DE102014102259A1 - Optoelectronic component and method for its production - Google Patents

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Abstract

Ein optoelektronisches Bauelement umfasst einen Gehäusekörper, in den ein erster Leiterrahmenabschnitt und ein zweiter Leiterrahmenabschnitt eingebettet sind. Der erste Leiterrahmenabschnitt und der zweite Leiterrahmenabschnitt weisen jeweils eine Oberseite auf, die zumindest teilweise nicht durch den Gehäusekörper bedeckt ist. Der erste Leiterrahmenabschnitt und der zweite Leiterrahmenabschnitt sind durch einen Trennabschnitt des Gehäusekörpers voneinander getrennt. Der Trennabschnitt ist zumindest abschnittsweise über die Oberseiten des ersten Leiterrahmenabschnitts und des zweiten Leiterrahmenabschnitts erhaben.An optoelectronic component comprises a housing body in which a first leadframe section and a second leadframe section are embedded. The first lead frame portion and the second lead frame portion each have an upper surface that is not covered at least partially by the housing body. The first lead frame portion and the second lead frame portion are separated from each other by a partition portion of the housing body. The separating portion is at least partially raised above the upper sides of the first lead frame portion and the second lead frame portion.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement gemäß Patentanspruch 1 sowie ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements gemäß Patentanspruch 11. The present invention relates to an optoelectronic component according to patent claim 1 and to a method for producing an optoelectronic component according to patent claim 11.

Optoelektronische Bauelemente mit einem Gehäuse, bei dem Leiterrahmenabschnitte in einen Gehäusekörper eingebettet sind, sind aus dem Stand der Technik bekannt. Das Ausbilden der Gehäusekörper und Einbetten der Leiterrahmenabschnitte erfolgt bei diesen Gehäusen typischerweise durch einen Formprozess (Moldprozess), insbesondere durch ein Spritzgussverfahren (Injection Molding) oder ein Spritzpressverfahren (Transfer Molding). Hierbei umfließt das Material des Gehäusekörpers die Leiterrahmenabschnitte. Das zur Ausbildung des Gehäusekörpers genutzte Material weist allerdings eine begrenzte Fließfähigkeit auf, was sich in einer maximalen Fließlänge und einer minimalen Fließkanalbreite äußert. Hierdurch sind einer möglichen Miniaturisierung derartiger Gehäuse Grenzen gesetzt. Insbesondere enge Trenngräben zwischen den Leiterrahmenabschnitten solcher Gehäuse können sich dabei als problematisch erweisen. Optoelectronic components with a housing in which leadframe sections are embedded in a housing body are known from the prior art. Forming the housing body and embedding the leadframe sections in these housings typically takes place by a molding process (molding process), in particular by an injection molding process or a transfer molding process. In this case, the material of the housing body flows around the leadframe sections. However, the material used to form the housing body has limited fluidity, which manifests itself in a maximum flow length and a minimum flow channel width. As a result, a possible miniaturization of such housing limits. In particular, narrow separation trenches between the leadframe portions of such housing can prove to be problematic.

Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein optoelektronisches Bauelement bereitzustellen. Diese Aufgabe wird durch ein optoelektronisches Bauelement mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements anzugeben. Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 11 gelöst. In den abhängigen Ansprüchen sind verschiedene Weiterbildungen angegeben. An object of the present invention is to provide an optoelectronic device. This object is achieved by an optoelectronic component with the features of claim 1. A further object of the present invention is to specify a method for producing an optoelectronic component. This object is achieved by a method having the features of claim 11. In the dependent claims various developments are given.

Ein optoelektronisches Bauelement umfasst einen Gehäusekörper, in den ein erster Leiterrahmenabschnitt und ein zweiter Leiterrahmenabschnitt eingebettet sind. Der erste Leiterrahmenabschnitt und der zweite Leiterrahmenabschnitt weisen jeweils eine Oberseite auf, die zumindest teilweise nicht durch den Gehäusekörper bedeckt ist. Der erste Leiterrahmenabschnitt und der zweite Leiterrahmenabschnitt sind durch einen Trennabschnitt des Gehäusekörpers voneinander getrennt. Der Trennabschnitt ist zumindest abschnittsweise über die Oberseiten des ersten Leiterrahmenabschnitts und des zweiten Leiterrahmenabschnitts erhaben. Vorteilhafterweise ermöglicht die über die Oberseiten des ersten Leiterrahmenabschnitts und des zweiten Leiterrahmenabschnitts erhabene Ausgestaltung des Trennabschnitts einen erhöhten Querschnitt des Trennabschnitts. Dadurch ist der Trennabschnitt während der Herstellung des Gehäusekörpers des optoelektronischen Bauelements vorteilhafterweise einfacher und zuverlässiger durch das Material des Gehäusekörpers befüllbar. Ein weiterer Vorteil der über die Oberseiten der Leiterrahmenabschnitte erhabenen Ausgestaltung des Trennabschnitts besteht in einer erhöhten mechanischen Stabilität des Gehäusekörpers. Die erhabene Ausgestaltung des Trennabschnitts bewirkt eine zusätzliche Verankerung der Leiterrahmenabschnitte in dem Gehäusekörper. Ein weiterer Vorteil der über die Oberseiten der Leiterrahmenabschnitte erhabenen Ausgestaltung des Trennabschnitts des Gehäusekörpers kann in einer reduzierten Gefahr von Undichtigkeiten bestehen. Durch die erhabene Ausgestaltung des Trennabschnitts werden mögliche Leckagepfade an den Nahtstellen zwischen den Leiterrahmenabschnitten und dem Gehäusekörper zusätzlich abgedichtet. An optoelectronic component comprises a housing body in which a first leadframe section and a second leadframe section are embedded. The first lead frame portion and the second lead frame portion each have an upper surface that is not covered at least partially by the housing body. The first lead frame portion and the second lead frame portion are separated from each other by a partition portion of the housing body. The separating portion is at least partially raised above the upper sides of the first lead frame portion and the second lead frame portion. Advantageously, the raised over the upper sides of the first lead frame portion and the second lead frame portion embodiment of the separating portion allows a raised cross-section of the separating portion. As a result, during the production of the housing body of the optoelectronic component, the separating section can advantageously be filled more easily and reliably by the material of the housing body. Another advantage of the embodiment of the separating section raised above the upper sides of the ladder frame sections is increased mechanical stability of the housing body. The raised configuration of the separating section causes additional anchoring of the leadframe sections in the housing body. A further advantage of the embodiment of the separating section of the housing body which is raised above the upper sides of the ladder frame sections can be a reduced risk of leaks. The raised configuration of the separating section additionally seals possible leakage paths at the seams between the leadframe sections and the housing body.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist der Trennabschnitt in Richtung senkrecht zu den Oberseiten des ersten Leiterrahmenabschnitts und des zweiten Leiterrahmenabschnitts eine größere Dicke auf als der erste Leiterrahmenabschnitt und/oder der zweite Leiterrahmenabschnitt. Vorteilhafterweise wird es durch die erhöhte Dicke des Trennabschnitts ermöglicht, eine in Verbindungsrichtung zwischen dem ersten Leiterrahmenabschnitt und dem zweiten Leiterrahmenabschnitt bemessene Breite des Trennabschnitts zu reduzieren, ohne hierbei den Querschnitt des Trennabschnitts zu reduzieren. Dadurch wird vorteilhafterweise ein geringer Abstand zwischen dem ersten Leiterrahmenabschnitt und dem zweiten Leiterrahmenabschnitt ermöglicht, ohne dass dieser geringe Abstand zu Problemen beim Befüllen des Trennabschnitts mit dem Material des Gehäusekörpers während der Herstellung des Gehäusekörpers führt. Dadurch kann der Gehäusekörper des optoelektronischen Bauelements vorteilhafterweise mit sehr kompakten äußeren Abmessungen ausgebildet werden. In one embodiment of the optoelectronic component, the separating section has a greater thickness in the direction perpendicular to the upper sides of the first leadframe section and of the second leadframe section than the first leadframe section and / or the second leadframe section. Advantageously, the increased thickness of the separation section makes it possible to reduce a width of the separation section measured in the connection direction between the first lead frame section and the second lead frame section, without thereby reducing the cross section of the separation section. As a result, a small distance between the first leadframe section and the second leadframe section is advantageously made possible, without this slight distance leading to problems during filling of the separation section with the material of the housing body during the production of the housing body. As a result, the housing body of the optoelectronic component can advantageously be formed with very compact external dimensions.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist der Gehäusekörper eine Kavität auf. Dabei sind die nicht durch den Gehäusekörper bedeckten Teile der Oberseiten des ersten Leiterrahmenabschnitts und des zweiten Leiterrahmenabschnitts am Grund der Kavität angeordnet. Vorteilhafterweise stellen die am Grund der Kavität freiliegenden Teile der Oberseiten des ersten Leiterrahmenabschnitts und des zweiten Leiterrahmenabschnitts elektrische Kontaktflächen bereit. In one embodiment of the optoelectronic component, the housing body has a cavity. In this case, the parts of the upper sides of the first leadframe section and of the second leadframe section which are not covered by the housing body are arranged at the bottom of the cavity. Advantageously, the parts of the tops of the first leadframe section and the second leadframe section exposed at the bottom of the cavity provide electrical contact surfaces.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist in der Kavität ein optoelektronischer Halbleiterchip angeordnet. Der optoelektronische Halbleiterchip kann beispielsweise ein Leuchtdiodenchip (LED-Chip) sein. Vorteilhafterweise bietet die Anordnung des optoelektronischen Halbleiterchips in der Kavität des Gehäusekörpers des optoelektronischen Bauelements einen Schutz des optoelektronischen Halbleiterchips vor einer Beschädigung durch äußere mechanische Einwirkungen. Zusätzlich können Wandungen der Kavität als optischer Reflektor für durch den optoelektronischen Halbleiterchip emittierte elektromagnetische Strahlung dienen und damit eine Strahlformung von durch das optoelektronische Bauelement emittierter elektromagnetischer Strahlung bewirken. In one embodiment of the optoelectronic component, an optoelectronic semiconductor chip is arranged in the cavity. The optoelectronic semiconductor chip can be, for example, a light-emitting diode chip (LED chip). Advantageously, the arrangement of the optoelectronic semiconductor chip in the cavity of the housing body of the optoelectronic component provides protection of the optoelectronic semiconductor chip from damage by external mechanical effects. In addition, walls of the cavity can serve as an optical reflector for electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip and thus cause beam shaping of electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic component.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist der optoelektronische Halbleiterchip elektrisch leitend mit dem ersten Leiterrahmenabschnitt und mit dem zweiten Leiterrahmenabschnitt verbunden. Vorteilhafterweise können der erste Leiterrahmenabschnitt und der zweite Leiterrahmenabschnitt des optoelektronischen Bauelements dadurch zur elektrischen Anbindung des optoelektronischen Halbleiterchips des optoelektronischen Bauelements dienen. In one embodiment of the optoelectronic component, the optoelectronic semiconductor chip is connected in an electrically conductive manner to the first leadframe section and to the second leadframe section. Advantageously, the first leadframe section and the second leadframe section of the optoelectronic component can thereby serve for electrically connecting the optoelectronic semiconductor chip of the optoelectronic component.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist in der Kavität ein Vergussmaterial angeordnet. Der optoelektronische Halbleiterchip kann dabei beispielsweise in das Vergussmaterial eingebettet sein. Dadurch bewirkt das Vergussmaterial vorteilhafterweise einen Schutz des optoelektronischen Halbleiterchips vor einer Beschädigung durch äußere mechanische Einwirkungen. Das Vergussmaterial kann außerdem eingebettete Partikel aufweisen, beispielsweise eingebettete wellenlängenkonvertierende Partikel. In one embodiment of the optoelectronic component, a potting material is arranged in the cavity. The optoelectronic semiconductor chip can be embedded, for example, in the potting material. As a result, the potting material advantageously effects protection of the optoelectronic semiconductor chip from damage by external mechanical influences. The potting material may also comprise embedded particles, for example embedded wavelength-converting particles.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weisen der erste Leiterrahmenabschnitt und der zweite Leiterrahmenabschnitt jeweils eine Unterseite auf, die zumindest teilweise nicht durch den Gehäusekörper bedeckt ist. Vorteilhafterweise können die nicht durch den Gehäusekörper bedeckten Abschnitte der Unterseiten der Leiterrahmenabschnitte des optoelektronischen Bauelements zur elektrischen Anbindung des optoelektronischen Bauelements von außen dienen. In one embodiment of the optoelectronic component, the first leadframe section and the second leadframe section each have an underside which is at least partially not covered by the housing body. Advantageously, the portions of the lower sides of the leadframe sections of the optoelectronic component which are not covered by the housing body can serve for electrical connection of the optoelectronic component from the outside.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements schließt der Trennabschnitt im Wesentlichen bündig mit den Unterseiten des ersten Leiterrahmenabschnitts und des zweiten Leiterrahmenabschnitts ab. Vorteilhafterweise ergibt sich dadurch eine im Wesentlichen plane Unterseite des optoelektronischen Bauelements, an der die durch den Gehäusekörper unbedeckten Abschnitte des ersten Leiterrahmenabschnitts und des zweiten Leiterrahmenabschnitts zugänglich sind. Damit kann sich das optoelektronische Bauelement beispielsweise als SMT-Bauelement für eine Oberflächenmontage eignen. In one embodiment of the optoelectronic component, the separating section terminates substantially flush with the undersides of the first leadframe section and the second leadframe section. Advantageously, this results in a substantially planar underside of the optoelectronic component, on which the uncovered by the housing body portions of the first leadframe portion and the second leadframe portion are accessible. This allows the optoelectronic component to be suitable, for example, as an SMT component for surface mounting.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist der Trennabschnitt als im Wesentlichen geradliniger Steg ausgebildet. Vorteilhafterweise ist dadurch ein besonders einfaches Befüllen des Trennabschnitts mit dem Material des Gehäusekörpers während der Herstellung des Gehäusekörpers möglich. In one embodiment of the optoelectronic component, the separating section is designed as a substantially rectilinear web. Advantageously, thereby a particularly simple filling of the separating section with the material of the housing body during the manufacture of the housing body is possible.

In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist der Gehäusekörper ein Kunststoffmaterial auf. Beispielsweise kann der Gehäusekörper ein Epoxidharz oder ein Silikon aufweisen. Vorteilhafterweise ermöglicht dies eine einfache und kostengünstige Herstellung des Gehäusekörpers. In one embodiment of the optoelectronic component, the housing body has a plastic material. For example, the housing body may comprise an epoxy resin or a silicone. Advantageously, this allows a simple and inexpensive production of the housing body.

Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines ersten Leiterrahmenabschnitts mit einer Oberseite und eines zweiten Leiterrahmenabschnitts mit einer Oberseite, zum Einbetten des ersten Leiterrahmenabschnitts und des zweiten Leiterrahmenabschnitts in einen Gehäusekörper, wobei die Oberseiten des ersten Leiterrahmenabschnitts und des zweiten Leiterrahmenabschnitts zumindest teilweise nicht durch den Gehäusekörper bedeckt werden, wobei der erste Leiterrahmenabschnitt und der zweite Leiterrahmenabschnitt durch einen Trennabschnitt des Gehäusekörpers voneinander getrennt werden, wobei der Trennabschnitt zumindest abschnittsweise über die Oberseiten des ersten Leiterrahmenabschnitts und des zweiten Leiterrahmenabschnitts erhaben ausgebildet wird. Vorteilhafterweise ist bei diesem Verfahren eine einfache und zuverlässige Befüllung des Trennabschnitts zwischen dem ersten Leiterrahmenabschnitt und dem zweiten Leiterrahmenabschnitt mit dem Material des Gehäusekörpers sichergestellt. Dies wird durch die über die Oberseiten des ersten Leiterrahmenabschnitts und des zweiten Leiterrahmenabschnitts erhabene Ausgestaltung des Trennabschnitts erreicht, die einen großen Querschnitt des Trennabschnitts ermöglicht. Dabei können der erste Leiterrahmenabschnitt und der zweite Leiterrahmenabschnitt mit nur einem geringen lateralen Abstand voneinander angeordnet werden, wodurch durch das Verfahren ein optoelektronisches Bauelement mit kompakten äußeren Abmessungen erhältlich sein kann. A method for producing an optoelectronic component comprises steps for providing a first leadframe section having an upper side and a second leadframe section with an upper side, for embedding the first leadframe section and the second leadframe section in a housing body, the upper sides of the first leadframe section and the second leadframe section at least partially are not covered by the case body, wherein the first lead frame portion and the second lead frame portion are separated from each other by a separation portion of the case body, the separation portion being formed at least in sections over the tops of the first lead frame portion and the second lead frame portion. Advantageously, in this method, a simple and reliable filling of the separating section between the first lead frame portion and the second lead frame portion secured with the material of the housing body. This is achieved by the raised over the tops of the first lead frame portion and the second lead frame portion embodiment of the separation section, which allows a large cross-section of the separation section. In this case, the first leadframe section and the second leadframe section can be arranged with only a small lateral distance from one another, whereby an optoelectronic component with compact outer dimensions can be obtainable by the method.

In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Einbetten des ersten Leiterrahmenabschnitts und des zweiten Leiterrahmenabschnitts in den Gehäusekörper durch einen Formprozess, insbesondere durch einen Spritzgussprozess oder einen Spritzpressprozess. Vorteilhafterweise ermöglicht das Verfahren dadurch eine einfache und kostengünstige Herstellung des optoelektronischen Bauelements und eignet sich für eine Massenproduktion. Durch die über die Oberseiten der Leiterrahmenabschnitte erhabene Ausgestaltung des Trennabschnitts wird während des Einbettens des ersten Leiterrahmenabschnitts und des zweiten Leiterrahmenabschnitts durch den Formprozess ein zuverlässiges Befüllen des Trennabschnitts zwischen dem ersten Leiterrahmenabschnitt und dem zweiten Leiterrahmenabschnitt sichergestellt. In one embodiment of the method, the embedding of the first leadframe section and the second leadframe section in the housing body takes place by a molding process, in particular by an injection molding process or a transfer molding process. Advantageously, the method thereby enables a simple and cost-effective production of the optoelectronic component and is suitable for mass production. By embossing the partition portion over the tops of the lead frame portions, during the embedding of the first lead frame portion and the second lead frame portion by the molding process, reliable filling of the partition portion between the first lead frame portion and the second lead frame portion is ensured.

In einer Ausführungsform des Verfahrens werden der erste Leiterrahmenabschnitt und der zweite Leiterrahmenabschnitt als Abschnitte eines zusammenhängenden Leiterrahmens bereitgestellt. Vorteilhafterweise ermöglicht dies eine parallele Herstellung von Gehäusekörpern mehrerer optoelektronischer Bauelemente, wodurch sich die Herstellungskosten pro optoelektronischem Bauelement reduzieren. In one embodiment of the method, the first leadframe portion and the second leadframe portion are provided as portions of a continuous leadframe. Advantageously, this allows a parallel production of housing bodies of a plurality of optoelectronic components, thereby reducing the manufacturing cost per optoelectronic device.

In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst dieses einen weiteren Schritt zum Abtrennen des Gehäusekörpers von einer Mehrzahl weiterer Gehäusekörper. Dadurch ermöglicht das Verfahren eine parallele Herstellung von Gehäusekörpern mehrerer optoelektronischer Bauelemente in gemeinsamen Arbeitsgängen. Anschließend können die gemeinsam bearbeiteten Gehäusekörper voneinander getrennt werden, um die optoelektronischen Bauelemente zu vereinzeln. Vorteilhafterweise ermöglicht das Verfahren dadurch eine Reduzierung der Herstellungskosten pro einzelnem optoelektronischen Bauelement. In one embodiment of the method, this comprises a further step for separating the housing body from a plurality of further housing bodies. As a result, the method enables a parallel production of housing bodies of a plurality of optoelectronic components in common operations. Subsequently, the jointly processed housing body can be separated from each other to separate the optoelectronic devices. Advantageously, the method thereby enables a reduction in the production costs per individual optoelectronic component.

Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen in jeweils schematisierter Darstellung The above-described characteristics, features, and advantages of this invention, as well as the manner in which they are achieved, will become clearer and more clearly understood in the context of the following description of the embodiments, which will be described in connection with the drawings. In each case show in a schematic representation

1 eine geschnittene Seitenansicht eines Gehäusekörpers eines ersten optoelektronischen Bauelements; 1 a sectional side view of a housing body of a first optoelectronic device;

2 eine Aufsicht auf den Gehäusekörper des ersten optoelektronischen Bauelements; 2 a plan view of the housing body of the first optoelectronic device;

3 eine perspektivische Ansicht eines Gehäusekörpers eines zweiten optoelektronischen Bauelements; 3 a perspective view of a housing body of a second optoelectronic device;

4 eine perspektivische Ansicht eines Gehäusekörpers eines dritten optoelektronischen Bauelements; und 4 a perspective view of a housing body of a third optoelectronic device; and

5 eine teilweise transparente Darstellung des Gehäusekörpers des dritten optoelektronischen Bauelements. 5 a partially transparent representation of the housing body of the third optoelectronic component.

1 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines ersten optoelektronischen Bauelements 10. 2 zeigt eine schematische Aufsicht auf das erste optoelektronische Bauelement 10. Das erste optoelektronische Bauelement 10 kann beispielsweise ein Leuchtdioden-Bauelement (LED-Bauelement) oder ein Detektor-Bauelement sein. 1 shows a schematic sectional side view of a first optoelectronic device 10 , 2 shows a schematic plan view of the first optoelectronic component 10 , The first optoelectronic component 10 For example, it can be a light-emitting diode component (LED component) or a detector component.

Das erste optoelektronische Bauelement 10 weist ein Gehäuse mit einem Gehäusekörper 100 auf. Das Gehäuse kann auch als Package bezeichnet werden. Der Gehäusekörper 100 weist ein elektrisch isolierendes Material auf. Bevorzugt weist der Gehäusekörper 100 ein Kunststoffmaterial auf, beispielsweise ein Epoxidharz, ein Silikon oder ein Thermoplast. The first optoelectronic component 10 has a housing with a housing body 100 on. The housing can also be referred to as a package. The housing body 100 has an electrically insulating material. Preferably, the housing body 100 a plastic material, for example an epoxy resin, a silicone or a thermoplastic.

Der Gehäusekörper 100 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 kann durch ein Formverfahren (Moldverfahren) hergestellt werden. Beispielsweise kann der Gehäusekörper 100 durch ein Spritzgussverfahren (Injection Molding) oder ein Spritzpressverfahren (Transfer Molding) hergestellt werden. The housing body 100 of the first optoelectronic component 10 can be produced by a molding process (molding process). For example, the housing body 100 by an injection molding method or a transfer molding method.

Der Gehäusekörper 100 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 kann gemeinsam mit einer Anzahl weiterer Gehäusekörper 100 in einem zusammenhängenden Gehäusekörperverbund (Nutzen) hergestellt und erst nach der gemeinsamen Herstellung durch Zerteilen des Gehäusekörperverbunds vereinzelt werden. Das Zerteilen des Gehäusekörperverbunds kann entlang der seitlichen Außenflächen des Gehäusekörpers 100 und beispielsweise durch Sägen erfolgen. The housing body 100 of the first optoelectronic component 10 Can work together with a number of other enclosure bodies 100 be produced in a coherent housing body composite (benefits) and separated only after the joint production by dividing the housing body composite. The dicing of the housing body assembly can along the lateral outer surfaces of the housing body 100 and done for example by sawing.

In den Gehäusekörper 100 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 sind ein erster Leiterrahmenabschnitt 210 und ein zweiter Leiterrahmenabschnitt 220 eingebettet. Der erste Leiterrahmenabschnitt 210 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 220 weisen jeweils ein elektrisch leitendes Material auf, bevorzugt ein Metall. Der erste Leiterrahmenabschnitt 210 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 220 sind als Abschnitte eines im Wesentlichen flachen Blechs ausgebildet. In the housing body 100 of the first optoelectronic component 10 are a first ladder frame section 210 and a second lead frame section 220 embedded. The first ladder frame section 210 and the second lead frame section 220 each have an electrically conductive material, preferably a metal. The first ladder frame section 210 and the second lead frame section 220 are formed as sections of a substantially flat sheet.

Das Einbetten des ersten Leiterrahmenabschnitts 210 und des zweiten Leiterrahmenabschnitts 220 in den Gehäusekörper 100 erfolgt bereits während der Herstellung des Gehäusekörpers 100. Dabei werden der erste Leiterrahmenabschnitt 210 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 220 jeweils teilweise durch das Material des Gehäusekörpers 100 umformt. The embedding of the first lead frame section 210 and the second lead frame portion 220 in the housing body 100 already takes place during the manufacture of the housing body 100 , In this case, the first lead frame section 210 and the second lead frame section 220 each partially through the material of the housing body 100 reshapes.

Wird der Gehäusekörper 100 als Teil eines Gehäusekörperverbunds mit einer Mehrzahl von Gehäusekörpern 100 hergestellt, so können der erste Leiterrahmenabschnitt 210 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 220 durch Abschnitte eines größeren, zusammenhängenden Leiterrahmens gebildet werden. In diesem Fall werden der erste Leiterrahmenabschnitt 210 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 220 während des Zerteilens des Gehäusekörperverbunds von den übrigen Leiterrahmenabschnitten des Leiterrahmens getrennt. Will the housing body 100 as part of a housing body assembly having a plurality of housing bodies 100 made, so the first lead frame section 210 and the second lead frame section 220 are formed by sections of a larger, coherent lead frame. In this case, the first lead frame section becomes 210 and the second lead frame section 220 while dividing the Housing body composite of the remaining leadframe portions of the lead frame separately.

Der erste Leiterrahmenabschnitt 210 weist eine Oberseite 211 und eine der Oberseite 211 gegenüberliegende Unterseite 212 auf. Zwischen seiner Oberseite 211 und seiner Unterseite 212 weist der erste Leiterrahmenabschnitt 210 eine Dicke 213 auf. Der zweite Leiterrahmenabschnitt 220 weist eine Oberseite 221 und eine der Oberseite 221 gegenüberliegende Unterseite 222 auf. Zwischen seiner Oberseite 221 und seiner Unterseite 222 weist der zweite Leiterrahmenabschnitt 220 eine Dicke 223 auf. Die Dicke 213 des ersten Leiterrahmenabschnitts 210 entspricht im Wesentlichen der Dicke 223 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 220. The first ladder frame section 210 has a top 211 and one of the top 211 opposite bottom 212 on. Between his top 211 and its bottom 212 has the first lead frame section 210 a thickness 213 on. The second ladder frame section 220 has a top 221 and one of the top 221 opposite bottom 222 on. Between his top 221 and its bottom 222 has the second lead frame section 220 a thickness 223 on. The fat 213 of the first leadframe section 210 essentially corresponds to the thickness 223 the second lead frame section 220 ,

Der Gehäusekörper 100 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 weist eine Oberseite 101 und eine der Oberseite 101 gegenüberliegende Unterseite 102 auf. An der Oberseite 101 des Gehäusekörpers 100 ist eine Kavität 140 ausgebildet. Die Kavität 140 ist als sich trichterförmig in den Gehäusekörper 100 hineinerstreckende Vertiefung ausgebildet. Seitliche Wandungen der Kavität 140 weiten sich von einem Grund 141 der Kavität 140 zur Oberseite 101 des Gehäusekörpers 100 hin bevorzugt konisch auf. The housing body 100 of the first optoelectronic component 10 has a top 101 and one of the top 101 opposite bottom 102 on. At the top 101 of the housing body 100 is a cavity 140 educated. The cavity 140 is as funnel-shaped in the housing body 100 hineinzerstreckende depression formed. Lateral walls of the cavity 140 widen themselves from a reason 141 the cavity 140 to the top 101 of the housing body 100 towards preferably conically.

Am Grund 141 der Kavität 140 liegen ein durch das Material des Gehäusekörpers 100 unbedeckter Abschnitt 214 der Oberseite 211 des ersten Leiterrahmenabschnitts 210 und ein durch das Material des Gehäusekörpers 100 unbedeckter Abschnitt 224 der Oberseite 221 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 220 frei. At the bottom 141 the cavity 140 lie through the material of the housing body 100 uncovered section 214 the top 211 of the first leadframe section 210 and a through the material of the housing body 100 uncovered section 224 the top 221 the second lead frame section 220 free.

An der Unterseite 102 des Gehäusekörpers 100 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 liegen zumindest ein Teil der Unterseite 212 des ersten Leiterrahmenabschnitts 210 und zumindest ein Teil der Unterseite 222 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 220 frei und sind nicht durch das Material des Gehäusekörpers 100 bedeckt. Die an der Unterseite 102 des Gehäusekörpers 100 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 freiliegenden Teile der Unterseiten 212, 222 der Leiterrahmenabschnitte 210, 220 bilden von außen zugängliche elektrische Kontaktflächen zur elektrischen Kontaktierung des ersten optoelektronischen Bauelements 10. Bevorzugt schließen die freiliegenden Abschnitte der Unterseiten 212, 222 der Leiterrahmenabschnitte 210, 220 im Wesentlichen bündig mit der Unterseite 102 des Gehäusekörpers 100 ab. In diesem Fall kann sich das erste optoelektronische Bauelement 10 als SMT-Bauelement für eine Oberflächenmontage eignen. Beispielsweise kann eine elektrische Kontaktierung der durch die freiliegenden Teile der Unterseiten 212, 222 der Leiterrahmenabschnitte 210, 220 gebildeten elektrischen Kontaktflächen des ersten optoelektronischen Bauelements 10 durch Wiederaufschmelzlöten (Reflow-Löten) erfolgen. On the bottom 102 of the housing body 100 of the first optoelectronic component 10 are at least part of the bottom 212 of the first leadframe section 210 and at least part of the bottom 222 the second lead frame section 220 free and are not affected by the material of the case body 100 covered. The at the bottom 102 of the housing body 100 of the first optoelectronic component 10 exposed parts of the undersides 212 . 222 the ladder frame sections 210 . 220 form externally accessible electrical contact surfaces for electrical contacting of the first optoelectronic component 10 , Preferably, the exposed portions of the undersides close 212 . 222 the ladder frame sections 210 . 220 essentially flush with the bottom 102 of the housing body 100 from. In this case, the first optoelectronic component 10 as an SMT component for surface mounting. For example, an electrical contacting of the exposed parts of the undersides 212 . 222 the ladder frame sections 210 . 220 formed electrical contact surfaces of the first optoelectronic device 10 by reflow soldering.

Der erste Leiterrahmenabschnitt 210 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 220 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 sind durch einen ersten Trennabschnitt 110 des Gehäusekörpers 100 voneinander getrennt und elektrisch gegeneinander isoliert. Der erste Trennabschnitt 110 des Gehäusekörpers 100 weist eine Oberseite 111 und eine der Oberseite 111 gegenüberliegende Unterseite 112 auf. Die Oberseite 111 des ersten Trennabschnitts 110 bildet einen Teil des Grunds 141 der Kavität 140. Die Unterseite 112 des ersten Trennabschnitts 110 bildet einen Teil der Unterseite 102 des Gehäusekörpers 100 und schließt bevorzugt im Wesentlichen bündig mit der Unterseite 212 des ersten Leiterrahmenabschnitts 210 und der Unterseite 222 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 220 ab. The first ladder frame section 210 and the second lead frame section 220 of the first optoelectronic component 10 are through a first separation section 110 of the housing body 100 separated and electrically isolated from each other. The first separation section 110 of the housing body 100 has a top 111 and one of the top 111 opposite bottom 112 on. The top 111 of the first separation section 110 forms part of the reason 141 the cavity 140 , The bottom 112 of the first separation section 110 forms part of the bottom 102 of the housing body 100 and preferably substantially flush with the underside 212 of the first leadframe section 210 and the bottom 222 the second lead frame section 220 from.

Die Oberseite 111 des ersten Trennabschnitts 110 ist zumindest abschnittsweise über die Oberseiten 211 des ersten Leiterrahmenabschnitts 210 und die Oberseite 221 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 220 erhaben. Zwischen seiner Oberseite 111 und seiner Unterseite 112 weist der erste Trennabschnitt 110 eine in Richtung senkrecht zu den Oberseiten 211, 221 des ersten Leiterrahmenabschnitts 210 und des zweiten Leiterrahmenabschnitts 220 bemessene Dicke 113 auf. Die Dicke 113 des ersten Trennabschnitts 110 ist größer als die Dicke 213 des ersten Leiterrahmenabschnitts 210 und die Dicke 223 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 220. Dadurch, dass die Oberseite 111 des ersten Trennabschnitts 110 des Gehäusekörpers 100 zumindest abschnittsweise über die Oberseite 211 des ersten Leiterrahmenabschnitts 210 und die Oberseite 221 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 220 erhaben ist, bildet der erste Trennabschnitt 110 einen Wall zwischen der Oberseite 211 des ersten Leiterrahmenabschnitts 210 und der Oberseite 221 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 220 am Grund 141 der Kavität 140. The top 111 of the first separation section 110 is at least in sections over the tops 211 of the first leadframe section 210 and the top 221 the second lead frame section 220 sublime. Between his top 111 and its bottom 112 has the first separation section 110 one in the direction perpendicular to the tops 211 . 221 of the first leadframe section 210 and the second lead frame portion 220 measured thickness 113 on. The fat 113 of the first separation section 110 is greater than the thickness 213 of the first leadframe section 210 and the thickness 223 the second lead frame section 220 , By doing that, the top 111 of the first separation section 110 of the housing body 100 at least in sections over the top 211 of the first leadframe section 210 and the top 221 the second lead frame section 220 sublime forms the first separation section 110 a wall between the top 211 of the first leadframe section 210 and the top 221 the second lead frame section 220 at the bottom 141 the cavity 140 ,

Die einander zugewandten Außenkanten und Seitenflächen des ersten Leiterrahmenabschnitts 210 und des zweiten Leiterrahmenabschnitts 220 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 sind im Wesentlichen geradlinig und parallel zueinander ausgebildet. Dadurch bildet der erste Trennabschnitt 110 des Gehäusekörpers 100 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 einen im Wesentlichen geradlinigen Steg, der sich zwischen zwei Abschnitten der seitlichen Begrenzungswand der Kavität 140 entlang des Grunds 141 der Kavität 140 erstreckt. The mutually facing outer edges and side surfaces of the first leadframe portion 210 and the second lead frame portion 220 of the first optoelectronic component 10 are substantially rectilinear and parallel to each other. This forms the first separation section 110 of the housing body 100 of the first optoelectronic component 10 a substantially rectilinear web extending between two portions of the lateral boundary wall of the cavity 140 along the ground 141 the cavity 140 extends.

Dadurch, dass die Oberseite 111 des ersten Trennabschnitts 110 über die Oberseiten 211, 221 der Leiterrahmenabschnitte 210, 220 erhaben ist, weist der erste Trennabschnitt 110 in Richtung senkrecht zur Längserstreckungsrichtung des ersten Trennabschnitts 110 eine größere Querschnittsfläche auf, als dies bei einem bündigen Abschluss der Oberseite 111 des ersten Trennabschnitts 110 mit den Oberseiten 211, 221 der Leiterrahmenabschnitte 210, 220 der Fall wäre. Dadurch kann das Material des Gehäusekörpers 100 während der Herstellung des Gehäusekörpers 100 zuverlässig zwischen dem ersten Leiterrahmenabschnitt 210 und dem zweiten Leiterrahmenabschnitt 220 fließen und den ersten Trennabschnitt 110 bilden. Die zuverlässige Ausbildung des ersten Trennabschnitts 110 während der Herstellung des Gehäusekörpers 100 ist durch die ausreichend große Querschnittsfläche des ersten Trennabschnitts 210 auch dann sichergestellt, wenn der erste Leiterrahmenabschnitt 210 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 220 sehr nahe beieinanderliegen, wenn der erste Trennabschnitt 110 entlang der Längsrichtung des ersten Trennabschnitts 110 eine große Länge aufweist oder sich während der Herstellung des Gehäusekörpers 100 in einem mehrere Gehäusekörper 100 umfassenden Gehäusekörperverbund die ersten Trennabschnitte 110 mehrerer Gehäusekörper 100 unmittelbar aneinander anschließen und sich die durch das Material des Gehäusekörpers 100 zu überwindende Fließkanallänge dadurch erhöht. By doing that, the top 111 of the first separation section 110 over the tops 211 . 221 the ladder frame sections 210 . 220 sublime, has the first separation section 110 in the direction perpendicular to the longitudinal direction of the first separation section 110 a larger cross-sectional area than with a flush finish of the top 111 of the first separation section 110 with the tops 211 . 221 the ladder frame sections 210 . 220 the case would be. This allows the material of the housing body 100 during the manufacture of the housing body 100 reliable between the first lead frame section 210 and the second lead frame section 220 flow and the first separation section 110 form. The reliable design of the first separation section 110 during the manufacture of the housing body 100 is due to the sufficiently large cross-sectional area of the first separation section 210 also ensured when the first lead frame section 210 and the second lead frame section 220 very close to each other when the first separation section 110 along the longitudinal direction of the first separation section 110 has a large length or during the manufacture of the housing body 100 in a multiple housing body 100 comprehensive housing body composite the first separation sections 110 several housing body 100 connect directly to each other and through the material of the housing body 100 to be overcome flow channel length thereby increased.

Ein weiterer Vorteil der über die Oberseiten 211, 221 der Leiterrahmenabschnitte 210, 220 erhabenen Ausgestaltung der Oberseite 111 des ersten Trennabschnitts 110 besteht darin, dass der erste Trennabschnitt 110 durch seine erhöhte Dicke 113 eine erhöhte mechanische Stabilität des Gehäusekörpers 100 und eine zusätzliche Verankerung des ersten Leiterrahmenabschnitts 210 und des zweiten Leiterrahmenabschnitts 220 im Gehäusekörper 100 bewirken kann. Another advantage of over the tops 211 . 221 the ladder frame sections 210 . 220 raised design of the top 111 of the first separation section 110 is that the first separation section 110 through its increased thickness 113 an increased mechanical stability of the housing body 100 and an additional anchoring of the first lead frame section 210 and the second lead frame portion 220 in the housing body 100 can cause.

Ein weiterer Vorteil der über die Oberseiten 211, 221 der Leiterrahmenabschnitte 210, 220 erhabenen Ausgestaltung der Oberseite 111 des ersten Trennabschnitts 110 kann darin bestehen, dass hierdurch die Grenzflächen zwischen den Leiterrahmenabschnitten 210, 220 und dem ersten Trennabschnitt 110 des Gehäusekörpers 100 zusätzlich abgedichtet werden, wodurch die Gefahr einer Undichtigkeit dieser Grenzflächen reduziert wird. Another advantage of over the tops 211 . 221 the ladder frame sections 210 . 220 raised design of the top 111 of the first separation section 110 may be that thereby the interfaces between the leadframe sections 210 . 220 and the first separation section 110 of the housing body 100 be additionally sealed, whereby the risk of leakage of these interfaces is reduced.

In der Kavität 140 des Gehäusekörpers 100 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 ist ein optoelektronischer Halbleiterchip 300 angeordnet. In 2 ist der optoelektronische Halbleiterchip 300 der Übersichtlichkeit halber nicht dargestellt. Der optoelektronische Halbleiterchip 300 kann beispielsweise ein Leuchtdiodenchip (LED-Chip) oder ein Detektor-Chip sein. Der optoelektronische Halbleiterchip 300 ist dazu ausgebildet, elektromagnetische Strahlung, beispielsweise sichtbares Licht, zu emittieren. Es könnten auch mehrere optoelektronische Halbleiterchips 300 vorhanden sein. In the cavity 140 of the housing body 100 of the first optoelectronic component 10 is an optoelectronic semiconductor chip 300 arranged. In 2 is the optoelectronic semiconductor chip 300 for the sake of clarity not shown. The optoelectronic semiconductor chip 300 For example, it may be a light-emitting diode chip (LED chip) or a detector chip. The optoelectronic semiconductor chip 300 is designed to emit electromagnetic radiation, such as visible light. It could also be several optoelectronic semiconductor chips 300 to be available.

Der optoelektronische Halbleiterchip 300 ist am Grund 141 der Kavität 140 auf der Oberseite 211 des ersten Leiterrahmenabschnitts 210 angeordnet. Der optoelektronische Halbleiterchip 300 weist eine Oberseite 301 und eine der Oberseite 301 gegenüberliegende Unterseite 302 auf. Die Unterseite 302 des optoelektronischen Halbleiterchips 300 ist der Oberseite 211 des ersten Leiterrahmenabschnitts 210 zugewandt und mit dieser verbunden, beispielsweise über eine Lötverbindung oder eine Klebeverbindung. The optoelectronic semiconductor chip 300 is at the bottom 141 the cavity 140 on the top 211 of the first leadframe section 210 arranged. The optoelectronic semiconductor chip 300 has a top 301 and one of the top 301 opposite bottom 302 on. The bottom 302 of the optoelectronic semiconductor chip 300 is the top 211 of the first leadframe section 210 facing and connected to this, for example via a solder joint or an adhesive bond.

Der optoelektronische Halbleiterchip 300 weist eine erste elektrische Kontaktfläche und eine zweite elektrische Kontaktfläche auf, über die der optoelektronische Halbleiterchip 300 mit einer elektrischen Spannung beaufschlagt werden kann, um den optoelektronischen Halbleiterchip 300 zur Emission elektromagnetischer Strahlung zu veranlassen. Die erste elektrische Kontaktfläche des optoelektronischen Halbleiterchips 300 ist elektrisch leitend mit der Oberseite 211 des ersten Leiterrahmenabschnitts 210 verbunden. Die zweite elektrische Kontaktfläche des optoelektronischen Halbleiterchips 300 ist elektrisch leitend mit der Oberseite 221 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 220 verbunden. The optoelectronic semiconductor chip 300 has a first electrical contact surface and a second electrical contact surface through which the optoelectronic semiconductor chip 300 With an electrical voltage can be applied to the optoelectronic semiconductor chip 300 to cause the emission of electromagnetic radiation. The first electrical contact surface of the optoelectronic semiconductor chip 300 is electrically conductive with the top 211 of the first leadframe section 210 connected. The second electrical contact surface of the optoelectronic semiconductor chip 300 is electrically conductive with the top 221 the second lead frame section 220 connected.

Die erste elektrische Kontaktfläche des optoelektronischen Halbleiterchips 300 kann beispielsweise an der Unterseite 302 des optoelektronischen Halbleiterchips 300 angeordnet und über die mechanische Verbindung des optoelektronischen Halbleiterchips 300 mit dem ersten Leiterrahmenabschnitt 210 elektrisch leitend mit dem ersten Leiterrahmenabschnitt 210 verbunden sein. Die zweite elektrische Kontaktfläche des optoelektronischen Halbleiterchips 300 kann beispielsweise an der Oberseite 301 des optoelektronischen Halbleiterchips 300 angeordnet und mittels eines Bonddrahts 310 elektrisch leitend mit der Oberseite 221 des Leiterrahmenabschnitts 220 verbunden sein. Der Bonddraht 310 erstreckt sich über die Oberseite 111 des ersten Trennabschnitts 110 hinweg durch die Kavität 140. Es ist möglich, auch die erste elektrische Kontaktfläche des optoelektronischen Halbleiterchips 300 an der Oberseite 301 des optoelektronischen Halbleiterchips 300 anzuordnen und mittels eines weiteren Bonddrahts elektrisch leitend mit der Oberseite 211 des ersten Leiterrahmenabschnitts 210 zu verbinden. The first electrical contact surface of the optoelectronic semiconductor chip 300 can, for example, at the bottom 302 of the optoelectronic semiconductor chip 300 arranged and via the mechanical connection of the optoelectronic semiconductor chip 300 with the first lead frame section 210 electrically conductive with the first lead frame section 210 be connected. The second electrical contact surface of the optoelectronic semiconductor chip 300 for example, on the top 301 of the optoelectronic semiconductor chip 300 arranged and by means of a bonding wire 310 electrically conductive with the top 221 of the lead frame section 220 be connected. The bonding wire 310 extends over the top 111 of the first separation section 110 through the cavity 140 , It is also possible, the first electrical contact surface of the optoelectronic semiconductor chip 300 at the top 301 of the optoelectronic semiconductor chip 300 to arrange and by means of another bonding wire electrically conductive with the top 211 of the first leadframe section 210 connect to.

In der Kavität 140 an der Oberseite 101 des Gehäusekörpers 100 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 kann ein Vergussmaterial 150 angeordnet sein. In diesem Fall sind der optoelektronische Halbleiterchip 300 und der Bonddraht 310 bevorzugt in das Vergussmaterial 150 eingebettet. Das Vergussmaterial 150 kann dadurch einen Schutz des optoelektronischen Halbleiterchips 300 und des Bonddrahts 310 vor einer Beschädigung durch äußere Einwirkungen bewirken. In the cavity 140 at the top 101 of the housing body 100 of the first optoelectronic component 10 can be a potting material 150 be arranged. In this case, the optoelectronic semiconductor chip 300 and the bonding wire 310 preferably in the potting material 150 embedded. The potting material 150 This can be a protection of optoelectronic semiconductor chips 300 and the bond wire 310 from damage caused by external influences.

Das Vergussmaterial 150 ist bevorzugt optisch und/oder im infraroten Spektralbereich im Wesentlichen transparent. Das Vergussmaterial 150 kann beispielsweise ein Silikon aufweisen. Zusätzlich kann das Vergussmaterial 150 eingebettete Partikel aufweisen, beispielsweise eingebettete Streupartikel oder eingebettete wellenlängenkonvertierende Partikel. In das Vergussmaterial 150 eingebettete wellenlängenkonvertierende Partikel können dazu dienen, eine Wellenlänge einer durch den optoelektronischen Halbleiterchip 300 emittierten elektromagnetischen Strahlung zu konvertieren. Beispielsweise kann das Vergussmaterial 150 eingebettete Partikel aufweisen, die dazu vorgesehen sind, elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge aus dem blauen oder ultravioletten Spektralbereich in weißes Licht zu konvertieren. Das Vergussmaterial 150 kann auch eine optische Linse bilden. Das Vergussmaterial 150 kann auch entfallen. The potting material 150 is preferably optically and / or substantially transparent in the infrared spectral range. The potting material 150 may for example have a silicone. In addition, the potting material 150 embedded particles, such as embedded scattering particles or embedded wavelength-converting particles. In the potting material 150 embedded wavelength-converting particles may serve a wavelength of one through the optoelectronic semiconductor chip 300 to convert emitted electromagnetic radiation. For example, the potting material 150 have embedded particles, which are intended to convert electromagnetic radiation having a wavelength from the blue or ultraviolet spectral range into white light. The potting material 150 can also form an optical lens. The potting material 150 can also be omitted.

3 zeigt eine schematische perspektivische Ansicht eines zweiten optoelektronischen Bauelements 20. Das zweite optoelektronische Bauelement 20 weist große Übereinstimmungen mit dem ersten optoelektronischen Bauelement 10 der 1 und 2 auf. Gleiche und gleich wirkende Komponenten sind daher bei dem zweiten optoelektronischen Bauelement 20 mit denselben Bezugszeichen bezeichnet wie bei dem ersten optoelektronischen Bauelement 10 und werden nachfolgend nicht erneut detailliert beschrieben. Der optoelektronische Halbleiterchip 300 des zweiten optoelektronischen Bauelements 20 ist in 3 der Übersichtlichkeit halber nicht dargestellt. 3 shows a schematic perspective view of a second optoelectronic component 20 , The second optoelectronic component 20 has great similarities with the first optoelectronic component 10 of the 1 and 2 on. Equal and equal components are therefore in the second optoelectronic device 20 denoted by the same reference numerals as in the first optoelectronic component 10 and will not be described again in detail below. The optoelectronic semiconductor chip 300 of the second optoelectronic component 20 is in 3 for the sake of clarity not shown.

Das zweite optoelektronische Bauelement 20 unterscheidet sich von dem ersten optoelektronischen Bauelement 10 dadurch, dass der Gehäusekörper 100 anstelle des ersten Trennabschnitts 110 einen zweiten Trennabschnitt 120 aufweist, der den ersten Leiterrahmenabschnitt 210 von dem zweiten Leiterrahmenabschnitt 220 trennt. Der zweite Trennabschnitt 120 des Gehäusekörpers 100 des zweiten optoelektronischen Bauelements 20 ist im Unterschied zu dem ersten Trennabschnitt 110 des Gehäusekörpers 100 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 etwa mittig in der Kavität 140 des Gehäusekörpers 100 angeordnet. Dadurch weisen der unbedeckte Abschnitt 214 der Oberseite 211 des ersten Leiterrahmenabschnitts 210 und der unbedeckte Abschnitt 224 der Oberseite 221 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 220 bei dem zweiten optoelektronischen Bauelement 20 etwa dieselbe Größe auf, während der unbedeckte Abschnitt 214 der Oberseite 211 des ersten Leiterrahmenabschnitts 210 beim ersten optoelektronischen Bauelement 10 größer ausgebildet ist als der unbedeckte Abschnitt 224 der Oberseite 221 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 220. The second optoelectronic component 20 differs from the first optoelectronic component 10 in that the housing body 100 instead of the first separation section 110 a second separating section 120 comprising the first lead frame section 210 from the second lead frame section 220 separates. The second separation section 120 of the housing body 100 of the second optoelectronic component 20 is unlike the first separation section 110 of the housing body 100 of the first optoelectronic component 10 approximately in the middle of the cavity 140 of the housing body 100 arranged. This shows the uncovered section 214 the top 211 of the first leadframe section 210 and the uncovered section 224 the top 221 the second lead frame section 220 in the second optoelectronic component 20 about the same size, while the uncovered section 214 the top 211 of the first leadframe section 210 in the first optoelectronic component 10 is formed larger than the uncovered portion 224 the top 221 the second lead frame section 220 ,

Auch die Oberseite 111 des zweiten Trennabschnitts 120 des Gehäusekörpers 100 des zweiten optoelektronischen Bauelements 20 ist über die Oberseiten 211, 221 der Leiterrahmenabschnitte 210, 220 des zweiten optoelektronischen Bauelements 20 erhaben. Auch der zweite Trennabschnitt 120 ist als in Längsrichtung im Wesentlichen geradliniger Steg ausgebildet. Also the top 111 of the second separation section 120 of the housing body 100 of the second optoelectronic component 20 is over the tops 211 . 221 the ladder frame sections 210 . 220 of the second optoelectronic component 20 sublime. Also the second separation section 120 is formed as a longitudinally substantially rectilinear web.

4 zeigt eine schematische perspektivische Ansicht eines dritten optoelektronischen Bauelements 30. 5 zeigt eine schematische perspektivische und teilweise transparente Darstellung des dritten optoelektronischen Bauelements 30. Das dritte optoelektronische Bauelement 30 weist große Übereinstimmungen mit dem ersten optoelektronischen Bauelement 10 der 1 und 2 auf. Gleiche und gleich wirkende Komponenten sind daher in 4 und 5 mit denselben Bezugszeichen versehen wie in 1 und 2 und werden nachfolgend nicht erneut detailliert beschrieben. Der optoelektronische Halbleiterchip 300 des dritten optoelektronischen Bauelements 30 ist in 4 und 5 der Übersichtlichkeit halber nicht dargestellt. 4 shows a schematic perspective view of a third optoelectronic device 30 , 5 shows a schematic perspective and partially transparent representation of the third optoelectronic component 30 , The third optoelectronic component 30 has great similarities with the first optoelectronic component 10 of the 1 and 2 on. The same and equal components are therefore in 4 and 5 provided with the same reference numerals as in 1 and 2 and will not be described again in detail below. The optoelectronic semiconductor chip 300 of the third optoelectronic component 30 is in 4 and 5 for the sake of clarity not shown.

Das dritte optoelektronische Bauelement 30 unterscheidet sich von dem ersten optoelektronischen Bauelement 10 dadurch, dass die einander zugewandten Seitenflächen des ersten Leiterrahmenabschnitts 210 und des zweiten Leiterrahmenabschnitts 220 beim dritten optoelektronischen Bauelement 30 nicht gerade ausgebildet sind. Stattdessen sind der erste Leiterrahmenabschnitt 210 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 220 abschnittsweise ineinander verschachtelt oder verzahnt. Der erste Leiterrahmenabschnitt 210 weist auf seiner dem zweiten Leiterrahmenabschnitt 220 zugewandten Seite eine konkave Ausnehmung auf. In diese konkave Ausnehmung des ersten Leiterrahmenabschnitts 210 ragt eine konvexe Ausbuchtung des zweiten Leiterrahmenabschnitts 220 auf der dem ersten Leiterrahmenabschnitt 210 zugewandten Seite des zweiten Leiterrahmenabschnitts 220. Durch die Verschachtelung bzw. Verzahnung des ersten Leiterrahmenabschnitts 210 und des zweiten Leiterrahmenabschnitts 220 kann eine Bruchanfälligkeit des Gehäusekörpers 100 des dritten optoelektronischen Bauelements 30 reduziert sein. The third optoelectronic component 30 differs from the first optoelectronic component 10 in that the mutually facing side surfaces of the first leadframe section 210 and the second lead frame portion 220 in the third optoelectronic component 30 not exactly trained. Instead, the first lead frame section 210 and the second lead frame section 220 partially interleaved or interlocked. The first ladder frame section 210 indicates on its the second leadframe section 220 facing side on a concave recess. In this concave recess of the first lead frame section 210 protrudes a convex bulge of the second lead frame section 220 on the first ladder frame section 210 facing side of the second leadframe portion 220 , By the nesting or toothing of the first leadframe section 210 and the second lead frame portion 220 can susceptibility to breakage of the housing body 100 of the third optoelectronic component 30 be reduced.

Trotz der Verschachtelung bzw. Verzahnung des ersten Leiterrahmenabschnitts 210 und des zweiten Leiterrahmenabschnitts 220 sind der erste Leiterrahmenabschnitt 210 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 220 im Gehäusekörper 100 des dritten optoelektronischen Bauelements 30 voneinander beabstandet und elektrisch gegeneinander isoliert. Zwischen dem ersten Leiterrahmenabschnitt 210 und dem zweiten Leiterrahmenabschnitt 220 des dritten optoelektronischen Bauelements 30 ist ein dritter Trennabschnitt 130 des Gehäusekörpers 100 angeordnet, der den ersten Trennabschnitt 110 des ersten optoelektronischen Bauelements 10 ersetzt. Da der Trennbereich zwischen dem ersten Leiterrahmenabschnitt 210 und dem zweiten Leiterrahmenabschnitt 220 beim dritten optoelektronischen Bauelement 30 nicht geradlinig ausgebildet ist, weist auch der dritte Trennabschnitt 130 des Gehäusekörpers 100 des dritten optoelektronischen Bauelements 30 keine geradlinige Form auf. Despite the nesting or toothing of the first leadframe section 210 and the second lead frame portion 220 are the first ladder frame section 210 and the second lead frame section 220 in the housing body 100 of the third optoelectronic component 30 spaced apart and electrically isolated from each other. Between the first lead frame section 210 and the second lead frame section 220 of the third optoelectronic component 30 is a third separation section 130 of the housing body 100 arranged, which is the first separation section 110 of the first optoelectronic component 10 replaced. Since the separation area between the first lead frame section 210 and the second lead frame section 220 in the third optoelectronic component 30 is not rectilinear, also has the third separation section 130 of the housing body 100 of the third optoelectronic component 30 no straightforward form.

Auch die Oberseite 111 des dritten Trennabschnitts 130 des Gehäusekörpers 100 des dritten optoelektronischen Bauelements 30 ist über die Oberseiten 211, 221 der Leiterrahmenabschnitte 210, 220 erhaben. Also the top 111 of the third separation section 130 of the housing body 100 of the third optoelectronic component 30 is over the tops 211 . 221 the ladder frame sections 210 . 220 sublime.

Es ist möglich, die einander zugewandten Seitenflächen der Leiterrahmenabschnitte 210, 220 und die Trennabschnitte 110, 120, 130 mit anderen als den dargestellten Geometrien auszubilden. Beispielsweise können die Trennabschnitte 110, 120, 130 einfach oder mehrfach abgewinkelt bzw. geknickt oder gekrümmt ausgebildet werden. In jedem Fall verbessert sich durch die über die Oberseiten 211, 221 der Leiterrahmenabschnitte 210, 220 erhabene Ausgestaltung der Oberseite 111 der Trennabschnitte 110, 120, 130 die Befüllbarkeit des Trennabschnitts 110, 120, 130 mit dem Material des Gehäusekörpers 100 während der Herstellung des Gehäusekörpers 100. It is possible, the mutually facing side surfaces of the leadframe sections 210 . 220 and the separating sections 110 . 120 . 130 form with other than the illustrated geometries. For example, the separating sections 110 . 120 . 130 be bent one or more times or bent or bent formed. In any case, improves through the over the tops 211 . 221 the ladder frame sections 210 . 220 raised design of the top 111 the separating sections 110 . 120 . 130 the fillability of the separating section 110 . 120 . 130 with the material of the housing body 100 during the manufacture of the housing body 100 ,

Die Erfindung wurde anhand der bevorzugten Ausführungsbeispiele näher erläutert und beschrieben. Dennoch ist die Erfindung nicht auf die offenbarten Beispiele eingeschränkt. Vielmehr können hieraus andere Variationen vom Fachmann abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen. The invention has been explained and described in more detail with reference to the preferred embodiments. However, the invention is not limited to the disclosed examples. Rather, other variations may be deduced therefrom by those skilled in the art without departing from the scope of the invention.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

10 10
erstes optoelektronisches Bauelement first optoelectronic component
20 20
zweites optoelektronisches Bauelement second optoelectronic component
30 30
drittes optoelektronisches Bauelement third optoelectronic component
100 100
Gehäusekörper housing body
101 101
Oberseite top
102 102
Unterseite bottom
110 110
erster Trennabschnitt first separation section
111 111
Oberseite top
112 112
Unterseite bottom
113 113
Dicke thickness
120 120
zweiter Trennabschnitt second separation section
130 130
dritter Trennabschnitt third separation section
140 140
Kavität cavity
141 141
Grund reason
150 150
Vergussmaterial grout
210 210
erster Leiterrahmenabschnitt first ladder frame section
211 211
Oberseite top
212 212
Unterseite bottom
213 213
Dicke thickness
214 214
unbedeckter Abschnitt uncovered section
220 220
zweiter Leiterrahmenabschnitt second ladder frame section
221 221
Oberseite top
222 222
Unterseite bottom
223 223
Dicke thickness
224 224
unbedeckter Abschnitt uncovered section
300 300
optoelektronischer Halbleiterchip optoelectronic semiconductor chip
301 301
Oberseite top
302 302
Unterseite bottom
310 310
Bonddraht bonding wire

Claims (14)

Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30) mit einem Gehäusekörper (100), in den ein erster Leiterrahmenabschnitt (210) und ein zweiter Leiterrahmenabschnitt (220) eingebettet sind, wobei der erste Leiterrahmenabschnitt (210) und der zweite Leiterrahmenabschnitt (220) jeweils eine Oberseite (211, 221) aufweisen, die zumindest teilweise nicht durch den Gehäusekörper (100) bedeckt ist, wobei der erste Leiterrahmenabschnitt (210) und der zweite Leiterrahmenabschnitt (220) durch einen Trennabschnitt (110, 120, 130) des Gehäusekörpers (100) voneinander getrennt sind, wobei der Trennabschnitt (110, 120, 130) zumindest abschnittsweise über die Oberseiten (211, 221) des ersten Leiterrahmenabschnitts (210) und des zweiten Leiterrahmenabschnitts (220) erhaben ist. Optoelectronic component ( 10 . 20 . 30 ) with a housing body ( 100 ) into which a first lead frame section ( 210 ) and a second leadframe section ( 220 ) are embedded, wherein the first lead frame section ( 210 ) and the second lead frame section ( 220 ) each have a top side ( 211 . 221 ), which at least partially not through the housing body ( 100 ) is covered, wherein the first lead frame section ( 210 ) and the second lead frame section ( 220 ) by a separating section ( 110 . 120 . 130 ) of the housing body ( 100 ) are separated from each other, wherein the separating section ( 110 . 120 . 130 ) at least in sections over the topsides ( 211 . 221 ) of the first lead frame section ( 210 ) and the second lead frame section ( 220 ) is sublime. Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30) gemäß Anspruch 1, wobei der Trennabschnitt (110, 120, 130) in Richtung senkrecht zu den Oberseiten (211, 221) des ersten Leiterrahmenabschnitts (210) und des zweiten Leiterrahmenabschnitts (220) eine größere Dicke (113) aufweist als der erste Leiterrahmenabschnitt (210) und/oder der zweite Leiterrahmenabschnitt (220). Optoelectronic component ( 10 . 20 . 30 ) according to claim 1, wherein the separating section ( 110 . 120 . 130 ) in the direction perpendicular to the topsides ( 211 . 221 ) of the first lead frame section ( 210 ) and the second lead frame section ( 220 ) a greater thickness ( 113 ) than the first leadframe section (FIG. 210 ) and / or the second lead frame section ( 220 ). Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Gehäusekörper (100) eine Kavität (140) aufweist, wobei die nicht durch den Gehäusekörper (100) bedeckten Teile (214, 224) der Oberseiten (211, 221) des ersten Leiterrahmenabschnitts (210) und des zweiten Leiterrahmenabschnitts (220) am Grund (141) der Kavität (140) angeordnet sind. Optoelectronic component ( 10 . 20 . 30 ) according to one of the preceding claims, wherein the housing body ( 100 ) a cavity ( 140 ), whereby not by the housing body ( 100 ) covered parts ( 214 . 224 ) of the topsides ( 211 . 221 ) of the first lead frame section ( 210 ) and the second lead frame section ( 220 ) at the bottom ( 141 ) of the cavity ( 140 ) are arranged. Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30) gemäß Anspruch 3, wobei in der Kavität (140) ein optoelektronischer Halbleiterchip (300) angeordnet ist. Optoelectronic component ( 10 . 20 . 30 ) according to claim 3, wherein in the cavity ( 140 ) an optoelectronic semiconductor chip ( 300 ) is arranged. Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30) gemäß Anspruch 4, wobei der optoelektronische Halbleiterchip (300) elektrisch leitend mit dem ersten Leiterrahmenabschnitt (210) und mit dem zweiten Leiterrahmenabschnitt (220) verbunden ist. Optoelectronic component ( 10 . 20 . 30 ) according to claim 4, wherein the optoelectronic semiconductor chip ( 300 ) electrically conductive with the first Lead frame section ( 210 ) and with the second lead frame section ( 220 ) connected is. Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30) gemäß einem der Ansprüche 3 bis 5, wobei in der Kavität (140) ein Vergussmaterial (150) angeordnet ist. Optoelectronic component ( 10 . 20 . 30 ) according to one of claims 3 to 5, wherein in the cavity ( 140 ) a potting material ( 150 ) is arranged. Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei er erste Leiterrahmenabschnitt (210) und der zweite Leiterrahmenabschnitt (220) jeweils eine Unterseite (212, 222) aufweisen, die zumindest teilweise nicht durch den Gehäusekörper (100) bedeckt ist. Optoelectronic component ( 10 . 20 . 30 ) according to one of the preceding claims, wherein it comprises first lead frame section ( 210 ) and the second lead frame section ( 220 ) one underside each ( 212 . 222 ), which at least partially not through the housing body ( 100 ) is covered. Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30) gemäß Anspruch 7, wobei der Trennabschnitt (110, 120, 130) im Wesentlichen bündig mit den Unterseiten (212, 222) des ersten Leiterrahmenabschnitts (210) und des zweiten Leiterrahmenabschnitts (220) abschließt. Optoelectronic component ( 10 . 20 . 30 ) according to claim 7, wherein the separating section ( 110 . 120 . 130 ) substantially flush with the undersides ( 212 . 222 ) of the first lead frame section ( 210 ) and the second lead frame section ( 220 ) completes. Optoelektronisches Bauelement (10, 20) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Trennabschnitt (110, 120) als im Wesentlichen geradliniger Steg ausgebildet ist. Optoelectronic component ( 10 . 20 ) according to one of the preceding claims, wherein the separating section ( 110 . 120 ) is formed as a substantially rectilinear web. Optoelektronisches Bauelement (10, 20, 30) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Gehäusekörper (100) ein Kunststoffmaterial aufweist. Optoelectronic component ( 10 . 20 . 30 ) according to one of the preceding claims, wherein the housing body ( 100 ) comprises a plastic material. Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (10, 20, 30) mit den folgenden Schritten: – Bereitstellen eines ersten Leiterrahmenabschnitt (210) mit einer Oberseite (211) und eines zweiten Leiterrahmenabschnitts (220) mit einer Oberseite (221); – Einbetten des ersten Leiterrahmenabschnitts (210) und des zweiten Leiterrahmenabschnitts (220) in einen Gehäusekörper (100), wobei die Oberseiten (211, 221) des ersten Leiterrahmenabschnitts (210) und des zweiten Leiterrahmenabschnitts (220) zumindest teilweise nicht durch den Gehäusekörper (100) bedeckt werden, wobei der erste Leiterrahmenabschnitt (210) und der zweite Leiterrahmenabschnitt (220) durch einen Trennabschnitt (110, 120, 130) des Gehäusekörpers (100) voneinander getrennt werden, wobei der Trennabschnitt (110, 120, 130) zumindest abschnittsweise über die Oberseiten (211, 221) des ersten Leiterrahmenabschnitts (210) und des zweiten Leiterrahmenabschnitts (220) erhaben ausgebildet wird. Method for producing an optoelectronic component ( 10 . 20 . 30 ) comprising the following steps: - providing a first leadframe section ( 210 ) with a top side ( 211 ) and a second leadframe section ( 220 ) with a top side ( 221 ); Embedding the first leadframe section ( 210 ) and the second lead frame section ( 220 ) in a housing body ( 100 ), the topsides ( 211 . 221 ) of the first lead frame section ( 210 ) and the second lead frame section ( 220 ) at least partially not through the housing body ( 100 ), wherein the first lead frame section ( 210 ) and the second lead frame section ( 220 ) by a separating section ( 110 . 120 . 130 ) of the housing body ( 100 ) are separated from each other, wherein the separating section ( 110 . 120 . 130 ) at least in sections over the topsides ( 211 . 221 ) of the first lead frame section ( 210 ) and the second lead frame section ( 220 ) is formed sublime. Verfahren gemäß Anspruch 11, wobei das Einbetten des ersten Leiterrahmenabschnitts (210) und des zweiten Leiterrahmenabschnitts (220) in den Gehäusekörper (100) durch einen Formprozess erfolgt, insbesondere durch einen Spritzgussprozess oder einen Spritzpressprozess. The method of claim 11, wherein the embedding of the first lead frame portion (FIG. 210 ) and the second lead frame section ( 220 ) in the housing body ( 100 ) takes place by a molding process, in particular by an injection molding process or a transfer molding process. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 11 und 12, wobei der erste Leiterrahmenabschnitt (210) und der zweite Leiterrahmenabschnitt (220) als Abschnitte eines zusammenhängenden Leiterrahmens bereitgestellt werden. Method according to one of claims 11 and 12, wherein the first leadframe section ( 210 ) and the second lead frame section ( 220 ) as portions of a contiguous leadframe. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 11 bis 13, wobei das Verfahren den folgenden weiteren Schritt aufweist: – Abtrennen des Gehäusekörpers (100) von einer Mehrzahl weiterer Gehäusekörper (100). Method according to one of claims 11 to 13, wherein the method comprises the following further step: - separating the housing body ( 100 ) of a plurality of further housing bodies ( 100 ).
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