DE102019133954A1 - Arrangement for filtering disturbances - Google Patents
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Abstract
Der Erfindung, welche eine Anordnung (1) zur Filterung von Störungen betrifft, liegt die Aufgabe zugrunde, eine Anordnung (1) anzugeben, womit Störungen bedingt durch einen Schaltvorgang eines Leistungs-Halbleiterschalters (5) reduziert werden, womit die elektromagnetische Störausstrahlung (EMV) und Schaltverluste der Leistungs-Halbleiterschalter (5) reduziert werden. Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, dass mindestens ein Filterelement (3) auf einer zusätzlichen Platine (10) angeordnet ist, dass auf der zusätzlichen Platine (10), mit dem Filterelement (3) elektrisch leitend verbunden, Federelemente (13) angeordnet sind, dass die zusätzliche Platine (10) mit den Federelementen (13) derart gegenüber den Anschlussdrähten (7) mindestens zweier Leistungs-Halbleiterschalter (5) angeordnet ist, dass das mindestens eine Filterelement (3) über die Federelemente (13) mindestens einen Anschlussdraht (7) jedes Leistungs-Halbleiterschalters (5) kontaktiert.The invention, which relates to an arrangement (1) for filtering interference, is based on the object of specifying an arrangement (1) with which interference caused by a switching operation of a power semiconductor switch (5) is reduced, thus reducing electromagnetic interference (EMC). and switching losses of the power semiconductor switches (5) are reduced. This object is achieved in that at least one filter element (3) is arranged on an additional circuit board (10) that spring elements (13) are arranged on the additional circuit board (10), which is electrically conductively connected to the filter element (3), that the additional circuit board (10) with the spring elements (13) is arranged opposite the connecting wires (7) of at least two power semiconductor switches (5) in such a way that the at least one filter element (3) via the spring elements (13) has at least one connecting wire (7) each power semiconductor switch (5) contacted.
Description
Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur Filterung von Störungen, welche mindestens ein Filterelement aufweist, wobei das Filterelement mit mindestens einem Anschlussdraht eines Leistungs-Halbleiterschalters verbunden ist.The invention relates to an arrangement for filtering interference, which has at least one filter element, the filter element being connected to at least one connecting wire of a power semiconductor switch.
Aus dem Stand der Technik ist es bekannt, in elektrischen Geräten elektrische Schalter beziehungsweise Halbleiterschalter einzusetzen, um beispielsweise Spannungen für Bauteile oder Baugruppen zuzuschalten beziehungsweise abzuschalten. Ein derartiges elektrisches Gerät kann beispielsweise ein Inverter für einen elektrischen Kältemittelverdichter in einem Fahrzeug sein. Werden derartige elektrische Geräte mit größeren Strömen, beispielsweise im Bereich von mehr als 1,00 Ampere versorgt, kommen Leistungs-Halbleiterschalter zum Einsatz.It is known from the prior art to use electrical switches or semiconductor switches in electrical devices in order, for example, to switch on or switch off voltages for components or assemblies. Such an electrical device can be, for example, an inverter for an electrical refrigerant compressor in a vehicle. If such electrical devices are supplied with larger currents, for example in the range of more than 1.00 amperes, power semiconductor switches are used.
Sogenannte parasitäre Induktivitäten derartiger Leistungs-Halbleiterschalter, wie beispielsweise IGBTs bzw. MOSFETs, verursachen bei einem Schaltvorgang eines Leistungs-Halbleiterschalters störende Schwingungen, insbesondere im Zusammenwirken mit parasitären Kapazitäten. Derartige Induktivitäten werden durch die Anschlussdrähte der Leistungs-Halbleiterschalter gebildet, wenn diese beispielsweise in einer Gehäuseform TO-247 ausgeführt werden.So-called parasitic inductances of such power semiconductor switches, such as, for example, IGBTs or MOSFETs, cause disruptive oscillations when a power semiconductor switch is switched, in particular in conjunction with parasitic capacitances. Such inductances are formed by the connecting wires of the power semiconductor switches if they are implemented, for example, in a TO-247 housing.
Messungen zeigen, dass insbesondere bei Schaltvorgängen der Leistungs-Halbleiterschalter Spannungen induziert und derart Störungen verursacht werden. Derartige Störungen wirken sich beispielsweise auf die sogenannte elektromagnetische Verträglichkeit (EMV) aus, welche die Eigenschaft eines Geräts oder einer Baugruppe beschreibt, andere Geräte durch ungewollte elektrische oder elektromagnetische Effekte, wie die bei einem Schaltvorgang entstehenden Schwingungen zu stören. Hierbei sind Schaltvorgänge gemeint, welche zu einem sich zeitlich verändernden Strom führen.Measurements show that voltages are induced, in particular during switching operations of the power semiconductor switches, and such disturbances are caused. Such disturbances have an effect, for example, on what is known as electromagnetic compatibility (EMC), which describes the property of a device or assembly to disrupt other devices through undesired electrical or electromagnetic effects, such as the vibrations that occur during a switching process. Switching processes are meant here which lead to a current that changes over time.
Somit besteht grundsätzlich die Aufgabe, derartige Störungen herauszufiltern, um die elektromagnetische Verträglichkeit zu verbessern.The basic task is therefore to filter out such interference in order to improve the electromagnetic compatibility.
Außerdem muss durch die Entstehung derartiger Störungen und Überspannungen eine Durchbruchspannung für die Leistungs-Halbleiterschalter gewählt werden, welche ausreichend groß ist, um eine sichere Funktionsweise der Leistungs-Halbleiterschalter zu gewährleisten.In addition, due to the occurrence of such disturbances and overvoltages, a breakdown voltage must be selected for the power semiconductor switches which is sufficiently large to ensure that the power semiconductor switches function reliably.
Zur Reduzierung derartiger Überspannungen, kann es vorgesehen werden, dass der Schaltvorgang des Leistungs-Halbleiterschalters langsamer erfolgt. Dies hat aber höhere Verluste zur Folge, wobei der Wirkungsgrad des Geräts beziehungsweise der Baugruppe sinkt und eine größere Wärmeentwicklung entsteht. Diese größere Wärmeentwicklung verursacht einen gesteigerten Bedarf an einer geeigneten Kühlung der Leistungs-Halbleiterschalter.To reduce such overvoltages, it can be provided that the switching process of the power semiconductor switch takes place more slowly. However, this results in higher losses, with the efficiency of the device or the assembly falling and a greater amount of heat being generated. This greater heat development causes an increased need for suitable cooling of the power semiconductor switches.
Bekannt ist es daher, beispielsweise auf einer Leiterplatte, auf welcher die Leistungs-Halbleiterschalter angeordnet sind, Filterelemente wie Kondensatoren beziehungsweise RC-Filter anzuordnen, um die entstehenden störenden Schwingungen zu vermindern.It is therefore known to arrange filter elements such as capacitors or RC filters, for example on a circuit board on which the power semiconductor switches are arranged, in order to reduce the disturbing vibrations that arise.
Aus der WO 2010/ 136257 ist eine Überspannungsschutzvorrichtung für Wechselrichter mit einem eingangsseitigen EMV-Filter bekannt. Die Aufgabe besteht darin, eine Überspannungsschutzvorrichtung für einen Wechselrichter zur Einspeisung von elektrischer Energie von einer Gleichspannungsquelle in ein Wechselstromnetz bereitzustellen, mit dem alle elektronischen und elektrischen Bestandteile des Wechselrichters effektiv und kosteneffizient vor transienten Überspannungen und deren Folgen geschützt werde.From WO 2010/136257 an overvoltage protection device for inverters with an input-side EMC filter is known. The object is to provide an overvoltage protection device for an inverter for feeding electrical energy from a direct voltage source into an alternating current network, with which all electronic and electrical components of the inverter are effectively and cost-effectively protected from transient overvoltages and their consequences.
Zur Lösung ist es vorgesehen, dass bei der offenbarten Überspannungsschutzvorrichtung die Überspannungsableiter zum Ableiten von Überspannungen gegenüber Erde von der Gleichspannungsquelle aus gesehen hinter dem EMV-Filter an die stromführenden Leitungen des Wechselrichters angeschlossen sind. Die Überspannungsableiter können so auch Überspannungen ableiten, die auf Anregungen des EMV-Filters in Folge transienter Überspannungen zurückgehen und den Wechselrichter auch vor diesen Überspannungen schützen.To solve this, it is provided that in the disclosed overvoltage protection device, the overvoltage arresters for diverting overvoltages relative to earth are connected to the current-carrying lines of the inverter behind the EMC filter, as seen from the DC voltage source. The surge arresters can also divert surge voltages that are caused by stimuli from the EMC filter as a result of transient surge voltages and also protect the inverter from these surge voltages.
Ein Nachteil derartiger Lösungen besteht aber darin, dass aufgrund der Länge der Anschlussdrähte der Leistungs-Halbleiterschalter beispielsweise in einer Gehäuseform TO-247 das Ausbilden der parasitären Induktivität nicht ausreichend verhindert werden kann.A disadvantage of such solutions, however, is that due to the length of the connecting wires of the power semiconductor switches, for example in a TO-247 housing form, the formation of the parasitic inductance cannot be sufficiently prevented.
Somit besteht ein Bedarf zur Verbesserung der aus dem Stand der Technik bekannten Lösungen zur Filterung von derartigen Störungen bei einem Schaltvorgang eines Leistungs-Halbleiterschalters.There is thus a need to improve the solutions known from the prior art for filtering such disturbances during a switching operation of a power semiconductor switch.
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine Anordnung zur Filterung von Störungen anzugeben, womit Störungen bedingt durch einen Schaltvorgang eines Leistungs-Halbleiterschalters reduziert werden, womit die elektromagnetische Störausstrahlung (EMV) und Schaltverluste der Leistungs-Halbleiterschalter reduziert werden.The object of the invention is to provide an arrangement for filtering interference, with which interference caused by a switching operation of a power semiconductor switch is reduced, with the result that electromagnetic interference (EMC) and switching losses of the power semiconductor switch are reduced.
Außerdem soll durch die verbesserte Anordnung zur Filterung von Störungen ein schnelleres Schalten der Leistungs-Halbleiterschalter ermöglicht werden und Leistungsverluste durch zu langsame Schaltvorgänge vermieden werden.In addition, the improved arrangement for filtering interference is intended to enable the power semiconductor switches to be switched more quickly and performance losses due to slow switching operations can be avoided.
Die Aufgabe wird durch einen Gegenstand mit den Merkmalen gemäß Patentanspruch 1 der selbstständigen Patentansprüche gelöst. Weiterbildungen sind in den abhängigen Patentansprüchen angegeben.The object is achieved by an object with the features according to
In der Lösung der erfindungsgemäßen Anordnung zur Filterung von Störungen ist es vorgesehen, eine zusätzliche Platine, mit Filterelementen, wie beispielsweise Kapazitäten, möglichst nahe am Gehäuse eines oder mehrerer Leistungs-Halbleiterschalter zu platzieren. Ein derartiges Platzieren erfolgt beispielsweise bei einem TO 247-Gehäuse eines Leistungs-Halbleiterschalters mit drei Anschlussdrähten derart, dass der Kontakt zu den auf der zusätzlichen Platine angeordneten Filterelementen unmittelbar an dem aus dem TO 247-Gehäuse austretenden Anschlussdraht erfolgt.In the solution of the inventive arrangement for filtering interference, provision is made for an additional circuit board with filter elements, such as capacitors, to be placed as close as possible to the housing of one or more power semiconductor switches. Such a placement takes place, for example, in a TO 247 housing of a power semiconductor switch with three connecting wires in such a way that contact with the filter elements arranged on the additional circuit board is made directly on the connecting wire emerging from the TO 247 housing.
Somit wird der Kontakt gegenüber dem Stand der Technik, welcher einen Kontakt zu einem Filterelement erst auf einer Hauptleiterplatte beziehungsweise einer Hauptplatine herstellt, wesentlich früher hergestellt, was zu einer wesentlichen Reduzierung der Leitungslänge zwischen dem Halbleiterchip im Leistungs-Halbleiterschalter und dem Filterelement führt. Diese Reduzierung der Leitungslänge verringert eine Ausbildung der parasitären Induktivitäten der Anschlussdrähte wirksam. Wie bekannt, steht nach dem Stand der Technik die gesamte Leitungslänge vom Halbleiterchip im Leistungs-Halbleiterschalter beginnend über den Anschlussdraht bis hin zu einer Kontaktstelle, wie einer Lötstelle, auf der Hauptplatine zur Ausbildung parasitärer Induktivitäten zur Verfügung.Thus, the contact is made much earlier than in the prior art, which makes contact with a filter element only on a main circuit board or a main circuit board, which leads to a significant reduction in the line length between the semiconductor chip in the power semiconductor switch and the filter element. This reduction in the line length effectively reduces the formation of parasitic inductances in the connecting wires. As is known, according to the state of the art, the entire line length from the semiconductor chip in the power semiconductor switch is available, starting over the connecting wire and ending with a contact point, such as a soldering point, on the motherboard for the formation of parasitic inductances.
Vorgesehen ist es, einen Kontakt zwischen dem aus dem Gehäuse des Halbleiterschalters austretenden Anschlussdraht und der die Filterelemente beinhaltenden zusätzlichen Platine mittels einer Klemmverbindung herzustellen. Zu diesem Zweck wird die zusätzliche Platine beispielsweise mit federnden Anschlüssen beziehungsweise Federelementen versehen. Die zusätzliche Platine wird derart angeordnet, dass die Federelemente mindestens mit einem Anschlussdraht des Leistungs-Halbleiterschalters in Kontakt stehen. Zu diesem Zweck wird die zusätzliche Platine so angeordnet, dass das Federelement leicht unter Federspannung stehend den Anschlussdraht kontaktiert und derart eine sichere Kontaktierung zwischen dem Federelement und dem Anschlussdraht gewährleistet ist.It is intended to establish contact between the connecting wire emerging from the housing of the semiconductor switch and the additional circuit board containing the filter elements by means of a clamp connection. For this purpose, the additional board is provided, for example, with resilient connections or spring elements. The additional circuit board is arranged in such a way that the spring elements are in contact with at least one connecting wire of the power semiconductor switch. For this purpose, the additional circuit board is arranged in such a way that the spring element makes contact with the connection wire while being slightly under spring tension and in this way secure contact is ensured between the spring element and the connection wire.
Vorgesehen ist es, dass mindestens ein Anschlussdraht des Leistungs-Halbleiterschalters über das Federelement, mit dem auf der zusätzlichen Platine angeordneten Filterelement kontaktiert wird. In einer Ausführung kann das der Emitter des Leistungs-Halbleiterschalters sein. In einer alternativen Ausführung kann das der Kollektor des Leistungs-Halbleiterschalters sein. Weiterhin ist es auch möglich, dass sowohl der Emitter als auch der Kollektor eines Leistungs-Halbleiterschalters kontaktiert wird. In einer besonderen Ausführung ist es vorgesehen, dass der Emitter eines ersten Leistungs-Halbleiterschalters und der Kollektor eines zweiten Leistungs-Halbleiterschalters beziehungsweise der Kollektor eines ersten Leistungs-Halbleiterschalters und der Emitter eines zweiten Leistungs-Halbleiterschalters kontaktiert wird.It is provided that at least one connecting wire of the power semiconductor switch is contacted via the spring element with the filter element arranged on the additional circuit board. In one embodiment, this can be the emitter of the power semiconductor switch. In an alternative embodiment, this can be the collector of the power semiconductor switch. Furthermore, it is also possible for both the emitter and the collector of a power semiconductor switch to be contacted. In a special embodiment it is provided that the emitter of a first power semiconductor switch and the collector of a second power semiconductor switch or the collector of a first power semiconductor switch and the emitter of a second power semiconductor switch are contacted.
In einer besonderen Ausführung können zwei oder mehr Anschlussdrähte des Leistungs-Halbleiterschalters über die Federelemente, mit den auf der zusätzlichen Platine angeordneten Filterelementen kontaktiert werden. So kann beispielsweise der Emitter und der Kollektor des Leistungs-Halbleiterschalters mittels Federelementen kontaktiert werden.In a special embodiment, two or more connecting wires of the power semiconductor switch can be contacted via the spring elements with the filter elements arranged on the additional circuit board. For example, the emitter and the collector of the power semiconductor switch can be contacted by means of spring elements.
Die auf der zusätzlichen Platine angeordneten Filterelemente können beispielsweise eine Kapazität oder ein aus einem Widerstand und einer Kapazität bestehendes Dämpfungselement sein.The filter elements arranged on the additional circuit board can be, for example, a capacitance or a damping element consisting of a resistor and a capacitance.
Diese Filterelemente könne schaltungstechnisch derart angeordnet werden, dass sie zwischen zwei Anschlüssen des Leistungs-Halbleiterschalters, wie dem Emitter und dem Kollektor, wirken. Alternativ können die Filterelemente auch zwischen einem Anschluss des Leistungs-Halbleiterschalters und einer positiven Betriebsspannung U+, einer negativen Betriebsspannung U- oder einem Massepotenzial GND wirken.In terms of circuitry, these filter elements can be arranged in such a way that they act between two connections of the power semiconductor switch, such as the emitter and the collector. Alternatively, the filter elements can also act between a connection of the power semiconductor switch and a positive operating voltage U +, a negative operating voltage U- or a ground potential GND.
Vorgesehen ist es auch, dass Anschlussdrähte von zwei oder mehr Leistungs-Halbleiterschaltern über Federelemente mit Filterelementen auf einer zusätzlichen Platine verbunden sind. Ein gleichzeitiges Verbinden von Anschlüssen mehrerer Leistungs-Halbleiterschalter ermöglicht den Einsatz der zusätzlichen Platine in Baugruppen, in welchen mehrere Leistungs-Halbleiterschalter angeordnet werden. Als ein Beispiel einer derartigen Baugruppe kann ein Inverter für einen elektrischen Kältemittelverdichter in einem Fahrzeug genannt werden. In einer derartigen Baugruppe können beispielsweise in drei sogenannten Halbbrücken jeweils ein High-Side-Leistungs-Halbleiterschalter und ein Low-Side-Leistungs-Halbleiterschalter, also insgesamt sechs Leistungs-Halbleiterschalter angeordnet sein.It is also provided that connecting wires of two or more power semiconductor switches are connected to filter elements on an additional circuit board via spring elements. A simultaneous connection of connections of several power semiconductor switches enables the use of the additional board in assemblies in which several power semiconductor switches are arranged. An inverter for an electric refrigerant compressor in a vehicle can be cited as an example of such an assembly. In such an assembly, for example, a high-side power semiconductor switch and a low-side power semiconductor switch, that is to say a total of six power semiconductor switches, can be arranged in three so-called half bridges.
Werden beispielsweise zwei Leistungs-Halbleiterschalter derart auf einer Fläche, wie einer Kühlfläche, ausgerichtet angeordnet, dass die Anschlussdrähte jeweils zweier Leistungs-Halbleiterschalter zumindest relativ zueinander ausgerichtet sind, kann mittels einer einzigen zusätzlichen Platine mit entsprechenden Federelementen eine Kontaktierung zu Anschlussdrähten beider Leistungs-Halbleiterschalter hergestellt werden. Die zusätzliche Platine befindet sich somit in einem Bereich zwischen den beiden Leistungs-Halbleiterschaltern.If, for example, two power semiconductor switches are arranged so that they are aligned on a surface, such as a cooling surface, that the connecting wires of two power semiconductor switches are aligned at least relative to one another, a single additional circuit board can corresponding spring elements a contact can be made to connecting wires of both power semiconductor switches. The additional board is thus located in an area between the two power semiconductor switches.
Ein Versatz derart, dass die zusätzliche Platine in einer Ebene beispielsweise über den Leistungs-Halbleiterschaltern angeordnet ist, kann vorgesehen werden, wobei die Federelemente derart ausgeführt sind, dass diese in die Ebene der Anschlüsse der Leistungs-Halbleiterschaltern hineinragen.An offset such that the additional board is arranged in a plane, for example above the power semiconductor switches, can be provided, the spring elements being designed such that they protrude into the plane of the connections of the power semiconductor switches.
Werden beispielsweise drei Paare dieser beschriebenen zwei Leistungs-Halbleiterschalter derart auf einer Fläche, wie einer Kühlfläche, ausgerichtet angeordnet, dass die Anschlussdrähte paarweise zueinander ausgerichtet sind, besteht die Möglichkeit, mit den Federelementen einer zusätzlichen Platine die gewünschten Anschlussdrähte aller sechs Leistungs-Halbleiterschalter zu kontaktieren.If, for example, three pairs of these two power semiconductor switches described are arranged so that they are aligned on a surface, such as a cooling surface, that the connecting wires are aligned in pairs, it is possible to use the spring elements of an additional circuit board to contact the desired connecting wires of all six power semiconductor switches .
In jedem Fall ist ein Versatz der Leistungs-Halbleiterschalter zueinander oder ein Verdrehen der Leistungs-Halbleiterschalter abweichend von einer gemeinsamen Mittellinie in gewissen Toleranzen zulässig und manchmal auch notwendig, um alle Federelemente auf einer zusätzlichen Platine anordnen zu können. Ein Versatz der Leistungs-Halbleiterschalter zueinander hilft außerdem die vorgeschriebenen und notwendigen Isolationsabstände zwischen den Bauelementen einzuhalten.In any case, an offset of the power semiconductor switches to one another or a rotation of the power semiconductor switches deviating from a common center line is permissible within certain tolerances and sometimes also necessary in order to be able to arrange all spring elements on an additional circuit board. An offset of the power semiconductor switches to each other also helps to maintain the prescribed and necessary isolation distances between the components.
Diese besondere Ausführung der Anordnung zur Filterung von Störungen mit einer zusätzlichen Platine mit entsprechenden Federelementen und Filterelementen verringert EMV-Störungen durch kürzere Leitungslängen wesentlich und führt auch zu einer Reduzierung von Überspannungen, welche durch parasitäre Induktivität der Anschlussdrähte der Leistungs-Halbleiterschalter verursacht werden. Mit der Leitungslänge ist der Weg zwischen dem Halbleiterchip im Gehäuse des Leistungs-Halbleiters bis hin zum Filterelement gemeint.This special design of the arrangement for filtering interference with an additional circuit board with appropriate spring elements and filter elements significantly reduces EMC interference through shorter cable lengths and also leads to a reduction in overvoltages caused by parasitic inductance of the connecting wires of the power semiconductor switches. The line length means the path between the semiconductor chip in the housing of the power semiconductor and the filter element.
Weitere Einzelheiten, Merkmale und Vorteile von Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen mit Bezugnahme auf die zugehörigen Zeichnungen. Es zeigen:
-
1 : eine Anordnung zur Filterung von Störungen aus dem Stand der Technik, -
2 : eine beispielhafte erfindungsgemäße Anordnung zur Filterung von Störungen mit einer zusätzlichen Platine, -
3 : eine Anordnung einer zusätzlichen Platine mit entsprechenden Federelementen und Federelementen sowie zugehörigen Leistungs-Halbleiterschaltern auf einer Oberfläche eines Gehäuses eines elektrischen Kältemittelverdichters in einer Draufsicht, -
4 : eine Anordnung einer zusätzlichen Platine mit entsprechenden Federelementen und Federelementen sowie zugehörigen Leistungs-Halbleiterschaltern auf einer Oberfläche eines Gehäuses eines elektrischen Kältemittelverdichters in einer Seitenansicht und -
5 : ein Diagramm eines messtechnischen Vergleichs der erfindungsgemäßen Anordnung zur Filterung von Störungen mit einer Stand-der-Technik-Anordnung.
-
1 : an arrangement for filtering interferences from the state of the art, -
2 : an exemplary arrangement according to the invention for filtering interference with an additional circuit board, -
3 : an arrangement of an additional board with corresponding spring elements and spring elements and associated power semiconductor switches on a surface of a housing of an electric refrigerant compressor in a plan view, -
4th : an arrangement of an additional board with corresponding spring elements and spring elements and associated power semiconductor switches on a surface of a housing of an electric refrigerant compressor in a side view and -
5 : a diagram of a metrological comparison of the arrangement according to the invention for filtering interference with a prior-art arrangement.
In der
Ein derartiger Leistungs-Halbleiterschalter
Eine elektrische Verbindung zwischen dem Halbleiterchip
Somit weist der Stand der Technik eine Leitungslänge
Im Beispiel der
In der
Unterhalb der Hauptplatine
Die Leistungs-Halbleiterschalter
Die Anschlussdrähte
Vorgesehen ist es, eine zusätzliche Platine
Die auf der zusätzlichen Platine
Diese Art der Kontaktierung der Anschlussdrähte
Im Beispiel der
So können beispielsweise an einem oder beiden Leistungs-Halbleiterschaltern
Außerdem können die Anschlussdrähte
In einem Beispiel können die Anschlussdrähte
Wie es in der
Ein Verkürzen der Leitungslänge
Die
Als Beispiel wird ein Gehäuse
Im Beispiel der
Jeweils zwei der Leistungs-Halbleiterschalter
In der
In der
Die beiden dargestellten Leistungs-Halbleiterschalter
Die Leistungs-Halbleiterschalter
Im Diagramm der
Somit wird durch den Einsatz der erfindungsgemäßen Anordnung
Durch diese Verbesserte Dämpfung auftretender Störungen könne die Leistungs-Halbleiterschalter
BezugszeichenlisteList of reference symbols
- 1, 1'1, 1 '
- Anordnung zur Filterung von StörungenArrangement for filtering disturbances
- 22
- HauptplatineMotherboard
- 33
- FilterelementFilter element
- 44th
- weitere Bauteilefurther components
- 55
- Leistungs-HalbleiterschalterPower semiconductor switch
- 66th
- Halbleiterchip im Leistungs-HalbleiterschalterSemiconductor chip in the power semiconductor switch
- 77th
- AnschlussdrähteConnecting wires
- 88th
- Leitungslänge Stand der TechnikState of the art line length
- 99
- BefestigungsschraubeFastening screw
- 1010
- zusätzliche Platineadditional board
- 1111
- erster Bereichfirst area
- 1212th
- zweiter Bereichsecond area
- 1313th
- FederelementSpring element
- 1414th
- Leitungslänge ErfindungLine length invention
- 1515th
- Oberflächesurface
- 1616
- Gehäuse eines KühlmittelverdichtersHousing of a coolant compressor
- 1717th
- KlemmeClamp
Claims (9)
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