DE102022112782A1 - Verstärkerschaltung mit hüllkurvenverbesserung - Google Patents

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Abstract

Verstärkerschaltungen, Funkkommunikationsschaltungen, Funkkommunikationsvorrichtungen und Verfahren, die in dieser Offenbarung bereitgestellt sind, stellen eine Verstärkerschaltung bereit. Die Verstärkerschaltung kann einen Verstärker beinhalten, der dazu ausgelegt ist, ein Eingangssignal zu verstärken, um ein Ausgangssignal bereitzustellen. Die Verstärkerschaltung kann ferner einen Verstärkerstapel beinhalten, der einen ersten Transistor beinhaltet, der mit dem Verstärker gekoppelt ist. Der Verstärkerstapel kann dazu ausgelegt sein, das Ausgangssignal zu empfangen, um das Ausgangssignal zu verstärken. Der Verstärkerstapel kann dazu ausgelegt sein, ein Eingangssteuersignal zum Steuern des ersten Transistors basierend auf einer Hüllkurve des Eingangssignals zu empfangen.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Verschiedene Aspekte dieser Offenbarung betreffen allgemein eine Verstärkerschaltung, eine Funkkommunikationsschaltung, eine Funkkommunikationsvorrichtung und ein Verfahren.
  • Hintergrund
  • Die Kommunikationsvorrichtungen kommunizieren durch Übertragen und Empfangen von Kommunikationssignalen, um Informationen auszutauschen. Sender von Funkkommunikationsvorrichtungen sollten im Prinzip in der Lage sein, die Funkkommunikationssignale mit der notwendigen Leistung zu übertragen, sodass der Sender die Funkkommunikationssignale ordnungsgemäß an einen entsprechenden Empfänger liefern kann, der das Funkkommunikationssignal empfangen wird.
  • Verstärker werden herkömmlicherweise verwendet, um die Leistung von Funkkommunikationssignalen in Funkkommunikationsvorrichtungen zu erhöhen. Ein Sender und/oder ein Empfänger können einen oder mehrere Verstärker zum Bereitstellen der Verstärkung zum Erhöhen der Leistung des zu übertragenden oder zu empfangenden Kommunikationssignals beinhalten.
  • Figurenliste
  • In den Zeichnungen beziehen sich gleiche Bezugszeichen im Allgemeinen über die verschiedenen Ansichten hinweg auf die gleichen Teile. Die Zeichnungen sind nicht notwendigerweise maßstabsgetreu, vielmehr wird allgemein auf die Veranschaulichung der Prinzipien der Offenbarung Wert gelegt. In der folgenden Beschreibung werden verschiedene Aspekte der Offenbarung Bezug nehmend auf die folgenden Zeichnungen beschrieben, in denen gilt:
    • 1 zeigt schematisch ein Blockdiagramm eines Beispiels für eine Funkkommunikationsvorrichtung;
    • 2 zeigt schematisch ein Blockdiagramm eines beispielhaften HF-Frontends in einer Funkkommunikationsvorrichtung, die einen Sender und einen Empfänger beinhaltet;
    • 3 zeigt schematisch ein Beispiel für eine Funkkommunikationsschaltung;
    • 4 zeigt schematisch ein Blockdiagramm einer beispielhaften Funkkommunikationsvorrichtung oder eines beispielhaften Funkkommunikationssystems gemäß verschiedenen Aspekten der Offenbarung;
    • 5 zeigt schematisch ein Beispiel für eine Verstärkerschaltung gemäß verschiedenen Aspekten dieser Offenbarung;
    • 6 zeigt schematisch ein Beispiel für eine Verstärkerschaltung gemäß verschiedenen Aspekten dieser Offenbarung;
    • 7 zeigt schematisch ein Beispiel für eine Verstärkerschaltung gemäß verschiedenen Aspekten dieser Offenbarung;
    • 8 zeigt schematisch ein Beispiel für eine Verstärkerschaltung gemäß verschiedenen Aspekten dieser Offenbarung;
    • 9 zeigt schematisch ein beispielhaftes Diagramm von Spannungen im Laufe der Zeit basierend auf einem Eingangssignal gemäß verschiedenen Aspekten dieser Offenbarung;
    • 10 zeigt schematisch ein beispielhaftes Diagramm eines Ausgangsspektrums gemäß verschiedenen Aspekten dieser Offenbarung;
    • 11 zeigt schematisch ein beispielhaftes Diagramm einer grafischen AM-AM- und AM-PM-Verzerrung-Darstellung basierend auf verschiedenen Änderungen in Amplituden eines Hüllkurvensignals;
    • 12 zeigt schematisch ein beispielhaftes Diagramm in Bezug auf die Eingangsleistung und die Ausgangsleistung einer Verstärkerschaltung gemäß verschiedenen Aspekten dieser Offenbarung;
    • 13 zeigt schematisch ein Beispiel für eine Verstärkerschaltung gemäß verschiedenen Aspekten dieser Offenbarung;
    • 14 zeigt schematisch ein Beispiel für Verfahrensschritte gemäß verschiedenen Aspekten dieser Offenbarung.
  • Beschreibung
  • Die folgende ausführliche Beschreibung bezieht sich auf die beiliegenden Zeichnungen, die beispielhafte Einzelheiten und Aspekte veranschaulichend zeigen, in denen Aspekte der vorliegenden Offenbarung umgesetzt werden können.
  • Verstärker werden herkömmlicherweise zum Erhöhen der Leistung eines Kommunikationssignals verwendet, und ein Sender und/oder ein Empfänger können einen oder mehrere Verstärker zum Bereitstellen der Verstärkung zum Erhöhen der Leistung des zu übertragenden oder zu empfangenden Kommunikationssignals beinhalten. Die Gestaltung solcher Verstärker kann herausfordernd sein, insbesondere unter Berücksichtigung von Marktanforderungen, die Bandbreite durch verschiedene Verfahren zu erhöhen, wie etwa Breitbandfunkkommunikationssignale, die breite Adaption der Funkkommunikation mit Frequenzkanälen über 1 GHz und Millimeterwelle, die weitere Herausforderungen insbesondere hinsichtlich Verstärkungsfaktor des Verstärkers, Linearität, Leistungseffizienz und Leistungsverbrauch einführen. Entsprechend kann es wünschenswert sein, einen Verstärker zu entwickeln, der wenigstens eine dieser Herausforderungen ansprechen kann.
  • Allgemein besteht die wesentliche Aufgabe, die durch einen Verstärker durchgeführt wird, darin, die Leistung eines Signals zu erhöhen, es gibt jedoch viele Überlegungen, die vorgenommen werden sollten, um die Verstärkung mit einem Verstärker bereitzustellen, wie etwa die „Linearität“ des Verstärkers, die manchmal als „Treue“ basierend auf dem Typ des Verstärkers bezeichnet wird. Der Begriff bezieht sich auf das Bereitstellen der Verstärkung für das Eingangssignal, ohne die Charakteristiken des Eingangssignals zu ändern, zum Beispiel basierend auf der Frequenz und Amplitude einer Komponente des Eingangssignals. Ein idealer Verstärker würde hinsichtlich der Linearität für jede Komponente des Eingangssignals die gleiche Verstärkung (d. h. mit dem gleichen Verstärkungsfaktor) bereitstellen.
  • Es gibt viele weitere Bedenken, die von ähnlicher Bedeutung wie die Linearität für die Verstärker sein können, wie etwa der Verstärkungsfaktor des Verstärkers, die durch den Verstärker bereitgestellte Ausgangsleistung, die Bandbreite, die der Verstärker betreiben soll, die Effizienz des Verstärkers hinsichtlich Leistung (d. h. Leistungseffizienz), Impedanzabgleich und die durch Wärme abgeleitete Leistung. Entsprechend sollte ein Verstärker gewisse Erwartungen für verschiedene Aspekte basierend auf den Bedingungen erfüllen, unter denen der Verstärker arbeiten soll.
  • Beispielhaft werden rauscharme Verstärker (LNA: Low-Noise Amplifiers) in der Telekommunikation durch Kommunikationsvorrichtungen verwendet, um ein Signal mit sehr niedriger Leistung zu verstärken, ohne irgendeine Verschlechterung des Signal-Rausch-Verhältnisses (SNR) des Eingangssignals bei sehr niedriger Leistung einzuführen. Es ist im Allgemeinen unvermeidbar, jegliches Rauschen beim Verstärken eines Signals einzuführen, und ein Eingangssignal mit sehr niedriger Leistung kann besonders anfällig für das Rauschen sein. Dementsprechend sind rauscharme Verstärker dazu gestaltet, das Rauschen, das durch den Verstärker eingeführt wird, unter Verwendung verschiedener Verfahren zu minimieren. Empfänger von Funkkommunikationssignalen beinhalten zum Beispiel üblicherweise rauscharme Verstärker, um empfangene Signale zu verstärken, die sehr niedrige Leistungspegel aufweisen können.
  • Ferner werden Leistungsverstärker üblicherweise in der Telekommunikation durch Kommunikationsvorrichtungen verwendet, die primär dazu ausgebildet sind, die Leistung zu erhöhen, die einer Last zur Verfügung steht, die einen maximalen Spannungs- und/oder Stromhub ermöglicht, und insbesondere Hochfrequenz(HF)-Leistungsverstärker, die zum Umwandeln eines Niederleistungs-Hochfrequenz(HF)-Signals und Optimieren von Impedanzen für einen Leistungstransfer in ein durch eine Antenne zu übertragendes Signal mit höherer Leistung bereitgestellt sind. Die Hochfrequenz(HF)-Leistungsverstärker beinhalten allgemein Solid-State-Vorrichtungen, hauptsächlich Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET).
  • Diverse Verfahren werden beispielhaft verwendet, um die Ausgangsleistung eines Leistungsverstärkers zu erhöhen, was Erhöhen der Größe der Kommunikationsvorrichtungsperipherie beinhalten kann, was Herausforderungen in Bezug auf Impedabgleich auf eine Weise, die leistungseffiziente Anwendungen verhindern kann, und/oder Bedenken in Bezug auf den Formfaktor der Vorrichtungen, die solche Leistungsverstärker beinhalten, liefern würde.
  • Alternativ dazu können mehrere Verstärker auf eine Weise kombiniert werden, dass mehrere Verstärker eine Verstärkung für ein Eingangssignal bereitstellen, um die Ausgangsleistung und Lastimpedanz des Leistungsverstärkers gleichzeitig zu erhöhen. Beispielhaft können die mehreren Verstärker gestapelte Leistungsverstärker beinhalten, die miteinander gekoppelt sind, um eine kollektive Verstärkung bereitzustellen. Gestapelte Leistungsverstärker können zuverlässiger sein als das Bereitstellen der gleichen Verstärkungsmenge unter Verwendung eines einzigen Verstärkers, jedoch kann die Verzerrung gestapelter Verstärker oder gestapelter Verstärkerstufen die Linearitätsleistungsfähigkeit des Verstärkers verschlechtern.
  • In verschiedenen Beispielen kann ein Verstärker oder eine Verstärkerschaltung eine oder mehrere gestapelte Stufen beinhalten, die mit einem Transkonduktanzverstärker gekoppelt sind. Transkonduktanzverstärker, die durch Gleichstrom(DC)-Spannung versorgt werden, können dazu ausgelegt sein, Gleichstrom (DC) mit relativ hohen Pegeln bereitzustellen, um den Verstärkungsfaktor und die Linearität zu steigern, was zu erhöhten statischen und dynamischen Strömen in der einen oder den mehreren gestapelten Stufen führen kann, die mit dem Transkonduktanzverstärker gekoppelt sind. Außerdem können die Differenzen der Hüllkurvensignale an der einen oder den mehreren gestapelten Stufen, an dem Drain-, Gate- oder Source-Anschluss eines oder mehrerer Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET) der gestapelten Stufen Herausforderungen hinsichtlich der Linearität des einen oder der mehreren Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET) bereitstellen, was zu einer verschlechterten Linearität führen kann.
  • Die folgende ausführliche Beschreibung bezieht sich auf die beiliegenden Zeichnungen, die spezifischen Einzelheiten und Aspekte veranschaulichend zeigen, in denen die Offenbarung umgesetzt werden kann.
  • Das Wort „beispielhaft“ wird hierin mit der Bedeutung „als Beispiel, Fall oder Veranschaulichung dienend“ verwendet. Jeder Aspekt oder jede Gestaltung, der/die hierin als „beispielhaft“ beschrieben ist, ist nicht notwendigerweise als gegenüber anderen Aspekten oder Gestaltungen bevorzugt oder vorteilhaft auszulegen.
  • Die Wörter „Vielzahl“ und „mehrere“ in der Beschreibung oder den Ansprüchen beziehen sich ausdrücklich auf eine Anzahl größer als eins. Die Begriffe „Gruppe (von)“, „Satz [von]“, „Sammlung (von)“, „Reihe (von)“, „Sequenz (von)“, „Gruppierung (von)“ usw. und dergleichen in der Beschreibung oder in den Ansprüchen beziehen sich auf eine Menge gleich oder größer als eins, d. h. eins oder mehr. Jeder Begriff in Pluralform, der nicht ausdrücklich „Vielzahl“ oder „mehrere“ angibt, bezieht sich ebenfalls auf eine Menge gleich oder größer als eins. Die Begriffe „echte Teilmenge“, „reduzierte Teilmenge“ und „kleinere Teilmenge“ beziehen sich auf eine Teilmenge einer Menge, die nicht gleich der Menge ist, d. h. eine Teilmenge einer Menge, die weniger Elemente als die Menge enthält.
  • Der Begriff „Transistor“, der gemäß dieser Offenbarung verwendet wird, kann eine beliebige Art von Transistor sein, einschließlich N-Typ-Metall-Oxid-Halbleiter (NMOS), P-Typ-Metall-Oxid-Halbleiter, Bipolartransistoren (BJT), Feldeffekttransistoren (FET), Sperrschicht-Feldeffekttransistoren (JFET), Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET) usw. Der eine oder die mehreren Transistoren können komplementäre Metall-Oxid-Halbleiter (CMOS) oder beliebige andere ähnliche komplementäre Strukturen beinhalten. Die Anschlüsse der Transistoren, die gemäß der Offenbarung verwendet werden, können auf Feldeffekttransistoren (FET) verweisen, wie etwa, dass sie einen Gate-Anschluss, einen Source-Anschluss und einen Drain-Anschluss beinhalten. Der Fachmann würde wissen, dass im Falle einer Adaption an einen anderen Transistortyp die Anschlussnamen unterschiedlich sein können.
  • Der hierin genutzte Begriff „Verstärker“ verweist auf eine beliebige Art von Komponente, Schaltung, Modul oder Vorrichtung, die/das ein Eingangssignal verstärkt (d. h. Leistung/Amplitude erhöht) und ein verstärktes Signal als ein Ausgangssignal bereitstellen kann. Der Verstärker kann ein beliebiger Typ von Verstärker, ein Verstärkerstapel oder eine Verstärkerstufe sein.
  • Wie hierin verwendet, versteht sich „Speicher“ als ein nichttransitorisches computerlesbares Medium, in dem Daten oder Informationen zum Abrufen gespeichert werden können. Hierin enthaltene Verweise auf „Speicher“ können somit als sich auf flüchtigen oder nichtflüchtigen Speicher beziehend aufgefasst werden, einschließlich Direktzugriffsspeicher (RAM), Nurlesespeicher (ROM), Flash-Speicher, Solid-State-Speicher, ein Magnetband, ein Festplattenlaufwerk, ein optisches Laufwerk usw. oder eine beliebige Kombination davon. Des Weiteren sind Register, Schieberegister, Prozessorregister, Datenpuffer usw. vorliegend ebenfalls im Begriff Speicher eingeschlossen. Eine einzige Komponente, die als „Speicher“ oder „ein Speicher“ bezeichnet wird, kann aus mehr als einem unterschiedlichen Speichertyp bestehen und kann sich dementsprechend auf eine kollektive Komponente beziehen, die einen oder mehrere Speichertypen beinhaltet. Jede einzige Speicherkomponente kann in mehrere kollektive äquivalente Speicherkomponenten geteilt sein, und umgekehrt. Des Weiteren, obwohl ein Speicher eventuell als von einer oder mehreren anderen Komponenten (wie etwa in den Zeichnungen) getrennt abgebildet ist, kann ein Speicher auch in andere Komponenten integriert sein, wie etwa auf einem gemeinsamen integrierten Chip oder einer Steuerung mit einem eingebetteten Speicher.
  • Der Begriff „Software“ bezieht sich auf eine beliebige Art von ausführbarer Anweisung, einschließlich Firmware.
  • Der hierin genutzte Begriff „Funkkommunikationsvorrichtung“ verweist auf beliebige Vorrichtungen, die Funkfrequenzsignale zur Kommunikation verwenden, einschließlich benutzerseitiger Vorrichtungen (sowohl portable als auch fest), die sich mit einem Kernnetzwerk und/oder externen Datennetzwerken über ein Funkzugangsnetz verbinden können. „Funkkommunikationsvorrichtung“ kann eine beliebige mobile oder immobile Drahtloskommunikationsvorrichtung beinhalten, einschließlich Benutzerausrüstung (UE), Mobilstationen (MSs), Stationen (STAs), zellulären Telefone, Tablets, Laptops, Personal Computer, Wearables, Multimedia-Wiedergabe und andere tragbare oder am Körper angebrachte elektronische Vorrichtungen, Verbraucher-/Heim-/Büro- bzw. gewerbliche Geräte, Fahrzeuge und jegliche andere elektronische Vorrichtung, die zu benutzerseitigen drahtlosen Kommunikationen fähig ist. Ohne Einschränkung der Allgemeingültigkeit können Endvorrichtungen in einigen Fällen auch Anwendungsschichtkomponenten beinhalten, wie etwa Anwendungsprozessoren oder andere allgemeine Verarbeitungskomponenten, die auf eine andere Funktionalität als auf drahtlose Kommunikation ausgerichtet sind. Funkkommunikationsvorrichtungen können optional drahtgebundene Kommunikationen zusätzlich zu drahtlosen Kommunikationen unterstützen. Des Weiteren können Funkkommunikationsvorrichtungen Fahrzeugkommunikationsvorrichtungen beinhalten, die als Funkkommunikationsvorrichtungen fungieren.
  • Verschiedene Aspekte dieser Offenbarung können Funkkommunikationstechnologien nutzen oder damit zusammenhängen. Auch wenn einige Beispiele auf spezifische Funkkommunikationstechnologien verweisen können, können die hierin bereitgestellten Beispiele auf ähnliche Art auf verschiedene andere Funkkommunikationstechnologien angewendet werden, und zwar sowohl auf existierende als auf noch nicht formulierte, und dies insbesondere in Fällen, in welchen solche Funkkommunikationstechnologien ähnliche Merkmale wie die in Zusammenhang mit den folgenden Beispielen offenbarten aufweisen. Wie hierin verwendet, kann sich eine erste Funkkommunikationstechnologie von einer zweiten Funkkommunikationstechnologie unterscheiden, falls die erste und die zweite Funkkommunikationstechnologie auf unterschiedlichen Kommunikationsstandards basieren.
  • Hierin beschriebene Aspekte können solche Funkkommunikationstechnologien gemäß verschiedenen Spektrumverwaltungsschemen verwenden, einschließlich unter anderem ein dediziertes lizenziertes Spektrum, ein unlizenziertes Spektrum, ein (lizenziertes) gemeinsam genutztes Spektrum (wie etwa LSA, „Licensed Shared Access“ in 2,3-2,4 GHz, 3,4-3,6 GHz, 3,6-3,8 GHz und weiteren Frequenzen und SAS, „Spectrum Access System“ in 3,55-3,7 GHz und weiteren Frequenzen), und sie können verschiedene Spektralbänder verwenden, einschließlich unter anderem IMT-Spektrum (International Mobile Telecommunications) (einschließlich 450-470 MHz, 790-960 MHz, 1710-2025 MHz, 2110-2200 MHz, 2300-2400 MHz, 2500-2690 MHz, 698-790 MHz, 610-790 MHz, 3400-3600 MHz usw., wobei manche Bänder auf ein oder mehrere spezifische Gebiete und/oder Länder beschränkt sein können), IMT-Advanced-Spektrum, IMT-2020-Spektrum (es wird erwartet, dass dies 3600-3800 MHz, 3,5-GHz-Bänder, 700-MHz-Bänder, Bänder innerhalb des 24,25-86-GHz-Bereichs usw. beinhaltet), ein Spektrum, das unter der FCC-5G-Initiative „Spectrum Frontier“ verfügbar gemacht wird (einschließlich 27,5-28,35 GHz, 29,1-29,25 GHz, 31-31,3 GHz, 37-38,6 GHz, 38,6-40 GHz, 42-42,5 GHz, 57-64 GHz, 64-71 GHz, 71-76 GHz, 81-86 GHz und 92-94 GHz usw.), das ITS-Band (Intelligent Transport Systems) von 5,9 GHz (typischerweise 5,85-5,925 GHz) und 63-64 GHz, Bänder, die gegenwärtig WiGig zugewiesen sind, wie etwa WiGig-Band 1 (57,24-59,40 GHz), WiGig-Band 2 (59,40-61,56 GHz) und WiGig-Band 3 (61,56-63,72 GHz) und WiGig-Band 4 (63,72-65,88 GHz), das 70,2 GHz-71 GHz-Band, ein beliebiges Band zwischen 65,88 GHz und 71 GHz, Bänder, die gegenwärtig Kraftfahrzeugradaranwendungen zugewiesen sind, wie etwa 76-81 GHz, und zukünftige Bänder einschließlich 94-300 GHz und darüber.
  • Für die Zwecke dieser Offenbarung können Funkkommunikationstechnologien als entweder eine Kurzstrecken-Funkkommunikationstechnologie oder eine zelluläre Weitbereichs-Funkkommunikationstechnologie klassifiziert werden. Kurzstrecken-Funkkommunikationstechnologien können Bluetooth, WLAN (z. B. gemäß einem IEEE-802.11-Standard) und andere ähnliche Funkkommunikationstechnologien beinhalten. Zelluläre Weitbereichs-Funkkommunikationstechnologien können Global System for Mobile Communications (GSM), Code Division Multiple Access 2000 (CDMA2000), Universal Mobile Telecommunications System (UMTS), Long Term Evolution (LTE), General Packet Radio Service (GPRS), Evolution-Data Optimized (EV-DO), Enhanced Data Rates for GSM Evolution (EDGE), High Speed Packet Access (HSPA) beinhalten; einschließlich High Speed Downlink Packet Access (HSDPA), High Speed Uplink Packet Access (HSUPA), HSDPA Plus (HSDPA+) und HSUPA Plus (HSUPA+)), Worldwide Interoperability for Microwave Access (WiMax) (zum Beispiel gemäß einem IEEE-802.16-Funkkommunikationsstandard, zum Beispiel WiMax fixed oder WiMax mobile) usw. und andere ähnliche Funkkommunikationstechnologien. Zelluläre Weitbereichs-Funkkommunikationstechnologien beinhalten zudem „Kleinzellen“ solcher Technologien, wie etwa Mikrozellen, Femtozellen und Pikozellen. Zelluläre Weitbereichs-Funkkommunikationstechnologien können hierin allgemein als „zelluläre“ Kommunikationstechnologien bezeichnet werden.
  • Die Begriffe „Funkkommunikationsnetzwerk“, „Drahtlosnetzwerk“ und „Kommunikationsnetzwerk“ oder dergleichen, wie hierin genutzt, schließen sowohl einen Zugangsabschnitt eines Netzwerks (zum Beispiel einen Funkzugangsnetz(RAN)-Abschnitt) als auch einen Kernabschnitt eines Netzwerks (zum Beispiel einen Kernnetzabschnitt) ein.
  • Sofern nicht explizit angegeben, schließt der Begriff „Übertragen“ sowohl eine direkte (Punkt-zu-Punkt) als auch eine indirekte Übertragung (über einen oder mehrere Zwischenpunkte) ein. Gleichermaßen schließt der Begriff „Empfangen“ sowohl direkten als auch indirekten Empfang ein. Des Weiteren schließen die Begriffe „Übertragen“, „Empfangen“, „Kommunizieren“ und andere ähnliche Begriffe sowohl physische Übertragung (z. B. die Übertragung von Funksignalen) als auch logische Übertragung (z. B. die Übertragung digitaler Daten über eine logische Verbindung auf Software-Ebene) ein. Ein Prozessor oder eine Steuerung kann zum Beispiel Daten mit einem anderen Prozessor oder einer anderen Steuerung in der Form von Funksignalen über eine Verbindung auf Software-Ebene übertragen oder empfangen, wobei die physische Übertragung und der physische Empfang von Funkschicht-Komponenten wie etwa Hochfrequenz(HF)-Sendeempfängern und Antennen gehandhabt wird, und die logische Übertragung und der logische Empfang über die Verbindung auf Software-Ebene von den Prozessoren oder Steuerungen durchgeführt wird. Der Begriff „Kommunizieren“ kann Übertragen und/oder Empfangen einschließen, d. h. eine unidirektionale oder bidirektionale Kommunikation in einer oder beiden der eingehenden und der ausgehenden Richtung. Der Begriff „Berechnen“ kann sowohl ,direkte‘ Berechnungen über einen mathematischen Ausdruck/eine mathematische Formel/eine mathematische Beziehung als auch ,indirekte‘ Berechnungen über Nachschlage- oder Hash-Tabellen und andere Array-Indexierungs- oder -Suchoperationen einschließen.
  • 1 zeigt schematisch ein Blockdiagramm eines Beispiels für eine Funkkommunikationsvorrichtung 100. Die Funkkommunikationsvorrichtung 100 beinhaltet einen Prozessor 101. Ein Hochfrequenz(HF)-Frontend 102 ist mit dem Prozessor 101 und einem Antennenport 103 gekoppelt. Der Antennenport 103 kann mit einer Antenne 104 gekoppelt sein. Die Kommunikationsvorrichtung 100 kann mehrere Prozessoren, mehrere Hochfrequenz(HF)-Frontends, mehrere Antennenports und mehrere Antennen beinhalten.
  • Zur Übertragungsfunktion stellt der Prozessor 101 Signale bereit, die zu dem Hochfrequenz(HF)-Frontend 102 zu übertragen sind. Das Hochfrequenz(HF)_Frontend 102 kann die Signale von dem Prozessor 101 empfangen. Das Hochfrequenz(HF)-Frontend 102 stellt die Hochfrequenz(HF)-Kommunikationssignale an den Antennenport 103 bereit, sodass die Antenne 104 die Hochfrequenz(HF)-Kommunikationssignale von dem Antennenport 103 empfängt und die Funkkommunikationssignale überträgt. Das Hochfrequenz(HF)-Frontend 102 kann zum Beispiel einen Aufwärtswandler beinhalten, um empfangene Signale zu den Hochfrequenz(HF)-Kommunikationssignalen umzuwandeln. Das Hochfrequenz(HF)-Frontend 102 beinhaltet einen Leistungsverstärker.
  • Zur Empfangsfunktion empfängt der Antennenport 103 Hochfrequenz(HF)-Kommunikationssignale von der Antenne 104. Das Hochfrequenz(HF)-Frontend 102 empfängt die Hochfrequenz(HF)-Kommunikationssignale von dem Antennenport 103. Das Hochfrequenz(HF)-Frontend 102 kann einen Abwärtswandler beinhalten, um die Hochfrequenz(HF)-Kommunikationssignale umzuwandeln. Das Hochfrequenz(HF)-Frontend 102 stellt seinen Ausgang dem Prozessor 101 bereit, der Basisband-Kommunikationssignale empfangen und die Basisband-Kommunikationssignale decodieren kann.
  • Die Funkkommunikationsvorrichtung 100 ist nur als ein Beispiel für eine Funkkommunikationsvorrichtung bereitgestellt, die in der Lage ist, sowohl eine Übertragungsfunktion als auch eine Empfangsfunktion durchzuführen. Eine Funkkommunikationsvorrichtung kann zum Beispiel fähig sein, nur eine dieser Funktionen durchzuführen (d. h. als ein Empfänger oder Sender), und verschiedene Aspekte, die mit dieser Offenbarung bereitgestellt sind, können auch bei diesen Beispielen gelten.
  • Die Funkkommunikationsvorrichtung 100 kann mit einem Funkkommunikationsnetzwerk oder anderen Funkkommunikationsvorrichtungen und/oder Netzwerkzugangsknoten kommunizieren. Auch wenn die Kommunikation in Übereinstimmung mit bestimmten hierin beschriebenen Beispielen stattfinden kann, die sich auf einen bestimmten Funkzugangsnetzwerkkontext beziehen (z. B. WLAN/WiFi, 5G, NR, LTE oder andere 3GPP(3rd Generation Partnership Project)-Netzwerke, Bluetooth, mm-Welle usw.), sind diese Beispiele demonstrativ und können daher leicht auf einen beliebigen anderen Typ oder eine beliebige andere Konfiguration von Funkzugangsnetzwerk angewendet werden.
  • 2 zeigt schematisch ein Blockdiagramm eines beispielhaften Hochfrequenz(HF)-Frontends 200, das in einer Funkkommunikationsvorrichtung implementiert werden kann, die einen Sender und einen Empfänger beinhaltet. Ein Übertragungssignalpfad (Tx-Pfad) des Hochfrequenz(HF)-Frontends 200 beinhaltet einen PA (Power Amplifier - Leistungsverstärker) 201 zum Verstärken von Hochfrequenz(HF)-Eingangssignalen. Ein Empfangssignalpfad (RX-Pfad) des Hochfrequenz(HF)-Frontends 200 beinhaltet einen LNA (Low-Noise Amplifier - rauscharmen Verstärker) 202 zum Verstärken empfangener Hochfrequenz(HF)-Signale und stellt die verstärkten empfangenen Hochfrequenz(HF)-Signale als eine Ausgabe bereit. Ein oder mehrere Filter können enthalten sein, um geeignete Hochfrequenz(HF)-Signale für Übertragung und Empfang zu erzeugen. Außerdem kann das Hochfrequenz(HF)-Frontend 200 andere Komponenten oder Schaltungen 203 beinhalten, wie etwa zum Beispiel einen Tuner oder ein Abgleichnetzwerk, Schalter, Multiplexer und/oder andere Schaltungen zum Koppeln des Hochfrequenz(HF)-Frontend 200 mit einer Antenne. Außerdem können andere Komponenten enthalten sein, um sowohl Übertragungs- als auch Empfangsfunktionen zu unterstützen.
  • 3 zeigt schematisch ein Beispiel einer Funkkommunikationsschaltung 300, die eine Funkkommunikationsvorrichtung beinhalten kann. Die Funkkommunikationsschaltung 300 kann Komponenten, wie etwa eine Mischerschaltung 301, eine Synthesizerschaltung 302 (z. B. Lokaloszillator), eine Filterschaltung 303 (z. B. Basisbandfilter), eine Verarbeitungsschaltung 304, eine Verstärkerschaltung 305, eine Analog-Digital-Wandler(ADC)-Schaltung 306, eine Digital-Analog(DAC)-Schaltung 307 und andere geeignete Digital-Frontend(DFE)-Komponenten 308 beinhalten, um nur einige zu nennen. Die Verarbeitungsschaltung 304 kann einen Prozessor beinhalten, der in mindestens einem Beispiel eine(n) oder mehrere Zeitbereichs- und/oder Frequenzbereichsprozessoren/-komponenten beinhalten kann.
  • Das beispielhafte Hochfrequenz(HF)-Frontend 200, das mit Bezug auf 2 beschrieben ist, kann folglich durch eine Kombination der Schaltungen bereitgestellt werden, die mit Bezug auf die schematische Repräsentation des Beispiels der Funkkommunikationsschaltung 300 bereitgestellt werden. Es ist anzumerken, dass beliebige dieser Schaltungen mehrere Schaltungen beinhalten können, die zum Bereitstellen der Funktionalität ausgelegt sind. Zum Beispiel kann die Verstärkerschaltung 305 mehrere Verstärkerschaltungen oder Verstärker in Bezug auf Funktionen für verschiedene Aspekte dieser Offenbarung beinhalten.
  • Die anderen Komponenten 308 können Logikkomponenten, Modulations-/Demodulationselemente und eine Schnittstellenschaltung zum Bilden einer Schnittstelle mit einer anderen Komponente, z. B. einem SoC oder einem Modem, beinhalten. Digital-Frontend-Komponenten können eine beliebige geeignete Anzahl und/oder Art von Komponenten beinhalten, die dazu ausgelegt sind, Funktionen durchzuführen, von denen bekannt ist, dass sie mit Digital-Frontends assoziiert sind.
  • Das Digital-Frontend kann eine digitale Verarbeitungsschaltung, Teile einer Verarbeitungsschaltungsanordnung, einen oder mehrere Teile eines Onboard-Chips mit dedizierter Digital-Frontend-Funktionalität (z. B. einen Digitalsignalprozessor) usw. beinhalten. Die Digital-Frontend-Komponenten können selektiv spezifische Funktionen basierend auf dem Betriebsmodus der Funkkommunikationsschaltung 300 durchführen. Die Digital-Frontend-Komponenten können Strahlformung ermöglichen.
  • Digital-Frontend-Komponenten können zudem andere Komponenten beinhalten, die mit Datenübertragung assoziiert sind, wie etwa zum Beispiel Senderstörungskorrektur, wie etwa LO-Korrektur, DC-Offset-Korrektur, IQ-Ungleichgewichtskorrektur und ADC-Skew, digitale Vorverzerrungsberechnung (DPD-Berechnung), Korrekturfaktorberechnung (CF-Berechnung) und Präemphaseberechnung (pre.-emp.-Berechnung). Um zusätzliche Beispiele zu nennen, können die Digital-Frontend-Komponenten Empfänger- oder Sender-Digitalverstärkungsfaktorsteuerung (DGC), Upsampling, Downsampling, Nulldurchgangsdetektionsalgorithmen, Phasenmodulation, Durchführen von Strahlverwaltung, digitale Blockeraufhebung, Empfangssignalstärkenindikator(RSSI)-Messungen, DPD- und Kalibrierungsbeschleuniger, Testsignalerzeugung usw. ermöglichen oder durchführen.
  • Die Funkkommunikationsschaltung 300 kann einen Empfangssignalpfad beinhalten, der die Mischerschaltung 301, die Verstärkerschaltung 305 und die Filterschaltung 303 beinhalten kann. In manchen Aspekten kann der Übertragungssignalpfad der Funkkommunikationsschaltung 300 die Filterschaltung 303, die Verstärkerschaltung 305 und die Mischerschaltung 301 beinhalten. Die Funkkommunikationsschaltung kann zudem die Synthesizerschaltung 302 zum Synthetisieren eines Frequenzsignals zur Verwendung durch die Mischerschaltung 301 des Empfangssignalpfads und des Übertragungssignalpfads beinhalten. Die Mischerschaltung 301 des Empfangssignalpfads kann dazu ausgelegt sein, empfangene Hochfrequenz(HF)-Signale basierend auf der durch die Synthesizerschaltung 302 bereitgestellten synthetisierten Frequenz abwärtszuwandeln.
  • In einigen Aspekten können die Basisbandausgangssignale und die Basisbandeingangssignale digitale Basisbandsignale sein. In solchen Aspekten kann die Funkkommunikationsschaltung 300 die Analog-Digital-Wandler(ADC)-Schaltung 306 und die Digital-Analog-Wandler(DAC)-Schaltung 307 beinhalten.
  • Die Funkkommunikationsschaltung 300 kann zudem einen Übertragungssignalpfad (Tx-Pfad) beinhalten, der eine Schaltung zum Aufwärtswandeln von Basisbandsignalen, die durch ein Modem bereitgestellt werden, und Bereitstellen von Hochfrequenz(HF)-Ausgangssignalen zur Übertragung beinhalten kann. In einigen Aspekten kann der Empfangssignalpfad der Funkkommunikationsschaltung 300 die Mischerschaltung 301, die Verstärkerschaltung 305 und die Filterschaltung 303 beinhalten. In manchen Aspekten kann der Übertragungssignalpfad der Funkkommunikationsschaltung 300 die Filterschaltung 303, die Verstärkerschaltung 305 und die Mischerschaltung 301 beinhalten. Die Funkkommunikationsschaltung 300 kann die Synthesizerschaltung 302 zum Synthetisieren eines Frequenzsignals zur Verwendung durch die Mischerschaltung 301 des Empfangssignalpfads und des Übertragungssignalpfads beinhalten. Die Mischerschaltung 301 des Empfangssignalpfads kann dazu ausgelegt sein, empfangene Hochfrequenz(HF)-Signale basierend auf der durch die Synthesizerschaltung 302 bereitgestellten synthetisierten Frequenz abwärtszuwandeln.
  • Die Verstärkerschaltung 305 kann dazu ausgelegt sein, die abwärtsgewandelten Signale zu verstärken, und die Filterschaltung 303 kann ein Tiefpassfilter (LPF) oder ein Bandpassfilter (BPF) sein, das dazu ausgelegt ist, unerwünschte Signale aus den abwärtsgewandelten Signalen zu entfernen, um Basisbandausgangssignale zu erzeugen. Basisbandausgangssignale können einer anderen Komponente, z. B. einem Modem, zur weiteren Verarbeitung bereitgestellt werden. In einigen Aspekten können die Basisbandausgangssignale Nullfrequenzbasisbandsignale sein, obwohl dies keine Voraussetzung ist.
  • Die Mischerschaltung 301 für einen Empfangssignalpfad kann passive Mischer beinhalten, wenngleich der Schutzumfang dieser Offenbarung diesbezüglich nicht beschränkt ist. In manchen Aspekten kann die Mischerschaltung 301 für einen Übertragungssignalpfad dazu ausgelegt sein, Basisbandeingangssignale basierend auf der synthetisierten Frequenz, die durch die Synthesizerschaltung 302 bereitgestellt wird, aufwärtszuwandeln, um Hochfrequenz(HF)-Ausgangssignale zu erzeugen. In verschiedenen Aspekten kann die Verstärkerschaltung 305 dazu ausgelegt sein, die Hochfrequenz(HF)-Ausgangssignale zu verstärken, und die Filterschaltung 303 kann ein Tiefpassfilter (LPF) oder ein Bandpassfilter (BPF) sein, das dazu ausgelegt ist, unerwünschte Signale aus den aufwärtsgewandelten Signalen zu entfernen, um zu übertragende Kommunikationssignale bereitzustellen. Die Hochfrequenz(HF)-Kommunikationssignale können einer anderen Komponente, einem Antennenport oder einer Antenne bereitgestellt werden.
  • In manchen Aspekten können die Mischerschaltung 301 des Empfangssignalpfads und die Mischerschaltung 301 des Übertragungssignalpfads zwei oder mehr Mischer beinhalten und können für Quadraturabwärtswandlung bzw. -aufwärtswandlung eingerichtet sein. In manchen Aspekten können die Mischerschaltung 301 des Empfangssignalpfads und die Mischerschaltung 301 des Übertragungssignalpfads zwei oder mehr Mischer beinhalten und können zur Spiegelunterdrückung (z. B. Hartley-Spiegelunterdrückung) eingerichtet sein. In manchen Aspekten können die Mischerschaltung 301 des Empfangssignalpfads und die Mischerschaltung 301 für direkte Abwärtswandlung bzw. direkte Aufwärtswandlung eingerichtet sein. In manchen Aspekten können die Mischerschaltung 301 des Empfangssignalpfads und die Mischerschaltung 301 des Übertragungssignalpfads für einen superheterodynen Betrieb konfiguriert sein.
  • Gemäß einigen Dualmodus-Aspekten kann eine separate Funk-IC-Schaltung zum Verarbeiten von Signalen für jedes Spektrum bereitgestellt sein, wenngleich der Schutzumfang dieser Offenbarung diesbezüglich nicht beschränkt ist.
  • In manchen Aspekten kann die Synthesizerschaltung 302 ein Fraktional-N-Synthesizer oder ein Fraktional-N/N+1-Synthesizer sein, obwohl der Schutzumfang der Aspekte in dieser Hinsicht nicht beschränkt ist, da andere Typen von Frequenz-Synthesizern geeignet sein können. Zum Beispiel kann die Synthesizerschaltung 302 ein Delta-Sigma-Synthesizer, ein Frequenzvervielfacher oder ein Synthesizer sein, der einen Phasenregelkreises mit einem Frequenzteiler beinhaltet.
  • Die Synthesizerschaltung 302 kann dazu ausgelegt sein, eine Ausgangsfrequenz zur Verwendung durch die Mischerschaltung 301 der Funkkommunikationsschaltung 300 basierend auf einem Frequenzeingang und einem Teilersteuereingang zu synthetisieren. Die Synthesizerschaltung 302 kann ein Fraktional-N/N+1-Synthesizer sein.
  • Der Frequenzeingang kann durch einen spannungsgesteuerten Oszillator (VCO) bereitgestellt werden, wenngleich dies keine Voraussetzung ist. Ein Teilersteuereingang kann durch eine Verarbeitungskomponente der Funkkommunikationsschaltung 300 bereitgestellt werden oder kann durch eine beliebige geeignete Komponente, wie etwa eine externe Komponente, beispielsweise ein Modem, bereitgestellt werden. Zum Beispiel kann das Modem einen Teilersteuereingang in Abhängigkeit von der gewünschten Ausgangsfrequenz bereitstellen. Ein Teilersteuereingang (z. B. N) kann aus einer Nachschlagetabelle basierend auf einem Kanal bestimmt werden, der durch eine externe Komponente angegeben wird.
  • Die Synthesizerschaltung 302 der Funkkommunikationsschaltung 300 kann einen Teiler, einen Verzögerungsregelkreis (DLL), einen Multiplexer und einen Phasenakkumulator beinhalten. Der Teiler kann ein Dual-Modulus-Teiler (DMD) sein und der Phasenakkumulator kann ein digitaler Phasenakkumulator (DPA) sein. Der DMD kann dazu ausgelegt sein, das Eingangssignal entweder durch N oder N+1 zu teilen (z. B. basierend auf einem Übertrag), um ein fraktionales Teilungsverhältnis bereitzustellen. Der DLL kann einen Satz kaskadierter abstimmbarer Verzögerungselemente, einen Phasendetektor, eine Ladungspumpe und ein D-Flip-Flop beinhalten. Die Verzögerungselemente können dazu ausgelegt sein, eine VCO-Periode in Nd gleiche Phasenpakete zu unterteilen, wobei Nd die Anzahl an Verzögerungselementen in der Verzögerungsleitung ist. Auf diese Weise stellt der DLL eine negative Rückkopplung bereit, um dabei zu helfen, sicherzustellen, dass die Gesamtverzögerung durch die Verzögerungsleitung einen VCO-Zyklus beträgt.
  • Die Synthesizerschaltung 302 kann dazu ausgelegt sein, eine Trägerfrequenz als die Ausgangsfrequenz zu erzeugen, während in einer Alternative die Ausgangsfrequenz ein Vielfaches der Trägerfrequenz (z. B. zweimal die Trägerfrequenz, viermal die Trägerfrequenz) sein und in Verbindung mit dem Quadraturgenerator und der Teilerschaltung verwendet werden kann, um mehrere Signale mit der Trägerfrequenz mit mehreren unterschiedlichen Phasen in Bezug aufeinander zu erzeugen. Die Ausgangsfrequenz kann eine LO-Frequenz (fL0) sein. In einigen Aspekten kann die Funkkommunikationsschaltung 300 einen IQ/Polar-Wandler beinhalten.
  • Obwohl die hierin beschriebene Funkkommunikationsschaltung 300 herkömmliche Superheterodynungsschemen oder -architekturen beinhaltet, können andere Arten von Sendeempfänger- oder Senderarchitekturen und -schemen verwendet werden. Die Funkkommunikationsschaltung 300 kann Komponenten zum Implementieren eines IF-Schemas nahe null, eines Direktumwandlungsschemas oder eines digitalen Übertragungsschemas, wie etwa zum Beispiel einer digitalen IQ-Übertragung, einer digitalen Polar-Übertragung und dergleichen, beinhalten.
  • Die Funkkommunikationsschaltung 300 kann einen Übertragungspfad beinhalten, der einen direkten digitalen Sender (DDT) beinhaltet oder implementiert. Das heißt, ein DDT kann einen Digitalsignalprozessor, einen HF-Digital-Analog-Wandler (HF-DAC), ein HF-Filter/einen Antennenkoppler beinhalten. Ferner kann ein DDT mit oder ohne einen IQ-Mischer implementiert werden. Allgemein kann ein HF-DAC auf einer RFIC enthalten sein, um eine digitale Eingabe in ein HF-Signal umzuwandeln. Ein DDT kann andere digitale Komponenten beinhalten, wie etwa einen numerisch gesteuerten Oszillator (NCO) und digitale Mischer zum Verschieben eines Eingangssignals auf die gewünschte Frequenz.
  • Die Verwendung eines DDT kann die Anzahl an analogen Komponenten reduzieren, die in dem Sender oder Übertragungspfad benötigt werden. Zum Beispiel können analoge LOs, analoge Filter, analoge Mischer und dergleichen aus der RFIC eliminiert werden, wenn ein direkter digitaler Sender, wie etwa ein DDT, eingesetzt wird. Ferner kann die Verwendung eines digitalen Senders oder digitaler Übertragungsschemen Energieeinsparungen und Effizienzen mit sich bringen.
  • 4 veranschaulicht schematisch ein Blockdiagramm einer beispielhaften Funkkommunikationsvorrichtung 400 oder eines beispielhaften Funkkommunikationssystems. Die Komponenten der Funkkommunikationsvorrichtung 400 sind zur einfachen Erklärung bereitgestellt, und in anderen Fällen kann die Funkkommunikationsvorrichtung 400 zusätzliche, weniger oder alternative Komponenten gegenüber den in 4 gezeigten beinhalten.
  • Wie in 4 gezeigt, kann die Funkkommunikationsvorrichtung 400 eine Funkkommunikationsschaltung 401, beispielhaft die Funkkommunikationsschaltung, die in Bezug auf 3 bereitgestellt ist, eine Verarbeitungsschaltung 402 und einen Speicher 403 beinhalten. Die Funkkommunikationsvorrichtung 400 kann zudem verschiedene andere Komponenten, Module oder Teile 404 beinhalten. Die Funkkommunikationsvorrichtung 400 kann ein Modem oder SoC beinhalten. Die Funkkommunikationsvorrichtung 400 kann eine oder mehrere Leistungsquellen, Anzeigeschnittstellen, Peripherievorrichtungen, Ports (z. B. Eingabe, Ausgabe) usw. beinhalten.
  • Die Funkkommunikationsvorrichtung 400 kann für Produkte verwendet werden, die 5G, Wifi, BT, UWB oder beliebige geeignete Drahtlosnetzwerkprodukte involvieren. Die Funkkommunikationsvorrichtung 400 kann zudem für eine beliebige Vorrichtung verwendet werden, die datenintensive Anwendungen unterstützt, darunter Video-Streaming (z. B. 4K-, 8K-Video) oder Augmented/Virtual-Reality(AR/VR)-Vorrichtungen. Die Funkkommunikationsvorrichtung 400 kann zudem für Fahrzeuge verwendet werden, z. B. um dabei zu helfen, ein selbstfahrendes Auto zu unterstützen, und/oder als Fahrzeugnetzwerk verwendet zu werden. Die Funkkommunikationsvorrichtung 400 kann für Fahrzeug-zu-Allem (V2X) verwendet werden, was Fahrzeug-zu-Fahrzeug (V2V) und Fahrzeug-zu-Infrastruktur (V2I) beinhaltet.
  • Die Verarbeitungsschaltung 402 kann eine beliebige geeignete Anzahl und/oder Art von Computerprozessoren, wie etwa zum Ermöglichen der Steuerung der Funkkommunikationsvorrichtung 400, beinhalten. In einigen Fällen kann die Verarbeitungsschaltung 402 einen Basisbandprozessor (oder geeignete Teile davon) beinhalten, der durch die Funkkommunikationsvorrichtung implementiert wird. In anderen Fällen kann die Verarbeitungsschaltung 402 ein oder mehrere Prozessoren sein, die von dem Basisbandprozessor getrennt sind (z. B. ein oder mehrere Digitalsignalprozessoren). Die Verarbeitungsschaltung 402 kann mit einer Verarbeitungsschaltung der Funkkommunikationsschaltung 401 zusammenarbeiten. Die Verarbeitungsschaltung 402 kann eine Verarbeitungsschaltung der Funkkommunikationsschaltung 401 beinhalten. Zusätzlich oder alternativ können andere Beispiele verschiedene Funktionen beinhalten, die hierin in Verbindung mit der Verarbeitungsschaltung 402 besprochen werden.
  • Die Verarbeitungsschaltung 402 kann dazu ausgelegt sein, Anweisungen auszuführen, um arithmetische, logische und/oder Eingabe/Ausgabe(E/A)-Operationen durchzuführen und/oder den Betrieb einer oder mehrerer Komponenten der Funkkommunikationsvorrichtung 400 zu steuern. Zum Beispiel kann die Verarbeitungsschaltung 402 einen oder mehrere Mikroprozessoren, Speicherregister, Puffer, Taktgeber usw. beinhalten. Darüber hinaus beinhalten Aspekte, dass die Verarbeitungsschaltung 402 mit dem Speicher 403 assoziierte Funktionen und/oder Funktionen des Funkgeräts kommuniziert und/oder diese steuert.
  • Der Speicher 403 kann Daten und/oder Anweisungen speichern, sodass, wenn die Anweisungen durch die Verarbeitungsschaltung 402 ausgeführt werden, die Verarbeitungsschaltung 402 die verschiedenen hierin beschriebenen Funktionen durchführt. Der Speicher 403 kann als ein nichttransitorisches computerlesbares Medium implementiert sein, das eine oder mehrere ausführbare Anweisungen speichert, wie etwa zum Beispiel Logik, Algorithmen, Code usw. Anweisungen, Logik, Code usw., die in dem Speicher 403 gespeichert sind, können ermöglichen, dass die hierin offenbarten Aspekte funktionell umgesetzt werden.
  • 5 zeigt schematisch ein Beispiel für eine Verstärkerschaltung. Die Verstärkerschaltung beinhaltet einen Verstärker 501. Der Verstärker 501 ist mit einem Eingangsanschluss 502 gekoppelt, um ein Eingangssignal zu empfangen. Der Verstärker 501 empfängt das Eingangssignal von dem Eingangsanschluss 502 und verstärkt das Eingangssignal. Der Verstärker 501 stellt ein Ausgangssignal von seinem Ausgang bereit.
  • Der Verstärker 501 kann eine Verstärkerstufe beinhalten. Der Verstärker 501 kann einen oder mehrere Transistoren beinhalten, die zum Verstärken des Eingangssignals ausgelegt sind. Der Verstärker 501 kann ein Transkonduktanzverstärker in einer differenziellen Konfiguration sein, der dazu ausgelegt ist, das Eingangssignal als Eingangsspannung in differenziellen Paaren zu empfangen und einen Ausgangsstrom für das Ausgangssignal zu erzeugen. Das Eingangssignal kann ein Hochfrequenz(HF)-Signal beinhalten.
  • Der Verstärker 501 kann mit einem Verstärkerstapel 503 gekoppelt sein. Der Verstärkerstapel 503 kann mindestens einen ersten Transistor 504 beinhalten, der zum Verstärken des Ausgangssignals ausgelegt ist, das der Verstärker 501 bereitstellt. Der erste Transistor 504 kann mit einem Transistor des Verstärkers 501 in einer Kaskodenkonfiguration gekoppelt sein. Der Verstärkerstapel 503 kann einen zweiten Eingangsanschluss zum Empfangen eines Eingangssteuersignals zum Steuern des ersten Transistors 504 basierend auf einer Hüllkurve des Eingangssignals aufweisen. Der erste Transistor 504 kann dazu ausgelegt sein, das Eingangssteuersignal durch seinen Gate-Anschluss zu empfangen, sodass sich die Charakteristiken des ersten Transistors 504 (z. B. die Leitfähigkeit des ersten Transistors 504, die durch den ersten Transistor 504 bereitgestellte Verstärkung) basierend auf dem Eingangssteuersignal ändern.
  • Die Verstärkerschaltung kann einen Prozessor 505 beinhalten oder mit einem Prozessor einer Funkkommunikationsschaltung gekoppelt sein. Wenn die Verstärkerschaltung mit dem Prozessor der Funkkommunikationsschaltung gekoppelt ist, kann der Prozessor der Funkkommunikationsschaltung ähnliche Aspekte mit dem Prozessor 505 durchführen. Der Prozessor 505 kann das Eingangssteuersignal dem Verstärkerstapel 503 bereitstellen. Der Prozessor 505 kann das Eingangssignal von dem Eingangsanschluss 502 empfangen und der Prozessor 505 kann das Eingangssteuersignal, das auf der Hüllkurve des Eingangssignals basiert, an den Verstärkerstapel 503 liefern.
  • Der Prozessor 505 kann dazu ausgelegt sein, ein Hüllkurvensignal eines empfangenen Signals zu detektieren. Der Prozessor 505 kann einen Hüllkurvendetektor beinhalten, der dazu ausgelegt ist, ein Hüllkurvensignal eines empfangenen Signals zu detektieren. Die Hüllkurve kann eine beliebige Art von Hüllkurvendetektionsverfahren oder -schaltungen beinhalten, die zum Detektieren der Hüllkurve des empfangenen Signals verwendet werden. Zum Beispiel kann der Hüllkurvendetektor einen Diodendetektor beinhalten, der mindestens eine Diode und mindestens einen Widerstand beinhaltet, die von einem Ausgang des Hüllkurvendetektors parallel gekoppelt sind. Der Hüllkurvendetektor kann einen Präzisionsgleichrichter beinhalten, der einen Operationsverstärker beinhaltet. Der Hüllkurvendetektor kann einen spezifischen Halbleiter beinhalten, der dazu ausgebildet ist, die Hüllkurve des empfangenen Signals zu detektieren. Dementsprechend detektiert der Prozessor 505 das Hüllkurvensignal des empfangenen Signals, das das Eingangssignal ist.
  • Der Prozessor 505 kann ferner die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals anpassen. Der Prozessor 505 kann die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals anpassen, um das Hüllkurvensignal mit einer Hüllkurve des Signals auszurichten, das durch den Source- und Drain-Anschluss des ersten Transistors 504 fließt. Der Prozessor 505 kann die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals anpassen, sodass die Gate-Source- und Gate-Drain-Kreuzspannungen in Bezug auf die Hüllkurve dieser Signale flacher werden. Der Prozessor 505 kann die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals anpassen, um die Korrelation zwischen der Hüllkurve des Signals zwischen den Gate-Source-Anschlüssen und den Gate-Drain-Anschlüssen des ersten Transistors 504 zu erhöhen.
  • Der Prozessor 505 kann die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals anpassen, um den Verstärkungsfaktor des Verstärkerstapels 503 oder des ersten Transistors 504 konstant zu halten. Der Prozessor 505 kann die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals anpassen, um den Verstärkungsfaktor des Verstärkerstapels 503 oder des ersten Transistors 504 linear zu halten. Der Prozessor 505 kann die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals anpassen, um das Verhältnis der Kapazität der Gate-Source-Anschlüsse und der Kapazität der Drain-Source-Anschlüsse des ersten Transistors 504 konstant zu halten. Der Prozessor 505 kann die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals anpassen, um das Verhältnis der Kapazität der Gate-Source-Anschlüsse und der Kapazität der Drain-Source-Anschlüsse des ersten Transistors 504 linear zu halten. Der Prozessor 505 kann die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals anpassen, um Memory-Effekte zu reduzieren.
  • Der Prozessor 505 kann die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals anpassen, um die Kreuzspannung zwischen dem Gate-Anschluss und dem Source-Anschluss des ersten Transistors 504 im Wesentlichen konstant zu halten. Der Prozessor 505 kann die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals anpassen, um die Kreuzspannung zwischen dem Gate-Anschluss und dem Drain-Anschluss des ersten Transistors 504 zu reduzieren.
  • Der Prozessor 505 kann die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals durch Anpassen der Amplitude und/oder Phase des empfangenen Signals (z. B. des Eingangssignals) anpassen. Der Prozessor 505 kann die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals durch Anpassen der Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals, das durch den Prozessor 505 detektiert wird, anpassen. Der Prozessor 505 kann eine beliebige Art von Amplituden- und/oder Phasenanpassungsverfahren, -funktionen oder -schaltungen beinhalten. Beispielhaft kann der Prozessor 505 einen Operationsverstärker, eine Verstärkerschaltung, eine Verzögerungsschaltung beinhalten und der Prozessor 505 ist dazu ausgelegt, die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals gemäß einem oder mehreren vorbestimmten Parametern anzupassen.
  • Der Prozessor 505 kann ein Rückkopplungssignal von dem Verstärker 501 und/oder von dem Verstärkerstapel 503 empfangen, um die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals basierend auf dem Rückkopplungssignal anzupassen. Der Prozessor 505 kann dazu ausgelegt sein, die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals basierend auf einer Bias-Spannung des Verstärkerstapels 503 oder des ersten Transistors 504 anzupassen. Der Prozessor 505 kann ein Rückkopplungssignal von einem Ausgang der Verstärkerschaltung empfangen, um die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals basierend auf dem Rückkopplungssignal anzupassen.
  • Beispielhaft kann das Rückkopplungssignal eine Angabe der Kreuzspannung zwischen dem Gate-Anschluss und dem Source-Anschluss des ersten Transistors 504 beinhalten, die verwendet werden soll, um die Kreuzspannung zwischen dem Gate-Anschluss und dem Source-Anschluss des ersten Transistors 504 im Wesentlichen konstant zu halten, und/oder die Kreuzspannung zwischen dem Gate-Anschluss und dem Drain-Anschluss des ersten Transistors 504 zu reduzieren. Das Rückkopplungssignal kann eine Angabe des Verstärkungsfaktors des Verstärkerstapels und/oder eine Angabe für das Verhältnis der Kapazität der Gate-Source-Anschlüsse und/oder der Kapazität der Drain-Source-Anschlüsse des ersten Transistors 504 beinhalten.
  • Dementsprechend kann der Prozessor 505 das Eingangssteuersignal nach dem Anpassen der Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals basierend auf dem empfangenen Signal, das in diesem Beispiel das Eingangssignal ist, bereitstellen. Das Eingangssteuersignal kann die Hüllkurve des Eingangssignals mit einer angepassten Amplitude und/oder Phase beinhalten. Alternativ dazu kann der Prozessor 505 das Ausgangssignal des Verstärkers 501 empfangen und kann die Amplitude und/oder Phase des Ausgangssignals des Verstärkers 501 anpassen, und stellt das Eingangssteuersignal einschließlich der Hüllkurve des Ausgangssignals des Verstärkers 501 mit einer angepassten Amplitude und/oder Phase bereit. Der Prozessor 505 kann ein Ausgangssignal der Verstärkerschaltung empfangen und kann die Amplitude und/oder Phase des Ausgangssignals der Verstärkerschaltung anpassen, und stellt das Eingangssteuersignal einschließlich der Hüllkurve des Ausgangssignals der Verstärkerschaltung mit einer angepassten Amplitude und/oder Phase bereit.
  • Ein Tiefpassfilter kann mit dem Prozessor 505 gekoppelt sein und der Prozessor 505 stellt das Eingangssteuersignal an das Tiefpassfilter bereit. Dementsprechend kann das Tiefpassfilter das Rauschen und die Störungen, die auf den gefilterten Teil des Frequenzbandes fallen würden, herausfiltern.
  • Die Verstärkerschaltung kann mehrere Verstärkerstapel beinhalten, die gleich dem Verstärkerstapel 503 sind und die mit dem Verstärkerstapel 503 gekoppelt sind, die beispielhaft Transistoren beinhalten, die mit dem ersten Transistor 504 in einer Kaskodenkonfiguration gekoppelt sind. Mindestens einer der mehreren Verstärkerstapel kann mit dem Prozessor 505 gekoppelt sein, um ein Eingangssteuersignal zum Steuern von Transistoren der jeweiligen Verstärkerstapel auf eine ähnliche Weise wie die für den Verstärkerstapel 503 bereitgestellte Steuerung zu empfangen.
  • Entsprechend kann der Verstärkerstapel 503 das Ausgangssignal gemäß dem empfangenen Eingangssteuersignal verstärken und stellt ein Verstärkerschaltungsausgangssignal basierend auf dem durch den Verstärker 501 empfangenen Eingangssignal und dem empfangenen Eingangssteuersignal von einem Verstärkerschaltungsausgang 506 bereit.
  • 6 zeigt schematisch ein Beispiel für eine Verstärkerschaltung. Die Verstärkerschaltung beinhaltet einen Verstärker 601, der mit einem Eingangsanschluss 602 gekoppelt ist, um ein Eingangssignal zu empfangen, und der Verstärker 601 stellt einen verstärkten Ausgang als ein Ausgangssignal an einen ersten Verstärkerstapel 603 bereit. Der erste Verstärkerstapel 603 kann zumindest einen ersten Transistor 604 beinhalten und der erste Verstärkerstapel 603 kann mit einem Prozessor 605 gekoppelt sein. Der Prozessor 605 kann dazu ausgelegt sein, dem ersten Verstärkerstapel 603 ein erstes Eingangssteuersignal bereitzustellen, um den ersten Transistor 604 zu steuern. Verschiedene Aspekte, die gemäß 5 in dieser Offenbarung bereitgestellt sind, können auch für 6 gelten, z. B. in Bezug auf den Verstärker 601, das Eingangselement 602, den ersten Verstärkerstapel 603, den ersten Transistor 604 und den Prozessor 605.
  • Die Verstärkerschaltung kann alternativ mit einem Prozessor einer Funkkommunikationsschaltung gekoppelt sein. Wenn die Verstärkerschaltung mit dem Prozessor der Funkkommunikationsschaltung gekoppelt ist, kann der Prozessor der Funkkommunikationsschaltung ähnliche Aspekte mit dem Prozessor 605 durchführen. Mit anderen Worten kann der Prozessor der Funkkommunikationsschaltung den Prozessor 605 beinhalten.
  • Die Verstärkerschaltung kann mehrere Verstärkerstapel beinhalten. Der erste Verstärkerstapel 603 kann mit einem zweiten Verstärkerstapel 606 gekoppelt sein und der erste Verstärkerstapel 603 ist dazu ausgelegt, dem zweiten Verstärkerstapel 606 ein erstes Verstärkerstapelausgangssignal bereitzustellen. Der zweite Verstärkerstapel 606 kann zumindest einen ersten Transistor 607 beinhalten, der zum Verstärken des ersten Verstärkerstapelausgangssignals ausgelegt ist, das der erste Verstärkerstapel 603 bereitstellt. Der erste Transistor 607 des zweiten Verstärkerstapels 606 kann mit dem ersten Transistor 604 des ersten Verstärkerstapels 603 in einer Kaskodenkonfiguration gekoppelt sein.
  • Der zweite Verstärkerstapel 606 kann einen zweiten Eingangsanschluss zum Empfangen eines zweiten Eingangssteuersignals zum Steuern des ersten Transistors 607 des zweiten Verstärkerstapels 606 aufweisen. Der erste Transistor 607 des zweiten Verstärkerstapels 606 kann dazu ausgelegt sein, das zweite Eingangssteuersignal durch seinen Gate-Anschluss zu empfangen, sodass sich die Charakteristiken des ersten Transistors 607 des zweiten Verstärkerstapels 606 (z. B. die Leitfähigkeit, Verstärkung) basierend auf dem zweiten Eingangssteuersignal ändern. Entsprechend kann der zweite Verstärkerstapel 606 seinen Ausgang an einen zweiten Verstärkerstapelausgangsanschluss 608 liefern. Der zweite Verstärkerstapelausgangsanschluss 608 kann ein Verstärkerschaltungsausgangsanschluss sein.
  • Der erste Transistor 607 des zweiten Verstärkerstapels 606 kann das zweite Eingangssteuersignal von dem Prozessor 605 empfangen. Der Prozessor 605 kann das zweite Eingangssteuersignal bereitstellen, das das gleiche Signal wie das erste Eingangssteuersignal beinhaltet. Entsprechend kann der Prozessor 605 das gleiche Eingangssteuersignal für jeden der mehreren Verstärkerstapel, einschließlich des ersten Verstärkerstapels 603 und des zweiten Verstärkerstapels 606, bereitstellen.
  • Der Prozessor 605 kann ein zweites Eingangssteuersignal an den zweiten Verstärkerstapel 606 liefern, das sich von einem ersten Eingangssteuersignal unterscheidet, das der Prozessor 605 an den ersten Verstärkerstapel 603 liefert.
  • Der Prozessor 605 kann die Amplitude und/oder Phase eines Hüllkurvensignals des empfangenen Signals unterschiedlich anpassen. Der Prozessor 605 kann die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals anpassen, um das erste Eingangssteuersignal zu erhalten, um das Hüllkurvensignal mit einer Hüllkurve des Signals auszurichten, das durch den Source- und Drain-Anschluss des ersten Transistors 604 des ersten Verstärkerstapels 603 fließt. Gleichermaßen kann der Prozessor 605 die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals anpassen, um das zweite Eingangssteuersignal zu erhalten, um das Hüllkurvensignal mit einer Hüllkurve des Signals auszurichten, das durch den Source- und Drain-Anschluss des ersten Transistors 607 des zweiten Verstärkerstapels 606 fließt.
  • Der Prozessor 605 kann die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals anpassen, um das erste Eingangssteuersignal bereitzustellen, sodass die Gate-Source- und Gate-Drain-Kreuzspannungen des ersten Transistors 604 des ersten Verstärkerstapels 603 hinsichtlich Hüllkurven dieser Signale flacher werden, und gleichermaßen kann der Prozessor 605 die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals anpassen, um das zweite Eingangssteuersignal bereitzustellen, sodass die Gate-Source- und Gate-Drain-Kreuzspannungen des ersten Transistors 607 des zweiten Verstärkerstapels 606 hinsichtlich Hüllkurven dieser Signale flacher werden.
  • Mit Bezug auf 5 kann der Prozessor 605 die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals anpassen, um das erste Eingangssteuersignal und das zweite Eingangssteuersignal (und weitere Eingangssteuersignale für andere Verstärkerstapel) für die Transistoren jedes Stapels der mehreren Stapel bereitzustellen, um die Korrelation zwischen der Hüllkurve des Signals zwischen den Gate-Source-Anschlüssen und den Gate-Drain-Anschlüssen der jeweiligen Transistoren zu erhöhen, und/oder um den Verstärkungsfaktor des jeweiligen Stapelverstärkers linear oder konstant zu halten, und/oder um das Verhältnis der Kapazität der Gate-Source-Anschlüsse und der Kapazität der Drain-Source-Anschlüsse des jeweiligen Transistors linear oder konstant zu halten, und/oder um die Memory-Effekte für den jeweiligen Verstärkerstapel zu reduzieren.
  • Der Prozessor 605 kann die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals anpassen, um die Kreuzspannung zwischen dem Gate-Anschluss und dem Source-Anschluss der Transistoren in einem Verstärkerstapel im Wesentlichen konstant zu halten. Der Prozessor 605 kann die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals anpassen, um die Kreuzspannung zwischen dem Gate-Anschluss und dem Drain-Anschluss der Transistoren eines Verstärkerstapels zu reduzieren.
  • Der Prozessor 605 kann das Eingangssignal von dem Eingangsanschluss 602 empfangen und der Prozessor 605 kann die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals des Eingangssignals anpassen, um das erste Eingangssteuersignal zu erhalten. Das erste Eingangssteuersignal kann das Hüllkurvensignal des in Amplitude und/oder Phase angepassten Eingangssignals beinhalten.
  • Der Prozessor 605 kann auch ein Ausgangssignal des zweiten Verstärkerstapels 606 (das auch ein Verstärkerschaltungsausgangssignal sein kann) von dem zweiten Verstärkerstapelausgangsanschluss 608 empfangen, und der Prozessor 605 kann die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals des Ausgangssignals des zweiten Verstärkerstapels 606 anpassen, das ein verstärktes Ausgangssignal des Eingangssignals durch den Verstärker 601, den ersten Verstärkerstapel 603 und den zweiten Verstärkerstapel 606 beinhalten kann. Das zweite Eingangssteuersignal kann das Hüllkurvensignal des Ausgangssignals des zweiten Verstärkerstapels 606 oder das in Amplitude und/oder Phase angepasste Ausgangssignal der Verstärkerschaltung beinhalten.
  • Der Prozessor 605 kann ein Ausgangssignal des ersten Verstärkerstapels 603 von einem (nicht gezeigten) ersten Verstärkerstapelausgangsanschluss empfangen und der Prozessor 605 kann die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals des Ausgangssignals des ersten Verstärkerstapels 603, das ein verstärktes Ausgangssignal des Eingangssignals durch den Verstärker 601 und den ersten Verstärkerstapel 603 beinhalten kann, anpassen. Das zweite Eingangssteuersignal kann das Hüllkurvensignal des Ausgangssignals des ersten Verstärkerstapels 603 beinhalten, das hinsichtlich Amplitude und/oder Phase angepasst ist.
  • Der Prozessor 605 kann die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals durch Anpassen der Amplitude und/oder Phase des empfangenen Signals (z. B. des Eingangssignals, des Ausgangssignals des ersten Verstärkerstapels 603, des Ausgangssignals des zweiten Verstärkerstapels 606, des Ausgangssignals der Verstärkerschaltung) anpassen. Der Prozessor 605 kann die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals durch Anpassen der Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals, das durch den Prozessor 605 detektiert wird, anpassen. Der Prozessor 605 kann eine beliebige Art von Amplituden- und/oder Phasenanpassungsverfahren, -funktionen oder -schaltungen beinhalten.
  • Der Prozessor 605 kann einen Operationsverstärker, eine Verstärkerschaltung, eine Verzögerungsschaltung beinhalten und der Prozessor 605 ist dazu ausgelegt, die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals gemäß einem oder mehreren vorbestimmten Parametern anzupassen. Der Prozessor 605 kann ein Rückkopplungssignal von dem Verstärker 601 und/oder von dem ersten Verstärkerstapel 603 und/oder von dem zweiten Verstärkerstapel 606 empfangen, um die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals basierend auf dem Rückkopplungssignal anzupassen. Der Prozessor 605 kann dazu ausgelegt sein, die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals basierend auf einer Bias-Spannung des ersten Verstärkerstapels 603 oder des ersten Transistors 604 anzupassen. Der Prozessor 605 kann ein Rückkopplungssignal von einem Ausgang der Verstärkerschaltung empfangen, um die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals basierend auf dem Rückkopplungssignal anzupassen.
  • Beispielhaft kann das Rückkopplungssignal eine Angabe der Kreuzspannung zwischen dem Gate-Anschluss und dem Source-Anschluss des ersten Transistors 604 beinhalten, die verwendet werden soll, um die Kreuzspannung zwischen dem Gate-Anschluss und dem Source-Anschluss des ersten Transistors 604 im Wesentlichen konstant zu halten, und/oder die Kreuzspannung zwischen dem Gate-Anschluss und dem Drain-Anschluss des ersten Transistors 604 zu reduzieren. Das Rückkopplungssignal kann eine Angabe des Verstärkungsfaktors eines Verstärkerstapels und/oder eine Angabe für das Verhältnis der Kapazität der Gate-Source-Anschlüsse und/oder der Kapazität der Drain-Source-Anschlüsse des ersten Transistors 604 beinhalten.
  • Ein Tiefpassfilter kann mit dem Prozessor 605 gekoppelt sein und der Prozessor 605 stellt Eingangssteuersignale an das Tiefpassfilter bereit. Dementsprechend kann das Tiefpassfilter das Rauschen und die Störungen, die auf den gefilterten Teil des Frequenzbandes fallen würden, herausfiltern. Der Prozessor 605 kann jedes der Eingangssteuersignale bereitstellen, um jeweilige Tiefpassfilter für jedes der Eingangssteuersignale zu trennen.
  • 7 zeigt schematisch ein Beispiel für eine Verstärkerschaltung gemäß verschiedenen Aspekten dieser Offenbarung. Die Verstärkerschaltung kann einen Verstärker 700, einen Verstärkerstapel 730, einen Abgleichblock 750 und einen Prozessor 760 beinhalten. Aspekte, die in dieser Offenbarung bereitgestellt sind, zum Beispiel die Aspekte gemäß 5 und 6, können auch für 7 gelten, z. B. in Bezug auf den Verstärker 700, den Verstärkerstapel 730 und den Prozessor 760. Die Verstärkerschaltung kann alternativ mit einem Prozessor einer Funkkommunikationsschaltung gekoppelt sein. Wenn die Verstärkerschaltung mit dem Prozessor der Funkkommunikationsschaltung gekoppelt ist, kann der Prozessor der Funkkommunikationsschaltung ähnliche Aspekte mit dem Prozessor 760 durchführen. Mit anderen Worten kann der Prozessor der Funkkommunikationsschaltung den Prozessor 760 beinhalten.
  • Der Verstärker 700 kann einen Transkonduktanzverstärker in einer differenziellen Konfiguration beinhalten. Der Verstärker 700 kann zwei Eingangsanschlüsse, einen ersten Eingangsanschluss 701 und einen zweiten Eingangsanschluss 702, beinhalten, die dazu ausgelegt sind, ein Hochfrequenz(HF)-Eingangssignal in differenziellen Paaren zu empfangen. Der erste Eingangsanschluss kann mit einem Gate-Anschluss eines ersten Transistors 703 gekoppelt sein. Der zweite Eingangsanschluss kann mit einem Gate-Anschluss eines zweiten Transistors 705 gekoppelt sein. Sowohl der erste Transistor 704 als auch der zweite Transistor 705 können einen N-Typ-Metall-Oxid-Halbleiter (NMOS) beinhalten.
  • Der erste Eingangsanschluss kann mit einem ersten Widerstand 704 parallel gekoppelt sein. Der zweite Eingangsanschluss kann mit einem zweiten Widerstand 706 parallel gekoppelt sein. Ein dritter Transistor 709 kann auch von einem Gate-Anschluss mit dem Kopplungsknoten gekoppelt sein und der erste Widerstand und der zweite Widerstand können an einem Kopplungsknoten 707 miteinander gekoppelt sein. Ein Kondensator 708, der mit Masse gekoppelt ist, kann auch mit dem Kopplungsknoten 707 gekoppelt sein. Der dritte Transistor 709 kann verwendet werden, um die Versorgungsspannung einer Stromquelle des Verstärkerstapels 730 in Kombination mit dem ersten und zweiten Widerstand 704, 706 und dem Kondensator 708 anzuordnen. Der dritte Transistor 709 kann einen N-Typ-Metall-Oxid-Halbleiter (NMOS) beinhalten.
  • Der Verstärkerstapel 730 kann einen ersten Transistor 731 und einen zweiten Transistor 732 beinhalten, die in einer differenziellen Konfiguration angeordnet sind. Der erste Transistor 731 des Verstärkerstapels 730 und der zweite Transistor 732 des Verstärkerstapels 730 können mit dem Verstärker 700 gekoppelt sein, um ein Ausgangssignal des Verstärkers 700 zu empfangen. Der erste Transistor 731 des Verstärkerstapels 730 kann mit dem ersten Transistor 703 des Verstärkers 700 gekoppelt sein. Der Source-Anschluss des ersten Transistors 731 des Verstärkerstapels 730 kann mit dem Drain-Anschluss des ersten Transistors 703 des Verstärkers 700 gekoppelt sein. Der zweite Transistor 732 des Verstärkerstapels 730 kann mit dem zweiten Transistor 705 des Verstärkers 700 gekoppelt sein. Der Source-Anschluss des zweiten Transistors 732 des Verstärkerstapels 730 kann mit dem Drain-Anschluss des zweiten Transistors 705 des Verstärkers 700 gekoppelt sein. Sowohl der erste Transistor 731 des Verstärkerstapels 730 als auch der zweite Transistor 732 des Verstärkerstapels 730 können N-Typ-Metall-Oxid-Halbleiter (NMOS) beinhalten.
  • Der Verstärkerstapel 730 kann eine Stromquelle zum Bereitstellen eines Eingangsstroms von einer elektrischen Versorgung 733 beinhalten. Die Stromquelle kann mit der elektrischen Versorgung 733 gekoppelt sein, um die elektrische Versorgung zu empfangen, die als eine Versorgungsspannung bereitgestellt werden kann. Die Stromquelle kann einen ersten Stromquellentransistor 734 und einen zweiten Stromquellentransistor 735 beinhalten. Ein Drain-Anschluss des ersten Stromquellentransistors 734 kann mit dem Source-Anschluss des ersten Transistors 731 des Verstärkerstapels 730 gekoppelt sein und ein Drain-Anschluss des zweiten Stromquellentransistors 735 kann mit dem Source-Anschluss des zweiten Transistors 732 des Verstärkerstapels 730 gekoppelt sein. Sowohl der erste Stromquellentransistor 734 als auch der zweite Stromquellentransistor 735 können P-Typ-Metall-Oxid-Halbleiter (PMOS) beinhalten.
  • In einem Beispiel kann ein dritter Transistor 736 von seinem Source-Anschluss mit der elektrischen Versorgung 733 gekoppelt sein, und der Drain-Anschluss des dritten Transistors 736 kann mit dem dritten Transistor 709 gekoppelt sein, der mit dem Verstärker 700 gekoppelt ist, der verwendet werden kann, um eine Versorgungsspannung der Stromquelle des Verstärkerstapels 730 in Kombination mit dem ersten und zweiten Widerstand 704, 706 und dem Kondensator 708, gekoppelt mit dem Verstärker 700, anzuordnen. Der dritte Transistor 736, der mit dem Verstärkerstapel 730 gekoppelt ist, kann P-Typ-Metall-Oxid-Halbleiter (PMOS) beinhalten. Der Drain-Anschluss des dritten Transistors 736, der mit dem Verstärkerstapel 730 gekoppelt ist, kann mit einem Gate-Anschluss des dritten Transistors 736, der mit dem Verstärkerstapel 730 gekoppelt ist, gekoppelt sein, wobei der Gate-Anschluss mit einem Gate-Anschluss des ersten Transistors 731 des Verstärkerstapels 730 und einem Gate-Anschluss des zweiten Transistors 732 des Verstärkerstapels 730 gekoppelt ist.
  • Entsprechend kann eine partielle Shunt-Schaltung, die die Kombination des dritten Transistors 709, der mit dem Verstärker 700 gekoppelt ist, des dritten Transistors 736, der mit dem Verstärkerstapel 730 gekoppelt ist, des ersten und zweiten Widerstands 704, 706 und des Kondensators 708 beinhalten kann, dazu ausgelegt sein, einen Gleichstrom (DC) zu begrenzen, der von dem Verstärker 700 zu dem Verstärkerstapel 730 fließt, indem die Gleichstrom(DC)-Spannung geteilt wird, die dem ersten Transistor 731 und dem zweiten Transistor 732 des Verstärkerstapels 730 durch die elektrische Versorgung 733 bereitgestellt wird.
  • Die Verstärkerschaltung kann einen Verstärkerstapel, den Verstärkerstapel 730, beinhalten. Der Ausgang des Verstärkerstapels 730 kann mit dem Abgleichblock 750 gekoppelt sein, um die Impedanz abzugleichen. Entsprechend können ein Drain-Anschluss des ersten Transistors 731 des Verstärkerstapels 730 und ein Drain-Anschluss des zweiten Transistors 732 des Verstärkerstapels 730 eine Ausgabe des Verstärkerstapels 730 bereitstellen. Der Drain-Anschluss des ersten Transistors 731 des Verstärkerstapels 730 und der Drain-Anschluss des zweiten Transistors 732 des Verstärkerstapels 730 können mit einem Entkopplungskondensator 751 und einem Transformator 752 gekoppelt sein. Entsprechend stellt die Verstärkerschaltung ein Verstärkerschaltungsausgangssignal von einem Verstärkerschaltungsausgang 753 bereit.
  • Der Verstärkerstapel 730 kann einen Entkopplungskondensator 737 beinhalten, der mit einem Eingang gekoppelt ist, um ein Eingangssteuersignal zum Steuern des ersten Transistors 731 und des zweiten Transistors 732 zu empfangen. Alternativ dazu kann die Funkkommunikationsschaltung einen Entkopplungskondensator bereitstellen, der äquivalent zu dem Entkopplungskondensator 737 sein kann, um die Gleichstrom(DC)-Komponente des Eingangssteuersignals herauszufiltern.
  • Die Verstärkerschaltung kann einen Prozessor 760 beinhalten. Alternativ dazu kann die Verstärkerschaltung mit einem Prozessor einer Funkkommunikationsschaltung gekoppelt sein. Wenn die Verstärkerschaltung mit dem Prozessor der Funkkommunikationsschaltung gekoppelt ist, kann der Prozessor der Funkkommunikationsschaltung ähnliche Aspekte mit dem Prozessor 760 durchführen. Der Prozessor 760 kann das Eingangssteuersignal dem Verstärkerstapel 730 bereitstellen.
  • Der Prozessor 760 kann das Eingangssignal empfangen, das das Hochfrequenz(HF)-Eingangssignal beinhalten kann, und der Prozessor 760 stellt das Eingangssteuersignal, das auf der Hüllkurve des Eingangssignals basiert, dem Verstärkerstapel 730 bereit. In einem anderen Beispiel kann der Prozessor 760 ein Eingangssignal empfangen, das das Verstärkerschaltungsausgangssignal (das auch das Ausgangssignal des Verstärkerstapels 730 sein kann) beinhalten kann, das von dem Verstärkerschaltungsausgang 753 empfangen wird, und der Prozessor 760 kann das Eingangssteuersignal, das auf der Hüllkurve des Verstärkerschaltungsausgangssignals basiert, dem Verstärkerstapel 730 bereitstellen, wobei das Verstärkerschaltungsausgangssignal eine verstärkte Version des Hochfrequenz(HF)-Eingangssignals beinhalten kann. Der Prozessor 760 kann mindestens zwei des Hochfrequenz(HF)-Eingangssignals und/oder des Ausgangssignals des Verstärkerstapels 730 und/oder des Verstärkerschaltungsausgangssignals empfangen, um das Eingangssteuersignal bereitzustellen.
  • Verschiedene Aspekte, die gemäß 5 und 6 in dieser Offenbarung bereitgestellt sind, können auch für 7 gelten, insbesondere für den Prozessor 760 bezüglich Prozessoren, die gemäß 5 und 6 bereitgestellt sind. Der Prozessor 760 ist dazu ausgelegt, ein Hüllkurvensignal eines empfangenen Signals zu detektieren. Der Prozessor 760 kann einen Hüllkurvendetektor 761 beinhalten, der dazu ausgelegt ist, ein Hüllkurvensignal eines empfangenen Signals zu detektieren.
  • Der Prozessor 760 kann ferner die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals anpassen. Der Prozessor 760 kann die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals anpassen, um das Hüllkurvensignal mit einer Hüllkurve des Signals auszurichten, das durch den Source- und Drain-Anschluss des ersten Transistors 731 und/oder des zweiten Transistors 732 des Verstärkerstapels 730 fließt. Der Prozessor 760 kann die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals anpassen, sodass die Gate-Source- und Gate-Drain-Kreuzspannungen des ersten Transistors 731 und/oder des zweiten Transistors 732 des Verstärkerstapels 730 hinsichtlich Hüllkurven dieser Signale flacher werden. Der Prozessor 760 kann die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals anpassen, um die Korrelation zwischen der Hüllkurve des Signals zwischen den Gate-Source-Anschlüssen und den Gate-Drain-Anschlüssen des ersten Transistors 731 und/oder des zweiten Transistors 732 des Verstärkerstapels 730 zu erhöhen.
  • Der Prozessor 760 kann die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals anpassen, um das erste Eingangssteuersignal und das zweite Eingangssteuersignal (und weitere Eingangssteuersignale für andere Verstärkerstapel) zum Verstärken von Transistoren jedes Stapels der mehreren Stapel bereitzustellen, um die Korrelation zwischen der Hüllkurve des Signals zwischen den Gate-Source-Anschlüssen und den Gate-Drain-Anschlüssen der jeweiligen Transistoren zu erhöhen, und/oder um den Verstärkungsfaktor des jeweiligen Stapelverstärkers linear oder konstant zu halten, und/oder um das Verhältnis der Kapazität der Gate-Source-Anschlüsse und der Kapazität der Drain-Source-Anschlüsse des jeweiligen Transistors linear oder konstant zu halten, und/oder um die Memory-Effekte für den jeweiligen Verstärkerstapel zu reduzieren.
  • Der Prozessor 760 kann die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals anpassen, um die Kreuzspannung zwischen dem Gate-Anschluss und dem Source-Anschluss mindestens eines der Transistoren der mehreren Verstärkerstapel im Wesentlichen konstant zu halten. Der Prozessor 760 kann die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals anpassen, um die Kreuzspannung zwischen dem Gate-Anschluss und dem Drain-Anschluss mindestens eines der Transistoren der mehreren Verstärkerstapel im Wesentlichen konstant zu reduzieren.
  • Der Prozessor 760 kann die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals durch Anpassen der Amplitude und/oder Phase des empfangenen Signals (z. B. des Hochfrequenz(HF)-Eingangssignals, des Ausgangssignals des Verstärkerstapels 730, des Ausgangssignals der Verstärkerschaltung) anpassen. Der Prozessor 760 kann die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals durch Anpassen der Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals, das durch den Prozessor 760 detektiert wird, anpassen. Der Prozessor 760 kann eine beliebige Art von Amplituden- und/oder Phasenanpassungsverfahren, -funktionen oder -schaltungen beinhalten. Der Prozessor 760 kann einen Verstärkerblock 762 zum Anpassen der Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals beinhalten.
  • Der Prozessor 760 kann implementiert werden, indem entweder ein digitales Verfahren oder ein analoges Verfahren verwendet wird, um das Hüllkurvensignal aus dem modulierten HF-Eingangssignal zu detektieren und die Hüllkurvensignale mit Amplituden- und Phasenanpassungen zu verarbeiten. Der Prozessor 760 kann auch entweder durch ein digitales Verfahren oder ein analoges Verfahren mit dem Hüllkurvensignal als Eingabe implementiert werden.
  • Der Verstärkerblock 762 kann einen Operationsverstärker, eine Verstärkerschaltung, eine Verzögerungsschaltung beinhalten und der Prozessor 760 kann dazu ausgelegt sein, die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals gemäß einem oder mehreren vorbestimmten Parametern anzupassen. Die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals können so angepasst werden, dass das Eingangssteuersignal, das an den gemeinsamen Gate-Anschlüssen der Transistoren des Verstärkerstapels 730 bereitzustellen ist, und das Hochfrequenz(HF)-Signal an den gemeinsamen Gate-Anschlüssen der Transistoren des Verstärkerstapels aufgehoben werden.
  • Der Prozessor 760 kann ein Rückkopplungssignal von dem Verstärker 700 und/oder von dem Verstärkerstapel 730 empfangen, um die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals basierend auf dem Rückkopplungssignal anzupassen. Der Prozessor 760 kann dazu ausgelegt sein, die Amplitude und/oder Phase des empfangenen Signals basierend auf einer Bias-Spannung des Verstärkerstapels 730 oder mindestens einer Bias-Spannung des ersten Transistors 731 und/oder des zweiten Transistors 732 des Verstärkerstapels 730 anzupassen. Das Rückkopplungssignal kann eine Angabe einer Bias-Spannung des Verstärkerstapels 730 oder mindestens einer Vorspannung des ersten Transistors 731 und/oder des zweiten Transistors 732 des Verstärkerstapels 730 beinhalten. Der Prozessor 760 kann ein Rückkopplungssignal von einem Ausgang der Verstärkerschaltung empfangen, um die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals basierend auf dem Rückkopplungssignal anzupassen. Der Verstärkerblock 762 kann dazu ausgelegt sein, eine Schwelle für das Eingangssteuersignal basierend auf dem Hüllkurvensignal bereitzustellen.
  • Das Rückkopplungssignal kann eine Angabe der Kreuzspannung zwischen dem Gate-Anschluss und dem Source-Anschluss des ersten Transistors 731 und/oder des zweiten Transistors 732 beinhalten, die verwendet werden soll, um die Kreuzspannung zwischen dem Gate-Anschluss und dem Source-Anschluss des ersten Transistors 731 und/oder des zweiten Transistors 732 im Wesentlichen konstant zu halten, und/oder die Kreuzspannung zwischen dem Gate-Anschluss und dem Drain-Anschluss des ersten Transistors 731 und/oder des zweiten Transistors 732 zu reduzieren. Das Rückkopplungssignal kann eine Angabe des Verstärkungsfaktors des Verstärkerstapels und/oder eine Angabe des Verhältnisses der Kapazität der Gate-Source-Anschlüsse und/oder der Kapazität der Drain-Source-Anschlüsse des ersten Transistors 731 und/oder des zweiten Transistors 732 beinhalten.
  • Der Prozessor 760 kann dazu ausgelegt sein, mindestens zwei Signale zu empfangen und unterschiedliche Anpassungen der Amplitude und/oder Phase durchzuführen. Der Prozessor 760 kann eine erste Anpassung der Amplitude und/oder Phase an dem empfangenen Signal bereitstellen und ein erstes Eingangssteuersignal an den ersten Transistor 731 des Verstärkerstapels 730 liefern; und der Prozessor 760 kann eine zweite Anpassung der Amplitude und/oder Phase an dem empfangenen Signal bereitstellen und ein zweites Eingangssteuersignal an den zweiten Transistor 732 des Verstärkerstapels 730 liefern.
  • Die bereitgestellte erste Anpassung der Amplitude und/oder Phase kann das Ändern der Amplitude und/oder Phase des empfangenen Signals mit einem ersten Parameter beinhalten, und die bereitgestellte zweite Anpassung der Amplitude und/oder Phase kann das Ändern der Amplitude und/oder Phase des empfangenen Signals mit einem zweiten Parameter beinhalten. Das erste Eingangssteuersignal und das zweite Steuersignal unterscheiden sich gemäß mindestens einer ihrer Amplitude oder Phase.
  • Der Prozessor 760 kann dazu ausgelegt sein, die erste Anpassung der Amplitude und/oder Phase basierend auf einem ersten Rückkopplungssignal bereitzustellen, und der Prozessor 760 kann dazu ausgelegt sein, die zweite Anpassung der Amplitude und/oder Phase basierend auf einem zweiten Rückkopplungssignal bereitzustellen. Der Prozessor 760 kann dazu ausgelegt sein, die erste Anpassung der Amplitude und/oder Phase und die zweite Anpassung der Amplitude und/oder Phase basierend auf einer vorbestimmten Vielzahl von Parametern bereitzustellen.
  • Der Prozessor 760 kann ein erstes empfangenes Signal basierend auf einem ersten differenziellen Teil des Hochfrequenz(HF)-Eingangssignals, das an den ersten Transistor 703 des Verstärkers 700 geliefert wird, und ein zweites empfangenes Signal basierend auf einem zweiten differenziellen Teil des Hochfrequenz(HF)-Eingangssignals, das an den zweiten Transistor 705 des Verstärkers 700 geliefert wird, empfangen. Der Prozessor 760 kann ein erstes empfangenes Signal basierend auf einem ersten differenziellen Teil des Ausgangssignals des Verstärkerstapels 730 und ein zweites empfangenes Signal basierend auf einem zweiten differenziellen Teil des Ausgangssignals des Verstärkerstapels 730 empfangen. Der Prozessor 760 kann mit dem Drain-Anschluss des ersten Transistors 731 des Verstärkerstapels gekoppelt sein, um den ersten differenziellen Teil des Ausgangssignals des Verstärkerstapels 730 zu empfangen. Der Prozessor 760 kann mit dem Drain-Anschluss des zweiten Transistors 732 des Verstärkerstapels 730 gekoppelt sein, um den zweiten differenziellen Teil des Ausgangssignals des Verstärkerstapels 730 zu empfangen.
  • Dementsprechend kann der Prozessor 760 die Amplitude und/oder Phase des ersten empfangenen Signals anpassen, um das erste Eingangssteuersignal zu erhalten, und die Amplitude und/oder Phase des zweiten empfangenen Signals anpassen, um das zweite Eingangssteuersignal zu erhalten. Der Prozessor 760 kann die erste Anpassung der Amplitude und/oder Phase an dem ersten empfangenen Signal bereitstellen, um das erste Eingangssteuersignal zu erhalten, und der Prozessor 760 kann die zweite Anpassung der Amplitude und/oder Phase an dem zweiten empfangenen Signal bereitstellen, um das zweite Steuersignal zu erhalten.
  • Der Prozessor 760 kann ein Tiefpassfilter 763 beinhalten und der Prozessor 760 kann dem Tiefpassfilter ein ungefiltertes Eingangssteuersignal bereitstellen. Entsprechend kann das Tiefpassfilter 763 das Rauschen und die Störungen, die auf den gefilterten Teil des Frequenzbandes fallen würden, herausfiltern, und stellt das Eingangssteuersignal an den Verstärkerstapel 730 bereit.
  • Dementsprechend kann der Prozessor 760 das Eingangssteuersignal nach dem Anpassen der Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals basierend auf dem empfangenen Signal bereitstellen. Das Eingangssteuersignal kann die Hüllkurve des Eingangssignals mit einer angepassten Amplitude und/oder Phase beinhalten. Alternativ dazu kann der Prozessor 760 das Ausgangssignal des Verstärkers 700 empfangen und kann die Amplitude und/oder Phase des Ausgangssignals des Verstärkers 700 anpassen und kann das Eingangssteuersignal einschließlich der Hüllkurve des Ausgangssignals des Verstärkers 700 mit einer angepassten Amplitude und/oder Phase bereitstellen. In einem anderen Beispiel kann der Prozessor 760 das Ausgangssignal der Verstärkerschaltung empfangen und kann die Amplitude und/oder Phase des Ausgangssignals der Verstärkerschaltung anpassen, und stellt das Eingangssteuersignal einschließlich der Hüllkurve des Ausgangssignals der Verstärkerschaltung mit einer angepassten Amplitude und/oder Phase bereit.
  • Die Verstärkerschaltung kann mehrere Verstärkerstapel beinhalten, die gleich dem Verstärkerstapel 730 sind und die zwischen dem Verstärkerstapel 730 und dem Abgleichblock 750 gekoppelt sind, und beinhaltet beispielhaft Transistoren, die mit dem ersten Transistor 703 bzw. dem zweiten Transistor 705 des Verstärkers 700 in einer Kaskodenkonfiguration gekoppelt sind. Mindestens einer der mehreren Verstärkerstapel kann mit dem Prozessor 760 gekoppelt sein, um ein Eingangssteuersignal zum Steuern von Transistoren der jeweiligen Verstärkerstapel auf eine ähnliche Weise wie die für den Verstärkerstapel 730 bereitgestellte Steuerung zu empfangen.
  • 8 zeigt schematisch ein Beispiel für eine Verstärkerschaltung gemäß verschiedenen Aspekten dieser Offenbarung. Die Verstärkerschaltung kann einen Verstärker 800, einen ersten Verstärkerstapel 830, einen zweiten Verstärkerstapel 840, einen dritten Verstärkerstapel 850, einen Prozessor 860 und einen Abgleichblock 870 beinhalten. Aspekte, die in dieser Offenbarung bereitgestellt sind, insbesondere die Aspekte gemäß 5, 6 und 7, können auch für 8 gelten, insbesondere in Bezug auf den Verstärker 800, die Verstärkerstapel 830, 840, 850 und den Prozessor 860. Die Verstärkerschaltung kann alternativ mit einem Prozessor einer Funkkommunikationsschaltung gekoppelt sein. Wenn die Verstärkerschaltung mit dem Prozessor der Funkkommunikationsschaltung gekoppelt ist, kann der Prozessor der Funkkommunikationsschaltung ähnliche Aspekte mit dem Prozessor 860 durchführen. Mit anderen Worten kann der Prozessor der Funkkommunikationsschaltung den Prozessor 860 beinhalten.
  • Der Verstärker 800 kann einen Transkonduktanzverstärker in einer differenziellen Konfiguration beinhalten. Der Verstärker 800 kann zwei Eingangsanschlüsse, einen ersten Eingangsanschluss 801 und einen zweiten Eingangsanschluss 802, beinhalten, die dazu ausgelegt sind, ein Hochfrequenz(HF)-Eingangssignal in differenziellen Paaren zu empfangen. Der erste Eingangsanschluss 802 kann mit einem Gate-Anschluss eines ersten Transistors 803 gekoppelt sein. Der zweite Eingangsanschluss kann mit einem Gate-Anschluss eines zweiten Transistors 804 gekoppelt sein. Sowohl der erste Transistor 803 als auch der zweite Transistor 804 können einen N-Typ-Metall-Oxid-Halbleiter (NMOS) beinhalten.
  • Der erste Verstärkerstapel 830 kann einen ersten Transistor 831 und einen zweiten Transistor 832 beinhalten, die in einer differenziellen Konfiguration angeordnet sind. Der erste Transistor 831 des ersten Verstärkerstapels 830 und der zweite Transistor 832 des ersten Verstärkerstapels 830 können mit dem Verstärker 800 gekoppelt sein, um ein Ausgangssignal des Verstärkers 800 zu empfangen. Der erste Transistor 831 des ersten Verstärkerstapels 830 kann mit dem ersten Transistor 803 des Verstärkers 800 gekoppelt sein. Der Source-Anschluss des ersten Transistors 831 des ersten Verstärkerstapels 830 kann mit dem Drain-Anschluss des ersten Transistors 803 des Verstärkers 800 gekoppelt sein. Der zweite Transistor 832 des ersten Verstärkerstapels 830 kann mit dem zweiten Transistor 804 des Verstärkers 800 gekoppelt sein. Der Source-Anschluss des zweiten Transistors 832 des ersten Verstärkerstapels 830 kann mit dem Drain-Anschluss des zweiten Transistors 804 des Verstärkers 800 gekoppelt sein. Sowohl der erste Transistor 831 des ersten Verstärkerstapels 830 als auch der zweite Transistor 832 des ersten Verstärkerstapels 830 können N-Typ-Metall-Oxid-Halbleiter (NMOS) beinhalten.
  • Der erste Verstärkerstapel 830 kann eine Stromquelle zum Bereitstellen eines Eingangsstroms von einer elektrischen Versorgung 833 beinhalten. Die Stromquelle kann mit der elektrischen Versorgung 833 gekoppelt sein, um die elektrische Versorgung zu empfangen, die als eine Versorgungsspannung bereitgestellt werden kann. Die Stromquelle kann einen ersten Stromquellentransistor 834 und einen zweiten Stromquellentransistor 835 beinhalten. Ein Drain-Anschluss des ersten Stromquellentransistors 834 kann mit dem Source-Anschluss des ersten Transistors 831 des ersten Verstärkerstapels 830 gekoppelt sein und ein Drain-Anschluss des zweiten Stromquellentransistors 835 kann mit dem Source-Anschluss des zweiten Transistors 832 des ersten Verstärkerstapels 830 gekoppelt sein. Sowohl der erste Stromquellentransistor 834 als auch der zweite Stromquellentransistor 835 können P-Typ-Metall-Oxid-Halbleiter (PMOS) beinhalten.
  • Der erste Verstärkerstapel 830 kann eine Bias-Schaltung beinhalten, die mit der Stromquelle gekoppelt ist. Die Bias-Schaltung kann einen ersten Widerstand 836 und einen zweiten Widerstand 837 beinhalten. Der erste Widerstand 836 und der zweite Widerstand 837 können dazu ausgelegt sein, das Hochfrequenz(HF)-Eingangssignal zu empfangen. Der erste Eingangsanschluss 801 kann mit dem ersten Widerstand 836 gekoppelt sein, um dem ersten Widerstand 836 das erste differenzielle Paar des Hochfrequenz(HF)-Eingangssignals bereitzustellen. Der zweite Eingangsanschluss 802 kann mit dem zweiten Widerstand 837 gekoppelt sein, um dem zweiten Widerstand 837 das zweite differenzielle Paar des Hochfrequenz(HF)-Eingangssignals bereitzustellen.
  • Die Bias-Schaltung kann ferner einen ersten Bias-Transistor 838 beinhalten, der von einem Gate-Anschluss mit einem Kopplungsknoten 836a gekoppelt ist, und der erste Widerstand 836 und der zweite Widerstand 837 können an dem Kopplungsknoten 836a miteinander gekoppelt sein. Ein Kondensator 837a, der mit Masse gekoppelt sein kann, kann mit dem Kopplungsknoten 836a gekoppelt sein. Der erste Bias-Transistor 838 kann verwendet werden, um die Versorgungsspannung einer Stromquelle des ersten Verstärkerstapels 830 in Kombination mit dem ersten und zweiten Widerstand 836, 837, dem Kondensator und einem zweiten Bias-Transistor 839 anzuordnen. Der erste Bias-Transistor 838 kann einen N-Typ-Metall-Oxid-Halbleiter (NMOS) beinhalten.
  • Der zweite Bias-Transistor 839 kann mit der elektrischen Versorgung 833 von seinem Source-Anschluss gekoppelt sein und der Drain-Anschluss des zweiten Bias-Transistors 839 kann mit dem ersten Bias-Transistor 838 gekoppelt sein, der dazu ausgelegt ist, die Differenzspannung zwischen dem ersten Eingangsanschluss 801 und dem zweiten Eingangsanschluss 802 zu empfangen. Die Differenzspannung kann verwendet werden, um die Versorgungsspannung der Stromquelle des ersten Verstärkerstapels 830 über die Bias-Schaltung anzuordnen. Der zweite Bias-Transistor 839 kann einen P-Typ-Metall-Oxid-Halbleiter (PMOS) beinhalten. Der Drain-Anschluss des zweiten Bias-Transistors 839 kann mit einem Gate-Anschluss des ersten Bias-Transistors 838 gekoppelt sein, wobei der Gate-Anschluss des zweiten Bias-Transistors 839 mit einem Gate-Anschluss des ersten Transistors 831 des ersten Verstärkerstapels 830 und einem Gate-Anschluss des zweiten Transistors 832 des Verstärkerstapels 830 gekoppelt sein kann.
  • Entsprechend kann die Bias-Schaltung dazu ausgelegt sein, einen Gleichstrom (DC), der von dem Verstärker 800 zu dem ersten Verstärkerstapel 830 fließt, durch Teilen der Gleichstrom(DC)-Spannung, die an den ersten Transistor 831 bzw. den zweiten Transistor 832 des Verstärkerstapels 830 durch die elektrische Versorgung 833 geliefert wird, zu begrenzen.
  • Der zweite Verstärkerstapel 840 und der dritte Verstärkerstapel 850 können auf eine ähnliche Weise wie der erste Verstärkerstapel 830 ausgebildet sein. Der zweite Verstärkerstapel 840 kann einen ersten Transistor 841 und einen zweiten Transistor 842 beinhalten, die in einer differenziellen Konfiguration angeordnet sind, um ein Ausgangssignal des ersten Verstärkerstapels 830 zu empfangen. Der Source-Anschluss des ersten Transistors 841 des zweiten Verstärkerstapels 840 kann mit dem Drain-Anschluss des ersten Transistors 831 des ersten Verstärkerstapels 830 gekoppelt sein. Der Source-Anschluss des zweiten Transistors 842 des zweiten Verstärkerstapels 840 kann mit dem Drain-Anschluss des zweiten Transistors 832 des ersten Verstärkerstapels 830 gekoppelt sein.
  • Der zweite Verstärkerstapel 840 kann eine Stromquelle zum Bereitstellen eines Eingangsstroms von einer elektrischen Versorgung 843 beinhalten. Die Stromquelle kann einen ersten Stromquellentransistor 844 und einen zweiten Stromquellentransistor 845 beinhalten. Ein Drain-Anschluss des ersten Stromquellentransistors 844 kann mit dem Source-Anschluss des ersten Transistors 841 gekoppelt sein und ein Drain-Anschluss des zweiten Stromquellentransistors 845 kann mit dem Source-Anschluss des zweiten Transistors 842 gekoppelt sein. Sowohl der erste Stromquellentransistor 844 als auch der zweite Stromquellentransistor 845 können P-Typ-Metall-Oxid-Halbleiter (PMOS) beinhalten. Ferner kann der zweite Verstärkerstapel 840 eine Bias-Schaltung beinhalten, die mit der Stromquelle gekoppelt ist, um einen Gleichstrom (DC) zu begrenzen, der von dem ersten Verstärkerstapel 830 zu dem zweiten Verstärkerstapel 840 fließt. Die Bias-Schaltung kann einen ersten Bias-Transistor 846 beinhalten, der dazu ausgelegt ist, ein Eingangssignal basierend auf dem Eingangssignal der Verstärkerschaltung von einem Gate-Anschluss zu empfangen. Beispielhaft kann der Gate-Anschluss mit dem Kopplungsknoten 836a gekoppelt sein. Die Bias-Schaltung kann einen zweiten Bias-Transistor 847 beinhalten. Der erste Bias-Transistor 846 kann einen N-Typ-Metall-Oxid-Halbleiter (NMOS) beinhalten und der zweite Bias-Transistor 847 kann einen P-Typ-Metall-Oxid-Halbleiter (PMOS) beinhalten.
  • Der dritte Verstärkerstapel 850 kann einen ersten Transistor 851 und einen zweiten Transistor 852 beinhalten, die in einer differenziellen Konfiguration angeordnet sind, um ein Ausgangssignal des zweiten Verstärkerstapels 840 zu empfangen. Der Source-Anschluss des ersten Transistors 851 des dritten Verstärkerstapels 850 kann mit dem Drain-Anschluss des ersten Transistors 841 des zweiten Verstärkerstapels 840 gekoppelt sein. Der Source-Anschluss des zweiten Transistors 852 des dritten Verstärkerstapels 850 kann mit dem Drain-Anschluss des zweiten Transistors 842 des ersten Verstärkerstapels 840 gekoppelt sein.
  • Der dritte Verstärkerstapel 850 kann eine Stromquelle zum Bereitstellen eines Eingangsstroms von einer elektrischen Versorgung 853 beinhalten. Die Stromquelle kann einen ersten Stromquellentransistor 854 und einen zweiten Stromquellentransistor 855 beinhalten. Ein Drain-Anschluss des ersten Stromquellentransistors 854 kann mit dem Source-Anschluss des ersten Transistors 851 gekoppelt sein und ein Drain-Anschluss des zweiten Stromquellentransistors 855 kann mit dem Source-Anschluss des zweiten Transistors 852 gekoppelt sein. Sowohl der erste Stromquellentransistor 854 als auch der zweite Stromquellentransistor 855 können P-Typ-Metall-Oxid-Halbleiter (PMOS) sein. Ferner kann der dritte Verstärkerstapel 850 eine Bias-Schaltung beinhalten, die mit der Stromquelle gekoppelt ist, um einen Gleichstrom (DC) zu begrenzen, der von dem zweiten Verstärkerstapel 840 zu dem dritten Verstärkerstapel 850 fließt. Die Bias-Schaltung kann einen ersten Bias-Transistor 856 beinhalten, der dazu ausgelegt ist, ein Eingangssignal basierend auf dem Eingangssignal der Verstärkerschaltung von einem Gate-Anschluss zu empfangen. Beispielhaft kann der Gate-Anschluss mit dem Kopplungsknoten 836a gekoppelt sein. Die Bias-Schaltung kann einen zweiten Bias-Transistor 857 beinhalten. Der erste Bias-Transistor 856 kann einen N-Typ-Metall-Oxid-Halbleiter (NMOS) beinhalten und der zweite Bias-Transistor 857 kann einen P-Typ-Metall-Oxid-Halbleiter (PMOS) beinhalten.
  • Verschiedene Aspekte, die gemäß 5, 6 und 7 in dieser Offenbarung bereitgestellt sind, können auch für 8 gelten, insbesondere für den Prozessor 860 bezüglich Prozessoren, die gemäß 5, 6 und 7 bereitgestellt sind. Der Prozessor 860 kann dazu ausgelegt sein, ein Hüllkurvensignal eines empfangenen Signals zu detektieren. Der Prozessor 860 kann einen Hüllkurvendetektor 861 beinhalten, der dazu ausgelegt ist, ein Hüllkurvensignal eines empfangenen Signals zu detektieren.
  • Der Prozessor 860 kann ferner die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals anpassen. Der Prozessor 860 kann die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals anpassen, um das Hüllkurvensignal mit einer Hüllkurve des Signals auszurichten, das durch den Source- und Drain-Anschluss der jeweiligen Transistoren 831, 832, 841, 842, 851, 852 jedes der Verstärkerstapel 830, 840, 850 fließt. Der Prozessor 860 kann die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals anpassen, sodass die Gate-Source- und Gate-Drain-Kreuzspannungen der jeweiligen Transistoren 831, 832, 841, 842, 851, 852 jedes der Verstärkerstapel 830, 840, 850 hinsichtlich Hüllkurven dieser Signale flacher werden. Der Prozessor 860 kann die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals anpassen, um die Korrelation zwischen der Hüllkurve des Signals zwischen den Gate-Source-Anschlüssen und den Gate-Drain-Anschlüssen der jeweiligen Transistoren 831, 832, 841, 842, 851, 852 jedes der Verstärkerstapel 830, 840, 850 zu erhöhen.
  • Gemäß verschiedenen hierin offenbarten Aspekten kann der Prozessor 860 die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals anpassen, um dem ersten Verstärkerstapel 830 ein erstes Eingangssteuersignal, dem zweiten Verstärkerstapel 840 ein zweites Eingangssteuersignal bereitzustellen, und dem dritten Verstärkerstapel 850 ein drittes Eingangssteuersignal (und weitere Eingangssteuersignale für andere Verstärkerstapel) der jeweiligen Transistoren 831, 832, 841, 842, 851, 852 jedes der Verstärkerstapel 830, 840, 850 bereitzustellen, um die Korrelation zwischen der Hüllkurve des Signals zwischen den Gate-Source-Anschlüssen und den Gate-Drain-Anschlüssen der jeweiligen Transistoren zu erhöhen und/oder um den Verstärkungsfaktor des jeweiligen Stapelverstärkers linear oder konstant zu halten, und/oder um das Verhältnis der Kapazität der Gate-Source-Anschlüsse und der Kapazität der Drain-Source-Anschlüsse des jeweiligen Transistors linear oder konstant zu halten, und/oder um die Memory-Effekte für den jeweiligen Verstärkerstapel zu reduzieren.
  • Der Prozessor 860 kann die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals anpassen, um die Kreuzspannung zwischen dem Gate-Anschluss und dem Source-Anschluss mindestens eines der Transistoren der mehreren Verstärkerstapel im Wesentlichen konstant zu halten. Der Prozessor 860 kann die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals anpassen, um die Kreuzspannung zwischen dem Gate-Anschluss und dem Drain-Anschluss mindestens eines der Transistoren der mehreren Verstärkerstapel im Wesentlichen konstant zu reduzieren.
  • Der Prozessor 860 kann die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals durch Anpassen der Amplitude und/oder Phase des empfangenen Signals (z. B. des Hochfrequenz(HF)-Eingangssignals, des Ausgangssignals eines Verstärkerstapels 830, 840, 850, des Ausgangssignals der Verstärkerschaltung) anpassen. Der Prozessor 860 kann die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals durch Anpassen der Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals, das durch den Prozessor 860 detektiert wird, anpassen. Der Prozessor 860 kann eine beliebige Art von Amplituden- und/oder Phasenanpassungsverfahren, -funktionen oder -schaltungen beinhalten. Der Prozessor 860 kann einen Verstärkerblock 862 zum Anpassen der Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals beinhalten.
  • Der Prozessor 860 kann eine Steuerung 863 und einen Speicher 864 beinhalten. Die Steuerung 863 kann dazu ausgelegt sein, den Verstärkerblock 862 des Prozessors 860 zu steuern, um die Amplitude und/oder Phase des empfangenen Signals anzupassen. Die Steuerung 863 kann bestimmen, die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals gemäß einem oder mehreren vorbestimmten Parametern anzupassen. Die vorbestimmten Parameter können in dem Speicher 864 gespeichert werden. Dementsprechend kann die Steuerung 863 eine Anpassung, die in der Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals bereitzustellen ist, basierend auf den vorbestimmten Parametern, die in dem Speicher 864 gespeichert sind, bestimmen.
  • Das erste Eingangssteuersignal, das an einen ersten Transistor eines Verstärkerstapels geliefert werden soll, und das zweite Steuersignal, das an einen zweiten Transistor eines Verstärkerstapels geliefert werden soll, können eine Phasendifferenz von 180 Grad aufweisen. Mit anderen Worten können das erste Eingangssteuersignal und das zweite Eingangssteuersignal um 180 Grad phasenverschobene Signale sein. Eine solche phasenverschobene Differenz, die an Gate-Anschlüssen der jeweiligen Transistoren vorhanden ist, kann die dynamische Spannungsbelastung senken, um die Zuverlässigkeit zu verbessern.
  • Die Steuerung 863 kann ein Rückkopplungssignal von dem Verstärker 800 und/oder von einem der Verstärkerstapel 830, 840, 850 empfangen und die Steuerung 863 kann eine Anpassung, die in der Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals bereitzustellen ist, basierend auf dem Rückkopplungssignal bestimmen.
  • Die Steuerung 863 kann mindestens eines von Folgendem empfangen: ein Verstärkerrückkopplungssignal, das eine erste Bias-Spannung des ersten Transistors 803 und/oder des zweiten Transistors 804 des Verstärkers 800 angibt, und ein erstes Rückkopplungssignal, das eine zweite Bias-Spannung des ersten Transistors 831 und/oder des zweiten Transistors 832 des ersten Verstärkerstapels 830 angibt, und ein zweites Rückkopplungssignal, das eine dritte Bias-Spannung des ersten Transistors 841 und/oder des zweiten Transistors 842 des zweiten Verstärkerstapels 840 angibt, und ein drittes Rückkopplungssignal, das eine vierte Bias-Spannung des ersten Transistors 851 und/oder des zweiten Transistors 852 des dritten Verstärkerstapels 850 angibt.
  • Beispielhaft kann das Rückkopplungssignal eine Angabe der Kreuzspannung zwischen dem Gate-Anschluss und dem Source-Anschluss des ersten Transistors 831 und/oder des zweiten Transistors 832 beinhalten. Das Rückkopplungssignal kann eine Angabe des Verstärkungsfaktors des Verstärkerstapels und/oder eine Angabe des Verhältnisses der Kapazität der Gate-Source-Anschlüsse und/oder der Kapazität der Drain-Source-Anschlüsse des ersten Transistors 831 und/oder des zweiten Transistors 832 beinhalten.
  • Die Steuerung 863 kann die Anpassung, die in der Amplitude und/oder Phase des empfangenen Signals bereitzustellen ist, um ein Eingangssteuersignal bereitzustellen, das einem Verstärkerstapel bereitzustellen ist, basierend auf dem empfangenen Rückkopplungssignal von dem jeweiligen Verstärkerstapel bestimmen. Beispielhaft kann die Steuerung 863 die Anpassung, die in der Amplitude und/oder Phase des empfangenen Signals bereitzustellen ist, um dem ersten Verstärkerstapel 830 ein erstes Eingangssteuersignal bereitzustellen, basierend auf dem ersten Rückkopplungssignal bestimmen. Die Steuerung 863 kann die Anpassung, die in der Amplitude und/oder Phase des empfangenen Signals bereitzustellen ist, um ein Eingangssteuersignal bereitzustellen, das einem Verstärkerstapel bereitzustellen ist, basierend auf der Kombination von mindestens zwei empfangenen Rückkopplungssignalen bestimmen. Beispielhaft kann die Steuerung 863 die Anpassung, die in der Amplitude und/oder Phase des empfangenen Signals bereitzustellen ist, um dem ersten Verstärkerstapel 830 ein erstes Eingangssteuersignal bereitzustellen, basierend auf dem ersten Rückkopplungssignal und dem Verstärkerrückkopplungssignal bestimmen. Die Steuerung 863 kann eine Schwelle für das Eingangssteuersignal basierend auf dem Hüllkurvensignal bereitstellen.
  • Die Steuerung 863 kann dazu ausgelegt sein, unterschiedliche Anpassungen in Amplitude und/oder Phase durchzuführen. Die Steuerung 863 kann eine erste Anpassung der Amplitude und/oder Phase an dem empfangenen Signal bereitstellen und der Prozessor 860 kann ein erstes Eingangssteuersignal an den ersten Verstärkerstapel 830 bereitstellen; und die Steuerung 863 kann eine zweite Anpassung der Amplitude und/oder Phase an dem empfangenen Signal bereitstellen und der Prozessor 860 kann ein zweites Eingangssteuersignal an den zweiten Verstärkerstapel 840 bereitstellen.
  • Die bereitgestellte erste Anpassung der Amplitude und/oder Phase kann das Ändern der Amplitude und/oder Phase des empfangenen Signals mit einem ersten Parameter beinhalten, und die bereitgestellte zweite Anpassung der Amplitude und/oder Phase kann das Ändern der Amplitude und/oder der Phase des empfangenen Signals mit einem zweiten Parameter beinhalten. Das erste Eingangssteuersignal und das zweite Steuersignal können gemäß mindestens einer ihrer Amplitude oder Phasen unterschiedlich sein.
  • Der Prozessor 860 kann ein erstes empfangenes Signal basierend auf einem ersten differenziellen Teil des Hochfrequenz(HF)-Eingangssignals, das an den ersten Transistor 803 des Verstärkers 800 geliefert wird, und ein zweites empfangenes Signal basierend auf einem zweiten differenziellen Teil des Hochfrequenz(HF)-Eingangssignals, das an den zweiten Transistor 804 des Verstärkers 800 geliefert wird, empfangen. Der Prozessor 860 kann ein erstes empfangenes Signal und ein zweites empfangenes Signal basierend auf differenziellen Teilen des Ausgangssignals eines beliebigen des Verstärkers 800 oder der Verstärkerstapel 830, 840, 850 empfangen.
  • Dementsprechend kann die Steuerung 863 eine erste Anpassung der Amplitude und/oder Phase des ersten empfangenen Signals bestimmen, um das erste Eingangssteuersignal zu erhalten, und eine zweite Anpassung der Amplitude und/oder Phase des zweiten empfangenen Signals bestimmen, um das zweite Eingangssteuersignal zu erhalten, gemäß verschiedenen Aspekten dieser Offenbarung. Der Verstärkerblock 862 kann die erste Anpassung der Amplitude und/oder Phase an dem ersten empfangenen Signal bereitstellen, um das erste Eingangssteuersignal zu erhalten, und der Verstärkerblock 862 kann die zweite Anpassung der Amplitude und/oder Phase an dem zweiten empfangenen Signal bereitstellen, um das zweite Steuersignal zu erhalten.
  • Der Prozessor 860 kann ein Tiefpassfilter 865 beinhalten und der Verstärkerblock 862 liefert ein ungefiltertes Eingangssteuersignal an das Tiefpassfilter. Entsprechend kann das Tiefpassfilter 865 das Rauschen und die Störungen herausfiltern, die auf den gefilterten Teil des Frequenzbandes fallen würden, und kann das Eingangssteuersignal an den jeweiligen Verstärkerstapel 830, 840, 850 liefern.
  • Dementsprechend kann der Prozessor 860 ein Eingangssteuersignal nach dem Anpassen der Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals basierend auf einem empfangenen Signal bereitstellen. Das Eingangssteuersignal kann die Hüllkurve des Eingangssignals mit einer angepassten Amplitude und/oder Phase beinhalten. Alternativ dazu kann der Prozessor 860 das Ausgangssignal des Verstärkers 800 empfangen und kann die Amplitude und/oder Phase des Ausgangssignals des Verstärkers 800 anpassen und kann das Eingangssteuersignal einschließlich der Hüllkurve des Ausgangssignals des Verstärkers 800 mit einer angepassten Amplitude und/oder Phase bereitstellen. In einem anderen Beispiel kann der Prozessor 860 ein Ausgangssignal eines beliebigen der Verstärkerstapel 830, 840, 850 und/oder das Ausgangssignal der Verstärkerschaltung empfangen und kann die Amplitude und/oder Phase des empfangenen Signals anpassen, und stellt das Eingangssteuersignal einschließlich der Hüllkurve des empfangenen Signals mit einer angepassten Amplitude und/oder Phase bereit.
  • Der Abgleichblock 870 kann mit dem Ausgang des dritten Verstärkerstapels 850 gekoppelt sein, um die Impedanz abzugleichen. Der Abgleichblock 870 kann einen Kondensator beinhalten, der mit dem dritten Verstärkerstapel 850 und einem Transformator 872 gekoppelt ist. Der Abgleichblock 870 kann ferner einen Ausgang zum Bereitstellen 873 des Ausgangssignals der Verstärkerschaltung beinhalten. Die Verstärkerschaltung kann den Abgleichblock 870 beinhalten.
  • 9 zeigt schematisch ein beispielhaftes Diagramm von Spannungen im Laufe der Zeit basierend auf einem Eingangssignal. Unter Bezugnahme auf die Verstärkerschaltung in 8 gibt das beispielhafte Diagramm Messungen an, die im Laufe der Zeit hinsichtlich einer Spannung vorgenommen wurden, einschließlich einer Spannung 901, die das Hüllkurvensignal an dem Gate-Anschluss des ersten Transistors 831 des ersten Verstärkerstapels 830 repräsentiert, einer Spannung 902, die das Hüllkurvensignal an dem Source-Anschluss des ersten Transistors 831 des ersten Verstärkerstapels 830 repräsentiert, des Hochfrequenz(HF)-Eingangssignals 903, der Gate-Source-Spannung 904 des ersten Transistors 831 des ersten Verstärkerstapels 830 ohne in dieser Offenbarung bereitgestellte Aspekte (z. B. Hüllkurvendifferenzen, ohne dass das Hüllkurvensignal an den Gate-Anschluss angelegt wird), und der Gate-Source-Spannung 905 des ersten Transistors 831 des ersten Verstärkerstapels 830 gemäß Aspekten, die in dieser Offenbarung bereitgestellt sind (z. B. Hüllkurvendifferenzen, wobei das Hüllkurvensignal an den Gate-Anschluss angelegt wird, gemäß verschiedenen Aspekten dieser Offenbarung).
  • 10 zeigt schematisch ein beispielhaftes Diagramm eines Ausgangsspektrums. Unter Bezugnahme auf die Verstärkerschaltung in 8 repräsentiert das beispielhafte Diagramm das Ausgangsleistungsspektrum der Verstärkerschaltung gegenüber Frequenz. Die entsprechenden Nachbarkanal-Leckverhältnisse werden bei 36,3 dBc und 36,5 dBc berechnet. Die modulierte Ausgangsleistung wird als 15,88 dbM bei 38,7 mW berechnet. Die Drain-Effizienz, die mit der Endstufe bereitgestellt wird, wird als 20,11 % berechnet.
  • 11 zeigt schematisch ein beispielhaftes Diagramm einer grafischen AM-AM- und AM-PM-Verzerrung-Darstellung basierend auf verschiedenen Änderungen in Amplituden eines Hüllkurvensignals. Das beispielhafte Diagramm repräsentiert die AM-AM- und AM-PM-Verzerrung der Verstärkerschaltung gemäß der Eingangsleistung in dBV. Die Verzerrungen werden für verschiedene Amplitudenänderungen des Hüllkurvensignals mit verschiedenen Amplitudenverstärkungsfaktoren (0 bis 1,6, 0,2 pro Schritt) in der Richtung der Pfeile bereitgestellt.
  • 12 zeigt schematisch ein beispielhaftes Diagramm in Bezug auf die Eingangsleistung und die Ausgangsleistung einer Verstärkerschaltung. Das beispielhafte Diagramm repräsentiert die Ausgangsleistung gemäß einer Eingangsleistung, die für eine beispielhafte Verstärkerschaltung bereitgestellt wird, wie in 8 gezeigt. Die Leistungsbeziehungen werden für verschiedene Amplitudenänderungen des Hüllkurvensignals mit verschiedenen Amplitudenverstärkungsfaktoren (0 bis 1,6, 0,2 pro Schritt) in der Richtung des Pfeils bereitgestellt.
  • 13 zeigt schematisch ein Beispiel für eine Verstärkerschaltung. Die Verstärkerschaltung kann einen Verstärker 1300, einen Verstärkerstapel 1330, einen Abgleichblock 1350 und einen Prozessor 1360 beinhalten. Aspekte, die in dieser Offenbarung bereitgestellt sind, insbesondere die Aspekte gemäß 5, 6, 7 und 8, können auch für 13 gelten, insbesondere in Bezug auf den Verstärker 1300, den Verstärkerstapel 1330 und den Prozessor 1360. Die Verstärkerschaltung kann alternativ mit einem Prozessor einer Funkkommunikationsschaltung gekoppelt sein. Wenn die Verstärkerschaltung mit dem Prozessor der Funkkommunikationsschaltung gekoppelt ist, kann der Prozessor der Funkkommunikationsschaltung ähnliche Aspekte mit dem Prozessor 1360 durchführen. Mit anderen Worten kann der Prozessor der Funkkommunikationsschaltung den Prozessor 1360 beinhalten.
  • Der Verstärker 1300 kann einen Transkonduktanzverstärker in einer differenziellen Konfiguration beinhalten. Der Verstärker 1300 kann zwei Eingangsanschlüsse, einen ersten Eingangsanschluss 1301 und einen zweiten Eingangsanschluss 1302, beinhalten, die dazu ausgelegt sind, ein Hochfrequenz(HF)-Eingangssignal in differenziellen Paaren zu empfangen. Der erste Eingangsanschluss kann mit einem Gate-Anschluss eines ersten Transistors 1303 gekoppelt sein. Der zweite Eingangsanschluss kann mit einem Gate-Anschluss eines zweiten Transistors 1304 gekoppelt sein. Sowohl der erste Transistor 1304 als auch der zweite Transistor 1305 können einen N-Typ-Metall-Oxid-Halbleiter (NMOS) beinhalten.
  • Der Verstärkerstapel 1330 kann einen ersten Transistor 1331 und einen zweiten Transistor 1332 beinhalten, die in einer differenziellen Konfiguration angeordnet sind. Der erste Transistor 1331 des Verstärkerstapels 1330 und der zweite Transistor 1332 des Verstärkerstapels 1330 sind mit dem Verstärker 1300 gekoppelt, um ein Ausgangssignal des Verstärkers 1300 zu empfangen. Der Source-Anschluss des ersten Transistors 1331 des Verstärkerstapels 1330 kann mit dem Drain-Anschluss des ersten Transistors 1303 des Verstärkers 1300 gekoppelt sein. Der Source-Anschluss des zweiten Transistors 1332 des Verstärkerstapels 1330 kann mit dem Drain-Anschluss des zweiten Transistors 1304 des Verstärkers 1300 gekoppelt sein. Der erste Transistor 1331 und der zweite Transistor 1332 des Verstärkerstapels 1330 beinhalten einen N-Typ-Metall-Oxid-Halbleiter (NMOS).
  • Der Verstärkerstapel 1330 kann eine Stromquelle zum Bereitstellen eines Eingangsstroms von einer elektrischen Versorgung 1333 beinhalten. Die Stromquelle kann mit der elektrischen Versorgung 1333 gekoppelt sein, um die elektrische Versorgung zu empfangen, die als eine Versorgungsspannung bereitgestellt werden kann. Die Stromquelle kann einen ersten Stromquellentransistor 1334 und einen zweiten Stromquellentransistor 1335 beinhalten. Ein Drain-Anschluss des ersten Stromquellentransistors 1334 kann mit dem Source-Anschluss des ersten Transistors 1331 des Verstärkerstapels 1330 gekoppelt sein und ein Drain-Anschluss des zweiten Stromquellentransistors 1335 kann mit dem Source-Anschluss des zweiten Transistors 1332 des Verstärkerstapels 1330 gekoppelt sein. Der erste Stromquellentransistor 1334 und der zweite Stromquellentransistor 1335 beinhalten P-Typ-Metall-Oxid-Halbleiter (PMOS).
  • Die Verstärkerschaltung kann eine Bias-Schaltung 1310 beinhalten, der mit der Stromquelle des Verstärkerstapels 1330 gekoppelt ist. Die Bias-Schaltung kann einen ersten Bias-Transistor 1311 und einen zweiten Bias-Transistor 1313 beinhalten. Der erste Bias-Transistor kann mit einem Kopplungsknoten 1313 von einem Gate-Anschluss gekoppelt sein, um ein Signal basierend auf dem Eingangssignal zu empfangen. In diesem Beispiel können ein erster Widerstand 1314 und ein zweiter Widerstand 1315 an dem Kopplungsknoten 1313 miteinander gekoppelt sein. Der erste Widerstand 1314 und der zweite Widerstand 1315 sind dazu ausgelegt, das Hochfrequenz(HF)-Eingangssignal von dem ersten Eingangsanschluss 1301 bzw. dem zweiten Eingangsanschluss zu empfangen. Ein Kondensator 1316, der mit Masse gekoppelt sein kann, kann mit dem Kopplungsknoten gekoppelt sein.
  • Der zweite Bias-Transistor 1313 kann mit der elektrischen Versorgung 1333 von seinem Source-Anschluss gekoppelt sein und der Drain-Anschluss des zweiten Bias-Transistors 1313 kann mit dem ersten Bias-Transistor 1311 gekoppelt sein, der dazu ausgelegt ist, die Differenzspannung zwischen dem ersten Eingangsanschluss 1301 und dem zweiten Eingangsanschluss 1313 durch seinen Gate-Anschluss zu empfangen. Die Differenzspannung kann verwendet werden, um die Versorgungsspannung der Stromquelle des Verstärkerstapels 1330 über die Bias-Schaltung 1300 anzuordnen. Der erste Bias-Transistor 1311 kann einen N-Typ-Metall-Oxid-Halbleiter (NMOS) beinhalten und der zweite Bias-Transistor 1313 kann einen P-Typ-Metall-Oxid-Halbleiter (PMOS) beinhalten. Der Gate-Anschluss und der Drain-Anschluss des zweiten Bias-Transistors 1313 sind mit dem Gate-Anschluss des ersten Stromquellentransistors 1334 und dem Gate-Anschluss des zweiten Stromquellentransistors gekoppelt.
  • Entsprechend kann die Bias-Schaltung 1300 dazu ausgelegt sein, einen Gleichstrom (DC), der von dem Verstärker 1300 zu dem Verstärkerstapel 1330 fließt, durch Teilen der Gleichstrom(DC)-Spannung, die an den ersten Transistor 1331 bzw. den zweiten Transistor 1332 des Verstärkerstapels 1330 durch die elektrische Versorgung 1333 geliefert wird, zu begrenzen.
  • Die Verstärkerschaltung kann einen Verstärkerstapel, den Verstärkerstapel 1330, beinhalten. Der Ausgang des Verstärkerstapels 1330 kann mit dem Abgleichblock 1350 gekoppelt sein, um die Impedanz abzugleichen. Der Drain-Anschluss des ersten Transistors 1331 des Verstärkerstapels 1330 und der Drain-Anschluss des zweiten Transistors 1332 des Verstärkerstapels 1330 sind mit einem Entkopplungskondensator 1351 und einem Transformator 1352 gekoppelt. Entsprechend kann die Verstärkerschaltung ein Verstärkerschaltungsausgangssignal von einem Verstärkerschaltungsausgang 1353 bereitstellen.
  • Der Verstärkerstapel 1330 kann einen ersten Entkopplungskondensator 1337 und einen zweiten Entkopplungskondensator 1338 beinhalten. Der erste Entkopplungskondensator 1337 kann mit einem Eingang gekoppelt sein, um ein erstes Eingangssteuersignal zum Steuern des ersten Transistors 1331 zu empfangen, und der zweite Entkopplungskondensator 1338 kann mit einem anderen Eingang gekoppelt sein, um ein zweites Eingangssteuersignal zum Steuern des zweiten Transistors 1332 zu empfangen. Alternativ dazu kann die Funkkommunikationsschaltung die Entkopplungskondensatoren, die äquivalent zu dem ersten Entkopplungskondensator 1337 und dem zweiten Entkopplungskondensator 1338 sein können, bereitstellen, um die Gleichstrom(DC)-Komponente des ersten und zweiten Eingangssteuersignals herauszufiltern.
  • Der Prozessor 1360 kann das Eingangssignal empfangen, das das Hochfrequenz(HF)-Eingangssignal beinhalten kann, und der Prozessor 1360 kann das erste Eingangssteuersignal und das zweite Eingangssteuersignal, die auf der Hüllkurve des Eingangssignals basieren, an den Verstärker 1300 liefern. In einem anderen Beispiel kann der Prozessor 1360 ein Eingangssignal empfangen, das das Verstärkerschaltungsausgangssignal (das auch das Ausgangssignal des Verstärkerstapels 1330 sein kann) beinhalten kann, das von dem Verstärkerschaltungsausgang 1353 empfangen wird, und der Prozessor 1360 kann das erste Eingangssteuersignal und das zweite Eingangssteuersignal, die auf der Hüllkurve des Verstärkerschaltungsausgangssignals basieren, dem Verstärkerstapel 1330 bereitstellen, wobei das Verstärkerschaltungsausgangssignal eine verstärkte Version des Hochfrequenz(HF)-Eingangssignals beinhalten kann. Der Prozessor 1360 kann mindestens zwei des Hochfrequenz(HF)-Eingangssignals und/oder des Ausgangssignals des Verstärkerstapels 1330 und/oder des Verstärkerschaltungsausgangssignals empfangen, um das erste Eingangssteuersignal und das zweite Eingangssteuersignal bereitzustellen. Der Prozessor 1360 kann einen Hüllkurvendetektor 1361 beinhalten, der dazu ausgelegt ist, ein Hüllkurvensignal eines empfangenen Signals zu detektieren.
  • Der Prozessor 1360 kann ferner die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals anpassen. Der Prozessor 1360 kann die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals anpassen, um das Hüllkurvensignal mit einer Hüllkurve des Signals auszurichten, das durch den Source- und Drain-Anschluss des ersten Transistors 1331 und/oder des zweiten Transistors 1332 des Verstärkerstapels 1330 fließt. Der Prozessor 1360 kann die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals anpassen, sodass die Gate-Source- und Gate-Drain-Kreuzspannungen des ersten Transistors 1331 und/oder des zweiten Transistors 1332 des Verstärkerstapels 1330 hinsichtlich Hüllkurven dieser Signale flacher werden. Der Prozessor 1360 kann die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals anpassen, um die Korrelation zwischen der Hüllkurve des Signals zwischen den Gate-Source-Anschlüssen und den Gate-Drain-Anschlüssen des ersten Transistors 1331 und/oder des zweiten Transistors 1332 des Verstärkerstapels 1330 zu erhöhen.
  • Gemäß verschiedenen hierin offenbarten Aspekten kann der Prozessor 1360 die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals anpassen, um das erste Eingangssteuersignal und das zweite Eingangssteuersignal (und weitere Eingangssteuersignale für andere Verstärkerstapel) für die Transistoren jedes Stapels der mehreren Stapel bereitzustellen, um die Korrelation zwischen der Hüllkurve des Signals zwischen den Gate-Source-Anschlüssen und den Gate-Drain-Anschlüssen der jeweiligen Transistoren zu erhöhen, und/oder um den Verstärkungsfaktor des jeweiligen Stapelverstärkers linear oder konstant zu halten, und/oder um das Verhältnis der Kapazität der Gate-Source-Anschlüsse und der Kapazität der Drain-Source-Anschlüsse des jeweiligen Transistors linear oder konstant zu halten, und/oder um die Memory-Effekte für den jeweiligen Verstärkerstapel zu reduzieren.
  • Der Prozessor 1360 kann die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals anpassen, um die Kreuzspannung zwischen dem Gate-Anschluss und dem Source-Anschluss mindestens eines der Transistoren der mehreren Verstärkerstapel im Wesentlichen konstant zu halten. Der Prozessor 1360 kann die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals anpassen, um die Kreuzspannung zwischen dem Gate-Anschluss und dem Drain-Anschluss mindestens eines der Transistoren der mehreren Verstärkerstapel im Wesentlichen konstant zu reduzieren.
  • Der Prozessor 1360 kann die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals anpassen, um ein erstes Eingangssteuersignal an den ersten Transistor 1331 und/oder ein zweites Eingangssteuersignal an den zweiten Transistor 1332 des Verstärkerstapels 1330 (und weitere Eingangssteuersignale für andere Verstärkerstapel) bereitzustellen.
  • Der Prozessor 1360 kann die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals durch Anpassen der Amplitude und/oder Phase des empfangenen Signals (z. B. des Hochfrequenz(HF)-Eingangssignals, des Ausgangssignals des Verstärkerstapels 1330, des Ausgangssignals der Verstärkerschaltung) anpassen. Der Prozessor 1360 kann die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals durch Anpassen der Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals, das durch den Prozessor 1360 detektiert wird, anpassen. Der Prozessor 1360 kann eine beliebige Art von Amplituden- und/oder Phasenanpassungsverfahren, -funktionen oder -schaltungen beinhalten. Der Prozessor 1360 kann einen Verstärkerblock 1362 zum Anpassen der Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals beinhalten. Der Verstärkerblock 1362 kann einen ersten Verstärkerblock und einen zweiten Verstärkerblock zum Durchführen unterschiedlicher Anpassungen beinhalten, um das erste Eingangssteuersignal und das zweite Eingangssteuersignal bereitzustellen.
  • Der Prozessor 1360 kann eine Steuerung 1363 und einen Speicher 1364 beinhalten. Die Steuerung 1363 kann dazu ausgelegt sein, den Verstärkerblock 1362 des Prozessors 1360 zu steuern, um die Amplitude und/oder Phase des empfangenen Signals anzupassen. Die Steuerung 1363 kann bestimmen, die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals gemäß einem oder mehreren vorbestimmten Parametern anzupassen. Die vorbestimmten Parameter sind in dem Speicher 1364 gespeichert. Dementsprechend bestimmt die Steuerung 1363 eine Anpassung, die in der Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals bereitzustellen ist, basierend auf den vorbestimmten Parametern, die in dem Speicher 1364 gespeichert sind. Die Steuerung 1363 kann ein Rückkopplungssignal von dem Verstärker 1300 und/oder von dem Verstärkerstapel 1330 oder dem Ausgang der Verstärkerschaltung empfangen und die Steuerung 1363 kann eine Anpassung, die in der Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals bereitzustellen ist, basierend auf dem Rückkopplungssignal bestimmen, um das erste Eingangssteuersignal und/oder das zweite Eingangssteuersignal zu erhalten.
  • Die Steuerung 1363 kann mindestens eines von Folgendem empfangen: ein erstes Verstärkerrückkopplungssignal, das eine erste Bias-Spannung des ersten Transistors 1303 des Verstärkers 1300 angibt, und ein zweites Verstärkerrückkopplungssignal, das eine zweite Bias-Spannung des zweiten Transistors 1304 des ersten Verstärkers 1300 angibt, und ein erstes Rückkopplungssignal, das eine dritte Bias-Spannung des ersten Transistors 1331 des Verstärkerstapels 1330 angibt, und ein zweites Rückkopplungssignal, das eine vierte Bias-Spannung des zweiten Transistors 1332 des Verstärkerstapels 1330 angibt.
  • Die Steuerung 1363 kann die Anpassung, die in Amplitude und/oder Phase des empfangenen Signals bereitzustellen ist, um ein Eingangssteuersignal bereitzustellen, basierend auf dem empfangenen Rückkopplungssignal von dem jeweiligen Transistor der Verstärkerstufe 1330 bestimmen. Beispielhaft bestimmt die Steuerung 1363 die Anpassung, die in Amplitude und/oder Phase des empfangenen Signals bereitgestellt werden soll, um das erste Eingangssteuersignal bereitzustellen, basierend auf dem ersten Rückkopplungssignal. Die Steuerung 1363 kann die Anpassung, die in der Amplitude und/oder Phase des empfangenen Signals bereitzustellen ist, um das zweite Eingangssteuersignal bereitzustellen, basierend auf dem zweiten Rückkopplungssignal bestimmen. Die Steuerung 1363 kann die Anpassungen basierend auf einer Kombination von mindestens zwei empfangenen Rückkopplungssignalen bestimmen. Die Steuerung 1363 kann eine Schwelle für das Eingangssteuersignal basierend auf dem Hüllkurvensignal bereitstellen.
  • Die Steuerung 1363 kann dazu ausgelegt sein, unterschiedliche Anpassungen in Amplitude und/oder Phase durchzuführen. Beispielhaft kann die Steuerung 1363 eine erste Anpassung der Amplitude und/oder Phase an dem empfangenen Signal bereitstellen und der Prozessor 1360 kann das erste Eingangssteuersignal an den ersten Transistor 1331 des Verstärkerstapels 1330 bereitstellen; und die Steuerung 1363 kann eine zweite Anpassung der Amplitude und/oder Phase an dem empfangenen Signal bereitstellen und der Prozessor 1360 kann das zweite Eingangssteuersignal an den zweiten Transistor 1332 des Verstärkerstapels 1330 bereitstellen.
  • Die bereitgestellte erste Anpassung der Amplitude und/oder Phase kann das Ändern der Amplitude und/oder Phase des empfangenen Signals mit einem ersten Parameter beinhalten, und die bereitgestellte zweite Anpassung der Amplitude und/oder Phase kann das Ändern der Amplitude und/oder der Phase des empfangenen Signals mit einem zweiten Parameter beinhalten. Das erste Eingangssteuersignal und das zweite Steuersignal unterscheiden sich gemäß mindestens einer ihrer Amplitude oder Phase. Das erste Eingangssteuersignal und das zweite Steuersignal weisen eine Phasendifferenz von 180 Grad auf. Mit anderen Worten sind das erste Eingangssteuersignal und das zweite Eingangssteuersignal um 180 Grad phasenverschobene Signale. Eine solche phasenverschobene Differenz, die an Gate-Anschlüssen des ersten Transistors 1331 und des zweiten Transistors 1332 vorhanden ist, kann die dynamische Spannungsbelastung senken, um die Zuverlässigkeit zu verbessern.
  • Beispielhaft kann der Prozessor 1360 ein erstes empfangenes Signal basierend auf einem ersten differenziellen Teil des Hochfrequenz(HF)-Eingangssignals, das an den ersten Transistor 1303 des Verstärkers 1300 geliefert wird, und ein zweites empfangenes Signal basierend auf einem zweiten differenziellen Teil des Hochfrequenz(HF)-Eingangssignals, das an den zweiten Transistor 1304 des Verstärkers 1300 geliefert wird, empfangen. Der Prozessor 1360 kann ein erstes empfangenes Signal und ein zweites empfangenes Signal basierend auf differenziellen Teilen des Ausgangssignals des Verstärkerstapels 1330 empfangen.
  • Die Steuerung 1363 kann eine erste Anpassung der Amplitude und/oder Phase des ersten empfangenen Signals bestimmen, um das erste Eingangssteuersignal zu erhalten, und eine zweite Anpassung der Amplitude und/oder Phase des zweiten empfangenen Signals bestimmen, um das zweite Eingangssteuersignal zu erhalten. Der Verstärkerblock 1362 kann die erste Anpassung der Amplitude und/oder Phase an dem ersten empfangenen Signal bereitstellen, um das erste Eingangssteuersignal zu erhalten, und der Verstärkerblock 1362 kann die zweite Anpassung der Amplitude und/oder Phase an dem zweiten empfangenen Signal bereitstellen, um das zweite Steuersignal zu erhalten.
  • Der Prozessor 1360 kann ein Tiefpassfilter 1365 beinhalten und der Verstärkerblock 1362 kann ein ungefiltertes Eingangssteuersignal an das Tiefpassfilter liefern. Entsprechend kann das Tiefpassfilter 1365 das Rauschen und die Störungen, die auf den gefilterten Teil des Frequenzbandes fallen würden, herausfiltern und kann das erste Eingangssteuersignal und das zweite Eingangssteuersignal an den Verstärkerstapel 1330 liefern. Dementsprechend kann der Prozessor 1360 das erste Eingangssteuersignal und das zweite Eingangssteuersignal nach dem Anpassen der Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals basierend auf mindestens einem empfangenen Signal bereitstellen.
  • In einem Beispiel kann eine Funkkommunikationsschaltung einen Aufwärtswandler, der dazu ausgelegt ist, ein Basisbandkommunikationssignal zu einem Hochfrequenz(HF)-Kommunikationssignal aufwärtszuwandeln, und eine Verstärkerschaltung gemäß verschiedenen Aspekten dieser Offenbarung, die das Hochfrequenz(HF)-Kommunikationssignal empfängt, beinhalten. Eine Funkkommunikationsvorrichtung kann die Funkkommunikationsschaltung, die eine Verstärkerschaltung gemäß verschiedenen Aspekten dieser Offenbarung beinhaltet, und eine Antenne beinhalten, die dazu ausgelegt ist, ein Ausgangssignal, das durch die Verstärkerschaltung bereitgestellt wird, zu übertragen. Die Funkkommunikationsvorrichtung kann einen Basisbandprozessor beinhalten, der dazu ausgelegt ist, das Basisbandkommunikationssignal bereitzustellen.
  • In einem Beispiel kann eine Funkkommunikationsvorrichtung ein computerlesbares Medium beinhalten, das darauf gespeicherte Anweisungen beinhaltet, die, wenn sie durch einen Prozessor ausgeführt werden, ein Verfahren implementieren, das Folgendes beinhaltet: Verstärken eines Eingangssignals, um ein Ausgangssignal bereitzustellen, durch einen Verstärker, Empfangen des Ausgangssignals durch einen Verstärkerstapel, der einen ersten Transistor umfasst, der mit dem Verstärker gekoppelt ist, Steuern des ersten Transistors basierend auf einer Hüllkurve des Eingangssignals, Verstärken des Ausgangssignals unter Verwendung des ersten Transistors. Eine Vorrichtung, z. B. eine Kommunikationsvorrichtung, kann einen Speicher und einen oder mehrere Prozessoren, wie etwa die Verarbeitungsschaltungsanordnung 402 und den Speicher 403 unter erneuter Bezugnahme auf 4, beinhalten. Der Speicher 403 kann als ein computerlesbares Medium implementiert werden, das darauf gespeicherte Anweisungen beinhaltet, die, wenn sie durch einen Prozessor ausgeführt werden, ein Verfahren implementieren, das Folgendes beinhaltet: Verstärken eines Eingangssignals, um ein Ausgangssignal bereitzustellen, durch einen Verstärker, Empfangen des Ausgangssignals durch einen Verstärkerstapel, der einen ersten Transistor umfasst, der mit dem Verstärker gekoppelt ist, Steuern des ersten Transistors basierend auf einer Hüllkurve des Eingangssignals, Verstärken des Ausgangssignals unter Verwendung des ersten Transistors.
  • 14 zeigt schematisch ein Beispiel für ein Verfahren. Das Verfahren kann Verstärken eines Eingangssignals, um ein Ausgangssignal bereitzustellen, durch einen Verstärker, Empfangen des Ausgangssignals durch einen Verstärkerstapel, der einen ersten Transistor umfasst, der mit dem Verstärker gekoppelt ist, Steuern des ersten Transistors basierend auf einer Hüllkurve des Eingangssignals, Verstärken des Ausgangssignals unter Verwendung des ersten Transistors beinhalten.
  • Die folgenden Beispiele betreffen weitere Aspekte dieser Offenbarung.
  • Beispiel 1 beinhaltet eine Verstärkerschaltung, wobei der Gegenstand beinhalten kann: einen Verstärker, der dazu ausgelegt ist, ein Eingangssignal zu verstärken, um ein Ausgangssignal bereitzustellen; ein Verstärkerstapel kann einen ersten Transistor beinhalten, der mit dem Verstärker gekoppelt ist, wobei der Verstärkerstapel ausgelegt ist zum: Empfangen des Ausgangssignals, um das Ausgangssignal zu verstärken, Empfangen eines Eingangssteuersignals zum Steuern des ersten Transistors basierend auf einer Hüllkurve des Eingangssignals.
  • In Beispiel 2 kann der Gegenstand des Beispiels 1 ferner beinhalten: ein Prozessor kann einen Hüllkurvendetektor beinhalten, um ein Hüllkurvensignal eines empfangenen Signals zu detektieren; wobei der Prozessor ausgelegt ist zum: Anpassen einer Amplitude und/oder einer Phase des Hüllkurvensignals; und Bereitstellen des Eingangssteuersignals basierend auf dem angepassten Hüllkurvensignal.
  • In Beispiel 3 kann der Gegenstand des Beispiels 2 optional beinhalten, dass das empfangene Signal das durch den Verstärker empfangene Eingangssignal beinhaltet. In Beispiel 4 kann der Gegenstand des Beispiels 2 oder Beispiels 3 ferner einen Verstärkerschaltungsausgang beinhalten, der dazu ausgelegt ist, ein Verstärkerausgangssignal basierend auf dem durch den Verstärker empfangenen Eingangssignal bereitzustellen; und kann optional beinhalten, dass der Prozessor dazu ausgelegt ist, das Verstärkerausgangssignal zu empfangen.
  • In Beispiel 5 kann der Gegenstand eines der Beispiele 2 bis 4 optional beinhalten, dass der Prozessor dazu ausgelegt ist, die Amplitude und/oder die Phase des Hüllkurvensignals anzupassen, um das Hüllkurvensignal mit dem Ausgangssignal auszurichten. In Beispiel 6 kann der Gegenstand eines der Beispiele 2 bis 5 optional beinhalten, dass der Prozessor dazu ausgelegt ist, die Amplitude und/oder die Phase des Hüllkurvensignals anzupassen, um eine Kreuzspannung zwischen dem Gate-Anschluss und dem Source-Anschluss des ersten Transistors im Wesentlichen konstant zu halten, und/oder um die Kreuzspannung zwischen dem Gate-Anschluss und dem Drain-Anschluss des ersten Transistors zu reduzieren.
  • In Beispiel 7 kann der Gegenstand eines der Beispiele 2 bis 6 optional beinhalten, dass der Prozessor dazu ausgelegt ist, die Amplitude und/oder die Phase des Hüllkurvensignals anzupassen, um das Hüllkurvensignal mit einer Hüllkurve des Signals auszurichten, das durch den Source- und Drain-Anschluss des ersten Transistors fließt.
  • In Beispiel 8 kann der Gegenstand eines der Beispiele 2 bis 7 optional beinhalten, dass der Prozessor dazu ausgelegt ist, die Korrelation zwischen der Hüllkurve des Signals zwischen den Gate-Source-Anschlüssen und den Gate-Drain-Anschlüssen des ersten Transistors zu erhöhen.
  • In Beispiel 9 kann der Gegenstand eines der Beispiele 2 bis 8 optional beinhalten, dass der Prozessor dazu ausgelegt ist, den Verstärkungsfaktor des Verstärkerstapels oder des ersten Transistors konstant zu halten.
  • In Beispiel 10 kann der Gegenstand eines der Beispiele 2 bis 9 optional beinhalten, dass der Prozessor dazu ausgelegt ist, den Verstärkungsfaktor des Verstärkerstapels oder des ersten Transistors linear zu halten.
  • In Beispiel 11 kann der Gegenstand eines der Beispiele 2 bis 10 optional beinhalten, dass der Prozessor dazu ausgelegt ist, das Verhältnis der Kapazität der Gate-Source-Anschlüsse und der Kapazität der Drain-Source-Anschlüsse des ersten Transistors konstant zu halten.
  • In Beispiel 12 kann der Gegenstand eines der Beispiele 2 bis 11 optional beinhalten, dass der Prozessor dazu ausgelegt ist, das Verhältnis der Kapazität der Gate-Source-Anschlüsse und der Kapazität der Drain-Source-Anschlüsse des ersten Transistors linear zu halten.
  • In Beispiel 13 kann der Gegenstand eines der Beispiele 2 bis 12 optional beinhalten, dass der Prozessor dazu ausgelegt ist, Memory-Effekte zu reduzieren.
  • In Beispiel 14 kann der Gegenstand eines der Beispiele 2 bis 14 optional beinhalten, dass der Prozessor dazu ausgelegt ist, ein Rückkopplungssignal zu empfangen und die Amplitude und/oder Phase des Hüllkurvensignals basierend auf dem Rückkopplungssignal anzupassen.
  • In Beispiel 15 kann der Gegenstand eines der Beispiele 2 bis 14 optional beinhalten, dass der Prozessor dazu ausgelegt ist, ein Rückkopplungssignal zu empfangen, das eine Angabe der Kreuzspannung zwischen dem Gate-Anschluss und dem Source-Anschluss des ersten Transistors beinhaltet.
  • In Beispiel 16 kann der Gegenstand eines der Beispiele 2 bis 15 optional beinhalten, dass der Prozessor dazu ausgelegt ist, ein Rückkopplungssignal zu empfangen, das eine Angabe des Verstärkungsfaktors des Verstärkerstapels beinhaltet.
  • In Beispiel 17 kann der Gegenstand eines der Beispiele 2 bis 16 optional beinhalten, dass der Prozessor dazu ausgelegt ist, ein Rückkopplungssignal zu empfangen, das eine Angabe des Verstärkungsfaktors des Verstärkers beinhaltet.
  • In Beispiel 18 kann der Gegenstand eines der Beispiele 2 bis 17 optional beinhalten, dass der Prozessor dazu ausgelegt ist, ein Rückkopplungssignal zu empfangen, das eine Angabe des Verstärkungsfaktors der Verstärkerschaltung beinhaltet.
  • In Beispiel 19 kann der Gegenstand eines der Beispiele 2 bis 18 optional beinhalten, dass der Prozessor dazu ausgelegt ist, ein Rückkopplungssignal zu empfangen, das eine Angabe für das Verhältnis der Kapazität der Gate-Source-Anschlüsse und/oder der Kapazität der Drain-Source-Anschlüsse des ersten Transistors beinhaltet.
  • In Beispiel 20 kann der Gegenstand eines der Beispiele 2 bis 19 ferner beinhalten, dass mehrere Verstärkerstapel einen ersten Verstärkerstapel, der den Verstärkerstapel beinhaltet; und einen zweiten Verstärkerstapel, der dazu ausgelegt ist, ein zweites Eingangssteuersignal von dem Prozessor zu empfangen, um einen ersten Transistor des zweiten Verstärkerstapels basierend auf einer Hüllkurve des Eingangssignals zu steuern, beinhalten können. In Beispiel 21 kann der Gegenstand des Beispiels 20 optional beinhalten, dass der Prozessor dazu ausgelegt ist, die Amplitude und/oder die Phase des Hüllkurvensignals anzupassen, um das zweite Eingangssteuersignal zu erhalten, das sich von dem Eingangssteuersignal unterscheidet.
  • In Beispiel 22 kann der Gegenstand eines der Beispiele 20 bis 21 optional beinhalten, dass der Prozessor dazu ausgelegt ist, eine erste Anpassung der Amplitude und/oder Phase an dem empfangenen Signal bereitzustellen, um ein erstes Eingangssteuersignal für den ersten Verstärkerstapel zu erhalten; und eine zweite Anpassung der Amplitude und/oder Phase an dem empfangenen Signal bereitzustellen, um ein zweites Eingangssteuersignal für den zweiten Verstärkerstapel zu erhalten.
  • In Beispiel 23 kann der Gegenstand eines der Beispiele 20 bis 22 optional beinhalten, dass der Prozessor dazu ausgelegt ist, ein erstes Rückkopplungssignal von dem ersten Verstärkerstapel zu empfangen und ein zweites Rückkopplungssignal von dem zweiten Verstärkerstapel zu empfangen.
  • In Beispiel 24 kann der Gegenstand des Beispiels 23 optional beinhalten, dass der Prozessor dazu ausgelegt ist, die erste Anpassung der Amplitude und/oder Phase an dem empfangenen Signal basierend auf dem ersten Rückkopplungssignal bereitzustellen; und die zweite Anpassung der Amplitude und/oder Phase an dem empfangenen Signal basierend auf dem zweiten Rückkopplungssignal bereitzustellen.
  • In Beispiel 25 kann der Gegenstand eines der Beispiele 20 bis 24 optional beinhalten, dass der Prozessor dazu ausgelegt ist, ein zweites empfangenes Signal zu empfangen und das erste Eingangssteuersignal basierend auf dem empfangenen Signal und das zweite Eingangssteuersignal basierend auf dem zweiten empfangenen Signal bereitzustellen.
  • In Beispiel 26 kann der Gegenstand eines der Beispiele 23 bis 25 optional beinhalten, dass der Prozessor dazu ausgelegt ist, eine Anpassung der Amplitude und/oder Phase an dem zweiten empfangenen Signal bereitzustellen.
  • In Beispiel 27 kann der Gegenstand eines der Beispiele 23 bis 26 optional beinhalten, dass der Prozessor dazu ausgelegt ist, die erste Anpassung der Amplitude und/oder Phase an dem empfangenen Signal basierend auf dem ersten Rückkopplungssignal bereitzustellen; und die zweite Anpassung der Amplitude und/oder Phase an dem zweiten empfangenen Signal basierend auf dem zweiten Rückkopplungssignal bereitzustellen.
  • In Beispiel 28 kann der Gegenstand eines der Beispiele 2 bis 27 optional beinhalten, dass der Prozessor dazu ausgelegt ist, die Amplitude und/oder Phase des empfangenen Signals basierend auf einem in einem Speicher gespeicherten Parameter anzupassen.
  • In Beispiel 29 kann der Gegenstand eines der Beispiele 20 bis 28 optional beinhalten, dass der Prozessor dazu ausgelegt ist, das Ausgangssignal von dem Verstärker zu empfangen; eine Amplitude und/oder eine Phase einer Hüllkurve des empfangenen Ausgangssignals anzupassen, um das zweite Eingangssteuersignal zu erhalten. In Beispiel 29 kann der Gegenstand des Beispiels 28 optional beinhalten, dass das erste Eingangssteuersignal und das zweite Eingangssteuersignal um 180 Grad phasenverschobene Signale sind. In Beispiel 30 kann der Gegenstand eines der Beispiele 20 bis 29 ferner eine partielle Verstärkerstapel-Shunt-Schaltung beinhalten, um einen Gleichstrom (DC) zu begrenzen, der von dem ersten Verstärkerstapel zu dem zweiten Verstärkerstapel fließt.
  • In Beispiel 31 kann der Gegenstand eines der Beispiele 1 bis 30 optional beinhalten, dass das Eingangssteuersignal durch einen Gate-Anschluss des ersten Transistors empfangen wird und der erste Transistor durch einen Source-Anschluss mit dem Verstärker gekoppelt sein kann. In Beispiel 32 kann der Gegenstand eines der Beispiele 1 bis 31 ferner ein Tiefpassfilter beinhalten, das zwischen dem Prozessor und dem Gate-Anschluss des ersten Transistors gekoppelt ist. In Beispiel 33 kann der Gegenstand des Beispiels eines der Beispiele 2 bis 32 optional beinhalten, dass der Prozessor dazu ausgelegt ist, die Amplitude und/oder die Phase des Hüllkurvensignals anzupassen, um eine Kapazität zwischen dem Gate-Anschluss und dem Source-Anschluss des ersten Transistors im Wesentlichen konstant zu halten.
  • In Beispiel 34 kann der Gegenstand eines der Beispiele 1 bis 33 optional beinhalten, dass der Verstärkerstapel einen zweiten Transistor beinhaltet, der dazu ausgelegt ist, in einer differenziellen Konfiguration mit dem ersten Transistor gekoppelt zu werden; und das Eingangssteuersignal durch einen Gate-Anschluss des zweiten Transistors empfangen wird. In Beispiel 35 kann der Gegenstand eines der Beispiele 2 bis 34 optional beinhalten, dass der Verstärkerstapel einen zweiten Transistor beinhaltet, der dazu ausgelegt ist, in einer differenziellen Konfiguration mit dem ersten Transistor gekoppelt zu werden; kann ferner beinhalten, dass der Prozessor dazu ausgelegt ist, ein zweites Eingangssteuersignal basierend auf der Hüllkurve des Eingangssignals bereitzustellen; und das zweite Eingangssteuersignal durch einen Gate-Anschluss des zweiten Transistors empfangen wird.
  • In Beispiel 36 kann der Gegenstand eines der Beispiele 1 bis 35 optional beinhalten, dass der Verstärker einen differenziellen Transkonduktanzverstärker beinhaltet, der einen ersten Transistor und einen zweiten Transistor beinhalten kann, und ein Drain-Anschluss des ersten Transistors des Verstärkers mit einem Source-Anschluss des ersten Transistors des Verstärkerstapels gekoppelt sein kann und ein Drain-Anschluss des zweiten Transistors des Verstärkers mit einem Source-Anschluss des zweiten Transistors des Verstärkerstapels gekoppelt sein kann.
  • In Beispiel 37 kann der Gegenstand eines der Beispiele 1 bis 36 ferner eine partielle Shunt-Schaltung zum Begrenzen eines DC-Stroms, der von dem Verstärker zu dem Verstärkerstapel fließt, beinhalten. In Beispiel 38 kann der Gegenstand eines der Beispiele 1 bis 37 optional beinhalten, dass der Verstärkerstapel eine Stromquellenschaltung beinhaltet, die einen Stromquellentransistor beinhalten kann, kann optional beinhalten, dass der erste Transistor des Verstärkerstapels einen N-Typ-Metall-Oxid-Halbleiter (NMOS) beinhaltet und der Stromquellentransistor einen P-Typ-Metall-Oxid-Halbleiter (PMOS) beinhaltet.
  • In Beispiel 39 beinhaltet der Gegenstand eine Funkkommunikationsschaltung. Die Funkkommunikationsschaltung kann Folgendes beinhalten: einen Aufwärtswandler, der dazu ausgelegt ist, ein Basisbandkommunikationssignal zu einem Hochfrequenz(HF)-Kommunikationssignal aufwärtszuwandeln; und eine Verstärkerschaltung gemäß einem der Beispiele 1 bis 38. In Beispiel 40 kann der Gegenstand des Beispiels 39 ferner Folgendes beinhalten: einen Prozessor, der ausgelegt ist zum: Detektieren eines Hüllkurvensignals eines empfangenen Signals; Anpassen einer Amplitude und/oder einer Phase des Hüllkurvensignals; und Bereitstellen des Eingangssteuersignals basierend auf dem angepassten Hüllkurvensignal.
  • In Beispiel 41 beinhaltet der Gegenstand eine Funkkommunikationsvorrichtung. Die Funkkommunikationsvorrichtung kann beinhalten: eine Funkkommunikationsschaltung gemäß Beispiel 39 oder Beispiel 40; einen Verstärkerschaltungsausgang, der dazu ausgelegt ist, ein Verstärkerausgangssignal basierend auf dem Eingangssignal, das durch den Verstärker empfangen wird, bereitzustellen; und eine Antenne, die dazu ausgelegt ist, das Verstärkerausgangssignal zu übertragen. In Beispiel 42 kann der Gegenstand des Beispiels 39 ferner beinhalten: einen Basisbandprozessor, der dazu ausgelegt ist, das Basisbandkommunikationssignal bereitzustellen.
  • In Beispiel 43 ist der Gegenstand ein Verfahren. Das Verfahren kann beinhalten: Verstärken eines Eingangssignals, um ein Ausgangssignal bereitzustellen, durch einen Verstärker; Empfangen des Ausgangssignals durch einen Verstärkerstapel, der einen ersten Transistor beinhalten kann, der mit dem Verstärker gekoppelt ist; Steuern des ersten Transistors basierend auf einer Hüllkurve des Eingangssignals; Verstärken des Ausgangssignals unter Verwendung des ersten Transistors. In Beispiel 44 kann der Gegenstand des Beispiels 43 beinhalten: Anpassen einer Amplitude und/oder einer Phase der Hüllkurve des Eingangssignals.
  • Das Wort „beispielhaft“ wird hierin mit der Bedeutung „als Beispiel, Fall oder Veranschaulichung dienend“ verwendet. Jeder Aspekt oder jede Gestaltung, der/die hierin als „beispielhaft“ beschrieben ist, ist nicht notwendigerweise als gegenüber anderen Aspekten oder Gestaltungen bevorzugt oder vorteilhaft auszulegen.
  • In den Zeichnungen ist anzumerken, dass gleiche Bezugsziffern verwendet werden, um die gleichen oder ähnliche Elemente, Merkmale und Strukturen darzustellen, sofern nichts anderes angegeben ist. Es ist anzumerken, dass gewisse Komponenten der Einfachheit halber weggelassen werden können. Es ist anzumerken, dass Knoten (Punkte) bereitgestellt sind, um die Schaltungsleitungsschnittpunkte in den Zeichnungen zu identifizieren, die elektronische Schaltbilder beinhalten.
  • Die Ausdrücke „mindestens ein/e“ und „ein/e oder mehrere“ können so verstanden werden, dass sie eine numerische Menge größer oder gleich eins (z. B. eins, zwei, drei, vier, [...] usw.) beinhalten. Der Ausdruck „mindestens eine/r/s von“ bezüglich einer Gruppe von Elementen kann hierin verwendet werden, um mindestens ein Element aus der Gruppe, die aus den Elementen besteht, zu bezeichnen. Zum Beispiel kann der Ausdruck „mindestens eine/r/s von“ mit Bezug auf eine Gruppe von Elementen hierin verwendet werden, um eine Auswahl von Folgendem zu bedeuten: einem der aufgelisteten Elemente, mehreren von einem der aufgelisteten Elemente, mehreren von einzelnen aufgelisteten Elementen oder mehreren eines Vielfachen einzelner aufgelisteter Elemente.
  • Die Wörter „Mehrzahl“ und „mehrere“ in der Beschreibung und in den Ansprüchen beziehen sich ausdrücklich auf eine Menge von mehr als eins. Dementsprechend beziehen sich jegliche Ausdrücke, die explizit die oben erwähnten Wörter (z. B. „Mehrzahl von [Elementen]“, „mehrere [Elemente]“), die sich auf eine Menge von Elementen beziehen, ausdrücklich auf mehr als eines der Elemente. Beispielsweise kann der Ausdruck „mehrere“ so verstanden werden, dass er eine numerische Menge größer oder gleich zwei (z. B. zwei, drei, vier, fünf, [...] usw.) beinhaltet.
  • Wie hierin verwendet, kann ein Signal, das für einen Wert oder andere Informationen „indikativ ist“ oder diese „angibt“, ein digitales oder analoges Signal sein, das den Wert oder die anderen Informationen auf eine Weise codiert oder anderweitig kommuniziert, die durch eine Komponente, die das Signal empfängt, decodiert werden kann und/oder eine reagierende Handlung in dieser bewirkt. Das Signal kann vor seinem Empfang durch die empfangende Komponente in einem computerlesbaren Speicherungsmedium gespeichert oder gepuffert werden, und die empfangende Komponente kann das Signal aus dem Speicherungsmedium abrufen. Ferner kann für einen „Wert“, der eine bestimmte Menge, einen bestimmten Zustand oder einen bestimmten Parameter „indikativ ist“, physisch als ein digitales Signal, ein analoges Signal oder gespeicherte Bits umgesetzt sein, die den Wert codieren oder anderweitig kommunizieren.
  • Wie hierin verwendet, kann ein Signal durch eine Signalkette übertragen oder geleitet werden, in der das Signal verarbeitet wird, um Charakteristiken wie etwa Phase, Amplitude, Frequenz und so weiter zu ändern. Das Signal kann als das gleiche Signal bezeichnet werden, selbst wenn solche Charakteristiken angepasst werden. Im Allgemeinen kann, solange ein Signal weiterhin die gleichen Informationen codiert, das Signal als das gleiche Signal angesehen werden. Ein Übertragungssignal kann zum Beispiel als auf das Übertragungssignal in Basisband-, Zwischen- und Hochfrequenzen verweisend angesehen werden.
  • Die Begriffe „Prozessor“ oder „Steuerung“, wie sie zum Beispiel hierin verwendet werden, können als eine beliebige Art von technologischer Entität verstanden werden, die eine Bearbeitung von Daten ermöglicht. Die Daten können gemäß einer oder mehreren spezifischen Funktionen bearbeitet werden, die durch den Prozessor oder die Steuerung ausgeführt werden. Ferner kann ein Prozessor oder eine Steuerung, wie hierin verwendet, als eine beliebige Art von Schaltung, z. B. eine beliebige Art von analoger oder digitaler Schaltung verstanden werden. Ein Prozessor oder eine Steuerung kann somit eine analoge Schaltung, eine digitale Schaltung, eine Mischsignalschaltung, eine Logikschaltung, ein Prozessor, ein Mikroprozessor, eine Zentralverarbeitungseinheit (CPU), eine Grafikverarbeitungseinheit (GPU), ein Digitalsignalprozessor (DSP), ein feldprogrammierbares Gate-Array (FPGA), eine integrierte Schaltung, eine anwendungsspezifische integrierte Schaltung (ASIC) usw. oder eine beliebige Kombination davon sein oder diese beinhalten. Jede andere Art von Implementierung der jeweiligen Funktionen, die im Folgenden ausführlicher beschrieben wird, kann auch als ein Prozessor, eine Steuerung oder eine Logikschaltung aufgefasst werden. Es versteht sich, dass zwei beliebige (oder mehr) der hierin ausführlich beschriebenen Prozessoren, Steuerungen oder Logikschaltungen als eine einzelne Entität mit äquivalenter Funktionalität oder dergleichen realisiert werden können und umgekehrt jeder einzelne Prozessor, jede einzelne Steuerung oder jede einzelne Logikschaltung, der/die hierin aufgeführt wird, als zwei (oder mehr) getrennte Entitäten mit äquivalenter Funktionalität oder dergleichen realisiert werden kann.
  • Die Begriffe „ein oder mehrere Prozessoren“ sollen sich auf einen Prozessor oder eine Steuerung beziehen. Der eine oder die mehreren Prozessoren können einen Prozessor oder mehrere Prozessoren beinhalten. Die Begriffe werden einfach als Alternative zu dem „Prozessor“ oder der „Steuerung“ verwendet.
  • Wie hierin genutzt, sollen sich die Begriffe „Modul“, „Komponente“, „System“, „Schaltung“, „Element“, „Slice“, „Schaltung“ und dergleichen auf einen Satz aus einer oder mehreren elektronischen Komponenten, eine computerbezogene Entität, Hardware, Software (z. B. in Ausführung) und/oder Firmware beziehen. Eine Schaltung oder ein ähnlicher Begriff kann zum Beispiel ein Prozessor, ein Prozess, der auf einem Prozessor läuft, eine Steuerung, ein Objekt, ein ausführbares Programm, eine Speicherungsvorrichtung und/oder ein Computer mit einer Verarbeitungsvorrichtung sein. Zur Veranschaulichung können eine Anwendung, die auf einem Server läuft, und der Server ebenfalls eine Schaltung sein. Eine oder mehrere Schaltungen können sich innerhalb derselben Schaltung befinden und die Schaltung kann sich auf einem Computer befinden und/oder zwischen zwei oder mehr Computern verteilt sein. Ein Satz von Elementen oder ein Satz anderer Schaltungen kann hierin beschrieben sein, wobei der Begriff „Satz“ als „ein/e oder mehrere“ interpretiert werden kann.
  • Wie hierin verwendet, wird „Speicher“ als ein computerlesbares Medium (z. B. ein nichttransitorisches computerlesbares Medium) verstanden, in dem Daten oder Informationen zum Abrufen gespeichert werden können. Hierin enthaltene Verweise auf „Speicher“ können somit als sich auf flüchtigen oder nichtflüchtigen Speicher beziehend aufgefasst werden, einschließlich unter anderem Direktzugriffsspeicher (RAM), Nurlesespeicher (ROM), Flash-Speicher, Solid-State-Speicher, ein Magnetband, ein Festplattenlaufwerk, ein optisches Laufwerk, 3D-Punkte oder eine beliebige Kombination davon. Unter anderem sind Register, Schieberegister, Prozessorregister, Datenpuffer usw. hierin ebenfalls im Begriff Speicher eingeschlossen. Der Begriff „Software“ bezieht sich auf eine beliebige Art von ausführbarer Anweisung, einschließlich Firmware.
  • Der hierin verwendete Begriff „Antenne“ kann eine beliebige geeignete Konfiguration, Struktur und/oder Anordnung von ein oder mehreren Antennenelementen, Komponenten, Einheiten, Baugruppen und/oder Arrays beinhalten. Die Antenne kann Übertragungs- und Empfangsfunktionalitäten unter Verwendung separater Sende- und Empfangs-Antennenelemente implementieren. Die Antenne kann Übertragungs- und Empfangsfunktionalitäten unter Verwendung gemeinsamer und/oder integrierter Sende-/Empfangs-Antennenelemente implementieren. Die Antenne kann zum Beispiel eine Phased-Array-Antenne, eine Einzelelementantenne, einen Satz von Switched-Beam-Antennen und/oder dergleichen beinhalten.
  • Es versteht sich, dass, wenn ein Element als mit einem anderen Element „verbunden“ oder „gekoppelt“ bezeichnet wird, es physisch mit dem anderen Element derart verbunden oder gekoppelt sein kann, dass Strom und/oder elektromagnetische Strahlung (z. B. ein Signal) entlang eines durch die Elemente gebildeten leitfähigen Pfads fließen können. Dazwischenliegende leitfähige, induktive oder kapazitive Elemente können zwischen dem Element und dem anderen Element vorhanden sein, wenn die Elemente als miteinander gekoppelt oder verbunden beschrieben werden. Ferner kann, wenn sie miteinander gekoppelt oder verbunden sind, ein Element in der Lage sein, einen Spannungs- oder Stromfluss oder eine Propagation einer elektromagnetischen Welle in dem anderen Element ohne physischen Kontakt oder dazwischenliegende Komponenten zu induzieren. Wenn ferner eine Spannung, ein Strom oder ein Signal als einem Element „bereitgestellt“ bezeichnet wird, kann die Spannung, der Strom oder das Signal mittels einer physischen Verbindung oder mittels kapazitiver, elektromagnetischer oder induktiver Kopplung, die keine physische Verbindung involviert, zu dem Element geleitet werden.
  • Sofern nicht explizit angegeben, schließt der Begriff „Übertragen“ sowohl eine direkte (Punkt-zu-Punkt) als auch eine indirekte Übertragung (über einen oder mehrere Zwischenpunkte) ein. Gleichermaßen schließt der Begriff „Empfangen“ sowohl direkten als auch indirekten Empfang ein. Des Weiteren schließen die Begriffe „Übertragen“, „Empfangen“, „Kommunizieren“ und andere ähnliche Begriffe sowohl physische Übertragung (z. B. die Übertragung von Funksignalen) als auch logische Übertragung (z. B. die Übertragung digitaler Daten über eine logische Verbindung auf Software-Ebene) ein. Ein Prozessor oder eine Steuerung kann zum Beispiel Daten mit einem anderen Prozessor oder einer anderen Steuerung in der Form von Funksignalen über eine Verbindung auf Software-Ebene übertragen oder empfangen, wobei die physische Übertragung und der physische Empfang von Funkschicht-Komponenten wie etwa HF-Sendeempfängern und Antennen gehandhabt wird, und die logische Übertragung und der logische Empfang über die Verbindung auf Software-Ebene von den Prozessoren oder Steuerungen durchgeführt wird. Der Begriff „Kommunizieren“ schließt Übertragen und/oder Empfangen ein, d. h. eine unidirektionale oder bidirektionale Kommunikation in einer oder beiden der eingehenden und der ausgehenden Richtung. Der Begriff „Berechnen“ schließt sowohl ,direkte‘ Berechnungen über einen mathematischen Ausdruck/eine mathematische Formel/eine mathematische Beziehung als auch ,indirekte‘ Berechnungen über Nachschlage- oder Hash-Tabellen und andere Array-Indexierungs- oder -Suchoperationen ein.
  • Einige Aspekte können in Verbindung mit einem oder mehreren Typen von Drahtloskommunikationssignalen und/oder -systemen verwendet werden, zum Beispiel Hochfrequenz (HF), Infrarot (IR), FDM (Frequency-Division Multiplexing - Frequenzmultiplex), Orthogonal-FDM (OFDM), OFDMA (Orthogonal Frequency Division Multiple Access - Orthogonal-Frequenzmultiplex-Mehrfachzugriff), SDMA (Spatial Division Multiple Access - Raummultiplex-Mehrfachzugriff), TDM (Time Division Multiplexing - Zeitmultiplex), TDMA (Time Division Multiple Access - Zeitmultiplex-Mehrfachzugriff), MU-MIMO (Multi-User MIMO - Mehrbenutzer-MIMO), GPRS (General Packet Radio Service - allgemeiner Paketfunkdienst), EGPRS (erweitertes GPRS), CDMA (Code Division Multiple Access - Codemultiplex-Mehrfachzugriff), Breitband-CDMA (WCDMA), CDMA 2000, Einzelträger-CDMA, Mehrträger-CDMA, Mehrträger-Modulation (MDM), DMT (Discrete Multi-Tone - diskreter Mehrton), Bluetooth (BT), GPS (globales Positionierungssystem), WiFi, Wi-Max, ZigBeeTM, Ultrabreitband (UWB), GSM (Global System for Mobile Communication - globales System für Mobilkommunikation), 2G, 2,5G, 3G, 3,5G, 4G, Mobilnetze der fünften Generation (5G), 3GPP, Long Term Evolution (LTE), LTE Advanced, EDGE (Enhanced Data Rate for GSM Evolution) oder dergleichen. Andere Aspekte können in verschiedenen anderen Vorrichtungen, Systemen und/oder Netzwerken verwendet werden.
  • Einige demonstrative Aspekte können in Verbindung mit einem WLAN, z. B. einem WiFi-Netzwerk verwendet werden. Andere Aspekte können in Verbindung mit beliebigen anderen geeigneten Drahtloskommunikationsnetzwerken verwendet werden, zum Beispiel einem Drahtlosnetzwerk, einen „Piconet“, einem WPAN, einem WVAN und dergleichen.
  • Einige Aspekte können in Verbindung mit einem Drahtloskommunikationsnetzwerk verwendet werden, das über ein Frequenzband von 2,4 GHz, 5 GHz und/oder 6-7 GHz kommuniziert. Andere Aspekte können jedoch unter Nutzung beliebiger anderer geeigneter Drahtloskommunikations-Frequenzbänder implementiert werden, zum Beispiel ein EHF(Extremely High Frequency)-Band (das Millimeterwellen(mm-Wellen)-Frequenzband), z. B. ein Frequenzband innerhalb des Frequenzbandes zwischen 20 GHz und 300 GHz, ein WLAN-Frequenzband, ein WPAN-Frequenzband und dergleichen.
  • Wenngleich die vorstehenden Beschreibungen und damit zusammenhängenden Figuren elektronische Vorrichtungskomponenten möglicherweise als separate Elemente abbilden, versteht der Fachmann die diversen Möglichkeiten, diskrete Elemente in ein einziges Element zu kombinieren oder zu integrieren. Dies kann Kombinieren von zwei oder mehr Schaltungen zum Bilden einer einzigen Schaltung, Montieren von zwei oder mehr Schaltungen auf einem gemeinsamen Chip oder Chassis zum Bilden eines integrierten Elements, Ausführen diskreter Softwarekomponenten auf einem gemeinsamen Prozessorkern usw. beinhalten. Umgekehrt werden Fachleute die Möglichkeit erkennen, ein einzelnes Element in zwei oder mehr diskrete Elemente zu trennen, wie etwa Aufteilen einer einzelnen Schaltung in zwei oder mehr separate Schaltungen, Trennen eines Chips oder Chassis in diskrete Elemente, die ursprünglich darauf bereitgestellt wurden, Trennen einer Softwarekomponente in zwei oder mehr Abschnitte und Ausführen jeweils auf einem separaten Prozessorkern usw.
  • Es versteht sich, dass Implementierungen von Verfahren, die hierin ausführlich beschrieben sind, demonstrativ sind und somit so verstanden werden, dass sie in einer entsprechenden Vorrichtung implementiert werden können. Gleichermaßen versteht es sich, dass Implementierungen von hierin ausführlich beschriebenen Vorrichtungen so verstanden werden, dass sie als ein entsprechendes Verfahren implementiert werden können. Daher versteht es sich, dass eine Vorrichtung, die einem hierin ausführlich beschriebenen Verfahren entspricht, eine oder mehrere Komponenten beinhalten kann, die zum Durchführen jedes Aspekts des zugehörigen Verfahrens ausgelegt sind.
  • Alle in der obigen Beschreibung definierten Akronyme gelten zusätzlich in allen hierin enthaltenen Ansprüchen.
  • Wenngleich die vorstehenden Beschreibungen und damit zusammenhängenden Figuren elektronische Vorrichtungskomponenten möglicherweise als separate Elemente abbilden, versteht der Fachmann die diversen Möglichkeiten, diskrete Elemente in ein einziges Element zu kombinieren oder zu integrieren. Dies kann Kombinieren von zwei oder mehr Schaltungen zum Bilden einer einzigen Schaltung, Montieren von zwei oder mehr Schaltungen auf einem gemeinsamen Chip oder Chassis zum Bilden eines integrierten Elements, Ausführen diskreter Softwarekomponenten auf einem gemeinsamen Prozessorkern usw. beinhalten. Umgekehrt werden Fachleute die Möglichkeit erkennen, ein einzelnes Element in zwei oder mehr diskrete Elemente zu trennen, wie etwa Aufteilen einer einzelnen Schaltung in zwei oder mehr separate Schaltungen, Trennen eines Chips oder Chassis in diskrete Elemente, die ursprünglich darauf bereitgestellt wurden, Trennen einer Softwarekomponente in zwei oder mehr Abschnitte und Ausführen jeweils auf einem separaten Prozessorkern usw. Außerdem versteht es sich, dass bestimmte Implementierungen von Hardware- und/oder Softwarekomponenten lediglich veranschaulichend sind und andere Kombinationen von Hardware und/oder Software, die die hierin beschriebenen Verfahren durchführen, innerhalb des Schutzumfangs der Offenbarung liegen.
  • Es versteht sich, dass Implementierungen von Verfahren, die hierin ausführlich beschrieben sind, beispielhaft sind und somit so verstanden werden, dass sie in einer entsprechenden Vorrichtung implementiert werden können. Gleichermaßen versteht es sich, dass Implementierungen von hierin ausführlich beschriebenen Vorrichtungen so verstanden werden, dass sie als ein entsprechendes Verfahren implementiert werden können. Daher versteht es sich, dass eine Vorrichtung, die einem hierin ausführlich beschriebenen Verfahren entspricht, eine oder mehrere Komponenten beinhalten kann, die zum Durchführen jedes Aspekts des zugehörigen Verfahrens ausgelegt sind.
  • Alle in der obigen Beschreibung definierten Akronyme gelten zusätzlich in allen hierin enthaltenen Ansprüchen.

Claims (10)

  1. Verstärkerschaltung, umfassend: einen Verstärker, der dazu ausgelegt ist, ein Eingangssignal zu verstärken, um ein Ausgangssignal bereitzustellen; einen Verstärkerstapel, der einen ersten Transistor umfasst, der mit dem Verstärker gekoppelt ist, wobei der Verstärkerstapel zu Folgendem ausgelegt ist: Empfangen des Ausgangssignals zum Verstärken des Ausgangssignals; Empfangen eines Eingangssteuersignals zum Steuern des ersten Transistors basierend auf einer Hüllkurve des Eingangssignals.
  2. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1, ferner umfassend einen Prozessor, der einen Hüllkurvendetektor zum Detektieren eines Hüllkurvensignals eines empfangenen Signals umfasst; wobei der Prozessor zu Folgendem ausgelegt ist: Anpassen einer Amplitude und/oder einer Phase des Hüllkurvensignals; und Bereitstellen des Eingangssteuersignals basierend auf dem angepassten Hüllkurvensignal; wobei optional das empfangene Signal das durch den Verstärker empfangene Eingangssignal umfasst; und/oder wobei die Verstärkerschaltung ferner einen Verstärkerschaltungsausgang umfasst, der dazu ausgelegt ist, ein Verstärkerausgangssignal basierend auf dem durch den Verstärker empfangenen Eingangssignal bereitzustellen; wobei der Prozessor dazu ausgelegt ist, das Verstärkerausgangssignal zu empfangen; und/oder wobei der Prozessor dazu ausgelegt ist, die Amplitude und/oder die Phase des Hüllkurvensignals anzupassen, um das Hüllkurvensignal mit dem Ausgangssignal auszurichten.
  3. Verstärkerschaltung nach Anspruch 2, wobei der Prozessor dazu ausgelegt ist, die Amplitude und/oder die Phase des Hüllkurvensignals anzupassen, um eine Kreuzspannung zwischen dem Gate-Anschluss und dem Source-Anschluss des ersten Transistors im Wesentlichen konstant zu halten, und/oder um die Kreuzspannung zwischen dem Gate-Anschluss und dem Drain-Anschluss des ersten Transistors zu reduzieren; und/oder wobei die Verstärkerschaltung ferner umfasst: mehrere Verstärkerstapel, umfassend einen ersten Verstärkerstapel, der den Verstärkerstapel umfasst; und einen zweiten Verstärkerstapel, der dazu ausgelegt ist, ein zweites Eingangssteuersignal von dem Prozessor zu empfangen, um einen ersten Transistor des zweiten Verstärkerstapels basierend auf einer Hüllkurve des Eingangssignals zu steuern; wobei optional der Prozessor dazu ausgelegt ist, die Amplitude und/oder die Phase des Hüllkurvensignals anzupassen, um das zweite Eingangssteuersignal zu erhalten, das sich von dem Eingangssteuersignal unterscheidet; und/oder
  4. Verstärkerschaltung nach Anspruch 3, wobei der Prozessor zu Folgendem ausgelegt ist: Empfangen des Ausgangssignals von dem Verstärker; Anpassen einer Amplitude und/oder einer Phase einer Hüllkurve des empfangenen Ausgangssignals, um das zweite Eingangssteuersignal zu erhalten; wobei optional das erste Eingangssteuersignal und das zweite Eingangssteuersignal um 180 Grad phasenverschobene Signale sind; und/oder die Verstärkerschaltung ferner eine partielle Verstärkerstapel-Shunt-Schaltung zum Begrenzen eines Gleichstroms (DC), der von dem ersten Verstärkerstapel zu dem zweiten Verstärkerstapel fließt, umfasst.
  5. Verstärkerschaltung nach einem der Ansprüche 2 bis 4, wobei das Eingangssteuersignal durch einen Gate-Anschluss des ersten Transistors empfangen wird und der erste Transistor durch einen Source-Anschluss mit dem Verstärker gekoppelt ist; wobei die Verstärkerschaltung optional ferner ein Tiefpassfilter umfasst, das zwischen dem Prozessor und dem Gate-Anschluss des ersten Transistors gekoppelt ist; und/oder wobei optional der Prozessor dazu ausgelegt ist, die Amplitude und/oder die Phase des Hüllkurvensignals anzupassen, um eine Kapazität zwischen dem Gate-Anschluss und dem Source-Anschluss des ersten Transistors im Wesentlichen konstant zu halten.
  6. Verstärkerschaltung nach Anspruch 5, wobei der Verstärkerstapel einen zweiten Transistor umfasst, der dazu ausgelegt ist, in einer differenziellen Konfiguration mit dem ersten Transistor gekoppelt zu werden; und wobei das Eingangssteuersignal durch einen Gate-Anschluss des zweiten Transistors empfangen wird; und/oder wobei der Verstärkerstapel einen zweiten Transistor umfasst, der dazu ausgelegt ist, in einer differenziellen Konfiguration mit dem ersten Transistor gekoppelt zu werden; wobei der Prozessor dazu ausgelegt ist, ein zweites Eingangssteuersignal basierend auf der Hüllkurve des Eingangssignals bereitzustellen; und wobei das zweite Eingangssteuersignal durch einen Gate-Anschluss des zweiten Transistors empfangen wird; wobei optional der Verstärker einen differenziellen Transkonduktanzverstärker umfasst, der einen ersten Transistor und einen zweiten Transistor umfasst, und ein Drain-Anschluss des ersten Transistors des Verstärkers mit einem Source-Anschluss des ersten Transistors des Verstärkerstapels gekoppelt ist und ein Drain-Anschluss des zweiten Transistors des Verstärkers mit einem Source-Anschluss des zweiten Transistors des Verstärkerstapels gekoppelt ist.
  7. Verstärkerschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, ferner umfassend eine partielle Shunt-Schaltung zum Begrenzen eines DC-Stroms, der von dem Verstärker zu dem Verstärkerstapel fließt; und/oder wobei der Verstärkerstapel eine Stromquellenschaltung umfasst, die einen Stromquellentransistor umfasst, wobei der erste Transistor des Verstärkerstapels einen N-Typ-Metall-Oxid-Halbleiter (NMOS) umfasst und der Stromquellentransistor einen P-Typ-Metall-Oxid-Halbleiter (PMOS) umfasst.
  8. Mobilfunkkommunikationsschaltung, umfassend: einen Aufwärtswandler, der dazu ausgelegt ist, ein Basisbandkommunikationssignal zu einem Hochfrequenz(HF)-Kommunikationssignal aufwärtszuwandeln; und eine Verstärkerschaltung, umfassend: einen Verstärker, der dazu ausgelegt ist, ein Eingangssignal zu verstärken, das das Hochfrequenz(HF)-Kommunikationssignal umfasst, um ein Ausgangssignal bereitzustellen; einen Verstärkerstapel, der einen ersten Transistor umfasst, der mit dem Verstärker gekoppelt ist, wobei der Verstärkerstapel zu Folgendem ausgelegt ist: Empfangen des Ausgangssignals zum Verstärken des Ausgangssignals; Empfangen eines Eingangssteuersignals zum Steuern des ersten Transistors basierend auf einer Hüllkurve des Eingangssignals; wobei optional die Mobilfunkkommunikationsschaltung ferner einen Prozessor umfasst, der ausgelegt ist zum: Detektieren eines Hüllkurvensignals eines empfangenen Signals; Anpassen einer Amplitude und/oder einer Phase des Hüllkurvensignals; und Bereitstellen des Eingangssteuersignals basierend auf dem angepassten Hüllkurvensignal.
  9. Mobilfunkkommunikationsvorrichtung, umfassend: eine Mobilfunkkommunikationsschaltung, umfassend einen Aufwärtswandler, der dazu ausgelegt ist, ein Basisbandkommunikationssignal zu einem Hochfrequenz(HF)-Kommunikationssignal aufwärtszuwandeln; und eine Verstärkerschaltung, umfassend: einen Verstärker, der dazu ausgelegt ist, ein Eingangssignal zu verstärken, das das Hochfrequenz(HF)-Kommunikationssignal umfasst, um ein Ausgangssignal bereitzustellen; einen Verstärkerstapel, der einen ersten Transistor umfasst, der mit dem Verstärker gekoppelt ist, wobei der Verstärkerstapel zu Folgendem ausgelegt ist: Empfangen des Ausgangssignals zum Verstärken des Ausgangssignals; Empfangen eines Eingangssteuersignals zum Steuern des ersten Transistors basierend auf einer Hüllkurve des Eingangssignals; einen Verstärkerschaltungsausgang, der dazu ausgelegt ist, ein Verstärkerausgangssignal basierend auf dem durch den Verstärker empfangenen Eingangssignal bereitzustellen; und eine Antenne, die dazu ausgelegt ist, das Verstärkerausgangssignal zu übertragen; wobei optional die Mobilfunkkommunikationsvorrichtung ferner einen Basisbandprozessor umfasst, der dazu ausgelegt ist, das Basisbandkommunikationssignal bereitzustellen.
  10. Verfahren, umfassend: Verstärken eines Eingangssignals, um ein Ausgangssignal bereitzustellen, durch einen Verstärker; Empfangen des Ausgangssignals durch einen Verstärkerstapel, der einen ersten Transistor umfasst, der mit dem Verstärker gekoppelt ist; Steuern des ersten Transistors basierend auf einer Hüllkurve des Eingangssignals; Verstärken des Ausgangssignals unter Verwendung des ersten Transistors; optional ferner umfassend Anpassen einer Amplitude und/oder einer Phase der Hüllkurve des Eingangssignals.
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