DE102019133954A1 - Arrangement for filtering disturbances - Google Patents

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Abstract

Der Erfindung, welche eine Anordnung (1) zur Filterung von Störungen betrifft, liegt die Aufgabe zugrunde, eine Anordnung (1) anzugeben, womit Störungen bedingt durch einen Schaltvorgang eines Leistungs-Halbleiterschalters (5) reduziert werden, womit die elektromagnetische Störausstrahlung (EMV) und Schaltverluste der Leistungs-Halbleiterschalter (5) reduziert werden. Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, dass mindestens ein Filterelement (3) auf einer zusätzlichen Platine (10) angeordnet ist, dass auf der zusätzlichen Platine (10), mit dem Filterelement (3) elektrisch leitend verbunden, Federelemente (13) angeordnet sind, dass die zusätzliche Platine (10) mit den Federelementen (13) derart gegenüber den Anschlussdrähten (7) mindestens zweier Leistungs-Halbleiterschalter (5) angeordnet ist, dass das mindestens eine Filterelement (3) über die Federelemente (13) mindestens einen Anschlussdraht (7) jedes Leistungs-Halbleiterschalters (5) kontaktiert.The invention, which relates to an arrangement (1) for filtering interference, is based on the object of specifying an arrangement (1) with which interference caused by a switching operation of a power semiconductor switch (5) is reduced, thus reducing electromagnetic interference (EMC). and switching losses of the power semiconductor switches (5) are reduced. This object is achieved in that at least one filter element (3) is arranged on an additional circuit board (10) that spring elements (13) are arranged on the additional circuit board (10), which is electrically conductively connected to the filter element (3), that the additional circuit board (10) with the spring elements (13) is arranged opposite the connecting wires (7) of at least two power semiconductor switches (5) in such a way that the at least one filter element (3) via the spring elements (13) has at least one connecting wire (7) each power semiconductor switch (5) contacted.

Description

Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur Filterung von Störungen, welche mindestens ein Filterelement aufweist, wobei das Filterelement mit mindestens einem Anschlussdraht eines Leistungs-Halbleiterschalters verbunden ist.The invention relates to an arrangement for filtering interference, which has at least one filter element, the filter element being connected to at least one connecting wire of a power semiconductor switch.

Aus dem Stand der Technik ist es bekannt, in elektrischen Geräten elektrische Schalter beziehungsweise Halbleiterschalter einzusetzen, um beispielsweise Spannungen für Bauteile oder Baugruppen zuzuschalten beziehungsweise abzuschalten. Ein derartiges elektrisches Gerät kann beispielsweise ein Inverter für einen elektrischen Kältemittelverdichter in einem Fahrzeug sein. Werden derartige elektrische Geräte mit größeren Strömen, beispielsweise im Bereich von mehr als 1,00 Ampere versorgt, kommen Leistungs-Halbleiterschalter zum Einsatz.It is known from the prior art to use electrical switches or semiconductor switches in electrical devices in order, for example, to switch on or switch off voltages for components or assemblies. Such an electrical device can be, for example, an inverter for an electrical refrigerant compressor in a vehicle. If such electrical devices are supplied with larger currents, for example in the range of more than 1.00 amperes, power semiconductor switches are used.

Sogenannte parasitäre Induktivitäten derartiger Leistungs-Halbleiterschalter, wie beispielsweise IGBTs bzw. MOSFETs, verursachen bei einem Schaltvorgang eines Leistungs-Halbleiterschalters störende Schwingungen, insbesondere im Zusammenwirken mit parasitären Kapazitäten. Derartige Induktivitäten werden durch die Anschlussdrähte der Leistungs-Halbleiterschalter gebildet, wenn diese beispielsweise in einer Gehäuseform TO-247 ausgeführt werden.So-called parasitic inductances of such power semiconductor switches, such as, for example, IGBTs or MOSFETs, cause disruptive oscillations when a power semiconductor switch is switched, in particular in conjunction with parasitic capacitances. Such inductances are formed by the connecting wires of the power semiconductor switches if they are implemented, for example, in a TO-247 housing.

Messungen zeigen, dass insbesondere bei Schaltvorgängen der Leistungs-Halbleiterschalter Spannungen induziert und derart Störungen verursacht werden. Derartige Störungen wirken sich beispielsweise auf die sogenannte elektromagnetische Verträglichkeit (EMV) aus, welche die Eigenschaft eines Geräts oder einer Baugruppe beschreibt, andere Geräte durch ungewollte elektrische oder elektromagnetische Effekte, wie die bei einem Schaltvorgang entstehenden Schwingungen zu stören. Hierbei sind Schaltvorgänge gemeint, welche zu einem sich zeitlich verändernden Strom führen.Measurements show that voltages are induced, in particular during switching operations of the power semiconductor switches, and such disturbances are caused. Such disturbances have an effect, for example, on what is known as electromagnetic compatibility (EMC), which describes the property of a device or assembly to disrupt other devices through undesired electrical or electromagnetic effects, such as the vibrations that occur during a switching process. Switching processes are meant here which lead to a current that changes over time.

Somit besteht grundsätzlich die Aufgabe, derartige Störungen herauszufiltern, um die elektromagnetische Verträglichkeit zu verbessern.The basic task is therefore to filter out such interference in order to improve the electromagnetic compatibility.

Außerdem muss durch die Entstehung derartiger Störungen und Überspannungen eine Durchbruchspannung für die Leistungs-Halbleiterschalter gewählt werden, welche ausreichend groß ist, um eine sichere Funktionsweise der Leistungs-Halbleiterschalter zu gewährleisten.In addition, due to the occurrence of such disturbances and overvoltages, a breakdown voltage must be selected for the power semiconductor switches which is sufficiently large to ensure that the power semiconductor switches function reliably.

Zur Reduzierung derartiger Überspannungen, kann es vorgesehen werden, dass der Schaltvorgang des Leistungs-Halbleiterschalters langsamer erfolgt. Dies hat aber höhere Verluste zur Folge, wobei der Wirkungsgrad des Geräts beziehungsweise der Baugruppe sinkt und eine größere Wärmeentwicklung entsteht. Diese größere Wärmeentwicklung verursacht einen gesteigerten Bedarf an einer geeigneten Kühlung der Leistungs-Halbleiterschalter.To reduce such overvoltages, it can be provided that the switching process of the power semiconductor switch takes place more slowly. However, this results in higher losses, with the efficiency of the device or the assembly falling and a greater amount of heat being generated. This greater heat development causes an increased need for suitable cooling of the power semiconductor switches.

Bekannt ist es daher, beispielsweise auf einer Leiterplatte, auf welcher die Leistungs-Halbleiterschalter angeordnet sind, Filterelemente wie Kondensatoren beziehungsweise RC-Filter anzuordnen, um die entstehenden störenden Schwingungen zu vermindern.It is therefore known to arrange filter elements such as capacitors or RC filters, for example on a circuit board on which the power semiconductor switches are arranged, in order to reduce the disturbing vibrations that arise.

Aus der WO 2010/ 136257 ist eine Überspannungsschutzvorrichtung für Wechselrichter mit einem eingangsseitigen EMV-Filter bekannt. Die Aufgabe besteht darin, eine Überspannungsschutzvorrichtung für einen Wechselrichter zur Einspeisung von elektrischer Energie von einer Gleichspannungsquelle in ein Wechselstromnetz bereitzustellen, mit dem alle elektronischen und elektrischen Bestandteile des Wechselrichters effektiv und kosteneffizient vor transienten Überspannungen und deren Folgen geschützt werde.From WO 2010/136257 an overvoltage protection device for inverters with an input-side EMC filter is known. The object is to provide an overvoltage protection device for an inverter for feeding electrical energy from a direct voltage source into an alternating current network, with which all electronic and electrical components of the inverter are effectively and cost-effectively protected from transient overvoltages and their consequences.

Zur Lösung ist es vorgesehen, dass bei der offenbarten Überspannungsschutzvorrichtung die Überspannungsableiter zum Ableiten von Überspannungen gegenüber Erde von der Gleichspannungsquelle aus gesehen hinter dem EMV-Filter an die stromführenden Leitungen des Wechselrichters angeschlossen sind. Die Überspannungsableiter können so auch Überspannungen ableiten, die auf Anregungen des EMV-Filters in Folge transienter Überspannungen zurückgehen und den Wechselrichter auch vor diesen Überspannungen schützen.To solve this, it is provided that in the disclosed overvoltage protection device, the overvoltage arresters for diverting overvoltages relative to earth are connected to the current-carrying lines of the inverter behind the EMC filter, as seen from the DC voltage source. The surge arresters can also divert surge voltages that are caused by stimuli from the EMC filter as a result of transient surge voltages and also protect the inverter from these surge voltages.

Ein Nachteil derartiger Lösungen besteht aber darin, dass aufgrund der Länge der Anschlussdrähte der Leistungs-Halbleiterschalter beispielsweise in einer Gehäuseform TO-247 das Ausbilden der parasitären Induktivität nicht ausreichend verhindert werden kann.A disadvantage of such solutions, however, is that due to the length of the connecting wires of the power semiconductor switches, for example in a TO-247 housing form, the formation of the parasitic inductance cannot be sufficiently prevented.

Somit besteht ein Bedarf zur Verbesserung der aus dem Stand der Technik bekannten Lösungen zur Filterung von derartigen Störungen bei einem Schaltvorgang eines Leistungs-Halbleiterschalters.There is thus a need to improve the solutions known from the prior art for filtering such disturbances during a switching operation of a power semiconductor switch.

Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine Anordnung zur Filterung von Störungen anzugeben, womit Störungen bedingt durch einen Schaltvorgang eines Leistungs-Halbleiterschalters reduziert werden, womit die elektromagnetische Störausstrahlung (EMV) und Schaltverluste der Leistungs-Halbleiterschalter reduziert werden.The object of the invention is to provide an arrangement for filtering interference, with which interference caused by a switching operation of a power semiconductor switch is reduced, with the result that electromagnetic interference (EMC) and switching losses of the power semiconductor switch are reduced.

Außerdem soll durch die verbesserte Anordnung zur Filterung von Störungen ein schnelleres Schalten der Leistungs-Halbleiterschalter ermöglicht werden und Leistungsverluste durch zu langsame Schaltvorgänge vermieden werden.In addition, the improved arrangement for filtering interference is intended to enable the power semiconductor switches to be switched more quickly and performance losses due to slow switching operations can be avoided.

Die Aufgabe wird durch einen Gegenstand mit den Merkmalen gemäß Patentanspruch 1 der selbstständigen Patentansprüche gelöst. Weiterbildungen sind in den abhängigen Patentansprüchen angegeben.The object is achieved by an object with the features according to claim 1 of the independent claims. Further developments are given in the dependent claims.

In der Lösung der erfindungsgemäßen Anordnung zur Filterung von Störungen ist es vorgesehen, eine zusätzliche Platine, mit Filterelementen, wie beispielsweise Kapazitäten, möglichst nahe am Gehäuse eines oder mehrerer Leistungs-Halbleiterschalter zu platzieren. Ein derartiges Platzieren erfolgt beispielsweise bei einem TO 247-Gehäuse eines Leistungs-Halbleiterschalters mit drei Anschlussdrähten derart, dass der Kontakt zu den auf der zusätzlichen Platine angeordneten Filterelementen unmittelbar an dem aus dem TO 247-Gehäuse austretenden Anschlussdraht erfolgt.In the solution of the inventive arrangement for filtering interference, provision is made for an additional circuit board with filter elements, such as capacitors, to be placed as close as possible to the housing of one or more power semiconductor switches. Such a placement takes place, for example, in a TO 247 housing of a power semiconductor switch with three connecting wires in such a way that contact with the filter elements arranged on the additional circuit board is made directly on the connecting wire emerging from the TO 247 housing.

Somit wird der Kontakt gegenüber dem Stand der Technik, welcher einen Kontakt zu einem Filterelement erst auf einer Hauptleiterplatte beziehungsweise einer Hauptplatine herstellt, wesentlich früher hergestellt, was zu einer wesentlichen Reduzierung der Leitungslänge zwischen dem Halbleiterchip im Leistungs-Halbleiterschalter und dem Filterelement führt. Diese Reduzierung der Leitungslänge verringert eine Ausbildung der parasitären Induktivitäten der Anschlussdrähte wirksam. Wie bekannt, steht nach dem Stand der Technik die gesamte Leitungslänge vom Halbleiterchip im Leistungs-Halbleiterschalter beginnend über den Anschlussdraht bis hin zu einer Kontaktstelle, wie einer Lötstelle, auf der Hauptplatine zur Ausbildung parasitärer Induktivitäten zur Verfügung.Thus, the contact is made much earlier than in the prior art, which makes contact with a filter element only on a main circuit board or a main circuit board, which leads to a significant reduction in the line length between the semiconductor chip in the power semiconductor switch and the filter element. This reduction in the line length effectively reduces the formation of parasitic inductances in the connecting wires. As is known, according to the state of the art, the entire line length from the semiconductor chip in the power semiconductor switch is available, starting over the connecting wire and ending with a contact point, such as a soldering point, on the motherboard for the formation of parasitic inductances.

Vorgesehen ist es, einen Kontakt zwischen dem aus dem Gehäuse des Halbleiterschalters austretenden Anschlussdraht und der die Filterelemente beinhaltenden zusätzlichen Platine mittels einer Klemmverbindung herzustellen. Zu diesem Zweck wird die zusätzliche Platine beispielsweise mit federnden Anschlüssen beziehungsweise Federelementen versehen. Die zusätzliche Platine wird derart angeordnet, dass die Federelemente mindestens mit einem Anschlussdraht des Leistungs-Halbleiterschalters in Kontakt stehen. Zu diesem Zweck wird die zusätzliche Platine so angeordnet, dass das Federelement leicht unter Federspannung stehend den Anschlussdraht kontaktiert und derart eine sichere Kontaktierung zwischen dem Federelement und dem Anschlussdraht gewährleistet ist.It is intended to establish contact between the connecting wire emerging from the housing of the semiconductor switch and the additional circuit board containing the filter elements by means of a clamp connection. For this purpose, the additional board is provided, for example, with resilient connections or spring elements. The additional circuit board is arranged in such a way that the spring elements are in contact with at least one connecting wire of the power semiconductor switch. For this purpose, the additional circuit board is arranged in such a way that the spring element makes contact with the connection wire while being slightly under spring tension and in this way secure contact is ensured between the spring element and the connection wire.

Vorgesehen ist es, dass mindestens ein Anschlussdraht des Leistungs-Halbleiterschalters über das Federelement, mit dem auf der zusätzlichen Platine angeordneten Filterelement kontaktiert wird. In einer Ausführung kann das der Emitter des Leistungs-Halbleiterschalters sein. In einer alternativen Ausführung kann das der Kollektor des Leistungs-Halbleiterschalters sein. Weiterhin ist es auch möglich, dass sowohl der Emitter als auch der Kollektor eines Leistungs-Halbleiterschalters kontaktiert wird. In einer besonderen Ausführung ist es vorgesehen, dass der Emitter eines ersten Leistungs-Halbleiterschalters und der Kollektor eines zweiten Leistungs-Halbleiterschalters beziehungsweise der Kollektor eines ersten Leistungs-Halbleiterschalters und der Emitter eines zweiten Leistungs-Halbleiterschalters kontaktiert wird.It is provided that at least one connecting wire of the power semiconductor switch is contacted via the spring element with the filter element arranged on the additional circuit board. In one embodiment, this can be the emitter of the power semiconductor switch. In an alternative embodiment, this can be the collector of the power semiconductor switch. Furthermore, it is also possible for both the emitter and the collector of a power semiconductor switch to be contacted. In a special embodiment it is provided that the emitter of a first power semiconductor switch and the collector of a second power semiconductor switch or the collector of a first power semiconductor switch and the emitter of a second power semiconductor switch are contacted.

In einer besonderen Ausführung können zwei oder mehr Anschlussdrähte des Leistungs-Halbleiterschalters über die Federelemente, mit den auf der zusätzlichen Platine angeordneten Filterelementen kontaktiert werden. So kann beispielsweise der Emitter und der Kollektor des Leistungs-Halbleiterschalters mittels Federelementen kontaktiert werden.In a special embodiment, two or more connecting wires of the power semiconductor switch can be contacted via the spring elements with the filter elements arranged on the additional circuit board. For example, the emitter and the collector of the power semiconductor switch can be contacted by means of spring elements.

Die auf der zusätzlichen Platine angeordneten Filterelemente können beispielsweise eine Kapazität oder ein aus einem Widerstand und einer Kapazität bestehendes Dämpfungselement sein.The filter elements arranged on the additional circuit board can be, for example, a capacitance or a damping element consisting of a resistor and a capacitance.

Diese Filterelemente könne schaltungstechnisch derart angeordnet werden, dass sie zwischen zwei Anschlüssen des Leistungs-Halbleiterschalters, wie dem Emitter und dem Kollektor, wirken. Alternativ können die Filterelemente auch zwischen einem Anschluss des Leistungs-Halbleiterschalters und einer positiven Betriebsspannung U+, einer negativen Betriebsspannung U- oder einem Massepotenzial GND wirken.In terms of circuitry, these filter elements can be arranged in such a way that they act between two connections of the power semiconductor switch, such as the emitter and the collector. Alternatively, the filter elements can also act between a connection of the power semiconductor switch and a positive operating voltage U +, a negative operating voltage U- or a ground potential GND.

Vorgesehen ist es auch, dass Anschlussdrähte von zwei oder mehr Leistungs-Halbleiterschaltern über Federelemente mit Filterelementen auf einer zusätzlichen Platine verbunden sind. Ein gleichzeitiges Verbinden von Anschlüssen mehrerer Leistungs-Halbleiterschalter ermöglicht den Einsatz der zusätzlichen Platine in Baugruppen, in welchen mehrere Leistungs-Halbleiterschalter angeordnet werden. Als ein Beispiel einer derartigen Baugruppe kann ein Inverter für einen elektrischen Kältemittelverdichter in einem Fahrzeug genannt werden. In einer derartigen Baugruppe können beispielsweise in drei sogenannten Halbbrücken jeweils ein High-Side-Leistungs-Halbleiterschalter und ein Low-Side-Leistungs-Halbleiterschalter, also insgesamt sechs Leistungs-Halbleiterschalter angeordnet sein.It is also provided that connecting wires of two or more power semiconductor switches are connected to filter elements on an additional circuit board via spring elements. A simultaneous connection of connections of several power semiconductor switches enables the use of the additional board in assemblies in which several power semiconductor switches are arranged. An inverter for an electric refrigerant compressor in a vehicle can be cited as an example of such an assembly. In such an assembly, for example, a high-side power semiconductor switch and a low-side power semiconductor switch, that is to say a total of six power semiconductor switches, can be arranged in three so-called half bridges.

Werden beispielsweise zwei Leistungs-Halbleiterschalter derart auf einer Fläche, wie einer Kühlfläche, ausgerichtet angeordnet, dass die Anschlussdrähte jeweils zweier Leistungs-Halbleiterschalter zumindest relativ zueinander ausgerichtet sind, kann mittels einer einzigen zusätzlichen Platine mit entsprechenden Federelementen eine Kontaktierung zu Anschlussdrähten beider Leistungs-Halbleiterschalter hergestellt werden. Die zusätzliche Platine befindet sich somit in einem Bereich zwischen den beiden Leistungs-Halbleiterschaltern.If, for example, two power semiconductor switches are arranged so that they are aligned on a surface, such as a cooling surface, that the connecting wires of two power semiconductor switches are aligned at least relative to one another, a single additional circuit board can corresponding spring elements a contact can be made to connecting wires of both power semiconductor switches. The additional board is thus located in an area between the two power semiconductor switches.

Ein Versatz derart, dass die zusätzliche Platine in einer Ebene beispielsweise über den Leistungs-Halbleiterschaltern angeordnet ist, kann vorgesehen werden, wobei die Federelemente derart ausgeführt sind, dass diese in die Ebene der Anschlüsse der Leistungs-Halbleiterschaltern hineinragen.An offset such that the additional board is arranged in a plane, for example above the power semiconductor switches, can be provided, the spring elements being designed such that they protrude into the plane of the connections of the power semiconductor switches.

Werden beispielsweise drei Paare dieser beschriebenen zwei Leistungs-Halbleiterschalter derart auf einer Fläche, wie einer Kühlfläche, ausgerichtet angeordnet, dass die Anschlussdrähte paarweise zueinander ausgerichtet sind, besteht die Möglichkeit, mit den Federelementen einer zusätzlichen Platine die gewünschten Anschlussdrähte aller sechs Leistungs-Halbleiterschalter zu kontaktieren.If, for example, three pairs of these two power semiconductor switches described are arranged so that they are aligned on a surface, such as a cooling surface, that the connecting wires are aligned in pairs, it is possible to use the spring elements of an additional circuit board to contact the desired connecting wires of all six power semiconductor switches .

In jedem Fall ist ein Versatz der Leistungs-Halbleiterschalter zueinander oder ein Verdrehen der Leistungs-Halbleiterschalter abweichend von einer gemeinsamen Mittellinie in gewissen Toleranzen zulässig und manchmal auch notwendig, um alle Federelemente auf einer zusätzlichen Platine anordnen zu können. Ein Versatz der Leistungs-Halbleiterschalter zueinander hilft außerdem die vorgeschriebenen und notwendigen Isolationsabstände zwischen den Bauelementen einzuhalten.In any case, an offset of the power semiconductor switches to one another or a rotation of the power semiconductor switches deviating from a common center line is permissible within certain tolerances and sometimes also necessary in order to be able to arrange all spring elements on an additional circuit board. An offset of the power semiconductor switches to each other also helps to maintain the prescribed and necessary isolation distances between the components.

Diese besondere Ausführung der Anordnung zur Filterung von Störungen mit einer zusätzlichen Platine mit entsprechenden Federelementen und Filterelementen verringert EMV-Störungen durch kürzere Leitungslängen wesentlich und führt auch zu einer Reduzierung von Überspannungen, welche durch parasitäre Induktivität der Anschlussdrähte der Leistungs-Halbleiterschalter verursacht werden. Mit der Leitungslänge ist der Weg zwischen dem Halbleiterchip im Gehäuse des Leistungs-Halbleiters bis hin zum Filterelement gemeint.This special design of the arrangement for filtering interference with an additional circuit board with appropriate spring elements and filter elements significantly reduces EMC interference through shorter cable lengths and also leads to a reduction in overvoltages caused by parasitic inductance of the connecting wires of the power semiconductor switches. The line length means the path between the semiconductor chip in the housing of the power semiconductor and the filter element.

Weitere Einzelheiten, Merkmale und Vorteile von Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen mit Bezugnahme auf die zugehörigen Zeichnungen. Es zeigen:

  • 1: eine Anordnung zur Filterung von Störungen aus dem Stand der Technik,
  • 2: eine beispielhafte erfindungsgemäße Anordnung zur Filterung von Störungen mit einer zusätzlichen Platine,
  • 3: eine Anordnung einer zusätzlichen Platine mit entsprechenden Federelementen und Federelementen sowie zugehörigen Leistungs-Halbleiterschaltern auf einer Oberfläche eines Gehäuses eines elektrischen Kältemittelverdichters in einer Draufsicht,
  • 4: eine Anordnung einer zusätzlichen Platine mit entsprechenden Federelementen und Federelementen sowie zugehörigen Leistungs-Halbleiterschaltern auf einer Oberfläche eines Gehäuses eines elektrischen Kältemittelverdichters in einer Seitenansicht und
  • 5: ein Diagramm eines messtechnischen Vergleichs der erfindungsgemäßen Anordnung zur Filterung von Störungen mit einer Stand-der-Technik-Anordnung.
Further details, features and advantages of embodiments of the invention emerge from the following description of exemplary embodiments with reference to the associated drawings. Show it:
  • 1 : an arrangement for filtering interferences from the state of the art,
  • 2 : an exemplary arrangement according to the invention for filtering interference with an additional circuit board,
  • 3 : an arrangement of an additional board with corresponding spring elements and spring elements and associated power semiconductor switches on a surface of a housing of an electric refrigerant compressor in a plan view,
  • 4th : an arrangement of an additional board with corresponding spring elements and spring elements and associated power semiconductor switches on a surface of a housing of an electric refrigerant compressor in a side view and
  • 5 : a diagram of a metrological comparison of the arrangement according to the invention for filtering interference with a prior-art arrangement.

1 zeigt eine Anordnung 1' zur Filterung von Störungen aus dem Stand der Technik. Auf einer Hauptplatine 2 sind die zur Filterung von Störungen vorgesehenen Filterelemente 3 angeordnet. Neben diesen Filterelementen 3 sind auf der Hauptplatine 2 weitere Bauelemente 4 angeordnet. Diese weiteren Bauelemente 4 sind für die Funktionalität der Hauptplatine 2 wichtig, haben aber keine Bedeutung für die vorliegende Erfindung. Aus diesem Grund wird auf diese weiteren Bauelement 4 nicht weiter eingegangen. Eine derartige Hauptplatine 2 kann beispielsweise zu einem Inverter in einem elektrischen Kältemittelverdichter zugehörig sein und derart Funktionalitäten eines Inverters bereitstellen. 1 shows an arrangement 1 'for filtering interference from the prior art. On a motherboard 2 are the filter elements provided for filtering interference 3 arranged. In addition to these filter elements 3 are on the motherboard 2 further components 4th arranged. These other components 4th are for the functionality of the motherboard 2 are important, but have no relevance to the present invention. For this reason, this is another component 4th not entered further. Such a motherboard 2 can, for example, be associated with an inverter in an electric refrigerant compressor and thus provide functionalities of an inverter.

In der 1 sind unterhalb der Hauptplatine 2 beispielhaft zwei Leistungs-Halbleiterschalter 5 dargestellt. Diese Leistungs-Halbleiterschalter 5 weisen ein quaderförmiges TO 247-Gehäuse auf, welches einen im Inneren angeordneten Halbleiterchip 6 des Leistungs-Halbleiterschalter 5 beinhaltet.In the 1 are below the motherboard 2 for example two power semiconductor switches 5 shown. These power semiconductor switches 5 have a cuboid TO 247 housing, which has a semiconductor chip arranged in the interior 6th of the power semiconductor switch 5 includes.

Ein derartiger Leistungs-Halbleiterschalter 5 weist beispielsweise drei Anschlussdrähte 7 auf, welche ausgehend vom Leistungs-Halbleiterschalter 5 im Beispiel der 1 in einem Winkel von 90 Grad gebogen bis zur Hauptplatine 2 verlaufen. Üblicherweise werden die Anschlussdrähte 7 auf der Hauptplatine 2 mittels einer Lötverbindung mit auf der Hauptplatine 2 angeordneten nicht dargestellten Leiterzügen elektrisch leitend verbunden.Such a power semiconductor switch 5 has, for example, three connecting wires 7th on which starting from the power semiconductor switch 5 in the example of 1 bent at an angle of 90 degrees to the motherboard 2 run away. Usually the connecting wires are 7th on the motherboard 2 by means of a solder connection with on the motherboard 2 arranged conductor runs, not shown, electrically connected.

Eine elektrische Verbindung zwischen dem Halbleiterchip 6 des Leistungs-Halbleiterschalter 5 und den Anschlussdrähten 7 kann beispielsweise mittels entsprechender Bonddrähte im Inneren des Leistungs-Halbleiterschalter 5 hergestellt sein, ist aber in den Figuren nicht dargestellt.An electrical connection between the semiconductor chip 6th of the power semiconductor switch 5 and the connecting wires 7th can for example by means of appropriate bonding wires inside the power semiconductor switch 5 be made, but is not shown in the figures.

Somit weist der Stand der Technik eine Leitungslänge 8 auf, welche vom Halbleiterchip 6 des Leistungs-Halbleiterschalter 5 bis zur Hauptplatine 2 mit den Filterelementen 3 verläuft. Diese relativ große Leitungslänge 8 führt zu relativ großen parasitären Induktivitäten, welche die Ursache für die bei einem Schaltvorgang des Leistungs-Halbleiterschalter 5 entstehenden Störungen sind.Thus, the prior art has one line length 8th on which from the semiconductor chip 6th of the power semiconductor switch 5 to the motherboard 2 with the filter elements 3 runs. This relatively long line length 8th leads to relatively large parasitic inductances, which are the cause of the a switching operation of the power semiconductor switch 5 resulting disturbances.

Im Beispiel der 1 werden zwei der Anschlussdrähte 7 des linken Leistungs-Halbleiterschalters 5 teilweise durch eine Befestigungsschraube 9 verdeckt, welche zur Befestigung der Hauptplatine 2 beispielsweise an einem Gehäuse eines nicht dargestellten Kältemittelverdichters dient.In the example of the 1 become two of the connecting wires 7th of the left power semiconductor switch 5 partly by a fastening screw 9 covered, which is used to attach the motherboard 2 serves for example on a housing of a refrigerant compressor, not shown.

In der 2 ist eine beispielhafte erfindungsgemäße Anordnung 1 zur Filterung von Störungen mit einer zusätzlichen Platine 10 dargestellt. Die dargestellte Hauptplatine 2 weist weitere Bauelemente 4 auf, welche für die Funktionalität der Hauptplatine 2 wichtig sind.In the 2 is an exemplary arrangement according to the invention 1 to filter interference with an additional circuit board 10 shown. The motherboard shown 2 has further components 4th on which one is responsible for the functionality of the motherboard 2 are important.

Unterhalb der Hauptplatine 2 sind wieder zwei Leistungs-Halbleiterschalter 5 dargestellt. Diese Leistungs-Halbleiterschalter 5 weisen ein quaderförmiges TO 247-Gehäuse auf, welches einen im Inneren angeordneten Halbleiterchip 6 des Leistungs-Halbleiterschalter 5 beinhaltet.Below the motherboard 2 are again two power semiconductor switches 5 shown. These power semiconductor switches 5 have a cuboid TO 247 housing, which has a semiconductor chip arranged in the interior 6th of the power semiconductor switch 5 includes.

Die Leistungs-Halbleiterschalter 5 weisen wieder drei Anschlussdrähte 7 auf, welche ausgehend vom Leistungs-Halbleiterschalter 5 in einem Winkel von 90 Grad gebogen bis zur Hauptplatine 2 verlaufen.The power semiconductor switches 5 again have three connecting wires 7th on which starting from the power semiconductor switch 5 bent at an angle of 90 degrees to the motherboard 2 run away.

Die Anschlussdrähte 7 der beiden Leistungs-Halbleiterschalter 5 sind zueinander ausgerichtet. Die Anschlussdrähte 7 beider vom Leistungs-Halbleiterschalter 5 verlaufen jeweils ausgehend vom Leistungs-Halbleiterschalter 5 in einem ersten Bereich 11 vor Ihrer Biegung nahezu parallel zur Hauptplatine 2 und aufeinander zu, während die Anschlussdrähte 7 in einem zweiten Bereich 12 nach ihrer Biegung parallel zueinander und nahezu senkrecht zur Hauptplatine 2 verlaufen, bis die Anschlussdrähte 7 die Hauptplatine 2 erreichen, auf welcher sie beispielsweise mit einem entsprechenden Leiterzug verlötet sind.The connecting wires 7th of the two power semiconductor switches 5 are aligned with each other. The connecting wires 7th both from the power semiconductor switch 5 each run starting from the power semiconductor switch 5 in a first area 11 almost parallel to the motherboard in front of your bend 2 and towards each other while the connecting wires 7th in a second area 12th parallel to each other after their bend and almost perpendicular to the motherboard 2 run until the connecting wires 7th the motherboard 2 reach, on which they are soldered, for example, to a corresponding conductor run.

Vorgesehen ist es, eine zusätzliche Platine 10 anzuordnen, auf welcher ein oder mehrere Filterelemente 3 angeordnet sind. Die zusätzliche Platine 10 weist Federelemente 13 auf, mittels derer ein elektrischer Kontakt zwischen den Anschlussdrähten 7 und den auf der zusätzlichen Platine 10 angeordneten Filterelementen 3 hergestellt wird. Im Beispiel der 2 ist die zusätzliche Platine 10 nahezu parallel zur Hauptplatine 2 ausgerichtet angeordnet. Beispielhaft ist nur ein Filterelement 3 auf der zusätzlichen Platine 10 dargestellt. Je nach Bedarf können selbstverständlich auch mehr Filterelemente 3 auf der zusätzlichen Platine 10 angeordnet werden. Derartige Filterelemente 3 können beispielsweise eine Kapazität oder ein aus einem Widerstand und einer Kapazität bestehendes Dämpfungselement sein.It is planned to use an additional circuit board 10 to arrange on which one or more filter elements 3 are arranged. The additional board 10 has spring elements 13th on, by means of which an electrical contact between the connecting wires 7th and the one on the additional board 10 arranged filter elements 3 will be produced. In the example of the 2 is the additional board 10 almost parallel to the motherboard 2 aligned. Only one filter element is exemplary 3 on the additional board 10 shown. Of course, more filter elements can also be used as required 3 on the additional board 10 to be ordered. Such filter elements 3 can for example be a capacitance or a damping element consisting of a resistor and a capacitance.

Die auf der zusätzlichen Platine 10 angeordneten Federelemente 13 zum Kontaktieren der Anschlussdrähte 7 der Leistungs-Halbleiterschalter 5 weisen im Beispiel der 2 in die Richtung der Hauptplatine 2 und kontaktieren die beiden vorderen Anschlussdrähte 7 sozusagen von unten. Die zusätzliche Platine 10 wird derart befestigt, dass die Federelemente 13 unter einer leichten mechanischen Spannung stehen, während die Federelemente 13 die Anschlussdrähte 7 kontaktieren. Ein Mittel zur Befestigung der zusätzlichen Platine 10 ist in der 2 nicht dargestellt.The one on the additional board 10 arranged spring elements 13th for contacting the connecting wires 7th the power semiconductor switch 5 show in the example of 2 in the direction of the motherboard 2 and contact the two front connecting wires 7th from below, so to speak. The additional board 10 is attached in such a way that the spring elements 13th are under a slight mechanical tension, while the spring elements 13th the connecting wires 7th to contact. A means of securing the additional board 10 is in the 2 not shown.

Diese Art der Kontaktierung der Anschlussdrähte 7 in ihrem ersten Bereich 11 mittels eines Federelements 13 erlaubt es, Toleranzen auszugleichen, welche Bauelemente wie die Leistungs-Halbleiterschalter 5 oder die Federelemente 13 aufweisen. Darüber hinaus werden aber auch herstellungs- bzw. montagebedingte Toleranzen, wie Toleranzen beim Biegen der Anschlussdrähte oder bei der Montage ausgeglichen. Weiterhin können auch temperaturbedingte Veränderungen der Abmessungen ausgeglichen werden.This type of contacting of the connecting wires 7th in their first area 11 by means of a spring element 13th allows to compensate for tolerances, which components such as the power semiconductor switch 5 or the spring elements 13th exhibit. In addition, manufacturing or assembly-related tolerances, such as tolerances when bending the connecting wires or during assembly, are also compensated. Furthermore, temperature-related changes in the dimensions can also be compensated for.

Im Beispiel der 2 wird mittels einer zusätzlichen Platine 10 mit entsprechenden Federelementen 13 je ein Anschlussdraht 7 der beiden zueinander zumindest relativ ausgerichteten Leistungs-Halbleiterschalter 5 kontaktiert. Eine Beschränkung auf diese Ausführung besteht aber nicht.In the example of the 2 is made by means of an additional circuit board 10 with corresponding spring elements 13th one connection wire each 7th of the two power semiconductor switches that are at least relatively aligned with one another 5 contacted. However, there is no restriction to this version.

So können beispielsweise an einem oder beiden Leistungs-Halbleiterschaltern 5 zwei oder mehr Anschlussdrähte 7 mittels entsprechender Federelemente 13 kontaktiert werden.For example, one or both power semiconductor switches 5 two or more connecting wires 7th by means of appropriate spring elements 13th to be contacted.

Außerdem können die Anschlussdrähte 7 von mehr als zwei Leistungs-Halbleiterschaltern 5 kontaktiert werden. So kann beispielsweise an einem oder mehreren Halbleiterschaltern 5 jeweils der Emitter und/oder der Kollektor kontaktiert werden, wobei ein Filterelement 3 auf der zusätzlichen Platine 10 derart angeordnet ist, dass es zwischen dem Emitter und/oder dem Kollektor Störungen reduzierend wirkt.In addition, the connecting wires 7th of more than two power semiconductor switches 5 to be contacted. For example, one or more semiconductor switches 5 in each case the emitter and / or the collector are contacted, with a filter element 3 on the additional board 10 is arranged such that it acts to reduce interference between the emitter and / or the collector.

In einem Beispiel können die Anschlussdrähte 7 von sechs Leistungs-Halbleiterschaltern 5 kontaktiert werden, welche zu einer Inverter-Baugruppe eines elektrischen Kältemittelverdichters in einem Fahrzeug zugehörig sind. In diesem Fall werden beispielsweise die beiden in der 2 dargestellten Leistungs-Halbleiterschalter 5 jeweils mehrfach hintereinander angeordnet, wobei eine Ausrichtung der Anschlussdrähte 7 paarweise zueinander erhalten bleiben kann.In one example, the lead wires 7th of six power semiconductor switches 5 be contacted, which are associated with an inverter assembly of an electric refrigerant compressor in a vehicle. In this case, for example, the two in the 2 power semiconductor switch shown 5 each arranged multiple times one behind the other, with an alignment of the connecting wires 7th can be preserved in pairs to each other.

Wie es in der 2 deutlich zu erkennen ist, verkürzt sich die Leitungslänge 14 der vorliegenden Erfindung wesentlich gegenüber der Leitungslänge 8 nach dem Stand der Technik, wie diese in der 1 dargestellt ist. Diese Verringerung der Leitungslänge 14 wird dadurch erreicht, dass eine einzige zusätzliche Platine 10 mit entsprechenden Federelementen 13, welche eine Kontaktierung der Anschlussdrähte 7 beider Leistungs-Halbleiterschalter 5 ermöglichen, in einem Bereich zwischen den beiden Leistungs-Halbleiterschaltern 5 angeordnet wird. Vorteilhafterweise sind hierbei die Anschlussdrähte 7 zweier Leistungs-Halbleiterschaltern 5 zumindest im Wesentlichen zueinander ausgerichtet angeordnet und erstrecken sich somit in den Bereich der zusätzlichen Platine 10. Like it in the 2 can be clearly seen, the cable length is shortened 14th of the present invention significantly compared to the line length 8th according to the prior art, as this in the 1 is shown. This reduction in line length 14th is achieved by having a single additional board 10 with corresponding spring elements 13th , which a contacting of the connecting wires 7th both power semiconductor switches 5 enable in an area between the two power semiconductor switches 5 is arranged. The connecting wires are advantageous here 7th two power semiconductor switches 5 arranged at least substantially aligned with one another and thus extend into the area of the additional circuit board 10 .

Ein Verkürzen der Leitungslänge 14 bedeutet, dass der Abstand zwischen dem Halbleiterchip 6 im Leistungs-Halbleiterschalter 5 und dem Filterelement 3 geringer geworden ist. Infolgedessen werden die sich ausbildenden parasitären Induktivitäten verringert und eine verbesserte Filterung der bei einem Schaltvorgang eines Leistungs-Halbleiterschalters 5 entstehenden Störungen erreicht.A shortening of the line length 14th means that the distance between the semiconductor chip 6th in the power semiconductor switch 5 and the filter element 3 has decreased. As a result, the parasitic inductances that form are reduced and the filtering of the during a switching process of a power semiconductor switch is improved 5 resulting disturbances reached.

Die 3 zeigt eine Anordnung einer zusätzlichen Platine 10 mit entsprechenden Filterelementen 3 und Federelementen 13 sowie zugehörigen Leistungs-Halbleiterschaltern 5 auf einer Oberfläche 15 eines Gehäuses 16 eines elektrischen Kältemittelverdichters in einer Draufsicht.The 3 shows an arrangement of an additional board 10 with appropriate filter elements 3 and spring elements 13th as well as associated power semiconductor switches 5 on a surface 15th a housing 16 of an electric refrigerant compressor in a plan view.

Als Beispiel wird ein Gehäuse 16 eines elektrischen Kältemittelverdichters genutzt, wobei dies keine Einschränkung darstellt. Auf einer zumindest teilweise ebenen Oberfläche 15 sind jeweils paarweise gegenüberliegend angeordnet sechs Leistungs-Halbleiterschalter 5 dargestellt. Diese sechs Leistungs-Halbleiterschalter 5 sind beispielsweise zu einem Inverter des elektrischen Kältemittelverdichters zugehörig.An example is a case 16 an electric refrigerant compressor, although this is not a limitation. On an at least partially flat surface 15th six power semiconductor switches are arranged opposite one another in pairs 5 shown. These six power semiconductor switches 5 are for example associated with an inverter of the electric refrigerant compressor.

Im Beispiel der 3 sind die Leistungs-Halbleiterschalter 5 mittels Klemmen 17 auf der Oberfläche 15 angeordnet und befestigt. Diese Klemmen 17 ermöglichen eine schnelle Montage, sind aber nicht zwingend. Alternative Befestigungsmethoden sind möglich.In the example of the 3 are the power semiconductor switches 5 by means of clamps 17th on the surface 15th arranged and attached. These clamps 17th enable quick assembly, but are not mandatory. Alternative fastening methods are possible.

Jeweils zwei der Leistungs-Halbleiterschalter 5 sind mit einem leichten seitlichen Versatz zueinander auf der Oberfläche 15 angeordnet, wobei ihre Anschlussdrähte 7 zueinander, in den Bereich der zusätzlichen Platine 10 weisend, angeordnet sind. Ein Versatz der Leistungs-Halbleiterschalter 5 wie in der 3 gezeigt und ebenso eine Ausrichtung in einem Winkel zueinander sind möglich, solange es gewährleistet werden kann, dass die Anschlussdrähte 7 durch die auf der zusätzlichen Platine 10 angeordneten Federelemente 13 kontaktiert werden können.Two of the power semiconductor switches each 5 are with a slight lateral offset to each other on the surface 15th arranged, with their connecting wires 7th to each other, in the area of the additional board 10 pointing, are arranged. An offset of the power semiconductor switches 5 like in the 3 shown and also an alignment at an angle to each other are possible as long as it can be guaranteed that the connecting wires 7th through those on the additional board 10 arranged spring elements 13th can be contacted.

In der 3 sind die Federelemente 13 nicht zu erkennen, da diese unter den Anschlussdrähten 7 der Leistungs-Halbleiterschalter 5 angeordnet sind. In der 3 ist auch nur der Verlauf der Anschlussdrähten 7 in ihrem ersten Bereich 11 zu erkennen, da der Verlauf im zweiten Bereich 12 in der Richtung des Betrachters der 3 liegt. In der Praxis würde über den Leistungs-Halbleiterschaltern 5 und der zusätzlichen Platine 10 die Hauptleiterplatte 2 angeordnet werden. Zum Zweck der besseren Darstellung ist die Hauptleiterplatte 2 in der 3 nicht dargestellt.In the 3 are the spring elements 13th not to be seen, as this is under the connecting wires 7th the power semiconductor switch 5 are arranged. In the 3 is also just the course of the connecting wires 7th in their first area 11 to recognize, since the course in the second area 12th in the direction of the viewer 3 lies. In practice this would be above the power semiconductor switches 5 and the additional board 10 the main circuit board 2 to be ordered. For the sake of clarity, the main circuit board is 2 in the 3 not shown.

In der 4 ist eine Anordnung 1 zur Filterung von Störungen mit einer zusätzlichen Platine 10 mit entsprechenden Filterelementen 3 und Federelementen 13 sowie zugehörigen Leistungs-Halbleiterschaltern 5 auf einer Oberfläche 15 eines Gehäuses 16 eines elektrischen Kältemittelverdichters in einer Seitenansicht dargestellt.In the 4th is an arrangement 1 to filter interference with an additional circuit board 10 with appropriate filter elements 3 and spring elements 13th as well as associated power semiconductor switches 5 on a surface 15th a housing 16 an electric refrigerant compressor shown in a side view.

Die beiden dargestellten Leistungs-Halbleiterschalter 5 werden auf der Oberfläche 15 eines Gehäuses 16 mittels entsprechender Klemmen 17 gehalten, was zumindest im rechten Teil der 4 vollständig dargestellt ist.The two power semiconductor switches shown 5 be on the surface 15th a housing 16 using appropriate clamps 17th kept what at least in the right part of the 4th is shown in full.

Die Leistungs-Halbleiterschalter 5 sind derart ausgerichtet, dass die Anschlussdrähte 7 in einem ersten Bereich 11 aufeinander zu und parallel zur Oberfläche 15 verlaufen. Im zweiten Bereich 12 verlaufen die Anschlussdrähte 7 der Leistungs-Halbleiterschalter 5 parallel zueinander und weg von der Oberfläche 15. Innerhalb des ersten Bereichs 11 werden die Anschlussdrähte 7 mittels der dargestellten s-förmigen Federelemente 13 kontaktiert. Über diese Federelemente 13 wird eine elektrisch leitende Verbindung zu den auf der zusätzlichen Platine 10 angeordneten Filterelementen 3 hergestellt. Die in der 4 nur mittels einer Strich-Strich-Linie dargestellte Hauptplatine 2 wird parallel zur zusätzlichen Platine 10 und zur Oberfläche 15 und beabstandet zu dieser angeordnet.The power semiconductor switches 5 are aligned so that the connecting wires 7th in a first area 11 towards each other and parallel to the surface 15th run away. In the second area 12th the connecting wires run 7th the power semiconductor switch 5 parallel to each other and away from the surface 15th . Within the first area 11 become the connecting wires 7th by means of the illustrated s-shaped spring elements 13th contacted. About these spring elements 13th becomes an electrically conductive connection to the ones on the additional circuit board 10 arranged filter elements 3 produced. The one in the 4th motherboard shown only by means of a dash-dash line 2 becomes parallel to the additional board 10 and to the surface 15th and arranged at a distance from this.

5 zeigt ein Diagramm eines messtechnischen Vergleichs der erfindungsgemäßen Anordnung 1 zur Filterung von Störungen mit einer aus dem Stand der Technik bekannten Anordnung 1' zur Filterung von Störungen. 5 shows a diagram of a metrological comparison of the arrangement according to the invention 1 for filtering interference with an arrangement known from the prior art 1' for filtering disturbances.

Im Diagramm der 5 ist jeweils der Schaltvorgang eines Leistungs-Halbleiters 5 mit den erzeugten ungewollten Störungen mit seiner Spannungsamplitude in einem zeitlichen Verlauf dargestellt. Hierbei wird eine derartige Störung nach dem Stand der Technik mittels einer Punkt-Punkt-Linie dargestellt. Der bei einem Einsatz der erfindungsgemäßen Anordnung 1 zu verzeichnende Schaltvorgang mit seiner Störung ist mittels einer durchgehenden Linie dargestellt. Wie es in der 5 deutlich zu erkennen ist, wird die auftretende Störung mit der erfindungsgemäßen Anordnung 1 wesentlich besser gedämpft. Das heißt, die Amplitude der Störung ist wesentlich geringer und liegt erfindungsgemäß nur noch etwa bei der Hälfte bis zu einem Viertel des nach dem Stand der Technik zu erwartenden Wertes.In the diagram of the 5 is the switching process of a power semiconductor 5 with the generated unwanted disturbances with its voltage amplitude in a time course. In this case, such a disruption according to the prior art is represented by means of a dot-dot line. When using the arrangement according to the invention 1 The switching process to be recorded with its fault is shown by a continuous line. Like it in the 5 can be clearly seen, the malfunction occurring with the arrangement according to the invention 1 much better attenuated. This means that the amplitude of the disturbance is significantly lower and, according to the invention, is only about half to a quarter of the value to be expected according to the prior art.

Somit wird durch den Einsatz der erfindungsgemäßen Anordnung 1 zur Filterung von Störungen die Größe auftretender EMV-Störungen wesentlich verringert. Außerdem werden die Störungen bereits nahe ihrer Quelle im Bereich der Leistungs-Halbleiterschalter 5 gedämpft und erreichen somit die Hauptplatine 2 nicht in dem aus dem Stand der Technik bekannten Ausmaß.Thus, through the use of the arrangement according to the invention 1 to filter interference, the size of the EMC interference that occurs is significantly reduced. In addition, the interference is already close to its source in the area of the power semiconductor switches 5 attenuated and thus reach the motherboard 2 not to the extent known from the prior art.

Durch diese Verbesserte Dämpfung auftretender Störungen könne die Leistungs-Halbleiterschalter 5 problemlos schnell umgeschaltet werden. Thanks to this improved damping of occurring disturbances, the power semiconductor switches can 5 can be switched quickly without any problems.

BezugszeichenlisteList of reference symbols

1, 1'1, 1 '
Anordnung zur Filterung von StörungenArrangement for filtering disturbances
22
HauptplatineMotherboard
33
FilterelementFilter element
44th
weitere Bauteilefurther components
55
Leistungs-HalbleiterschalterPower semiconductor switch
66th
Halbleiterchip im Leistungs-HalbleiterschalterSemiconductor chip in the power semiconductor switch
77th
AnschlussdrähteConnecting wires
88th
Leitungslänge Stand der TechnikState of the art line length
99
BefestigungsschraubeFastening screw
1010
zusätzliche Platineadditional board
1111
erster Bereichfirst area
1212th
zweiter Bereichsecond area
1313th
FederelementSpring element
1414th
Leitungslänge ErfindungLine length invention
1515th
Oberflächesurface
1616
Gehäuse eines KühlmittelverdichtersHousing of a coolant compressor
1717th
KlemmeClamp

Claims (9)

Anordnung (1) zur Filterung von Störungen, welche mindestens ein Filterelement (3) aufweist, wobei das Filterelement (3) mit mindestens einem Anschlussdraht (7) eines Leistungs-Halbleiterschalters (5) verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Filterelement (3) auf einer zusätzlichen Platine (10) angeordnet ist, dass auf der zusätzlichen Platine (10), mit dem Filterelement (3) elektrisch leitend verbunden, Federelemente (13) angeordnet sind, dass die zusätzliche Platine (10) mit den Federelementen (13) derart gegenüber den Anschlussdrähten (7) mindestens zweier Leistungs-Halbleiterschalter (5) angeordnet ist, dass das mindestens eine Filterelement (3) über die Federelemente (13) mindestens einen Anschlussdraht (7) jedes Leistungs-Halbleiterschalters (5) kontaktiert.Arrangement (1) for filtering interference, which has at least one filter element (3), the filter element (3) being connected to at least one connecting wire (7) of a power semiconductor switch (5), characterized in that at least one filter element (3 ) is arranged on an additional board (10), that spring elements (13) are arranged on the additional board (10), electrically connected to the filter element (3), that the additional board (10) with the spring elements (13) is arranged opposite the connecting wires (7) of at least two power semiconductor switches (5) that the at least one filter element (3) contacts at least one connecting wire (7) of each power semiconductor switch (5) via the spring elements (13). Anordnung (1) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Kontaktieren der Anschlussdrähte (7) durch die Federelemente (13) in einem ersten Bereich (11) der Anschlussdrähte (7) erfolgt.Arrangement (1) according to Claim 1 , characterized in that the connection wires (7) are contacted by the spring elements (13) in a first area (11) of the connection wires (7). Anordnung (1) nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Bereich (11) der Anschlussdrähte (7) ausgehend von einem Gehäuse des Leistungs-Halbleiterschalters (5) die erste Hälfte der Anschlussdrähte (7) umfasst, insbesondere ein erstes Drittel der Anschlussdrähte (7) umfasst.Arrangement (1) according to Claim 1 or 2 , characterized in that the first region (11) of the connecting wires (7), starting from a housing of the power semiconductor switch (5), comprises the first half of the connecting wires (7), in particular comprising a first third of the connecting wires (7). Anordnung (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die zusätzliche Platine (10) mit den Federelementen (13) gegenüber den Anschlussdrähten (7) von sechs Leistungs-Halbleiterschalters (5) angeordnet ist, wobei die Leistungs-Halbleiterschalter (5) paarweise und mit ihren Anschlussdrähten (7) relativ zueinander ausgerichtet angeordnet sind.Arrangement (1) according to one of the Claims 1 to 3 , characterized in that the additional board (10) with the spring elements (13) is arranged opposite the connecting wires (7) of six power semiconductor switches (5), the power semiconductor switches (5) in pairs and with their connecting wires (7) are arranged aligned relative to one another. Anordnung (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die zusätzliche Platine (10) auf einer Oberfläche (15) eines Gehäuses (16) angeordnet ist, dass die Federelemente (13) auf der zusätzlichen Platine (10) zwischen der zusätzlichen Platine (10) und Anschlussdrähten (7) der Leistungs-Halbleiterschalter (5) angeordnet sind und das die Leistungs-Halbleiterschalter (5) auf der Oberfläche (15) eines Gehäuses (16) und neben der zusätzlichen Platine (10) angeordnet sind.Arrangement (1) according to one of the Claims 1 to 4th , characterized in that the additional circuit board (10) is arranged on a surface (15) of a housing (16), that the spring elements (13) on the additional circuit board (10) between the additional circuit board (10) and connecting wires (7) the power semiconductor switches (5) are arranged and that the power semiconductor switches (5) are arranged on the surface (15) of a housing (16) and next to the additional circuit board (10). Anordnung (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Leistungs-Halbleiterschalter (5) auf der Oberfläche (15) eines Gehäuses (16) mittels Klemmen (17) befestigt angeordnet sind.Arrangement (1) according to one of the Claims 1 to 5 , characterized in that the power semiconductor switches (5) are arranged fastened to the surface (15) of a housing (16) by means of clamps (17). Anordnung (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Anschlussdrähte (7) der Leistungs-Halbleiterschalter (5) in einem ersten Bereich (11) parallel zur Oberfläche (15) verlaufen und dass die Anschlussdrähte (7) der Leistungs-Halbleiterschalter (5) in einem zweiten Bereich (12) senkrecht zur Oberfläche (15) und von dieser weg verlaufen.Arrangement (1) according to one of the Claims 1 to 6th , characterized in that the connecting wires (7) of the power semiconductor switches (5) run in a first area (11) parallel to the surface (15) and that the connecting wires (7) of the power semiconductor switches (5) in a second area ( 12) run perpendicular to the surface (15) and away from it. Anordnung (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass über der zusätzlichen Platine (10) und den Leistungs-Halbleiterschaltern (5) eine Hauptplatine (2) angeordnet ist.Arrangement (1) according to one of the Claims 1 to 7th , characterized in that a main board (2) is arranged above the additional board (10) and the power semiconductor switches (5). Anordnung (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass als Filterelement (3) eine Kapazität oder ein aus einem Widerstand und einer Kapazität bestehendes Dämpfungselement angeordnet ist.Arrangement (1) according to one of the Claims 1 to 8th , characterized in that a capacitance or a damping element consisting of a resistor and a capacitance is arranged as the filter element (3).
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