DE102018111868A1 - substrate carrier - Google Patents
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Abstract
Die vorliegende Erfindung betrifft einen Substratträger zur Aufnahme wenigstens eines Substrates und zur Bearbeitung von Substraten in einer mehrere nacheinander durchlaufende Substratträger bearbeitenden Durchlauf-Anlage, insbesondere einer PECVD-Beschichtungsanlage zur Beschichtung mehrerer in Zeilen und in Spalten auf dem Substratträger angeordneter Solarwafer, wobei der Substratträger einen im Wesentlichen zweidimensionalen Gitterrost aufweist, wobei zwischen Profilen des Gitterostes jeweils ein teilweise offenes Substratnest zur Aufnahme eines Substrates ausgebildet ist. Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Substratträger mit guter Bearbeitungsflächenausnutzung und gleichzeitig hoher Bearbeitungsqualität vorzuschlagen. Die Aufgabe wird von einem Substratträger gelöst, bei dem der Gitterrost ein in einer Durchlaufrichtung des Substratträgers in der Durchlaufanlage betrachtet vorderes schmales Randprofil und/oder ein schmales hinteres Randprofil aufweist, wobei sich die Randprofile des zweidimensionalen Gitterrostes in der Durchlaufrichtung vor einer äußeren vorderen Substratkante und nach einer äußeren hinteren Substratkante erstrecken, und wobei der Substratträger wenigstens ein von dem zweidimensionalen Gitterrost in eine dritte Dimension vorspringendes und sich lateral entlang des vorderen und/oder hinteren Randprofils erstreckendes Abschirmelement aufweist.The present invention relates to a substrate carrier for receiving at least one substrate and for processing substrates in a plurality of successively passing substrate carrier processing continuous system, in particular a PECVD coating system for coating a plurality of rows and columns arranged on the substrate carrier solar wafer, wherein the substrate carrier a essentially two-dimensional grid has, wherein between profiles of the grid is in each case a partially open Substratnest formed for receiving a substrate. It is therefore the object of the present invention to propose a substrate carrier with good processing area utilization and at the same time high processing quality. The object is achieved by a substrate carrier in which the grating has a narrow edge section and / or a narrow rear edge profile viewed in a passage direction of the substrate carrier in the continuous system, wherein the edge profiles of the two-dimensional grid in front of an outer front edge of the substrate and extend to an outer rear substrate edge, and wherein the substrate carrier has at least one projecting from the two-dimensional grid in a third dimension and extending laterally along the front and / or rear edge profile shielding element.
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft einen Substratträger zur Aufnahme wenigstens eines Substrates und zur Bearbeitung von Substraten in einer Durchlauf-Anlage, insbesondere einer PECVD-Beschichtungsanlage zur Beschichtung mehrerer in Zeilen und in Spalten auf dem Substratträger angeordneter Solarwafer, wobei die Durchlauf-Anlage mehrere Substratträger nacheinander durchlaufen, wobei der Substratträger einen im Wesentlichen zweidimensionalen Gitterrost aufweist, und wobei zwischen Profilen des Gitterostes jeweils ein teilweise offenes Substratnest zur Aufnahme eines Substrates ausgebildet ist.The present invention relates to a substrate support for receiving at least one substrate and for processing substrates in a continuous system, in particular a PECVD coating system for coating a plurality of arranged in rows and columns on the substrate carrier solar wafers, wherein the continuous system several substrate carriers pass through successively wherein the substrate carrier has a substantially two-dimensional grid, and wherein in each case a partially open Substratnest is formed for receiving a substrate between profiles of the grid.
Solche Substratträger werden beispielsweise in Durchlaufanlagen zur Beschichtung von Solarzellen verwendet. Auf planaren, annähernd zweidimensionalen Substratträgern sind in verschiedenen Ausführungen beispielsweise 5 x 6 = 30 oder 6 x 7 = 42 Substrate in Form von Solarwafern platziert. Beim Betrieb der Durchlaufanlage zur Produktion beschichteter Substrate werden mehrere Substratträger in einer Reihe hintereinander durch die Durchlaufanlage durchgefahren. Verschiedener Abschnitte bzw. einzelner Kammern der Durchlaufanlage sind regelmäßig durch Kammerventile, die auch als Gate-Ventile bezeichnet werden, voneinander abtrennbar, wobei die Verwendung von Gate-Ventilen konstruktiv einen Abstand zwischen zwei Substratträgern erforderlich macht. In einer Bearbeitungskammer angeordnete Bearbeitungswerkzeuge, beispielsweise Mikrowellenplasmaquellen zur plasmagestützten Gasphasenabscheidung (PECVD), werden hingegen kontinuierlich betrieben. Bei Lücken zwischen zwei Substratträgern laufen die Bearbeitungswerkzeuge weiter.Such substrate carriers are used, for example, in continuous systems for coating solar cells. On planar, approximately two-dimensional substrate carriers, in various embodiments, for example, 5 × 6 = 30 or 6 × 7 = 42 substrates are placed in the form of solar wafers. During operation of the continuous flow system for the production of coated substrates, a plurality of substrate carriers are traversed in succession through the continuous flow system. Various sections or individual chambers of the continuous system are regularly separated from one another by chamber valves, which are also referred to as gate valves, wherein the use of gate valves constructively requires a distance between two substrate carriers. In contrast, processing tools arranged in a processing chamber, for example plasma-assisted vapor deposition microwave plasma sources (PECVD), are operated continuously. If there are gaps between two substrate carriers, the processing tools continue to run.
Die Ressourcen der Durchlaufanlage und der Bearbeitungsquelle werden zu einem Zeitpunkt nur dann optimal ausgenutzt, wenn gerade Substrate bearbeitet werden. Wenn jedoch gerade breite Ränder eines Substratträgers oder Lücken zwischen zwei Substratträgern an dem Bearbeitungswerkzeug vorbeifahren, erfolgt kurzzeitig keine unmittelbare Substratbearbeitung. Um trotz der Lücke zwischen zwei Substratträgen bei aktivem Bearbeitungswerkzeug die Bearbeitungswirkung des Bearbeitungswerkzeugs weitgehend auf den geplanten Bearbeitungsbereich, beispielsweise die Vorderseite eines Solarwafers, zu begrenzen, ist in der Regel eine gewisse Mindestbreite des Substratträgers an seinem vorderen und hinteren Rand erforderlich. Substratoberflächen, für die keine Bearbeitung durch das Bearbeitungswerkzeug vorgesehen ist, beispielsweise die Rückseiten von Solarwafern, sollen hingegen von dem Bearbeitungswerkzeug abgeschirmt werden. Bei zu schmalen Rändern kann es hingegen zu einem Umgriff der Bearbeitungswirkung auf die dem Bearbeitungswerkzeug abgewandte Seite des Substrates und einer davon verursachten Qualitätsminderung kommen. Praktisch wird teilweise ein Kompromiss zwischen einer hohen Anlagenauslastung bei schmalen Rändern des Substratträgers und einer hohen Qualität durch homogene Substratbearbeitung bei breiten Rändern des Substratträgers eingestellt, wobei ein höherer Durchsatz der Durchlaufanlage mit Qualitätseinbußen erkauft wird. Beispielsweise sind die vordere und die hintere Reihe von Solarwafern so inhomogen beschichtet, dass diese einen nachfolgenden Qualitätstest nicht bestehen und als minderwertige Produkte eingestuft werden müssen.The resources of the continuous system and the processing source are optimally utilized at a time only when substrates are being processed. However, if just wide edges of a substrate carrier or gaps between two substrate carriers pass by the processing tool, there is no immediate substrate processing for a short time. In order to limit the processing effect of the processing tool largely on the planned processing area, for example the front side of a solar wafer, despite the gap between two substrate applications with active processing tool, a certain minimum width of the substrate carrier at its front and rear edge is usually required. Substrate surfaces, for which no processing by the machining tool is provided, for example, the backs of solar wafers, however, should be shielded from the machining tool. In the case of edges which are too narrow, on the other hand, the processing effect can be encroached on the side of the substrate facing away from the machining tool and a quality reduction caused thereby. In practice, a compromise between a high system utilization for narrow edges of the substrate carrier and a high quality due to homogeneous substrate processing at wide margins of the substrate carrier is partially set, whereby a higher throughput of the continuous system is paid for with quality losses. For example, the front and back row of solar wafers are so inhomogeneously coated that they do not pass a subsequent quality test and must be classified as inferior products.
Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Substratträger vorzuschlagen, der einen hohen Durchsatz der den Substratträger einsetzenden Durchlauf-Anlage bei gleichzeitig hoher Bearbeitungsqualität ermöglicht.It is therefore the object of the present invention to propose a substrate carrier which enables a high throughput of the continuous-flow installation employing the substrate carrier while at the same time offering high quality of processing.
Die Aufgabe wird von einem Substratträger gelöst, bei dem der Gitterrost ein in einer Durchlaufrichtung des Substratträgers in der Durchlaufanlage betrachtet vorderes schmales Randprofil und/oder ein schmales hinteres Randprofil aufweist, wobei sich die Randprofile des zweidimensionalen Gitterrostes in der Durchlaufrichtung vor einer äußeren vorderen Substratkante und nach einer äußeren hinteren Substratkante erstrecken, und wobei der Substratträger wenigstens ein von dem zweidimensionalen Gitterrost insbesondere in eine dritte Dimension vorspringendes und sich lateral entlang des vorderen und/oder hinteren Randprofils erstreckendes Abschirmelement aufweist.The object is achieved by a substrate carrier in which the grid has a front narrow edge profile and / or a narrow rear edge profile viewed in a direction of passage of the substrate carrier in the pass-through system, wherein the edge profiles of the two-dimensional grid in front of an outer front edge of the substrate and extend to an outer rear edge of the substrate, and wherein the substrate carrier has at least one of the two-dimensional grid, in particular in a third dimension projecting and extending laterally along the front and / or rear edge profile shielding element.
Die Bezeichnungen vorderes Randprofil und hinteres Randprofil ergeben sich aus der Lage des Substratträgers bei seiner bestimmungsgemäßen Verwendung in einer Durchlaufanlage entlang der darin vorgenommenen Durchlaufrichtung. Der Substratträger, auf den sich die Erfindung bezieht, ist keine geschlossene Platte sondern ein durchbrochener Gitterrost, bei dem die Substratnester nicht geschlossen sind, sondern Öffnungen zwischen Profilen des Gitterrostes aufweisen, sodass mit dem Substratträger beide Seiten der scheibenförmigen Substrate bearbeitbar sind. Nur an kleinen Auflagepunkten oder Auflageflächen findet keine oder eine reduzierte Substratbearbeitung an der aufliegenden bzw. allgemeiner an der aufgenommenen Substratseite statt. Der Substratträger kann neben dem Gitterrost noch weitere Komponenten aufweisen, beispielsweise seitliche Laufschienen, die von Laufrollen der Durchlaufanlage abgestützt und angetrieben werden. Zwischen den einzelnen benachbarten Substratnestern können die Profile des Gitterrostes dünne Stäbe sein. Am Rand des Substratträgers haben die Profile hingegen größere Breiten, sodass die Randprofile des Gitterrostes auch als Flächenbereiche oder Randprofile des Gitterrostes bezeichnet werden können. Der Begriff Gitterrost umfasst auch den Fall, dass der Substratträger für nur ein einziges, sehr großes Substrat ausgebildet und eigentlich ein nur aus Randprofilen bestehender Rahmen ist. Das vordere Randprofil und das hintere Randprofil des erfindungsgemäßen Substratträgers sind in einer Draufsicht schmaler ausgebildet als bei herkömmlichen Substratträgen.The terms front edge profile and rear edge profile resulting from the position of the substrate carrier in its intended use in a continuous system along the passage direction made therein. The substrate carrier to which the invention relates is not a closed plate but a perforated grid in which the substrate nests are not closed but have openings between profiles of the grid, so that both sides of the disc-shaped substrates can be processed with the substrate carrier. Only at small support points or bearing surfaces no or reduced substrate processing takes place on the resting or more generally on the recorded substrate side. The substrate carrier can have, in addition to the grid, further components, for example lateral rails, which are supported and driven by rollers of the continuous system. Between the individual adjacent substrate nests, the profiles of the grid can be thin rods. On the edge of the substrate carrier, however, the profiles have larger widths, so that the edge profiles of the grid can also be referred to as surface areas or edge profiles of the grid. The term grid also includes the case that the Substrate carrier is formed for only a single, very large substrate and is actually an existing only of edge profiles frame. The front edge profile and the rear edge profile of the substrate carrier according to the invention are narrower in a plan view than in conventional substrate applications.
Die schmaleren Randprofile bewirken einen größeren Anlagendurchsatz, weil das Verhältnis von bearbeiteten Substratoberflächen zu sonstigen Flächen neben den Substraten erhöht ist. Durch die schmaleren Ränder wird ein höherer Durchsatz realisiert, es können also mehr Substrate pro Zeiteinheit bearbeitet werden. Beispielsweise kann statt eines herkömmlichen 6x7 Substratträgers ein erfindungsgemäßer 7x7 Substratträger in der gleichen Durchlaufanlage und gleichen Transportparametern eingesetzt werden, wobei sich ein entsprechend vergrößerter Durchsatz ergibt.The narrower edge profiles result in greater plant throughput because the ratio of processed substrate surfaces to other areas adjacent to the substrates is increased. Due to the narrower edges, a higher throughput is realized, so it can be processed more substrates per unit time. For example, instead of a conventional 6 × 7 substrate support, a 7 × 7 substrate support according to the invention can be used in the same continuous installation and the same transport parameters, resulting in a correspondingly increased throughput.
Die schmalen Randprofile würden bei herkömmlichen Substratträgen zu Qualitätseinbußen durch Randumgriffe führen. Beispielsweise würde eine auf der Vorderseite durchgeführte Siliziumnitridbeschichtung nicht nur die Vorderseite der Solarwafer beschichten, sondern auch die Rückseiten am vorderen Rand der Substrate in der vorderen Reihe auf dem Substratträger und auch die hinteren Ränder der Substrate in der hinteren Reihe auf dem Substratträger. Die geplante Bearbeitungsseite ist hier zur Veranschaulichung als Vorderseite bezeichnet, obwohl diese Bezeichnung unter anderen Aspekten unzutreffend sein mag. Entsprechendes gilt für den Begriff Rückseite. Die ungewollte Beschichtung von Teilflächen der Rückseiten der Substrate kann in verschiedenen Fällen zu funktionellen und/oder ästhetischen Qualitätseinbußen führen. Der erfindungsgemäße Substratträger weist wenigstens ein Abschirmelement an dem vorderen oder dem hinteren Randprofil auf und ermöglicht dadurch Substratbearbeitungen, die trotz schmaler Randprofile bestehenden Qualitätsspezifikationen genügen. Es können auch zwei Abschirmelemente vorhanden sein, beispielsweise eins an dem vorderen und eins an dem hinteren Randprofil, oder mehr als zwei Abschirmelemente.The narrow edge profiles would lead to quality losses by Randumgriffe in conventional substrate applications. For example, a silicon nitride coating carried out on the front side would not only coat the front of the solar wafers, but also the backsides on the front edge of the front row substrates on the substrate support and also the back edges of the back row substrates on the substrate support. The intended editing page is hereby referred to as a front page for illustration, although this term may be inaccurate in other respects. The same applies to the term back. The unwanted coating of partial surfaces of the backs of the substrates can in various cases lead to functional and / or aesthetic quality losses. The substrate carrier according to the invention has at least one shielding element on the front or the rear edge profile and thereby enables substrate processing which, despite narrow edge profiles, satisfies existing quality specifications. There may also be two shielding elements, for example one on the front and one on the rear edge profile, or more than two shielding elements.
An dem vorderen oder dem hinteren Randprofil können auch zwei Abschirmelemente auf beiden Seiten des zweidimensionalen Gitterrostes montiert sein, beispielsweise bei einem horizontal verwendeten Substratträger auf seiner Oberseite und an seiner Unterseite. Der erfindungsgemäße Substratträger kann auch an seinem vorderen und hinteren Randprofil jeweils zwei einander gegenüberliegende Abschirmelemente an beiden Seiten des Gitterrostes also insgesamt vier Abschirmelemente aufweisen. Das Abschirmelement kann beispielsweise bei einer einseitigen Bearbeitung unter Verwendung des Substratträgers von oben auf der nichtbearbeiteten, unteren Seite montiert sein. Bei einer Anordnung des Abschirmelementes auf der eigentlich unbearbeiteten Seite des Substratträgers ist der Einfluss des Abschirmelements auf das Bearbeitungsergebnis auf der Bearbeitungsseite minimal. Zwei einander gegenüberliegende Abschirmelemente (beispielsweise oberhalb und unterhalb eines vorderen Randprofils) können zur Vermeidung von Randumgriffen bei zweiseitig wirkenden Bearbeitungsprozessen und/oder zur räumlichen Aufteilung des Abschirmeffektes bei begrenzten Durchfahrtsbreiten neben dem Substratträger angeordnet sein.Two shielding elements may also be mounted on the front or the rear edge profile on both sides of the two-dimensional grid, for example in the case of a horizontally used substrate carrier on its upper side and on its underside. The substrate carrier according to the invention can also have at its front and rear edge profile in each case two opposing shielding on both sides of the grid so a total of four shielding. For example, the shielding member may be mounted from above on the unprocessed lower side in a one-sided processing using the substrate carrier. With an arrangement of the shielding element on the actually unprocessed side of the substrate carrier, the influence of the shielding element on the processing result on the processing side is minimal. Two mutually opposite shielding elements (for example, above and below a front edge profile) may be arranged next to the substrate carrier to avoid Randumgriffen at two-sided processing processes and / or the spatial distribution of Abschirmeffektes with limited passage widths.
Eine erste Reihe von Substratnestern des erfindungsgemäßen Substratträgers kann neben dem Abschirmelement von einem löchrigen Gewebe abgedeckt sein. Das Vorsehen des löchrigen Gewebes kann eine Maßnahme zur weiteren Reduzierung des Randumgriffs und zur weiteren Erhöhung der Qualität des Bearbeitungsprozesses neben dem vorderen und/oder hinteren Randprofil des Substratträgers sein. Das löchrige Gewebe schirmt einerseits schräg eintreffende Bearbeitungsteilchen bzw. Gasmolekühle und Gasionen ab. Im Falle von Ionen können elektrostatische Aufladungen und Abstoßungskräfte den Abschirmungseffekt noch verstärken. Andererseits ist das Gewebe im Wesentlichen transparent für quer zum Substratträger gerichtete Wärmestrahlung, sodass eine gleichmäßige Wärmeverteilung auf dem Substratträger von dem Gewebe nicht beeinträchtigt wird. Die homogene Wärmeverteilung trägt zu einer gleichmäßigen Substratbearbeitung und einer hohen Substratqualität bei.A first row of substrate nests of the substrate carrier according to the invention may be covered by a holey fabric in addition to the shielding element. The provision of the holey fabric may be a means for further reducing the edge hemming and further increasing the quality of the machining process adjacent the front and / or rear edge profile of the substrate carrier. The holey tissue shields on the one hand diagonally arriving machining particles or gas molecules and gas ions. In the case of ions, electrostatic charges and repulsive forces may exacerbate the shielding effect. On the other hand, the fabric is substantially transparent to thermal radiation directed across the substrate support so that even heat distribution on the substrate support is not affected by the fabric. The homogeneous heat distribution contributes to a uniform substrate processing and a high substrate quality.
Stücken des Gewebes können die gesamte vordere und die gesamte hintere Reihe von Substratnestern abdecken. Eine erste Reihe von Substratnestern neben dem Abschirmelement kann aber auch nur teilweise von einem löchrigen Gewebe abgedeckt sein. Die Breite der Gewebe-Abdeckung kann dabei an die Breite des Bearbeitungsumgriffes angepasst sein, wobei diese beispielsweise von mittleren freien Weglängen und Lebensdauern von Bearbeitungsteilchen abhängt. Bei einer nur teilweisen Abdeckung, wird einerseits der gewünschte Abschirmeffekt erreicht und andererseits der thermische Einfluss des Gewebes auf die Bearbeitung minimiert.Pieces of tissue can cover the entire front and the entire back row of substrate nests. However, a first row of substrate nests next to the shielding element can also be only partially covered by a holey fabric. The width of the fabric cover can be adapted to the width of the Bearbeitungsumgriffes, this being dependent, for example, on average free path lengths and lifetimes of machining particles. With only partial coverage, on the one hand, the desired shielding effect is achieved and, on the other hand, the thermal influence of the fabric on the machining is minimized.
In einem ganz konkreten Ausführungsbeispiel ist eine erste Reihe von Substratnestern neben dem Abschirmelement mit einem Viertel Ihrer Breite von dem Gewebe abgedeckt. Die Breite von einem Viertel ist dabei das Ergebnis einer Optimierung, bei dem die konträren Ziele einer gleichmäßigen Substraterwärmung und einer guten Abschirmung ausgewogen berücksichtigt sind. Das Gewebe kann ein Geflecht aus Edelstahldraht sein. Edelstahl ist ein kostengünstiges, haltbares und chemisch gut beständiges Material. Es können auch andere Materialien eingesetzt werden, die bestehende prozesstechnische, mechanische und chemische Anforderungen erfüllen, beispielsweise andere Metalle oder Kohlenstoff-Faser-Materialien (CFK).In a very specific embodiment, a first row of substrate nests is covered next to the shielding with a quarter of its width from the tissue. The width of one-quarter is the result of an optimization that takes due account of the conflicting goals of uniform substrate heating and good shielding. The fabric may be a mesh of stainless steel wire. Stainless steel is a cost-effective, durable and chemically resistant material. It is also possible to use other materials which have existing process engineering, meet mechanical and chemical requirements, such as other metals or carbon fiber materials (CFRP).
Eine erste Reihe von Substratnestern kann neben dem Abschirmelement zumindest teilweise von einer Platte abgedeckt sein. Die vollständige oder teilweise Abdeckung von Substratnestern mit einer Platte ist eine Alternative zur Abdeckung mit einem Gewebe. Vorteilhafte Eigenschaften der Platte sind eine vollständige Vermeidung eines Gasdurchgangs durch die Platte und eine gute mechanische Stabilität. Bei geeigneter Materialauswahl und Dimensionierung der Platte wird auch trotz der Platte eine hinreichend homogene Erwärmung des Substratträgers erreicht. In einem Ausführungsbeispiel ist die Platte eine 0,5 mm dicke Blende aus einem Kohlenstofffaserverbund (CFK). CFK ist ein stabiles Material, das auch Wärmestrahlung gut weiterleitet.A first row of substrate nests may be at least partially covered by a plate in addition to the shielding element. Full or partial coverage of substrate nests with a plate is an alternative to covering with a tissue. Advantageous characteristics of the plate are complete avoidance of gas passage through the plate and good mechanical stability. With a suitable material selection and dimensioning of the plate, a sufficiently homogeneous heating of the substrate carrier is achieved despite the plate. In one embodiment, the plate is a 0.5 mm thick diaphragm made of a carbon fiber composite (CFRP). CFRP is a stable material that also transmits heat radiation well.
Das Verstärkungselement kann eine Leiste mit dreieckigem Querschnitt und mit in Richtung des Substrates abnehmender Dicke sein. Das Verstärkungselement kann auch als Spoiler bezeichnet werden. Mit der einfachen dreieckigen Querschnittsform ist das Verstärkungselement einfach herstellbar und gut an die bestehenden Aufgaben angepasst. In Substratnähe ist die Dicke des Abschirmelementes klein, so dass dort die Substratbearbeitung kaum gestört wird. An Rand des Substratträgers ist die Dicke größer, sodass entsprechend auch der Abschirmeffekt am Rand des Substratträgers groß ist. Ein solches Verstärkungselement ist in einigen Ausführungsbeispielen 5 mm hoch (in der dritten Dimension) und zwischen 5 mm und 10 mm breit. Das schmale Randprofil des erfindungsgemäßen Substratträgers kann 2 cm schmal sein. Beide Randprofile, das vordere und das hintere, können die gleiche Breite haben. In einigen Ausführungsbeispielen, beispielsweise bei schräg vom Bearbeitungswerkzeug einfallenden Teilchen können aber auch unterschiedliche optimierte Breiten vorn und hinten vorhanden sein.The reinforcing element may be a strip with a triangular cross-section and with decreasing thickness in the direction of the substrate. The reinforcing element may also be referred to as a spoiler. With the simple triangular cross-sectional shape, the reinforcing element is easy to manufacture and well adapted to the existing tasks. Near the substrate, the thickness of the shielding is small, so that there substrate processing is hardly disturbed. At the edge of the substrate carrier, the thickness is greater, so that correspondingly the shielding effect at the edge of the substrate carrier is large. Such a reinforcing element is 5 mm high (in the third dimension) and between 5 mm and 10 mm wide in some embodiments. The narrow edge profile of the substrate carrier according to the invention may be 2 cm narrow. Both edge profiles, the front and the rear, can be the same width. In some embodiments, for example, in particles incident obliquely from the machining tool but also different optimized widths front and rear can be present.
Das Abschirmelement kann an dem Gitterrost auch bewegbar montiert sein. Mit einer mit dem bewegbaren Abschirmelement zusammenwirkenden Antriebsmechanik kann das Abschirmelement beispielsweise neben einem Kammerventil in eine entlang der Durchlaufrichtung nicht überstehende Position und in Bearbeitungspositionen in eine überstehende oder anderweitig besser abschirmende Position gebracht werden. In einigen Ausführungsbeispielen ist das Abschirmelement an dem Gitterrost klappbar und/oder verschiebbar montiert.The shielding element can also be movably mounted on the grid. With a drive mechanism cooperating with the movable shielding element, the shielding element can be brought, for example, next to a chamber valve into a position not projecting along the direction of passage and into a protruding or otherwise better shielding position in processing positions. In some embodiments, the shield is foldably and / or slidably mounted to the grid.
Die verschiedenen beschriebenen Optionen der Erfindung können im Ermessen eines Fachmanns miteinander kombiniert werden, ohne dabei die Grenzen der Offenbarung zu verlassen. Zufällig nacheinander beschriebene Optionen dürfen nicht als zwingende Merkmalskombination fehlinterpretiert werden.The various described options of the invention may be combined at the discretion of one skilled in the art without departing from the scope of the disclosure. Randomly described options must not be misinterpreted as a mandatory combination of features.
Die vorliegende Erfindung soll im Folgenden anhand von Figuren weiter erläutert werden; es zeigen:
-
1 einen erfindungsgemäßen Substratträger in Draufsicht; -
2 einen erfindungsgemäßen Substratträger in einer Querschnittsansicht; -
3 einen erfindungsgemäßen Substratträger mit Gewebe-Abdeckungen und -
4 einen erfindungsgemäßen Substratträger mit Platten-Abdeckungen von Teilen von Substratnestern.
-
1 a substrate carrier according to the invention in plan view; -
2 a substrate carrier according to the invention in a cross-sectional view; -
3 a substrate carrier according to the invention with tissue covers and -
4 a substrate carrier according to the invention with plate covers of parts of substrate nests.
Figur
Gleiche Bezugszeichen bezeichnen in verschiedenen Figuren gleiche oder ähnliche Gegenstände. Beschreibungen einer Figur sind auch bei den Beschreibungen der anderen Figuren zu deren Verständnis zu berücksichtigen.Like reference numerals designate the same or similar objects in different figures. Descriptions of a figure are also to be considered in the descriptions of the other figures for their understanding.
In
Die Bearbeitungskammer ist beispielsweise eine PECVD-Abscheidekammer für dielektrische, halbleitende oder leitfähige Schichten. Die Bearbeitungskammer kann aber auch eine sonstige Kammer zur Schichterzeugung, zur Oberflächenbehandlung oder zum Schichtabtragen sein. Die Bewegung von Bearbeitungsteilchen in der Bearbeitungskammer hängt von verschiedenen Faktoren ab. Eine wichtige Größe ist der verwendete Bearbeitungsdruck, denn je kleiner der Gasdruck in einem Vakuum ist, desto geringer ist Zahl von Teilchen pro Volumeneinheit und desto größer sind die mittleren freien Weglängen, die Teilchen zurücklegen können, bevor sie mit anderen Teilchen zusammenstoßen. Andere wichtige Größen sind eingestellte Strömungsgeschwindigkeiten, Strömungsrichtungen, chemische Reaktivitäten, Richtcharakteristiken von Plasmaquellen und andere anlagenspezifische Größen.The processing chamber is, for example, a PECVD deposition chamber for dielectric, semiconductive or conductive layers. The processing chamber may also be another chamber for layer production, surface treatment or Schichtabtragen. The movement of machining particles in the processing chamber depends on various factors. An important factor is the processing pressure used, because the smaller the gas pressure in a vacuum, the lower the number of particles per unit volume, and the greater the mean free path lengths that particles can travel before colliding with other particles. Other important parameters are set flow rates, flow directions, chemical reactivities, directional characteristics of plasma sources, and other plant-specific quantities.
In
BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS
- 1, 1', 1"1, 1 ', 1 "
- Substratträgersubstrate carrier
- 22
- Gitterrostgrating
- 33
- Profile des GitterostesProfiles of the gridiron
- 44
- Substratnestsubstrate nest
- 55
- vorderes Randprofilfront edge profile
- 66
- hinteres Randprofilrear edge profile
- 77
- DurchlaufrichtungThroughput direction
- 88th
- Abschirmelementshielding
- 99
- Substratsubstratum
- 1010
- löchriges Gewebeholey fabric
- 1111
- Platteplate
Claims (12)
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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