DE102009047316A1 - Optical reflective component for inserting in illuminating optics of illuminating system for illuminating object field of projection illumination system, has static structures on reflective upper surface - Google Patents

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Abstract

The optical reflective component has static structures on a reflective upper surface (10) such that an outlet-divergence of an extreme ultraviolet radiation is generated over a direction interference from extreme ultraviolet radiation at the structures. The extreme ultraviolet radiation is impinged on the reflective upper surface. The outlet-divergence is greater than the inlet-divergence of the extreme ultraviolet radiation. Independent claims are also included for the following: (1) a method for manufacturing a structure; (2) an illuminating system with projection optics; (3) a projection illumination system with extreme ultraviolet light source; and (4) a method for manufacturing micro- or nano structured components.

Description

Die Erfindung betrifft eine optische reflektierende Komponente, insbesondere einen Spiegel, zum Einsatz in einer Beleuchtungsoptik für eine Projektionsbelichtungsanlage der EUV-Mikrolithographie. Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung von Strukturen auf einer derartigen optischen reflektierenden Komponente. Weiterhin betrifft die Erfindung eine Beleuchtungsoptik zur Beleuchtung eines Objektfeldes einer Projektionsbelichtungsanlage der EUV-Mikrolithographie mit einer derartigen optischen reflektierenden Komponente, ein Beleuchtungssystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik und einer Projektionsoptik zur Abbildung des Objektfeldes in ein Bildfeld der Projektionsbelichtungsanlage, eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Beleuchtungssystem und einer EUV-Lichtquelle, ein Herstellungsverfahren zur Herstellung eines mikro- bzw. nanostrukturierten Bauteils und ein mit diesem Verfahren hergestelltes mikro- bzw. nanostrukturiertes Bauteil.The The invention relates to an optical reflecting component, in particular a mirror for use in a lighting optic for a projection exposure machine of EUV microlithography. Further The invention relates to a method for producing structures on such an optical reflecting component. Farther The invention relates to an illumination optics for illuminating a Object field of a projection exposure apparatus of EUV microlithography with such an optical reflecting component, an illumination system with such illumination optics and projection optics for imaging the object field into an image field of the projection exposure apparatus, a projection exposure system with such a lighting system and an EUV light source, a manufacturing method of manufacture a micro- or nanostructured component and a with this Process manufactured micro- or nanostructured component.

Derartige optische reflektierende Komponenten sind, auch für den vorstehend beschriebenen Einsatzzweck, bekannt aus der DE 10 2007 045 369 A1 , der EP 1 225 481 A2 , der EP 1 120 670 B1 und der WO 2008/145 568 A1 .Such optical reflective components are also known for the above-described application, from the DE 10 2007 045 369 A1 , of the EP 1 225 481 A2 , of the EP 1 120 670 B1 and the WO 2008/145 568 A1 ,

Bei Projektionsbelichtungsanlagen der EUV-Mikrolithographie können zur Führung der EUV-Strahlung in der Regel nur Spiegel eingesetzt werden. Die Reflektivität der Spiegel ist deutlich geringer als 1 und erreicht ihr Reflektivitätsmaximum nur innerhalb eines kleinen Akzeptanzwinkelbereichs an EUV-Einfallswinkeln. Derzeit bekannte EUV-Lichtquellen, die sich für eine Nutzung innerhalb einer Projektionsbelichtungsanlage der EUV-Mikrolithographie eignen, haben ein kleines Emissionsvolumen bzw. einen kleinen Quellbereich. Dies gilt insbesondere für LPP-Quellen (Plasmaerzeugung durch Laser, Laser Produced Plasma). Es hat sich gezeigt, dass sich beim Einsatz derartiger LPP-Quellen eine Beschädigung optischer Komponenten der nachfolgend zur Führung der EUV-Strahlung eingesetzten optischen reflektierenden Komponenten und/oder eine Verminderung der Beleuchtungsqualität des im Rahmen der Projektionsbelichtung auszuleuchtenden Objektfeldes oftmals nicht vermeiden lässt, insbesondere was anspruchsvolle Anforderungen an die Beleuchtungsintensitätsverteilung und die Beleuchtungswinkelverteilung über das Objektfeld angeht.at Projection exposure systems of EUV microlithography can to guide the EUV radiation usually just mirrors be used. The reflectivity of the mirrors is clear less than 1 and reaches its maximum reflectivity only within a small acceptance angle range at EUV angles of incidence. Currently known EUV light sources eligible for use within a projection exposure machine of EUV microlithography have a small emission volume or a small source area. This is especially true for LPP sources (plasma generation by laser, laser produced plasma). It has been shown that When using such LPP sources damage optical Components of the following for guiding the EUV radiation used optical reflective components and / or a Reduction in the quality of lighting in the context of Projection exposure to be illuminated object field often not avoid, especially what demanding requirements to the illumination intensity distribution and the illumination angle distribution via the object field is concerned.

Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine optische reflektierende Komponente der eingangs genannten Art derart weiterzubilden, dass die vorstehend geschilderten Probleme, die bei EUV-Lichtquellen mit räumlich kleinen Quellbereichen auftreten, verringert bzw. ganz vermieden sind.It is therefore an object of the present invention, an optical Refine reflective component of the type mentioned in such a way that the above-mentioned problems with EUV light sources with spatially small source areas occur, reduced or completely avoided.

Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch eine optische reflektierende Komponente mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen.These The object is achieved by an optical reflective component with the specified in claim 1 Features.

Generell erzeugen die erfindungsgemäßen Strukturen eine Richtungsbeeinflussung der einfallenden EUV-Strahlung. Die erfindungsgemäßen Strukturen können als Vertiefungen und/oder als Erhebungen ausgeführt sein. Allgemein lassen sich die erfindungsgemäßen Strukturen als Höhenmodulationen der reflektierenden Oberfläche verstehen. Die erfindungsgemäßen Strukturen können derart ausgeführt sein, dass eine vorgegebene Intensitätsverteilung der EUV-Strahlung auf der reflektierenden Oberfläche in eine Ziel-Intensitätsverteilung in einer nachgeordneten Zielebene, bei spielsweise in der Anordnungsebene eines Pupillenfacettenspiegels und/oder in der Objektebene der Projektionsbelichtungsanlage, überführt wird. Diese Ziel-Intensitätsverteilung kann so sein, dass die Intensität sich über einen ausgedehnten Flächenbereich innerhalb vorgegebener Grenzen an ein Intensitäts-Plateau annähert. Eine derartige Ziel-Intensitätsverteilung wird auch als Tophat-Intensitätsverteilung bezeichnet. Die Strukturen können alternativ hierzu derart ausgeführt sein, dass eine vorgegebene Intensitätsverteilung der EUV-Strahlung auf der reflektierenden Oberfläche in eine Dreiecks-Intensitätsverteilung in der nachgeordneten Zielebene überführt wird. Auch einen Ausführung der erfindungsgemäßen Strukturen derart, dass eine Überführung in eine Intensitätsverteilung geschieht, deren Verteilung zwischen den Grenzfällen „Tophat” und „Dreieck” liegt, ist möglich. Bei den erfindungsgemäßen Strukturen handelt es sich um statische Strukturen, die dauerhaft in die reflektierende Oberfläche der optischen reflektierenden Komponente eingebracht sind.As a general rule produce the structures of the invention a Directional influence of incident EUV radiation. The structures according to the invention can be executed as depressions and / or elevations be. In general, the inventive Structures as height modulations of the reflective surface understand. The structures according to the invention can be designed such that a predetermined intensity distribution the EUV radiation on the reflective surface in a target intensity distribution in a downstream one Target level, for example, in the arrangement level of a Pupillenfacettenspiegels and / or in the object plane of the projection exposure apparatus becomes. This target intensity distribution may be such that the intensity is over an extended surface area within specified limits to an intensity plateau approaches. Such a target intensity distribution is also referred to as Tophat intensity distribution. The structures may alternatively be designed in such a way that a given intensity distribution of the EUV radiation on the reflective surface into a triangular intensity distribution in the subordinate target level. Also an embodiment of the invention Structures such that a transfer into a Intensity distribution happens, their distribution between the borderline cases "Tophat" and "Triangle" lie, is possible. In the inventive Structures are static structures that are permanent in the reflective surface of the optical reflective component are introduced.

Je nach den an die Richtungsbeeinflussung gestellten Anforderungen kann eine der optischen Wirkungen „Reflexion”, „Streuung” und „Beugung” gewählt werden, wobei die Strukturen auch so ausgeführt sein können, dass Kombinationen dieser Wirkungen die Richtungsbeeinflussung der EUV-Strahlung herbeiführen.ever according to the requirements for directional control One of the optical effects "reflection", "scattering" and "diffraction" can be selected be, whereby the structures can also be designed so that combinations of these effects influence the direction of the Induce EUV radiation.

Rillen nach Anspruch 3 können herstellungstechnische Vorteile haben. Insbesondere können die Rillen konzentrisch verlaufend ausgeführt sein.grooves according to claim 3 manufacturing advantages to have. In particular, the grooves can be concentric be executed.

Einzel-Strukturelemente nach Anspruch 4 können gleich verteilt und können insbesondere Array-artig verteilt auf der optischen reflektierenden Komponente angeordnet sein.Single-structural elements according to claim 4 can be equally distributed and can in particular array-like distributed on the optical reflecting component be arranged.

Typische Strukturdimensionen nach Anspruch 5 haben sich zur Erzeugung einer gewünschten austrittswinkelerzeugenden bzw. divergenzerhöhenden Wirkung als besonders geeignet herausgestellt. Die typische Dimension ist dabei im Falle von Rillenstrukturen eine Rillenweite oder im Falle von Einzel-Strukturelementen ein Durchmesser der Einzel-Strukturelemente. Im Falle eines sinusförmigen Querschnittsverlaufs der Höhenmodulation der Strukturelemente kann die typische Dimension die Periode dieses Sinusverlaufs sein. Die typische Dimension kann im Bereich zwischen 50 μm und 2 min, insbesondere im Bereich zwischen 100 μm und 1 mm liegen. Diese vorgenannten Bereiche bieten insbesondere bei einer mechanischen Strukturherstellung Vorteile. Die typische Dimension kann im Bereich zwischen 1 μm und 1 mm und kann im Bereich zwischen 1 μm und 100 μm liegen, was insbesondere bei der Strukturherstellung durch Ätzen, insbesondere durch Proportionalätzen, vorteilhaft ist. Eine Obergrenze der typischen Dimension für die erfindungsgemäßen Strukturen kann bei 100 μm liegen. Hierdurch kann gewährleistet sein, dass eine Richtungsbeeinflussung durch die Strukturen keine oder tolerierbar geringe Feldwirkungen hat.Typical structural dimensions according to claim 5 have been found to be particularly suitable for generating a desired exit angle generating or divergenzerhöhemwirkung. The typical dimension is in the case of Groove structures a groove width or in the case of individual structural elements, a diameter of the individual structural elements. In the case of a sinusoidal cross-sectional profile of the height modulation of the structural elements, the typical dimension may be the period of this sine curve. The typical dimension can be in the range between 50 μm and 2 min, in particular in the range between 100 μm and 1 mm. These aforementioned ranges offer advantages, in particular in mechanical structure production. The typical dimension can be in the range between 1 .mu.m and 1 mm and can be in the range between 1 .mu.m and 100 .mu.m, which is particularly advantageous in the structure production by etching, in particular by proportional etching. An upper limit of the typical dimension for the structures according to the invention may be 100 μm. In this way it can be ensured that a directional influence by the structures has no or tolerable low field effects.

Eine Struktur-Flankensteilheit nach Anspruch 6 hat sich für typische Auslegungen von Beleuchtungsoptiken für Projektionsbelichtungsanlagen als ausreichend herausgestellt. Die Flankensteilheit kann höchstens 10 mrad, kann höchstens 5 mrad, kann höchstens 2,5 mrad betragen. Die erfindungsgemäßen Strukturen können eine Strukturtiefe von höchstens 10 μm, von höchstens 5 μm, von höchstens 2 μm, von höchstens 1 μm oder von höchstens 0,7 μm haben. Auch dies stellt sicher, dass die richtungsbeeinflussende Wirkung sich nicht unerwünscht in einer Feldbeeinflussung oder beispielsweise in einer Telezentriebeeinflussung niederschlägt.A Structure edge steepness according to claim 6 has been for typical interpretations of illumination optics for projection exposure systems as sufficiently exposed. The slope can at most 10 mrad, can not exceed 5 mrad, can not exceed Amount to 2.5 mrad. The structures according to the invention can have a structure depth of at most 10 μm, of not more than 5 μm, not more than 2 μm, of at most 1 μm or at most 0.7 μm to have. Again, this ensures that the direction-influencing Do not affect undesirable in a field influence or reflected, for example, in a Telzentriebeeinflussung.

Bei einer Ausführung der optischen reflektierenden Komponente als Kollektor nach Anspruch 7 kann die Zielebene für die richtungsbeeinflussende Strukturwirkung eine Zwischenfokusebene der Beleuchtungsoptik oder eine Pupillenebene der Beleuchtungsoptik sein, in der ein Pupillenfacettenspiegel der Beleuchtungsoptik anordenbar ist. Die Lichtquelle wird in diese Zielebene, bedingt durch die Erhöhung der Austritts-Divergenz durch die Strukturen, dann mit vergrößertem Durchmesser überführt, was eine EUV-Strahlungsintensität beispielsweise auf dem Pupillenfacettenspiegel vorteilhaft verringert. Eine Beschädigung von dem Kollektor mit den erfindungsgemäßen Strukturen nachgeordneten optischen Komponenten kann dann vermieden sein.at an embodiment of the optical reflective component As a collector according to claim 7, the target level for the direction-influencing structural effect an intermediate focus level the illumination optics or a pupil plane of the illumination optics in which a pupil facet mirror of the illumination optics can be arranged is. The light source is in this target level, due to the Increase the exit divergence through the structures, then transferred with enlarged diameter, what an EUV radiation intensity, for example, on the Pupillenfacettenspiegel advantageously reduced. A damage from the collector with the structures according to the invention Subordinate optical components can then be avoided.

Bei einer Ausführung der optischen reflektierenden Komponente als Spiegel nach Anspruch 8 ergibt sich durch die erfindungsgemäßen Strukturen eine Änderung der Beleuchtungswinkelverteilung im Objektfeld, so dass unerwünscht diskrete Beleuchtungsrichtungsverteilungen vorteilhaft in ein Winkelkontinuum überführt werden können. Die richtungsbeeinflussende Wirkung der erfindungsgemäßen Strukturen kann insbesondere so sein, dass einfallende Strahlen aus verschiedenen Richtungen zu ein und derselben Strahlrichtung nach der optischen reflektierenden Komponente mit den erfindungsgemäßen Strukturen vereinigt werden können. Die optische reflektierende Komponente kann die im EUV-Strahlengang letzte optische Komponente vor dem Objektfeld sein.at an embodiment of the optical reflective component as a mirror according to claim 8 results from the invention Structures a change in the illumination angle distribution in the object field, so that undesirably discrete illumination direction distributions be advantageously converted into an angular continuum can. The direction-influencing effect of the structures according to the invention may be in particular such that incident rays from different Directions to one and the same beam direction after the optical reflective component with the invention Structures can be united. The optical reflective Component can be the last in the EUV optical path component be in front of the object field.

Mit einem Herstellungsverfahren nach Anspruch 9 lassen sich die erfindungsgemäßen Strukturen mit der geforderten Genauigkeit herstellen. Alternativ kann auch ein direktes Ätzen des Substrats oder eine mechanische Einbringung der erfindungsgemäßen Strukturen, insbesondere durch spanende Bearbeitung, erfolgen. Das Proportionalätzen kann mittels Ion Beam Figuring (IBF) erfolgen. Auch ein anderes Ionenstrahl-Ätzverfahren kann zum Einsatz kommen.With A manufacturing method according to claim 9, the inventive Create structures with the required accuracy. alternative can also be a direct etching of the substrate or a mechanical Introduction of the structures according to the invention, especially by machining, done. Proportional etching can be done by Ion Beam Figuring (IBF). Also another Ion beam etching can be used.

Ein formerhaltendes Polieren nach Anspruch 10 stellt sicher, dass eine gewünschte optische Wirkung der optischen reflektierenden Komponente innerhalb der Beleuchtungsoptik erhalten bleibt.One Former polishing according to claim 10 ensures that a desired optical effect of the optical reflective Component within the illumination optics is maintained.

Die Vorteile einer Beleuchtungsoptik nach Anspruch 11, eines Beleuchtungssystems nach Anspruch 12, einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 13, eines Herstellungsverfahrens nach Anspruch 14 und eines Bauteils nach Anspruch 15 entsprechen denjenigen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die erfindungsgemäße optische reflektierende Komponente bereits erläutert wurden.The Advantages of a lighting optical system according to claim 11, an illumination system according to claim 12, a projection exposure apparatus according to claim 13, a manufacturing method according to claim 14 and a component according to claim 15 correspond to those mentioned above with reference on the inventive optical reflective Component have already been explained.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung naher erläutert. In dieser zeigen:embodiments The invention will be explained in more detail with reference to the drawing. In show this:

1 einen Meridionalschnitt durch eine Beleuchtungsoptik und eine EUV-Lichtquelle einer Projektionsbelichtungsanlage der EUV-Mikrolithographie; 1 a meridional section through an illumination optical system and an EUV light source of a projection exposure apparatus of EUV microlithography;

2 eine Aufsicht auf einen Kollektor der Beleuchtungsoptik nach 1 aus Blickrichtung II in 1, wobei als gebogen verlaufende, konzentrische Rillen ausgeführte Strukturen auf einer reflektierenden Oberfläche des Kollektors durch konzentrische Kreise hervorgehoben sind; 2 a view of a collector of the illumination optics 1 from viewing direction II in 1 wherein structures configured as arcuate concentric grooves are emphasized on a reflective surface of the collector by concentric circles;

3 einen Schnitt gemäß Linie III-III in 2, wobei eine Höhenmodulation der reflektierenden Oberfläche des Kollektors übertrieben vergrößert dargestellt ist; 3 a section along line III-III in 2 wherein an altitude modulation of the reflective surface of the collector is shown exaggeratedly enlarged;

4 eine Ausschnittsvergrößerung aus 3; 4 an excerpt from 3 ;

5 schematisch eine Aufsicht auf einen Feldfacettenspiegel der Beleuchtungsoptik nach 1; 5 schematically a plan view of a field facet mirror of the illumination optical system according to 1 ;

6 schematisch eine Aufsicht auf einen Pupillenfacettenspiegel der Beleuchtungsoptik nach 1; 6 schematically a plan view of a pupil facet mirror of the illumination optical system 1 ;

7 in einem Diagramm eine räumliche gaußförmige Intensitätsverteilung eines EUV-Teilbündels innerhalb eines Ausleuchtungskanals der Beleuchtungsoptik nach 1; 7 in a diagram, a spatial Gaussian intensity distribution of an EUV sub-beam within an illumination channel of the illumination optical system 1 ;

8 in einer zu 7 ähnlichen Darstellung eine Tophat-, also plateauförmige, Intensitätsverteilung des EUV-Teilbündels; 8th in one too 7 similar representation a Tophat-, so plateau-shaped, intensity distribution of the EUV partial bundle;

9 in einer zu 7 ähnlichen Darstellung eine Dreiecks-Intensitätsverteilung des EUV-Teilbündels; 9 in one too 7 similar representation, a triangular intensity distribution of the EUV subset;

10 schematisch einen Verfahrensablauf zur Herstellung der Strukturen nach den 3 und 4; 10 schematically a process flow for the preparation of the structures according to the 3 and 4 ;

11 in einer zu 2 ähnlichen Darstellung eine Variante einer Strukturgestaltung auf dem Kollektor, wobei die Strukturen als voneinander beabstandete Einzel-Strukturelemente ausge führt sind, wobei einige Einzel-Strukturelemente dargestellt sind; 11 in one too 2 a similar representation of a variant of a structural design on the collector, wherein the structures are out as spaced-apart individual structural elements, wherein some individual structural elements are shown;

12 in einer zu 4 ähnlichen Darstellung eine Variante eines Struktur-Querschnittsprofils; 12 in one too 4 similar representation of a variant of a structure cross-sectional profile;

13 in einer hinsichtlich der Darstellung der Beleuchtungsoptik zur 1 ähnlichen Abbildung eine Projektionsbelichtungsanlage der EUV-Mikrolithographie mit einer Beleuchtungsoptik mit einer Variante eines EUV-Kollektors sowie mit einer Projektionsoptik zur Abbildung eines von der Beleuchtungsoptik beleuchteten Objektfeldes in ein Bildfeld; 13 in a respect to the representation of the illumination optics for 1 a projection exposure apparatus of EUV microlithography with illumination optics with a variant of an EUV collector and with a projection optics for imaging an illuminated by the illumination optical object field in an image field;

14 in einer zu 11 ähnlichen Darstellung eine Aufsicht auf einen Kollektor nach Art des Kollektors der 13 mit insgesamt drei Kollektorschalen; 14 in one too 11 similar representation a view of a collector on the type of collector of 13 with a total of three collector shells;

15 einen Meridionalschnitt durch einen Kollektor nach Art des Kollektors der 13 mit vier Kollektorschalen; 15 a meridional section through a collector of the collector type 13 with four collector cups;

16 in einer Aufsicht einen Umlenkspiegel der Beleuchtungsoptik nach 13, angeordnet zwischen einem Pupillefacettenspiegel und einer Objektebene der Beleuchtungsoptik nach 13, wobei einige Einzel-Strukturelemente dargestellt sind; 16 in a plan view a deflection mirror of the illumination optics 13 , arranged between a pupil facet mirror and an object plane of the illumination optics 13 showing some single structural elements;

17 einen Schnitt gemäß Linie XVII-XVII in 16; 17 a section according to line XVII-XVII in 16 ;

18 eine Ansicht auf den Spiegel nach 16 längs eines Strahlengangs der in der Beleuchtungsoptik nach 13 geführten EUV-Strahlung; und 18 a view of the mirror behind 16 along an optical path of the in the illumination optical system 13 guided EUV radiation; and

19 und 20 schematisch die Wirkung der Strukturen auf einem Umlenkspiegel zwischen einem Pupillenfacettenspiegel und einem Objektfeld einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage der EUV-Mikrolithographie. 19 and 20 schematically the effect of the structures on a deflection mirror between a pupil facet mirror and an object field of illumination optics of a projection exposure system of EUV microlithography.

1 zeigt schematisch in einem Meridionalschnitt eine Beleuchtungsoptik 1 und eine Lichtquelle 2 einer Projektionsbelichtungsanlage der EUV-Mikrolithographie. Ein Beleuchtungssystem der Projektionsbelichtungsanlage hat neben der Beleuchtungsoptik, die zur Beleuchtung eines Objektfeldes 3 der Projektionsbelichtungsanlage dient, noch eine in 1 nicht dargestellte Projektionsoptik zur Abbildung des Objektfeldes 3, das in einer Objektebene 4 liegt, in ein Bildfeld 5 in einer Bildebene 6. Neben dem Beleuchtungssystem und der EUV-Lichtquelle 2 hat die Projektionsbelichtungsanlage insbesondere noch eine Mehrzahl mechanischer Komponenten, nämlich in der 1 nicht dargestellte Halter für ein in der Objektebene 4 angeordnetes Retikel 7 und für einen in der 1 nicht dargestellten und in der Bildebene 6 angeordneten Wafer. Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel 7 auf eine lichtempfindliche Schicht des im Bereich des Bildfeldes 5 in der Bildebene 6 angeordneten Wafers. 1 schematically shows in a meridional section an illumination optics 1 and a light source 2 a projection exposure system of EUV microlithography. An illumination system of the projection exposure apparatus has, in addition to the illumination optics, the illumination of an object field 3 the projection exposure system is still one in 1 not shown projection optics for imaging the object field 3 that in an object plane 4 lies in an image field 5 in an image plane 6 , In addition to the lighting system and the EUV light source 2 In particular, the projection exposure apparatus has a plurality of mechanical components, namely in the 1 not shown holder for a in the object plane 4 arranged reticle 7 and for one in the 1 not shown and in the picture plane 6 arranged wafers. A structure is shown on the reticle 7 on a photosensitive layer in the area of the image field 5 in the picture plane 6 arranged wafers.

Bei der Licht- bzw. Strahlungsquelle 3 handelt es sich um eine EUV-(Extremes Ultraviolett) Lichtquelle mit einer emittierten Nutzstrahlung im Bereich zwischen 5 nun und 30 nm. Ein für die EUV-Projektionsbelichtung genutztes Wellenlängenband bzw. ein Ziel-Wellenlängenbereich der EUV- Strahlung 8 liegt beispielsweise bei 13,5 nm ± 1 nm. Auch ein anderer Ziel-Wellenlängenberich, beispielsweise zwischen 5 nun und 17 nun, ist möglich. Eine Bandbreite des genutzten EUV-Wellenlängenbandes kann zwischen 0,1 nm und 2 nm liegen. Bei der Lichtquelle 2 kann es sich um eine Plasmaquelle, beispielsweise um eine DPP-Quelle (Plasmaerzeugung durch Entladung, Discharge Produced Plasma) oder um eine LPP-Quelle (Plasmaerzeugung durch Laser, Laser Produced Plasma) handeln. EUV-Strahlung 8, die von der Lichtquelle 2 ausgeht, wird von einem Kollektor 9 gebündelt, der nachfolgend noch beschriebene Strukturen auf seiner für die EUV-Strahlung reflektierenden Oberfläche 10 aufweist. Abgesehen von diesen Strukturen ist ein entsprechender Kollektor bekannt aus der DE 10 2007 045 396 A1 und den dort zitierten Dokumenten. Nach dem Kollektor 9 propagiert die EUV-Strahlung 8 durch eine Zwischenfokusebene 11, bevor sie auf einen Feldfacettenspiegel 12 trifft. In der Zwischenfokusebene 11 hat die EUV-Strahlung einen Zwischenfokus Z. Die EUV-Strahlung 8 wird nachfolgend auch als Beleuchtungs- und Abbildungslicht bezeichnet.At the light or radiation source 3 it is an EUV (extreme ultraviolet) light source with an emitted useful radiation in the range between 5 nm and 30 nm. A wavelength band used for the EUV projection exposure or a target wavelength range of the EUV radiation 8th is for example at 13.5 nm ± 1 nm. Another target wavelength range, for example between 5 and 17 now, is possible. A bandwidth of the used EUV wavelength band can be between 0.1 nm and 2 nm. At the light source 2 it can be a plasma source, such as a Discharge Produced Plasma (DPP) source or a Laser Produced Plasma (LPP) source. EUV radiation 8th that from the light source 2 emanating from a collector 9 bundled, the structures described below on its reflective surface for the EUV radiation 10 having. Apart from these structures, a corresponding collector is known from the DE 10 2007 045 396 A1 and the documents cited there. After the collector 9 propagates the EUV radiation 8th through an intermediate focus level 11 before moving to a field facet mirror 12 meets. In the Zwischenfokusebene 11 the EUV radiation has an intermediate focus Z. The EUV radiation 8th is hereinafter also referred to as illumination and imaging light.

Der Kollektor 9 hat eine ellipsoidale Form, wobei die Lichtquelle 2 in einem Brennpunkt und der Zwischenfokus Z der EUV-Strahlung 8 in der Zwischenfokusebene 11 im anderen Brennpunkt der Ellipse angeordnet ist.The collector 9 has an ellipsoidal shape, being the light source 2 at a focal point and the intermediate focus Z of the EUV radiation 8th in the Zwischenfokusebene 11 is arranged in the other focal point of the ellipse.

Der Kollektor 9 dient zum Sammeln der von der Lichtquelle 2 emittierten EUV-Strahlung 8 in einem großen Öffnungswinkel.The collector 9 used to collect the from the light source 2 emitted EUV radiation 8th in a large opening angle.

Zur Erleichterung der Beschreibung von Lagebeziehungen ist in der Zeichnung jeweils ein kartesisches xyz-Koordinatensystem eingezeichnet. In der 1 handelt es sich dabei um ein globales Koordinatensystem für die gesamte Projektionsbelichtungsanlage. Die x-Achse verläuft in der 1 senkrecht zur Zeichenebene und in diese hinein. Die y-Achse verläuft in der 1 nach links. Die z-Achse verläuft in der 1 nach oben. Soweit in der Zeichnung einzelne optische Komponenten des Beleuchtungssystems der Projektionsbelichtungsanlage dargestellt sind, wird ein jeweils lokales xy-Koordinatensystem verwendet, das in der Regel eine Haupt-Reflexionsebene der jeweiligen optischen Komponente aufspannt. Die x-Achsen aller Koordinatensysteme der Zeichnung verlaufen parallel zueinander. Die y-Achsen aller Koordinatensysteme haben einen Winkel zueinander, der einem Kippwinkel der jeweiligen optischen Komponente um die x-Achse entspricht.To facilitate the description of positional relationships, a Cartesian xyz coordinate system is shown in the drawing. In the 1 this is a global coordinate system for the entire projection exposure system. The x-axis runs in the 1 perpendicular to the drawing plane and into it. The y-axis runs in the 1 to the left. The z-axis runs in the 1 up. Insofar as individual optical components of the illumination system of the projection exposure apparatus are shown in the drawing, a respective local xy coordinate system is used, which as a rule spans a main reflection plane of the respective optical component. The x-axes of all coordinate systems of the drawing run parallel to each other. The y-axes of all coordinate systems have an angle to each other, which corresponds to a tilt angle of the respective optical component about the x-axis.

Der Feldfacettenspiegel 12 weist, wie dies aus dem Stand der Technik bekannt ist, eine Anordnung mit einer Mehrzahl von Feldfacetten 13 auf, die von einer gemeinsamen Trägerplatte 14 gehalten werden (vgl. 5). Bei der in der 5 dargestellten Ausführung sind die Feldfacetten 13 rechteckig. Die Feldfacetten 13 können auch bogenförmig gestaltet sein. Die Feldfacetten 13 haben jeweils das gleiche xy-Aspektverhältnis. Die Gesamtheit der Feldfacetten 13 stellt eine Reflektionsfläche des Feldfacettenspiegels 12 dar. Die Feldfacetten 13 sind in mehreren Feldfacetten-Gruppen 15 angeordnet, von denen in der 5 vier Feldfacetten-Gruppen 15 beispielhaft und schematisch dargestellt sind. Tatsächliche Facettenanordnungen des Feldfacettenspiegels 12 können eine größere Anzahl von Feldfacetten-Gruppen 15, eine größere Anzahl von Feldfacetten-Spalten und insgesamt eine größere Anzahl der Feldfacetten 13, beispielsweise mehrere hundert Feldfacetten 13 aufweisen.The field facet mirror 12 As is known from the prior art, an arrangement with a plurality of field facets 13 on top of a common support plate 14 be held (cf. 5 ). When in the 5 The illustrated embodiments are the field facets 13 rectangular. The field facets 13 can also be designed arcuate. The field facets 13 each have the same xy aspect ratio. The entirety of the field facets 13 represents a reflection surface of the field facet mirror 12 dar. The field facets 13 are in several field facet groups 15 arranged, of which in the 5 four field facet groups 15 are shown by way of example and schematically. Actual facet arrangements of the field facet mirror 12 can have a larger number of field facet groups 15 , a larger number of field facet columns and an overall larger number of field facets 13 , for example several hundred field facets 13 exhibit.

Die vom Feldfacettenspiegel 12 reflektierte EUV-Strahlung 8 ist aus einer Vielzahl von Ausleuchtungskanälen, also von Strahlungs-Teilbündeln, aufgebaut, wobei jedes Teilbündel von einer bestimmten Feldfacette 13 reflek tiert wird. Jedes Teilbündel trifft wiederum auf eine dem Teilbündel über den Ausleuchtungskanal zugeordnete Pupillenfacette 16 eines Pupillenfacettenspiegels 17 (vgl. 6).The from the field facet mirror 12 reflected EUV radiation 8th is composed of a multiplicity of illumination channels, that is to say of radiation sub-beams, each sub-beam being of a specific field facet 13 is reflected. Each sub-beam, in turn, strikes a pupil facet associated with the sub-beam via the illumination channel 16 a pupil facet mirror 17 (see. 6 ).

Der Strahlengang eines dieser Ausleuchtungskanäle ist ab dem Pupillenfacettenspiegel 17 in der 1 bis hin zu einer weiteren Pupillenebene innerhalb der Projektionsoptik dargestellt, die in der 1 räumlich zufällig mit der Bildebene 6 zusammenfällt. Die Pupillenfacetten 16 sind auf einer gemeinsamen Trägerplatte 18 des Pupillenfacettenspiegels 17 angeordnet. Die Pupillenfacetten 16 sind rund und dicht gepackt angeordnet, was in der 6 lediglich schematisch wiedergegeben ist. Mit dem Feldfacettenspiegel 12 werden am Ort der Pupillenfacetten 16 des Pupillenfacettenspiegels 17 sekundäre Lichtquellen als Bilder eines Zwischenfokus in der Zwischenfokusebene 11 erzeugt, was nachfolgend noch näher erläutert wird. Der Pupillenfacettenspiegel 17 ist in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 1 angeordnet, die mit einer Pupillenebene der Projektionsoptik zusammenfallt oder zu dieser optisch konjugiert ist. Eine Intensitätsverteilung der EUV-Strahlung 8 auf dem Pupillenfacettenspiegel 16 ist daher direkt korreliert mit einer Beleuchtungswinkelverteilung einer Beleuchtung des Objektfeldes 3 in der Objektebene 4.The beam path of one of these illumination channels is from the pupil facet mirror 17 in the 1 to a further pupil plane within the projection optics shown in the 1 spatially random with the image plane 6 coincides. The pupil facets 16 are on a common support plate 18 of the pupil facet mirror 17 arranged. The pupil facets 16 are arranged round and densely packed, resulting in the 6 is shown only schematically. With the field facet mirror 12 become the place of the pupil facets 16 of the pupil facet mirror 17 secondary light sources as images of an intermediate focus in the intermediate focus plane 11 generated, which will be explained in more detail below. The pupil facet mirror 17 is in a plane of illumination optics 1 arranged, which coincides with a pupil plane of the projection optics or is optically conjugate to this. An intensity distribution of the EUV radiation 8th on the pupil facet mirror 16 is therefore directly correlated with an illumination angle distribution of illumination of the object field 3 in the object plane 4 ,

Mithilfe des Pupillenfacettenspiegels 17 und einer abbildenden optischen Baugruppe in Form einer Übertragungsoptik 19 (vgl. 1) werden die Feldfacetten 13 des Feldfacettenspiegels 12 in das Objektfeld 3 abgebildet. Die Übertragungsoptik 19 hat drei dem Pupillenfacettenspiegel 16 nachgeordnete reflektierende Spiegel 20, 21 und 22. Der letzte Spiegel 22 der Übertragungsoptik 19 im Strahlengang vor dem Objektfeld 3 ist als Spiegel für streifenden Einfall (Gracing Incidence-Spiegel) ausgeführt. Im Regelfall haben die Feldfacetten 13 die Form des auszuleuchtenden Objekt felds 3. Derartige Feldfacetten sind beispielsweise aus der US 6,452,661 . und der US 6,195,201 bekannt. Soweit beispielsweise der letzte Spiegel 22 vor dem Objektfeld 3 eine feldformende Wirkung hat, kann sich die Form der Feldfacetten 13 von der Form des auszuleuchtenden Objektfelds 3 auch unterscheiden.Using the pupil facet mirror 17 and an imaging optical assembly in the form of a transmission optics 19 (see. 1 ) become the field facets 13 of the field facet mirror 12 in the object field 3 displayed. The transmission optics 19 has three pupil facet mirrors 16 downstream reflective mirrors 20 . 21 and 22 , The last mirror 22 the transmission optics 19 in the beam path in front of the object field 3 is designed as a grazing incidence mirror. As a rule, the field facets have 13 the shape of the object field to be illuminated 3 , Such field facets are for example from the US 6,452,661 , and the US 6,195,201 known. So far, for example, the last mirror 22 in front of the object field 3 has a field-shaping effect, the shape of the field facets may 13 of the shape of the object field to be illuminated 3 also different.

2 zeigt eine Aufsicht auf den Kollektor 9. Die Strukturen auf der reflektierenden Oberfläche 10 des Kollektors 9 sind derart ausgeführt, dass über eine Richtungsbeeinflussung der auf die reflektierende Oberfläche 10 auftreffenden EUV-Strahlung 8 an den Strukturen eine Austritts-Divergenz der EUV-Strahlung 8 erzeugt wird, die größer ist als eine Eintritts-Divergenz der EUV-Strahlung 8. 2 shows a view of the collector 9 , The structures on the reflective surface 10 of the collector 9 are designed such that the direction of influence on the reflective surface 10 incident EUV radiation 8th at the structures an exit divergence of the EUV radiation 8th which is greater than an entry divergence of the EUV radiation 8th ,

Beim Kollektor 9 nach 2 sind die Strukturen als konzentrisch um eine zentrale Achse des Kollektors 9 gebogen verlaufende Rillen 23 ausgeführt. Die 2 gibt die Rillen 23 schematisch und in ihrer radialen Dimension übertrieben vergrößert wieder. Tatsächlich haben die Rillen eine typische Dimension (tD) in radialer Richtung im Bereich zwischen 50 μm und 2 mm. Die typische Dimension (tD) stellt den Abstand zwischen zwei benachbarten Rippen in radialer Richtung zwischen benachbarten Rillenerhebungen 24 dar. In der Aufsicht sind die Rillen 23 auf dem Kollektor 9 also so dicht gepackt angeordnet, dass dieser an eine Schallplatte oder an eine Compact Disc erinnert.At the collector 9 to 2 the structures are concentric about a central axis of the collector 9 curved grooves 23 executed. The 2 gives the grooves 23 schematically and exaggerated in its radial dimension increases again. In fact, the grooves have a typical dimension (t D ) in the radial direction in the range between 50 μm and 2 mm. The typical dimension (t D ) represents the distance between two adjacent ribs in the radial direction between adjacent groove elevations 24 In the supervision are the grooves 23 on the collector 9 so tightly packed that it looks like a record or a compact disc.

In der 3 ist schematisch auch die divergenzerhöhende Wirkung der Strukturen in Form der Rillen 23 angedeutet. Die 3 gibt die Rillen 23 sowohl in ihrer radialen als auch in ihrer Höhendimension übertrieben vergrößert wieder. Die auf die reflektierende Oberfläche 10 auftreffende EUV-Strahlung 8 hat beispielhaft eine Eintritts-Divergenz σe von 0 und eine diesbezüglich größere, nämlich eine Strahlaufweitung herbeiführende Austrittsdivergenz σa.In the 3 is also schematically the divergenzerhöhende effect of the structures in the form of grooves 23 indicated. The 3 gives the grooves 23 exaggerated increases both in their radial and in their height dimension. The on the reflective surface 10 impinging EUV radiation 8th is an example of an entry divergence σ e of 0 and a greater in this respect, namely a beam expander outlet inducing divergence σ a.

Eine Flankensteilheit α der Rillen 23 ist in der 3 sehr stark übertrieben dargestellt. Die nochmals vergrößerte 4 verdeutlicht die Definition der Flankensteilheit α. Dort ist ein sinusförmiger Strukturquerschnitt wiedergegeben. Bei der Struktur kann es sich um eine der Rillen 23 oder auch um ein beispielsweise rotationssymmetrisches Einzel-Strukturelement in Form einer Vertiefung 25 und/oder in Form einer Erhebung 26 handeln. Die Flankensteilheit α ist bei dem Sinusverlauf des Querschnitts definiert als der Winkel zwischen einer Hauptebene 27, die der Sinusverlauf beim Nulldurchgang jeweils schneidet, und einer durch einen Wendepunkt des Sinusverlaufes verlaufenden Tangente 28. Entsprechend lässt sich die Flankensteilheit α angeben, wenn anstelle eines Sinusverlaufes ein Einzel-Strukturelement in Form der Vertiefung 25 oder in Form der Erhebung 26 vorliegt. In diesen Fällen ist die Flankensteilheit α definiert als der Winkel zwischen einer das jeweilige Einzel-Strukturelement 25, 26 umgebenden Ebene und einer Tangente, die an das Einzel-Strukturelement 25, 26 in einem Flankenabschnitt angelegt wird. Bei dem Flankenabschnitt, in dem Flankensteilheit α gemessen wird, kann es sich um einen Flankenabschnitt mittlerer Flankensteilheit oder um einen Flankenabschnitt maximaler Flankensteilheit handeln. Soweit in dieser Beschreibung Zahlenangaben zur Flankensteilheit α geliefert werden, sind diese in Flankenabschnitt mittlerer Flankensteilheit gemessen.An edge steepness α of the grooves 23 is in the 3 very much exaggerated. The enlarged again 4 clarifies the definition of slope α. There, a sinusoidal structural cross section is reproduced. The structure may be one of the grooves 23 or also, for example, a rotationally symmetrical single structural element in the form of a depression 25 and / or in the form of a survey 26 act. The edge steepness α is defined at the sinusoidal profile of the cross section as the angle between a main plane 27 in that the sinusoidal curve intersects at the zero crossing, and a tangent passing through a turning point of the sinusoidal course 28 , Correspondingly, the edge steepness α can be indicated if, instead of a sinusoidal curve, a single structural element in the form of the depression 25 or in the form of the survey 26 is present. In these cases, the edge steepness α is defined as the angle between the respective individual structural element 25 . 26 surrounding plane and a tangent to the single structural element 25 . 26 is created in a flank section. The flank section, in which edge steepness α is measured, can be a flank section of mean flank steepness or a flank section of maximum flank steepness. As far as in this description numbers are supplied to the edge steepness α, these are measured in flank section mean slope.

Die Flankensteilheit α beträgt bei der Ausführung nach den 2 bis 4 höchstens 50 mrad. Die typische Flankensteilheit der Strukturen 23, 25, 26 kann auch kleiner sein und höchstens 40 mrad, höchstens 30 mrad, höchs tens 20 mrad, höchstens 10 mrad, höchstens 5 mrad oder höchstens 2,5 mrad betragen.The slope α is in the execution of the 2 to 4 at most 50 mrad. The typical slope of the structures 23 . 25 . 26 It may also be smaller and not more than 40 mrad, not more than 30 mrad, not more than 20 mrad, not more than 10 mrad, not more than 5 mrad or not more than 2,5 mrad.

Für eine typische Dimension der Einzel-Strukturelemente 25, 26 gilt, was vorstehend zur typischen Dimension der Rillen 23 ausgeführt wurde. Die typische Dimension tD ist im Falle der Einzel-Strukturelemente 25, 26 der Durchmesser der Einzel-Strukturelemente 25, 26.For a typical dimension of the single structural elements 25 . 26 what applies above to the typical dimension of the grooves 23 was executed. The typical dimension t D is in the case of the single structural elements 25 . 26 the diameter of the individual structural elements 25 . 26 ,

Eine Strukturtiefe ST der Strukturen 23, 25, 26 beträgt bei der Ausführung nach den 2 bis 4 höchstens 10 μm. Im Falle der Rillen 23 ist die Strukturtiefe ST definiert als der Abstand zwischen einem Rillenberg und einem Rillental senkrecht zur Hauptebene 27. Im Falle der Vertiefung 25 als Strukturelement ist die Strukturtiefe definiert als der Abstand zwischen einem Boden der Vertiefung und der umgebenden Hauptebene 27. Im Falle der Erhebung 26 als Strukturelement ist die Strukturtiefe ST definiert als der Abstand zwischen einer Spitze der Erhebung 26 und der umgebenden Hauptebene 27. Die Strukturtiefe ST der Strukturen 23, 25, 26 kann auch kleiner sein als 10 μm und kann beispielsweise 5 μm, 2 μm, 1 μm, 0,7 μm oder 0,5 μm betragen.A structure depth ST of the structures 23 . 25 . 26 is in the execution of the 2 to 4 at most 10 μm. In the case of the grooves 23 the structure depth ST is defined as the distance between a groove mountain and a groove valley perpendicular to the main plane 27 , In case of deepening 25 as a structural element, the structure depth is defined as the distance between a bottom of the depression and the surrounding main plane 27 , In the case of the survey 26 as a structural element, the structure depth ST is defined as the distance between a peak of the survey 26 and the surrounding main level 27 , The structure depth ST of the structures 23 . 25 . 26 may also be smaller than 10 microns and may be, for example, 5 microns, 2 microns, 1 micron, 0.7 microns or 0.5 microns.

Anhand der 7 und 8 werden Wirkungen verschiedener Ausgestaltungen der Rillen 23 auf eine Intensitätsverteilung der EUV-Strahlung 8 in der Zwischenfokusebene 11 dargestellt.Based on 7 and 8th become effects of various configurations of the grooves 23 on an intensity distribution of the EUV radiation 8th in the Zwischenfokusebene 11 shown.

Bei einem Kollektor nach dem Stand der Technik kann in der Zwischenfokusebene 11 eine gaußförmige Intensitätsverteilung resultieren, wie in der 7 dargestellt. Diese gaußförmige Intensitätsverteilung ist in der 7 durch eine Linie 29 dargestellt. Aufgrund der Wirkung der Rillen 23 auf der reflektierenden Oberfläche 10 des Kollektors 9 ergibt sich eine Tophat- Intensitätsverteilung 30 in der Zwischenfokusebene 11. Über eine in der lokalen, die Zwischenfokusebene 11 aufspannenden xy-Ebene verlaufende Erstreckung mit Weite x0 bzw. y0 hat diese Tophat-Intensitätsverteilung eine weitgehend konstante EUV-Intensität I0, verläuft also auf einem Intensitäts-Plateau.In a collector according to the prior art, in the Zwischenfokusebene 11 a Gaussian intensity distribution result, as in the 7 shown. This Gaussian intensity distribution is in the 7 through a line 29 shown. Due to the effect of the grooves 23 on the reflective surface 10 of the collector 9 this results in a Tophat intensity distribution 30 in the Zwischenfokusebene 11 , About one in the local, the Zwischenfokusbene 11 spanning xy-plane extending extent with width x 0 or y 0 , this Tophat intensity distribution has a largely constant EUV intensity I 0 , so runs on an intensity plateau.

Eine entsprechende Wirkung auf die nachfolgende Abbildung dieser Tophat-Intensitätsverteilung im Zwischenfokus der Zwischenfokusebene 11 auf die einzelnen Pupillenfacetten 16 ist in der 6 verdeutlicht: In der 6 rechts unten sind beispielhaft zwei Quellbilder 31, 32 auf zugeordneten Pupillenfacetten 16 dargestellt, also zwei Bilder des Zwischenfokus in der Zwischenfokusebene 11. Das Quellbild 31 ist dabei Resultat eines Kollektors nach dem Stand der Technik, also ohne die Rillen 23. Das in seinem Querschnitt um etwa einen Faktor 5 größere Quellbild 32 ergibt sich aufgrund der divergenzerhöhenden Wirkung der Rillen 23 auf denn Kollektor 9. Eine Vergrößerung eines Quellbild-Querschnitts aufgrund der Wirkung der Rillen 23 auf die Richtung der dort reflektierten EUV-Strahlung kann je nach erwünschter Quellbildgröße auf den Pupillenfacetten 16 ausgelegt werden. Vergrößerungsfaktoren des Quellbild-Querschnitts im Vergleich zu einem unstrukturierten Kollektor von 1,5, von 2, von 3, von 4, von 5, von 10 und sogar noch größere Vergrößerungsfaktoren sind möglich. Limitiert wird die vorzugebende Vergrößerung lediglich von der Größe der Pupillenfacetten 16.A corresponding effect on the subsequent mapping of this tophat intensity distribution in the intermediate focus of the intermediate focus plane 11 on the individual pupil facets 16 is in the 6 clarified: In the 6 bottom right are exemplary two source images 31 . 32 on assigned pupil facets 16 represented, so two images of the intermediate focus in the Zwischenfokusebene 11 , The source image 31 This is the result of a collector according to the prior art, ie without the grooves 23 , That in its cross section by about a factor 5 larger source image 32 results from the divergence increasing effect of the grooves 23 on the collector 9 , An enlargement of a source image cross-section due to the effect of the grooves 23 the direction of the EUV radiation reflected there may vary depending on the desired source image size on the pupil facets 16 be interpreted. Magnification factors of the source image cross-section compared to an unstructured collector of 1.5, 2, 3, 4, 5, 10 and even larger magnification factors are possible. The specified magnification is limited only by the size of the pupil facets 16 ,

Die Vergrößerung der Quellbilder 32 im Vergleich zu den Quellbildern 31, die bei unstrukturiertem Kollektor entstehen, führt zu einer Nutzung zusätzlicher Beleuchtungswinkel für die Beleuchtung des Objektfeldes 3, da die Pupillenfacettenspiegel 16 vollständiger ausgeleuchtet werden können.The enlargement of the source images 32 compared to the source images 31 , which arise with unstructured collector, leads to the use of additional illumination angle for the illumination of the object field 3 because the pupil facet mirror 16 can be fully illuminated.

10 zeigt schematisch einen Verfahrensablauf bei der Herstellung der Rillen 23, der entsprechend auch zur Herstellung der Vertiefungen 25 und/oder der Erhebungen 26 zum Einsatz kommen kann: Zunächst wird in einem Schritt 33 ein Substrat 34, auf dem die Rillen 23 aufgebracht werden sollen, beispielsweise ein Kollektor- oder ein Spiegel-Grundkörper, bereitgestellt. Das Substrat 34 ist in der 10 gebrochen in einem Querschnitt wiedergegeben. 10 schematically shows a process flow in the production of the grooves 23 , which also according to the preparation of the wells 25 and / or the surveys 26 can be used: First, in one step 33 a substrate 34 on which the grooves 23 should be applied, for example, a collector or a mirror body, provided. The substrate 34 is in the 10 represented broken in a cross section.

Anschließend wird in einem Schritt 35 das Substrat 34 mit einem lichtempfindlichen Fotolack 36 beschichtet. In einem Schritt 37 wird der Fotolack 36 mit Aktivierungslicht 38 mit einem Intensitätsprofil belichtet, das der herzustellenden Strukturierung entspricht. Dann wird in einem Schritt 39 der belichtete Fotolack 36 entwickelt, so dass dort eine Roh-Strukturierung 40 auf der freien Oberfläche des Fotolacks 36 entsteht. Dann erfolgt in einem Schritt 41 mit Ionenstrahlen 42 ein Proportionalätzen der mit dem entwickelten Fotolack 36 beschichteten Substrats 34.Subsequently, in one step 35 the substrate 34 with a photosensitive photoresist 36 coated. In one step 37 becomes the photoresist 36 with activation light 38 exposed with an intensity profile corresponding to the structure to be produced. Then in one step 39 the exposed photoresist 36 designed so that there is a raw structuring 40 on the free surface of the photoresist 36 arises. Then done in one step 41 with ion beams 42 Proportional etching with the developed photoresist 36 coated substrate 34 ,

Die Gestaltung der Roh-Struktur 40 ist so bemessen, dass die unterschiedlichen Ätzraten einerseits des Fotolacks 36 und andererseits des Substrats 34 berücksichtigt sind. Nach dem Proportionalätzen 41 entsteht nach dem Abtrag des Fotolacks 36 auf dem Substrat 34 die herzustellende Struktur, also die Rillen 23 und/oder die Vertiefungen 25. Durch entsprechenden Abtrag um Erhebungen 26 herum können gezielt mit dem Herstellungsverfahren auch die Erhebungen 26 hergestellt werden.The design of the raw structure 40 is dimensioned such that the different etching rates on the one hand of the photoresist 36 and on the other hand, the substrate 34 are considered. After the proportional etching 41 arises after the removal of the photoresist 36 on the substrate 34 the structure to be produced, ie the grooves 23 and / or the depressions 25 , By appropriate removal around surveys 26 The elevations can be targeted around with the manufacturing process 26 getting produced.

Nach dem Proportionalätzen 41 kann noch ein formerhaltendes Polieren der Strukturen 23, 25, 26 erfolgen. Das formerhaltende Polieren kann beispielsweise durch magnetoreologisches Finishing (MRF) erfolgen.After the proportional etching 41 can still a shape-retaining polishing of the structures 23 . 25 . 26 respectively. The shape-retaining polishing can be done for example by magneto-logical finishing (MRF).

Alternativ zur im Zusammenhang mit der 10 beschriebenen Herstellung ist auch eine mechanische Herstellung der Strukturen 23, 25, 26 möglich. Die Rillen 23 können beispielsweise durch spanende Bearbeitung in Form eines Drehprozesses, der am Kollektor- bzw. Spiegel-Grundkörper durchgeführt wird, hergestellt werden.Alternatively to in connection with the 10 also described is a mechanical production of the structures 23 . 25 . 26 possible. The grooves 23 For example, they can be made by machining in the form of a turning process performed on the collector or mirror body.

11 zeigt eine Anordnung der Vertiefungen 25 und/oder der Erhebungen 26 als Einzel-Strukturelemente auf einer Variante des Kollektors 9. Die Strukturen 25, 26 sind in der 11 lediglich schematisch in einem in der 11 linken Abschnitt des Kollektors 9 angedeutet. Die Einzel-Strukturelemente 25, 26 sind rotationssymmetrisch und voneinander beabstandet und in der Ausführung nach 11 Array-artig, also in Zeilen und Spalten, angeordnet. 11 shows an arrangement of the wells 25 and / or the surveys 26 as individual structural elements on a variant of the collector 9 , The structures 25 . 26 are in the 11 only schematically in a in the 11 left section of the collector 9 indicated. The single structural elements 25 . 26 are rotationally symmetric and spaced from each other and in the execution of 11 Array-like, arranged in rows and columns.

12 zeigt eine Variante eines Querschnitts einer Struktur 42, bei der es sich wiederum um eine Rille nach Art der Rille 23 oder um ein Einzel-Strukturelement in Form einer Vertiefung handeln kann. Komponenten und Bezugsgrößen, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die 1 bis 11 bereits erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen erläutert. Die Struktur 42 ist kegelförmig. Eine Flankensteilheit α stellt den Winkel einer Kegelflanke 43 der Struktur 42 zur Hauptebene 27 dar. 12 shows a variant of a cross section of a structure 42 , which in turn is a groove on the type of groove 23 or may be a single structural element in the form of a depression. Components and references corresponding to those described above with reference to FIGS 1 to 11 have already been explained, bear the same reference numbers and will not be explained again in detail. The structure 42 is cone-shaped. An edge steepness α represents the angle of a cone flank 43 the structure 42 to the main level 27 represents.

Anstelle von oder zusätzlich zu Strukturen 42 nach Art kegelförmiger Vertiefungen können auch Strukturen genutzt werden, die als kegelförmige Erhebungen ausgeführt sind.Instead of or in addition to structures 42 In the manner of conical depressions, it is also possible to use structures which are designed as conical elevations.

Anhand der 13 wird nachfolgend eine weitere Ausführung einer Projektionsbelichtungsanlage der EUV-Mikrolithographie mit einer Beleuch tungsoptik 44 beschrieben. Komponenten und Bezugsgrößen, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die 1 bis 12 bereits erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert. Vom grundsätzlichen Aufbau her ist die Projektionsbelichtungsanlage nach 13 aus der EP 1 225 481 A2 (vgl. dort 20) bekannt.Based on 13 Below is another embodiment of a projection exposure system of EUV microlithography with a lighting optics 44 described. Components and references corresponding to those described above with reference to FIGS 1 to 12 already described, bear the same reference numbers and will not be discussed again in detail. From the basic structure, the projection exposure system is after 13 from the EP 1 225 481 A2 (see there 20 ) known.

Die Beleuchtungsoptik 44 hat anstelle des Kollektors 9 einen genesteten Kollektor 45 mit einer Mehrzahl von Kollektorschalen, von denen in der 13 vier dargestellt sind. Im Strahlengang zwischen dem Kollektor 45 und dem Zwischenfokus Z in der Zwischenfokusebene 11 ist ein Umlenk-Planspiegel 46 angeordnet. Der Umlenk-Planspiegel 46 kann die Funktion eines Spektralfilters haben, wie in der EP 1 225 481 A2 erläutert.The illumination optics 44 has instead of the collector 9 a nested collector 45 with a plurality of collector shells, of which in the 13 four are shown. In the beam path between the collector 45 and the intermediate focus Z in the intermediate focus plane 11 is a deflection plane mirror 46 arranged. The deflecting plane mirror 46 can have the function of a spectral filter as in the EP 1 225 481 A2 explained.

Die Projektionsbelichtungsanlage nach 13 ist vom Scanner-Typ. Während des Betriebs der Projektionsbelichtungsanlage werden ein Retikelhalter 47, der das in der 13 nicht näher dargestellte Retikel 7 trägt, und ein Waferhalter 48, der den nicht näher dargestellten Wafer trägt, jeweils in der y-Richtung kontinuierlich einerseits in der Objektebene 4 und andererseits in der Bildebene 6 verlagert, wie durch Richtungspfeile 49a angedeutet.The projection exposure system according to 13 is of the scanner type. During operation of the projection exposure apparatus become a reticle holder 47 that in the 13 not shown reticle 7 carries, and a wafer holder 48 , which carries the wafer not shown in detail, in each case in the y-direction continuously on the one hand in the object plane 4 and on the other hand in the picture plane 6 displaced as by directional arrows 49a indicated.

Im Strahlengang zwischen dem Objektfeld 3 und dem Bildfeld 5 ist in der 13 eine Projektionsoptik 49 mit insgesamt sechs die EUV-Strahlung 8 reflektierenden Spiegeln M1 bis M6 dargestellt.In the beam path between the object field 3 and the image field 5 is in the 13 a projection optics 49 with a total of six the EUV radiation 8th reflecting mirrors M1 to M6 shown.

Die Lichtquelle 2, der Kollektor 45 und der Umlenk-Planspiegel 46 sind in einer eigenen, von der restlichen Projektionsbelichtungsanlage separaten Kammer 50 untergebracht. Diese hat im Bereich einer Kammerwand 51, die mit der Zwischenfokusebene 11 zusammenfällt, eine Öffnung zum Durchtritt des dort einen kleinen Querschnitt aufweisenden Bündels der EUV-Strahlung 8.The light source 2 , the collector 45 and the deflecting plane mirror 46 are in their own, separate from the rest of the projection exposure system chamber 50 accommodated. This has in the area of a chamber wall 51 that with the Zwischenfokusebene 11 coincides, an opening for the passage of there has a small cross-section bundle of EUV radiation 8th ,

Der Kollektor 45 hat auf seiner reflektierenden Oberfläche 10 Strukturen nach Art der Strukturen 23, 25, 26, die vorstehend im Zusammenhang mit der Ausführung nach den 1 bis 12 bereits erläutert wurden. Dies wird nachfolgend anhand der 14 und 15 erläutert. Die 14 zeigt eine den 2 und 11 entsprechende Aufsicht auf den Kollektor 45, wobei drei Kollektorschalen 52, 53, 54 dargestellt sind. Details zum prinzipiellen Aufbau des Kollektors 45 nach den 13 bis 15 können der EP 1 225 481 A2 entnommen werden.The collector 45 has on its reflective surface 10 Structures by type of structures 23 . 25 . 26 , which in the context of the execution according to the 1 to 12 already explained. This will be explained below with reference to 14 and 15 explained. The 14 shows a the 2 and 11 appropriate supervision of the collector 45 , where three collector cups 52 . 53 . 54 are shown. Details on the basic structure of the collector 45 after the 13 to 15 can the EP 1 225 481 A2 be removed.

Anhand der mittleren Kollektorschale 53 ist die Ausgestaltung der Strukturen als Rillen 23 verdeutlicht. Die Darstellung in der 14 ist wiederum, ähnlich zu derjenigen der 2, sehr grob. Tatsächlich gilt, was die typische Dimension der Rillen 23 angeht, das, was vorstehend im Zusammenhang mit der Ausführung nach 2 erläutert wurde.Based on the middle collector shell 53 is the configuration of the structures as grooves 23 clarified. The presentation in the 14 is in turn similar to that of 2 , very coarse. Indeed, what is the typical dimension of the grooves 23 As far as this is concerned, in connection with the execution according to 2 was explained.

Im linken unteren Bereich der äußeren Kollektorschale 54 sind Einzel-Strukturelemente, also Vertiefungen bzw. Dellen 25 und/oder Erhebungen 26 angedeutet, die als Alternative zu den Rillen 23 auf den Kollektorschalen 52 bis 54 des Kollektors 45 angebracht sein können. Grundsätzlich ist es auch möglich, bei Kollektor 45 einzelne der Kollektorschalen mit Einzel-Strukturelementen nach Art der Vertiefungen 25 und/oder der Erhebungen 26 und andere der Kollektorschalen mit den Rillen 23 auszugestalten.In the lower left area of the outer collector shell 54 are single structural elements, ie depressions or dents 25 and / or surveys 26 indicated as an alternative to the grooves 23 on the collector bowls 52 to 54 of the collector 45 can be attached. Basically it is also possible at collector 45 individual of the collector shells with individual structural elements on the type of wells 25 and / or the surveys 26 and others of the collector cups with the grooves 23 embody.

Zu beachten ist, dass die Kollektorschalen des Kollektors 45 in Strahlrichtung der EUV-Strahlung 8 so angeordnet sind, dass ein sehr großer Einfallswinkel der EUV-Strahlung 8 auf den Kollektorschalen resultiert, wie aus der 15 hervorgeht, wo neben den drei Kollektorschalen 52 bis 54 noch eine vierte, äußere Kollektorschale 55 des Kollektors 45 dargestellt ist. Die Angaben für die typische Dimension tD der Strukturen 23, 25 und 26 beziehen sich auf eine Projektion der Strukturen in der einfallenden Strahlrichtung der EUV-Strahlung 8. Dies bedeutet, dass beispielsweise die Strukturen auf der am steilsten angestellten inneren Kollektorschale 52 des Kollektors 45 in der xz-Ebene, die in der 15 dargestellt ist, sehr viel weiter ausgedehnt ausgebildet sind, als in der hierzu senkrechten xy-Ebene.It should be noted that the collector shells of the collector 45 in the beam direction of the EUV radiation 8th are arranged so that a very large angle of incidence of the EUV radiation 8th on the collector shells results, as from the 15 shows where next to the three collector bowls 52 to 54 still a fourth, outer collector shell 55 of the collector 45 is shown. The data for the typical dimension t D of the structures 23 . 25 and 26 refer to a projection of the structures in the incident beam direction of the EUV radiation 8th , This means that, for example, the structures on the steepest set inner collector shell 52 of the collector 45 in the xz plane, which is in the 15 is shown formed much wider than in the perpendicular xy plane.

Alternativ oder zusätzlich zu den Kollektoren 9, 45 der vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiele kann die mit den vorstehend beschriebenen Strukturen versehene optische Komponente auch ein Spiegel M sein, der zwischen dem Pupillenfacettenspiegel 17 und der Objektebene 4 im Strahlengang der EUV-Strahlung 8 angeordnet ist. Dies wird nachfolgend am Beispiel des Spiegels 22 für streifenden Einfall und zusätzlich anhand der 16 bis 18 erläutert. Dargestellt ist die Variante, bei der der Spiegel 22 für streifenden Einfall Einzel-Strukturelemente aufweist. In den 16 bis 18 ist eine Variante dargestellt, bei der sowohl Vertiefungen 25 als auch Erhebungen 26 auf der reflektierenden Oberfläche 10 des Spiegels 22 für streifenden Einfall angeordnet sind. Die Darstellung nach den 16 bis 18 ist schematisch und dimensionsmäßig ähnlich übertrieben vergrößert wie die bereits erläuterten 2 bis 4, 10 bis 12 und 14.Alternatively or in addition to the collectors 9 . 45 In the embodiments described above, the optical component provided with the structures described above may also be a mirror M which is located between the pupil facet mirror 17 and the object plane 4 in the beam path of the EUV radiation 8th is arranged. This will be explained below using the example of the mirror 22 for grazing incidence and additionally based on the 16 to 18 explained. Shown is the variant in which the mirror 22 for grazing incidence has single structural elements. In the 16 to 18 a variant is shown in which both wells 25 as well as surveys 26 on the reflective surface 10 of the mirror 22 arranged for grazing incidence. The representation after the 16 to 18 is schematically and dimensionally similar exaggerated enlarged as those already explained 2 to 4 . 10 to 12 and 14 ,

16 zeigt eine Aufsicht auf den Spiegel 22 für streifenden Einfall, gesehen in einer Blickrichtung senkrecht zur reflektierenden Oberfläche 10 von diesem. Sowohl die Vertiefungen 25 als auch die Erhebungen 26 haben in der y-Richtung eine Ausdehnung, die ein Vielfaches der Ausdehnung der Strukturen 25, 26 in der x-Richtung beträgt. Das y/x-Ausdehnungsverhältnis der Strukturen 25, 26 ist so, dass in der Projektion des Spiegels 22 für streifenden Einfall in Richtung der einfallenden EUV-Strahlung 8, wobei diese Projektion in der 18 dargestellt ist, die Strukturen 25, 26 rotationssymmetrisch, also rund, erscheinen. 16 shows a view of the mirror 22 for grazing incidence, seen in a direction perpendicular to the reflective surface 10 of this. Both the wells 25 as well as the surveys 26 have an extension in the y-direction, which is a multiple of the extent of the structures 25 . 26 in the x direction. The y / x expansion ratio of the structures 25 . 26 is such that in the projection of the mirror 22 for grazing incidence in the direction of incident EUV radiation 8th , this projection in the 18 is shown, the structures 25 . 26 rotationally symmetric, so round, appear.

In der 17 ist ein Ausschnitt des Spiegels 22 für streifenden Einfall gebrochen dargestellt. Die Darstellung nach 17 ist ähnlich übertrieben vergrößert wie die vorstehend beschriebene 3. Dargestellt ist ein Ausschnitt der reflektierenden Oberfläche 10 mit genau einer Vertiefung 25 und genau einer Erhebung 26. Natürlich ist auch eine Gestaltung des Spiegels 22 ausschließlich mit Vertiefungen 25 oder ausschließlich mit Erhebungen 26 möglich.In the 17 is a section of the mirror 22 shown broken for grazing incidence. The representation after 17 is similarly exaggeratedly enlarged as the one described above 3 , Shown is a section of the reflective surface 10 with exactly one depression 25 and exactly one survey 26 , Of course, there is also a design of the mirror 22 only with wells 25 or exclusively with surveys 26 possible.

Anhand der 19 und 20 wird nachfolgend die Wirkung eines zwischen dem Pupillenfacettenspiegel 17 und dem Retikel 7 angeordneten Spiegels M, der mit Strukturen 23, 25, 26 nach Art derjenigen versehen ist, die vorstehend im Zusammenhang mit den 1 bis 18 erläutert, beschrieben.Based on 19 and 20 below, the effect of one between the pupil facet mirror 17 and the reticle 7 arranged mirror M, with structures 23 . 25 . 26 provided in the manner of those referred to above in connection with 1 to 18 described, described.

Bei dem die Strukturen 23 bzw. 25 bzw. 26 tragenden Spiegel M zwischen denn Pupillenfacettenspiegel 17 und der Objektebene 4 handelt es sich vorzugsweise um einen feldnahen Spiegel, bei dem die richtungsbeeinflussende Wirkung auf die EUV-Strahlung 8 durch die Strukturen im Wesentlichen einen Effekt auf den Beleuchtungswinkel, nicht aber auf den Beleuchtungsort hat.In which the structures 23 respectively. 25 respectively. 26 wearing M mirror between for pupil facet mirror 17 and the object plane 4 it is preferably a near-field mirror, in which the direction-influencing effect on the EUV radiation 8th essentially through the structures has an effect on the lighting angle, but not on the lighting location.

Dargestellt sind in der 19 Pupillenrandstrahlen 56, 57 der EUV-Strahlung 8, die auf einen Objektpunkt 58 des Retikels 7 treffen. Gesehen von diesem Objektpunkt 58 spannt der Pupillenfacettenspiegel 17 einen durch die Pupillenrandstrahlen 56, 57 begrenzten Lichtkegel auf. Dieser Lichtkegel hat einen Schwerpunktstrahl S, der in den 19 und 20 strichpunktiert wiedergegeben ist. Die Pupillenrandstrahlen 56, 57 beleuchten auf denn Spiegel M eine Fläche, die in der yz-Ebene eine Erstreckung B hat.Shown in the 19 Pupil edge rays 56 . 57 the EUV radiation 8th pointing to an object point 58 of the reticle 7 to meet. Seen from this object point 58 tense the pupil facet mirror 17 one through the pupil edge rays 56 . 57 limited light cone on. This cone of light has a center of gravity S, which in the 19 and 20 is shown in phantom. The pupils edge rays 56 . 57 For mirror M, an area that has an extension B in the yz plane is illuminated.

In der 19 ist weiterhin ein einen Ausleuchtungskanal repräsentierender Ausleuchtungskegel 59, ausgehend von einem Zentrum einer der Pupillenfacetten 16, dargestellt. Der Ausleuchtungskegel 59 ist begrenzt durch Randstrahlen, die auf die y-Ränder des Objektfeldes 3 treffen. Der Ausleuchtungskegel 59 beleuchtet auf dem Spiegel M eine Fläche, die in der yz-Ebene eine Erstreckung A hat. Die Erstreckung B kann 95 mm betragen. Die Erstreckung A kann 10 mm betragen.In the 19 is also an illumination cone representing an illumination channel 59 , starting from a center of one of the pupil facets 16 represented. The illumination cone 59 is bounded by marginal rays pointing to the y edges of the object field 3 to meet. The illumination cone 59 illuminated on the mirror M, a surface which has an extension A in the yz plane. The extension B can be 95 mm. The extension A can be 10 mm.

Der Ausleuchtungskegel 59 beleuchtet auf dem Spiegel M eine Fläche, deren Erstreckung in der yz-Ebene (Zeichenebene der 19) in der 19 mit A angegeben ist.The illumination cone 59 illuminated on the mirror M, a surface whose extension in the yz plane (plane of the 19 ) in the 19 with A is specified.

Aufgrund der Strukturen auf dem Spiegel M, bei denen es sich um Strukturen nach Art der Rillen 23, der Vertiefungen 25 und/oder der Erhebungen 26 handeln kann, ergibt sich eine divergenzerhöhende Richtungsbeeinflussung, die in der 20 schematisch dargestellt ist.Due to the structures on the mirror M, which are structures on the type of grooves 23 , the wells 25 and / or the surveys 26 can lead to a divergenzerhöhende directional influence, which in the 20 is shown schematically.

Die einfallenden Strahlen 8e 1 , 8e 2 und 8e 3 der EUV-Strahlung 8 auf den Spiegel M sind wieder idealisiert mit einer Eintritts-Divergenz σe von 0 dargestellt. Analog zu dem, was vorstehend im Zusammenhang mit der 3 erläutert wurde, erzeugen die Strukturen 23, 25, 26 auf dem Spiegel M aus den einfallenden Strahlen 8e 1 , 8e 2 , 8e 3 ausfallende Strahlen 8a 1 , 8a 2 , 8a 3 mit einer jeweiligen Austritts-Divergenz von σa. Dies führt, im EUV-Strahlengang rückwärts vom Retikel 7 hin zum Pupillenfacettenspiegel 17 betrachtet, zu folgendem Effekt: Der Objektpunkt 58 sieht aufgrund der Wirkung der Strukturen 23 bzw. 25 bzw. 26 auf dem Spiegel M Licht aus einer Richtungsverteilung, die sich aus einer Überlagerung von Beleuchtungsrichtungen, ausgehend von den Pupillenfacettenspiegeln 17 ergibt, von denen die einfallenden Beleuchtungsstrahlen 8e 1 , 8e 2 , 8e 3 ausgehen. Der Objektpunkt 58 sieht daher die Beleuchtung nicht mehr aus diskreten, von den Orten der Pupillenfacetten 16 definierten Beleuchtungsrichtungen, sondern als Überlagerung der aufgrund der Divergenzvergrößerung in ihrer Winkelbandbreite erweiterten Facettenrichtungen. Zwischenräume ZR (vgl. 20) zwischen benachbarten Pupillenfacetten 16 des Pupillenfacettenspiegels 17 führen dann nicht mehr zu einer Unterbrechung des Winkelkontinuums, welches der Objektpunkt 58 sieht.The incident rays 8 e 1 . 8 e 2 and 8 e 3 the EUV radiation 8th on the mirror M are represented again idealized with an entry divergence σ e of 0. Analogous to what was mentioned above in connection with the 3 explained, create the structures 23 . 25 . 26 on the mirror M from the incident rays 8 e 1 . 8 e 2 . 8 e 3 failing rays 8 a 1 . 8 a 2 . 8 a 3 with a respective exit divergence of σ a . This leads, in the EUV beam path backwards from the reticle 7 towards the pupil facet mirror 17 considered, to the following effect: The object point 58 looks due to the effect of the structures 23 respectively. 25 respectively. 26 on the mirror M light from a directional distribution, resulting from a superposition of illumination directions, starting from the pupil facet mirrors 17 indicates, of which the incident illumination beams 8 e 1 . 8 e 2 . 8 e 3 out. The object point 58 Therefore, the lighting is no longer discrete, from the places of the pupil facets 16 defined illumination directions, but as a superposition of the extended due to the divergence magnification in their angular bandwidth facet directions. Interspaces ZR (cf. 20 ) between adjacent pupil facets 16 of the pupil facet mirror 17 then no longer lead to an interruption of the angular continuum, which the object point 58 sees.

Um das Winkelkontinuum für die Objektpunkte 58 des Objektfeldes 3 wirksam zu vergleichmäßigen, sind die Strukturen 23, 25, 26 auf dem Spiegel M so ausgestaltet, dass sie eine vorgegebenen Intensitätsverteilung der einfallenden EUV-Strahlung 8e in eine Dreiecks-Intensitätsverteilung der ausfallenden EUV-Strahlung 8a überführen. Eine derartige Dreiecks-Intensitätsverteilung 60 ist in der 9 dargestellt. Durch Überlagerung entsprechender Dreiecks-Intensitätsverteilungen 60, 60' ergibt sich im Objektfeld 3 eine Intensitätsbeaufschlagung mit konstanter Intensität I0, wie in der 9 ebenfalls angedeutet.Around the angular continuum for the object points 58 of the object field 3 effectively uniform, are the structures 23 . 25 . 26 on the mirror M designed so that they have a predetermined intensity distribution of the incident EUV radiation 8 e in a triangular intensity distribution of the precipitated EUV radiation 8 a convict. Such a triangular intensity distribution 60 is in the 9 shown. By superposition of corresponding triangular intensity distributions 60 . 60 ' results in the object field 3 an intensity of constant intensity intensity I 0 , as in 9 also indicated.

Anstelle einer Tophat-Verteilung nach 8 oder einer Dreiecks-Verteilung nach 9 kann auch eine gaußförmige Intensitätsverteilung mit einem 1/e2-Wert am jeweiligen Rand der von den Austritts-Strahlen 8a erzeugten Streukegel gebildet sein.Instead of a Tophat distribution after 8th or a triangular distribution after 9 may also have a Gaussian intensity distribution with a 1 / e 2 value at each edge of the exit beams 8a be formed scattered cones.

Die Austritts-Divergenz σa der vom Spiegel M reflektierten EUV-Teilstrahlen 8a 1 , 8a 2 , 8a 3 kann so groß gewählt werden, dass diese Austrittsdivergenz σa, die auch als Streuwinkel bezeichnet ist, im vom Retikel 7 hin zum Pupillenfacettenspiegel 17 rückwärts betrachteten Strahlengang zu einem Randstrahlen-Abstand APF führt, der dem doppelten Abstand zweier Pupillenfacetten 16 zueinander entspricht, wie in der 20 dargestellt.The exit divergence σ a of the EUV partial beams reflected by the mirror M 8 a 1 . 8 a 2 . 8 a 3 can be chosen so large that this exit divergence σ a , which is also referred to as the scattering angle, im from the reticle 7 towards the pupil facet mirror 17 backward considered beam path leads to an edge-beam distance A PF , which is twice the distance between two pupil facets 16 corresponds to each other, as in the 20 shown.

Die Wirkung der Strukturen 23, 25, 26 ist so, dass sich die Richtung des Schwerpunktstrahls S um nicht mehr als 10% und insbesondere um nicht mehr als 1% eines Vorgabewerts für einen Gesamt-Telezentriefehler der Beleuchtungsoptik 1 bzw. 44 ändert. Dies gilt für jeden Objektfeldpunkt.The effect of the structures 23 . 25 . 26 is such that the direction of the centroid ray S is not more than 10% and in particular not more than 1% of a default value for a total telecentricity error of the illumination optics 1 respectively. 44 changes. This applies to every object field point.

Zwischen den Pupillenfacettenspiegel 17 und dem strukturtragenden Spiegel 22 bzw. M kann ein Strahlweg für die EUV-Strahlung 8 von 2 m liegen. Zwischen dem strukturtragenden Spiegel 22 bzw. M und dem Retikel 7 kann ein Strahlweg für die EUV-Strahlung 8 von 100 mm liegen.Between the pupil facet mirror 17 and the structure-bearing mirror 22 or M can be a beam path for the EUV radiation 8th of 2 m. Between the structure-bearing mirror 22 or M and the reticle 7 can be a beam path for the EUV radiation 8th of 100 mm.

Die durch den Kegel mit den Pupillenrandstrahlen 56, 57 vorgegebene numerische Apertur (NA in der 19) kann 0,05 betragen. Ein Abstand benachbarter der Pupillenfacettenspiegel 16 kann 20 mm betragen. Es ergibt sich, gesehen vorn Objektfeld 3 her, ein diesem Abstand entsprechender Beleuchtungswinkel von 0,01 rad. Die Strukturen 23, 25, 26. auf dem Spiegel M sind so gewählt, dass sie eine Austrittsdivergenz σa bzw. einen Streuwinkel erzeugen, der einem 1/e2-Intensitätswert von 0,01 rad oder von 0,02 rad entspricht.The through the cone with the pupil edge rays 56 . 57 given numerical aperture (NA in the 19 ) can be 0.05. A distance of adjacent pupil facet mirrors 16 can be 20 mm. It results, seen from the object field 3 Her, an illumination angle corresponding to this distance of 0.01 rad. The structures 23 . 25 . 26 , on the mirror M are chosen to produce an exit divergence σ a or a scattering angle corresponding to a 1 / e 2 intensity value of 0.01 rad of 0.02 rad.

Ein über jeden der Ausleuchtungskegel 59 integrierter Ablenkwinkel durch die Strukturen 23, 25, 26 auf den Spiegel M schwankt integriert um nicht mehr als 0,03 rad bis 0,3 rad.An over each of the illumination cone 59 integrated deflection angle through the structures 23 . 25 . 26 on the mirror M fluctuates integrated by no more than 0.03 rad to 0.3 rad.

Die Vertiefungen 25 bzw. die Erhebungen 26 können beispielsweise einen Durchmesser von 50 μm haben. Innerhalb der durch den Abstand A charakterisierten Fläche können zum Beispiel 30 000 derartiger Strukturen 25, 26 untergebracht sein. Bei einer maximalen Austritts-Divergenz, also einem maximalen, von den Strukturen 23, 25, 26 erzeugten Randwinkel, von 0,005 rad ergibt sich ein hieraus resultierender integrierter Ablenkwinkel aller 30 000 Strukturen 25, 26 von 0,06 mrad.The wells 25 or the surveys 26 For example, they can have a diameter of 50 μm. Within the area characterized by the distance A, for example, 30,000 of such structures 25 . 26 be housed. At a maximum exit divergence, ie a maximum, of the structures 23 . 25 . 26 generated contact angle of 0.005 rad results in a resulting integrated deflection angle of all 30 000 structures 25 . 26 of 0.06 mrad.

Die Strukturen 23, 25, 26 können eine typische Dimension zwischen 0,05 und 0,3 mm haben.The structures 23 . 25 . 26 can have a typical dimension between 0.05 and 0.3 mm.

Die Richtungsbeeinflussung der EUV-Strahlung 8 durch die Strukturen 23, 25, 26 kann durch Reflexion, kann durch Streuung, kann aber auch durch Beugung erfolgen.The directional influence of EUV radiation 8th through the structures 23 . 25 . 26 can be due to reflection, can be due to scattering, but can also be done by diffraction.

Zur Herstellung eines mikro- oder nanostrukturierten Bauteils wird die Projektionsbelichtungsanlage 1 folgendermaßen eingesetzt: Zunächst werden das Retikel 7 und der Wafer bereitgestellt. Dann wird eine Struktur auf dem Retikel 7 auf eine lichtempfindliche Schicht des Wafers mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage projiziert. Durch Entwicklung der lichtempfindlichen Schicht wird dann eine Mikrostruktur auf dem Wafer und somit das mikro- bzw. nanostrukturierte Bauteil erzeugt.The projection exposure apparatus is used to produce a microstructured or nanostructured component 1 used as follows: First, the reticle 7 and the wafer provided. Then a structure on the reticle 7 projected onto a photosensitive layer of the wafer by means of the projection exposure apparatus. By developing the photosensitive layer, a microstructure is then produced on the wafer and thus the microstructured or nanostructured component.

Die optisch reflektierende Komponente 9, 45, 22, M, für die vorstehend verschiedene Ausführungsvarianten beschrieben wurden, kann, wie auch die anderen EUV-Spiegel der Beleuchtungsoptiken 1 bzw. 44 noch mit einer die Reflektivität steigernden Multilager-Beschichtung versehen sein, wie dies grundsätzlich aus dem Stand der Technik bekannt ist.The optically reflective component 9 . 45 . 22 , M, for the above different embodiments have been described, as well as the other EUV mirrors of the illumination optics 1 respectively. 44 be provided with a reflectivity-enhancing multi-layer coating, as is generally known from the prior art.

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • - DE 102007045369 A1 [0002] DE 102007045369 A1 [0002]
  • - EP 1225481 A2 [0002, 0065, 0066, 0070] - EP 1225481 A2 [0002, 0065, 0066, 0070]
  • - EP 1120670 B [0002] EP 1120670 B [0002]
  • - WO 2008/145568 A1 [0002] WO 2008/145568 A1 [0002]
  • - DE 102007045396 A1 [0038] - DE 102007045396 A1 [0038]
  • - US 6452661 [0045] - US 6452661 [0045]
  • - US 6195201 [0045] US 6195201 [0045]

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Optische reflektierende Komponente (9; 45; 22; M) zum Einsatz in einer Beleuchtungsoptik (1) für eine Projektionsbelichtungsanlage der EUV-Mikrolithographie – mit statischen Strukturen (23; 25; 26) auf einer reflektierenden Oberfläche (10) derart, dass über eine Richtungsbeeinflussung von auf die reflektierende Oberfläche (10) auftreffender EUV-Strahlung (8) an den Strukturen (23; 25; 26) eine Austritts-Divergenz (σa) der EUV-Strahlung (8) erzeugt wird, die größer ist als eine Eintritts-Divergenz (σe) der EUV-Strahlung (8).Optical reflective component ( 9 ; 45 ; 22 ; M) for use in a lighting optical system ( 1 ) for a projection exposure machine of EUV microlithography - with static structures ( 23 ; 25 ; 26 ) on a reflective surface ( 10 ) such that a directional influence of the reflective surface ( 10 ) impacting EUV radiation ( 8th ) on the structures ( 23 ; 25 ; 26 ) an exit divergence (σ a ) of the EUV radiation ( 8th ) which is greater than an entry divergence (σ e ) of the EUV radiation ( 8th ). Optische reflektierende Komponente nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Strukturen (23; 25; 26) derart dimensioniert sind, dass die Richtungsbeeinflussung über eine Reflexion und/oder eine Streuung und/oder eine Beugung der EUV-Strahlung (8) erfolgt.Optical reflecting component according to claim 1, characterized in that the structures ( 23 ; 25 ; 26 ) are dimensioned such that the direction influencing via a reflection and / or a scattering and / or a diffraction of the EUV radiation ( 8th ) he follows. Optische reflektierende Komponente nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Strukturen als gebogen verlaufende Rillen (23) ausgeführt sind.Optical reflecting component according to Claim 1 or 2, characterized in that the structures are in the form of curved grooves ( 23 ) are executed. Optische reflektierende Komponente nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Strukturen, gesehen in Strahlrichtung der EUV-Strahlung (8) auf die reflektierende Oberfläche (10) zu, als voneinander beabstandete und insbesondere rotationssymmetrische Einzel-Strukturelemente (25; 26) ausgführt sind.Optical reflecting component according to claim 1 or 2, characterized in that the structures, seen in the beam direction of the EUV radiation ( 8th ) on the reflective surface ( 10 ), as spaced-apart and in particular rotationally symmetrical individual structural elements ( 25 ; 26 ) are executed. Optische reflektierende Komponente nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Strukturen (23; 25; 26), gesehen in Strahlrichtung der EUV-Strahlung (8) auf die reflektierende Oberfläche (10) zu, eine typische Dimension (tD) im Bereich zwischen 1 μm und 10 min haben.Optical reflecting component according to one of Claims 1 to 4, characterized in that the structures ( 23 ; 25 ; 26 ), viewed in the beam direction of the EUV radiation ( 8th ) on the reflective surface ( 10 ) to have a typical dimension (t D ) in the range between 1 μm and 10 min. Optische reflektierende Komponente nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Strukturen (23; 25; 26) eine typische Flankensteilheit (α) von höchstens 50 mrad aufweisen.Optical reflecting component according to one of Claims 1 to 5, characterized in that the structures ( 23 ; 25 ; 26 ) have a typical edge steepness (α) of at most 50 mrad. Optische reflektierende Komponente nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die optische Komponente einen Kollektor (9; 45) darstellt, der einer EUV-Strahlungsquelle (2) zum Sammeln der von dieser emittierten EUV-Strahlung (8) nachgeordnet ist.Optical reflecting component according to one of claims 1 to 6, characterized in that the optical component is a collector ( 9 ; 45 ), which is an EUV radiation source ( 2 ) for collecting the emitted EUV radiation ( 8th ) is subordinate. Optisch reflektierende Komponente nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die optische reflektierende Komponente einen Spiegel (22; M) darstellt, der zur Anordnung zwischen einem Pupillenfacettenspiegel (17) und einer Objektebene (4) einer Beleuchtungsoptik (1) des Beleuchtungssystems (1, 2) ausgeführt ist.Optically reflecting component according to one of claims 1 to 6, characterized in that the optical reflecting component comprises a mirror ( 22 ; M) arranged to be arranged between a pupil facet mirror ( 17 ) and an object plane ( 4 ) an illumination optics ( 1 ) of the lighting system ( 1 . 2 ) is executed. Verfahren zur Herstellung von Strukturen (23; 25; 26) auf einer optischen reflektierenden Komponente (9; 45; 22; M) nach einem der Ansprüche 1 bis 8 mit folgenden Schritten: – Bereitstellen (33) eines Substrats (34), – Beschichten (35) des Substrats (34) mit einem Fotolack (36), – Belichten (37) des Fotolack (36) mit Aktivierungslicht (38) mit einem Intensitätsprofil, das der herzustellenden Strukturierung entspricht, – Entwickeln (39) des belichteten Fotolacks (36), – Proportionalätzen (41) des mit dem entwickelten Fotolack (36) beschichteten Substrats (34).Process for the production of structures ( 23 ; 25 ; 26 ) on an optical reflecting component ( 9 ; 45 ; 22 ; M) according to any one of claims 1 to 8, comprising the following steps: 33 ) of a substrate ( 34 ), - coating ( 35 ) of the substrate ( 34 ) with a photoresist ( 36 ), - exposure ( 37 ) of the photoresist ( 36 ) with activation light ( 38 ) with an intensity profile which corresponds to the structure to be produced, - develop ( 39 ) of the exposed photoresist ( 36 ), - Proportional rates ( 41 ) of the developed photoresist ( 36 ) coated substrate ( 34 ). Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Proportionalätzen (41) ein formerhaltendes Polieren der hergestellten optischen Komponente erfolgt.Method according to claim 9, characterized in that after the proportional 41 ) a shape-retaining polishing of the optical component produced takes place. Beleuchtungsoptik (1) zur Beleuchtung eines Objektfeldes (3) einer Projektionsbelichtungsanlage der EUV-Mikrolithographie mit einer optischen reflektierenden Komponente (9; 45; 22; M) nach einem der Ansprüche 1 bis 8.Illumination optics ( 1 ) for illuminating an object field ( 3 ) of a projection exposure apparatus of EUV microlithography with an optical reflecting component ( 9 ; 45 ; 22 ; M) according to any one of claims 1 to 8. Beleuchtungssystem mit einer Beleuchtungsoptik (1) nach Anspruch 11 und einer Projektionsoptik (49) zur Abbildung des Objektfeldes (3) in ein Bildfeld (5) der Projektionsbelichtungsanlage.Illumination system with illumination optics ( 1 ) according to claim 11 and a projection optics ( 49 ) for mapping the object field ( 3 ) in an image field ( 5 ) of the projection exposure apparatus. Projektionsbelichtungsanlage mit einem Beleuchtungssystem (1, 49; 44, 49) nach Anspruch 12 und einer EUV-Lichtquelle (2).Projection exposure system with a lighting system ( 1 . 49 ; 44 . 49 ) according to claim 12 and an EUV light source ( 2 ). Verfahren zur Herstellung eines mikro- bzw. nanostrukturierten Bauteils mit folgenden Verfahrensschritten: – Bereitstellen eines Wafers, auf den zumindest teilweise eine Schicht aus einem lichtempfindlichen Material aufgebracht ist, – Bereitstellen eines Retikels, das abzubildende Strukturen aufweist, – Bereitstellen einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 13, – Projizieren wenigstens eines Teils des Retikels auf einen Bereich der Schicht mit Hilfe der Projektionsoptik der Projektionsbelichtungsanlage.Process for producing a microstructured or nanostructured Component with the following process steps: - Provide a wafer on which at least partially a layer of a photosensitive material is applied, - Provide a reticle having structures to be imaged - Provide a projection exposure apparatus according to claim 13, - Project at least a portion of the reticle on a portion of the layer with the help of the projection optics of the projection exposure system. Mikro- bzw. nanostrukturiertes Bauteil, hergestellt mit einem Verfahren nach Anspruch 14.Micro- or nanostructured component produced with a method according to claim 14.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012208096A1 (en) 2012-05-15 2013-05-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Lighting system for extreme ultraviolet-projection lithography in projection exposure apparatus, has optical illumination angel-variation component is provided in beam path of illumination light
DE102013204443A1 (en) 2013-03-14 2014-10-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical assembly for increasing the light conductance
DE102014203187A1 (en) 2014-02-21 2015-08-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination optics for projection lithography

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6195201B1 (en) 1999-01-27 2001-02-27 Svg Lithography Systems, Inc. Reflective fly's eye condenser for EUV lithography
EP1225481A2 (en) 2001-01-23 2002-07-24 Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag Collector for an illumination system with wavelength of 193 nm
US6452661B1 (en) 1998-02-27 2002-09-17 Nikon Corporation Illumination system and exposure apparatus and method
US20030002022A1 (en) * 1999-07-30 2003-01-02 Jorg Schultz Control of a distribution of illumination in an exit pupil of an EUV illumination system
EP1120670B1 (en) 2000-01-14 2005-10-05 Carl Zeiss SMT AG Adaptable mirror
EP1796147A1 (en) * 2004-09-22 2007-06-13 Nikon Corporation Lighting apparatus, exposure apparatus and maicrodevice manufacturing method
DE102006039655A1 (en) * 2006-08-24 2008-03-20 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for a microlithography projection exposure apparatus, projection exposure apparatus with such an illumination system, method for producing a microstructured component with such a projection exposure apparatus and microstructured component produced by this method
WO2008145568A1 (en) 2007-06-01 2008-12-04 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system with at least one acoustooptical mirror
DE102007045396A1 (en) 2007-09-21 2009-04-23 Carl Zeiss Smt Ag Bundle-guiding optical collector for detecting the emission of a radiation source
DE102009025655A1 (en) * 2008-08-27 2010-03-04 Carl Zeiss Smt Ag Optical distribution component for extreme UV-microlithography for manufacturing e.g. nano structured electronic-components, has base body exhibiting transmission for wavelengths smaller and greater than preset target wavelength range

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6452661B1 (en) 1998-02-27 2002-09-17 Nikon Corporation Illumination system and exposure apparatus and method
US6195201B1 (en) 1999-01-27 2001-02-27 Svg Lithography Systems, Inc. Reflective fly's eye condenser for EUV lithography
US20030002022A1 (en) * 1999-07-30 2003-01-02 Jorg Schultz Control of a distribution of illumination in an exit pupil of an EUV illumination system
EP1120670B1 (en) 2000-01-14 2005-10-05 Carl Zeiss SMT AG Adaptable mirror
EP1225481A2 (en) 2001-01-23 2002-07-24 Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag Collector for an illumination system with wavelength of 193 nm
EP1796147A1 (en) * 2004-09-22 2007-06-13 Nikon Corporation Lighting apparatus, exposure apparatus and maicrodevice manufacturing method
DE102006039655A1 (en) * 2006-08-24 2008-03-20 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for a microlithography projection exposure apparatus, projection exposure apparatus with such an illumination system, method for producing a microstructured component with such a projection exposure apparatus and microstructured component produced by this method
WO2008145568A1 (en) 2007-06-01 2008-12-04 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system with at least one acoustooptical mirror
DE102007045396A1 (en) 2007-09-21 2009-04-23 Carl Zeiss Smt Ag Bundle-guiding optical collector for detecting the emission of a radiation source
DE102009025655A1 (en) * 2008-08-27 2010-03-04 Carl Zeiss Smt Ag Optical distribution component for extreme UV-microlithography for manufacturing e.g. nano structured electronic-components, has base body exhibiting transmission for wavelengths smaller and greater than preset target wavelength range

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012208096A1 (en) 2012-05-15 2013-05-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Lighting system for extreme ultraviolet-projection lithography in projection exposure apparatus, has optical illumination angel-variation component is provided in beam path of illumination light
DE102013204443A1 (en) 2013-03-14 2014-10-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical assembly for increasing the light conductance
US9678432B2 (en) 2013-03-14 2017-06-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical assembly for increasing the etendue
DE102014203187A1 (en) 2014-02-21 2015-08-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination optics for projection lithography
US9897924B2 (en) 2014-02-21 2018-02-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination optical unit for projection lithography
EP4276539A2 (en) 2014-02-21 2023-11-15 Carl Zeiss SMT GmbH Illumination optical unit for projection lithography

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