DE102015105137A1 - Optoelectronic component - Google Patents

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Sam Chou
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Abstract

Ein optoelektronisches Bauelement umfasst ein Gehäuse, das eine zu einer Gehäuseoberfläche geöffnete Kavität aufweist, und einen optoelektronischen Halbleiterchip, der in der Kavität angeordnet ist. Die Kavität weist einen inneren Teil und einen äußeren Teil auf, die entlang einer axialen Richtung der Kavität hintereinander angeordnet sind. Zwei einander gegenüberliegende Abschnitte einer Wandung der Kavität schließen im inneren Teil einen ersten Öffnungswinkel und im äußeren Teil einen zweiten Öffnungswinkel ein. Dabei ist der zweite Öffnungswinkel größer als der erste Öffnungswinkel.An optoelectronic component comprises a housing which has a cavity which is opened to a housing surface, and an optoelectronic semiconductor chip which is arranged in the cavity. The cavity has an inner part and an outer part, which are arranged one behind the other along an axial direction of the cavity. Two opposing sections of a wall of the cavity include a first opening angle in the inner part and a second opening angle in the outer part. In this case, the second opening angle is greater than the first opening angle.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement gemäß Patentanspruch 1.The present invention relates to an optoelectronic component according to claim 1.

Es ist bekannt, optoelektronische Bauelemente, beispielsweise Leuchtdioden-Bauelemente, mit Gehäusen auszubilden, die Kavitäten aufweisen. Die Kavitäten dienen dabei zur Aufnahme lichtemittierender optoelektronischer Halbleiterchips und zur Bündelung des durch die optoelektronischen Halbleiterchips emittierten Lichts.It is known to form optoelectronic components, for example light-emitting diode components, with housings having cavities. The cavities serve to receive light-emitting optoelectronic semiconductor chips and to bundle the light emitted by the optoelectronic semiconductor chip.

Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein optoelektronisches Bauelement bereitzustellen. Diese Aufgabe wird durch ein optoelektronisches Bauelement mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. In den abhängigen Ansprüchen sind verschiedene Weiterbildungen angegeben.An object of the present invention is to provide an optoelectronic device. This object is achieved by an optoelectronic component with the features of claim 1. In the dependent claims various developments are given.

Ein optoelektronisches Bauelement umfasst ein Gehäuse, das eine zu einer Gehäuseoberfläche geöffnete Kavität aufweist, und einen optoelektronischen Halbleiterchip, der in der Kavität angeordnet ist. Die Kavität weist einen inneren Teil und einen äußeren Teil auf, die entlang einer axialen Richtung der Kavität hintereinander angeordnet sind. Zwei einander gegenüberliegende Abschnitte einer Wandung der Kavität schließen im inneren Teil einen ersten Öffnungswinkel und im äußeren Teil einen zweiten Öffnungswinkel ein. Dabei ist der zweite Öffnungswinkel größer als der erste Öffnungswinkel.An optoelectronic component comprises a housing which has a cavity which is opened to a housing surface, and an optoelectronic semiconductor chip which is arranged in the cavity. The cavity has an inner part and an outer part, which are arranged one behind the other along an axial direction of the cavity. Two opposing sections of a wall of the cavity include a first opening angle in the inner part and a second opening angle in the outer part. In this case, the second opening angle is greater than the first opening angle.

Durch den gegenüber dem zweiten Öffnungswinkel des äußeren Teils der Kavität reduzierten ersten Öffnungswinkel des inneren Teils der Kavität des Gehäuses dieses optoelektronischen Bauelements kann der in der Kavität angeordnete optoelektronische Halbleiterchip im inneren Teil der Kavität eng durch die Wandung der Kavität umschlossen sein. Dadurch kann die Kavität des Gehäuses dieses optoelektronischen Bauelements ein geringeres Volumen aufweisen als die Kavitäten herkömmlicher optoelektronischer Bauelemente. Insbesondere kann die Kavität an der Gehäuseoberfläche des Gehäuses einen geringeren Durchmesser aufweisen, da sich die Kavität lediglich in ihrem äußeren Teil mit dem zweiten Öffnungswinkel aufweitet, während der innere Teil der Kavität lediglich den kleineren ersten Öffnungswinkel aufweist. Dies ermöglicht es, das Gehäuse des optoelektronischen Bauelements mit kompakten äußeren Abmessungen auszubilden.As a result of the first opening angle of the inner part of the cavity of the housing of this optoelectronic component which is reduced compared to the second opening angle of the outer part of the cavity, the optoelectronic semiconductor chip arranged in the cavity can be closely enclosed in the inner part of the cavity by the wall of the cavity. As a result, the cavity of the housing of this optoelectronic component can have a smaller volume than the cavities of conventional optoelectronic components. In particular, the cavity on the housing surface of the housing may have a smaller diameter, since the cavity widens only in its outer part with the second opening angle, while the inner part of the cavity has only the smaller first opening angle. This makes it possible to form the housing of the optoelectronic component with compact outer dimensions.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist der erste Öffnungswinkel kleiner als 10°, insbesondere kleiner als 5°, insbesondere gleich 0°. Dadurch verläuft die Wandung der Kavität im inneren Teil der Kavität im Wesentlichen parallel zu Seitenflanken des in der Kavität angeordneten optoelektronischen Halbleiterchips, wodurch der optoelektronische Halbleiterchip eng von der Wandung des inneren Teils der Kavität umschlossen ist.In one embodiment of the optoelectronic component, the first opening angle is less than 10 °, in particular less than 5 °, in particular equal to 0 °. As a result, the wall of the cavity in the inner part of the cavity runs essentially parallel to side flanks of the optoelectronic semiconductor chip arranged in the cavity, whereby the optoelectronic semiconductor chip is closely enclosed by the wall of the inner part of the cavity.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements beträgt der zweite Öffnungswinkel zwischen 70° und 120°, insbesondere zwischen 80° und 110°, insbesondere zwischen 90° und 100°. Vorteilhafterweise ergibt sich dadurch eine Strahlformung und eine Bündelung von durch den optoelektronischen Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelements abgestrahlter elektromagnetischer Strahlung in einen zu beleuchtenden Raumbereich.In one embodiment of the optoelectronic component, the second opening angle is between 70 ° and 120 °, in particular between 80 ° and 110 °, in particular between 90 ° and 100 °. Advantageously, this results in beam shaping and bundling of electromagnetic radiation radiated by the optoelectronic semiconductor chip of the optoelectronic component into a spatial region to be illuminated.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist zwischen dem inneren Teil und dem äußeren Teil der Kavität eine Stufe ausgebildet. Vorteilhafterweise ergibt sich dadurch eine einfache Geometrie des Gehäuses, was eine einfache und kostengünstige Herstellung des Gehäuses des optoelektronischen Bauelements ermöglicht. Außerdem ergibt sich durch die Ausbildung einer Stufe zwischen dem inneren Teil und dem äußeren Teil der Kavität eine besonders kompakte Ausgestaltung der Kavität.In one embodiment of the optoelectronic component, a step is formed between the inner part and the outer part of the cavity. Advantageously, this results in a simple geometry of the housing, which allows a simple and cost-effective production of the housing of the optoelectronic component. In addition, the formation of a step between the inner part and the outer part of the cavity results in a particularly compact design of the cavity.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist die Stufe in axiale Richtung weniger als 50 µm über oder unter einer Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips angeordnet, insbesondere weniger als 20 µm, insbesondere weniger als 10 µm. Dadurch kann vorteilhafterweise erreicht werden, dass an der Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips abgestrahlte elektromagnetische Strahlung durch die Wandung des zweiten Teils der Kavität gebündelt und zur Öffnung der Kavität an der Gehäuseoberfläche des Gehäuses des optoelektronischen Bauelements geleitet wird, während der optoelektronische Halbleiterchip unterhalb seiner Oberseite Platz sparend eng durch die Wandung des inneren Teils der Kavität umschlossen wird.In one embodiment of the optoelectronic component, the step is arranged in the axial direction less than 50 μm above or below an upper side of the optoelectronic semiconductor chip, in particular less than 20 μm, in particular less than 10 μm. As a result, it can advantageously be achieved that electromagnetic radiation emitted at the upper side of the optoelectronic semiconductor chip is bundled through the wall of the second part of the cavity and directed to the opening of the cavity on the housing surface of the housing of the optoelectronic component, while the optoelectronic semiconductor chip saves space below its upper side is closely enclosed by the wall of the inner part of the cavity.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements beträgt ein Abstand zwischen der Wandung der Kavität und dem optoelektronischen Halbleiterchip an der engsten Stelle zwischen 10 µm und 100 µm. Vorteilhafterweise ergibt sich dadurch eine besonders Platz sparende Ausführung des Gehäuses des optoelektronischen Bauelements. Dabei ist dennoch sichergestellt, dass sich der optoelektronische Halbleiterchip problemlos im inneren Teil der Kavität des Gehäuses anordnen lässt.In one embodiment of the optoelectronic component, a distance between the wall of the cavity and the optoelectronic semiconductor chip at the narrowest point is between 10 μm and 100 μm. Advantageously, this results in a particularly space-saving design of the housing of the optoelectronic component. In this case, it is nevertheless ensured that the optoelectronic semiconductor chip can be easily arranged in the inner part of the cavity of the housing.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist im äußeren Teil der Kavität ein Vergussmaterial angeordnet. Das Vergussmaterial kann dabei einem Schutz des in der Kavität angeordneten optoelektronischen Halbleiterchips vor einer Beschädigung durch äußere Einwirkungen dienen. Außerdem kann das Vergussmaterial eingebettete Streupartikel und/oder eingebettete wellenlängenkonvertierende Partikel aufweisen, um von dem optoelektronischen Halbleiterchip abgestrahlte elektromagnetische Strahlung zu durchmischen und/oder eine Wellenlänge der durch den optoelektronischen Halbleiterchip abgestrahlten elektromagnetischen Strahlung zu konvertieren.In one embodiment of the optoelectronic component, a potting material is arranged in the outer part of the cavity. The potting material can serve to protect the optoelectronic semiconductor chip arranged in the cavity against damage due to external influences. In addition, the potting material have embedded scattering particles and / or embedded wavelength-converting particles in order to mix electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip and / or to convert a wavelength of the electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist das Vergussmaterial auch im inneren Teil der Kavität zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip und der Wandung der Kavität angeordnet. Vorteilhafterweise können dadurch Lichtverluste durch in den Bereich zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip und der Wandung des inneren Teils der Kavität gestreutes Licht reduziert oder vermieden werden.In one embodiment of the optoelectronic component, the potting material is also arranged in the inner part of the cavity between the optoelectronic semiconductor chip and the wall of the cavity. Advantageously, light losses can thereby be reduced or avoided by light scattered in the region between the optoelectronic semiconductor chip and the wall of the inner part of the cavity.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist der optoelektronische Halbleiterchip eine an einer Oberseite angeordnete erste elektrische Kontaktfläche und eine an einer Unterseite angeordnete zweite elektrische Kontaktfläche auf. Vorteilhafterweise kann die an der Unterseite angeordnete zweite elektrische Kontaktfläche des optoelektronischen Halbleiterchips unmittelbar im Befestigungsbereich des optoelektronischen Halbleiterchips in der Kavität des Gehäuses des optoelektronischen Bauelements elektrisch kontaktiert sein, was es ermöglicht, die Kavität des Gehäuses besonders eng auszubilden.In one embodiment of the optoelectronic component, the optoelectronic semiconductor chip has a first electrical contact surface arranged on an upper side and a second electrical contact surface arranged on a lower side. Advantageously, the second electrical contact surface of the optoelectronic semiconductor chip arranged on the underside can be electrically contacted directly in the mounting region of the optoelectronic semiconductor chip in the cavity of the housing of the optoelectronic component, which makes it possible to make the cavity of the housing particularly narrow.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist das Gehäuse eine Montagefläche auf, die parallel zu der axialen Richtung der Kavität orientiert ist. Das optoelektronische Bauelement ist dann ausgebildet, elektromagnetische Strahlung, beispielsweise sichtbares Licht, in eine parallel zur Montagefläche orientierte Richtung abzustrahlen. Damit bildet das optoelektronische Bauelement ein Sidelooker-Bauelement. Damit eignet sich das optoelektronische Bauelement beispielsweise zur Hinterleuchtung von Flüssigkristallbildschirmen. Da das Gehäuse des optoelektronischen Bauelements sehr kompakte äußere Abmessungen aufweisen kann, kann sich das optoelektronische Bauelement zur Verwendung in Geräten mit begrenzt zur Verfügung stehendem Bauraum eignen, beispielsweise zur Verwendung in Mobiltelefonen oder tragbaren Computern.In one embodiment of the optoelectronic component, the housing has a mounting surface that is oriented parallel to the axial direction of the cavity. The optoelectronic component is then designed to emit electromagnetic radiation, for example visible light, in a direction oriented parallel to the mounting surface. Thus, the optoelectronic component forms a sidelooker component. Thus, the optoelectronic component is suitable for example for the backlighting of liquid crystal screens. Since the housing of the optoelectronic component can have very compact external dimensions, the optoelectronic component can be suitable for use in devices with limited available installation space, for example for use in mobile telephones or portable computers.

Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen in jeweils schematisierter DarstellungThe above-described characteristics, features, and advantages of this invention, as well as the manner in which they will be achieved, will become clearer and more clearly understood in connection with the following description of the embodiments, which will be described in detail in conjunction with the drawings. In each case show in a schematic representation

1 eine geschnittene Seitenansicht eines ersten optoelektronischen Bauelements; 1 a sectional side view of a first optoelectronic device;

2 eine Aufsicht auf das erste optoelektronische Bauelement; und 2 a plan view of the first opto-electronic device; and

3 eine Aufsicht auf ein zweites optoelektronisches Bauelement. 3 a plan view of a second optoelectronic device.

1 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines ersten optoelektronischen Bauelements 10. 2 zeigt eine schematische Aufsicht auf das erste optoelektronische Bauelement 10. Das erste optoelektronische Bauelement 10 kann beispielsweise ein Leuchtdioden-Bauelement sein. Das erste optoelektronische Bauelement 10 ist dazu ausgebildet, elektromagnetische Strahlung, beispielsweise sichtbares Licht, abzustrahlen. 1 shows a schematic sectional side view of a first optoelectronic device 10 , 2 shows a schematic plan view of the first optoelectronic component 10 , The first optoelectronic component 10 For example, it may be a light-emitting diode component. The first optoelectronic component 10 is designed to emit electromagnetic radiation, such as visible light.

Das erste optoelektronische Bauelement 10 weist ein Gehäuse 100 auf. Das Gehäuse 100 kann beispielsweise ein Kunststoffmaterial oder ein Keramikmaterial aufweisen. Das Gehäuse 100 kann beispielsweise durch ein Formverfahren (Moldverfahren) hergestellt sein.The first optoelectronic component 10 has a housing 100 on. The housing 100 may for example comprise a plastic material or a ceramic material. The housing 100 can be produced for example by a molding process (molding process).

Das Gehäuse 100 weist eine Kavität 200 auf, die zu einer Gehäuseoberfläche 110 des Gehäuses 100 geöffnet ist. Die Kavität 200 erstreckt sich von der Gehäuseoberfläche 110 des Gehäuses 100 in das Gehäuse 100 hinein. Dabei erstreckt sich die Kavität 200 entlang einer axialen Richtung 201, die im in 1 und 2 dargestellten Beispiel senkrecht zu der Gehäuseoberfläche 110 des Gehäuses 100 orientiert ist. Die axiale Richtung 201 könnte allerdings auch unter einem von 90° abweichenden Winkel zur Gehäuseoberfläche 110 orientiert sein. In der Darstellung der 1 ist das Gehäuse 100 an einer zur axialen Richtung 201 parallelen Ebene geschnitten, die sich durch die Kavität 200 erstreckt. 2 zeigt eine Aufsicht auf die Gehäuseoberfläche 110 des Gehäuses 100.The housing 100 has a cavity 200 on that to a housing surface 110 of the housing 100 is open. The cavity 200 extends from the housing surface 110 of the housing 100 in the case 100 into it. The cavity extends 200 along an axial direction 201 in the in 1 and 2 illustrated example perpendicular to the housing surface 110 of the housing 100 is oriented. The axial direction 201 However, it could also be at an angle deviating from 90 ° to the housing surface 110 be oriented. In the presentation of the 1 is the case 100 at one to the axial direction 201 cut parallel plane, extending through the cavity 200 extends. 2 shows a plan view of the housing surface 110 of the housing 100 ,

Die Kavität 200 umfasst einen inneren Teil 210 und einen äußeren Teil 220. Der innere Teil 210 und der äußere Teil 220 sind entlang der axialen Richtung 201 hintereinander angeordnet. Dabei grenzt der äußere Teil 220 der Kavität 200 an die Öffnung der Kavität 200 an der Gehäuseoberfläche 110 des Gehäuses 100 an, während der innere Teil 210 der Kavität 200 im Inneren des Gehäuses 100 angeordnet ist.The cavity 200 includes an inner part 210 and an outer part 220 , The inner part 210 and the outer part 220 are along the axial direction 201 arranged one behind the other. It borders the outer part 220 the cavity 200 to the opening of the cavity 200 on the housing surface 110 of the housing 100 on, while the inner part 210 the cavity 200 inside the case 100 is arranged.

Die Kavität 200 weist eine Wandung 240 auf, die eine Mantelfläche des Volumens der Kavität 200 bildet. Die Wandung 240 umfasst einen ersten Abschnitt 241 und einen dem ersten Abschnitt 241 gegenüberliegenden zweiten Abschnitt 242.The cavity 200 has a wall 240 on, which is a lateral surface of the volume of the cavity 200 forms. The wall 240 includes a first section 241 and one the first section 241 opposite second section 242 ,

Die Kavität 200 weitet sich von einem im Inneren des Gehäuses 100 angeordneten Bodenbereich 250 der Kavität 200 entlang ihrer axialen Richtung 201 zu ihrer Öffnung an der Gehäuseoberfläche 110 auf. Dabei schließen der erste Abschnitt 241 und der zweite Abschnitt 242 der Wandung 240 der Kavität 200 im inneren Teil 210 der Kavität 200 einen ersten Öffnungswinkel 215 und im äußeren Teil 220 der Kavität 200 einen zweiten Öffnungswinkel 225 ein. Der zweite Öffnungswinkel 225 ist größer als der erste Öffnungswinkel. Die Kavität 200 weitet sich in ihrem äußeren Teil 220 also stärker auf als in ihrem inneren Teil 210. The cavity 200 extends from one inside the case 100 arranged floor area 250 the cavity 200 along its axial direction 201 to its opening on the housing surface 110 on. The first section closes 241 and the second section 242 the wall 240 the cavity 200 in the inner part 210 the cavity 200 a first opening angle 215 and in the outer part 220 the cavity 200 a second opening angle 225 one. The second opening angle 225 is greater than the first opening angle. The cavity 200 widens in its outer part 220 So stronger than in her inner part 210 ,

Der erste Öffnungswinkel 215 kann kleiner als 10° sein, insbesondere kleiner als 5°. Der erste Öffnungswinkel 215 kann auch gleich 0° sein. In diesem Fall sind der erste Abschnitt 241 und der dem ersten Abschnitt 241 gegenüberliegende zweite Abschnitt 242 der Wandung 240 im inneren Teil 210 der Kavität 200 also parallel zueinander und parallel zur axialen Richtung 201 der Kavität 200 orientiert. Die Kavität 200 weitet sich dann in ihrem inneren Teil 210 überhaupt nicht auf.The first opening angle 215 may be less than 10 °, in particular less than 5 °. The first opening angle 215 can also be equal to 0 °. In this case, the first section 241 and the first section 241 opposite second section 242 the wall 240 in the inner part 210 the cavity 200 ie parallel to each other and parallel to the axial direction 201 the cavity 200 oriented. The cavity 200 then widens in her inner part 210 not at all.

Der zweite Öffnungswinkel 225 kann beispielsweise zwischen 70° und 120° betragen, insbesondere beispielsweise zwischen 80° und 110°, insbesondere beispielsweise zwischen 90° und 100°.The second opening angle 225 may for example be between 70 ° and 120 °, in particular for example between 80 ° and 110 °, in particular for example between 90 ° and 100 °.

An der Grenze zwischen dem inneren Teil 210 und dem äußeren Teil 220 der Kavität 200 weist die Wandung 240 der Kavität 240 eine Stufe 230 auf. An der Stufe 230 ändert sich die Aufweitung der Kavität von dem ersten Öffnungswinkel 215 zu dem zweiten Öffnungswinkel 225. Es ist allerdings ebenfalls möglich, den Übergang zwischen dem ersten Öffnungswinkel 215 und dem zweiten Öffnungswinkel 225 kontinuierlich anstatt stufenförmig auszubilden. In diesem Fall weist die Kavität 200 anstelle der Stufe 230 eine Rundung auf.At the border between the inner part 210 and the outer part 220 the cavity 200 shows the wall 240 the cavity 240 a step 230 on. At the stage 230 The expansion of the cavity changes from the first opening angle 215 to the second opening angle 225 , However, it is also possible to transition between the first opening angle 215 and the second opening angle 225 continuous rather than stepwise. In this case, the cavity points 200 instead of the stage 230 a rounding up.

Das erste optoelektronische Bauelement 100 weist einen optoelektronischen Halbleiterchip 300 auf. Der optoelektronische Halbleiterchip 300 kann beispielsweise ein Leuchtdiodenchip (LED-Chip) sein. Der optoelektronische Halbleiterchip 300 ist dazu ausgebildet, elektromagnetische Strahlung, beispielsweise sichtbares Licht, zu emittieren.The first optoelectronic component 100 has an optoelectronic semiconductor chip 300 on. The optoelectronic semiconductor chip 300 For example, it may be a light-emitting diode chip (LED chip). The optoelectronic semiconductor chip 300 is designed to emit electromagnetic radiation, such as visible light.

Der optoelektronische Halbleiterchip 300 weist eine Oberseite 310 und eine der Oberseite 310 gegenüberliegende Unterseite 320 auf. Die Oberseite 310 bildet eine Strahlungsemissionsfläche des optoelektronischen Halbleiterchips 300. Im Betrieb des optoelektronischen Halbleiterchips 300 wird elektromagnetische Strahlung an der Oberseite 310 des optoelektronischen Halbleiterchips 300 in eine senkrecht zur Oberseite 310 orientierte Abstrahlrichtung abgestrahlt.The optoelectronic semiconductor chip 300 has a top 310 and one of the top 310 opposite bottom 320 on. The top 310 forms a radiation emission surface of the optoelectronic semiconductor chip 300 , In the operation of the optoelectronic semiconductor chip 300 becomes electromagnetic radiation at the top 310 of the optoelectronic semiconductor chip 300 in one perpendicular to the top 310 oriented emission direction radiated.

An der Oberseite 310 des optoelektronischen Halbleiterchips 300 ist eine erste elektrische Kontaktfläche 330 angeordnet. Eine zweite elektrische Kontaktfläche 340 des optoelektronischen Halbleiterchips 300 ist an der Unterseite 320 angeordnet. Über die erste elektrische Kontaktfläche 330 und die zweite elektrische Kontaktfläche 340 kann der optoelektronische Halbleiterchip 300 mit elektrischer Spannung und mit elektrischem Strom beaufschlagt werden.At the top 310 of the optoelectronic semiconductor chip 300 is a first electrical contact surface 330 arranged. A second electrical contact surface 340 of the optoelectronic semiconductor chip 300 is at the bottom 320 arranged. Over the first electrical contact surface 330 and the second electrical contact surface 340 can the optoelectronic semiconductor chip 300 be subjected to electrical voltage and electric current.

Der optoelektronische Halbleiterchip 300 ist in der Kavität 200 des Gehäuses 100 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 angeordnet. Dabei ist der optoelektronische Halbleiterchip 300 auf dem Bodenbereich 250 im inneren Teil 210 der Kavität 200 angeordnet. Die Unterseite 320 des optoelektronischen Halbleiterchips 300 ist dem Bodenbereich 250 zugewandt. Die Oberseite 310 des optoelektronischen Halbleiterchips 300 ist zur Öffnung der Kavität 200 an der Gehäuseoberfläche 110 des Gehäuses 100 orientiert. Die Oberseite 310 des optoelektronischen Halbleiterchips 300 ist senkrecht zur axialen Richtung 201 der Kavität 200 orientiert. Damit ist die Abstrahlrichtung des optoelektronischen Halbleiterchips 300 parallel zur axialen Richtung 201 der Kavität 200 orientiert.The optoelectronic semiconductor chip 300 is in the cavity 200 of the housing 100 of the first optoelectronic component 10 arranged. In this case, the optoelectronic semiconductor chip 300 on the floor area 250 in the inner part 210 the cavity 200 arranged. The bottom 320 of the optoelectronic semiconductor chip 300 is the bottom area 250 facing. The top 310 of the optoelectronic semiconductor chip 300 is to open the cavity 200 on the housing surface 110 of the housing 100 oriented. The top 310 of the optoelectronic semiconductor chip 300 is perpendicular to the axial direction 201 the cavity 200 oriented. This is the emission direction of the optoelectronic semiconductor chip 300 parallel to the axial direction 201 the cavity 200 oriented.

Das Gehäuse 100 weist im Bodenbereich 250 der Kavität 200 einen ersten elektrischen Kontaktbereich 130 und einen zweiten elektrischen Kontaktbereich 140 auf. Der erste elektrische Kontaktbereich 130 und der zweite elektrische Kontaktbereich 140 sind lateral nebeneinander angeordnet, voneinander beabstandet und elektrisch gegeneinander isoliert. Der erste elektrische Kontaktbereich 130 und der zweite elektrische Kontaktbereich 140 können beispielsweise durch in das Gehäuse 100 eingebettete Abschnitte eines Leiterrahmens gebildet sein.The housing 100 points in the ground area 250 the cavity 200 a first electrical contact area 130 and a second electrical contact area 140 on. The first electrical contact area 130 and the second electrical contact area 140 are laterally juxtaposed, spaced apart and electrically isolated from each other. The first electrical contact area 130 and the second electrical contact area 140 For example, through in the case 100 embedded portions of a lead frame may be formed.

Das Gehäuse 100 weist eine äußere Montagefläche 120 auf. Die Montagefläche 120 ist zur Montage des ersten optoelektronischen Bauelements 10 vorgesehen. Hierzu kann das erste optoelektronische Bauelement 10 derart auf einem Träger, beispielsweise einer Leiterplatte, angeordnet werden, dass die Montagefläche 120 des Gehäuses 100 dem Träger zugewandt ist.The housing 100 has an outer mounting surface 120 on. The mounting surface 120 is for mounting the first optoelectronic component 10 intended. For this purpose, the first optoelectronic component 10 be arranged on a support, such as a printed circuit board, such that the mounting surface 120 of the housing 100 facing the wearer.

An der Montagefläche 120 können in den Figuren nicht dargestellte, von außen zugängliche Kontaktelemente des ersten optoelektronischen Bauelements 10 angeordnet sein, die elektrisch leitend mit den elektrischen Kontaktbereichen 130, 140 verbunden und zur elektrischen Kontaktierung des ersten optoelektronischen Bauelements 10 vorgesehen sind. Das erste optoelektronische Bauelement 10 kann sich in diesem Fall beispielsweise als SMD-Bauelement für eine Oberflächenmontage eignen, beispielsweise für eine Oberflächenmontage durch Wiederaufschmelzlöten (Reflow-Löten). Elektrische Kontaktelemente des ersten optoelektronischen Bauelements 10 können aber auch an anderen Stellen des Gehäuses 100 als der Montagefläche 120 angeordnet und zugänglich sein.At the mounting surface 120 can not be shown in the figures, accessible from the outside Contact elements of the first optoelectronic component 10 be arranged, the electrically conductive with the electrical contact areas 130 . 140 connected and for electrical contacting of the first optoelectronic component 10 are provided. The first optoelectronic component 10 may in this case be suitable, for example, as an SMD component for surface mounting, for example for surface mounting by reflow soldering. Electrical contact elements of the first optoelectronic component 10 but also in other parts of the case 100 as the mounting surface 120 be arranged and accessible.

Bei dem in 1 und 2 gezeigten ersten optoelektronischen Bauelement 10 ist die Montagefläche 120 senkrecht zur Gehäuseoberfläche 110 des Gehäuses 100 und damit parallel zu der axialen Richtung 201 der Kavität 200 orientiert. Damit ist die Montagefläche 120 auch senkrecht zur Oberseite 310 des optoelektronischen Halbleiterchips 300 und damit parallel zur Abstrahlrichtung des optoelektronischen Halbleiterchips 300 orientiert. Damit ist das erste optoelektronische Bauelement 10 ausgebildet, elektromagnetische Strahlung in eine zur Montagefläche 120 parallele Richtung abzustrahlen. Das erste optoelektronische Bauelement 10 bildet somit ein Sidelooker-Bauelement.At the in 1 and 2 shown first optoelectronic device 10 is the mounting surface 120 perpendicular to the housing surface 110 of the housing 100 and thus parallel to the axial direction 201 the cavity 200 oriented. This is the mounting surface 120 also perpendicular to the top 310 of the optoelectronic semiconductor chip 300 and thus parallel to the emission direction of the optoelectronic semiconductor chip 300 oriented. This is the first optoelectronic component 10 designed, electromagnetic radiation in a mounting surface 120 to radiate parallel direction. The first optoelectronic component 10 thus forms a sidelooker component.

Es ist allerdings auch möglich, die Montagefläche 120 an einer der Gehäuseoberfläche 110 gegenüberliegenden Seite des Gehäuses 100 auszubilden. In diesem Fall ist die Abstrahlrichtung des optoelektronischen Halbleiterchips 300 senkrecht zur Montagefläche 120 orientiert. Das erste optoelektronische Bauelement 10 bildet dann ein Toplooker-Bauelement.However, it is also possible the mounting surface 120 on one of the housing surface 110 opposite side of the housing 100 train. In this case, the emission direction of the optoelectronic semiconductor chip 300 perpendicular to the mounting surface 120 oriented. The first optoelectronic component 10 then forms a Toplooker component.

Der optoelektronische Halbleiterchip 300 ist in der Kavität 200 auf dem zweiten Kontaktbereich 140 im Bodenbereich 250 der Kavität 200 angeordnet. Dabei ist die Unterseite 320 des optoelektronischen Halbleiterchips 300, beispielsweise mittels eines Lots oder eines elektrisch leitenden Klebers, derart mit dem zweiten elektrischen Kontaktbereich 140 verbunden, dass eine elektrische leitende Verbindung zwischen der zweiten elektrischen Kontaktfläche 340 des optoelektronischen Halbleiterchips 300 und dem zweiten elektrischen Kontaktbereich 140 des Gehäuses 100 besteht. Die an der Oberseite 310 des optoelektronischen Halbleiterchips 300 angeordnete erste elektrische Kontaktfläche 330 ist mittels eines ersten Bonddrahts 135 elektrisch leitend mit dem ersten elektrischen Kontaktbereich 130 des Gehäuses 100 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 verbunden.The optoelectronic semiconductor chip 300 is in the cavity 200 on the second contact area 140 in the ground area 250 the cavity 200 arranged. Here is the bottom 320 of the optoelectronic semiconductor chip 300 For example, by means of a solder or an electrically conductive adhesive, so with the second electrical contact area 140 connected to an electrical conductive connection between the second electrical contact surface 340 of the optoelectronic semiconductor chip 300 and the second electrical contact area 140 of the housing 100 consists. The one on the top 310 of the optoelectronic semiconductor chip 300 arranged first electrical contact surface 330 is by means of a first bonding wire 135 electrically conductive with the first electrical contact area 130 of the housing 100 of the first optoelectronic component 10 connected.

Die zwischen der Oberseite 310 und der Unterseite 320 bemessene Höhe des optoelektronischen Halbleiterchips 300 und die in axialer Richtung 201 bemessene Höhe des inneren Teils 210 der Kavität 200 zwischen dem Bodenbereich 250 und der Stufe 230 sind so aufeinander abgestimmt, dass die Oberseite 310 des im inneren Teil 210 der Kavität 200 angeordneten optoelektronischen Halbleiterchips 300 etwa auf Höhe der Stufe 230 angeordnet ist. Die Stufe 230 liegt in axialer Richtung 201 um einen vertikalen Abstand 400 über oder unter der Oberseite 310 des optoelektronischen Halbleiterchips 300. Der vertikale Abstand 400 kann beispielsweise weniger als 50 µm betragen, insbesondere weniger als 20 µm, insbesondere weniger als 10 µm.The between the top 310 and the bottom 320 measured height of the optoelectronic semiconductor chip 300 and in the axial direction 201 measured height of the inner part 210 the cavity 200 between the floor area 250 and the stage 230 are so matched to each other that the top 310 of the inner part 210 the cavity 200 arranged optoelectronic semiconductor chips 300 at about the height of the step 230 is arranged. The stage 230 lies in the axial direction 201 by a vertical distance 400 above or below the top 310 of the optoelectronic semiconductor chip 300 , The vertical distance 400 may for example be less than 50 microns, in particular less than 20 microns, especially less than 10 microns.

Im inneren Teil 210 der Kavität 200 wird der optoelektronische Halbleiterchip 300 durch die Wandung 240 der Kavität 200 eng umschlossen. Eine besonders enge Umschließung des optoelektronischen Halbleiterchips 300 durch die Wandung 240 des inneren Teils 210 der Kavität 200 wird erreicht, wenn der erste Öffnungswinkel 215 des inneren Teils 210 der Kavität 200 klein ist oder sogar 0° beträgt. Der optoelektronische Halbleiterchip 300 und die den optoelektronischen Halbleiterchip 300 umgrenzende Wandung 240 des inneren Teils 210 der Kavität 200 weisen einen horizontalen Abstand 410 voneinander auf. An der engsten Stelle kann der horizontale Abstand 410 beispielsweise zwischen 10 µm und 100 µm betragen.In the inner part 210 the cavity 200 becomes the optoelectronic semiconductor chip 300 through the wall 240 the cavity 200 tightly enclosed. A particularly tight enclosure of the optoelectronic semiconductor chip 300 through the wall 240 of the inner part 210 the cavity 200 is reached when the first opening angle 215 of the inner part 210 the cavity 200 is small or even 0 °. The optoelectronic semiconductor chip 300 and the optoelectronic semiconductor chip 300 bounding wall 240 of the inner part 210 the cavity 200 have a horizontal distance 410 from each other. At the narrowest point can be the horizontal distance 410 for example, between 10 .mu.m and 100 .mu.m.

Von dem optoelektronischen Halbleiterchip 300 an seiner Oberseite 310 abgestrahlte elektromagnetische Strahlung wird durch die Wandung 240 des äußeren Teils 220 der Kavität 200 reflektiert und gebündelt. Wegen des geringen horizontalen Abstands 410 zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip 300 und der Wandung 240 im inneren Teil 210 der Kavität 200 kann nur sehr wenig elektromagnetische Strahlung in den Bereich zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip 300 und der Wandung 240 des inneren Teils 210 der Kavität 200 gelangen, wodurch hierdurch bedingte Verluste gering sind.From the optoelectronic semiconductor chip 300 at its top 310 radiated electromagnetic radiation is transmitted through the wall 240 of the outer part 220 the cavity 200 reflected and bundled. Because of the small horizontal distance 410 between the optoelectronic semiconductor chip 300 and the wall 240 in the inner part 210 the cavity 200 can only very little electromagnetic radiation in the area between the optoelectronic semiconductor chip 300 and the wall 240 of the inner part 210 the cavity 200 arrive, thereby causing losses are low.

Im äußeren Teil 220 der Kavität 200 kann ein Vergussmaterial 500 angeordnet sein, das die Oberseite 310 des optoelektronischen Halbleiterchips 300 bedeckt. Das Vergussmaterial 500 kann sich auch in den Bereich zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip 300 und der Wandung 240 der Kavität 200 im inneren Teil 210 der Kavität 200 erstrecken. Das Vergussmaterial 500 kann einem Schutz des optoelektronischen Halbleiterchips 300 und des ersten Bonddrahts 135 vor einer Beschädigung durch äußere Einwirkungen dienen. Falls sich das Vergussmaterial auch in den Bereich zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip 300 und der Wandung 240 der Kavität 200 im inneren Teil 210 der Kavität 200 erstreckt, kann das Vergussmaterial außerdem den Anteil der in den Bereich zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip 300 und der Wandung 240 des inneren Teils 210 der Kavität 200 gestreuten elektromagnetischen Strahlung reduzieren.In the outer part 220 the cavity 200 can be a potting material 500 be arranged, which is the top 310 of the optoelectronic semiconductor chip 300 covered. The potting material 500 can also be in the area between the optoelectronic semiconductor chip 300 and the wall 240 the cavity 200 in the inner part 210 the cavity 200 extend. The potting material 500 can be a protection of the optoelectronic semiconductor chip 300 and the first bonding wire 135 against damage caused by external influences. If the potting material also in the area between the optoelectronic semiconductor chip 300 and the wall 240 the cavity 200 in the inner part 210 the cavity 200 extends, the potting material can also the proportion of in the area between the optoelectronic semiconductor chip 300 and the wall 240 of the inner part 210 the cavity 200 reduce scattered electromagnetic radiation.

Das Vergussmaterial 500 kann beispielsweise ein Silikon aufweisen. Zusätzlich kann das Vergussmaterial 500 eingebettete Streupartikel und/oder eingebettete wellenlängenkonvertierende Partikel aufweisen. In das Vergussmaterial 500 eingebettete Streupartikel können beispielsweise dazu dienen, von dem optoelektronischen Halbleiterchip 300 abgestrahlte elektromagnetische Strahlung zu homogenisieren. In das Vergussmaterial 500 eingebettete wellenlängenkonvertierende Partikel können dazu dienen, von dem optoelektronischen Halbleiterchip 300 abgestrahlte elektromagnetische Strahlung in elektromagnetische Strahlung einer anderen Wellenlänge zu konvertieren.The potting material 500 may for example have a silicone. In addition, the potting material 500 have embedded scattering particles and / or embedded wavelength-converting particles. In the potting material 500 Embedded scattering particles can serve, for example, from the optoelectronic semiconductor chip 300 to homogenise radiated electromagnetic radiation. In the potting material 500 embedded wavelength-converting particles may serve to emit from the optoelectronic semiconductor chip 300 to convert radiated electromagnetic radiation into electromagnetic radiation of a different wavelength.

3 zeigt eine schematische Aufsicht auf ein zweites optoelektronisches Bauelement 20. Das zweite optoelektronische Bauelement 20 weist große Übereinstimmungen mit dem ersten optoelektronischen Bauelement 10 auf. Komponenten des zweiten optoelektronischen Bauelements 20, die bei dem ersten optoelektronischen Bauelement 10 vorhandenen Komponenten entsprechen, sind in 3 mit denselben Bezugszeichen versehen wie in 1 und 2. Nachfolgend werden lediglich die Abweichungen des zweiten optoelektronischen Bauelements 20 von dem ersten optoelektronischen Bauelement 10 beschrieben. 3 shows a schematic plan view of a second optoelectronic device 20 , The second optoelectronic component 20 has great similarities with the first optoelectronic component 10 on. Components of the second optoelectronic component 20 that in the first optoelectronic device 10 existing components are in 3 provided with the same reference numerals as in 1 and 2 , Below, only the deviations of the second optoelectronic component 20 from the first optoelectronic component 10 described.

Bei dem zweiten optoelektronischen Bauelement 20 unterscheidet sich der optoelektronische Halbleiterchip 300 von dem optoelektronischen Halbleiterchip 300 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 dadurch, dass sowohl die erste elektrische Kontaktfläche 330 als auch die zweite elektrische Kontaktfläche 340 an der Oberseite 310 des optoelektronischen Halbleiterchips 300 angeordnet sind. Die an der Oberseite 310 des optoelektronischen Halbleiterchips 300 angeordnete zweite elektrische Kontaktfläche 340 ist mittels eines zweiten Bonddrahts 145 elektrisch leitend mit dem zweiten elektrischen Kontaktbereich 140 des Gehäuses 100 des zweiten optoelektronischen Bauelements 20 verbunden.In the second optoelectronic component 20 differs the optoelectronic semiconductor chip 300 from the optoelectronic semiconductor chip 300 of the first optoelectronic component 10 in that both the first electrical contact surface 330 as well as the second electrical contact surface 340 at the top 310 of the optoelectronic semiconductor chip 300 are arranged. The one on the top 310 of the optoelectronic semiconductor chip 300 arranged second electrical contact surface 340 is by means of a second bonding wire 145 electrically conductive with the second electrical contact area 140 of the housing 100 of the second optoelectronic component 20 connected.

Die Erfindung wurde anhand der bevorzugten Ausführungsbeispiele näher illustriert und beschrieben. Dennoch ist die Erfindung nicht auf die offenbarten Beispiele eingeschränkt. Vielmehr können hieraus andere Variationen vom Fachmann abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen.The invention has been further illustrated and described with reference to the preferred embodiments. However, the invention is not limited to the disclosed examples. Rather, other variations may be deduced therefrom by those skilled in the art without departing from the scope of the invention.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

1010
erstes optoelektronisches Bauelement first optoelectronic component
2020
zweites optoelektronisches Bauelement second optoelectronic component
100100
Gehäuse casing
110110
Gehäuseoberfläche  housing surface
120120
Montagefläche mounting surface
130130
erster elektrischer Kontaktbereich first electrical contact area
135135
erster Bonddraht first bonding wire
140140
zweiter elektrischer Kontaktbereich second electrical contact area
145145
zweiter Bonddraht second bonding wire
200200
Kavität  cavity
201201
axiale Richtung  axial direction
210210
inneren Teil  inner part
215215
erster Öffnungswinkel first opening angle
220220
äußeren Teil outer part
225225
zweiter Öffnungswinkel second opening angle
230230
Stufe  step
240240
Wandung  wall
241241
erster Abschnitt first section
242242
zweiter Abschnitt second part
250250
Bodenbereich floor area
300300
optoelektronischer Halbleiterchip optoelectronic semiconductor chip
310310
Oberseite  top
320320
Unterseite  bottom
330330
erste elektrische Kontaktfläche  first electrical contact surface
340340
zweite elektrische Kontaktfläche second electrical contact surface
400400
vertikaler Abstand vertical distance
410410
horizontaler Abstand  horizontal distance
500500
Vergussmaterial grout

Claims (10)

Optoelektronisches Bauelement (10, 20) mit einem Gehäuse (100), das eine zu einer Gehäuseoberfläche (110) geöffnete Kavität (200) aufweist, und mit einem optoelektronischen Halbleiterchip (300), der in der Kavität (200) angeordnet ist, wobei die Kavität (200) einen inneren Teil (210) und einen äußeren Teil (220) aufweist, die entlang einer axialen Richtung (201) der Kavität (200) hintereinander angeordnet sind, wobei zwei einander gegenüberliegende Abschnitte (241, 242) einer Wandung (240) der Kavität (200) im inneren Teil (210) einen ersten Öffnungswinkel (215) und im äußeren Teil (220) einen zweiten Öffnungswinkel (225) einschließen, wobei der zweite Öffnungswinkel (225) größer als der erste Öffnungswinkel (215) ist.Optoelectronic component ( 10 . 20 ) with a housing ( 100 ), one to a housing surface ( 110 ) opened cavity ( 200 ), and with an optoelectronic semiconductor chip ( 300 ), in the cavity ( 200 ), wherein the cavity ( 200 ) an inner part ( 210 ) and an outer part ( 220 ), which along an axial direction ( 201 ) of the cavity ( 200 ) are arranged one behind the other, wherein two opposing sections ( 241 . 242 ) a wall ( 240 ) of the cavity ( 200 ) in the inner part ( 210 ) a first opening angle ( 215 ) and in the outer part ( 220 ) a second opening angle ( 225 ), wherein the second opening angle ( 225 ) greater than the first opening angle ( 215 ). Optoelektronisches Bauelement (10, 20) gemäß Anspruch 1, wobei der erste Öffnungswinkel (215) kleiner als 10° ist, insbesondere kleiner als 5°, insbesondere gleich 0°.Optoelectronic component ( 10 . 20 ) according to claim 1, wherein the first opening angle ( 215 ) is less than 10 °, in particular less than 5 °, in particular equal to 0 °. Optoelektronisches Bauelement (10, 20) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der zweite Öffnungswinkel (225) zwischen 70° und 120° beträgt, insbesondere zwischen 80° und 110°, insbesondere zwischen 90° und 100°.Optoelectronic component ( 10 . 20 ) according to one of the preceding claims, wherein the second opening angle ( 225 ) is between 70 ° and 120 °, in particular between 80 ° and 110 °, in particular between 90 ° and 100 °. Optoelektronisches Bauelement (10, 20) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei zwischen dem inneren Teil (210) und dem äußeren Teil (220) der Kavität (200) eine Stufe (230) ausgebildet ist.Optoelectronic component ( 10 . 20 ) according to one of the preceding claims, wherein between the inner part ( 210 ) and the outer part ( 220 ) of the cavity ( 200 ) a step ( 230 ) is trained. Optoelektronisches Bauelement (10, 20) gemäß Anspruch 4, wobei die Stufe (230) in axiale Richtung (201) weniger als 50 µm über oder unter einer Oberseite (310) des optoelektronischen Halbleiterchips (300) angeordnet ist, insbesondere weniger als 20 µm, insbesondere weniger als 10 µm. Optoelectronic component ( 10 . 20 ) according to claim 4, wherein the stage ( 230 ) in the axial direction ( 201 ) less than 50 μm above or below a top surface ( 310 ) of the optoelectronic semiconductor chip ( 300 ), in particular less than 20 μm, in particular less than 10 μm. Optoelektronisches Bauelement (10, 20) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ein Abstand (410) zwischen der Wandung (240) der Kavität (200) und dem optoelektronischem Halbleiterchip (300) an der engsten Stelle zwischen 10 µm und 100 µm beträgt.Optoelectronic component ( 10 . 20 ) according to one of the preceding claims, wherein a distance ( 410 ) between the wall ( 240 ) of the cavity ( 200 ) and the optoelectronic semiconductor chip ( 300 ) at the narrowest point between 10 microns and 100 microns. Optoelektronisches Bauelement (10, 20) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei im äußeren Teil (220) der Kavität (200) ein Vergussmaterial (500) angeordnet ist.Optoelectronic component ( 10 . 20 ) according to one of the preceding claims, wherein in the outer part ( 220 ) of the cavity ( 200 ) a potting material ( 500 ) is arranged. Optoelektronisches Bauelement (10, 20) gemäß Anspruch 7, wobei das Vergussmaterial (500) auch im inneren Teil (210) der Kavität (200) zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip (300) und der Wandung (240) der Kavität (200) angeordnet ist.Optoelectronic component ( 10 . 20 ) according to claim 7, wherein the potting material ( 500 ) also in the inner part ( 210 ) of the cavity ( 200 ) between the optoelectronic semiconductor chip ( 300 ) and the wall ( 240 ) of the cavity ( 200 ) is arranged. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der optoelektronische Halbleiterchip (300) eine an einer Oberseite (310) angeordnete erste elektrische Kontaktfläche (330) und eine an einer Unterseite (320) angeordnete zweite elektrische Kontaktfläche (340) aufweist.Optoelectronic component ( 10 ) according to one of the preceding claims, wherein the optoelectronic semiconductor chip ( 300 ) one on a top ( 310 ) arranged first electrical contact surface ( 330 ) and one at a bottom ( 320 ) arranged second electrical contact surface ( 340 ) having. Optoelektronisches Bauelement (10, 20) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Gehäuse (100) eine Montagefläche (120) aufweist, die parallel zu der axialen Richtung (201) der Kavität (200) orientiert ist.Optoelectronic component ( 10 . 20 ) according to one of the preceding claims, wherein the housing ( 100 ) a mounting surface ( 120 ) parallel to the axial direction ( 201 ) of the cavity ( 200 ) is oriented.
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