DE102018120375A1 - Leistungsmodul mit mehrschichtsubstrat - Google Patents

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Fan Xu
Lihua Chen
Sadashi Seto
Shuitao Yang
Yan Zhou
Baoming Ge
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Ford Global Technologies LLC
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Abstract

Ein Leistungssystem weist ein einseitig gekühltes Leistungsmodul auf, das ein zusammenhängendes fünfschichtiges Substrat aus zwei isolierenden Schichten beinhaltet, die mit drei leitfähigen Schichten verschachtelt sind. Eine mittlere der leitfähigen Schichten ist aufgeteilt, um einen getrennten beabstandeten positiven Anschlussabschnitt und einen getrennten beabstandeten Ausgangsanschlussabschnitt zu definieren, und eine äußere der leitfähigen Schichten definiert einen negativen Anschlussabschnitt, sodass sich der positive Anschlussabschnitt und der negative Anschlussabschnitt überlappen. Das Leistungssystem weist außerdem Halbleiter auf, die jeweils den positiven Anschlussabschnitt und den Ausgangsanschlussabschnitt direkt berühren, ohne die andere Schichten direkt zu berühren.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Diese Offenbarung betrifft die Anordnung und elektrische Verbindung der Festkörper-Transistoren mit mehrschichtigen Substraten.
  • ALLGEMEINER STAND DER TECHNIK
  • Elektrifizierte Fahrzeuge, zu denen Hybridelektrofahrzeuge (HEV) und Batterieelektrofahrzeuge (BEV) gehören, nutzen eine Traktionsbatterie, um Leistung an einen Fahrmotor zum Antrieb bereitzustellen, und einen dazwischengeschalteten Leistungswechselrichter, um Gleichstrom(DC)-Leistung in Wechselstrom(AC)-Leistung umzuwandeln. Der typische AC-Fahrmotor ist ein 3-Phasen-Motor, der durch 3 Sinussignale angetrieben werden kann, die jeweils mit einer Phasenverschiebung von 120 Grad erzeugt werden. Zudem beinhalten viele elektrifizierte Fahrzeuge einen DC/DC-Wandler, um die Spannung der Traktionsbatterie in einen Betriebsspannungspegel der elektrischen Maschine umzuwandeln. Diese verschiedenen Komponenten können Festkörper-Transistoren beinhalten.
  • KURZDARSTELLUNG
  • Ein Leistungssystem umfasst ein einseitig gekühltes Leistungsmodul, das ein zusammenhängendes fünfschichtiges Substrat aus zwei isolierenden Schichten beinhaltet, die mit drei leitfähigen Schichten verschachtelt sind. Eine mittlere der leitfähigen Schichten ist aufgeteilt, um einen getrennten beabstandeten positiven Anschlussabschnitt und einen getrennten beabstandeten Ausgangsanschlussabschnitt zu definieren. Eine äußere der leitfähigen Schichten definiert einen negativen Anschlussabschnitt, sodass sich der positive Anschluss und der negative Anschlussabschnitt überlappen. Das Leistungssystem umfasst ferner Halbleiter, die jeweils den positiven Anschlussabschnitt und den Ausgangsanschlussabschnitt direkt berühren, ohne die anderen Schichten direkt zu berühren, und jeweilige Sätze von Drähten, die den Ausgangsanschlussabschnitt und den Halbleiter in direkter Verbindung mit dem positiven Anschlussabschnitt verbinden und den negativen Anschlussabschnitt und den Halbleiter in direkter Verbindung mit dem Ausgangsanschlussabschnitt verbinden.
  • Ein Leistungsmodul umfasst Halbleiter, die an einem zusammenhängenden fünfschichtigen Substrat aus zwei isolierenden Schichten angebracht sind, die mit drei leitfähigen Schichten verschachtelt sind. Eine mittlere der leitfähigen Schichten ist aufgeteilt, um einen getrennten beabstandeten positiven Anschlussabschnitt und einen getrennten beabstandeten Ausgangsanschlussabschnitt zu definieren. Eine äußere der leitfähigen Schichten definiert einen negativen Anschlussabschnitt. Außerdem berühren die Halbleiter jeweils direkt den positiven Anschlussabschnitt und den Ausgangsanschlussabschnitt, ohne die anderen Schichten direkt zu berühren.
  • Ein Leistungssystem umfasst ein einseitig gekühltes Leistungsmodul, das drei leitfähige Schichten beinhaltet, die mit zwei isolierenden Schichten verschachtelt sind, um eine Substrat zu bilden. Eine mittlere Schicht des Substrats ist einzeln in zwei Abschnitte unterteilt und zwei Halbleiter sind jeweils in direkter Verbindung mit den zwei Abschnitten, sodass ein positiver Anschlussabschnitt, welcher durch einen der zwei Abschnitte definiert ist, einen negativen Anschlussabschnitt, welcher durch eine äußerste der Schichten definiert ist, überlappt.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine schematische Darstellung einer Halbbrückenzelle.
    • 2A und 2B sind eine Seiten- bzw. eine Draufsicht eines einseitig gekühlten Leistungsmoduls nach dem Stand der Technik.
    • 3A und 3B sind eine Seiten- bzw. eine Draufsicht eines doppelseitig gekühlten Leistungsmoduls nach dem Stand der Technik.
    • 4A und 4B sind eine Seiten- bzw. eine Draufsicht eines einseitig gekühlten Leistungsmoduls mit einem fünfschichtigen Substrat.
    • 5 ist eine schematische Darstellung dreier Halbbrückenzellen, die derart angeordnet sind, dass sie einen vollständigen Drei-Phasen-Wandler bilden.
    • Die 6A und 6B sind eine Seiten- und eine Draufsicht des vollständigen Drei-Phasen-Wandlers aus 5, der mit einem fünfschichtigen Substrat umgesetzt ist.
    • 7 ist eine schematische Darstellung von Abschnitten eines Kraftfahrzeugs.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
  • In dieser Schrift werden verschiedene Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung beschrieben. Die offenbarten Ausführungsformen sind jedoch lediglich beispielhaft und andere Ausführungsformen können verschiedene und alternative Formen annehmen, die nicht ausdrücklich veranschaulicht oder beschrieben sind. Die Figuren sind nicht zwingend maßstabsgetreu; einige Merkmale können vergrößert oder verkleinert dargestellt sein, um Details bestimmter Komponenten zu zeigen. Daher sind hier offenbarte konkrete strukturelle und funktionelle Details nicht als einschränkend auszulegen, sondern lediglich als repräsentative Grundlage, um einem Durchschnittsfachmann die vielseitige Verwendung der vorliegenden Erfindung zu lehren. Der Durchschnittsfachmann wird verstehen, dass verschiedene Merkmale, die unter Bezugnahme auf eine beliebige der Figuren veranschaulicht und beschrieben sind, mit Merkmalen kombiniert werden können, die in einer oder mehreren anderen Figuren veranschaulicht sind, um Ausführungsformen zu erzeugen, die nicht ausdrücklich veranschaulicht oder beschrieben sind. Die Kombinationen veranschaulichter Merkmale stellen repräsentative Ausführungsformen für typische Anwendungen bereit. Verschiedene Kombinationen und Modifikationen der Merkmale, die mit den Lehren dieser Offenbarung vereinbar sind, können jedoch für bestimmte Anwendungen oder Umsetzungen wünschenswert sein.
  • Die Halbbrücke ist eine gemeinsame Zelle, die in Leistungselektronikschaltungen verwendet wird. Unter Bezugnahme auf 1 beinhaltet eine typische Halbbrücke 10 zwei aktive Leistungsgeräte 12, 14 (z. B. Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBT) oder Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs)), zwei Leistungsdioden 16, 18 (getrennt von oder integriert in die IGBTs/MOSFETs) und jeweilige Anschlüsse 20, 22, 24, (O-Anschluss, P-Anschluss und N-Anschluss). Eine oder mehrere Halbbrücken können in einem Leistungsmodul verbaut sein. Und ein oder mehrere Leistungsmodule können in einem Traktionswechselrichter für Fahrzeuganwendungen verwendet werden.
  • In jedem Leistungsmodul sollte Streuinduktivität, die mit der Leistungsschaltung (dem Strompfad vom P-Anschluss 22 zum N-Anschluss 24) einhergeht und von Magnetfeldern der Sammelschiene und Kupferbahnen induziert wird, minimiert werden, um Spannungsüberschreitung während Ausschaltübergängen der Leistungsvorrichtung zu verringern und dadurch Leistungsverlust zu senken und Spannungseinbruch der Leistungsvorrichtung zu verhindern. Diese Spannungsüberschreitung nimmt zu, wenn die Leistungsgeräte schneller schalten. Daher kann die Minimierung der Streuinduktivität für die Leistungsmodulkonstruktion, besonders für Leistungsmodule auf Basis von Siliziumkarbid (SiC), wichtig sein, die schneller als entsprechende Geräte auf Basis von Silizium (Si) schalten können.
  • Unter Bezugnahme auf die 2A und 2B weist ein herkömmliches einseitig gekühltes Halbbrückenleistungsmodul 26 Leistungsgeräte 28, 30 und Dioden 29, 31 auf, die an einem Substrat 32 befestigt sind, das üblicherweise aus direkt gebundenem Kupfer besteht. Für ein besseres Verständnis zeigt die Seitenansicht der 2A Beziehungen zwischen den verschiedenen Komponenten, stellt aber nicht unbedingt die genaue Platzierung dieser Komponenten in Bezug aufeinander dar. Das Substrat 32 beinhaltet zwei Kupferschichten 34, 36, die eine isolierende Keramikschicht 38 zwischen sich aufweisen. Die Drahtverbindung oder das Band 40 verbindet elektrisch den P-, O- und N-Anschluss der Kupferschicht 36, die Leistungsgeräte 28, 30 und die Dioden 29, 31. Außerdem sind die Steuerstifte 41 wie üblich elektrisch mit den Leistungsgeräten 28, 30 verbunden. Die gestrichelte Linie zeigt die eher lange für Streuinduktivität anfällige Leistungsschaltung vom P-Anschluss zum N-Anschluss.
  • Unter Bezugnahme auf die 3A und 3B weist ein herkömmliches doppelseitig gekühltes Leistungsmodul 42 Leistungsgeräte 44, 46 und Dioden 45, 47, die zwischen den Substraten 48, 50 befestigt sind, auf. Für ein besseres Verständnis zeigt die Seitenansicht der 2A Beziehungen zwischen den verschiedenen Komponenten, stellt aber nicht unbedingt die genaue Platzierung dieser Komponenten in Bezug aufeinander dar. Darüber hinaus zeigt 3B nicht das Substrat 50. Wie das Substrat 32 schließt das Substrat 48 zwei Kupferschichten 52, 54 ein, die zwischen einer isolierenden Keramikschicht 56 liegen. Außerdem schließt das Substrat 50 zwei Kupferschichten 58, 60 ein, die zwischen einer isolierenden Keramikschicht 62 liegen. Kupferabstandshalter 64 beabstanden, wie der Name schon sagt, die Leistungsgeräte 44, 46 vom Substrat 50. Außerdem sind die Steuerstifte 65 wie üblich elektrisch mit den Leistungsgeräten 44, 46 verbunden. Die gestrichelte Linie zeigt wiederum die eher lange Leistungsschaltung an.
  • Es wurde entdeckt, dass das Erhöhen der Anzahl der Schichten des Substrats Leistungsschaltungskonfigurationen mit verringerter effektiver Länge und überlappende Abschnitte ermöglicht, was die Streuinduktivität und zugehörige Spannungsüberschreitung und Leistungsverlust verringern kann. In einem Beispiel kann ein Leistungsmodul ein Substrat verwenden, das zwei isolierende Schichten aufweist, die mit drei Metallschichten verschachtelt sind.
  • Unter Bezugnahme auf die 4A und 4B weist ein einseitig gekühltes Halbbrückenleistungsmodul 66 Leistungsgeräte 68, 70 und Dioden 69, 71 auf, die an einem Substrat 72 befestigt sind. Das Substrat 72 schließt drei Metall- (z. B. Kupfer-)Schichten 74, 76, 78 und zwei isolierende (z. B. Keramik-) Schichten 80, 82 ein. Diese fünf Schichten sind zusammenhängend insofern, als eine beliebige Schicht andere benachbarte Schichten des Substrats 72 direkt berührt. Die Keramikschicht 80 liegt zwischen den Kupferschichten 74, 76, und die Keramikschicht 82 liegt zwischen den Kupferschichten 76, 78. Insbesondere sind die Leistungsgeräte 68, 70 an der Kupferschicht 76 befestigt, die in einzelne getrennte Abschnitte unterteilt ist: Ein Abschnitt dient als der O-Anschluss und der andere Abschnitt dient als der P-Anschluss. Daher ist anders als die anderen Schichten 74, 78, 80, 82 die Schicht 76 (mittlere Schicht) unterbrochen. Die Schicht 78 dient als der N-Anschluss. Abschnitte der Schicht 78 überlappen Abschnitte der Schicht 76.
  • Eine obere Fläche des Leistungsgeräts 68 ist elektrisch mit dem N-Anschluss durch eine Drahtverbindung oder ein Band 84 verbunden. Eine obere Fläche des Leistungsgeräts 70 ist elektrisch mit dem O-Anschluss durch eine Drahtverbindung oder ein Band 86 verbunden, die oder das über die Schichten 78, 82 zwischen den Leistungsgeräten 68, 70 verläuft. Die Dioden 69, 71, die den Leistungsgeräten 68, 70 entsprechen, sind jeweils in ähnlicher Weise elektrisch mit dem N- und O-Anschluss durch Drahtverbindung oder Band 88, 90 verbunden. Außerdem sind die Steuerstifte 92 elektrisch mit den Leistungsgeräten 68, 70 verbunden.
  • In dieser Konfiguration sind der P- und N-Anschluss laminiert, um die Streuinduktivität der Hauptschaltung erheblich zu senken. Die gestrichelte Linie zeigt die Hauptschaltung vom P-Anschluss zum N-Anschluss an. (Der Draht für die Gate-Schaltung der Leistungsvorrichtung ist mit den Steuerstiften 92 verbunden, die vom Substrat 72 getrennt sind.) Das Magnetfeld der Gate-Schaltung ist orthogonal zum Magnetfeld der Hauptschaltung, sodass das Koppeln der Leistungsschaltung mit der Gate-Schaltung minimiert wird. Weisen die Leistungsgeräte 68, 70 Rückwärtsleitungsfähigkeit auf, wie etwa bei Si- oder SiC-MOSFETs oder rückwärtsleitenden (RC)-IGBTs, können die Dioden 69, 71 entfernt werden.
  • Andere Konfigurationen sind ebenso vorgesehen. Unter Bezugnahme auf 5 sind drei Halbbrücken 94, 96, 98 angeordnet, um ein Six-Pack-Leistungsmodul 100 (vollständiger Drei-Phasen-Wandler) zu sein. Die Halbbrücke 94 schließt zwei Leistungsgeräte 102, 104 und zugehörige Leistungsdioden 106, 108 ein. Die Halbbrücke 96 schließt zwei Leistungsgeräte 110, 112 und zugehörige Leistungsdioden 114, 116 ein. Die Halbbrücke 98 schließt zwei Leistungsgeräte 118, 120 und zugehörige Leistungsdioden 122, 124 ein. Die Anschlüsse A, B, C sind jeweils zu den Halbbrücken 94, 96, 98 zugehörig. Außerdem teilen sich die Halbbrücken 94, 96, 98 die Anschlüsse P und N. Wie oben erläutert, falls die Leistungsgeräte 102, 104, 110, 112, 118, 120 Rückwärtsleitungsfähigkeit, wie etwa mit Si- oder SiC-MOSFETs oder RC-IGBTs, aufweisen, können die Dioden 106, 108, 114, 116, 122, 124 entfernt werden.
  • Unter Bezugnahme auf die 6A und 6B sind die Leistungsgeräte 102, 104, 110, 112, 118, 120 und Dioden 106, 108, 114, 116, 122, 124 an einem Substrat 126 befestigt. Das Substrat 126 schließt drei Metall- (z. B. Kupfer-)Schichten 128, 130, 132 und zwei isolierende (z. B. Keramik-) Schichten 134, 136 ein. Die Keramikschicht 134 liegt zwischen den Kupferschichten 128, 130, und die Keramikschicht 136 liegt zwischen den Kupferschichten 130, 132. Insbesondere sind die Leistungsgeräte 102, 104, 110, 112, 118, 120 an der Kupferschicht 130 befestigt, die einzeln in vier unterteilt ist: drei jeweilige Abschnitte dienen als A-, B- und C-Anschluss und der vierte Abschnitt dient als der gemeinsame P-Anschluss. Die Schicht 132 dient als gemeinsamer N-Anschluss.
  • Eine obere Fläche jedes der Leistungsgeräte 102, 110, 118 ist jeweils elektrisch mit dem N-Anschluss durch eine Drahtverbindung oder ein Band 138, 140, 142 verbunden. Eine obere Fläche des Leistungsgeräts 104 ist elektrisch mit dem A-Anschluss durch eine Drahtverbindung oder ein Band 144 verbunden, die oder das über die Schichten 132, 136 zwischen den Leistungsgeräten 102, 104 verläuft. Eine obere Fläche des Leistungsgeräts 112 ist elektrisch mit dem B-Anschluss durch eine Drahtverbindung oder ein Band 146 verbunden, die oder das über die Schichten 132, 136 zwischen den Leistungsgeräten 110, 112 verläuft. Eine obere Fläche des Leistungsgeräts 120 ist elektrisch mit dem C-Anschluss durch eine Drahtverbindung oder ein Band 148 verbunden, die oder das über die Schichten 132, 136 zwischen den Leistungsgeräten 118, 120 verläuft. Die Dioden 106, 108, den Leistungsgeräten 102, 104 entsprechen, sind jeweils in ähnlicher Weise elektrisch mit dem N- und A-Anschluss durch eine Drahtverbindung oder ein Band 150, 152 verbunden. Die Dioden 114, 116, den Leistungsgeräten 110, 112 entsprechen, sind jeweils in ähnlicher Weise elektrisch mit dem N- und B-Anschluss durch eine Drahtverbindung oder ein Band 154, 156 verbunden. Die Dioden 122, 124, den Leistungsgeräten 118, 120 entsprechen, sind jeweils in ähnlicher Weise elektrisch mit dem N- und C-Anschluss durch eine Drahtverbindung oder ein Band 158, 160 verbunden. Außerdem sind die Steuerstifte 162 elektrisch mit den Leistungsgeräten 102, 104, 110, 112, 118, 120 verbunden.
  • Die hier in Betracht gezogenen Leistungsmodule, wie etwa die Leistungsmodule 66, 100, können im Kontext eines Kraftfahrzeugs verwendet werden. Unter Bezugnahme auf 7 kann ein Fahrzeug 164 eine Traktionsbatterie 166, Leistungselektronik 168, eine elektrische Maschine 170 und eine oder mehrere Steuerungen 172 beinhalten, um mit den anderen Komponenten zu kommunizieren und diese zu kontrollieren. (Durchgezogene Linien zeigen Leistungsflusswege an.) Leistung kann zwischen der Traktionsbatterie 166 und der elektrischen Maschine 170 über die Leistungselektronik 168 ausgetauscht werden, um regenerative Energie aufzufangen oder das Fahrzeug 164 anzutreiben. Die Leistungselektronik 168 (z. B. Wechselrichter, Wandler etc.) kein ein beliebiges der hier in Betracht gezogenen Leistungsmodule einschließen.
  • Bei den in der Beschreibung verwendeten Ausdrücken handelt es sich um beschreibende und nicht um einschränkende Ausdrücke, und es versteht sich, dass verschiedene Änderungen vorgenommen werden können, ohne von Geist und Umfang der Offenbarung und den Ansprüchen abzuweichen. Wie vorstehend beschrieben, können die Merkmale verschiedener Ausführungsformen miteinander kombiniert werden, um weitere Ausführungsformen zu bilden, die möglicherweise nicht ausdrücklich beschrieben oder veranschaulicht sind. Wenngleich verschiedene Ausführungsformen eventuell so beschrieben sind, dass sie Vorteile bereitstellen oder gegenüber anderen Ausführungsformen oder Umsetzungen nach dem Stand der Technik in Bezug auf eine oder mehrere gewünschte Eigenschaften bevorzugt werden, liegt für den Durchschnittsfachmann auf der Hand, dass ein oder mehrere Merkmale oder eine oder mehrere Eigenschaften in Frage gestellt werden können, um die gewünschten Gesamtattribute des Systems zu erzielen, die von der konkreten Anwendung und Umsetzung abhängen. Zu diesen Attributen gehören unter anderem: Kosten, Festigkeit, Lebensdauer, Lebenszykluskosten, Marktfähigkeit, Erscheinungsbild, Verpackung, Größe, Betriebsfähigkeit, Gewicht, Herstellbarkeit, Einfachheit der Montage usw. Von daher liegen Ausführungsformen, welche in Bezug auf eine oder mehrere Eigenschaften als weniger wünschenswert als andere Ausführungsformen oder Umsetzungen nach dem Stand der Technik beschrieben werden, nicht außerhalb des Umfangs der Offenbarung und können für bestimmte Anwendungen wünschenswert sein.

Claims (14)

  1. Leistungssystem, umfassend: ein einseitig gekühltes Leistungsmodul, welches ein zusammenhängendes fünfschichtiges Substrat aus zwei isolierenden Schichten beinhaltet, welche mit drei leitfähigen Schichten verschachtelt sind, wobei eine mittlere der leitfähige Schichten unterteilt ist, um einen getrennten beabstandeten positiven Anschlussabschnitt und einen getrennten beabstandeten Ausgangsanschlussabschnitt zu definieren, und eine äußere der leitfähigen Schichten einen negativen Anschlussabschnitt definiert, sodass sich der positive Anschluss und der negative Anschlussabschnitte überlappen; Halbleiter, welche jeweils den positiven Anschlussabschnitt und den Ausgangsanschlussabschnitt direkt berühren, ohne direkt die anderen Schichten zu berühren; und jeweilige Sätze von Drähten, die den Ausgangsanschlussabschnitt und den Halbleiter in direkter Verbindung mit dem positiven Anschlussabschnitt verbinden und den negativen Anschlussabschnitt und den Halbleiter in direkter Verbindung mit dem Ausgangsanschlussabschnitt verbinden.
  2. Leistungssystem nach Anspruch 1, wobei das einseitig gekühlte Leistungsmodul eine Halbbrücke ist.
  3. Leistungsmodul, umfassend: Halbleiter, welche an einem zusammenhängenden fünfschichtigen Substrat aus zwei isolierenden Schichten angebracht sind, welche mit drei leitfähigen Schichten verschachtelt sind, wobei eine mittlere der leitfähige Schichten unterteilt ist, um einen getrennten beabstandeten positiven Anschlussabschnitt und einen getrennten beabstandeten Ausgangsanschlussabschnitt zu definieren, wobei eine äußere der leitfähigen Schichten einen negativen Anschlussabschnitt definiert und die Halbleiter jeweils den positiven Anschlussabschnitt und den Ausgangsanschlussabschnitt direkt berühren, ohne die anderen Schichten direkt zu berühren.
  4. Leistungsmodul nach Anspruch 3, ferner umfassend Drähte, die den Ausgangsanschlussabschnitt und den Halbleiter in direkter Verbindung mit dem positiven Anschlussabschnitt miteinander verbinden.
  5. Leistungsmodul nach Anspruch 3, ferner umfassend Drähte, die den negativen Anschlussabschnitt und den Halbleiter in direkter Verbindung mit dem Ausgangsanschlussabschnitt miteinander verbinden.
  6. Leistungsmodul nach Anspruch 3, wobei die Halbleiter und das Substrat derart angeordnet sind, dass sie ein einseitig gekühltes Leistungsmodul bilden.
  7. Leistungsmodul nach Anspruch 6, wobei das einseitig gekühlte Leistungsmodul eine Halbbrücke ist.
  8. Leistungsmodul nach Anspruch 3, wobei die leitfähigen Schichten aus Metall bestehen.
  9. Leistungsmodul nach Anspruch 3, wobei die isolierenden Schichten aus Keramik bestehen.
  10. Leistungssystem, umfassend: ein einseitig gekühltes Leistungsmodul, welches drei leitfähige Schichten beinhaltet, die sich mit zwei isolierenden Schichten abwechseln, um ein Substrat zu bilden, wobei eine mittlere Schicht des Substrats einzeln in zwei Abschnitte unterteilt ist und zwei Halbleiter jeweils direkt die zwei Abschnitte berühren, sodass ein positiver Anschlussabschnitt, welcher durch einen der zwei Abschnitte definiert ist, einen negative Anschlussabschnitt, welcher durch eine äußersten der Schichten definiert ist, überlappt.
  11. Leistungssystem nach Anspruch 10, wobei der andere der zwei Abschnitte einen Ausgangsanschlussabschnitt definiert.
  12. Leistungssystem nach Anspruch 11, wobei das einseitig gekühlte Leistungsmodul ferner Drähte einschließt, welche den Ausgangsanschlussabschnitt und den Halbleiter in direkten Kontakt mit dem positiven Anschlussabschnitt bringen.
  13. Leistungssystem nach Anspruch 11, wobei das einseitig gekühlte Leistungsmodul ferner Drähte einschließt, welche den negativen Anschlussabschnitt und den Halbleiter in direkten Kontakt mit dem Ausgangsanschlussabschnitt bringen.
  14. Leistungssystem nach Anspruch 10, wobei das einseitig gekühlte Leistungsmodul eine Halbbrücke ist.
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