DE102015114579B4 - Semiconductor chip - Google Patents

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Abstract

Optoelektronischer Halbleiterchip (1) mit einem epitaktisch gewachsenen Halbleiterkörper (23), der einen aktiven Bereich (39) aufweist, und einem Träger (3) mit einer ersten Trägerfläche (5), auf der der Halbleiterkörper (23) angeordnet ist, und einer zweiten Trägerfläche (7) auf der vom Halbleiterkörper (23) abgewandten Seite, wobei der Träger (3) einen Verbundkörper (11, 13, 15) aufweist, der einen ersten elektrisch leifähigen Leiterkörper (11), einen zweiten elektrisch leitfähigen Leiterkörper (13) und zumindest einen elektrisch isolierenden Formkörper (15) aufweist, wobei sich der erste Leiterkörper (11) und der zweite Leiterkörper (13) von der ersten Trägerfläche (5) bis zur zweiten Trägerfläche (7) erstrecken, wobei- der erste Leiterkörper (11) und der zweite Leiterkörper (13) mit dem Halbleiterkörper (23) auf verschiedenen Seiten des aktiven Bereichs (39) elektrisch leitend verbunden sind,- der erste (11) und der zweite (13) Leiterkörper jeweils eine erste Körperhauptfläche (17), die dem Halbleiterkörper (23) zugewandt ist, und eine zweite Körperhauptfläche (19), die von der ersten Körperhauptfläche (17) abgewandt ist, aufweisen, wobei die erste (17) und die zweite (19) Körperhauptfläche über mindestens eine Seitenfläche (21) des jeweiligen Leiterkörpers (11, 13) miteinander verbunden sind,- die zweite Körperhauptfläche (17) des ersten Leiterkörpers (11) und die zweite Körperhauptfläche (17) des zweiten Leiterkörpers (13) bereichsweise oder vollständig vom Halbleiterkörper (23) überdeckt sind,- zur Erhöhung der Kontaktfläche zwischen dem ersten (11) und/oder zweiten (13) Leiterkörper und dem Formkörper (15)- die Oberfläche A der Seitenfläche (21) des ersten (11) und/oder des zweiten (13) Leiterkörpers folgende Relation erfüllt: A/(B*d) ≥ 1,20 und/oder A/(C*d) ≥ 1,20, wobei B die maximale Längsabmessung der ersten Körperhauptfläche (17) oder der zweiten Körperhauptfläche (19) des Leiterkörpers bezeichnet, C den halben Umfang der ersten oder zweiten Körperhauptfläche des Leiterkörpers bezeichnet, und d die Dicke des Leiterkörpers bezeichnet, oder- der erste (11) und/oder der zweite (13) Leiterkörper von einem Verbindungsbereich (33) des Formkörpers (15) durchformt sind, sodass sich der Verbindungsbereich (33) in Aufsicht gesehen von einer Seite des Leiterkörpers (11, 13) durch den Leiterkörper (11, 13) hindurch bis zur anderen Seite des Leiterkörpers (11, 13) erstreckt, wobei der Verbindungsbereich (33) in Umfangsrichtung entlang seiner Erstreckungsrichtung gesehen vollständig vom Material des Leiterkörpers umgeben ist.Optoelectronic semiconductor chip (1) with an epitaxially grown semiconductor body (23) which has an active region (39) and a carrier (3) with a first carrier surface (5) on which the semiconductor body (23) is arranged, and a second Carrier surface (7) on the side facing away from the semiconductor body (23), the carrier (3) having a composite body (11, 13, 15) which has a first electrically conductive body (11), a second electrically conductive body (13) and has at least one electrically insulating molded body (15), the first conductor body (11) and the second conductor body (13) extending from the first support surface (5) to the second support surface (7), the first conductor body (11) and the second conductor body (13) are electrically conductively connected to the semiconductor body (23) on different sides of the active region (39), - the first (11) and the second (13) conductor body each have a first main body surface (17) facing the semiconductor body (23) and having a second main body surface (19) facing away from the first main body surface (17), the first (17) and the second (19) main body surface over at least one side surface (21 ) of the respective conductor body (11, 13) are connected to one another, - the second main body surface (17) of the first conductor body (11) and the second main body surface (17) of the second conductor body (13) are partially or completely covered by the semiconductor body (23), - to increase the contact area between the first (11) and / or second (13) conductor body and the shaped body (15) - the surface A of the side surface (21) of the first (11) and / or the second (13) conductor body has the following relation fulfills: A / (B * d) ≥ 1.20 and / or A / (C * d) ≥ 1.20, where B denotes the maximum longitudinal dimension of the first main body surface (17) or the second main body surface (19) of the conductor body, C half the circumference of the first or second main body area of the conductor body, and d denotes the thickness of the conductor body, or - the first (11) and / or the second (13) conductor body are formed through by a connecting area (33) of the molded body (15), so that the connecting area (33) seen in plan view from one side of the conductor body (11, 13) through the conductor body (11, 13) to the other side of the conductor body (11, 13), the connecting area (33) being completely made of the material along its direction of extension of the conductor body is surrounded.

Description

Die vorliegende Offenbarung betrifft einen Halbleiterchip mit einem Halbleiterkörper. Der Halbleiterchip weist weiterhin einen Träger mit einer ersten Trägerfläche auf, auf der der Halbleiterkörper angeordnet ist.The present disclosure relates to a semiconductor chip with a semiconductor body. The semiconductor chip furthermore has a carrier with a first carrier surface on which the semiconductor body is arranged.

Die mechanische Stabilität des Trägers ist, da der Halbleiterkörper auf dem Träger angeordnet ist, auch maßgeblich für die mechanische Stabilisierung des Halbleiterkörpers.Since the semiconductor body is arranged on the carrier, the mechanical stability of the carrier is also decisive for the mechanical stabilization of the semiconductor body.

Aus den Druckschriften DE 10 2013 000 911 A1 , WO 2012 / 107 967 A1 , DE 10 2010 052 541 A1 , US 2012 / 0 313 131 A1 , US 2006 / 0 033 184 A1 und US 2015 / 0 060 928 A1 sind Halbleiterchips mit einem Halbleiterkörper bekannt.From the pamphlets DE 10 2013 000 911 A1 , WO 2012/107 967 A1 , DE 10 2010 052 541 A1 , US 2012/0 313 131 A1 , US 2006/0 033 184 A1 and US 2015/0 060 928 A1 semiconductor chips with a semiconductor body are known.

Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, einen Träger hoher mechanischer Stabilität bereitzustellen.One problem to be solved is to provide a carrier with high mechanical stability.

Diese Aufgabe wird durch die folgende Offenbarung und insbesondere durch die in unabhängigen Patentansprüchen definierten Gegenstände gelöst. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen sind Gegenstand abhängiger Patentansprüche.This object is achieved by the following disclosure and in particular by the subjects defined in the independent patent claims. Further advantageous configurations and developments are the subject of dependent claims.

Die vorliegende Offenbarung enthält nicht notwendigerweise ausschließlich Offenbarung, die der Lösung der oben gestellten Aufgabe dient, sondern kann auch Lösungen zu anderen Aufgabenstellungen enthalten, die dann durch die jeweils relevanten Merkmale ggf. auch ohne die für die oben genannte Aufgabe relevanten Merkmale gelöst werden können.The present disclosure does not necessarily exclusively contain disclosure that serves to solve the problem set above, but can also contain solutions to other problems that can then be solved by the respective relevant features, possibly even without the features relevant to the above task.

Der Halbleiterchip weist einen aktiven Bereich auf.The semiconductor chip has an active area.

Der Halbleiterchip ist ein optoelektronischer Halbleiterchip. Der aktive Bereich kann zur Strahlungserzeugung oder zum Strahlungsempfang vorgesehen sein. Der Halbleiterkörper kann für eine Leuchtdiode oder für eine Photodiode ausgebildet sein. Bevorzugt ist der Halbleiterkörper zur Erzeugung von Strahlung im infraroten, sichtbaren oder ultravioletten Spektralbereich ausgebildet. Der Halbleiterkörper ist epitaktisch gewachsen. Epitaktisch gewachsene Halbleiterkörper bedürfen einer besonders guten mechanischen Stabilisierung durch den Träger, da instabile Träger Brüche im epitaktisch gewachsenen Halbleitermaterial verursachen können, was zu erheblichen Beeinträchtigungen in der Funktion des Chips und, etwa wenn der aktive Bereich bricht, zu einem vollständigen Ausfall des Chips führen kann.The semiconductor chip is an optoelectronic semiconductor chip. The active area can be provided for generating radiation or for receiving radiation. The semiconductor body can be designed for a light-emitting diode or for a photodiode. The semiconductor body is preferably designed to generate radiation in the infrared, visible or ultraviolet spectral range. The semiconductor body has grown epitaxially. Epitaxially grown semiconductor bodies require particularly good mechanical stabilization by the carrier, since unstable carriers can cause breaks in the epitaxially grown semiconductor material, which can lead to considerable impairment in the function of the chip and, for example, if the active area breaks, to a complete failure of the chip .

Der Träger weist auf der vom Halbleiterkörper abgewandten Seite eine zweite Trägerfläche auf. Die erste und die zweite Trägerfläche können aneinander ausgerichtet, vorzugsweise parallel zueinander ausgerichtet, sein und insbesondere parallel zueinander verlaufen.The carrier has a second carrier surface on the side facing away from the semiconductor body. The first and the second carrier surface can be aligned with one another, preferably aligned parallel to one another, and in particular run parallel to one another.

Der Träger weist zumindest einen elektrisch leitfähigen Leiterkörper auf. Der Leiterkörper erstreckt sich von der ersten Trägerfläche bis zur zweiten Trägerfläche. Der Leiterkörper ist zweckmäßigerweise elektrisch leitend mit dem aktiven Bereich des Halbleiterkörpers verbunden. Der elektrisch leitfähige Leiterkörper kann ein erster Leiterkörper sein. Der Träger weist zusätzlich zu dem ersten Leiterkörper einen zweiten elektrisch leitfähigen Leiterkörper auf, wobei der erste Leiterkörper und der zweite Leiterkörper mit dem Halbleiterkörper auf verschiedenen Seiten des aktiven Bereichs elektrisch leitend verbunden sind. Der eine Leiterkörper kann mit der dem Träger zugewandten Seite des Halbleiterkörpers, insbesondere zwischen dem Träger und dem aktiven Bereich, elektrisch leitend verbunden sein und der andere Leiterkörper kann mit dem Halbleiterkörper auf der vom Träger abgewandten Seite des aktiven Bereichs elektrisch leitend verbunden sein. Innerhalb des Trägers sind der erste und der zweite Leiterkörper mit Vorzug elektrisch voneinander isoliert. In dem Bereich zwischen dem aktiven Bereich und dem Träger können der erste und der zweite Leiterkörper elektrisch voneinander isoliert sein, so dass in diesem Bereich keine elektrisch leitende Verbindung zwischen dem ersten und zweiten Leiterkörper hergestellt wird. Ein Kurzschluss kann so vermieden werden. Der erste Leiterkörper und/oder der zweite Leiterkörper kann ein Metall oder ein metallisches Material enthalten oder daraus bestehen. Der erste Leiterkörper und/oder der zweite Leiterkörper kann sich von der ersten Trägerfläche bis zur zweiten Trägerfläche erstrecken.The carrier has at least one electrically conductive conductor body. The conductor body extends from the first carrier surface to the second carrier surface. The conductor body is expediently connected in an electrically conductive manner to the active region of the semiconductor body. The electrically conductive conductor body can be a first conductor body. In addition to the first conductor body, the carrier has a second electrically conductive conductor body, the first conductor body and the second conductor body being electrically conductively connected to the semiconductor body on different sides of the active region. One conductor body can be electrically conductively connected to the side of the semiconductor body facing the carrier, in particular between the carrier and the active region, and the other conductor body can be electrically conductively connected to the semiconductor body on the side of the active region facing away from the carrier. Within the carrier, the first and the second conductor body are preferably electrically insulated from one another. In the area between the active area and the carrier, the first and second conductor bodies can be electrically insulated from one another, so that no electrically conductive connection is established between the first and second conductor bodies in this area. A short circuit can thus be avoided. The first conductor body and / or the second conductor body can contain or consist of a metal or a metallic material. The first conductor body and / or the second conductor body can extend from the first carrier surface to the second carrier surface.

Merkmale, die im Folgenden in Bezug auf einen Leiterkörper beschrieben sind, können sich auf den ersten und/oder den zweiten Leiterkörper beziehen, soweit nicht explizit Unterschiede zwischen den Leiterkörpern herausgestellt werden.Features that are described below in relation to a conductor body can relate to the first and / or the second conductor body, unless differences between the conductor bodies are explicitly pointed out.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der Träger einen Verbundkörper auf. Der Träger kann durch den Verbundkörper gebildet sein. Der Verbundkörper kann den elektrisch leitfähigen Leiterkörper - selbstverständlich möglicherweise zusätzlich den zweiten elektrischen Leiterkörper, wie oben erwähnt - aufweisen. Der Verbundkörper weist einen elektrisch isolierenden Körper, vorzugsweise einen Formkörper, auf. Der Formkörper kann an den Leiterkörper angeformt sein. Insbesondere kann eine direkte Grenzfläche zwischen dem Formkörper und dem Leiterkörper gebildet sein. Material für den Formkörper kann für das Anformen fließfähig gemacht oder bereits fleißfähig bereitgestellt werden und anschließend, insbesondere nach dem Anfließen des fließfähigen Materials an den Leiterkörper, kann das fließfähige Material wieder verfestigt werden, um den Formkörper zu bilden. Der Formkörper kann die mechanischen Eigenschaften des Trägers maßgeblich bestimmen. Der Formkörper kann, da er elektrisch isolierend ist, den ersten und zweiten Leiterkörper elektrisch voneinander isolieren. Der Formkörper kann die mechanische Stabilität des Verbundkörpers garantieren. Der Formkörper kann, in Aufsicht auf die erste und/oder zweite Trägerfläche gesehen einen Randbereich aufweisen, der den Leiterkörper, insbesondere den ersten und den zweiten Leiterkörper, umläuft. Zwischen dem ersten und dem zweiten Leiterkörper kann ein Zwischenbereich des Formkörpers angeordnet sein. Über diesen Zwischenbereich können der erste und der zweite Leiterbereich elektrisch voneinander isoliert werden. Der Formkörper kann einstückig ausgeführt sein. Der Formkörper kann über den gesamten Umfangs des Leiterkörpers in Aufsicht auf die erste und/oder zweite Trägerfläche gesehen unmittelbar an den Leiterkörper angrenzen. Die jeweilige Trägerfläche kann eben oder uneben sein. Beispielsweise kann die erste Trägerfläche uneben sein, wobei die Unebenheit bevorzugt vom Formkörper herrührt. Die zweite Trägerfläche kann beispielsweise eben sein.According to at least one embodiment, the carrier has a composite body. The carrier can be formed by the composite body. The composite body can have the electrically conductive conductor body - of course, possibly also the second electrical conductor body, as mentioned above. The composite body has an electrically insulating body, preferably a molded body. The shaped body can be molded onto the conductor body. In particular, a direct interface can be formed between the molded body and the conductor body. Material for the molded body can be made flowable for molding or can already be made available and ready to work subsequently, in particular after the flowable material has flowed onto the conductor body, the flowable material can be solidified again in order to form the shaped body. The shaped body can significantly determine the mechanical properties of the carrier. Since it is electrically insulating, the molded body can electrically isolate the first and second conductor bodies from one another. The shaped body can guarantee the mechanical stability of the composite body. When viewed from above on the first and / or second support surface, the shaped body can have an edge region which runs around the conductor body, in particular the first and the second conductor body. An intermediate region of the shaped body can be arranged between the first and the second conductor body. The first and second conductor areas can be electrically isolated from one another via this intermediate area. The molded body can be made in one piece. The shaped body can directly adjoin the conductor body over the entire circumference of the conductor body when viewed from above on the first and / or second carrier surface. The respective support surface can be flat or uneven. For example, the first support surface can be uneven, the unevenness preferably originating from the molded body. The second support surface can be flat, for example.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Verbundkörper zugstabil ausgebildet. Zugbelastungen können insbesondere durch Kräfte verursacht werden, die in einer Richtung wirken, die entlang der ersten Trägerfläche, der zweiten Trägerfläche vorzugsweise parallel zu dieser, ausgerichtet sind. Die Zugbelastungskraft kann insbesondere senkrecht zu der Grenzfläche zwischen dem Formkörper und dem Leiterkörper gerichtet sein und versuchen, den Formkörper vom Leiterkörper zu lösen. Da der Verbundkörper sowohl einen Leiterkörper als auch den Formkörper umfasst, ist es von besonderem Vorteil, wenn der Verbundkörper zugstabil ausgebildet ist, da der Träger nicht aus einem Teil, sondern aus mehreren, vorzugsweise nacheinander ausgebildeten Teilen besteht oder gebildet ist.According to at least one embodiment, the composite body is designed to be tensile-stable. Tensile loads can in particular be caused by forces which act in a direction which are aligned along the first carrier surface, the second carrier surface, preferably parallel to it. The tensile load force can in particular be directed perpendicular to the interface between the shaped body and the conductor body and attempt to detach the shaped body from the conductor body. Since the composite body comprises both a conductor body and the shaped body, it is of particular advantage if the composite body is designed to be tensile-resistant, since the carrier does not consist or is formed from one part, but from several parts, preferably one after the other.

Die Zugstabilität des Verbundkörpers wird vorzugsweise nur durch die Ausbildung des Leiterkörpers gewährleistet, der hinsichtlich des Formkörpers so ausgebildet ist, dass die Verbindung zwischen Formkörper und Leiterkörper besonders stabil ist.The tensile stability of the composite body is preferably only ensured by the design of the conductor body which, with regard to the shaped body, is designed in such a way that the connection between the shaped body and the conductor body is particularly stable.

Der Leiterkörper kann so ausgebildet sein, dass die Kraft parallel zur ersten und/oder zweiten Trägerfläche, die erforderlich ist, um den Formkörper von dem Leiterkörper zu lösen, pro Flächeneinheit der Kontaktfläche Formkörper/Leiterkörper größer oder gleich 10 MPa, bevorzugt größer oder gleich 50 MPa, besonders bevorzugt größer oder gleich 100 MPa.The conductor body can be designed so that the force parallel to the first and / or second support surface, which is required to detach the molded body from the conductor body, per unit area of the molded body / conductor body contact surface is greater than or equal to 10 MPa, preferably greater than or equal to 50 MPa, particularly preferably greater than or equal to 100 MPa.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Zugfestigkeit der Verbindung zwischen dem Formkörper und dem Leiterkörper, insbesondere für Kräfte, die entlang der ersten Trägerfläche und/oder entlang der zweiten Trägerfläche ausgerichtet sind, erhöht.According to at least one embodiment, the tensile strength of the connection between the molded body and the conductor body is increased, in particular for forces that are aligned along the first carrier surface and / or along the second carrier surface.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Formkörper an den Halbleiterkörper und/oder den Leiterkörper angeformt. Der Halbleiterkörper beziehungsweise Halbleitermaterial für den Halbleiterkörper kann also bereits vorhanden sein, ebenso wie gegebenenfalls ein Leiterkörper, bevor Material für den Formkörper aufgebracht und der Formkörper ausgebildet wird. Der Formkörper kann an eine Seitenfläche des Halbleiterkörpers oder an zwischen dem Halbleiterkörper und dem Formkörper angeordnete Elemente, die zweckmäßigerweise nicht halbleitend sind, wie zum Beispiel eine Stromverteilungsschicht und/oder eine Spiegelschicht, angeformt werden. Der Formkörper kann das Oberflächenprofil, das durch die ihm nachfolgenden Strukturen definiert ist, nachbilden. Dementsprechend kann der Formkörper auf der dem Halbleiterkörper zugewandten Seite uneben ausgebildet sein. Der Leiterkörper ist zweckmäßigerweise vor der Ausbildung des Formkörpers auf dem Halbleitermaterial des Halbleiterkörpers aufgebracht.In accordance with at least one embodiment, the molded body is molded onto the semiconductor body and / or the conductor body. The semiconductor body or semiconductor material for the semiconductor body can therefore already be present, as well as possibly a conductor body, before material for the molded body is applied and the molded body is formed. The shaped body can be molded onto a side surface of the semiconductor body or onto elements which are arranged between the semiconductor body and the shaped body and which are expediently non-semiconducting, such as a current distribution layer and / or a mirror layer. The shaped body can reproduce the surface profile which is defined by the structures following it. Accordingly, the shaped body can be embodied as uneven on the side facing the semiconductor body. The conductor body is expediently applied to the semiconductor material of the semiconductor body prior to the formation of the shaped body.

Der Leiterkörper weist eine erste Körperhauptfläche auf, die dem Halbleiterkörper zugewandt ist. Eine zweite Körperhauptfläche des Leiterkörpers ist von der ersten Körperhauptfläche abgewandt. Der Leiterbereich kann in Aufsicht auf die erste und/oder zweite Körperhauptfläche gesehen eine ausgezeichnete Längsrichtung aufweisen. Vorzugsweise ist der Leiterkörper länglich ausgebildet. Die erste und die zweite Körperhauptfläche sind über mindestens eine Seitenfläche des Leiterkörpers miteinander verbunden. Die erste und die zweite Körperhauptfläche können parallel zueinander ausgerichtet sein oder verlaufen. Bevorzugt wird über die Ausbildung der Seitenfläche die Zugfestigkeit des Verbundkörpers erhöht. Die jeweilige Körperhauptfläche kann eben sein.The conductor body has a first main body surface which faces the semiconductor body. A second main body surface of the conductor body faces away from the first main body surface. When viewed from above on the first and / or second main body surface, the conductor area can have an excellent longitudinal direction. The conductor body is preferably designed to be elongated. The first and the second main body surface are connected to one another via at least one side surface of the conductor body. The first and the second main body surface can be aligned or run parallel to one another. The tensile strength of the composite body is preferably increased via the formation of the side surface. The respective main body surface can be flat.

Die folgenden Ausführungen gelten, wenn auf eine Seitenfläche Bezug genommen ist, für mindestens eine, eine beliebige ausgewählte Mehrzahl, oder alle Seitenflächen des Leiterkörpers, insofern dieser mehrere Seitenflächen aufweist. Weist der Leiterkörper in Aufsicht auf die erste Körperhauptfläche eine ausgezeichnete Längsrichtung und/oder eine längere Seite auf, so gelten die folgenden Ausführungen vorzugsweise für die den Leiterkörper in oder entlang der Längsrichtung begrenzende Seitenfläche. Sind zwei Leiterkörper vorgesehen, so gelten die Ausführungen bevorzugt zumindest für eine Seitenfläche des einen Leiterkörpers, die dem anderen Leiterkörper zugewandt ist, vorzugsweise für die beiden einander zugewandte Seitenflächen der Leiterkörper. Weiterhin können die Ausführungen zur Seitenfläche alternativ oder ergänzend auch für einen Flächenbereich gelten, in dem die Seitenfläche des ersten Leiterkörpers die dem ersten Leiterkörper zugewandte Seitenfläche des zweiten Leiterkörpers überdeckt und/oder umgekehrt. Die jeweilige Seitenfläche des Leiterkörpers kann eben, gekrümmt - konvex oder konkav - und/oder strukturiert ausgeführt sein. Die jeweilige Seitenfläche kann schräg oder senkrecht zur ersten Körperhauptfläche, zweiten Körperhauptfläche, ersten Trägerfläche und/oder zweiten Trägerfläche verlaufen. Schräg bedeutet vorzugsweise weder senkrecht noch parallel.When reference is made to a side surface, the following statements apply to at least one, any selected plurality, or all side surfaces of the conductor body, insofar as the latter has a plurality of side surfaces. If the conductor body has an excellent longitudinal direction and / or a longer side in a plan view of the first main body surface, the following statements preferably apply to the side surface delimiting the conductor body in or along the longitudinal direction. If two conductor bodies are provided, the statements preferably apply to at least one side surface of the one conductor body which faces the other conductor body, preferably to the two side surfaces of the conductor bodies facing one another. Furthermore, the statements on the side surface can alternatively or additionally also apply to a surface area in which the side surface of the first conductor body covers the side surface of the second conductor body facing the first conductor body and / or vice versa. The respective side surface of the conductor body can be designed to be flat, curved - convex or concave - and / or structured. The respective side surface can run obliquely or perpendicular to the first main body surface, second main body surface, first support surface and / or second support surface. Oblique preferably means neither perpendicular nor parallel.

Es hat sich bei betriebsinternen Tests herausgestellt, dass Träger mit Verbundkörpern mit zwei Leiterkörpern und einem Formkörper vorzugsweise dort reißen oder brechen, wo die Oberfläche des ersten Leiterkörpers derjenigen des zweiten Leiterkörpers zugewandt ist. Dementsprechend ist eine Ausbildung der Seitenfläche des Leiterkörpers zur Erhöhung der Zugfestigkeit in diesem Bereich besonders vorteilhaft aber nicht notwendigerweise auf diesen Bereich begrenzt.In-house tests have shown that carriers with composite bodies with two conductor bodies and one shaped body preferably tear or break where the surface of the first conductor body faces that of the second conductor body. Accordingly, a design of the side surface of the conductor body to increase the tensile strength in this area is particularly advantageous, but not necessarily limited to this area.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Leiterkörper zur Erhöhung der, vorzugsweise haftvermittelnden, Kontaktfläche zwischen dem Leiterkörper und dem Formkörper ausgebildet. Die Kontaktfläche kann beispielsweise dadurch erhöht werden, dass der Flächeninhalt der Seitenfläche vergrößert wird, beispielsweise durch Schrägstellen der Seitenfläche und/oder durch strukturierte Ausführung der Seitenfläche. Alternativ oder ergänzend kann der Leiterkörper von dem Formkörper durchformt sein, sodass sich der Formkörper in Aufsicht gesehen von einer Seite des Leiterkörpers durch den Leiterkörper hindurch bis zur anderen Seite des Leiterkörpers erstreckt, sodass eine durchgehende Querstrebe des Formkörpers ausgebildet ist, die sich in Aufsicht auf die erste und/oder zweite Trägerfläche gesehen über den Bereich des Leiterkörpers erstreckt. Beispielsweise kann eine Querstrebe des Formkörpers von einer Seite des ersten Leiterbereichs gesehen über den vom ersten Leiterbereich überdeckten Bereich bis zum Zwischenbereich verlaufen. Die Querstrebe kann sich vom Zwischenbereich ausgehend, insbesondere entlang einer geraden Linie, über den Bereich des zweiten Leiterkörpers fortsetzen und auf dessen vom Zwischenbereich abgewandter Seite wieder mit dem Randbereich des Formkörpers verbunden sein. Weiterhin kann zwischen einer der zweiten Trägerfläche zugewandten Seite des Leiterkörpers und der zweiten Trägerfläche ein Teilbereich des Formkörpers angeordnet sein.According to at least one embodiment, the conductor body is designed to increase the, preferably adhesion-promoting, contact surface between the conductor body and the molded body. The contact surface can be increased, for example, by increasing the surface area of the side surface, for example by inclining the side surface and / or by structuring the side surface. Alternatively or in addition, the conductor body can be shaped through by the shaped body, so that the shaped body, seen in plan view, extends from one side of the conductor body through the conductor body to the other side of the conductor body, so that a continuous transverse strut of the shaped body is formed, which extends in plan view the first and / or second support surface extends over the area of the conductor body as seen. For example, a transverse strut of the shaped body, viewed from one side of the first conductor area, can extend over the area covered by the first conductor area to the intermediate area. Starting from the intermediate area, the cross strut can continue over the area of the second conductor body, in particular along a straight line, and can be connected again to the edge area of the molded body on its side facing away from the intermediate area. Furthermore, a partial area of the shaped body can be arranged between a side of the conductor body facing the second carrier surface and the second carrier surface.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Halbleiterchip zur elektrischen Kontaktierung seitens der zweiten Trägerfläche ausgebildet. Hierzu liegt die zweite Körperhauptfläche des ersten Leiterkörpers und/oder die zweite Körperhauptfläche des zweiten Leiterkörpers zweckmäßigerweise seitens der zweiten Trägerfläche frei. Die jeweilige Körperhauptfläche kann zur elektrisch leitfähigen Verbindung mit elektrisch leitendem Material, beispielsweise einem Lot, vorgesehen sein. Die jeweilige Körperhauptfläche kann zur elektrischen Verbindung mit einem externen Anschlussleiter, etwa einer Leiterbahn einer Leiterplatte, vorgesehen sein.In accordance with at least one embodiment, the semiconductor chip is designed for electrical contacting on the part of the second carrier surface. For this purpose, the second main body surface of the first conductor body and / or the second main body surface of the second conductor body is expediently exposed on the part of the second carrier surface. The respective main body surface can be provided for an electrically conductive connection to an electrically conductive material, for example a solder. The respective main body surface can be provided for electrical connection to an external connection conductor, for example a conductor track on a printed circuit board.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist eines, eine beliebig ausgewählte Mehrzahl oder weisen alle der folgenden Elemente eine Dicke auf, die kleiner oder gleich 300 µm, bevorzugt kleiner oder gleich 250 µm, besonders bevorzugt kleiner oder gleich 200 µm, zum Beispiel kleiner oder gleich 150 µm oder kleiner oder gleich 100 µm ist: Träger, Verbundkörper, Leiterkörper, Formkörper.According to at least one embodiment, one, an arbitrarily selected plurality, or all of the following elements have a thickness that is less than or equal to 300 μm, preferably less than or equal to 250 μm, particularly preferably less than or equal to 200 μm, for example less than or equal to 150 μm or less than or equal to 100 µm: carrier, composite body, conductor body, shaped body.

Als Dicke kann hier und im Folgenden im Zweifel die maximale, die minimale oder ein Mittelwert der Dicke des jeweiligen Elements, beispielsweise der arithmetische oder geometrische Mittelwert zwischen maximaler und minimaler Dicke, herangezogen werden.In case of doubt, the maximum, the minimum or an average value of the thickness of the respective element, for example the arithmetic or geometric average between the maximum and minimum thickness, can be used as the thickness here and below.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform überdeckt die erste Körperhauptfläche die zweite Körperhauptfläche, insbesondere in Aufsicht auf die jeweilige Körperhauptfläche und/oder die erste oder die zweite Trägerfläche gesehen, vollständig und/oder umgekehrt.According to at least one embodiment, the first main body surface completely and / or vice versa covers the second main body surface, in particular when viewed from above on the respective main body surface and / or the first or the second carrier surface.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Flächeninhalt der ersten Körperhauptfläche größer als der Flächeninhalt der zweiten Körperhauptfläche oder umgekehrt. Eine größere erste Körperhauptfläche bietet den Vorteil, dass die dem Halbleiterkörper zugewandte Fläche groß ist und somit eine im Betrieb des Halbleiterchips entstehende Verlustwärme von einer großen, thermisch gut leitenden Fläche des Leiterkörpers aufgenommen werden kann. Ein großer Flächeninhalt seitens der zweiten Körperhauptfläche, die zweckmäßigerweise seitens der zweiten Trägerfläche freiliegt, gestattet eine gute elektrische Anschließbarkeit des Halbleiterchips auf der Seite der zweiten Trägerfläche, da eine große Fläche zur Kontaktierung bereitgestellt ist.According to at least one embodiment, the surface area of the first main body surface is greater than the surface area of the second main body surface or vice versa. A larger first main body surface offers the advantage that the surface facing the semiconductor body is large and thus a heat loss that occurs during operation of the semiconductor chip can be absorbed by a large, thermally highly conductive surface of the conductor body. A large area on the part of the second main body area, which is expediently exposed on the part of the second carrier area, allows good electrical connectivity of the semiconductor chip on the side of the second carrier area, since a large area is provided for contacting.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Leiterkörper derart ausgebildet, dass sich der Leiterkörper im Querschnitt gesehen ausgehend von der ersten Körperhauptfläche in Richtung der zweiten Körperhauptfläche verjüngt oder vergrößert. Dementsprechend kann sich eine Querabmessung des Leiterkörpers von der ersten Körperhauptfläche verringern oder vergrößern. Die Verringerung, Verjüngung oder Vergrößerung kann kontinuierlich, gleichmäßig, monoton und/oder durchgehend sein.According to at least one embodiment, the conductor body is designed in such a way that the conductor body, viewed in cross section, tapers or enlarges starting from the first main body surface in the direction of the second main body surface. Accordingly, a transverse dimension of the conductor body from the first main body surface can decrease or increase. The reduction, tapering or enlargement can be continuous, uniform, monotonous and / or continuous.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Seitenfläche oder eine Haupterstreckungsrichtung der Seitenfläche schräg relativ zur ersten Trägerfläche, zur ersten Körperhauptfläche, zur zweiten Trägerfläche und/oder zur zweiten Körperhauptfläche ausgerichtet. Durch die schräge Ausrichtung kann die Oberfläche der Seitenfläche verglichen mit einer senkrecht zu den vorzugsweise parallel ausgerichteten beiden Körperhauptflächen, verlaufenden Seitenfläche vergrößert werden. Wegen der durch die vergrößerte Oberfläche vergrößerten Kontaktfläche zum Formkörper kann auch die Zugfestigkeit des Verbundkörpers verbessert werden.According to at least one embodiment, the side surface or a main direction of extent of the side surface is oriented obliquely relative to the first carrier surface, to the first main body surface, to the second carrier surface and / or to the second main body surface. As a result of the inclined alignment, the surface of the side face can be enlarged compared with a side face running perpendicular to the two main body faces, which are preferably aligned in parallel. The tensile strength of the composite body can also be improved because of the increased surface area of contact with the molded body.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die Seitenfläche, zum Beispiel in Aufsicht auf eine der Trägerflächen und/oder im Querschnitt entlang der Dickenrichtung des Leiterkörpers gesehen, einen oder mehrere Hinterschnitte auf. Alternativ kann die Seitenfläche hinterschneidungsfrei ausgebildet sein. Eine Ausbildung mit Hinterschnitt bietet den Vorteil, dass sich im Bereich des jeweiligen Hinterschnitts eine Widerlagerfläche des Leiterkörpers für den Formkörper ergeben kann. Die jeweilige Widerlagerfläche wirkt bevorzugt als Widerlagerfläche in lateraler Richtung also insbesondere in Zugrichtung. Die jeweilige Widerlagerfläche kann die Zugstabilität signifikant erhöhen.According to at least one embodiment, the side surface has one or more undercuts, for example in a plan view of one of the carrier surfaces and / or in cross section along the thickness direction of the conductor body. Alternatively, the side surface can be designed without undercuts. A design with an undercut offers the advantage that an abutment surface of the conductor body for the shaped body can result in the area of the respective undercut. The respective abutment surface preferably acts as an abutment surface in the lateral direction, that is to say in particular in the pulling direction. The respective abutment surface can significantly increase the tensile stability.

Ausgehend von einer Grenzfläche zwischen Formkörper und Leiterkörper kann in einer Richtung parallel zur ersten und/oder zweiten Trägerfläche beziehungsweise parallel zur ersten und/oder zweiten Körperhauptfläche, folgende Abfolge gegeben sein: Teilbereich des Formkörpers, Teilbereich des Leiterkörpers, Teilbereich des Formkörpers. Mit anderen Worten ausgedrückt kann in dem Leiterkörper ein Widerlagerbereich ausgebildet sein, der eine dem verbleibenden Teil des Leiterkörpers zugewandte Widerlagerfläche aufweist. Zwischen der Widerlagerfläche und dem verbleibenden Teil des Leiterkörpers kann ein Teilbereich des Formkörpers angeordnet sein. Der Formkörper kann an die Widerlagerfläche angeformt sein. Mittels der Hinterschnitte kann eine formschlüssige Verbindung zwischen Leiterkörper und Formkörper realisiert sein. Diese unterstützt vorzugsweise die kraftschlüssige Haftverbindung zwischen dem Formkörper und dem Leiterkörper. Ist die Seitenfläche hinterschneidungsfrei ausgeführt, so gibt es zweckmäßigerweise keine Widerlagerbereiche.Starting from an interface between the molded body and the conductor body, the following sequence can be given in a direction parallel to the first and / or second carrier surface or parallel to the first and / or second main body surface: partial area of the molded body, partial area of the conductor body, partial area of the molded body. In other words, an abutment area can be formed in the conductor body which has an abutment surface facing the remaining part of the conductor body. A partial area of the shaped body can be arranged between the abutment surface and the remaining part of the conductor body. The shaped body can be molded onto the abutment surface. A form-fitting connection between the conductor body and the molded body can be implemented by means of the undercuts. This preferably supports the force-fit adhesive connection between the molded body and the conductor body. If the side surface is designed without undercuts, then there are expediently no abutment areas.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Leiterkörper mit dem Formkörper formschlüssig und/oder kraftschlüssig verbunden. Der Leiterkörper kann mit dem Formkörper nur kraftschlüssig oder nur formschlüssig oder aber über eine Kombination aus formschlüssiger und kraftschlüssiger Verbindung verbunden sein.According to at least one embodiment, the conductor body is positively and / or non-positively connected to the molded body. The conductor body can only be connected to the molded body with a force fit or only with a form fit or via a combination of a form fit and a force fit connection.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Seitenfläche mit einer Oberflächenstruktur versehen. Die Oberflächenstruktur kann Hinterschnitte aufweisen oder hinterschneidungsfrei ausgebildet sein. Die Oberflächenstruktur kann durch eines oder eine Mehrzahl von Strukturelementen gebildet sein. Der Querschnitt der Strukturelemente kann sich in Dickenrichtung, zum Beispiel senkrecht zur ersten Trägerfläche, zur zweiten Trägerfläche, zur ersten Körperhauptfläche und/oder zur zweiten Körperhauptfläche, ändern oder aber in Dickenrichtung konstant sein. Die Strukturelemente können entlang der Seitenfläche gesehen gleichmäßig verteilt sein. Das jeweilige Strukturelement kann durch eine Ausbuchtung oder Einbuchtung des Leiterkörpers gebildet sein. Die Strukturelemente können laterale und/oder vertikale Aus- oder Einbuchtungen aufweisen. Das jeweilige Strukturelement ist bevorzugt derart ausgebildet, dass es mit dem für die Bildung des Formkörpers vorgesehenen Material, beispielsweise einer fließfähigen Formmasse, einformbar oder umformbar ist.According to at least one embodiment, the side face is provided with a surface structure. The surface structure can have undercuts or be designed without undercuts. The surface structure can be formed by one or a plurality of structural elements. The cross section of the structural elements can change in the thickness direction, for example perpendicular to the first carrier surface, to the second carrier surface, to the first main body surface and / or to the second main body surface, or it can be constant in the thickness direction. The structural elements can be evenly distributed as seen along the side surface. The respective structural element can be formed by a bulge or indentation of the conductor body. The structural elements can have lateral and / or vertical bulges or indentations. The respective structural element is preferably designed in such a way that it can be molded or deformed with the material provided for the formation of the molded body, for example a flowable molding compound.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Oberflächenstruktur entlang der Seitenfläche gesehen auf dem Weg von der ersten Körperhauptfläche zur zweiten Körperhauptfläche gleichförmig. Bei einer gleichförmigen Oberflächenstruktur, insbesondere über den gesamten Verlauf von der ersten zur zweiten Körperhauptfläche, kann der Leiterkörper so ausgebildet sein, dass der Querschnitt des Leiterkörpers in Dickenrichtung gleich bleibt, sich also vorzugsweise nicht in Flächeninhalt und/oder Form verändert. Eine gleichförmige Oberflächenstruktur kann sich beispielsweise durch eine Aufsicht auf die erste Körperhauptfläche ausgebildete kammartige, beispielsweise sägezahnartige, Struktur der Seitenfläche ergeben. Eine gleichförmige Oberflächenstruktur hat den Vorteil, dass sie auf einfache Weise mittels einer Maske verwirklicht werden kann, beispielsweise indem die Maske mit der Struktur für die Seitenfläche gefertigt und nachfolgend der Leiterkörper unter Benutzung dieser Maske, beispielsweise galvanisch, abgeschieden wird.According to at least one embodiment, the surface structure, viewed along the side surface, is uniform on the way from the first main body surface to the second main body surface. In the case of a uniform surface structure, in particular over the entire course from the first to the second main body surface, the conductor body can be designed in such a way that the cross section of the conductor body remains the same in the thickness direction, i.e. preferably does not change in area and / or shape. A uniform surface structure can result, for example, from a top view of the first main body surface, a comb-like, for example sawtooth-like, structure of the side surface. A uniform surface structure has the advantage that it can be implemented in a simple manner by means of a mask, for example by producing the mask with the structure for the side surface and then depositing the conductor body using this mask, for example by electroplating.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ändert sich die Oberflächenstruktur entlang der Seitenfläche gesehen auf dem Weg von der ersten Körperhauptfläche zur zweiten Körperhauptfläche.According to at least one embodiment, the surface structure changes on the way from the first main body surface to the second main body surface, as seen along the side surface.

Ändert sich die Oberflächenstruktur entlang der Seitenfläche gesehen, kann sich der Querschnitt in Dickenrichtung, zum Beispiel hinsichtlich Form und/oder Flächeninhalt, ändern. Die Änderung kann kontinuierlich oder diskontinuierlich sein. Eine diskontinuierliche Änderung kann durch eine in Dickenrichtung alternierende Abfolge von Bereichen unterschiedlicher Form und/oder unterschiedlichen Flächeninhalts verwirklicht sein. Eine sich in Dickenrichtung diskontinuierlich ändernde Oberflächenstruktur kann durch eine im Querschnitt senkrecht zur ersten Körperhauptfläche gesehen kammartige Ausbildung der Seitenfläche gebildet sein. Bei einer kontinuierlichen Änderung der Oberflächenstruktur kann sich die Querschnittsfläche in Dickenrichtung - zum Beispiel von der ersten Körperhauptfläche weg gesehen - durchgehend vergrößern oder verkleinern.If the surface structure changes, seen along the side face, the cross section can change in the direction of thickness, for example in terms of shape and / or surface area. The change can be continuous or discontinuous. A discontinuous change can be realized by a sequence of areas of different shape and / or different surface area which alternates in the direction of thickness. A surface structure that changes discontinuously in the direction of thickness can be formed by a comb-like formation of the side surface, seen in cross section perpendicular to the first main body surface. In the case of a continuous change in the surface structure, the cross-sectional area in the direction of the thickness - for example, viewed away from the first main body surface - can continuously increase or decrease.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist eine Oberfläche A der Seitenfläche größer als die Dicke d des Leiterkörpers multipliziert mit einer der folgenden Größen:

  • - B, wobei B eine Abmessung, zum Beispiel eine maximale Längsabmessung, etwa die Länge, der ersten Körperhauptfläche oder der zweiten Körperhauptfläche bezeichnet, und/oder
  • - C, wobei C den halben Umfang der ersten oder zweiten Körperhauptfläche bezeichnet.
In accordance with at least one embodiment, a surface A of the side face is greater than the thickness d of the conductor body multiplied by one of the following variables:
  • - B, where B denotes a dimension, for example a maximum longitudinal dimension, for example the length, of the first main body surface or the second main body surface, and / or
  • - C, where C denotes half the circumference of the first or second main body surface.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist O der Flächeninhalt des Bereichs, in dem sich die einander zugewandten Seitenflächen des ersten und des zweiten Leiterkörpers gegenseitig überdecken und es gilt, dass O größer ist als B*d und/oder C*d. O kann kleiner oder gleich dem Flächeninhalt A der Seitenfläche des ersten Leiterkörpers und/oder kleiner oder gleich dem Flächeninhalt A der Seitenfläche des zweiten Leiterkörpers sein.According to at least one embodiment, O is the surface area of the area in which the mutually facing side surfaces of the first and second conductor bodies overlap and O is greater than B * d and / or C * d. O can be less than or equal to the area A of the side surface of the first conductor body and / or less than or equal to the area A of the side surface of the second conductor body.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform gilt:

  • - A/(B*d) ≥ 1,20 oder ≥ 1,30, besonders bevorzugt ≥ 1,40, zum Beispiel ≥ 1,50, ≥ 1,80, ≥ 1,90 oder ≥ 2,00, und/oder
  • - A/(C*d) ≥ 1,20 oder ≥ 1,30, besonders bevorzugt ≥ 1,40, zum Beispiel ≥ 1,50, ≥ 1,80, ≥ 1,90 oder ≥ 2,00.
According to at least one embodiment, the following applies:
  • - A / (B * d) ≥ 1.20 or ≥ 1.30, particularly preferably ≥ 1.40, for example ≥ 1.50, ≥ 1.80, ≥ 1.90 or ≥ 2.00, and / or
  • - A / (C * d) ≥ 1.20 or ≥ 1.30, particularly preferably ≥ 1.40, for example ≥ 1.50, ≥ 1.80, ≥ 1.90 or ≥ 2.00.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform gilt:

  • - O/(B*d) ≥ 1,05, bevorzugt ≥ 1,10, ≥ 1,20 oder ≥ 1,30, besonders bevorzugt ≥ 1,40, zum Beispiel ≥ 1,50, ≥ 1,80, ≥ 1,90 oder ≥ 2,00, und/oder
  • - O/(C*d) ≥ 1,05, bevorzugt ≥ 1,10, ≥ 1,20 oder ≥ 1,30, besonders bevorzugt ≥ 1,40, zum Beispiel ≥ 1,50, ≥ 1,80, ≥ 1,90 oder ≥ 2,00.
According to at least one embodiment, the following applies:
  • - O / (B * d) ≥ 1.05, preferably ≥ 1.10, ≥ 1.20 or ≥ 1.30, particularly preferably ≥ 1.40, for example ≥ 1.50, ≥ 1.80, ≥ 1 , 90 or ≥ 2.00, and / or
  • - O / (C * d) ≥ 1.05, preferably ≥ 1.10, ≥ 1.20 or ≥ 1.30, particularly preferably ≥ 1.40, for example ≥ 1.50, ≥ 1.80, ≥ 1 , 90 or ≥ 2.00.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist ein Teilbereich des Formkörpers ein Verbindungsbereich, der in Aufsicht auf die erste oder zweite Trägerfläche gesehen von einer Seite des Leiterkörpers über einen von dem Leiterkörper in der Aufsicht auf die erste und/oder zweite Körperhauptfläche überdeckten Bereich bis zu einer anderen Seite des Leiterkörpers verläuft. Hierbei können Querstreben durch den Leiterkörper ausgebildet werden. Der Verbindungsbereich kann in Umfangsrichtung, also azimutal zu seiner Erstreckungsrichtung gesehen, nur teilweise - zum Beispiel, wenn der Verbindungsbereich einen Teilbereich einer der Trägerflächen bildet - oder vollständig - zum Beispiel wenn der Verbindungsbereich den Leiterkörper im Inneren des Trägers durchformt oder durchdringt - vom Leiterkörper umgeben sein. Es kann also eine Seite oder keine Seite des Verbindungsbereichs freiliegen. Die freiliegende Seite kann beispielsweise ein Teilbereich der zweiten Trägerfläche sein. Der Verbindungsbereich kann quer zur, insbesondere als Querstrebe, oder entlang der, insbesondere als Längsstrebe, ausgezeichneten Längsrichtung des Leiterkörpers verlaufen. Beispielsweise verläuft der Verbindungsbereich senkrecht zur Längsrichtung. Es hat sich herausgestellt, dass Träger mit einem Verbundkörper vorzugsweise entlang einer Längsrichtung des Leiterkörpers brechen, sodass eine zusätzliche Querverstrebung wie beschrieben besonders vorteilhaft ist. Eine Längsverstrebung ist jedoch auch schon vorteilhaft. According to at least one embodiment, a partial area of the molded body is a connection area which, viewed from one side of the conductor body, viewed from one side of the conductor body in a plan view of the first and / or second main body surface, extends to another side of the conductor body runs. In this case, cross struts can be formed through the conductor body. The connection area can only partially - for example if the connection area forms a partial area of one of the carrier surfaces - or completely - for example if the connection area forms or penetrates the conductor body inside the carrier - surrounded by the conductor body in the circumferential direction, i.e. azimuthally to its direction of extension be. One side or neither side of the connection area can therefore be exposed. The exposed side can, for example, be a partial area of the second carrier surface. The connection area can run transversely to, in particular as a transverse strut, or along the, in particular as a longitudinal strut, defined longitudinal direction of the conductor body. For example, the connection area runs perpendicular to the longitudinal direction. It has been found that carriers with a composite body preferably break along a longitudinal direction of the conductor body, so that an additional cross bracing as described is particularly advantageous. However, a longitudinal strut is also advantageous.

Weist der Träger zwei Leiterkörper auf, so erstreckt sich ein erster Verbindungsbereich vorzugsweise in Aufsicht über den ersten Leiterkörper und ein weiterer Verbindungsbereich über den zweiten Leiterkörper. Vorzugsweise sind Verbindungsbereiche über den ersten und den zweiten Leiterbereich aneinander ausgerichtet. Zum Beispiel setzt der weitere Verbindungsbereich den ersten Verbindungsbereich, vorzugsweise geradlinig, fort.If the carrier has two conductor bodies, a first connection area extends, preferably in plan view, over the first conductor body and a further connection area extends over the second conductor body. Connection areas are preferably aligned with one another via the first and second conductor areas. For example, the further connection area continues the first connection area, preferably in a straight line.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform überragt der Formkörper den Leiterkörper auf der Seite des Halbleiterkörpers in einem Teilbereich.In accordance with at least one embodiment, the molded body projects beyond the conductor body on the side of the semiconductor body in a partial area.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Halbleiterkörper epitaktisch gewachsen und der Halbleiterchip ist aufwachssubstratlos, das heißt frei von dem Substrat, auf dem der Halbleiterkörper epitaktisch gewachsen wurde. Dementsprechend unterliegt der Träger nicht den vergleichsweise strengen Anforderungen, die an ein Aufwachssubstrat gestellt werden.In accordance with at least one embodiment, the semiconductor body has grown epitaxially and the semiconductor chip has no growth substrate, that is to say free of the substrate on which the semiconductor body was epitaxially grown. Accordingly, the carrier is not subject to the comparatively strict requirements that are placed on a growth substrate.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist mittels der vom Halbleiterkörper abgewandten Seite des Leiterkörpers eine Anschlussfläche des Halbleiterchips gebildet. Die zweite Körperhauptfläche des ersten Leiterkörpers und die zweite Körperhauptfläche des zweiten Leiterkörpers sind bereichsweise oder vollständig vom Halbleiterkörper überdeckt. Die Anschlussfläche kann also unterhalb des Halbleiterkörpers angeordnet sein.In accordance with at least one embodiment, a connection area of the semiconductor chip is formed by means of the side of the conductor body facing away from the semiconductor body. The second main body surface of the first conductor body and the second main body surface of the second conductor body are partially or completely covered by the semiconductor body. The connection area can therefore be arranged below the semiconductor body.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der Leiterkörper eine Mehrzahl von innerhalb des Trägers elektrisch voneinander getrennten Teilbereichen auf. Die Teilbereiche des Leiterkörpers sind bevorzugt jeweils mit dem aktiven Bereich elektrisch leitfähig verbunden. Zwischen zwei benachbarten Teilbereichen des Leiterköpers kann jeweils ein Bereich des Formkörpers angeordnet sein. Dadurch kann eine oder eine Mehrzahl von Streben - zum Beispiel Quer- und/oder Längsstreben - gebildet werden, die sich von einer Seite des ersten Leiterkörpers zwischen zwei Teilbereichen bis zu einer anderen Seite des Leiterkörpers erstrecken. Die jeweilige Strebe kann sich vom Zwischenbereich zwischen dem ersten und dem zweiten Leiterkörper ausgehend zwischen zwei Teilbereichen des zweiten Leiterkörpers erstrecken. In Dickenrichtung können diese Streben ununterbrochen von der ersten Trägerfläche zur zweiten Trägerfläche verlaufen. Vorzugsweise sind Streben zwischen Teilbereichen des ersten und zweiten Leiterkörpers aneinander ausgerichtet oder versetzt zueinander angeordnet. Bei der Ausrichtung der Streben durch verschiedene Leiterkörper aneinander kann ein durchgehender Formkörperbereich gebildet sein. Ein durchgehender Formkörperbereich erhöht zwar die Stabilität gegen Brüche oder Risse in einer Richtung, kann aber gleichzeitig die Gefahr von Brüchen oder Rissen in einer anderen Richtung, beispielsweise senkrecht zur erstgenannten Richtung, erhöhen. Letztere Bruch- oder Rissgefahr kann bei einer versetzten Anordnung der Streben durch verschiedene Leiterkörper verringert werden. Die Anzahl von Teilbereichen des ersten Leiterkörpers und des zweiten Leiterkörpers kann verschieden sein.According to at least one embodiment, the conductor body has a plurality of subregions that are electrically separated from one another within the carrier. The partial areas of the conductor body are preferably each with the active area electrically conductively connected. A region of the shaped body can be arranged between two adjacent partial regions of the conductor body. As a result, one or a plurality of struts - for example transverse and / or longitudinal struts - can be formed which extend from one side of the first conductor body between two partial areas to another side of the conductor body. The respective strut can extend from the intermediate area between the first and the second conductor body between two partial areas of the second conductor body. In the direction of the thickness, these struts can run uninterruptedly from the first carrier surface to the second carrier surface. Struts are preferably aligned with one another or offset from one another between partial regions of the first and second conductor bodies. When the struts are aligned with one another by means of different conductor bodies, a continuous molded body region can be formed. A continuous molded body area increases the stability against breaks or cracks in one direction, but can at the same time increase the risk of breaks or cracks in another direction, for example perpendicular to the first-mentioned direction. The latter risk of breakage or cracks can be reduced with an offset arrangement of the struts by using different conductor bodies. The number of partial areas of the first conductor body and of the second conductor body can be different.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Leiterkörper einteilig ausgebildet. In diesem Fall weist er keine Mehrzahl von Teilbereichen auf.According to at least one embodiment, the conductor body is designed in one piece. In this case, it does not have a plurality of partial areas.

Eine besonders vorteilhafte Ausgestaltung ist nachstehend wiedergegeben:

  • Optoelektronischer Halbleiterchip mit einem Halbleiterkörper, der einen aktiven Bereich aufweist, und einem Träger mit einer ersten Trägerfläche, auf der der Halbleiterkörper angeordnet ist, und einer zweiten Trägerfläche auf der vom Halbleiterkörper abgewandten Seite, wobei der Träger einen Verbundkörper aufweist, der zumindest einen elektrisch leifähigen Leiterkörper und zumindest einen elektrisch isolierenden Formkörper aufweist, wobei sich der Leiterkörper von der ersten Trägerfläche bis zur zweiten Trägerfläche erstreckt und elektrisch leitend mit dem aktiven Bereich verbunden ist.
A particularly advantageous embodiment is shown below:
  • Optoelectronic semiconductor chip with a semiconductor body having an active region and a carrier with a first carrier surface on which the semiconductor body is arranged and a second carrier surface on the side facing away from the semiconductor body, the carrier having a composite body which has at least one electrically conductive Has conductor body and at least one electrically insulating molded body, wherein the conductor body extends from the first carrier surface to the second carrier surface and is electrically conductively connected to the active region.

Merkmale, die im Zusammenhang mit verschiedenen Ausführungsformen oder Ausgestaltungen beschrieben sind, können selbstverständlich miteinander und auch mit im Folgenden beschriebenen Merkmalen kombiniert werden.Features that are described in connection with various embodiments or configurations can of course be combined with one another and also with features described below.

Weitere Vorteile, Merkmale und Zweckmäßigkeiten ergeben sich aus der nun folgenden Beschreibung der Beispiele in Verbindung mit den Figuren.

  • 1A und 1B zeigen ein Beispiel eines Halbleiterchips anhand einer schematischen Aufsicht (1A) und einer schematischen Schnittansicht (1B).
  • 2A und 2B illustrieren eine Situation mechanischer Belastung für den Halbleiterchip gemäß den 1A und 1B.
  • 3 bis 11, 13A, 13B, und 14 bis 16 zeigen Ausführungsbeispiele für Halbleiterchips anhand schematischer Aufsichten (3 bis 5, 13A und 13B) oder schematischer Schnittansichten (6 bis 11 und 14 bis 16).
  • 12 zeigt anhand einer detaillierteren schematischen Schnittansicht ein Ausführungsbeispiel für einen Halbleiterkörper der Halbleiterchips aus den vorhergehenden Figuren und dessen Verbindung zum Träger.
Further advantages, features and expediencies emerge from the description of the examples which follows in connection with the figures.
  • 1A and 1B show an example of a semiconductor chip based on a schematic plan view ( 1A) and a schematic sectional view ( 1B) .
  • 2A and 2 B illustrate a situation of mechanical stress for the semiconductor chip according to FIG 1A and 1B .
  • 3 to 11 , 13A , 13B , and 14th to 16 show exemplary embodiments for semiconductor chips on the basis of schematic top views ( 3 to 5 , 13A and 13B) or schematic sectional views ( 6th to 11 and 14th to 16 ).
  • 12th shows an exemplary embodiment of a semiconductor body of the semiconductor chips from the preceding figures and its connection to the carrier on the basis of a more detailed schematic sectional view.

Gleiche, gleichartige und gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit gleichen Bezugszeichen versehen. Die dargestellten Elemente sind nicht notwendigerweise maßstabsgetreu dargestellt. Vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.Identical, identical and identically acting elements are provided with the same reference symbols in the figures. The elements shown are not necessarily shown to scale. Rather, individual elements can be exaggerated for a better understanding.

1A zeigt eine Aufsicht eines Ausführungsbeispiels eines Halbleiterchips und 1B die zugehörige Schnittansicht. 1A FIG. 11 shows a plan view of an embodiment of a semiconductor chip and FIG 1B the corresponding sectional view.

Der Halbleiterchip 1 weist einen Träger 3 auf. Der Träger 3 weist eine erste Trägerfläche und eine zweite Trägerfläche 7 auf. Die jeweilige Trägerfläche 5 beziehungsweise 7 kann eine Hauptfläche des Trägers sein. Die beiden Trägerflächen 5 und 6 können über eine oder eine Mehrzahl von Seitenflächen 9 des Trägers verbunden sein. Der Flächeninhalt einer Trägerfläche als Hauptfläche kann größer sein als der jeder der Seitenflächen 9. Die zweite Trägerfläche 7 ist zweckmäßigerweise von der ersten Trägerfläche 5 abgewandt. Auf der ersten Trägerfläche 5 ist ein Halbleiterkörper 23 des Halbleiterchips 1 angeordnet.The semiconductor chip 1 has a carrier 3 on. The carrier 3 has a first support surface and a second support surface 7th on. The respective support surface 5 respectively 7th can be a major surface of the carrier. The two support surfaces 5 and 6th can have one or a plurality of side faces 9 be connected to the carrier. The surface area of a carrier surface as the main surface can be greater than that of each of the side surfaces 9 . The second support surface 7th is expediently from the first support surface 5 turned away. On the first support surface 5 is a semiconductor body 23 of the semiconductor chip 1 arranged.

Der Träger 3 weist einen ersten Leiterkörper 11 auf. Der Träger 3 weist einen zweiten Leiterkörper 13 auf. Weiterhin weist der Träger 3 einen Formkörper 15 auf. Der Formkörper ist elektrisch isolierend, zum Beispiel aus einem elektrisch isolierenden Material oder einer elektrisch isolierenden Materialzusammensetzung. Der erste Leiterkörper 11 und der zweite Leiterkörper 13 sind in den Formkörper 15 eingebettet und von ihm umformt. Der jeweilige Leiterkörper 11 bzw. 13 erstreckt sich zweckmäßigerweise von der ersten Trägerfläche 5 zur zweiten Trägerfläche 7. Teilbereiche der ersten Trägerfläche 5 und der zweiten Trägerfläche 7 können durch den Formkörper 15 und den jeweiligen Leiterkörper 11 beziehungsweise 13 gebildet sein. Die beiden Leiterkörper 11 und 13 sind über den Formkörper 15 innerhalb des Trägers 3 elektrisch voneinander isoliert. Die jeweilige Seitenfläche 9 ist durch den Formkörper 15 gebildet. Die Seitenfläche 9 kann Vereinzelungsspuren aufweisen, die zum Beispiel von der Herstellung des Halbleiterchips herrühren (siehe weiter unten).The carrier 3 has a first conductor body 11 on. The carrier 3 has a second conductor body 13th on. Furthermore, the carrier 3 a shaped body 15th on. The molded body is electrically insulating, for example made of an electrically insulating material or an electrically insulating material composition. The first conductor body 11 and the second conductor body 13th are in the molded body 15th embedded and reshaped by him. The respective conductor body 11 or. 13th expediently extends from the first support surface 5 to the second support surface 7th . Sub-areas of the first support surface 5 and the second support surface 7th can through the molded body 15th and the respective conductor body 11 respectively 13th be educated. The two ladder bodies 11 and 13th are about the molded body 15th inside the vehicle 3 electrically isolated from each other. The respective side face 9 is through the molded body 15th educated. The side face 9 may have traces of isolation that originate, for example, from the manufacture of the semiconductor chip (see further below).

Der jeweilige Leiterkörper 11, 13 weist eine erste Körper(haupt)fläche 17 und eine zweite Körper(haupt)fläche 19. Die erste Körperhauptfläche 17 ist dem Halbleiterkörper 23 zugewandt. Die erste Körperhauptfläche 17 liegt auf der Seite der ersten Trägerfläche 5 frei und kann insbesondere Teil dieser Trägerfläche sein. Die zweite Körperhauptfläche 19 ist vom Halbleiterkörper abgewandt. Die zweite Körperhauptfläche 19 liegt auf der Seite der zweiten Trägerfläche 7 frei und kann insbesondere Teil dieser Trägerfläche sein. Die jeweiligen ersten und zweiten Körperhauptflächen sind über mindestens eine oder, wie dargestellt, mehrere Seitenflächen 21 miteinander verbunden.The respective conductor body 11 , 13th has a first body (main) surface 17 and a second body (main) surface 19th . The first major surface of the body 17th is the semiconductor body 23 facing. The first major surface of the body 17th lies on the side of the first support surface 5 free and can in particular be part of this support surface. The second major body surface 19th faces away from the semiconductor body. The second major body surface 19th lies on the side of the second support surface 7th free and can in particular be part of this support surface. The respective first and second main body surfaces are at least one or, as shown, several side surfaces 21 connected with each other.

Der Halbleiterkörper 23 ist mit dem Träger 3 zweckmäßigerweise mechanisch stabil und/oder dauerhaft verbunden. Der Halbleiterkörper weist einen optoelektronisch aktiven Bereich auf, beispielsweise einen zur Strahlungserzeugung oder zum Strahlungsempfang ausgebildeten aktiven Bereich. Der Halbleiterkörper kann zum Beispiel gemäß einer Diode, zum Beispiel einer Leuchtdiode oder einer Photodiode ausgebildet sein. Die Leiterkörper 11 und 13 sind mit dem Halbleiterkörper 23 auf verschiedenen Seiten des aktiven Bereichs verbunden, wie später noch näher erläutert werden wird (vergleiche die Beschreibung im Zusammenhang mit 12). Daher stellen der erste Leiterkörper 11 und der zweite Leiterkörper 13 externe elektrische Kontakte des Halbleiterchips dar. Der jeweilige Leiterkörper, insbesondere dessen vom Halbleiterkörper 23 abgewandte zweite Körperhauptfläche 19, kann zur elektrischen Kontaktierung, zum Beispiel zur Verlötung des Halbleiterchips mit einem externen elektrischen Anschluss eines Anschlussträgers, auf dem der Halbleiterchip angeordnet wird, zum Beispiel einer Leiterbahn einer Leiterplatte, oder einem Leiterbereich, etwa eines Leiterrahmens, in einem Gehäuse für ein optoelektronisches Bauteil, vorgesehen sein. Die jeweilige Körperhauptfläche 17 beziehungsweise 19 des ersten und/oder zweiten Leiterkörpers ist zweckmäßigerweise vom Halbleiterkörper überdeckt.The semiconductor body 23 is with the carrier 3 expediently mechanically stable and / or permanently connected. The semiconductor body has an optoelectronically active area, for example an active area designed to generate or receive radiation. The semiconductor body can be designed, for example, in accordance with a diode, for example a light-emitting diode or a photodiode. The ladder body 11 and 13th are with the semiconductor body 23 connected on different sides of the active area, as will be explained in more detail later (compare the description in connection with 12th ). Hence, make the first conductor body 11 and the second conductor body 13th represents external electrical contacts of the semiconductor chip. The respective conductor body, in particular that of the semiconductor body 23 remote second main body surface 19th , can be used for electrical contacting, for example for soldering the semiconductor chip to an external electrical connection of a connection carrier on which the semiconductor chip is arranged, for example a conductor track of a circuit board, or a conductor area, for example a conductor frame, in a housing for an optoelectronic component, be provided. The respective main body area 17th respectively 19th of the first and / or second conductor body is expediently covered by the semiconductor body.

Wie in der Aufsicht in 1A zu erkennen ist, weist der jeweilige Leiterkörper eine ausgezeichnete Längsrichtung auf. Der erste und der zweite Leiterkörper können beispielsweise eine in Aufsicht rechteckige Form aufweisen. Die beiden Leiterkörper sind, insbesondere entlang ihrer Längsrichtung, zueinander ausgerichtet. Es sei angemerkt, dass Merkmale, die im Zusammenhang mit dem Ausführungsbeispiel für einen Träger mit zwei Leiterkörpern beschrieben sind, ebenfalls auch einen Träger ohne einen zweiten Leiterkörper Anwendung finden können. Außerdem können Merkmale, die im allgemeinen Teil der Beschreibung beschrieben sind, auch für die Ausführungsbeispiele herangezogen werden und umgekehrt.As in the supervision in 1A can be seen, the respective conductor body has an excellent longitudinal direction. The first and the second conductor body can, for example, have a rectangular shape when viewed from above. The two conductor bodies are aligned with one another, in particular along their longitudinal direction. It should be noted that features that are described in connection with the exemplary embodiment for a carrier with two conductor bodies can also be used for a carrier without a second conductor body. In addition, features that are described in the general part of the description can also be used for the exemplary embodiments and vice versa.

Der Träger 3 ist als Verbundkörper ausgebildet, der die Leiterkörper 11, 13 und den Formkörper 15 umfasst. Wie in der Aufsicht in 1A zu erkennen ist, weist der Formkörper 15 einen Randbereich 25 auf, der den ersten und den zweiten Leiterkörper in Umfangsrichtung vollständig umläuft. Zwischen den beiden Leiterkörpern 11 und 13 ist ein Zwischenbereich 27 des Formkörpers angeordnet, der sich durchweg zwischen den zwei Leiterkörpern erstreckt und eine Seite des Randbereichs 25 mit der von dieser Seite in Aufsicht gesehen abgewandten Seite des Randbereichs 25 des Formkörpers verbindet. Der Randbereich 25 kann beispielsweise als Rahmen ausgeführt sein. Der Rahmen kann mit einer durch den Zwischenbereich 27 realisierten Längsstrebe versehen sein.The carrier 3 is designed as a composite body, which the conductor body 11 , 13th and the molded body 15th includes. As in the supervision in 1A can be seen, the molded body 15th an edge area 25th on, which completely surrounds the first and the second conductor body in the circumferential direction. Between the two conductor bodies 11 and 13th is an intermediate area 27 arranged of the shaped body, which extends continuously between the two conductor bodies and one side of the edge region 25th with the side of the edge area facing away from this side in plan view 25th of the molded body connects. The edge area 25th can for example be designed as a frame. The frame can with one through the intermediate area 27 realized longitudinal strut.

Der Randbereich 25 weist vorzugsweise eine Breite auf, die in Aufsicht auf die zweite Trägerfläche kleiner oder gleich 50 µm ist. Vorzugsweise ist die Breite des Randbereichs 25 größer oder gleich 20 µm. Eine Dicke des Formkörpers 15 und/oder des jeweiligen Leiterkörpers 11 beziehungsweise 13 kann kleiner oder gleich 200 µm, bevorzugt kleiner oder gleich 100 µm sein. Der Träger insgesamt kann eine Dicke aufweisen, die kleiner oder gleich 200 µm, bevorzugt kleiner oder gleich 100 µm ist. Eine Länge und/oder eine Breite des Trägers oder des jeweiligen Leiterkörpers kann in Aufsicht auf die erste oder zweite Trägerfläche kleiner oder gleich 3 mm sein. Alternativ oder ergänzend kann die Länge und/oder die Breite des Trägers oder des jeweiligen Leiterkörpers in Aufsicht auf die erste oder zweite Trägerfläche größer oder gleich 300 µm sein. In der ausgezeichneten Längsrichtung kann die Länge des jeweiligen Leiterkörpers 11, 13 das Zweifache oder mehr der Breite dieses Leiterkörpers in Aufsicht auf die zweite Trägerfläche 7 gesehen betragen. Die Breite des Zwischenbereichs 27 ist bevorzugt so gewählt, dass ein elektrischer Kurzschluss bei der Montage des Halbleiterchips auf einen Anschlussträger, zum Beispiel mittels eines Lots, vermieden wird. Der Abstand kann größer oder gleich 60 µm, vorzugsweise größer oder gleich 150 µm, besonders bevorzugt größer oder gleich 250 µm, sein. Bei größeren Chips sind selbstverständlich größere Abstände möglich oder zweckmäßig als bei kleineren Chips. Ändert sich der Abstand kann im Zweifel, der maximale oder der minimale Abstand herangezogen werden.The edge area 25th preferably has a width which, in a plan view of the second carrier surface, is less than or equal to 50 μm. The width of the edge area is preferably 25th greater than or equal to 20 µm. A thickness of the molded body 15th and / or the respective conductor body 11 respectively 13th can be less than or equal to 200 μm, preferably less than or equal to 100 μm. The carrier as a whole can have a thickness that is less than or equal to 200 μm, preferably less than or equal to 100 μm. A length and / or a width of the carrier or of the respective conductor body can be less than or equal to 3 mm in a plan view of the first or second carrier surface. As an alternative or in addition, the length and / or the width of the carrier or of the respective conductor body in a plan view of the first or second carrier surface can be greater than or equal to 300 μm. The length of the respective conductor body can be determined in the specified longitudinal direction 11 , 13th twice or more the width of this conductor body in plan view of the second support surface 7th seen amount. The width of the intermediate area 27 is preferably selected so that an electrical short circuit when mounting the semiconductor chip on a connection carrier, for example by means of a solder, is avoided. The distance can be greater than or equal to 60 μm, preferably greater than or equal to 150 μm, particularly preferably greater than or equal to 250 μm. In the case of larger chips, larger distances are of course possible or appropriate than with smaller chips. If the distance changes, the maximum or the minimum distance can be used in case of doubt.

Da die beiden externen Anschlussflächen als Oberflächen des ersten und zweiten Leiterkörpers auf der vom Halbleiterkörper 23 abgewandten Seite des Trägers 3 anschließbar sind, kann der Halbleiterchip 1 mittels SMD-Techniken (SMD: surface mountable device, zu Deutsch: oberflächenmontierbares Bauteil) gehandhabt und kontaktiert werden.Since the two external connection areas are used as surfaces of the first and second conductor bodies on that of the semiconductor body 23 facing away from the carrier 3 can be connected, the semiconductor chip 1 can be handled and contacted by means of SMD techniques (SMD: surface mountable device, in English: surface mountable component).

Im Folgenden wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterchips beschrieben, das bevorzugt für den oben und im Folgenden näher beschriebenen Halbleiterchip eingesetzt wird. Merkmale, die im Zusammenhang mit dem Halbleiterchip beschrieben sind, können sich damit auch auf das Verfahren beziehen und umgekehrt.A method for producing a plurality of semiconductor chips is described below, which method is preferably used for the semiconductor chip described in more detail above and below. Features that are described in connection with the semiconductor chip can thus also relate to the method and vice versa.

Zunächst wird eine Halbleiterschichtenfolge für die Halbleiterkörper 23 des späteren Halbleiterchips bereitgestellt. Die Halbleiterschichtenfolge ist auf einem Substrat angeordnet, das beispielsweise das Aufwachssubstrat auf dem die Halbleiterschichtenfolge, epitaktisch gewachsen wurde, aufweist. Die Halbleiterschichtenfolge weist einen aktiven Bereich auf. Die Halbleiterschichtenfolge wird in eine Mehrzahl von Halbleiterkörpern aufgeteilt, die jeweils einen aktiven Bereich aufweisen. Dieser aktive Bereich kann aus einem Teilbereich des aktiven Bereichs der Halbleiterschichtenfolge gebildet sein. Außerdem wird eine Mehrzahl von Leiterkörpern auf der Halbleiterschichtenfolge oder jeweils mindestens ein Leiterkörper, vorzugsweise zwei Leiterkörper, auf einem Halbleiterkörper angeordnet oder ausgebildet, sodass der jeweilige Leiterkörper elektrisch leitend mit dem aktiven Bereich verbunden ist. Sind zwei Leiterkörper für einen Halbleiterkörper vorgesehen, so sind diese vorzugsweise auf unterschiedlichen Seiten des aktiven Bereichs mit dem Halbleiterkörper elektrisch leitend verbunden. Vorzugsweise nach der Ausbildung der Leiterkörper, beispielsweise vor oder nach der Ausbildung der Halbleiterkörper, wird eine Masse für eine Formkörperschicht bereitgestellt. Die Masse wird entweder fließfähig oder im festen Zustand bereitgestellt und nachfolgend fließfähig gemacht, beispielsweise verflüssigt. Daraufhin wird die fließfähige Masse an die Leiterkörper angeformt und nach dem Anformen gehärtet, um die Formkörperschicht zu bilden. Dadurch entsteht eine Trägerschicht, die eine Verbundkörperschicht aufweist, die die Formkörperschicht und die Leiterkörper umfasst. Es wird also mit anderen Worten ein Verbund gebildet, der die Verbundkörperschicht und die auf der Verbundkörperschicht angeordneten Halbleiterkörper aufweist. Daraufhin wird der Verbund in Halbleiterchips vereinzelt, die jeweils einen Halbleiterkörper und einen Verbundkörper umfassen. Seitenflächen des Verbundkörpers können demnach Vereinzelungsspuren, beispielsweise Sägespuren, aufweisen. Der Formkörper des Verbundkörpers umfasst dabei ein Stück der Formkörperschicht. Der Verbundkörper umfasst weiterhin einen oder zwei Leiterkörper. First, a semiconductor layer sequence is used for the semiconductor body 23 of the later semiconductor chip provided. The semiconductor layer sequence is arranged on a substrate which, for example, has the growth substrate on which the semiconductor layer sequence was epitaxially grown. The semiconductor layer sequence has an active region. The semiconductor layer sequence is divided into a plurality of semiconductor bodies, each of which has an active region. This active area can be formed from a partial area of the active area of the semiconductor layer sequence. In addition, a plurality of conductor bodies is arranged or formed on the semiconductor layer sequence or in each case at least one conductor body, preferably two conductor bodies, on a semiconductor body, so that the respective conductor body is connected to the active region in an electrically conductive manner. If two conductor bodies are provided for a semiconductor body, they are preferably connected in an electrically conductive manner to the semiconductor body on different sides of the active region. Preferably after the formation of the conductor bodies, for example before or after the formation of the semiconductor bodies, a compound for a molded body layer is provided. The mass is provided either flowable or in the solid state and subsequently made flowable, for example liquefied. The flowable mass is then molded onto the conductor body and, after molding, hardened in order to form the molded body layer. This creates a carrier layer which has a composite body layer which comprises the shaped body layer and the conductor body. In other words, a composite is formed which has the composite body layer and the semiconductor bodies arranged on the composite body layer. The composite is then separated into semiconductor chips, each of which comprises a semiconductor body and a composite body. Side surfaces of the composite body can accordingly have traces of isolation, for example saw traces. The shaped body of the composite body comprises a piece of the shaped body layer. The composite body further comprises one or two conductor bodies.

Vor dem Vereinzeln wird zweckmäßigerweise das Substrat abgedünnt oder bereichsweise oder vollständig entfernt.Before the separation, the substrate is expediently thinned or partially or completely removed.

Die 2A und 2B illustrieren die Handhabung des Halbleiterchips, beispielsweise das Aufnehmen eines Halbleiterchips 1, etwa um diesen auf einen zur Kontaktierung geeigneten Anschlussträger zu platzieren. Bei der Handhabung von Halbleiterchips 1 mit dem oben beschriebenen Verbundkörper hat sich herausgestellt, dass diese, wenn der Halbleiterchip beispielsweise mittels einer Haltevorrichtung 29 in einem Randbereich, zum Beispiel seitens der zweiten Trägerfläche 7, gehalten wird, so dass die mechanische Unterstützung des Trägers 3 vorwiegend im Randbereich stattfindet, und nachfolgend eine Belastung, die durch die Kraft F symbolisiert wird, beispielsweise in einem zentraleren Bereich, auftritt, der Träger 3 des Chips und damit auch der Halbleiterkörper bricht. Insbesondere wurde festgestellt, dass der Bruch bei einer Vielzahl von Chips im Zwischenbereich 27 des Formkörpers stattfindet. Die Kraft F führt, zum Beispiel wegen des verursachten Biegemoments, zu einer Zugbelastung, die auf den Träger 3, und insbesondere auf die Kontaktfläche zwischen dem Formkörper 15 und dem jeweiligen Leiterkörper 11 beziehungsweise 13, insbesondere im Zwischenbereich 27, wirkt. Die Zugbelastung wirkt insbesondere in lateraler Richtung und ist in 2A durch die waagrecht ausgerichteten Pfeile angedeutet. Ist die Kraft F zu groß, so bricht der Halbleiterchip wie in 2B dargestellt.The 2A and 2 B illustrate the handling of the semiconductor chip, for example picking up a semiconductor chip 1 , for example to place it on a connection carrier suitable for contacting. When handling semiconductor chips 1 With the composite body described above, it has been found that if the semiconductor chip is for example by means of a holding device 29 in an edge region, for example on the side of the second carrier surface 7th , is held, so that the mechanical support of the wearer 3 takes place predominantly in the edge area, and subsequently a load, which is symbolized by the force F, for example in a more central area, occurs, the wearer 3 of the chip and thus also the semiconductor body breaks. In particular, it was found that the breakage in a large number of chips in the intermediate area 27 of the shaped body takes place. The force F leads, for example because of the bending moment caused, to a tensile load on the carrier 3 , and in particular on the contact surface between the molded body 15th and the respective conductor body 11 respectively 13th , especially in the intermediate area 27 , works. The tensile load acts in particular in the lateral direction and is in 2A indicated by the horizontally aligned arrows. If the force F is too great, the semiconductor chip breaks as in 2 B shown.

Die Haltevorrichtung 29 kann beispielsweise durch eine Düse realisiert sein, die den Halbleiterchip 1 durch Unterdruck hält. Bereits die durch den Unterdruck ausgeübte, für die Haltefunktion notwendige Kraft kann ausreichen, um den Träger 3 wie in 2B gezeigt zu zerstören und dadurch auch den Chip unbrauchbar zu machen. Ähnliche mechanische Belastungen können auftreten, wenn ein Chip auf Lötbereichen (Lötpads) auf einem Anschlussträger platziert wird.The holding device 29 can be implemented, for example, by a nozzle that supports the semiconductor chip 1 holds by negative pressure. The force required for the holding function, exerted by the negative pressure, can already be sufficient to hold the wearer 3 as in 2 B shown to destroy and thereby also make the chip unusable. Similar mechanical loads can occur when a chip is placed on soldering areas (soldering pads) on a connection carrier.

Im Folgenden werden Maßnahmen vorgeschlagen, wie die Zugstabilität des Trägers 3 mit dem Verbundkörper, der den Formkörper 15 und die Leiterkörper 11 und 13 umfasst, verbessert werden kann.Measures are proposed below, such as the tensile stability of the carrier 3 with the composite body that forms the molded body 15th and the ladder body 11 and 13th includes, can be improved.

Die Zugstabilität kann beispielsweise dadurch erhöht werden, dass die Kontaktfläche oder Haftfläche, also die Fläche zwischen dem Formkörper 15 und dem jeweiligen Leiterkörper 11 beziehungsweise 13, in der der Formkörper und der Leiterkörper aneinander angrenzen, erhöht wird. Hierzu kann beispielsweise die Oberfläche des jeweiligen Leiterkörpers 11, 13 vergrößert werden. Bevorzugt sind die Maßnahmen zur Vergrößerung der Haftfläche beziehungsweise Kontaktfläche zwischen dem Formkörper und dem Leiterkörper so gewählt, dass die notwendigen Modifikationen bereits während des Ausbildens des Leiterkörpers, beispielsweise durch galvanisches Aufbringen, durchgeführt werden können und nachfolgend der Formkörper als fließfähige Formmasse an den schon vorgefertigten Leiterkörper anfließen kann. Nach Härten der Formmasse ist die Kontaktfläche oder Haftfläche zwischen dem Formkörper und dem Leiterkörper vergrößert.The tensile stability can be increased, for example, by the fact that the contact surface or adhesive surface, that is to say the surface between the molded body 15th and the respective conductor body 11 respectively 13th , in which the shaped body and the conductor body adjoin one another, is increased. For this purpose, for example, the surface of the respective conductor body 11 , 13th be enlarged. The measures for enlarging the adhesive surface or contact surface between the Shaped body and the conductor body selected so that the necessary modifications can already be carried out during the formation of the conductor body, for example by electroplating, and then the shaped body can flow onto the already prefabricated conductor body as a flowable molding compound. After the molding compound has hardened, the contact surface or adhesive surface between the molded body and the conductor body is enlarged.

Die Kontakt- bzw. Haftfläche ist bevorzugt vergrößert gegenüber einem Träger, der Leiterkörper der gleichen Dicke und/oder einen Formkörper der gleichen Dicke, aufweist, wie der zugstabilisierte Träger. Der Träger muss hinsichtlich der Abmessungen vorzugsweise nicht geändert werden. Die Kontaktfläche zwischen Formkörper und dem jeweiligen Leiterkörper kann gegenüber einem quaderförmigen oder würfelförmigen Leiterkörper, etwa wie in den 1A und 1B dargestellt, signifikant erhöht werden. Dies kann beispielsweise durch geeignete Ausbildung des jeweiligen Leiterkörpers erreicht werden. Beispiele dazu sind weiter unten wiedergegeben, wobei die Kontakt- bzw. Haftfläche in allen Beispielen vergrößert ist.The contact or adhesive surface is preferably larger than a carrier which has a conductor body of the same thickness and / or a shaped body of the same thickness as the tension-stabilized carrier. The carrier preferably does not have to be changed in terms of its dimensions. The contact surface between the shaped body and the respective conductor body can be compared to a cuboid or cube-shaped conductor body, for example as in FIG 1A and 1B shown, can be increased significantly. This can be achieved, for example, by suitably designing the respective conductor body. Examples of this are given below, the contact or adhesive surface being enlarged in all examples.

Wie weiter oben schon erwähnt, treten initiale Bruchstellen des Trägers 3 vorwiegend im Zwischenbereich 27 auf, weshalb es besonders zweckmäßig ist, die Zugstabilität in diesem Bereich zu erhöhen. Manche der unten vorgestellten Modifikationen beschränken sich daher auf die einander zugewandten Seitenflächen der Leiterkörper, was jedoch nicht als beschränkend anzusehen ist, da entsprechende Maßnahmen alternativ oder ergänzend auch für andere Seitenflächen, beispielsweise die dem Zwischenbereich abgewandte Seitenfläche und/oder diese Seitenflächen verbindende Seitenflächen des jeweiligen Leiterkörpers Anwendung finden können. Im Zwischenbereich 27 sind die Modifikationen jedoch besonders vorteilhaft.As already mentioned above, there are initial breaks in the carrier 3 mainly in the intermediate area 27 on, which is why it is particularly useful to increase the tensile stability in this area. Some of the modifications presented below are therefore limited to the mutually facing side surfaces of the conductor bodies, which, however, is not to be regarded as restrictive, since corresponding measures can alternatively or additionally also be implemented for other side surfaces, for example the side surface facing away from the intermediate area and / or the side surfaces connecting these side surfaces of the respective Conductor body can be used. In the intermediate area 27 however, the modifications are particularly advantageous.

Natürlich können sich die unten beschriebenen Maßnahmen, auch wenn sie getrennt voneinander beschrieben sind, ergänzen, insofern sie sich nicht gegenseitig ausschließen.Of course, the measures described below can complement each other, even if they are described separately, provided they are not mutually exclusive.

In den 3 und 4 ist jeweils ein Ausführungsbeispiel mit einer strukturierten Seitenfläche 21 der Leiterkörper 11, 13 angegeben. In den 3 und 4 sind die einander zugewandten Seitenflächen 21 der Leiterkörper 11, 13 jeweils gleichartig strukturiert, wobei die einzelnen Strukturelemente aneinander ausgerichtet sind. Abweichend von der Darstellung können die Seitenflächen auch verschieden strukturiert sein und/oder die Strukturelemente verschiedener Seitenflächen in Aufsicht gesehen versetzt zueinander angeordnet sein.In the 3 and 4th is in each case an exemplary embodiment with a structured side surface 21 the conductor body 11 , 13th specified. In the 3 and 4th are the side surfaces facing each other 21 the conductor body 11 , 13th each structured in the same way, the individual structural elements being aligned with one another. In a departure from the illustration, the side surfaces can also be structured differently and / or the structural elements of different side surfaces can be arranged offset from one another when viewed from above.

Gemäß 3 ist die Seitenfläche 21 des jeweiligen Leiterkörpers sägezahnartig strukturiert. Die einzelnen Strukturelemente sind als sich vom jeweiligen Leiterkörper weg und/oder in Richtung des anderen Leiterkörpers verjüngende Vorsprünge ausgebildet. Von außen betrachtet können sich die Strukturelemente also von einem Ende des Leiterkörpers ausgehend, insbesondere in lateraler Richtung gesehen, verbreitern, zum Beispiel bis die Strukturelemente in einen Hauptkörper des jeweiligen Leiterkörpers übergehen.According to 3 is the side face 21 of the respective conductor body structured like a sawtooth. The individual structural elements are designed as projections which taper away from the respective conductor body and / or in the direction of the other conductor body. Viewed from the outside, the structural elements can therefore widen starting from one end of the conductor body, in particular seen in the lateral direction, for example until the structural elements merge into a main body of the respective conductor body.

Die Struktur in 3 ist in Aufsicht auf die zweite Trägerfläche 7 hinterschneidungsfrei ausgeführt. Insbesondere ist zwischen dem Formkörper 15 und dem jeweiligen Leiterköper eine für Belastungen in Zugrichtung, also zum Beispiel senkrecht zur ausgezeichneten Längsrichtung des jeweiligen Leiterkörpers und/oder der Haupterstreckungsrichtung der strukturierten Seitenfläche, eine kraftschlüssige Verbindung ausgebildet. Diese wird zum Beispiel nicht durch eine formschlüssige Verbindung, wie sie beispielsweise durch Widerlagerflächen, die sich einer Trennung von Formkörper und Leiterkörper bei Zugbelastung widersetzen, erzeugt werden kann, unterstützt wird.The structure in 3 is in plan view of the second support surface 7th executed without undercuts. In particular, is between the molded body 15th and the respective conductor body is formed a force-fit connection for loads in the tensile direction, that is, for example, perpendicular to the marked longitudinal direction of the respective conductor body and / or the main direction of extent of the structured side surface. This is not supported, for example, by a form-fitting connection, as can be generated, for example, by abutment surfaces that resist separation of the molded body and conductor body when subjected to tensile loading.

In 4 dagegen weisen die Strukturelemente in Aufsicht auf die zweite Trägerfläche 7 gesehen Hinterschnitte 31 auf, die Widerlagerflächen bilden, welche die Zugstabilität des Verbundkörpers, insbesondere auch zusätzlich zur Vergrößerung der Haftfläche, erhöhen können. Die Strukturelemente in 4 sind ebenfalls als Vorsprünge gebildet, die zwischen sich Ausnehmungen definieren, wobei die Ausnehmungen zunächst von der Außenseite des Leiterkörpers gesehen schmal ausgebildet sind und sich dann verbreitern. In Richtung des Hauptkörpers des jeweiligen Leiterkörpers können sich die Ausnehmungen dann wieder verjüngen, ehe die Strukturelemente in den Hauptkörper übergehen. Aufgrund des Hinterschnitts ist ausgehend von einer Endfläche 53 des Strukturelements - die Endfläche ist zweckmäßigerweise eine laterale und/oder dem anderen Leiterkörper zugewandte Endfläche - des Leiterkörpers in Aufsicht auf die zweite Trägerfläche folgende Abfolge gegeben: Material des Leiterkörpers (dieses bildet zweckmäßigerweise das Strukturelement), Material des Formkörpers, Material des Leiterkörpers (dieses bildet zweckmäßigerweise den Hauptkörper des Leiterkörpers). An die Endfläche 53 kann der Formkörpers 15, insbesondere dessen Zwischenbereich 27, angrenzen.In 4th on the other hand, the structural elements point to the second carrier surface in a plan view 7th seen undercuts 31 on, which form abutment surfaces, which can increase the tensile stability of the composite body, in particular in addition to enlarging the adhesive surface. The structural elements in 4th are also formed as projections which define recesses between them, the recesses initially being narrow as seen from the outside of the conductor body and then widening. The recesses can then taper again in the direction of the main body of the respective conductor body before the structural elements merge into the main body. Because of the undercut is based on an end face 53 of the structural element - the end surface is expediently a lateral end surface and / or facing the other conductor body - of the conductor body in a plan view of the second carrier surface, the following sequence is given: material of the conductor body (this expediently forms the structural element), material of the molded body, material of the conductor body (this expediently forms the main body of the conductor body). To the end face 53 can the shaped body 15th , especially its intermediate area 27 , adjoin.

Die Oberflächenstruktur in den 3 und 4 ist gleichförmig, sodass sich der Querschnitt des jeweiligen Leiterkörpers auf dem Weg von der zweiten Körperhauptfläche 19 zur ersten Körperhauptfläche 11 (nicht explizit in den Figuren dargestellt) weder in Form noch Flächeninhalt ändert. Die Strukturen gemäß 3 und 4 können beispielsweise derart hergestellt werden, dass über eine Maske auf dem Halbleitermaterial des Halbleiterkörpers 23 freie Bereiche definiert werden, die die für den jeweiligen Leiterkörper gewünschte Form aufweisen. Die Maske kann beispielsweise eine geeignet strukturierte Maske, zum Beispiel eine Photolackmaske, sein. Der maskenmaterialfreie Bereich wird, beispielsweise galvanisch, mit Leitermaterial für den Leiterkörper befüllt. Der Leiterkörper ist beispielsweise metallisch. Da die Oberflächenstruktur gleichförmig ist, kann die Maske verglichen mit weiteren unten beschriebenen Strukturen vergleichsweise einfach ausgebildet werden, beispielsweise mit nur einer Maskenschicht und/oder ohne Hinterschnitte beziehungsweise schräggestellte Flanken.The surface structure in the 3 and 4th is uniform, so that the cross section of the respective conductor body is on the way from the second main body surface 19th to the first main body surface 11 (not explicitly shown in the figures) changes neither in form nor area. The Structures according to 3 and 4th can for example be produced in such a way that a mask is applied to the semiconductor material of the semiconductor body 23 free areas can be defined which have the shape desired for the respective conductor body. The mask can, for example, be a suitably structured mask, for example a photoresist mask. The area free of mask material is filled, for example by electroplating, with conductor material for the conductor body. The conductor body is, for example, metallic. Since the surface structure is uniform, the mask can be made comparatively simply compared to further structures described below, for example with only one mask layer and / or without undercuts or inclined flanks.

In dem Ausführungsbeispiel gemäß 5 sind eine Mehrzahl von Verbindungsbereichen 33 des Formkörpers 15 vorgesehen, die sich, insbesondere in Aufsicht auf die zweite Trägerfläche 7 gesehen, von der einen Seite des jeweiligen Leiterkörpers 11 beziehungsweise 13 zu dessen anderer Seite erstrecken, beispielsweise vom Randbereich 25 zum Zwischenbereich 27. Durch die Verbindungsbereiche 33 können Querstreben im Formkörper gebildet sein. Es können alternativ oder ergänzend Längsstreben vorgesehen sein, die sich entlang der ausgezeichneten Längsrichtung des jeweiligen Leiterkörpers erstrecken (nicht dargestellt). Wie in 5 dargestellt, kann der jeweilige Leiterkörper eine Mehrzahl von Teilbereichen, im Ausführungsbeispiel drei Teilbereiche, aufweisen, wobei zwischen zwei benachbarten Teilbereichen des gleichen Leiterkörpers jeweils ein Verbindungsbereich 33 angeordnet ist. Die Teilbereiche des jeweiligen Leiterkörpers können durchweg, das heißt durch den ganzen Träger hinweg getrennt sein, sodass sich der Verbindungsbereich 33 von der zweiten Trägerfläche 7 ausgehend durchgehend bis zur ersten Trägerfläche 5 erstrecken kann. Alternativ und/oder ergänzend dazu kann einer oder eine Mehrzahl von Verbindungsbereichen 33 vorgesehen sein, wobei der jeweilige Verbindungsbereich 33 in Umfangsrichtung - also insbesondere azimutal zu seiner Erstreckungsrichtung - vollständig vom Leiterkörpermaterial umgeben ist und/oder nur teilweise, zum Beispiel nur auf einer Seite nicht, vom Leiterkörper begrenzt ist. Beispielsweise gemäß dem in 6 gezeigten Ausführungsbeispiel sind Verbindungsbereiche 33 vorgesehen, die seitens der zweiten Trägerfläche 7 freiliegen, sonst aber in Umfangsrichtung vom jeweiligen Leiterkörper 11, 13 begrenzt sind. Gemäß 7 ist der Verbindungsbereich 33 in Umfangsrichtung entlang seiner Erstreckungsrichtung gesehen vollständig vom Leiterkörpermaterial umgeben. Solche durchgehenden Verbindungsbereiche, wie in den 5 bis 7 dargestellt, erhöhen signifikant die Stabilität und insbesondere auch die Zugstabilität des Trägers 3.In the embodiment according to 5 are a plurality of connection areas 33 of the molded body 15th provided, in particular in plan view of the second support surface 7th seen from one side of the respective conductor body 11 respectively 13th extend to the other side, for example from the edge area 25th to the intermediate area 27 . Through the connection areas 33 Cross struts can be formed in the molded body. As an alternative or in addition, longitudinal struts can be provided which extend along the marked longitudinal direction of the respective conductor body (not shown). As in 5 As shown, the respective conductor body can have a plurality of sub-areas, in the exemplary embodiment three sub-areas, with a connecting area between two adjacent sub-areas of the same conductor body 33 is arranged. The partial areas of the respective conductor body can be separated throughout, that is to say through the entire carrier, so that the connection area is 33 from the second support surface 7th starting all the way to the first support surface 5 can extend. As an alternative and / or in addition to this, one or a plurality of connection areas can be used 33 be provided, the respective connection area 33 in the circumferential direction - that is to say in particular azimuthally to its direction of extension - is completely surrounded by the conductor body material and / or is only partially, for example not only on one side, limited by the conductor body. For example, according to the in 6th The embodiment shown are connection areas 33 provided on the part of the second support surface 7th are exposed, but otherwise in the circumferential direction of the respective conductor body 11 , 13th are limited. According to 7th is the connection area 33 viewed in the circumferential direction along its extension direction completely surrounded by the conductor body material. Such continuous connection areas, as in the 5 to 7th shown, significantly increase the stability and in particular also the tensile stability of the carrier 3 .

Die Leiterkörper 11, 13 gemäß 5 können durch eine geeignet ausgebildete Maske mit anschließendem Abscheiden, beispielsweise galvanischem Abscheiden, Sputtern oder Aufdampfen, der Teilbereiche des Leiterkörpers 11 und der Teilbereiche des Leiterkörpers 13 gebildet werden. Nicht mit Leitermaterial zu bedeckende Gebiete sind zweckmäßigerweise mit dem Maskenmaterial bedeckt.The ladder body 11 , 13th according to 5 can by means of a suitably designed mask with subsequent deposition, for example galvanic deposition, sputtering or vapor deposition, of the partial areas of the conductor body 11 and the sub-areas of the conductor body 13th are formed. Areas not to be covered with conductor material are expediently covered with the mask material.

Bei der Struktur gemäß 6 wird zunächst eine Maske für den halbleiterkörpernahen Bereich des jeweiligen Leiterkörpers - das ist der Bereich zwischen dem Verbindungsbereich 33 und dem Halbleiterkörper in 6 - vorgesehen. Die von der Maske freien Bereiche werden entsprechend befüllt. Die Maske kann daraufhin entfernt werden. Nachfolgend kann eine weitere Maske vorgesehen werden, in der ein Teil der Maske den für den Verbindungsbereich 33 vorgesehenen Bereich bedeckt. Wird daraufhin das Leitermaterial abgeschieden, so entsteht die in 6 gezeigte Struktur mit einer Ausnehmung für den Verbindungsbereich 33. Für die Struktur gemäß 7 kann ähnlich vorgegangen werden, wobei nach dem Ausbilden der Ausnehmung zusätzlich noch ein halbleiterkörperferner Bereich des Leiterkörpers ausgebildet wird, der den für den Verbindungsbereich 33 vorgesehenen Bereich des jeweiligen Leiterkörpers auf der halbleiterkörperfernen Seite begrenzt. With the structure according to 6th First, a mask is used for the area of the respective conductor body close to the semiconductor body - that is the area between the connection area 33 and the semiconductor body in 6th - intended. The areas free from the mask are filled accordingly. The mask can then be removed. A further mask can then be provided in which a part of the mask is used for the connection area 33 designated area covered. If the conductor material is then deposited, the in 6th Structure shown with a recess for the connection area 33 . For the structure according to 7th A similar procedure can be followed, wherein after the recess has been formed, an area of the conductor body remote from the semiconductor body is also formed, which area is used for the connection area 33 provided area of the respective conductor body is limited on the side remote from the semiconductor body.

Dieser halbleiterkörperferne Bereich des Leiterkörpers kann mittels einer weiteren Maske definiert werden, wobei die Maske, die die Ausnehmung definiert vorzugsweise noch nicht entfernt wird, um zu verhindern, dass Leitermaterial in die eigentlich für den Verbindungsbereich vorgesehene Ausnehmung gelangt. Alternativ kann die die Ausnehmung definierende Maskenstruktur überformt werden, um den halbleiterkörperfernen Bereich auszubilden. In diesem Fall ist keine weitere Maske erforderlich.This area of the conductor body remote from the semiconductor body can be defined by means of a further mask, the mask that defines the recess preferably not yet being removed in order to prevent conductor material from getting into the recess actually provided for the connection area. Alternatively, the mask structure defining the recess can be overmolded in order to form the area remote from the semiconductor body. In this case, no further mask is required.

Nach dem Entfernen der letzten im Verfahren benutzten Maske können die von der Maske und dem Leitermaterial des jeweiligen Leiterkörpers freien Bereiche - diese umfassen die Verbindungsbereiche 33 - mit der Masse für den Formkörper befüllt werden.After the last mask used in the process has been removed, the areas free of the mask and the conductor material of the respective conductor body - these include the connecting areas 33 - can be filled with the compound for the molded body.

Verbindungsbereiche 33 durch verschiedene Leiterkörper 11 beziehungsweise 13 können aneinander ausgerichtet sein, wie in 5 dargestellt. Ein Verbindungsbereich 33 durch einen Leiterkörper kann über den Zwischenbereich 27 hinweg geradlinig in einen Verbindungsbereich 33 durch den anderen Leierkörper übergehen oder münden. Alternativ oder ergänzend können Verbindungsbereiche 33 durch verschiedene Leiterkörper 11 beziehungsweise 13 versetzt zueinander angeordnet sein wie in den 13A oder 13B dargestellt. Eine versetzte Anordnung hat gegenüber einer aneinander ausgerichteten Anordnung den Vorteil, dass die Gefahr eines Bruches entlang eines durch die Verbindungsbereiche 33 gebildeten durchgehenden Formkörperbereichs, der sich von einem Leiterkörper ausgehend über den Zwischenbereich 27 erstreckt und sich über den anderen Leiterkörper fortsetzt, vermieden wird. Die Anzahl an Verbindungsbereichen 33 über verschiedene Leiterkörper 11, 13 kann, wie in 13B dargestellt, verschieden oder, wie in 13A und 5 dargestellt, gleich sein. Dementsprechend können der erste Leiterkörper 11 und der zweite Leiterkörper 13 die gleiche Anzahl an Teilbereichen oder eine verschiedene Anzahl an Teilbereichen aufweisen. Weisen die Leiterkörper eine verschiedene Anzahl an Teilbereichen auf, so kann über die Anzahl an Teilbereichen eines Leiterkörpers, die auf der vom Halbleiterkörper abgewandten Seite des Trägers freiliegen, die Polarität des durch die Leiterkörper gebildeten Anschlusses an den aktiven Bereich - n- oder p-leitend - angezeigt werden.Connection areas 33 through different conductor bodies 11 respectively 13th can be aligned, as in 5 shown. A connection area 33 through a conductor body can over the intermediate area 27 straight away into a connection area 33 pass or flow through the other body of the organ. Alternatively or in addition, connection areas 33 through different conductor bodies 11 respectively 13th be offset from one another as in the 13A or 13B shown. An offset arrangement has the advantage over an arrangement that is aligned with one another that the risk of breakage along one through the Connection areas 33 formed continuous shaped body area, which extends from a conductor body over the intermediate area 27 extends and continues over the other conductor body, is avoided. The number of connection areas 33 via different conductor bodies 11 , 13th can, as in 13B shown, different or, as in 13A and 5 shown to be the same. Accordingly, the first conductor body 11 and the second conductor body 13th have the same number of sub-areas or a different number of sub-areas. If the conductor bodies have a different number of subregions, the number of subregions of a conductor body exposed on the side of the carrier facing away from the semiconductor body can be used to determine the polarity of the connection formed by the conductor body to the active region - n- or p-conducting - are displayed.

Den Ausführungsbeispielen gemäß den 8 bis 10 und 14 ist gemein, dass die erste Körperhauptfläche 17 und die zweite Körperhauptfläche 19 jeweils verschiedene Flächeninhalte aufweisen. In 8 ist die erste Körperhauptfläche 17 kleiner als die zweite Körperhauptfläche 19 und in den 9 und 10 ist das Umgekehrte der Fall. Bei den Leiterkörpern in 8 vergrößert sich der Leiterkörper im Querschnitt, der zweckmäßigerweise senkrecht zur ausgezeichneten Längsrichtung genommen wurde, des jeweiligen Leiterkörpers 11 beziehungsweise 13 kontinuierlich von der ersten Körperhauptfläche 17 weg gesehen. Bei den Leiterkörpern in 9 verjüngt sich der Leiterkörper im Querschnitt, der zweckmäßigerweise senkrecht zur ausgezeichneten Längsrichtung genommen wurde, des jeweiligen Leiterkörpers 11 beziehungsweise 13 kontinuierlich von der ersten Körperhauptfläche 17 weg gesehen. Bei den 8 und 9 ist zumindest eine Seitenfläche 21 eines Leiterkörpers 11, 13, zweckmäßigerweise eine dem anderen Leiterkörper 11 bzw. 13 zugewandte Seitenfläche 21, schräggestellt. Es können zwei gegenüberliegende Seitenflächen 21 des gleichen Leiterkörpers schräg verlaufen. Beispielsweise kann ein Winkel den die jeweilige schräge Seitenfläche mit der Oberflächennormalen der ersten und/oder zweiten Körperhauptfläche einschließt, 20° oder mehr, vorzugsweise 30° oder mehr, oder 40° oder mehr, betragen.The embodiments according to 8th to 10 and 14th what is common is that the first main body surface 17th and the second major body surface 19th each have different areas. In 8th is the first major surface of the body 17th smaller than the second main body area 19th and in the 9 and 10 the reverse is the case. The conductors in 8th the conductor body increases in cross section, which was expediently taken perpendicular to the marked longitudinal direction, of the respective conductor body 11 respectively 13th continuously from the first major surface of the body 17th seen away. The conductors in 9 the conductor body tapers in cross section, which was expediently taken perpendicular to the marked longitudinal direction, of the respective conductor body 11 respectively 13th continuously from the first major surface of the body 17th seen away. Both 8th and 9 is at least one side face 21 of a conductor body 11 , 13th , expediently one to the other conductor body 11 or. 13th facing side surface 21 , inclined. There can be two opposite side faces 21 of the same conductor body run obliquely. For example, an angle that the respective inclined side surface makes with the surface normal of the first and / or second main body surface can be 20 ° or more, preferably 30 ° or more, or 40 ° or more.

In dem Ausführungsbeispiel gemäß 8 ist die für elektrische Kontaktierung seitens der zweiten Körperhauptfläche 19 zur Verfügung stehende Oberfläche vorteilhaft groß, während in den 9 und 10 die für die Wärmeaufnahme der Abwärme vom Halbleiterkörper zur Verfügung stehende Fläche vorteilhaft groß ist.In the embodiment according to 8th is the one for electrical contact on the part of the second main body surface 19th available surface advantageously large, while in the 9 and 10 the area available for absorbing the waste heat from the semiconductor body is advantageously large.

In den 8 und 9 ändert sich der Querschnitt in Dickenrichtung kontinuierlich, während er sich in 10 diskontinuierlich ändert. Auf einen Bereich mit großer Querschnittsfläche folgt dort von der jeweiligen ersten Körperhauptfläche 17 weg gesehen übergangslos ein Bereich mit kleinerer Querschnittsfläche. Die Leiterkörper 11, 13 sind bevorzugt so zueinander angeordnet, dass zwischen ihnen ein Zwischenbereich 27 des Formkörpers 15 ausgebildet ist, der im Querschnitt eine t-artige Form aufweist. Der jeweilige Leiterkörper 11 beziehungsweise 13 kann auf der Seite des Halbleiterkörpers 23 einen in den Zwischenraum zwischen den beiden Leiterkörpern ragenden Vorsprung aufweisen.In the 8th and 9 the cross-section changes continuously in the thickness direction while it changes in 10 changes discontinuously. An area with a large cross-sectional area is followed there by the respective first main body area 17th seen away an area with a smaller cross-sectional area without any transition. The ladder body 11 , 13th are preferably arranged to one another so that an intermediate area between them 27 of the molded body 15th is formed which has a T-like shape in cross section. The respective conductor body 11 respectively 13th can be on the side of the semiconductor body 23 have a projection protruding into the space between the two conductor bodies.

Wie in 14 dargestellt, ist eine diskontinuierliche Änderung des Querschnitts nicht erforderlich, sondern ein Bereich größerer Querschnittsfläche kann über einen schrägen Bereich der Seitenfläche in einen Bereich mit kleinerem, vorzugsweise konstantem, Querschnitt des jeweiligen Leiterkörpers übergehen.As in 14th As shown, a discontinuous change in the cross section is not necessary, but a region of larger cross-sectional area can merge over an inclined region of the side surface into an area with a smaller, preferably constant, cross section of the respective conductor body.

Die Strukturen gemäß 8 und 9 können mittels geeigneter Masken, die geeignet schräge Flanken aufweisen, hergestellt werden, wobei die Maske gemäß 8 hinterschnittfrei und die Maske für 9 mit einem Hinterschnitt ausgeführt werden kann. Die Struktur gemäß 10 kann mit einer mehrstufigen Maskierungstechnik hergestellt werden, bei der zuerst der halbleiterkörpernahe Bereich des jeweiligen Leiterkörpers mittels einer ersten Maske aufgebracht wird und dann für den Bereich mit der kleineren Breite des Leiterkörpers eine weitere Maske verwendet wird. Der Bereich mit der schrägen Seitenfläche gemäß 14 kann über eine Maske mit Hinterschnitt definiert werden.The structures according to 8th and 9 can be produced by means of suitable masks which have suitably sloping flanks, the mask according to FIG 8th undercut-free and the mask for 9 can be performed with an undercut. The structure according to 10 can be produced with a multi-stage masking technique in which first the area of the respective conductor body close to the semiconductor body is applied by means of a first mask and then a further mask is used for the area with the smaller width of the conductor body. The area with the sloping side according to 14th can be defined using a mask with an undercut.

Die jeweilige Seitenfläche 21 in den Ausführungsbeispielen gemäß den 5 bis 9 kann unstrukturiert, insbesondere eben, sein.The respective side face 21 in the embodiments according to 5 to 9 can be unstructured, especially flat.

11 zeigt ein Beispiel mit Leiterkörpern 11, 13 mit in Dickenrichtung diskontinuierlichem Querschnitt und einer sich in Dickenrichtung ändernden Oberflächenstruktur. In Dickenrichtung wechseln sich breite und schmale Bereiche des jeweiligen Leiterkörpers 11 bzw. 13 alternierend ab, sodass eine, vorzugsweise im Querschnitt betrachtete kammartige, Verzahnung des jeweiligen Leiterkörpers mit dem Formkörpermaterial ausgebildet wird. Die Seitenfläche weist also in Dickenrichtung Hinterschitte auf. In lateraler Richtung ist die Struktur jedoch vorzugsweise hinterschnittfrei. Es kann also in Zugbelastungsrichtung gesehen eine kraftschlüssige Haftverbindung zwischen dem Leiterkörper und dem jeweiligen Formkörper ausgebildet werden, die insbesondere nicht durch eine formschlüssige Verbindung unterstützt wird. Die in 11 gezeigte Struktur kann auch mittels mehrerer Maskierungsebenen hergestellt werden. In 11 sind die zwei gegenüberliegenden Seitenflächen 21 des jeweiligen Leiterkörpers 11, 13 strukturiert ausgebildet. 11 shows an example with conductor bodies 11 , 13th with a discontinuous cross-section in the direction of the thickness and a surface structure that changes in the direction of the thickness. In the direction of the thickness, wide and narrow areas of the respective conductor body alternate 11 or. 13th alternately, so that a comb-like toothing, preferably viewed in cross section, of the respective conductor body is formed with the molded body material. The side surface thus has undercuts in the thickness direction. In the lateral direction, however, the structure is preferably free of undercuts. Thus, viewed in the direction of tensile load, a force-fit adhesive connection can be formed between the conductor body and the respective shaped body, which in particular is not supported by a form-fit connection. In the 11 The structure shown can also be produced by means of several masking planes. In 11 are the two opposite side faces 21 of the respective conductor body 11 , 13th structured trained.

Den Ausführungsbeispielen gemäß den 15 und 16 ist gemein, dass die jeweilige Seitenfläche nicht eben ausgeführt ist. Ferner weist die jeweilige Seitenfläche keine geradlinige Haupterstreckungsrichtung auf. Insbesondere ist die jeweilige Seitenfläche des jeweiligen Leiterkörpers 11, 13 gekrümmt. In 15 ist die Seitenfläche von außen gesehen konvex gekrümmt, während sie in 16 von außen gesehen konkav gekrümmt ist. Auf durch die entsprechend gekrümmte Ausführung der Seitenfläche kann der Inhalt der Seitenfläche entsprechend vergrößert werden. Die konkav gekrümmte Ausführung gemäß 16 ist demgegenüber vorteilhaft, weil die Flächen zum elektrischen Anschluss und zum thermischen Anschluss in dem Halbleiterkörper 23 größer sind als die innerhalb des Trägers zur Verfügung stehende Fläche.The embodiments according to 15th and 16 What is common is that the respective side surface is not flat. Furthermore, the respective side face does not have a straight main direction of extent. In particular, the respective side surface of the respective conductor body 11 , 13th curved. In 15th seen from the outside, the side surface is convexly curved, while in 16 seen from the outside is concave. Due to the appropriately curved design of the side surface, the content of the side surface can be increased accordingly. The concave curved design according to 16 is advantageous because the surfaces for electrical connection and thermal connection in the semiconductor body 23 are larger than the area available within the carrier.

In den 15 und 16 variiert der Querschnitt so, dass er sich zunächst ausgehend von der ersten Körperhauptfläche 17 vergrößert (15) beziehungsweise verkleinert (16) und daraufhin weder verringert (15) beziehungsweise vergrößert (16). Die jeweilige Vergrößerung beziehungsweise Verringerung kann kontinuierlich sein. Die Körperhauptflächen 17 und 19 können gleich groß sein.In the 15th and 16 the cross-section varies so that it is initially starting from the first main body surface 17th enlarged ( 15th ) or reduced ( 16 ) and then neither reduced ( 15th ) or enlarged ( 16 ). The respective increase or decrease can be continuous. The main body surfaces 17th and 19th can be the same size.

Den 8 bis 11 sowie 14 bis 16 ist gemein, dass sich der Querschnitt des jeweiligen Leiterkörpers in Dickenrichtung, insbesondere in Form und/oder Flächeninhalt, ändert.The 8th to 11 and 14 to 16 have in common that the cross section of the respective conductor body changes in the direction of thickness, in particular in shape and / or surface area.

Durch die oben beschriebenen Modifikationen kann - mit Ausnahme der Maßnahmen gemäß den 6 und 7, 13A und 13B - erreicht werden, dass die Oberfläche der Seitenfläche 21 vergrößert ist. Diese Oberfläche kann der durch die Seitenfläche realisierte Teil der Haft- oder Kontaktfläche sein oder diesen zumindest bestimmen. Bei den 6, 7, 13A und 13B werden entweder neue Innenflächen des Leiterkörpers geschaffen, die die Kontakt- oder Haftfläche zum Formkörper vergrößern (7, 13A, 13B) oder es wird eine Körperhauptfläche des Leiterkörpers zur Vergrößerung der Kontakt- oder Haftfläche geeignet strukturiert ausgebildet (6).The modifications described above can - with the exception of the measures according to 6th and 7th , 13A and 13B - Be achieved that the surface of the side face 21 is enlarged. This surface can be the part of the adhesive or contact surface realized by the side surface or at least determine it. Both 6th , 7th , 13A and 13B either new inner surfaces of the conductor body are created, which increase the contact or adhesive surface to the molded body ( 7th , 13A , 13B) or a main body surface of the conductor body is designed with a suitable structure to enlarge the contact or adhesive surface ( 6th ).

Bei einer Vergrößerung der jeweiligen Seitenfläche kann eine Oberfläche A der Seitenfläche 21 größer sein als die Dicke d des Leiterkörpers 11 bzw. 13 multipliziert mit einer der folgenden Größen:

  • - B, wobei B eine Abmessung, zum Beispiel eine maximale Längsabmessung, etwa die Länge, der ersten Körperhauptfläche 17 oder der zweiten Körperhauptfläche 19 bezeichnet, und/oder
  • - C, wobei C den halben Umfang der ersten oder zweiten Körperhauptfläche bezeichnet.
When the respective side surface is enlarged, a surface A of the side surface 21 be greater than the thickness d of the conductor body 11 or. 13th multiplied by one of the following:
  • - B, where B is a dimension, for example a maximum longitudinal dimension, for example the length, of the first main body surface 17th or the second main body surface 19th designated, and / or
  • - C, where C denotes half the circumference of the first or second main body surface.

Mit Vorteil gilt:

  • - A/(B*d) ≥ 1,20 oder ≥ 1,30, besonders bevorzugt ≥ 1,40, zum Beispiel ≥ 1,50, ≥ 1,80, ≥ 1,90 oder ≥ 2,00, und/oder
  • - A/(C*d) ≥ 1,20 oder ≥ 1,30, besonders bevorzugt ≥ 1,40, zum Beispiel ≥ 1,50, ≥ 1,80, ≥ 1,90 oder ≥ 2,00.
The following applies with advantage:
  • - A / (B * d) ≥ 1.20 or ≥ 1.30, particularly preferably ≥ 1.40, for example ≥ 1.50, ≥ 1.80, ≥ 1.90 or ≥ 2.00, and / or
  • - A / (C * d) ≥ 1.20 or ≥ 1.30, particularly preferably ≥ 1.40, for example ≥ 1.50, ≥ 1.80, ≥ 1.90 or ≥ 2.00.

Insbesondere für den Fall zweier Seitenflächen 21 verschiedener Leiterkörper, die einander zugewandt sind, aber zum Beispiel versetzt zueinander angeordnet und/oder oder verschieden groß sind, bezeichnet O den Flächeninhalt des Bereichs, in dem sich die einander zugewandten Seitenflächen des ersten und des zweiten Leiterkörpers gegenseitig überdecken. O kann kleiner oder gleich dem Flächeninhalt der Seitenfläche des ersten Leiterkörpers oder kleiner oder gleich dem Flächeninhalt der Seitenfläche des zweiten Leiterkörpers sein. Mit Vorteil gilt:

  • - O/(B*d) ≥ 1,05, bevorzugt ≥ 1,10, ≥ 1,20 oder ≥ 1,30, besonders bevorzugt ≥ 1,40, zum Beispiel ≥ 1,50, ≥ 1,80, ≥ 1,90 oder ≥ 2,00, und/oder
  • - O/(C*d) ≥ 1,05, bevorzugt ≥ 1,10, ≥ 1,20 oder ≥ 1,30, besonders bevorzugt ≥ 1,40, zum Beispiel ≥ 1,50, ≥ 1,80, ≥ 1,90 oder ≥ 2,00.
Especially in the case of two side surfaces 21 different conductor bodies that face one another but are, for example, offset from one another and / or are of different sizes, O denotes the surface area of the area in which the facing side surfaces of the first and second conductor bodies overlap one another. O can be less than or equal to the surface area of the side surface of the first conductor body or less than or equal to the surface area of the side surface of the second conductor body. The following applies with advantage:
  • - O / (B * d) ≥ 1.05, preferably ≥ 1.10, ≥ 1.20 or ≥ 1.30, particularly preferably ≥ 1.40, for example ≥ 1.50, ≥ 1.80, ≥ 1 , 90 or ≥ 2.00, and / or
  • - O / (C * d) ≥ 1.05, preferably ≥ 1.10, ≥ 1.20 or ≥ 1.30, particularly preferably ≥ 1.40, for example ≥ 1.50, ≥ 1.80, ≥ 1 , 90 or ≥ 2.00.

Derartige Verhältnisse können mit den oben genannten Maßnahmen, ggf. in Kombination miteinander, erreicht werden.Such conditions can be achieved with the measures mentioned above, if necessary in combination with one another.

In 12 ist der Halbleiterkörper 23 aus den vorangehenden Ausführungsbeispielen detaillierter dargestellt und außerdem die Verbindung zwischen Halbleiterkörper 23 und Träger 3 näher erläutert. Der Halbleiterkörper 23 ist vorzugsweise epitaktisch gewachsen und kann beispielsweise auf II-VI- oder III-V-Halbleitermaterial basieren. Der Halbleiterkörper 23 weist eine erste Halbleiterschicht 35 und eine zweite Halbleiterschicht 37 auf, wobei die zweite Halbleiterschicht 37 dem Träger 3 zugewandt ist. Zwischen den beiden Halbleiterschichten 37 und 35 ist der aktive Bereich des Halbleiterkörpers 39 zur Strahlungserzeugung oder zum Strahlungsempfang angeordnet.In 12th is the semiconductor body 23 shown in more detail from the preceding exemplary embodiments and also the connection between the semiconductor body 23 and carrier 3 explained in more detail. The semiconductor body 23 is preferably grown epitaxially and can be based on II-VI or III-V semiconductor material, for example. The semiconductor body 23 has a first semiconductor layer 35 and a second semiconductor layer 37 on, the second semiconductor layer 37 the carrier 3 is facing. Between the two semiconductor layers 37 and 35 is the active area of the semiconductor body 39 arranged for generating or receiving radiation.

Zwischen dem Halbleiterkörper 23 und dem Träger 3 ist eine, vorzugsweise elektrisch leitfähige, Spiegelschicht 41 angeordnet, die für im aktiven Bereich erzeugte oder vom aktiven Bereich zu empfangende Strahlung vorzugsweise reflektierend ausgebildet ist. Die Spiegelschicht kann beispielsweise ein Metall oder ein metallisches Material enthalten oder daraus bestehen. Die erste Halbleiterschicht 35 kann p-leitend oder n-leitend sein. Die zweite Halbleiterschicht 37 weist bevorzugt den anderen Leitungstyp auf, ist also n-leitend beziehungsweise p-leitend. Die erste und/oder zweite Halbleiterschicht kann für den jeweiligen leitungstyp dotiert sein. Der erste Leiterkörper 11 ist mit der ersten Halbleiterschicht 35 elektrisch leitend verbunden. Hierzu ist im Halbleiterkörper eine Durchkontaktierung ausgebildet. Die Durchkontaktierung umfasst eine Ausnehmung oder Aussparung 43 im Halbleiterkörper, die sich von der dem Träger zugewandten Seite bis zu der dem Träger abgewandten Seite des aktiven Bereichs 39 erstreckt. Die Ausnehmung 43 kann sich durch den aktiven Bereich, die zweite Halbleiterschicht 37 und die Spiegelschicht 41 erstrecken. In der Ausnehmung 43 ist ein Leitermaterial 45 angeordnet, beispielsweise ein Metall, das mit dem Halbleiterkörper auf der vom aktiven Bereich abgewandten Seite elektrisch leitend verbunden ist. Der zweite Leiterkörper 13, ist vorzugsweise über die Spiegelschicht 41, mit der dem Träger 3 zugewandten Seite des Halbleiterkörpers 23 elektrisch leitend verbunden.Between the semiconductor body 23 and the wearer 3 is a, preferably electrically conductive, mirror layer 41 arranged, which is formed preferably reflective for radiation generated in the active area or to be received by the active area. The mirror layer can contain or consist of a metal or a metallic material, for example. The first semiconductor layer 35 can be p-type or n-type. The second semiconductor layer 37 preferably has the other type of conductivity, that is to say it is n-conducting or p-conducting. The first and / or second semiconductor layer can be doped for the respective conduction type. The first conductor body 11 is with the first semiconductor layer 35 electrically connected. For this purpose, a plated-through hole is formed in the semiconductor body. The plated-through hole comprises a recess or cutout 43 in the semiconductor body, which extends from the side facing the carrier to the side of the active region facing away from the carrier 39 extends. The recess 43 can pass through the active area, the second semiconductor layer 37 and the mirror layer 41 extend. In the recess 43 is a conductor material 45 arranged, for example a metal which is electrically conductively connected to the semiconductor body on the side facing away from the active region. The second conductor body 13th , is preferably over the mirror layer 41 , with which the carrier 3 facing side of the semiconductor body 23 electrically connected.

In dem Teilbereich der Ausnehmung 43 zwischen der dem Träger 3 zugewandten Seite des Halbleiterkörpers 23 und dem aktiven Bereich 39 ist der Leiterkörper 11 zweckmäßigerweise elektrisch vom Halbleiterkörper getrennt, ebenso wie auf der dem Träger zugewandten Seite des Halbleiterkörpers. Hierzu ist eine Isolationsschicht 47 vorgesehen, die bereichsweise zwischen dem Träger 3 und dem Halbleiterkörper vorgesehen ist. Für die Kontaktbildung zur ersten Halbleiterschicht 35 ist die Isolationsschicht unterbrochen. Zwischen dem jeweiligen Leiterkörper 11 beziehungsweise 13 und dem Halbleiterkörper 23, vorzugsweise unmittelbar angrenzend in dem jeweiligen Leiterkörper 11 beziehungsweise 13, ist eine Keimschicht 49 beziehungsweise 51 angeordnet. Die Keimschichten 59 und 51 können Teilbereiche einer durchgehenden Keimschicht sein, die im Herstellungsverfahren durchgehend auf dem Halbleiterkörper beziehungsweise die Halbleiterschichtenfolge, aus der mehrere Halbleiterkörper ausgebildet werden, aufgebracht und nachfolgend entsprechend strukturiert wird. Alternativ können die Keimschichten 49 und 51 bereits strukturiert aufgebracht werden. Das Material des Formkörpers 15 kann, wie dargestellt den jeweiligen Leiterkörper 11 in Richtung des Halbleiterkörpers 23 gesehen, überragen. Gegebenenfalls kann der Formkörper 15 auch die Isolationsschicht, die Spiegelschicht 41, die zweite Halbleiterschicht, den aktiven Bereich 39 und/oder die erste Halbleiterschicht 35 bereichsweise oder vollständig überragen. Die jeweilige Keimschicht 49 und 51 ist bevorzugt elektrisch leitfähig ausgeführt. Beispielsweise enthält die jeweilige Keimschicht ein Metall, das zum galvanischen Aufbringen des Leiterkörpers geeignet ist. Die vom Träger abgewandte Seite des Halbleiterkörpers kann die Strahlungsaustrittsseite des Halbleiterchips 1 bilden. Über die Spiegelschicht 41 kann Strahlung, die aus dem aktiven Bereich in Richtung des Trägers 3 abgestrahlt wird, in Richtung der Strahlungsaustrittsfläche zurückreflektiert werden.In the partial area of the recess 43 between the the carrier 3 facing side of the semiconductor body 23 and the active area 39 is the conductor body 11 expediently electrically separated from the semiconductor body, as well as on the side of the semiconductor body facing the carrier. For this purpose there is an insulation layer 47 provided, the areas between the carrier 3 and the semiconductor body is provided. For making contact with the first semiconductor layer 35 the insulation layer is interrupted. Between the respective conductor body 11 respectively 13th and the semiconductor body 23 , preferably immediately adjacent in the respective conductor body 11 respectively 13th , is a seed layer 49 respectively 51 arranged. The germ layers 59 and 51 can be subregions of a continuous seed layer which, in the manufacturing process, is applied continuously to the semiconductor body or the semiconductor layer sequence from which a plurality of semiconductor bodies are formed and is subsequently structured accordingly. Alternatively, the seed layers 49 and 51 can already be applied in a structured manner. The material of the molding 15th can, as shown, the respective conductor body 11 in the direction of the semiconductor body 23 seen, tower above. The shaped body can optionally 15th also the insulation layer, the mirror layer 41 , the second semiconductor layer, the active area 39 and / or the first semiconductor layer 35 protrude in areas or completely. The respective germ layer 49 and 51 is preferably designed to be electrically conductive. For example, the respective seed layer contains a metal that is suitable for the galvanic application of the conductor body. The side of the semiconductor body facing away from the carrier can be the radiation exit side of the semiconductor chip 1 form. About the mirror layer 41 can radiation emanating from the active area towards the wearer 3 is emitted, are reflected back in the direction of the radiation exit surface.

Der Formkörper und/oder der jeweilige Leiterkörper ist vorzugsweise strahlungsundurchlässig ausgeführt. Der Formkörper kann absorbierend, insbesondere schwarz, ausgeführt sein. Da die Spiegelschicht zwischen dem Träger und dem Halbleiterkörper angeordnet ist, beeinträchtigt dies die im Falle eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips ausgekoppelte Strahlungsleistung nicht maßgeblich.The shaped body and / or the respective conductor body is preferably made radiopaque. The shaped body can be designed to be absorbent, in particular black. Since the mirror layer is arranged between the carrier and the semiconductor body, this does not significantly impair the radiation power coupled out in the case of a radiation-emitting semiconductor chip.

Der jeweilige Leiterkörper 11, 13 kann in den Ausführungsbeispielen beispielsweise Zinn, Nickel, Gold, Wolfram, Silber oder Kupfer oder eine Mehrzahl dieser Materialien enthalten oder daraus bestehen.The respective conductor body 11 , 13th may contain or consist of tin, nickel, gold, tungsten, silver or copper or a plurality of these materials in the exemplary embodiments.

Für den Formkörper 15 eignen sich beispielsweise ein oder mehrere Polymere oder ein oder mehrere Keramikmaterialien. Die Polymermaterialien können Epoxide, Silikone, Acrylate, Polyethane, Polyterephthalate oder Polysilazane sein. Es ist auch möglich, dass die Polymermaterialien mit anorganischen Partikeln, etwa mit Streupartikeln, gefüllt sind. Beispielweise sind die Polymere mit Partikeln aus zumindest einem der Materialien Glas, TiO2, SiO2, ZnO, ZrO2, BN, Si3N4, Al2O3 und AlN gefüllt. Die Keramikpulver können in Form von Mikro- oder Nanopartikeln vorliegen, die beispielsweise lose oder in Pasten oder Tinten gebunden sind. Beispielsweise weisen die Keramikpulver zumindest eines der Materialien ZnO, ZrO2, BN, Si3N4, Al2O3 und AlN auf. Zur Herstellung der Isolationsschicht sind außerdem verschiedene Siliziumdioxid-Bildner oder Silesquioxane insbesondere geeignet. Der Prozess zur Aushärtung der gedruckten Schichten kann durch Sintern des im Ofen oder durch lokales Sintern mittels Laser oder durch UV-Bestrahlung erfolgen.For the molded body 15th For example, one or more polymers or one or more ceramic materials are suitable. The polymer materials can be epoxies, silicones, acrylates, polyethanes, polyterephthalates or polysilazanes. It is also possible for the polymer materials to be filled with inorganic particles, for example with scattering particles. For example, the polymers are filled with particles made of at least one of the materials glass, TiO2, SiO2, ZnO, ZrO2, BN, Si3N4, Al2O3 and AlN. The ceramic powders can be in the form of micro- or nanoparticles, which are, for example, loose or bound in pastes or inks. For example, the ceramic powders have at least one of the materials ZnO, ZrO2, BN, Si3N4, Al2O3 and AlN. In addition, various silicon dioxide formers or silesquioxanes are particularly suitable for producing the insulation layer. The process for curing the printed layers can be carried out by sintering in the oven or by local sintering using a laser or UV radiation.

Claims (13)

Optoelektronischer Halbleiterchip (1) mit einem epitaktisch gewachsenen Halbleiterkörper (23), der einen aktiven Bereich (39) aufweist, und einem Träger (3) mit einer ersten Trägerfläche (5), auf der der Halbleiterkörper (23) angeordnet ist, und einer zweiten Trägerfläche (7) auf der vom Halbleiterkörper (23) abgewandten Seite, wobei der Träger (3) einen Verbundkörper (11, 13, 15) aufweist, der einen ersten elektrisch leifähigen Leiterkörper (11), einen zweiten elektrisch leitfähigen Leiterkörper (13) und zumindest einen elektrisch isolierenden Formkörper (15) aufweist, wobei sich der erste Leiterkörper (11) und der zweite Leiterkörper (13) von der ersten Trägerfläche (5) bis zur zweiten Trägerfläche (7) erstrecken, wobei - der erste Leiterkörper (11) und der zweite Leiterkörper (13) mit dem Halbleiterkörper (23) auf verschiedenen Seiten des aktiven Bereichs (39) elektrisch leitend verbunden sind, - der erste (11) und der zweite (13) Leiterkörper jeweils eine erste Körperhauptfläche (17), die dem Halbleiterkörper (23) zugewandt ist, und eine zweite Körperhauptfläche (19), die von der ersten Körperhauptfläche (17) abgewandt ist, aufweisen, wobei die erste (17) und die zweite (19) Körperhauptfläche über mindestens eine Seitenfläche (21) des jeweiligen Leiterkörpers (11, 13) miteinander verbunden sind, - die zweite Körperhauptfläche (17) des ersten Leiterkörpers (11) und die zweite Körperhauptfläche (17) des zweiten Leiterkörpers (13) bereichsweise oder vollständig vom Halbleiterkörper (23) überdeckt sind, - zur Erhöhung der Kontaktfläche zwischen dem ersten (11) und/oder zweiten (13) Leiterkörper und dem Formkörper (15) - die Oberfläche A der Seitenfläche (21) des ersten (11) und/oder des zweiten (13) Leiterkörpers folgende Relation erfüllt: A/(B*d) ≥ 1,20 und/oder A/(C*d) ≥ 1,20, wobei B die maximale Längsabmessung der ersten Körperhauptfläche (17) oder der zweiten Körperhauptfläche (19) des Leiterkörpers bezeichnet, C den halben Umfang der ersten oder zweiten Körperhauptfläche des Leiterkörpers bezeichnet, und d die Dicke des Leiterkörpers bezeichnet, oder - der erste (11) und/oder der zweite (13) Leiterkörper von einem Verbindungsbereich (33) des Formkörpers (15) durchformt sind, sodass sich der Verbindungsbereich (33) in Aufsicht gesehen von einer Seite des Leiterkörpers (11, 13) durch den Leiterkörper (11, 13) hindurch bis zur anderen Seite des Leiterkörpers (11, 13) erstreckt, wobei der Verbindungsbereich (33) in Umfangsrichtung entlang seiner Erstreckungsrichtung gesehen vollständig vom Material des Leiterkörpers umgeben ist.Optoelectronic semiconductor chip (1) with an epitaxially grown semiconductor body (23) which has an active region (39) and a carrier (3) with a first carrier surface (5) on which the semiconductor body (23) is arranged, and a second Carrier surface (7) on the side facing away from the semiconductor body (23), the carrier (3) having a composite body (11, 13, 15) which has a first electrically conductive body (11), a second electrically conductive body (13) and has at least one electrically insulating molded body (15), the first conductor body (11) and the second conductor body (13) extending from the first support surface (5) to the second support surface (7), the first conductor body (11) and the second conductor body (13) are electrically conductively connected to the semiconductor body (23) on different sides of the active region (39), - the first (11) and the second (13) conductor body each have a first main body surface (1 7), which faces the semiconductor body (23), and a second main body surface (19) that extends from the first Main body surface (17) facing away, the first (17) and the second (19) main body surface being connected to one another via at least one side surface (21) of the respective conductor body (11, 13), - the second main body surface (17) of the first Conductor body (11) and the second main body surface (17) of the second conductor body (13) are partially or completely covered by the semiconductor body (23), - to increase the contact area between the first (11) and / or second (13) conductor body and the molded body (15) - the surface A of the side surface (21) of the first (11) and / or the second (13) conductor body fulfills the following relation: A / (B * d) ≥ 1.20 and / or A / (C * d ) ≥ 1.20, where B denotes the maximum longitudinal dimension of the first main body surface (17) or the second main body surface (19) of the conductor body, C denotes half the circumference of the first or second main body surface of the conductor body, and d denotes the thickness of the conductor body, or - the first (11 ) and / or the second (13) conductor body are formed through by a connecting area (33) of the molded body (15), so that the connecting area (33), viewed from one side of the conductor body (11, 13), extends through the conductor body (11, 13) extends through to the other side of the conductor body (11, 13), the connecting region (33) being completely surrounded by the material of the conductor body as seen in the circumferential direction along its direction of extension. Halbleiterchip nach Anspruch 1, bei dem der Formkörper (15) an einen der Leiterkörper (11, 13) angeformt ist.Semiconductor chip after Claim 1 , in which the shaped body (15) is molded onto one of the conductor bodies (11, 13). Halbleiterchip nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem einer der Leiterkörper (11, 13) zur Erhöhung der Kontaktfläche zwischen dem Leiterkörper und dem Formkörper (15) ausgebildet ist.Semiconductor chip according to at least one of the preceding claims, in which one of the conductor bodies (11, 13) is designed to increase the contact area between the conductor body and the molded body (15). Halbleiterchip nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem eines, eine beliebig ausgewählte Mehrzahl oder alle der folgenden Elemente eine Dicke aufweisen, die kleiner oder gleich 300 µm ist: Träger (3), Verbundkörper (11, 13, 15), Leiterkörper (11, 13), Formkörper (15).Semiconductor chip according to at least one of the preceding claims, in which one, an arbitrarily selected plurality, or all of the following elements have a thickness that is less than or equal to 300 µm: carrier (3), composite body (11, 13, 15), conductor body (11 , 13), molded body (15). Halbleiterchip nach einem der vorhergehenden Ansprüche bei dem der Flächeninhalt der ersten Körperhauptfläche (17) eines Leiterkörpers (11, 13) größer ist als der Flächeninhalt der zweiten Körperhauptfläche (19) oder umgekehrt.Semiconductor chip according to one of the preceding claims, in which the surface area of the first main body surface (17) of a conductor body (11, 13) is greater than the surface area of the second main body surface (19) or vice versa. Halbleiterchip nach einem der vorhergehenden Ansprüche bei dem sich einer der Leiterkörper (11, 13) im Querschnitt gesehen ausgehend von der ersten Körperhauptfläche (17) in Richtung der zweiten Körperhauptfläche (19) verjüngt oder vergrößert.Semiconductor chip according to one of the preceding claims, in which one of the conductor bodies (11, 13), viewed in cross section, tapers or enlarges starting from the first main body surface (17) in the direction of the second main body surface (19). Halbleiterchip nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem eine Haupterstreckungsrichtung der Seitenfläche (21) eines Leiterkörpers (11, 13) schräg relativ zur ersten Trägerfläche, zur ersten Körperhauptfläche, zur zweiten Trägerfläche und/oder zur zweiten Körperhauptfläche ausgerichtet ist.Semiconductor chip according to one of the preceding claims, in which a main direction of extent of the side surface (21) of a conductor body (11, 13) is oriented obliquely relative to the first carrier surface, to the first body main surface, to the second carrier surface and / or to the second body main surface. Halbleiterchip nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Seitenfläche (21) eines Leiterkörpers (11, 13) einen oder mehrere Hinterschnitte (31) aufweist.Semiconductor chip according to one of the preceding claims, in which the side surface (21) of a conductor body (11, 13) has one or more undercuts (31). Halbleiterchip nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Seitenfläche (21) eines Leiterkörpers (11, 13) hinterschneidungsfrei ausgebildet ist.Semiconductor chip according to one of the preceding claims, in which the side surface (21) of a conductor body (11, 13) is designed without undercuts. Halbleiterchip nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Seitenfläche (21) eines Leiterkörpers (11, 13) mit einer Oberflächenstruktur versehen ist.Semiconductor chip according to one of the preceding claims, in which the side face (21) of a conductor body (11, 13) is provided with a surface structure. Halbleiterchip nach Anspruch 10, bei dem die Oberflächenstruktur entlang der Seitenfläche (21) gesehen auf dem Weg von der ersten Körperhauptfläche (17) zur zweiten Körperhauptfläche (19) gleichförmig ist.Semiconductor chip after Claim 10 , in which the surface structure is uniform as seen along the side surface (21) on the way from the first main body surface (17) to the second main body surface (19). Halbleiterchip nach Anspruch 10, bei dem sich die Oberflächenstruktur entlang der Seitenfläche (21) gesehen auf dem Weg von der ersten Körperhauptfläche (17) zur zweiten Körperhauptfläche (19) ändert.Semiconductor chip after Claim 10 , in which the surface structure, viewed along the side surface (21), changes on the way from the first main body surface (17) to the second main body surface (19). Halbleiterchip nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem einer der Leiterkörper (11, 13) eine Mehrzahl von innerhalb des Trägers (3) elektrisch voneinander getrennten Teilbereichen aufweist, die Teilbereiche des Leiterkörpers jeweils mit dem aktiven Bereich elektrisch leitfähig verbunden sind, und zwischen zwei benachbarten Teilbereichen des Leiterköpers jeweils ein Bereich des Formkörpers (15) angeordnet ist.Semiconductor chip according to at least one of the preceding claims, in which one of the conductor bodies (11, 13) has a plurality of subregions that are electrically separated from one another within the carrier (3), the subregions of the conductor body are each electrically conductively connected to the active region, and one region of the molded body (15) is arranged between two adjacent subregions of the conductor body.
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