DE102017113407A1

DE102017113407A1 - Strahlungsemittierender Halbleiterchip, Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips und ein Verfahren zur Herstellung einer strahlungsemittierenden Anordnung

Info

Publication number: DE102017113407A1
Application number: DE102017113407.7A
Authority: DE
Inventors: Korbinian Perzlmaier; Christian Eichinger
Original assignee: Osram Opto Semiconductors GmbH
Current assignee: Ams Osram International GmbH
Priority date: 2017-06-19
Filing date: 2017-06-19
Publication date: 2018-12-20
Also published as: WO2018234121A1

Abstract

Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip mit den folgenden Merkmalen angegeben:- einem Halbleiterkörper (1) umfassend:- eine epitaktische Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktive Zone (3), die dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen,- einer Strahlungsaustrittsfläche, von der die im Betrieb des Halbleiterchips erzeugte elektromagnetische Strahlung ausgesandt wird,- einer rückseitigen Hauptfläche, die der Strahlungsaustrittsfläche gegenüberliegt, wobei- ein Mehrschichtenstapel (7) mit einer Barriereschicht (4, 4', 4") und einer Lotschicht (6) auf die rückseitige Hauptfläche des Halbleiterkörpers (1) aufgebracht ist,- die Barriereschicht (4) zwischen der rückseitigen Hauptfläche des Halbleiterkörpers (1) und der Lotschicht (6) angeordnet ist, und- die Lotschicht (6) von außen frei zugänglich ist.Weiterhin werden ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips und ein Verfahren zur Herstellung einer strahlungsemittierenden Anordnung angegeben.

Description

Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip, ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips und ein Verfahren zur Herstellung einer strahlungsemittierenden Anordnung angegeben.
Es soll ein strahlungsemittierender Halbleiterchip angegeben werden, der verbessert auf einen Anschlussträger aufgelötet werden kann. Weiterhin soll ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips angegeben werden, der verbessert aufgelötet werden kann. Außerdem soll ein verbessertes Verfahren zur Herstellung einer strahlungsemittierenden Anordnung bereitgestellt werden.
Diese Aufgaben werden durch einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1, durch ein Verfahren mit den Schritten des Patentanspruchs 11 und durch ein Verfahren mit den Schritten des Patentanspruchs 20 gelöst.
Vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen des strahlungsemittierenden Halbleiterchips und der Verfahren sind jeweils in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
Gemäß einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterchips umfasst dieser einen Halbleiterkörper mit einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge mit einer aktiven Zone, die dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen. Der Halbleiterkörper weist weiterhin eine Strahlungsaustrittsfläche auf, von der die im Betrieb erzeugte elektromagnetische Strahlung ausgesandt wird. Der Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterkörpers liegt eine rückseitige Hauptfläche des Halbleiterkörpers gegenüber. Zwischen der rückseitigen Hauptfläche und der Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterkörpers sind bevorzugt Seitenflächen des Halbleiterkörpers angeordnet. Der Halbleiterkörper kann auch Strahlung über seine Seitenflächen aussenden.
Gemäß einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterchips ist ein Mehrschichtenstapel auf die rückseitige Hauptfläche des Halbleiterkörpers aufgebracht. Der Mehrschichtenstapel umfasst bevorzugt eine Barriereschicht und eine Lotschicht oder ist aus einer Barriereschicht und einer Lotschicht gebildet. Die Barriereschicht ist hierbei bevorzugt dazu geeignet, eine Barriere gegen Bestandteile der Lotschicht auszubilden. Bevorzugt verhindert die Barriereschicht, dass Bestandteile der Lotschicht in den Halbleiterkörper eindringen können, beispielsweise durch Diffusion bei erhöhten Temperaturen wie sie beim Löten entstehen können.
Mit Hilfe der Barriereschicht ist es vorliegend mit Vorteil möglich, Wechselwirkungen zwischen dem Material der Lotschicht und sensitiven Bereichen des Halbleiterkörpers zu vermindern. So schützt die Barriereschicht sensitive Bereiche des Halbleiterkörpers vor dem Lotmaterial. Bei sensitiven Bereichen des Halbleiterkörpers kann es sich beispielsweise um Spiegelschichten, geätzte Seitenflächen oder einen Waferbondbereich handeln.
Die Barriereschicht und die Lotschicht können hierbei in einer Stapelrichtung, die auf einer Haupterstreckungsebene der Barriereschicht und der Lotschicht senkrecht steht, übereinander angeordnet sein. Weiterhin ist es auch möglich, dass die Barriereschicht und die Lotschicht innerhalb des Mehrschichtenstapels teilweise oder vollständig versetzt zueinander angeordnet sind. Sind die Barriereschicht und die Lotschicht teilweise versetzt zueinander angeordnet, so können die Barriereschicht und die Lotschicht miteinander überlappen.
Besonders bevorzugt ist die Barriereschicht teilweise oder vollständig zwischen der rückseitigen Hauptfläche des Halbleiterkörpers und der Lotschicht angeordnet.
Besonders bevorzugt ist die Lotschicht von außen frei zugänglich. Die Lotschicht ist bevorzugt dazu vorgesehen, den Halbleiterchip auf einem weiteren Element wie beispielsweise einem Anschlussträger oder einem Gehäuse mittels Löten zu befestigen. Insbesondere ist die vorliegend als Teil des Halbleiterchips beschriebene Lotschicht noch nicht mit einem anderen Element durch Löten verbunden. Bei dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip handelt es sich also bevorzugt nicht um ein Bauelement, das beispielsweise ein Gehäuse oder einen Gehäusekörper umfasst. Auch ein Anschlussträger ist bevorzugt nicht von dem Halbleiterchip umfasst. Mit anderen Worten ist die Lotschicht Teil des Halbleiterchips. Soll der Halbleiterchip auf ein weiteres Element durch Löten aufgebracht werden, so kann mit Vorteil auf einen zusätzlichen Positionierungsschritt verzichtet werden, der in der Regel notwendig ist, wenn das Lotmaterial auf das Element aufgebracht wird.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterchips ist die Lotschicht gegenüber der Barriereschicht zurückversetzt ausgebildet, so dass ein Randbereich der Barriereschicht frei ist von der Lotschicht. Die Barriereschicht ist in dem Randbereich bevorzugt von außen frei zugänglich. Auf diese Art und Weise sind sensitive Bereiche des Halbleiterkörpers besonders gut gegen Material der Lotschicht geschützt. Insbesondere wird so verhindert, dass Material der Lotschicht auf die Seitenflächen des Halbleiterkörpers oder die Strahlungsaustrittsfläche gelangt.
Bei den besonders gegen Lotmaterial sensitiven Bereichen des Halbleiterchips kann es sich neben der Strahlungsaustrittsfläche beispielsweise um die aktive Zone, Spiegelschichten etwa auf der Rückseite des Halbleiterkörpers, geätzte Seitenflächen des Halbleiterkörpers, elektrische Kontakte oder gebondete Grenzflächen handeln.
Bevorzugt verläuft der Randbereich der Barriereschicht, der frei ist von der Lotschicht, vollständig umlaufend um einen zentralen Bereich der rückseitigen Hauptfläche des Halbleiterkörpers. Die Lotschicht füllt den zentralen Bereich bevorzugt vollständig aus. Bevorzugt bildet die Lotschicht in dem zentralen Bereich eine oder mehrere Lötstellen aus.
Beispielsweise weist der Randbereich ungefähr eine Breite von 5 % der rückseitigen Hauptfläche des Halbleiterkörpers auf. Weiterhin ist es auch möglich, dass der Randbereich eine Breite aufweist, die ungefähr der Dicke der Barriereschicht entspricht. Bevorzugt beträgt die Breite des Randbereichs mindestens 50 Nanometer.
Die Barriereschicht weist bevorzugt eine Dicke zwischen einschließlich 30 Nanometer und einschließlich 1 Mikrometer auf. Besonders bevorzugt weist die Dicke der Barriereschicht einen Wert zwischen einschließlich 100 Nanometer und einschließlich 500 Nanometer auf.
Besonders bevorzugt ist die Lotschicht dicker ausgebildet als die Barriereschicht. Die Lotschicht kann eine Dicke aufweisen, die ungefähr 5 % der Fläche der Lötstelle beträgt. Beispielsweise weist die Dicke der Lotschicht einen Wert zwischen einschließlich 100 Nanometer und einschließlich 1 Mikrometer auf.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterchips weist die Barriereschicht eines der folgenden Materialien auf oder besteht aus einem der folgenden Materialien: TiW, TiWN, WN, TiN, TaN, W, Ti, Ta, Ni, Pd, Pt, Al, Cu, Cr, Hf, Nb, Zr, V, InO, ITO (Indiumzinnoxid), NiSi, CuSi, AlSi. Besonders vorteilhaft sind hierbei die folgenden Materialien für die Barriereschicht: Al, Cr, V, ITO.
Die Lotschicht kann beispielsweise eines der folgenden Materialien aufweisen oder aus einem der folgenden Materialien bestehen: AuSn, AuIn, NiSn, GaBi, AgSn, SnAgCu, ZnAgCu, AgCuZnCd, CuZn, Sb, Ag, Bi, Cu, Sn, Pb, Au, Ga, Cd, In, Zn, InSn, InSnBi. Insbesondere kann die Lotschicht eine Kombination von mindestens zwei der folgenden Materialien aufweisen: Sb, Ag, Bi, Cu, Sn, Pb, Au, Ga, Cd, In, Zn, InSn, InSnBi. Besonders vorteilhaft sind hierbei die folgenden Materialien für die Lotschicht: GaBi, SnAgCu, InSn, InSnBi, In, Sn.
Neben der Barriereschicht und der Lotschicht kann der Mehrschichtenstapel weitere Barriereschichten aufweisen. Die Barriereschichten können beispielsweise übereinander entlang der Stapelrichtung angeordnet sein und vollständig überlappen. Beispielsweise sind die folgenden Materialkombinationen für zwei Barriereschichten, die derart angeordnet sind, geeignet: Ti/Pt, Ta/Pd, Ni/Pt, Ni/Pd. Weiterhin ist es auch möglich, dass sich mehrere Barriereschichten dieser Materialpaarungen mehrfach alternierend wiederholen, beispielsweise dreimal.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterchips ist die Barriereschicht in direktem Kontakt auf die rückseitige Hauptfläche des Halbleiterkörpers aufgebracht. Bevorzugt ist die Lotschicht wiederum in direktem Kontakt auf die Barriereschicht aufgebracht.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterchips ist die Barriereschicht gegenüber den Seitenflächen des Halbleiterkörpers zurückversetzt angeordnet, so dass ein Randbereich der rückseitigen Hauptfläche des Halbleiterkörpers frei ist von der Barriereschicht. Bevorzugt ist der Randbereich der rückseitigen Hauptfläche von außen frei zugänglich. Durch diese Anordnung wird eine Benetzung der Seitenflächen des Halbleiterkörpers und damit eine Schädigung der sensitiven Bereiche des Halbleiterkörpers durch das Lot weiter vermindert.
Der Halbleiterkörper kann beispielsweise ein Substrat aufweisen, auf dem die epitaktische Halbleiterschichtenfolge angeordnet ist. Beispielsweise kann es sich bei dem Substrat um ein Wachstumssubstrat der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge handeln. Weiterhin ist es auch möglich, dass das Substrat von einem Wachstumssubstrat der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge verschieden ist. Schließlich ist es auch möglich, dass der Halbleiterkörper frei ist von einem Substrat und im Wesentlichen durch die epitaktische Halbleiterschichtenfolge gebildet ist.
Das Substrat kann elektrisch leitend oder elektrisch isolierend ausgebildet sein. Es ist möglich, dass eine rückseitige Hauptfläche des Halbleiterkörpers durch eine Oberfläche des Substrats gebildet ist. Ist das Substrat elektrisch leitend ausgebildet, so findet in der Regel eine elektrische Kontaktierung der aktiven Zone über die rückseitige Hauptfläche des Halbleiterkörpers statt.
Beispielsweise kann das Substrat eines der folgenden Materialien aufweisen oder aus einem der folgenden Materialien bestehen: Silizium, Germanium, Galliumarsenid. Diese Materialien sind bevorzugt elektrisch leitend ausgebildet. Weiterhin ist es auch möglich, dass das Substrat Saphir aufweist oder aus Saphir gebildet ist. Saphir ist in der Regel elektrisch isolierend und durchlässig für Strahlung der aktiven Zone, insbesondere für blaues Licht. Weiterhin könnte als strahlungsdurchlässiges Substrat auch GaAs verwendet werden, wenn die aktive Zone Strahlung aus dem infraroten Spektralbereich aussendet. Umfasst der Halbleiterkörper ein strahlungsdurchlässiges Substrat wie Saphir oder GaAs, so sendet er in der Regel auch Strahlung über seine Seitenflächen aus.
Gemäß einer Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterchips weist der Halbleiterkörper ein elektrisch leitendes Substrat auf und die rückseitige Hauptfläche ist durch eine Oberfläche des Substrats gebildet. Hierbei ist der Mehrschichtenstapel ebenfalls besonders bevorzugt elektrisch leitend ausgebildet und steht in elektrischem Kontakt mit dem Substrat des Halbleiterkörpers. Auf diese Art und Weise kann der Halbleiterkörper über die rückseitige Hauptfläche elektrisch kontaktiert werden. Besonders bevorzugt bildet die Lotschicht des Mehrschichtenstapels hierbei zumindest eine Lötstelle aus.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterchips weist der Halbleiterkörper ein Substrat auf, das elektrisch isolierend ausgebildet ist, wobei die rückseitige Hauptfläche durch eine Oberfläche des Substrats gebildet ist. Hierbei ist auch der Mehrschichtenstapel bevorzugt elektrisch isolierend ausgebildet. Bei dieser Ausführungsform ist die Lotschicht lediglich zur Befestigung auf einem weiteren Element, wie beispielsweise einem Anschlussträger, vorgesehen. Die elektrische Kontaktierung des Halbleiterkörpers erfolgt besonders bevorzugt über eine Vorderseite des Halbleiterkörpers, die bei dieser Ausführungsform in der Regel die Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterkörpers sowie zwei elektrische Kontakte umfasst.
Weiterhin ist es auch möglich, dass die rückseitige Hauptfläche des Halbleiterkörpers zumindest stellenweise durch eine Oberfläche der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge gebildet ist. Bei dieser Ausführungsform ist die Barriereschicht bevorzugt elektrisch leitend ausgebildet und auf einen ersten elektrischen Kontakt an der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge aufgebracht. Weiterhin umfasst der Mehrschichtenstapel hierbei bevorzugt eine weitere Barriereschicht, die elektrisch isolierend ausgebildet ist und teilweise versetzt zu der elektrisch leitenden Barriereschicht auf die rückseitige Hauptfläche aufgebracht ist. Die weitere Barriereschicht ist hierbei bevorzugt dazu vorgesehen, einen zweiten elektrischen Kontakt von dem ersten elektrischen Kontakt elektrisch zu isolieren.
Weiterhin ist es grundsätzlich auch denkbar, auf die Barriereschicht zumindest einen elektrischen Kontakt aufzubringen.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform des strahlungsemittierenden Halbleiterchips umfasst die Lotschicht eine erste Lötstelle, eine zweite Lötstelle und eine dritte Lötstelle. Weiterhin ist es auch möglich, dass die Lotschicht aus einer ersten Lötstelle, einer zweiten Lötstelle und einer dritten Lötstelle gebildet ist.
Bevorzugt sind die erste Lötstelle mit einem ersten elektrischen Kontakt des Halbleiterkörpers und die zweite Lötstelle mit einem zweiten elektrischen Kontakt des Halbleiterkörpers elektrisch leitend verbunden. Die dritte Lötstelle ist bevorzugt elektrisch isoliert zu dem Halbleiterkörper ausgebildet. Die erste Lötstelle, die zweite Lötstelle und die dritte Lötstelle sind dazu vorgesehen, den Halbleiterchip mit einem Element, wie einem Anschlussträger oder einem Gehäuse, mechanisch stabil zu verbinden. Zusätzlich wird bei dieser Ausführungsform bevorzugt eine elektrische Kontaktierung des ersten elektrischen Kontakts und des zweiten elektrischen Kontakts über die erste Lötstelle und die zweite Lötstelle erzeugt. Die dritte Lötstelle ist bevorzugt dazu vorgesehen, lediglich Wärme effektiv von der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge abzuleiten.
Der hier beschriebene strahlungsemittierende Halbleiterchip kann beispielsweise mit einem im Folgenden beschriebenen Verfahren hergestellt werden. Merkmale, die vorliegend lediglich im Zusammenhang mit dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip beschrieben sind, können ebenfalls bei dem Verfahren ausgebildet sein und umgekehrt.
Bei einem Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips wird bevorzugt zunächst ein Halbleiterkörper bereitgestellt, der eine epitaktische Halbleiterschichtenfolge mit einer aktiven Zone umfasst. Die aktive Zone ist bevorzugt dazu geeignet, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen.
Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens wird ein Mehrschichtenstapel mit einer Barriereschicht und einer Lotschicht auf einer rückseitigen Hauptfläche des Halbleiterkörpers abgeschieden. Hierbei wird die Barriereschicht bevorzugt zwischen der rückseitigen Hauptfläche des Halbleiterkörpers und der Lotschicht angeordnet. Besonders bevorzugt ist die Lotschicht bei dem fertigen Halbleiterchip von außen frei zugänglich.
Besonders bevorzugt findet das Verfahren auf Waferlevel statt. Mit anderen Worten wird bevorzugt eine Vielzahl an Halbleiterkörpern in einem Waferverbund bereitgestellt, auf dem der Mehrschichtenstapel mit der Barriereschicht und der Lotschicht abgeschieden wird. Aus Gründen der Einfachheit wird das Verfahren und dessen Ausführungsformen vorliegend anhand eines einzelnen Halbleiterkörpers beschrieben und begrifflich nicht zwischen dem Mehrschichtenstapel mit der Barriereschicht und der Lotschicht auf einem einzelnen Halbleiterkörper und auf mehreren Halbleiterkörpern im Waferverbund unterschieden.
Findet das Verfahren auf Waferlevel statt, so werden die Halbleiterchips am Ende des Verfahrens bevorzugt in eine Vielzahl an einzelnen Halbleiterchips vereinzelt, beispielsweise mittels Sägen.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird die Barriereschicht vollflächig auf der rückseitigen Hauptfläche des Halbleiterkörpers abgeschieden.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird die Lotschicht strukturiert auf die Barriereschicht aufgebracht, so dass die Barriereschicht in einem Randbereich frei bleibt von der Lotschicht. Mit anderen Worten wird die Lotschicht bei dieser Ausführungsform des Verfahrens beim Abscheiden bereits strukturiert. Ein weiterer Verfahrensschritt zur Strukturierung der Lotschicht findet bevorzugt nicht statt. Beispielsweise kann die Lotschicht unter Verwendung einer Maske, wie einer Fotolackmaske, strukturiert aufgebracht werden.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird die Barriereschicht strukturiert auf die rückseitige Hauptfläche des Halbleiterkörpers aufgebracht, so dass ein Randbereich der rückseitigen Hauptfläche frei bleibt von der Barriereschicht. Die Lotschicht wird bei dieser Ausführungsform des Verfahrens ebenfalls bevorzugt strukturiert auf die Barriereschicht aufgebracht, so dass ein Randbereich der Barriereschicht frei bleibt von der Lotschicht. Mit anderen Worten werden die Lotschicht und die Barriereschicht bei dieser Ausführungsform des Verfahrens beim Abscheiden bereits strukturiert. Ein weiterer Verfahrensschritt zur Strukturierung der Lotschicht und/oder der Barriereschicht findet bevorzugt nicht statt.
Besonders bevorzugt werden die Barriereschicht und die Lotschicht bei der strukturierten Aufbringung unter Verwendung einer einzigen Fotolackmaske abgeschieden. Die Fotolackmaske ist bevorzugt auf die rückseitige Hauptfläche des Halbleiterkörpers aufgebracht. Dies kann beispielsweise durch die Verwendung unterschiedlicher Abscheidemethoden für die Lotschicht und die Barriereschicht erzielt werden. So kann die Barriereschicht beispielsweise durch Sputtern abgeschieden werden und die Lotschicht durch thermisches Verdampfen.
Sollen die Lotschicht und die Barriereschicht unter Verwendung einer einzigen Fotolackmaske strukturiert abgeschieden werden, so kann die Barriereschicht unter Verwendung eines Streugases, wie etwa Argon, durch thermisches Verdampfen abgeschieden werden und die Lotschicht auf die Barriereschicht durch thermisches Verdampfen ohne Streugas abgeschieden werden. Hierbei streut das Streugas beim thermischen Verdampfen die Partikel des abzuscheidenden Materials der Barriereschicht und erzeugt so eine größere Fläche an abgeschiedenem Material als ohne Streugas. So kann eine Barriereschicht erzielt werden, die eine größere Fläche aufweist als die nachfolgend ohne Streugas abgeschiedene Lotschicht.
Weiterhin ist es auch möglich, die Barriereschicht und die Lotschicht unter Verwendung einer einzigen Fotolackmaske strukturiert aufzubringen, indem ein Planetengetriebe mit einer Vielzahl an Kalotten sowie eine einzige Kalotte verwendet wird. Die Kalotten sind beispielsweise domförmig ausgebildet. Hierbei wird die Barriereschicht bevorzugt unter Verwendung eines Planetengetriebes mit einer Vielzahl an Kalotten durch thermisches Aufdampfen abgeschieden. Die Halbleiterkörper werden hierbei auf die Kalotten aufgebracht und die Kalotten werden durch das Planetengetriebe bei der Abscheidung der Barriereschicht gegeneinander rotieren, so dass eine größere Fläche auf den rückseitigen Hauptflächen der Halbleiterkörper mit dem Material der Barriereschicht bedeckt wird. Die Lotschicht wird dann unter Verwendung einer einzigen Kalotte, auf die die Halbleiterkörper aufgebracht sind, durch thermisches Aufdampfen abgeschieden. Da die Rotation der Kalotten durch das Planetengetriebe gegeneinander fehlt, wird eine kleinere Fläche mit dem Material der Lotschicht bedeckt.
Schließlich kann zum Abscheiden einer strukturierten Barriereschicht und einer strukturierten Lotschicht unter Verwendung einer einzigen Fotolackmaske eine Fotolackmaske verwendet werden, die eine erste Fotolackschicht und eine zweite Fotolackschicht unterschiedlicher Dicken umfasst. Die erste Fotolackschicht ist hierbei bevorzugt in direktem Kontakt auf die rückseitige Hauptfläche des Halbleiterkörpers aufgebracht und weist eine kleinere Dicke auf als die zweite Fotolackschicht, die auf die erste Fotolackschicht ebenfalls in direktem Kontakt aufgebracht ist. Auch mit Verwendung einer derartigen Fotolackmaske kann eine strukturierte Abscheidung der Barriereschicht und der Lotschicht unter Verwendung einer einzigen Fotolackmaske erzielt werden.
Hierbei kann bei dem Abscheiden der Barriereschicht auf ein Streugas verzichtet werden.
Weiterhin ist es auch möglich, dass die Barriereschicht und/oder die Lotschicht zuerst vollflächig abgeschieden werden und in einem nachfolgenden Schritt strukturiert werden, so dass der Randbereich der Barriereschicht frei ist von der Lotschicht und/oder der Randbereich der rückseitigen Hauptfläche des Halbleiterkörpers frei ist von der Barriereschicht.
Bei einem Verfahren zur Herstellung einer strahlungsemittierenden Anordnung wird bevorzugt zumindest ein hier beschriebener Halbleiterchip bereitgestellt und durch Löten der Lotschicht auf einem weiteren Element, wie einem Substrat, einem Träger, einem Gehäuse oder einem Anschlussträger mechanisch stabil befestigt. Besonders bevorzugt wird bei dem Verfahren kein zusätzliches Lotmaterial, das nicht mit dem Halbleiterchip in mechanischer Verbindung steht, verwendet. Mit anderen Worten wird nur die Lotschicht zum Löten eingesetzt. Das Verfahren weist den Vorteil auf, dass Komponenten des Halbleiterkörpers vor dem Lotmaterial geschützt sind und außerdem auf einen zusätzlichen Positionierungsschritt verzichtet werden kann.
Weitere vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsbeispielen.
Anhand der schematischen Schnittdarstellungen der 1 bis 3 wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips gemäß einem Ausführungsbeispiel näher beschrieben.
Anhand der schematischen Schnittdarstellungen der 4 bis 6 wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel näher beschrieben.
7 zeigt eine schematische Schnittdarstellung eines zu dem Verfahrensschritt gemäß 5 alternativen Verfahrensschritts.
Anhand der schematischen Schnittdarstellungen der 8 bis 10 wird ein Verfahren gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel näher erläutert.
Die 11 bis 14 zeigen jeweils eine schematische Schnittdarstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips gemäß einem Ausführungsbeispiel.
15 zeigt eine schematische Draufsicht auf den Halbleiterchip gemäß dem Ausführungsbeispiel der 14.
Anhand der schematischen Schnittdarstellung der 16 wird ein Verfahren zur Herstellung einer strahlungsemittierenden Anordnung gemäß einem Ausführungsbeispiel näher erläutert.
Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente, insbesondere Schichtdicken, zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
Bei dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der 1 bis 3 wird zunächst ein Halbleiterkörper 1 bereitgestellt, der eine epitaktische Halbleiterschichtenfolge 2 mit einer aktiven Zone 3 aufweist. Die aktive Zone 3 ist dazu geeignet, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen. Die epitaktische Halbleiterschichtenfolge 2 ist auf einem Substrat 18 angeordnet, dessen Oberfläche eine rückseitige Hauptfläche des Halbleiterkörpers 1 ausbildet. Auf der rückseitigen Hauptfläche des Halbleiterkörpers 1 wird eine Barriereschicht 4 vollflächig abgeschieden (1).
In einem nächsten Schritt, der schematisch in 2 dargestellt ist, wird eine Fotolackmaske 5 auf die vollflächig abgeschiedene Barriereschicht 4 aufgebracht. Die Fotolackmaske 5 weist Öffnungen auf, durch die die Barriereschicht 4 frei zugänglich ist. In einem nächsten Schritt wird eine Lotschicht 6 in den Öffnungen auf der Barriereschicht 4 abgeschieden.
In einem nächsten Schritt, der schematisch in 3 dargestellt ist, wird die Fotolackmaske 5 entfernt.
Der strahlungsemittierende Halbleiterchip gemäß dem Ausführungsbeispiel der 3 weist eine Barriereschicht 4 auf, die vollflächig auf eine rückseitige Hauptfläche des Halbleiterkörpers 1 aufgebracht ist. Die Lotschicht 6 ist in direktem Kontakt auf die Barriereschicht 4 aufgebracht und zurückversetzt gegenüber der Barriereschicht 4 ausgebildet, so dass ein Randbereich der Barriereschicht 4 von außen frei zugänglich ist. Die Barriereschicht 4 und die Lotschicht 6 bilden einen Mehrschichtenstapel 7 aus.
Bei dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der 4 bis 6 wird im Unterschied zu dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der 1 bis 3 die Fotolackmaske 5 vor dem Abscheiden der Barriereschicht 4 auf die rückseitige Hauptfläche des Halbleiterkörpers 1 aufgebracht (4). Die Fotolackmaske 5 weist Öffnungen auf, durch die die rückseitige Hauptfläche des Halbleiterkörpers 1 frei zugänglich ist.
In einem nächsten Schritt, der schematisch in 5 dargestellt ist, wird die Barriereschicht 4 durch die Öffnungen der Fotolackmaske 5 auf die rückseitige Hauptfläche des Halbleiterkörpers 1 abgeschieden. Die Barriereschicht 4 wird beispielsweise mittels thermischem Verdampfen unter Verwendung eines Streugases, wie etwa Argon, abgeschieden. Auf diese Art und Weise wird eine vergleichsweise große Fläche der rückseitigen Hauptfläche mit der Barriereschicht 4 bedeckt. In einem nächsten Schritt wird die Lotschicht 6 auf der Barriereschicht 4 abgeschieden, ebenfalls mittels thermischem Verdampfen, wobei auf ein Streugas verzichtet wird. Auf diese Art und Weise ist die Fläche, die die Lotschicht 6 bedeckt, kleiner als die Fläche, die die Barriereschicht 4 bedeckt. Dann wird die Fotolackmaske 5 wieder entfernt (6).
Auf diese Art und Weise wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip erzeugt, bei dem auf eine rückseitige Hauptfläche des Halbleiterkörpers 1 eine Barriereschicht 4 aufgebracht ist, die zurückversetzt zu Seitenflächen des Halbleiterkörpers 1 angeordnet ist. Ein Randbereich der rückseitigen Hauptfläche ist hierbei frei von der Barriereschicht 4 und von außen frei zugänglich. Die Lotschicht 6 ist weiterhin ebenfalls zurückversetzt zu der Barriereschicht 4 auf dieser angeordnet, so dass ein Randbereich der Barriereschicht 4 frei ist von der Lotschicht 6 und darüber hinaus von außen frei zugänglich ist.
7 zeigt einen Verfahrensschritt, der alternativ zu dem Verfahrensschritt gemäß der 5 durchgeführt werden kann.
Bei dem Verfahrensschritt gemäß der 7 wird eine Fotolackmaske 5 verwendet, die aus zwei unterschiedlichen Fotolackschichten 8, 9 aufgebaut ist. Eine erste Fotolackschicht 8 ist hierbei in direktem Kontakt auf die rückseitige Hauptfläche des Halbleiterkörpers 1 aufgebracht und weist eine kleinere Dicke auf als eine zweite Fotolackschicht 9, die auf die erste Fotolackschicht 8 ebenfalls in direktem Kontakt aufgebracht ist. Auch mit Verwendung einer derartigen Fotolackmaske 5 kann eine strukturierte Abscheidung der Barriereschicht 4 und der Lotschicht 6 unter Verwendung einer einzigen Fotolackmaske 5 erzielt werden. Hierbei kann bei dem Abscheiden der Barriereschicht 4 auf ein Streugas verzichtet werden.
Bei dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der 8 bis 10 wird auf die rückseitige Hauptfläche des Halbleiterkörpers 1 zunächst eine Barriereschicht 4 vollflächig abgeschieden. Auf der Barriereschicht 4 wird wiederum eine Lotschicht 6 ebenfalls vollflächig abgeschieden (8).
In einem nächsten Schritt, der schematisch in 9 dargestellt ist, wird dann auf die Lotschicht 6 eine Maske aufgebracht, beispielsweise eine Fotolackmaske 5. Unter Verwendung der Maske 5 wird die Lotschicht 6 im Randbereich der Barriereschicht 4 entfernt, so dass die Lotschicht 6 zurückversetzt zu der Barriereschicht 4 ausgebildet ist. In einem nächsten Schritt wird die Maske wieder entfernt ( 10). Es entsteht wiederum ein Halbleiterchip, wie er bereits anhand der 3 beschrieben wurde.
Bei dem Halbleiterchip gemäß dem Ausführungsbeispiel der 11 sind die Seitenflächen des Halbleiterkörpers 1 geätzt. Daher sind die Seitenflächen und die dort freiliegende aktive Zone 3 ein sensitiver Bereich 10 des Halbleiterchips. Durch die Anordnung der Lotschicht 6 auf der Barriereschicht 4, wobei die Lotschicht 6 zurückversetzt ist gegenüber der Barriereschicht 4 und die Barriereschicht 4 zurückversetzt ist gegenüber den Seitenflächen des Halbleiterkörpers 1, ist der sensitive Bereich 10 davor geschützt, mit Lotmaterial der Lotschicht 6 verschmutzt zu werden.
Bei dem Halbleiterchip gemäß 12 ist ein weiterer sensitiver Bereich 10 des Halbleiterkörpers 1 direkt unterhalb der Barriereschicht 4 auf der rückseitigen Hauptfläche des Halbleiterkörpers 1 angeordnet. Bei dem sensitiven Bereich 10 kann es sich beispielsweise um Spiegelschichten handeln. Durch die Barriereschicht 4 ist der sensitive Bereich 10 vor dem Lotmaterial der Lotschicht 6 geschützt.
Bei dem Halbleiterchip gemäß dem Ausführungsbeispiel der 13 ist ein weiterer sensitiver Bereich 10 auf der Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterkörpers 1 angeordnet. Insbesondere die Strahlungsaustrittsfläche sollte frei bleiben von dem Lotmaterial, da ansonsten die Lichtabstrahlung gehindert wird. Dies wird bei dem Halbleiterchip der 13 insbesondere dadurch erzielt, dass die Lotschicht 6 zurückversetzt gegenüber der Barriereschicht 4 angeordnet ist.
Bei dem Halbleiterchip gemäß dem Ausführungsbeispiel der 14 und 15 umfasst der Halbleiterkörper 1 eine epitaktische Halbleiterschichtenfolge 2, die zumindest stellenweise eine rückseitige Hauptfläche des Halbleiterkörpers 1 ausbildet.
Auf der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge 2 sind vorliegend zwei elektrische Kontakte 11, 12 angeordnet, die dazu vorgesehen sind, die aktive Zone 3 der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge 2 elektrisch zu kontaktieren. Der erste Kontakt 11 ist umlaufend in einem Randbereich der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge 2 angeordnet.
Auf der rückseitigen Hauptfläche des Halbleiterkörpers 1 ist der Mehrschichtstapel 7 angeordnet, der mehrere Barriereschichten 4, 4', 4" und eine Lotschicht 6 umfasst. Der Mehrschichtenstapel weist eine erste elektrisch leitende Barriereschicht 4, eine zweite elektrisch leitende Barriereschicht 4' und eine elektrisch isolierende Barriereschicht 4" auf. Weiterhin ist eine Metallisierung 13 von dem Mehrschichtenstapel 7 umfasst.
Die erste elektrisch leitende Barriereschicht 4 ist teilweise auf den ersten elektrischen Kontakt 11 und auf den zweiten elektrischen Kontakt 12 aufgebracht. Die erste Barriereschicht 4 ist also strukturiert ausgebildet. Auf die erste Barriereschicht 4 ist teilweise die Metallisierung 13 aufgebracht. Die Metallisierung 13 bedeckt die erste Barriereschicht 4 in dem Bereich, in dem diese auf den ersten elektrischen Kontakt 11 aufgebracht ist, vollständig und in dem Bereich, in dem die erste Barriereschicht 4 auf die zweite Barriereschicht 4' aufgebracht ist, teilweise. Die zweite elektrisch leitende Barriereschicht 4' ist auf die Metallisierung 13 aufgebracht. Die Metallisierung 13 verbindet die erste elektrisch leitende Barriereschicht 4 auf dem zweiten elektrischen Kontakt 11 mit einem Bereich der zweiten elektrisch leitenden Barriereschicht 4', der von dem ersten elektrischen Kontakt 11 elektrisch isoliert ist.
Auf den Bereich der rückseitigen Hauptfläche, der durch die epitaktische Halbleiterschichtenfolge 2 und nicht durch einen der elektrischen Kontakte 11, 12 gebildet ist, ist die elektrisch isolierende Barriereschicht 4" aufgebracht. Die elektrisch isolierende Barriereschicht 4" ist teilweise versetzt zu der ersten elektrisch leitenden Barriereschicht 4 und der zweiten elektrisch leitenden Barriereschicht 4' angeordnet. Die elektrisch isolierende Barriereschicht 4" isoliert den ersten elektrischen Kontakt 11 und insbesondere die Metallisierung 13 elektrisch gegenüber dem ersten elektrischen Kontakt 12.
Auf der zweiten elektrisch leitenden Barriereschicht 4' ist die Lotschicht 6 aufgebracht. Die Lotschicht 6 ist vorliegend strukturiert ausgebildet und aus einer ersten Lötstelle 14, einer zweiten Lötstelle 15 und einer dritten Lötstelle 16 gebildet (15).
Die erste Lötstelle 14 ist mit dem ersten elektrisch leitenden Kontakt 11 durch die erste elektrisch leitende Barriereschicht 4, die zweite elektrisch leitende Barriereschicht 4' und die Metallisierung 13, die auf dem ersten elektrischen Kontakt 11 einen Schichtenstapel ausbilden, elektrisch leitend verbunden.
Die dritte Lötstelle 16 ist ebenfalls über die erste elektrisch leitende Barriereschicht 4, die zweite elektrisch leitende Barriereschicht 4' und die Metallisierung 13 elektrisch leitend mit dem zweiten elektrischen Kontakt 12 verbunden. Die erste Barriereschicht 4 und die zweite Barriereschicht 4' sind hierbei versetzt zueinander angeordnet und durch die Metallisierung 13 elektrisch leitend miteinander verbunden.
Die zweite Lötstelle 15 ist durch die elektrisch isolierende Barriereschicht 4" von der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge 2 und den beiden elektrischen Kontakten 11, 12 elektrisch isoliert und dient nur zur Wärmeableitung von der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge 2 und nicht zur elektrischen Kontaktierung wie die beiden anderen Lötstellen 14, 16.
Bei dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der 16 wird ein Halbleiterchip mit einem Mehrschichtenstapel 7 auf der rückseitigen Hauptfläche des Halbleiterkörpers 1 auf ein weiteres Element, wie einen Anschlussträger 17, aufgelötet. Die Lotschicht 6 ist bei dem Halbleiterchip der 16 zurückversetzt gegenüber der Barriereschicht 4 angeordnet. Der Halbleiterchip kann mit Vorteil direkt aufgelötet werden, ohne dass zusätzliches Lotmaterial aufgebracht werden muss. Da das Lotmaterial gegenüber den Seitenflächen des Halbleiterkörpers 1 zurückversetzt angeordnet ist und mittels der Barriereschicht 6, sind die sensitiven Bereiche des Halbleiterchips bei dem Lötvorgang vor Lotmaterial geschützt.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
Bezugszeichenliste

1: Halbleiterkörper
2: epitaktische Halbleiterschichtenfolge
3: aktive Zone
4, 4', 4": Barriereschicht
5: Fotolackmaske
6: Lotschicht
7: Mehrschichtenstapel
8, 9: Fotolackschichten
10: sensitiver Bereich
11, 12: elektrischer Kontakt
13: Metallisierung
14, 15, 16: Lötstelle
17: Anschlussträger
18: Substrat

Claims

Strahlungsemittierender Halbleiterchip mit: - einem Halbleiterkörper (1) umfassend: - eine epitaktische Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktive Zone (3), die dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, - einer Strahlungsaustrittsfläche, von der die im Betrieb des Halbleiterchips erzeugte elektromagnetische Strahlung ausgesandt wird, - einer rückseitigen Hauptfläche, die der Strahlungsaustrittsfläche gegenüberliegt, wobei - ein Mehrschichtenstapel (7) mit einer Barriereschicht (4, 4', 4") und einer Lotschicht (6) auf die rückseitige Hauptfläche des Halbleiterkörpers (1) aufgebracht ist, - die Barriereschicht (4) zwischen der rückseitigen Hauptfläche des Halbleiterkörpers (1) und der Lotschicht (6) angeordnet ist, und - die Lotschicht (6) von außen frei zugänglich ist.
Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach dem vorherigen Anspruch, bei dem die Lotschicht (6) gegenüber der Barriereschicht (4, 4', 4') zurückversetzt ausgebildet ist, so dass ein Randbereich der Barriereschicht (4, 4', 4') frei ist von der Lotschicht (6).
Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach einem der obigen Ansprüche, bei dem - die Barriereschicht (4, 4', 4') in direktem Kontakt auf die rückseitige Hauptfläche des Halbleiterkörpers (1) aufgebracht ist, und - die Lotschicht (6) in direktem Kontakt auf die Barriereschicht (4, 4', 4") aufgebracht ist.
Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach einem der obigen Ansprüche, bei dem die Barriereschicht (4, 4', 4') gegenüber Seitenflächen des Halbleiterkörpers (1) zurückversetzt angeordnet ist, so dass ein Randbereich der rückseitigen Hauptfläche frei ist von der Barriereschicht (4, 4', 4').
Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach einem der obigen Ansprüche, bei dem die Barriereschicht (4, 4', 4') eines der folgenden Materialien aufweist: TiW, TiWN, WN, TiN, TaN, W, Ti, Ta, Ni, Pd, Pt, Al, Cu, Cr, Hf, Nb, Zr, V, InO, ITO, NiSi, CuSi, AlSi.
Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach einem der obigen Ansprüche, bei dem die Lotschicht (6) eines der folgenden Materialien aufweist: AuSn, AuIn, NiSn, GaBi, AgSn, SnAgCu, ZnAgCu, AgCuZnCd, CuZn, Sb, Ag, Bi, Cu, Sn, Pb, Au, Ga, Cd, In, Zn, InSn, InSnBi.
Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach einem der obigen Ansprüche, bei dem - der Halbleiterkörper (1) ein elektrisch leitendes Substrat (18) aufweist und die rückseitige Hauptfläche durch eine Oberfläche des Substrats (18) gebildet ist, - der Mehrschichtenstapel (7) elektrisch leitend ausgebildet ist, und - der Mehrschichtenstapel (7) in elektrischem Kontakt mit dem Substrat (18) des Hableiterkörpers (1) steht.
Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem - der Halbleiterkörper (1) ein Substrat (18) aufweist, das elektrisch isolierend ausgebildet ist und die rückseitige Hauptfläche durch eine Oberfläche des Substrats (18) gebildet ist, und - der Mehrschichtenstapel (7) elektrisch isolierend ausgebildet ist.
Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem - die rückseitige Hauptfläche des Halbleiterkörpers (1) zumindest stellenweise durch eine Oberfläche der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (2) gebildet ist, - die Barriereschicht (4, 4', 4') elektrisch leitend ausgebildet ist und auf einen ersten elektrischen Kontakt (11) an der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (2) aufgebracht ist, - der Mehrschichtenstapel (7) eine weitere Barriereschicht (4, 4', 4') umfasst, die elektrisch isolierend ausgebildet ist und versetzt zu der elektrisch leitenden Barriereschicht (4, 4', 4") auf die rückseitige Hauptfläche aufgebracht ist.
Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach einem der obigen Ansprüche, bei dem die Lotschicht (6) eine erste Lötstelle (14), eine zweite Lötstelle (15) und eine dritte Lötstelle (16) umfasst, wobei - die erste Lötstelle (14) mit einem ersten elektrischen Kontakt (11) des Halbleiterkörpers (1) elektrisch leitend verbunden ist, - die zweite Lötstelle (15) mit einem zweiten elektrischen Kontakt (12) des Halbleiterkörpers (1) elektrisch leitend verbunden ist, und - die dritte Lötstelle (16) elektrisch isoliert zu dem Halbleiterkörper (1) ist und der Wärmeabfuhr von dem Halbleiterkörper (1) dient.
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips mit den folgenden Schritten: - Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (1) umfassend eine epitaktische Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Zone (3), die dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, - Abscheiden eines Mehrschichtenstapels (7) mit einer Barriereschicht (4, 4', 4') und einer Lotschicht (6) auf einer rückseitigen Hauptfläche des Halbleiterkörpers (1), wobei - die Barriereschicht (4, 4', 4') zwischen der rückseitigen Hauptfläche des Halbleiterkörpers (1) und der Lotschicht (6) angeordnet wird, und - die Lotschicht (6) frei zugänglich ist.
Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, bei dem die Barriereschicht (4, 4', 4') vollflächig auf der rückseitigen Hauptfläche des Halbleiterkörpers (1) abgeschieden wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 12, bei dem die Lotschicht (6) strukturiert auf die Barriereschicht (4, 4', 4') aufgebracht wird, so dass die Barriereschicht (4, 4', 4') in einem Randbereich frei bleibt von der Lotschicht (6).
Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, bei dem die Lotschicht (6) unter Verwendung einer Maske (5) strukturiert aufgebracht wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 11 und 13 bis 14, bei dem - die Barriereschicht (4, 4', 4") strukturiert auf die rückseitige Hauptfläche des Halbleiterkörpers (1) aufgebracht wird, so dass ein Randbereich der rückseitigen Hauptfläche des Halbleiterkörpers (1) frei bleibt von der Barriereschicht (4, 4', 4'), und - die Lotschicht (6) strukturiert auf die Barriereschicht (4, 4', 4') aufgebracht wird, so dass ein Randbereich der Barriereschicht (4, 4', 4') frei bleibt von der Lotschicht (6) .
Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, bei dem die Barriereschicht (4, 4', 4') und die Lotschicht (6) unter Verwendung einer einzigen Fotolackmaske (5) aufgebracht werden.
Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, bei dem - die Barriereschicht (4, 4', 4') unter Verwendung eines Streugases durch thermisches Verdampfen abgeschieden wird, und - die Lotschicht (6) durch thermisches Verdampfen ohne Streugas abgeschieden wird.
Verfahren nach Anspruch 15, bei dem - die Barriereschicht (4, 4', 4') unter Verwendung eines Planetengetriebes mit einer Vielzahl an Kalotten durch thermisches Aufdampfen abgeschieden wird, und - die Lotschicht (6) unter Verwendung einer einzigen Kalotte durch thermisches Aufdampfen abgeschieden wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 12, bei dem - die Barriereschicht (4, 4', 4') und die Lotschicht (6) zuerst vollflächig abgeschieden werden, und - die Lotschicht (6) strukturiert wird, so dass der Randbereich der Barriereschicht (4, 4', 4') frei ist, von der Lotschicht (6).
Verfahren zur Herstellung einer strahlungsemittierenden Anordnung, bei dem ein Halbleiterchip gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10 auf ein weiteres Element (17) durch Löten der Lotschicht (6) aufgebracht wird.