DE102014117435A1 - Component with ladder frame section - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung betrifft ein Bauteil mit wenigstens zwei Leiterrahmenabschnitten, wobei die zwei Leiterrahmenabschnitte in einem Rahmen eingebettet sind, wobei auf dem ersten Leiterrahmenabschnitt ein optoelektronisches Bauelement zum Erzeugen einer elektromagnetische Strahlung angeordnet ist, wobei der erste Leiterrahmenabschnitt eine reflektierende Oberfläche aufweist, wobei das optoelektronische Bauelement einen ersten Bereich der Oberfläche des ersten Leiterrahmenabschnittes abdeckt, wobei ein verbleibender Bereich der Oberfläche des ersten Leiterrahmenabschnitts im Wesentlichen mit einer Schicht bedeckt ist.The invention relates to a component having at least two leadframe sections, wherein the two leadframe sections are embedded in a frame, wherein an optoelectronic component for generating an electromagnetic radiation is arranged on the first leadframe section, wherein the first leadframe section has a reflective surface, wherein the optoelectronic component has a covering a first area of the surface of the first lead frame portion, wherein a remaining area of the surface of the first lead frame portion is substantially covered with a layer.
Description
Die Erfindung betrifft ein Bauteil mit Leiterrahmenabschnitten gemäß Anspruch 1.The invention relates to a component with leadframe sections according to
Im Stand der Technik ist es bekannt, Bauteile mit Leiterrahmenabschnitten herzustellen, wobei wenigstens auf einem Leiterrahmenabschnitt ein optoelektronisches Bauelement angeordnet ist.It is known in the prior art to produce components with leadframe sections, wherein an optoelectronic component is arranged at least on a leadframe section.
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, mit einfachen Mitteln die Alterungsstabilität des Bauteils zu erhöhen.The object of the invention is to increase the aging stability of the component with simple means.
Die Aufgabe der Erfindung wird durch das Bauteil gemäß Patentanspruch 1 gelöst.The object of the invention is achieved by the component according to
Weitere Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.Further embodiments are given in the dependent claims.
Ein Vorteil des beschriebenen Bauteils besteht darin, dass mit einfachen Mitteln eine Alterungsstabilität des Leiterrahmenabschnittes erhöht ist. Dies wird dadurch erreicht, dass eine möglichst große Oberfläche des Leiterrahmenabschnittes mit einer Schicht bedeckt ist. Dadurch ist eine möglichst geringe freie Oberfläche der Leiterrahmenabschnitte gegeben. Somit wird die Oberfläche des Leiterrahmenabschnitts gegenüber Umwelteinflüssen, die eine Alterung der Oberfläche bewirken können, geschützt.An advantage of the described component is that with simple means an aging stability of the leadframe portion is increased. This is achieved by covering the largest possible surface of the lead frame section with a layer. As a result, the smallest possible free surface of the lead frame sections is given. Thus, the surface of the lead frame portion is protected from environmental influences that may cause aging of the surface.
In einer weiteren Ausführungsform ist ein Randbereich der Oberfläche des ersten Leiterrahmenabschnittes um das Bauelement herum nicht mit der Schicht bedeckt. Auf diese Weise ist etwas Spielraum für die Montage des Bauelementes auf einem vorgegebenen Bereich des ersten Leiterrahmenabschnittes, der nicht mit der Schicht bedeckt ist, gegeben. Insbesondere bei der Verwendung eines Klebemittels wird zur Sicherheit eine größere Fläche des ersten Leiterrahmenabschnittes mit dem Klebemittel beschichtet, als die Fläche des Bauelementes darstellt. Damit ist ein gewisser Spielraum für die Montage des Bauelementes vorgesehen, wobei die gesamte Fläche des Bauelementes auf der Klebeschicht aufliegt.In another embodiment, an edge portion of the surface of the first lead frame portion around the device is not covered with the layer. In this way, there is some margin for mounting the device on a given area of the first lead frame portion which is not covered with the layer. In particular, when using an adhesive, a larger area of the first lead frame portion is coated with the adhesive for safety, as the surface of the component represents. This provides a certain margin for the assembly of the component, wherein the entire surface of the component rests on the adhesive layer.
In einer weiteren Ausführungsform sind eine Kontaktfläche des ersten und/oder eine Kontaktfläche des zweiten Leiterrahmenabschnittes zum Verbinden einer Kontaktleitung mit dem ersten bzw. mit dem zweiten Leiterrahmenabschnitt von der Schicht freigehalten. Zudem ist eine Kontaktleitung im Bereich der Kontaktfläche mit dem ersten und/oder dem zweiten Leiterrahmenabschnitt verbunden. Somit wird eine möglichst große Fläche des ersten und/oder des zweiten Leiterrahmenabschnittes mit der Schicht bedeckt, wobei jedoch noch eine freie Fläche zum Verbinden einer elektrischen Leitung mit dem ersten und/oder dem zweiten Leiterrahmenabschnitt frei bleibt.In a further embodiment, a contact surface of the first and / or a contact surface of the second leadframe section for connecting a contact lead to the first and the second leadframe section are kept free of the layer. In addition, a contact line in the region of the contact surface is connected to the first and / or the second leadframe section. Thus, the largest possible area of the first and / or the second lead frame portion is covered with the layer, but still leaving a free surface for connecting an electrical line to the first and / or the second lead frame portion remains free.
In einer weiteren Ausführungsform sind auch die Kontaktflächen des ersten und/oder des zweiten Leiterrahmenabschnittes mit der Schicht bedeckt. Somit ist auch ein Anschlusspunkt einer Verbindungsleitung mit dem entsprechenden Leiterrahmenabschnitt mit der Schicht bedeckt. Somit wird möglichst viel Fläche des Leiterrahmenabschnittes mit der Schicht geschützt.In a further embodiment, the contact surfaces of the first and / or the second leadframe portion are covered with the layer. Thus, a connection point of a connection line with the corresponding lead frame portion is covered with the layer. Thus, as much surface of the lead frame portion is protected with the layer.
In einer weiteren Ausführungsform weist die Schicht eine Dicke im Bereich von 3 µm bis 200 µm, insbesondere eine Dicke im Bereich zwischen 20 µm und 50 µm auf. Die beschriebenen Schichtdicken reichen aus, um einen Schutz der Oberfläche der Leiterrahmenabschnitte zu erreichen. Somit wird mithilfe einer relativ dünnen Schicht ein guter Schutz für die Alterungsstabilität der Oberfläche des Leiterrahmenabschnittes ermöglicht.In a further embodiment, the layer has a thickness in the range from 3 μm to 200 μm, in particular a thickness in the range between 20 μm and 50 μm. The described layer thicknesses are sufficient to achieve protection of the surface of the leadframe sections. Thus, a good protection for the aging stability of the surface of the leadframe portion is made possible by means of a relatively thin layer.
In einer weiteren Ausführungsform ist die Schicht ausgebildet, um eine elektromagnetische Strahlung zu reflektieren. Insbesondere ist die Schicht ausgebildet, um eine elektromagnetische Strahlung des optoelektronischen Bauelementes zu reflektieren. Damit wird die Lichtleistung des Bauteils erhöht.In another embodiment, the layer is configured to reflect electromagnetic radiation. In particular, the layer is designed to reflect an electromagnetic radiation of the optoelectronic component. This increases the light output of the component.
In einer weiteren Ausführungsform ist die Schicht einteilig mit dem Rahmen ausgebildet. Auf diese Weise kann eine stufenlose Abdeckung einer möglichst großen Fläche der Leiterrahmenabschnitte erreicht werden. Zudem wird das Verfahren vereinfacht, da ein weiterer Schritt zum Aufbringen einer separaten Schicht eingespart wird.In a further embodiment, the layer is formed integrally with the frame. In this way, a stepless coverage of the largest possible area of the leadframe sections can be achieved. In addition, the process is simplified because a further step for applying a separate layer is saved.
In einer weiteren Ausführungsform wird die Schicht durch ein Abtragen eines Teils des Rahmens gebildet. Dadurch können einfache Formen zum Ausbilden des Rahmens verwendet werden.In a further embodiment, the layer is formed by removing a part of the frame. As a result, simple shapes can be used to form the frame.
Insbesondere die Oberfläche des ersten Leiterrahmenabschnittes und/oder des zweiten Leiterrahmenabschnittes weist eine reflektierende Schicht auf, die empfindlich gegenüber Umwelteinflüssen ist. Beispielsweise kann die reflektierende Schicht aus Silber gebildet sein oder Silber aufweisen.In particular, the surface of the first leadframe section and / or of the second leadframe section has a reflective layer that is sensitive to environmental influences. For example, the reflective layer may be formed of silver or have silver.
In einer weiteren Ausführungsform weist die Schicht farbige Füllstoffe, insbesondere Pigmente auf. Auf diese Weise kann die Schicht an eine gewünschte Farbe angepasst werden.In a further embodiment, the layer has colored fillers, in particular pigments. In this way, the layer can be adapted to a desired color.
In einer weiteren Ausführungsform ist das Moldmaterial der Schicht aus einem Thermoplast oder einem Epoxymaterial oder einem Silikonmaterial gebildet. Die Schicht wird beispielsweise mit einem Moldprozess, insbesondere mit einem Transfermoldprozess aufgebracht.In a further embodiment, the molding material of the layer is formed from a thermoplastic or an epoxy material or a silicone material. The layer is for example with a Mold process, applied in particular with a transfermold process.
In einer weiteren Ausführungsform sind die Schicht und das Bauelement mit einer Vergussmasse bedeckt. Durch das Vorsehen der Schicht kann insbesondere eine Haftung zwischen der Schicht und der Vergussmasse im Vergleich zu einer Haftung der Vergussmasse auf der Oberfläche des Leiterrahmenabschnittes verbessert werden.In a further embodiment, the layer and the component are covered with a casting compound. By providing the layer, it is possible in particular to improve adhesion between the layer and the potting compound in comparison with adhesion of the potting compound to the surface of the leadframe section.
Durch die verbesserte Haftung der Vergussmasse auf der Schicht wird insgesamt eine Haftung der Vergussmasse am Bauteil verbessert.Due to the improved adhesion of the potting compound on the layer overall adhesion of the potting compound is improved on the component.
In einer bevorzugten Ausführungsform verbleibt nur die Fläche des Bauelementes und insbesondere die Fläche der Kleberschicht für das Bauelement frei von der Schicht.In a preferred embodiment, only the surface of the component and in particular the surface of the adhesive layer for the component remains free of the layer.
Mithilfe der Schicht wird eine Alterung der reflektierenden Schicht des Leiterrahmenabschnittes, insbesondere eine Korrosion reduziert, sodass weniger Helligkeitsverlust oder weniger Farbortänderung der reflektierten elektromagnetischen Strahlung erreicht wird.By means of the layer, an aging of the reflective layer of the leadframe section, in particular a corrosion, is reduced, so that less brightness loss or less color change of the reflected electromagnetic radiation is achieved.
Bei der Ausbilderschicht als reflektierende Schicht können beispielsweise Materialien für die Ausbildung der reflektierenden Schicht des Leiterrahmenabschnittes verwendet werden, die eine geringere Reflektivität aufweisen. Da der größte Teil der Oberfläche des Leiterrahmenabschnittes mit der Schicht bedeckt ist, fällt die geringere Reflektivität der reflektierenden Schicht nicht so sehr ins Gewicht.In the instructor layer as the reflective layer, for example, materials for forming the reflective layer of the lead frame portion which have lower reflectivity may be used. Since most of the surface of the leadframe section is covered with the layer, the lower reflectivity of the reflective layer is less significant.
Bei der Verwendung einer schwarzen Schicht entfällt durch die reduzierte freie Oberfläche des Leiterrahmenabschnittes ein nachträglicher Vergussprozess mit einem absorbierenden Material. Insbesondere bei der Herstellung von großflächigen Anordnungen mit relativ kleinen Bauelementen kann die beschriebene Anordnung eingesetzt werden.When using a black layer eliminated by the reduced free surface of the lead frame section a subsequent potting process with an absorbent material. In particular, in the production of large-area arrangements with relatively small components, the described arrangement can be used.
Zudem kann der Vergussschritt des Bauteils mit einer TiO2-Paste entfallen, da die nicht benötigte Leiterrahmenoberfläche bereits mit einer reflektiven Schicht bedeckt ist. Insbesondere besteht ein geringeres Flash-Risiko, da im Wesentlichen nur die Kontaktflächen für die Leitungsverbindungen frei von der Schicht gehalten werden und dadurch der abzudichtende Bereich der Leiterrahmenoberfläche kleiner ist.In addition, the Vergussschritt the component with a TiO 2 paste omitted, since the unnecessary ladder frame surface is already covered with a reflective layer. In particular, there is a lower risk of flash, since essentially only the contact surfaces for the line connections are kept free of the layer and thereby the region of the leadframe surface to be sealed is smaller.
Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden.The above-described characteristics, features, and advantages of this invention, as well as the manner in which they will be achieved, will become clearer and more clearly understood in connection with the following description of the embodiments, which will be described in detail in conjunction with the drawings.
Es zeigenShow it
Die Leiterrahmenabschnitte
Zur Herstellung eines Bauteils mit einem optoelektronischen Bauelement werden die Leiterrahmenabschnitte
In dem dargestellten Ausführungsbeispiel ist ein oberer Abschnitt
Anschließend wird ein erstes optoelektronisches Bauelement
Die Schicht
Freiliegende Oberflächen der Leiterrahmenabschnitte
Die Schicht
In einer weiteren Ausführungsform kann die Schicht
Die Rahmen
Zudem kann das Bauteil mit einer Vergussmasse
BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS
- 11
- erster Leiterrahmenabschnitt first ladder frame section
- 22
- zweiter Leiterrahmenabschnitt second ladder frame section
- 33
- Steg web
- 44
- Diode diode
- 55
- Leitung management
- 66
- Oberfläche surface
- 77
- Rahmen frame
- 88th
- Innenwand inner wall
- 99
- Innenraum inner space
- 1010
- Schicht layer
- 1111
- erste Fläche first surface
- 1212
- zweite Fläche second surface
- 1313
- dritte Fläche third area
- 1414
- erstes optoelektronisches Bauelement first optoelectronic component
- 1515
- zweites optoelektronisches Bauelement second optoelectronic component
- 1616
- Klebeschicht the adhesive layer
- 1717
- oberer Abschnitt upper section
- 1818
- zweite Leitung second line
- 1919
- dritte Leitung third line
- 2020
- vierte Leitung fourth line
- 2121
- weiterer erster Leiterrahmenabschnitt another first ladder frame section
- 2222
- weiterer zweiter Leiterrahmenabschnitt another second lead frame section
- 2323
- zweiter Rahmen second frame
- 2424
- Randbereich border area
- 2626
- dritter Leiterrahmen third ladder frame
- 2727
- vierter Leiterrahmen fourth ladder frame
- 2828
- dritter Rahmen third frame
- 2929
- vierte Fläche fourth area
- 3030
- fünfte Fläche fifth area
- 3131
- sechste Fläche sixth area
- 3232
- siebte Fläche seventh area
- 3333
- drittes optoelektronisches Bauelement third optoelectronic component
- 3434
- viertes optoelektronisches Bauelement fourth optoelectronic component
- 3535
- fünftes optoelektronisches Bauelement fifth optoelectronic component
- 3636
- sechstes optoelektronisches Bauelement sixth optoelectronic component
- 3737
- Abschnitt section
- 3838
- elektrische Leitung electrical line
- 3939
- Vergussmasse potting compound
Claims (12)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102014117435.6A DE102014117435A1 (en) | 2014-11-27 | 2014-11-27 | Component with ladder frame section |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102014117435.6A DE102014117435A1 (en) | 2014-11-27 | 2014-11-27 | Component with ladder frame section |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102014117435A1 true DE102014117435A1 (en) | 2016-06-02 |
Family
ID=55968119
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102014117435.6A Withdrawn DE102014117435A1 (en) | 2014-11-27 | 2014-11-27 | Component with ladder frame section |
Country Status (1)
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---|---|
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