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ALLGEMEINER STAND DER TECHNIK
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Die vorliegende Erfindung betrifft im Allgemeinen die Überwachung von Hochspannung in Elektrofahrzeugantrieben und genauer gesagt, die Überwachung von Batterieschützschaltern durch einen Mikrocontroller, der digital von der Hochspannung isoliert ist, ohne von teuren Schalt-/Isolationsvorrichtungen abhängig zu sein.
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Die DC-Stromquelle (z. B. Batterie) und andere Elemente von Elektroantrieben für Hybrid- oder Elektrofahrzeuge erfordern Überwachung, um maximale Effizienz und Leistung zu erreichen sowie mögliche Störungen zu erkennen. Bei gebräuchlichen Batterietypen wie Lithiumionen (Lithium-Ion) wird eine große Anzahl von Zellen zusammen in einem Batteriesatz gestapelt, wodurch Hunderte von Volt erzeugt werden. Es ist aufgrund der beteiligten Hochspannungsebenen sehr schwierig, verschiedene Zustände der Batterie und des Elektroantriebssystems, des Bereichs der Mittelspannungen, bei denen jeweilige Zellen innerhalb des Satzes betrieben werden, und des hohen Maßes an erforderlicher Genauigkeit eine große Herausforderung, zuverlässig zu überwachen.
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Überwachte Spannungen der Batteriezellen, des Batteriesatzes und der zugehörigen Geräte dienen zur Durchführung von Batterieverwaltung und -kommunikation durch einen Haupt-Mikrocontroller oder Mikroprozessor. Einige der zu überwachenden primären Komponenten beinhalten die Batterieschützschalter, die den Batteriesatz mit den Fahrzeuglasten (z.B. den Wechselrichter für den Antrieb eines Elektromotors) verbinden. Der Haupt-Mikro ist normalerweise in einem diskreten Batteriesteuermodul oder einer Box positioniert, die eine Schnittstelle zu anderen Fahrzeugkomponenten wie einen Fahrzeugsystem-/Antriebsstrang-Controller oder einem Fahrerschnittstellenmodul aufweist. Daher verwendet der Haupt-Mikro eine Karosseriemasse als seine Spannungsreferenz. Die Karosseriemasse ist von der Referenz der Hauptbatterie isoliert, die auf einem negativen Batteriebus bereitgestellt wird.
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In dem Batteriesatz oder an anderer Stelle in dem Hochspannungssystem (z.B. den Hauptschützen) eingesetzte Überwachungsschaltungen werden auf den negativen Bus verwiesen. Da sie in dem Hochspannungsbereich verbunden sind, müssen sie mit dem Haupt-Mikro durch Bereichskreuzungselemente kommunizieren, die digitale Isolation zwischen der Hochspannungsbatterie und dem Karosseriemassebereich (z.B. Niedervoltbereich) des Haupt-Mikro bereitstellen.
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Überwachungsfunktionen wie z.B. die Überprüfung des Status des Hauptschützes erfolgen normalerweise nicht auf einer kontinuierlichen Basis. Stattdessen wird eine Überwachungsschaltung dann selektiv eingeschaltet, wenn der Haupt-Mikro den Schützstatus überprüfen muss. Intermittierende Überprüfung reduziert den Stromverbrauch und reduziert Schaltungsinteraktionen. Aufgrund der Hochspannungsumgebung waren jedoch die zum Schalten und zur Isolation verwendeten Halbleiterbauelemente relativ teuer. Beispielsweise wurden PhotoMOS-Schalter und Opto-Isolatoren mit relativ hohen Spannungen und hohen Preisen erforderlich. Es wäre sehr wünschenswert, die Verwendung von solchen teuren Komponenten zu vermeiden und beispielsweise gleichzeitig die robuste Erfassung des Status der Schützschalter beizubehalten.
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KURZDARSTELLUNG DER ERFINDUNG
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In einem Aspekt der Erfindung wird eine Abtastschaltung verwendet, um eine Hochspannungsebene in einem Elektrofahrzeugantrieb zu überwachen. Die Schaltung beinhaltet eine Widerstandsleiter, die eine Mehrzahl von Vorwiderständen umfasst, wobei ein erstes Ende der Widerstandsleiter verbunden ist, um die Steuerspannung zu empfangen, bei der eine Abtastung vorzunehmen ist. Eine Rückwärtssperrdiode ist in Reihe mit der Leiter verbunden und eingerichtet, um einen Abtaststrom als Reaktion auf die Steuerspannung zu leiten. Der Drain-Anschluss eines N-Kanal-MOSFET ist mit der Reihenkombination der Leiter und der Diode verbunden. Ein Referenzwiderstand ist zwischen einem Source-Anschluss des MOSFET und einer Massereferenz der Steuerspannung verbunden. Eine Verbindungsstelle zwischen dem Source-Anschluss des MOSFET und dem Referenzwiderstand stellt eine gesampelte Ausgangsspannung bereit, die angepasst ist, um in einen Analog-Digital-Wandler-Eingang eingegeben zu werden. Ein diskreter Optokoppler weist eine Ausgangsseite mit einem Kollektor und einem Emitter auf. Der Kollektor ist mit der Widerstandsleiter verbunden, und der Emitter ist mit einem Gatter-Anschluss des MOSFET verbunden, und durch einen Lastwiderstand mit der Massereferenz verbunden.
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KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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1 ist ein schematisches Blockdiagramm, das eine Ausführungsform eines elektrischen Antriebssystems nach dem Stand der Technik darstellt.
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2 ist ein schematisches Diagramm, das eine weitere Ausführungsform einer Hochspannungs-Abtastschaltung nach dem Stand der Technik darstellt.
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3 ist ein schematisches Diagramm einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung unter Verwendung von preisgünstigeren Geräten wie z.B. eines N-Kanal-MOSFET anstatt eines PhotoMOS-Geräts.
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4 ist ein schematisches Diagramm einer anderen bevorzugten Ausführungsform der Erfindung, die einen Gatter-Boost für einen Abtastschalter beinhaltet.
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5 ist ein schematisches Diagramm einer anderen bevorzugten Ausführungsform für zunehmende Isolation und Verringerung der Schaltzeit (d.h. Erhöhung der Schaltgeschwindigkeit) mit einem zweiten N-Kanal-MOSFET.
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6 ist ein schematisches Diagramm einer anderen bevorzugten Ausführungsform mit getrennten Optokopplern jeweils zum Steuern eines separaten N-Kanal-MOSFET.
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AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG BEVORZUGTER AUSFÜHRUNGSFORMEN
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Unter nun erfolgender Bezugnahme auf 1 beinhaltet ein Elektrofahrzeug-Antriebssystem 10 einen Batteriesatz 11, der Einzelzellen einschließlich einer Mehrzahl von Zellen 11a–11k beinhaltet. Eine Mehrzahl von Batterieüberwachungs-ICs 12, 13 und 14 ist mit den jeweiligen der Batteriezellen in gestapelter Art verbunden. Zellenüberwachungseingänge 16 verbinden jede entsprechende Zelle mit einem entsprechenden Eingangsanschluss (z.B. Cell0In) der Batterieüberwachungs-ICs 12–14. Die gleichen Zusammenschaltungen, die für die Batterieüberwachungs-IC 12 dargestellt ist, wäre auch bei den Batterieüberwachungs-ICs 13 und 14 vorhanden, wobei aber nicht alle in 1 dargestellt sind. Ein Haupt-Mikroprozessor 15 empfängt Messdaten von einem seriellen Ausgang von IC 12, der durch einen digitalen Isolator 16 verbunden ist, wodurch eine serielle Datenverbindung ausgebildet wird, die in der Lage ist, eine Zwei-Wege-Kommunikation zwischen dem Hochspannungsbereich von IC-12 und der dem karosseriegeerdeten Niederspannungs-Bereich des Haupt-Mikro 15 bereitzustellen. Der Haupt-Mikro 15 ist mit einer Karosseriemasse 17 verbunden, während der Isolationsstromkreis 16 mit der Karosseriemasse 17 und der Hochspannungsmasse 18 verbunden ist.
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Der Ausgang des Batteriesatzes 11 ist zwischen einem positiven Bus 20 und einen negativen Bus 21 verbunden. Die Fahrzeuglasten 22, wie z.B. DC-AC-Wechselrichter für eine Elektromotorantriebsmaschine (der ein DC-DC-Hochsetzsteller vorangestellt werden kann), empfangen jeweils DC-Strom von den Bussen 20 und 21 über die Hauptschützschalter 23 und 24. Ein Vorladeschalter 25 und ein Vorladewiderstand 26 können quer über einen der Schütze verbunden werden (z.B. positiver Schützschalter 23), wie Fachleuten bekannt ist. Schützschalter werden in herkömmlicher Weise angesteuert, wie in dem Bereich bekannt ist.
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Der Haupt-Mikro 15 überwacht den Status der Schützschalter 23 und 24 um sicherzustellen, dass sie richtig auf ihre jeweiligen Steuersignale (nicht dargestellt) reagieren. Daher ist es wünschenswert, die Spannungen an den Lastseiten der Schalter 23 und 24 zu messen, was die Messung im Hochspannungsbereich erfordert. Auf den Status der Schützschalter 23 und 24 kann normalerweise anhand der gemessenen Spannungen an den Verbindungsstellen zwischen den Schützschaltern und der Last geschlossen werden. Beispielsweise umfasst ein erstes bereichskreuzendes Gerät 27 ein PhotoMOS-Gerät mit einem Steuereingang 28, der verbunden ist, um ein Logikpegel-Steuersignal von dem Haupt-Mikro 15 zu empfangen. Ein Referenzeingang 29 erhält eine Referenzspannung vcc von einer Versorgung 30. Der Haupt-Mikro 15 zieht den Eingang 28 auf eine niedrige Logikebene herunter, um eine Fotodiodenlichtquelle 31 in dem PhotoMOS-Gerät 27 zu aktivieren, wodurch ein Ausgangstransistor 32 eingeschaltet wird.
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Ein Widerstand 33 verbindet eine Abzugelektrode des Transistors 32 mit der Lastseite des Schützschalters 23. Eine Quelle von Transistor 32 ist mit einer Seite eines Widerstandes 34 verbunden, dessen andere Seite mit einer Mittelpunkt-Spannungsreferenz 35 an einem Mittelpunkt des Batteriesatzes 11 verbunden ist. In anderen bekannten Ausführungsformen wird keine Mittelpunktreferenz verwendet. Die Quelle des Transistors 32 ist weiterhin mit einem Wandlereingang 36 von einem dedizierten Analog-Digital-Wandler (ADC) 37 verbunden. Eine Hochspannungsbereichs-Hilfsquelle 38 stellt eine Versorgungsspannung Vhh für den ADC 37 bereit. Wenn der Haupt-Mikro 15 eine Bewertung des Status des Schützschalters 23 initiiert, aktiviert er das Bereichskreuzungsgerät 27, wodurch der Transistor 32 eingeschaltet wird und einen Spannungsteiler ausbildet, der Widerstände 33 und 34 zwischen der Lastseite des Kontaktschalters 23 und der Referenzspannung 35 umfasst. Die Spannung an der Verbindungsstelle der Widerstände 33 und 34 wird von dem ADC 37 gesampelt, und der daraus resultierende Digitalwert wird durch einen seriellen Ausgang 39 zu einer Isolationsschaltung 40 für die Übertragung zurück zu einem entsprechenden seriellen Eingang des Haupt-Mikro 15 ausgegeben.
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Um den Status des negativen Schützschalters 24 zu bestimmen, aktiviert ein bereichskreuzendes PhotoMOS-Gerät 41, das auf ähnliche Weise mit dem Haupt-Mikro 15 verbunden ist, einen Spannungsteiler, der Widerstände 42 und 43 zwischen der Mittelpunkt-Referenzspannung 35 und der Lastseite des Schalters 24 umfasst. Eine Spannung, die zwischen den Widerständen 42 und 43 anliegt, wird durch einen invertierenden Verstärker 44 invertiert und mit einem Umwandlungseingang 45 am ADC 37 verbunden, und der daraus resultierende Digitalwert wird von dem Ausgang 39 zurück mit dem Haupt-Mikro 15 verbunden. In jedem Fall bewertet der Haupt-Mikro 15 die von dem Spannungsteiler empfangenen Werte um festzustellen, ob Batteriespannung sichtbar oder nicht sichtbar ist, wie gemäß dem geregelten Status der Schützschalter 23 und 24 erwartet.
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2 stellt eine weitere Abtastschaltung nach dem Stand der Technik dar, die verwendet werden kann, um eine hohe Spannung in Verbindung mit einem Hauptschützrelais oder für andere Hochspannungsknoten in einem Elektrofahrzeug wie z.B. einem Wechselrichter, Generator, einer Pumpe oder einem Batterieladegerät zu sampeln. Bei einem PhotoMOS-Gerät 46 ist eine Eingangsseite so verbunden, dass sie ein AUSWÄHLEN-Signal von einem Controller in einem Niederspannungsbereich erhält. Eine Ausgangsseite des PhotoMOS-Geräts 46 ist zwischen einer zu messenden Hochspannung (HV) und einem Widerstand 47 verbunden. Der Widerstand 47 ist mit einer Hochspannungsmasse 52 über eine Rückwärtssperrdiode 48 und einen Referenzwiderstand 49 verbunden. Die Widerstände 47 und 49 bilden einen Spannungsteiler aus. Wenn die Vorrichtung 46 durch das AUSWÄHLEN-Signal eingeschaltet wird, erzeugt ein Strom durch den Spannungsteiler einen Spannungsabfall über den Widerstand 49 proportional zum Verhältnis des Widerstands 49 zu der Summe der Widerstände des Widerstands 47 und des Widerstands 49. Der Spannungsabfall wird durch einen Filter, der aus einem Widerstand 50 und einem Kondensator 51 besteht, tiefpassgefiltert. Eine Ausgangsspannung des Filters über den Kondensator 51 ist mit einem Analog-Digital-Wandler (nicht dargestellt) verbunden, und das digitale Ergebnis kann für eine digitale Steuerung auf herkömmliche Art bereitgestellt werden.
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In den Schaltungen von 1 und 2 ist die Verwendung von teuren PhotoMOS-Geräten durch die galvanische Nähe der Schalter zu der Hochspannung des Strombusses und durch die Tatsache erforderlich, dass die Ausgangsseite der Isolationsvorrichtung mit dem Spannungsteiler in Reihe geschaltet ist, und den vollen Stromfluss des Spannungsteilers trägt. Wie in den folgenden Ausführungsformen dargestellt, überwindet die vorliegende Erfindung die Beschränkungen des Standes der Technik durch Verwendung kostengünstigerer Teile in einer Schaltung, die außerdem eine verbesserte Zuverlässigkeit erreicht. Insbesondere wird ein N-Kanal-MOSFET an einer relativ niedrigen Spannung nahe der Hochspannungsmasse angeordnet und durch einen Optokoppler angetrieben. Der Optokoppler treibt das Gatter des N-Kanal-MOSFETs an, führt aber nicht den Strom des Spannungsteilers.
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N-Kanal-MOSFETs werden in hohen Stückzahlen produziert und von vielen verschiedenen Herstellern geliefert, was zu geringen Kosten pro Gerät führt. Darüber hinaus ermöglicht die Schaltungstopologie die Verwendung eines Optokopplers zur Bereitstellung der notwendigen Isolation, weshalb kein Opto-Isolator mehr benötigt wird. Ein Optokoppler ist eine kleinere Art von Gerät, das eine Isolation für weniger als etwa 5.000 Volt bereitstellen soll. Es ist ein diskretes Gerät mit einer kleinen Paketgröße, gewöhnlich als Dual-Inline-Paket (DIP) oder Oberflächenmontagegerät (SMD). Dies steht im Gegensatz zu teureren Opto-Isolatoren, die Isolationsspannungen von 5.000 bis über 50.000 Volt liefern, und die größere Paketgrößen erfordern.
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In 3 ist eine Abtastschaltung 55 der vorliegenden Erfindung mit einer Widerstandsleiter 56 dargestellt, die an einem Ende mit einer Hochspannung HV an einem Anschluss 57 verbunden ist. Diese veranschaulichte Ausführungsform ist dazu eingerichtet, ein positives Schütz zu überwachen, und Fachleute können die Schaltung zur Überwachung eines negativen Schützes (z.B. mit der Polarität einiger Komponenten, die umgekehrt sind) leicht anpassen. Das andere Ende der Widerstandsleiter 56 ist mit einer Anode einer Rückwärtssperrdiode 58 verbunden, wobei ihre Kathode mit einem N-Kanal-MOSFET 60 des Erweiterungsmodus verbunden ist. Ein Ausgang des MOSFET 60 ist in Reihe mit der Diode 58 verbunden und ein Referenzwiderstand 61 ist weiterhin mit einer Hochspannungsmasse 62 verbunden. Ein Eingang des MOSFET 60 wird durch einen diskreten Optokoppler 63 gesteuert. Die Eingangsseite des Optokopplers 63 umfasst eine lichtemittierende Diode 64 zum Empfangen eines Auswahlsignals von einem Haupt-Mikrocontroller. Wenn das Auswahlsignal aktiv ist, wird Licht von der LED 64 zu einem Fototransistor 65 an der Ausgangsseite des Optokopplers 63 mit einem Kollektor 66 und einem Emitteranschluss 68 übertragen. Der Kollektor 66 ist mit einem Endwiderstand 67 verbunden, der weiterhin mit der Rückwärtssperrdiode 58 verbunden ist, um eine Versorgungsspannung für den Fototransistor 65 bereitzustellen. Der Emitter 68 ist mit einem Eingang des MOSFET 60 an einem Gatter-Anschluss 70 und mit einem Lastwiderstand 73 verbunden. Wenn der Fototransistor 65 aktiviert ist, liefert er einen Gatter-Strom zu einem Gatter-Anschluss 70 des MOSFET 60, um einen Leitungskanal zu bilden und einen Stromfluss durch den MOSFET 60 von einem Drain-Anschluss 71 zu einem Source-Anschluss 72 bereitzustellen. Die Verbindungsstelle zwischen dem Source-Anschluss 72 und dem Referenzwiderstand 61 stellt eine gesampelte Ausgangsspannung für einen Analog-Digital-Wandler 75 über einen Tiefpassfilter bereit, der einen Widerstand 74R und einen Kondensator 74C umfasst. Die gesampelte Ausgangsspannung ist annähernd gleich dem Verhältnis des Referenzwiderstandes 61 zu dem Gesamtwiderstand für den Weg vom HV-Anschluss 57 zur Referenzmasse 62 über die Widerstandsleiterleiter 56 und den Referenzwiderstand 61. Eine Zenerdiode 80 ist zwischen den Source-Anschluss 72 und den Gatter-Anschluss 70 geschaltet, um vor Überspannungsschäden zu schützen, wie dies in dem Bereich bekannt ist.
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Die Widerstandsleiter 56 umfasst mehrere Vorwiderstände, die so konfiguriert sind, dass sie einen Spannungsabfall bereitstellen, der eine gewünschte Isolation vor den Verbindungen des MOSFET 60 und des Optokopplers 63 erreicht. Die Widerstandsleiter 56 ist mit vier Widerständen 76–79 dargestellt, obwohl eine größere oder kleinere Anzahl von Widerständen in Abhängigkeit von der Größe der Hochspannung verwendet werden kann. Die Anzahl der zu verwendenden Widerstände hängt zum Teil von den einzelnen Bemessungsspannungen der einzelnen Widerstände ab. Eine typische Bemessungsspannung für allgemein verfügbare Widerstandsvorrichtungen kann etwa 150 Volt betragen. Somit wird die Anzahl der Widerstände und ihr jeweiliger Anteil des Gesamtwiderstandes so gewählt, dass jeder jeweilige Spannungsabfall (wenn ein Maximalwert der Spannung HV vorliegt) innerhalb der spezifizierten Bemessungsspannungen jedes einzelnen Geräts gehalten wird. Weiterhin ist das Layout der Widerstandsleiter auf einer Leiterplatte so ausgelegt, dass die notwendigen Kriechweganforderungen, wie sie in dem Bereich bekannt sind, beibehalten werden. Folglich stellt der Widerstandsleiter 56 leicht eine gewünschte Spannungsisolation bereit, um dadurch eine sichere und zuverlässige Verwendung allgemein verfügbarer, relativ kostengünstiger Komponenten für den N-Kanal-MOSFET und den Optokoppler zu ermöglichen (wobei darauf hingewiesen wird, dass der N-Kanal-MOSFET immer noch eine Hochspannungsvorrichtung in Bezug auf eine Durchbruchspannung ist, die ausreicht, um die maximale Batteriespannung zu handhaben).
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Bei der Schaltung in 3 wird der MOSFET 60 in einer „Nachfolge“-Konfiguration verwendet. Folglich würde es einen Spannungsabfall über dem MOSFET 60 entsprechend der Gatterspannung (Vgs) geben, selbst wenn sich der MOSFET 60 im EIN-Zustand befindet. Ein weiterer Spannungsabfall über den Fototransistor 65 kommt zu dem EIN-Zustandsspannungsabfall über den MOSFET 60 hinzu. Die kombinierten Effekte resultieren in einem kleinen Versatz in der gesampelten Spannung, die an der Verbindungsstelle zwischen dem Drain-Anschluss 71 des MOSFET 60 und dem Referenzwiderstand 61 erscheint. Der kleine Versatz kann mit einer Modifikation der erfindungsgemäßen Spannungs-Abtastschaltung, wie in 4 dargestellt, verringert oder beseitigt werden. Diese modifizierte Schaltung stellt einen Gatter-Boost bereit, bei dem der Gate-Treiber zum MOSFET 60 um einen Betrag erhöht wird, der angepasst ist, um dem Spannungsversatz entgegenzuwirken.
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In 4 sind alle gleichen Komponenten wie in 3 dargestellt, mit der Modifikation, dass ein Verbindungspunkt für den Endwiderstand 67 des Optokopplers 63 in eine Position stromaufwärts in der Widerstandsleiter 56 verlagert worden ist. Somit klopft der Endwiderstand 67 in die Widerstandsleiter 56 zwischen den Serienwiderständen 78 und 79. Folglich weist der Emitter des Fototransistors 65 eine höhere Spannung auf, und eine entsprechende Gatter-Ansteuerung, die an den MOSFET 60 angelegt wird, ist höher. Eine höhere Gatter-Steuerspannung verringert den Spannungsabfall über den MOSFET 60. Um die Rückwärtssperrfunktion der Diode 58 für den Optokoppler 63 aufrechtzuerhalten, wird die Rückwärtssperrdiode 58 auch stromaufwärts in die Widerstandsleiter 56 an eine Position stromaufwärts des Endwiderstands 67 bewegt.
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In einer anderen Ausführungsform zur Bereitstellung einer weiteren Isolation kann ein zweiter Erweiterungsmodus-N-Kanal-MOSFET 81 in Reihe hinzugefügt werden, wie in 5 dargestellt. Alternativ kann es wünschenswert sein, zwei oder mehr MOSFETs zu stapeln, um Vorrichtungen mit einer niedrigeren Bemessungsspannung zu verwenden. Ein Source-Anschluss 84 des MOSFET 81 ist mit dem Drain-Anschluss 71 des MOSFET 60 verbunden und ein Drain-Anschluss 83 des MOSFET 81 ist mit dem Widerstandsleiter 56 am Widerstand 79 verbunden. Ein Gatter-Anschluss 82 des MOSFET 81 ist mit dem Emitter des Fototransistors 65 gemeinsam mit dem Gatter-Anschluss 70 des MOSFET 60 verbunden. Zusätzlich zu der erhöhten Isolations- oder Trennspannungsfähigkeit stellt das Hinzufügen von einem zweiten MOSFET in Reihe mit dem ersten zusätzliche Schaltungszuverlässigkeit bereit, und erhöht die Schaltgeschwindigkeit.
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Mit dem Einsatz von einem zweiten MOSFET kann die Spannungsebene, die an den Drain-Anschlüssen der MOSFETs zu beobachten ist, weiter gesteigert werden. Daher kann es wünschenswert werden, zusätzliche Isolation (und/oder schnellere Übergänge bereitzustellen) durch Bereitstellen eines separaten Optokopplers für jeden MOSFET bereitzustellen, wie in 6 dargestellt. Ein Optokoppler 85, der eine LED 86 an seiner Eingangsseite aufweist, und ein Fototransistor 87 an seiner Ausgangsseite, werden zum Steuern des N-Kanal-MOSFET 81 bereitgestellt. Ein Emitter 88 des Fototransistors 87 ist mit dem Gatter-Anschluss 82 des MOSFET 81 und mit dem Source-Anschluss 84 über einen Lastwiderstand 89 verbunden. Eine Zenerdiode 92 schützt vor Überspannungsschäden an dem MOSFET 81. Ein Kollektor 90 des Fototransistors 87 ist mit einer Zwischenverbindungsstelle innerhalb der Widerstandsleiter 56 über einen Endwiderstand 91 verbunden. Wenn daher ein AUSWÄHLEN-Signal auf die LEDs 64 und 86 angewendet wird, dann wird der Fototransistor 87 eingeschaltet und gibt eine Gatter-Ansteuerung an den Gatter-Anschluss 82 aus. Die MOSFETs 60 und 81 werden gleichzeitig eingeschaltet und die Hochspannung wird zuverlässig geteilt und einem Abtastausgang über den Kondensator 74C bereitgestellt. Um den für den MOSFET 60 gewünschten Gatter-Boost aufrechtzuerhalten, wird ein zusätzlicher Widerstand 93 in Reihe zwischen den MOSFETs 60 und 81 positioniert, um dementsprechend die Gatter-Ansteuerung für den MOSFET 60 zu erhöhen.
