DE102015216443A1 - Arrangement of a device for protecting a to be arranged in an object plane reticle against contamination - Google Patents

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Abstract

Eine Schutzvorrichtung (28) zum Schutz eines Retikels (7) ist relativ zu einer Objektebene (6) verkippt ausgerichtet.A protective device (28) for protecting a reticle (7) is tilted relative to an object plane (6).

Description

Die Erfindung betrifft eine Anordnung einer Vorrichtung zum Schutz eines in einer Objektebene anzuordnenden Retikels gegen Verschmutzung. Die Erfindung betrifft weiterhin eine Beleuchtungsoptik und ein Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Anordnung. Weiterhin betrifft die Erfindung eine Projektionsbelichtungsanlage mit einer entsprechenden Beleuchtungsoptik. Schließlich betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines mikro- oder nanostrukturierten Bauelements sowie ein verfahrensgemäß hergestelltes Bauelement.The invention relates to an arrangement of a device for protecting a to be arranged in an object plane reticle against contamination. The invention further relates to an illumination optics and a lighting system for a projection exposure apparatus with such an arrangement. Furthermore, the invention relates to a projection exposure system with a corresponding illumination optics. Finally, the invention relates to a method for producing a micro- or nanostructured component as well as a device manufactured according to the method.

Der Einsatz von membranartigen Pellikeln zum Schutz eines Retikels gegen Verschmutzung ist beispielsweise aus der US 2004/0180271 A1 und der US 2006/0109448 A1 bekannt. The use of membranous pellets to protect a reticle against contamination is for example from US 2004/0180271 A1 and the US 2006/0109448 A1 known.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Anordnung einer Vorrichtung zum Schutz eines Retikels gegen Verschmutzung zu verbessern.The invention has for its object to improve the arrangement of a device for protecting a reticle against contamination.

Diese Aufgabe wird durch die Merkmale des Anspruchs 1 gelöst.This object is solved by the features of claim 1.

Der Kern der Erfindung besteht darin, die Schutzvorrichtung derart anzuordnen, dass ein Substrat verkippt zum Retikel ausgerichtet ist. Alternativ hierzu kann als Schutzvorrichtung ein diffraktives optisches Element (DOE) dienen. Dieses kann verkippt oder unverkippt, das heißt parallel, zur Objektebene ausgerichtet sein.The essence of the invention is to arrange the protective device such that a substrate is tilted aligned with the reticle. Alternatively, a diffractive optical element (DOE) can serve as a protective device. This can be tilted or untilted, that is parallel, aligned to the object plane.

Das Substrat ist insbesondere flächig ausgebildet. Seine Ausrichtung wird insbesondere durch eine Ebene gegeben, welche insbesondere senkrecht auf einer Flächennormalen in einem Zentralbereich des Substrats steht. Das Substrat ist insbesondere Bestandteil eines Pellikels.The substrate is formed in particular flat. Its orientation is given in particular by a plane which is in particular perpendicular to a surface normal in a central region of the substrate. The substrate is in particular part of a pellicle.

Erfindungsgemäß wurde erkannt, dass durch eine Verkippung des Substrates des Pellikels gegenüber der Retikeloberfläche erreicht werden kann, dass vom Pellikel reflektierte Strahlung in eine andere Richtung geleitet wird als die am Retikel reflektierte Beleuchtungsstrahlung, insbesondere die nullte Ordnung der am Retikel reflektierten Beleuchtungsstrahlung. Es ist insbesondere möglich, unerwünschte Strahlung, insbesondere Strahlung in einem unerwünschten Frequenzbereich, in einem anderen Winkelbereich zu reflektieren als den der reflektierten Nutzstrahlung. Es ist insbesondere möglich, unerwünschte DUV-Strahlung gezielt in einem Winkelbereich zu lenken, so dass sie nicht in die Projektionsoptik gelangt und somit weder zu einem Wärmeeintrag in die Projektionsoptik noch zu einem Kontrastverlust bei der Belichtung des Wafers führt.According to the invention, it has been recognized that by tilting the substrate of the pellicle relative to the reticle surface, it is possible to direct radiation reflected by the pellicle in a different direction than the illumination radiation reflected on the reticle, in particular the zeroth order of the illumination radiation reflected on the reticle. In particular, it is possible to reflect unwanted radiation, in particular radiation in an undesired frequency range, in a different angular range than that of the reflected useful radiation. In particular, it is possible to deliberately direct unwanted DUV radiation in an angular range so that it does not get into the projection optics and thus leads neither to a heat input into the projection optics nor to a loss of contrast in the exposure of the wafer.

Erfindungsgemäß wurde weiter erkannt, dass eine Ablenkung unerwünschter Strahlung auch durch Verwendung eines DOEs als Schutzvorrichtung erreicht werden kann.According to the invention, it was further recognized that a deflection of unwanted radiation can also be achieved by using a DOE as a protective device.

Allgemein betrifft die Erfindung daher auch die Verwendung eines DOEs als Vorrichtung zum Schutz eines in einer Objektebene anzuordnenden Retikels gegen Verschmutzung.In general, therefore, the invention also relates to the use of a DOE as a device for protecting a reticle to be arranged in an object plane against soiling.

Gemäß einem Aspekt der Erfindung handelt es sich bei dem Substrat um ein sogenanntes Pellikel. Das Pellikel ist insbesondere als Membran, das heißt als dünne Folie, ausgebildet oder umfasst eine entsprechende Membran. Es ist insbesondere für Partikel undurchlässig. According to one aspect of the invention, the substrate is a so-called pellicle. The pellicle is in particular formed as a membrane, that is to say as a thin film, or comprises a corresponding membrane. It is especially impermeable to particles.

Das Substrat ist vorzugsweise austauschbar. Dies ist für eine einfache Wartung des Beleuchtungssystems von Vorteil.The substrate is preferably exchangeable. This is advantageous for easy maintenance of the lighting system.

Gemäß einem Aspekt der Erfindung ist das Substrat um einen Kippwinkel b von mindestens 3° gegen eine parallel zur Objektebene verlaufende Ebene verkippt. Der Kippwinkel b beträgt insbesondere mindestens 5°, insbesondere mindestens 6°, insbesondere mindestens 8°, insbesondere mindestens 10°, insbesondere mindestens 12°. Er ist insbesondere mindestens so groß wie ein vorgegebener Hauptstrahlwinkel der Beleuchtungsstrahlung. According to one aspect of the invention, the substrate is tilted by a tilt angle b of at least 3 ° against a plane extending parallel to the object plane. The tilt angle b is in particular at least 5 °, in particular at least 6 °, in particular at least 8 °, in particular at least 10 °, in particular at least 12 °. In particular, it is at least as large as a predefined main beam angle of the illumination radiation.

Gemäß einem Aspekt der Erfindung weist das Substrat eine Dicke im Bereich von 5 nm bis 200 nm, insbesondere im Bereich von 10 nm bis 100 nm, insbesondere im Bereich von 30 nm bis 70 nm auf.According to one aspect of the invention, the substrate has a thickness in the range of 5 nm to 200 nm, in particular in the range of 10 nm to 100 nm, in particular in the range of 30 nm to 70 nm.

Die Dicke des Substrats kann insbesondere derart gewählt werden, dass es für Beleuchtungsstrahlung im EUV-Bereich eine Mindesttransmissivität im einfachen Durchtritt von mindestens 70%, insbesondere mindestens 80%, insbesondere mindestens 90% aufweist.The thickness of the substrate may in particular be selected such that it has a minimum transmissivity in the single pass of at least 70%, in particular at least 80%, in particular at least 90%, for illumination radiation in the EUV range.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung weist das Substrat für DUV-Strahlung, insbesondere für Strahlung mit einer Wellenlänge im Bereich von 50 nm bis 300 nm eine Reflektivität von mindestens 70%, insbesondere mindestens 80%, insbesondere mindestens 90%, insbesondere mindestens 95%, insbesondere mindestens 97%, insbesondere mindestens 99% auf.According to a further aspect of the invention, the substrate for DUV radiation, in particular for radiation having a wavelength in the range from 50 nm to 300 nm, has a reflectivity of at least 70%, in particular at least 80%, in particular at least 90%, in particular at least 95%, in particular at least 97%, in particular at least 99%.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung ist die Schutzvorrichtung als diffraktives optisches Element (DOE) ausgebildet oder umfasst ein entsprechendes DOE. Durch eine geeignete Ausbildung eines derartigen DOE kann ebenfalls erreicht werden, dass unerwünschte Strahlung, das heißt Strahlung in einem unerwünschten Wellenlängenbereich, nicht in die Projektionsoptik, insbesondere nicht zum Wafer, geführt wird, während die Beleuchtungsstrahlung ohne wesentliche Verluste zum Wafer geführt wird. Das DOE weist insbesondere Strukturen mit einer Strukturbreite im Bereich von 0,5 µm bis 5 µm, insbesondere im Bereich von 1 µm bis 3 µm, auf. Die Strukturen weisen insbesondere Strukturhöhen im Bereich von 10 nm bis 50 nm, insbesondere im Bereich von 13 nm bis 30 nm auf. Die Ausbildung der Strukturen des DOE kann insbesondere gezielt in Abhängigkeit der abzulenkenden Wellenlängen und/oder des gewünschten Ablenkwinkels bestimmt werden.According to a further aspect of the invention, the protective device is designed as a diffractive optical element (DOE) or comprises a corresponding DOE. By a suitable design of such a DOE can also be achieved that unwanted radiation, that is, radiation in an unwanted wavelength range, not in the projection optics, in particular not for Wafer, while the illumination radiation is passed without significant losses to the wafer. In particular, the DOE has structures with a feature width in the range of 0.5 μm to 5 μm, in particular in the range of 1 μm to 3 μm. The structures have in particular structural heights in the range of 10 nm to 50 nm, in particular in the range of 13 nm to 30 nm. The formation of the structures of the DOE can be specifically determined in particular as a function of the wavelengths to be deflected and / or the desired deflection angle.

Das DOE kann verkippt oder parallel zur Objektebene, das heißt zum Retikel, ausgerichtet sein.The DOE can be tilted or aligned parallel to the object plane, ie to the reticle.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung ist das Substrat im Wesentlichen rechteckig ausgebildet. Es weist insbesondere Abmessungen auf, welche in Richtung parallel zur Objektebene mindestens so groß sind wie die Abmessungen eines zu schützenden Retikels. Das Bauraumvolumen der Schutzvorrichtung in Richtung senkrecht zur Objektebene beträgt vorzugsweise maximal 20 mm. Hierdurch wird der Einbau der Schutzvorrichtung in das Beleuchtungssystem vereinfacht. According to a further aspect of the invention, the substrate is substantially rectangular. In particular, it has dimensions which are at least as large in the direction parallel to the object plane as the dimensions of a reticle to be protected. The installation space volume of the protective device in the direction perpendicular to the object plane is preferably not more than 20 mm. As a result, the installation of the protection device is simplified in the lighting system.

Gemäß einem Aspekt der Erfindung ist die längere Seite des Substrats parallel zur Objektebene ausgerichtet.According to one aspect of the invention, the longer side of the substrate is aligned parallel to the object plane.

Gemäß einem Aspekt der Erfindung ist die kürzere Seite des Substrats parallel zur Objektebene ausgerichtet. According to one aspect of the invention, the shorter side of the substrate is aligned parallel to the object plane.

Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine Beleuchtungsoptik und ein Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage sowie eine entsprechende Projektionsbelichtungsanlage zu verbessern.Another object of the invention is to improve an illumination optical system and a lighting system for a projection exposure apparatus as well as a corresponding projection exposure apparatus.

Diese Aufgaben werden durch die erfindungsgemäße Anordnung der Schutzvorrichtung in einer Beleuchtungsoptik gelöst. These objects are achieved by the inventive arrangement of the protective device in an illumination optical system.

Durch die erfindungsgemäße Anordnung des Pellikels kann erreicht werden, dass Strahlung in einem für die Belichtung eines Wafers unerwünschten Wellenlängenbereich vom Pellikel in einen anderen Raumwinkelbereich reflektiert wird als die am Retikel reflektierte Beleuchtungsstrahlung.By means of the arrangement of the pellicle according to the invention, it can be achieved that radiation in a wavelength range which is undesirable for the exposure of a wafer is reflected by the pellicle into a different solid angle range than the illumination radiation reflected by the reticle.

Gemäß einem Aspekt der Erfindung ist der Kippwinkel, um welchen das Pellikel gegen eine parallel zur Objektebene verlaufende Ebene verkippt ausgerichtet ist, mindestens so groß wie der Hauptstrahlwinkel der Beleuchtungsstrahlung zur Beleuchtung des Objektfeldes, insbesondere des im Objektfeld angeordneten Retikels. Der Kippwinkel ist insbesondere mindestens so groß wie der halbe objektseitige Öffnungswinkel der Beleuchtungsstrahlung zur Beleuchtung des Objektfeldes. Hierdurch kann sichergestellt werden, dass das am Pellikel reflektierte Lichtbündel vollständig überschneidungsfrei mit dem am Retikel reflektierten Strahlungsbündel ist.According to one aspect of the invention, the tilt angle, by which the pellicle is tilted against a plane extending parallel to the object plane, is at least as great as the main beam angle of the illumination radiation for illuminating the object field, in particular of the reticle arranged in the object field. The tilt angle is in particular at least as large as half the object-side opening angle of the illumination radiation for illuminating the object field. In this way it can be ensured that the light bundle reflected on the pellicle is completely free from overlap with the radiation beam reflected on the reticle.

Die erfindungsgemäße Anordnung der Schutzvorrichtung führt zu einer Verringerung, insbesondere einer Vermeidung, insbesondere einer vollständigen Vermeidung des Eintrags von unerwünschter Strahlung, insbesondere von Strahlung in einem unerwünschten Wellenlängenbereich, in die Projektionsoptik. Hierdurch wird der Wärmeeintrag in die Projektionsoptik reduziert. Dies führt zu einer höheren Präzision, insbesondere einer höheren Stabilität der Anordnung der Komponenten der Projektionsoptik. Außerdem wird durch die erfindungsgemäße Anordnung der Schutzvorrichtung ein Kontrastverlust bei der Belichtung des Wafers, welcher aufgrund von Strahlung in einem unerwünschten Wellenlängenbereich auftreten kann, reduziert. Die erfindungsgemäße Anordnung der Schutzvorrichtung führt somit zu einer Verbesserung der Projektionsbelichtungsanlage als Ganzes sowie insbesondere zu einer Verbesserung des Verfahrens zur Herstellung eines mikro- oder nanostrukturierten Bauelements sowie eines verfahrensgemäß hergestellten Bauelements. The inventive arrangement of the protective device leads to a reduction, in particular an avoidance, in particular a complete avoidance of the entry of unwanted radiation, in particular radiation in an undesired wavelength range, in the projection optics. This reduces the heat input into the projection optics. This leads to a higher precision, in particular a higher stability of the arrangement of the components of the projection optics. In addition, the inventive arrangement of the protective device reduces a loss of contrast in the exposure of the wafer, which may occur due to radiation in an undesired wavelength range. The inventive arrangement of the protective device thus leads to an improvement of the projection exposure system as a whole and in particular to an improvement of the method for producing a micro- or nanostructured device and a device according to the method produced.

Weitere Vorteile, Merkmale und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Figuren.Further advantages, features and details of the invention will become apparent from the description of embodiments with reference to FIGS.

Es zeigen:Show it:

1 eine schematische Ansicht einer Projektionsbelichtungsanlage, 1 a schematic view of a projection exposure system,

2 eine schematische Ansicht eines Ausschnitts des Strahlengangs einer Projektionsbelichtungsanlage im Bereich des Retikels, 2 a schematic view of a section of the beam path of a projection exposure apparatus in the region of the reticle,

3 eine Ansicht gemäß 2 gemäß einer alternativen Ausführung des Pellikels, 3 a view according to 2 according to an alternative embodiment of the pellicle,

4 eine schematische Ansicht einer alternativen Ausführung des Pellikels und 4 a schematic view of an alternative embodiment of the pellicle and

5 eine schematische Ansicht einer weiteren Ausführung des Pellikels. 5 a schematic view of another embodiment of the pellicle.

1 zeigt schematisch in einem Meridionalschnitt die Komponenten einer Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithographie. Bezüglich der allgemeinen Details sei außerdem auf die DE 10 2010 041 623 A1 und die DE 10 2011 086 345 A1 verwiesen, die hiermit vollständig als Bestandteil der vorliegenden Anmeldung in diese integriert sind. Ein Beleuchtungssystem 2 der Projektionsbelichtungsanlage 1 umfasst neben einer Strahlungsquelle 3 eine Beleuchtungsoptik 4 zur Belichtung eines Objektfeldes 5 in einer Objektebene 6. Belichtet wird hierbei ein im Objektfeld 5 angeordnetes Retikel 7, das von einem lediglich ausschnittsweise dargestellten Retikelhalter 8 gehalten ist. 1 shows schematically in a meridional section the components of a projection exposure apparatus 1 for microlithography. Regarding the general details is also on the DE 10 2010 041 623 A1 and the DE 10 2011 086 345 A1 referenced, which are hereby incorporated in full as part of the present application in this. A lighting system 2 the projection exposure system 1 includes in addition to a radiation source 3 an illumination optics 4 to Exposure of an object field 5 in an object plane 6 , One is exposed in the object field 5 arranged reticle 7 that of a reticle holder only partially shown 8th is held.

Im Bereich vor dem Retikel 7 ist beabstandet zum Retikel 7 eine Schutzvorrichtung 28 mit einem Pellikel 22 angeordnet. Das Pellikel 22 wird von einem nur teilweise dargestellten Pellikelhalter 23 gehalten. Die Anordnung des Pellikels 22 wird nachfolgend noch näher beschrieben.In the area in front of the reticle 7 is spaced from the reticle 7 a protection device 28 with a pellicle 22 arranged. The pellicle 22 is from a partially shown pellicle holder 23 held. The arrangement of the pellicle 22 will be described in more detail below.

Eine Projektionsoptik 9 dient zur Abbildung des Objektfeldes 5 in ein Bildfeld 10 in einer Bildebene 11. Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel 7 auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 10 in der Bildebene 11 angeordneten Wafers 12, der von einem ebenfalls schematisch dargestellten Waferhalter 13 gehalten ist. A projection optics 9 serves to represent the object field 5 in a picture field 10 in an image plane 11 , A structure is shown on the reticle 7 on a photosensitive layer in the area of the image field 10 in the picture plane 11 arranged wafers 12 , of a likewise schematically represented wafer holder 13 is held.

Ein erfindungsgemäßes optisches System 21 umfasst die Beleuchtungsoptik 4 und die Projektionsoptik 9.An inventive optical system 21 includes the illumination optics 4 and the projection optics 9 ,

Bei der Strahlungsquelle 3 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle, welche EUV-Strahlung 14 emittiert. Die Wellenlänge der emittierten Nutzstrahlung der EUV-Strahlungsquelle 3 liegt im Bereich von 5 nm bis 30 nm. Auch andere Wellenlängen, die in der Lithographie Verwendung finden, und für die geeignete Lichtquellen zur Verfügung stehen, sind möglich, bei der Strahlungsquelle 3 kann es sich um eine Plasmaquelle, beispielsweise um eine DPP-Quelle oder um eine LPP-Quelle, handeln. Auch eine Strahlungsquelle, die auf einem Synchrotron basiert, oder ein Freie-Elektronen-Laser (FEL) ist als Strahlungsquelle 3 einsetzbar. Informationen zu einer derartigen Strahlungsquelle findet der Fachmann beispielsweise in der US 6,859,515 B2 . Zur Bündelung der EUV-Strahlung 14 von der EUV-Strahlungsquelle 3 ist ein Kollektor 15 vorgesehen. At the radiation source 3 it is an EUV radiation source, which is EUV radiation 14 emitted. The wavelength of the emitted useful radiation of the EUV radiation source 3 is in the range of 5 nm to 30 nm. Other wavelengths that are used in lithography, and for the appropriate light sources are available, are possible at the radiation source 3 it may be a plasma source, such as a DPP source or an LPP source. Also, a radiation source based on a synchrotron or a free electron laser (FEL) is used as a radiation source 3 used. Information about such a radiation source is the expert, for example in the US Pat. No. 6,859,515 B2 , For bundling the EUV radiation 14 from the EUV radiation source 3 is a collector 15 intended.

Die EUV-Strahlung 14 wird auch als Beleuchtungslicht beziehungsweise -strahlung bezeichnet. The EUV radiation 14 is also referred to as illumination light or radiation.

Die Beleuchtungsoptik 4 umfasst einen Feldfacettenspiegel 16 mit einer Vielzahl von Feldfacetten 17. Der Feldfacettenspiegel 16 ist in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet, die zur Objektebene 6 optisch konjugiert ist. Vom Feldfacettenspiegel 16 wird die EUV-Strahlung 14 zu einem Pupillenfacettenspiegel 18 der Beleuchtungsoptik 4 reflektiert. Der Pupillenfacettenspiegel 18 weist eine Vielzahl von Pupillenfacetten 19 auf. Mit Hilfe des Pupillenfacettenspiegels 18 werden die Feldfacetten 17 des Feldfacettenspiegels 16 in das Objektfeld 5 abgebildet.The illumination optics 4 includes a field facet mirror 16 with a variety of field facets 17 , The field facet mirror 16 is in a plane of illumination optics 4 arranged to the object level 6 is optically conjugated. From the field facet mirror 16 becomes the EUV radiation 14 to a pupil facet mirror 18 the illumination optics 4 reflected. The pupil facet mirror 18 has a variety of pupil facets 19 on. With the help of the pupil facet mirror 18 become the field facets 17 of the field facet mirror 16 in the object field 5 displayed.

Zu jeder Feldfacette 17 auf dem Feldfacettenspiegel 16 gibt es mindestens eine zugehörige Pupillenfacette 19 auf dem Pupillenfacettenspiegel 18. Zwischen je einer Feldfacette 17 und je einer Pupillenfacette 19 wird ein Lichtkanal oder Strahlungskanal ausgebildet. Die Facetten 17, 19 mindestens eines der Facettenspiegel 16, 18 können schaltbar ausgebildet sein. Sie können insbesondere verkippbar auf dem Facettenspiegel 16, 18 angeordnet sein. Hierbei ist es möglich, nur einen Teil, beispielsweise höchstens 30%, höchstens 50% oder höchstens 70% der Facetten 17, 19 verkippbar auszubilden. Es kann auch vorgesehen sein, sämtliche Facetten 17, 19 verkippbar auszubilden. Bei den schaltbaren Facetten 17, 19 handelt es sich insbesondere um die Feldfacetten 17. Durch eine Verkippung der Feldfacetten 17 kann die Zuordnung derselben zu den jeweiligen Pupillenfacetten 19 und damit die Ausbildung der Lichtkanäle variiert werden. Eine bestimmte Zuordnung der Feldfacetten 17 zu den jeweiligen Pupillenfacetten 19 wird auch als Beleuchtungssetting bezeichnet. Für weitere Details der Facettenspiegel 16, 18 mit verkippbaren Facetten 17, 19 sei auf die DE 10 2008 009 600 A1 verwiesen.To every field facet 17 on the field facet mirror 16 There is at least one associated pupil facet 19 on the pupil facet mirror 18 , Between each field facet 17 and one pupil facet each 19 a light channel or radiation channel is formed. The facets 17 . 19 at least one of the facet mirrors 16 . 18 can be designed switchable. In particular, they can be tilted on the faceted mirror 16 . 18 be arranged. It is possible to use only one part, for example at most 30%, at most 50% or at most 70% of the facets 17 . 19 tiltable form. It can also be provided, all facets 17 . 19 tiltable form. With the switchable facets 17 . 19 these are in particular the field facets 17 , By tilting the field facets 17 can the assignment of the same to the respective pupil facets 19 and thus the formation of the light channels are varied. A specific assignment of the field facets 17 to the respective pupil facets 19 is also referred to as a lighting setting. For more details of the facet mirror 16 . 18 with tiltable facets 17 . 19 be on the DE 10 2008 009 600 A1 directed.

Für weitere Details der Beleuchtungsoptik 4 sei ebenfalls auf die DE 10 2008 009 600 A1 verwiesen. For further details of the illumination optics 4 be on the same DE 10 2008 009 600 A1 directed.

Der Strahlengang der EUV-Strahlung 14 in der Beleuchtungsoptik 4 und der Projektionsoptik 9 sowie insbesondere die konstruktive Anordnung des Feldfacettenspiegels 16 und des Pupillenfacettenspiegels 18 ist der 1 nicht zu entnehmen. The beam path of the EUV radiation 14 in the illumination optics 4 and the projection optics 9 and in particular the structural arrangement of the field facet mirror 16 and the pupil facet mirror 18 is the 1 not to be taken.

Der Retikelhalter 8 ist gesteuert so verlagerbar, dass bei der Projektionsbelichtung das Retikel 7 in einer Verlagerungsrichtung in der Objektebene 6 verlagert werden kann. Entsprechend ist der Waferhalter 13 gesteuert so verlagerbar, dass der Wafer 12 in einer Verlagerungsrichtung in der Bildebene 11 verlagerbar ist. Hierdurch können das Retikel 7 und der Wafer 12 einerseits durch das Objektfeld 5 und andererseits das Bildfeld 10 gescannt werden. Die Verlagerungsrichtung wird auch als Scan-Richtung bezeichnet. Die Verschiebung des Retikels 7 und des Wafers 12 in Scan-Richtung kann vorzugsweise synchron zueinander erfolgen. The reticle holder 8th is controlled so displaceable that during projection exposure the reticle 7 in a direction of displacement in the object plane 6 can be relocated. The wafer holder is corresponding 13 controlled so displaceable that the wafer 12 in a direction of displacement in the image plane 11 is relocatable. This allows the reticle 7 and the wafer 12 on the one hand through the object field 5 and on the other hand, the image field 10 be scanned. The direction of displacement is also referred to as scan direction. The displacement of the reticle 7 and the wafer 12 in the scan direction may preferably be synchronous with each other.

Die Projektionsoptik 9 umfasst eine Vielzahl von Projektionsspiegeln Mi, welche in der 1 nicht dargestellt sind. Die Projektionsoptik 9 umfasst insbesondere mindestens drei, insbesondere mindestens fünf Projektionsspiegel M1 bis M5. Sie kann insbesondere mindestens sechs, sieben oder acht Projektionsspiegel M1 bis M8 aufweisen. The projection optics 9 comprises a plurality of projection mirrors M i , which in the 1 are not shown. The projection optics 9 in particular comprises at least three, in particular at least five projection mirrors M1 to M5. In particular, it can have at least six, seven or eight projection mirrors M1 to M8.

Beim Einsatz der Projektionsbelichtungsanlage 1 werden das Retikel 7 und der Wafer 12, der eine für das Beleuchtungslicht 14 lichtempfindliche Beschichtung trägt, bereitgestellt. When using the projection exposure system 1 become the reticle 7 and the wafer 12 , one for the illumination light 14 photosensitive coating carries provided.

Anschließend wird zumindest ein Abschnitt des Retikels 7 mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage 1 auf den Wafer 12 projiziert. Hierbei wird das Retikel 7 derart mit EUV-Strahlung 14 beleuchtet, dass ein Hauptstrahl der EUV-Strahlung 14 unter einem Einfallswinkel (CRA, Chief Ray Angle) von höchstens 7°, insbesondere höchstens 6°, insbesondere höchstens 5°, insbesondere höchstens 4°, insbesondere höchstens 3°, insbesondere höchstens 1°, insbesondere 0° auf das Retikel 7 trifft. Der Einfallswinkel ist hierbei als Winkel zwischen dem Hauptstrahl des zur Beleuchtung des Retikels 7 dienenden Strahlenbündels und einer Normalen 20 auf der Objektebene 6, insbesondere auf dem Retikel 7 definiert. Der Einfallswinkel des Hauptstrahls (CRA) ist insbesondere kleiner als die objektseitige numerische Apertur (NAO), CRA < arcsin (NAO). Die objektseitige numerische Apertur (NAO) beträgt insbesondere mindestens 0,45/n, insbesondere mindestens 0,5/n, insbesondere mindestens 0,6/n, insbesondere mindestens 0,7/n, wobei n den Abbildungsmaßstab der Projektionsoptik 9 bezeichnet. Die Projektionsoptik 9 kann insbesondere verkleinernd abbilden mit einem Abbildungsmaßstab von beispielsweise n = 2:1, n = 4:1, n = 6:1 oder n = 8:1. Andere Werte für n sind ebenfalls möglich. Subsequently, at least a portion of the reticle 7 with the help of the projection exposure system 1 on the wafer 12 projected. This is the reticle 7 such with EUV radiation 14 illuminated that a main beam of EUV radiation 14 at an angle of incidence (CRA, Chief Ray Angle) of at most 7 °, in particular at most 6 °, in particular at most 5 °, in particular at most 4 °, in particular at most 3 °, in particular at most 1 °, in particular 0 ° to the reticle 7 meets. The angle of incidence is here as the angle between the main beam of the illumination of the reticle 7 serving beam and a normal 20 at the object level 6 , especially on the reticle 7 Are defined. The angle of incidence of the main beam (CRA) is in particular smaller than the object-side numerical aperture (NAO), CRA <arcsin (NAO). The object-side numerical aperture (NAO) is in particular at least 0.45 / n, in particular at least 0.5 / n, in particular at least 0.6 / n, in particular at least 0.7 / n, where n is the imaging scale of the projection optics 9 designated. The projection optics 9 In particular, it can be reduced in size with a magnification of, for example, n = 2: 1, n = 4: 1, n = 6: 1 or n = 8: 1. Other values for n are also possible.

Bei der Projektion des Retikels 7 auf dem Wafer 12 kann der Retikelhalter 8 und/oder der Waferhalter 13 in Richtung parallel zur Objektebene 6 beziehungsweise parallel zur Bildebene 11 verlagert werden. Die Verlagerung des Retikels 7 und des Wafers 12 kann vorzugsweise synchron zueinander erfolgen.At the projection of the reticle 7 on the wafer 12 can the reticle holder 8th and / or the wafer holder 13 in the direction parallel to the object plane 6 or parallel to the image plane 11 be relocated. The relocation of the reticle 7 and the wafer 12 may preferably be synchronous with each other.

Schließlich wird die mit dem Beleuchtungslicht belichtete lichtempfindliche Schicht auf dem Wafer 12 entwickelt. Auf diese Weise wird ein mikro- beziehungsweise nanostrukturiertes Bauelement, insbesondere ein Halbleiterchip, hergestellt. Finally, the photosensitive layer exposed to the illumination light becomes on the wafer 12 developed. In this way, a microstructured or nanostructured component, in particular a semiconductor chip, is produced.

Im Folgenden wird das Pellikel 22 sowie insbesondere dessen Anordnung im Strahlengang der Beleuchtungsstrahlung 14 näher beschrieben.The following is the pellicle 22 and in particular its arrangement in the beam path of the illumination radiation 14 described in more detail.

Das mittels des Pellikelhalters 23 im Strahlengang der Beleuchtungsstrahlung 14 angeordnete Pellikel 22 bildet einen Bestandteil der Schutz-Vorrichtung 28 zum Schutz des in der Objektebene 6 angeordneten Retikels 7 gegen Verschmutzung. The means of the pellicle holder 23 in the beam path of the illumination radiation 14 arranged pellicle 22 forms part of the protection device 28 to protect in the object plane 6 arranged reticle 7 Against pollution.

Für allgemeine Details des Pellikels 22 sei auf die DE 10 2013 225 006 A1 verwiesen, die hiermit vollständig als Bestandteil der vorliegenden Anmeldung in diese integriert ist. For general details of the pellicle 22 be on the DE 10 2013 225 006 A1 which is hereby incorporated in its entirety as part of the present application.

Als Pellikel 22 dient eine Folie, die in einem Abstand von wenigen Millimetern zur Objektebene 6, insbesondere vor dem Retikel 7, angeordnet ist. Das Pellikel 22 umfasst insbesondere ein Substrat, welches für Partikel undurchlässig ist. Als Substrat kann eine Membrane dienen.As a pellicle 22 serves a foil that is at a distance of a few millimeters to the object plane 6 , especially in front of the reticle 7 , is arranged. The pellicle 22 In particular, it comprises a substrate which is impermeable to particles. As a substrate, a membrane can serve.

Als Pellikelhalter 23 kann ein Pellikelrahmen mit einer Pellikelausnehmung dienen. Der Rahmen weist insbesondere Justierungsmöglichkeiten auf, mittels welcher das Pellikel 22 relativ zur Objektebene 6, insbesondere relativ zum Retikel 7 justierbar angeordnet werden kann.As a pellicle holder 23 may serve a pellicle frame with a pellicle recess. The frame has in particular adjustment options, by means of which the pellicle 22 relative to the object plane 6 , in particular relative to the reticle 7 can be arranged adjustable.

Das Pellikel 22 weist für die Beleuchtungsstrahlung 14, insbesondere für Strahlung im EUV-Bereich, eine Durchlässigkeit im einfachen Durchtritt von mindestens 70%, insbesondere mindestens 80%, insbesondere mindestens 90%, vorzugsweise mindestens 95% aufThe pellicle 22 points for the illumination radiation 14 , in particular for radiation in the EUV range, a permeability in the simple passage of at least 70%, in particular at least 80%, in particular at least 90%, preferably at least 95%

Das Pellikel 22 ist für Strahlung in einem vorgegebenen, unerwünschten Wellenlängenbereich, insbesondere für Strahlung im DUV-Bereich, insbesondere für Strahlung mit einer Wellenlänge im Bereich von 50 nm bis 300 nm zu mindestens 70%, insbesondere mindestens 80%, insbesondere mindestens 90%, insbesondere mindestens 95%, insbesondere mindestens 97%, insbesondere mindestens 99% reflektierend. The pellicle 22 is for radiation in a predetermined, unwanted wavelength range, in particular for radiation in the DUV range, in particular for radiation having a wavelength in the range of 50 nm to 300 nm at least 70%, in particular at least 80%, in particular at least 90%, in particular at least 95th %, in particular at least 97%, in particular at least 99% reflective.

Das Pellikel 22 dient somit als Spektralfilter. The pellicle 22 thus serves as a spectral filter.

Das Pellikel 22, insbesondere das Substrat, ist insbesondere im Wesentlichen rechteckig ausgebildet. Es kann ein Aspektverhältnis aufweisen, welches im Wesentlichen dem Aspektverhältnis des Objektfeldes 5 entspricht. Es kann insbesondere derart angeordnet sein, dass seine längere Seite parallel zur Objektebene 6 ausgerichtet ist. Hierdurch wird das Bauraumvolumen in Richtung der Normalen 20 reduziert. The pellicle 22 , in particular the substrate, is in particular substantially rectangular. It can have an aspect ratio which essentially corresponds to the aspect ratio of the object field 5 equivalent. It may in particular be arranged such that its longer side parallel to the object plane 6 is aligned. As a result, the installation space volume in the direction of the normal 20 reduced.

Es kann auch derart ausgerichtet sein, dass seine kürzere Seite parallel zur Objektebene 6 ausgerichtet ist. Dies kann insbesondere vorteilhaft sein, wenn der Öffnungswinkel des einfallenden Lichtstrahls in beiden Richtungen verschieden groß sind (elliptische Beleuchtungspupille). Beleuchtungen mit elliptischer Pupille sind aus der DE 10 2010 040 811 bekannt. In diesen Fällen ist es vorteilhaft, die Kipprichtung des Pellikels 22 in die Richtung zu legen, in der Beleuchtungskegel den kleineren Öffnungswinkel hat. Dadurch wird ein kleinerer Kippwinkel benötigt, um das am Pellikel 22 reflektierte Licht vom am Retikel reflektierten Licht zu trennen. Zwischenlösungen, bei welchen keine der Seiten des Pellikels 22 parallel zur Objektebene 6 ausgerichtet sind, sind ebenso möglich.It may also be oriented such that its shorter side is parallel to the object plane 6 is aligned. This may be particularly advantageous if the opening angle of the incident light beam are different in size in both directions (elliptical illumination pupil). Illuminations with elliptical pupil are from the DE 10 2010 040 811 known. In these cases, it is advantageous to tilt the pellicle 22 in the direction in which lighting cone has the smaller opening angle. As a result, a smaller tilt angle is needed to that on the pellicle 22 to reflect reflected light from the reflected light on the reticle. Intermediate solutions in which none of the sides of the pellicle 22 parallel to the object plane 6 are aligned are also possible.

Das Pellikel 22 ist derart im Strahlengang der Beleuchtungsstrahlung 14 angeordnet, dass seine dem Retikel 7 zugewandte Seite einen Abstand zum Retikel 7 aufweist, welcher im Bereich von 0,5 mm bis 50 mm, insbesondere im Bereich von 1 mm bis 20 mm, liegt. Hierbei kann die untere Grenze dieses Bereichs einen unteren Grenzwert für den minimalen Abstand darstellen. Die obere Grenze dieses Bereichs kann einen oberen Grenzwert für den maximalen Abstand darstellen.The pellicle 22 is so in the beam path of the illumination radiation 14 arranged that its the reticle 7 facing side a distance to the reticle 7 which is in the range of 0.5 mm to 50 mm, in particular in the range of 1 mm to 20 mm. Here, the lower limit of this range may represent a lower limit for the minimum distance. The upper limit of this range may represent an upper limit for the maximum distance.

Das Bauraumvolumen der Schutzvorrichtung mit dem Pellikel 22 beträgt in Richtung der Normalen 20 insbesondere maximal 100 mm, insbesondere maximal 50 mm, insbesondere maximal 30 mm, insbesondere maximal 20 mm. The installation space volume of the protection device with the pellicle 22 is in the direction of the normal 20 in particular a maximum of 100 mm, in particular a maximum of 50 mm, in particular a maximum of 30 mm, in particular a maximum of 20 mm.

Das Pellikel 22 weist eine Dicke von etwa 5 nm bis etwa 200 nm, insbesondere von 10 nm bis 100 nm auf. The pellicle 22 has a thickness of about 5 nm to about 200 nm, in particular from 10 nm to 100 nm.

Das Pellikel 22 kann Schichten aus Zirkonium, Niob, Molybdän und/oder Silizium aufweisen. The pellicle 22 may comprise layers of zirconium, niobium, molybdenum and / or silicon.

Vorzugsweise ist das Pellikel 22 unterhalb der Objektebene 6 angeordnet. Die der einfallenden Beleuchtungsstrahlung 14 zugewandte Seite des Pellikels 22 weist insbesondere in Richtung der Schwerkraft. Hierdurch wird verhindert, dass sich Verunreinigungen auf dem Pellikel 22 absetzen.Preferably, the pellicle 22 below the object plane 6 arranged. The incident illumination radiation 14 facing side of the pellicle 22 points in particular in the direction of gravity. This will help prevent contamination on the pellicle 22 drop.

In Richtung parallel zur Objektebene 6 weist das Pellikel 22 Abmessungen auf, welche mindestens so groß wie die des Objektfeldes 5 sind. Aufgrund einer im Allgemeinen schrägen Beleuchtung des Retikels 7 mit Beleuchtungsstrahlung 14 und/oder aufgrund einer nachfolgend noch näher beschriebenen verkippten Anordnung des Pellikels 22 ist dieses im Allgemeinen etwas größer als das Objektfeld 5. Für Details sei wiederum auf die DE 10 2013 225 006 A1 verwiesen.In the direction parallel to the object plane 6 shows the pellicle 22 Dimensions on, which are at least as large as those of the object field 5 are. Due to a generally oblique illumination of the reticle 7 with illumination radiation 14 and / or due to a later described in more detail tilted arrangement of the pellicle 22 this is generally slightly larger than the object field 5 , For details turn to the DE 10 2013 225 006 A1 directed.

Das Pellikel 22 kann in Richtung parallel zur Objektebene 6 insbesondere Abmessungen im Bereich von 10 mm bis 500 mm, insbesondere im Bereich von 30 mm bis 300 mm, insbesondere im Bereich von 50 mm bis 200 mm, insbesondere im Bereich von 100 mm bis 150 mm aufweisen. The pellicle 22 can be parallel to the object plane 6 in particular have dimensions in the range of 10 mm to 500 mm, in particular in the range of 30 mm to 300 mm, in particular in the range of 50 mm to 200 mm, in particular in the range of 100 mm to 150 mm.

Das Pellikel 22 ist erfindungsgemäß um einen Kippwinkel b verkippt gegen eine parallel zur Objektebene 6 verlaufende Ebene 24 ausgerichtet. Bei der in 2 dargestellten Alternative beträgt der Kippwinkel b 6°. Er entspricht gerade dem Hauptstrahlwinkel (CRA) der Beleuchtungsstrahlung 14. Der Kippwinkel b beträgt insbesondere mindestens 1°, insbesondere mindestens 2°, insbesondere mindestens 3°, insbesondere mindestens 5°, insbesondere mindestens 6°, insbesondere mindestens 8°, insbesondere mindestens 10°, insbesondere mindestens 12°. Er ist insbesondere mindestens so groß wie der vorgegebene Hauptstrahlwinkel CRA der Beleuchtungsstrahlung 14. Der Kippwinkel b des Pellikels 22 kann auch vom Hauptstrahlwinkel CRA abweichen. Abhängig vom vorhandenen Bauraum, insbesondere in Richtung der Normalen 20, kann der Kippwinkel b insbesondere auch größer oder kleiner als der Hauptstrahlwinkel der Beleuchtungsstrahlung 14 sein. The pellicle 22 is tilted according to the invention by a tilt angle b against a plane parallel to the object plane 6 running plane 24 aligned. At the in 2 The alternative shown is the tilt angle b 6 °. It just corresponds to the main beam angle (CRA) of the illumination radiation 14 , The tilt angle b is in particular at least 1 °, in particular at least 2 °, in particular at least 3 °, in particular at least 5 °, in particular at least 6 °, in particular at least 8 °, in particular at least 10 °, in particular at least 12 °. In particular, it is at least as large as the predetermined main beam angle CRA of the illumination radiation 14 , The tilt angle b of the pellicle 22 may also differ from the main beam angle CRA. Depending on the available installation space, especially in the direction of the normal 20 In particular, the tilt angle b may also be greater or smaller than the main beam angle of the illumination radiation 14 be.

Unter der Ausrichtung des Pellikels 22 sei hierbei die Ausrichtung einer Ebene, welche durch das Substrat des Pellikels 22 verläuft oder eine Annäherung, insbesondere die bestmögliche Annäherung an dieses darstellt, verstanden. Als Ausrichtung des Pellikels 22 kann auch die Ausrichtung einer Ebene, welche senkrecht auf einer Flächennormalen in einem Zentralbereich des Pellikels 22, insbesondere einer Flächennormalen durch den geometrischen Schwerpunkt des Pellikels 22, verläuft, verstanden sein. Under the orientation of the pellicle 22 Let this be the orientation of a plane through the substrate of the pellicle 22 runs or represents an approximation, in particular the best possible approximation to this understood. As alignment of the pellicle 22 may also be the orientation of a plane which is perpendicular to a surface normal in a central region of the pellicle 22 , in particular a surface normal through the geometric center of gravity of the pellicle 22 , runs, be understood.

Das Pellikel 22 kann um eine Achse verkippt sein, welche parallel zu einer zweiten Achse verläuft, um welche der Hauptstrahl der Beleuchtungsstrahlung 14 verkippt ist. In diesem Fall wird die am Pellikel 22 reflektierte Strahlung, welche in den 2 und 3 schematisch mit dem Bezugszeichen 25 versehen ist, im Wesentlichen zurück in die Beleuchtungsoptik 4 reflektiert.The pellicle 22 can be tilted about an axis which is parallel to a second axis, around which the main beam of illumination radiation 14 is tilted. In this case, the on the pellicle 22 reflected radiation, which in the 2 and 3 schematically with the reference numeral 25 is provided, essentially back into the illumination optics 4 reflected.

Gemäß einer alternativen, in den Figuren nicht dargestellten Variante verlaufen diese beiden Achsen schräg zueinander. Es kann insbesondere gemäß einer bevorzugten Alternative vorgesehen sein, die Achse, um welche das Pellikel 22 verkippt ist, derart auszurichten, dass sie bei Projektion entlang der Normalen 20 senkrecht zur Achse verläuft, um welche der Hauptstrahl der Beleuchtungsstrahlung 14 verkippt ist. Hierdurch kann die am Pellikel 22 reflektierte Strahlung 25 sowohl aus der Projektionsoptik 9 als auch aus der Beleuchtungsoptik 4 ausgekoppelt werden. According to an alternative, not shown in the figures variant, these two axes extend obliquely to each other. In particular, it may be provided according to a preferred alternative, the axis about which the pellicle 22 is tilted so as to align with projection along the normal 20 perpendicular to the axis, around which the main beam of illumination radiation 14 is tilted. This allows the pellicle 22 reflected radiation 25 both from the projection optics 9 as well as from the lighting optics 4 be decoupled.

Im Folgenden werden weitere Aspekte des Pellikels 22 und dessen Anordnung im Strahlengang der Beleuchtungsstrahlung 14 stichwortartig beschrieben. Below are more aspects of the pellicle 22 and its arrangement in the beam path of the illumination radiation 14 described in keywords.

Das Pellikel 22 dient insbesondere der Auskopplung von DUV-Strahlung aus dem Strahlengang der Beleuchtungsstrahlung 14. Mit Hilfe des Pellikels 22 kann insbesondere verhindert werden, dass DUV-Strahlung in die Projektionsoptik 9 gelangt. Hierdurch wird der Wärmehaushalt der Projektionsoptik 9 verbessert. Außerdem kann ein Kontrastverlust, welcher durch DUV-Strahlung bei der Belichtung des Wafers 12 auftreten kann, reduziert, insbesondere vermieden, werden. The pellicle 22 serves in particular the extraction of DUV radiation from the beam path of the illumination radiation 14 , With the help of the pellicle 22 In particular, DUV radiation can be prevented from entering the projection optics 9 arrives. As a result, the heat balance of the projection optics 9 improved. In addition, a loss of contrast caused by DUV radiation during the exposure of the wafer 12 can occur, be reduced, in particular avoided.

Das Pellikel 22 ist insbesondere für Partikel undurchlässig. Es verhindert somit, dass Partikel aus dem Bereich der Beleuchtungsoptik 4, insbesondere von der Strahlungsquelle 3 zum Retikel 7 gelangen können. Es verhindert insbesondere, dass derartige Partikel das Retikel 7 verschmutzen können.The pellicle 22 is especially impermeable to particles. It thus prevents particles from the field of illumination optics 4 , in particular from the radiation source 3 to the reticle 7 reach can. In particular, it prevents such particles from affecting the reticle 7 can pollute.

Vorzugsweise ist das Pellikel 22 austauschbar. Es kann insbesondere austauschbar im Pellikelhalter 23 angeordnet sein. Preferably, the pellicle 22 interchangeable. It can be particularly interchangeable in the pellicle holder 23 be arranged.

Aufgrund der Anordnung des Pellikels 22 beabstandet zur Objektebene 6, insbesondere in Richtung der Normalen 20 beabstandet zum Retikel 7, hat eine Verschmutzung des Pellikels 22 aufgrund der genutzten Tiefenschärfe im Bereich von etwa 1 mm nur einen sehr geringen Einfluss auf die Präzision der Belichtung des Wafers 12. Due to the arrangement of the pellicle 22 spaced to the object plane 6 , especially in the direction of the normal 20 spaced from the reticle 7 , has a pollution of the pellicle 22 due to the used depth of field in the range of about 1 Only a very small influence on the precision of the exposure of the wafer 12 ,

Durch die Verkippung des Pellikels 22 gegenüber der Oberfläche des Retikels 7 wird Strahlung aus dem unerwünschten Spektralbereich, insbesondere Strahlung aus dem DUV-Bereich, insbesondere Strahlung mit einer Wellenlänge im Bereich von 50 nm bis 300 nm, insbesondere im Bereich von 100 nm bis 200 nm, in einen vorgegebenen Winkelbereich reflektiert, welcher von dem in die Projektionsoptik 9 führenden Winkelbereich abweicht, insbesondere vollständig abweicht. Hierdurch lässt sich der Wärmeeintrag dieser Strahlung in die Projektionsoptik 9 verringern, insbesondere vollständig vermeiden. Hierdurch lassen sich die Abbildungseigenschaften der Projektionsoptik 9 verbessern. Es ist insbesondere möglich, zu verhindern, dass die Abbildungseigenschaften der Projektionsoptik 9 durch einen Wärmeeintrag dieser unerwünschten Strahlung, welcher zu einer Wärmeausdehnung der Bestandteile der Projektionsoptik 9 führen kann, verringert, insbesondere vollständig vermieden wird. By tilting the pellicle 22 opposite the surface of the reticle 7 radiation from the unwanted spectral range, in particular radiation from the DUV range, in particular radiation having a wavelength in the range of 50 nm to 300 nm, in particular in the range of 100 nm to 200 nm, reflected in a predetermined angular range, which of the in the projection optics 9 leading angle range deviates, in particular completely deviates. This allows the heat input of this radiation in the projection optics 9 reduce, in particular completely avoid. This allows the imaging properties of the projection optics 9 improve. In particular, it is possible to prevent the imaging properties of the projection optics 9 by a heat input of this unwanted radiation, which leads to a thermal expansion of the components of the projection optics 9 can lead, reduced, and in particular completely avoided.

Die durch die Verkippung des Pellikels 22 zusätzlich benötigte Bauraumhöhe in Richtung der Normalen 20 beträgt vorzugsweise maximal 50 mm, insbesondere maximal 30 mm, insbesondere maximal 20 mm. Um die benötigte Bauraumhöhe weiter zu reduzieren, kann vorgesehen sein, das Pellikel 22 mit Knickstellen 26 zu versehen. Eine derartige Alternative ist exemplarisch in 3 dargestellte. Das Pellikel 22 ist in diesem Fall dachartig ausgebildet. Dies kann insbesondere vorteilhaft sein, sofern die Dies auf dem Wafer 12 nicht so breit sind wie das gesamte Bildfeld 10. Eine derartige Ausbildung des Pellikels 22 kann insbesondere vorteilhaft sein, wenn die Dies auf dem Wafer 12 Abmessungen aufweisen, welche ganzzahlige Bruchteile der Breite des Bildfeldes 10 sind. In diesem Fall kann für jeden der Dies ein separater planer Abschnitt des Pellikels 22 vorgesehen sein. Die einzelnen planen Abschnitte des Pellikels 22 können jeweils mit einer Knickstelle 26 aneinander angrenzen. Das Pellikel 22 ist in diesem Fall somit abschnittsweise plan und stetig ausgebildet, weist jedoch eine oder mehrere Knickstellen auf.The result of the tilting of the pellicle 22 additionally required installation height in the direction of the normal 20 is preferably a maximum of 50 mm, in particular a maximum of 30 mm, in particular a maximum of 20 mm. In order to further reduce the required installation space height, it is possible to provide the pellicle 22 with kinks 26 to provide. Such an alternative is exemplified in 3 shown. The pellicle 22 is roof-like in this case. This may be particularly advantageous if the dies on the wafer 12 not as wide as the entire image field 10 , Such a formation of the pellicle 22 may be particularly advantageous if the dies on the wafer 12 Have dimensions which integer fractions of the width of the image field 10 are. In this case, for each of the dies, a separate plumb section of the pellicle may be used 22 be provided. The individual plan sections of the pellicle 22 can each with a kink 26 adjoin one another. The pellicle 22 is in this case thus sections plan and steadily formed, but has one or more kinks.

Um den nötigen Bauraum in Normalenrichtung des Retikels klein zu halten, kann das Pellikel 22 insbesondere mindestens 3, insbesondere mindestens 5, insbesondere mindestens 10, insbesondere mindestens 20, insbesondere mindestens 30, insbesondere mindestens 50 Knickstellen aufweisen. In diesem Fall geht die Ausführung des Pellikels in einen Fresnelspiegel über, wie schematisch in 5 gezeigt ist.In order to keep the necessary space in the normal direction of the reticle small, the pellicle 22 in particular at least 3 , in particular at least 5 , in particular at least 10 , in particular at least 20 , in particular at least 30 , in particular at least 50 Have kinks. In this case, the execution of the pellicle passes into a Fresnel mirror, as shown schematically in FIG 5 is shown.

Im Folgenden wird unter Bezugnahme auf die 4 eine alternative Ausbildung des Pellikels 22 beschrieben. Das Pellikel 22 kann als Fresnelspiegel oder als diffraktives optisches Element (DOE) ausgebildet sein beziehungsweise ein oder mehrere DOEs aufweisen.The following is with reference to the 4 an alternative education of the pellicle 22 described. The pellicle 22 may be designed as a Fresnel mirror or as a diffractive optical element (DOE) or have one or more DOEs.

Das Pellikel 22 kann in diesem Fall verkippt zur Objektebene 6 oder parallel zu dieser ausgerichtet sein. Die Objektebene 6 ist aus diesem Grund in der 4 nicht eingezeichnet.The pellicle 22 in this case can be tilted to the object plane 6 or be aligned parallel to this. The object plane 6 is for that reason in the 4 not shown.

In der 4 ist schematisch eine Ausbildung des Pellikels 22 mit DOE dargestellt.In the 4 is schematically an embodiment of the pellicle 22 shown with DOE.

Die DOEs weisen Strukturen auf, welche zu einer Ablenkung der ±1. Beugungsordnung (+1.o, –1.o) der unerwünschten Strahlung führen, welche mindestens so groß ist wie der Hauptstrahlwinkel CRA der Beleuchtungsstrahlung 14. Das DOE weist insbesondere Strukturen auf, welche zu einer Ablenkung der ±1. Beugungsordnung (+1.o, –1.o) relativ zum Hauptstrahl (CR) führen, welche mindestens so groß ist wie der halbe objektseitige Öffnungswinkel der Beleuchtungsstrahlung. Die Ablenkung der ±1. Beugungsordnung (+1.o, –1.o) der unerwünschten Strahlung beträgt insbesondere mindestens 3°, insbesondere mindestens 6°, insbesondere mindestens 9°, insbesondere mindestens 12°.The DOEs have structures which lead to a deflection of ± 1. Diffraction order (+ 1.o, -1.o) lead the unwanted radiation, which is at least as large as the main beam angle CRA of the illumination radiation 14 , The DOE in particular has structures which lead to a deflection of ± 1. Diffraction order (+ 1.o, -1.o) relative to the main beam (CR) lead, which is at least as large as half the object-side opening angle of the illumination radiation. The deflection of ± 1. Diffraction order (+ 1.o, -1.o) of the unwanted radiation is in particular at least 3 °, in particular at least 6 °, in particular at least 9 °, in particular at least 12 °.

Die Strukturen weisen insbesondere Strukturbreiten p1, p2 auf, welche im Bereich von 0,5 µm bis 5 µm, insbesondere im Bereich von 1 µm bis 3 µm liegen. Unter den Strukturbreiten p1, p2 sei insbesondere die Periode der Strukturen verstanden. Je nachdem, welche Wellenlängen abgelenkt werden sollen und/oder um welchen Ablenkwinkel, können die Strukturbreiten p1, p2 geeignet angepasst werden.The structures have in particular structure widths p 1 , p 2 , which are in the range of 0.5 μm to 5 μm, in particular in the range of 1 μm to 3 μm. The structural widths p 1 , p 2 should be understood in particular as the period of the structures. Depending on which wavelengths are to be deflected and / or about which deflection angle, the structure widths p 1 , p 2 can be suitably adapted.

Die Strukturen weisen Strukturhöhen h1, h2 im Bereich von 10 nm bis 50 nm, insbesondere im Bereich von 15 nm bis 30 nm auf. Die Strukturhöhen sind insbesondere gerade derart an die Wellenlänge der unerwünschten Beleuchtungsstrahlung angepasst, dass es zu einer Auslöschung der nullten Beugungsordnung kommt. Es gilt insbesondere: h1 = λ/4 und h2 = λ/(4n), wobei λ die Wellenlänge der auszulöschenden Strahlung und n den Brechungsindex des Materials des Pellikels 22 angibt.The structures have structure heights h 1 , h 2 in the range of 10 nm to 50 nm, in particular in the range of 15 nm to 30 nm. The structure heights are in particular just adapted to the wavelength of the unwanted illumination radiation in such a way that an extinction of the zeroth diffraction order occurs. In particular: h 1 = λ / 4 and h 2 = λ / (4n), where λ is the wavelength of the radiation to be quenched and n is the refractive index of the material of the pellicle 22 indicates.

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Claims (14)

Anordnung einer Vorrichtung (28) zum Schutz eines in einer Objektebene (6) anzuordnenden Retikels (7) gegen Verschmutzung, 1.1. wobei die Schutzvorrichtung (28) 1.1.1. für Beleuchtungsstrahlung (14) mit einer Wellenlänge im Bereich von weniger als 30 nm zu mindestens 70% durchlässig ist und 1.1.2. für Strahlung mit einer Wellenlänge im Bereich von 50 nm bis 300 nm zu mindestens 70 % reflektierend ist, und 1.2. wobei die Schutzvorrichtung (28) 1.2.1. gegen eine parallel zur Objektebene (6) verlaufende Ebene um einen Kippwinkel (b) verkippt ausgerichtet ist und/oder 1.2.2. als diffraktives optisches Element (DOE) ausgebildet ist.Arrangement of a device ( 28 ) to protect one in an object plane ( 6 ) to be arranged ( 7 ) against pollution, 1.1. the protection device ( 28 1.1.1. for illumination radiation ( 14 ) with a wavelength in the range of less than 30 nm is at least 70% permeable and 1.1.2. is at least 70% reflective for radiation with a wavelength in the range of 50 nm to 300 nm, and 1.2. the protection device ( 28 1.2.1. against a parallel to the object plane ( 6 ) extending plane is tilted by a tilt angle (b) and / or 1.2.2. is designed as a diffractive optical element (DOE). Anordnung gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Kippwinkel (b) mindestens 3° beträgt.Arrangement according to claim 1, characterized in that the tilt angle (b) is at least 3 °. Anordnung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Schutzvorrichtung (28) ein folienartiges Substrat (22) aufweist, welches eine Dicke im Bereich von 5 nm bis 200 nm aufweist.Arrangement according to one of the preceding claims, characterized in that the protective device ( 28 ) a film-like substrate ( 22 ) having a thickness in the range of 5 nm to 200 nm. Anordnung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Schutzvorrichtung (28) ein Substrat (22) umfasst, welches im Wesentlichen rechteckig ausgebildet ist mit einer längeren Seite und einer kürzeren Seite, wobei die längere Seite parallel zur Objektebene (6) ausgerichtet ist.Arrangement according to one of the preceding claims, characterized in that the protective device ( 28 ) a substrate ( 22 ) which is substantially rectangular in shape with a longer side and a shorter side, the longer side being parallel to the object plane (FIG. 6 ) is aligned. Anordnung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Schutzvorrichtung (28) ein Substrat (22) umfasst, welches im Wesentlichen rechteckig ausgebildet ist mit einer längeren Seite und einer kürzeren Seite, wobei die kürzere Seite parallel zur Objektebene (6) ausgerichtet ist. Arrangement according to one of claims 1 to 3, characterized in that the protective device ( 28 ) a substrate ( 22 ) which is substantially rectangular in shape with a longer side and a shorter side, the shorter side being parallel to the object plane (FIG. 6 ) is aligned. Anordnung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Schutzvorrichtung (28) ein Bauraumvolumen aufweist, welches in Richtung senkrecht zur Objektebene (6) maximal 20 mm beträgt.Arrangement according to one of the preceding claims, characterized in that the protective device ( 28 ) has a construction space volume, which in the direction perpendicular to the object plane ( 6 ) is a maximum of 20 mm. Anordnung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Schutzvorrichtung (28) ein Bauraumvolumen aufweist, welches in Richtung parallel zur Objektebene (6) Abmessungen aufweist, welche mindestens so groß sind wie Abmessungen eines zu schützenden Retikels (7).Arrangement according to one of the preceding claims, characterized in that the protective device ( 28 ) has a construction space volume which is parallel to the object plane ( 6 ) Has dimensions which are at least as large as dimensions of a reticle to be protected ( 7 ). Anordnung gemäß einem der Ansprüche 1 oder 3 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass das diffraktive optische Element (DOE) parallel zur Objektebene (6) ausgerichtet ist.Arrangement according to one of claims 1 or 3 to 7, characterized in that the diffractive optical element (DOE) parallel to the object plane ( 6 ) is aligned. Beleuchtungsoptik (4) für eine Projektionsbelichtungsanlage (1) umfassend 9.1. mehrere strahlführende Elemente (16, 18) zur Führung von Beleuchtungsstrahlung (14) entlang einem Strahlengang zu einem Objektfeld (5) in einer Objektebene (6) und 9.2. eine Anordnung einer Schutzvorrichtung (28) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8.Illumination optics ( 4 ) for a projection exposure apparatus ( 1 comprising 9.1. several radiating elements ( 16 . 18 ) for guiding illumination radiation ( 14 ) along a beam path to an object field ( 5 ) in an object plane ( 6 ) and 9.2. an arrangement of a protective device ( 28 ) according to one of claims 1 to 8. Beleuchtungsoptik (4) gemäß Anspruch, dadurch gekennzeichnet, dass der Kippwinkel (b) mindestens so groß ist wie ein Hauptstrahlwinkel (CRA) der Beleuchtungsstrahlung (14) zur Beleuchtung des Objektfeldes (5).Illumination optics ( 4 ) according to claim, characterized in that the tilt angle (b) is at least as large as a main beam angle (CRA) of the illumination radiation ( 14 ) for illuminating the object field ( 5 ). Beleuchtungssystem (2) für eine Projektionsbelichtungsanlage (1) umfassend 11.1. eine Beleuchtungsoptik (4) gemäß einem der Ansprüche 5 bis 10 und 11.2. eine Strahlungsquelle (3).Lighting system ( 2 ) for a projection exposure apparatus ( 1 ) 11.1. an illumination optics ( 4 ) according to one of claims 5 to 10 and 11.2. a radiation source ( 3 ). Projektionsbelichtungsanlage (1 für die Mikrolithographie umfassend 12.1. eine Beleuchtungsoptik (4) gemäß einem der Ansprüche 9 bis 10 und 12.2. eine Projektionsoptik (9) zur Abbildung eines im Objektfeld (5) angeordneten Retikels (7) auf einen in einem Bildfeld (10) angeordneten Wafer (12).Projection exposure apparatus ( 1 for microlithography comprising 12.1. an illumination optics ( 4 ) according to one of claims 9 to 10 and 12.2. a projection optics ( 9 ) for mapping one in the object field ( 5 ) arranged reticles ( 7 ) on one in a picture field ( 10 ) arranged wafers ( 12 ). Verfahren zur Herstellung eines mikro- oder nanostrukturierten Bauelements umfassend die folgenden Schritte: 13.1. Bereitstellen eines Substrats (22), auf das zumindest teilweise eine Schicht aus einem lichtempfindlichen Material aufgebracht ist, 13.2. Bereitstellen eines Retikels (7), das abzubildende Strukturen aufweist, 13.3. Bereitstellen einer Projektionsbelichtungsanlage (1) gemäß Anspruch 12, 13.4. Projizieren wenigstens eines Teils des Retikels (7) auf einen Bereich der lichtempfindlichen Schicht des Substrats (22) mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage (1).A method of manufacturing a micro- or nanostructured device comprising the following steps: 13.1. Providing a substrate ( 22 ), to which at least partially a layer of a photosensitive material is applied, 13.2. Providing a reticle ( 7 ), which has structures to be mapped, 13.3. Providing a projection exposure apparatus ( 1 ) according to claim 12, 13.4. Projecting at least a portion of the reticle ( 7 ) to a region of the photosensitive layer of the substrate ( 22 ) using the projection exposure apparatus ( 1 ). Bauelement hergestellt nach dem Verfahren gemäß Anspruch 13.Component produced by the method according to claim 13.
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