbesondere mit einem Inertgas, aufweisen. Eine derartige Komponente kann beispielsweise eine sogenannte Aktuatoren-Sensor-Einheit sein, mit deren Hilfe Facetten eines Facettenspiegels, beispielsweise eines Feldfacettenspiegels oder eines Pupillenfacettenspiegels, ausgelenkt werden können. Bei der Fertigung einer derartigen Komponente ist es erforderlich, auch kleine Lecks, insbesondere mit einer Leckrate von bis zu 1*10^-6 mbar*l/s, ortsaufgelöst zu lokalisieren. Nur so ist eine gezielte Leckbeseitigung beziehungsweise Ursachenanalyse möglich.A lithography system as explained above 100A . 100B , in particular an EUV lithography system 100A , comprises components which have a cooling circuit, for example for cooling the respective component with water, or a rinsing cycle, for example for purging the respective component with a purge gas, in particular with an inert gas. Such a component may, for example, be a so-called actuator-sensor unit with the aid of which facets of a facet mirror, for example a field facet mirror or a pupil facet mirror, can be deflected. In the manufacture of such a component, it is necessary to localize even small leaks, in particular with a leakage rate of up to 1 * 10 ^-6 mbar * l / s, spatially resolved. Only in this way is a targeted elimination of the leak or root cause analysis possible.

2 zeigt eine stark vereinfachte Aufsicht einer Komponente 200 einer wie zuvor erläuterten EUV-Lithographieanlage 100A. Die 3 zeigt die Detailansicht III gemäß der 2. Die Komponente 200 kann jedoch auch Teil einer wie zuvor erläuterten DUV-Lithographieanlage 100B sein. Die Komponente 200 kann eine wie zuvor erläuterte Aktuatoren-Sensor-Einheit sein. Die Komponente 200 umfasst ein erstes Bauteil 202. Das erste Bauteil 202 kann beispielsweise ein Gehäuse der Komponente 200 sein. Die Komponente 200 umfasst ein zweites Bauteil 204. Das zweite Bauteil 204 kann beispielsweise eine Aktuatoreinheit sein, die geeignet ist, eine Facette eines Facettenspiegels auszulenken. Bevorzugt ist eine Vielzahl zweiter Bauteile 204 vorgesehen. Die Komponente 200 kann eine beliebige Anzahl an Bauteilen 202, 204 umfassen. Die Komponente 200 umfasst einen Kreislauf 206. Der Kreislauf 206 kann ein wie zuvor erwähnter Kühlkreislauf oder ein Spülkreislauf sein. Beispielsweise ist der Kreislauf 206 in dem ersten Bauteil 202 vorgesehen. Der Kreislauf 206 kann durch in dem ersten Bauteil 202 vorgesehene Kanäle gebildet werden. 2 shows a greatly simplified supervision of a component 200 an as previously explained EUV lithography system 100A , The 3 shows the detail view III according to the 2 , The component 200 However, it can also be part of a DUV lithography system as explained above 100B be. The component 200 may be an actuator-sensor unit as previously explained. The component 200 includes a first component 202 , The first component 202 For example, a housing of the component 200 be. The component 200 includes a second component 204 , The second component 204 For example, it may be an actuator unit capable of deflecting a facet of a facet mirror. Preferred is a plurality of second components 204 intended. The component 200 can be any number of components 202 . 204 include. The component 200 includes a cycle 206 , The circulation 206 may be a refrigeration cycle as mentioned above or a rinse cycle. For example, the cycle 206 in the first component 202 intended. The circulation 206 can through in the first component 202 provided channels are formed.

Zwischen dem ersten Bauteil 202 und dem zweiten Bauteil 204 ist eine Schnittstelle 208 vorgesehen. Die Schnittstelle 208 kann eine die Bauteile 202, 204 verbindende Lötstelle, eine die Bauteile 202, 204 gegeneinander abdichtende Dichtung oder dergleichen sein.Between the first component 202 and the second component 204 is an interface 208 intended. the interface 208 can one the components 202 . 204 connecting solder joint, one the components 202 . 204 against each other sealing gasket or the like.

4 zeigt eine schematische Seitenansicht der Komponente 200. Wie die 4 zeigt, kann die Komponente 200 neben dem ersten Bauteil 202 eine Vielzahl zweiter Bauteile 204 aufweisen, die zumindest teilweise in dem ersten Bauteil 202 aufgenommen sind. Die zweiten Bauteile 204 können matrixartig oder schachbrettartig angeordnet sein. 4 shows a schematic side view of the component 200 , As the 4 shows, the component 200 next to the first component 202 a variety of second components 204 at least partially in the first component 202 are included. The second components 204 can be arranged like a matrix or a checkerboard.

Leckagen können dabei an einer die zweiten Bauteile 204 in der Orientierung der 4 nach oben hin abschließenden Keramik, insbesondere einer Keramikplatte, wobei die Keramik Mikrorisse aufweisen kann, an einer Lötverbindung zwischen der Keramik und einem Titanring des zweiten Bauteils 204, wobei die Lötverbindung Spannungsrisse und/oder eine mangelnde Lötspaltfüllung aufweisen kann, an einer Schweißnaht zwischen dem Titanring und einem Kupfergrundkörper des zweiten Bauteils 204, wobei in der Schweißnaht Lunker und/oder Mikrokanäle auftreten können, an Dichtflächen des Kupfergrundkörpers, an einer Dichtung, die den Kupfergrundkörper gegenüber dem ersten Bauteil 202 abdichtet, wobei die Dichtung Defekte an ihrer Dichtfläche, Materialdefekte und/oder Fehler aufgrund ihrer Bearbeitung aufweisen kann, und/oder an einer Dichtfläche des ersten Bauteils 202 auftreten.Leaks can be at one of the second components 204 in the orientation of 4 to Top closing ceramics, in particular a ceramic plate, wherein the ceramic may have microcracks at a solder joint between the ceramic and a titanium ring of the second component 204 wherein the solder joint may have stress cracks and / or a lack of solder gap filling, at a weld between the titanium ring and a copper body of the second component 204 in which voids and / or microchannels may occur in the weld seam, on sealing surfaces of the copper base body, on a seal which seals the copper base body with respect to the first component 202 seals, wherein the seal may have defects on its sealing surface, material defects and / or errors due to their processing, and / or on a sealing surface of the first component 202 occur.

Ein Abstand zwischen zwei dieser zuvor erwähnten Dichtungen ist bevorzugt kleiner gleich 200 µm, so dass ein Bereich zwischen zwei Dichtungen sehr schwer zugänglich ist. Auch dieser Bereich wird mit Isopropanol bedeckt, um diesen zu untersuchen. Zu den zuvor genannten Fehlermöglichkeiten können noch Montagefehler hinzukommen, die ebenfalls lokalisiert werden können. Montagefehler können beispielsweise durch ein fehlerhaftes Einlegen der Dichtung oder durch sich auf einer der Dichtflächen befindende Partikel erzeugt werden.A distance between two of these aforementioned seals is preferably less than or equal to 200 microns, so that an area between two seals is very difficult to access. This area too is covered with isopropanol to study it. In addition to the above-mentioned possibilities of errors, mounting errors can be added which can also be localized. Assembly errors can be generated, for example, by incorrect insertion of the seal or by particles located on one of the sealing surfaces.

Wie die 4 weiterhin zeigt, wird das Isopropanol sehr großflächig mit einem großen Tropfen 214 auf die Komponente 200 aufgetragen. Der Tropfen 214 kann beispielsweise einen Durchmesser von 50 mm bis 60 mm aufweisen. Der Tropfen 214 bedeckt so mehrere zweite Komponenten 204 sowie zumindest teilweise die erste Komponente 202. Durch den großflächigen Auftrag des Isopropanols können auch Leckagen zwischen benachbarten zweiten Bauteilen 204 ermittelt werden.As the 4 Furthermore, shows the isopropanol very large area with a large drop 214 on the component 200 applied. The drop 214 may for example have a diameter of 50 mm to 60 mm. The drop 214 covered so several second components 204 and at least partially the first component 202 , The large-area application of isopropanol can also leak between adjacent second components 204 be determined.

5 zeigt eine weitere schematische Seitenansicht der Komponente 200. Wie die 5 zeigt, kann ein Werkzeug 218 eingesetzt werden, welches ein Ablaufen des Isopropanols von der Komponente 200 beziehungsweise von dem zu untersuchenden zweiten Bauteil 204 verhindert. Das Werkzeug 218, das auch als Tooling bezeichnet werden kann, ist auf das zu untersuchende zweite Bauteil 204 aufgesteckt und kann wieder von diesem abgezogen werden. Das Werkzeug 218 ist ringförmig oder zylinderförmig. Das Werkzeug 218 kann jedoch auch jede beliebige andere an die Komponente 200 oder an das zweite Bauteil 204 angepasste Geometrie aufweisen. 5 shows a further schematic side view of the component 200 , As the 5 shows, can be a tool 218 be used, which is a runoff of the isopropanol from the component 200 or of the second component to be examined 204 prevented. The tool 218 , which can also be referred to as tooling, is the second component to be examined 204 plugged in and can be deducted again from this. The tool 218 is annular or cylindrical. The tool 218 however, any other component may be used 200 or to the second component 204 have adapted geometry.

6 zeigt ein Verfahren zur Lecksuche an der Komponente 200. Zunächst wird die Komponente 200 mit einem integralen Lecktest unter Vakuum geprüft. Dieser integrale Lecktest entspricht dem einleitend erläuterten Vakuumlecktest. Dies kann in einem eingebauten Zustand der Komponente 200 erfolgen. Der Vakuumlecktest lässt eine Aussage zu, ob die Komponente 200 leckfrei ist oder nicht. Mit Hilfe des Vakuumlecktest lässt sich ferner eine Leckrate der gesamten Komponente 200 ermitteln. 6 shows a method of leak detection on the component 200 , First, the component 200 tested with an integral leak test under vacuum. This integral leak test corresponds to the vacuum leak test explained in the introduction. This may be in a built-in state of the component 200 respectively. The vacuum leak test gives an indication of whether the component 200 is leak-free or not. With the help of the vacuum leak test can be further a leakage rate of the entire component 200 determine.

Ist dieser Lecktest auffällig, das heißt, wenn die Komponente 200 nicht leckfrei ist, wird die Komponente 200 ausgebaut und mit Helium beaufschlagt. Mit Hilfe einer Sensoreinrichtung kann ein Gasnachweisverfahren, insbesondere ein sogenannter „Schnüffeltest“, durchgeführt werden. Als nachzuweisendes Gas kann, wie zuvor erwähnt, Helium verwendet werden. Hierzu wird mit Hilfe der Sensoreinrichtung erfasst, wo ein mit Hilfe des integralen Lecktests identifiziertes Leck 210 (3) ungefähr ist. Mit Hilfe des Schnüffeltests kann somit ein Bereich 212 (3) eingegrenzt werden, der das Leck 210 aufweist.Is this leak test conspicuous, that is, if the component 200 is not leaking, becomes the component 200 expanded and charged with helium. With the aid of a sensor device, a gas detection method, in particular a so-called "sniffing test", can be carried out. As the gas to be detected, as mentioned above, helium can be used. For this purpose, it is detected by means of the sensor device, where a leak identified by means of the integral leak test is detected 210 ( 3 ) is about. With the help of the sniffing test can thus an area 212 ( 3 ) that delimits the leak 210 having.

Nachfolgend wird ein Blasentest mit Isopropanol durchgeführt. Hierzu wird auf den mit Hilfe des Schnüffeltests ermittelten Bereich 212 Isopropanol aufgebracht. 3 zeigt einen Tropfen 214 Isopropanol, der den Bereich 212 bedeckt. Insbesondere kann der Tropfen 214 die Schnittstelle 208 und einen Teil der Bauteile 202, 204 überdecken. Hierbei wird die Komponente 200, insbesondere der Kreislauf 206, in einem Schritt S1 bevorzugt mit Helium oder beispielsweise mit Luft oder einem Inertgas, druckbeaufschlagt. Die Verwendung von Helium ist besonders vorteilhaft, da Helium aufgrund seiner geringen Teilchengröße auch durch geringste Risse und Öffnungen hindurchdringt. Nach oder vor dem Druckbeaufschlagen der Komponente 200 in einem Schritt S2 das Isopropanol auf die Komponente 200, insbesondere auf den Bereich 212 aufgetragen. In dem Tropfen 214 bilden sich über dem Leck 210 Bläschen 216, beispielsweise Heliumbläschen oder Luftbläschen. In einem Schritt S3 wird dann die Position des Lecks 210 anhand der sich in dem Isopropanol bildenden Bläschen 216 bestimmt. Unter guter Beleuchtung und/oder mit Hilfe einer Lupe sind die Bläschen 216 besonders gut zu erkennen.Subsequently, a bubble test is carried out with isopropanol. For this, the range determined using the sniff test is used 212 Isopropanol applied. 3 shows a drop 214 Isopropanol, which is the area 212 covered. In particular, the drop can 214 the interface 208 and part of the components 202 . 204 cover. Here, the component becomes 200 , especially the circulation 206 , in one step S1 preferably with helium or, for example, with air or an inert gas, pressurized. The use of helium is particularly advantageous because helium penetrates through even the smallest cracks and openings due to its small particle size. After or before pressurizing the component 200 in one step S2 the isopropanol on the component 200 , especially on the area 212 applied. In the drop 214 form over the leak 210 vesicle 216 For example, helium bubbles or air bubbles. In one step S3 then becomes the position of the leak 210 on the basis of the bubbles forming in the isopropanol 216 certainly. Under good lighting and / or with the help of a magnifying glass are the bubbles 216 particularly easy to recognize.

Es kann also anhand des Blasentests mit Isopropanol die Position des Lecks 210 in dem Bereich 212 bestimmt werden. Die Bläschen 216 können dabei einen Durchmesser von 20 µm bis 40 µm aufweisen. Der Durchmesser ist jedoch beliebig. Beispielsweise entsprechen bei einem Durchmesser von etwa 80 µm vier Bläschen pro Sekunde einem Leck 210 mit einer Leckrate von 1*10^-6 mbar*l/s. Durch die geringere Oberflächenspannung von Isopropanol im Vergleich zu Wasser können auch sehr kleine Lecks 210 exakt lokalisiert werden. Darüber hinaus kann Isopropanol im Vergleich zu Wasser auch im Reinraum eingesetzt werden. Ein großer Vorteil der Verwendung des Blasentests mit Isopropanol ist, dass die Position des Lecks 210 örtlich sehr gut eingegrenzt werden kann. Mit Hilfe des Blasentests mit Isopropanol können die Bauteile 202, 204 und die Schnittstelle 208 sehr genau untersucht werden. Somit können undichte Lötstellen, Risse in den Bauteilen 202, 204, Materialfehler, Partikel auf einer Dichtfläche der Schnittstelle 208 oder dergleichen einfach und kostengünstig detektiert werden.So it can be based on the bubble test with isopropanol, the position of the leak 210 in that area 212 be determined. The bubbles 216 can have a diameter of 20 microns to 40 microns. The diameter is however arbitrary. For example, with a diameter of about 80 microns four bubbles per second correspond to a leak 210 with a leak rate of 1 * 10 ^-6 mbar * l / s. Due to the lower surface tension of isopropanol compared to water can also be very small leaks 210 be located exactly. In addition, isopropanol can be used in the clean room compared to water. A big advantage of using the bubble test with isopropanol is that the position of the leak 210 locally very well can be limited. With the help of the bubble test with isopropanol, the components 202 . 204 and the interface 208 be examined very carefully. Thus, leaking solder joints, cracks in the components 202 . 204 , Material defects, particles on a sealing surface of the interface 208 or the like can be easily and inexpensively detected.

Obwohl die vorliegende Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen beschrieben wurde, ist sie vielfältig modifizierbar.Although the present invention has been described with reference to embodiments, it is variously modifiable.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

100A100A: EUV-LithographieanlageEUV lithography system
100B100B: DUV-LithographieanlageDUV lithography system
102102: Strahlformungs- und BeleuchtungssystemBeam shaping and lighting system
104104: Projektionssystemprojection system
106A106A: EUV-LichtquelleEUV-light source
106B106B: DUV-LichtquelleDUV light source
108A108A: EUV-StrahlungEUV radiation
108B108B: DUV-StrahlungDUV radiation
110110: Spiegelmirror
112112: Spiegelmirror
114114: Spiegelmirror
116116: Spiegelmirror
118118: Spiegelmirror
120120: Photomaskephotomask
122122: Spiegelmirror
124124: Waferwafer
126126: optische Achseoptical axis
128128: Linselens
130130: Spiegelmirror
132132: Mediummedium
200200: Komponentecomponent
202202: Bauteilcomponent
204204: Bauteilcomponent
206206: Kreislaufcirculation
208208: Schnittstelleinterface
210210: Leckleak
212212: BereichArea
214214: Tropfendrops
216216: Bläschenvesicle
218218: WerkzeugTool
M1M1: Spiegelmirror
M2M2: Spiegelmirror
M3M3: Spiegelmirror
M4M4: Spiegelmirror
M5M5: Spiegelmirror
M6M6: Spiegelmirror
S1S1: Schrittstep
S2S2: Schrittstep
S3S3: Schrittstep

Claims

A method of searching for a leak (210) on a component (200) of a lithography system (100A, 100B), comprising the steps of: a) pressurizing (S1) the component (200), b) applying (S2) isopropanol to the component (200), and c) determining (S3) a position of the leak (210) based on bubbles forming in the isopropanol (216).

Method according to Claim 1 wherein, prior to step a), a gas detection method, in particular a helium detection method, is performed to identify an area (212) in which the leak (210) is located.

Method according to Claim 2 , wherein in the section b) the isopropanol is applied only to the area (212).

Method according to Claim 2 or 3 wherein a vacuum leak test is performed on the component (200) prior to the gas detection process to determine if the component (200) is leaking or leaking.

Method according to one of Claims 1 - 4 , wherein in the step a) a circuit (206), in particular a cooling circuit or a rinsing cycle, the component (200) is pressurized.

Method according to one of Claims 1 - 5 , wherein in the step a), the component (200) is subjected to an overpressure.

Method according to one of Claims 1 - 6 in which the process is carried out in a clean room.

Method according to one of Claims 1 - 7 wherein the component (200) comprises a first component (202), a second component (204) and an interface (208) arranged between the first component (202) and the second component (204), and with the aid of the method Interface (208) to the leak (210) is examined.

Method according to Claim 8 wherein the interface (208) is a cohesive connection connecting the first component (202) and the second component (204) or a seal sealing the first component (202) from the second component (204).

Method according to one of Claims 1 - 9 in which a tool (218) is attached to the component (200) before or in the step b), which prevents the isopropanol from flowing out of the component (200).