DE102018103160A1 - Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements - Google Patents

Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements Download PDF

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Abstract

Es wird ein optoelektronisches Bauelement, das elektromagnetische Strahlung von einer Strahlungsaustrittsfläche (3) aussendet, mit den folgenden Merkmalen angegeben:
- einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (1), der elektromagnetische Strahlung erzeugt, und
- einem Markierungselement (5), das auf der Strahlungsaustrittsfläche (3) des optoelektronischen Bauelements aufgebracht ist, wobei das Markierungselement (5) eine Farbe (4) umfasst, die mit einem Lösungsmittel von der Strahlungsaustrittsfläche (3) entfernbar und/oder durchlässig für die elektromagnetische Strahlung des optoelektronischen Bauelements ist.
Außerdem wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements angegeben.

Description

  • Es werden ein optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements angegeben.
  • Es soll ein optoelektronisches Bauelement angegeben werden, das besonders einfach montiert werden kann. Außerdem soll ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelements angegeben werden, das besonders einfach montiert werden kann.
  • Diese Aufgaben werden durch ein optoelektronisches Bauelement mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 und durch ein Verfahren mit den Schritten des Patentanspruchs 7 gelöst.
  • Vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen des optoelektronischen Bauelements und des Verfahrens zur Herstellung des optoelektronischen Bauelements sind Gegenstand der jeweils abhängigen Ansprüche.
  • Gemäß einer Ausführungsform weist das optoelektronische Bauelement eine Strahlungsaustrittsfläche auf, von der die elektromagnetische Strahlung des optoelektronischen Bauelements im Betrieb emittiert wird.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst das optoelektronische Bauelement einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip, der elektromagnetische Strahlung erzeugt. Beispielsweise handelt es sich bei dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip um einen Leuchtdiodenchip. Auch der strahlungsemittierende Halbleiterchip weist eine Strahlungsaustrittsfläche auf, von der die im Betrieb erzeugte elektromagnetische Strahlung ausgesandt wird. Die Strahlungsaustrittfläche des optoelektronischen Bauelements kann ganz oder teilweise durch die Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterchips gebildet sein. Weiterhin ist es auch möglich, dass auf die Strahlungsaustrittsfläche des strahlungsemittierenden Halbleiterchips ein Konversionselement aufgebracht ist, das elektromagnetische Strahlung des strahlungsemittierenden Halbleiterchips in elektromagnetische Strahlung eines anderen Wellenlängenbereichs umwandelt. Ein derartiges Konversionselement ist weiter unten im Text näher beschrieben.
  • Die Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterchips kann über die gesamte Fläche durchgehend strahlungsemittierend ausgebildet sein. Weiterhin ist es auch möglich, dass die Strahlungsaustrittsfläche eine Vielzahl strahlungsemittierender Unterbereiche aufweist, die durch nicht-strahlende Bereiche voneinander getrennt sind. Die Unterbereiche können beispielsweise in Pixel zusammengefasst sein oder Pixel ausbilden.
  • Die elektromagnetische Strahlung, die von dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip erzeugt wird, kann beispielsweise infrarote Strahlung, sichtbares Licht oder ultraviolette Strahlung sein.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst das optoelektronische Bauelement ein Markierungselement. Das Markierungselement ist besonders bevorzugt auf der Strahlungsaustrittsfläche des optoelektronischen Bauelements aufgebracht.
  • Besonders bevorzugt umfasst das Markierungselement eine Farbe oder ist aus einer Farbe gebildet, die mit einem Lösungsmittel von der Strahlungsaustrittsfläche entfernbar ist. Alternativ oder zusätzlich ist es auch möglich, dass die Farbe durchlässig für die elektromagnetische Strahlung des optoelektronischen Bauelements ausgebildet ist.
  • „Durchlässig für die elektromagnetische Strahlung des optoelektronischen Bauelements“ bedeutet hierbei besonders bevorzugt, dass die Farbe zumindest 80 %, bevorzugt zumindest 90 % und besonders bevorzugt zumindest 95 % der elektromagnetischen Strahlung des optoelektronischen Bauelements durchlässt.
  • Beispielsweise absorbiert die Farbe einen bestimmten Wellenlängenbereich insbesondere des sichtbaren Lichts und weist daher einen Farbeindruck für das menschliche Auge auf.
  • Beispielsweise ist die absorbierende Farbe aus einem der folgenden Materialien gebildet oder weist eines der folgenden Materialien auf: TiO2, Fe2O3, C, BiVO4, Fe4[Fe(CN)6]3 (Eisencyanblau) .
  • Besonders bevorzugt ist die Farbe aber wellenlängenkonvertierend ausgebildet. Beispielsweise umfasst die Farbe ein Harz, wie beispielsweise ein Silikon oder ein Epoxid, in das Leuchtstoffpartikel eingebracht sind. Die Leuchtstoffpartikel verleihen der Farbe bevorzugt die wellenlängenkonvertierenden Eigenschaften. Die Leuchtstoffpartikel sind dazu geeignet, elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs in elektromagnetische Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs umzuwandeln. Bevorzugt umfasst der zweite Wellenlängenbereich größere Wellenlängen als der erste Wellenlängenbereich. Beispielsweise liegen der erste Wellenlängenbereich und der zweite Wellenlängenbereich im ultravioletten Spektralbereich. Besonders bevorzugt sind der erste Wellenlängenbereich und/oder der zweite Wellenlängenbereich nicht von der elektromagnetischen Strahlung umfasst, die das optoelektronische Bauelement aussendet.
  • Beispielsweise sind die Leuchtstoffpartikel aus einem der folgenden Materialien gebildet oder weisen eines der folgenden Materialien auf: ZnS, beispielsweise dotiert mit Mn, Ag, Cu oder Ln, LaMgAl11O19: Ce, YPO4:Ce, BaSi2O5:Pb, Sr2MgSi2O7:Pb, SrB4O7:Eu, SrAl12O19:Ce, LaPO4:Ce, LaB3O6:Bi, Gd, YBO3:Pr, YAlO3:PR, YPO4:Bi, CaSO4:Pb.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform markiert das Markierungselement die Position zumindest eines elektrischen Kontakts des optoelektronischen Bauelements. Der elektrische Kontakt ist hierbei besonders bevorzugt auf einer Rückseite des optoelektronischen Bauelements angeordnet, die der Strahlungsaustrittsfläche gegenüberliegt.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist das optoelektronische Bauelement zumindest zwei elektrische Kontakte auf. Besonders bevorzugt sind beide elektrischen Kontakte des optoelektronischen Bauelements auf dessen Rückseite angeordnet. Beispielsweise sind die elektrischen Kontakte streifenförmig ausgebildet und verlaufen im Wesentlichen parallel zueinander von einer Seitenfläche des optoelektronischen Bauelements zu einer gegenüberliegenden Seite des optoelektronischen Bauelements.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist die Farbe absorbierend im ultravioletten Spektralbereich ausgebildet. Beispielsweise absorbiert die Farbe im ultravioletten Spektralbereich und sendet aufgrund wellenlängenkonvertierender Leuchtstoffpartikel elektromagnetische Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs im längerwelligen ultravioletten Spektralbereich oder im sichtbaren Spektralbereich aus. Hierbei sendet das optoelektronische Bauelement bevorzugt elektromagnetische Strahlung aus, die weder in dem ersten Wellenlängenbereich noch in dem zweiten Wellenlängenbereich liegt.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist die Strahlungsaustrittsfläche des optoelektronischen Bauelements höchstens 14 % kleiner als die Querschnittsfläche des optoelektronischen Bauelements. Hierbei liegt die Querschnittsfläche besonders bevorzugt in der gleichen Ebene wie die Strahlungsaustrittsfläche. Mit anderen Worten ist die Hauptfläche, die die Strahlungsaustrittsfläche des optoelektronischen Bauelements umfasst, also nicht sehr viel größer als die Strahlungsaustrittsfläche. Beispielsweise umfasst das optoelektronische Bauelement neben dem Halbleiterchip lediglich einen schmalen Rahmen, der die Strahlungsaustrittsfläche umläuft und so nur einen sehr kleinen Flächenanteil zu der die Strahlungsaustrittfläche umfassenden Hauptfläche beiträgt. Beispielsweise liegt die Größe der Querschnittsfläche zwischen einschließlich 150 Mikrometer mal 150 Mikrometer und einschließlich 2 Millimeter mal 2 Millimeter.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist das Markierungselement eine Abmessung auf, die mindestens 140 Mikrometer groß ist. Ein derartiges Markierungselement ist mit Vorteil dazu geeignet, durch gängige Detektionseinrichtungen in der Montage erkannt zu werden.
  • Das Markierungselement kann beispielsweise als Quadrat, Rechteck oder Raute ausgebildet sein. Besonders bevorzugt weist das Markierungselement eine Form auf, die mit einem der im Folgenden beschriebenen Herstellungsverfahren automatisch erzeugt wird. Beispielsweise ist das Markierungselement als einfacher Fleck ausgebildet. Eine Abmessung des Markierungselements kann beispielsweise eine Seitenlänge, ein Radius oder auch ein Durchmesser sein.
  • Besonders bevorzugt ist das Markierungselement nicht rotationssymmetrisch zu einem Symmetriepunkt der Strahlungsaustrittsfläche und/oder der Vorderseite des optoelektronischen Bauelements angeordnet.
  • Ist das Markierungselement dazu vorgesehen, wieder von der Strahlungsaustrittsfläche entfernt zu werden, beispielsweise nach erfolgter Montage des Bauelements, so wird hierzu bevorzugt ein Lösungsmittel verwendet. Bei dem Lösungsmittel zur Entfernung des Markierungselements kann es sich um Wasser, Ethanol, Aceton, Isopropanol handeln.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist das optoelektronische Bauelement ein Konversionselement auf, das dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung des Halbleiterchips ganz oder teilweise in elektromagnetische Strahlung eines dritten Wellenlängenbereichs umzuwandeln.
  • Beispielsweise ist die Strahlungsaustrittsfläche des optoelektronischen Bauelements durch eine Hauptfläche des Konversionselements gebildet.
  • Wandelt das Konversionselement die elektromagnetische Strahlung des Halbleiterchips möglichst vollständig in elektromagnetische Strahlung des dritten Wellenlängenbereichs um, so sendet das optoelektronische Bauelement elektromagnetische Strahlung des dritten Wellenlängenbereichs aus. Die Farbe des Markierungselements ist in diesem Fall besonders bevorzugt durchlässig für die elektromagnetische Strahlung des dritten Wellenlängenbereichs.
  • Alternativ ist es auch möglich, dass das Konversionselement dazu eingerichtet ist, die elektromagnetische Strahlung des Halbleiterchips lediglich teilweise in elektromagnetische Strahlung des dritten Wellenlängenbereichs umzuwandeln, sodass das optoelektronische Bauelement von seiner Strahlungsaustrittsfläche elektromagnetische Strahlung aussendet, die sich aus konvertierter Strahlung des dritten Wellenlängenbereichs und unkonvertierter Strahlung des elektromagnetischen Halbleiterchips zusammensetzt. In diesem Fall ist die Farbe des Markierungselements besonders bevorzugt durchlässig für elektromagnetische Strahlung des Halbleiterchips und elektromagnetische Strahlung des dritten Wellenlängenbereichs.
  • Das hier beschriebene optoelektronische Bauelement kann beispielsweise mit dem im Folgenden beschriebenen Verfahren hergestellt werden. Merkmale und Ausgestaltungen, die vorliegend lediglich in Verbindung mit dem optoelektronischen Bauelement beschrieben sind, können, falls sinnvoll, ebenfalls bei dem Verfahren ausgebildet sein und umgekehrt.
  • Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Farbe zur Erzeugung des Markierungselements auf die Strahlungsaustrittsfläche des optoelektronischen Bauelements aufgebracht.
  • Beispielsweise kann die Farbe aus einer Kartusche durch Beaufschlagung mit Druck durch Jetten durch ein Jet-Ventil aufgebracht werden. Hierbei wird bei der Beaufschlagung mit Druck ein Tropfen der Farbe erzeugt, der auf die Strahlungsaustrittsfläche auftrifft. Beispielsweise weist der Tropfen eine Masse zwischen einschließlich 10 Mikrogramm und einschließlich 100 Mikrogramm auf. Mit diesem Verfahren können insbesondere Farben mit einer Viskosität zwischen einschließlich 10 Pa*s und einschließlich 0,001 Pa*s verarbeitet werden. Zur Einstellung der Viskosität auf einen gewünschten Wert kann die Farbe mit einem Lösungsmittel verdünnt werden.
  • Weiterhin ist es auch möglich, dass die Farbe aus einer Kartusche durch Beaufschlagung mit Druck durch Dispensen durch eine Nadel aufgebracht wird. Diese Ausführungsform des Verfahrens ist insbesondere für Farben mit einer Viskosität zwischen einschließlich 10000 Pa*s und einschließlich 0,01 Pa*s geeignet.
  • Schließlich ist es möglich, dass die Farbe aus einer offenporigen Membran oder einer Kapillare durch Kontakt mit der Oberfläche, auf die die Farbe aufgebracht werden soll, wie beispielsweise der Strahlungsaustrittsfläche, durch Inken aufgebracht wird. Hierbei kann die Kapillare oder die Membran manuell oder automatisiert mechanisch geführt werden. Auch diese Ausführungsform des Verfahrens ist insbesondere für Farben mit einer Viskosität zwischen einschließlich 10000 Pa*s und einschließlich 0,01 Pa*s geeignet.
  • Vorliegend wird vorgeschlagen, das Markierungselement, das etwa zur Markierung der Position eines rückseitigen elektrischen Kontakts dient, auf der Strahlungsaustrittsfläche des optoelektronischen Bauelements aufzubringen. So befindet sich das Markierungselement auf einer Vorderseite des optoelektronischen Bauelements, so dass das optoelektronische Bauelement in der Regel vereinfacht montiert werden kann, etwa auf einen Anschlussträger.
  • Insbesondere bei Bauelementen, bei denen die Strahlungsaustrittsfläche den Großteil der Vorderseite einnimmt, ist die Aufbringung des Markierungselements auf der Strahlungsaustrittsfläche unter Umständen unumgänglich, da ansonsten kein ausreichender Platz auf der Vorderseite zur Verfügung steht.
  • Bevorzugt kann das Markierungselement entweder wieder von der Strahlungsaustrittsfläche entfernt werden oder das Markierungselement weist eine Farbe auf oder ist aus einer Farbe gebildet, die für die elektromagnetische Strahlung des optoelektronischen Bauelements durchlässig ist. Auf diese Art und Weise kann mit Vorteil ein Markierungselement auf der Strahlungsaustrittsfläche erzeugt werden, das die Abstrahlcharakteristik des Bauelements und/oder die Effizienz des Bauelements nicht verringert.
  • Weitere vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsbeispielen.
  • Anhand der schematischen perspektivischen Darstellungen der 1 und 2 wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements gemäß einem Ausführungsbeispiel beschrieben.
  • Die schematischen perspektivischen Darstellungen der 3 und 4 zeigen ein optoelektronisches Bauelement gemäß jeweils einem Ausführungsbeispiel.
  • Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente, insbesondere Schichtdicken, zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
  • Bei dem Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements gemäß dem Ausführungsbeispiel der 1 und 2 wird in einem ersten Schritt ein optoelektronisches Bauelement ohne Markierungselement 5 bereitgestellt. Das optoelektronische Bauelement umfasst einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip 1, der vorliegend vollständig von einem umlaufenden Rahmen 2 umschlossen wird. Der Rahmen ersetzt ein Bauelementgehäuse und dient der mechanischen Stabilität des optoelektronischen Bauelements. Die Vorderseite des optoelektronischen Bauelements wird bei diesem Ausführungsbeispiel durch eine Strahlungsaustrittsfläche des strahlungsemittierenden Halbleiterchips 1 und eine stirnseitige Fläche des Rahmens 2 gebildet.
  • Vorliegend bildet die Strahlungsaustrittsfläche des strahlungsemittierenden Halbleiterchips die Strahlungsaustrittsfläche 3 des optoelektronischen Bauelements aus. Von der Strahlungsaustrittsfläche 3 des strahlungsemittierenden Halbleiterchips 1 wird die elektromagnetische Strahlung des optoelektronischen Bauelements ausgesandt.
  • In einem nächsten Schritt, der schematisch in 2 dargestellt wird, wird eine Farbe 4 zur Erzeugung eines Markierungselements 5 auf die Strahlungsaustrittsfläche 3 des optoelektronischen Bauelements aufgebracht. Dies kann beispielsweise durch Jetten erfolgen. Beim Jetten wird die Farbe 4 bevorzugt aus einer Kartusche durch Beaufschlagung mit Druck in Form eines Tropfens mit definierter Masse herausgedrückt.
  • Weiterhin ist es auch möglich, dass die Farbe 4 aus einer Kartusche dispenst wird. Beim Dispensen wird die Farbe 4 aus der Kartusche durch Beaufschlagung mit Druck durch eine Nadel in Form eines Tropfens mit definierter Masse herausgedrückt und auf die Strahlungsaustrittsfläche 3 aufgebracht.
  • Insbesondere beim Jetten oder Dispensen wird in der Regel ein Tropfen erzeugt, der auf die Strahlungsaustrittsfläche 3 des optoelektronischen Bauelements auftrifft und dort einen mehr oder weniger regelmäßigen Fleck als Markierungselement 5 ausbildet.
  • Weiterhin ist es auch möglich, dass die Farbe 4 aus einer offenporigen Membran oder einer Kapillare auf die Strahlungsaustrittsfläche 3 aufgebracht wird. Hierbei tritt die Farbe 4 in der Regel aufgrund der Oberflächenkräfte aus der Membran oder der Kapillare aus.
  • Das erzeugte Markierungselement 5 ist dazu geeignet, einen elektrischen Kontakt auf einer Rückseite des optoelektronischen Bauelements, die der Vorderseite gegenüberliegt, zu markieren. Hierzu wird das Markierungselement 5 besonders bevorzugt unsymmetrisch zu einem Mittelpunkt der Vorderseite oder unsymmetrisch zu einer Rotationsachse der Vorderseite aufgebracht. Beispielsweise wird das Markierungselement 5 in einer Ecke der Vorderseite und/oder der Strahlungsaustrittsfläche 3 aufgebracht.
  • Das optoelektronische Bauelement gemäß dem Ausführungsbeispiel der 3 weist im Unterschied zu dem optoelektronischen Bauelement gemäß dem Ausführungsbeispiel der 1 und 2 ein Konversionselement 6 auf. Das Konversionselement 6 ist dazu geeignet, elektromagnetische Strahlung, die von dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip 1 erzeugt wird, zumindest teilweise in Strahlung eines dritten Wellenlängenbereichs umzuwandeln. Auf der Strahlungsaustrittsfläche 3 des optoelektronischen Bauelements ist vorliegend ein Markierungselement 5 ausgebildet, das die Form eines Flecks aufweist. Ein Markierungselement 5 mit der Form eines Flecks kann beispielsweise mittels Dispensens oder Jettens der Farbe 4 erzeugt werden.
  • Die Farbe 4 des Markierungselements 5 ist beispielsweise aus einem Harz gebildet, wie Silikon, in das Leuchtstoffpartikel eingebracht sind. Die Leuchtstoffpartikel sind hierbei bevorzugt dazu geeignet, elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs aus dem ultravioletten Spektralbereich in elektromagnetische Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs umzuwandeln, der längerwellige ultraviolette Strahlung als der erste Wellenlängenbereich aufweist. Besonders bevorzugt liegen der erste Wellenlängenbereich und der zweite Wellenlängenbereich nicht in dem Wellenlängenbereich, der von dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip 1 ausgesandt wird.
  • Das optoelektronische Bauelement gemäß dem Ausführungsbeispiel der 4 weist im Unterschied zu dem optoelektronischen Bauelement gemäß dem Ausführungsbeispiel der 3 ein Markierungselement 5 auf, das rechteckig ausgebildet ist. Das optoelektronische Bauelement weist vorliegend eine Querschnittsfläche von ungefähr 1 Millimeter mal 1 Millimeter auf. Das Markierungselement 5 weist eine Kantenlänge von ungefähr 140 Mikrometer auf.
  • Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    Halbleiterchip
    2
    Rahmen
    3
    Strahlungsaustrittsfläche
    4
    Farbe
    5
    Markierungselement
    6
    Konversionselement

Claims (10)

  1. Optoelektronisches Bauelement, das elektromagnetische Strahlung von einer Strahlungsaustrittsfläche (3) aussendet, mit: - einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (1), der elektromagnetische Strahlung erzeugt, und - einem Markierungselement (5), das auf der Strahlungsaustrittsfläche (3) des optoelektronischen Bauelements aufgebracht ist, wobei das Markierungselement (5) eine Farbe (4) umfasst, die mit einem Lösungsmittel von der Strahlungsaustrittsfläche (3) entfernbar und/oder durchlässig für die elektromagnetische Strahlung des optoelektronischen Bauelements ist.
  2. Optoelektronisches Bauelement nach dem vorherigen Anspruch, bei dem die Farbe (4) ein Harz umfasst, in das Leuchtstoffpartikel eingebracht sind.
  3. Optoelektronisches Bauelement nach einem der obigen Ansprüche, bei dem das Markierungselement (5) die Position zumindest eines elektrischen Kontakts des optoelektronischen Bauelements markiert.
  4. Optoelektronisches Bauelement nach einem der obigen Ansprüche, bei dem die Farbe (4) absorbierend im ultravioletten Spektralbereich ausgebildet ist.
  5. Optoelektronisches Bauelement nach einem der obigen Ansprüche, bei dem die Strahlungsaustrittsfläche (3) des optoelektronischen Bauelements höchstens 14 % kleiner ist der Querschnittsfläche des optoelektronischen Bauelements.
  6. Optoelektronisches Bauelement nach einem der obigen Ansprüche, bei dem das Markierungselement (5) eine Abmessung aufweist, die mindestens 140 Mikrometer groß ist.
  7. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements, bei dem eine Farbe (4) zur Erzeugung eines Markierungselements (5) auf eine Strahlungsaustrittsfläche (3) des optoelektronischen Bauelements aufgebracht wird, wobei die Farbe (4) mit einem Lösungsmittel von der Strahlungsaustrittsfläche (3) entfernbar und/oder durchlässig für die elektromagnetische Strahlung des optoelektronischen Bauelements ist.
  8. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, bei dem die Farbe (4) aus einer Kartusche durch Beaufschlagung mit Druck durch Jetten durch ein Jet-Ventil aufgebracht wird.
  9. Verfahren nach Anspruch 7, bei dem die Farbe (4) aus einer Kartusche durch Beaufschlagung mit Druck durch Dispensen durch eine Nadel aufgebracht wird.
  10. Verfahren nach Anspruch 7, bei dem die Farbe (4) aus einer offenporigen Membran oder einer Kapillare durch Kontakt mit der Strahlungsaustrittsfläche durch Inken aufgebracht wird.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015100294A1 (de) * 2014-01-13 2015-07-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Lichtemittierende Halbleitervorrichtung

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5848562B2 (ja) 2011-09-21 2016-01-27 シチズン電子株式会社 半導体発光装置及びその製造方法。
WO2017121833A1 (en) * 2016-01-14 2017-07-20 Basf Se Perylene bisimides with rigid 2,2'-biphenoxy bridges
US20190165226A1 (en) 2016-05-02 2019-05-30 Lg Innotek Co., Ltd. Semiconductor element package
US11145689B2 (en) * 2018-11-29 2021-10-12 Creeled, Inc. Indicia for light emitting diode chips

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015100294A1 (de) * 2014-01-13 2015-07-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Lichtemittierende Halbleitervorrichtung

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