DE102018114691A1 - Leistungshalbleitereinrichtung mit einem Gehäuse und Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitereinrichtung - Google Patents

Leistungshalbleitereinrichtung mit einem Gehäuse und Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitereinrichtung Download PDF

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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Leistungshalbleitereinrichtung mit einem durch eine Gehäuseöffnung hindurchlaufendem Stiftelement, mit einer zwischen einer, die Gehäuseöffnung begrenzenden, um das Stiftelement umlaufenden, Gehäuseöffnungswand des Gehäuses und dem Stiftelement angeordneten elastischen Dichteinrichtung und mit einer Hülse, wobei das Stiftelement durch die Hülse und durch eine Dichteinrichtungsöffnung des Dichtelements hindurchverläuft, wobei die Dichteinrichtung mit der Hülse, mit der Gehäuseöffnungswand und mit dem Stiftelement nicht stoffschlüssig verbunden ist und die Dichteinrichtung die Gehäuseöffnungswand gegen die Hülse und die Hülse gegen das Stiftelement abdichtet, und mit einer auf der Dichteinrichtung angeordneten vernetzten Vergussdichtungsmasse, wobei die vernetzte Vergussdichtungsmasse mit der Hülse, mit der Gehäuseöffnungswand und mit dem Stiftelement stoffschlüssig verbunden ist und die Vergussdichtungsmasse die Gehäuseöffnungswand gegen die Hülse und die Hülse gegen das Stiftelement abdichtet. Weiterhin betrifft die Erfindung eine Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitereinrichtung.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Leistungshalbleitereinrichtung mit einem Gehäuse und ein Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitereinrichtung.
  • Aus der DE 10 2012 219 791 A1 ist eine Leistungshalbleitereinrichtung mit Leistungshalbleiterbauelementen, einem Gehäuse und mit elektrischen Anschlusselementen bekannt. Die elektrischen Anschlusselemente der Leistungshalbleitereinrichtung dienen zum elektrischen Anschluss von elektrisch leitenden Laststromanschlusselementen. Die elektrischen Anschlusselemente der Leistungshalbleitereinrichtung verlaufen dabei durch eine Gehäusewand hindurch von der Innenseite zur Außenseite des Gehäuses. Um das Eindringen von Schmutzpartikeln und Feuchtigkeit in das Innere des Gehäuses zu verhindern, sind die elektrischen Anschlusselemente der Leistungshalbleitereinrichtung gegen die Gehäusewand abgedichtet.
  • Es ist Aufgabe der Erfindung eine Leistungshalbleitereinrichtung mit einem Gehäuse zu schaffen, bei der das Eindringen von Schmutzpartikeln und Feuchtigkeit in das Innere des Gehäuses zuverlässig und dauerhaft vermieden wird.
  • Diese Aufgabe wird gelöst durch eine Leistungshalbleitereinrichtung mit einem Leistungshalbleiterbauelement, mit einem eine Gehäuseöffnung aufweisenden Gehäuse, mit einem durch die Gehäuseöffnung hindurchlaufendem Stiftelement, das zumindest außerhalb des Gehäuses ein Gewinde aufweist, mit einer zwischen einer, die Gehäuseöffnung begrenzenden, um das Stiftelement umlaufenden, Gehäuseöffnungswand des Gehäuses und dem Stiftelement angeordneten elastischen Dichteinrichtung und mit einer ein elektrisches Anschlusselement der Leistungshalbleitereinrichtung ausbildenden elektrisch leitenden Hülse, wobei das Stiftelement durch die Hülse und durch eine Dichteinrichtungsöffnung des Dichtelements hindurchverläuft, wobei zwischen der Hülse und der Gehäuseöffnungswand ein erstes Dichtelement der Dichteinrichtung und zwischen der Hülse und dem Stiftelement ein zweites Dichtelement der Dichteinrichtung angeordnet ist, wobei die Dichteinrichtung mit der Hülse, mit der Gehäuseöffnungswand und mit dem Stiftelement nicht stoffschlüssig verbunden ist und die Dichteinrichtung die Gehäuseöffnungswand gegen die Hülse und die Hülse gegen das Stiftelement abdichtet, und mit einer auf der Dichteinrichtung angeordneten vernetzten Vergussdichtungsmasse, wobei die vernetzte Vergussdichtungsmasse zwischen der Hülse und der Gehäuseöffnungswand und zwischen der Hülse und dem Stiftelement angeordnet ist, wobei die vernetzte Vergussdichtungsmasse mit der Hülse, mit der Gehäuseöffnungswand und mit dem Stiftelement stoffschlüssig verbunden ist und die Vergussdichtungsmasse die Gehäuseöffnungswand gegen die Hülse und die Hülse gegen das Stiftelement abdichtet.
  • Weiterhin wird diese Aufgabe gelöst durch ein Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitereinrichtung mit folgenden Verfahrensschritten:
    1. a) Bereitstellen einer Leistungshalbleitereinrichtungsvorprodukts mit einem Leistungshalbleiterbauelement, mit einem eine Gehäuseöffnung aufweisenden Gehäuse, mit einem innerhalb des Gehäuses angeordneten, mit einem durch die Gehäuseöffnung hindurchlaufendem Stiftelement, das zumindest außerhalb des Gehäuses ein Gewinde aufweist, mit einer zwischen einer, die Gehäuseöffnung begrenzenden, um das Stiftelement umlaufenden, Gehäuseöffnungswand des Gehäuses und dem Stiftelement angeordneten elastischen Dichteinrichtung und mit einer ein elektrisches Anschlusselement der Leistungshalbleitereinrichtung ausbildenden elektrisch leitenden Hülse, wobei das Stiftelement durch die Hülse und durch eine Dichteinrichtungsöffnung des Dichtelements hindurchverläuft, wobei zwischen der Hülse und der Gehäuseöffnungswand ein erstes Dichtelement der Dichteinrichtung und zwischen der Hülse und dem Stiftelement ein zweites Dichtelement der Dichteinrichtung angeordnet ist, wobei die Dichteinrichtung mit der Hülse, mit der Gehäuseöffnungswand und mit dem Stiftelement nicht stoffschlüssig verbunden ist und die Dichteinrichtung die Gehäuseöffnungswand gegen die Hülse und die Hülse gegen das Stiftelement abdichtet,
    2. b) Anordnen einer flüssigen oder gallertartigen unvernetzten Vergussdichtungsmasse auf der Dichteinrichtung, wobei die unvernetzte Vergussdichtungsmasse zwischen der Hülse und der Gehäuseöffnungswand und zwischen der Hülse und dem Stiftelement angeordnet ist, wobei die unvernetzte Vergussdichtungsmasse mit der Hülse, mit der Gehäuseöffnungswand und mit dem Stiftelement einen mechanischen Kontakt aufweist,
    3. c) Vernetzten der unvernetzten Vergussdichtungsmasse, wodurch eine vernetzte Vergussdichtungsmasse ausgebildet wird, die die Gehäuseöffnungswand gegen die Hülse und die Hülse gegen das Stiftelement abdichtet.
  • Vorteilhafte Ausbildungen des Verfahrens ergeben sich analog zu vorteilhaften Ausbildungen der Leistungshalbleitereinrichtung und umgekehrt.
  • Es erweist sich als vorteilhaft, wenn die die vernetzte Vergussdichtungsmasse aus einem vernetzten Silikon, insbesondere aus einem vernetzten Silikonkautschuk, ausgebildet ist, da dann eine sehr zuverlässige Abdichtung erzielt wird.
  • Weiterhin erweist es sich als vorteilhaft, wenn die Hülse eine, von ihrer einem außerhalb des Gehäuses angeordneten Stiftelementaußenende des Stiftelements zugewandten Seite ausgehende, in Achsrichtung des Stiftelements verlaufende, erste Ausnehmung aufweist, wobei die Dichteinrichtung einstückig ausgebildet ist und einen durch die erste Ausnehmung hindurch verlaufenden ersten Verbindungsabschnitt aufweist, der das erste Dichtelement mit dem zweiten Dichtelement verbindet, da dann das erste Dichtelement mit dem zweiten Dichtelement sehr zuverlässig verbunden ist.
  • In diesem Zusammenhang erweist es sich als vorteilhaft, wenn die Hülse eine, von ihrer einem außerhalb des Gehäuses angeordneten Stiftelementaußenende des Stiftelements zugewandten Seite ausgehende, in Achsrichtung des Stiftelements verlaufende, zweite Ausnehmung aufweist, wobei die Dichteinrichtung einen durch die zweite Ausnehmung hindurch verlaufenden zweiten Verbindungsabschnitt aufweist, der das erste Dichtelement mit dem zweiten Dichtelement verbindet, da dann das erste Dichtelement mit dem zweiten Dichtelement sehr zuverlässig verbunden ist.
  • In diesem Zusammenhang erweist es sich als vorteilhaft, wenn die zweite Ausnehmung gegenüberliegend zur ersten Ausnehmung angeordnet ist und der zweite Verbindungsabschnitt gegenüberliegend zum ersten Verbindungsabschnitt angeordnet ist, da dann das erste Dichtelement mit dem zweiten Dichtelement besonders zuverlässig verbunden ist.
  • Ferner erweist es sich als vorteilhaft, wenn das erste und zweite Dichtelement und die Hülse jeweilig hohlzylinderförmig ausgebildet sind und das Stiftelement eine kreisförmige Querschnittsfläche aufweist, da runde Konturen besonders zuverlässig abgedichtet werden können.
  • Ferner erweist es sich als vorteilhaft, wenn die Dichteinrichtung aus einem Elastomer ausgebildet ist, da dann eine sehr zuverlässige Abdichtung erzielt wird.
  • Weiterhin erweist es sich als vorteilhaft, wenn die Leistungshalbleitereinrichtung einen Haltekörper aufweist, wobei das Stiftelement mit dem Haltekörper verdrehsicher verbunden ist, insbesondere in den Haltekörper eingespritzt ist. Hierdurch ist das Stiftelement mechanisch sehr zuverlässig mit der übrigen Leistungshalbleitereinrichtung verbunden.
  • Weiterhin erweist es sich als vorteilhaft, wenn die Leistungshalbleitereinrichtung ein innerhalb des Gehäuses angeordnetes und mit dem Leistungshalbleiterbauelement elektrisch leitend verbundenes elektrisch leitendes Verbindungselement aufweist, wobei die elektrisch leitende Hülse über dem Verbindungselement angeordnet ist, da dann die Hülse auf einfache Art und Weise mit dem Verbindungselement elektrisch leitend verbunden werden kann.
  • In diesem Zusammenhang erweist es sich als vorteilhaft, wenn die Hülse auf dem Verbindungselement angeordnet ist. Hierdurch wird eine Bewegung der Hülse in Richtung auf das Verbindungselement, wenn das Krafterzeugungselement eine in Richtung auf die Hülse wirkende Kraft auf das Laststromanschlusselement erzeugt, zuverlässig vermieden.
  • Weiterhin erweist sich eine Leistungshalbleiteranordnung mit einer erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung und mit einem eine dritte Ausnehmung aufweisenden elektrisch leitenden Laststromanschlusselement, das außerhalb des Gehäuses derart angeordnet ist, dass das Stiftelement durch die dritte Ausnehmung hindurch verläuft, wobei ein auf das Gewinde des Stiftelements gedrehtes, ein Gewinde aufweisendes Krafterzeugungselement der Leistungshalbleiteranordnung eine in Richtung auf die Hülse wirkende Kraft auf das Laststromanschlusselement erzeugt, wodurch das Laststromanschlusselement gegen die Hülse gedrückt angeordnet ist und ein elektrisch leitender Druckkontakt der Hülse mit dem Laststromanschlusselement ausgebildet ist, als vorteilhaft.
  • Es sei angemerkt, dass die hier im Singular beschriebenen Elemente gegebenenfalls mehrfach vorhanden sein können.
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die untenstehenden Figuren erläutert. Dabei zeigen:
    • 1 eine perspektivische Ansicht einer Leistungshalbleiteranordnung mit einer erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung,
    • 2 eine perspektivische Schnittansicht einer erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtu ng,
    • 3 eine Detailansicht von 2,
    • 4 eine perspektivische Ansicht einer Hülse und einer Dichteinrichtung der erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung in einer Explosionsdarstellung und
    • 5 eine Schnittansicht eines Leistungshalbleitereinrichtungsvorprodukts und einer externen Wärmerzeugungseinrichtung.
  • Gleiche Elemente sind in den Figuren mit gleichen Bezugszeichen versehen. Es sei angemerkt, dass der Übersichtlichkeit halber in den Figuren eventuell vorhandene Löt- oder Sintermetallschichten nicht dargestellt sind.
  • In 1 ist eine perspektivische Ansicht einer Leistungshalbleiteranordnung 30 mit einer erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung 1 dargestellt. In 2 ist eine perspektivische Schnittansicht der erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung 1 und in 3 ist eine Ausschnittvergrößerung A von 2 dargestellt. In 4 ist eine perspektivische Ansicht einer Hülse 5 und einer Dichteinrichtung 6 der erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung 1 in einer Explosionsdarstellung dargestellt. Bei der Herstellung der Leistungshalbleitereinrichtung 1 ist im Rahmen des Ausführungsbeispiels die Dichteinrichtung 6 auf die Hülse 5 derart aufgeschoben, dass ein erster Verbindungsabschnitt 6c der Dichteinrichtung 6 in einer ersten Ausnehmung 5a der Hülse 5 und ein zweiter Verbindungsabschnitt 6d der Dichteinrichtung 6 in einer zweiten Ausnehmung 5b der Hülse 5 angeordnet ist und der obere Teil der Hülse 5 durch Dichteinrichtungsausnehmungen 6h und 6i der Dichteinrichtung 6 verläuft. Der in 2 und 3 dargestellte Schnitt verläuft durch die Verbindungsabschnitte 6c und 6d und durch die Ausnehmungen 5a und 5b hindurch.
  • Die Leistungshalbleiteranordnung 30 weist eine erfindungsgemäße Leistungshalbleitereinrichtung 1 und Laststromanschlusselemente 4 auf, die jeweils mit Hilfe eines ein Gewinde aufweisenden Krafterzeugungselements 9, das vorzugsweise als Schraubenmutter ausgebildet ist, mit einem jeweiligen elektrischen Anschlusselement der Leistungshalbleitereinrichtung 1, d.h. mit einer jeweiligen Hülse 5, elektrisch leitend verbunden sind. Die Laststromanschlusselemente 4 können z.B. mit einem Elektromotor zur Energieversorgung des Elektromotors elektrisch leitend verbunden sein. Die Laststromanschlusselemente 4 können z.B. als Stromschienen oder Kabelschuhe ausgebildet sein. Die Leistungshalbleitereinrichtung 1 weist in der Regel zu einem Stromrichter elektrisch verschaltete Leistungshalbleiterbauelemente 11 auf und kann z.B. die zur Energieversorgung eines Elektromotors benötigten elektrischen Ströme erzeugen.
  • Die Leistungshalbleitereinrichtung 1 weist mindestens ein Leistungshalbleiterbauelement 11, in der Regel aber mehrere Leistungshalbleiterbauelemente 11 auf, die mit elektrisch leitenden einstückig oder mehrstückig ausgebildeten Verbindungselementen 3 elektrisch leitend verbundenen sind. Die Leistungshalbleiterbauelemente 11 sind vorzugsweise auf mindestens einer elektrischen leitenden Leiterbahn eines Substrats 10 der Leistungshalbleitereinrichtung 1 angeordnet. Die Leistungshalbleiterbauelemente 11 sind dabei mit der mindestens einen Leiterbahnen, vorzugsweise über eine zwischen den Leistungshalbleiterbauelementen 11 und den Leiterbahnen angeordnete Löt- oder Sintermetallschicht, elektrisch leitend verbunden. Die Leiterbahnen werden durch eine elektrisch leitende strukturierte erste Leitungsschicht des Substrats 10 ausgebildet. Das jeweilige Leistungshalbleiterbauelement 11 liegt vorzugweise in Form eines Leistungshalbleiterschalters oder einer Diode vor. Die Leistungshalbleiterschalter liegen dabei vorzugsweise in Form von Transistoren, wie z.B. IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor) oder MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) vor.
  • Weiterhin weist das Leistungshalbleitermodul 1 vorzugsweise eine Grundplatte 14 auf, auf der das Substrat 10, das im Rahmen des Ausführungsbeispiels als ein Direct Copper Bonded Substrat (DCB-Substrat) ausgebildet ist, angeordnet ist.
  • Das Verbindungselement 3 ist mit dem Leistungshalbleiterbauelement 11 elektrisch leitend verbunden. Im Rahmen des Ausführungsbeispiels ist das Verbindungselement 3 hierzu mit dem Substrat 10, z.B. mittels einer stoffschlüssigen Verbindung, wie z.B. eine Löt-, Sinter- oder Schweißverbindung, elektrisch leitend kontaktiert. Das Verbindungselement 3 besteht vorzugsweise zumindest im Wesentlichen aus Kupfer oder einer Kupferlegierung.
  • Die Leistungshalbleitereinrichtung 1 weist ein Gehäuse 2 auf, das vorzugsweise aus Kunststoff besteht. Das Gehäuse 2 ist vorzugsweise auf der Grundplatte 4 angeordnet und vorzugsweise, z.B. mittels Schrauben 19, mit dieser verbunden. Das Gehäuse 2 bedeckt die Leistungshalbleiterbauelemente 11. Das Gehäuse 2 weist eine Gehäuseöffnung 12 auf durch die ein Stiftelement 7 der Leistungshalbleitereinrichtung 1 hindurchläuft, das zumindest außerhalb des Gehäuses 2 ein Gewinde 13 aufweist.
  • Die Leistungshalbleitereinrichtung 1 weist weiterhin eine zwischen einer, die Gehäuseöffnung 12 begrenzenden, um das Stiftelement 7 umlaufenden, Gehäuseöffnungswand 2a des Gehäuses 2 und dem Stiftelement 7 angeordnete elastische Dichteinrichtung 6 auf. Die Dichteinrichtung 6 ist vorzugsweise aus einem Elastomer ausgebildet. Das Elastomer ist vorzugsweise aus einem vernetzten Silikon, insbesondere aus einem vernetzten Silikonkautschuk ausgebildet. Die Dichteinrichtung 6 ist, wie beim Ausführungsbeispiel, vorzugsweise einstückig ausgebildet, kann aber auch mehrstückig ausgebildet sein.
  • Die Leistungshalbleitereinrichtung 1 weist weiterhin eine über dem Verbindungselement 3 angeordnete elektrisch leitende Hülse 5 auf, wobei das Stiftelement 7 durch die Hülse 5 und durch eine Dichtelementöffnung 6g des Dichtelements 6 hindurchverläuft. Die Hülse 5 bildet ein elektrisches Anschlusselement der Leistungshalbleitereinrichtung 1 aus, d.h. die Hülse 5 dient zum elektrischen Anschluss von einem externen stromführenden Element, wie z.B. einem Laststromanschlusselement 4, an die Leistungshalbleitereinrichtung 1. Durch das Material der Hülse 5 fließt im Betrieb der Leistungshalbleitereinrichtung 1 ein elektrischer Laststrom. Die Hülse 5, genauer ausgedrückt die dem Verbindungselement 3 zugewandte Seite 5d der Hülse 5, ist vorzugsweise, wie in den 2 und 3 dargestellt, auf dem Verbindungselement 3 angeordnet und weist einen elektrisch leitenden Kontakt mit dem Verbindungselement 3 auf. Beim Ausführungsbeispiel ist die Hülse 5 auf dem Verbindungselement 3 angeordnet, indem sie auf dem Verbindungselement 3 aufliegt. Die Hülse 5 kann mit dem Verbindungselement 3 stoffschlüssig, z.B. mittels einer Löt-, Sinter- oder Schweißverbindung verbunden sein. Beim Ausführungsbeispiel weist die Hülse 5 mit dem Verbindungselement 3 keine stoffschlüssige Verbindung auf. Die Hülse 5 kann aber auch auf dem Verbindungselement 3 angeordnet und einen elektrisch leitenden Kontakt mit dem Verbindungselement 3 aufweisen, indem zwischen Hülse 5 und dem Verbindungselement 3 eine Löt- oder Sinterschicht angeordnet ist. Wenn die Hülse 5 nicht auf dem Verbindungselement 3 angeordnet ist, dann kann zwischen der Hülse 5 und dem Verbindungselement 3 ein schmaler Luftspalt vorhanden sein. Das Verbindungselement 3 weist vorzugsweise eine Verbindungselementausnehmung 18 auf, durch die das Stiftelement 7 hindurchverläuft. Das Stiftelement 7 verläuft vorzugsweise in Normalenrichtung N des Substrats 10. Die Hülse 5 ist vorzugsweise als Hohlzylinder ausgebildet. Es sei angemerkt, dass die Hülse 5 allgemein mittels eines beliebigen elektrisch leitenden Verbindungsmittels (z.B. Kabel, Kupferband) mit dem Leistungshalbleiterbauelement 11 elektrisch leitend verbunden sein kann.
  • Zwischen der Hülse 5 und der Gehäuseöffnungswand 2a ist ein erstes Dichtelement 6a der Dichteinrichtung 6 und zwischen der Hülse 5 und dem Stiftelement 7 ein zweites Dichtelement 6b der Dichteinrichtung 6 angeordnet. Das jeweilige Dichtelement 6a bzw. 6b ist ringförmig ausgebildet. Die Dichteinrichtung 6 ist mit der Hülse 5, mit der Gehäuseöffnungswand 2a und mit dem Stiftelement 7 nicht stoffschlüssig verbunden. Die Dichteinrichtung 6 liegt bei der Herstellung des Leistungshalbleitereinrichtung 1 als bereits vorgefertigtes Element vor. Die Dichteinrichtung 6 dichtet die Gehäuseöffnungswand 2a mittels des erstes Dichtelements 6a gegen die Hülse 5 und die Hülse 5 mittels des zweiten Dichtelements 6b gegen das Stiftelement 7 ab.
  • Wie beispielhaft in 4 dargestellt, weist die Hülse 5 vorzugsweise eine, von ihrer einem außerhalb des Gehäuses 2 angeordneten Stiftelementaußenende 7a des Stiftelements 7 zugewandten Seite 5c ausgehende, in Achsrichtung B des Stiftelements 7 verlaufende, erste Ausnehmung 5a auf. Beim Ausführungsbeispiel weist die Hülse 5 eine, von ihrer dem Verbindungselement 3 abgewandten Seite 5c ausgehende, in Richtung auf das Verbindungselement 3 verlaufende, erste Ausnehmung 5a auf. Die Dichteinrichtung 6 ist hier einstückig ausgebildet und weist einen durch die erste Ausnehmung 5a hindurch verlaufenden ersten Verbindungsabschnitt 6c auf, der das erste Dichtelement 6a mit dem zweiten Dichtelement 6b verbindet. Durch den ersten Verbindungsabschnitt 6c wird in Wirkverbindung mit der ersten Ausnehmung 5a sichergestellt, dass das zweite Dichtelementteil 6b zuverlässig und dauerhaft an seiner Position verbleibt. Es sei angemerkt, dass die Dichteinrichtung 6 auch mehrstückig ausgebildet sein kann und somit das erste und zweite Dichtelement 6a und 6b z.B. auch als separate Dichtringe ausgebildet sein können.
  • Die Hülse 5 weist vorzugsweise eine, von ihrer einem außerhalb des Gehäuses 2 angeordneten Stiftelementaußenende 7a des Stiftelements 7 zugewandten Seite 5c ausgehende, in Achsrichtung B des Stiftelements 7 verlaufende, zweite Ausnehmung 5b auf. Die Hülse 5 weist beim Ausführungsbeispiel eine, von ihrer dem Verbindungselement 3 abgewandten Seite 5c ausgehende, in Richtung auf das Verbindungselement 3 verlaufende, zweite Ausnehmung 5b auf, wobei die Dichteinrichtung 6 einen durch die zweite Ausnehmung 5b hindurch verlaufenden zweiten Verbindungsabschnitt 6d aufweist, der das erste Dichtelement 6a mit dem zweiten Dichtelement 6b verbindet. Die zweite Ausnehmung 5b ist dabei vorzugsweise gegenüberliegend zur ersten Ausnehmung 5a angeordnet, wobei der zweite Verbindungsabschnitt 6d gegenüberliegend zum ersten Verbindungsabschnitt 6c angeordnet ist.
  • Die Hülse 5 besteht vorzugsweise zumindest im Wesentlichen aus Kupfer oder einer Kupferlegierung. Die Hülse 5 kann eine Silberbeschichtung aufweisen. Das erste und zweite Dichtelement 6a und 6b und die Hülse 5 sind im Rahmen des Ausführungsbeispiels jeweilig hohlzylinderförmig ausgebildet, wobei das Stiftelement 7 eine kreisförmige Querschnittsfläche aufweist.
  • Die Leistungshalbleitereinrichtung 1 weist weiterhin eine auf einer dem Verbindungselement 3 abgewandten Seite 6e der Dichteinrichtung 6 angeordnete vernetzte Vergussdichtungsmasse 40 auf. Die vernetzte Vergussdichtungsmasse 40 ist zwischen der Hülse 5 und der Gehäuseöffnungswand 2a und zwischen der Hülse 5 und dem Stiftelement 7 angeordnet ist, wobei die vernetzte Vergussdichtungsmasse 40 mit der Hülse 5, mit der Gehäuseöffnungswand 2a und mit dem Stiftelement 7 stoffschlüssig verbunden ist. Die Vergussdichtungsmasse 40 dichtet die Gehäuseöffnungswand 2a gegen die Hülse 5 und die Hülse 5 gegen das Stiftelement 7 ab. Die vernetzte Vergussdichtungsmasse 40 ist vorzugsweise aus einem vernetzten Silikon, insbesondere aus einem vernetzten Silikonkautschuk, ausgebildet. Bei der Herstellung der Leistungshalbleitereinrichtung 1 wird eine flüssige oder gallertartige unvernetzte Vergussdichtungsmasse 40' (siehe 5) auf der dem Verbindungselement 3 abgewandten Seite 6e der Dichteinrichtung 6 angeordnet und anschließend vernetzt, wodurch sich aus der unvernetzten Vergussdichtungsmasse 40' die mit der Hülse 5, mit der Gehäuseöffnungswand 2a und mit dem Stiftelement 7 stoffschlüssig verbundene vernetzte Vergussdichtungsmasse 40 ausbildet. Die Dichteinrichtung 6 verhindert, dass beim Anordnen der flüssigen oder gallertartigen unvernetzten Vergussdichtungsmasse 40' diese innerhalb des Gehäuses 2 in den unterhalb der Dichteinrichtung 6 angeordneten Bereich der Leistungshalbleitereinrichtung 1 fließt.
  • Bei der Erfindung wirkt die vernetzte Vergussdichtungsmasse 40 als Hauptdichtung und die Dichteinrichtung 6 als Zusatzdichtung. Durch die bei der Erfindung somit realisierte zweistufige Abdichtung der Gehäuseöffnung wird das Eindringen von Schmutzpartikeln und Feuchtigkeit in das Innere des Gehäuses zuverlässig und dauerhaft vermieden. Da die Dichteinrichtung 6 zusätzlich auch verhindert, dass beim Anordnen der flüssigen oder gallertartigen unvernetzten Vergussdichtungsmasse 40' diese innerhalb des Gehäuses 2 in den unterhalb der Dichteinrichtung 6 angeordneten Bereich der Leistungshalbleitereinrichtung 1 fließt, ist die Leistungshalbleitereinrichtung 1 weiterhin auch einfach und rationell herstellbar.
  • Die Leistungshalbleitereinrichtung 1 weist vorzugsweise einen Haltekörper 17 auf, wobei das Stiftelement 7 mit dem Haltekörper 17 verdrehsicher verbunden ist, insbesondere in den Haltekörper 17 eingespritzt ist. Der Haltekörper 17 ist vorzugsweise auf der Grundplatte 14 angeordnet und vorzugsweise mit der Grundplatte 14, z.B. mittels einer Schraubverbindung, verbunden.
  • Die Leistungshalbleitereinrichtung 1 kann z.B. in ein Fahrzeug, wie z.B. einem Gabelstapler, oder z.B. in einen Schaltschrank eingebaut werden. Das Fahrzeug, der Schaltschrank, bzw. allgemein eine externe elektrische Komponente mit der die erfindungsgemäße Leistungshalbleitereinrichtung 1 elektrisch leitend verbunden werden soll, weist elektrisch leitende Laststromanschlusselemente 4 auf, die dazu vorgesehen sind mit der erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung 1 elektrisch leitend verbunden zu werden. Beim elektrischen Anschluss der Laststromanschlusselemente 4 an die Leistungshalbleitereinrichtung 1, genauer ausgedrückt an die Hülsen 5, wird die Leistungshalbleiteranordnung 30 hergestellt. Das jeweilige Laststromanschlusselement 4 besteht vorzugsweise zumindest im Wesentlichen aus Kupfer oder einer Kupferlegierung.
  • Zur Herstellung der Leistungshalbleiteranordnung 30 erfolgt ein Anordnen eines eine dritte Ausnehmung aufweisenden elektrisch leitenden Laststromanschlusselements 4 außerhalb des Gehäuses 2 der Leistungshalbleitereinrichtung 1 derart, dass das Stiftelement 7 durch die dritte Ausnehmung hindurch verläuft. Anschließend erfolgt ein Anordnen und Drehen eines ein Gewinde aufweisenden Krafterzeugungselements 9 auf das Gewinde 13 des Stiftelements 7, so dass das Krafterzeugungselement 9 eine in Richtung auf die Hülse 5, genauer ausgedrückt eine in Richtung auf die dem Laststromanschlusselement 4 zugewandte Seite 5c der Hülse 5, wirkende Kraft F auf das Laststromanschlusselement 4 erzeugt, wodurch das Laststromanschlusselement 4 gegen die Hülse 5, genauer ausgedrückt gegen die dem Laststromanschlusselement 4 zugewandte Seite 5c der Hülse 5, gedrückt wird und ein elektrisch leitender Druckkontakt der Hülse 5 mit dem Laststromanschlusselement 4 ausgebildet wird. Die Hülse 5 ist elektrisch leitend mit dem Verbindungselement 3 kontaktiert. Der elektrisch leitende Kontakt zwischen der Hülse 5 und dem Verbindungselement 3 kann in Form eines elektrisch leitenden stoffschlüssigen Kontakts (z.B. Löt-, Schweiß- oder Sinterverbindung) oder wie beim Ausführungsbeispiel als Druckkontakt realisiert sein. Die Hülse 5, genauer die dem Verbindungselement 3 zugewandte Seite 5d der Hülse 5 drückt dabei gegen das Verbindungselement 3.
  • Falls zwischen der Hülse 5 und dem Verbindungselement 3 ein schmaler Luftspalt vorhanden ist, dann wird der Luftspalt geschlossen, indem sich die Hülse 5 durch die Kraft F auf das Verbindungselement 3 zu bewegt, bis sie einen mechanischen Kontakt und somit auch einen elektrisch leitenden Kontakt mit dem Verbindungselement 3 aufweist. Hierbei wird ausgenutzt, dass die vernetzte Vergussdichtungsmasse 40 eine gewisse Elastizität aufweist. Das Verbindungelement 3 bildet ein Widerlager für die Hülse 5. Der Haltekörper 17 bildet ein Widerlager für das Verbindungelement 3. Das Laststromanschlusselement 4 ist über die Hülse 7 mit dem Verbindungselement 3 elektrisch leitend verbunden. Das Krafterzeugungselement 9 ist vorzugsweise als Schraubenmutter ausgebildet.
  • Die Leistungshalbleiteranordnung 30 weist somit eine erfindungsgemäße Leistungshalbleitereinrichtung 1, ein, eine dritte Ausnehmung aufweisendes, elektrisch leitendes Laststromanschlusselement 4 und ein, ein Gewinde aufweisendes, Krafterzeugungselement 9 auf. Das Laststromanschlusselement 4 ist derart außerhalb des Gehäuses 2 der Leistungshalbleitereinrichtung 1 angeordnet, dass das Stiftelement 7 der Leistungshalbleitereinrichtung 1 durch die dritte Ausnehmung hindurch verläuft, wobei das Krafterzeugungselement 9 auf das Gewinde 13 des Stiftelements 7 gedreht ist und eine in Richtung auf die Hülse 5 der Leistungshalbleitereinrichtung 1 wirkende Kraft F auf das Laststromanschlusselement 4 erzeugt, wodurch das Laststromanschlusselement 4 gegen die Hülse 5 gedrückt angeordnet ist und ein elektrisch leitender Druckkontakt der Hülse 5 mit dem Laststromanschlusselement 4 ausgebildet ist und wodurch beim Ausführungsbeispiel die Hülse 5 gegen das Verbindungselement 3 gedrückt angeordnet ist und ein elektrisch leitender Druckkontakt der Hülse 5 mit dem Verbindungselement 3 ausgebildet ist.
  • Im Folgenden wird ein Verfahren zur Herstellung der erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung 1 mit aufeinanderfolgenden Verfahrensschritten angeben. Vorteilhafte Ausbildungen des Verfahrens ergeben sich analog zu vorteilhaften Ausbildungen und Ausbildungsvarianten der zuvor beschriebenen erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung 1, so dass um Wiederholungen zu vermeiden diese nachfolgend nicht mehr noch einmal beschrieben sind. Die am Ende des Verfahrens gemäß 5 hergestellte Leistungshalbleitereinrichtung 1 stimmt mit der erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung 1 gemäß der 1 bis 4 einschließlich vorteilhafter Ausbildungen und Ausbildungsvarianten überein.
  • Wie beispielhaft in 5 dargestellt, erfolgt in einem ersten Verfahrensschritt a) ein Bereitstellen eines Leistungshalbleitereinrichtungsvorprodukts 1'. Das Leistungshalbleitereinrichtungsvorprodukt 1' weist ein Leistungshalbleiterbauelement 11, eine Gehäuseöffnung 12 aufweisendes Gehäuse 2, vorzugsweise ein innerhalb des Gehäuses 2 angeordnetes und mit dem Leistungshalbleiterbauelement 11 elektrisch leitend verbundenes elektrisch leitendes Verbindungselement 3 und ein durch die Gehäuseöffnung 12 hindurchlaufendes Stiftelement 7, das zumindest außerhalb des Gehäuses 2 ein Gewinde 13 aufweist, auf. Es sei angemerkt, dass der Übersichtlichkeit halber in 5 das Gewinde 13 des Stiftelements 7 nicht dargestellt ist. Das Leistungshalbleitereinrichtungsvorprodukts 1' weist weiterhin eine zwischen einer, die Gehäuseöffnung begrenzenden, um das Stiftelement 7 umlaufenden, Gehäuseöffnungswand 2a des Gehäuses 2 und dem Stiftelement 7 angeordnete elastische Dichteinrichtung 6 und eine, hier über dem Verbindungselement 3 angeordnete, elektrisch leitenden Hülse 5 auf. Das Stiftelement 7 verläuft durch die Hülse 5 und durch eine Dichteinrichtungsöffnung 6g des Dichtelements 6 hindurch, wobei zwischen der Hülse 5 und der Gehäuseöffnungswand 2a ein erstes Dichtelement 6a der Dichteinrichtung 6 und zwischen der Hülse 5 und dem Stiftelement 7 ein zweites Dichtelement 6b der Dichteinrichtung 6 angeordnet ist, wobei die Dichteinrichtung 6 mit der Hülse 5, mit der Gehäuseöffnungswand 2a und mit dem Stiftelement 7 nicht stoffschlüssig verbunden ist und die Dichteinrichtung 6 die Gehäuseöffnungswand 2a gegen die Hülse 5 und die Hülse gegen das Stiftelement 7 abdichtet. Das Leistungshalbleitereinrichtungsvorprodukt 1' stimmt mit der erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung 1 gemäß der 1 bis 4 einschließlich vorteilhafter Ausbildungen und Ausbildungsvarianten bis auf das Vorhandensein der vernetzten Vergussdichtungsmasse 40 überein. Die vernetzte Vergussdichtungsmasse 40 fehlt beim Leistungshalbleitereinrichtungsvorprodukt 1'. Es sei angemerkt, dass die Hülse 5 allgemein mittels eines beliebigen elektrisch leitenden Verbindungsmittels (z.B. Kabel, Kupferband) mit dem Leistungshalbleiterbauelement 11 elektrisch leitend verbunden sein kann.
  • In einem nachfolgenden weiteren Verfahrensschritt b) erfolgt ein Anordnen einer flüssigen oder gallertartigen unvernetzten Vergussdichtungsmasse 40' auf der Dichteinrichtung 6, hier auf einer dem Verbindungselement 3 abgewandten Seite 6e der Dichteinrichtung 6, wobei die unvernetzte Vergussdichtungsmasse 40' zwischen der Hülse 5 und der Gehäuseöffnungswand 2a und zwischen der Hülse 5 und dem Stiftelement 7 angeordnet ist, wobei die unvernetzte Vergussdichtungsmasse 40' mit der Hülse 5, mit der Gehäuseöffnungswand 2a und mit dem Stiftelement 7 einen mechanischen Kontakt aufweist. Der oberhalb der Dichteinrichtung 6 angeordnete Bereich der Gehäuseöffnungswand 2a bildet dabei vorzugsweise ein Einfüllbecken für die unvernetzte Vergussdichtungsmasse 40' aus.
  • In einem nachfolgenden weiteren Verfahrensschritt c) erfolgt ein Vernetzten der unvernetzten Vergussdichtungsmasse 40', wodurch eine vernetzte Vergussdichtungsmasse 40 ausgebildet wird, die die Gehäuseöffnungswand 2a gegen die Hülse 5 und die Hülse 5 gegen das Stiftelement 7 abdichtet. Die Vernetzung der unvernetzten Vergussdichtungsmasse 40' wird dabei vorzugsweise beschleunigt, indem das Stiftelement 7 und/oder die Hülse 5 mittels einer externen Wärmerzeugungseinrichtung 41 erwärmt wird. Die unvernetzte Vergussdichtungsmasse 40' wird dabei über das Stiftelement 7 und/oder die Hülse 5 erwärmt, was deren Vernetzung beschleunigt. Die unvernetzte Vergussdichtungsmasse 40' kann dabei z.B. aus zwei unmittelbar vor Verfahrensschritt b) zusammengemischten Komponenten bestehen, die eine Vernetzungsreaktion durchführen. Es sei dabei angemerkt, dass, da in diesem Fall der ganz überwiegende Teil der Vernetzung erst nach dem Verfahrensschritt b) eintritt, im Sinne der Erfindung beim Verfahrensschritt b) noch eine unvernetzte Vergussdichtungsmasse 40' vorliegt. Das Vernetzten der unvernetzten Vergussdichtungsmasse 40' kann z.B. auch durch Bestrahlung der unvernetzten Vergussdichtungsmasse 40' mit UV-Licht eingeleitet werden.
  • Es sei an dieser Stelle angemerkt, dass selbstverständlich Merkmale von verschiedenen Ausführungsbeispielen der Erfindung, sofern sich die Merkmale nicht gegenseitig ausschließen, beliebig miteinander kombiniert werden können, ohne den Rahmen der Erfindung zu verlassen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • DE 102012219791 A1 [0002]

Claims (14)

  1. Leistungshalbleitereinrichtung mit einem Leistungshalbleiterbauelement (11), mit einem eine Gehäuseöffnung (12) aufweisenden Gehäuse (2), mit einem durch die Gehäuseöffnung (12) hindurchlaufendem Stiftelement (7), das zumindest außerhalb des Gehäuses (2) ein Gewinde (13) aufweist, mit einer zwischen einer, die Gehäuseöffnung (12) begrenzenden, um das Stiftelement (7) umlaufenden, Gehäuseöffnungswand (2a) des Gehäuses (2) und dem Stiftelement (7) angeordneten elastischen Dichteinrichtung (6) und mit einem ein elektrisches Anschlusselement der Leistungshalbleitereinrichtung (1) ausbildenden elektrisch leitenden Hülse (5), wobei das Stiftelement (7) durch die Hülse (5) und durch eine Dichteinrichtungsöffnung (6g) des Dichtelements (6) hindurchverläuft, wobei zwischen der Hülse (5) und der Gehäuseöffnungswand (2a) ein erstes Dichtelement (6a) der Dichteinrichtung (6) und zwischen der Hülse (5) und dem Stiftelement (7) ein zweites Dichtelement (6b) der Dichteinrichtung (6) angeordnet ist, wobei die Dichteinrichtung (6) mit der Hülse (5), mit der Gehäuseöffnungswand (2a) und mit dem Stiftelement (7) nicht stoffschlüssig verbunden ist und die Dichteinrichtung (6) die Gehäuseöffnungswand (2a) gegen die Hülse (5) und die Hülse (5) gegen das Stiftelement (7) abdichtet, und mit einer auf der Dichteinrichtung (6) angeordneten vernetzten Vergussdichtungsmasse (40), wobei die vernetzte Vergussdichtungsmasse (40) zwischen der Hülse (5) und der Gehäuseöffnungswand (2a) und zwischen der Hülse (5) und dem Stiftelement (7) angeordnet ist, wobei die vernetzte Vergussdichtungsmasse (40) mit der Hülse (5), mit der Gehäuseöffnungswand (2a) und mit dem Stiftelement (7) stoffschlüssig verbunden ist und die Vergussdichtungsmasse (40) die Gehäuseöffnungswand (2a) gegen die Hülse (5) und die Hülse (5) gegen das Stiftelement (7) abdichtet.
  2. Leistungshalbleitereinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die vernetzte Vergussdichtungsmasse (40) aus einem vernetzten Silikon, insbesondere aus einem vernetzten Silikonkautschuk, ausgebildet ist.
  3. Leistungshalbleitereinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Hülse (5) eine, von ihrer einem außerhalb des Gehäuses (2) angeordneten Stiftelementaußenende (7a) des Stiftelements (7) zugewandten Seite (5c) ausgehende, in Achsrichtung (B) des Stiftelements (7) verlaufende, erste Ausnehmung (5a) aufweist, wobei die Dichteinrichtung (6) einstückig ausgebildet ist und einen durch die erste Ausnehmung (5a) hindurch verlaufenden ersten Verbindungsabschnitt (6c) aufweist, der das erste Dichtelement (6a) mit dem zweiten Dichtelement (6b) verbindet.
  4. Leistungshalbleitereinrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Hülse (5) eine, von ihrer einem außerhalb des Gehäuses (2) angeordneten Stiftelementaußenende (7a) des Stiftelements (7) zugewandten Seite (5c) ausgehende, in Achsrichtung (B) des Stiftelements (7) verlaufende, zweite Ausnehmung (5b) aufweist, wobei die Dichteinrichtung (6) einen durch die zweite Ausnehmung (5b) hindurch verlaufenden zweiten Verbindungsabschnitt (6d) aufweist, der das erste Dichtelement (6a) mit dem zweiten Dichtelement (6b) verbindet.
  5. Leistungshalbleitereinrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Ausnehmung (5b) gegenüberliegend zur ersten Ausnehmung (5a) angeordnet ist und der zweite Verbindungsabschnitt (6d) gegenüberliegend zum ersten Verbindungsabschnitt (6c) angeordnet ist.
  6. Leistungshalbleitereinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das erste und zweite Dichtelement (6a,6b) und die Hülse (5) jeweilig hohlzylinderförmig ausgebildet sind und das Stiftelement (7) eine kreisförmige Querschnittsfläche aufweist.
  7. Leistungshalbleitereinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Dichteinrichtung (6) aus einem Elastomer ausgebildet ist.
  8. Leistungshalbleitereinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Leistungshalbleitereinrichtung (1) einen Haltekörper (17) aufweist, wobei das Stiftelement (7) mit dem Haltekörper (17) verdrehsicher verbunden ist, insbesondere in den Haltekörper (17) eingespritzt ist.
  9. Leistungshalbleitereinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Leistungshalbleitereinrichtung (1) ein innerhalb des Gehäuses (2) angeordnetes und mit dem Leistungshalbleiterbauelement (11) elektrisch leitend verbundenes elektrisch leitendes Verbindungselement (3) aufweist, wobei die elektrisch leitende Hülse (5) über dem Verbindungselement (3) angeordnet ist.
  10. Leistungshalbleitereinrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Hülse (5) auf dem Verbindungselement (3) angeordnet ist.
  11. Leistungshalbleiteranordnung mit einer Leistungshalbleitereinrichtung (1), die nach einem der Ansprüche 1 bis 10 ausgebildet ist und mit einem eine dritte Ausnehmung aufweisenden elektrisch leitenden Laststromanschlusselement (4), das außerhalb des Gehäuses (2) derart angeordnet ist, dass das Stiftelement (7) durch die dritte Ausnehmung hindurch verläuft, wobei ein auf das Gewinde (13) des Stiftelements (7) gedrehtes, ein Gewinde aufweisendes Krafterzeugungselement (9) der Leistungshalbleiteranordnung (30) eine in Richtung auf die Hülse (5) wirkende Kraft (F) auf das Laststromanschlusselement (4) erzeugt, wodurch das Laststromanschlusselement (4) gegen die Hülse (5) gedrückt angeordnet ist und ein elektrisch leitender Druckkontakt der Hülse (5) mit dem Laststromanschlusselement (4) ausgebildet ist.
  12. Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitereinrichtung mit folgenden Verfahrensschritten: a) Bereitstellen einer Leistungshalbleitereinrichtungsvorprodukts (1') mit einem Leistungshalbleiterbauelement (11), mit einem eine Gehäuseöffnung (12) aufweisenden Gehäuse (2), mit einem innerhalb des Gehäuses (2) angeordneten, mit einem durch die Gehäuseöffnung (12) hindurchlaufendem Stiftelement (7), das zumindest außerhalb des Gehäuses (2) ein Gewinde (13) aufweist, mit einer zwischen einer, die Gehäuseöffnung (12) begrenzenden, um das Stiftelement (7) umlaufenden, Gehäuseöffnungswand (2a) des Gehäuses (2) und dem Stiftelement (7) angeordneten elastischen Dichteinrichtung (6) und mit einem ein elektrisches Anschlusselement der Leistungshalbleitereinrichtung (1) ausbildenden elektrisch leitenden Hülse (5), wobei das Stiftelement (7) durch die Hülse (5) und durch eine Dichteinrichtungsöffnung (6g) des Dichtelements (6) hindurchverläuft, wobei zwischen der Hülse (5) und der Gehäuseöffnungswand (2a) ein erstes Dichtelement (6a) der Dichteinrichtung (6) und zwischen der Hülse (5) und dem Stiftelement (7) ein zweites Dichtelement (6b) der Dichteinrichtung (6) angeordnet ist, wobei die Dichteinrichtung (6) mit der Hülse (5), mit der Gehäuseöffnungswand (2a) und mit dem Stiftelement (7) nicht stoffschlüssig verbunden ist und die Dichteinrichtung (6) die Gehäuseöffnungswand (2a) gegen die Hülse (5) und die Hülse gegen das Stiftelement (7) abdichtet, b) Anordnen einer flüssigen oder gallertartigen unvernetzten Vergussdichtungsmasse (40') auf der Dichteinrichtung (6), wobei die unvernetzte Vergussdichtungsmasse (40') zwischen der Hülse (5) und der Gehäuseöffnungswand (2a) und zwischen der Hülse (5) und dem Stiftelement (7) angeordnet ist, wobei die unvernetzte Vergussdichtungsmasse (40') mit der Hülse (5), mit der Gehäuseöffnungswand (2a) und mit dem Stiftelement (7) einen mechanischen Kontakt aufweist, c) Vernetzten der unvernetzten Vergussdichtungsmasse (40'), wodurch eine vernetzte Vergussdichtungsmasse (40) ausgebildet wird, die die Gehäuseöffnungswand (2a) gegen die Hülse (5) und die Hülse (5) gegen das Stiftelement (7) abdichtet.
  13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die unvernetzte Vergussdichtungsmasse (40') aus einem unvernetzten Silikon, insbesondere aus einem unvernetzten Silikonkautschuk, ausgebildet ist.
  14. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, dass beim Verfahrensschritt c) die Vernetzung der unvernetzten Vergussdichtungsmasse (40') beschleunigt wird, indem das Stiftelement (7) und/oder die Hülse (5) mittels einer externen Wärmerzeugungseinrichtung (41) erwärmt wird.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11955415B2 (en) 2020-07-03 2024-04-09 Infineon Technologies Austria Ag Semiconductor device package comprising a pin in the form of a drilling screw

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USD929462S1 (en) * 2018-06-04 2021-08-31 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Module
DE102018116429B4 (de) * 2018-07-06 2020-03-05 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitereinrichtung mit einem Leistungshalbleiterbauelement und einem Gehäuse
USD944199S1 (en) * 2020-04-30 2022-02-22 Thermo King Corporation Low power module for controller of transport climate control system
USD942392S1 (en) * 2020-04-30 2022-02-01 Thermo King Corporation High power module for controller of transport climate control system
DE102021129591A1 (de) * 2021-11-12 2023-05-17 Still Gesellschaft Mit Beschränkter Haftung Leistungselektronische Komponente
US20230232596A1 (en) * 2022-01-14 2023-07-20 Nio Technology (Anhui) Co., Ltd. Serviceable and accessible liquid cooled modules

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011076324A1 (de) * 2011-05-24 2012-11-29 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungselektronisches System mit Verbindungseinrichtung erster und zweiter Subsysteme
DE102012219791A1 (de) 2011-10-31 2013-05-02 Infineon Technologies Ag Niederinduktives leistungsmodul
DE102017107763A1 (de) * 2017-04-11 2018-10-11 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitereinrichtung, Leistungshalbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleiteranordnung

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012222015B4 (de) * 2012-11-30 2019-07-18 Infineon Technologies Ag Feuchtigkeitsdichtes Halbleitermodul und ein Verfahren zu dessen Herstellung
DE102013113143B4 (de) * 2013-11-28 2016-04-21 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitereinrichtung
DE102014104194B4 (de) * 2014-03-26 2021-02-25 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitereinrichtung
DE102014106857B4 (de) * 2014-05-15 2020-11-26 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitereinrichtung
DE102016104283B4 (de) * 2016-03-09 2019-05-16 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitereinrichtung mit einem Leistungshalbleitermodul mit einem Gehäuse
DE102016115572B4 (de) * 2016-08-23 2019-06-13 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitereinrichtungssystem mit einer ersten und einer zweiten Leistungshalbleitereinrichtung

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011076324A1 (de) * 2011-05-24 2012-11-29 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungselektronisches System mit Verbindungseinrichtung erster und zweiter Subsysteme
DE102012219791A1 (de) 2011-10-31 2013-05-02 Infineon Technologies Ag Niederinduktives leistungsmodul
DE102017107763A1 (de) * 2017-04-11 2018-10-11 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitereinrichtung, Leistungshalbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleiteranordnung

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11955415B2 (en) 2020-07-03 2024-04-09 Infineon Technologies Austria Ag Semiconductor device package comprising a pin in the form of a drilling screw

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