DE102017214211A1 - Schaltung zur Ansteuerung eines Leistungshalbleitertransistors - Google Patents
Schaltung zur Ansteuerung eines Leistungshalbleitertransistors Download PDFInfo
- Publication number
- DE102017214211A1 DE102017214211A1 DE102017214211.1A DE102017214211A DE102017214211A1 DE 102017214211 A1 DE102017214211 A1 DE 102017214211A1 DE 102017214211 A DE102017214211 A DE 102017214211A DE 102017214211 A1 DE102017214211 A1 DE 102017214211A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- power semiconductor
- circuit
- semiconductor transistor
- gate
- current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
- H03K17/0828—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in composite switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
- H03K17/0822—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K2217/00—Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00
- H03K2217/0027—Measuring means of, e.g. currents through or voltages across the switch
Landscapes
- Power Conversion In General (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102017214211.1A DE102017214211A1 (de) | 2017-08-15 | 2017-08-15 | Schaltung zur Ansteuerung eines Leistungshalbleitertransistors |
PCT/EP2018/071579 WO2019034505A1 (fr) | 2017-08-15 | 2018-08-09 | Circuit d'activation d'un transistor de puissance à semi-conducteur |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102017214211.1A DE102017214211A1 (de) | 2017-08-15 | 2017-08-15 | Schaltung zur Ansteuerung eines Leistungshalbleitertransistors |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102017214211A1 true DE102017214211A1 (de) | 2019-02-21 |
Family
ID=63165377
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102017214211.1A Withdrawn DE102017214211A1 (de) | 2017-08-15 | 2017-08-15 | Schaltung zur Ansteuerung eines Leistungshalbleitertransistors |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102017214211A1 (fr) |
WO (1) | WO2019034505A1 (fr) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US12122251B2 (en) | 2022-09-28 | 2024-10-22 | BorgWarner US Technologies LLC | Systems and methods for bidirectional message architecture for inverter for electric vehicle |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0730347A3 (fr) * | 1992-03-18 | 1996-10-23 | Fuji Electric Co Ltd | Dispositif semi-conducteur |
US7463469B2 (en) * | 2006-02-02 | 2008-12-09 | Texas Instruments Incorporated | System and method for current overload response with class D topology |
US20130088096A1 (en) * | 2010-04-14 | 2013-04-11 | Honda Motor Co., Ltd. | Short-circuit protection method |
JP5776658B2 (ja) * | 2012-09-24 | 2015-09-09 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体駆動装置 |
-
2017
- 2017-08-15 DE DE102017214211.1A patent/DE102017214211A1/de not_active Withdrawn
-
2018
- 2018-08-09 WO PCT/EP2018/071579 patent/WO2019034505A1/fr active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2019034505A1 (fr) | 2019-02-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102016224706B4 (de) | Gate-Antriebsschaltung für Halbleiterschaltgeräte | |
DE102011081970B4 (de) | Ansteuerschaltung und Halbleitervorrichtung mit der Ansteuerschaltung | |
DE112013006487B4 (de) | Ansteuervorrichtung für Halbleiterelemente und Halbleitervorrichtigung | |
DE112013001123B4 (de) | Leistungsschaltung | |
DE112005002029B4 (de) | Kaskodierter Gleichrichter | |
DE60038050T2 (de) | Einschaltstrom-begrenzungsschaltung, stromversorgungseinrichtung und leistungswandler | |
DE112010005430T5 (de) | Wandlervorrichtung für elektrische Energie und Überspannungs-Unterdrückungsverfahren | |
DE112013006912B4 (de) | Vorrichtung zum Steuern eines Halbleiterelements mit isolierendem Gate und Leistungswandlungsvorrichtung, welche die Vorrichtung zum Steuern des Halbleiterelements mit isolierendem Gate verwendet | |
DE112012001674T5 (de) | Kaskodenschalter mit selbstsperrenden und selbstleitenden Bauelementen und die Schalter umfassende Schaltungen | |
DE102015220594A1 (de) | Halbleiter-Antriebseinheit und Stromrichter, der diese verwendet | |
DE102017108305A1 (de) | Leistungsumwandlungsgerät | |
DE112014004979B4 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE102019202864A1 (de) | Ansteuervorrichtung und Leistungsmodul | |
DE102014100717A1 (de) | Stromrichter | |
DE112014002021T5 (de) | Schaltelement-Ansteuerkreis | |
DE202014011366U1 (de) | Elektronischer Schutzschalter | |
DE102020104717A1 (de) | Gate-Treiber und Leistungswandler | |
DE102016220118A1 (de) | Batterie-Trenneinrichtung und Verfahren zur Durchführung eines Vorladezyklus | |
DE102012223606A1 (de) | Halbleitertreiberschaltung und Halbleitervorrichtung | |
DE102012220127A1 (de) | Halbleiterschaltvorrichtung | |
DE102014202643A1 (de) | Halbleitervorrichtungs-Ansteuerschaltung und Halbleitervorrichtungs-Ansteuereinheit | |
DE102014110768B3 (de) | Leistungshalbleiterschaltung | |
DE102023103416A1 (de) | Kurzschlussdetektion und begrenzung eines kanalstroms in einem transistor vor dem ausschalten in einen kurzschlusszustand | |
DE102012216161B4 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE102015110513B3 (de) | Leistungshalbleiterschaltung mit einem Feldeffekttransistor |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |