DE102018200593A1 - Plug connection unit, particle beam generator with a plug connection unit and particle beam device with a particle beam generator - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Steckverbindungseinheit (200) zum Anschluss sowohl an einen Teilchenstrahlerzeuger (1000) als auch an eine Hochspannungsversorgungseinheit (300), mit einem ersten Stecker (201) zum Anschluss an den Teilchenstrahlerzeuger (1000), einem zweiten Stecker (202) zum Anschluss an die Hochspannungsversorgungseinheit (300) und mit einer ersten bis vierten Leitung (203 bis 206). Die erste und zweite Leitung (203, 204) sind zur Versorgung einer Teilchenquelle (101) des Teilchenstrahlerzeugers (1000) mit der Teilchenquelle (101) verbindbar. Die dritte Leitung (205) ist zur Versorgung einer Suppressorelektrode (101A) des Teilchenstrahlerzeugers (1000) mit der Suppressorelektrode (101A) verbindbar. Die vierte Leitung (206) ist zur Versorgung einer Extraktionselektrode (102) des Teilchenstrahlerzeugers (1000) mit der Extraktionselektrode (102) verbindbar. Eine erste Kondensatoreinheit (208), die im ersten Stecker (201) angeordnet ist, ist im ersten Stecker (201) leitungstechnisch mit der ersten Leitung (203) und der dritten Leitung (205) verbunden. Eine zweite Kondensatoreinheit (209), die im ersten Stecker (201) angeordnet ist, ist im ersten Stecker (201) leitungstechnisch mit der ersten Leitung (203) und der vierten Leitung (206) verbunden.The invention relates to a plug connection unit (200) for connection both to a particle beam generator (1000) and to a high voltage supply unit (300), having a first connector (201) for connection to the particle beam generator (1000), a second connector (202) for connection to the high voltage supply unit (300) and to first to fourth lines (203 to 206). The first and second lines (203, 204) are connectable to the particle source (101) for supplying a particle source (101) of the particle beam generator (1000). The third line (205) can be connected to the suppressor electrode (101A) to supply a suppressor electrode (101A) of the particle beam generator (1000). The fourth line (206) can be connected to the extraction electrode (102) for supplying an extraction electrode (102) of the particle beam generator (1000). A first condenser unit (208), which is arranged in the first connector (201), is conductively connected in the first connector (201) to the first line (203) and the third line (205). A second condenser unit (209), which is arranged in the first connector (201), is conductively connected in the first connector (201) to the first line (203) and the fourth line (206).

Description

Die Erfindung betrifft eine Steckverbindungseinheit zum Anschluss sowohl an einen Teilchenstrahlerzeuger als auch an eine Hochspannungsversorgungseinheit. Ferner betrifft die Erfindung einen Teilchenstrahlerzeuger für ein Teilchenstrahlgerät, das eine derartige Steckverbindungseinheit aufweist. Darüber hinaus betrifft die Erfindung ein Teilchenstrahlgerät mit einem vorgenannten Teilchenstrahlerzeuger. Beispielsweise ist das Teilchenstrahlgerät als Elektronenstrahlgerät und/oder lonenstrahlgerät ausgebildet.The invention relates to a plug connection unit for connection both to a particle beam generator and to a high voltage supply unit. Furthermore, the invention relates to a particle beam generator for a particle beam device having such a connector unit. Moreover, the invention relates to a particle beam device with an aforementioned particle beam generator. For example, the particle beam device is designed as an electron beam device and / or ion beam device.

Elektronenstrahlgeräte, insbesondere ein Rasterelektronenmikroskop (nachfolgend auch SEM genannt) und/oder ein Transmissionselektronenmikroskop (nachfolgend auch TEM genannt), werden zur Untersuchung von Objekten (auch Proben genannt) verwendet, um Kenntnisse hinsichtlich der Eigenschaften und Verhaltensweisen der Objekte unter bestimmten Bedingungen zu erhalten.Electron beam devices, in particular a scanning electron microscope (hereinafter also referred to as SEM) and / or a transmission electron microscope (also referred to below as TEM) are used to examine objects (also called samples) in order to obtain knowledge of the properties and behavior of the objects under certain conditions.

Bei einem SEM wird ein Elektronenstrahl (nachfolgend auch Primärelektronenstrahl genannt) mittels eines Strahlerzeugers erzeugt und durch ein Strahlführungssystem auf ein zu untersuchendes Objekt fokussiert. Zur Fokussierung wird eine Objektivlinse verwendet. Mittels einer Ablenkeinrichtung wird der Primärelektronenstrahl rasterförmig über eine Oberfläche des zu untersuchenden Objekts geführt. Die Elektronen des Primärelektronenstrahls treten dabei in Wechselwirkung mit dem zu untersuchenden Objekt. Als Folge der Wechselwirkung entstehen insbesondere Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungsstrahlung. Die Wechselwirkungsteilchen sind beispielsweise Elektronen. Insbesondere werden Elektronen vom Objekt emittiert - sogenannte Sekundärelektronen - und Elektronen des Primärelektronenstrahls zurückgestreut - sogenannte Rückstreuelektronen. Die Wechselwirkungsteilchen bilden den sogenannten Sekundärstrahl und werden von mindestens einem Teilchendetektor detektiert. Der Teilchendetektor erzeugt Detektorsignale, welche zur Erzeugung eines Bildes des Objekts verwendet werden. Das Bild wird auf einer Anzeigeeinrichtung, beispielsweise einem Monitor, angezeigt. Man erhält somit eine Abbildung des zu untersuchenden Objekts.In an SEM, an electron beam (hereinafter also referred to as primary electron beam) is generated by means of a beam generator and focused by a beam guidance system onto an object to be examined. For focusing, an objective lens is used. By means of a deflection device, the primary electron beam is guided in a grid pattern over a surface of the object to be examined. The electrons of the primary electron beam interact with the object to be examined. As a result of the interaction in particular interaction particles and / or interaction radiation. The interaction particles are, for example, electrons. In particular, electrons are emitted from the object - so-called secondary electrons - and electrons scattered back from the primary electron beam - so-called backscattered electrons. The interaction particles form the so-called secondary beam and are detected by at least one particle detector. The particle detector generates detector signals which are used to generate an image of the object. The image is displayed on a display device, such as a monitor. One thus obtains an image of the object to be examined.

Die Wechselwirkungsstrahlung ist beispielsweise Röntgenstrahlung oder Kathodolumineszenzlicht. Sie wird beispielsweise mit einem Strahlungsdetektor detektiert und insbesondere zur Untersuchung der Materialzusammensetzung des Objekts verwendet.The interaction radiation is, for example, X-radiation or cathodoluminescent light. It is detected, for example, with a radiation detector and used in particular for examining the material composition of the object.

Bei einem TEM wird ebenfalls ein Primärelektronenstrahl mittels eines Strahlerzeugers erzeugt und mittels eines Strahlführungssystems auf ein zu untersuchendes Objekt fokussiert. Der Primärelektronenstrahl durchstrahlt das zu untersuchende Objekt. Beim Durchtritt des Primärelektronenstrahls durch das zu untersuchende Objekt treten die Elektronen des Primärelektronenstrahls mit dem Material des zu untersuchenden Objekts in Wechselwirkung. Die durch das zu untersuchende Objekt hindurchtretenden Elektronen werden durch ein System, das ein Objektiv beinhaltet, auf einen Leuchtschirm oder auf einen Detektor - beispielsweise in Form einer Kamera - abgebildet. Das vorgenannte System umfasst beispielsweise zusätzlich auch ein Projektiv. Die Abbildung kann dabei auch im Scan-Modus eines TEM erfolgen. Ein derartiges TEM wird in der Regel als STEM bezeichnet. Zusätzlich kann es vorgesehen sein, an dem zu untersuchenden Objekt zurückgestreute Elektronen und/oder von dem zu untersuchenden Objekt emittierte Sekundärelektronen mittels eines weiteren Detektors zu detektieren, um ein zu untersuchendes Objekt abzubilden.In a TEM, a primary electron beam is also generated by means of a beam generator and focused by means of a beam guidance system on an object to be examined. The primary electron beam radiates through the object to be examined. As the primary electron beam passes through the object to be examined, the electrons of the primary electron beam interact with the material of the object to be examined. The electrons passing through the object to be examined are imaged by a system that includes an objective onto a luminescent screen or onto a detector, for example in the form of a camera. The aforementioned system also includes, for example, a projective. The image can also be done in the scan mode of a TEM. Such a TEM is usually referred to as STEM. In addition, it may be provided to detect electrons scattered back on the object to be examined and / or secondary electrons emitted by the object to be examined by means of a further detector in order to image an object to be examined.

Es ist bekannt, die Funktion eines STEM und eines SEM in einem einzelnen Teilchenstrahlgerät zu integrieren. Mit diesem Teilchenstrahlgerät sind somit Untersuchungen von Objekten mit einer SEM-Funktion und/oder mit einer STEM-Funktion möglich.It is known to integrate the function of a STEM and a SEM in a single particle beam device. With this particle beam device investigations of objects with an SEM function and / or with a STEM function are thus possible.

Ferner ist es aus dem Stand der Technik bekannt, ein Objekt in einem Teilchenstrahlgerät zum einen mit Elektronen und zum anderen mit Ionen zu analysieren und/oder zu bearbeiten. Beispielsweise ist an dem Teilchenstrahlgerät eine Elektronenstrahlsäule angeordnet, welche die Funktion eines SEM aufweist. Zusätzlich ist an dem Teilchenstrahlgerät eine lonenstrahlsäule angeordnet. Mittels eines in der lonenstrahlsäule angeordneten lonenstrahlerzeugers werden Ionen erzeugt, die zur Bearbeitung eines Objekts verwendet werden. Beispielsweise wird bei der Bearbeitung Material des Objekts abgetragen oder es wird ein Material auf das Objekt aufgebracht. Zusätzlich oder alternativ hierzu werden die Ionen zur Bildgebung verwendet. Die Elektronenstrahlsäule mit der SEM-Funktion dient insbesondere der weiteren Untersuchung des bearbeiteten oder unbearbeiteten Objekts, aber auch zur Bearbeitung des Objekts.Furthermore, it is known from the prior art to analyze and / or process an object in a particle beam device on the one hand with electrons and on the other with ions. For example, an electron beam column which has the function of an SEM is arranged on the particle beam device. In addition, an ion beam column is arranged on the particle beam device. By means of an ion beam generator arranged in the ion beam column, ions are generated which are used to process an object. For example, during processing, material of the object is removed or a material is applied to the object. Additionally or alternatively, the ions are used for imaging. The electron beam column with the SEM function is used in particular for the further examination of the processed or unprocessed object, but also for the processing of the object.

Aus dem Stand der Technik ist ein Teilchenstrahlerzeuger für ein Teilchenstrahlgerät bekannt. Der bekannte Teilchenstrahlerzeuger dient der Erzeugung von Elektronen oder Ionen und weist hierzu eine Teilchenquelle zur Erzeugung eines Strahls geladener Teilchen auf. Die geladenen Teilchen sind beispielsweise Elektronen oder Ionen. Ferner weist der bekannte Teilchenstrahlerzeuger eine Suppressorelektrode zum Unterdrücken von Emissionen der geladenen Teilchen von einer Seitenfläche der Teilchenquelle auf. Darüber hinaus ist bei dem bekannten Teilchenstrahlerzeuger eine Extraktionselektrode zum Extrahieren der geladenen Teilchen von der Teilchenquelle vorgesehen. From the prior art, a particle beam generator for a particle beam device is known. The known particle beam generator serves to generate electrons or ions and for this purpose has a particle source for generating a beam of charged particles. The charged particles are for example electrons or ions. Further, the known particle beam generator has a suppressor electrode for suppressing emissions of the charged particles from a side surface of the particle source. Moreover, in the known particle beam generator, an extraction electrode for extracting the charged particles from the particle source is provided.

Aus dem Stand der Technik ist ein weiterer Teilchenstrahlerzeuger für ein Teilchenstrahlgerät bekannt. Dieser weitere Teilchenstrahlerzeuger weist eine Teilchenquelle zum Emittieren von geladenen Teilchen, eine Extraktionselektrode zum Extrahieren der geladenen Teilchen von der Teilchenquelle sowie eine Beschleunigungselektrode zum Beschleunigen der extrahierten geladenen Teilchen auf.A further particle beam generator for a particle beam device is known from the prior art. This further particle beam generator has a particle source for emitting charged particles, an extraction electrode for extracting the charged particles from the particle source, and an acceleration electrode for accelerating the extracted charged particles.

In einer Säule eines Teilchenstrahlgeräts sind Hochspannungsüberschläge nicht ausgeschlossen. Die Hochspannungsüberschläge können den Betrieb des Teilchenstrahlerzeugers stören oder den Teilchenstrahlerzeuger selbst schädigen. Infolgedessen können Untersuchungs- und/oder Bearbeitungsverfahren, die mit dem Teilchenstrahlgerät durchgeführt werden, gestört oder unterbrochen werden. Dies kann wiederum zu Schäden an dem mit dem Teilchenstrahlgerät untersuchten und/oder bearbeiteten Objekt führen.In a column of a particle beam device high voltage flashovers are not excluded. The high voltage flashovers can interfere with the operation of the particle beam generator or damage the particle beam generator itself. As a result, inspection and / or processing methods performed with the particle beam apparatus may be disturbed or interrupted. This in turn can lead to damage to the examined and / or processed with the particle beam device object.

Um die Auswirkungen von Hochspannungsüberschlägen zu verringern, ist es aus dem Stand der Technik bekannt, im Teilchenstrahlerzeuger eine Überspannungsschutzeinheit anzuordnen. Die bekannte Überspannungsschutzeinheit ist elektrisch zwischen der Teilchenquelle zum einen und der Extraktionselektrode oder einem Erdpotential zum anderen angeordnet.To reduce the effects of high voltage flashovers, it is known in the art to place an overvoltage protection unit in the particle beam generator. The known overvoltage protection unit is arranged electrically between the particle source on the one hand and the extraction electrode or one ground potential on the other.

Hinsichtlich des Standes der Technik wird insbesondere auf die US 7,777,194 B2 verwiesen.With regard to the prior art is particularly to the US 7,777,194 B2 directed.

Es hat sich jedoch gezeigt, dass durch die Überspannungsschutzeinheit zwar Schäden am Teilchenstrahlerzeuger durch Hochspannungsüberschläge im Teilchenstrahlgerät weitestgehend vermieden werden. Jedoch wird der Betrieb des Teilchenstrahlerzeugers immer noch derart beeinflusst, dass mit dem Teilchenstrahlgerät durchgeführte Untersuchungs- und/oder Bearbeitungsverfahren, die recht lange dauern, weiterhin gestört und unterbrochen werden. Es können hierdurch nach wie vor Schäden an dem untersuchten und/oder bearbeiteten Objekt entstehen.However, it has been shown that damage to the particle beam generator due to high voltage flashovers in the particle beam device is largely avoided by the overvoltage protection unit. However, the operation of the particle beam generator is still so influenced that further investigation and / or processing methods carried out with the particle beam apparatus, which take a long time, continue to be disturbed and interrupted. This can still cause damage to the examined and / or processed object.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, eine Schutzeinheit für einen Teilchenstrahlerzeuger eines Teilchenstrahlgeräts anzugeben, mit der Hochspannungsüberschläge weitestgehend keinen Einfluss mehr auf den Betrieb des Teilchenstrahlerzeugers haben.The invention is based on the object of specifying a protective unit for a particle beam generator of a particle beam device, with which high-voltage flashovers have as far as possible no influence on the operation of the particle beam generator.

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe mit einer Steckverbindungseinheit mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Ferner betrifft die Erfindung einen Teilchenstrahlerzeuger für ein Teilchenstrahlgerät mit den Merkmalen des Anspruchs 8. Ein erfindungsgemäßes Teilchenstrahlgerät ist durch die Merkmale des Anspruchs 9 charakterisiert. Weitere Merkmale der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung, den beigefügten Ansprüchen und/oder den beigefügten Figuren.According to the invention, this object is achieved with a plug connection unit having the features of claim 1. Furthermore, the invention relates to a particle beam generator for a particle beam device having the features of claim 8. A particle beam device according to the invention is characterized by the features of claim 9. Further features of the invention will become apparent from the following description, the appended claims and / or the accompanying figures.

Die erfindungsgemäße Steckverbindungseinheit ist zum Anschluss sowohl an einen Teilchenstrahlerzeuger als auch an eine Hochspannungsversorgungseinheit ausgebildet. Der Teilchenstrahlerzeuger ist beispielsweise in einem Teilchenstrahlgerät angeordnet. Das Teilchenstrahlgerät ist beispielsweise zur Abbildung, Analyse und/oder zur Bearbeitung eines Objekts ausgebildet. Insbesondere ist das Teilchenstrahlgerät als ein Elektronenstrahlgerät und/oder als ein lonenstrahlgerät ausgebildet. Der Teilchenstrahlerzeuger dient beispielsweise der Erzeugung eines Teilchenstrahls mit geladenen Primärteilchen. Beispielsweise sind die Primärteilchen Elektronen oder Ionen. Der Teilchenstrahlerzeuger weist mindestens eine Teilchenquelle zur Erzeugung des Strahls mit geladenen Teilchen, mindestens eine Suppressorelektrode zur Unterdrückung von Emissionen der geladenen Teilchen von einer Seitenfläche der Teilchenquelle sowie mindestens eine Extraktionselektrode zur Extraktion der geladenen Teilchen von der Teilchenquelle auf. Ferner weist das Teilchenstrahlgerät beispielsweise eine Objektivlinse auf. Die Objektivlinse dient zur Fokussierung des Teilchenstrahls auf das Objekt. Bei einer Wechselwirkung des Teilchenstrahls mit dem Objekt entstehen/entsteht Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungsstrahlung. Die Wechselwirkungsteilchen sind beispielsweise Sekundärteilchen, insbesondere Sekundärelektronen, und/oder rückgestreute Teilchen, beispielsweise Rückstreuelektronen. Die Wechselwirkungsstrahlung ist beispielsweise Röntgenstrahlung oder Kathodolumineszenzlicht. Darüber hinaus weist das erfindungsgemäße Teilchenstrahlgerät beispielsweise mindestens einen Detektor zur Detektion der Wechselwirkungsteilchen und/oder von Wechselwirkungsstrahlung und zur Erzeugung von Detektorsignalen auf. Das Teilchenstrahlgerät weist ferner beispielsweise mindestens eine Anzeigeeinrichtung zur Anzeige eines Bildes des Objekts auf, wobei das Bild mittels der Detektorsignale erzeugt wird.The plug connection unit according to the invention is designed for connection both to a particle beam generator and to a high voltage supply unit. The particle beam generator is arranged, for example, in a particle beam device. The particle beam device is designed for example for imaging, analysis and / or for processing an object. In particular, the particle beam device is designed as an electron beam device and / or as an ion beam device. The particle beam generator serves, for example, to generate a particle beam with charged primary particles. For example, the primary particles are electrons or ions. The particle beam generator comprises at least one particle source for generating the charged particle beam, at least one suppressor electrode for suppressing emissions of the charged particles from a side surface of the particle source, and at least one extraction electrode for extracting the charged particles from the particle source. Furthermore, the particle beam device has, for example, an objective lens. The objective lens serves to focus the particle beam on the object. When the particle beam interacts with the object, interaction particles and / or interaction radiation arise / arise. The interaction particles are, for example, secondary particles, in particular secondary electrons, and / or backscattered particles, for example backscattered electrons. The interaction radiation is, for example, X-radiation or cathodoluminescent light. In addition, the particle beam device according to the invention has, for example, at least one detector for detecting the interaction particles and / or interaction radiation and for generating detector signals. The particle beam apparatus further comprises, for example, at least one display device for displaying an image of the object, wherein the image is generated by means of the detector signals.

Die erfindungsgemäße Steckverbindungseinheit weist mindestens einen ersten Stecker zum Anschluss an den Teilchenstrahlerzeuger auf. Darüber hinaus weist die erfindungsgemäße Steckverbindungseinheit mindestens einen zweiten Stecker zum Anschluss an die Hochspannungsversorgungseinheit auf. Ferner sind mindestens eine erste Leitung, mindestens eine zweite Leitung, mindestens eine dritte Leitung und mindestens eine vierte Leitung bei der erfindungsgemäßen Steckverbindungseinheit vorgesehen. Die erste Leitung, die zweite Leitung, die dritte Leitung und die vierte Leitung sind jeweils als eine elektrische Leitung ausgebildet. Die erste Leitung, die zweite Leitung, die dritte Leitung und die vierte Leitung sind von dem ersten Stecker zum zweiten Stecker geführt.The plug connection unit according to the invention has at least one first plug for connection to the particle beam generator. In addition, the plug connection unit according to the invention has at least one second plug for connection to the high voltage supply unit. Furthermore, at least one first line, at least one second line, at least one third line and at least one fourth line are provided in the plug connection unit according to the invention. The first line, the second line, the third line and the fourth line are each formed as an electric line. The first line, the second line, the third line and the fourth line are led from the first connector to the second connector.

Die erste Leitung ist zur Versorgung der Teilchenquelle des Teilchenstrahlerzeugers mit der Teilchenquelle verbindbar. Ferner ist die zweite Leitung zur Versorgung der Teilchenquelle mit der Teilchenquelle verbindbar. Darüber hinaus ist die dritte Leitung zur Versorgung der Suppressorelektrode des Teilchenstrahlerzeugers mit der Suppressorelektrode verbindbar. Ferner ist die vierte Leitung zur Versorgung der Extraktionselektrode des Teilchenstrahlerzeugers mit der Extraktionselektrode verbindbar.The first line is connectable to the particle source for supplying the particle source of the particle beam generator. Furthermore, the second line for supplying the particle source with the particle source is connectable. In addition, the third line for supplying the suppressor electrode of the particle beam generator with the suppressor electrode is connectable. Furthermore, the fourth line for supplying the extraction electrode of the particle beam generator with the extraction electrode is connectable.

Darüber hinaus weist die erfindungsmäße Steckverbindungseinheit mindestens eine erste Kondensatoreinheit auf, die im ersten Stecker angeordnet ist und im ersten Stecker leitungstechnisch mit der ersten Leitung und der dritten Leitung verbunden ist. Mit anderen Worten ausgedrückt, ist die erste Kondensatoreinheit zwischen der Teilchenquelle und der Suppressorelektrode angeordnet. Beispielsweise weist die erste Kondensatoreinheit eine Kapazität von einigen nF auf, beispielsweise 6 nF.In addition, the plug connection unit according to the invention has at least one first condenser unit, which is arranged in the first plug and is line-connected in the first plug to the first line and the third line. In other words, the first capacitor unit is arranged between the particle source and the suppressor electrode. By way of example, the first capacitor unit has a capacitance of a few nF, for example 6 nF.

Ferner weist die erfindungsgemäße Steckverbindungseinheit mindestens eine zweite Kondensatoreinheit auf, die im ersten Stecker angeordnet ist und im ersten Stecker leitungstechnisch mit der ersten Leitung und der vierten Leitung verbunden ist. Mit anderen Worten ausgedrückt, ist die zweite Kondensatoreinheit zwischen der Teilchenquelle und der Extraktionselektrode angeordnet. Beispielsweise weist die zweite Kondensatoreinheit ebenfalls eine Kapazität von einigen nF auf, beispielsweise 7 nF.Furthermore, the plug-in connection unit according to the invention has at least one second capacitor unit, which is arranged in the first plug and in the first plug is connected to the first line and the fourth line. In other words, the second capacitor unit is disposed between the particle source and the extraction electrode. By way of example, the second capacitor unit likewise has a capacitance of a few nF, for example 7 nF.

Die Erfindung beruht auf dem erfindungsgemäßen Gedanken, dass alle für den Betrieb des Teilchenstrahlerzeugers notwendigen Hochspannungspotentiale mittels Schutzkondensatoren in Form der ersten Kondensatoreinheit und der zweiten Kondensatoreinheit für transiente Störströme kurzgeschlossen werden, sodass die transienten Störströme eines Hochspannungsüberschlags an dem Teilchenstrahlerzeuger vorbei geleitet werden.The invention is based on the inventive concept that all necessary for the operation of the particle beam generator high voltage potentials are short-circuited by means of protective capacitors in the form of the first capacitor unit and the second capacitor unit for transient noise, so that the transient parasitic currents of a high voltage flashover are passed to the particle beam generator over.

Damit die Schutzkondensatoren, nämlich die erste Kondensatoreinheit und die zweite Kondensatoreinheit, gut wirksam sind, können sie nahe an dem Teilchenstrahlerzeuger angeordnet werden. Insbesondere ist es mit der Erfindung möglich, dass diese nicht notwendigerweise in einer Säule des Teilchenstrahlgeräts oder in einem Gehäuse des Teilchenstrahlerzeugers unter Vakuumbedingungen angeordnet werden müssen, sondern sie können außen an der Säule des Teilchenstrahlgeräts oder außen an dem Gehäuse des Teilchenstrahlerzeugers, also unter Atmosphärendruck, angeordnet werden.In order for the protection capacitors, namely the first capacitor unit and the second capacitor unit, to be effective, they can be arranged close to the particle beam generator. In particular, it is possible with the invention that these need not necessarily be arranged in a column of the particle beam device or in a housing of the particle beam generator under vacuum conditions, but they can be outside on the column of the particle beam device or on the outside of the housing of the particle beam generator, ie under atmospheric pressure, to be ordered.

Bei einer Ausführungsform der erfindungsgemäßen Steckverbindungseinheit ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass die erste Kondensatoreinheit mindestens zwei der folgenden Kondensatoren aufweist, die leitungstechnisch parallel zueinander geschaltet sind: mindestens einen ersten Kondensator, mindestens einen zweiten Kondensator und mindestens einen dritten Kondensator. Mit anderen Worten ausgedrückt, ist es bei dieser Ausführungsform vorgesehen, dass die erste Kondensatoreinheit bis zu drei Kondensatoren aufweisen kann, die parallel zueinander geschaltet sind. Die Erfindung ist aber nicht auf die vorgenannte Anzahl von Kondensatoren der ersten Kondensatoreinheit eingeschränkt. Vielmehr kann für die die erste Kondensatoreinheit jegliche Anzahl an parallel zueinander geschalteten Kondensatoren verwendet werden, die für die Erfindung geeignet ist.In one embodiment of the plug-in connection unit according to the invention, it is additionally or alternatively provided that the first capacitor unit has at least two of the following capacitors which are connected in parallel to one another: at least one first capacitor, at least one second capacitor and at least one third capacitor. In other words, in this embodiment, it is provided that the first capacitor unit can have up to three capacitors connected in parallel with each other. However, the invention is not limited to the aforementioned number of capacitors of the first capacitor unit. Rather, any number of capacitors connected in parallel with each other may be used for the first capacitor unit, which is suitable for the invention.

Bei einer weiteren Ausführungsform der erfindungsgemäßen Steckverbindungseinheit ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass die zweite Kondensatoreinheit mindestens zwei der folgenden Kondensatoren aufweist, die leitungstechnisch parallel zueinander geschaltet sind: mindestens einen ersten Kondensator, mindestens einen zweiten Kondensator, mindestens einen dritten Kondensator, mindestens einen vierten Kondensator, mindestens einen fünften Kondensator, mindestens einen sechsten Kondensator und mindestens einen siebten Kondensator. Mit anderen Worten ausgedrückt, ist es bei dieser weiteren Ausführungsform vorgesehen, dass die zweite Kondensatoreinheit bis zu sieben Kondensatoren aufweisen kann, die zueinander parallel geschaltet sind. Die Erfindung ist aber nicht auf die vorgenannte Anzahl von Kondensatoren der zweiten Kondensatoreinheit eingeschränkt. Vielmehr kann für die zweite Kondensatoreinheit jegliche Anzahl an parallel zueinander geschalteten Kondensatoren verwendet werden, die für die Erfindung geeignet ist.In a further embodiment of the plug connection unit according to the invention, it is additionally or alternatively provided that the second capacitor unit has at least two of the following capacitors which are connected in parallel to one another: at least one first capacitor, at least one second capacitor, at least one third capacitor, at least one fourth capacitor Capacitor, at least a fifth capacitor, at least a sixth capacitor and at least a seventh capacitor. In other words, it is provided in this further embodiment that the second capacitor unit can have up to seven capacitors, which are connected in parallel with each other. However, the invention is not limited to the aforementioned number of capacitors of the second capacitor unit. Rather, any number of parallel connected capacitors suitable for the invention may be used for the second capacitor unit.

Es wird explizit darauf hingewiesen, dass der erste Kondensator, der zweite Kondensator und der dritte Kondensator der ersten Kondensatoreinheit unterschiedliche Baueinheiten zu dem ersten Kondensator, dem zweiten Kondensator, dem dritten Kondensator, dem vierten Kondensator, dem fünften Kondensator, dem sechsten Kondensator und dem siebten Kondensator der zweiten Kondensatoreinheit sind. Es wird weiterhin darauf hingewiesen, dass die erste Leitung und die zweite Leitung bezüglich des Anschlusses der Kondensatoren austauschbar sind. Mit anderen Worten ausgedrückt, können die Kondensatoren der oben genannten Kondensatoreinheiten wahlweise (auch beliebig untereinander gemischt) an der ersten Leitung oder zweiten Leitung angeschlossen sein.It is explicitly pointed out that the first capacitor, the second capacitor and the third capacitor of the first capacitor unit have different units to the first capacitor, the second capacitor, the third capacitor, the fourth capacitor, the fifth capacitor, the sixth capacitor and the seventh Capacitor of the second capacitor unit are. It is further noted that the first line and the second line are interchangeable with respect to the connection of the capacitors. In other words, the capacitors of the above-mentioned capacitor units can optionally be connected to the first line or second line (also mixed with one another as desired).

Bei einer wiederum weiteren Ausführungsform der erfindungsgemäßen Steckverbindungseinheit ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass die dritte Leitung im zweiten Stecker eine erste Widerstandseinheit aufweist und dass die vierte Leitung im zweiten Stecker eine zweite Widerstandseinheit aufweist. In yet another embodiment of the plug connection unit according to the invention, it is additionally or alternatively provided that the third line in the second plug has a first resistance unit and that the fourth line in the second plug has a second resistance unit.

Beispielsweise weist die erste Widerstandseinheit mindestens zwei der folgenden Widerstände auf, die in Reihe geschaltet sind: mindestens einen ersten Widerstand, mindestens einen zweiten Widerstand und mindestens einen dritten Widerstand. Mit anderen Worten ausgedrückt, kann bei dieser Ausführungsform die erste Widerstandseinheit bis zu drei Widerstände, die in Reihe geschaltet sind, aufweisen. Die Erfindung ist aber nicht auf die vorgenannte Anzahl an Widerständen bei der ersten Widerstandseinheit eingeschränkt. Vielmehr kann für die erste Widerstandseinheit jede Anzahl von in Reihe geschalteten Widerständen verwendet werden, die für die Erfindung geeignet ist.For example, the first resistance unit has at least two of the following resistors connected in series: at least one first resistor, at least one second resistor, and at least one third resistor. In other words, in this embodiment, the first resistance unit may have up to three resistors connected in series. However, the invention is not limited to the aforementioned number of resistors in the first resistance unit. Rather, any number of series connected resistors suitable for the invention may be used for the first resistor unit.

Darüber hinaus kann zusätzlich oder alternativ vorgesehen sein, dass die zweite Widerstandseinheit mindestens zwei der folgenden Widerstände aufweist, die in Reihe geschaltet sind: mindestens einen ersten Widerstand, mindestens einen zweiten Widerstand und mindestens ein dritten Widerstand. Mit anderen Worten ausgedrückt, kann bei dieser Ausführungsform die zweite Widerstandseinheit bis zu drei Widerstände aufweisen, die in Reihe geschaltet sind. Die Erfindung ist aber nicht auf die vorgenannte Anzahl an Widerständen bei der zweiten Widerstandseinheit eingeschränkt. Vielmehr kann für die zweite Widerstandseinheit jede Anzahl von in Reihe geschalteten Widerständen verwendet werden, die für die Erfindung geeignet sind.In addition, it may additionally or alternatively be provided that the second resistance unit has at least two of the following resistors connected in series: at least one first resistor, at least one second resistor and at least one third resistor. In other words, in this embodiment, the second resistance unit may have up to three resistors connected in series. However, the invention is not limited to the aforementioned number of resistors in the second resistor unit. Rather, any number of series connected resistors suitable for the invention may be used for the second resistor unit.

Der erste Widerstand, der zweite Widerstand und der dritte Widerstand der ersten Widerstandseinheit können beispielsweise jeweils einen Widerstand von 10 kΩ aufweisen. Ferner können der erste Widerstand, der zweite Widerstand und der dritte Widerstand der zweiten Widerstandseinheit beispielsweise jeweils einen Widerstand von 10 kΩ aufweisen.The first resistor, the second resistor and the third resistor of the first resistor unit may, for example, each have a resistance of 10 kΩ. Further, for example, each of the first resistor, the second resistor, and the third resistor of the second resistor unit may have a resistance of 10 kΩ.

Aufgrund der ersten Widerstandseinheit und der zweiten Widerstandseinheit werden eventuell vorhandene Anbindungen an parasitäre Kapazitäten so stark reduziert, dass Störströme über diese parasitären Kapazitäten im Kabel sehr stark gedämpft werden und somit nicht zu einer Unterbrechung von Untersuchungs- und/oder Bearbeitungsverfahren, die mit dem Teilchenstrahlgerät durchgeführt werden, führen.Because of the first resistance unit and the second resistance unit, any connections to parasitic capacitances that may be present are so greatly reduced that interference currents are very strongly attenuated via these parasitic capacitances in the cable and thus not interrupting investigation and / or processing methods carried out with the particle beam device will lead.

Bei einer wiederum weiteren Ausführungsform der erfindungsgemäßen Steckverbindungseinheit ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass zwischen dem ersten Stecker und dem zweiten Stecker eine Kabeleinheit angeordnet ist. Die Kabeleinheit weist mindestens eine erste Abschirmeinheit und mindestens eine zweite Abschirmeinheit auf. Beispielsweise ist die zweite Abschirmeinheit als ein Schirmgeflecht ausgebildet.In yet another embodiment of the plug connection unit according to the invention, it is additionally or alternatively provided that a cable unit is arranged between the first plug and the second plug. The cable unit has at least one first shielding unit and at least one second shielding unit. For example, the second shielding unit is formed as a screen braid.

Die erste Abschirmeinheit umgibt die zweite Abschirmeinheit. Ferner liegt die zweite Abschirmeinheit auf einem Potential der Extraktionselektrode. Somit weist die Kabeleinheit einen äußeren Schirm, nämlich die erste Abschirmeinheit, und einen inneren Schirm auf, nämlich die zweite Abschirmeinheit. Die zweite Abschirmeinheit umschließt die erste Leitung bis vierte Leitung, die für einen Betrieb des Teilchenstrahlerzeugers verwendet werden. Gleichzeitig liegt die zweite Abschirmeinheit auf dem Potential der Extraktionselektrode. Dadurch kann die vierte Leitung auch weggelassen werden. In diesem Fall übernimmt dann die zweite Abschirmeinheit die Funktion der vierten Leitung, welche die Extraktionselektrode versorgt. Es hat sich herausgestellt, dass im statistisch wahrscheinlichsten Fall eines Hochspannungsüberschlags auf das Potential der Extraktionselektrode Potentialunterschiede zwischen der zweiten Abschirmeinheit und der ersten bis dritten bzw. der ersten bis vierten Leitung - und damit auch für den Teilchenstrahlerzeuger - auch während eines Hochspannungsüberschlags weitestgehend konstant bleiben, so dass der Teilchenstrahlerzeuger ungestört weiter betrieben werden kann und ein Untersuchungs- und/oder ein Bearbeitungsverfahren, das/die mit dem Teilchenstrahlgerät durchgeführt wird/werden, nicht gestört und unterbrochen wird/werden.The first shielding unit surrounds the second shielding unit. Further, the second shielding unit is at a potential of the extraction electrode. Thus, the cable unit has an outer screen, namely the first shielding unit, and an inner screen, namely the second shielding unit. The second shielding unit encloses the first conduit to fourth conduit used for operation of the particle beam generator. At the same time, the second shielding unit is at the potential of the extraction electrode. As a result, the fourth line can also be omitted. In this case, then the second shielding takes over the function of the fourth line, which supplies the extraction electrode. It has been found that in the statistically most probable case of a high-voltage flashover to the potential of the extraction electrode potential differences between the second shield and the first to third or the first to fourth line - and thus for the particle beam generator - remain largely constant during a high voltage flashover, so that the particle beam generator can continue to operate undisturbed and an examination and / or a processing method that is / are performed with the particle beam device is not disturbed and interrupted / will.

Die Erfindung betrifft auch einen Teilchenstrahlerzeuger für ein Teilchenstrahlgerät. Der Teilchenstrahlerzeuger weist mindestens eine Teilchenquelle zur Erzeugung eines Strahls mit geladenen Teilchen auf. Beispielsweise sind die geladenen Teilchen Elektronen oder Ionen. Ferner weist der erfindungsgemäße Teilchenstrahlerzeuger mindestens eine Suppressorelektrode zum Unterdrücken von Emissionen der geladenen Teilchen von einer Seitenfläche der Teilchenquelle auf. Darüber hinaus ist bei dem erfindungsgemäßen Teilchenstrahlerzeuger mindestens eine Extraktionselektrode zum Extrahieren der geladenen Teilchen von der Teilchenquelle und mindestens eine Steckverbindungseinheit vorgesehen, die mindestens eines der weiter oben oder weiter unten genannten Merkmale oder eine Kombination von mindestens zwei der weiter oben oder weiter unten genannten Merkmale aufweist.The invention also relates to a particle beam generator for a particle beam device. The particle beam generator has at least one particle source for generating a charged particle beam. For example, the charged particles are electrons or ions. Further, the particle beam generator of the present invention has at least one suppressor electrode for suppressing emissions of the charged particles from a side surface of the particle source. In addition, in the particle beam generator according to the invention at least one extraction electrode for extracting the charged particles from the particle source and at least one connector unit is provided which has at least one of the above or below features or a combination of at least two of the above or below mentioned features ,

Die Erfindung betrifft auch ein Teilchenstrahlgerät zur Abbildung, Analyse und/oder zur Bearbeitung eines Objekts. Insbesondere ist das Teilchenstrahlgerät als ein Elektronenstrahlgerät und/oder als ein lonenstrahlgerät ausgebildet. Beispielsweise ist es vorgesehen, dass das Teilchenstrahlgerät einen Teilchenstrahlerzeuger zur Erzeugung eines Teilchenstrahls mit geladenen Primärteilchen aufweist. Beispielsweise sind die Primärteilchen Elektronen oder Ionen. Der Teilchenstrahlerzeuger weist mindestens eines der weiter oben oder weiter unten genannten Merkmale oder eine Kombination von mindestens zwei der weiter oben oder weiter unten genannten Merkmale auf.The invention also relates to a particle beam apparatus for imaging, analyzing and / or processing an object. In particular, the particle beam device is designed as an electron beam device and / or as an ion beam device. For example, it is provided that the particle beam device a Particle beam generator for generating a particle beam having charged primary particles. For example, the primary particles are electrons or ions. The particle beam generator has at least one of the features mentioned above or below or a combination of at least two of the features mentioned above or below.

Ferner weist das erfindungsgemäße Teilchenstrahlgerät eine Objektivlinse auf. Die Objektivlinse dient zur Fokussierung des Teilchenstrahls auf das Objekt. Bei einer Wechselwirkung des Teilchenstrahls mit dem Objekt entstehen/entsteht Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungsstrahlung. Die Wechselwirkungsteilchen sind beispielsweise Sekundärteilchen, insbesondere Sekundärelektronen, und/oder rückgestreute Teilchen, beispielsweise Rückstreuelektronen. Die Wechselwirkungsstrahlung ist beispielsweise Röntgenstrahlung oder Kathodolumineszenzlicht.Furthermore, the particle beam device according to the invention has an objective lens. The objective lens serves to focus the particle beam on the object. When the particle beam interacts with the object, interaction particles and / or interaction radiation arise / arise. The interaction particles are, for example, secondary particles, in particular secondary electrons, and / or backscattered particles, for example backscattered electrons. The interaction radiation is, for example, X-radiation or cathodoluminescent light.

Darüber hinaus weist das erfindungsgemäße Teilchenstrahlgerät mindestens einen Detektor zur Detektion der Wechselwirkungsteilchen und/oder von Wechselwirkungsstrahlung und zur Erzeugung von Detektorsignalen auf. Das erfindungsgemäße Teilchenstrahlgerät umfasst ferner mindestens eine Anzeigeeinrichtung zum Anzeigen eines Bildes des Objekts, wobei das Bild des Objekts auf den Detektorsignalen basiert.In addition, the particle beam device according to the invention has at least one detector for detecting the interaction particles and / or interaction radiation and for generating detector signals. The particle beam device according to the invention further comprises at least one display device for displaying an image of the object, wherein the image of the object is based on the detector signals.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen mittels Zeichnungen näher beschrieben. Dabei zeigen

  • 1 eine schematische Darstellung eines Ausführungsbeispiels eines Teilchenstrahlgeräts;
  • 2 eine schematische Darstellung eines Teilchenstrahlerzeugers, einer Hochspannungsversorgungseinheit und einer Steckverbindungseinheit, die zwischen dem Teilchenstrahlerzeuger und der Hochspannungsversorgungseinheit geschaltet ist;
  • 3 ein Ausführungsbeispiel einer ersten Kondensatoreinheit;
  • 4 ein Ausführungsbeispiel einer zweiten Kondensatoreinheit;
  • 5 ein Ausführungsbeispiel einer ersten Widerstandseinheit oder einer zweiten Widerstandseinheit; sowie
  • 6 eine schematische Darstellung eines weiteren Teilchenstrahlerzeugers, einer weiteren Hochspannungsversorgungseinheit und einer weiteren Steckverbindungseinheit, die zwischen dem weiteren Teilchenstrahlerzeuger und der weiteren Hochspannungsversorgungseinheit geschaltet ist.
The invention will be described in more detail with reference to embodiments by means of drawings. Show
  • 1 a schematic representation of an embodiment of a particle beam device;
  • 2 a schematic representation of a particle beam generator, a high voltage power supply unit and a connector unit, which is connected between the particle beam generator and the high voltage power supply unit;
  • 3 an embodiment of a first capacitor unit;
  • 4 an embodiment of a second capacitor unit;
  • 5 an embodiment of a first resistance unit or a second resistance unit; such as
  • 6 a schematic representation of a further particle beam generator, a further high voltage supply unit and a further connector unit, which is connected between the further particle beam generator and the further high voltage supply unit.

Die Erfindung wird nun mittels eines Teilchenstrahlgeräts in Form eines SEM näher erläutert. Es wird ausdrücklich darauf hingewiesen, dass die Erfindung bei jedem Teilchenstrahlgerät, insbesondere bei jedem Elektronenstrahlgerät und/oder jedem lonenstrahlgerät eingesetzt werden kann.The invention will now be explained in more detail by means of a particle beam device in the form of an SEM. It is expressly pointed out that the invention can be used in any particle beam device, in particular in each electron beam device and / or each ion beam device.

1 zeigt eine schematische Darstellung eines SEM 100. Das SEM 100 weist einen Teilchenstrahlerzeuger 1000 auf, der in einem Gehäuse 1001 angeordnet ist. Der Teilchenstrahlerzeuger 1000 weist eine Elektronenquelle 101 auf, welche als Kathode ausgebildet ist. Beispielsweise ist die Elektronenquelle 101 als thermischer Feldemitter ausgebildet. Die Erfindung ist allerdings nicht auf eine derartige Elektronenquelle 101 eingeschränkt. Vielmehr ist jede Elektronenquelle verwendbar. Darüber hinaus weist der Teilchenstrahlerzeuger 1000 eine Suppressorelektrode 101A und eine Extraktionselektrode 102 auf. 1 shows a schematic representation of an SEM 100 , The SEM 100 has a particle beam generator 1000 on that in a housing 1001 is arranged. The particle beam generator 1000 has an electron source 101 on, which is designed as a cathode. For example, the electron source 101 designed as a thermal field emitter. However, the invention is not limited to such an electron source 101 limited. Rather, every electron source is usable. In addition, the particle beam generator 1000 a suppressor electrode 101A and an extraction electrode 102 on.

Das SEM 100 ist mit einer Anode 103 versehen, die auf ein Ende eines Strahlführungsrohrs 104 des SEM 100 aufgesetzt ist. Das Gehäuse 1001 ist vom Strahlführungsrohr 104 isoliert und liegt auf Erdpotential.The SEM 100 is with an anode 103 provided on one end of a beam guide tube 104 of the SEM 100 is attached. The housing 1001 is from the beam guide tube 104 isolated and is at ground potential.

Elektronen, die aus der Elektronenquelle 101 austreten, bilden einen Primärelektronenstrahl. Die Elektronen werden aufgrund einer Potentialdifferenz zwischen der Elektronenquelle 101 und der Anode 103 auf eine vorgebbare kinetische Energie in Bezug auf ein vorgebbares Potential beschleunigt. Das vorgebbare Potential beträgt bei dem hier dargestellten Ausführungsbeispiel 1 kV bis 20 kV gegenüber einem Massepotential eines Gehäuses einer Probenkammer 120, beispielsweise 5 kV bis 15 kV, insbesondere 8 kV. Es könnte aber alternativ auch auf Massepotential liegen.Electrons coming from the electron source 101 exit, forming a primary electron beam. The electrons become due to a potential difference between the electron source 101 and the anode 103 accelerated to a predetermined kinetic energy with respect to a predeterminable potential. The predeterminable potential in the exemplary embodiment illustrated here is 1 kV to 20 kV with respect to a ground potential of a housing of a sample chamber 120 , For example, 5 kV to 15 kV, especially 8 kV. But it could alternatively be at ground potential.

An dem Strahlführungsrohr 104 sind zwei Kondensorlinsen angeordnet, nämlich eine erste Kondensorlinse 105 und eine zweite Kondensorlinse 106. Dabei sind ausgehend von der Elektronenquelle 101 in Richtung einer Objektivlinse 107 gesehen zunächst die erste Kondensorlinse 105 und dann die zweite Kondensorlinse 106 angeordnet. Es wird explizit darauf hingewiesen, dass weitere Ausführungsbeispiele des SEM 100 nur eine einzelne Kondensorlinse aufweisen können. Zwischen der Anode 103 und der ersten Kondensorlinse 105 ist eine erste Blendeneinheit 108 angeordnet. Die erste Blendeneinheit 108 liegt zusammen mit der Anode 103 und dem Strahlführungsrohr 104 auf Hochspannungspotential, nämlich dem Potential der Anode 103, oder auf Masse. Die erste Blendeneinheit 108 weist zahlreiche erste Blendenöffnungen 108A auf, von denen eine in 1 dargestellt ist. Beispielsweise sind zwei erste Blendenöffnungen 108A vorhanden. Jede der zahlreichen ersten Blendenöffnungen 108A weist einen unterschiedlichen Öffnungsdurchmesser auf. Mittels eines Verstellmechanismus (nicht dargestellt) ist es möglich, eine gewünschte erste Blendenöffnung 108A auf eine optische Achse OA des SEM 100 einzustellen. Es wird explizit darauf hingewiesen, dass bei weiteren Ausführungsbeispielen die erste Blendeneinheit 108 nur mit einer einzigen Blendenöffnung 108A versehen sein kann. Bei diesem Ausführungsbeispiel kann ein Verstellmechanismus nicht vorgesehen sein. Die erste Blendeneinheit 108 ist dann ortsfest ausgebildet.At the beam guide tube 104 two condenser lenses are arranged, namely a first condenser lens 105 and a second condenser lens 106 , These are based on the electron source 101 in the direction of an objective lens 107 first seen the first condenser lens 105 and then the second condenser lens 106 arranged. It is explicitly pointed out that further embodiments of the SEM 100 can only have a single condenser lens. Between the anode 103 and the first condenser lens 105 is a first aperture unit 108 arranged. The first aperture unit 108 lies together with the anode 103 and the beam guiding tube 104 to high voltage potential, namely the potential of the anode 103 , or on Earth. The first aperture unit 108 has numerous first apertures 108A on, one of which is in 1 is shown. For example, two first apertures 108A available. Each of the numerous first apertures 108A has a different opening diameter. By means of an adjusting mechanism (not shown), it is possible a desired first aperture 108A on an optical axis OA of the SEM 100 adjust. It is explicitly noted that in further embodiments, the first aperture unit 108 only with a single aperture 108A can be provided. In this embodiment, an adjusting mechanism can not be provided. The first aperture unit 108 is then formed stationary.

Zwischen der ersten Kondensorlinse 105 und der zweiten Kondensorlinse 106 ist eine mechanisch verschiebbare zweite Blendeneinheit 109 angeordnet.Between the first condenser lens 105 and the second condenser lens 106 is a mechanically movable second aperture unit 109 arranged.

Es wird explizit darauf hingewiesen, dass bei weiteren Ausführungsbeispielen die zweite Blendeneinheit 109 auch ortsfest sein kann. Dann wird der Primärelektronenstrahl mit elektrostatischen und/oder magnetischen Ablenkelementen relativ zu einer zweiten Blendenöffnung 118 verschoben.It is explicitly noted that in further embodiments, the second aperture unit 109 also be stationary. Then the primary electron beam with electrostatic and / or magnetic deflection elements becomes relative to a second aperture 118 postponed.

Die Objektivlinse 107 weist Polschuhe 110 auf, in denen eine Bohrung ausgebildet ist. Durch diese Bohrung ist das Strahlführungsrohr 104 geführt. In den Polschuhen 110 ist ferner eine Spule 111 angeordnet.The objective lens 107 has pole shoes 110 on, in which a bore is formed. Through this hole is the beam guide tube 104 guided. In the pole shoes 110 is also a coil 111 arranged.

In einem unteren Bereich des Strahlführungsrohrs 104 ist eine elektrostatische Verzögerungseinrichtung angeordnet. Diese weist eine einzelne Elektrode 112 in Form einer Abschlusselektrode und eine Rohrelektrode 113 auf. Die einzelne Elektrode 112 ist einem Objekt 114 gegenüberliegend angeordnet. Die Rohrelektrode 113 ist an einem Ende des Strahlführungsrohrs 104 angeordnet, welches dem Objekt 114 zugewandt ist. Die Rohrelektrode 113 liegt gemeinsam mit dem Strahlführungsrohr 104 auf dem Potential der Anode 103, während die einzelne Elektrode 112 sowie das Objekt 114 auf einem gegenüber dem Potential der Anode 103 niedrigeren Potential liegen. Im vorliegenden Fall ist dies das Massepotential des Gehäuses der Probenkammer 120. Auf diese Weise können die Elektronen des Primärelektronenstrahls auf eine gewünschte Energie abgebremst werden, die für die Untersuchung des Objekts 114 erforderlich ist.In a lower area of the beam guide tube 104 An electrostatic delay device is arranged. This has a single electrode 112 in the form of a termination electrode and a tube electrode 113 on. The single electrode 112 is an object 114 arranged opposite. The tube electrode 113 is at one end of the beam guide tube 104 arranged which the object 114 is facing. The tube electrode 113 lies together with the beam guide tube 104 at the potential of the anode 103 while the single electrode 112 as well as the object 114 on one opposite the potential of the anode 103 lower potential. In the present case, this is the ground potential of the housing of the sample chamber 120 , In this way, the electrons of the primary electron beam can be decelerated to a desired energy, which is used for the investigation of the object 114 is required.

Das SEM 100 weist ferner eine Rastereinrichtung 115 auf, durch die der Primärelektronenstrahl abgelenkt und über das Objekt 114 gerastert werden kann. Die Elektronen des Primärelektronenstrahls treten dabei in Wechselwirkung mit dem Objekt 114. Als Folge der Wechselwirkung entstehen Wechselwirkungsteilchen, welche detektiert werden. Als Wechselwirkungsteilchen werden insbesondere Elektronen aus der Oberfläche des Objekts 114 emittiert - sogenannte Sekundärelektronen - oder Elektronen des Primärelektronenstrahls zurückgestreut - sogenannte Rückstreuelektronen.The SEM 100 also has a raster device 115 on, through which the primary electron beam is deflected and over the object 114 can be rasterized. The electrons of the primary electron beam interact with the object 114 , As a result of the interaction arise interaction particles, which are detected. As interaction particles in particular electrons from the surface of the object 114 emitted - so-called secondary electrons - or backscattered electrons of the primary electron beam - so-called backscattered electrons.

Das Objekt 114 und die einzelne Elektrode 112 können auch auf unterschiedlichen und von Masse abweichenden Potentialen liegen, wie oben bereits erwähnt. The object 114 and the single electrode 112 may also be at different and non-ground potentials, as mentioned above.

Hierdurch ist es möglich, den Ort der Verzögerung des Primärelektronenstrahls in Bezug auf das Objekt 114 einzustellen. Wird beispielsweise die Verzögerung recht nahe am Objekt 114 durchgeführt, werden Abbildungsfehler kleiner.This makes it possible to determine the location of the delay of the primary electron beam with respect to the object 114 adjust. For example, if the delay is quite close to the object 114 performed, aberrations become smaller.

Zur Detektion der Sekundärelektronen und/oder der Rückstreuelektronen ist eine Detektoranordnung im Strahlführungsrohr 104 angeordnet, die einen ersten Detektor 116 und einen zweiten Detektor 117 aufweist. Der erste Detektor 116 ist dabei entlang der optischen Achse OA quellenseitig angeordnet, während der zweite Detektor 117 objektseitig entlang der optischen Achse OA im Strahlführungsrohr 104 angeordnet ist. Der erste Detektor 116 und der zweite Detektor 117 sind in Richtung der optischen Achse OA des SEM 100 versetzt zueinander angeordnet. Sowohl der erste Detektor 116 als auch der zweite Detektor 117 weisen jeweils eine Durchgangsöffnung auf, durch welche der Primärelektronenstrahl treten kann. Der erste Detektor 116 und der zweite Detektor 117 liegen annähernd auf dem Potential der Anode 103 und des Strahlführungsrohrs 104. Die optische Achse OA des SEM 100 verläuft durch die jeweiligen Durchgangsöffnungen.For detecting the secondary electrons and / or the backscattered electrons is a detector arrangement in the beam-guiding tube 104 arranged, which is a first detector 116 and a second detector 117 having. The first detector 116 is along the optical axis OA placed on the source side, while the second detector 117 on the object side along the optical axis OA in the beam guide tube 104 is arranged. The first detector 116 and the second detector 117 are in the direction of the optical axis OA of the SEM 100 staggered to each other. Both the first detector 116 as well as the second detector 117 each have a passage opening through which the primary electron beam can pass. The first detector 116 and the second detector 117 are approximately at the potential of the anode 103 and the beam guiding tube 104 , The optical axis OA of the SEM 100 passes through the respective passage openings.

Der zweite Detektor 117 dient hauptsächlich der Detektion von Sekundärelektronen. Die Sekundärelektronen weisen beim Austritt aus dem Objekt 114 zunächst eine geringe kinetische Energie und beliebige Bewegungsrichtungen auf. Durch das von der Rohrelektrode 113 ausgehende starke Absaugfeld werden die Sekundärelektronen in Richtung der Objektivlinse 107 beschleunigt. Die Sekundärelektronen treten annähernd parallel in die Objektivlinse 107 ein. Der Bündeldurchmesser des Strahls der Sekundärelektronen bleibt auch in der Objektivlinse 107 klein. Die Objektivlinse 107 wirkt nun stark auf die Sekundärelektronen und erzeugt einen vergleichsweise kurzen Fokus der Sekundärelektronen mit ausreichend steilen Winkeln zur optischen Achse OA, so dass die Sekundärelektronen nach dem Fokus weit auseinander laufen und den zweiten Detektor 117 auf seiner aktiven Fläche treffen. An dem Objekt 114 zurückgestreute Elektronen - also Rückstreuelektronen, die im Vergleich zu den Sekundärelektronen eine relativ hohe kinetische Energie beim Austritt aus dem Objekt 114 aufweisen, werden dagegen vom zweiten Detektor 117 nur zu einem geringen Anteil erfasst. Die hohe kinetische Energie und die Winkel der Rückstreuelektronen zur optischen Achse OA bei Austritt aus dem Objekt 114 führen dazu, dass eine Strahltaille, also ein Strahlbereich mit minimalem Durchmesser, der Rückstreuelektronen in der Nähe des zweiten Detektors 117 liegt. Ein großer Teil der Rückstreuelektronen tritt durch die Durchgangsöffnung des zweiten Detektors 117 hindurch. Der erste Detektor 116 dient daher im Wesentlichen zur Erfassung der Rückstreuelektronen.The second detector 117 mainly used for the detection of secondary electrons. The secondary electrons point out of the object at the exit 114 initially a low kinetic energy and any movement directions. By the from the pipe electrode 113 Outgoing strong suction field, the secondary electrons are in the direction of the objective lens 107 accelerated. The secondary electrons enter the objective lens approximately parallel 107 on. The bundle diameter of the beam of the secondary electrons also remains in the objective lens 107 small. The objective lens 107 now has a strong effect on the secondary electrons and produces a comparatively short focus of the secondary electrons with sufficiently steep angles to the optical axis OA so that the secondary electrons travel far apart after the focus and the second detector 117 on his active surface. On the object 114 backscattered electrons - that is, backscatter electrons, which in comparison to the secondary electrons a relatively high kinetic energy at the exit from the object 114 in contrast, are from the second detector 117 recorded only to a small extent. The high kinetic energy and the angles of the backscatter electrons to the optical axis OA on exit from the object 114 lead to, that a beam waist, that is, a minimum diameter beam region of the backscattered electrons in the vicinity of the second detector 117 lies. A large part of the backscattered electrons passes through the passage opening of the second detector 117 therethrough. The first detector 116 therefore essentially serves to detect the backscattered electrons.

Bei einer weiteren Ausführungsform des SEM 100 kann der erste Detektor 116 zusätzlich mit einem Gegenfeldgitter 116A ausgebildet sein. Das Gegenfeldgitter 116A ist an der zum Objekt 114 gerichteten Seite des ersten Detektors 116 angeordnet. Das Gegenfeldgitter 116A weist ein hinsichtlich des Potentials des Strahlführungsrohrs 104 negatives Potential derart auf, dass nur Rückstreuelektronen mit einer hohen Energie durch das Gegenfeldgitter 116A zu dem ersten Detektor 116 gelangen. Zusätzlich oder alternativ weist der zweite Detektor 117 ein weiteres Gegenfeldgitter auf, das analog zum vorgenannten Gegenfeldgitter 116A des ersten Detektors 116 ausgebildet ist und eine analoge Funktion aufweist.In a further embodiment of the SEM 100 may be the first detector 116 additionally with an opposing field grid 116A be educated. The opposing grid 116A is at the object 114 directed side of the first detector 116 arranged. The opposing grid 116A indicates with respect to the potential of the beam guiding tube 104 negative potential such that only backscattered electrons with a high energy through the opposing field lattice 116A to the first detector 116 reach. Additionally or alternatively, the second detector 117 another opposing field lattice, which is analogous to the aforementioned opposing field lattice 116A of the first detector 116 is formed and has an analog function.

Die mit dem ersten Detektor 116 und dem zweiten Detektor 117 erzeugten Detektorsignale werden verwendet, um ein Bild oder Bilder der Oberfläche des Objekts 114 zu erzeugen.The one with the first detector 116 and the second detector 117 Detector signals generated are used to capture an image or images of the surface of the object 114 to create.

Es wird explizit darauf hingewiesen, dass die Blendenöffnungen der ersten Blendeneinheit 108 und der zweiten Blendeneinheit 109 sowie die Durchgangsöffnungen des ersten Detektors 116 und des zweiten Detektors 117 übertrieben dargestellt sind. Die Durchgangsöffnungen des ersten Detektors 116 und des zweiten Detektors 117 haben eine Ausdehnung senkrecht zur optischen Achse OA im Bereich von 0,5 mm bis 5 mm. Beispielsweise sind sie kreisförmig ausgebildet und weisen einen Durchmesser im Bereich von 1 mm bis 3 mm senkrecht zur optischen Achse OA auf.It is explicitly noted that the apertures of the first aperture unit 108 and the second aperture unit 109 and the passage openings of the first detector 116 and the second detector 117 are exaggerated. The passage openings of the first detector 116 and the second detector 117 have an extension perpendicular to the optical axis OA in the range of 0.5 mm to 5 mm. For example, they are circular in shape and have a diameter in the range of 1 mm to 3 mm perpendicular to the optical axis OA on.

Die zweite Blendeneinheit 109 ist bei dem hier dargestellten Ausführungsbeispiel als Lochblende ausgestaltet und ist mit der zweiten Blendenöffnung 118 für den Durchtritt des Primärelektronenstrahls versehen, welche eine Ausdehnung im Bereich vom 5 µm bis 500 µm aufweist, beispielsweise 35 µm. Alternativ hierzu ist es bei einem weiteren Ausführungsbeispiel vorgesehen, dass die zweite Blendeneinheit 109 mit mehreren Blendenöffnungen versehen ist, die mechanisch zum Primärelektronenstrahl verschoben werden können oder die unter Verwendung von elektrischen und/oder magnetischen Ablenkelementen vom Primärelektronenstrahl erreicht werden können. Die zweite Blendeneinheit 109 ist als eine Druckstufenblende ausgebildet. Diese trennt einen ersten Bereich, in welchem die Elektronenquelle 101 angeordnet ist und in welchem ein Ultrahochvakuum herrscht (10-7 hPa bis 10-12 hPa), von einem zweiten Bereich, der ein Hochvakuum aufweist (10-3 hPa bis 10-7 hPa). Der zweite Bereich ist der Zwischendruckbereich des Strahlführungsrohrs 104, welcher zur Probenkammer 120 hinführt.The second aperture unit 109 is designed as a pinhole in the embodiment shown here and is with the second aperture 118 provided for the passage of the primary electron beam, which has an extension in the range of 5 microns to 500 microns, for example 35 microns. Alternatively, it is provided in a further embodiment that the second aperture unit 109 is provided with a plurality of apertures, which can be mechanically shifted to the primary electron beam or can be achieved by using electric and / or magnetic deflecting elements from the primary electron beam. The second aperture unit 109 is designed as a pressure level diaphragm. This separates a first area in which the electron source 101 is arranged and in which an ultra-high vacuum prevails (10 -7 hPa to 10 -12 hPa), from a second region which has a high vacuum (10 -3 hPa to 10 -7 hPa). The second area is the intermediate pressure area of the jet guide tube 104 which leads to the sample chamber 120 takes you.

Die Probenkammer 120 steht unter Vakuum. Zur Erzeugung des Vakuums ist an der Probenkammer 120 eine Pumpe (nicht dargestellt) angeordnet. Bei dem in 1 dargestellten Ausführungsbeispiel wird die Probenkammer 120 in einem ersten Druckbereich oder in einem zweiten Druckbereich betrieben. Der erste Druckbereich umfasst nur Drücke kleiner oder gleich 10-3 hPa, und der zweite Druckbereich umfasst nur Drücke größer als 10-3 hPa. Um diese Druckbereiche zu gewährleisten, ist die Probenkammer 120 vakuumtechnisch verschlossen.The sample chamber 120 is under vacuum. To generate the vacuum is at the sample chamber 120 a pump (not shown) is arranged. At the in 1 illustrated embodiment, the sample chamber 120 operated in a first pressure range or in a second pressure range. The first pressure range includes only pressures less than or equal to 10 -3 hPa, and the second pressure range only includes pressures greater than 10 -3 hPa. To ensure these pressure ranges, the sample chamber is 120 vacuum-sealed.

Das Objekt 114 ist an einem Probentisch 122 angeordnet. Der Probentisch 122 ist in drei zueinander senkrecht angeordnete Richtungen beweglich ausgebildet, nämlich in eine x-Richtung, in eine y-Richtung und in eine z-Richtung. Darüber hinaus kann der Probentisch 122 um zwei zueinander senkrecht angeordnete Rotationsachsen gedreht werden.The object 114 is at a sample table 122 arranged. The sample table 122 is designed to be movable in three mutually perpendicular directions, namely in an x-direction, in a y-direction and in a z-direction. In addition, the sample table can 122 be rotated about two mutually perpendicularly arranged axes of rotation.

Das SEM 100 weist ferner einen dritten Detektor 121 auf, welcher in der Probenkammer 120 angeordnet ist. Genauer gesagt, ist der dritte Detektor 121 von der Elektronenquelle 101 aus gesehen entlang der optischen Achse OA hinter dem Objekt 114 angeordnet. Der Primärelektronenstrahl durchstrahlt das zu untersuchende Objekt 114. Beim Durchtritt des Primärelektronenstrahls durch das zu untersuchende Objekt 114 treten die Elektronen des Primärelektronenstrahls mit dem Material des zu untersuchenden Objekts 114 in Wechselwirkung. Die durch das zu untersuchende Objekt 114 hindurchtretenden Elektronen werden durch den dritten Detektor 121 detektiert.The SEM 100 also has a third detector 121 which is in the sample chamber 120 is arranged. More precisely, the third detector is 121 from the electron source 101 as seen along the optical axis OA behind the object 114 arranged. The primary electron beam radiates through the object to be examined 114 , During the passage of the primary electron beam through the object to be examined 114 the electrons of the primary electron beam enter with the material of the object to be examined 114 in interaction. The object to be examined 114 passing electrons are passed through the third detector 121 detected.

Der erste Detektor 116 und der zweite Detektor 117 sind mit einer Kontrolleinheit 123 verbunden, welche einen Monitor 124 aufweist. Die Kontrolleinheit 123 verarbeitet Detektorsignale, welche von dem ersten Detektor 116 und dem zweiten Detektor 117 erzeugt werden und zeigt diese in Form von Bildern auf dem Monitor 124 an. Der dritte Detektor 121 kann ebenfalls mit der Kontrolleinheit 123 verbunden sein (nicht dargestellt).The first detector 116 and the second detector 117 are with a control unit 123 connected to a monitor 124 having. The control unit 123 processes detector signals received from the first detector 116 and the second detector 117 be generated and displays them in the form of images on the monitor 124 on. The third detector 121 can also use the control unit 123 be connected (not shown).

Wie aus der 1 ersichtlich, ist zwischen dem Teilchenstrahlerzeuger 1000 und der Hochspannungsversorgungseinheit 300 zur Versorgung der einzelnen Einheiten des Teilchenstrahlerzeugers 1000 mit Hochspannung eine Steckverbindungseinheit 200 leitungstechnisch geschaltet. Mit anderen Worten ausgedrückt, ist die Steckverbindungseinheit 200 sowohl an dem Teilchenstrahlerzeuger 1000 als auch an der Hochspannungsversorgungseinheit 300 angeschlossen.Like from the 1 can be seen, is between the particle beam generator 1000 and the high voltage power supply unit 300 to supply the individual units of the particle beam generator 1000 with high voltage a plug connection unit 200 switched line technology. In other words, the connector unit is 200 both at the particle beam generator 1000 as well as on the high voltage supply unit 300 connected.

2 zeigt eine schematische Darstellung des Teilchenstrahlerzeugers 1000, der Steckverbindungseinheit 200 und der Hochspannungsversorgungseinheit 300. 2 shows a schematic representation of the particle beam generator 1000 , the connector unit 200 and the high voltage power supply unit 300 ,

Die Steckverbindungseinheit 200 weist einen ersten Stecker 201 zum Anschluss an den Teilchenstrahlerzeuger 1000 auf. Ferner weist die Steckverbindungseinheit 200 einen zweiten Stecker 202 zum Anschluss an die Hochspannungsversorgungseinheit 300 auf. Der erste Stecker 201 und der zweite Stecker 202 sind mit gestrichelten Linien dargestellt, um die Darstellung zu verbessern. Zwischen dem ersten Stecker 201 und dem zweiten Stecker 202 ist eine Kabeleinheit 207 geschaltet.The connector unit 200 has a first connector 201 for connection to the particle beam generator 1000 on. Furthermore, the connector unit 200 a second plug 202 for connection to the high voltage supply unit 300 on. The first plug 201 and the second plug 202 are shown with dashed lines to improve the appearance. Between the first plug 201 and the second connector 202 is a cable unit 207 connected.

Die Steckverbindungseinheit 200 weist ferner eine erste Leitung 203, eine zweite Leitung 204, eine dritte Leitung 205 sowie eine vierte Leitung 206 auf. Die erste Leitung 203, die zweite Leitung 204, die dritte Leitung 205 und die vierte Leitung 206 sind als elektrische Leitungen ausgebildet. Sie sind von dem ersten Stecker 201 zu dem zweiten Stecker 202 geführt.The connector unit 200 also has a first line 203 , a second line 204 , a third line 205 and a fourth line 206 on. The first line 203 , the second line 204 , the third line 205 and the fourth line 206 are designed as electrical lines. They are from the first connector 201 to the second connector 202 guided.

Die erste Leitung 203 und die zweite Leitung 204 sind zur Versorgung der Elektronenquelle 101 mit der Elektronenquelle 101 verbunden. Ferner ist die dritte Leitung 205 zur Versorgung der Suppressorelektrode 101A mit der Suppressorelektrode 101A verbunden. Darüber hinaus ist die vierte Leitung 206 zur Versorgung der Extraktionselektrode 102 mit der Extraktionselektrode 102 verbunden.The first line 203 and the second line 204 are to supply the electron source 101 with the electron source 101 connected. Further, the third line 205 to supply the suppressor electrode 101A with the suppressor electrode 101A connected. In addition, the fourth line 206 for supplying the extraction electrode 102 with the extraction electrode 102 connected.

Im ersten Stecker 201 sind sowohl eine erste Kondensatoreinheit 208 als auch eine zweite Kondensatoreinheit 209 angeordnet. Die erste Kondensatoreinheit 208 ist leitungstechnisch mit der ersten Leitung 203 und der dritten Leitung 205 verbunden. Mit anderen Worten ausgedrückt, ist die erste Kondensatoreinheit 208 zwischen der Elektronenquelle 101 und der Suppressorelektrode 101A angeordnet. Beispielsweise weist die erste Kondensatoreinheit 208 eine Kapazität von einigen nF auf, beispielsweise 6 nF.In the first plug 201 are both a first capacitor unit 208 as well as a second capacitor unit 209 arranged. The first capacitor unit 208 is piping with the first line 203 and the third line 205 connected. In other words, the first capacitor unit 208 between the electron source 101 and the suppressor electrode 101A arranged. For example, the first capacitor unit 208 a capacity of a few nF, for example 6 nF.

Die zweite Kondensatoreinheit 209 ist leitungstechnisch mit der ersten Leitung 203 und der vierten Leitung 206 verbunden. Mit anderen Worten ausgedrückt, ist die zweite Kondensatoreinheit 209 zwischen der Elektronenquelle 101 und der Extraktionselektrode 102 angeordnet. Beispielsweise weist die zweite Kondensatoreinheit 209 ebenfalls eine Kapazität von einigen nF auf, beispielsweise 7 nF.The second capacitor unit 209 is piping with the first line 203 and the fourth line 206 connected. In other words, the second capacitor unit 209 between the electron source 101 and the extraction electrode 102 arranged. For example, the second capacitor unit 209 also a capacity of a few nF, for example 7 nF.

Die Kabeleinheit 207 weist eine erste Abschirmeinheit 210 und eine zweite Abschirmeinheit 211 auf. Die zweite Abschirmeinheit 211 ist beispielsweise als ein Schirmgeflecht ausgebildet. Die erste Abschirmeinheit 210 umgibt die zweite Abschirmeinheit 211. Somit weist die Kabeleinheit 207 einen äußeren Schirm, nämlich die erste Abschirmeinheit 210, und einen inneren Schirm auf, nämlich die zweite Abschirmeinheit 211. Die zweite Abschirmeinheit 211 umschließt die erste Leitung 203, die zweite Leitung 204, die dritte Leitung 205 und die vierte Leitung 206. Gleichzeitig liegt die zweite Abschirmeinheit 211 auf dem Potential der Extraktionselektrode 102.The cable unit 207 has a first shielding unit 210 and a second shielding unit 211 on. The second shielding unit 211 For example, it is designed as a screen braid. The first shielding unit 210 surrounds the second shielding unit 211 , Thus, the cable unit 207 an outer screen, namely the first shielding unit 210 , and an inner screen, namely the second shielding unit 211 , The second shielding unit 211 encloses the first line 203 , the second line 204 , the third line 205 and the fourth line 206 , At the same time, the second shielding unit is located 211 at the potential of the extraction electrode 102 ,

Die dritte Leitung 205 weist im zweiten Stecker 202 eine erste Widerstandseinheit 212 auf. Darüber hinaus weist die vierte Leitung 206 im zweiten Stecker 202 eine zweite Widerstandseinheit 213 auf.The third line 205 points in the second connector 202 a first resistance unit 212 on. In addition, the fourth line points 206 in the second plug 202 a second resistance unit 213 on.

Alle für den Betrieb des Teilchenstrahlerzeugers 1000 notwendigen Hochspannungspotentiale werden mittels Schutzkondensatoren in Form der ersten Kondensatoreinheit 208 und der zweiten Kondensatoreinheit 209 für transiente Störströme kurzgeschlossen, sodass die transienten Störströme eines Hochspannungsüberschlags an dem Teilchenstrahlerzeuger 1000 vorbei geleitet werden.All for the operation of the particle beam generator 1000 necessary high-voltage potentials are using protective capacitors in the form of the first capacitor unit 208 and the second capacitor unit 209 shorted for transient interference currents, so that the transient interference currents of a high voltage flashover at the particle beam generator 1000 passed by.

Damit die Schutzkondensatoren, nämlich die erste Kondensatoreinheit 208 und die zweite Kondensatoreinheit 209, gut wirksam sind, können sie nahe an dem Teilchenstrahlerzeuger 1000 angeordnet werden. Insbesondere ist es mit der Erfindung möglich, dass diese nicht notwendigerweise im Gehäuse 1001 unter Vakuumbedingungen angeordnet werden müssen, sondern sie können außen an dem Gehäuse 1001, also unter Atmosphärendruck, angeordnet werden.So that the protective capacitors, namely the first capacitor unit 208 and the second capacitor unit 209 , are effective, they can be close to the particle beam generator 1000 to be ordered. In particular, it is possible with the invention that these are not necessarily in the housing 1001 must be placed under vacuum conditions, but they can be outside of the housing 1001 , ie under atmospheric pressure, are arranged.

Aufgrund der ersten Widerstandseinheit 212 und der zweiten Widerstandseinheit 213 werden eventuell vorhandene parasitäre Kapazitäten so stark reduziert, dass Störströme über diese parasitären Kapazitäten in der Steckverbindungseinheit 200 sehr stark gedämpft werden und somit nicht zu einer Unterbrechung von Untersuchungs- und/oder Bearbeitungsverfahren, die mit dem SEM 100 durchgeführt werden, führen.Due to the first resistance unit 212 and the second resistance unit 213 Any existing parasitic capacitances are reduced so much that interference currents on these parasitic capacitances in the connector unit 200 be greatly attenuated and thus not to interrupting investigation and / or processing procedures with the SEM 100 be carried out.

Wie oben erläutert, liegt die zweite Abschirmeinheit 211 auf dem Potential der Extraktionselektrode 102. Es hat sich herausgestellt, dass im statistisch wahrscheinlichsten Fall eines Hochspannungsüberschlags auf dieses Potential Potentialunterschiede zwischen der ersten Leitung 203 bis vierten Leitung 206 einerseits und der zweiten Abschirmeinheit 211 andererseits - und damit auch für den Teilchenstrahlerzeuger 1000 - auch während eines Hochspannungsüberschlags weitestgehend konstant bleiben, so dass der Teilchenstrahlerzeuger 1000 ungestört weiter betrieben werden kann und ein Untersuchungs- und/oder ein Bearbeitungsverfahren, das/die mit dem SEM 100 durchgeführt wird/werden, nicht gestört und unterbrochen wird/werden.As explained above, the second shielding unit is located 211 at the potential of the extraction electrode 102 , It has been found that, in the statistically most probable case of a high-voltage flashover, potential differences between the first line and this potential are at this potential 203 to fourth line 206 on the one hand and the second shielding unit 211 on the other hand - and thus also for the particle beam generator 1000 - remain largely constant even during a high voltage flashover, so that the particle beam generator 1000 can continue to operate undisturbed and a research and / or a processing method that with the SEM 100 is / are not disturbed and interrupted.

3 zeigt ein Ausführungsbeispiel der ersten Kondensatoreinheit 208. Die erste Kondensatoreinheit 208 weist drei Kondensatoren auf, die parallel zueinander geschaltet sind, nämlich einen ersten Kondensator 214, einen zweiten Kondensator 215 sowie einen dritten Kondensator 216. Wie oben bereits erwähnt, ist die Erfindung aber nicht auf die vorgenannte Anzahl von Kondensatoren der ersten Kondensatoreinheit 208 eingeschränkt. Vielmehr kann für die erste Kondensatoreinheit 208 jegliche Anzahl an parallel zueinander geschalteten Kondensatoren verwendet werden, die für die Erfindung geeignet ist. 3 shows an embodiment of the first capacitor unit 208 , The first capacitor unit 208 has three capacitors, which are connected in parallel, namely a first capacitor 214 , a second capacitor 215 and a third capacitor 216 , As mentioned above, however, the invention is not limited to the aforementioned number of capacitors of the first capacitor unit 208 limited. Rather, for the first capacitor unit 208 any number of capacitors connected in parallel may be used, which is suitable for the invention.

4 zeigt ein Ausführungsbeispiel der zweiten Kondensatoreinheit 209. Die zweite Kondensatoreinheit 209 weist sieben Kondensatoren auf, die parallel zueinander geschaltet sind, nämlich einen ersten Kondensator 217, einen zweiten Kondensator 218, einen dritten Kondensator 219, einen vierten Kondensator 220, einen fünften Kondensator 221, einen sechsten Kondensator 222 und einen siebten Kondensator 223. Wie oben bereits erwähnt, ist die Erfindung aber nicht auf die vorgenannte Anzahl von Kondensatoren der zweiten Kondensatoreinheit 209 eingeschränkt. Vielmehr kann für die zweite Kondensatoreinheit 209 jegliche Anzahl an parallel zueinander geschalteten Kondensatoren verwenden werden, die für die Erfindung geeignet ist. 4 shows an embodiment of the second capacitor unit 209 , The second capacitor unit 209 has seven capacitors connected in parallel, namely a first capacitor 217 , a second capacitor 218 , a third capacitor 219 , a fourth capacitor 220 , a fifth capacitor 221 , a sixth capacitor 222 and a seventh capacitor 223 , As mentioned above, however, the invention is not limited to the aforementioned number of capacitors of the second capacitor unit 209 limited. Rather, for the second capacitor unit 209 Any number of parallel-connected capacitors will be used, which is suitable for the invention.

Es wird nochmals explizit drauf hingewiesen, dass der erste Kondensator 214, der zweite Kondensator 215 und der dritte Kondensator 216 der ersten Kondensatoreinheit 208 unterschiedliche Baueinheiten zu dem ersten Kondensator 217, dem zweiten Kondensator 218, dem dritten Kondensator 219, dem vierten Kondensator 220, dem fünften Kondensator 221, dem sechsten Kondensator 222 und dem siebten Kondensator 223 der zweiten Kondensatoreinheit 209 sind.It is again explicitly pointed out that the first capacitor 214 , the second capacitor 215 and the third capacitor 216 the first capacitor unit 208 different units to the first capacitor 217 , the second capacitor 218 , the third capacitor 219 , the fourth capacitor 220 , the fifth capacitor 221 , the sixth capacitor 222 and the seventh capacitor 223 the second capacitor unit 209 are.

5 zeigt ein Ausführungsbeispiel der ersten Widerstandseinheit 212 oder der zweiten Widerstandseinheit 213. Die erste Widerstandseinheit 212 weist drei in Reihe geschaltete Widerstände auf, nämlich einen ersten Widerstand 224A, einen zweiten Widerstand 225A und einen dritten Widerstand 226A. Die zweite Widerstandseinheit 213 weist ebenfalls drei in Reihe geschaltete Widerstände auf, nämlich einen ersten Widerstand 224B, einen zweiten Widerstand 225B sowie einen dritten Widerstand 226B. Der erste Widerstand 224A, der zweite Widerstand 225A und der dritte Widerstand 226A der ersten Widerstandseinheit 212 können beispielsweise jeweils einen Widerstand von 10 kΩ aufweisen. Ferner ist es beispielsweise vorgesehen, dass der erste Widerstand 224B, der zweite Widerstand 225B und der dritte Widerstand 226B der zweiten Widerstandseinheit 213 ebenfalls jeweils einen Widerstand von 10 kΩ aufweisen. 5 shows an embodiment of the first resistance unit 212 or the second resistance unit 213 , The first resistance unit 212 has three series resistors, namely a first resistor 224A , a second resistor 225A and a third resistor 226A , The second resistance unit 213 also has three series-connected resistors, namely a first resistor 224B , a second resistor 225B and a third resistor 226B , The first resistance 224A , the second resistance 225A and the third resistance 226A the first resistance unit 212 For example, each may have a resistance of 10 kΩ. Furthermore, it is provided, for example, that the first resistor 224B , the second resistance 225B and the third resistance 226B the second resistance unit 213 also each have a resistance of 10 kΩ.

Die Erfindung ist nicht auf die vorgenannte Anzahl an Widerständen bei der ersten Widerstandseinheit 212 oder der zweiten Widerstandseinheit 213 eingeschränkt. Vielmehr kann für die erste Widerstandseinheit 212 oder die zweite Widerstandseinheit 213 jegliche Anzahl von in Reihe geschalteten Widerständen verwendet werden, die für die Erfindung geeignet ist.The invention is not limited to the aforementioned number of resistors in the first resistance unit 212 or the second resistance unit 213 limited. Rather, for the first resistance unit 212 or the second resistance unit 213 any number of series connected resistors suitable for the invention are used.

6 zeigt eine schematische Darstellung eines weiteren Teilchenstrahlerzeugers 1000, einer weiteren Hochspannungsversorgungseinheit 300 und einer weiteren Steckverbindungseinheit 200, die zwischen dem weiteren Teilchenstrahlerzeuger 1000 und der weiteren Hochspannungsversorgungseinheit 300 geschaltet ist. Das Ausführungsbeispiel der 6 beruht auf dem Ausführungsbeispiel der 2. Gleiche Bauteile sind mit gleichen Bezugszeichen versehen. Es wird daher auf die oben gemachten Ausführungen zur 2 verwiesen. Im Unterschied zum Ausführungsbeispiel der 2 weist das Ausführungsbeispiel der 6 keine vierte Leitung 206 innerhalb der zweiten Abschirmeinheit 211 auf. In diesem Fall übernimmt dann die zweite Abschirmeinheit 211 die Funktion der vierten Leitung 206, welche die Extraktionselektrode versorgt. 6 shows a schematic representation of another particle beam generator 1000 , another high voltage supply unit 300 and another connector unit 200 between the other particle beam generator 1000 and the other high voltage power supply unit 300 is switched. The embodiment of 6 is based on the embodiment of 2 , Identical components are provided with the same reference numerals. It is therefore based on the comments made above 2 directed. In contrast to the embodiment of 2 has the embodiment of 6 no fourth line 206 within the second shielding unit 211 on. In this case, then takes over the second shielding 211 the function of the fourth line 206 which supplies the extraction electrode.

Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist es vorgesehen, dass an der Steckverbindungseinheit 200 der erste Stecker 201 zum Anschluss an den Teilchenstrahlerzeuger 1000 fehlt. Die Kabeleinheit 207 wird bei diesem Ausführungsbeispiel direkt mit einem Strahlkopf des SEM 100 vergossen. Beispielsweise ist es dann vorgesehen, die erste Kondensatoreinheit 208 und die zweite Kondensatoreinheit 209 im Strahlkopf des SEM 100 im Verguss zu integrieren, wobei die vorgenannten Kondensatoreinheiten 208 und 209 nicht unter Vakuum angeordnet sind. Zusätzlich oder alternativ ist es vorgesehen, auf den zweiten Stecker 202 zum Anschluss an die Hochspannungsversorgungseinheit 300 zu verzichten und die Kabeleinheit 207 direkt mit der Hochspannungsversorgungseinheit 300 zu vergießen. In diesem Fall können die erste und die zweite Widerstandseinheit 212, 213 entweder innerhalb des Vergusses zwischen der Kabeleinheit 207 und der Hochspannungsversorgungseinheit 300 oder in den zu der dritten Leitung 205 und der vierten Leitung 206 korrespondierenden Ausgängen der Hochspannungsversorgungseinheit 300 angeordnet sein.In a further embodiment of the invention, it is provided that at the plug connection unit 200 the first plug 201 for connection to the particle beam generator 1000 is missing. The cable unit 207 is in this embodiment directly with a beam head of the SEM 100 shed. For example, it is then provided, the first capacitor unit 208 and the second capacitor unit 209 in the blasting head of the SEM 100 to integrate in the potting, the aforementioned capacitor units 208 and 209 not arranged under vacuum. Additionally or alternatively, it is provided on the second connector 202 for connection to the high voltage supply unit 300 to dispense and the cable unit 207 directly with the high voltage supply unit 300 to shed. In this case, the first and the second resistance unit 212 . 213 either within the encapsulation between the cable unit 207 and the high voltage power supply unit 300 or in the to the third line 205 and the fourth line 206 corresponding outputs of the high voltage power supply unit 300 be arranged.

Auf die erste Widerstandeinheit 212 und/oder die zweite Widerstandseinheit 213 kann insgesamt verzichtet werden, wenn die Innenwiderstände der Ausgänge der Hochspannungsversorgungseinheit 300 für das Suppressorpotential und/oder Extraktorpotential hinreichend groß sind und beispielsweise einige 10 KΩ beträgt/betragen.On the first resistance unit 212 and / or the second resistance unit 213 can be omitted altogether if the internal resistance of the outputs of the high voltage power supply unit 300 are sufficiently large for the suppressor potential and / or extractor potential and, for example, some 10 KΩ / amount.

Die in der vorliegenden Beschreibung, in den Zeichnungen sowie in den Ansprüchen offenbarten Merkmale der Erfindung können sowohl einzeln als auch in beliebigen Kombinationen für die Verwirklichung der Erfindung in ihren verschiedenen Ausführungsformen wesentlich sein. Die Erfindung ist nicht auf die beschriebenen Ausführungsformen beschränkt. Sie kann im Rahmen der Ansprüche und unter Berücksichtigung der Kenntnisse des zuständigen Fachmanns variiert werden. The features of the invention disclosed in the present description, in the drawings and in the claims may be essential both individually and in any desired combinations for the realization of the invention in its various embodiments. The invention is not limited to the described embodiments. It can be varied within the scope of the claims and taking into account the knowledge of the person skilled in the art.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

100100
SEMSEM
101101
Elektronenquelleelectron source
101A101A
Suppressorelektrodesuppressor
102102
Extraktionselektrodeextraction electrode
103103
Anodeanode
104104
StrahlführungsrohrBeam guiding tube
105105
erste Kondensorlinsefirst condenser lens
106106
zweite Kondensorlinsesecond condenser lens
107107
Objektivlinseobjective lens
108108
erste Blendeneinheitfirst aperture unit
108A108A
erste Blendenöffnungfirst aperture
109109
zweite Blendeneinheitsecond aperture unit
110110
Polschuhepole pieces
111111
SpuleKitchen sink
112112
einzelne Elektrodesingle electrode
113113
Rohrelektrodetubular electrode
114114
Objektobject
115115
RastereinrichtungRasterizer
116116
erster Detektorfirst detector
116A116A
GegenfeldgitterOpposing field grid
117117
zweiter Detektorsecond detector
118118
zweite Blendenöffnungsecond aperture
120120
Probenkammersample chamber
121121
dritter Detektorthird detector
122122
Probentischsample table
123123
Kontrolleinheitcontrol unit
124124
Monitor monitor
200200
SteckverbindungseinheitPlug connection unit
201201
erster Steckerfirst plug
202202
zweiter Steckersecond plug
203203
erste Leitungfirst line
204204
zweite Leitungsecond line
205205
dritte Leitungthird line
206206
vierte Leitungfourth line
207207
Kabeleinheitcable unit
208208
erste Kondensatoreinheitfirst capacitor unit
209209
zweite Kondensatoreinheitsecond capacitor unit
210210
erste Abschirmeinheitfirst shielding unit
211211
zweite Abschirmeinheitsecond shielding unit
212212
erste Widerstandseinheitfirst resistance unit
213213
zweite Widerstandseinheitsecond resistance unit
214214
erster Kondensator der ersten Kondensatoreinheitfirst capacitor of the first capacitor unit
215215
zweiter Kondensator der ersten Kondensatoreinheitsecond capacitor of the first capacitor unit
216216
dritter Kondensator der ersten Kondensatoreinheitthird capacitor of the first capacitor unit
217217
erster Kondensator der zweiten Kondensatoreinheitfirst capacitor of the second capacitor unit
218218
zweiter Kondensator der zweiten Kondensatoreinheitsecond capacitor of the second capacitor unit
219219
dritter Kondensator der zweiten Kondensatoreinheitthird capacitor of the second capacitor unit
220220
vierter Kondensator der zweiten Kondensatoreinheitfourth capacitor of the second capacitor unit
221221
fünfter Kondensator der zweiten Kondensatoreinheitfifth capacitor of the second capacitor unit
222222
sechster Kondensator der zweiten Kondensatoreinheitsixth capacitor of the second capacitor unit
223223
siebter Kondensator der zweiten Kondensatoreinheitseventh capacitor of the second capacitor unit
224A224A
erster Widerstand der ersten Widerstandseinheitfirst resistance of the first resistance unit
225A225A
zweiter Widerstand der ersten Widerstandseinheitsecond resistor of the first resistor unit
226A226A
dritter Widerstand der ersten Widerstandseinheitthird resistance of the first resistance unit
224B224B
erster Widerstand der zweiten Widerstandseinheitfirst resistance of the second resistance unit
225B225B
zweiter Widerstand der zweiten Widerstandseinheitsecond resistor of the second resistor unit
226B226B
dritter Widerstand der zweiten Widerstandseinheit third resistance of the second resistance unit
300300
Hochspannungsversorgungseinheit High voltage power supply unit
10001000
Teilchenstrahlerzeugerparticle beam
10011001
Gehäusecasing
OAOA
optische Achse optical axis

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • US 7777194 B2 [0012]US 7777194 B2 [0012]

Claims (10)

Steckverbindungseinheit (200) zum Anschluss sowohl an einen Teilchenstrahlerzeuger (1000) als auch an eine Hochspannungsversorgungseinheit (300), mit - mindestens einem ersten Stecker (201) zum Anschluss an den Teilchenstrahlerzeuger (1000), - mindestens einem zweiten Stecker (202) zum Anschluss an die Hochspannungsversorgungseinheit (300), und mit - mindestens einer ersten Leitung (203), mindestens einer zweiten Leitung (204), mindestens einer dritten Leitung (205) und mindestens einer vierten Leitung (206), wobei - die erste Leitung (203), die zweite Leitung (204), die dritte Leitung (205) und die vierte Leitung (206) von dem ersten Stecker (201) zum zweiten Stecker (202) geführt sind, - die erste Leitung (203) zur Versorgung einer Teilchenquelle (101) des Teilchenstrahlerzeugers (1000) mit der Teilchenquelle (101) verbindbar ist, wobei die Teilchenquelle (101) zur Erzeugung eines Strahls mit geladenen Teilchen ausgebildet ist, - die zweite Leitung (204) zur Versorgung der Teilchenquelle (101) mit der Teilchenquelle (101) verbindbar ist, - die dritte Leitung (205) zur Versorgung einer Suppressorelektrode (101A) des Teilchenstrahlerzeugers (1000) mit der Suppressorelektrode (101A) verbindbar ist, wobei die Suppressorelektrode (101A) zum Unterdrücken von Emissionen der geladenen Teilchen von einer Seitenfläche der Teilchenquelle (101) ausgebildet ist, - die vierte Leitung (206) zur Versorgung einer Extraktionselektrode (102) des Teilchenstrahlerzeugers (1000) mit der Extraktionselektrode (102) verbindbar ist, wobei die Extraktionselektrode (102) zum Extrahieren der geladenen Teilchen von der Teilchenquelle (101) ausgebildet ist, - mindestens eine erste Kondensatoreinheit (208), die im ersten Stecker (201) angeordnet ist, im ersten Stecker (201) leitungstechnisch mit der ersten Leitung (203) und der dritten Leitung (205) verbunden ist, und wobei - mindestens eine zweite Kondensatoreinheit (209), die im ersten Stecker (201) angeordnet ist, im ersten Stecker (201) leitungstechnisch mit der ersten Leitung (203) und der vierten Leitung (206) verbunden ist.A connector assembly (200) for connection to both a particle beam generator (1000) and a high voltage power supply unit (300) at least one first connector (201) for connection to the particle beam generator (1000), - At least a second connector (202) for connection to the high voltage power supply unit (300), and with at least one first line (203), at least one second line (204), at least one third line (205) and at least one fourth line (206), wherein the first line (203), the second line (204), the third line (205) and the fourth line (206) are led from the first connector (201) to the second connector (202), - the first line (203) for supplying a particle source (101) of the particle beam generator (1000) is connectable to the particle source (101), wherein the particle source (101) is designed to generate a charged particle beam, - The second line (204) for supplying the particle source (101) with the particle source (101) is connectable, - the third line (205) for supplying a suppressor electrode (101A) of the particle beam generator (1000) is connectable to the suppressor electrode (101A), wherein the suppressor electrode (101A) for suppressing emissions of the charged particles formed from a side surface of the particle source (101) is - the fourth line (206) for supplying an extraction electrode (102) of the particle beam generator (1000) is connectable to the extraction electrode (102), wherein the extraction electrode (102) for extracting the charged particles from the particle source (101) is formed, - At least a first capacitor unit (208), which is arranged in the first connector (201), in the first connector (201) conductively connected to the first line (203) and the third line (205), and wherein - At least a second capacitor unit (209), which is arranged in the first connector (201) in the first connector (201) conductively connected to the first line (203) and the fourth line (206). Steckverbindungseinheit (200) nach Anspruch 1, wobei die erste Kondensatoreinheit (208) mindestens zwei der folgenden Kondensatoren aufweist, die leitungstechnisch parallel zueinander geschaltet sind: mindestens einen ersten Kondensator (214), mindestens einen zweiten Kondensator (215) und mindestens einen dritten Kondensator (216).Plug connection unit (200) after Claim 1 wherein the first capacitor unit (208) has at least two of the following capacitors, which are connected in parallel to one another in terms of conduction: at least one first capacitor (214), at least one second capacitor (215) and at least one third capacitor (216). Steckverbindungseinheit (200) nach Anspruch 1 oder 2, wobei die zweite Kondensatoreinheit (209) mindestens zwei der folgenden Kondensatoren aufweist, die leitungstechnisch parallel zueinander geschaltet sind: mindestens einen ersten Kondensator (217), mindestens einen zweiten Kondensator (218), mindestens einen dritten Kondensator (219), mindestens einen vierten Kondensator (220), mindestens einen fünften Kondensator (221), mindestens einen sechsten Kondensator (222) und mindestens einen siebten Kondensator (223).Plug connection unit (200) after Claim 1 or 2 wherein the second capacitor unit (209) has at least two of the following capacitors which are connected in parallel to one another: at least one first capacitor (217), at least one second capacitor (218), at least one third capacitor (219), at least one fourth capacitor (220), at least one fifth capacitor (221), at least one sixth capacitor (222) and at least one seventh capacitor (223). Steckverbindungseinheit (200) nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei - die dritte Leitung (205) im zweiten Stecker (202) eine erste Widerstandseinheit (212) aufweist, und wobei - die vierte Leitung (206) im zweiten Stecker (202) eine zweite Widerstandseinheit (213) aufweist.Plug connection unit (200) according to one of the preceding claims, wherein - The third line (205) in the second plug (202) has a first resistance unit (212), and wherein - The fourth line (206) in the second connector (202) has a second resistance unit (213). Steckverbindungseinheit (200) nach Anspruch 4, wobei die Steckverbindungseinheit (200) mindestens eines der folgenden Merkmale aufweist: (i) die erste Widerstandseinheit (212) weist mindestens zwei der folgenden Widerstände auf, die in Reihe geschaltet sind: mindestens einen ersten Widerstand (224A), mindestens einen zweiten Widerstand (225A) und mindestens einen dritten Widerstand (226A); (ii) die zweite Widerstandseinheit (213) weist mindestens zwei der folgenden Widerstände auf, die in Reihe geschaltet sind: mindestens einen ersten Widerstand (224B), mindestens einen zweiten Widerstand (225B) und mindestens einen dritten Widerstand (226B).Plug connection unit (200) after Claim 4 wherein the plug connection unit (200) has at least one of the following features: (i) the first resistance unit (212) has at least two of the following resistors connected in series: at least one first resistor (224A), at least one second resistor ( 225A) and at least one third resistor (226A); (ii) the second resistor unit (213) has at least two of the following resistors connected in series: at least one first resistor (224B), at least one second resistor (225B), and at least one third resistor (226B). Steckverbindungseinheit (200) nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei - zwischen dem ersten Stecker (201) und dem zweiten Stecker (202) eine Kabeleinheit (207) angeordnet ist, - die Kabeleinheit (207) mindestens eine erste Abschirmeinheit (210) und mindestens eine zweite Abschirmeinheit (211) aufweist, - die erste Abschirmeinheit (210) die zweite Abschirmeinheit (211) umgibt, - die zweite Abschirmeinheit (211) die erste Leitung (203), die zweite Leitung (204), die dritte Leitung (205) und die vierte Leitung (206) umgibt, und wobei - die zweite Abschirmeinheit (211) auf einem Potential der Extraktionselektrode (102) liegt.Plug connection unit (200) according to one of the preceding claims, wherein - a cable unit (207) is arranged between the first connector (201) and the second connector (202), the cable unit (207) has at least one first shielding unit (210) and at least one second shielding unit (211), the first shielding unit (210) surrounds the second shielding unit (211), the second shielding unit (211) surrounds the first line (203), the second line (204), the third line (205) and the fourth line (206), and wherein - The second shielding unit (211) is at a potential of the extraction electrode (102). Steckverbindungseinheit (200) nach Anspruch 6, wobei die zweite Abschirmeinheit (211) ein Schirmgeflecht ist.Plug connection unit (200) after Claim 6 wherein the second shielding unit (211) is a screen braid. Teilchenstrahlerzeuger (1000) für ein Teilchenstrahlgerät (100), mit - mindestens einer Teilchenquelle (101) zur Erzeugung eines Strahls mit geladenen Teilchen, - mindestens einer Suppressorelektrode (101A) zum Unterdrücken von Emissionen der geladenen Teilchen von einer Seitenfläche der Teilchenquelle (101), - mindestens einer Extraktionselektrode (102) zum Extrahieren der geladenen Teilchen von der Teilchenquelle (101), und mit - mindestens einer Steckverbindungseinheit (200) nach einem der vorangehenden Ansprüche.A particle beam generator (1000) for a particle beam apparatus (100), having - at least one particle source (101) for generating a beam of charged particles, - at least one suppressor electrode (101A) for suppressing emissions of the charged particles from a side surface of the particle source (101), - at least one extraction electrode (102) for extracting the charged particles from the particle source (101), and having - at least one connector unit (200) according to any one of the preceding claims. Teilchenstrahlgerät (100) zur Abbildung und/oder zur Bearbeitung eines Objekts (114), mit - mindestens einem Teilchenstrahlerzeuger (1000) zur Erzeugung eines Teilchenstrahls mit geladenen Teilchen nach Anspruch 8, - mindestens einer Objektivlinse (107) zur Fokussierung des Teilchenstrahls auf das Objekt (114), wobei bei einer Wechselwirkung des Teilchenstrahls mit dem Objekt (114) Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungsstrahlung entstehen/entsteht, - mindestens einem Detektor (116, 117, 121) zur Detektion der Wechselwirkungsteilchen und/oder der Wechselwirkungsstrahlung und zur Erzeugung von Detektorsignalen, und mit - mindestens einer Anzeigeeinrichtung (124) zur Anzeige eines Bildes des Objekts (114) basierend auf den Detektorsignalen.A particle beam apparatus (100) for imaging and / or processing an object (114), comprising - at least one particle beam generator (1000) for producing a particle beam with charged particles Claim 8 - at least one objective lens (107) for focusing the particle beam onto the object (114), interaction particles and / or interaction radiation arising / arising in the interaction of the particle beam with the object (114), - at least one detector (116, 117, 121 ) for detecting the interaction particles and / or the interaction radiation and for generating detector signals, and having - at least one display device (124) for displaying an image of the object (114) based on the detector signals. Teilchenstrahlgerät (100) nach Anspruch 9, wobei das Teilchenstrahlgerät (100) als Elektronenstrahlgerät und/oder als lonenstrahlgerät ausgebildet ist.Particle beam device (100) according to Claim 9 wherein the particle beam device (100) is designed as an electron beam device and / or as an ion beam device.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE112011102526T5 (en) * 2010-07-29 2013-07-11 Hitachi High-Technologies Corporation Blasting device for a charged particle beam

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