DE102018114691A1 - Leistungshalbleitereinrichtung mit einem Gehäuse und Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitereinrichtung - Google Patents
Leistungshalbleitereinrichtung mit einem Gehäuse und Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitereinrichtung Download PDFInfo
- Publication number
- DE102018114691A1 DE102018114691A1 DE102018114691.4A DE102018114691A DE102018114691A1 DE 102018114691 A1 DE102018114691 A1 DE 102018114691A1 DE 102018114691 A DE102018114691 A DE 102018114691A DE 102018114691 A1 DE102018114691 A1 DE 102018114691A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- sleeve
- sealing
- power semiconductor
- pin element
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/053—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/32—Holders for supporting the complete device in operation, i.e. detachable fixtures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/528—Geometry or layout of the interconnection structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/71—Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
- H01L24/72—Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R12/00—Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, specially adapted for printed circuits, e.g. printed circuit boards [PCB], flat or ribbon cables, or like generally planar structures, e.g. terminal strips, terminal blocks; Coupling devices specially adapted for printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures; Terminals specially adapted for contact with, or insertion into, printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures
- H01R12/70—Coupling devices
- H01R12/71—Coupling devices for rigid printing circuits or like structures
- H01R12/712—Coupling devices for rigid printing circuits or like structures co-operating with the surface of the printed circuit or with a coupling device exclusively provided on the surface of the printed circuit
- H01R12/714—Coupling devices for rigid printing circuits or like structures co-operating with the surface of the printed circuit or with a coupling device exclusively provided on the surface of the printed circuit with contacts abutting directly the printed circuit; Button contacts therefore provided on the printed circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K5/00—Casings, cabinets or drawers for electric apparatus
- H05K5/06—Hermetically-sealed casings
- H05K5/069—Other details of the casing, e.g. wall structure, passage for a connector, a cable, a shaft
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/14—Mounting supporting structure in casing or on frame or rack
- H05K7/1422—Printed circuit boards receptacles, e.g. stacked structures, electronic circuit modules or box like frames
- H05K7/1427—Housings
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/14—Mounting supporting structure in casing or on frame or rack
- H05K7/1422—Printed circuit boards receptacles, e.g. stacked structures, electronic circuit modules or box like frames
- H05K7/1427—Housings
- H05K7/1432—Housings specially adapted for power drive units or power converters
- H05K7/14329—Housings specially adapted for power drive units or power converters specially adapted for the configuration of power bus bars
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/83801—Soldering or alloying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8384—Sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1203—Rectifying Diode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R4/00—Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation
- H01R4/28—Clamped connections, spring connections
- H01R4/30—Clamped connections, spring connections utilising a screw or nut clamping member
- H01R4/34—Conductive members located under head of screw
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R43/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors
- H01R43/005—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors for making dustproof, splashproof, drip-proof, waterproof, or flameproof connection, coupling, or casing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Die Erfindung betrifft eine Leistungshalbleitereinrichtung mit einem durch eine Gehäuseöffnung hindurchlaufendem Stiftelement, mit einer zwischen einer, die Gehäuseöffnung begrenzenden, um das Stiftelement umlaufenden, Gehäuseöffnungswand des Gehäuses und dem Stiftelement angeordneten elastischen Dichteinrichtung und mit einer Hülse, wobei das Stiftelement durch die Hülse und durch eine Dichteinrichtungsöffnung des Dichtelements hindurchverläuft, wobei die Dichteinrichtung mit der Hülse, mit der Gehäuseöffnungswand und mit dem Stiftelement nicht stoffschlüssig verbunden ist und die Dichteinrichtung die Gehäuseöffnungswand gegen die Hülse und die Hülse gegen das Stiftelement abdichtet, und mit einer auf der Dichteinrichtung angeordneten vernetzten Vergussdichtungsmasse, wobei die vernetzte Vergussdichtungsmasse mit der Hülse, mit der Gehäuseöffnungswand und mit dem Stiftelement stoffschlüssig verbunden ist und die Vergussdichtungsmasse die Gehäuseöffnungswand gegen die Hülse und die Hülse gegen das Stiftelement abdichtet. Weiterhin betrifft die Erfindung eine Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitereinrichtung.
Description
- Die Erfindung betrifft eine Leistungshalbleitereinrichtung mit einem Gehäuse und ein Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitereinrichtung.
- Aus der
DE 10 2012 219 791 A1 ist eine Leistungshalbleitereinrichtung mit Leistungshalbleiterbauelementen, einem Gehäuse und mit elektrischen Anschlusselementen bekannt. Die elektrischen Anschlusselemente der Leistungshalbleitereinrichtung dienen zum elektrischen Anschluss von elektrisch leitenden Laststromanschlusselementen. Die elektrischen Anschlusselemente der Leistungshalbleitereinrichtung verlaufen dabei durch eine Gehäusewand hindurch von der Innenseite zur Außenseite des Gehäuses. Um das Eindringen von Schmutzpartikeln und Feuchtigkeit in das Innere des Gehäuses zu verhindern, sind die elektrischen Anschlusselemente der Leistungshalbleitereinrichtung gegen die Gehäusewand abgedichtet. - Es ist Aufgabe der Erfindung eine Leistungshalbleitereinrichtung mit einem Gehäuse zu schaffen, bei der das Eindringen von Schmutzpartikeln und Feuchtigkeit in das Innere des Gehäuses zuverlässig und dauerhaft vermieden wird.
- Diese Aufgabe wird gelöst durch eine Leistungshalbleitereinrichtung mit einem Leistungshalbleiterbauelement, mit einem eine Gehäuseöffnung aufweisenden Gehäuse, mit einem durch die Gehäuseöffnung hindurchlaufendem Stiftelement, das zumindest außerhalb des Gehäuses ein Gewinde aufweist, mit einer zwischen einer, die Gehäuseöffnung begrenzenden, um das Stiftelement umlaufenden, Gehäuseöffnungswand des Gehäuses und dem Stiftelement angeordneten elastischen Dichteinrichtung und mit einer ein elektrisches Anschlusselement der Leistungshalbleitereinrichtung ausbildenden elektrisch leitenden Hülse, wobei das Stiftelement durch die Hülse und durch eine Dichteinrichtungsöffnung des Dichtelements hindurchverläuft, wobei zwischen der Hülse und der Gehäuseöffnungswand ein erstes Dichtelement der Dichteinrichtung und zwischen der Hülse und dem Stiftelement ein zweites Dichtelement der Dichteinrichtung angeordnet ist, wobei die Dichteinrichtung mit der Hülse, mit der Gehäuseöffnungswand und mit dem Stiftelement nicht stoffschlüssig verbunden ist und die Dichteinrichtung die Gehäuseöffnungswand gegen die Hülse und die Hülse gegen das Stiftelement abdichtet, und mit einer auf der Dichteinrichtung angeordneten vernetzten Vergussdichtungsmasse, wobei die vernetzte Vergussdichtungsmasse zwischen der Hülse und der Gehäuseöffnungswand und zwischen der Hülse und dem Stiftelement angeordnet ist, wobei die vernetzte Vergussdichtungsmasse mit der Hülse, mit der Gehäuseöffnungswand und mit dem Stiftelement stoffschlüssig verbunden ist und die Vergussdichtungsmasse die Gehäuseöffnungswand gegen die Hülse und die Hülse gegen das Stiftelement abdichtet.
- Weiterhin wird diese Aufgabe gelöst durch ein Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitereinrichtung mit folgenden Verfahrensschritten:
- a) Bereitstellen einer Leistungshalbleitereinrichtungsvorprodukts mit einem Leistungshalbleiterbauelement, mit einem eine Gehäuseöffnung aufweisenden Gehäuse, mit einem innerhalb des Gehäuses angeordneten, mit einem durch die Gehäuseöffnung hindurchlaufendem Stiftelement, das zumindest außerhalb des Gehäuses ein Gewinde aufweist, mit einer zwischen einer, die Gehäuseöffnung begrenzenden, um das Stiftelement umlaufenden, Gehäuseöffnungswand des Gehäuses und dem Stiftelement angeordneten elastischen Dichteinrichtung und mit einer ein elektrisches Anschlusselement der Leistungshalbleitereinrichtung ausbildenden elektrisch leitenden Hülse, wobei das Stiftelement durch die Hülse und durch eine Dichteinrichtungsöffnung des Dichtelements hindurchverläuft, wobei zwischen der Hülse und der Gehäuseöffnungswand ein erstes Dichtelement der Dichteinrichtung und zwischen der Hülse und dem Stiftelement ein zweites Dichtelement der Dichteinrichtung angeordnet ist, wobei die Dichteinrichtung mit der Hülse, mit der Gehäuseöffnungswand und mit dem Stiftelement nicht stoffschlüssig verbunden ist und die Dichteinrichtung die Gehäuseöffnungswand gegen die Hülse und die Hülse gegen das Stiftelement abdichtet,
- b) Anordnen einer flüssigen oder gallertartigen unvernetzten Vergussdichtungsmasse auf der Dichteinrichtung, wobei die unvernetzte Vergussdichtungsmasse zwischen der Hülse und der Gehäuseöffnungswand und zwischen der Hülse und dem Stiftelement angeordnet ist, wobei die unvernetzte Vergussdichtungsmasse mit der Hülse, mit der Gehäuseöffnungswand und mit dem Stiftelement einen mechanischen Kontakt aufweist,
- c) Vernetzten der unvernetzten Vergussdichtungsmasse, wodurch eine vernetzte Vergussdichtungsmasse ausgebildet wird, die die Gehäuseöffnungswand gegen die Hülse und die Hülse gegen das Stiftelement abdichtet.
- Vorteilhafte Ausbildungen des Verfahrens ergeben sich analog zu vorteilhaften Ausbildungen der Leistungshalbleitereinrichtung und umgekehrt.
- Es erweist sich als vorteilhaft, wenn die die vernetzte Vergussdichtungsmasse aus einem vernetzten Silikon, insbesondere aus einem vernetzten Silikonkautschuk, ausgebildet ist, da dann eine sehr zuverlässige Abdichtung erzielt wird.
- Weiterhin erweist es sich als vorteilhaft, wenn die Hülse eine, von ihrer einem außerhalb des Gehäuses angeordneten Stiftelementaußenende des Stiftelements zugewandten Seite ausgehende, in Achsrichtung des Stiftelements verlaufende, erste Ausnehmung aufweist, wobei die Dichteinrichtung einstückig ausgebildet ist und einen durch die erste Ausnehmung hindurch verlaufenden ersten Verbindungsabschnitt aufweist, der das erste Dichtelement mit dem zweiten Dichtelement verbindet, da dann das erste Dichtelement mit dem zweiten Dichtelement sehr zuverlässig verbunden ist.
- In diesem Zusammenhang erweist es sich als vorteilhaft, wenn die Hülse eine, von ihrer einem außerhalb des Gehäuses angeordneten Stiftelementaußenende des Stiftelements zugewandten Seite ausgehende, in Achsrichtung des Stiftelements verlaufende, zweite Ausnehmung aufweist, wobei die Dichteinrichtung einen durch die zweite Ausnehmung hindurch verlaufenden zweiten Verbindungsabschnitt aufweist, der das erste Dichtelement mit dem zweiten Dichtelement verbindet, da dann das erste Dichtelement mit dem zweiten Dichtelement sehr zuverlässig verbunden ist.
- In diesem Zusammenhang erweist es sich als vorteilhaft, wenn die zweite Ausnehmung gegenüberliegend zur ersten Ausnehmung angeordnet ist und der zweite Verbindungsabschnitt gegenüberliegend zum ersten Verbindungsabschnitt angeordnet ist, da dann das erste Dichtelement mit dem zweiten Dichtelement besonders zuverlässig verbunden ist.
- Ferner erweist es sich als vorteilhaft, wenn das erste und zweite Dichtelement und die Hülse jeweilig hohlzylinderförmig ausgebildet sind und das Stiftelement eine kreisförmige Querschnittsfläche aufweist, da runde Konturen besonders zuverlässig abgedichtet werden können.
- Ferner erweist es sich als vorteilhaft, wenn die Dichteinrichtung aus einem Elastomer ausgebildet ist, da dann eine sehr zuverlässige Abdichtung erzielt wird.
- Weiterhin erweist es sich als vorteilhaft, wenn die Leistungshalbleitereinrichtung einen Haltekörper aufweist, wobei das Stiftelement mit dem Haltekörper verdrehsicher verbunden ist, insbesondere in den Haltekörper eingespritzt ist. Hierdurch ist das Stiftelement mechanisch sehr zuverlässig mit der übrigen Leistungshalbleitereinrichtung verbunden.
- Weiterhin erweist es sich als vorteilhaft, wenn die Leistungshalbleitereinrichtung ein innerhalb des Gehäuses angeordnetes und mit dem Leistungshalbleiterbauelement elektrisch leitend verbundenes elektrisch leitendes Verbindungselement aufweist, wobei die elektrisch leitende Hülse über dem Verbindungselement angeordnet ist, da dann die Hülse auf einfache Art und Weise mit dem Verbindungselement elektrisch leitend verbunden werden kann.
- In diesem Zusammenhang erweist es sich als vorteilhaft, wenn die Hülse auf dem Verbindungselement angeordnet ist. Hierdurch wird eine Bewegung der Hülse in Richtung auf das Verbindungselement, wenn das Krafterzeugungselement eine in Richtung auf die Hülse wirkende Kraft auf das Laststromanschlusselement erzeugt, zuverlässig vermieden.
- Weiterhin erweist sich eine Leistungshalbleiteranordnung mit einer erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung und mit einem eine dritte Ausnehmung aufweisenden elektrisch leitenden Laststromanschlusselement, das außerhalb des Gehäuses derart angeordnet ist, dass das Stiftelement durch die dritte Ausnehmung hindurch verläuft, wobei ein auf das Gewinde des Stiftelements gedrehtes, ein Gewinde aufweisendes Krafterzeugungselement der Leistungshalbleiteranordnung eine in Richtung auf die Hülse wirkende Kraft auf das Laststromanschlusselement erzeugt, wodurch das Laststromanschlusselement gegen die Hülse gedrückt angeordnet ist und ein elektrisch leitender Druckkontakt der Hülse mit dem Laststromanschlusselement ausgebildet ist, als vorteilhaft.
- Es sei angemerkt, dass die hier im Singular beschriebenen Elemente gegebenenfalls mehrfach vorhanden sein können.
- Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die untenstehenden Figuren erläutert. Dabei zeigen:
-
1 eine perspektivische Ansicht einer Leistungshalbleiteranordnung mit einer erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung, -
2 eine perspektivische Schnittansicht einer erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtu ng, -
3 eine Detailansicht von2 , -
4 eine perspektivische Ansicht einer Hülse und einer Dichteinrichtung der erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung in einer Explosionsdarstellung und -
5 eine Schnittansicht eines Leistungshalbleitereinrichtungsvorprodukts und einer externen Wärmerzeugungseinrichtung. - Gleiche Elemente sind in den Figuren mit gleichen Bezugszeichen versehen. Es sei angemerkt, dass der Übersichtlichkeit halber in den Figuren eventuell vorhandene Löt- oder Sintermetallschichten nicht dargestellt sind.
- In
1 ist eine perspektivische Ansicht einer Leistungshalbleiteranordnung30 mit einer erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung1 dargestellt. In2 ist eine perspektivische Schnittansicht der erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung1 und in3 ist eine AusschnittvergrößerungA von2 dargestellt. In4 ist eine perspektivische Ansicht einer Hülse5 und einer Dichteinrichtung6 der erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung1 in einer Explosionsdarstellung dargestellt. Bei der Herstellung der Leistungshalbleitereinrichtung1 ist im Rahmen des Ausführungsbeispiels die Dichteinrichtung6 auf die Hülse5 derart aufgeschoben, dass ein erster Verbindungsabschnitt6c der Dichteinrichtung6 in einer ersten Ausnehmung5a der Hülse5 und ein zweiter Verbindungsabschnitt6d der Dichteinrichtung6 in einer zweiten Ausnehmung5b der Hülse5 angeordnet ist und der obere Teil der Hülse5 durch Dichteinrichtungsausnehmungen6h und6i der Dichteinrichtung6 verläuft. Der in2 und3 dargestellte Schnitt verläuft durch die Verbindungsabschnitte6c und6d und durch die Ausnehmungen5a und5b hindurch. - Die Leistungshalbleiteranordnung
30 weist eine erfindungsgemäße Leistungshalbleitereinrichtung1 und Laststromanschlusselemente4 auf, die jeweils mit Hilfe eines ein Gewinde aufweisenden Krafterzeugungselements9 , das vorzugsweise als Schraubenmutter ausgebildet ist, mit einem jeweiligen elektrischen Anschlusselement der Leistungshalbleitereinrichtung1 , d.h. mit einer jeweiligen Hülse5 , elektrisch leitend verbunden sind. Die Laststromanschlusselemente4 können z.B. mit einem Elektromotor zur Energieversorgung des Elektromotors elektrisch leitend verbunden sein. Die Laststromanschlusselemente4 können z.B. als Stromschienen oder Kabelschuhe ausgebildet sein. Die Leistungshalbleitereinrichtung1 weist in der Regel zu einem Stromrichter elektrisch verschaltete Leistungshalbleiterbauelemente11 auf und kann z.B. die zur Energieversorgung eines Elektromotors benötigten elektrischen Ströme erzeugen. - Die Leistungshalbleitereinrichtung
1 weist mindestens ein Leistungshalbleiterbauelement11 , in der Regel aber mehrere Leistungshalbleiterbauelemente11 auf, die mit elektrisch leitenden einstückig oder mehrstückig ausgebildeten Verbindungselementen3 elektrisch leitend verbundenen sind. Die Leistungshalbleiterbauelemente11 sind vorzugsweise auf mindestens einer elektrischen leitenden Leiterbahn eines Substrats10 der Leistungshalbleitereinrichtung1 angeordnet. Die Leistungshalbleiterbauelemente11 sind dabei mit der mindestens einen Leiterbahnen, vorzugsweise über eine zwischen den Leistungshalbleiterbauelementen11 und den Leiterbahnen angeordnete Löt- oder Sintermetallschicht, elektrisch leitend verbunden. Die Leiterbahnen werden durch eine elektrisch leitende strukturierte erste Leitungsschicht des Substrats10 ausgebildet. Das jeweilige Leistungshalbleiterbauelement11 liegt vorzugweise in Form eines Leistungshalbleiterschalters oder einer Diode vor. Die Leistungshalbleiterschalter liegen dabei vorzugsweise in Form von Transistoren, wie z.B. IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor) oder MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) vor. - Weiterhin weist das Leistungshalbleitermodul
1 vorzugsweise eine Grundplatte14 auf, auf der das Substrat10 , das im Rahmen des Ausführungsbeispiels als ein Direct Copper Bonded Substrat (DCB-Substrat) ausgebildet ist, angeordnet ist. - Das Verbindungselement
3 ist mit dem Leistungshalbleiterbauelement11 elektrisch leitend verbunden. Im Rahmen des Ausführungsbeispiels ist das Verbindungselement3 hierzu mit dem Substrat10 , z.B. mittels einer stoffschlüssigen Verbindung, wie z.B. eine Löt-, Sinter- oder Schweißverbindung, elektrisch leitend kontaktiert. Das Verbindungselement3 besteht vorzugsweise zumindest im Wesentlichen aus Kupfer oder einer Kupferlegierung. - Die Leistungshalbleitereinrichtung
1 weist ein Gehäuse2 auf, das vorzugsweise aus Kunststoff besteht. Das Gehäuse2 ist vorzugsweise auf der Grundplatte4 angeordnet und vorzugsweise, z.B. mittels Schrauben19 , mit dieser verbunden. Das Gehäuse2 bedeckt die Leistungshalbleiterbauelemente11 . Das Gehäuse2 weist eine Gehäuseöffnung12 auf durch die ein Stiftelement7 der Leistungshalbleitereinrichtung1 hindurchläuft, das zumindest außerhalb des Gehäuses2 ein Gewinde13 aufweist. - Die Leistungshalbleitereinrichtung
1 weist weiterhin eine zwischen einer, die Gehäuseöffnung12 begrenzenden, um das Stiftelement7 umlaufenden, Gehäuseöffnungswand2a des Gehäuses2 und dem Stiftelement7 angeordnete elastische Dichteinrichtung6 auf. Die Dichteinrichtung6 ist vorzugsweise aus einem Elastomer ausgebildet. Das Elastomer ist vorzugsweise aus einem vernetzten Silikon, insbesondere aus einem vernetzten Silikonkautschuk ausgebildet. Die Dichteinrichtung6 ist, wie beim Ausführungsbeispiel, vorzugsweise einstückig ausgebildet, kann aber auch mehrstückig ausgebildet sein. - Die Leistungshalbleitereinrichtung
1 weist weiterhin eine über dem Verbindungselement3 angeordnete elektrisch leitende Hülse5 auf, wobei das Stiftelement7 durch die Hülse5 und durch eine Dichtelementöffnung6g des Dichtelements6 hindurchverläuft. Die Hülse5 bildet ein elektrisches Anschlusselement der Leistungshalbleitereinrichtung1 aus, d.h. die Hülse5 dient zum elektrischen Anschluss von einem externen stromführenden Element, wie z.B. einem Laststromanschlusselement4 , an die Leistungshalbleitereinrichtung1 . Durch das Material der Hülse5 fließt im Betrieb der Leistungshalbleitereinrichtung1 ein elektrischer Laststrom. Die Hülse5 , genauer ausgedrückt die dem Verbindungselement3 zugewandte Seite5d der Hülse5 , ist vorzugsweise, wie in den2 und3 dargestellt, auf dem Verbindungselement3 angeordnet und weist einen elektrisch leitenden Kontakt mit dem Verbindungselement3 auf. Beim Ausführungsbeispiel ist die Hülse5 auf dem Verbindungselement3 angeordnet, indem sie auf dem Verbindungselement3 aufliegt. Die Hülse5 kann mit dem Verbindungselement3 stoffschlüssig, z.B. mittels einer Löt-, Sinter- oder Schweißverbindung verbunden sein. Beim Ausführungsbeispiel weist die Hülse5 mit dem Verbindungselement3 keine stoffschlüssige Verbindung auf. Die Hülse5 kann aber auch auf dem Verbindungselement3 angeordnet und einen elektrisch leitenden Kontakt mit dem Verbindungselement3 aufweisen, indem zwischen Hülse5 und dem Verbindungselement3 eine Löt- oder Sinterschicht angeordnet ist. Wenn die Hülse5 nicht auf dem Verbindungselement3 angeordnet ist, dann kann zwischen der Hülse5 und dem Verbindungselement3 ein schmaler Luftspalt vorhanden sein. Das Verbindungselement3 weist vorzugsweise eine Verbindungselementausnehmung18 auf, durch die das Stiftelement7 hindurchverläuft. Das Stiftelement7 verläuft vorzugsweise in Normalenrichtung N des Substrats10 . Die Hülse5 ist vorzugsweise als Hohlzylinder ausgebildet. Es sei angemerkt, dass die Hülse5 allgemein mittels eines beliebigen elektrisch leitenden Verbindungsmittels (z.B. Kabel, Kupferband) mit dem Leistungshalbleiterbauelement11 elektrisch leitend verbunden sein kann. - Zwischen der Hülse
5 und der Gehäuseöffnungswand2a ist ein erstes Dichtelement6a der Dichteinrichtung6 und zwischen der Hülse5 und dem Stiftelement7 ein zweites Dichtelement6b der Dichteinrichtung6 angeordnet. Das jeweilige Dichtelement6a bzw.6b ist ringförmig ausgebildet. Die Dichteinrichtung6 ist mit der Hülse5 , mit der Gehäuseöffnungswand2a und mit dem Stiftelement7 nicht stoffschlüssig verbunden. Die Dichteinrichtung6 liegt bei der Herstellung des Leistungshalbleitereinrichtung1 als bereits vorgefertigtes Element vor. Die Dichteinrichtung6 dichtet die Gehäuseöffnungswand2a mittels des erstes Dichtelements6a gegen die Hülse5 und die Hülse5 mittels des zweiten Dichtelements6b gegen das Stiftelement7 ab. - Wie beispielhaft in
4 dargestellt, weist die Hülse5 vorzugsweise eine, von ihrer einem außerhalb des Gehäuses2 angeordneten Stiftelementaußenende7a des Stiftelements7 zugewandten Seite5c ausgehende, in AchsrichtungB des Stiftelements7 verlaufende, erste Ausnehmung5a auf. Beim Ausführungsbeispiel weist die Hülse5 eine, von ihrer dem Verbindungselement3 abgewandten Seite5c ausgehende, in Richtung auf das Verbindungselement3 verlaufende, erste Ausnehmung5a auf. Die Dichteinrichtung6 ist hier einstückig ausgebildet und weist einen durch die erste Ausnehmung5a hindurch verlaufenden ersten Verbindungsabschnitt6c auf, der das erste Dichtelement6a mit dem zweiten Dichtelement6b verbindet. Durch den ersten Verbindungsabschnitt6c wird in Wirkverbindung mit der ersten Ausnehmung5a sichergestellt, dass das zweite Dichtelementteil6b zuverlässig und dauerhaft an seiner Position verbleibt. Es sei angemerkt, dass die Dichteinrichtung6 auch mehrstückig ausgebildet sein kann und somit das erste und zweite Dichtelement6a und6b z.B. auch als separate Dichtringe ausgebildet sein können. - Die Hülse
5 weist vorzugsweise eine, von ihrer einem außerhalb des Gehäuses2 angeordneten Stiftelementaußenende7a des Stiftelements7 zugewandten Seite5c ausgehende, in AchsrichtungB des Stiftelements7 verlaufende, zweite Ausnehmung5b auf. Die Hülse5 weist beim Ausführungsbeispiel eine, von ihrer dem Verbindungselement3 abgewandten Seite5c ausgehende, in Richtung auf das Verbindungselement3 verlaufende, zweite Ausnehmung5b auf, wobei die Dichteinrichtung6 einen durch die zweite Ausnehmung5b hindurch verlaufenden zweiten Verbindungsabschnitt6d aufweist, der das erste Dichtelement6a mit dem zweiten Dichtelement6b verbindet. Die zweite Ausnehmung5b ist dabei vorzugsweise gegenüberliegend zur ersten Ausnehmung5a angeordnet, wobei der zweite Verbindungsabschnitt6d gegenüberliegend zum ersten Verbindungsabschnitt6c angeordnet ist. - Die Hülse
5 besteht vorzugsweise zumindest im Wesentlichen aus Kupfer oder einer Kupferlegierung. Die Hülse5 kann eine Silberbeschichtung aufweisen. Das erste und zweite Dichtelement6a und6b und die Hülse5 sind im Rahmen des Ausführungsbeispiels jeweilig hohlzylinderförmig ausgebildet, wobei das Stiftelement7 eine kreisförmige Querschnittsfläche aufweist. - Die Leistungshalbleitereinrichtung
1 weist weiterhin eine auf einer dem Verbindungselement3 abgewandten Seite6e der Dichteinrichtung6 angeordnete vernetzte Vergussdichtungsmasse40 auf. Die vernetzte Vergussdichtungsmasse40 ist zwischen der Hülse5 und der Gehäuseöffnungswand2a und zwischen der Hülse5 und dem Stiftelement7 angeordnet ist, wobei die vernetzte Vergussdichtungsmasse40 mit der Hülse5 , mit der Gehäuseöffnungswand2a und mit dem Stiftelement7 stoffschlüssig verbunden ist. Die Vergussdichtungsmasse40 dichtet die Gehäuseöffnungswand2a gegen die Hülse5 und die Hülse5 gegen das Stiftelement7 ab. Die vernetzte Vergussdichtungsmasse40 ist vorzugsweise aus einem vernetzten Silikon, insbesondere aus einem vernetzten Silikonkautschuk, ausgebildet. Bei der Herstellung der Leistungshalbleitereinrichtung1 wird eine flüssige oder gallertartige unvernetzte Vergussdichtungsmasse40' (siehe5 ) auf der dem Verbindungselement3 abgewandten Seite6e der Dichteinrichtung6 angeordnet und anschließend vernetzt, wodurch sich aus der unvernetzten Vergussdichtungsmasse40' die mit der Hülse5 , mit der Gehäuseöffnungswand2a und mit dem Stiftelement7 stoffschlüssig verbundene vernetzte Vergussdichtungsmasse40 ausbildet. Die Dichteinrichtung6 verhindert, dass beim Anordnen der flüssigen oder gallertartigen unvernetzten Vergussdichtungsmasse40' diese innerhalb des Gehäuses2 in den unterhalb der Dichteinrichtung6 angeordneten Bereich der Leistungshalbleitereinrichtung1 fließt. - Bei der Erfindung wirkt die vernetzte Vergussdichtungsmasse
40 als Hauptdichtung und die Dichteinrichtung6 als Zusatzdichtung. Durch die bei der Erfindung somit realisierte zweistufige Abdichtung der Gehäuseöffnung wird das Eindringen von Schmutzpartikeln und Feuchtigkeit in das Innere des Gehäuses zuverlässig und dauerhaft vermieden. Da die Dichteinrichtung6 zusätzlich auch verhindert, dass beim Anordnen der flüssigen oder gallertartigen unvernetzten Vergussdichtungsmasse40' diese innerhalb des Gehäuses2 in den unterhalb der Dichteinrichtung6 angeordneten Bereich der Leistungshalbleitereinrichtung1 fließt, ist die Leistungshalbleitereinrichtung1 weiterhin auch einfach und rationell herstellbar. - Die Leistungshalbleitereinrichtung
1 weist vorzugsweise einen Haltekörper17 auf, wobei das Stiftelement7 mit dem Haltekörper17 verdrehsicher verbunden ist, insbesondere in den Haltekörper17 eingespritzt ist. Der Haltekörper17 ist vorzugsweise auf der Grundplatte14 angeordnet und vorzugsweise mit der Grundplatte14 , z.B. mittels einer Schraubverbindung, verbunden. - Die Leistungshalbleitereinrichtung
1 kann z.B. in ein Fahrzeug, wie z.B. einem Gabelstapler, oder z.B. in einen Schaltschrank eingebaut werden. Das Fahrzeug, der Schaltschrank, bzw. allgemein eine externe elektrische Komponente mit der die erfindungsgemäße Leistungshalbleitereinrichtung1 elektrisch leitend verbunden werden soll, weist elektrisch leitende Laststromanschlusselemente4 auf, die dazu vorgesehen sind mit der erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung1 elektrisch leitend verbunden zu werden. Beim elektrischen Anschluss der Laststromanschlusselemente4 an die Leistungshalbleitereinrichtung1 , genauer ausgedrückt an die Hülsen5 , wird die Leistungshalbleiteranordnung30 hergestellt. Das jeweilige Laststromanschlusselement4 besteht vorzugsweise zumindest im Wesentlichen aus Kupfer oder einer Kupferlegierung. - Zur Herstellung der Leistungshalbleiteranordnung
30 erfolgt ein Anordnen eines eine dritte Ausnehmung aufweisenden elektrisch leitenden Laststromanschlusselements4 außerhalb des Gehäuses2 der Leistungshalbleitereinrichtung1 derart, dass das Stiftelement7 durch die dritte Ausnehmung hindurch verläuft. Anschließend erfolgt ein Anordnen und Drehen eines ein Gewinde aufweisenden Krafterzeugungselements9 auf das Gewinde13 des Stiftelements7 , so dass das Krafterzeugungselement9 eine in Richtung auf die Hülse5 , genauer ausgedrückt eine in Richtung auf die dem Laststromanschlusselement4 zugewandte Seite5c der Hülse5 , wirkende KraftF auf das Laststromanschlusselement4 erzeugt, wodurch das Laststromanschlusselement4 gegen die Hülse5 , genauer ausgedrückt gegen die dem Laststromanschlusselement4 zugewandte Seite5c der Hülse5 , gedrückt wird und ein elektrisch leitender Druckkontakt der Hülse5 mit dem Laststromanschlusselement4 ausgebildet wird. Die Hülse5 ist elektrisch leitend mit dem Verbindungselement3 kontaktiert. Der elektrisch leitende Kontakt zwischen der Hülse5 und dem Verbindungselement3 kann in Form eines elektrisch leitenden stoffschlüssigen Kontakts (z.B. Löt-, Schweiß- oder Sinterverbindung) oder wie beim Ausführungsbeispiel als Druckkontakt realisiert sein. Die Hülse5 , genauer die dem Verbindungselement3 zugewandte Seite5d der Hülse5 drückt dabei gegen das Verbindungselement3 . - Falls zwischen der Hülse
5 und dem Verbindungselement3 ein schmaler Luftspalt vorhanden ist, dann wird der Luftspalt geschlossen, indem sich die Hülse5 durch die Kraft F auf das Verbindungselement3 zu bewegt, bis sie einen mechanischen Kontakt und somit auch einen elektrisch leitenden Kontakt mit dem Verbindungselement3 aufweist. Hierbei wird ausgenutzt, dass die vernetzte Vergussdichtungsmasse40 eine gewisse Elastizität aufweist. Das Verbindungelement3 bildet ein Widerlager für die Hülse5 . Der Haltekörper17 bildet ein Widerlager für das Verbindungelement3 . Das Laststromanschlusselement4 ist über die Hülse7 mit dem Verbindungselement3 elektrisch leitend verbunden. Das Krafterzeugungselement9 ist vorzugsweise als Schraubenmutter ausgebildet. - Die Leistungshalbleiteranordnung
30 weist somit eine erfindungsgemäße Leistungshalbleitereinrichtung1 , ein, eine dritte Ausnehmung aufweisendes, elektrisch leitendes Laststromanschlusselement4 und ein, ein Gewinde aufweisendes, Krafterzeugungselement9 auf. Das Laststromanschlusselement4 ist derart außerhalb des Gehäuses2 der Leistungshalbleitereinrichtung1 angeordnet, dass das Stiftelement7 der Leistungshalbleitereinrichtung1 durch die dritte Ausnehmung hindurch verläuft, wobei das Krafterzeugungselement9 auf das Gewinde13 des Stiftelements7 gedreht ist und eine in Richtung auf die Hülse5 der Leistungshalbleitereinrichtung1 wirkende KraftF auf das Laststromanschlusselement4 erzeugt, wodurch das Laststromanschlusselement4 gegen die Hülse5 gedrückt angeordnet ist und ein elektrisch leitender Druckkontakt der Hülse5 mit dem Laststromanschlusselement4 ausgebildet ist und wodurch beim Ausführungsbeispiel die Hülse5 gegen das Verbindungselement3 gedrückt angeordnet ist und ein elektrisch leitender Druckkontakt der Hülse5 mit dem Verbindungselement3 ausgebildet ist. - Im Folgenden wird ein Verfahren zur Herstellung der erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung
1 mit aufeinanderfolgenden Verfahrensschritten angeben. Vorteilhafte Ausbildungen des Verfahrens ergeben sich analog zu vorteilhaften Ausbildungen und Ausbildungsvarianten der zuvor beschriebenen erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung1 , so dass um Wiederholungen zu vermeiden diese nachfolgend nicht mehr noch einmal beschrieben sind. Die am Ende des Verfahrens gemäß5 hergestellte Leistungshalbleitereinrichtung1 stimmt mit der erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung1 gemäß der1 bis4 einschließlich vorteilhafter Ausbildungen und Ausbildungsvarianten überein. - Wie beispielhaft in
5 dargestellt, erfolgt in einem ersten Verfahrensschritt a) ein Bereitstellen eines Leistungshalbleitereinrichtungsvorprodukts1' . Das Leistungshalbleitereinrichtungsvorprodukt1' weist ein Leistungshalbleiterbauelement11 , eine Gehäuseöffnung12 aufweisendes Gehäuse2 , vorzugsweise ein innerhalb des Gehäuses2 angeordnetes und mit dem Leistungshalbleiterbauelement11 elektrisch leitend verbundenes elektrisch leitendes Verbindungselement3 und ein durch die Gehäuseöffnung12 hindurchlaufendes Stiftelement7 , das zumindest außerhalb des Gehäuses2 ein Gewinde13 aufweist, auf. Es sei angemerkt, dass der Übersichtlichkeit halber in5 das Gewinde13 des Stiftelements7 nicht dargestellt ist. Das Leistungshalbleitereinrichtungsvorprodukts1' weist weiterhin eine zwischen einer, die Gehäuseöffnung begrenzenden, um das Stiftelement7 umlaufenden, Gehäuseöffnungswand2a des Gehäuses2 und dem Stiftelement7 angeordnete elastische Dichteinrichtung6 und eine, hier über dem Verbindungselement3 angeordnete, elektrisch leitenden Hülse5 auf. Das Stiftelement7 verläuft durch die Hülse5 und durch eine Dichteinrichtungsöffnung6g des Dichtelements6 hindurch, wobei zwischen der Hülse5 und der Gehäuseöffnungswand2a ein erstes Dichtelement6a der Dichteinrichtung6 und zwischen der Hülse5 und dem Stiftelement7 ein zweites Dichtelement6b der Dichteinrichtung6 angeordnet ist, wobei die Dichteinrichtung6 mit der Hülse5 , mit der Gehäuseöffnungswand2a und mit dem Stiftelement7 nicht stoffschlüssig verbunden ist und die Dichteinrichtung6 die Gehäuseöffnungswand2a gegen die Hülse5 und die Hülse gegen das Stiftelement7 abdichtet. Das Leistungshalbleitereinrichtungsvorprodukt1' stimmt mit der erfindungsgemäßen Leistungshalbleitereinrichtung1 gemäß der1 bis4 einschließlich vorteilhafter Ausbildungen und Ausbildungsvarianten bis auf das Vorhandensein der vernetzten Vergussdichtungsmasse40 überein. Die vernetzte Vergussdichtungsmasse40 fehlt beim Leistungshalbleitereinrichtungsvorprodukt1' . Es sei angemerkt, dass die Hülse5 allgemein mittels eines beliebigen elektrisch leitenden Verbindungsmittels (z.B. Kabel, Kupferband) mit dem Leistungshalbleiterbauelement11 elektrisch leitend verbunden sein kann. - In einem nachfolgenden weiteren Verfahrensschritt b) erfolgt ein Anordnen einer flüssigen oder gallertartigen unvernetzten Vergussdichtungsmasse
40' auf der Dichteinrichtung6 , hier auf einer dem Verbindungselement3 abgewandten Seite6e der Dichteinrichtung6 , wobei die unvernetzte Vergussdichtungsmasse40' zwischen der Hülse5 und der Gehäuseöffnungswand2a und zwischen der Hülse5 und dem Stiftelement7 angeordnet ist, wobei die unvernetzte Vergussdichtungsmasse40' mit der Hülse5 , mit der Gehäuseöffnungswand2a und mit dem Stiftelement7 einen mechanischen Kontakt aufweist. Der oberhalb der Dichteinrichtung6 angeordnete Bereich der Gehäuseöffnungswand2a bildet dabei vorzugsweise ein Einfüllbecken für die unvernetzte Vergussdichtungsmasse40' aus. - In einem nachfolgenden weiteren Verfahrensschritt c) erfolgt ein Vernetzten der unvernetzten Vergussdichtungsmasse
40' , wodurch eine vernetzte Vergussdichtungsmasse40 ausgebildet wird, die die Gehäuseöffnungswand2a gegen die Hülse5 und die Hülse5 gegen das Stiftelement7 abdichtet. Die Vernetzung der unvernetzten Vergussdichtungsmasse40' wird dabei vorzugsweise beschleunigt, indem das Stiftelement7 und/oder die Hülse5 mittels einer externen Wärmerzeugungseinrichtung41 erwärmt wird. Die unvernetzte Vergussdichtungsmasse40' wird dabei über das Stiftelement7 und/oder die Hülse5 erwärmt, was deren Vernetzung beschleunigt. Die unvernetzte Vergussdichtungsmasse40' kann dabei z.B. aus zwei unmittelbar vor Verfahrensschritt b) zusammengemischten Komponenten bestehen, die eine Vernetzungsreaktion durchführen. Es sei dabei angemerkt, dass, da in diesem Fall der ganz überwiegende Teil der Vernetzung erst nach dem Verfahrensschritt b) eintritt, im Sinne der Erfindung beim Verfahrensschritt b) noch eine unvernetzte Vergussdichtungsmasse40' vorliegt. Das Vernetzten der unvernetzten Vergussdichtungsmasse40' kann z.B. auch durch Bestrahlung der unvernetzten Vergussdichtungsmasse40' mit UV-Licht eingeleitet werden. - Es sei an dieser Stelle angemerkt, dass selbstverständlich Merkmale von verschiedenen Ausführungsbeispielen der Erfindung, sofern sich die Merkmale nicht gegenseitig ausschließen, beliebig miteinander kombiniert werden können, ohne den Rahmen der Erfindung zu verlassen.
- ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
-
- DE 102012219791 A1 [0002]
Claims (14)
- Leistungshalbleitereinrichtung mit einem Leistungshalbleiterbauelement (11), mit einem eine Gehäuseöffnung (12) aufweisenden Gehäuse (2), mit einem durch die Gehäuseöffnung (12) hindurchlaufendem Stiftelement (7), das zumindest außerhalb des Gehäuses (2) ein Gewinde (13) aufweist, mit einer zwischen einer, die Gehäuseöffnung (12) begrenzenden, um das Stiftelement (7) umlaufenden, Gehäuseöffnungswand (2a) des Gehäuses (2) und dem Stiftelement (7) angeordneten elastischen Dichteinrichtung (6) und mit einem ein elektrisches Anschlusselement der Leistungshalbleitereinrichtung (1) ausbildenden elektrisch leitenden Hülse (5), wobei das Stiftelement (7) durch die Hülse (5) und durch eine Dichteinrichtungsöffnung (6g) des Dichtelements (6) hindurchverläuft, wobei zwischen der Hülse (5) und der Gehäuseöffnungswand (2a) ein erstes Dichtelement (6a) der Dichteinrichtung (6) und zwischen der Hülse (5) und dem Stiftelement (7) ein zweites Dichtelement (6b) der Dichteinrichtung (6) angeordnet ist, wobei die Dichteinrichtung (6) mit der Hülse (5), mit der Gehäuseöffnungswand (2a) und mit dem Stiftelement (7) nicht stoffschlüssig verbunden ist und die Dichteinrichtung (6) die Gehäuseöffnungswand (2a) gegen die Hülse (5) und die Hülse (5) gegen das Stiftelement (7) abdichtet, und mit einer auf der Dichteinrichtung (6) angeordneten vernetzten Vergussdichtungsmasse (40), wobei die vernetzte Vergussdichtungsmasse (40) zwischen der Hülse (5) und der Gehäuseöffnungswand (2a) und zwischen der Hülse (5) und dem Stiftelement (7) angeordnet ist, wobei die vernetzte Vergussdichtungsmasse (40) mit der Hülse (5), mit der Gehäuseöffnungswand (2a) und mit dem Stiftelement (7) stoffschlüssig verbunden ist und die Vergussdichtungsmasse (40) die Gehäuseöffnungswand (2a) gegen die Hülse (5) und die Hülse (5) gegen das Stiftelement (7) abdichtet.
- Leistungshalbleitereinrichtung nach
Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die vernetzte Vergussdichtungsmasse (40) aus einem vernetzten Silikon, insbesondere aus einem vernetzten Silikonkautschuk, ausgebildet ist. - Leistungshalbleitereinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Hülse (5) eine, von ihrer einem außerhalb des Gehäuses (2) angeordneten Stiftelementaußenende (7a) des Stiftelements (7) zugewandten Seite (5c) ausgehende, in Achsrichtung (B) des Stiftelements (7) verlaufende, erste Ausnehmung (5a) aufweist, wobei die Dichteinrichtung (6) einstückig ausgebildet ist und einen durch die erste Ausnehmung (5a) hindurch verlaufenden ersten Verbindungsabschnitt (6c) aufweist, der das erste Dichtelement (6a) mit dem zweiten Dichtelement (6b) verbindet.
- Leistungshalbleitereinrichtung nach
Anspruch 3 , dadurch gekennzeichnet, dass die Hülse (5) eine, von ihrer einem außerhalb des Gehäuses (2) angeordneten Stiftelementaußenende (7a) des Stiftelements (7) zugewandten Seite (5c) ausgehende, in Achsrichtung (B) des Stiftelements (7) verlaufende, zweite Ausnehmung (5b) aufweist, wobei die Dichteinrichtung (6) einen durch die zweite Ausnehmung (5b) hindurch verlaufenden zweiten Verbindungsabschnitt (6d) aufweist, der das erste Dichtelement (6a) mit dem zweiten Dichtelement (6b) verbindet. - Leistungshalbleitereinrichtung nach
Anspruch 4 , dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Ausnehmung (5b) gegenüberliegend zur ersten Ausnehmung (5a) angeordnet ist und der zweite Verbindungsabschnitt (6d) gegenüberliegend zum ersten Verbindungsabschnitt (6c) angeordnet ist. - Leistungshalbleitereinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das erste und zweite Dichtelement (6a,6b) und die Hülse (5) jeweilig hohlzylinderförmig ausgebildet sind und das Stiftelement (7) eine kreisförmige Querschnittsfläche aufweist.
- Leistungshalbleitereinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Dichteinrichtung (6) aus einem Elastomer ausgebildet ist.
- Leistungshalbleitereinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Leistungshalbleitereinrichtung (1) einen Haltekörper (17) aufweist, wobei das Stiftelement (7) mit dem Haltekörper (17) verdrehsicher verbunden ist, insbesondere in den Haltekörper (17) eingespritzt ist.
- Leistungshalbleitereinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Leistungshalbleitereinrichtung (1) ein innerhalb des Gehäuses (2) angeordnetes und mit dem Leistungshalbleiterbauelement (11) elektrisch leitend verbundenes elektrisch leitendes Verbindungselement (3) aufweist, wobei die elektrisch leitende Hülse (5) über dem Verbindungselement (3) angeordnet ist.
- Leistungshalbleitereinrichtung nach
Anspruch 9 , dadurch gekennzeichnet, dass die Hülse (5) auf dem Verbindungselement (3) angeordnet ist. - Leistungshalbleiteranordnung mit einer Leistungshalbleitereinrichtung (1), die nach einem der
Ansprüche 1 bis10 ausgebildet ist und mit einem eine dritte Ausnehmung aufweisenden elektrisch leitenden Laststromanschlusselement (4), das außerhalb des Gehäuses (2) derart angeordnet ist, dass das Stiftelement (7) durch die dritte Ausnehmung hindurch verläuft, wobei ein auf das Gewinde (13) des Stiftelements (7) gedrehtes, ein Gewinde aufweisendes Krafterzeugungselement (9) der Leistungshalbleiteranordnung (30) eine in Richtung auf die Hülse (5) wirkende Kraft (F) auf das Laststromanschlusselement (4) erzeugt, wodurch das Laststromanschlusselement (4) gegen die Hülse (5) gedrückt angeordnet ist und ein elektrisch leitender Druckkontakt der Hülse (5) mit dem Laststromanschlusselement (4) ausgebildet ist. - Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitereinrichtung mit folgenden Verfahrensschritten: a) Bereitstellen einer Leistungshalbleitereinrichtungsvorprodukts (1') mit einem Leistungshalbleiterbauelement (11), mit einem eine Gehäuseöffnung (12) aufweisenden Gehäuse (2), mit einem innerhalb des Gehäuses (2) angeordneten, mit einem durch die Gehäuseöffnung (12) hindurchlaufendem Stiftelement (7), das zumindest außerhalb des Gehäuses (2) ein Gewinde (13) aufweist, mit einer zwischen einer, die Gehäuseöffnung (12) begrenzenden, um das Stiftelement (7) umlaufenden, Gehäuseöffnungswand (2a) des Gehäuses (2) und dem Stiftelement (7) angeordneten elastischen Dichteinrichtung (6) und mit einem ein elektrisches Anschlusselement der Leistungshalbleitereinrichtung (1) ausbildenden elektrisch leitenden Hülse (5), wobei das Stiftelement (7) durch die Hülse (5) und durch eine Dichteinrichtungsöffnung (6g) des Dichtelements (6) hindurchverläuft, wobei zwischen der Hülse (5) und der Gehäuseöffnungswand (2a) ein erstes Dichtelement (6a) der Dichteinrichtung (6) und zwischen der Hülse (5) und dem Stiftelement (7) ein zweites Dichtelement (6b) der Dichteinrichtung (6) angeordnet ist, wobei die Dichteinrichtung (6) mit der Hülse (5), mit der Gehäuseöffnungswand (2a) und mit dem Stiftelement (7) nicht stoffschlüssig verbunden ist und die Dichteinrichtung (6) die Gehäuseöffnungswand (2a) gegen die Hülse (5) und die Hülse gegen das Stiftelement (7) abdichtet, b) Anordnen einer flüssigen oder gallertartigen unvernetzten Vergussdichtungsmasse (40') auf der Dichteinrichtung (6), wobei die unvernetzte Vergussdichtungsmasse (40') zwischen der Hülse (5) und der Gehäuseöffnungswand (2a) und zwischen der Hülse (5) und dem Stiftelement (7) angeordnet ist, wobei die unvernetzte Vergussdichtungsmasse (40') mit der Hülse (5), mit der Gehäuseöffnungswand (2a) und mit dem Stiftelement (7) einen mechanischen Kontakt aufweist, c) Vernetzten der unvernetzten Vergussdichtungsmasse (40'), wodurch eine vernetzte Vergussdichtungsmasse (40) ausgebildet wird, die die Gehäuseöffnungswand (2a) gegen die Hülse (5) und die Hülse (5) gegen das Stiftelement (7) abdichtet.
- Verfahren nach
Anspruch 12 , dadurch gekennzeichnet, dass die unvernetzte Vergussdichtungsmasse (40') aus einem unvernetzten Silikon, insbesondere aus einem unvernetzten Silikonkautschuk, ausgebildet ist. - Verfahren nach
Anspruch 12 oder13 , dadurch gekennzeichnet, dass beim Verfahrensschritt c) die Vernetzung der unvernetzten Vergussdichtungsmasse (40') beschleunigt wird, indem das Stiftelement (7) und/oder die Hülse (5) mittels einer externen Wärmerzeugungseinrichtung (41) erwärmt wird.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102018114691.4A DE102018114691B4 (de) | 2018-06-19 | 2018-06-19 | Leistungshalbleitereinrichtung mit einem Gehäuse, Leistungshalbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitereinrichtung |
US16/413,806 US10763182B2 (en) | 2018-06-19 | 2019-05-16 | Power semiconductor device comprising a housing, and method for producing a power semiconductor device |
CN201910517092.3A CN110620098B (zh) | 2018-06-19 | 2019-06-14 | 包括壳体的功率半导体器件及生产功率半导体器件的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102018114691.4A DE102018114691B4 (de) | 2018-06-19 | 2018-06-19 | Leistungshalbleitereinrichtung mit einem Gehäuse, Leistungshalbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitereinrichtung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102018114691A1 true DE102018114691A1 (de) | 2019-12-19 |
DE102018114691B4 DE102018114691B4 (de) | 2021-02-18 |
Family
ID=68724616
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102018114691.4A Active DE102018114691B4 (de) | 2018-06-19 | 2018-06-19 | Leistungshalbleitereinrichtung mit einem Gehäuse, Leistungshalbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitereinrichtung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10763182B2 (de) |
CN (1) | CN110620098B (de) |
DE (1) | DE102018114691B4 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11955415B2 (en) | 2020-07-03 | 2024-04-09 | Infineon Technologies Austria Ag | Semiconductor device package comprising a pin in the form of a drilling screw |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USD929462S1 (en) * | 2018-06-04 | 2021-08-31 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Module |
DE102018116429B4 (de) * | 2018-07-06 | 2020-03-05 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitereinrichtung mit einem Leistungshalbleiterbauelement und einem Gehäuse |
USD942392S1 (en) * | 2020-04-30 | 2022-02-01 | Thermo King Corporation | High power module for controller of transport climate control system |
USD944199S1 (en) * | 2020-04-30 | 2022-02-22 | Thermo King Corporation | Low power module for controller of transport climate control system |
DE102021129591A1 (de) * | 2021-11-12 | 2023-05-17 | Still Gesellschaft Mit Beschränkter Haftung | Leistungselektronische Komponente |
US20230232596A1 (en) * | 2022-01-14 | 2023-07-20 | Nio Technology (Anhui) Co., Ltd. | Serviceable and accessible liquid cooled modules |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102011076324A1 (de) * | 2011-05-24 | 2012-11-29 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungselektronisches System mit Verbindungseinrichtung erster und zweiter Subsysteme |
DE102012219791A1 (de) | 2011-10-31 | 2013-05-02 | Infineon Technologies Ag | Niederinduktives leistungsmodul |
DE102017107763A1 (de) * | 2017-04-11 | 2018-10-11 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitereinrichtung, Leistungshalbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleiteranordnung |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102012222015B4 (de) * | 2012-11-30 | 2019-07-18 | Infineon Technologies Ag | Feuchtigkeitsdichtes Halbleitermodul und ein Verfahren zu dessen Herstellung |
DE102013113143B4 (de) * | 2013-11-28 | 2016-04-21 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitereinrichtung |
DE102014104194B4 (de) * | 2014-03-26 | 2021-02-25 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitereinrichtung |
DE102014106857B4 (de) * | 2014-05-15 | 2020-11-26 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitereinrichtung |
DE102016104283B4 (de) * | 2016-03-09 | 2019-05-16 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitereinrichtung mit einem Leistungshalbleitermodul mit einem Gehäuse |
DE102016115572B4 (de) * | 2016-08-23 | 2019-06-13 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitereinrichtungssystem mit einer ersten und einer zweiten Leistungshalbleitereinrichtung |
-
2018
- 2018-06-19 DE DE102018114691.4A patent/DE102018114691B4/de active Active
-
2019
- 2019-05-16 US US16/413,806 patent/US10763182B2/en active Active
- 2019-06-14 CN CN201910517092.3A patent/CN110620098B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102011076324A1 (de) * | 2011-05-24 | 2012-11-29 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungselektronisches System mit Verbindungseinrichtung erster und zweiter Subsysteme |
DE102012219791A1 (de) | 2011-10-31 | 2013-05-02 | Infineon Technologies Ag | Niederinduktives leistungsmodul |
DE102017107763A1 (de) * | 2017-04-11 | 2018-10-11 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitereinrichtung, Leistungshalbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleiteranordnung |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11955415B2 (en) | 2020-07-03 | 2024-04-09 | Infineon Technologies Austria Ag | Semiconductor device package comprising a pin in the form of a drilling screw |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110620098A (zh) | 2019-12-27 |
US10763182B2 (en) | 2020-09-01 |
DE102018114691B4 (de) | 2021-02-18 |
US20190385919A1 (en) | 2019-12-19 |
CN110620098B (zh) | 2024-04-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102018114691B4 (de) | Leistungshalbleitereinrichtung mit einem Gehäuse, Leistungshalbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitereinrichtung | |
EP2286462B1 (de) | Anschlussdose, verwendungen einer anschlussdose und verfahren | |
DE102009037257B4 (de) | Leistungshalbleitermodul mit Schaltungsträger und Lastanschlusselement sowie Herstellungsverfahren hierzu | |
DE102013103116B3 (de) | Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls | |
DE10026005B4 (de) | Piezoaktor | |
DE102013110815B3 (de) | Leistungshalbleitereinrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitereinrichtung | |
DE102013113143B4 (de) | Leistungshalbleitereinrichtung | |
DE102014106857B4 (de) | Leistungshalbleitereinrichtung | |
DE102014104194B4 (de) | Leistungshalbleitereinrichtung | |
DE102016115572B4 (de) | Leistungshalbleitereinrichtungssystem mit einer ersten und einer zweiten Leistungshalbleitereinrichtung | |
DE102010063832B4 (de) | Leiterbahnsicherung, Leiterplatte und Betriebsschaltung für Leuchtmittel mit der Leiterbahnsicherung | |
DE102017107763B4 (de) | Leistungshalbleitereinrichtung, Leistungshalbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleiteranordnung | |
DE102020111359A1 (de) | Berührgeschützte Verbindungsanordnung von zwei elektrischen Leitern sowie Kraftfahrzeug mit einer solchen Verbindungsanordnung | |
DE202015102948U1 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE202016101292U1 (de) | Leistungshalbleitereinrichtung | |
EP2884534B1 (de) | Leistungshalbleitereinrichtung | |
DE102018116429B4 (de) | Leistungshalbleitereinrichtung mit einem Leistungshalbleiterbauelement und einem Gehäuse | |
DE102017109707B4 (de) | Leistungshalbleitereinrichtung mit einem Gehäuse | |
DE102005036105B3 (de) | Elektrisches Bauteil | |
DE102020104723A1 (de) | Leistungselektronisches Submodul zur Montage auf einer Kühleinrichtung | |
DE102019126923A1 (de) | Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls | |
DE102009009164B4 (de) | Piezoelektrischer Aktor, Verfahren zur Herstellung des Aktors und Injektor | |
DE102015118146A1 (de) | Kühlmittelanschlusselement und Leiterplatte mit Kühlkanal | |
DE102005062444B4 (de) | Halbleitervorrichtungen und Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung | |
DE4343203C1 (de) | Mittelspannungs- oder Hochspannungsarmatur |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final |