DE102019201292A1 - Leistungselektronikanordnung für ein Fahrzeug, insbesondere ein Elektro- und/oder Hybridfahrzeug, sowie Verfahren zum Herstellen einer solchen Leistungselektronikanordnung - Google Patents

Leistungselektronikanordnung für ein Fahrzeug, insbesondere ein Elektro- und/oder Hybridfahrzeug, sowie Verfahren zum Herstellen einer solchen Leistungselektronikanordnung Download PDF

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Abstract

Leistungselektronikanordnung (10) für ein Fahrzeug, insbesondere für ein Elektro- und/oder Hybridfahrzeug, umfassend eine Leiterplatte (12), die eine Bestückungsseite (121) zum Aufbringen mehrerer Halbleiterbauelemente (14) aufweist, einen Kühlkörper (16) zum Abtransportieren von Wärme, die durch Betreiben der mehreren Halbleiterbauelemente (14) erzeugt wird, und eine Keramikbeschichtung (18), die zwischen der Leiterplatte (12) und dem Kühlkörper (16) wärmeleitend angeordnet ist.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Erfindung betrifft das Gebiet der Leistungselektronik für Fahrzeuge, insbesondere für Elektro- und/oder Hybridfahrzeuge.
  • TECHNISCHER HINTERGRUND
  • Die Verwendung von Leistungselektronikbauteilen bei Kraftfahrzeugen hat in den vergangenen Jahrzehnten stark zugenommen. Dies ist einerseits auf die Notwendigkeit, die Kraftstoffeinsparung und die Fahrzeugleistung zu verbessern, und andererseits auf die Fortschritte in der Halbleitertechnologie zurückzuführen. Typischerweise wird eine Leistungselektronik zum Ansteuern einer elektrischen Maschine, etwa eines Elektromotors oder eines Generators wie Fahrzeuganlasser, eingesetzt. Dabei werden hohe Ströme in die Spulen der elektrischen Maschine in einer geeigneten Reihenfolge geschaltet, um die elektrische Maschine mit Energie zu versorgen. Zu diesem Zweck werden beispielsweise Halbleiterleistungsschalter realisiert, in dem eine solche Leistungselektronik verbaut ist.
  • Aus dem Stand der Technik sind Leistungselektronikanordnungen hinreichend bekannt. Beispielsweise offenbart DE 10 2009 045 218 A1 eine Leistungselektronik-Baugruppe zum Ansteuern einer elektrischen Maschine. Die dortige Leistungselektronik-Baugruppe basiert auf einer Leiterplatte, die zwischen einem Paar bedruckter leitfähiger, Leiterbahnen umfassender Schichten eingeschoben ist. Eine Mehrzahl von Halbleiter-Leistungsschaltvorrichtungen sind an einer Bestückungsseite der Leiterplatte montiert und dienen als Steuergerät für den Strom, der von der elektrischen Maschine erzeugt oder dieser zugeführt wird.
  • Durch das Anlegen von hohen Strömen wird Wärme erzeugt, die die Leistungselektronik-Baugruppe und deren Umgebung stark erwärmen. Die dabei erreichten hohen Temperaturen können dazu führen, dass die in der Leistungselektronik-Baugruppe verbauten Halbleiterbauelemente in ihrer Funktionsweise beeinträchtigt werden. Beispielsweise können sich die elektronischen Eigenschaften der Halbleiterbauelemente aufgrund der Temperaturabhängigkeit der elektronischen Leitfähigkeit der verwendeten Halbleitermaterialien stark verändern.
  • Um dies zu vermeiden ist es erforderlich, die Leistungselektronik abzukühlen. In der oben erwähnten Druckschrift ist hierfür ein Gehäuse vorgesehen, auf dessen an eine der beiden leitfähigen Schichten anschließenden Endfläche die Leistungselektronik-Baugruppe angeordnet ist. Die Leistungselektronik-Baugruppe ist thermisch mit der Gehäuseendfläche mittels einer dünnen Schicht aus Wärmeleitpaste gekoppelt. Somit fungiert das Gehäuse gleichzeitig als Wärmesenke.
  • An den Kontaktflächen der Halbleiterbauelemente herrscht beim Betrieb der Leistungselektronik zur Ansteuerung ein elektrisches Potential, das mit der verwendeten Stromstärke zunimmt. Aus Sicherheitsgründen sind die Kontaktflächen der Halbleiterbauelemente daher vom Kühlkörper elektrisch zu isolieren. Aus diesem Grund sowie aus Gründen der Luft- und Kriechstrecken müssen die Abstände zwischen den Halbleiterbauelementen und dem Kühlkörper entsprechend groß gewählt werden.
  • Aus dem Stand der Technik sind diesbezügliche Lösungsvorschläge bekannt, die Schichtstärke bzw. Dicke der Wärmeleitpaste zu erhöhen. Diese Maßnahme wirkt sich jedoch negativ auf den Wärmeabtransport von den Halbleiterbauelementen zum Kühlkörper aus. Einerseits ist die Wirksamkeit der Wärmeabfuhr hierdurch begrenzt. Die gesamte Leistungselektronik kann daher nicht zufriedenstellend abgekühlt werden. Andererseits verschlechtern sich die Ungleichmäßigkeiten der thermischen Kopplung, die aufgrund lokaler Unterschiede in der mechanischen Anbindung zwischen den Halbleiterbauelementen und dem Kühlkörper auftreten. Es herrschen unterschiedliche Temperaturen in den Halbleiterbauelementen.
  • Damit einhergehend verschlechtern sich die Funktionalitäten der Halbleiterbauelemente und schließlich das Ansteuerverhalten der gesamten Leistungselektronik.
  • Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zu Grunde, eine Leistungselektronikanordnung bereitzustellen, bei der der Wärmeabtransport von den Halbleiterbauelementen bei zumindest gleichbleibender elektrischer Isolierung und Gleichmäßigkeit effizienter ist.
  • Diese Aufgabe wird gelöst durch eine Leistungselektronikanordnung und ein Verfahren zum Herstellen einer solchen Leistungselektronikanordnung gemäß den unabhängigen Ansprüchen.
  • Die Leistungselektronikanordnung ist beispielsweise Teil einer Steuerungselektronik zum Ansteuern einer elektrischen Maschine, beispielsweise eines Elektromotors oder eines Generators wie Fahrzeuganlasser. Die elektrische Maschine wird in einem Fahrzeug, insbesondere einem Elektrofahrzeug und/oder einem Hybridfahrzeug, verbaut, um das Fahrzeug mit elektrischer Energie zu versorgen und anzutreiben. Die Leistungselektronikanordnung dient beispielsweise zum Schalten von hohen Strömen, die von der elektrischen Maschine erzeugt oder dieser zugeführt werden.
  • Die Leiterplatte umfasst beispielsweise eine Platine, insbesondere eine Wechselrichterplatine. Auf der Bestückungsseite der Leiterplatte können die Halbleiterbauelemente aufgebracht werden. Bei diesen handelt es sich um elektronische Bauteile, die zumindest ein Halbleitermaterial aufweisen. Beispielsweise umfassen die Halbleiterbauelemente zumindest einen Feldeffekttransistor (Engl.: FET), insbesondere einen Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (Engl.: MOSFET), oder zumindest einen Bipolartransistor (Engl. BJT). Beim verwendeten Halbleitermaterial kann es sich um einen direkten Halbleiter wie Silizium oder einen indirekten Halbleiter wie Galliumarsenid (GaAs) handeln. Vorzugsweise umfasst die Leistungselektronikanordnung zumindest einen Teil der mehreren Halbleiterbauelemente.
  • Der Kühlkörper kann ein Gehäuse, insbesondere ein Metallgehäuse, vorzugsweise ein Aluminiumgehäuse aufweisen. Die Form und Abmessungen des Kühlkörpers sind dabei beliebig wählbar, sofern eine wirksame thermische Kopplung zwischen diesem und den Halbleiterbauelementen gewährleistet ist.
  • Die Keramikbeschichtung ist derart zwischen der Leiterplatte und dem Kühlkörper angeordnet, um die Wärmeleitung zwischen den Halbleiterbauelementen und dem Kühlkörper zu bewirken. Hierbei kann die Leiterplatte mittels einer Schraubverbindung und/oder eines Druckstempels auf die Keramikbeschichtung aufgebracht sein.
  • Aufgrund der hervorragenden Isolierungseigenschaften der Keramikbeschichtung ist eine hinreichende elektrische Isolierung zwischen den Halbleiterbauelementen und dem Kühlkörper gewährleistet. Dank der Verwendung der Keramikbeschichtung kann die Schichtstärke der Wärmeleitpaste deutlich reduziert werden bzw. von der Verwendung der Wärmeleitpaste gänzlich abgesehen werden. Im letzteren Fall können die Halbleiterbauelemente an ihren Rück- bzw. Kühlseiten auf der Keramikbeschichtung aufliegen. Hierdurch verbessert sich die thermische Kopplung zwischen den Halbleiterbauelementen und dem Kühlkörper. Die Wärmeabfuhr von den Halbleiterbauelementen zum Kühlkörper ist hierdurch wirksamer und effizienter.
  • Zusätzlich reduziert die verbesserte gesamte thermische Kopplung die lokalen Temperaturunterschiede zwischen den Halbleiterbauelementen. Bei den aus dem Stand der Technik bekannten Leistungselektronik-Baugruppen ist es insbesondere bei einer Parallelschaltung der Halbleiterbauelemente erforderlich, eine große Anzahl von Halbleiterbauelementen an die Leiterplatte anzubringen, um den mechanisch induzierten unterschiedlichen thermischen Widerstände entgegenzuwirken. Bei der vorliegenden Erfindung ist eine solche Maßnahme aufgrund der allgemein verbesserten thermischen Kopplung zwischen den Halbleiterbauelementen und dem Kühlkörper entbehrlich. Die Anzahl der angebrachten, insbesondere parallelgeschalteten Halbleiterbauelemente kann stark reduziert werden. Neben vereinfachtem Aufbau ist die Leistungselektronik hierdurch kostengünstiger herstellbar.
  • Hierbei kann der Schichtaufbau derart gewählt sein, dass die Bestückungsseite der Leiterplatte zur Keramikbeschichtung hin ausgerichtet ist. Somit befinden sich die Halbleiterbauelemente und die Keramikbeschichtung auf derselben Seite der Leiterplatte, nämlich der Bestückungsseite. Dies ist besonders vorteilhaft, da die thermische Kopplung zwischen der Keramikbeschichtung und den Halbleiterbauelementen aufgrund der reduzierten Abstände weiter verbessert ist. Die Keramikbeschichtung oder die Wärmeleitpaste, die beispielsweise zwischen der Keramikbeschichtung und den Halbleiterbauelementen angeordnet ist, kann an einer Kühlfläche der jeweiligen Halbleiterbauelemente aufgebracht sein.
  • Alternativ kann der Schichtaufbau derart gewählt sein, dass die eine von der Bestückungsseite gegenüberliegenden Seite der Leiterplatte, beispielsweise die Lötseite, zur Keramikbeschichtung hin ausgerichtet ist.
  • Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen sind in den Unteransprüchen angegeben.
  • Gemäß einer Ausführungsform ist die Keramikbeschichtung per Aufspritzen hergestellt.
  • Auf diese Weise ist die Keramikbeschichtung einfach auf den Kühlkörper, insbesondere auf das Metall- bzw. Alluminiumgehäuse, aufbringbar. Die Herstellungskosten der Leistungselektronikanordnung werden hierdurch gesenkt.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die Keramikbeschichtung eine Sichtstärke in einem Bereich von 1 µm bis 300 µm auf.
  • Bei einer Schichtstärke in einem ersten Bereich von 1 µm bis 150 µm ist die Leistungselektronikanordnung besonders geeignet für 48V-Anwendungen, d.h. Anwendungen in Elektro- und/oder Hybridfahrzeugen mit einer Betriebsspannung von 48 Volt. Ein Beispiel hierfür sind 48V-Wechselrichter. Bei einer Schichtstärke in einem zweiten Bereich von 150 µm bis 300 µm ist die Leistungselektronikanordnung besonders geeignet für Hochvoltanwendungen, insbesondere in Elektro- und/oder Hybridfahrzeugen mit einer Betriebsspannung von 400 Volt oder 800 Volt.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst die Leistungselektronikanordnung eine Wärmeleitpaste, die zwischen der Keramikbeschichtung und der Leiterplatte, insbesondere zwischen der Keramikbeschichtung und der Kühlfläche der Halbleiterbauelemente, angeordnet ist.
  • Für den Fall, dass die Lötseite der Leiterplatte zur Keramikbeschichtung hin ausgerichtet ist, ist die Wärmeleitpaste thermisch über die Leiterplatte mit den Halbleiterbauelementen gekoppelt. Für den Fall, dass die Bestückungsseite der Leiterplatte zur Keramikbeschichtung hin ausgerichtet ist, ist die Wärmeleitpaste thermisch direkt mit den Halbleiterbauelementen an deren Kühlflächen gekoppelt.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die Wärmeleitpaste eine Dicke in einem Bereich von 100 bis 250 µm auf.
  • Bei den aus dem Stand der Technik bekannten Leistungselektroniksystemen, die keine erfindungsgemäße Keramikbeschichtung aufweisen, ist eine Dicke der Wärmeleitpaste von 500 bis 600 µm erforderlich. Vorteilhafterweise ist erfindungsgemäß die Dicke der Wärmeleitpaste im Vergleich zu den aus dem Stand der Technik bekannten Leistungselektroniksystemen bei verbesserter elektrischer Isolierung reduziert.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst der Kühlkörper ein Metallprofil, insbesondere ein Aluminiumprofil, welches in ein separates Gehäuse integrierbar ist.
  • Das Gehäuse fungiert in diesem Fall als Kühlkreislaufabdeckung, die gleichzeitig mehrere Kühlkörper und somit mehrere Leistungselektronikanordnungen aufnehmen kann. Vorteilhafterweise ist hierdurch eine einzige Kühlquelle für eine Vielzahl von Leistungselektronikanordnungen realisiert.
  • Ausführungsformen werden nun beispielhaft und unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben. Es zeigen:
    • 1 eine schematische Darstellung einer Leistungselektronikanordnung gemäß einer Ausgestaltung;
    • 2 eine vergrößerte schematische Darstellung eines Halbleiterbauelementes der Leistungselektronikanordnung aus 1; und
    • 3 eine schematische Darstellung eines Verfahrens zum Herstellen der Leistungselektronikanordnung aus 1.
  • In den Figuren beziehen sich gleiche Bezugszeichen auf gleiche oder funktionsähnliche Bezugsteile. In den einzelnen Figuren sind die jeweils relevanten Bezugsteile gekennzeichnet.
  • 1 zeigt eine schematische Darstellung einer Leistungselektronikanordnung 10. Die Leistungselektronikanordnung 10 dient zur Anwendung in einem Fahrzeug, insbesondere einem Elektro- und/oder Hybridfahrzeug. Beispielsweise wird die Leistungselektronikanordnung als Steuerelektronik zur Ansteuerung einer elektrischen Maschine wie Elektromotor oder Generator eingesetzt. Die Leistungselektronikanordnung 10 weist einen Schichtaufbau auf, in dem eine Leiterplatte 12 in der Zeichenebene oben angeordnet ist. Die Leiterplatte 12 ist vorzugsweise eine Platine, insbesondere eine Wechselrichterplatine. Die Leiterplatte 12 weist eine Bestückungsseite 121 auf, auf der eine Mehrzahl von Halbleiterbauelementen 14 angebracht sind. Die Leiterplatte 12 weist mehrere Leiterbahnen auf (nicht gezeigt), mit denen die Halbleiterbauelemente 14 bzw. deren Elektroden über auf einer der Bestückungsseite 121 gegenüberliegenden Lötseite 122 der Leiterplatte 12 aufgebrachte Lötverbindungen (nicht gezeigt) elektrisch kontaktiert sind. Die Halbleiterbauelemente 14 weisen jeweils eine Kühlfläche 141 auf, die in der vergrößerten Ansicht in 2 gezeigt ist.
  • Der Schichtaufbau umfasst ferner einen Kühlkörper 16, der im hier gezeigten Beispiel als Aluminiumgehäuse ausgebildet ist. Zur thermischen Kopplung zwischen den Halbleiterbauelementen 14 und dem Kühlkörper 16 dienen eine Wärmeleitpaste 22 und eine Keramikbeschichtung 18. Die Wärmeleitpaste 22 ist derart angeordnet, dass sie die Halbleiterbauelemente 14 an ihren Kühlflächen 141 beaufschlagt. Die Keramikbeschichtung 18 ist zwischen der Wärmeleitpaste 22 und dem Kühlkörper 16 angeordnet, sodass sie auf einer Oberseite 161 des Kühlkörpers 16 aufliegt.
  • 2 zeigt eine schematische Darstellung eines der Halbleiterbauelemente 14 der Leistungselektronikanordnung 10 aus 1. Hier ist das Halbleiterelement 14 beispielhaft als ein Metal-Oxide-Semiconductor-Fieldeffecttransistor (Engl.: MOSFET) gezeigt, was für die vorliegende Erfindung jedoch nicht einschränkend ist.
  • 3 zeigt schematisch ein Blockschaltdiagramm für ein Verfahren 100 zum Herstellen der Leistungselektronikanordnung 10 aus 1. Das Verfahren 100 umfasst einen ersten Schritt S1, in dem eine Leiterplatte 12 bereitgestellt wird, die eine Bestückungsseite 121 zum Aufbringen mehrerer Halbleiterbauelemente 14 aufweist. Das Verfahren 100 umfasst ferner einen zweiten Schritt S2, in dem ein Kühlkörpers 16 zum Abtransportieren von Wärme bereitgestellt wird, die durch Betreiben der mehreren Halbleiterbauelemente 14 erzeugt wird. Das Verfahren umfasst außerdem einen dritten Schritt S3, in dem eine Keramikbeschichtung 18 wärmeleitend zwischen der Leiterplatte 12 und dem Kühlkörper 16 angeordnet wird.
  • Gegenüber den aus dem Stand der Technik bekannten Leistungselektroniksystemen ist die vorliegende Erfindung hinsichtlich Wärmeleitungseffizienz verbessert, wie hierunter am in 1 gezeigten Beispiel näher erläutert wird.
  • Aus dem Stand der Technik ist bekannt, dass sich bei der Bestückung von einer Vielzahl von Halbleiterbauelementen durch den Lötvorgang und Bauteiltoleranzen unterschiedliche Höhen ergeben. Dies ist insbesondere dann der Fall, wenn der Schichtaufbau derart gewählt ist (1), dass die Bestückungsseite der Leiterplatte zur Keramikbeschichtung hin ausgerichtet ist. Diese Toleranzen liegen typischerweise bei ca. 100-200 µm. Diese Toleranzen müssen bei der Wahl der Wärmeleitpasten/Folie-Spaltstärke berücksichtigt werden, sodass es zu keiner Berührung der Kontaktflächen der Halbleiterbauelemente mit dem Kühlkörper kommt. Zusätzlich müssen die Luft- und Kriechstrecken berücksichtigt werden.
  • Bei einer großen Anzahl von Halbleiterbauelementen (z.B. 12, 18, 24, 30, 36, 48), was beim Einsatz in B6-Brücken-Wechselrichtern beispielsweise der Fall ist, besteht nach dem Stand der Technik das Problem, dass die Anpresskraft der Halbleiterbauelemente zum Kühlkörper stark variieren kann. Dies liegt daran, dass sich fertigungstechnisch nicht an jedem Halbleiter eine Schraubverbindung zum Befestigen der Leiterplatte am Kühlkörper realisieren lässt. Diejenigen Halbleiterbauelemente, die sich vergleichsweise näher zu einer Schraubverbindung befinden, sind folglich thermisch besser zum Kühlkörper gekoppelt. Das Hauptproblem dieses Aufbaus sind die unterschiedlich großen Toleranzen von Halbleiterkontaktflächen zum Kühlkörper. Dadurch ergeben sich unterschiedliche Temperaturen der Halbleiterbauelemente. Um diesen Temperaturunterschieden entgegenzuwirken wird die Anzahl der Halbleiterbauelemente insbesondere bei Parallelschaltung erhöht. Dies führt zu einem komplexen und kostspieligen Aufbau.
  • Mit Hilfe der erfindungsgemäßen Keramikbeschichtung verbessert sich die thermische Kopplung zwischen den Halbleiterbauelementen und dem Kühlkörper. Dies führt dazu, dass die Temperaturunterschiede reduziert werden. Vorteilhafterweise kann die Anzahl der parallelgeschalteten Halbleiterbauelemente deutlich reduziert werden. Der Aufbau der Leistungselektronikanordnung ist hierdurch vereinfacht, sodass die Herstellung kostengünstiger ist.
  • Bezugszeichenliste
    • 10
    Leistungselektronikanordnung
    12
    Leiterplatte
    121
    Bestückungsseite
    122
    Lötseite
    14
    Halbleiterelemente
    141
    Kühlfläche
    16
    Kühlkörper
    161
    Oberseite
    18
    Keramikbeschichtung
    22
    Wärmeleitpaste
    100
    Verfahren
    S1 bis S4
    Verfahrensschritte
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • DE 102009045218 A1 [0003]

Claims (12)

  1. Leistungselektronikanordnung (10) für ein Fahrzeug, insbesondere für ein Elektro- und/oder Hybridfahrzeug, umfassend: - eine Leiterplatte (12), die eine Bestückungsseite (121) zum Aufbringen mehrerer Halbleiterbauelemente (14) aufweist; - einen Kühlkörper (16) zum Abtransportieren von Wärme, die durch Betreiben der mehreren Halbleiterbauelemente (14) erzeugt wird; und - eine Keramikbeschichtung (18), die zwischen der Leiterplatte (12) und dem Kühlkörper (16) wärmeleitend angeordnet ist.
  2. Leistungselektronikanordnung (10) nach Anspruch 1, wobei die Keramikbeschichtung (18) per Aufspritzen hergestellt ist.
  3. Leistungselektronikanordnung (10) nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Keramikbeschichtung (18) eine Schichtstärke in einem Bereich von 1 µm bis 300 µm aufweist.
  4. Leistungselektronikanordnung (10) nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Keramikbeschichtung (18) der Bestückungsseite (121) der Leiterplatte (12) zugewandt angeordnet ist.
  5. Leistungselektronikanordnung (10) nach Anspruch 4, wobei die Keramikbeschichtung (18) eine Kühlfläche (141) der mehreren Halbleiterbauelemente (14) wärmeleitend beaufschlagt.
  6. Leistungselektronikanordnung (10) nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Leiterplatte (12) mittels einer Schraubverbindung und/oder eines Druckstempels auf die Keramikbeschichtung (18) aufgebracht ist.
  7. Leistungselektronikanordnung (10) nach einem der vorangehenden Ansprüche, weiter umfassend eine Wärmeleitpaste (22), die zwischen der Keramikbeschichtung (18) und der Leiterplatte (12) angeordnet ist.
  8. Leistungselektronikanordnung (10) nach Anspruch 7, wobei die Wärmeleitpaste (22) eine Dicke in einem Bereich von 100 bis 250 µm aufweist.
  9. Leistungselektronikanordnung (10) nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Leistungselektronikanordnung (10) in einem Wechselrichter, insbesondere einem 48V-Wechselrichter, integrierbar.
  10. Leistungselektronikanordnung (10) nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Leistungselektronikanordnung (10) für Hochvoltanwendungen verwendbar ist.
  11. Leistungselektronikanordnung (10) nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Leistungselektronikanordnung (10) die mehreren Halbleiterbauelemente (14) umfasst.
  12. Verfahren (100) zum Herstellen einer Leistungselektronikanordnung (10) für ein Fahrzeug, insbesondere für ein Elektro- und/oder Hybridfahrzeug, umfassend: - Bereitstellen einer Leiterplatte (12), die eine Bestückungsseite (121) zum Aufbringen mehrerer Halbleiterbauelemente (14) aufweist; - Bereitstellen eines Kühlkörpers (16) zum Abtransportieren von Wärme, die durch Betreiben der mehreren Halbleiterbauelemente (14) erzeugt wird; und - wärmeleitendes Anordnen einer Keramikbeschichtung (18) zwischen der Leiterplatte (12) und dem Kühlkörper (16).
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