DE102018218981A1

DE102018218981A1 - Optical grid

Info

Publication number: DE102018218981A1
Application number: DE102018218981.1A
Authority: DE
Inventors: Valentin Jonatan Bolsinger; Ulrich Vogl; Jonas Metz
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2018-11-07
Filing date: 2018-11-07
Publication date: 2018-12-20
Also published as: DE102019214243A1

Abstract

Ein optisches Gitter (21) hat Beugungsstrukturen (24). Diese sind derart aufeinanderfolgend angeordnet, dass ihre Strukturperiode (T₁, T₂) über eine Gitterdimension (x) senkrecht zu einer Längserstreckung (y) der Beugungsstrukturen (24) von einer mittleren Strukturperiode um mehr als 0,1% abweicht. Es resultiert ein optisches Gitter, bei dem eine insbesondere lokale thermische Belastung einer Lichtfalle bei der Verwendung eines solchen optischen Gitters zur Falschlichtunterdrückung verringert wird.

An optical grating (21) has diffraction structures (24). These are arranged successively such that their structure period (T ₁ , T ₂ ) deviates over a grid dimension (x) perpendicular to a longitudinal extension (y) of the diffraction structures (24) from an average structure period by more than 0.1%. The result is an optical grating, in which a particular local thermal load of a light trap is reduced in the use of such optical grating for false light suppression.

Description

Die Erfindung betrifft ein optisches Gitter. Ferner betrifft die Erfindung einen EUV-Kollektor einer Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen optischen Gitter, ein Beleuchtungssystem mit einem derartigen EUV-Kollektor, ein optisches System mit einem derartigen Beleuchtungssystem, eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen optischen System sowie ein Verfahren zum Herstellen eines derartigen optischen Gitters.The invention relates to an optical grating. The invention further relates to an EUV collector of a projection exposure apparatus with such an optical grating, a lighting system with such an EUV collector, an optical system with such an illumination system, a projection exposure apparatus with such an optical system and a method for producing such an optical grating.

Ein EUV-Kollektor mit einem optischen Gitter ist bekannt aus der WO 2017/207401 A1 .An EUV collector with an optical grating is known from the WO 2017/207401 A1 ,

Ein optisches Gitter kann zur Unterdrückung von Falschlicht einer von Nutzlicht abweichenden Wellenlänge genutzt werden. Das Falschlicht kann dann vom optischen Gitter hin zu einer Lichtfalle (beam dump) gebeugt werden, wohingegen Nutzlicht einen anderen Weg nimmt.An optical grating can be used to suppress stray light of a wavelength deviating from useful light. The false light can then be diffracted from the optical grating to a beam dump, whereas useful light takes a different path.

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfmdung, ein optisches Gitter der eingangs genannten Art derart weiterzubilden, dass eine insbesondere lokale thermische Belastung einer Lichtfalle bei der Verwendung eines solchen optischen Gitters zur Falschlichtunterdrückung verringert wird.It is an object of the present invention to further develop an optical grating of the type mentioned in the introduction such that a particular local thermal load of a light trap is reduced when using such an optical grating for false light suppression.

Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch ein optisches Gitter mit den in Anspruch 1 angegebenen Merkmalen.This object is achieved by an optical grating with the features specified in claim 1.

Erfindungsgemäß wurde erkannt, dass es zur Unterdrückung von Falschlicht einer bestimmten Wellenlänge nicht erforderlich ist, Beugungsstrukturen auf einem optischen Gitter bereitzustellen, die exakt nur eine einzige Strukturperiode zur falschlichtunterdrückenden Beugung aufweisen. Beim erfindungsgemäßen optischen Gitter liegt eine Verteilung von Strukturperioden um eine mittlere Strukturperiode vor. Diese Verteilung kann diskret und/oder kontinuierlich sein. Die Verteilung der Strukturperioden kann also mehrere diskrete und voneinander verschiedene Strukturperioden aufweisen. Alternativ oder zusätzlich kann die Verteilung mindestens ein kontinuierliches Band von Strukturperioden mit einer endlichen Bandbreite aufweisen.According to the invention, it has been recognized that to suppress stray light of a certain wavelength it is not necessary to provide diffraction structures on an optical grating which have exactly only a single structure period for false-light-suppressing diffraction. In the optical grating according to the invention, there is a distribution of structure periods around an average structure period. This distribution can be discrete and / or continuous. The distribution of the structure periods can thus have a plurality of discrete and mutually different structure periods. Alternatively or additionally, the distribution may comprise at least one continuous band of structure periods having a finite bandwidth.

Die Verteilung von Strukturperioden führt zu einer Verbreiterung eines Beugungsmaximums von gebeugtem Falschlicht einer Wellenlänge, was eine thermische Belastung einer Lichtfalle, die im Bereich dieses Beugungsmaximums angeordnet sein kann, verringert. Temperaturspitzen an der Lichtfalle bzw. im Bereich der Lichtfalle können vermieden werden. Die Strukturperiode der linienhaften Beugungsstrukturen kann von einer mittleren Strukturperiode um mehr als 0,2%, um mehr als 0,3%, um mehr als 0,5%, um mehr als 1%, um mehr als 2%, um mehr als 3%, um mehr als 5% oder auch um mehr als 10% abweichen.The distribution of structure periods leads to a broadening of a diffraction maximum of diffracted stray light of a wavelength, which reduces a thermal load of a light trap, which may be arranged in the region of this diffraction maximum. Temperature peaks at the light trap or in the region of the light trap can be avoided. The structural period of the line diffraction structures may range from an average structure period of more than 0.2%, more than 0.3%, more than 0.5%, more than 1%, more than 2%, more than 3% %, by more than 5% or by more than 10%.

Bei den Beugungsstrukturen kann es sich um linienhafte Beugungsstrukturen handeln, also um Strukturen mit einem linienhaften Verlauf über eine optische Fläche des optischen Gitters. Ein derartiger linienhafter Verlauf kann längs gerade verlaufender Linien oder auch längs gekrümmter beispielsweise in Umfangsrichtung um ein Zentrum verlaufender Linien erfolgen. Bei einem derartigen linienhaften Verlauf erstrecken sich die Beugungsstrukturen jedenfalls abschnittsweise längs einer ersten Dimension, wobei eine Strukturperiode der Beugungsstrukturen in der optischen Fläche in einer zu dieser ersten Dimension senkrechten zweiten Dimension gemessen wird. Grundsätzlich kann auch längs dem dann abschnittsweise vorliegenden linienhaften Verlauf eine Periodizität vorliegen, es kann der linienhafte Verlauf also in vorgegebenen Abständen unterbrochen sein, sodass sich längs der ersten Dimension dann eine weitere Strukturperiode der Beugungsstrukturen in der optischen Fläche ergibt, was zu zusätzlichen Freiheitsgraden zur Verbreiterung eines Falschlicht-Beugungsmaximums insbesondere im Bereich einer Lichtfalle genutzt werden kann.The diffraction structures may be linear diffraction structures, ie structures with a linear course over an optical surface of the optical grating. Such a linear course can take place along straight lines or also longitudinally curved lines running around a center, for example in the circumferential direction. With such a line-like course, the diffraction structures in each case extend in sections along a first dimension, wherein a structural period of the diffraction structures in the optical surface is measured in a second dimension perpendicular to this first dimension. In principle, a periodicity may also be present along the then line-wise course, so that the linear course can be interrupted at predetermined intervals, so that along the first dimension there results a further structure period of the diffraction structures in the optical surface, which leads to additional degrees of freedom for broadening a false light diffraction maximum, in particular in the region of a light trap can be used.

Mehrere Typen von Beugungsstrukturen nach Anspruch 2 führen zu einer Verteilung der Beugungsintensitäten von Falschlicht einer Wellenlänge auf eine entsprechende Anzahl von Beugungsmaxima. Die den verschiedenen Typen zugeordneten Strukturperioden können als diskrete, voneinander verschiedene Strukturperioden vorliegen. Alternativ oder zusätzlich ist es möglich, dass jeder der Typen der Beugungsstrukturen seinerseits eine kontinuierliche Verteilung von Strukturperioden um eine mittlere Typ-Strukturperiode aufweist. Es können zwei Typen, drei Typen, vier Typen, fünf Typen oder noch mehr Typen von Beugungsstrukturen vorliegen. Die Strukturperioden der verschiedenen Beugungsstruktur-Typen können voneinander um mehr als 2%, um mehr als 3%, um mehr als 4%, um mehr als 5% oder auch um mehr als 10% abweichen.Several types of diffraction structures according to claim 2 result in a distribution of the diffraction intensities of stray light of one wavelength to a corresponding number of diffraction peaks. The structure periods assigned to the different types can be present as discrete, different structural periods. Alternatively or additionally, it is possible for each of the types of diffraction structures in turn to have a continuous distribution of structure periods around an average type structure period. There may be two types, three types, four types, five types or even more types of diffraction structures. The structure periods of the different diffraction structure types may differ from each other by more than 2%, more than 3%, more than 4%, more than 5% or even more than 10%.

Eine doppelperiodische Anordnung nach Anspruch 3 ist in der Herstellung vergleichsweise wenig aufwendig.A double-periodic arrangement according to claim 3 is relatively inexpensive to manufacture.

Strukturperioden mit einer Häufigkeitsverteilung nach Anspruch 4 erzeugen eine vorteilhafte Ausschmierung eines Falschlicht-Beugungsmaximums. Die Halbwertsbreite kann größer sein als 2%, kann größer sein als 3%, kann größer sein als 4%, kann größer sein als 5% oder kann auch größer sein als 10% der häufigsten Strukturperiode.Structure periods with a frequency distribution according to claim 4 produce an advantageous Ausmierung a false light diffraction maximum. The half width may be greater than 2%, may be greater than 3%, may be greater than 4%, may be greater than 5%, or may be greater than 10% of the most frequent period of structure.

Eine Normalverteilung nach Anspruch 5 lässt sich mit statistischen Verfahren bei der Strukturerzeugung realisieren.A normal distribution according to claim 5 can be realized with statistical methods in the structure generation.

Ein Zu- oder Abnehmen der Strukturperioden nach Anspruch 6 führen ebenfalls zu einem vorteilhaften Ausschmieren eines Falschlicht-Beugungsmaximums. Eine derartige Zu- oder Abnahme wird auch als Drift der Strukturperiode bezeichnet. An increase or decrease in the structure periods according to claim 6 also lead to an advantageous Ausschmieren a Falschlicht diffraction maximum. Such an increase or decrease is also referred to as a drift of the structure period.

Die Vorteile einer optischen Komponente nach Anspruch 7 entsprechen denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf das optische Gitter bereits erläutert wurden.The advantages of an optical component according to claim 7 correspond to those which have already been explained above with reference to the optical grating.

Bei der optischen Komponente mit dem erfmdungsgemäßen optischen Gitter kann es sich um einen EUV-Kollektor handeln. Alternativ oder zusätzlich zu einem Kollektor kann das optische Gitter beispielsweise auf einer Komponente einer Beleuchtungsoptik und/oder einer Projektionsoptik einer Lithographie-Projektionsbelichtungsanlage zum Einsatz kommen. Beispiele hierfür sind Facetten eines Feldfacettenspiegels, Facetten eines Pupillenfacettenspiegels, ein Falt- oder Kondensorspiegel einer Beleuchtungsoptik, der im Strahlengang vor einem Objektfeld angeordnet sein kann, oder ein Spiegel einer Projektionsoptik. Bei der optischen Komponente, die das optische Gitter trägt, kann es sich um eine Freiformflächenkomponente handeln.The optical component with the optical grating according to the invention may be an EUV collector. As an alternative or in addition to a collector, the optical grating can be used, for example, on a component of an illumination optical system and / or a projection optical system of a lithographic projection exposure apparatus. Examples of this are facets of a field facet mirror, facets of a pupil facet mirror, a folding or condenser mirror of an illumination optical system, which can be arranged in the beam path in front of an object field, or a mirror of a projection optics. The optical component carrying the optical grating may be a free-form surface component.

Alternativ kann das optische Gitter auch als Bestandteil eines Spektrometers oder als Bestandteil eines Laserresonators zum Einsatz kommen.Alternatively, the optical grating can also be used as part of a spectrometer or as part of a laser resonator.

Die Vorteile eines Beleuchtungssystems nach Anspruch 8, eines optischen Systems nach Anspruch 9 und 10 sowie einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 11 entsprechen denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf das optische Gitter bzw. den EUV-Kollektor bereits erläutert wurden. Bei der EUV-Lichtquelle kann es sich um eine Plasma-Lichtquelle handeln, wobei das der EUV-Erzeugung dienende Plasma über einen Pumplicht-Laser erzeugt wird. Eine Pumplicht-Wellenlänge kann im Bereich von 10,6 µm liegen.The advantages of a lighting system according to claim 8, an optical system according to claims 9 and 10 and a projection exposure apparatus according to claim 11 correspond to those which have already been explained above with reference to the optical grating or the EUV collector. The EUV light source may be a plasma light source wherein the EUV production plasma is generated by a pumping light laser. A pumping light wavelength may be in the range of 10.6 μm.

Herstellungsverfahren nach den Ansprüchen 12 bis 14 haben sich in der Praxis bewährt.Manufacturing method according to claims 12 to 14 have been proven in practice.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. In dieser zeigen:

1 schematisch eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Mikrolithographie;
2 in einem Meridionalschnitt einen Lichtweg hin zu und von einem Plasma-Quellbereich einer EUV-Lichtquelle der Projektionsbelichtungsanalage nach 1, wobei insbesondere eine beugende, falschlichtunterdrückende Wirkung eines optischen Gitters auf einem EUV-Kollektorspiegel dargestellt ist, der eine erste, EUV-Nutzlicht führende Komponente nach dem EUV-Quellbereich darstellt;
3 einen Schnitt durch eine Ausführungsform des optischen Gitters, wobei eine Schnittebene senkrecht auf einer Längserstreckung der Beugungsstrukturen des optischen Gitters steht;
4 Falschlicht-Intensitätsverteilung einer Beugungsintensität einer Variante des Gitters nach 3, aufgenommen in einem Fernfeld des Kollektorspiegels;
5 und 6 in zu den 3 und 4 ähnlicher Darstellung einen Schnitt durch Beugungsstrukturen sowie eine Falschlicht-Intensitätsverteilung für eine weitere Ausführung des optischen Gitters;
7 und 8 in zu den 3 und 4 ähnlicher Darstellung einen Schnitt durch Beugungsstrukturen sowie eine Falschlicht-Intensitätsverteilung für eine weitere Ausführung des optischen Gitters;
9 starkschematisch eine Vorrichtung zur Herstellung von Beugungsstrukturen eines optischen Gitters; und
10 schematisch in einer Seitenansicht eine weitere Ausführung einer Vorrichtung zur Herstellung der Beugungsstrukturen des optischen Gitters.

Embodiments of the invention will be explained in more detail with reference to the drawing. In this show:

1 schematically a projection exposure system for EUV microlithography;
2 in a meridional section, an optical path to and from a plasma source region of an EUV light source of the projection exposure system 1 showing in particular a diffractive, false-light-suppressing effect of an optical grating on an EUV collector mirror, which represents a first, EUV Nutzlicht leading component to the EUV source area;
3 a section through an embodiment of the optical grating, wherein a sectional plane is perpendicular to a longitudinal extent of the diffraction structures of the optical grating;
4 False light intensity distribution of a diffraction intensity of a variant of the grating after 3 , recorded in a far field of the collector mirror;
5 and 6 in to the 3 and 4 Similarly, a section through diffraction structures and a false light intensity distribution for a further embodiment of the optical grating.
7 and 8th in to the 3 and 4 Similarly, a section through diffraction structures and a false light intensity distribution for a further embodiment of the optical grating.
9 Schematic diagram of a device for producing diffraction structures of an optical grating; and
10 schematically a side view of another embodiment of an apparatus for producing the diffraction structures of the optical grating.

Eine Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithographie hat eine Lichtquelle 2 für Beleuchtungslicht bzw. Abbildungslicht 3, die nachfolgend noch weiter erläutert wird. Bei der Lichtquelle 2 handelt es sich um eine EUV-Lichtquelle, die Licht in einem Wellenlängenbereich beispielsweise zwischen 5 nm und 30 nm, insbesondere zwischen 5 nm und 15 nm, erzeugt. Das Beleuchtungs- bzw. Abbildungslicht 3 wird nachfolgend auch als EUV-Nutzlicht bezeichnet.A projection exposure machine 1 for microlithography has a light source 2 for illumination light or imaging light 3 , which will be explained further below. At the light source 2 it is an EUV light source that generates light in a wavelength range, for example between 5 nm and 30 nm, in particular between 5 nm and 15 nm. The illumination or imaging light 3 is also referred to below as EUV Nutzlicht.

Bei der Lichtquelle 2 kann es sich insbesondere um eine Lichtquelle mit einer EUV-Nutzwellenlänge von 13,5 nm oder um eine Lichtquelle mit einer EUV-Nutzwellenlänge von 6,9 nm oder 7 nm handeln. Auch andere EUV-Nutzwellenlängen sind möglich. Ein Strahlengang des Beleuchtungslichts 3 ist in der 1 äußerst schematisch dargestellt.At the light source 2 in particular, it may be a light source having an EUV useful wavelength of 13.5 nm or a light source having an EUV useful wavelength of 6.9 nm or 7 nm. Other EUV useful wavelengths are possible. A beam path of the illumination light 3 is in the 1 shown very schematically.

Zur Führung des Beleuchtungslichts 3 von der Lichtquelle 2 hin zu einem Objektfeld 4 in einer Objektebene 5 dient eine Beleuchtungsoptik 6. Letztere umfasst einen in der 1 stark schematisch dargestellten Feldfacettenspiegel FF und einen im Strahlengang des Beleuchtungslichts 3 nachfolgenden, ebenfalls stark schematische dargestellten Pupillenfacettenspiegel PF. Zwischen dem Pupillenfacettenspiegel PF, der in einer Pupillenebene 6a der Beleuchtungsoptik angeordnet ist, und dem Objektfeld 4 ist ein feldformender Spiegel 6b für streifenden Einfall (GI-Spiegel, grazing incidence Spiegel) im Strahlengang des Beleuchtungslichts 3 angeordnet. Ein derartiger GI-Spiegel 6b ist nicht zwingend.For guiding the illumination light 3 from the light source 2 towards an object field 4 in an object plane 5 serves a lighting optics 6 , The latter includes one in the 1 strongly schematically illustrated field facet mirror FF and one in the beam path of the illumination light 3 following, also strongly schematic pupil facet mirror shown PF , Between the pupil facet mirror PF standing in a pupil plane 6a the illumination optics is arranged, and the object field 4 is a field-shaping mirror 6b for grazing incidence (GI mirror, grazing incidence mirror) in the beam path of the illumination light 3 arranged. Such a GI mirror 6b is not mandatory.

Nicht näher dargestellte Pupillenfacetten des Pupillenfacettenspiegels PF sind Teil einer Übertragungsoptik, die ebenfalls nicht dargestellte Feldfacetten des Feldfacettenspiegels FF einander überlagernd in das Objektfeld 4 überführen und insbesondere abbilden. Für den Feldfacettenspiegel FF einerseits und den Pupillenfacettenspiegel PF andererseits kann eine Ausführung genutzt werden, die aus dem Stand der Technik bekannt ist. Eine derartige Beleuchtungsoptik ist beispielsweise bekannt aus der DE 10 2009 045 096 A1 . Pupil facets of the pupil facet mirror not shown in detail PF are part of a transmission optics, the field facets also not shown field facet mirror FF overlapping each other in the object field 4 transfer and in particular map. For the field facet mirror FF on the one hand and the pupil facet mirror PF on the other hand, an embodiment can be used which is known from the prior art. Such illumination optics is known, for example from the DE 10 2009 045 096 A1 ,

Mit einer Projektionsoptik bzw. abbildenden Optik 7 wird das Objektfeld 4 in ein Bildfeld 8 in einer Bildebene 9 mit einem vorgegebenen Verkleinerungsmaßstab abgebildet. Hierfür einsetzbare Projektionsoptiken sind beispielweise bekannt aus der DE 10 2012 202 675 A1 .With a projection optics or imaging optics 7 becomes the object field 4 in a picture field 8th in an image plane 9 mapped with a given reduction scale. For this purpose usable projection optics are known for example from the DE 10 2012 202 675 A1 ,

Zur Erleichterung der Beschreibung der Projektionsbelichtungsanlage 1 sowie der verschiedenen Ausführungen der Projektionsoptik 7 ist in der Zeichnung ein kartesisches xyz-Koordinatensystem angegeben, aus dem sich die jeweilige Lagebeziehung der in den Figuren dargestellten Komponenten ergibt. In der 1 verläuft die x-Richtung senkrecht zur Zeichenebene in diese hinein. Die y-Richtung verläuft in der 1 nach links und die z-Richtung in der 1 nach oben. Die Objektebene 5 verläuft parallel zur xy-Ebene.To facilitate the description of the projection exposure apparatus 1 as well as the different versions of the projection optics 7 in the drawing, a Cartesian xyz coordinate system is given, from which the respective positional relationship of the components shown in the figures results. In the 1 the x-direction is perpendicular to the plane of the drawing. The y-direction runs in the 1 to the left and the z direction in the 1 up. The object plane 5 runs parallel to the xy plane.

Das Objektfeld 4 und das Bildfeld 8 sind rechteckförmig. Alternativ ist es auch möglich, das Objektfeld 4 und Bildfeld 8 gebogen bzw. gekrümmt, also insbesondere teilringförmig auszuführen. Das Objektfeld 4 und das Bildfeld 8 haben ein xy-Aspektverhältnis größer als 1. Das Objektfeld 4 hat also eine längere Objektfelddimension in der x-Richtung und eine kürzere Objektfelddimension in der y-Richtung. Diese Objektfelddimensionen verlaufen längs der Feldkoordinaten x und y.The object field 4 and the picture box 8th are rectangular. Alternatively, it is also possible to use the object field 4 and picture box 8th curved or curved, so in particular perform part-ring. The object field 4 and the picture box 8th have an xy aspect ratio greater than 1. The object field 4 thus has a longer object field dimension in the x direction and a shorter object field dimension in the y direction. These object field dimensions run along the field coordinates x and y.

Für die Projektionsoptik 7 kann eines der aus dem Stand der Technik bekannten Ausführungsbeispiele eingesetzt werden. Abgebildet wird hierbei als Objekt mit dem Objektfeld 4 zusammenfallender Ausschnitt einer Reflexionsmaske 10, die auch als Retikel bezeichnet wird. Das Retikel 10 wird von einem Retikelhalter 10a getragen. Der Retikelhalter 10a wird von einem Retikelverlagerungsantrieb 10b verlagert.For the projection optics 7 can be used one of the known from the prior art embodiments. Here, the object is shown as an object with the object field 4 coincident section of a reflection mask 10 , which is also called reticle. The reticle 10 is from a reticle holder 10a carried. The reticle holder 10a is powered by a reticle displacement drive 10b relocated.

Die Abbildung durch die Projektionsoptik 7 erfolgt auf die Oberfläche eines Substrats 11 in Form eines Wafers, der von einem Substrathalter 12 getragen wird. Der Substrathalter 12 wird von einem Wafer- bzw. Substratverlagerungsantrieb 12a verlagert.The picture through the projection optics 7 takes place on the surface of a substrate 11 in the form of a wafer made by a substrate holder 12 will be carried. The substrate holder 12 is from a wafer or substrate displacement drive 12a relocated.

In der 1 ist schematisch zwischen dem Retikel 10 und der Projektionsoptik 7 ein in diese einlaufendes Strahlenbündel 13 des Beleuchtungslichts 3 und zwischen der Projektionsoptik 7 und dem Substrat 11 ein aus der Projektionsoptik 7 auslaufendes Strahlenbündel 14 des Beleuchtungslichts 3 dargestellt. Eine bildfeldseitige numerische Apertur (NA) der Projektionsoptik 7 ist in der 1 nicht maßstäblich wiedergegeben.In the 1 is schematically between the reticle 10 and the projection optics 7 an incoming into this bundle of rays 13 of the illumination light 3 and between the projection optics 7 and the substrate 11 one from the projection optics 7 leaking radiation beam 14 of the illumination light 3 shown. An image field-side numerical aperture (NA) of the projection optics 7 is in the 1 not reproduced to scale.

Die Projektionsbelichtungsanlage 1 ist vom Scannertyp. Sowohl das Retikel 10 als auch das Substrat 11 werden beim Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage 1 in der y-Richtung gescannt. Auch ein Steppertyp der Projektionsbelichtungsanlage 1, bei dem zwischen einzelnen Belichtungen des Substrats 11 eine schrittweise Verlagerung des Retikels 10 und des Substrats 11 in der y-Richtung erfolgt, ist möglich. Diese Verlagerungen erfolgen synchronisiert zueinander durch entsprechende Ansteuerung der Verlagerungsantriebe 10b und 12a.The projection exposure machine 1 is the scanner type. Both the reticle 10 as well as the substrate 11 be during operation of the projection exposure system 1 scanned in the y direction. Also a stepper type of the projection exposure system 1 in which between individual exposures of the substrate 11 a gradual shift of the reticle 10 and the substrate 11 in the y-direction is possible. These displacements are synchronized with each other by appropriate control of the displacement drives 10b and 12a ,

2 zeigt einen Strahlengang hin zu und von einem Quellbereich 15 der EUV-Lichtquelle 2 und zeigt insbesondere eine falschlichtunterdrückende Wirkung eines EUV-Kollektors 16. 2 shows a beam path to and from a source area 15 the EUV light source 2 and particularly shows a false light suppressing effect of an EUV collector 16 ,

Pumplicht 17, zum Beispiel die Emission eines CO₂-Lasers, wird in den Quellbereich 15 fokussiert und interagiert mit einem nicht näher dargestellten Targetmedium, welches einerseits EUV-Nutzlicht 3 mit einer EUV-Nutzwellenlänge, zum Beispiels von 6,9 nm oder von 13 nm, und Falschlicht 19 mit einer von der EUV-Nutzwellenlänge abweichenden Wellenlänge abstrahlt. Wesentliche Anteile des Falschlichts 19 haben die Wellenlänge des Pumplichts 17.pump light 17 , for example, the emission of a CO ₂ laser, is in the source area 15 focuses and interacts with a target medium, not shown, which on the one hand EUV Nutzlicht 3 with an EUV useful wavelength, for example, of 6.9 nm or 13 nm, and stray light 19 radiates at a wavelength deviating from the EUV useful wavelength. Essential parts of the plain 19 have the wavelength of the pump light 17 ,

Sowohl das EUV-Nutzlicht 3 als auch das Falschlicht 19 werden von einer Spiegelfläche 20 des EUV-Kollektors 16 reflektiert.Both the EUV Nutzlicht 3 as well as the wrong-way 19 be from a mirror surface 20 of the EUV collector 16 reflected.

Die Spiegelfläche 20 weist ein optisches Gitter 21 mit Beugungsstrukturen auf, die in der 2 nicht maßstabsgetreu dargestellt sind. Das optische Gitter 21 dient zur beugenden Ablenkung des Falschlichts 19, sodass ausschließlich das EUV-Nutzlicht 3 eine Zwischenfokusblende 21a passiert, die in einer Zwischenfokusebene 22 angeordnet ist. Die Zwischenfokusebene 22 stellt eine Bildebene des Quellbereichs 15 dar. Entsprechend ist die Spiegelfläche 20 des EUV-Kollektors 16 mit der Grundform einer Kegelschnitt-Fläche ausgeführt. Bei der in der 2 dargestellten Ausführung ist die Spiegelfläche 20 mit der Grundform einer Ellipsoid-Fläche ausgeführt, in deren einem Brennpunkt der Quellbereich 15 angeordnet ist und in deren anderem Brennpunkt ein Zwischenfokus (IF, intermediate focus) 23 in der Zwischenfokusebene 22 liegt.The mirror surface 20 has an optical grating 21 with diffraction structures in the 2 not shown to scale. The optical grid 21 serves for the diffractive deflection of the false light 19 so that only the EUV Nutzlicht 3 a Zwischenfokusblende 21a happens in an intermediate focus level 22 is arranged. The intermediate focus level 22 represents an image plane of the source area 15 Accordingly, the mirror surface 20 of the EUV collector 16 executed with the basic shape of a conic surface. When in the 2 illustrated embodiment is the mirror surface 20 executed with the basic form of an ellipsoidal surface, in one focal point of the source area 15 is arranged and in the other focal point Intermediate focus (IF, intermediate focus) 23 in the Zwischenfokusebene 22 lies.

3 zeigt in einem Schnitt eine Periodizität von Beugungsstrukturen einer ersten Ausführung des optischen Gitters 21, welches bei dem EUV-Kollektor zum Einsatz kommen kann. Eine Schnittebene nach 3 verläuft in einer xz-Ebene des dargestellten Koordinatensystems. Eine Gitterfläche des optischen Gitters erstreckt sich parallel zur xy-Ebene in der 3. 3 shows in a section a periodicity of diffraction structures of a first embodiment of the optical grating 21 , which can be used with the EUV collector. A cutting plane after 3 runs in an xz plane of the illustrated coordinate system. A grating surface of the optical grating extends parallel to the xy plane in the 3 ,

Die Beugungsstrukturen 24 sind in der 3 senkrecht zu deren Längserstreckung y geschnitten, erstrecken sich also senkrecht zur Zeichenebene der 3. Die Beugungsstrukturen 24 sind doppelperiodisch ausgeführt und sind gebildet aus einer alternierenden Abfolge eines ersten Beugungsstruktur-Typs 25 mit Strukturperiode T₁ und einem zweiten Beugungsstruktur-Typ 26 mit einer zweiten Strukturperiode T₂ . Die beiden Strukturperioden T₁, T₂ sind voneinander verschieden, wobei dieser Unterschied in der 3 stark übertrieben dargestellt ist. Das Verhältnis (T₁-T₂)/(T₁+T₂) liegt betragsweise im Bereich zwischen 0,02 und 0,2. Eine Strukturperiode T_i, gemessen senkrecht zur Längserstreckung y der Beugungsstrukturen 24, also längs der x-Richtung in der 3, weicht von einer mittleren Strukturperiode T_mean = (T₁+T₂)/2 jeweils um mehr als 1 Prozent ab. Dabei gilt: T₁>1,01 T_mean und T₂<0,99 T_mean.The diffraction structures 24 are in the 3 cut perpendicular to the longitudinal extent y, thus extending perpendicular to the plane of the 3 , The diffraction structures 24 are performed double-periodically and are formed of an alternating sequence of a first diffractive structure type 25 with structure period T ₁ and a second diffractive structure type 26 with a second structure period T ₂ , The two structural periods T ₁ , T ₂ are different from each other, this difference in the 3 is greatly exaggerated. The ratio (T ₁ -T ₂ ) / (T ₁ + T ₂ ) is in the range between 0.02 and 0.2 in terms of amount. A structure period T _i , measured perpendicular to the longitudinal extent y of the diffraction structures 24 , ie along the x-direction in the 3 , deviates from a mean structure period T _mean = (T ₁ + T ₂ ) / 2 by more than 1 percent each. The following applies: T ₁ > 1.01 T _mean and T ₂ <0.99 T _mean .

Strukturhöhen h der beiden Beugungsstruktur-Typen 25, 26, gemessen längs der z-Richtung, also senkrecht zur Gitterfläche xy, sind gleich.Structure heights h of the two diffraction structure types 25 . 26 , measured along the z-direction, ie perpendicular to the grating surface xy, are the same.

4 zeigt für eine Variante einer Ausführung von Gitter-Beugungsstrukturen einer entsprechenden Variante eines optischen Gitters eine Falschlicht-Beugungs-Intensitätsverteilung I als Funktion einer Ortskoordinate, gemessen in einem Fernfeld des Kollektors 16. Das optische Gitter dieser Variante, deren Falschlicht-Beugungs-Intensitätsverteilung in der 4 angegeben ist, hat eine Strukturperiode T, die entsprechend einer Sinusfunktion periodisch abhängig von der x-Koordinate der Beugungsstruktur größer und kleiner wird. Die in der 3 dargestellten Beugungsstruktur-Typen 25, 26 mit den Strukturperioden T₁ , T₂ können als beispielhafte Vertreter dieser Beugungsstrukturen mit periodisch größer und kleiner werdender Strukturperiode aufgefasst werden, weswegen die Intensitätsverteilung nach 4 nachfolgend anhand der Ausführung des optischen Gitters nach 3 beschrieben wird. 4 shows for a variant of an embodiment of grating diffraction structures of a corresponding variant of an optical grating a stray light diffraction intensity distribution I as a function of a location coordinate measured in a far field of the collector 16 , The optical grating of this variant, whose false light diffraction intensity distribution in the 4 has a structure period T which becomes larger and smaller according to a sine function periodically depending on the x-coordinate of the diffraction structure. The in the 3 illustrated diffraction structure types 25 . 26 with the structure periods T ₁ . T ₂ can be regarded as exemplary representatives of these diffraction structures with periodically larger and smaller structure period, which is why the intensity distribution after 4 below with reference to the design of the optical grating after 3 is described.

Aufgrund der verschiedenen Beugungsstruktur-Typen 25, 26 ergibt sich auch dann, wenn das Falschlicht 19 ein und dieselbe Wellenlänge hat, eine Verbreitung eines Beugungsmaximums 27 über die Ortskoordinate x im Vergleich zu einem einzelnen, im Idealfall singulären Beugungspeak. Diese Verbreitung des Beugungsmaximums 27 im Bereich von Ortskoordinaten x_BD einer Lichtfalle (beam dump) führt dazu, dass eine entsprechende, in der Zwischenfokusebene 22 und insbesondere auf der Zwischenfokusblende 21a angeordnete Lichtfalle lokal weniger stark thermisch durch das Falschlicht 19 belastet wird.Due to the different diffraction structure types 25 . 26 arises even if the misleading 19 has one and the same wavelength, a diffusion of a diffraction maximum 27 over the location coordinate x compared to a single, ideally singular diffraction peak. This distribution of the diffraction maximum 27 in the range of spatial coordinates x _{BD of} a light trap (beam dump) leads to a corresponding, in the Zwischenfokusebene 22 and especially on the Zwischenfokusblende 21a arranged light trap locally less strong thermally by the stray light 19 is charged.

Die Intensitätsverteilung nach 4 ist radialsymmetrisch um den Zwi-schenfokus 23, der in der 4 bei x=0 liegt. Anstelle der Ortskoordinate x kann also auch ein radialer Abstand r vom Zwischenfokus 23 gesetzt werden.The intensity distribution after 4 is radially symmetric about the intermediate focus 23 , the Indian 4 at x = 0. Instead of the location coordinate x So can also be a radial distance r from the intermediate focus 23 be set.

5 und 6 zeigen zu den 3 und 4 ähnliche Darstellungen einer weiteren Ausführung einer Beugungsstruktur 28, die beim optischen Gitter 21 alternativ oder zusätzlich zum Einsatz kommen kann. Komponenten und Funktionen, die vorstehend im Zusammenhang mit den 1 bis 4 und insbesondere in Zusammenhang mit den 3 und 4 erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert. 5 and 6 show to the 3 and 4 similar representations of another embodiment of a diffraction structure 28 at the optical grating 21 alternatively or additionally can be used. Components and functions discussed above in connection with the 1 to 4 and in particular in connection with 3 and 4 have the same reference numbers and will not be discussed again in detail.

Strukturperioden T_i der einzelnen Beugungsstrukturen 28i, die wiederum jeweils als binäre Strukturen gleicher Strukturhöhe h ausgeführt sind, folgen einer Strukturperioden-Häufigkeitsverteilung. Diese Häufigkeitsverteilung hat eine Halbwertsbreite, die größer ist als 1% der am häufigsten vorkommenden Strukturperiode. Eine Häufigkeitsverteilung P(T) der Strukturperioden um eine am häufigsten vorkommende Strukturperiode T₀ kann als Normalverteilung bzw. Gauß-Verteilung beschrieben werden. Eine Standardabweichung der Normalverteilung kann im Bereich zwischen 0,01 und 0,15 liegen.structure periods T _i the individual diffraction structures 28i , which in turn are each embodied as binary structures of the same structural height h, follow a structure-period frequency distribution. This frequency distribution has a half-width that is greater than 1% of the most frequently occurring structure period. A frequency distribution P (T) of the structure periods around a most frequently occurring structure period T ₀ can be described as a normal distribution or Gaussian distribution. A standard deviation of the normal distribution can range between 0.01 and 0.15.

6 zeigt die sich mit den Beugungsstrukturen 28 ergebende Falschlicht-Beugungs-Intensitätsverteilung über die Ortskoordinate x in der Zwischenfokusebene 22. 6 shows up with the diffraction structures 28 resulting false-light diffraction intensity distribution over the location coordinate x in the Zwischenfokusebene 22 ,

7 und 8 zeigen in wiederum den 3 und 4 entsprechenden Darstellungen eine weitere Ausführung für das optische Gitter 21 mit Beugungsstrukturen 29. Strukturperioden T₁ der einzelnen, wiederum binär mit gleicher Strukturhöhe h ausgeführten Beugungsstrukturen 29_i nehmen längs der Ortskoordinate x, also senkrecht zur Zeichenebene der 7 sich erstreckenden Längserstreckung der Beugungsstrukturen 29_i , monoton, insbesondere streng monoton, zu. Es gilt also T₁<T₂<T₃<T₄<... Alternativ kann das optische Gitter 21 mit den Beugungsstrukturen 29 auch so angeordnet sein, dass die Strukturperiode T_i in Richtung der Ortskoordinate x monoton und insbesondere streng monoton abnimmt. 7 and 8th show in turn the 3 and 4 corresponding representations another embodiment of the optical grating 21 with diffraction structures 29 , structure periods T ₁ the individual, in turn binary with the same structural height h executed diffraction structures 29 _i take along the spatial coordinate x, ie perpendicular to the plane of the 7 extending longitudinal extent of the diffraction structures 29 _i , monotone, especially strictly monotone, too. Thus, T ₁ <T ₂ <T ₃ <T ₄ <... Alternatively, the optical grating 21 with the diffraction structures 29 be arranged so that the structure period T _i in the direction of the spatial coordinate x monotonically and in particular strictly monotonically decreases.

Eine Strukturperiode T(x) als Funktion der Ortskoordinate kann allgemein geschrieben werden als T=T₀+c•x. In diesem Fall ist die Zunahme der Strukturperiode T linear. A structure period T (x) as a function of the location coordinate can generally be written as T = T ₀ + c • x. In this case, the increase of the pattern period T is linear.

8 zeigt wiederum eine resultierende Falschlicht-Beugungs-Intensitätsverteilung für die Beugungsstrukturen 29 nach 7. 8th again shows a resulting stray light diffraction intensity distribution for the diffractive structures 29 to 7 ,

Die Beugungsstrukturen 24, 28, 29 können mithilfe eines Laser-Strukturierungsverfahrens, also durch Einsetzen eines Materialbearbeitungslasers, realisiert werden. Alternativ oder zusätzlich können diese Beugungsstrukturen 24, 28, 29 mithilfe eines Masken-Belichtungsverfahrens oder auch über ein holografisches Strukturerzeugungsverfahren hergestellt werden. Wiederum alternativ oder zusätzlich können die Beugungsstrukturen 24, 28 oder 29 durch mechanischen Materialabtrag, beispielsweise durch spanende Bearbeitung, z.B. durch Drehen oder Fräsen, hergestellt werden.The diffraction structures 24 . 28 . 29 can be realized by means of a laser structuring method, ie by using a material processing laser. Alternatively or additionally, these diffraction structures 24 . 28 . 29 be prepared by a mask exposure method or also by a holographic pattern-forming method. Again alternatively or additionally, the diffraction structures 24 . 28 or 29 be produced by mechanical material removal, for example by machining, eg by turning or milling.

Zur Herstellung der Beugungsstrukturen 24, 28, 29 können auch andere materialabtragende oder materialauftragende Verfahren zum Einsatz kommen, beispielsweise die Prägelithographie oder ein additives Verfahren wie zum Beispiel 3D-Druck.For the production of the diffraction structures 24 . 28 . 29 It is also possible to use other material-removing or material-applying processes, for example embossed lithography or an additive process such as, for example, 3D printing.

Soweit ein Materialabtrag zum Einsatz kommt, kann dieser chemisch erfolgen, beispielsweise durch ein Ätzverfahren, oder physikalisch, beispielsweise mechanisch oder elektromagnetisch, durch Ionenbeschuss oder galvanisch, optisch durch Laserabtrag oder thermisch durch Schmelzen.As far as a material removal is used, this can be done chemically, for example by an etching process, or physically, for example mechanically or electromagnetically, by ion bombardment or galvanically, optically by laser ablation or thermally by melting.

Ein Materialauftrag kann auch mittels PVD oder CVD erfolgen.A material application can also be carried out by means of PVD or CVD.

Bei den Strukturierungsverfahren kann auf ein Substrat ein Lack aufgetragen werden, der dann belichtet wird, wobei anschließend ein Ätzverfahren zur Strukturbildung stattfindet.In the structuring method, a lacquer can be applied to a substrate, which is then exposed, and then an etching process for patterning takes place.

Beim Bearbeiten des Substrats kann eine Relativbewegung zwischen dem Substrat und einer Strukturierungseinheit zur Erzeugung der Beugungsstruktur stattfinden.When processing the substrate, a relative movement between the substrate and a structuring unit for generating the diffraction structure can take place.

Beim Bearbeiten kann also ein mechanischer und/oder ein elektromagnetischer Abtrag von Substratmaterial erfolgen.During machining, therefore, a mechanical and / or an electromagnetic removal of substrate material can take place.

Anhand der 9 und 10 werden nachfolgend Varianten von Herstellungsvorrichtungen und Herstellungsverfahren für Beugungsstrukturen entsprechend den vorstehend beschriebenen Beugungsstrukturen 24, 28 und 29 erläutert.Based on 9 and 10 In the following, variants of production devices and production processes for diffraction structures corresponding to the diffraction structures described above are described 24 . 28 and 29 explained.

9 zeigt eine Ausführung der Herstellungsvorrichtung 30 mit einem Schreibkopf 31 zur Fertigung der Beugungsstrukturen 24, 28 bzw. 29. 9 shows an embodiment of the manufacturing apparatus 30 with a stylus 31 for the production of the diffraction structures 24 . 28 respectively. 29 ,

Der Schreibkopf 31 ist mit einem freien Ende eines Robotorarms 32 verbunden. Der Roboterarm 32 wird über eine Steuervorrichtung 33 zur Schreibpositionierung des Schreibkopfs 31 gesteuert und insbesondere mit Hilfe von mindestens einem Aktor der Steuervorrichtung 33 in mindestens einem Freiheitsgrad der Translation oder Rotation bewegt. Die Steuervorrichtung 33 kann den Roboterarm 32 mit 2, 3, 4 oder 5 Freiheitsgraden bewegen.The writing head 31 is with a free end of a robotic arm 32 connected. The robot arm 32 is via a control device 33 for write positioning of the write head 31 controlled and in particular by means of at least one actuator of the control device 33 moved in at least one degree of freedom of translation or rotation. The control device 33 can the robot arm 32 move with 2, 3, 4 or 5 degrees of freedom.

Bei der Herstellung der Beugungsstruktur 24, 28 bzw. 29 wird der Schreibkopf 31 längs einer Bewegungsbahn über den entsprechenden Bereich eines Substrats 35 für das optische Gitter 21 bewegt und erzeugt hierbei beispielsweise mechanisch oder optisch die jeweilige Beugungsstruktur. Es findet also eine Relativbewegung zwischen dem Substrat 35 des optischen Gitters 21 und dem Schreibkopf 31 als Strukturierungseinheit statt. Beim Bearbeiten des Substrats mit dem Schreibkopf 31 kann ein mechanischer oder elektromagnetischer Abtrag von Substratmaterial erfolgen. Ein mechanischer Abtrag kann mithilfe von spanender Bearbeitung erfolgen.In the manufacture of the diffraction structure 24 . 28 respectively. 29 becomes the write head 31 along a trajectory over the corresponding area of a substrate 35 for the optical grating 21 moves and generates, for example, mechanically or optically the respective diffraction structure. So it finds a relative movement between the substrate 35 of the optical grating 21 and the stylus 31 as a structuring unit. When editing the substrate with the write head 31 may be a mechanical or electromagnetic removal of substrate material. Mechanical removal can be done by machining.

Bei einem optischen Herstellen der Beugungsstrukturen kann eine Belichtung eines mit einem Fotolack 34 versehenen Substrates 35 für das optische Gitter 21 mit einer Lichtquelle 36 erfolgen, wie dies bei der Ausführungsform der Herstellvorrichtung 30 nach 10 dargestellt ist. Die Belichtungs-Strukturierung kann mithilfe einer die Beugungsstrukturen spezifizierenden Maske erfolgen, die entweder direkt auf dem mit dem Fotolack 34 versehenem Substrat 35 aufgebracht ist oder die auf das Substrat 35 abgebildet wird. Eine entsprechende Belichtungs-Strukturierung kann auch mittels eines Hologramms geschehen.In an optical production of the diffraction structures, an exposure of a with a photoresist 34 provided substrate 35 for the optical grating 21 with a light source 36 take place, as in the embodiment of the manufacturing device 30 to 10 is shown. The exposure patterning can be done by means of a mask specifying the diffraction patterns, either directly on top of the photoresist 34 provided substrate 35 is applied or on the substrate 35 is shown. A corresponding exposure structuring can also be done by means of a hologram.

Zur Herstellung eines mikro- oder nanostrukturierten Bauteils wird die Projektionsbelichtungsanlage 1 folgendermaßen eingesetzt: Zunächst werden die Reflexionsmaske 10 bzw. das Retikel und das Substrat bzw. der Wafer 11 bereitgestellt. Anschließend wird eine Struktur auf dem Retikel 10 auf eine lichtempfindliche Schicht des Wafers 11 mithilfe der Projektionsbelichtungsanlage 1 projiziert. Durch Entwicklung der lichtempfindlichen Schicht wird dann eine Mikro- oder Nanostruktur auf dem Wafer 11 und somit das mikrostrukturierte Bauteil erzeugt.The projection exposure apparatus is used to produce a microstructured or nanostructured component 1 used as follows: First, the reflection mask 10 or the reticle and the substrate or the wafer 11 provided. Subsequently, a structure on the reticle 10 on a photosensitive layer of the wafer 11 using the projection exposure system 1 projected. By developing the photosensitive layer, a micro or nanostructure is then formed on the wafer 11 and thus produces the microstructured component.

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

WO 2017/207401 A1 [0002]
DE 102009045096 A1 [0023]
DE 102012202675 A1 [0024]

Claims

An optical grating (21) having diffraction structures (24; 28; 29) arranged successively such that their structure period (T _i ) extends over a grating dimension (x) perpendicular to a longitudinal extent (y) of the diffraction structures (24; 28; 29). deviates from a mean structure period (T _mean ) by more than 0.1%.

Optical grid after Claim 1 , characterized in that the diffraction structures (24) are arranged in a multiperiodic succession so that there are several types (25, 26) of diffraction structures each having an associated structure period (T ₁ , T ₂ ), wherein the structure periods (T ₁ , T ₂ ) of the different types (25, 26) of the diffraction structure (24) differ from each other by more than 1%.

Optical grid after Claim 2 , characterized in that the diffraction structure types (25, 26) are arranged in a double periodic succession.

Optical grid according to one of the Claims 1 to 3 , characterized in that the structure periods (T _i ) of the diffraction structures (28) follow a frequency distribution with a half-value width which is greater than 1% of the most frequent structure period.

Optical grid after Claim 4 , characterized in that the frequency distribution can be described as normal distribution.

Optical grid according to one of the Claims 1 to 5 , characterized in that the structure periods (T _i ) of the diffraction structures (29) increase monotonically over the grating surface perpendicular to the longitudinal extent of the diffraction structures (29) or decrease monotonically.

Optical component (16) of a projection exposure apparatus (1) having an optical grating (21) according to one of Claims 1 to 6 ,

Lighting system with an optical component (16) according to Claim 7 for guiding illuminating light (3) of a light source (2) towards an object field (4), in which an object (10) to be imaged can be arranged.

Optical system with a lighting system after Claim 8 and a projection optics (7) for imaging the object field (4) in an image field (8), in which a substrate (11) can be arranged.

Optical system after Claim 9 with an EUV light source (2).

Projection exposure system with an optical system after Claim 10 ,

Method for producing an optical grating (21) according to one of the Claims 1 to 6 comprising the following steps: - providing an optical substrate (35), - processing the substrate (35) to produce the diffraction structures (24; 28; 29).

Method according to Claim 12 , characterized in that during the processing of the substrate (35) a relative movement between the substrate (35) and a structuring unit (31) for generating the diffraction structures (24; 28; 29) takes place.

Method according to Claim 12 or 13 , characterized in that during the machining takes place a mechanical or electromagnetic removal of substrate material.