DE102019120589A1 - Gas distributor for a CVD reactor - Google Patents

Gas distributor for a CVD reactor Download PDF

Info

Publication number
DE102019120589A1
DE102019120589A1 DE102019120589.1A DE102019120589A DE102019120589A1 DE 102019120589 A1 DE102019120589 A1 DE 102019120589A1 DE 102019120589 A DE102019120589 A DE 102019120589A DE 102019120589 A1 DE102019120589 A1 DE 102019120589A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
gas
throttle
cvd reactor
mass flow
gas discharge
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE102019120589.1A
Other languages
German (de)
Inventor
Peter Sebald Lauffer
Levin David Richard Johannes Bee
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Aixtron SE
Original Assignee
Aixtron SE
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Aixtron SE filed Critical Aixtron SE
Priority to DE102019120589.1A priority Critical patent/DE102019120589A1/en
Priority to PCT/EP2020/070694 priority patent/WO2021018693A2/en
Priority to TW109125218A priority patent/TW202118893A/en
Publication of DE102019120589A1 publication Critical patent/DE102019120589A1/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4408—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber by purging residual gases from the reaction chamber or gas lines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F15—FLUID-PRESSURE ACTUATORS; HYDRAULICS OR PNEUMATICS IN GENERAL
    • F15D—FLUID DYNAMICS, i.e. METHODS OR MEANS FOR INFLUENCING THE FLOW OF GASES OR LIQUIDS
    • F15D1/00—Influencing flow of fluids
    • F15D1/02—Influencing flow of fluids in pipes or conduits
    • F15D1/025—Influencing flow of fluids in pipes or conduits by means of orifice or throttle elements
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F15—FLUID-PRESSURE ACTUATORS; HYDRAULICS OR PNEUMATICS IN GENERAL
    • F15D—FLUID DYNAMICS, i.e. METHODS OR MEANS FOR INFLUENCING THE FLOW OF GASES OR LIQUIDS
    • F15D1/00—Influencing flow of fluids
    • F15D1/14—Diverting flow into alternative channels

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft einen Gasverteiler mit einer Gaszuleitung (2), die mehreren Gasableitungen (3, 3', 3")strömungsverbindet. Ein in die Gaszuleitung (2) eingespeister erster Massenfluss eines Gases wird derart auf die mehreren Gasableitungen (3, 3', 3")aufgeteilt, dass durch zumindest zwei der Gasableitungen (3, 3', 3") jeweils ein zweiter Massenfluss des Gases fließt. Um sicherzustellen, dass sich das Massenflussverhältnis bei einer Änderung eines Totaldrucks nicht ändert, besitzen die Gasableitungen (3, 3', 3") Drosselelemente (4, 4', 4"), wobei die Drosselelemente (4, 4', 4") ein oder mehrere untereinander gleichgestaltete Drosselkanäle (5) aufweisen, deren Durchflussfläche kleiner ist als die Durchflussfläche der zugeordneten Gasableitung (3, 3', 3"). Des Weiteren betrifft die Erfindung einen CVD-Reaktor (10) sowie ein Verfahren zum Einspeisen von Spülgasen in einen CVD-Reaktor (10).The invention relates to a gas distributor with a gas supply line (2) which fluidly connects several gas discharge lines (3, 3 ', 3 "). A first mass flow of a gas fed into the gas supply line (2) is thus transferred to the several gas discharge lines (3, 3', 3 ") so that a second mass flow of the gas flows through at least two of the gas outlets (3, 3 ', 3"). To ensure that the mass flow ratio does not change when a total pressure changes, the gas outlets (3, 3 ', 3 ") throttle elements (4, 4', 4"), whereby the throttle elements (4, 4 ', 4 ") have one or more identical throttle channels (5) whose flow area is smaller than the flow area of the associated gas discharge line ( 3, 3 ', 3 "). The invention also relates to a CVD reactor (10) and a method for feeding purge gases into a CVD reactor (10).

Description

Gebiet der TechnikField of technology

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Verteilen von Gasen mit einer Gaszuleitung, die mit mehreren Gasableitungen derart strömungsverbunden ist, dass ein in die Gaszuleitung eingespeister erster Massenfluss eines Gases auf die mehreren Gasableitungen derart aufgeteilt wird, dass durch zumindest zwei der Gasableitungen jeweils ein zweiter Massenfluss des Gases fließt.The invention relates to a device for distributing gases with a gas feed line which is flow-connected to a plurality of gas outlets in such a way that a first mass flow of a gas fed into the gas feed line is distributed to the multiple gas outlets in such a way that a second mass flow of the Gas flows.

Die Erfindung betrifft darüber hinaus einen CVD-Reaktor mit einem Gehäuse, einem darin angeordneten Gaseinlassorgan zum Einleiten von Prozessgasen in eine Prozesskammer, einem Suszeptor zur Aufnahme von Substraten und einer Vielzahl von Spülgasleitungen, die mit Spülgasaustrittsöffnungen in das Gehäuse münden und die von einer Spülgasquelle mit einem mittels eines Massenfluss-Controllers einstellbaren Spülgasfluss gespeist werden.The invention also relates to a CVD reactor with a housing, a gas inlet element arranged therein for introducing process gases into a process chamber, a susceptor for receiving substrates and a multitude of flushing gas lines which open into the housing with flushing gas outlet openings and which come from a flushing gas source a purge gas flow adjustable by means of a mass flow controller.

Stand der TechnikState of the art

Mit einer gattungsgemäßen Vorrichtung kann ein in eine Gaszuleitung eingespeister Massenfluss in eine Vielzahl von Massenflüsse aufgespalten werden, die durch mehrere Gasableitungen hindurchströmen. Gasverteiler zum Aufteilen eines Stamm-Stroms in mehrere Zweig-Ströme sind beispielsweise bekannt aus den CN 202962421 U , US 6 878 472 B2 , US 4 512 368 A , US 4 800 921 A , EP 1 748 851 B1 und US 5 474 102 A .With a device of the generic type, a mass flow fed into a gas feed line can be split into a multiplicity of mass flows which flow through a plurality of gas discharge lines. Gas distributors for dividing a main stream into several branch streams are known, for example, from US Pat CN 202962421 U , US 6,878,472 B2 , U.S. 4,512,368 A , U.S. 4,800,921 A , EP 1 748 851 B1 and U.S. 5,474,102 A .

Ein CVD-Reaktor besitzt ein Gaseinlassorgan zum Einleiten von Prozessgasen in eine Prozesskammer. In der Prozesskammer befindet sich ein Suszeptor, der ein oder mehrere Substrate trägt, die in Behandlungsprozessen thermisch behandelt werden, beispielsweise durch Einspeisen von sich in der Prozesskammer zerlegenden Gasen mit Zerlegungsprodukten der Gase beschichtet werden. Der CVD-Reaktor besitzt eine Temperiereinrichtung, beispielsweise eine Heizeinrichtung, mit der der Suszeptor auf eine Prozesstemperatur gebracht wird. Die Prozesssteuerung oder Prozessüberwachung besitzt Mittel, mit denen das Schichtwachstum und die Oberflächentemperatur der Substrate oder des Suszeptors gemessen werden können. Diese Mittel können Pyrometer sein. Ein optischer Pfad, entlang dessen die optische Messung von Eigenschaften der Oberfläche des Substrates oder des Suszeptors erfolgt, verläuft durch Durchtrittsöffnungen, die von einem Spülgas gespült werden. Die Durchtrittsöffnungen können einem Gaseinlassorgan zugeordnet sein, das an der Prozesskammerdecke angeordnet ist. Die Durchtrittsöffnungen können aber auch der Prozesskammerdecke selbst zugeordnet sein. Das mindestens eine Pyrometer kann außerhalb der Prozesskammer und insbesondere außerhalb eines Gehäuses des CVD-Reaktors angeordnet sein. Beim Stand der Technik wird jede einzelne dieser Durchtrittsöffnungen von einem Spülgasfluss gespült, dessen Massenfluss über einen Massenfluss-Controller eingestellt wird. Wird eine Vielzahl von optischen Messgeräten verwendet, so ist eine entsprechende Vielzahl von Gasdurchtrittsöffnungen erforderlich, die beim Stand der Technik jeweils gespült werden, wobei jeder Spülgasleitung ein Massenfluss-Controller zugeordnet ist, damit jede Durchtrittsöffnung mit einem individuellen Massenfluss des Spülgases gespült werden kann.A CVD reactor has a gas inlet element for introducing process gases into a process chamber. In the process chamber there is a susceptor which carries one or more substrates which are thermally treated in treatment processes, for example coated with decomposition products of the gases by feeding in gases that decompose in the process chamber. The CVD reactor has a temperature control device, for example a heating device, with which the susceptor is brought to a process temperature. The process control or process monitoring has means with which the layer growth and the surface temperature of the substrates or the susceptor can be measured. These means can be pyrometers. An optical path, along which the optical measurement of properties of the surface of the substrate or of the susceptor takes place, runs through passage openings which are flushed by a flushing gas. The passage openings can be assigned to a gas inlet element which is arranged on the process chamber ceiling. However, the passage openings can also be assigned to the process chamber ceiling itself. The at least one pyrometer can be arranged outside the process chamber and in particular outside a housing of the CVD reactor. In the prior art, each individual one of these passage openings is flushed by a flushing gas flow, the mass flow of which is set via a mass flow controller. If a large number of optical measuring devices is used, a corresponding large number of gas passage openings is required, which are each purged in the prior art, with a mass flow controller being assigned to each purge gas line so that each passage opening can be purged with an individual mass flow of the purge gas.

Zusammenfassung der ErfindungSummary of the invention

Die Verwendung von Gasflussverteilern, wie sie in dem oben genannten Stand der Technik beschrieben werden, ist nicht zweckmäßig, da das Verhältnis der Zweigflüsse zueinander nicht nur von den mechanischen Eigenschaften wie Viskosität oder dergleichen der Gase sondern auch vom Totaldruck der Gase abhängig ist, die verteilt werden sollen. Bei einem CVD-Reaktor wird jedoch der Totaldruck und/oder das Spülgas zwischen den einzelnen Prozessschritten verändert. Bei der Verwendung eines der gattungsgemäßen Gasflussverteiler würde sich dann auch das Massenflussverhältnis zweier Spülgasflüsse ändern.The use of gas flow distributors, as described in the above-mentioned prior art, is not expedient, since the ratio of the branch flows to one another is dependent not only on the mechanical properties such as viscosity or the like of the gases but also on the total pressure of the gases that are distributed should be. In the case of a CVD reactor, however, the total pressure and / or the purging gas is changed between the individual process steps. When using one of the generic gas flow distributors, the mass flow ratio of two flushing gas flows would then also change.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde Maßnahmen anzugeben, mit denen die Spülgasversorgung vereinfacht werden kann.The invention is based on the object of specifying measures with which the purge gas supply can be simplified.

Der Erfindung liegt ferner die Aufgabe zugrunde einen hierzu geeigneten Gasflussverteiler anzugeben.The invention is also based on the object of specifying a gas flow distributor suitable for this purpose.

Der Erfindung liegt ferner die Aufgabe zugrunde die oben geschilderten Nachteile eines gattungsgemäßen Gasflussverteilers zu beheben.The invention is also based on the object of eliminating the above-described disadvantages of a generic gas flow distributor.

Gelöst wird die Aufgabe durch die in den Ansprüchen angegebene Erfindung, wobei die Unteransprüche nicht nur vorteilhafte Weiterbildungen der in den nebengeordneten Ansprüchen beanspruchten Erfindung sind, sondern auch eigenständige Lösungen der Aufgabe darstellen.The object is achieved by the invention specified in the claims, the subclaims not only being advantageous developments of the invention claimed in the independent claims, but also representing independent solutions to the object.

Zunächst und im Wesentlichen wird vorgeschlagen, dass der Gasflussverteiler eine Vielzahl von Drosselelementen aufweist, die jeweils einer der Gasableitungen zugeordnet sind. Die Drosselelemente besitzen untereinander gleichgestaltete Drosselkanäle. Die Drosselkanäle sollen eine Durchflussfläche, also eine Querschnittsfläche besitzen, die wesentlich geringer ist als die Durchflussfläche, also die Querschnittsfläche der ihr zugeordneten Gasableitung. Dabei können alle Gasableitungen denselben Querschnitt aufweisen. Die Drosselkanäle können erfindungsgemäß so ausgebildet sein, dass jeder Drosselkanal einem Gasstrom denselben Flusswiderstand entgegensetzt. Beim selben Totaldruck und bei derselben Druckdifferenz auf den beiden Seiten eines Drosselkanals fließt somit durch jeden Drosselkanal der gleiche Massenfluss. Indem bevorzugt zumindest zwei Drosselelemente eine unterschiedliche Anzahl von Drosselkanälen aufweisen, können durch die Drosselelemente voreingestellt verschiedene Massenflüsse hindurchfließen. Das Massenflussverhältnis zwischen den durch die Drosselelemente hindurchtretenden Gasflüsse bleibt somit konstant, auch wenn sich der Totaldruck oder die Druckdifferenz ändert. Da die Drosselkanäle geometrisch identisch sind, wirkt sich auf das Durchflussverhältnis auch nicht eine Änderung einer physikalischen Eigenschaft des Gases aus. Durch die Wahl der Anzahl der Drosselkanäle kann das Durchflussmengenverhältnis unter den Drosselelementen digital voreingestellt werden. Das Durchflussmengenverhältnis wird bestimmt durch den Quotienten der Anzahl der Drosselkanäle der Drosselelemente. Der Quotient kann 1 oder von 1 verschieden sein. Es ist insbesondere von Vorteil, wenn die Summe der Querschnittsflächen der Drosselkanäle eines Drosselelementes kleiner ist als die Querschnittsfläche der Ableitung. Es ist insbesondere von Vorteil, wenn die Summe der Querschnittsflächen wesentlich kleiner, insbesondere zweimal, dreimal oder viermal so klein ist wie die Querschnittsfläche der Ableitung. Bei dieser Wahl der Durchmesser der Drosselkanäle können sich die Längen der Ableitungen und der sich daran anschließenden Spülgasleitungen sowie die Durchmesser der Ableitungen bzw. Spülgasleitungen stark voneinander unterscheiden. Der wesentliche Strömungswiderstand ist auf das Drosselelement beschränkt. Der erfindungsgemäße Gasverteiler kann somit nicht nur verwendet werden, um voneinander verschiedene Gasflüsse auch bei sich ändernden Totaldrucken konstant zu halten. Der erfindungsgemäße Gasverteiler kann insbesondere auch dazu verwendet werden, um einen ersten Gasfluss auf zwei oder mehrere jeweils betragsmäßig gleiche zweite Gasflüsse aufzuteilen, die jeweils durch eine Gasableitung hin zu einer Gasaustrittsöffnung strömen, wobei sich die Gasableitungen hinsichtlich ihrer Länge und ihrer Durchmesser unterscheiden können.First and foremost, it is proposed that the gas flow distributor have a multiplicity of throttle elements which are each assigned to one of the gas discharge lines. The throttle elements have throttle channels that are identical to one another. The throttle channels should have a flow area, ie a cross-sectional area, which is significantly smaller than the flow area, ie the cross-sectional area of the gas discharge line assigned to it. All gas discharge lines can have the same cross section. The throttle channels can be designed according to the invention such that each throttle channel opposes the same flow resistance to a gas flow. With the same total pressure and with the same pressure difference on the two sides of a throttle channel, the same mass flow thus flows through each throttle channel. Since at least two throttle elements preferably have a different number of throttle channels, different mass flows can flow through the throttle elements in a preset manner. The mass flow ratio between the gas flows passing through the throttle elements thus remains constant, even if the total pressure or the pressure difference changes. Since the throttle channels are geometrically identical, a change in a physical property of the gas does not affect the flow ratio. By selecting the number of throttle channels, the flow rate ratio among the throttle elements can be preset digitally. The flow rate ratio is determined by the quotient of the number of throttle channels of the throttle elements. The quotient can be 1 or different from 1. It is particularly advantageous if the sum of the cross-sectional areas of the throttle channels of a throttle element is smaller than the cross-sectional area of the discharge line. It is particularly advantageous if the sum of the cross-sectional areas is significantly smaller, in particular twice, three times or four times as small as the cross-sectional area of the discharge. With this choice of the diameter of the throttle channels, the lengths of the discharge lines and the purging gas lines connected to them and the diameters of the discharge lines or purging gas lines can differ greatly from one another. The main flow resistance is limited to the throttle element. The gas distributor according to the invention can thus not only be used to keep gas flows that differ from one another constant even when the total pressures change. The gas distributor according to the invention can in particular also be used to divide a first gas flow into two or more second gas flows of equal magnitude, each of which flows through a gas discharge line to a gas outlet opening, the gas discharge lines being able to differ in terms of their length and diameter.

Die Erfindung betrifft auch Drosselelemente mit Drosselkanälen, die untereinander dieselbe Länge besitzen und/oder die einen kreisrunden Querschnitt aufweisen. Die Drosselkanäle können parallel nebeneinander angeordnet sein. Sie können auf einer Querschnittsfläche des Drosselelementes gleichmäßig verteilt sein. Die Drosselelemente können von scheibenförmigen Körpern gebildet sein. Beispielsweise kann ein Drosselelement eine Kreisschreibenform aufweisen, wobei der Durchmesser der Kreisscheibe wesentlich größer ist als der Abstand der beiden Breitseitenflächen der Kreisscheibe. Die Drosselkanäle können sich dann senkrecht zwischen den beiden Breitseitenflächen erstrecken. Die Erfindung umfasst auch solche Drosselelemente, die einen unrunden Querschnitt aufweisen, beispielsweise einen ovalen oder mehrkantigen Querschnitt. Der Gasverteiler kann mindestens drei Gasableitungen aufweisen, wobei jeder Gasableitung ein Drosselelement zugeordnet ist. Die Drosselelemente können austauschbar den Gasableitungen zugeordnet werden, so dass das Massenflussverhältnis des Gasverteilers durch eine geeignete Wahl der Drosselelemente voreingestellt werden kann. Dabei kann jeder Gasableitung eine Aufnahmekammer oder Nische zugeordnet sein, in die ein Drosselelement eingesetzt werden kann. Die Drosselelemente können austauschbar jeweils einer Gasableitung zugeordnet werden. Die Gaszuleitung kann erfindungsgemäß an einen Massenfluss-Controller angeschlossen werden, der einen vorgegebenen Massenfluss eines Gases in die Gaszuleitung einspeist. Entsprechend dem Verhältnis der Drosselkanäle wird dieser Gasfluss auf die Gasableitungen aufgeteilt. Da die Drosselkanäle untereinander gleichgestaltet sind, ist das Verteilerverhältnis immer konstant.The invention also relates to throttle elements with throttle channels which have the same length as one another and / or which have a circular cross section. The throttle channels can be arranged parallel to one another. They can be evenly distributed over a cross-sectional area of the throttle element. The throttle elements can be formed by disk-shaped bodies. For example, a throttle element can have the shape of a circular disk, the diameter of the circular disk being substantially greater than the distance between the two broad side surfaces of the circular disk. The throttle channels can then extend vertically between the two broad side surfaces. The invention also encompasses those throttle elements which have a non-circular cross section, for example an oval or polygonal cross section. The gas distributor can have at least three gas discharge lines, each gas discharge line being assigned a throttle element. The throttle elements can be interchangeably assigned to the gas discharge lines, so that the mass flow ratio of the gas distributor can be preset by a suitable choice of the throttle elements. Each gas discharge line can be assigned a receiving chamber or niche into which a throttle element can be inserted. The throttle elements can each be assigned to a gas discharge line in an exchangeable manner. According to the invention, the gas supply line can be connected to a mass flow controller which feeds a predetermined mass flow of a gas into the gas supply line. This gas flow is divided between the gas discharge lines in accordance with the ratio of the throttle channels. Since the throttle channels are designed in the same way, the distribution ratio is always constant.

Die Erfindung betrifft darüber hinaus einen CVD-Reaktor. Der CVD-Reaktor besitzt ein Gehäuse, in dem sich eine Prozesskammer befindet. In die Prozesskammer werden mittels eines Gaseinlassorganes voneinander verschiedene Prozessgase eingespeist, beispielsweise ein Hydrid eines Elementes der V. Hauptgruppe und eine metallorganische Verbindung eines Elementes der III. Hauptgruppe. Diese reaktiven Gase werden jeweils zusammen mit einem Inertgas, beispielsweise Wasserstoff, in das Gaseinlassorgan und durch das Gaseinlassorgan hindurch in die Prozesskammer eingespeist. In der Prozesskammer befindet sich ein von einer Heizeinrichtung beheizbarer Suszeptor, der zu beschichtende Substrate trägt. Die Substrate werden mit einer III-V-Schicht beschichtet. Die Erfindung betrifft aber auch solche CVD-Reaktoren, bei denen Substrate mit Elementen der II. und VI. Hauptgruppe oder mit Elementen der IV. Hauptgruppe beschichtet werden. Außerhalb der Prozesskammer sind ein oder mehrere optische Messgeräte, beispielsweise Pyrometer, vorgesehen. Über einen optischen Pfad nehmen die Messgeräte Messwerte von der Oberfläche des Suszeptors bzw. der Substrate auf. Der optische Pfad geht dabei durch das Gaseinlassorgan oder durch eine das Gaseinlassorgan umgebende Deckenplatte der Prozesskammer. In dieser Deckenplatte befinden sich Gasdurchtrittsöffnungen zum Durchtritt des optischen Pfades, welche Durchtrittsöffnungen von einem Spülgas gespült werden. Erfindungsgemäß ist jede Durchtrittsöffnung mit einer Spülgasleitung verbunden. Die Spülgasleitung besitzt eine Spülgasaustrittsöffnung, die in die Durchtrittsöffnung mündet, um so die Durchtrittsöffnung mit einem Spülgas zu spülen. Jede der Spülgasleitungen ist mit einer Gasableitung einer erfindungsgemäßen Gasverteilvorrichtung verbunden. Die Spülgasleitungen können voneinander verschiedene Längen und voneinander verschiedene Durchmesser aufweisen. In die Gasverteilvorrichtung wird mittels eines einzigen Massenfluss-Controllers ein voreingestellter erster Massenfluss eines Spülgases eingespeist. Entsprechend des Verhältnisses der Drosselkanäle der Drosselelemente wird dieser erste Massenfluss (Spülgasstrom) in mehrere, insbesondere voneinander verschiedene Zweigflüsse (zweite Massenflüsse) aufgeteilt, die jeweils durch eine Spülgasleitung zur Spülgasaustrittsöffnung strömen. In einer Weiterbildung der Erfindung kann vorgesehen sein, dass die Gasverteilvorrichtung an einem öffenbaren Deckel des Gehäuses angeordnet ist, wobei vorgesehen sein kann, dass die Deckelplatte und/oder das Gaseinlassorgan fest mit dem Deckel des Gehäuses verbunden ist, so dass bei einem Öffnen des CVD-Reaktors, beispielsweise durch Anheben des Deckels, das Gaseinlassorgan und/oder die Deckenplatte vom Suszeptor beabstandet wird. Die Gasverteilvorrichtung kann innerhalb des Reaktorgehäuses angeordnet sein. Sie kann aber auch außerhalb des Reaktorgehäuses angeordnet sein, so dass die Gasableitungen bzw. die Spülgasleitungen durch Öffnungen des Deckels des Gehäuses hindurchtreten müssen. Es kann eine gemeinsame Zuleitung vorgesehen sein, mit der ein Massenfluss-Controller von einer Gasquelle mit Spülgas versorgt wird. Eine Ableitung des Massenfluss-Controllers kann in eine Gehäusewand des Gehäuseunterteiles eingeführt werden. Dort kann sich ein Gasflussverbindungselement befinden, welches bei geschlossenem Deckel eine Strömungsverbindung zur Gaszuleitung des Gasverteilers ermöglicht. Die beiden Gasflussverbindungselemente, von denen eins an der Gehäusewand und das andere am Deckel angeordnet sein können, können in der Art einer Steckverbindung miteinander verbunden werden.The invention also relates to a CVD reactor. The CVD reactor has a housing in which a process chamber is located. Process gases different from one another are fed into the process chamber by means of a gas inlet element, for example a hydride of an element of main group V and an organometallic compound of an element of III. Main group. These reactive gases are each fed together with an inert gas, for example hydrogen, into the gas inlet element and through the gas inlet element into the process chamber. In the process chamber there is a susceptor which can be heated by a heating device and which carries substrates to be coated. The substrates are coated with a III-V layer. The invention also relates to those CVD reactors in which substrates with elements of II. And VI. Main group or be coated with elements of the IV main group. One or more optical measuring devices, for example pyrometers, are provided outside the process chamber. The measuring devices record measured values from the surface of the susceptor or the substrates via an optical path. The optical path goes through the gas inlet element or through a cover plate of the process chamber surrounding the gas inlet element. In this cover plate there are gas passage openings for the passage of the optical path, which passage openings are flushed by a flushing gas. According to the invention, each passage opening is connected to a purge gas line. The flushing gas line has a flushing gas outlet opening which opens into the passage opening in order to flush the passage opening with a flushing gas. Each of the Purge gas lines are connected to a gas discharge line of a gas distribution device according to the invention. The purge gas lines can have different lengths and different diameters from one another. A pre-set first mass flow of a purge gas is fed into the gas distribution device by means of a single mass flow controller. According to the ratio of the throttle channels of the throttle elements, this first mass flow (flushing gas flow) is divided into several, in particular different branch flows (second mass flows), each of which flows through a flushing gas line to the flushing gas outlet opening. In a further development of the invention it can be provided that the gas distribution device is arranged on an openable cover of the housing, whereby it can be provided that the cover plate and / or the gas inlet element is firmly connected to the cover of the housing, so that when the CVD is opened -Reactor, for example by lifting the lid, the gas inlet element and / or the cover plate is spaced from the susceptor. The gas distribution device can be arranged within the reactor housing. However, it can also be arranged outside the reactor housing, so that the gas discharge lines or the flushing gas lines have to pass through openings in the cover of the housing. A common feed line can be provided with which a mass flow controller is supplied with flushing gas from a gas source. A derivative of the mass flow controller can be introduced into a housing wall of the housing lower part. A gas flow connection element can be located there which, when the cover is closed, enables a flow connection to the gas feed line of the gas distributor. The two gas flow connection elements, one of which can be arranged on the housing wall and the other on the cover, can be connected to one another in the manner of a plug connection.

Die Erfindung betrifft darüber hinaus ein Verfahren oder ein System zum Einspeisen von Spülgasen in einen CVD-Reaktor, wobei von bevorzugt einem einzigen Massenfluss-Controller ein Gesamtspülgasfluss (erster Massenfluss) bereitgestellt wird, der in eine Gaszuleitung einer Gasverteilvorrichtung eingespeist wird. Dieser Gesamt-Massenfluss wird mittels der Drosselelemente in Zweigströme (zweite Massenflüsse) aufgeteilt, die durch voneinander verschiedene Spülgasaustrittsöffnungen in das Gehäuse des CVD-Reaktors einströmen. Die Erfindung betrifft aber auch solche Verfahren bzw. Systeme, bei denen mehrere Massenfluss-Controller jeweils mit einem Gasflussverteiler der zuvor beschriebenen Art verbunden sind.The invention also relates to a method or a system for feeding purging gases into a CVD reactor, a total purging gas flow (first mass flow) preferably being provided by a single mass flow controller, which is fed into a gas feed line of a gas distribution device. This total mass flow is divided into branch flows (second mass flows) by means of the throttle elements, which flow into the housing of the CVD reactor through different purge gas outlet openings. However, the invention also relates to those methods and systems in which a plurality of mass flow controllers are each connected to a gas flow distributor of the type described above.

FigurenlisteFigure list

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachfolgend anhand beigefügter Zeichnungen erläutert. Es zeigen:

  • 1 einen Querschnitt durch eine Vorrichtung zum Verteilen von Gasen,
  • 2 einen Schnitt gemäß der Linie II-II in 1,
  • 3 eine Darstellung gemäß 2 jedoch mit anderen Drosselelementen 4, 4', 4",
  • 4 in der Art eines schematischen Querschnittes einen CVD-Reaktor 10 mit einem geöffneten Gehäuse 11 und einem die Gehäuseöffnung verschließenden Deckel 12, an dem eine Gasverteilvorrichtung 1 befestigt ist,
  • 5 vergrößert den Ausschnitt V in 4.
An embodiment of the invention is explained below with reference to the accompanying drawings. Show it:
  • 1 a cross section through a device for distributing gases,
  • 2 a section along the line II-II in 1 ,
  • 3 a representation according to 2 but with other throttle elements 4th , 4 ' , 4 " ,
  • 4th in the manner of a schematic cross section a CVD reactor 10 with an open case 11 and a cover closing the housing opening 12 on which a gas distribution device 1 is attached,
  • 5 enlarges the section V in 4th .

Beschreibung der AusführungsformenDescription of the embodiments

Die 1 bis 3 zeigen schematisch den Aufbau einer Gasverteilvorrichtung 1, mit der ein Massenfluss eines Gases, der in eine Gaszuleitung 2 eingespeist wird, in einem festen Verhältnis auf drei Gasflüsse aufgeteilt wird, die durch Gasableitungen 3, 3', 3" aufgeteilt werden. Die Gasableitungen 3, 3', 3" besitzen untereinander in etwa gleiche Durchflussflächen, beispielsweise kreisförmige Querschnittsflächen, die wesentlich größer sind als die Durchflussflächen, im Ausführungsbeispiel kreisförmige Querschnittsflächen von Drosselkanälen 5.The 1 to 3 show schematically the structure of a gas distribution device 1 , with which a mass flow of a gas flowing into a gas supply line 2 is fed in, is divided in a fixed ratio between three gas flows, which are discharged by gas 3 , 3 ' , 3 " be divided. The gas outlets 3 , 3 ' , 3 " have approximately the same flow-through areas as one another, for example circular cross-sectional areas which are significantly larger than the flow-through areas, in the exemplary embodiment circular cross-sectional areas of throttle channels 5 .

Die Gaszuleitung 2 mündet in ein Gasverteilvolumen 6. Die Gasableitungen 3, 3', 3" entspringen dem Gasverteilvolumen 6, wobei in Nischen oder Ausnehmungen der Gasableitungen 3, 3', 3" jeweils Drosselelemente 4, 4', 4" einliegen. Die Drosselelemente 4, 4', 4" verschließen die zum Gasverteilvolumen 6 weisenden Öffnungen der Gaszuleitungen 3, 3', 3", so dass der Gasfluss, der vom Gasverteilvolumen 6 in die jeweilige Gasableitung 3', 3" strömt, durch die Drosselkanäle 5 der Drosselelemente 4, 4', 4" fließen muss.The gas supply line 2 opens into a gas distribution volume 6 . The gas outlets 3 , 3 ' , 3 " arise from the gas distribution volume 6 , being in niches or recesses of the gas outlets 3 , 3 ' , 3 " each throttle elements 4th , 4 ' , 4 " lie in. The throttle elements 4th , 4 ' , 4 " close the gas distribution volume 6 pointing openings of the gas supply lines 3 , 3 ' , 3 " so that the gas flow from the gas distribution volume 6 into the respective gas discharge 3 ' , 3 " flows through the throttle channels 5 the throttle elements 4th , 4 ' , 4 " must flow.

Aus den 2 und 3 geht hervor, dass die einzelnen Drosselelemente 4, 4', 4" eine unterschiedliche Anzahl von Drosselkanälen 5 aufweisen. Das Verhältnis der durch die Gasableitungen 3, 3', 3" strömenden Massenflüsse des Gases entspricht dem jeweiligen Verhältnis der Anzahl der Drosselkanäle 5 in den, den Gaszuleitungen 3, 3', 3" zugeordneten Drosselelementen 4, 4', 4".From the 2 and 3 it can be seen that the individual throttle elements 4th , 4 ' , 4 " a different number of throttle channels 5 exhibit. The ratio of the gas discharges 3 , 3 ' , 3 " flowing mass flows of the gas corresponds to the respective ratio of the number of throttle channels 5 in the, the gas supply lines 3 , 3 ' , 3 " associated throttle elements 4th , 4 ' , 4 " .

Die Drosselelemente 4, 4', 4" können auswechselbar den Gasableitungen 3, 3', 3" zugeordnet sein. Beim Ausführungsbeispiel handelt es sich um scheibenförmige Körper mit einem Durchmesser, der wesentlich größer ist als die Materialstärke der scheibenförmigen Körper. Die Drosselkanäle 5 sind geradlinig verlaufende Bohrungen mit einem kreisrunden Querschnitt. Sämtliche Drosselkanäle 5 aller Drosselelemente 4, 4', 4" haben dieselbe Geometrie, also dieselbe Länge und dieselbe Querschnittsfläche, so dass durch jeden der mehreren Drosselkanäle 5 derselbe Massenfluss hindurchströmt und das Massenflussverhältnis der durch die verschiedenen Gasableitungen 3, 3', 3" strömenden Gasflüsse nur vom Verhältnis der Anzahl der Drosselkanäle 5 der Drosselelemente 4,4', 4" abhängt.The throttle elements 4th , 4 ' , 4 " can interchangeable the gas discharge lines 3 , 3 ' , 3 " be assigned. In the exemplary embodiment, it is a disk-shaped body with a diameter that is significantly greater than the material thickness of the disc-shaped body. The throttle channels 5 are straight bores with a circular cross-section. All throttle channels 5 of all throttle elements 4th , 4 ' , 4 " have the same geometry, i.e. the same length and the same cross-sectional area, so that through each of the several throttle channels 5 the same mass flow flows through and the mass flow ratio through the different gas discharge lines 3 , 3 ' , 3 " flowing gas flows only from the ratio of the number of throttle channels 5 the throttle elements 4th , 4 ', 4 "depends.

Die 4 zeigt schematisch einen CVD-Reaktor 10. Der CVD-Reaktor 10 besitzt ein topfförmiges Gehäuse 11, welches nach oben offen ist und von einem Deckel 12 verschließbar ist. Die 4 zeigt den CVD-Reaktor 10 mit einem geöffneten Deckel 12. Innerhalb des Gehäuses 11 befindet sich ein Suszeptor 20 der ein oder mehrere Substrate 21 lagert. Mittels einer Heizeinrichtung 22 kann der Suszeptor 20 von unten her beheizt werden. Es ist ein zentraler Drehschaft dargestellt, um den der Suszeptor 20 in eine Drehung versetzt werden kann.The 4th shows schematically a CVD reactor 10 . The CVD reactor 10 has a pot-shaped housing 11 which is open at the top and has a lid 12 is lockable. The 4th shows the CVD reactor 10 with an open lid 12 . Inside the case 11 there is a susceptor 20th the one or more substrates 21st stores. By means of a heating device 22nd can the susceptor 20th be heated from below. A central pivot shaft is shown around which the susceptor 20th can be set in a rotation.

An der Unterseite des Deckels 12 befinden sich Gasauslasszonen 14,14' eines Gaseinlassorganes 13, mit dem die oben genannten Prozessgase in eine zwischen Deckelplatte 15 und Suszeptor 20 angeordnete Prozesskammer eingespeist werden kann. Oberhalb der Gasauslasszonen 14,14' befindet sich eine Deckelplatte 15, die aus einem keramischen Werkstoff, aus Quarz, aus Graphit, aus beschichtetem Graphit oder Metall oder dergleichen bestehen kann. Die Deckelplatte 15 besitzt eine zentrale Öffnung, durch die die Zuleitungen des Gaseinlassorganes 13 hindurchtreten, mit denen die Gasauslasszonen 14,14' mit den Prozessgasen versorgt werden.At the bottom of the lid 12 there are gas outlet zones 14th , 14 ' a gas inlet element 13 , with which the above-mentioned process gases in a between cover plate 15th and susceptor 20th arranged process chamber can be fed. Above the gas outlet zones 14th , 14 ' there is a cover plate 15th , which can consist of a ceramic material, quartz, graphite, coated graphite or metal or the like. The cover plate 15th has a central opening through which the supply lines of the gas inlet element 13 with which the gas outlet zones 14th , 14 ' are supplied with the process gases.

Auf der Außenseite des Deckels 15 befinden sich nicht dargestellte Pyrometer oder anderweitige optische Messgeräte, die entlang eines in der 4 nicht dargestellten, in der 5 aber angedeuteten optischen Pfad 25 optisch erfassbare Messwerte der Oberfläche der Substrate 21 oder des Suszeptors 20 ermitteln. Jeder optische Pfad 25 führt durch eine Durchtrittsöffnung 16 der Deckelplatte 15. Die Durchtrittsöffnung 16 wird von einem Spülgas gespült. Hierzu mündet eine Spülgasleitung 24 in einen Ringkanal, der die Durchtrittsöffnung 16 umgibt. Vom Ringkanal ausgehende Radialkanäle bilden Spülgasaustrittsöffnungen 23, die in die Innenwand der Durchtrittsöffnung 16 münden. Aus den Spülgasaustrittsöffnungen 23 tritt ein inertes Spülgas aus.On the outside of the lid 15th there are pyrometers (not shown) or other optical measuring devices that are located along a in the 4th not shown in the 5 but indicated optical path 25th optically detectable measured values of the surface of the substrates 21st or the susceptor 20th determine. Any optical path 25th leads through a passage opening 16 the cover plate 15th . The passage opening 16 is purged by a purge gas. To this end, a purge gas line opens 24 into an annular channel that forms the passage opening 16 surrounds. Radial channels emanating from the annular channel form flushing gas outlet openings 23 that are in the inner wall of the passage opening 16 flow out. From the purge gas outlet openings 23 an inert purge gas escapes.

Das Spülgas wird von einer Gasquelle 26 bereitgestellt und strömt durch eine Zuleitung 7 in einen Massenfluss-Controller 9. Der Massenfluss-Controller 9 liefert einen zeitlich konstanten Massenfluss des Spülgases durch eine Ableitung 8 hin zu einem Gasflussverbindungselement 18, das am Gehäuse, nämlich an der Gehäusewand 17, befestigt ist. Im geöffneten Zustand ist das Gasflussverbindungselement 18 von einem zweiten Gasflussverbindungselement 19 beabstandet. In einem Zustand in dem die Öffnung des Gehäuses 11 vom Deckel 12 verschlossen ist, steht das Gasflussverbindungselement 18 in einer Strömungsverbindung mit dem Gasflussverbindungselement 19, so dass der in die Ableitung 8 eingespeiste Gasfluss durch das Gasflussverbindungselement 18 und das Gasflussverbindungselement 19 hindurch in eine Gaszuleitung 2 strömen kann.The purge gas is from a gas source 26th provided and flows through a feed line 7th into a mass flow controller 9 . The mass flow controller 9 supplies a time-constant mass flow of the flushing gas through a discharge line 8th towards a gas flow connector 18th on the housing, namely on the housing wall 17th , is attached. The gas flow connection element is in the open state 18th from a second gas flow connector 19th spaced. In a state in which the opening of the housing 11 from the lid 12 is closed, the gas flow connection element is 18th in flow connection with the gas flow connection element 19th so that's in the derivation 8th fed gas flow through the gas flow connection element 18th and the gas flow connector 19th through into a gas supply line 2 can flow.

Auf der Oberseite des Deckels 12 befindet sich eine erfindungsgemäße Gasverteilvorrichtung 1, die eine Gaszuleitung 2 und insgesamt drei Gasableitungen 3, 3', 3" aufweist. Die Gasverteilvorrichtung 1 entspricht im Wesentlichen der in den 1 bis 3 dargestellten Gasverteilvorrichtung 1. Der vom Massenfluss-Controller 9 bereitgestellte Massenfluss eines Spülgases, beispielsweise Wasserstoff wird unabhängig vom Totaldruck und unabhängig von den physikalischen Eigenschaften des Spülgases mittels der Gasverteilvorrichtung 1 auf mehrere Teilflüsse aufgeteilt, wobei sich die Verhältnisse der durch die Gasableitungen 3, 3', 3" fließenden Massenflüsse nur durch die Anzahl der Drosselkanäle 5 der den Gasableitungen 3, 3', 3" zugeordneten Drosselkanäle 5 bestimmt sind. Der in die Gasableitungen 3, 3', 3" eingespeisten Gasfluss wird jeweils in eine Spülgasleitung 24 eingespeist, die an den Spülgasaustrittsöffnungen 23 münden, so dass mittels der Gasverteilvorrichtung 1 an die einzelnen Durchtrittsöffnung 16 individuell eingestellte druckunabhängige Spülgasströme geliefert werden. In den in den 2 und 3 dargestellten Ausführungsbeispielen besitzen die Drosselelemente 4, 4', 4" unterschiedliche Anzahlen von Drosselkanälen. Bei einem nicht dargestellten Ausführungsbeispiel haben alle Drosselelemente 4, 4', 4" dieselbe Anzahl von Drosselkanälen 5. Die Summe der Querschnittsflächen der Drosselkanäle 5 jedes der Drosselelemente 4, 4', 4" ist größer, insbesondere wesentlich größer als der Durchmesser der sich daran anschließenden Spülgasleitungen 24. Obwohl die Spülgasleitungen voneinander verschiedene Längen haben, fließt durch sie doch ein gleich großer Massenfluss des Spülgases, der nur durch die Anzahl der Drosselkanäle jedes Drosselelementes bestimmt ist. Jede Durchtrittsöffnung 16 wird bei diesem Ausführungsbeispiel mit demselben Spülgasmassenfluss gespült.On the top of the lid 12 there is a gas distribution device according to the invention 1 having a gas supply line 2 and a total of three gas outlets 3 , 3 ' , 3 " having. The gas distribution device 1 essentially corresponds to that in the 1 to 3 illustrated gas distribution device 1 . The one from the mass flow controller 9 The mass flow of a flushing gas provided, for example hydrogen, is independent of the total pressure and independent of the physical properties of the flushing gas by means of the gas distribution device 1 divided into several partial flows, whereby the proportions of the gas discharge lines 3 , 3 ' , 3 " flowing mass flows only through the number of throttle channels 5 of the gas discharges 3 , 3 ' , 3 " assigned throttle channels 5 are determined. The one in the gas drains 3 , 3 ' , 3 " fed gas flow is in each case in a purge gas line 24 fed in at the purge gas outlet openings 23 open so that by means of the gas distribution device 1 to the individual passage opening 16 individually set, pressure-independent purge gas flows can be supplied. In the in the 2 and 3 The illustrated embodiments have the throttle elements 4th , 4 ' , 4 " different numbers of throttle channels. In an embodiment not shown, all of the throttle elements have 4th , 4 ' , 4 " same number of throttle channels 5 . The sum of the cross-sectional areas of the throttle channels 5 each of the throttling elements 4th , 4 ' , 4 " is larger, in particular significantly larger, than the diameter of the purging gas lines connected to it 24 . Although the purge gas lines have different lengths from one another, an equally large mass flow of purge gas flows through them, which is only determined by the number of throttle channels of each throttle element. Every passage opening 16 is flushed with the same flushing gas mass flow in this embodiment.

Die vorstehenden Ausführungen dienen der Erläuterung der von der Anmeldung insgesamt erfassten Erfindungen, die den Stand der Technik zumindest durch die folgenden Merkmalskombinationen jeweils auch eigenständig weiterbilden, wobei zwei, mehrere oder alle dieser Merkmalskombinationen auch kombiniert sein können, nämlich:The above explanations serve to explain the inventions covered by the application as a whole, which at least further develop the state of the art at least through the following combinations of features, whereby two, more or all of these combinations of features can also be combined, namely:

Eine Vorrichtung 1, die dadurch gekennzeichnet ist, dass den Gasableitungen 3, 3', 3" Drosselelemente 4, 4',4'' zugeordnet sind, wobei die Drosselelemente 4, 4', 4" ein oder mehrere untereinander gleichgestaltete Drosselkanäle 5 aufweisen, deren Durchflussfläche kleiner ist als die Durchflussfläche der zugeordneten Gasableitung 3, 3', 3".One device 1 , which is characterized in that the gas discharge lines 3 , 3 ' , 3 " Throttling elements 4th , 4 ' , 4 '' are assigned, the throttle elements 4th , 4 ' , 4 " one or more throttle channels that are identical to one another 5 have whose flow area is smaller than the flow area of the associated gas discharge 3 , 3 ' , 3 " .

Eine Vorrichtung 1, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die Drosselkanäle 5 untereinander dieselbe Länge besitzen und/oder einen kreisrunden Querschnitt aufweisen und/oder parallel nebeneinander angeordnet sind und/oder dass zumindest zwei Drosselelemente 4, 4', 4" eine verschiedene Anzahl von Drosselkanälen 5 aufweisen und/oder dass zumindest zwei Drosselelemente 4, 4', 4" dieselbe Anzahl von Drosselkanälen 5 aufweisen. Alternativ zu einem kreisrunden Querschnitt eines Drosselkanals ist auch ein ovaler, spaltförmiger oder polygonaler Querschnitt möglich.One device 1 , which is characterized in that the throttle channels 5 have the same length as one another and / or have a circular cross section and / or are arranged parallel to one another and / or that at least two throttle elements 4th , 4 ' , 4 " a different number of throttle channels 5 have and / or that at least two throttle elements 4th , 4 ' , 4 " same number of throttle channels 5 exhibit. As an alternative to a circular cross section of a throttle channel, an oval, gap-shaped or polygonal cross section is also possible.

Ein CVD-Reaktor 10, der dadurch gekennzeichnet ist, dass der Massenfluss-Controller 9 mit einer Gaszuleitung 2 einer Gasverteilvorrichtung 1 gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche verbunden ist und die Gasableitungen 3, 3', 3" der Vorrichtung 1 jeweils mit einer Spülgasleitung 24 verbunden ist.A CVD reactor 10 , which is characterized in that the mass flow controller 9 with a gas supply line 2 a gas distribution device 1 is connected according to one of the preceding claims and the gas discharge lines 3 , 3 ' , 3 " the device 1 each with a purge gas line 24 connected is.

Ein CVD-Reaktor 10, der dadurch gekennzeichnet ist, dass die Gasverteilvorrichtung 1 in einem öffenbaren Deckel 12 des Gehäuses 11 angeordnet ist.A CVD reactor 10 , which is characterized in that the gas distribution device 1 in an openable lid 12 of the housing 11 is arranged.

Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass ein von einem Massenfluss-Controller 9 eingestellter Spülgasfluss in eine Gaszuleitung 2 einer Gasverteilvorrichtung 1 gemäß einem der Ansprüche 1 und 2 eingespeist wird und die aus den Gasableitungen 3, 3', 3" austretenden Gasflüsse durch voneinander verschiedene Spülgasaustrittsöffnungen 23 in das Gehäuse 11 des CVD-Reaktors 10 eingespeist werden.A method that is characterized in that one of a mass flow controller 9 set flushing gas flow in a gas supply line 2 a gas distribution device 1 is fed according to one of claims 1 and 2 and from the gas discharge lines 3 , 3 ' , 3 " escaping gas flows through different purge gas outlet openings 23 in the housing 11 of the CVD reactor 10 be fed in.

Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass der Gasdruck in der Gaszuleitung 2 und/oder in der Gasableitung 24 variiert.A method, which is characterized in that the gas pressure in the gas supply line 2 and / or in the gas discharge 24 varies.

Eine Vorrichtung, ein CVD Reaktor oder ein Verfahren, die dadurch gekennzeichnet sind, dass die Drosselelemente 4, 4', 4" scheibenförmige Flachstücke sind und/oder dass die Drosselelemente 4, 4', 4" einen Durchmesser aufweisen, der größer ist als der Abstand zweier von den Drosselkanälen (5 miteinander verbundenen, parallel zueinander verlaufenden Breitflächen.A device, a CVD reactor or a method, which is characterized in that the throttle elements 4th , 4 ' , 4 " are disc-shaped flat pieces and / or that the throttle elements 4th , 4 ' , 4 " have a diameter that is greater than the distance between two of the throttle channels ( 5 interconnected broad surfaces running parallel to one another.

Eine Vorrichtung, ein CVD Reaktor oder ein Verfahren, die dadurch gekennzeichnet sind, dass die Gasableitungen 3, 3', 3" mit Spülgasaustrittsöffnungen 23 in Durchtrittsöffnungen 16 einer Deckelplatte 15 münden und/oder dass die von den Massenflüssen gespülten Durchtrittsöffnungen 16 Öffnungen sind, durch die ein optischer Pfad 25 hindurch verläuft.A device, a CVD reactor or a process, which is characterized in that the gas discharge lines 3 , 3 ' , 3 " with purge gas outlet openings 23 in passage openings 16 a cover plate 15th open out and / or that the passage openings flushed by the mass flows 16 Openings are through which an optical pathway 25th runs through it.

Eine Vorrichtung, ein CVD Reaktor oder ein Verfahren, die dadurch gekennzeichnet sind, dass die Gasableitungen 3, 3', 3" oder die Spülgasleitungen 24 voneinander verschiedene Längen besitzen.A device, a CVD reactor or a process, which is characterized in that the gas discharge lines 3 , 3 ' , 3 " or the purge gas lines 24 have different lengths from each other.

Alle offenbarten Merkmale sind (für sich, aber auch in Kombination untereinander) erfindungswesentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/beigefügten Prioritätsunterlagen (Abschrift der Voranmeldung) vollinhaltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender Anmeldung mit aufzunehmen. Die Unteransprüche charakterisieren, auch ohne die Merkmale eines in Bezug genommenen Anspruchs, mit ihren Merkmalen eigenständige erfinderische Weiterbildungen des Standes der Technik, insbesondere um auf Basis dieser Ansprüche Teilanmeldungen vorzunehmen. Die in jedem Anspruch angegebene Erfindung kann zusätzlich ein oder mehrere der in der vorstehenden Beschreibung, insbesondere mit Bezugsziffern versehene und/oder in der Bezugsziffernliste angegebene Merkmale aufweisen. Die Erfindung betrifft auch Gestaltungsformen, bei denen einzelne der in der vorstehenden Beschreibung genannten Merkmale nicht verwirklicht sind, insbesondere soweit sie erkennbar für den jeweiligen Verwendungszweck entbehrlich sind oder durch andere technisch gleichwirkende Mittel ersetzt werden können.All of the features disclosed are essential to the invention (individually, but also in combination with one another). The disclosure of the application hereby also fully includes the disclosure content of the associated / attached priority documents (copy of the previous application), also for the purpose of including features of these documents in the claims of the present application. The subclaims characterize, even without the features of a referenced claim, with their features independent inventive developments of the prior art, in particular in order to make divisional applications on the basis of these claims. The invention specified in each claim can additionally have one or more of the features provided in the above description, in particular provided with reference numbers and / or specified in the list of reference numbers. The invention also relates to design forms in which some of the features mentioned in the above description are not implemented, in particular if they are recognizable for the respective purpose or can be replaced by other technically equivalent means.

BezugszeichenlisteList of reference symbols

11
GasverteilvorrichtungGas distribution device
22
GaszuleitungGas supply line
33
GasableitungGas discharge
3'3 '
GasableitungGas discharge
3"3 "
GaszuleitungGas supply line
44th
DrosselelementThrottle element
4'4 '
DrosselelementThrottle element
4"4 "
DrosselelementThrottle element
55
DrosselkanalThrottle channel
66th
GasverteilvolumenGas distribution volume
77th
ZuleitungSupply line
88th
AbleitungDerivation
99
Massenfluss-ControllerMass flow controller
1010
CVD-ReaktorCVD reactor
1111
Gehäusecasing
1212
Deckelcover
1313
GaseinlassorganGas inlet element
1414th
GasauslasszoneGas outlet zone
14'14 '
GasauslasszoneGas outlet zone
1515th
DeckelplatteCover plate
1616
DurchtrittsöffnungPassage opening
1717th
GehäusewandHousing wall
1818th
GasflussverbindungselementGas flow connector
1919th
GasflussverbindungselementGas flow connector
2020th
SuszeptorSusceptor
2121st
SubstratSubstrate
2222nd
Heizeinrichtung Heating device
2323
SpülgasaustrittsöffnungPurge gas outlet opening
2424
SpülgasleitungPurge gas line
2525th
optischer Pfadoptical path
2626th
SpülgasquellePurge gas source

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDED IN THE DESCRIPTION

Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.This list of the documents listed by the applicant was generated automatically and is included solely for the better information of the reader. The list is not part of the German patent or utility model application. The DPMA assumes no liability for any errors or omissions.

Zitierte PatentliteraturPatent literature cited

  • CN 202962421 U [0003]CN 202962421 U [0003]
  • US 6878472 B2 [0003]US 6878472 B2 [0003]
  • US 4512368 A [0003]US 4512368 A [0003]
  • US 4800921 A [0003]US 4800921 A [0003]
  • EP 1748851 B1 [0003]EP 1748851 B1 [0003]
  • US 5474102 A [0003]US 5474102 A [0003]

Claims (10)

Vorrichtung (1) zum Verteilen von Gasen mit einer Gaszuleitung (2), die mit mehreren Gasableitungen (3, 3', 3") derart strömungsverbunden ist, dass ein in die Gaszuleitung (2) eingespeister erster Massenfluss eines Gases auf die mehreren Gasableitungen (3,3', 3") derart aufgeteilt wird, dass durch zumindest zwei der Gasableitungen (3, 3', 3") jeweils ein zweiter Massenfluss des Gases fließt, dadurch gekennzeichnet, dass den Gasableitungen (3, 3', 3") Drosselelemente (4, 4', 4") zugeordnet sind, wobei die Drosselelemente (4,4', 4") ein oder mehrere untereinander gleichgestaltete Drosselkanäle (5) aufweisen, deren Durchflussfläche kleiner ist als die Durchflussfläche der zugeordneten Gasableitung (3, 3', 3").Device (1) for distributing gases with a gas supply line (2) which is flow-connected to several gas discharge lines (3, 3 ', 3 ") in such a way that a first mass flow of a gas fed into the gas supply line (2) is transferred to the several gas discharge lines ( 3, 3 ', 3 ") is divided in such a way that a second mass flow of the gas flows through at least two of the gas discharge lines (3, 3', 3"), characterized in that the gas discharge lines (3, 3 ', 3 ") Throttle elements (4, 4 ', 4 ") are assigned, wherein the throttle elements (4, 4', 4") have one or more throttle channels (5) which are identical to one another and whose flow area is smaller than the flow area of the assigned gas discharge line (3, 3 ', 3 "). Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Drosselkanäle (5) untereinander dieselbe Länge besitzen und/oder einen kreisrunden, ovalen, polygonalen oder spaltförmigen Querschnitt aufweisen und/oder parallel nebeneinander angeordnet sind und/oder dass zumindest zwei Drosselelemente (4, 4', 4") eine verschiedene Anzahl von Drosselkanälen (5) aufweisen und/oder dass zumindest zwei Drosselelemente (4,4', 4") dieselbe Anzahl von Drosselkanälen 5 aufweisen.Device according to Claim 1 , characterized in that the throttle channels (5) have the same length as one another and / or have a circular, oval, polygonal or gap-shaped cross section and / or are arranged parallel to one another and / or that at least two throttle elements (4, 4 ', 4 ") have a different number of throttle channels (5) and / or that at least two throttle elements (4, 4 ′, 4 ″) have the same number of throttle channels 5. CVD-Reaktor (10) mit einem Gehäuse (11), einem darin angeordneten Gaseinlassorgan (13) zum Einleiten von Prozessgasen in eine Prozesskammer, einem Suszeptor (20) zur Aufnahme von Substraten (21) und einer Vielzahl von Spülgasleitungen (24), die mit Spülgasaustrittsöffnungen (23) in das Gehäuse (11) münden und die von einer Spülgasquelle (26) mit einem mittels eines Massenfluss-Controllers (9) einstellbaren Spülgasfluss gespeist werden, dadurch gekennzeichnet, dass der Massenfluss-Controller (9) mit einer Gaszuleitung (2) einer Gasverteilvorrichtung (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche verbunden ist und die Gasableitungen (3, 3', 3") der Vorrichtung (1) jeweils mit einer Spülgasleitung (24) verbunden ist.CVD reactor (10) with a housing (11), a gas inlet element (13) arranged therein for introducing process gases into a process chamber, a susceptor (20) for receiving substrates (21) and a plurality of purge gas lines (24) which with flushing gas outlet openings (23) open into the housing (11) and which are fed from a flushing gas source (26) with a flushing gas flow adjustable by means of a mass flow controller (9), characterized in that the mass flow controller (9) has a gas supply line ( 2) is connected to a gas distribution device (1) according to one of the preceding claims and the gas discharge lines (3, 3 ', 3 ") of the device (1) are each connected to a purge gas line (24). CVD-Reaktor (10) nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Gasverteilvorrichtung (1) in einem öffenbaren Deckel (12) des Gehäuses (11) angeordnet ist.CVD reactor (10) according to Claim 3 , characterized in that the gas distribution device (1) is arranged in an openable cover (12) of the housing (11). Verfahren zum Einspeisen von Spülgasen in einen CVD-Reaktor (10), dadurch gekennzeichnet, dass ein von einem Massenfluss-Controller (9) eingestellter Spülgasfluss in eine Gaszuleitung (2) einer Gasverteilvorrichtung (1) gemäß einem der Ansprüche 1 und 2 eingespeist wird und die aus den Gasableitungen (3, 3', 3") austretenden Gasflüsse durch voneinander verschiedene Spülgasaustrittsöffnungen (23) in das Gehäuse (11) des CVD-Reaktors (10) eingespeist werden.Method for feeding purge gases into a CVD reactor (10), characterized in that a purge gas flow set by a mass flow controller (9) is fed into a gas feed line (2) of a gas distribution device (1) according to one of the Claims 1 and 2 is fed in and the gas flows emerging from the gas discharge lines (3, 3 ', 3 ") are fed into the housing (11) of the CVD reactor (10) through different flushing gas outlet openings (23). Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Gasdruck in der Gaszuleitung (2) und/oder der Gasableitung (24) variiert.Procedure according to Claim 5 , characterized in that the gas pressure in the gas supply line (2) and / or the gas discharge line (24) varies. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, CVD Reaktor nach einem der vorhergehenden Ansprüche oder Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Drosselelemente (4,4', 4") scheibenförmige Flachstücke sind und/oder dass die Drosselelemente (4, 4', 4") einen Durchmesser aufweisen, der größer ist als der Abstand zweier von den Drosselkanälen (5) miteinander verbundenen, parallel zueinander verlaufenden Breitflächen.Device according to one of the preceding claims, CVD reactor according to one of the preceding claims or method according to one of the preceding claims, characterized in that the throttle elements (4, 4 ', 4 ") are disk-shaped flat pieces and / or that the throttle elements (4, 4 ', 4 ") have a diameter which is greater than the distance between two broad surfaces, which are connected to one another by the throttle channels (5) and run parallel to one another. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, CVD Reaktor nach einem der vorhergehenden Ansprüche oder Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Gasableitungen (3, 3', 3") mit Spülgasaustrittsöffnungen (23) in Durchtrittsöffnungen (16) einer Deckelplatte (15) münden und/oder dass die von den Massenflüssen gespülten Durchtrittsöffnungen (16) Öffnungen sind, durch die ein optischer Pfad (25) hindurch verläuft.Device according to one of the preceding claims, CVD reactor according to one of the preceding claims or method according to one of the preceding claims, characterized in that the gas discharge lines (3, 3 ', 3 ") with flushing gas outlet openings (23) in through openings (16) of a cover plate ( 15) open and / or that the passage openings (16) flushed by the mass flows are openings through which an optical path (25) runs. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, CVD Reaktor nach einem der vorhergehenden Ansprüche oder Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Gasableitungen (3, 3', 3") oder die Spülgasleitungen (24) voneinander verschiedene Längen besitzen.Device according to one of the preceding claims, CVD reactor according to one of the preceding claims or method according to one of the preceding claims, characterized in that the gas discharge lines (3, 3 ', 3 ") or the flushing gas lines (24) have mutually different lengths. Gasverteilvorrichtung (1), CVD-Reaktor (10) oder Verfahren, gekennzeichnet durch eines oder mehrere der kennzeichnenden Merkmale eines der vorhergehenden Ansprüche.Gas distribution device (1), CVD reactor (10) or method, characterized by one or more of the characterizing features of one of the preceding claims.
DE102019120589.1A 2019-07-30 2019-07-30 Gas distributor for a CVD reactor Pending DE102019120589A1 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102019120589.1A DE102019120589A1 (en) 2019-07-30 2019-07-30 Gas distributor for a CVD reactor
PCT/EP2020/070694 WO2021018693A2 (en) 2019-07-30 2020-07-22 Gas distributor for a cvd reactor
TW109125218A TW202118893A (en) 2019-07-30 2020-07-27 Gas distributor for a CVD reactor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102019120589.1A DE102019120589A1 (en) 2019-07-30 2019-07-30 Gas distributor for a CVD reactor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102019120589A1 true DE102019120589A1 (en) 2021-02-04

Family

ID=71784052

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102019120589.1A Pending DE102019120589A1 (en) 2019-07-30 2019-07-30 Gas distributor for a CVD reactor

Country Status (3)

Country Link
DE (1) DE102019120589A1 (en)
TW (1) TW202118893A (en)
WO (1) WO2021018693A2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024002961A3 (en) * 2022-06-29 2024-02-29 Aixtron Se Device and method for treating a substrate

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115386859A (en) * 2022-08-16 2022-11-25 拓荆科技(上海)有限公司 Current limiting assembly and process cavity

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5571630A (en) * 1992-07-17 1996-11-05 Dreisbach Electromotive, Inc. Air manager system for metal-air battery
US20040007176A1 (en) * 2002-07-15 2004-01-15 Applied Materials, Inc. Gas flow control in a wafer processing system having multiple chambers for performing same process
DE102006013801A1 (en) * 2006-03-24 2007-09-27 Aixtron Ag Device for deposition of layer on substrate, comprises reactor housing, base, process chamber, quartz gas discharge plate, gas discharge openings, broad sidewall, gas inlet device, and gas passage openings
US20080122222A1 (en) * 2006-11-29 2008-05-29 H & H Tube & Manufacturing Co. Crimp-on transition fitting
US8291935B1 (en) * 2009-04-07 2012-10-23 Novellus Systems, Inc. Flexible gas mixing manifold
US20180256447A1 (en) * 2015-06-19 2018-09-13 LPI , Inc. Multi-pump hot tub plumbing system

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58142483U (en) 1982-03-20 1983-09-26 住友金属工業株式会社 flow divider
US4800921A (en) 1986-06-20 1989-01-31 Exxon Production Research Company Method and apparatus for dividing a single stream of liquid and vapor into multiple streams having similar vapor to liquid rations
US5474102A (en) 1991-07-15 1995-12-12 Lopez; Robert Fluid distribution manifold
JP2937988B1 (en) * 1998-02-13 1999-08-23 株式会社東芝 Heat exchanger
US6648019B2 (en) 2000-12-15 2003-11-18 Siemens Automotive Inc. Air mass flow controller
EP1748851B1 (en) 2004-05-17 2009-07-29 Rebs Zentralschmiertechnik GmbH Device and method for dividing a viscous liquid conveyed by a gas flow into at least two partial flows
US9016392B2 (en) * 2008-04-10 2015-04-28 Utc Fire & Security Corporation Fire suppression system with improved two-phase flow distribution
CN202962421U (en) 2012-12-21 2013-06-05 泸州市南方过滤设备有限公司 Flow distributor
FI125485B (en) * 2014-10-20 2015-10-30 Auramarine Oy Water treatment system and method

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5571630A (en) * 1992-07-17 1996-11-05 Dreisbach Electromotive, Inc. Air manager system for metal-air battery
US20040007176A1 (en) * 2002-07-15 2004-01-15 Applied Materials, Inc. Gas flow control in a wafer processing system having multiple chambers for performing same process
DE102006013801A1 (en) * 2006-03-24 2007-09-27 Aixtron Ag Device for deposition of layer on substrate, comprises reactor housing, base, process chamber, quartz gas discharge plate, gas discharge openings, broad sidewall, gas inlet device, and gas passage openings
US20080122222A1 (en) * 2006-11-29 2008-05-29 H & H Tube & Manufacturing Co. Crimp-on transition fitting
US8291935B1 (en) * 2009-04-07 2012-10-23 Novellus Systems, Inc. Flexible gas mixing manifold
US20180256447A1 (en) * 2015-06-19 2018-09-13 LPI , Inc. Multi-pump hot tub plumbing system

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024002961A3 (en) * 2022-06-29 2024-02-29 Aixtron Se Device and method for treating a substrate

Also Published As

Publication number Publication date
TW202118893A (en) 2021-05-16
WO2021018693A3 (en) 2021-04-01
WO2021018693A2 (en) 2021-02-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102012101717A1 (en) Method and device for controlling the surface temperature of a susceptor of a substrate coating device
DE102019120589A1 (en) Gas distributor for a CVD reactor
DE102009044276A1 (en) CVD reactor with multi-zone gas cushion substrate holder
DE10337520B4 (en) injection mold
DE112014003693B4 (en) Epitaxial reactor
DE102009043840A1 (en) CVD reactor with strip-like gas inlet zones and method for depositing a layer on a substrate in such a CVD reactor
WO2003038144A1 (en) Method and device for depositing especially crystalline layers onto especially crystalline substrates
DE102015101462A1 (en) Method and apparatus for depositing a III-V semiconductor layer
EP1337700B1 (en) Cvd reactor comprising a substrate holder rotatably mounted and driven by a gas flow
WO2002024985A1 (en) Gas inlet mechanism for cvd-method and device
WO2004026432A1 (en) Device for filtering a fluid, especially for plastic-processing installations
DE102018124957A1 (en) CVD reactor with substrate holders resting on gas cushions
DE102018130139A1 (en) Gas inlet device for a CVD reactor
DE112014003341B4 (en) Epitaxial reactor
DE102018130138A1 (en) Susceptor in a CVD reactor
DE102016014362A1 (en) Plasma reactor and method of operating a plasma reactor
EP3475472B1 (en) Method and device for producing coated semiconductor wafers
DE10051523A1 (en) Process for material and/or energy exchange in a wash column comprises introducing liquid for the uniform distribution via a number of flow points of a liquid distributor and dividing the liquid streams into a number of partial streams
DE102010000388A1 (en) Gas inlet element with baffle plate arrangement
EP3827963A1 (en) Device for filtering a fluid, especially a plastic melt with impurities, and valve arrangement for such a fluid
DE102020110570A1 (en) CVD process and CVD reactor with bodies that can be exchanged with the substrate and exchange heat
DE102019129789A1 (en) Process for depositing a two-dimensional layer and CVD reactor
DE102018110348A1 (en) Device for introducing and removing a substrate into or out of a substrate treatment device
DE102012111484A1 (en) Apparatus and method for processing strip-shaped substrates
DE102020123966A1 (en) Method of assembling a needle valve

Legal Events

Date Code Title Description
R163 Identified publications notified