DE102017129767A1 - Kompakte 3d-empfängerarchitektur unter verwendung einer silizium-germanium durchkontaktierungs-technologie - Google Patents
Kompakte 3d-empfängerarchitektur unter verwendung einer silizium-germanium durchkontaktierungs-technologie Download PDFInfo
- Publication number
- DE102017129767A1 DE102017129767A1 DE102017129767.7A DE102017129767A DE102017129767A1 DE 102017129767 A1 DE102017129767 A1 DE 102017129767A1 DE 102017129767 A DE102017129767 A DE 102017129767A DE 102017129767 A1 DE102017129767 A1 DE 102017129767A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- silicon
- signal
- radio
- delta
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 23
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 title description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 27
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 14
- 238000013461 design Methods 0.000 abstract description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 abstract description 2
- 241000724291 Tobacco streak virus Species 0.000 description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 5
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 5
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 2
- 238000013139 quantization Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000010267 cellular communication Effects 0.000 description 1
- 230000005465 channeling Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 229920005994 diacetyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/06—Receivers
- H04B1/16—Circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
- H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
- H01L21/8221—Three dimensional integrated circuits stacked in different levels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
- H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
- H01L21/8248—Combination of bipolar and field-effect technology
- H01L21/8249—Bipolar and MOS technology
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/66—High-frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/0611—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region
- H01L27/0617—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region comprising components of the field-effect type
- H01L27/0635—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region comprising components of the field-effect type in combination with bipolar transistors and diodes, or resistors, or capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/0688—Integrated circuits having a three-dimensional layout
- H01L27/0694—Integrated circuits having a three-dimensional layout comprising components formed on opposite sides of a semiconductor substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
- H01L2223/64—Impedance arrangements
- H01L2223/66—High-frequency adaptations
- H01L2223/6605—High-frequency electrical connections
- H01L2223/6616—Vertical connections, e.g. vias
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
- H01L2223/64—Impedance arrangements
- H01L2223/66—High-frequency adaptations
- H01L2223/6661—High-frequency adaptations for passive devices
- H01L2223/6677—High-frequency adaptations for passive devices for antenna, e.g. antenna included within housing of semiconductor device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/06541—Conductive via connections through the device, e.g. vertical interconnects, through silicon via [TSV]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/481—Internal lead connections, e.g. via connections, feedthrough structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/0605—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits made of compound material, e.g. AIIIBV
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/0611—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region
- H01L27/0617—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region comprising components of the field-effect type
- H01L27/0623—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region comprising components of the field-effect type in combination with bipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/085—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only
- H01L27/088—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate
- H01L27/092—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate complementary MIS field-effect transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/73—Bipolar junction transistors
- H01L29/737—Hetero-junction transistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transceivers (AREA)
Abstract
Ein Breitbandfunksystem zum Anpassen an verschiedene globale Funkstandards und insbesondere an ein System und Verfahren mit einem kompakten Empfänger-Array-Design um den Bedarf an verstärkten mobilen Breitbanddiensten zu decken, wobei eine Silizium-Durchkontaktierung zum Verbinden von analogen Frontend-Funktionen in SiGe BiCMOS mit Backend-Schaltungen in CMOS verwendet wird.
Description
- HINTERGRUND
- Technisches Gebiet der Technologie
- Die vorliegende Anmeldung bezieht sich im Allgemeinen auf ein Breitbandfunksystem zum Anpassen an verschiedene globale Funkstandards und insbesondere auf eine Mobilfunkarchitektur, die eine Kombination aus einem einzelnen Zirkulator, programmierbarem Bandpass-Sampling-Radiofrequenz-Frontend (RF) und optimiertem digitalem Basisband verwendet, das alle aktuellen Mobilfunk-Zugangsprotokoll-Frequenzbänder unterstützen kann. Das System und Verfahren beinhaltet ein kompaktes Empfänger-Array-Design zur Unterstützung der Nachfrage nach verstärkten mobilen Breitbanddiensten unter Verwendung von Silizium-Durchkontaktierungen (TSVs) zur Verbindung von analogen Frontend-Funktionen in SiGe BiCMOS mit Backend-Schaltungen in CMOS.
- Erläuterung des Standes der Technik
- Herkömmliche Mobiltelefone verwenden verschiedene Betriebsmodi und -bänder, die hardwaremäßig unterstützt werden, indem mehrere unterschiedliche Funk-Front-End- und Basisbandverarbeitungschips in einer Plattform integriert sind, wie beispielsweise Triband- oder Quad-Band-Benutzer-Handgeräte, die ein globales System für Mobilkommunikation (GSM), allgemeine Paketfunkdienste (GPRS-Global Packet Radio Service) usw. unterstützen. Bekannte Mobilfunkempfänger haben einige der Antennen- und Basisband-Datenpfade integriert, aber dennoch ist der heutige Stand der Technik für die Bereitstellung von Massen-Mobilfunkgeräten und Fahrzeugfunk nach wie vor ein mehrfacher statischer Kanalisierungsansatz. Eine derartige statische Architektur ist entscheidend von Schmalbandfiltern, Dopplern und einer standardspezifischen Abwärtskonvertierung in Zwischenfrequenz (IF)-Stufen abhängig. Der Hauptnachteil dieses statischen, kanalisierten Ansatzes ist seine Inflexibilität in Bezug auf die sich ändernden Standards und Betriebsarten. Da sich die Mobilfunkindustrie von 2G, 3G, 4G und darüber hinaus weiterentwickelt hat, erforderte jede neue Wellenform und jeder neue Modus eine Umgestaltung des RF-Frontends des Empfängers sowie die Erweiterung der Basisband-Chipsatz-Fähigkeit, was ein neues Handgerät erforderlich machte. Für Automobilanwendungen ist diese Unflexibilität zur Unterstützung neuer Anwendungen unerschwinglich teuer und für den Endverbraucher eine Belästigung.
- Die Bereitstellung von zuverlässigen, drahtlosen Zugängen für die Automobilindustrie ist aus der Sicht eines Automobilherstellers eine Herausforderung, da die mobilen Verbindungsverfahren und -architekturen weltweit unterschiedlich sind. Darüber hinaus ändern sich die Standards und Technologien ständig und weisen typischerweise einen Entwicklungszyklus auf, der um ein Vielfaches schneller ist als die durchschnittliche Lebensdauer eines Fahrzeugs. Insbesondere aktuelle RF-Frontend-Architekturen für Kfz-Funkgeräte sind für bestimmte Frequenzbänder ausgelegt. Dedizierte Hardware, die auf die richtige Frequenz abgestimmt ist, muss auf der Funkplattform für das jeweilige Frequenzband installiert sein, auf dem das Funkgerät betrieben werden soll. Wenn also Mobilfunkanbieter ihr jeweiliges Frequenzband wechseln, kann es sein, dass das Fahrzeug, auf welches das vorhergehende Band abgestimmt wurde und das eine Lebensdauer von 15 bis 20 Jahren aufweisen kann, auf dem neuen Band nicht effizient funktioniert. Daher erfordert dies Automobilhersteller, eine Vielzahl von Funkplattformen, Komponenten und Zulieferern zu verwalten, um jeden eingesetzten Standard zu unterstützen und einen Weg zur Erweiterungsfähigkeit bereitzustellen, wenn sich die Mobilfunklandschaft ändert.
- Bekannte softwaredefinierte Funkarchitekturen haben sich typischerweise auf nahtlose Basisbandoperationen konzentriert, um mehrere Wellenformen zu unterstützen, und ähnliche Abwärtskonvertierungen in Basisband-Spezifikationen übernommen. Ähnlich wurden für die Senderseite typischerweise parallele Leistungsverstärkerketten für verschiedene Frequenzbänder verwendet, um unterschiedliche Wellenformstandards zu unterstützen. Somit weisen die Empfänger-Front-End-Architekturen typischerweise einfache Direktabtast- oder einstufige Mischverfahren mit bescheidenen Leistungsspezifikationen auf. Insbesondere bedurfte es bisher keiner Anwendung, die einen Dynamikbereich von mehr als 110 dB mit den damit verbundenen Anforderungen an IP3-Faktor und Leistungsaufnahme erforderte, da diese Leistungsanforderungen mit komplementären Metalloxid-Halbleiter (CMOS)-Analogtechnologien nicht realisierbar waren. Es ist nicht offensichtlich, wie diese Metriken unter Verwendung bestehender Architekturen für CMOS-Geräte erreicht werden können, sodass der Dynamikbereich, die Empfindlichkeit und die Multimode-Anbindung sowohl für den Multi-Bit-Analog-Digital-Wandler (ADC) als auch für den Digital-AnalogWandler (DAC) ein wesentlich schwierigeres Problem darstellen.
- Delta-Sigma-Modulatoren werden bei digitalen Empfängern häufiger eingesetzt, da sie nicht nur einen Breitbandbetrieb im hohen dynamischen Bereich ermöglichen, sondern auch viele abstimmbare Parameter aufweisen, die sie zu guten Kandidaten für rekonfigurierbare Systeme machen. Insbesondere beinhalten Delta-Sigma-Modulatoren einen softwaregesteuerten Filter zur Rauschformung eines eingehenden RF-Signals. Es wäre wünschenswert, die verschiedenen Vorteile von SiGe BiCMOS und CMOS gleichzeitig nutzen zu können, in ein softwaregesteuertes Funkgerät mit Delta-Sigma-Modulatoren.
- ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
- Die vorliegende Offenbarung beschreibt eine Vorrichtung, die eine erste Halbleiterschicht aus Silizium-Germanium, eine zweite Halbleiterschicht aus Silizium, eine erste Vorrichtung, die auf der ersten Halbleiterschicht gebildet ist, eine zweite Vorrichtung, die auf der zweiten Halbleiterschicht gebildet ist, und eine Silizium-Durchgangskontaktierung über die Kopplung der ersten Vorrichtung und der zweiten Vorrichtung umfasst, wobei die Silizium-Durchgangskontaktierung durch die erste Halbleiterschicht und die zweite Halbleiterschicht hindurchgeht.
- Ein weiterer Aspekt der vorliegenden Offenbarung beschreibt ein softwareprogrammierbares Funkgerät, das einen Delta-Sigma-Modulator, der auf einer SiGe-Schicht einer integrierten Schaltung gebildet ist, eine Durchkontaktierung des Delta-Sigma-Modulators mit dem digitalen Signalprozessor, wobei die Durchkontaktierung die SiGe-Schicht der integrierten Schaltung und die Siliziumschicht der integrierten Schaltung durchläuft.
- Ein weiterer Aspekt der vorliegenden Offenbarung beschreibt eine integrierte Schaltung, die eine erste Halbleiterschicht aus Silizium-Germanium, eine zweite Halbleiterschicht aus Silizium, eine erste Vorrichtung, die auf der ersten Halbleiterschicht gebildet ist, eine zweite Vorrichtung, die auf der zweiten Halbleiterschicht gebildet ist, und eine Silizium-Durchgangskontaktierung über die Kopplung der ersten Vorrichtung und der zweiten Vorrichtung umfasst, wobei die Silizium-Durchgangskontaktierung durch die erste Halbleiterschicht und die zweite Halbleiterschicht hindurchgeht.
- Weitere Merkmale der vorliegenden Erfindung gehen aus der nachfolgenden Beschreibung und den beigefügten Ansprüchen in Verbindung mit den zugehörigen Zeichnungen hervor.
- Figurenliste
-
-
1 stellt ein Blockdiagramm einer bekannten Multimode-Multiband-Mobilfunk-Handgeräte-Architektur dar; -
2 stellt ein Blockdiagramm einer anwendbaren softwareprogrammierbaren Mobilfunkarchitektur dar; -
3 stellt eine exemplarische Funkarchitektur zur Implementierung eines Delta-Sigma-Modulators in einem softwaredefinierten programmierbaren Mobilfunk dar. -
4 stellt einen exemplarischen Querschnitt einer Vorrichtung mit SiGe BiCMOS- und CMOS-Chip-Stacks dar, die über TSVs gekoppelt sind. - AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
- Die nachfolgende Erörterung der Ausführungsformen der Erfindung, die auf eine Mobilfunkarchitektur gerichtet sind, ist lediglich exemplarischer Natur und soll in keiner Weise die Erfindung oder ihre Anwendungen oder Verwendungen einschränken. So ist beispielsweise die Funkarchitektur der Erfindung als Anwendung für ein Fahrzeug beschrieben. Wie jedoch von Fachleuten auf dem Gebiet der Technik wahrgenommen wird, kann die Funkarchitektur auch andere Anwendungen außer Automobilanwendungen bereitstellen.
- Die hierin erörterten Mobilfunkarchitekturen gelten nicht nur für Mobilfünktechnologien, wie beispielsweise WiFi (IEEE
802.11 )-Technologien. Des Weiteren werden die Mobilfunkarchitekturen als Vollduplex-Funksystem präsentiert, d. h. als ein Funksystem, das sowohl sendet als auch empfängt. Für drahtlose Dienste, die nur empfangen werden, wie beispielsweise GPS (Global Positioning System), GNSS (Global Navigation Satellite System) und diverse Entertainmentgeräte, wie beispielsweise AM/FM, Digital Audio Broadcasting (DAB), SiriusXM usw., wäre nur das hierin erörterte Empfängerdesign erforderlich. Zudem ermöglicht das beschriebene Funkarchitekturdesign ein weltweit funktionierendes Design für eine Funkgeräte-Hardware, das durch Software-Updates verschiedenen globalen Mobilfunkstandards angepasst werden kann. Es ermöglicht auch eine längere Nutzungsdauer des Funkgerätedesigns, da sich das Funkgerät bei Markteinführung an neue Funkstandards anpassen kann. So sind beispielsweise Entwicklungen in der 4G-Funktechnologie und Frequenzzuweisungen sehr dynamisch. Somit kann die am Markt eingesetzte Funkgeräte-Hardware bereits nach ein bis zwei Jahren veraltet sein. Für Anwendungen, wie beispielsweise im Automobilbereich, kann die Lebensdauer über zehn Jahre betragen. Diese Erfindung ermöglicht es, eine feste Hardware-Plattform durch Software-Updates updatefähig zu machen und damit die Nutzungsdauer und die globale Wiederverwendung der Hardware zu verlängern. -
1 ist ein Blockdiagramm einer bekannten Multimode-Multiband-Mobilfunk-Handgeräte-Architektur10 für ein typisches Mobiltelefon. Die Architektur10 beinhaltet eine Antennenstruktur12 , die RF-Signale auf dem Frequenzband des Interesses empfängt und sendet. Die Architektur10 beinhaltet auch einen Schalter14 am Front-End der Architektur 10, der auswählt, für welchen bestimmten Kanal das gesendete oder empfangene Signal aktuell ist und das Signal durch einen speziellen Satz von Filtern und Duplexern leitet, die durch die Box16 für den jeweiligen Kanal repräsentiert werden. Die Module18 stellen die Multimode- und Multiband-Analogmodulation sowie die Demodulation der Empfangs- und Sendesignale bereit und trennen die Signale in Phasen- und Quadraturphasensignale, die an einen Empfänger20 gesendet oder von ihm empfangen werden. Der Empfänger20 wandelt auch analoge Empfangssignale in digitale Signale und digitale Übertragungssignale in analoge Signale um. Ein Basisband-Digital-Signalprozessor22 stellt die digitale Verarbeitung der Sende- oder Empfangssignale für die jeweilige Anwendung bereit. -
2 ist ein schematisches Blockdiagramm einer zellularen Funk-Frontend-Architektur30 , die softwareprogrammierbare Fähigkeiten bereitstellt, wie nachfolgend im Detail erläutert wird. Die Architektur30 beinhaltet eine Antennenstruktur32 , die in der Lage ist, die hierin erörterten zellularen Frequenzsignale zu empfangen und zu übertragen, wie beispielsweise in einem Bereich von 400 MHz - 3,6 GHz. Die von der Antennenstruktur32 empfangenen und übertragenen Signale durchlaufen einen Multiplexer34 mit drei Signalpfaden, wobei jeder Pfad für ein bestimmtes Frequenzband vorgesehen ist, das durch einen frequenzselektiven Filter36 in jedem Pfad bestimmt wird. In dieser Ausführungsform wurden drei Signalpfade gewählt, wobei die Architektur30 auf beliebig viele Signalpfade erweitert werden konnte. Jeder Signalpfad beinhaltet einen Zirkulator38 , der die Empfangs- und Sendesignale trennt und leitet, und eine Isolierung bereitstellt, sodass die zu übertragenden Hochleistungssignale nicht auf der Empfängerseite eindringen und die Empfangssignale auf diesen Frequenzbändern sättigen. - Die Architektur
30 beinhaltet auch ein Empfangsmodul44 , das sich hinter dem Multiplexer34 befindet und ein Empfangsmodul46 , das die Empfangssignale verarbeitet sowie ein Sendemodul48 , das die Sendesignale verarbeitet. Das Empfangsmodul46 beinhaltet drei Empfängerkanäle50 , einen für jeden der Signalpfade durch den Multiplexer 34, wobei ein weiterer Empfängerkanal50 mit einem anderen der Zirkulatoren38 , wie dargestellt, verbunden ist. Jeder der Empfängerkanäle50 beinhaltet einen Delta-Sigma-Modulator52 , der das analoge Signal im jeweiligen Frequenzband empfängt und über ein Verschachtelungsverfahren in Verbindung mit einer Reihe von N-Bit-Quantisierungsschaltungen, die mit einer sehr hohen Taktrate arbeiten, einen repräsentativen digitalen Datenstrom erzeugt, wie nachfolgend im Detail erläutert wird. Wie im Folgenden weiter erörtert wird, vergleicht der Delta-Sigma-Modulator52 die Differenz zwischen dem Empfangssignal und einem Rückkopplungssignal, um ein für die empfangenen digitalen Daten repräsentatives Fehlersignal zu erzeugen. Die digitalen Datenbits werden einem digitalen Signalprozessor (DSP)54 zugeführt, der den digitalen Datenstrom extrahiert. Ein digitaler Basisband-Prozessor (DBP)56 empfängt und betreibt den digitalen Datenstrom für die weitere Signalverarbeitung in einer Art und Weise, die den Fachleuten im Stand der Technik wohlbekannt ist. Das Sendemodul48 empfängt digitale Daten, die vom Prozessor56 übertragen werden. Das Modul48 beinhaltet eine Senderschaltung62 mit einem Delta-Sigma-Modulator, der die digitalen Daten des digitalen Basisband-Prozessors56 in ein analoges Signal umwandelt. Das Analogsignal wird von einem abstimmbaren Bandpassfilter (BPF)60 gefiltert, um die Bandemission zu eliminieren und dann an einen Schalter66 weitergeleitet, der das Signal an einen ausgewählten Leistungsverstärker64 weiterleitet, der für das Frequenzband des übertragenen Signals optimiert ist. In dieser Ausführungsform wurden drei Signalpfade gewählt, wobei das Sendemodul48 jedoch unter Verwendung beliebig vieler Signalpfade implementiert werden konnte. Das verstärkte Signal wird an den jeweiligen Zirkulator38 im Multiplexer34 gesendet, abhängig davon, welche Frequenz übertragen wird. - Wie aus der folgenden Erörterung ersichtlich wird, stellt die Konfiguration der Architektur
30 softwareprogrammierbare Fähigkeiten durch Hochleistungs-Delta-Sigma-Modulatoren bereit, die eine optimierte Leistung im Signalbereich des Interesses bereitstellen und über einen breiten Bereich von Trägerfrequenzen abgestimmt werden können. Die Architektur30 erfüllt die aktuellen Mobilfunk-Zugangsprotokolle im Frequenzbereich 0,4 - 2,6 GHz, indem sie den Frequenzbereich in drei nicht kontinuierliche Bänder unterteilt. Es ist jedoch zu beachten, dass selbstverständlich auch andere Kombinationen von Signalpfaden und Bandbreite möglich sind. Der Multiplexer34 implementiert eine Frequenzbereichs-Demultiplexung, indem er den an der Antennenstruktur32 empfangenen RF-Träger in einen der drei Signalpfade leitet. Demgegenüber wird das Sendesignal durch den Multiplexer34 auf die Antennenstruktur32 gemultiplext. Für drahtlose Zugriffsanwendungen in Fahrzeugen ist eine derartige, kostengünstige integrierte Vorrichtung wünschenswert, um Teilekosten, Komplexität und Veralterung zu reduzieren und eine nahtlose weltweite Bereitstellung zu ermöglichen. - Die Delta-Sigma-Modulatoren
52 können in der Nähe der Antennenstruktur32 positioniert werden, um die RF-Empfangssignale direkt in Bits im Empfängermodul46 und Bits in ein RF-Signal im Sendemodul48 umzuwandeln. Der Hauptvorteil der Verwendung der Delta-Sigma-Modulatoren52 in den Empfängerkanälen50 besteht darin, eine variable Bandbreite der Signalerfassung und variable Mittenfrequenz zu ermöglichen. Dies ist möglich, da die Architektur30 eine Software-Manipulation der Modulator-Filterkoeffizienten ermöglicht, um die Signalbandbreite zu variieren und die Filtercharakteristik über das RF-Band abzustimmen. - Die Architektur
30 ermöglicht es, die Bandbreite der Signalerfassung zu variieren, was zum Empfangen von kontinuierlichen trägeraggregierten Wellenformen ohne zusätzliche Hardware verwendet werden kann. Trägeraggregation ist ein Verfahren, bei dem die Datenbandbreiten mehrerer Träger für normalerweise unabhängige Kanäle für einen einzelnen Benutzer kombiniert werden, um wesentlich höhere Datenraten als bei einem einzelnen Träger zu erzielen. Zusammen mit MIMO ist dieses Merkmal eine Voraussetzung in modernen 4G-Standards und wird durch die orthogonale Frequenzmultiplextechnik (OFDM-Orthogonal Frequency Division Multiplexing)-Familie von Wellenformen ermöglicht, die eine effiziente spektrale Verwendung ermöglichen. - Die Architektur
30 durch die Delta-Sigma-Modulatoren52 kann durch Software-Tuning der Bandpassbandbreite präzise Trägeraggregationsszenarien und Bandkombinationen bewältigen und ermöglicht somit eine Multisegment-Erfassung. Der Dynamikbereich verringert sich bei größeren Bandbreiten, wenn mehr Rauschen in den Sampling-Bandpass eingespeist wird. Es wird jedoch angenommen, dass die Trägeraggregation typischerweise sinnvoll ist, wenn der Benutzer ein gutes Signal-RauschVerhältnis hat, und nicht etwa Zellbegrenzungskanten, wenn die Konnektivität selbst marginal sein kann. Es ist zu beachten, dass die Interband-Trägeraggregation automatisch von der Architektur30 übernommen wird, da der Multiplexer34 unabhängige Modulatoren in den Kanälen50 einspeist. - Die Zirkulatoren
38 leiten die Sendesignale des Sendemoduls48 zur Antennenstruktur32 und ermöglichen gleichzeitig die Trennung zwischen den Hochleistungs-Sendesignalen und dem Empfangsmodul46 . Obwohl die Zirkulatoren38 eine signifikante Signaltrennung vorsehen, gibt es innerhalb des Zirkulators38 eine Port-zu-Port-Leckage, die einen Signalpfad zwischen dem Sendemodul48 und dem Empfangsmodul46 darstellt. Ein zweiter unerwünschter Signalpfad entsteht durch Reflexionen von der Antennenstruktur32 und mögliche andere Komponenten im Empfänger. Dadurch wird ein Teil des Sendesignals von der Antennenstruktur32 aufgrund einer Fehlanpassung zwischen der Leitungsimpedanz und der Antenneneingangsimpedanz reflektiert. Diese reflektierte Energie folgt demselben Signalpfad wie das gewünschte eingehende Signal zurück zum Empfangsmodul46 . - Die Architektur
30 ist auch für weitere drahtlose Kommunikationsprotokolle flexibel anpassbar. So kann beispielsweise ein Paar von Schaltern40 und42 vorgesehen sein, die vom DBP56 angesteuert werden, um die Empfangs- und Sendesignale über dedizierte feste RF-Vorrichtungen58 zu leiten, wie beispielsweise ein globales System für Mobilkommunikation (GSM), ein RF-Frontend-Modul oder ein WiFi-Frontend-Modul. In dieser Ausführungsform sind einige ausgewählte Signalpfade über herkömmliche RF-Vorrichtungen implementiert.2 stellt nur einen zusätzlichen Signalpfad dar, kann aber je nach Verwendung und Einsatzgebiet auf eine beliebige Anzahl weiterer Signalpfade erweitert werden. - Delta-Sigma-Modulatoren sind eine bekannte Geräteklasse zum Implementieren einer Analog-Digital-Umwandlung. Die grundlegenden Eigenschaften, die genutzt werden, sind Überabtastung und Fehlerrückkopplung (Delta), die akkumuliert (Sigma) sind, um das gewünschte Signal in einen pulsmodulierten Strom umzuwandeln, der anschließend zum Ablesen der digitalen Werte gefiltert werden kann, während das Rauschen durch Umformen effektiv reduziert wird. Die wesentliche Einschränkung der bekannten Delta-Sigma-Modulatoren ist das Quantisierungsrauschen beim Puls-Umwandlungsprozess. Delta-Sigma-Wandler erfordern große Überabtastverhältnisse, um eine ausreichende Anzahl von Bitstromimpulsen für einen gegebenen Eingang zu erzeugen. Bei direkten Wandlungsschemata ist die Abtastrate größer als das Vierfache der RF-Trägerfrequenz, um die digitale Filterung zu vereinfachen. Daher haben die erforderlichen Multi-GHz Abtastraten die Verwendung von Delta-Sigma-Modulatoren in höherfrequenten Anwendungen eingeschränkt. Eine weitere Möglichkeit zur Rauschunterdrückung ist die Verwendung von Delta-Sigma-Modulatoren mit einer höheren Ordnung. Während jedoch kanonische Delta-Sigma-Architekturen erster Ordnung stabil sind, können höhere Ordnungen aufgrund der Toleranzen bei höheren Frequenzen instabil sein, insbesondere die Toleranzen bei höheren Frequenzen. Aus diesen Gründen beschränken sich Delta-Sigma-Modulatoren höherer Ordnung auf Audiofrequenzbereiche, d. h. zeitlich verschachtelte Delta-Sigma-Modulatoren zur Verwendung in Audioanwendungen oder speziellen Verschachtelungen bei hohen Frequenzen.
- Die Filtereigenschaften eines Delta-Sigma-Modulators können effektiv modifiziert werden, um Dopplerverschiebungen zu kompensieren. Dopplerverschiebungen treten auf, wenn sich der Sender eines Signals in Bezug zum Empfänger bewegt. Die Relativbewegung verschiebt die Frequenz des Signals, sodass es am Empfänger unterschiedlich zum Sender ist. Ein exemplarisches System gemäß der vorliegenden Offenbarung nutzt die softwaredefinierte Funkarchitektur, um schnell eine Verschiebung der Trägerfrequenz abzuschätzen und den Filter neu zu zentrieren, bevor das Signal unterbrochen oder geschwächt wird. Im Normalbetrieb ist die Kerbe des Modulatorfilters um die erwartete Trägerfrequenz des empfangenen Signals zentriert, wobei die Signalbandinformationen um die Trägerfrequenz zentriert sind und die Bandbreite des Modulatorfilters nicht überschreiten. Eine Dopplerverschiebung würde den Träger um einen Betrag Δf kompensieren, was zu einer potenziellen Verschlechterung des Signalinhalts mit einer Zunahme des Rauschens auf einer Seite des Bandes führen würde. Gemäß dem hierin beschriebenen Verfahren und System kann sich der Empfänger in einem drahtlosen Mobilfunk-Kommunikationssystem an Änderungen der RF-Trägerfrequenz anpassen und die Signalintegrität erhalten, indem die Filterkerbe um denselben Betrag wie die Trägerfrequenz verschoben wird.
- Für die hierin erläuterte Mobilfunkanwendung, die mehrere zugeordnete Frequenzbänder abdeckt, ist ein Sender mit Multimode- und Multibandabdeckung erforderlich. Auch viele aktuelle Anwendungen erfordern Sender, die während des Betriebs einer einzelnen Kommunikationsverbindung schnell zwischen den Frequenzbändern wechseln, was eine erhebliche Herausforderung für typische lokale Oszillator (LO)-basierte Senderlösungen darstellt. Dies liegt daran, dass die Schaltzeit des LO-basierten Senders oft durch die LO-Kanalumschaltzeit unter der Steuerung der Schleifenbandbreite des Frequenzsynthesizers um 1 MHz bestimmt wird. Die erreichbare Kanalumschaltzeit liegt somit bei einigen Mikrosekunden, was für ein agiles Funkgerät leider zu lang ist. Ein vollständig digitaler PWM-basierter Multi-Standard-Sender, der im Stand der Technik bekannt ist, leidet unter hoher Verzerrung, und die Kanalumschaltzeit wird immer noch vom LO auf der Trägerfrequenz bestimmt. Ein DDS kann als LO-Quelle verwendet werden, um die Schaltgeschwindigkeit zu erhöhen, jedoch verbraucht dieses Design eine beträchtliche Leistung und liefert möglicherweise keine Hochfrequenz-LOs mit niedrigen Störkomponenten. Alternativ können mit Einseitenbandmischem auch mehrere LOs mit unterschiedlichen Mittenfrequenzen über einen gemeinsamen Phasenregelkreis (PLL) erzeugt werden, dessen Kanalumschaltzeiten schnell sein können. Dieser Ansatz kann jedoch nur eine begrenzte Anzahl von LO-Optionen unterstützen und zusätzliche Kanäle zum Abdecken des breiten Spektrums der erwarteten 4G-Bänder erfordern zusätzliche Mischungen. Wie erörtert, wurden im Stand der Technik Sigma-Delta-Modulatoren vorgeschlagen, die als RF-Sender zum Beheben dieser Probleme verwendet werden können. In der Grundarchitektur kann jedoch ein Sigma-Delta-Modulator aufgrund einer moderaten Taktfrequenz keinen sehr hohen Dynamikbereich in einem breitbandigen Betrieb bereitstellen. Gerade weil die Taktfrequenz durch die aktuelle Technologie eingeschränkt ist, kann diese Hochfrequenz-Betriebsart nicht unterstützt werden.
- Die Einführung von MIMO-(Multiple-Input Multiple-Output) und CA-(Carrier-Aggregation)-Techniken zur Erhöhung der mobilen Datenübertragungsgeschwindigkeit wurde durch die Herausforderung eingeschränkt, mehrere RF-Übertragungswege in einer kompakten Vorrichtung zu entwerfen. Obgleich delta-sigma-basierte Sende-Empfängerarchitekturen bereits kompakter sind als herkömmliche Funkarchitekturen, können dennoch viele Empfänger für MIMO und CA benötigt werden, was die Industrie dazu veranlasst, die Komponentendichte weiter zu erhöhen. Daher wäre es wünschenswert, ein kosteneffizientes 3D-Integrationsverfahren zum Reduzieren der Empfängerfläche zu implementieren, um die Anzahl der Empfänger zu erhöhen und bestehende Systembeschränkungen zu beseitigen.
- Es wäre wünschenswert, die mobile Funk-Frontend-Architektur mit softwareprogrammierbaren Funktionen zu nutzen, die ein kompaktes Empfänger-Array-Design verwendet, um die Nachfrage nach verstärkten mobilen Breitbanddiensten zu unterstützen. Ein exemplarisches System, um diese Fähigkeit zu erreichen, könnte die Verwendung von Durchkontaktierungen (Through-Silicium Via, TSVs) sein, um analoge Frontend-Funktionen in SiGe BiCMOS mit Backend-Schaltungen in CMOS zu verbinden. Damit lassen sich SiGe HBT-Strukturen und CMOS-Logikstrukturen eng miteinander verzahnen und eignen sich für Mischsignal-Schaltungen. Heterojunction-Bipolartransistoren weisen eine höhere Vorwärtsverstärkung und eine geringere Rückwärtsverstärkung auf als herkömmliche Homojunction-Bipolartransistoren. Dies führt zu einer besseren Leistung bei niedrigen Strömen und hohen Frequenzen. Als Heterojunction-Technologie mit einstellbarem Bandabstand ermöglicht die SiGe eine flexiblere Bandbreitenabstimmung als die reine Siliziumtechnologie, während die CMOS-Technologie einen hohen Eingangswiderstand aufweist und sich hervorragend für den Bau einfacher, stromsparender Logik-Gates eignet. Dies hat den gewünschten Effekt, eine kosteneffiziente, hochkompakte Lösung anzubieten, um die Anzahl der Empfänger zu erhöhen, die benötigt werden, um die aktuellen Kommunikationsstandards zu erfüllen.
- Nun zu
3 , ist eine exemplarische Funkarchitektur300 zum Implementieren eines Delta-Sigma-Modulators in einem softwaredefinierten programmierbaren Mobilfunk dargestellt. Die Funkarchitektur wird in dieser exemplarischen Ausführungsform durch eine erste Schicht SiGe 310 und eine zweite Schicht Silizium320 implementiert. Die Signale werden über TSVs340 von einer Schicht zur anderen geleitet. SiGe-HBTs sind wünschenswert, um die Anforderungen an den hohen Dynamikbereich im Breitbandbetrieb für RF-Funktionen330 zu erfüllen, wie zum Beispiel den rauscharmen Transkonduktanzverstärker (LNTA), Modulatorfilter und Teile der ADCs und DACs. Digitalfunktionen350 werden am besten in CMOS implementiert, um digitale Betriebsabläufe mit geringerer Leistung zu ermöglichen. In einigen Systemen erfolgt die Verbindung zwischen SiGe- und CMOS-Chips mittels Drahtbindungen oder Flip-Chip-Technologie. Die Induktivität der Drahtbindungen verschlechtert jedoch die Leistung bei hohen Signalraten, und bei der Flip-Chip-Technologie ist ein komplexeres Thermomanagement erforderlich. Eine verbesserte Leistung kann durch das Stapeln der Chips und die Verwendung der TSVs340 zur Herstellung der Verbindungen erreicht werden. - Zuwendend nun auf
4 , ist ein exemplarischer Querschnitt einer Vorrichtung400 mit SiGe BiCMOS- und CMOS-Chip-Stacks, die über TSVs gekoppelt sind, dargestellt. Die abgebildeten oberen Schichten sind SiGe BiCMOS 410. Die unteren Schichten sind CMOS 420. Die mittlere Schicht430 kann ein Siliziumsubstrat oder ähnliches sein. Die obere Schicht410 und die untere Schicht420 sind über mindestens eine TSV440 miteinander verbunden. Das SiGe BiCMOS mit TSV-Technologie ermöglicht die Herstellung großer Stückzahlen und wird zur Verbesserung der Transistorleistung eingesetzt. Insbesondere kann SiGe BiCMMOS die ft/fmax- und Durchbruchspannung innerhalb der npn-Vorrichtung verbessern. Eine Reduzierung der Emitterinduktivität ist von besonderem Nutzen für die Verbesserung des Wirkungsgrades und der PAE eines Leistungsverstärkers. Die rückseitige Ebene kann mit Wolfram-gefüllten Vias mit der M3-Schicht des CMOS-Chips verbunden werden. - Ein Vorteil des vorgeschlagenen Systems besteht darin, dass keine zusätzlichen IC-Verarbeitungsschritte für die vorgeschlagene Verbindung erforderlich sind. Der Kontakt zwischen den beiden Matrizen erfolgt durch thermische Kompression und kann bei ausreichend niedrigen Temperaturen erfolgen, um die Matrize nicht zu beschädigen. Da es keine Beschränkungen für die Platzierung der TSVs gibt, können die Werkzeuggrößen optimiert werden und müssen nicht durch Peripherie-I/Os eingeschränkt werden. Basierend auf den vorhandenen bekannten Matrizen kann der Platzbedarf des Empfängers mit dem vorgeschlagenen Konzept um mehr als 40% reduziert werden. Darüber hinaus weisen die TSV-Verbindungen im Vergleich zu Drahtbindungen und Flip-Chip-Ansätzen eine geringere parasitäre Belastung auf. Die Kombination aus reduzierter Verzögerung und induktiver Kopplung hat die erwünschten Effekte zur Verbesserung der Modulatorstabilität und zur Steigerung der Empfängerleistung.
- Wie Fachleuten hinreichend bekannt ist, können sich die hierin zur Beschreibung der Erfindung erörterten mehreren und unterschiedlichen Schritte und Verfahren auf Vorgänge beziehen, die von einem Computer, einem Prozessor oder anderen Geräten zur elektronischen Berechnung verwendet werden, die unter Zuhilfenahme elektrischer Vorgänge Daten manipulieren und/oder verändern. Diese Computer und elektronischen Geräte können unterschiedliche flüchtige und/oder nichtflüchtige Speicher beinhalten, zu denen ein nichttransitorisches computerlesbares Medium mit einem ausführbaren darauf gespeicherten Programm, einschließlich verschiedenen Codes oder ausführbaren Anweisungen gehört, die in der Lage sind, von Computern oder Prozessoren ausgeführt zu werden, wobei es sich bei dem Speicher und/oder dem computerlesbaren Medium um sämtliche Formen und Arten von Speicher und sonstigen computerlesbaren Medien handeln kann.
- Die vorhergehende Diskussion offenbart und beschreibt lediglich exemplarische Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung. Fachleute werden aus der besagten Abhandlung und aus den beigefügten Zeichnungen und Patentansprüchen leicht erkennen, dass ohne von dem in den folgenden Patentansprüchen definierten Erfindungsgedanken und dem Schutzumfang der Erfindung abzuweichen verschiedene Änderungen, Abwandlungen und Variationen an derselben vorgenommen werden können.
Claims (10)
- Vorrichtung, umfassend: - eine erste Halbleiterschicht gebildet aus Silizium-Germanium; - eine zweite Halbleiterschicht gebildet aus Silizium; - eine erste Vorrichtung, die auf der ersten Halbleiterschicht gebildet ist; - eine zweite Vorrichtung, die auf der zweiten Halbleiterschicht gebildet ist; und - eine Silizium-Durchkontaktierung der ersten Vorrichtung und der zweiten Vorrichtung, worin die Silizium-Durchkontaktierung durch die erste Halbleiterschicht und die zweite Halbleiterschicht hindurchgeht.
- Vorrichtung nach
Anspruch 1 , worin die zweite Vorrichtung ein digitaler Signalprozessor ist. - Vorrichtung nach
Anspruch 1 , worin die erste Vorrichtung ein Delta-Sigma-Modulator ist. - Vorrichtung nach
Anspruch 3 , worin die erste Vorrichtung mit einer Antenne zum Empfangen eines Hochfrequenzsignals gekoppelt ist. - Vorrichtung nach
Anspruch 1 , worin die erste Vorrichtung eine analoge Vorrichtung ist. - Vorrichtung nach
Anspruch 1 , worin die erste Halbleiterschicht und die zweite Halbleiterschicht auf einem Siliziumsubstrat gebildet sind. - Vorrichtung nach
Anspruch 1 , worin die Vorrichtung eine integrierte Schaltung ist, die mit einer Antenne und einem Fahrzeugsteuerungssystem gekoppelt ist. - Integrierte Schaltung, umfassend: - eine erste Halbleiterschicht aus Silizium-Germanium; - eine zweite Halbleiterschicht gebildet aus Silizium; - eine erste Vorrichtung, die auf der ersten Halbleiterschicht gebildet ist; - eine zweite Vorrichtung, die auf der zweiten Halbleiterschicht gebildet ist; und - eine Silizium-Durchkontaktierung der ersten Vorrichtung und der zweiten Vorrichtung, worin die Silizium-Durchkontaktierung durch die erste Halbleiterschicht und die zweite Halbleiterschicht hindurchgeht.
- Integrierte Schaltung nach
Anspruch 8 , worin die zweite Vorrichtung ein digitaler Signalprozessor ist. - Software-programmierbares Funkgerät, umfassend: - einen Delta-Sigma-Modulator, der auf einer SiGe-Schicht einer integrierten Schaltung gebildet ist; - einen digitalen Signalprozessor, der auf einer Siliziumschicht der integrierten Schaltung gebildet ist; eine Durchkontaktierung des Delta-Sigma-Modulators mit dem digitalen Signalprozessor, worin die Durchkontaktierung die SiGe-Schicht der integrierten Schaltung und die Siliziumschicht der integrierten Schaltung durchläuft.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15/378,706 US20180167095A1 (en) | 2016-12-14 | 2016-12-14 | Compact 3d receiver architecture using silicon germanium thru silicon via technology |
US15/378706 | 2016-12-14 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102017129767A1 true DE102017129767A1 (de) | 2018-06-14 |
Family
ID=62201527
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102017129767.7A Withdrawn DE102017129767A1 (de) | 2016-12-14 | 2017-12-13 | Kompakte 3d-empfängerarchitektur unter verwendung einer silizium-germanium durchkontaktierungs-technologie |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20180167095A1 (de) |
CN (1) | CN108233964A (de) |
DE (1) | DE102017129767A1 (de) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11687472B2 (en) * | 2020-08-20 | 2023-06-27 | Global Unichip Corporation | Interface for semiconductor device and interfacing method thereof |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020110189A1 (en) * | 2000-08-11 | 2002-08-15 | Souissi Slim Salah | Method and apparatus for a frequency agile variable bandwidth transceiver |
US8136071B2 (en) * | 2007-09-12 | 2012-03-13 | Neal Solomon | Three dimensional integrated circuits and methods of fabrication |
CN104752421B (zh) * | 2013-12-27 | 2018-03-20 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种集成电路及其制造方法 |
US11049797B2 (en) * | 2016-04-15 | 2021-06-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor structure comprising a semiconductor device layer formed on a tem, porary substrate having a graded SiGe etch stop layer therebetween |
-
2016
- 2016-12-14 US US15/378,706 patent/US20180167095A1/en not_active Abandoned
-
2017
- 2017-12-11 CN CN201711307807.XA patent/CN108233964A/zh active Pending
- 2017-12-13 DE DE102017129767.7A patent/DE102017129767A1/de not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20180167095A1 (en) | 2018-06-14 |
CN108233964A (zh) | 2018-06-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Hickling | New technology facilitates true software-defined radio | |
DE102018100484A1 (de) | Vorrichtung zur mehrfachträgeraggregation in einem softwaredefinierten funkgerät | |
DE112018001855T5 (de) | Vorrichtung und verfahren zur vorspannungsschaltung von leistungsverstärkern | |
DE102014206110B4 (de) | Schaltanordnung und vorrichtung | |
DE60133435T2 (de) | Kanalformer für ein Mehrträger Empfänger | |
DE102017129351B4 (de) | Verfahren und vorrichtung für hybrid-delta-sigma- und nyquist-datenwandler | |
DE102014017296A1 (de) | Direkte Digitalfrequenzgenerierung mittels Zeit und Amplitude | |
DE60125657T2 (de) | Zeitkontinuierlicher Delta-Sigma Modulator | |
DE102017124457A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum gemeinsamen entzerren und rauschformen in einem softwaredefinierten funkgerät | |
DE102017123013A1 (de) | Radio-optimierungsarchitektur definiert durch standortbezogene software | |
DE112018007414T5 (de) | Gleichzeitiger betrieb von intelligentes-transportsystem- (its-) funkgeräten in einem gleichen frequenzband mit einer gemeinsamen antenne | |
DE112020000387T5 (de) | Vorrichtungen und Verfahren zur Vorspannung von Leistungsverstärkern | |
DE102021205575A1 (de) | Kombinationskaskodenleistungsverstärker für anwendungen in der einhüllendennachverfolgung | |
EP1102392B1 (de) | Quadraturmodulator | |
EP2371058A2 (de) | Funkempfänger | |
DE102017129767A1 (de) | Kompakte 3d-empfängerarchitektur unter verwendung einer silizium-germanium durchkontaktierungs-technologie | |
DE102018132728A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur temperaturkompensation für datenwandler für automobilanwendungen | |
CN106063136B (zh) | 一种捷变收发器架构 | |
DE102017002799B4 (de) | Drahtloser transceiver mit fernem front-end | |
DE102022201224A1 (de) | Lastmodulierte doherty-leistungsverstärker | |
DE102018132752A1 (de) | Breitband-sigma-delta-modulatorempfänger für den fm-signalempfang | |
DE102017124202A1 (de) | Dynamische frequenzkorrektur in einem delta-sigma-basierten softwaredefinierten empfänger | |
EP1368900B1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur erzeugung von mobilfunksignalen | |
DE102017129864A1 (de) | Energieeffizienter Multiraten-Delta-Sigma-Datenwandler | |
DE102022112782A1 (de) | Verstärkerschaltung mit hüllkurvenverbesserung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R082 | Change of representative |
Representative=s name: LKGLOBAL ] LORENZ & KOPF PARTG MBB PATENTANWAE, DE |
|
R016 | Response to examination communication | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |