DE102016122532A1 - Opto-electric component and method for producing an optoelectronic component - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement mit einem lichtemittierenden Halbleiterchip, einem Konversionselement und einem Körper. Das Konversionselement ist oberhalb einer lichtemittierenden Seite des lichtemittierenden Halbleiterchips angeordnet und in den Körper eingebettet. Auf einer von dem lichtemittierenden Halbleiterchip abgewandten Seite des Konversionselements bedeckt eine Schicht des Körpers das Konversionselement.The invention relates to an optoelectronic component having a light-emitting semiconductor chip, a conversion element and a body. The conversion element is arranged above a light-emitting side of the light-emitting semiconductor chip and embedded in the body. On a side of the conversion element facing away from the light-emitting semiconductor chip, a layer of the body covers the conversion element.

Description

Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements.The invention relates to an optoelectronic component and to a method for producing an optoelectronic component.

Bei optoelektronischen Bauelementen, die weißes Licht abgeben und auf lichtemittierenden Halbleiterchips basieren, ist es wünschenswert, einen weißen Farbeindruck des Bauelements zu erzeugen. Dies kann durch die Einbettung in ein weißes Gehäuse verwirklicht werden. Das weiße Licht wird dabei durch Konversion von blauem Licht in einem Konversionsleuchtstoff erzeugt. Dieser Konversionsleuchtstoff kann nicht weiß ausgeführt werden, sondern hat eine leicht gelbliche Färbung. Ein solches Bauelement kann beispielsweise als Blitz für eine Handy-Kamera vorgesehen sein.In opto-electronic devices that emit white light and are based on light-emitting semiconductor chips, it is desirable to produce a white color impression of the device. This can be achieved by embedding in a white housing. The white light is generated by conversion of blue light in a conversion luminescent material. This conversion luminescent material can not be made white, but has a slightly yellowish color. Such a device can be provided for example as a flash for a mobile phone camera.

Eine Aufgabe der Erfindung ist es, ein optoelektronisches Bauelement zur Verfügung zu stellen, welches bessere optische Eigenschaften beziehungsweise ein besseres Aussehen aufweist. Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, ein Herstellungsverfahren für solch ein optoelektronisches Bauelement anzugeben.An object of the invention is to provide an optoelectronic component which has better optical properties or a better appearance. Another object of the invention is to provide a manufacturing method for such an optoelectronic component.

Diese Aufgabe wird mit dem optoelektronischen Bauelement und dem Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen sind in den abhängigen Patentansprüchen angegeben.This object is achieved with the optoelectronic component and the method for producing an optoelectronic component of the independent patent claims. Further advantageous embodiments are specified in the dependent claims.

Ein optoelektronisches Bauelement weist einen lichtemittierenden Halbleiterchip, ein Konversionselement und einen Körper auf. Das Konversionselement ist oberhalb einer lichtemittierenden Seite des lichtemittierenden Halbleiterchips angeordnet. Vom lichtemittierenden Halbleiterchip emittiertes Licht kann durch das Konversionselement absorbiert und in Licht mit einer größeren Wellenlänge umgewandelt werden. Das Konversionselement ist in den Körper eingebettet. Auf einer dem lichtemittierenden Halbleiterchip abgewandten Seite des Konversionselements ist eine Schicht des Körpers vorgesehen, wobei die Schicht des Körpers das Konversionselement bedeckt. Die Schicht weist dabei eine Dicke von maximal 55 Mikrometer auf.An optoelectronic component has a light-emitting semiconductor chip, a conversion element and a body. The conversion element is arranged above a light-emitting side of the light-emitting semiconductor chip. Light emitted from the light-emitting semiconductor chip can be absorbed by the conversion element and converted into light having a longer wavelength. The conversion element is embedded in the body. On a side facing away from the light-emitting semiconductor chip side of the conversion element, a layer of the body is provided, wherein the layer of the body covers the conversion element. The layer has a maximum thickness of 55 microns.

Dadurch, dass das Konversionselement auf der dem lichtemittierenden Halbleiterchip abgewandten Seite die Schicht des Körpers aufweist, ist der optische Eindruck des gesamten optoelektronischen Bauelements uniform und ein Betrachter erkennt keinen farblichen Unterschied zwischen Bereichen des optoelektronischen Bauelements, an denen das Konversionselement verbaut ist, verglichen mit den restlichen Bereichen des optoelektronischen Bauelements. Durch die Schichtdicke von maximal 55 Mikrometer wird nur ein geringer Anteil des vom lichtemittierenden Halbleiterchip emittierten Lichts von der Schicht absorbiert, so dass der Hauptanteil des Lichts das optoelektronische Bauelement verlässt. Das Aussehen des optoelektronischen Bauelements wird so insgesamt verbessert.Because the conversion element has the layer of the body on the side facing away from the light-emitting semiconductor chip, the visual impression of the entire optoelectronic component is uniform and a viewer does not recognize a color difference between regions of the optoelectronic component on which the conversion element is installed, compared to FIGS remaining areas of the optoelectronic component. Due to the layer thickness of at most 55 micrometers, only a small proportion of the light emitted by the light-emitting semiconductor chip is absorbed by the layer, so that the majority of the light leaves the optoelectronic component. The appearance of the optoelectronic component is improved as a whole.

In einer Ausführungsform bildet der Körper ein Gehäuse. Dadurch wird eine besonders einfache Herstellung des optoelektronischen Bauelements ermöglicht.In one embodiment, the body forms a housing. This allows a particularly simple production of the optoelectronic component.

In einer Ausführungsform ist der Körper ein Spritzgusskörper. Dadurch wird die Herstellung des optoelektronischen Bauelements ebenfalls vereinfacht.In one embodiment, the body is an injection molded body. As a result, the production of the optoelectronic component is likewise simplified.

In einer Ausführungsform weist der Spritzgusskörper ein Silikon, ein Epoxid oder ein Hybrid auf, wobei ein Füllstoff in den Spritzgusskörper eingebettet ist. Insbesondere besteht der Körper aus dem Silikon, dem Epoxid oder dem Hybrid mit dem eingebetteten Füllstoff. Der Füllstoff kann dabei aus Partikeln bestehen, welche Licht, das auf das optoelektronische Bauelement fällt, streuen und so einen weißen Farbeindruck erzeugen können. Dadurch wird vorteilhafterweise ein weiß aussehendes optoelektronisches Bauelement erreicht.In one embodiment, the injection-molded body comprises a silicone, an epoxy or a hybrid, wherein a filler is embedded in the injection-molded body. In particular, the body consists of the silicone, the epoxy or the hybrid with the embedded filler. The filler may consist of particles which scatter light which falls on the optoelectronic component and can thus produce a white color impression. As a result, a white-looking optoelectronic component is advantageously achieved.

In einer Ausführungsform ist das Silikon ein Vergusssilikon oder ein Spritzgusssilikon. Diese beiden Silikonarten eignen sich besonders gut zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements.In one embodiment, the silicone is a cast silicone or an injection molded silicone. These two types of silicone are particularly suitable for the production of an optoelectronic component.

In einer Ausführungsform weist der Füllstoff Titandioxid-Partikel mit einem Durchmesser zwischen 0,5 und 10 Mikrometer auf und besteht insbesondere aus diesen Partikeln. In einer Ausführungsform weist der Füllstoff Aluminiumoxid-Partikel mit einem Durchmesser zwischen 0,5 und 10 Mikrometer auf und besteht insbesondere aus diesen Partikeln. In einer Ausführungsform weist der Füllstoff Siliziumdioxid-Partikel mit einem Durchmesser zwischen 0,5 und 10 Mikrometer auf und besteht insbesondere aus diesen Partikeln. Ebenso kann eine Kombination aus Titandioxid-Partikeln, Aluminiumoxid-Partikeln und Siliziumdioxid-Partikeln, bestehend aus zwei oder drei der genannten Partikelarten als Füllstoff vorgesehen sein.In one embodiment, the filler comprises titanium dioxide particles with a diameter between 0.5 and 10 micrometers and consists in particular of these particles. In one embodiment, the filler comprises alumina particles having a diameter of between 0.5 and 10 microns and consists in particular of these particles. In one embodiment, the filler comprises silicon dioxide particles with a diameter of between 0.5 and 10 micrometers and consists in particular of these particles. Likewise, a combination of titanium dioxide particles, aluminum oxide particles and silicon dioxide particles consisting of two or three of the particle types mentioned can be provided as a filler.

In einer Ausführungsform beträgt das Gewicht des Füllstoffs zwischen 10 Prozent und 90 Prozent des Gewichts des Spritzgusskörpers. Je geringer das anteilige Gewicht des Füllstoffes ist, desto geringer ist die Streuung des durch das optoelektronische Bauelement emittierten Lichts innerhalb des Spritzgusskörpers. Andererseits ist ein gewisses Mindestmaß an Streuung notwendig, damit das von außen auf das optoelektronische Bauelement fallende Licht ausreichend gestreut wird, um den weißen Farbeindruck zu erzeugen. Ein Gewichtsanteil des Füllstoffs am Spritzgusskörper zwischen 10 Prozent und 90 Prozent ist geeignet, beide Randbedingungen, also sowohl die ausreichende Streuung des von außen einfallenden Lichts als auch die Reduzierung der Streuung des vom optoelektronischen Bauelement emittierten Lichts zu erreichen. Je größer der Anteil des Füllstoffes am Spritzgusskörper ist, desto dünner kann die das Konversionselement bedeckende Schicht ausgeführt werden.In one embodiment, the weight of the filler is between 10 percent and 90 percent of the weight of the injection molding. The lower the proportionate weight of the filler, the lower the scattering of the light emitted by the optoelectronic component within the injection-molded body. On the other hand, a certain minimum of scattering is necessary so that the light falling from outside onto the optoelectronic component is sufficiently scattered to the white one To produce color impression. A weight fraction of the filler on the injection molded body between 10 percent and 90 percent is suitable for achieving both boundary conditions, ie both the sufficient scattering of the light incident from the outside and the reduction of the scattering of the light emitted by the optoelectronic component. The greater the proportion of the filler on the injection-molded body, the thinner the layer covering the conversion element can be made thinner.

In einer Ausführungsform ist die Schicht, die das Konversionselement auf der dem lichtemittierenden Halbleiterchip abgewandten Seite bedeckt, zwischen 15 und 55 Mikrometer dick. Eine solche Schichtdicke ist geeignet, sowohl ausreichend Streuung des von außen einfallenden Lichts als auch eine möglichst kleine Streuung des vom optoelektronischen Bauelement emittierten Lichts zu erreichen. Sollte der Körper als Spritzgusskörper aus Silikon mit einem Füllstoff ausgeführt sein, ist bei einer 15 bis 25 Mikrometer dicken Schicht ein Füllstoff-Anteil von 90 Prozent vorteilhaft, während bei einer 45 bis 55 Mikrometer dicken Schicht ein Füllstoff-Anteil von 15 Prozent vorteilhaft ist. Je dicker die Schicht ist, desto geringer sollte also der Anteil des Füllstoffs am Gewicht des Spritzgusskörpers sein.In one embodiment, the layer covering the conversion element on the side facing away from the light-emitting semiconductor chip is between 15 and 55 micrometers thick. Such a layer thickness is suitable for achieving both sufficient scattering of the light incident from the outside and the smallest possible scattering of the light emitted by the optoelectronic component. If the body is designed as an injection-molded silicone body with a filler, with a 15 to 25 micrometer thick layer, a filler content of 90 percent is advantageous, while in a 45 to 55 micrometer thick layer, a filler content of 15 percent is advantageous. The thicker the layer, the lower should therefore be the proportion of the filler in the weight of the injection-molded body.

In einem Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements werden die folgenden Schritte nacheinander ausgeführt. Zunächst wird ein lichtemittierender Halbleiterchip, welcher ein Konversionselement auf einer lichtemittierenden Seite aufweist, mit dem aufgebrachten Konversionselement in eine Spritzgussform eingebracht. Die Spritzgussform weist dabei eine Folie zum Ausführen eines folienunterstützten Spritzgussprozesses auf. Ferner können zusätzlich zum lichtemittierenden Halbleiterchip weitere Bestandteile, wie beispielsweise Leiterrahmenabschnitte, Vias, Bonddrähte und/oder andere elektronische Bauteile eingebracht werden. Anschließend wird die Spritzgussform derart geschlossen, dass zwischen der Folie und dem Konversionselement ein Spalt bleibt. Hieran anschließend wird der lichtemittierende Halbleiterchip mit einem Spritzgussmaterial zum Formen eines Spritzgusskörpers derart umspritzt, dass der Spalt zwischen dem Konversionselement und der Folie mit dem Spritzgussmaterial aufgefüllt wird. Abschließend wird das Spritzgusswerkzeug geöffnet und das Bauteil mit dem Spritzgusskörper und dem umspritzten lichtemittierenden Halbleiterchip entnommen. Durch dieses Verfahren wird eine einfache Prozessführung und folglich eine kostengünstige Herstellung des optoelektronischen Bauelements ermöglicht, da nur ein Spritzgussprozess innerhalb der Herstellung des optoelektronischen Bauelements durchgeführt wird.In a method for producing an optoelectronic component, the following steps are carried out successively. First, a light-emitting semiconductor chip, which has a conversion element on a light-emitting side, is introduced with the applied conversion element into an injection mold. The injection mold has a film for performing a film-assisted injection molding process. Furthermore, in addition to the light-emitting semiconductor chip further components, such as leadframe sections, vias, bonding wires and / or other electronic components can be introduced. Subsequently, the injection mold is closed so that a gap remains between the film and the conversion element. Following this, the light-emitting semiconductor chip is encapsulated with an injection-molding material for molding an injection-molded body in such a way that the gap between the conversion element and the film is filled up with the injection-molding material. Finally, the injection mold is opened and removed the component with the injection molded body and the overmolded light-emitting semiconductor chip. By this method, a simple process control and consequently a cost-effective production of the optoelectronic component is made possible, since only one injection molding process is carried out within the production of the optoelectronic component.

In einer Ausführungsform des Verfahrens beträgt der Spalt zwischen der Folie und dem Konversionselement mindestens 15 Mikrometer und höchstens 55 Mikrometer.In one embodiment of the method, the gap between the film and the conversion element is at least 15 microns and at most 55 microns.

In einer Ausführungsform des Verfahrens weist das Spritzgussmaterial ein Silikon auf, wobei ein Füllstoff in das Silikon eingebettet ist. Dadurch entsteht ein optoelektronisches Bauelement, dessen Aussehen optimiert ist. Insbesondere kann dadurch ein weiß aussehendes optoelektronisches Bauelement erzeugt werden.In one embodiment of the method, the injection-molding material comprises a silicone, wherein a filler is embedded in the silicone. This creates an optoelectronic component whose appearance is optimized. In particular, this can produce a white-looking optoelectronic component.

In einer Ausführungsform des Verfahrens ist das Silikon ein Vergusssilikon oder ein Spritzgusssilikon. Ein Vergusssilikon ist dabei zunächst flüssig, wird dann innerhalb der Spritzgussform an die gewünschten Stellen um den lichtemittierenden Halbleiterchip und das Konversionselement herum gespritzt und anschließend ausgehärtet. Ein Spritzgusssilikon besteht aus zwei Komponenten, die jeweils fest sind. Durch Mischung der Komponenten verflüssigen diese und können anschließend an die gewünschten Stellen um den lichtemittierenden Halbleiterchip und das Konversionselement herum mittels Spritzgussprozess gebracht werden. Dort härtet das Silikon aufgrund des Aufbaus aus zwei Komponenten schnell aus.In one embodiment of the method, the silicone is a cast silicone or an injection molded silicone. A Vergusssilikon is initially liquid, is then injected within the injection mold at the desired locations around the light-emitting semiconductor chip and the conversion element around and then cured. An injection molded silicone consists of two components, each of which is solid. By mixing the components, they liquefy and can then be brought to the desired locations around the light-emitting semiconductor chip and the conversion element by means of injection molding process. There, the silicone cures quickly due to the structure of two components.

In einer Ausführungsform des Verfahrens weist der Füllstoff Titandioxid-Partikel mit einem Durchmesser zwischen 0,5 und 10 Mikrometer auf und besteht insbesondere aus diesen Partikeln. In einer Ausführungsform weist der Füllstoff Aluminiumoxid-Partikel mit einem Durchmesser zwischen 0,5 und 10 Mikrometer auf und besteht insbesondere aus diesen Partikeln. In einer Ausführungsform weist der Füllstoff Siliziumdioxid-Partikel mit einem Durchmesser zwischen 0,5 und 10 Mikrometer auf und besteht insbesondere aus diesen Partikeln. Ebenso kann eine Kombination aus Titandioxid-Partikeln, Aluminiumoxid-Partikeln und Siliziumdioxid-Partikeln, bestehend aus zwei oder drei der genannten Partikelarten als Füllstoff vorgesehen sein.In one embodiment of the method, the filler titanium dioxide particles having a diameter between 0.5 and 10 microns and consists in particular of these particles. In one embodiment, the filler comprises alumina particles having a diameter of between 0.5 and 10 microns and consists in particular of these particles. In one embodiment, the filler comprises silicon dioxide particles with a diameter of between 0.5 and 10 micrometers and consists in particular of these particles. Likewise, a combination of titanium dioxide particles, aluminum oxide particles and silicon dioxide particles consisting of two or three of the particle types mentioned can be provided as a filler.

In einer Ausführungsform des Verfahrens beträgt das Gewicht des Füllstoffs zwischen 10 Prozent und 35 Prozent des Gewichts des Spritzgussmaterials. Je geringer das anteilige Gewicht des Füllstoffes ist, desto geringer ist die Streuung des durch das optoelektronische Bauelement emittierten Lichts innerhalb des Spritzgusskörpers. Andererseits ist ein gewisses Mindestmaß an Streuung notwendig, damit das von außen auf das optoelektronische Bauelement fallende Licht ausreichend gestreut wird, um den weißen Farbeindruck zu erzeugen. Ein Gewichtsanteil des Füllstoffs am Spritzgusskörper zwischen 10 Prozent und 35 Prozent ist geeignet, beide Randbedingungen, also sowohl die ausreichende Streuung des von außen einfallenden Lichts als auch die Reduzierung der Streuung des vom optoelektronischen Bauelement emittierten Lichts zu erreichen.In one embodiment of the method, the weight of the filler is between 10 percent and 35 percent of the weight of the injection molding material. The lower the proportionate weight of the filler, the lower the scattering of the light emitted by the optoelectronic component within the injection-molded body. On the other hand, a certain minimum of scattering is necessary so that the light falling from the outside onto the optoelectronic component is sufficiently scattered to produce the white color impression. A weight fraction of the filler on the injection molded body between 10 percent and 35 percent is suitable for achieving both boundary conditions, ie both the sufficient scattering of the light incident from the outside and the reduction of the scattering of the light emitted by the optoelectronic component.

Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen in jeweils schematisierter Darstellung

  • 1 einen Querschnitt durch ein optoelektronisches Bauelement;
  • 2 einen Querschnitt durch ein weiteres optoelektronisches Bauelement;
  • 3 einen Querschnitt durch eine Schicht, bestehend aus einem Silikon mit einem Füllstoff; und
  • 4 einen Querschnitt durch eine Spritzgussform während der Herstellung eines optoelektronischen Bauelements.
The above-described characteristics, features, and advantages of this invention, as well as the manner in which they will be achieved, will become clearer and more clearly understood in connection with the following description of the embodiments, which will be described in connection with the drawings. In each case show in a schematic representation
  • 1 a cross section through an optoelectronic device;
  • 2 a cross section through another optoelectronic device;
  • 3 a cross section through a layer consisting of a silicone with a filler; and
  • 4 a cross-section through an injection mold during the manufacture of an optoelectronic device.

1 zeigt einen Querschnitt durch ein optoelektronisches Bauelement 100. Das optoelektronische Bauelement 100 weist einen lichtemittierenden Halbleiterchip 110 auf. Auf einer Unterseite des lichtemittierenden Halbleiterchips 110 ist eine erste Kontaktstelle 111 angeordnet. Eine der Unterseite gegenüberliegende Seite des Halbleiterchips 110 weist eine zweite Kontaktstelle 112 auf und stellt gleichzeitig eine lichtemittierende Seite 113 des lichtemittierenden Halbleiterchips 110 dar. Auf der lichtemittierenden Seite 113 des lichtemittierenden Halbleiterchips 110 ist ein Konversionselement 120 angeordnet, welches vom lichtemittierenden Halbleiterchip 110 emittiertes Licht in Licht mit einer größeren Wellenlänge konvertieren kann. 1 shows a cross section through an optoelectronic device 100 , The optoelectronic component 100 has a light-emitting semiconductor chip 110 on. On an underside of the light-emitting semiconductor chip 110 is a first contact point 111 arranged. A side of the semiconductor chip opposite the underside 110 has a second contact point 112 and at the same time provides a light-emitting side 113 of the light-emitting semiconductor chip 110 on the light emitting side 113 of the light-emitting semiconductor chip 110 is a conversion element 120 arranged, which of the light emitting semiconductor chip 110 emitted light can convert to light with a longer wavelength.

Der lichtemittierende Halbleiterchip 110 ist auf einem ersten Leiterrahmenanschnitt 141 angeordnet, derart, dass die erste Kontaktstelle 111 mit dem ersten Leiterrahmenabschnitt 141 in elektrischem Kontakt steht. Ein zweiter Leiterrahmenabschnitt 142 ist neben dem ersten Leiterrahmenabschnitt 141 so angeordnet, dass die Leiterrahmenabschnitte 141, 142 sich gegenseitig nicht berühren. Ein Bonddraht 143 verbindet die zweite Kontaktstelle 112 des lichtemittierenden Halbleiterchips 110 mit dem zweiten Leiterrahmenabschnitt 142. Der lichtemittierende Halbleiterchip 110, das Konversionselement 120, die Leiterrahmenabschnitte 141, 142 und der Bonddraht 143 sind in einen Körper 130 eingebettet. Der Körper 130 weist dabei eine Schicht 131 auf, die eine dem lichtemittierenden Halbleiterchip 110 abgewandte Seite 121 des Konversionselements 120 bedeckt.The light-emitting semiconductor chip 110 is on a first ladder frame gantry 141 arranged such that the first contact point 111 with the first lead frame section 141 is in electrical contact. A second ladder frame section 142 is next to the first ladder frame section 141 arranged so that the leadframe sections 141 . 142 do not touch each other. A bonding wire 143 connects the second contact point 112 of the light-emitting semiconductor chip 110 with the second lead frame section 142 , The light-emitting semiconductor chip 110 , the conversion element 120 , the ladder frame sections 141 . 142 and the bonding wire 143 are in a body 130 embedded. The body 130 has a layer 131 on, one the light emitting semiconductor chip 110 opposite side 121 the conversion element 120 covered.

Da das Konversionselement 120 auf der dem lichtemittierenden Halbleiterchip 110 abgewandten Seite 121 die Schicht 131 des Körpers 130 aufweist, ist der optische Eindruck des gesamten optoelektronischen Bauelements 100 gleichmäßig und ein Betrachter erkennt keinen farblichen Unterschied zwischen Bereichen des optoelektronischen Bauelements 100, an denen das Konversionselement 120 verbaut ist, verglichen mit den restlichen Bereichen des optoelektronischen Bauelements 100. Die Schicht 131 ist dabei maximal 55 Mikrometer dick.Because the conversion element 120 on the light-emitting semiconductor chip 110 opposite side 121 the layer 131 of the body 130 has, is the visual impression of the entire optoelectronic device 100 evenly and a viewer does not recognize a color difference between areas of the optoelectronic device 100 to which the conversion element 120 is installed compared to the remaining areas of the optoelectronic device 100 , The layer 131 is a maximum of 55 microns thick.

Der Körper kann eine weiße Farbe aufweisen. Durch die Schicht 131 ist das Konversionselement 120 vollständig in den Körper 130 eingebettet, so dass ein nicht weißes Konversionselement 120 den weißen Farbeindruck des optoelektronischen Bauelements 100 nicht beeinträchtigt.The body can be white in color. Through the layer 131 is the conversion element 120 completely in the body 130 embedded, leaving a non-white conversion element 120 the white color impression of the optoelectronic component 100 not impaired.

2 zeigt einen Querschnitt durch ein weiteres Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelements 100, bei dem der lichtemittierende Halbleiterchip 110 als Flip-Chip ausgeführt ist. Der lichtemittierende Halbleiterchip 110 weist eine erste Kontaktierungsstelle 111 und eine zweite Kontaktierungsstelle 112 auf, die einer lichtemittierenden Seite 113 des lichtemittierenden Halbleiterchips 110 gegenüberliegen. Die erste Kontaktierungsstelle 111 steht in direktem Kontakt zu einem ersten Leiterrahmenabschnitt 141, während die zweite Kontaktierungsstelle 142 in direktem Kontakt zu einem zweiten Leiterrahmenabschnitt 142 steht. 2 shows a cross section through a further embodiment of an optoelectronic device 100 in which the light-emitting semiconductor chip 110 is designed as a flip-chip. The light-emitting semiconductor chip 110 has a first contact point 111 and a second contacting site 112 on, that of a light-emitting side 113 of the light-emitting semiconductor chip 110 are opposite. The first contact point 111 is in direct contact with a first leadframe section 141 while the second contacting site 142 in direct contact with a second leadframe section 142 stands.

Auf der lichtemittierenden Seite 113 des lichtemittierenden Halbleiterchips 110 ist wiederum ein Konversionselement 130 angeordnet. Der lichtemittierende Halbleiterchip 110, das Konversionselement 120 und die Leiterrahmenabschnitte 141, 142 sind in einen Körper 130 eingebettet. Der Körper 130 weist dabei eine Schicht 131 auf, die eine dem lichtemittierenden Halbleiterchip 110 abgewandte Seite 121 des Konversionselements 120 bedeckt. Die Schicht 131 ist ebenfalls maximal 55 Mikrometer dick.On the light emitting side 113 of the light-emitting semiconductor chip 110 is again a conversion element 130 arranged. The light-emitting semiconductor chip 110 , the conversion element 120 and the lead frame sections 141 . 142 are in a body 130 embedded. The body 130 has a layer 131 on, one the light emitting semiconductor chip 110 opposite side 121 the conversion element 120 covered. The layer 131 is also a maximum of 55 microns thick.

Durch die Schicht 131 wird wiederum ein gleichmäßiger Farbeindruck des optoelektronischen Bauelements 100 erzeugt.Through the layer 131 in turn, a uniform color impression of the optoelectronic device 100 generated.

Die Ausführungsbeispiele der 1 und 2 unterscheiden sich also nur nach der Art des verbauten lichtemittierenden Halbleiterchips 110, wobei das Aussehen der beiden optoelektronischen Bauelemente 100 ähnlich ist, und insbesondere beide Ausführungsbeispiele einen uniformen Farbeindruck aufweisen. The embodiments of the 1 and 2 Thus, they differ only according to the type of the installed light-emitting semiconductor chip 110 , wherein the appearance of the two optoelectronic devices 100 is similar, and in particular both embodiments have a uniform color impression.

In einem Ausführungsbeispiel bildet der Körper 130 ein Gehäuse. In einem Ausführungsbeispiel ist der Körper 130 ein Spritzgusskörper.In one embodiment, the body forms 130 a housing. In one embodiment, the body is 130 an injection molded body.

3 zeigt einen Querschnitt durch eine Vergrößerung der Schicht 131 des Körpers 130, wobei der Körper 130 ein Spritzgusskörper ist und ein Silikon 132 mit einem Füllstoff 133 aufweist. Der Füllstoff 133 ist dabei in das Silikon 132 eingebettet. Die mechanischen Eigenschaften des Körpers 130 werden durch das Silikon 132 bestimmt, während die optischen Eigenschaften des Körpers 130 durch den Füllstoff 133 bestimmt werden. Insbesondere kann der Füllstoff 133 eine weiße Farbe aufweisen, so dass das optoelektronische Bauelement 100 einen weißen Farbeindruck aufweist. 3 shows a cross section through an enlargement of the layer 131 of the body 130 , where the body 130 an injection molded body is and a silicone 132 with a filler 133 having. The filler 133 is in the silicone 132 embedded. The mechanical properties of the body 130 be through the silicone 132 determines, while the optical properties of the body 130 through the filler 133 be determined. In particular, the filler can 133 have a white color, so that the optoelectronic component 100 has a white color impression.

In einem Ausführungsbeispiel ist das Silikon 132 ein Vergusssilikon oder ein Spritzgusssilikon. In einem Ausführungsbeispiel weist der Füllstoff 133 Titandioxid-Partikel mit einem Durchmesser zwischen 0,5 und 10 Mikrometer auf und besteht insbesondere aus diesen Partikeln. In einem Ausführungsbeispiel weist der Füllstoff 133 Aluminiumoxid-Partikel mit einem Durchmesser zwischen 0,5 und 10 Mikrometer auf und besteht insbesondere aus diesen Partikeln. In einem Ausführungsbeispiel weist der Füllstoff 133 Siliziumdioxid-Partikel mit einem Durchmesser zwischen 0,5 und 10 Mikrometer auf und besteht insbesondere aus diesen Partikeln. Ebenso kann eine Kombination aus Titandioxid-Partikeln, Aluminiumoxid-Partikeln und Siliziumdioxid-Partikeln, bestehend aus zwei oder drei der genannten Partikelarten als Füllstoff 133 vorgesehen sein.In one embodiment, the silicone is 132 a Vergusssilikon or an injection molded silicone. In one embodiment, the filler 133 Titanium dioxide particles with a diameter between 0.5 and 10 microns and consists in particular of these particles. In one embodiment, the filler 133 Alumina particles with a diameter between 0.5 and 10 microns and consists in particular of these particles. In one embodiment, the filler 133 Silica particles with a diameter between 0.5 and 10 microns and consists in particular of these particles. Likewise, a combination of titanium dioxide particles, aluminum oxide particles and silicon dioxide particles, consisting of two or three of the particle types mentioned as a filler 133 be provided.

Anstelle des Silikons 132 kann auch ein Epoxid oder ein Hybrid als Material für den Spritzgusskörper vorgesehen sein. Der Füllstoff 133, bestehend aus Titanoxid-, Aluminiumoxid und/oder Siliziumdioxid-Partikeln, ist dann ebenfalls in den Spritzgusskörper eingebettet.Instead of the silicone 132 may also be provided as a material for the injection molded body, an epoxy or a hybrid. The filler 133 consisting of titanium oxide, aluminum oxide and / or silicon dioxide particles, is then likewise embedded in the injection-molded body.

In einem Ausführungsbeispiel beträgt das anteilige Gewicht des Füllstoffs 133 am Körper 130 zwischen 10 und 90 Prozent.In one embodiment, the proportionate weight of the filler is 133 on the body 130 between 10 and 90 percent.

In einem Ausführungsbeispiel ist die Schicht 131 zwischen 15 und 55 Mikrometer dick. Dabei kann insbesondere ein Füllstoffgehalt von 90 Prozent des Gewichts bei einer Schichtdicke von 15 Mikrometern oder ein Füllstoffgehalt von 10 Prozent des Gewichts bei einer Schichtdicke von 55 Mikrometern vorgesehen sein.In one embodiment, the layer is 131 between 15 and 55 microns thick. In particular, a filler content of 90 percent by weight at a layer thickness of 15 micrometers or a filler content of 10 percent by weight at a layer thickness of 55 micrometers may be provided.

4 zeigt einen Querschnitt durch eine Spritzgussform 151, 152 während eines Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements. Ein lichtemittierender Halbleiterchip 110, der dem lichtemittierenden Halbleiterchip 110 der 2 entspricht, ist auf einem ersten Leiterrahmenabschnitt 141 und einem zweiten Leiterrahmenabschnitt 142 analog zu 2 angeordnet. Auf einer lichtemittierenden Seite 113, die den Leiterrahmenabschnitten 141, 142 gegenüberliegt, ist ein Konversionselement 120 angeordnet. Der lichtemittierende Halbleiterchip 110 mit dem Konversionselement 120 und den Leiterrahmenabschnitten 141, 142 ist auf einer unteren Spritzgussform 151 angeordnet. Eine obere Spritzgussform 152 weist eine Folie 153 auf, wodurch ein folienunterstützter Spritzgussprozess ermöglicht wird. Dadurch kann ein Spritzgussmaterial leichter von der oberen Spritzgussform 152 gelöst werden. Außerdem weist die Folie 153 eine gewisse Flexibilität auf, so dass der Spritzgussprozess ebenfalls vereinfacht wird. 4 shows a cross section through an injection mold 151 . 152 during a process for producing an optoelectronic device. A light-emitting semiconductor chip 110 that is the light-emitting semiconductor chip 110 of the 2 corresponds, is on a first ladder frame section 141 and a second lead frame section 142 analogous to 2 arranged. On a light emitting side 113 covering the ladder frame sections 141 . 142 is opposite, is a conversion element 120 arranged. The light-emitting semiconductor chip 110 with the conversion element 120 and the lead frame sections 141 . 142 is on a lower injection mold 151 arranged. An upper injection mold 152 has a foil 153 allowing a film assisted injection molding process. This allows an injection molding material easier from the upper injection mold 152 be solved. In addition, the film has 153 a certain flexibility, so that the injection molding process is also simplified.

Ein weiterer lichtemittierender Halbleiterchip 110 mit Konversionselement 120 und Leiterrahmenabschnitten 141, 142 ist ebenfalls in der Spritzgussform 151, 152 angeordnet.Another light-emitting semiconductor chip 110 with conversion element 120 and lead frame sections 141 . 142 is also in the injection mold 151 . 152 arranged.

Die obere Spritzgussform 152 wird auf die untere Spritzgussform 151 beim Schließen der Spritzgussform 151, 152 derart zubewegt, dass ein Spalt 154 zwischen der Folie 153 und dem Konversionselement 120 bleibt.The upper injection mold 152 gets on the bottom injection mold 151 when closing the injection mold 151 . 152 so moved that a gap 154 between the slide 153 and the conversion element 120 remains.

Nun können Freiräume 155 und die Spalte 154 innerhalb der Spritzgussform 151, 152, also alle nicht von den lichtemittierenden Halbleiterchips 110 mit Konversionselementen 120 und Leiterrahmenabschnitten 141, 142 belegten Stellen innerhalb der Spritzgussform 151, 152 mit einem Spritzgussmaterial zum Formen eines Spritzgusskörpers aufgefüllt werden. Anschließend kann die Spritzgussform 151, 152 wieder geöffnet werden und der Spritzgusskörper entnommen werden. Wenn nur ein lichtemittierender Halbleiterchip 110 in der Spritzgussform 151, 152 angeordnet war, wird dabei schon das optoelektronische Bauteil der 2 entnommen, bei mehreren lichtemittierenden Halbleiterchips 110 in der Spritzgussform 151, 152 können die optoelektronischen Bauteile 100 durch Vereinzelung erhalten werden.Now you can have free space 155 and the column 154 inside the injection mold 151 . 152 that is, not all of the light-emitting semiconductor chips 110 with conversion elements 120 and lead frame sections 141 . 142 occupied positions within the injection mold 151 . 152 be filled with an injection molding material for molding an injection molded body. Subsequently, the injection mold 151 . 152 be reopened and the injection molded body removed. If only one light-emitting semiconductor chip 110 in the injection mold 151 . 152 was arranged, it is already the optoelectronic component of 2 taken from several light-emitting semiconductor chips 110 in the injection mold 151 . 152 can the optoelectronic components 100 be obtained by singling.

Analog kann auch das optoelektronische Bauelement der 1 erzeugt werden.Analogously, the optoelectronic component of 1 be generated.

In einem Ausführungsbeispiel ist der Spalt 154 zwischen 15 und 55 Mikrometer breit. Dadurch wird die Schicht 131 der optoelektronischen Bauelemente 100 der 1 und 2 15 bis 55 Mikrometer dick.In one embodiment, the gap is 154 between 15 and 55 microns wide. This will make the layer 131 the optoelectronic components 100 of the 1 and 2 15 to 55 microns thick.

In einem Ausführungsbeispiel weist das Spritzgussmaterial ein Silikon 132 auf, in das ein Füllstoff 133 eingebettet ist. Insbesondere besteht das Spritzgussmaterial aus dem Silikon 132, in das der Füllstoff 133 eingebettet ist.In one embodiment, the injection molding material comprises a silicone 132 into which a filler 133 is embedded. In particular, the injection molding material consists of the silicone 132 into which the filler 133 is embedded.

In einer Ausführungsform ist das Silikon 132 ein Vergusssilikon oder ein Spritzgusssilikon. Ein Vergusssilikon ist dabei zunächst flüssig, wird dann innerhalb der Spritzgussform 151, 152 in die Freiräume 155 und Spalte 154 um den lichtemittierenden Halbleiterchip 110 und das Konversionselement 120 herum gespritzt und anschließend ausgehärtet. Ein Spritzgusssilikon kann aus zwei Komponenten, die jeweils fest sind, bestehen. Durch Mischung der Komponenten verflüssigen die Komponenten und können dann für das Spritzgussverfahren verwendet werden. Alternativ können die Komponenten flüssig sein. Das Spritzgusssilikon wird in die Freiräume 155 und Spalte 154 um den lichtemittierenden Halbleiterchip 110 und das Konversionselement 120 herum mittels Spritzgussprozess gebracht. In one embodiment, the silicone is 132 a Vergusssilikon or an injection molded silicone. A Vergusssilikon is initially liquid, then is within the injection mold 151 . 152 into the open spaces 155 and column 154 around the light-emitting semiconductor chip 110 and the conversion element 120 sprayed around and then cured. An injection molded silicone can consist of two components, each of which is solid. By mixing the components, the components liquefy and can then be used for the injection molding process. Alternatively, the components may be liquid. The injection molded silicone is in the free spaces 155 and column 154 around the light-emitting semiconductor chip 110 and the conversion element 120 brought around by injection molding.

Dort härtet das Silikon 132 aufgrund des Aufbaus aus zwei Komponenten schnell aus.There the silicone hardens 132 due to the construction of two components quickly.

In einem Ausführungsbeispiel weist der Füllstoff 133 Titandioxid-Partikel mit einem Durchmesser zwischen 0,5 und 10 Mikrometer auf und besteht insbesondere aus diesen Partikeln In einem Ausführungsbeispiel weist der Füllstoff 133 Aluminiumoxid-Partikel mit einem Durchmesser zwischen 0,5 und 10 Mikrometer auf und besteht insbesondere aus diesen Partikeln. In einem Ausführungsbeispiel weist der Füllstoff 133 Siliziumdioxid-Partikel mit einem Durchmesser zwischen 0,5 und 10 Mikrometer auf und besteht insbesondere aus diesen Partikeln. Ebenso kann eine Kombination aus Titandioxid-Partikeln, Aluminiumoxid-Partikeln und Siliziumdioxid-Partikeln, bestehend aus zwei oder drei der genannten Partikelarten als Füllstoff 133 vorgesehen sein.In one embodiment, the filler 133 Titanium dioxide particles with a diameter between 0.5 and 10 microns and consists in particular of these particles In one embodiment, the filler 133 Alumina particles with a diameter between 0.5 and 10 microns and consists in particular of these particles. In one embodiment, the filler 133 Silica particles with a diameter between 0.5 and 10 microns and consists in particular of these particles. Likewise, a combination of titanium dioxide particles, aluminum oxide particles and silicon dioxide particles, consisting of two or three of the particle types mentioned as a filler 133 be provided.

Obwohl die Erfindung im Detail durch die bevorzugten Ausführungsbeispiele näher illustriert und beschrieben wurde, ist die Erfindung nicht durch die offenbarten Beispiele eingeschränkt und andere Variationen können vom Fachmann hieraus abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen.Although the invention has been further illustrated and described in detail by the preferred embodiments, the invention is not limited by the disclosed examples, and other variations can be derived therefrom by those skilled in the art without departing from the scope of the invention.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

100100
Optoelektronisches BauelementOptoelectronic component
110110
lichtemittierender Halbleiterchiplight-emitting semiconductor chip
111111
erste Kontaktstellefirst contact point
112112
zweite Kontaktstellesecond contact point
113113
lichtemittierende Seitelight-emitting side
120120
Konversionselementconversion element
121121
dem lichtemittierenden Halbleiterchip abgewandte Seitethe light-emitting semiconductor chip side facing away
130130
Körperbody
131131
Schichtlayer
132132
Silikonsilicone
133133
Füllstofffiller
141141
erster Leiterrahmenabschnittfirst ladder frame section
142142
zweiter Leiterrahmenabschnittsecond ladder frame section
143143
Bonddrahtbonding wire
151151
untere Spritzgussformlower injection mold
152152
obere Spritzgussformupper injection mold
153153
Foliefoil
154154
Spaltgap
155155
Freiraumfree space

Claims (15)

Optoelektronisches Bauelement (100), aufweisend einen lichtemittierenden Halbleiterchip (110), ein Konversionselement (120) und einen Körper (130), wobei das Konversionselement (120) oberhalb einer lichtemittierenden Seite (113) des lichtemittierenden Halbleiterchips (110) angeordnet ist, wobei das Konversionselement (120) in den Körper (130) eingebettet ist, wobei auf einer von dem lichtemittierenden Halbleiterchip (110) abgewandten Seite (121) des Konversionselements (120) eine Schicht (131) des Körpers (130) das Konversionselement (120) bedeckt, wobei die Schicht (131) eine Dicke von maximal 55 Mikrometer aufweist.An optoelectronic component (100), comprising a light-emitting semiconductor chip (110), a conversion element (120) and a body (130), wherein the conversion element (120) is arranged above a light-emitting side (113) of the light-emitting semiconductor chip (110) Conversion element (120) is embedded in the body (130), wherein on a side facing away from the light emitting semiconductor chip (110) side (121) of the conversion element (120), a layer (131) of the body (130) covers the conversion element (120), wherein the layer (131) has a maximum thickness of 55 microns. Optoelektronisches Bauelement (100) nach Anspruch 1, wobei der Körper (130) ein Gehäuse bildet.Optoelectronic component (100) according to Claim 1 wherein the body (130) forms a housing. Optoelektronisches Bauelement (100) nach einem der Ansprüche 1 oder 2, wobei der Körper (130) ein Spritzgusskörper ist.Optoelectronic component (100) according to one of Claims 1 or 2 wherein the body (130) is an injection molded body. Optoelektronisches Bauelement (100) nach Anspruch 3, wobei der Spritzgusskörper ein Silikon (132), ein Epoxid und/oder ein Hybrid aufweist, wobei ein Füllstoff (133) in den Spritzgusskörper eingebettet ist.Optoelectronic component (100) according to Claim 3 wherein the injection-molded body comprises a silicone (132), an epoxy and / or a hybrid, wherein a filler (133) is embedded in the injection-molded body. Optoelektronisches Bauelement (100) nach Anspruch 4, wobei der Spritzgusskörper Silikon (132) aufweist, wobei das Silikon (132) ein Vergusssilikon oder ein Spritzgusssilikon ist.Optoelectronic component (100) according to Claim 4 wherein the injection molded body comprises silicone (132), wherein the silicone (132) is a cast silicone or an injection molded silicone. Optoelektronisches Bauelement (100) nach einem der Ansprüche 4 oder 5, wobei der Füllstoff (133) Titandioxid-Partikel mit einem Durchmesser von 0,5 bis 10 Mikrometer aufweist.Optoelectronic component (100) according to one of Claims 4 or 5 wherein the filler (133) comprises titania particles 0.5 to 10 microns in diameter. Optoelektronisches Bauelement (100) nach einem der Ansprüche 4 oder 5, wobei der Füllstoff (133) Aluminiumoxid-Partikel mit einem Durchmesser von 0,5 bis 10 Mikrometer aufweist.Optoelectronic component (100) according to one of Claims 4 or 5 wherein the filler (133) comprises alumina particles having a diameter of 0.5 to 10 micrometers. Optoelektronisches Bauelement (100) nach einem der Ansprüche 4 oder 5, wobei der Füllstoff (133) Siliziumdioxid-Partikel mit einem Durchmesser von 0,5 bis 10 Mikrometer aufweist.Optoelectronic component (100) according to one of Claims 4 or 5 wherein the filler (133) comprises silica particles having a diameter of 0.5 to 10 micrometers. Optoelektronisches Bauelement (100) nach einem der Ansprüche 4 bis 8, wobei das Gewicht des Füllstoffs (133) 10 Prozent bis 90 Prozent des Gewichts des Spritzgusskörpers beträgt.Optoelectronic component (100) according to one of Claims 4 to 8th , where the weight of the Filler (133) is 10 percent to 90 percent of the weight of the injection molded body. Optoelektronisches Bauelement (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die das Konversionselement (120) bedeckende Schicht des Körpers (130) zwischen 15 und 55 Mikrometer dick ist.An optoelectronic component (100) according to any one of the preceding claims, wherein the layer of the body (130) covering the conversion element (120) is between 15 and 55 microns thick. Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (100) mit den Schritten: - Einbringen eines lichtemittierenden Halbleiterchips (110), welcher ein Konversionselement (120) auf einer lichtemittierenden Seite (113) aufweist, mit dem aufgebrachten Konversionselement (120) in eine Spritzgussform (151, 152), wobei die Spritzgussform (151, 152) eine Folie (153) zum Ausführen eines folienunterstützten Spritzgussprozesses aufweist; - Schließen der Spritzgussform (151, 152) derart, dass zwischen der Folie (153) und dem Konversionselement (120) ein Spalt (154) bleibt; - Umspritzen des lichtemittierenden Halbleiterchips (110) mit einem Spritzgussmaterial zum Formen eines Spritzgusskörpers derart, dass der Spalt (154) zwischen dem Konversionselement (120) und der Folie (153) mit dem Spritzgussmaterial aufgefüllt wird; - Öffnen des Spritzgusswerkzeugs (151, 152) und Entnahme des optoelektronischen Bauteils (100) mit dem Spritzgusskörper und dem umspritzten lichtemittierenden Halbleiterchip (110).Method for producing an optoelectronic component (100) with the steps: - Introducing a light emitting semiconductor chip (110) having a conversion element (120) on a light emitting side (113), with the applied conversion element (120) in an injection mold (151, 152), wherein the injection mold (151, 152) a film (153) for performing a film-assisted injection molding process; Closing the injection mold (151, 152) such that a gap (154) remains between the film (153) and the conversion element (120); - Overmolding the light emitting semiconductor chip (110) with an injection molding material for molding an injection molded body such that the gap (154) between the conversion element (120) and the film (153) is filled with the injection molding material; - Opening the injection molding tool (151, 152) and removal of the optoelectronic component (100) with the injection molded body and the overmolded light emitting semiconductor chip (110). Verfahren nach Anspruch 11, wobei der Spalt (154) zwischen 15 und 55 Mikrometer breit ist.Method according to Claim 11 wherein the gap (154) is between 15 and 55 microns wide. Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, wobei das Spritzgussmaterial ein Silikon (132) aufweist, wobei ein Füllstoff (133) in das Silikon (132) eingebettet ist.Method according to Claim 11 or 12 wherein the injection molding material comprises a silicone (132), wherein a filler (133) is embedded in the silicone (132). Verfahren nach Anspruch 13, wobei das Silikon (132) ein Vergusssilikon oder ein Spritzgusssilikon ist.Method according to Claim 13 wherein the silicone (132) is a cast silicone or an injection molded silicone. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 oder 14, wobei der Füllstoff (133) Titandioxid-Partikel mit einem Durchmesser von 0,5 bis 10 Mikrometer und/oder Aluminiumoxid-Partikel mit einem Durchmesser von 0,5 bis 10 Mikrometer und/oder Siliziumdioxid-Partikel mit einem Durchmesser von 0,5 bis 10 Mikrometer aufweist.Method according to one of Claims 13 or 14 wherein the filler (133) comprises 0.5 to 10 micrometer diameter titanium dioxide particles and / or 0.5 to 10 micrometer diameter alumina particles and / or 0.5 to 0.5 micrometer silica particles 10 microns.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020030705A3 (en) * 2018-08-08 2022-06-30 Osram Oled Gmbh Method for producing conversion elements, conversion elements, method for producing a light-emitting semiconductor component, and light-emitting semiconductor component

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012102420A1 (en) * 2012-03-21 2013-09-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor device and method for producing such
DE102014114372A1 (en) * 2014-10-02 2016-04-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Process for the production of optoelectronic semiconductor components and optoelectronic semiconductor component

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006135002A (en) * 2004-11-04 2006-05-25 Koito Mfg Co Ltd Light-emitting device and lighting fixture for car
US20080265749A1 (en) * 2005-10-05 2008-10-30 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Phosphor-Converted Electroluminescent Device with Absorbing Filter
CN101432895B (en) * 2006-04-24 2012-09-05 克利公司 Side-view surface mount white LED
DE102006051746A1 (en) * 2006-09-29 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component with a luminescence conversion layer
US7791093B2 (en) * 2007-09-04 2010-09-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with particles in encapsulant for increased light extraction and non-yellow off-state color
US8097894B2 (en) * 2009-07-23 2012-01-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with molded reflective sidewall coating
US20110049545A1 (en) * 2009-09-02 2011-03-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led package with phosphor plate and reflective substrate
DE102013219063A1 (en) * 2013-09-23 2015-03-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component and method for its production
DE102014112883A1 (en) * 2014-09-08 2016-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012102420A1 (en) * 2012-03-21 2013-09-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor device and method for producing such
DE102014114372A1 (en) * 2014-10-02 2016-04-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Process for the production of optoelectronic semiconductor components and optoelectronic semiconductor component

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020030705A3 (en) * 2018-08-08 2022-06-30 Osram Oled Gmbh Method for producing conversion elements, conversion elements, method for producing a light-emitting semiconductor component, and light-emitting semiconductor component

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